TWI664705B - 引線框架 - Google Patents

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TWI664705B TW106120704A TW106120704A TWI664705B TW I664705 B TWI664705 B TW I664705B TW 106120704 A TW106120704 A TW 106120704A TW 106120704 A TW106120704 A TW 106120704A TW I664705 B TWI664705 B TW I664705B
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Abstract

本發明提供一種抑制撓曲之引線框架。
本發明之引線框架係呈矩形狀，且具備複數個單位引線框架、複數個第1連接條、及複數個第2連接條。單位引線框架係具有晶粒座及複數個引線。第1連接條係將鄰接之單位引線框架彼此予以連結，且朝引線框架之長邊方向延伸。第2連接條係將鄰接之單位引線框架彼此予以連結，且朝引線框架之短邊方向延伸。再者，複數個第2連接條之至少一部分係具有比第1連接條更高之剛性的部位。

Description

引線框架
本揭示之實施形態係關於一種引線框架。
就薄型之半導體裝置而言，已知有例如QFN(Quad Flat Non-leaded package)型半導體裝置、及SON(Small Outline Non-leaded package)型半導体装置等。再者，上述薄型之半導體裝置係總括地將例如搭載有複數個半導體元件或搭接引線(bonding wire)之引線框架予以樹脂密封，且一體地形成複數個半導體裝置之後，經過依每一個半導體裝置進行切離之切割(dicing)而製造。並且，還已知有一種技術，係在該切割中，為了要抑制因為連接條(connecting bar)而在切斷面產生之毛邊，因此預先對連接條進行半蝕刻(half-etching)加工(例如參照專利文獻1)。
(先前技術文獻) (專利文獻)
專利文獻1：日本特開2001-320007號公報
然而，如習知之引線框架，當連接條被半蝕刻加工時，強度會伴隨著引線框架之大型化等而降低，且會有引線框架撓曲之虞。並且，還會因為該撓曲，而會有搭載在引線框架上之半導體元件或搭接引線斷裂或脫落之虞。
實施形態之一態樣係鑑於上述課題而研創者，其目的在於提供一種抑制短邊方向之撓曲之引線框架。
實施形態之一態樣的引線框架係矩形狀，且具備複數個單位引線框架、複數個第1連接條、及複數個第2連接條。前述單位引線框架係具有晶粒座及複數個引線。前述第1連接條係將鄰接之前述單位引線框架彼此予以連結，且朝前述引線框架之長邊方向延伸。前述第2連接條係將鄰接之前述單位引線框架彼此予以連結，且朝前述引線框架之短邊方向延伸。再者，複數個前述第2連接條之至少一部分係具有比前述第1連接條更高之剛性的部位。
依據實施形態之一態樣，可提供一種抑制撓曲之引線框架。
1、1A至1J‧‧‧引線框架
2‧‧‧半導體裝置
10‧‧‧單位引線框架
10a‧‧‧晶粒座
10b‧‧‧引線
10c‧‧‧支撐條
11、11I、11J‧‧‧第1連接條
12、12A、12B、12I、12J‧‧‧第2連接條
13‧‧‧外框
13a‧‧‧第1框部
13b‧‧‧第2框部
13c‧‧‧第3框部
14‧‧‧交叉部
15a、15b、15c‧‧‧蝕刻部
16a至16d‧‧‧區域
L‧‧‧長邊方向
S‧‧‧短邊方向
DL‧‧‧切割線
第1圖係第1實施形態之引線框架的概念圖。
第2圖係第1實施形態之引線框架之放大俯視圖。
第3A圖係第2圖所示之A-A線的箭視剖視圖。
第3B圖係第2圖所示之B-B線的箭視剖視圖。
第3C圖係第2圖所示之C-C線的箭視剖視圖。
第4A圖係顯示利用第1實施形態之引線框架之半導體裝置之一製造步驟的概略剖視圖。
第4B圖顯示利用第1實施形態之引線框架之半導體裝置之下一個製造步驟的概略剖視圖。
第4C圖顯示利用第1實施形態之引線框架之半導體裝置之再下一個製造步驟的概略剖視圖。
第5A圖係第2圖所示之D-D線之箭視剖視圖。
第5B圖係相當於第1實施形態之變形例之第2圖之D-D線的箭視剖視圖。
第5C圖係相當於第1實施形態之其他變形例之第2圖之D-D線的箭視剖視圖。
第6圖係第2實施形態之引線框架之放大俯視圖。
第7圖係第2實施形態之變形例之引線框架的放大俯視圖。
第8圖係第3實施形態之引線框架之概略俯視圖。
第9圖係第4實施形態之引線框架之概略俯視圖。
第10圖係第4實施形態之變形例之引線框架的概略平面圖。
第11圖係第4實施形態之其他變形例之引線框架的概略俯視圖。
第12圖係第4實施形態之又一其他變形例之引線框架 的概略俯視圖。
第13圖係組合第3實施形態與第4實施形態之引線框架的概略俯視圖。
第14圖係第5實施形態之引線框架之概略俯視圖。
第15圖係第6實施形態之引線框架之概略俯視圖。
以下，參照附圖，針對本案揭示之引線框架的實施形態加以說明。此外，本發明並非由以下所示之各實施形態所限定。
<第1實施形態>
首先，參照第1圖來說明第1實施形態之引線框架的概略。如第1圖所示，第1實施形態之引線框架1係俯視呈矩形狀，且具備複數個單位引線框架10、複數個第1連接條11、複數個第2連接條12、及外框13。單位引線框架10係以矩陣狀排列在引線框架1。
第1連接條11係將鄰接在短邊方向之單位引線框架10彼此予以連結，且沿著引線框架1之長邊方向L延伸。第2連接條12係將鄰接在長邊方向之單位引線框架10彼此予以連結，且沿著引線框架1之短邊方向S延伸。外框13係以包圍排列成矩陣狀之單位引線框架10之四方的方式設置。
具體而言，外框13係具有朝短邊方向S延伸之一對第1框部13a、及朝長邊方向L延伸之一對第2框部13b，在一對第1框部13a之間延伸有第1連接條11， 在一對第2框部13b之間延伸有第2連接條12。然後，在引線框架1中，對朝長邊方向L延伸之第1連接條11，進行半蝕刻加工。
引線框架係較薄且長邊方向較長之構件。因此，引線框架係在長邊方向容易撓曲。在習知之引線框架中，為了使引線框架不會沿著比短邊方向更容易撓曲之長邊方向撓曲，係支持引線框架之短邊方向的兩端部、亦即一對第2框部，以進行各種製造步驟。因此，本發明人注意到：在引線框架之加工中，在長邊方向不容易撓曲或在長邊方向容易撓曲並不會造成問題。而本發明人注意到，反而是在引線框架之加工中，會有在短邊方向容易撓曲之狀況。特別是，當伴隨著引線框架之大型化等而使第2框部13b彼此之間隔變大時，會容易在短邊方向撓曲。
因此，在第1實施形態之引線框架1中，使朝短邊方向S延伸之第2連接條12的剛性比第1連接條11之剛性更高。具體而言，在第2連接條12中不進行半蝕刻加工，且使第2連接條12比第1連接條11之至少一部分更厚。藉此，可抑制引線框架1之沿著短邊方向S的撓曲。
此外，在本案說明書之俯視圖中，為了容易地理解，係將未進行半蝕刻加工之部位稱為「完整金屬(full metal)部」，並以菱形花紋之影陰線顯示。再者，將經半蝕刻加工之部位稱為「半蝕刻部」，並以由斜線所構成之影陰線來顯示。
以下，利用第2圖等針對第1實施形態之引線框架1的詳細內容加以說明。引線框架1係使用在QFN型之半導體裝置的製造之引線框架。引線框架1係由銅或銅合金、鉄鎳合金等所構成。引線框架1係對俯視呈長方形狀之金屬板藉由施加蝕刻加工等而形成。
如第2圖所示，單位引線框架10係由第1連接條11及第2連接條12所包圍之部位，且具有晶粒座(die pad)10a、複數個引線10b、支撐條10c。俯視呈矩形狀之晶粒座10a係設置在單位引線框架10之中央部分，且可在表面側搭載半導體元件20(參照第4A圖)。
複數個引線10b係在晶粒座10a之四邊分別隔著空間相對向而設置，且由第1連接條11或第2連接條12所支持。再者，引線10b係藉由半導體元件20之電極及搭接引線21等而電性連接，藉此作為半導體裝置2之外部端子發揮功能(參照第4A圖、第4C圖)。
支撐條10c係從晶粒座10a之各角部分別朝外側方延伸，且連接在第1連接條11及第2連接條12而支持晶粒座10a。如此，單位引線框架10係對應於各個半導體裝置2(參照第4C圖)。並且，在單位引線框架10之周圍，以格子狀配置有第1連接條11與第2連接條12。
第1連接條11係沿著引線框架1之長邊方向L延伸，且將沿著短邊方向S鄰接之單位引線框架10彼此予以連結。再者，第1連接條11係以兩端連接在外框13之第1框部13a(參照第1圖)。
第2連接條12係沿著引線框架1之短邊方向S延伸，且將沿著長邊方向L鄰接之單位引線框架10彼此予以連結。再者，第2連接條12係以兩端連接在外框13之第2框部13b(參照第1圖)。
再者，如第2圖所示，第1連接條11係以寬度W1成為均等之方式形成，第2連接條12以寬度W2成為均等之方式形成。在此，例如寬度W1與寬度W2係相等。再者，第1連接條11與第2連接條12係在交叉部14彼此正交。然而，在第1實施形態中，寬度W1與W2不一定要相等，第1連接條11與第2連接條12不一定要正交。
接著，參照第3A圖至第3C圖，針對引線框架1之各部的剖視形狀加以說明。此外，在第3A圖至第3C圖中，為了容易地理解，係以虛線顯示各構成構件之交界線。
如第3A圖所示，晶粒座10a及引線10b除了一部分之外並未進行半蝕刻加工，且具有與蝕刻加工前之金屬板的板厚相同的厚度。再者，於晶粒座10a之端部，係在背面側形成有經半蝕刻加工之蝕刻部15a，於引線10b之端部，係在背面側形成有經半蝕刻加工之蝕刻部15b。
再者，在沿著長邊方向L延伸之第1連接條11中，對背面側進行半蝕刻加工，以形成蝕刻部15c。亦即，第1連接條11係比蝕刻加工前之金屬板更薄，且剛性變低。
另一方面，如第3B圖所示，對沿著短邊方向S延伸之第2連接條12並未進行半蝕刻加工，而具有與蝕刻加工前之金屬板之板厚相同的厚度。亦即，第2連接條12係比第1連接條11厚，且剛性會變高。藉此，第2連接條12之剖面積會比第1連接條11大，因此可使引線框架1之短邊方向S的強度提升。因此，可抑制引線框架1在短邊方向S撓曲。
此外，如第3C圖所示，對第1連接條11(參照第2圖)與第2連接條12彼此交叉之交叉部14，並未進行半蝕刻加工，而具有與蝕刻加工前之金屬板之板厚相同之厚度。亦即，沿著短邊方向S延伸之第2連接條12係包含交叉部14而從一端至另一端皆由完整金屬部所構成。藉此，可抑制引線框架1在短邊方向S撓曲。
再者，在引線框架1中，第2連接條12係與晶粒座10a之主要部分相同，以完整金屬部所構成。藉此，在從具有預定之板厚的金屬板形成引線框架1之情形時，可使第2連接條12之厚度最大化。因此，可使引線框架1之短邊方向S的強度最大化。
接著，參照第4A圖至第4C圖，針對利用第1實施形態之引線框架1來製造半導體裝置2之方法加以說明。此外，第4A圖至第4C圖係顯示在引線框架1中沿著短邊方向S之剖面的概略剖視圖，且以虛線顯示各構成構件之交界線。
首先，如第4A圖所示，在引線框架1之晶 粒座10a上搭載半導體元件20，並且分別藉由搭接引線21使半導體元件20之各電極與對應於各電極之引線10b之間電性連接。接著，如第4B圖所示，以密封樹脂22總括地密封引線框架1的表面側。接著，將各單位引線框架10(參照第2圖)之間沿著切割線DL以旋轉刀刃進行切割，該切割線DL係沿著第1連接條11及第2連接條12(參照第2圖)。藉此，如第4C圖所示，依每一個個別之半導體裝置2分割。
在此，如第4B圖所示，在引線框架1中，由於在第1連接條11藉由蝕刻部15c而形成凹部，故可使沿著長邊方向L(參照第2圖)之切割時之金屬部分的剖面積變小。藉此，即便使沿著長邊方向L時之切割的速度比短邊方向S(參照第2圖)時還快，也可在進行切割之際抑制因為第1連接條11而在切斷面產生毛邊。因此，與兩方之連接條皆由完整金屬部所構成之情形相比較，可抑制切割所需之時間的增加。
再者，在引線框架1中，由於切割時之金屬部分的剖面積小，因此可抑制切割時之旋轉刀刃的摩耗。因此，可使旋轉刀刃之壽命增長。
另一方面，在引線框架1中，第2連接條12係由完整金屬部所構成(參照第2圖)。因此，與兩方之連接條皆由半蝕刻部所構成之情形相比較，可抑制引線框架1之短邊方向的撓曲。
此外，在半導體裝置2中，係以在分別設於 晶粒座10a及引線10b之蝕刻部15a、15b填埋密封樹脂22之方式進行樹脂密封。藉由該構造，在半導體裝置2中，可防止晶粒座10a或引線10b從密封樹脂22之背面側脫離。
接著，參照第5A圖至第5C圖，對第1實施形態之第2連接條12及其變形例加以說明。此外，在第5B圖及第5C圖中，為了容易地理解，以虛線顯示對應於第5A圖所示之剖面輪廓的部分。
如第5A圖所示，第2連接條12係剖視呈矩形狀，換言之，皆由完整金屬部所構成。藉由該構造，在從具有預定之板厚的金屬板形成引線框架1且將寬度W2設定為預定的值時，可使第2連接條12之剖面積最大化。因此，可使引線框架1之短邊方向S的強度最大化。
另一方面，第2連接條12之構成並不限定於第5A圖所示之構成。例如，如第5B圖所示之第2連接條12A，亦可在側部之背面側形成被半蝕刻加工之蝕刻部15d。再者，如第5C圖所示之第2連接條12B，亦可形成以具有側面朝上使末端變寬之形狀的方式進行蝕刻加工的蝕刻部15e。此外，蝕刻部15d、15e係能以與上述蝕刻部15a至15c(參照第3A圖)相同之蝕刻步驟形成。
再者，在任一變形例中，剖面都呈倒梯形狀，且中央部分係由完整金屬部所構成，而可藉由該完整金屬部確保短邊方向S(參照第2圖)之強度。再者，在任一變形例中，側部都被蝕刻，因此可使沿著短邊方向S之切 割時之金屬部分的剖面積變小。因此，在第2連接條12A、12B中，可兼顧短邊方向S之強度、及沿著短邊方向S之切割所需之時間的縮短。
<第2實施形態>
接著，參照第6圖針對第2實施形態之引線框架1A加以說明。此外，第6圖係對應於第1實施形態之第2圖的圖。
第2實施形態之引線框架1A係用於SON型之半導體裝置之製造的引線框架。其他點係與第1實施形態之引線框架1相同，對於共通之構成標示同一符號，並省略詳細之說明。
在引線框架1A中，單位引線框架10係具有俯視呈矩形狀之晶粒座10a、複數個引線10b、及支撐條10c。引線10b係在沿著長邊方向L之晶粒座10a之2邊隔著空間相對向而設置，且僅由第1連接條11所支持。再者，支撐條10c係從晶粒座10a之各角部分別沿著長邊方向L延伸，且僅連接於第2連接條12，以支持晶粒座10a。
再者，與第1實施形態同樣地，沿著長邊方向L延伸之第1連接條11係由半蝕刻部所構成，且沿著短邊方向S延伸之第2連接條12係包含交叉部14皆由完整金屬部所構成。
再者，於引線框架1A中，在由完整金屬部所構成之第2連接條12中，並未連接有引線10b，而僅連接有支撐條10c。藉此，在沿著短邊方向S之切割中，即 便因為第2連接條12而在切斷面產生毛邊，鄰接之支撐條10c彼此也皆已由晶粒座10a所電性連接，因此即使因毛邊而發生短路也不會造成妨礙。
因此，由於可在不會發生毛邊以外之問題的程度使切割之速度加快，因此可使沿著短邊方向S之切割所需之時間變短。亦即，在SON型之半導體裝置的製造中所使用之引線框架1A中，可使切割所需之時間大幅度地縮短。
接著，參照第7圖，針對第2實施形態之變形例的引線框架1B加以說明。在引線框架1B中，支撐條10c係從晶粒座10a朝引線10b延伸，且透過引線10b支持晶粒座10a。在此，連接於支撐條10c之引線10b係在半導體裝置2(參照第4C圖)中成為接地用之端子。
亦即，在引線框架1B中，單位引線框架10之構成構件皆係連接在沿著長邊方向L延伸之第1連接條11，且並未連接在第2連接條12。藉此，由於未具有由第2連接條12所支持之單位引線框架10的構件本身，因此在沿著短邊方向S之切割中，不會在切斷面產生毛邊。因此，可使沿著比引線框架1A更靠近短邊方向S之切割的時間更為縮短。
<第3實施形態>
接著，參照第8圖針對第3實施形態之引線框架1C加以說明。此外，第8圖至第13圖皆係對應於第1實施形態之第1圖之下圖的圖，亦可適用於QFN型、SON型之任 一半導體裝置之製造。
在引線框架1C中，複數個第2連接條12中之一部分的第2連接條12係從短邊方向S之一端至另一端為止皆由完整金屬部所構成。此外，剩餘的第2連接條12係從短邊方向S之一端至另一端為止皆由半蝕刻部所構成。再者，從一端至另一端為止皆由完整金屬部所構成之第2連接條12、及從一端至另一端為止皆由半蝕刻部所構成之第2連接條12係交互地排列而配置。
在此，於引線框架1C中，藉由從一端至另一端為止皆由完整金屬部所構成之一部分的第2連接條12，可確保短邊方向S之強度。再者，藉由皆由半蝕刻部所構成之剩餘的第2連接條12，可使旋轉刀刃之壽命變長。因此，在引線框架1C中，可兼顧短邊方向S之強度及旋轉刀刃之長壽命化。
此外，在第8圖中，雖顯示將皆由完整金屬部所構成之第2連接條12、皆由半蝕刻部所構成之第2連接條12交互地一個一個地排列之例，但並不限定於此。例如，亦可將皆由完整金屬部所構成之部位與皆由半蝕刻部所構成之部位交互地排列複數個(例如將2個完整金屬部與2個半蝕刻部交互地排列)。此外，亦可在使一方之部位的個數比另一方之部位多之情況下交互地排列(例如將3個完整金屬部與2個半蝕刻部交互地排列)。
再者，亦可在因為遠離第1框部13a(參照第1圖)而使得強度相對較低之引線框架1C的中央部分，配 置許多皆由完整金屬部所構成之部位。再者，亦可在接近第1框部13a而強度相對較高之引線框架1C的周緣部分，配置許多皆由半蝕刻部所構成之部位。再者，在由完整金屬部所構成之第2連接條12中，亦可非為從一端至另一端為止皆由完整金屬部所構成。
<第4實施形態>
接著，參照第9圖針對實施形態之引線框架1D加以說明。
在引線框架1D中，第2連接條12係在從短邊方向S之一端至另一端為止之間，混雜有由完整金屬部所構成之部位及由半蝕刻部所構成之部位。例如第9圖所示，在從一端至另一端為止之間，交互地排列有單位引線框架10之3個寬度份的完整金屬部、及單位引線框架10之1個寬度份的半蝕刻部。如此，藉由在第2連接條12之一部分設置半蝕刻部，可使旋轉刀刃之壽命增長。
再者，在引線框架1D中，在以整體觀看所有之第2連接條12時，係構成為從短邊方向S之一端至另一端為止之所有部位配置有完整金屬部。例如第9圖所示，在鄰接之第2連接條12彼此中，疊合配置成在短邊方向S整體不具有非屬於完整金屬部的部位。
藉由該完整金屬部之配置，在以整體觀看所有之第2連接條12之情形時，可從引線框架1D去除容易撓曲之薄的部位。因此，可抑制引線框架1D在短邊方向S撓曲之情形。亦即，在引線框架1D中，可兼顧短邊 方向S之強度、及旋轉刀刃之長壽命化。
接著，參照第10圖針對第4實施形態之變形例之引線框架1E加以說明。引線框架1E係在各個第2連接條12中，使完整金屬部集中配置在預定區域16a之內部。並且，在引線框架1E中，使俯視呈帶狀之區域16a從長邊方向L及短邊方向S之任一方向都傾斜，並且平行地配置複數個區域16a。
此外，在第10圖所示之區域16a中，在單位引線框架10之2個寬度份之完整金屬部分別鄰接之引線框架1E間，完整金屬部係依單位引線框架10之每1個寬度份朝短邊方向S偏離配置。然而，被配置之完整金屬部的長度或朝短邊方向S偏離之寬度並不限定於此。再者，相鄰接之區域16a彼此的間隔、或區域16a之傾斜角度等亦為任意。
接著，參照第11圖針對第4實施形態之其他變形例之引線框架1F加以說明。引線框架1F係在第2連接條12中，使從長邊方向L及短邊方向S之任一方向都傾斜之一對帶狀的區域16b相互交叉之例。此外，第11圖係顯示使區域16b交叉一對之例，但亦可使區域16b交叉複數對。
接著，參照第12圖針對第4實施形態之又一其他變形例之引線框架1G加以說明。引線框架1G係在第2連接條12中，使菱形狀之區域16c以一樣的方式分佈在引線框架1G內之例。此外，第12圖雖顯示使菱形狀之 區域16c以一樣的方式分佈之例，但不一定要使其以一樣的方式分佈。亦可分佈菱形狀以外之形狀的區域16c。例如、亦可分佈三角形狀或矩形形狀等的區域16c。再者，區域16c之大小係為任意。
接著，參照第13圖針對組合第3實施形態與第4實施形態之引線框架1H加以說明。引線框架1H係與第3實施形態同樣，複數個第2連接條12中之一部分的第2連接條12係從短邊方向S之一端至另一端為止皆由完整金屬部所構成。再者，引線框架1H係與第4實施形態同樣，在剩餘的第2連接條12中，具有使完整金屬部集中於內部之區域16d。在第13圖中，雖顯示複數個區域16d平行地配置之情形，但區域16d之構成並不限定於此。
以上，已針對本發明之各實施形態加以說明，但本發明並非限定在上述各實施形態，可在不脫離其主旨之情況下進行各種之變更。例如，在上述之各實施形態中，雖針對使用於QFN型或SON型之半導體裝置之製造的引線框架加以說明，但亦可使用於其他型式之半導體裝置的製造。
如以上所述，實施形態之引線框架1(1A至1H)係矩形狀之引線框架，且具備：排列成矩陣狀之複數個單位引線框架10；將鄰接之單位引線框架10彼此予以連結，且朝引線框架1(1A至1H)之長邊方向L延伸之複數個第1連接條11；將鄰接之單位引線框架10彼此予以連結，且朝引線框架1(1A至1H)之短邊方向S延伸之複數個第2 連接條12(12A、12B)。再者，複數個第2連接條12(12A、12B)之至少一部分係具有比第1連接條11更厚之部位。藉此，可抑制引線框架1(1A至1H)之沿著短邊方向S的撓曲。
再者，在實施形態之引線框架1(1A至1H)中，第2連接條12(12A、12B)中之比第1連接條11更厚之部位，係與引線框架1(1A至1H)之最厚的部位為相同的厚度。藉此，可使引線框架1(1A至1H)之短邊方向S的強度最大化。
再者，在實施形態之引線框架1A(1B)中，引線10b係僅由比第2連接條12(12A、12B)更薄之第1連接條11所支持。藉此，可使沿著長邊方向L之切割所需之時間變短。
再者，實施形態之引線框架1A中，晶粒座10a係利用支撐條10c而僅由比第1連接條11更厚之第2連接條12所支持。藉此，可使沿著短邊方向S之切割所需之時間變短。
並且，在實施形態之引線框架1(1A至1H)中，第2連接條12A(12B)之剖面呈倒梯形狀，且最厚的部分係與引線框架1(1A至1H)之最厚的部位為相同的厚度。藉此，可兼顧短邊方向S之強度、及沿著短邊方向S之切割所需之時間的縮短。
再者，在實施形態之引線框架1(1A、1B)中，第1連接條11與第2連接條12(12A、12B)所交叉之交叉部14，係與第2連接條12(12A、12B)中之比第1連接條 11更厚之部位為相同的厚度。藉此，可抑制引線框架1(1A、1B)之沿著短邊方向S的撓曲。
再者，在實施形態之引線框架1C中，複數個第2連接條12(12A、12B)中之一部分的第2連接條12(12A、12B)係從短邊方向S之一端至另一端為止皆比第1連接條11更厚。再者，剩餘的第2連接條12(12A、12B)係從短邊方向S之一端至另一端為止皆與第1連接條11為相同之厚度。藉此，可兼顧短邊方向S之強度、與旋轉刀刃之長壽命化。
再者，在實施形態之引線框架1D(1E至1H)中，第2連接條12(12A、12B)係在從短邊方向S之一端至另一端為止之間，混雜有比第1連接條11更厚之部位、及與第1連接條11為相同之厚度的部位，在以整體觀看所有之第2連接條12(12A、12B)之情形時，係在從短邊方向S之一端至另一端為止的所有部位，配置有比第1連接條11更厚之部位。藉此，可兼顧短邊方向S之強度、及旋轉刀刃之長壽命化。
在上述之第1至第4實施形態中，第2連接條12之至少一部分係具有比第1連接條11更厚之部位，藉此，第2連接條12之至少一部分係比第1連接條11之剛性更高。然而，使剛性不同之手法並不限定於此，亦可以第5實施形態及第6實施形態的方式構成。
第14圖係顯示第5實施形態之引線框架1I的俯視圖。在第14圖所示之引線框架1I中，第1連接條 11I及第2連接條12I之厚度為相等。如第14圖所示，複數個第2連接條12I之至少一部分係具有寬度比第1連接條11I更寬廣之部位。在圖示之例中，全部之第2連接條12I的寬度WL係比第1連接條11I之寬度WS更寬廣。此外，在第14圖中，為了使說明容易理解，係顯示比實際之單位引線框架的個數更少之引線框架1I。
第2連接條12I之剖面積係比第1連接條11I之剖面積更大，第2連接條12I之剛性係比第1連接條11I之剛性更大。即使藉由此種構成，亦可提供在短邊方向不容易撓曲之引線框架1I。此外，亦可將設置在第1連接條11I之寬度狹窄的部位設置在第8圖至第13圖所示之設有半蝕刻部的區域。
第15圖係顯示第6實施形態之引線框架1J的俯視圖。在第15圖所示之引線框架1J中，第2連接條12J之厚度及寬度係分別與第1連接條11J之厚度及寬度相等。如第15圖所示，第2連接條12J之個數相對於引線框架1J之長邊方向尺寸LJ的比A2，係比第1連接條11J之個數相對於引線框架1J之短邊方向尺寸SJ的比A1更大。此外，在第15圖中，為了使說明容易理解，係顯示比實際之單位引線框架的個數更少之引線框架1J。
第2連接條12J之剖面積係與第1連接條11J之剖面積相等，第1連接條11J與第2連接條12J之剛性係相等。然而，每單位長度之第2連接條12J之個數[個/m]係比每單位長度之第1連接條11J之個數[個/m]更多， 因此引線框架1J在短邊方向比長邊方向更不容易撓曲。
在第15圖中，引線框架1J之長邊方向尺寸LJ係為引線框架1J之短邊方向尺寸SJ的二倍。第1連接條11J為2個、第2連接條12J為7個。亦即，第2連接條12J之個數相對於引線框架1J之長邊方向尺寸LJ的比A2係為7/LJ=7/(2SJ)，第1連接條11J之個數相對於引線框架1J之短邊方向尺寸SJ之比A1係為2/SJ。亦即，引線框架1J在短邊方向係比長邊方向更不容易撓曲1.75倍(7/4倍)。因此，引線框架1J之處理性高。
更進一步之效果或變形例係可由所屬技術領域中具有通常知識者容易地導出。因此，本發明之更廣泛之態樣並非為以上所表示且記載之特定的詳細內容及代表性之實施形態所限定者。因此，在不脫離由所附之申請專利範圍及其等效物所定義之總括的發明之概念的精神或範圍的情況下，可進行各種之變更。

Claims (10)

  1. 一種引線框架，係呈矩形狀，且具備：複數個單位引線框架，係具有晶粒座及複數個引線，且排列成矩陣狀；複數個第1連接條，係將鄰接之前述單位引線框架彼此予以連結，且朝前述引線框架之長邊方向延伸；以及複數個第2連接條，係將鄰接之前述單位引線框架彼此予以連結，且朝前述引線框架之短邊方向延伸；複數個前述第2連接條之至少一部分係具有比前述第1連接條更高之剛性的部位。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之引線框架，其中，前述引線係僅由前述第1連接條所支持。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之引線框架，其中，複數個前述第2連接條之至少一部分係具有比前述第1連接條更厚之部位。
  4. 如申請專利範圍第3項所述之引線框架，其中，前述第2連接條中之比前述第1連接條更厚之部位係與前述引線框架之最厚的部位為相同的厚度。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之引線框架，其中，前述晶粒座係僅由前述第2連接條所支持。
  6. 如申請專利範圍第3項所述之引線框架，其中，前述第2連接條之剖面係呈倒梯形狀，且最厚的部分係具有與前述引線框架之最厚的部位相同的厚度。
  7. 如申請專利範圍第3項所述之引線框架，其中，前述第1連接條與前述第2連接條所交叉之交叉部係具有與前述第2連接條中之比前述第1連接條更厚之部位相同的厚度。
  8. 如申請專利範圍第3項所述之引線框架，其中，複數個前述第2連接條中之一部分的前述第2連接條係從前述短邊方向之一端至另一端為止皆比前述第1連接條更厚，剩餘的前述第2連接條係從前述短邊方向之一端至另一端為止皆具有與前述第1連接條相同之厚度。
  9. 如申請專利範圍第3項所述之引線框架，其中，前述第2連接條係從前述短邊方向之一端至另一端為止之間，混雜有比前述第1連接條更厚之部位、及與前述第1連接條為相同之厚度的部位，且在以整體觀看所有之前述第2連接條時，係在從前述短邊方向之一端至另一端為止之所有部位，配置有比前述第1連接條更厚之部位。
  10. 如申請專利範圍第1項或第2項所述之引線框架，其中，複數個前述第2連接條之至少一部分係具有寬度比前述第1連接條更寬廣之部位。
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