JP6727950B2 - リードフレーム - Google Patents

Description

開示の実施形態は、リードフレームに関する。

従来、薄型の半導体装置として、例えばＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded package）タイプの半導体装置や、ＳＯＮ（Small Outline Non-leaded package）タイプの半導体装置等が知られている。また、上述の薄型の半導体装置は、例えば、複数の半導体素子やボンディングワイヤが搭載されたリードフレームを一括で樹脂封止して、複数の半導体装置を一体的に形成した後に、半導体装置毎に切り離すダイシングを経て製造される。そして、かかるダイシングにおいて、コネクティングバーにより切断面にバリが発生することを抑制するため、あらかじめコネクティングバーをハーフエッチング加工する技術が知られている（例えば、特許文献１参照）。

特開２００１−３２０００７号公報

しかしながら、従来のリードフレームのようにコネクティングバーがハーフエッチング加工されている場合、リードフレームの大判化等に伴って強度が低下し、リードフレームが撓む恐れがある。そして、かかる撓みにより、リードフレーム上に搭載された半導体素子やボンディングワイヤが破断したり欠落したりする恐れがある。

実施形態の一態様は、上記に鑑みてなされたものであって、撓みを抑制するリードフレームを提供することを目的とする。

実施形態の一態様に係るリードフレームは、矩形状であって、複数の単位リードフレームと、複数の第１コネクティングバーと、複数の第２コネクティングバーと、を備える。前記単位リードフレームは、ダイパッドと複数のリードとを有する。前記第１コネクティングバーは、隣接する前記単位リードフレーム同士を連結し、前記リードフレームの長手方向に延びる。前記第２コネクティングバーは、隣接する前記単位リードフレーム同士を連結し、前記リードフレームの短手方向に延びる。そして、複数の前記第２コネクティングバーの少なくとも一部が、前記第１コネクティングバーよりも厚い部位を有する。

実施形態の一態様によれば、撓みを抑制するリードフレームを提供することができる。

図１は、第１の実施形態に係るリードフレームの概念図である。 図２は、第１の実施形態に係るリードフレームの拡大平面図である。 図３Ａは、図２に示すＡ−Ａ線の矢視断面図である。 図３Ｂは、図２に示すＢ−Ｂ線の矢視断面図である。 図３Ｃは、図２に示すＣ−Ｃ線の矢視断面図である。 図４Ａは、第１の実施形態に係るリードフレームを用いた半導体装置の一製造工程を示した概略断面図である。 図４Ｂは、第１の実施形態に係るリードフレームを用いた半導体装置の次の製造工程を示した概略断面図である。 図４Ｃは、第１の実施形態に係るリードフレームを用いた半導体装置のさらに次の製造工程を示した概略断面図である。 図５Ａは、図２に示すＤ−Ｄ線の矢視断面図である。 図５Ｂは、第１の実施形態の変形例に係る図２のＤ−Ｄ線に相当する矢視断面図である。 図５Ｃは、第１の実施形態の別の変形例に係る図２のＤ−Ｄ線に相当する矢視断面図である。 図６は、第２の実施形態に係るリードフレームの拡大平面図である。 図７は、第２の実施形態の変形例に係るリードフレームの拡大平面図である。 図８は、第３の実施形態に係るリードフレームの概略平面図である。 図９は、第４の実施形態に係るリードフレームの概略平面図である。 図１０は、第４の実施形態の変形例に係るリードフレームの概略平面図である。 図１１は、第４の実施形態の別の変形例に係るリードフレームの概略平面図である。 図１２は、第４の実施形態のさらに別の変形例に係るリードフレームの概略平面図である。 図１３は、第３の実施形態と第４の実施形態とを組み合わせたリードフレームの概略平面図である。

以下、添付図面を参照して、本願の開示するリードフレームの実施形態について説明する。なお、以下に示す各実施形態によりこの発明が限定されるものではない。

＜第１の実施形態＞
まず、図１を参照して第１の実施形態に係るリードフレームの概略を説明する。図１に示すように、第１の実施形態に係るリードフレーム１は、平面視で矩形状であり、複数の単位リードフレーム１０と、複数の第１コネクティングバー１１と、複数の第２コネクティングバー１２と、外枠１３とを備える。単位リードフレーム１０は、リードフレーム１にマトリックス状に並べられている。

第１コネクティングバー１１は、隣接する単位リードフレーム１０同士を連結し、リードフレーム１の長手方向Ｌに沿って延びている。第２コネクティングバー１２は、隣接する単位リードフレーム１０同士を連結し、リードフレーム１の短手方向Ｓに沿って延びている。外枠１３は、マトリックス状に並べられた単位リードフレーム１０の四方を囲むように設けられる。

具体的には、外枠１３は、短手方向Ｓに延びる一対の第１枠部１３ａと、長手方向Ｌに延びる一対の第２枠部１３ｂとを有し、一対の第１枠部１３ａの間に第１コネクティングバー１１が延び、一対の第２枠部１３ｂの間に第２コネクティングバー１２が延びている。そして、リードフレーム１において、長手方向Ｌに延びる第１コネクティングバー１１にはハーフエッチング加工がなされている。

ここで、従来のリードフレームにおいては、短手方向よりも撓みやすい長手方向に沿ってリードフレームが撓まないように、リードフレームの短手方向における両端部、すなわち一対の第２枠部を支持して各種製造工程を行っていた。しかしながら、リードフレームの大判化等に伴ってリードフレーム全体としての強度が低下した場合、一対の第２枠部を支持すると、短手方向に沿ってリードフレームが撓む恐れがあった。

そこで、第１の実施形態に係るリードフレーム１においては、短手方向Ｓに延びる第２コネクティングバー１２にはハーフエッチング加工を行わず、第１コネクティングバー１１よりも厚くしている。これにより、リードフレーム１の短手方向Ｓの強度を向上させることができる。したがって、リードフレーム１の短手方向Ｓに沿った撓みを抑制することができる。

なお、本願明細書の平面図においては、理解を容易にするため、ハーフエッチング加工されていない部位（以下、「フルメタル部」とも呼称する）にはハッチングを施すことがある。また、以下において、ハーフエッチング加工された部位を「ハーフエッチング部」とも呼称する。

以下、第１の実施形態に係るリードフレーム１の詳細について図２等を用いて説明する。リードフレーム１は、ＱＦＮタイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレームであり、銅や銅合金、鉄ニッケル合金等で構成される平面視で長方形状の金属板に、エッチング加工等が施されて形成される。

図２に示すように、単位リードフレーム１０は、第１コネクティングバー１１と第２コネクティングバー１２とに囲まれた部位であり、ダイパッド１０ａと、複数のリード１０ｂと、サポートバー１０ｃとを有する。平面視で矩形状のダイパッド１０ａは、単位リードフレーム１０の中央部分に設けられ、おもて面側に半導体素子２０を搭載可能である（図４Ａ参照）。

複数のリード１０ｂは、ダイパッド１０ａの四辺にそれぞれ向かい合うように空間を介して設けられ、第１コネクティングバー１１または第２コネクティングバー１２に支持される。そして、リード１０ｂは、半導体素子２０の電極とボンディングワイヤ２１等で電気的に接続されることによって、半導体装置２の外部端子として機能する（図４Ａ、図４Ｃ参照）。

サポートバー１０ｃは、ダイパッド１０ａの各角部からそれぞれ外方に延び、第１コネクティングバー１１および第２コネクティングバー１２に接続されてダイパッド１０ａを支持する。このように、単位リードフレーム１０は、個々の半導体装置２（図４Ｃ参照）に対応する。そして、単位リードフレーム１０の周囲には、第１コネクティングバー１１と第２コネクティングバー１２とが格子状に配置されている。

第１コネクティングバー１１は、リードフレーム１における長手方向Ｌに沿って延び、短手方向Ｓに沿って隣接する単位リードフレーム１０同士を連結している。また、第１コネクティングバー１１は、両端で外枠１３の第１枠部１３ａ（図１参照）に接続されている。

第２コネクティングバー１２は、リードフレーム１における短手方向Ｓに沿って延び、長手方向Ｌに沿って隣接する単位リードフレーム１０同士を連結している。また、第２コネクティングバー１２は、両端で外枠１３の第２枠部１３ｂ（図１参照）に接続されている。

また、図２に示すように、第１コネクティングバー１１は幅Ｗ１が均等になるように形成され、第２コネクティングバー１２は幅Ｗ２が均等になるように形成されている。ここで、例えば幅Ｗ１と幅Ｗ２とは等しい。そして、第１コネクティングバー１１と第２コネクティングバー１２とは、交差部１４で互いに直交している。しかしながら、第１の実施形態においては、必ずしも幅Ｗ１とＷ２とが等しくなくてもよく、第１コネクティングバー１１と第２コネクティングバー１２とは直交していなくてもよい。

次に、図３Ａ〜図３Ｃを参照して、リードフレーム１における各部の断面形状について説明する。なお、図３Ａ〜図３Ｃにおいては、理解を容易にするため、各構成部材の境界線を破線で示している。

図３Ａに示すように、ダイパッド１０ａおよびリード１０ｂは、一部を除いてハーフエッチング加工が行われておらず、エッチング加工前の金属板の板厚と同じ厚さである。そして、ダイパッド１０ａの端部には、裏面側にハーフエッチング加工されたエッチング部１５ａが形成され、リード１０ｂの端部には、裏面側にハーフエッチング加工されたエッチング部１５ｂが形成されている。

そして、長手方向Ｌに沿って延びる第１コネクティングバー１１には、裏面側にハーフエッチング加工がなされ、エッチング部１５ｃが形成されている。すなわち、第１コネクティングバー１１は、エッチング加工前の金属板よりも薄くなっている。

一方で、図３Ｂに示すように、短手方向Ｓに沿って延びる第２コネクティングバー１２にはハーフエッチング加工はなされておらず、エッチング加工前の金属板の板厚と同じ厚さである。すなわち、第２コネクティングバー１２は、第１コネクティングバー１１よりも厚くなっている。これにより、第２コネクティングバー１２の断面積が第１コネクティングバー１１よりも大きいことから、リードフレーム１の短手方向Ｓの強度を向上させることができる。したがって、リードフレーム１が短手方向Ｓに撓むことを抑制することができる。

また、図３Ｃに示すように、第１コネクティングバー１１（図２参照）と第２コネクティングバー１２とが互いに交差する交差部１４にはハーフエッチング加工はなされておらず、エッチング加工前の金属板の板厚と同じ厚さである。すなわち、短手方向Ｓに沿って延びる第２コネクティングバー１２は、交差部１４を含めて、一端から他端まですべてフルメタル部で構成されている。これにより、リードフレーム１が短手方向Ｓに撓むことを抑制することができる。

さらに、リードフレーム１において、第２コネクティングバー１２は、ダイパッド１０ａの主要部分と同じくフルメタル部で構成されている。これにより、所定の板厚を有する金属板からリードフレーム１を形成した場合において、第２コネクティングバー１２の厚さを最大化することができる。したがって、リードフレーム１の短手方向Ｓの強度を最大化することができる。

次に、図４Ａ〜図４Ｃを参照して、第１の実施形態に係るリードフレーム１を用いて半導体装置２を製造する方法について説明する。なお、図４Ａ〜図４Ｃは、リードフレーム１において短手方向Ｓに沿った断面を示した概略断面図であり、各構成部材の境界線を破線で示している。

まず、図４Ａに示すように、リードフレーム１のダイパッド１０ａ上に、半導体素子２０を搭載し、半導体素子２０の各電極と、各電極に対応するリード１０ｂとの間を、それぞれボンディングワイヤ２１により電気的に接続する。次に、図４Ｂに示すように、リードフレーム１のおもて面側を、封止樹脂２２で一括に封止する。次に、各単位リードフレーム１０（図２参照）の間を、第１コネクティングバー１１および第２コネクティングバー１２（図２参照）に沿ったダイシングラインＤＬに沿って回転刃物でダイシングする。これにより、図４Ｃに示すように、個別の半導体装置２毎に分割される。

ここで、図４Ｂに示すように、リードフレーム１においては、第１コネクティングバー１１にはエッチング部１５ｃにより凹部が設けられることから、長手方向Ｌ（図２参照）に沿ったダイシングの際の金属部分の断面積を小さくすることができる。これにより、長手方向Ｌに沿った場合のダイシングの速度を短手方向Ｓ（図２参照）の場合に比べて速くしたとしても、ダイシングの際に第１コネクティングバー１１により切断面にバリが発生することを抑制することができる。したがって、両方のコネクティングバーをすべてフルメタル部で構成する場合と比べて、ダイシングに要する時間の増加を抑制することができる。

さらに、リードフレーム１においては、ダイシングの際の金属部分の断面積が小さいため、ダイシングの際の回転刃物の摩耗を抑制することができる。したがって、回転刃物の寿命を長くすることができる。

一方で、リードフレーム１においては、第２コネクティングバー１２がフルメタル部で構成されている（図２参照）。したがって、両方のコネクティングバーをすべてハーフエッチング部で構成する場合と比べて、リードフレーム１の撓みを抑制することができる。

なお、半導体装置２においては、ダイパッド１０ａとリード１０ｂとにそれぞれ設けられたエッチング部１５ａ、１５ｂに、封止樹脂２２が埋まるように樹脂封止されている。かかる構造により、半導体装置２において、ダイパッド１０ａやリード１０ｂが封止樹脂２２の裏面側から脱離することを防止することができる。

次に、図５Ａ〜図５Ｃを参照して、第１の実施形態にかかる第２コネクティングバー１２およびその変形例について説明する。なお、図５Ｂおよび図５Ｃにおいては、理解を容易にするため、図５Ａに示した断面の輪郭に対応する部分を破線で示す。

図５Ａに示すように、第２コネクティングバー１２は、断面視で矩形状であり、換言するとすべてフルメタル部で構成される。かかる構造により、所定の板厚を有する金属板からリードフレーム１を形成し、幅Ｗ２を所定の値にした場合において、第２コネクティングバー１２の断面積を最大化することができる。したがって、リードフレーム１の短手方向Ｓの強度を最大化することができる。

一方で、第２コネクティングバー１２の構成は、図５Ａに示す構成に限定されない。例えば、図５Ｂに示す第２コネクティングバー１２Ａのように、側部の裏面側にハーフエッチング加工されたエッチング部１５ｄを形成してもよい。また、図５Ｃに示す第２コネクティングバー１２Ｂのように、側面が上に向かって末広がり形状を有するようにエッチング加工されたエッチング部１５ｅを形成してもよい。なお、エッチング部１５ｄ、１５ｅは、上述のエッチング部１５ａ〜１５ｃ（図３Ａ参照）と同一のエッチング工程で形成することができる。

そして、いずれの変形例においても、断面が逆台形状であり、中央部分がフルメタル部で構成されており、かかるフルメタル部により短手方向Ｓ（図２参照）の強度を確保することができる。さらに、いずれの変形例においても側部がエッチングされていることから、短手方向Ｓに沿ったダイシングの際の金属部分の断面積を小さくすることができる。したがって、第２コネクティングバー１２Ａ、１２Ｂにおいては、短手方向Ｓの強度と、短手方向Ｓに沿ったダイシングに要する時間の短縮とを両立することができる。

＜第２の実施形態＞
次に、図６を参照して第２の実施形態に係るリードフレーム１Ａについて説明する。なお、図６は、第１の実施形態における図２に対応する図である。

第２の実施形態に係るリードフレーム１Ａは、ＳＯＮタイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレームである。その他の点は、第１の実施形態に係るリードフレーム１と同様であり、共通の構成については同一の符号を付して、詳細な説明は省略する。

リードフレーム１Ａにおいて、単位リードフレーム１０は、平面視で矩形状のダイパッド１０ａと、複数のリード１０ｂと、サポートバー１０ｃとを有する。リード１０ｂは、長手方向Ｌに沿ったダイパッド１０ａの２辺に向かい合うように空間を介して設けられ、第１コネクティングバー１１にのみ支持される。また、サポートバー１０ｃは、ダイパッド１０ａの各角部からそれぞれ長手方向Ｌに沿って延び、第２コネクティングバー１２にのみ接続されて、ダイパッド１０ａを支持している。

そして、第１の実施形態と同様に、長手方向Ｌに沿って延びる第１コネクティングバー１１はハーフエッチング部で構成され、短手方向Ｓに沿って延びる第２コネクティングバー１２は交差部１４を含めてすべてフルメタル部で構成されている。

さらに、リードフレーム１Ａにおいては、フルメタル部で構成された第２コネクティングバー１２にはリード１０ｂが接続されておらず、サポートバー１０ｃのみが接続されている。これにより、短手方向Ｓに沿ったダイシングにおいて、第２コネクティングバー１２により切断面にバリが発生したとしても、隣接するサポートバー１０ｃ同士はすでにダイパッド１０ａで電気的に接続されていることから、バリにより短絡しても支障はない。

したがって、バリの発生以外の問題が生じない程度にダイシングの速度を速くすることができることから、短手方向Ｓに沿ったダイシングに要する時間を短くすることができる。すなわち、ＳＯＮタイプの半導体装置の製造に用いられるリードフレーム１Ａにおいては、ダイシングに要する時間を大幅に短くすることができる。

次に、図７を参照して、第２の実施形態の変形例にかかるリードフレーム１Ｂについて説明する。リードフレーム１Ｂにおいて、サポートバー１０ｃは、ダイパッド１０ａからリード１０ｂに延び、リード１０ｂを介してダイパッド１０ａを支持している。ここで、サポートバー１０ｃに接続されたリード１０ｂは、半導体装置２（図４Ｃ参照）において接地用の端子となる。

すなわち、リードフレーム１Ｂにおいて、単位リードフレーム１０の構成部材はすべて長手方向Ｌに沿って延びる第１コネクティングバー１１に接続されており、第２コネクティングバー１２には接続されていない。これにより、第２コネクティングバー１２に支持される単位リードフレーム１０の部材自体がないことから、短手方向Ｓに沿ったダイシングにおいて切断面でバリは発生しない。したがって、リードフレーム１Ａよりも短手方向Ｓに沿ったダイシングの時間をさらに短くすることができる。

＜第３の実施形態＞
次に、図８を参照して第３の実施形態に係るリードフレーム１Ｃについて説明する。なお、図８〜図１３は、すべて第１の実施形態における図１の下図に対応する図であり、ＱＦＮタイプ、ＳＯＮタイプいずれの半導体装置の製造にも適用可能である。

リードフレーム１Ｃにおいて、複数の第２コネクティングバー１２のうち、一部の第２コネクティングバー１２は、短手方向Ｓにおける一端から他端まですべてフルメタル部で構成されている。また、残りの第２コネクティングバー１２は、短手方向Ｓにおける一端から他端まですべてハーフエッチング部で構成されている。そして、一端から他端まですべてフルメタル部で構成された第２コネクティングバー１２と、一端から他端まですべてハーフエッチング部で構成された第２コネクティングバー１２とが、交互に並んで配置されている。

ここで、リードフレーム１Ｃにおいては、一端から他端まですべてフルメタル部で構成された一部の第２コネクティングバー１２により、短手方向Ｓの強度を確保することができる。さらに、すべてハーフエッチング部で構成された残りの第２コネクティングバー１２により、回転刃物の寿命を長くすることができる。したがって、リードフレーム１Ｃにおいては、短手方向Ｓの強度と回転刃物の長寿命化とを両立することができる。

なお、図８においては、すべてフルメタル部で構成された第２コネクティングバー１２と、すべてハーフエッチング部で構成された第２コネクティングバー１２とを１本ずつ交互に並べた例を示しているが、これに限定されるものではない。例えば、すべてフルメタル部で構成された部位と、すべてハーフエッチング部で構成された部位とを複数本ずつ交互に並べてもよい（例：フルメタル部２本とハーフエッチング部２本とを交互に配列）。また、一方の部位を他方の部位よりも本数を多くした上で交互に並べてもよい（例：フルメタル部３本とハーフエッチング部２本とを交互に配列）。

また、第１枠部１３ａ（図１参照）から離れているため相対的に強度が低いリードフレーム１Ｃの中央部分に、すべてフルメタル部で構成された部位を多く配置してもよい。さらに、第１枠部１３ａに近く相対的に強度が高いリードフレーム１Ｃの周縁部分に、すべてハーフエッチング部で構成された部位を多く配置してもよい。さらに、フルメタル部で構成された第２コネクティングバー１２において、一端から他端まですべてフルメタル部で構成されていなくてもよい。

＜第４の実施形態＞
次に、図９を参照して第４の実施形態に係るリードフレーム１Ｄについて説明する。

リードフレーム１Ｄにおいて、第２コネクティングバー１２は、短手方向Ｓの一端から他端までの間に、フルメタル部で構成された部位とハーフエッチング部で構成された部位とが混在している。例えば、図９に示すように、一端から他端までの間に、単位リードフレーム１０の幅３個分のフルメタル部と、単位リードフレーム１０の幅１個分のハーフエッチング部とが交互に並べられている。このように、第２コネクティングバー１２の一部にハーフエッチング部を設けることにより、回転刃物の寿命を長くすることができる。

また、リードフレーム１Ｄにおいては、すべての第２コネクティングバー１２を全体で見た場合に、短手方向Ｓの一端から他端までのすべての箇所にフルメタル部が配置されるように構成されている。例えば、図９に示すように、隣接する第２コネクティングバー１２同士において、短手方向Ｓ全体でフルメタル部でない箇所がないように重ね合わせて配置している。

かかるフルメタル部の配置により、すべての第２コネクティングバー１２を全体で見た場合に、撓みやすい薄い部位をリードフレーム１Ｄからなくすことができる。したがって、リードフレーム１Ｄが短手方向Ｓに撓むことを抑制することができる。すなわち、リードフレーム１Ｄにおいては、短手方向Ｓの強度と、回転刃物の長寿命化とを両立することができる。

次に、図１０を参照して第４の実施形態の変形例に係るリードフレーム１Ｅについて説明する。リードフレーム１Ｅは、各第２コネクティングバー１２において、フルメタル部を所定の領域１６ａの内部に集中させて配置している。また、リードフレーム１Ｅにおいては、平面視で帯状の領域１６ａを長手方向Ｌおよび短手方向Ｓのいずれからも傾斜させるとともに、複数の領域１６ａを平行に配置している。

なお、図１０に示した領域１６ａにおいては、それぞれ単位リードフレーム１０の幅２個分のフルメタル部が隣接するリードフレーム１Ｅ間で、フルメタル部が単位リードフレーム１０の幅１個分ずつ短手方向Ｓにずれて配置されている。しかしながら、配置されるフルメタル部の長さや短手方向Ｓにずれる幅はこれに限られない。また、隣接する領域１６ａ同士の間隔や、領域１６ａの傾斜角度等も任意である。

次に、図１１を参照して第４の実施形態の別の変形例に係るリードフレーム１Ｆについて説明する。リードフレーム１Ｆは、第２コネクティングバー１２において、長手方向Ｌおよび短手方向Ｓのいずれからも傾斜させた一対の帯状の領域１６ｂを、互いに交差させた例である。なお、図１１には領域１６ｂを一対交差させた例について示しているが、領域１６ｂを複数対交差させてもよい。

次に、図１２を参照して第４の実施形態のさらに別の変形例に係るリードフレーム１Ｇについて説明する。リードフレーム１Ｇは、第２コネクティングバー１２において、菱形状の領域１６ｃをリードフレーム１Ｇ内に一様に分布させた例である。なお、図１２には菱形状の領域１６ｃを一様に分布させた例について示しているが、必ずしも一様に分布させなくともよい。また、菱形状以外の形状の領域１６ｃを分布させてもよい。例えば、三角形状や矩形形状等の領域１６ｃを分布させてもよい。また、領域１６ｃの大きさは任意である。

次に、図１３を参照して第３の実施形態と第４の実施形態とを組み合わせたリードフレーム１Ｈについて説明する。リードフレーム１Ｈは、第３の実施形態と同様に、複数の第２コネクティングバー１２のうち、一部の第２コネクティングバー１２は、短手方向Ｓにおける一端から他端まですべてフルメタル部で構成される。さらに、リードフレーム１Ｈは、第４の実施形態と同様に、残りの第２コネクティングバー１２において、内部にフルメタル部を集中させた領域１６ｄを有する。図１３では、複数の領域１６ｄが平行に配置された場合について示しているが、領域１６ｄの構成はこれに限られない。

以上、本発明の各実施形態について説明したが、本発明は上述の各実施形態に限定されるものではなく、その趣旨を逸脱しない限りにおいて種々の変更が可能である。例えば、上述の各実施形態においては、ＱＦＮタイプやＳＯＮタイプの半導体装置の製造に用いるリードフレームについて説明したが、その他のタイプの半導体装置の製造に用いてもよい。

以上のように、実施形態に係るリードフレーム１（１Ａ〜１Ｈ）は、矩形状のリードフレームであって、マトリックス状に並べられた複数の単位リードフレーム１０と、隣接する単位リードフレーム１０同士を連結し、リードフレーム１（１Ａ〜１Ｈ）の長手方向Ｌに延びる複数の第１コネクティングバー１１と、隣接する単位リードフレーム１０同士を連結し、リードフレーム１（１Ａ〜１Ｈ）の短手方向Ｓに延びる複数の第２コネクティングバー１２（１２Ａ、１２Ｂ）とを備える。そして、複数の第２コネクティングバー１２（１２Ａ、１２Ｂ）の少なくとも一部が、第１コネクティングバー１１よりも厚い部位を有する。これにより、リードフレーム１（１Ａ〜１Ｈ）の短手方向Ｓに沿った撓みを抑制することができる。

また、実施形態に係るリードフレーム１（１Ａ〜１Ｈ）において、第２コネクティングバー１２（１２Ａ、１２Ｂ）における第１コネクティングバー１１よりも厚い部位は、リードフレーム１（１Ａ〜１Ｈ）の最も厚い部位と同じ厚さである。これにより、リードフレーム１（１Ａ〜１Ｈ）の短手方向Ｓの強度を最大化することができる。

また、実施形態に係るリードフレーム１Ａ（１Ｂ）において、リード１０ｂは、第２コネクティングバー１２（１２Ａ、１２Ｂ）よりも薄い第１コネクティングバー１１にのみ支持されている。これにより、長手方向Ｌに沿ったダイシングに要する時間を短くすることができる。

また、実施形態に係るリードフレーム１Ａにおいて、ダイパッド１０ａは、サポートバー１０ｃを用いて第１コネクティングバー１１よりも厚い第２コネクティングバー１２にのみ支持されている。これにより、短手方向Ｓに沿ったダイシングに要する時間を短くすることができる。

また、実施形態に係るリードフレーム１（１Ａ〜１Ｈ）において、第２コネクティングバー１２Ａ（１２Ｂ）は、断面が逆台形状であり、最も厚い部分がリードフレーム１（１Ａ〜１Ｈ）の最も厚い部位と同じ厚さである。これにより、短手方向Ｓの強度と、短手方向Ｓに沿ったダイシングに要する時間の短縮とを両立することができる。

また、実施形態に係るリードフレーム１（１Ａ、１Ｂ）において、第１コネクティングバー１１と第２コネクティングバー１２（１２Ａ、１２Ｂ）とが交差する交差部１４は、第２コネクティングバー１２（１２Ａ、１２Ｂ）における第１コネクティングバー１１よりも厚い部位と同じ厚さである。これにより、リードフレーム１（１Ａ、１Ｂ）の短手方向Ｓに沿った撓みを抑制することができる。

また、実施形態に係るリードフレーム１Ｃにおいて、複数の第２コネクティングバー１２（１２Ａ、１２Ｂ）のうち一部の第２コネクティングバー１２（１２Ａ、１２Ｂ）は、短手方向Ｓの一端から他端まですべて第１コネクティングバー１１よりも厚い。また、残りの第２コネクティングバー１２（１２Ａ、１２Ｂ）は、短手方向Ｓの一端から他端まですべて第１コネクティングバー１１と同じ厚さである。これにより、短手方向Ｓの強度と、回転刃物の長寿命化とを両立することができる。

また、実施形態に係るリードフレーム１Ｄ（１Ｅ〜１Ｈ）において、第２コネクティングバー１２（１２Ａ、１２Ｂ）は、短手方向Ｓの一端から他端までの間に、第１コネクティングバー１１よりも厚い部位と、第１コネクティングバー１１と同じ厚さである部位とが混在し、すべての第２コネクティングバー１２（１２Ａ、１２Ｂ）を全体で見た場合に、短手方向Ｓの一端から他端までのすべての箇所に、第１コネクティングバー１１よりも厚い部位が配置されている。これにより、短手方向Ｓの強度と、回転刃物の長寿命化とを両立することができる。

さらなる効果や変形例は、当業者によって容易に導き出すことができる。このため、本発明のより広範な態様は、以上のように表しかつ記述した特定の詳細および代表的な実施形態に限定されるものではない。したがって、添付の特許請求の範囲およびその均等物によって定義される総括的な発明の概念の精神または範囲から逸脱することなく、様々な変更が可能である。

１、１Ａ〜１Ｈ リードフレーム
２ 半導体装置
１０ 単位リードフレーム
１０ａ ダイパッド
１０ｂ リード
１０ｃ サポートバー
１１ 第１コネクティングバー
１２、１２Ａ、１２Ｂ 第２コネクティングバー
１３ 外枠
１４ 交差部
Ｌ 長手方向
Ｓ 短手方向

Claims (8)

1. 矩形状のリードフレームであって、
   ダイパッドと複数のリードとを有し、マトリックス状に並べられた複数の単位リードフレームと、
   隣接する前記単位リードフレーム同士を連結し、前記リードフレームの長手方向に延びる複数の第１コネクティングバーと、
   隣接する前記単位リードフレーム同士を連結し、前記リードフレームの短手方向に延びる複数の第２コネクティングバーと、
   を備え、
   複数の前記第２コネクティングバーの少なくとも一部が、前記第１コネクティングバーよりも厚い部位を有すること
   を特徴とするリードフレーム。
2. 前記第２コネクティングバーにおける前記第１コネクティングバーよりも厚い部位は、前記リードフレームの最も厚い部位と同じ厚さであること
   を特徴とする請求項１に記載のリードフレーム。
3. 前記リードは、前記第１コネクティングバーにのみ支持されていること
   を特徴とする請求項１または２に記載のリードフレーム。
4. 前記ダイパッドは、前記第２コネクティングバーにのみ支持されていること
   を特徴とする請求項３に記載のリードフレーム。
5. 前記第２コネクティングバーは、断面が逆台形状であり、最も厚い部分が前記リードフレームの最も厚い部位と同じ厚さであること
   を特徴とする請求項１〜４のいずれか一つに記載のリードフレーム。
6. 前記第１コネクティングバーと前記第２コネクティングバーとが交差する交差部は、前記第２コネクティングバーにおける前記第１コネクティングバーよりも厚い部位と同じ厚さであること
   を特徴とする請求項１〜５のいずれか一つに記載のリードフレーム。
7. 複数の前記第２コネクティングバーのうち一部の前記第２コネクティングバーは、前記短手方向の一端から他端まですべて前記第１コネクティングバーよりも厚く、
   残りの前記第２コネクティングバーは、前記短手方向の一端から他端まですべて前記第１コネクティングバーと同じ厚さであること
   を特徴とする請求項１〜６のいずれか一つに記載のリードフレーム。
8. 前記第２コネクティングバーは、前記短手方向の一端から他端までの間に、前記第１コネクティングバーよりも厚い部位と、前記第１コネクティングバーと同じ厚さである部位とが混在し、
   すべての前記第２コネクティングバーを全体で見た場合に、前記短手方向の一端から他端までのすべての箇所に、前記第１コネクティングバーよりも厚い部位が配置されていること
   を特徴とする請求項１〜７のいずれか一つに記載のリードフレーム。

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