WO2019026917A1

WO2019026917A1 - リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法

Info

Publication number: WO2019026917A1
Application number: PCT/JP2018/028701
Authority: WO
Inventors: 正雄大貫; 剛山嵜; 一範大内; 雅樹矢崎; 永田　昌博
Original assignee: 大日本印刷株式会社
Priority date: 2017-07-31
Filing date: 2018-07-31
Publication date: 2019-02-07

Abstract

リードフレームは、ダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられた、複数の長リード部および複数の短リード部と、複数の長リード部および複数の短リード部が連結されたコネクティングバーとを備えている。長リード部と短リード部とは、コネクティングバーの長手方向に沿って交互に配置されている。コネクティングバーのうち、長リード部が連結された長リード連結部は、少なくとも部分的に裏面側から薄肉化され、コネクティングバーのうち、短リード部が連結された短リード連結部は、少なくとも部分的に表面側から薄肉化されている。

Description

リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法

　本開示の一実施の形態は、リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法に関する。

　近年、基板に実装される半導体装置の小型化および薄型化が要求されてきている。このような要求に対応すべく、従来、リードフレームを用い、その搭載面に搭載した半導体素子を封止樹脂によって封止するとともに、裏面側にリードの一部分を露出させて構成された、いわゆるＱＦＮ（Quad Flat Non-lead）タイプの半導体装置が種々提案されている。

　しかしながら、従来一般的な構造からなるＱＦＮの場合、端子数が増加するにしたがってパッケージが大きくなるため、実装信頼性を確保することが難しくなるという課題があった。これに対して、多ピン化されたＱＦＮを実現するための技術として、外部端子を２列に配列したパッケージの開発が進められている（例えば特許文献１参照）。

特開２００３－８６７５１号公報特開２０１６－１３４６０４号公報米国特許第７１８３６３０号明細書特開２００１－３２６３１６号公報

　近年、ＤＲ－ＱＦＮパッケージを生産するにあたり、チップサイズを変更することなく、リード部の数（ピン数）を増やすことが求められてきている。これに対して、従来、ピン数を増やすために、パッケージサイズを大きくする手法がとられてきた。しかしながら、パッケージを電子機器へ搭載する上での制約があるため、パッケージサイズを大きくすることには限界がある。

　一方、パッケージサイズを大きくせずにピン数を増加しようとすると、リード部同士が接近してしまい、ダイシング時に生じたバリによりリード部同士が短絡してしまうおそれがある。また、半導体装置を製造する際、リード部同士の間を流れる封止樹脂の液流が阻害され、封止樹脂が十分に充填できないおそれもある。

　本開示はこのような点を考慮してなされたものであり、ダイシング時に生じたバリによりリード部同士が短絡してしまうことを抑制することが可能な、リードフレーム、半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。

　また従来、半導体装置用のリードフレームとして、例えば特許文献２に記載されたものが存在する。このようなリードフレームは、ダイパッドと、ダイパッドの周囲に設けられたリード部とを有している。ダイパッドには半導体素子が搭載され、半導体素子は、ダイボンディングペースト等の接着剤によってダイパッドに接着されている。

　一般にリードフレームを作製する際に用いられる金属基板は、銅等の金属材料を圧延することにより作製される。このため、リードフレームの表面には、圧延方向に延びる圧延筋が形成される。半導体装置を製造する工程においては、ダイボンディングペースト等の接着剤を使用して半導体素子をリードフレーム上に固定する。このため、リードフレーム上の接着剤が、圧延筋に起因する毛細管現象により、リードフレームの圧延方向に流れ、リードフレームから流れ出るおそれがあり、実装信頼性が低下する可能性がある。

　本開示はこのような点を考慮してなされたものであり、リードフレーム上の接着剤がリードフレームから流れ出ることを抑制することが可能な、リードフレームおよび半導体装置を提供する。

　また従来、ＱＦＮパッケージを作製する工程において、樹脂封止後にリードフレームを切断し、リードフレームをパッケージ毎に分離することが行われている。このようにリードフレームを切断する際、まず１回目のソーイングにより、リードフレームを約半分の厚みだけカットし、その後、１回目のソーイングに使用されるブレードよりも薄いブレードを使用して、２回目のソーイングを行い、リードフレームを互いに分離する方法が知られている（例えば特許文献３参照）。

　上述したように、２回のソーイング工程によりリードフレームを切断する場合、１回目のソーイングではリードフレームを所定の深さ（例えば約半分）だけカットし、２回目のソーイングでリードフレームを分離する。この２回のソーイングは、ともにコネクティングバーに沿って行われる。このため、例えば樹脂封止時に溶融樹脂の圧力によってコネクティングバーが歪んでしまうと、ソーイングされた後のリード部等の形状が所望の形状にならないという問題がある。

　本開示はこのような点を考慮してなされたものであり、コネクティングバーの強度を高め、ソーイング時にコネクティングバーに生じる歪みを抑えることが可能な、リードフレームおよび半導体装置の製造方法を提供する。

　また、一般にリードフレームを作製する際には、銅系の金属材料により形成される金属基板が用いられる。このような銅系の金属材料は、柔らかく延性に優れているため、ダイシング時に金属材料がダイシングの方向に沿って部分的に延びる、いわゆるスミアリングや、バリが発生する可能性がある。リードフレームにスミアリングやバリが発生した場合、スミアリングやバリにより、リード部同士が短絡してしまうおそれがある。また、半導体装置を製造する際、リード部同士の間を流れる封止樹脂の液流が阻害され、封止樹脂が十分に充填できないおそれもある。

　本開示はこのような点を考慮してなされたものであり、ダイシング時にスミアリングの発生を抑制し、スミアリングによりリード部同士が短絡してしまうことを抑制することが可能な、リードフレームおよび半導体装置を提供する。

　本開示は、リードフレームにおいて、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた、複数の長リード部および複数の短リード部と、前記複数の長リード部および前記複数の短リード部が連結されたコネクティングバーとを備え、前記長リード部と前記短リード部とは、前記コネクティングバーの長手方向に沿って交互に配置され、前記コネクティングバーのうち、前記長リード部が連結された長リード連結部は、少なくとも部分的に裏面側から薄肉化され、前記コネクティングバーのうち、前記短リード部が連結された短リード連結部は、少なくとも部分的に表面側から薄肉化されている、リードフレームである。

　本開示は、前記長リード連結部の前記薄肉化された部分は、前記コネクティングバーの長手方向に沿って、当該長リード連結部に隣接する短リード連結部側に向けて広がっている、リードフレームである。

　本開示は、前記短リード連結部の前記薄肉化された部分は、前記コネクティングバーの長手方向に沿って、当該短リード連結部に隣接する長リード連結部側に向けて広がっている、リードフレームである。

　本開示は、前記コネクティングバーのうち少なくとも長手方向の端部は、裏面側から薄肉化されている、リードフレームである。

　本開示は、前記ダイパッドのコーナー部から吊りリードが延在し、前記吊りリードの少なくとも一部は、裏面側から薄肉化されている、リードフレームである。

　本開示は、前記短リード連結部に、一対の薄肉領域が形成され、前記一対の薄肉領域の間には、前記一対の薄肉領域よりも厚い中央領域が形成されている、リードフレームである。

　本開示は、半導体装置において、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた、複数の長リード部および複数の短リード部と、前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記長リード部または前記短リード部とを電気的に接続する接続部材と、前記ダイパッドと、前記長リード部と、前記短リード部と、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止する封止樹脂とを備え、前記長リード部と前記短リード部とは、前記封止樹脂の周縁に沿って交互に配置され、前記長リード部のうち前記封止樹脂から露出する部分は、裏面側から薄肉化され、前記短リード部のうち前記封止樹脂から露出する部分は、表面側から薄肉化されている、半導体装置である。

　本開示によれば、ダイシング時に生じたバリによりリード部同士が短絡してしまうことを抑えることができる。

　本開示は、圧延方向に延びる圧延筋を有するリードフレームであって、前記圧延筋が設けられた面内に、前記圧延方向に直交する方向に延びる複数の局所変形部が形成されている、リードフレームである。

　本開示は、前記局所変形部の最大高さ粗さは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下である、リードフレームである。

　本開示は、前記局所変形部の長さは、前記圧延筋の長さの３０分の１以下である、リードフレームである。

　本開示は、前記局所変形部の幅は、０．５μｍ以上３．０μｍ以下である、リードフレームである。

　本開示は、前記局所変形部は、前記圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部である、リードフレームである。

　本開示は、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、ＪＩＳ－Ｚ２２４１に準拠して測定される伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料から構成されている、リードフレームである。

　本開示は、前記金属材料は、コルソン系合金（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｓｉ）である、リードフレームである。

　本開示は、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられ、それぞれ外部端子を含む複数のリード部とを備え、前記複数のリード部の前記外部端子は、隣り合うリード部間で交互に内側および外側に位置するよう千鳥状に配置されている、リードフレームである。

　本開示は、半導体装置であって、圧延方向に延びる複数の圧延筋を有するダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられ、それぞれ外部端子を含む複数のリード部と、前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続する導電部材と、前記ダイパッドと、前記リード部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止する封止樹脂とを備え、前記ダイパッドの前記圧延筋が設けられた面内に、前記圧延方向に直交する方向に延びる複数の局所変形部が形成されている、半導体装置である。

　本開示は、前記局所変形部の最大高さ粗さは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下である、半導体装置である。

　本開示は、前記局所変形部の長さは、前記圧延筋の長さの３０分の１以下である、半導体装置である。

　本開示は、前記局所変形部の幅は、０．５μｍ以上３．０μｍ以下である、半導体装置。である

　本開示は、前記局所変形部は、前記圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部である、半導体装置である。

　本開示は、前記リード部は、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、ＪＩＳ－Ｚ２２４１に準拠して測定される伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料から構成されている、半導体装置である。

　本開示は、前記金属材料は、コルソン系合金（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｓｉ）である、半導体装置である。

　本開示は、前記複数のリード部の前記外部端子は、隣り合うリード部間で交互に内側および外側に位置するよう千鳥状に配置されている、半導体装置である。

　本開示によれば、リードフレーム上の接着剤がリードフレームから流れ出ることを抑制することができる。

　本開示は、リードフレームにおいて、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられたリード部と、前記リード部が連結されたコネクティングバーとを備え、前記コネクティングバーの表面の幅は、前記コネクティングバーの裏面の幅よりも広く、前記コネクティングバーのうち最大幅となる最大幅部分が、前記コネクティングバーの前記表面と前記裏面との間に位置する、リードフレームである。

　本開示は、前記最大幅部分は、前記コネクティングバーの前記表面と前記裏面との中間位置よりも前記表面側に位置する、リードフレームである。

　本開示は、前記コネクティングバーの前記表面及び前記裏面のうち少なくとも一方に、凹部が形成されている、リードフレームである。

　本開示は、互いに直交する２つの前記コネクティングバーが連結部で互いに連結され、前記ダイパッドと前記連結部とは、吊りリードによって互いに連結され、前記連結部は薄肉化されておらず、前記吊りリードは裏面側から薄肉化されている、リードフレームである。

　本開示は、前記リード部のうち前記コネクティングバーに連結される部分が、平面視でテーパー状に形成されている、リードフレームである。

　本開示は、前記コネクティングバーのうち前記リード部の両側に位置する部分に、それぞれ切欠部が形成されている、リードフレームである。

　本開示は、前記コネクティングバーの表面の幅は、前記コネクティングバーの裏面の幅よりも１５μｍ以上２５μｍ以下だけ広く、前記最大幅部分の幅は、前記コネクティングバーの表面の幅よりも１０μｍ以上１５μｍ以下だけ広い、リードフレームである。

　本開示は、半導体装置の製造方法において、前記リードフレームを準備する工程と、前記リードフレームの前記ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、前記半導体素子と前記リード部とを接続部材により電気的に接続する工程と、前記ダイパッドと、前記リード部と、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止樹脂により封止する工程と、前記コネクティングバーに沿って、裏面側から前記リードフレームの厚み方向の一部を切除する工程と、前記半導体装置毎に前記リードフレーム及び前記封止樹脂を切断する工程とを備えた、半導体装置の製造方法である。

　本開示によれば、コネクティングバーの強度を高め、ソーイング時にコネクティングバーに生じる歪みを抑えることができる。

　本開示は、リードフレームにおいて、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた、複数のリード部と、前記複数のリード部が連結されたコネクティングバーと、前記ダイパッドと前記コネクティングバーとを連結するタイバーとを備え、前記コネクティングバーおよび前記タイバーは、それぞれ裏面側から薄肉化され、前記コネクティングバーの厚みは、前記タイバーの厚みよりも薄い、リードフレームである。

　本開示は、リードフレームにおいて、半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた、複数のリード部と、前記複数のリード部が連結されたコネクティングバーと、前記ダイパッドから延在するタイバーと、前記タイバーと前記コネクティングバーとを連結する連結部材とを備え、前記連結部材の幅は、前記タイバーの幅よりも広い、リードフレームである。

　本開示は、前記コネクティングバーおよび前記タイバーは、それぞれ裏面側から薄肉化され、前記コネクティングバーの厚みは、前記タイバーの厚みよりも薄い、リードフレームである。

　本開示は、前記連結部材は、裏面側から薄肉化されている、リードフレームである。

　本開示は、前記連結部材の幅は、１５０μｍ以上３５０μｍ以下であり、前記タイバーの幅は、１００μｍ以上２５０μｍ以下である、リードフレームである。

　本開示は、前記コネクティングバーの厚みは、６０μｍ以上１２０μｍ以下であり、前記タイバーの厚みは、７０μｍ以上１３０μｍ以下である、リードフレームである。

　本開示は、半導体装置において、ダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられた、複数のリード部と、前記ダイパッドから延在するタイバーと、前記タイバーに連結された連結部材と、前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続する接続部材と、前記ダイパッドと、前記リード部と、前記タイバーと、前記連結部材と、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止する封止樹脂とを備え、前記連結部材の幅は、前記タイバーの幅よりも広い、半導体装置である。

　本開示は、前記連結部材の幅は、１５０μｍ以上３５０μｍ以下であり、前記タイバーの幅は、１００μｍ以上２５０μｍ以下である、半導体装置である。

　本開示によれば、ダイシング時にスミアリングの発生を抑制し、スミアリングによりリード部同士が短絡してしまうことを抑制することができる。

図１は、第１の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。図２は、第１の実施の形態によるリードフレームを示す底面図。図３は、第１の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１のIII－III線断面図）。図４（ａ）は、第１の実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大平面図であり、図４（ｂ）は、第１の実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大底面図。図５（ａ）（ｂ）は、第１の実施の形態によるリード部の長手方向に垂直な方向に沿う断面図（それぞれ図４のVA－VA線、VB－VB線断面図）。図６は、第１の実施の形態による半導体装置を示す平面図。図７は、第１の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図６のVII－VII線断面図）。図８（ａ）－（ｅ）は、第１の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。図９（ａ）－（ｅ）は、第１の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。図１０は、樹脂封止工程における溶融した樹脂の流れを示す概略底面図。図１１は、第１の実施の形態の一変形例（変形例１）によるリードフレームを示す部分拡大平面図。図１２（ａ）（ｂ）は、第１の実施の形態の一変形例（変形例１）によるリード部の長手方向に垂直な方向に沿う断面図（それぞれ図１１のXII－XII線断面に対応する図）。図１３は、第１の実施の形態の一変形例（変形例２）によるリードフレームを示す部分拡大平面図。図１４は、第２の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。図１５は、第２の実施の形態によるリードフレームを示す底面図。図１６は、第２の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図１４のXVI－XVI線断面図）。図１７は、第２の実施の形態によるリードフレームを示す拡大平面図（図１４のXVII部拡大図）。図１８は、第２の実施の形態によるリードフレームを示す拡大断面図（図１６の部分拡大図）。図１９は、第２の実施の形態によるリードフレームを示す光学顕微鏡写真。図２０は、第２の実施の形態によるリードフレームの変形例を示す平面図。図２１は、第２の実施の形態による半導体装置を示す平面図。図２２は、第２の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図２１のXXII－XXII線断面図）。図２３は、第２の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図２１のXXIII－XXIII線断面図）。図２４は、第２の実施の形態による半導体装置の変形例を示す断面図。図２５（ａ）－（ｆ）は、第２の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。図２６（ａ）－（ｅ）は、第２の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。図２７は、第３の実施の形態によるリードフレームの一部を示す平面図。図２８は、第３の実施の形態によるリードフレームの一部を示す底面図。図２９は、第３の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図２７のXXIX－XXIX線断面図）。図３０は、第３の実施の形態によるリードフレームの一部を示す拡大平面図。図３１は、コネクティングバーを示す断面図（図３０のXXXI－XXXI線断面図）。図３２は、第３の実施の形態による半導体装置を示す平面図。図３３は、第３の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図３２のXXXIII－XXXIII線断面図）。図３４（ａ）－（ｅ）は、第３の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。図３５（ａ）－（ｄ）は、第３の実施の形態による半導体装置の製造方法（前半）を示す断面図。図３６（ａ）－（ｃ）は、第３の実施の形態による半導体装置の製造方法（後半）を示す断面図。図３７は、ステップカット後のコネクティングバーを示す断面図。図３８は、第３の実施の形態の一変形例（変形例１）によるリードフレームの一部を示す平面図。図３９は、第３の実施の形態の一変形例（変形例２）によるコネクティングバーを示す断面図。図４０は、第３の実施の形態の一変形例（変形例３）によるコネクティングバーを示す断面図。図４１は、第３の実施の形態の一変形例（変形例４）によるコネクティングバーを示す断面図。図４２は、第３の実施の形態の一変形例（変形例５）によるリードフレームの一部を示す拡大平面図。図４３は、第３の実施の形態の一変形例（変形例６）によるリードフレームの一部を示す拡大平面図。図４４は、第４の実施の形態によるリードフレームを示す平面図。図４５は、第４の実施の形態によるリードフレームを示す底面図。図４６は、第４の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図４４のXLVI－XLVI線断面図）。図４７は、第４の実施の形態によるリードフレームを示す断面図（図４４のXLVII－XLVII線断面図）。図４８は、第４の実施の形態によるリードフレームを示す部分拡大平面図。図４９は、第４の実施の形態による半導体装置を示す平面図。図５０は、第４の実施の形態による半導体装置を示す断面図（図４９のL－L線断面図）。図５１（ａ）－（ｅ）は、第４の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。図５２（ａ）－（ｃ）は、第４の実施の形態によるリードフレームの製造方法を示す断面図。図５３（ａ）－（ｅ）は、第４の実施の形態による半導体装置の製造方法を示す断面図。

　（第１の実施の形態）
　以下、第１の実施の形態について、図１乃至図１０を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

　リードフレームの構成
　まず、図１乃至図５により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１乃至図５は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。

　図１乃至図３に示すように、リードフレーム１０は、１つ又は複数の単位リードフレーム（パッケージ領域）１０ａを含んでいる。各単位リードフレーム１０ａは、半導体素子２１（後述）を搭載する平面矩形状のダイパッド１１と、ダイパッド１１周囲に設けられ、半導体素子２１と外部回路（図示せず）とを接続する複数の細長い長リード部（第１リード部）１２Ａおよび短リード部（第２リード部）１２Ｂとを備えている。なお、単位リードフレーム１０ａは、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域であり、図１および図２において仮想線の内側に位置する領域である。
　また、図１および図２の仮想線は半導体装置２０の外周縁に対応している。

　なお、本明細書中、「内」、「内側」とは、各単位リードフレーム１０ａにおいてダイパッド１１の中心方向を向く側をいい、「外」、「外側」とは、各単位リードフレーム１０ａにおいてダイパッド１１の中心から離れる側（コネクティングバー１３側）をいう。また、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面をいい、「裏面」とは、「表面」の反対側の面であって外部の図示しない実装基板に接続される側の面をいう。

　複数の単位リードフレーム１０ａは、コネクティングバー（支持リード、支持部材）１３を介して互いに連結されている。このコネクティングバー１３は、ダイパッド１１と、長リード部１２Ａおよび短リード部１２Ｂとを支持するものであり、Ｘ方向およびＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０の面内において、ダイパッド１１の各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。

　ダイパッド１１は、平面略正方形形状を有しており、その表面には、後述する半導体素子２１が搭載される。ダイパッド１１の平面形状は、正方形に限らず、長方形等の多角形としても良い。また、ダイパッド１１の四つのコーナー部にはそれぞれ吊りリード１４が連結されており、ダイパッド１１は、この４本の吊りリード１４を介してコネクティングバー１３に連結支持されている。各吊りリード１４は、その全域にわたりハーフエッチングにより裏面側から薄肉に形成されている。しかしながら、これに限らず、吊りリード１４の一部のみが裏面側から薄肉化されていても良い。とりわけ、吊りリード１４の外側（コネクティングバー１３側）を薄肉化した場合、樹脂封止時に、単位リードフレーム１０ａのコーナー部における溶融した樹脂の流動性を高めることができる。

　ここでハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは、ハーフエッチング前の被エッチング材料の厚みの例えば３０％以上７０％以下、好ましくは４０％以上６０％以下となる。なお、図１および図２において、ハーフエッチングされた領域を網掛けで示している。

　各コネクティングバー１３は、細長い棒形状を有しており、その端部１３ｍには、それぞれ正方形状の環状連結部１９が連結されている。環状連結部１９の内側には、平面正方形状の貫通開口１９ａが形成されている。また、環状連結部１９には、吊りリード１４の外側端部が連結されている。すなわち、各環状連結部１９には、それぞれ４本の吊りリード１４と、Ｘ方向に延びる２本のコネクティングバー１３と、Ｙ方向に延びる２本のコネクティングバー１３とが連結される。また環状連結部１９は、その全域にわたりハーフエッチングにより裏面側から薄肉に形成されている。

　各コネクティングバー１３には、長リード部１２Ａと短リード部１２Ｂとが長手方向に沿って交互に連結されている。この場合、長リード部１２Ａは、長リード連結部４１においてコネクティングバー１３に連結され、短リード部１２Ｂは、短リード連結部４２においてコネクティングバー１３に連結されている。長リード連結部４１と短リード連結部４２の間には、中間部４３が形成されている。コネクティングバー１３のうち長リード連結部４１は、その少なくとも一部が裏面側から薄肉化され、短リード連結部４２は、その少なくとも一部が表面側から薄肉化されている。

　図１に示すように、表面側から見た場合、コネクティングバー１３の短リード連結部４２が薄肉化され、中間部４３および長リード連結部４１は薄肉化されていない。一方、図２に示すように、裏面側から見た場合、コネクティングバー１３の長リード連結部４１および中間部４３の一部が薄肉化され、中間部４３の他の部分および短リード連結部４２は薄肉化されていない。さらに、コネクティングバー１３の両方の端部１３ｍは、それぞれ裏面側から薄肉化されている。

　ダイパッド１１は、中央に位置するダイパッド厚肉部１１ａと、ダイパッド厚肉部１１ａの周縁全周にわたって形成されたダイパッド薄肉部１１ｂとを有している（図３参照）。このうちダイパッド厚肉部１１ａは、ハーフエッチングされておらず、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有している。具体的には、ダイパッド厚肉部１１ａの厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。一方、ダイパッド薄肉部１１ｂは、ハーフエッチングにより裏面側から薄肉に形成されている。このようにダイパッド薄肉部１１ｂを設けたことにより、ダイパッド１１が封止樹脂２３（後述）から離脱しにくくすることができる。

　各長リード部１２Ａおよび各短リード部１２Ｂは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続されるものであり、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。各長リード部１２Ａおよび各短リード部１２Ｂは、それぞれコネクティングバー１３から延び出している。この場合、長リード部１２Ａの長さは、短リード部１２Ｂの長さよりも長い。

　各長リード部１２Ａと各短リード部１２Ｂとは、上述したように、ダイパッド１１の周囲においてコネクティングバー１３の長手方向に沿って交互に配置されている。すなわち、長リード部１２Ａと短リード部１２Ｂとが互いに隣接する一方、長リード部１２Ａ同士が隣接することはなく、短リード部１２Ｂ同士が隣接することもない。隣接する長リード部１２Ａ及び短リード部１２Ｂ同士は、半導体装置２０（後述）の製造後に互いに電気的に絶縁される形状となっている。また、長リード部１２Ａ及び短リード部１２Ｂは、半導体装置２０の製造後にダイパッド１１と電気的に絶縁される形状となっている。この長リード部１２Ａ及び短リード部１２Ｂの裏面には、それぞれ外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される第１外部端子１７Ａ及び第２外部端子１７Ｂが形成されている。各外部端子１７Ａ、１７Ｂは、半導体装置２０（後述）の製造後に、それぞれ半導体装置２０から外方に露出するようになっている。

　この場合、第１外部端子１７Ａ及び第２外部端子１７Ｂは、平面視で複数の列（２列）に沿って配置されている。具体的には、第１外部端子１７Ａ及び第２外部端子１７Ｂは、隣り合う長リード部１２Ａ及び短リード部１２Ｂ間で交互に内側および外側に位置するよう、平面視で千鳥状に配置されている。各第１外部端子１７Ａはそれぞれ内側（ダイパッド１１側）に位置しており、各第２外部端子１７Ｂはそれぞれ外側（コネクティングバー１３側）に位置している。複数の第１外部端子１７Ａ及び複数の第２外部端子１７Ｂは、それぞれ異なる直線上に配置され、複数の第１外部端子１７Ａが配置される直線と、複数の第２外部端子１７Ｂが配置される直線とは互いに平行である。またダイパッド１１の周囲において、内側の第１外部端子１７Ａと外側の第２外部端子１７Ｂとが、全周にわたり交互に配置されている。これにより、長リード部１２Ａ及び短リード部１２Ｂの外部端子１７Ａ、１７Ｂが、隣接する長リード部１２Ａ及び短リード部１２Ｂに短絡することを抑制している。

　次に、図４（ａ）（ｂ）および図５（ａ）（ｂ）を参照して、長リード部１２Ａ、短リード部１２Ｂ及びコネクティングバー１３の構成について更に説明する。

　図４に示すように、長リード部１２Ａは、長リード部１２Ａの内端（ダイパッド１１側端部）に位置する端子領域（端子部）５３と、端子領域５３の外側（コネクティングバー１３側）に位置する外側領域（接続リード）５２とを有している。このうち外側領域５２は、平面から見て細長い棒形状を有しており、端子領域５３は平面視略かまぼこ形状を有している。また、端子領域５３の表面には第１内部端子１５Ａが形成され（図４（ａ）参照）、端子領域５３の裏面には、上述した第１外部端子１７Ａが形成されている（図４（ｂ）参照）。第１内部端子１５Ａは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。このため、第１内部端子１５Ａ上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。

　外側領域５２は、端子領域５３から外側（コネクティングバー１３側）に延びており、その基端部はコネクティングバー１３に連結されている。外側領域５２は、当該外側領域５２が連結されるコネクティングバー１３の長手方向に対して垂直に延びている。しかしながら、これに限らず、各外側領域５２の一部又は全部がコネクティングバー１３に対して傾斜して延びていても良い。

　この外側領域５２は、それぞれ裏面側からハーフエッチングにより薄肉化されている。このように、外側領域５２を裏面側から薄肉化したことにより、幅の狭い長リード部１２Ａを精度良く形成することができ、小型でピン数の多い半導体装置２０を得ることができる。また、端子領域５３は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１のダイパッド厚肉部１１ａ（加工前の金属基板３１）と同一の厚みを有している。さらに外側領域５２の幅（コネクティングバー１３の長手方向に平行な長さ）ｗ１１は、端子領域５３の幅ｗ１２よりも狭くなっている。これにより、端子領域５３の面積を確保しつつ、外側領域５２と短リード部１２Ｂとの間隔を一定程度確保している。

　一方、短リード部１２Ｂは、端子領域（端子部）６３から構成されている。この端子領域６３は、平面から見て略かまぼこ形状を有しており、その基端部はコネクティングバー１３に連結されている。また、端子領域６３の表面には第２内部端子１５Ｂが形成され（図４（ａ）参照）、端子領域６３の裏面には、上述した第２外部端子１７Ｂが形成されている（図４（ｂ）参照）。第２内部端子１５Ｂは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。このため、第２内部端子１５Ｂ上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。

　図４（ａ）に示すように、端子領域６３の外側（コネクティングバー１３側）の領域は、表面側からハーフエッチングされることにより薄肉化されている。端子領域６３の薄肉化された部分と薄肉化されていない部分との境界６４は、単位リードフレーム１０ａの内側に位置する。一方、端子領域６３の内側（ダイパッド１１側）の領域は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１のダイパッド厚肉部１１ａ（加工前の金属基板３１）と同一の厚みを有している。なお、短リード部１２Ｂの端子領域６３の幅（コネクティングバー１３の長手方向に平行な長さ）ｗ１３は、長リード部１２Ａの端子領域５３の幅ｗ１２と略同一であるが、これに限らず、端子領域６３の幅ｗ１３が端子領域５３の幅ｗ１２と異なっていても良い。

　なお、図４（ａ）（ｂ）において、長リード部１２Ａの外側領域５２の幅ｗ１１は、例えば６０μｍ以上１８０μｍ以下であり、互いに隣接する長リード部１２Ａと短リード部１２Ｂとの間のピッチｐ１１は、例えば８５μｍ以上２００μｍ以下である。また、端子領域５３、６３の幅ｗ１２、ｗ１３は、例えば６５μｍ以上２００μｍ以下である。

　コネクティングバー１３は、上述したように、長リード部１２Ａが連結される長リード連結部４１と、短リード部１２Ｂが連結される短リード連結部４２と、長リード連結部４１と短リード連結部４２との間に位置する中間部４３とを有している。なお、長リード連結部４１とは、長リード部１２Ａの外側領域５２の両側縁（Ｙ方向）の延長線と、コネクティングバー１３の両側縁（Ｘ方向）とによって取り囲まれた領域をいう。また、短リード連結部４２とは、短リード部１２Ｂの端子領域６３の両側縁（Ｙ方向）の延長線と、コネクティングバー１３の両側縁（Ｘ方向）とによって取り囲まれた領域をいう。

　長リード連結部４１は、平面視矩形形状であり、その全域にわたり裏面側からハーフエッチングにより薄肉化されている（図４（ｂ）参照）。この長リード連結部４１の薄肉化され部分は、外側領域５２の薄肉化された部分に連続している。一方、長リード連結部４１は表面側からは薄肉化されていない（図４（ａ）参照）。なお、これに限らず、長リード連結部４１の一部のみが裏面側から薄肉化されていても良い。

　図４（ｂ）に示すように、長リード連結部４１の裏面の薄肉化された部分は、コネクティングバー１３の長手方向に沿って、隣接する短リード連結部４２側に向けて広がっている。すなわち、中間部４３のうち長リード連結部４１側の一部は、裏面側からハーフエッチングにより薄肉化されている。この場合、中間部４３のうち薄肉部分４３ａの長さＬ１１は、中間部４３全体の長さ（上述したピッチｐ１１）の５％以上５０％以下であり、好ましくは１０％以上３０％以下である。

　短リード連結部４２は、平面視矩形形状であり、その全域にわたり表面側からハーフエッチングにより薄肉化されている（図４（ａ）参照）。この短リード連結部４２の薄肉化された部分は、端子領域６３の薄肉化された部分に連続して延びる。一方、短リード連結部４２は裏面側からは薄肉化されていない（図４（ｂ）参照）。なお、これに限らず、短リード連結部４２の一部のみが表面側から薄肉化されていても良い。

　図４（ａ）に示すように、短リード連結部４２の表面の薄肉化された部分は、コネクティングバー１３の長手方向に沿って、隣接する長リード連結部４１側に向けて広がっている。すなわち、図４（ａ）の丸囲み部に示すように、中間部４３のうち、短リード連結部４２側であって、コネクティングバー１３の側縁に隣接する一部が、表面側からハーフエッチングにより薄肉化されている。この中間部４３の薄肉部分４３ｂは平面視略三角形形状を有している。また、この中間部４３の薄肉部分４３ｂの長さＬ１２は、中間部４３全体の長さ（上述したピッチｐ１１）の１％以上２０％以下であり、好ましくは３％以上１０％以下である。なお、中間部４３の表面側の薄肉部分４３ｂの長さＬ１２は、上述した裏面側の薄肉部分４３ａの長さＬ１１よりも短い。

　図５（ａ）（ｂ）は、長リード部１２Ａ及び短リード部１２Ｂの長手方向に垂直な方向の断面図である。

　図５（ａ）に示すように、コネクティングバー１３の近傍において、長リード部１２Ａの外側領域５２が裏面側から薄肉化され、短リード部１２Ｂの端子領域６３が表面側から薄肉化されている。このように、長リード部１２Ａおよび短リード部１２Ｂの断面積が狭くなっているので、後述するように封止樹脂２３をダイシングする際、長リード部１２Ａおよび短リード部１２Ｂから生じるバリを小さくすることができる。これにより、ダイシング時に生じたバリによって長リード部１２Ａと短リード部１２Ｂとが短絡することを抑制している。

　一方、図５（ｂ）に示すように、コネクティングバー１３から離れた位置において、長リード部１２Ａの外側領域５２が裏面側から薄肉化される一方、短リード部１２Ｂの端子領域６３は、表面及び裏面側のいずれも薄肉化されていない。これにより、短リード部１２Ｂの第２内部端子１５Ｂの面積を確保し、第２内部端子１５Ｂとボンディングワイヤ２２とを強固に接続することが可能となる。一方、図５（ｂ）に示す位置では、ダイシング時に長リード部１２Ａおよび短リード部１２Ｂからバリが生じることがないため、長リード部１２Ａと短リード部１２Ｂとが短絡するおそれはない。

　以上説明したリードフレーム１０は、全体として銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属から構成されている。また、リードフレーム１０の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。

　なお、本実施の形態において、長リード部１２Ａ及び短リード部１２Ｂは、ダイパッド１１の４辺全てに沿って配置されているが、これに限られるものではなく、例えばダイパッド１１の対向する２辺のみに沿って配置されていても良い。

　また、本実施の形態では、長リード部１２Ａの第１外部端子１７Ａと短リード部１２Ｂの第２外部端子１７Ｂとが千鳥状に２列に配置されている場合を例にとって説明したが、これに限らず、外部端子が３列以上に配置されていても良い。

　半導体装置の構成
　次に、図６および図７により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図６および図７は、本実施の形態による半導体装置（ＤＲ－ＱＦＮ（Dual Row QFN）タイプ）を示す図である。

　図６および図７に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に配置された複数の長リード部１２Ａ及び複数の短リード部１２Ｂと、ダイパッド１１上に搭載された半導体素子２１と、長リード部１２Ａ又は短リード部１２Ｂと半導体素子２１とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（接続部材、導電部材）２２とを備えている。また、ダイパッド１１、長リード部１２Ａ、短リード部１２Ｂ、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。

　ダイパッド１１、長リード部１２Ａ及び短リード部１２Ｂは、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。このうち長リード部１２Ａ及び短リード部１２Ｂは、封止樹脂２３の周縁２３ａに沿って交互に配置されている。また、長リード部１２Ａのうち封止樹脂２３の周縁２３ａから露出する部分（外側領域５２）は、裏面側から薄肉化されている。一方、短リード部１２Ｂのうち封止樹脂２３の周縁２３ａから露出する部分（端子領域６３）は、表面側から薄肉化されている。このほか、ダイパッド１１、長リード部１２Ａ及び短リード部１２Ｂの構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図１乃至図５に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

　半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。

　各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各長リード部１２Ａ又は短リード部１２Ｂの内部端子１５Ａ、１５Ｂにそれぞれ接続されている。なお、内部端子１５Ａ、１５Ｂには、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。

　封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μｍ以上１２００μｍ以下程度とすることができる。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば６ｍｍ以上１６ｍｍ以下することができる。なお、図６において、封止樹脂２３のうち、ダイパッド１１、長リード部１２Ａ及び短リード部１２Ｂよりも表面側に位置する部分の表示を省略している。

　リードフレームの製造方法
　次に、図１乃至図５に示すリードフレーム１０の製造方法について、図８（ａ）－（ｅ）を用いて説明する。なお、図８（ａ）－（ｅ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図（図３に対応する図）である。

　まず図８（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。

　次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図８（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。

　続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図８（ｃ））。

　次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図８（ｄ））。これにより、ダイパッド１１、長リード部１２Ａおよび短リード部１２Ｂの外形が形成される。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングを行うことができる。

　その後、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、図１乃至図５に示すリードフレーム１０が得られる。（図８（ｅ））。

　なお、上記においては、金属基板３１の両面側からスプレーエッチングを行う場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない。例えば、金属基板３１の片面ずつ２段階のスプレーエッチングを行っても良い。具体的には、まず金属基板３１の表面側の全体に第１エッチング用レジスト層を設けるとともに、裏面側に所定のパターンをもつ第２エッチング用レジスト層を形成し、金属基板３１の裏面側のみエッチングを施す。次に、第１及び第２エッチング用レジスト層を除去するとともに、金属基板３１の裏面側に耐エッチング性のある樹脂からなる封止層を設ける。続いて、金属基板３１の表面側に所定のパターンをもつ第３エッチング用レジスト層を形成し、この状態で金属基板３１の表面側のみエッチングを施す。その後、裏面側の封止層を剥離することにより、リードフレーム１０の外形が形成される。このように金属基板３１の片面ずつスプレーエッチングを行うことにより、長リード部１２Ａ及び短リード部１２Ｂの変形を回避しやすいという効果が得られる。

　半導体装置の製造方法
　次に、図６および図７に示す半導体装置２０の製造方法について、図９（ａ）－（ｅ）を用いて説明する。

　まず、例えば図８（ａ）－（ｅ）に示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図９（ａ））。

　次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図９（ｂ））。

　次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各長リード部１２Ａ及び短リード部１２Ｂの内部端子１５Ａ、１５Ｂとを、それぞれボンディングワイヤ（接続部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図９（ｃ））。

　次に、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（樹脂封止工程）（図９（ｄ））。このようにして、ダイパッド１１、長リード部１２Ａ、短リード部１２Ｂ、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２を封止する。

　この間、コネクティングバー１３側から各単位リードフレーム１０ａの内側に向けて、樹脂が回り込む。本実施の形態において、環状連結部１９、吊りリード１４及びコネクティングバー１３の端部１３ｍは、それぞれ裏面側から薄肉化されている。このため、図１０に示すように、樹脂が通過する流路が広く確保され、溶融した樹脂は、各単位リードフレーム１０ａのコーナー部の周囲をスムーズに流れる（図１０の矢印Ｆ参照）。これにより、各単位リードフレーム１０ａのコーナー部近傍の特定の箇所に応力が集中しにくくなり、封止樹脂２３を各単位リードフレーム１０ａの内側に確実に充填することができる。
　また、封止樹脂２３の圧力によって。長リード部１２Ａや短リード部１２Ｂが変形するおそれも少ない。

　次に、各半導体素子２１間の封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０に分離する。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード（図示せず）を回転させながら、各半導体装置２０間のリードフレーム１０および封止樹脂２３を切断しても良い。

　この場合、コネクティングバー１３の長リード連結部４１は裏面側から薄肉化され、コネクティングバー１３の短リード連結部４２は、表面側から薄肉化されている。また、コネクティングバー１３の近傍において、長リード部１２Ａが裏面側から薄肉化され、短リード部１２Ｂが表面側から薄肉化されている。このように、ブレードの進行方向に沿って、コネクティングバー１３、長リード部１２Ａおよび短リード部１２Ｂの断面積が狭くなっているので、封止樹脂２３をダイシングする際、コネクティングバー１３、長リード部１２Ａおよび短リード部１２Ｂから生じるバリを小さくすることができる。これにより、ダイシング時に生じたバリにより長リード部１２Ａと短リード部１２Ｂとが短絡する不具合を抑制することができる。

　このようにして、図６および図７に示す半導体装置２０が得られる（図９（ｅ））。

　以上説明したように、本実施の形態によれば、コネクティングバー１３のうち長リード連結部４１は、裏面側から薄肉化され、短リード連結部４２は、表面側から薄肉化されている。これにより、ダイシングする方向（コネクティングバー１３）に沿ったコネクティングバー１３、長リード部１２Ａおよび短リード部１２Ｂの断面積が狭くし、ダイシング時に生じるバリを減らし、バリによりリード部同士が短絡することを抑制することができる。また、上記断面積を狭くしたことにより、ダイシング時に発生する熱を低減し、リードフレーム１０を構成する金属（銅等）の伸びを抑えることができる。また、外部端子１７Ａ、１７Ｂに予め半田めっきが付着している場合、ダイシング時の熱によってこの半田めっきが溶融することを抑制することができる。

　また、本実施の形態によれば、長リード連結部４１の薄肉化された部分（薄肉部分４３ａ）は、コネクティングバー１３の長手方向に沿って、長リード連結部４１に隣接する短リード連結部４２側に向けて広がっている。これにより、樹脂封止時に、長リード連結部４１の裏面側における封止樹脂２３の流路を広く確保し、溶融した樹脂をスムーズに流すことができる。

　また、本実施の形態によれば、短リード連結部４２の薄肉化された部分（薄肉部分４３ｂ）は、コネクティングバー１３の長手方向に沿って、短リード連結部４２に隣接する長リード連結部４１側に向けて広がっている。これにより、コネクティングバー１３の断面積が狭くなるので、ダイシング時に短リード連結部４２の周辺から生じるバリを減らし、バリによりリード部１２Ａ、１２Ｂ同士が短絡しないようにすることができる。

　さらに、本実施の形態によれば、コネクティングバー１３のうち少なくとも長手方向の端部１３ｍは、裏面側から薄肉化されている。また、吊りリード１４の少なくとも一部は、裏面側から薄肉化されている。これにより、樹脂封止時に、溶融した樹脂が各単位リードフレーム１０ａのコーナー部の周囲をスムーズに流れるので、特定の箇所に応力が集中せず、封止樹脂２３を各単位リードフレーム１０ａの内側に確実に充填することができる。

　変形例
　次に、図１１乃至図１３により、本実施の形態によるリードフレームの変形例について説明する。図１１乃至図１３に示す変形例は、主として短リード連結部４２の薄肉化された部分の形状が異なるものであり、他の構成は、図１乃至図１０に示す実施の形態と略同一である。図１１乃至図１３において、図１乃至図１０と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

　（変形例１）
　図１１および図１２に示すリードフレーム１０Ａにおいて、短リード連結部４２は、その一部が表面側から薄肉化されている。具体的には、各短リード連結部４２において、コネクティングバー１３の長手方向に垂直な方向に沿って、表面側から薄肉化された一対の薄肉領域４６ａ、４６ｂが形成されている。この薄肉領域４６ａ、４６ｂは、短リード連結部４２から、短リード部１２Ｂの両側縁部に沿って、短リード部１２Ｂの途中まで延びている。一対の薄肉領域４６ａ、４６ｂの間には、薄肉領域４６ａ、４６ｂよりも厚い中央領域４７が形成されている。この中央領域４７は、薄肉領域４６ａ、４６ｂから表面側に突出する表面側凸部からなる。

　図１２（ａ）に示すように、中央領域４７は、薄肉化（ハーフエッチング）されることなく、加工前の金属基板３１と同一の厚みを有していても良い。この場合、コネクティングバー１３近傍における短リード部１２Ｂの垂直断面は、断面視略Ｔ字状となる。

　あるいは、図１２（ｂ）に示すように、中央領域４７は、一対の薄肉領域４６ａ、４６ｂから表面側（Ｚ方向プラス側）に突出するとともに、長リード部１２Ａの表面よりも裏面側（Ｚ方向マイナス側）に位置していても良い。この場合、中央領域４７は、断面視略山型形状を有している。この場合、コネクティングバー１３近傍における短リード部１２Ｂの垂直断面は、断面視略五角形形状となる。

　図１１および図１２において、一対の薄肉領域４６ａ、４６ｂの間に中央領域４７が形成されているので、この中央領域４７によって短リード連結部４２の強度を保持しつつ、ダイシング時に発生する熱を低減することができる。

　（変形例２）
　図１３に示すリードフレーム１０Ｂにおいて、短リード連結部４２は、その一部が表面側から薄肉化されている。具体的には、各短リード連結部４２において、コネクティングバー１３の長手方向に沿って、表面側から薄肉化された一対の薄肉領域４８ａ、４８ｂが形成されている。この薄肉領域４８ａ、４８ｂは、短リード連結部４２から、短リード部１２Ｂの途中まで延びている。一対の薄肉領域４８ａ、４８ｂの間には、薄肉領域４８ａ、４８ｂよりも厚い中央領域４９が形成されている。この中央領域４９は、薄肉化（ハーフエッチング）されておらず、コネクティングバー１３の長さ方向に沿って延びている。

　図１３において、一対の薄肉領域４８ａ、４８ｂの間に中央領域４９が形成されているので、この中央領域４９によって短リード連結部４２の強度を保持しつつ、ダイシング時に発生する熱を低減することができる。

　（第２の実施の形態）
　次に、第２の実施の形態について、図１４乃至図２６を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

　リードフレームの構成
　まず、図１４乃至図１９により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図１４乃至図１９は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。

　図１４および図１５に示すように、リードフレーム１０は、１つ又は複数の単位リードフレーム（パッケージ領域）１０ａを含んでいる。各単位リードフレーム１０ａは、半導体素子２１（後述）を搭載するダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に設けられ、半導体素子２１と外部回路（図示せず）とを接続する複数の細長い第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂを備えている。なお、単位リードフレーム１０ａは、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域であり、図１４および図１５において仮想線の内側に位置する領域である。また、図１４および図１５の仮想線は半導体装置２０の外周縁に対応している。

　複数の単位リードフレーム１０ａは、支持リード（支持部材）１３を介して互いに連結されている。この支持リード１３は、ダイパッド１１と第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂとを支持するものであり、Ｘ方向およびＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。支持リード１３は、ハーフエッチングされておらず、金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有している。なお、ハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０の面内において、ダイパッド１１の各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。

　ダイパッド１１は、平面略正方形形状を有しており、その表面には、後述する半導体素子２１が搭載される。ダイパッド１１の平面形状は、正方形に限らず、長方形等の多角形としても良い。また、ダイパッド１１の四隅には、ダイパッド１１のコーナー部から単位リードフレーム１０ａのコーナー部に向けて略直線状に延びる吊りリード１４が連結されており、ダイパッド１１は、この４本の吊りリード１４を介して支持リード１３に連結支持されている。なお、本明細書中、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面をいい、「裏面」とは、「表面」の反対側の面であって外部の図示しない実装基板に接続される側の面をいう。

　図１４乃至図１６に示すように、ダイパッド１１は、中央に位置するダイパッド厚肉部１１ａと、ダイパッド厚肉部１１ａの周縁全周にわたって形成されたダイパッド薄肉部１１ｂとを有している。このうちダイパッド厚肉部１１ａは、ハーフエッチングされておらず、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有している。具体的には、ダイパッド厚肉部１１ａの厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。一方、ダイパッド薄肉部１１ｂは、ハーフエッチングにより裏面側から薄肉に形成されている。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは、ハーフエッチング前の被エッチング材料の厚みの例えば３０％以上７０％以下、好ましくは４０％以上６０％以下となる。このようにダイパッド薄肉部１１ｂを設けたことにより、ダイパッド１１が封止樹脂２３（後述）から離脱しにくくすることができる。

　次に、図１４乃至図１６を参照して、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの構成について説明する。

　図１４および図１５に示すように、各第１リード部１２Ａおよび各第２リード部１２Ｂは、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続されるものであり、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。各第１リード部１２Ａおよび各第２リード部１２Ｂは、それぞれ支持リード１３から延び出している。

　各第１リード部１２Ａと各第２リード部１２Ｂとは、ダイパッド１１の周囲に沿って交互に配置されている。隣接する第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂ同士は、半導体装置２０（後述）の製造後に互いに電気的に絶縁される形状となっている。また、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂは、半導体装置２０の製造後にダイパッド１１と電気的に絶縁される形状となっている。この第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの裏面には、それぞれ外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７Ａ、１７Ｂが形成されている。各外部端子１７Ａ、１７Ｂは、半導体装置２０（後述）の製造後に、それぞれ半導体装置２０から外方に露出するようになっている。

　この場合、複数の第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの外部端子１７Ａ、１７Ｂは、平面視で複数の列（２列）に沿って配置されている。具体的には、外部端子１７Ａ、１７Ｂは、隣り合う第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂ間で内側および外側に位置するよう、平面視で交互に千鳥状に配置されている。各外部端子１７Ａはそれぞれ内側（ダイパッド１１側）に位置しており、各外部端子１７Ｂはそれぞれ外側（支持リード１３側）に位置している。複数の外部端子１７Ａ及び複数の外部端子１７Ｂは、それぞれ異なる直線上に配置され、複数の外部端子１７Ａが配置される直線と、複数の外部端子１７Ｂが配置される直線とは互いに平行である。またダイパッド１１の周囲において、内側の外部端子１７Ａを有する第１リード部１２Ａと、外側の外部端子１７Ｂを有する第２リード部１２Ｂとが、全周にわたり交互に配置されている。これにより、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの外部端子１７Ａ、１７Ｂが、隣接する第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂに短絡する不具合が防止される。

　次に、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの構成について更に説明する。

　図１４乃至図１６に示すように、内側の外部端子１７Ａを有する第１リード部１２Ａは、インナーリード５１と、接続リード（外側領域）５２と、端子部（端子領域）５３とを有している。このうちインナーリード５１は、端子部５３から内側（ダイパッド１１側）に延びており、その先端部にはボンディング領域（内部端子）１５が形成されている。このボンディング領域１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域であり、内部端子としての役割を果たしている。このため、ボンディング領域１５上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。なお、各インナーリード５１は、平面視で、支持リード１３に対して直角に延びる部分と支持リード１３に対して傾斜して延びる部分とを有している。

　接続リード５２は、端子部５３から外側（支持リード１３側）に延びており、その基端部は支持リード１３に連結されている。接続リード５２は、当該接続リード５２が連結される支持リード１３に対して垂直に延びている。なお、端子部５３の裏面には、外部端子１７Ａが形成されている。

　第１リード部１２Ａのインナーリード５１および接続リード５２は、それぞれ裏面側からハーフエッチングにより薄肉化されている。他方、端子部５３は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１のダイパッド厚肉部１１ａおよび支持リード１３と同一の厚みを有している。このように、インナーリード５１および接続リード５２の厚みが端子部５３の厚みよりも薄いことにより、幅の狭い第１リード部１２Ａを精度良く形成することができ、小型でピン数の多い半導体装置２０を得ることができる。

　一方、図１４及び図１５に示すように、外側の外部端子１７Ｂを有する第２リード部１２Ｂは、インナーリード６１と、端子部（端子領域）６３とを有している。このうちインナーリード６１は、端子部６３から内側（ダイパッド１１側）に延びており、その先端部にはボンディング領域１５が形成されている。このボンディング領域１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域であり、内部端子としての役割を果たしている。このため、ボンディング領域１５上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。各インナーリード６１は、平面視で、支持リード１３に対して直角に延びる部分と支持リード１３に対して傾斜して延びる部分とを有している。

　端子部６３は、その基端側において支持リード１３に連結されており、支持リード１３に対して垂直に延びている。なお、端子部６３の裏面には、外部端子１７Ｂが形成されている。

　第２リード部１２Ｂのインナーリード６１は、裏面側からハーフエッチングにより薄肉に形成されている。また、端子部６３は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１のダイパッド厚肉部１１ａおよび支持リード１３と同一の厚みを有している。このように、インナーリード６１の厚さが端子部６３の厚さよりも薄いことにより、幅の狭い第２リード部１２Ｂを精度良く形成することができ、小型でピン数の多い半導体装置２０を得ることができる。

　以上説明したリードフレーム１０は、全体として銅、銅合金、コルソン系合金（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｓｉ）、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属材料から構成されている。とりわけ、リードフレーム１０は、コルソン系合金から構成されていることが好ましい。コルソン系合金は、銅を主成分とし、０．４％以上７％以下のニッケル、０．１％以上２％以下の珪素、０％以上１．２％以下のマグネシウム、及び不可避不純物を含む。このようなコルソン系合金は硬度を高くすることができるとともに、伸びを小さくすることができ、延性を小さくすることができる。これにより、後述するように、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際に、第１リード部１２Ａの接続リード５２及び第２リード部１２Ｂの端子部６３に発生するスミアリングＳ（図２３参照）を低減することができる。ここで本明細書中、伸びとは、ＪＩＳ－Ｚ２２４１に準拠して測定される伸びをいう。また、本明細書中、スミアリングとは、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離するブレード（図示せず）との摩擦により、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂを構成する金属材料が、ダイシングの方向に沿って部分的に延びたもの（バリ）をいう。

　また、リードフレーム１０は、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料、とりわけコルソン系合金から構成されていることが好ましい。これにより、後述するように、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際に、第１リード部１２Ａの接続リード５２及び第２リード部１２Ｂの端子部６３に発生するスミアリングＳをより効果的に低減することができる。

　また、このようなリードフレーム１０は、上述した金属材料を圧延することにより作製されており、図１４及び図１７に示すように、その表面及び裏面に圧延方向（本実施の形態においてはＸ方向）に延びる圧延筋７１を有している。なお、図１４及び図１６において、圧延筋７１のうち、ダイパッド１１に形成された圧延筋７１以外の圧延筋の図示を省略し、図１５及び図１６において、リードフレーム１０の裏面に形成された圧延筋の図示を省略している。

　また、図１４及び図１６乃至図１８に示すように、リードフレーム１０は、圧延筋７１が設けられた面内に、圧延方向に直交する方向（本実施の形態においてはＹ方向）に延びる複数の局所変形部７２が形成されている。局所変形部７２は、リードフレーム１０の面内に多数点在している。この局所変形部７２は、圧延筋７１が形成された金属材料を更に圧延することにより形成されたものである。図１６及び図１８に示すように、本実施の形態においては、局所変形部７２は圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部である。局所変形部７２を設けることにより、後述するように、半導体素子２１をリードフレーム１０のダイパッド１１上に搭載して固定する際に、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４が、圧延筋７１に起因した毛細管現象により圧延筋７１に沿って圧延方向に流れた場合であっても、局所変形部７２が接着剤２４の圧延方向への進行を抑制することができる。このため、接着剤２４が、ダイパッド１１から流れ出る不具合を防止することができる。とりわけ、局所変形部７２が圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部であることにより、接着剤２４の圧延方向への進行を効果的に抑制することができる。また、局所変形部７２が設けられていることにより、接着剤２４が、局所変形部７２に起因した毛細管現象により局所変形部７２に沿って圧延方向に直交する方向に流れる。このため、接着剤２４をダイパッド１１上に均一に分布させることができる。なお、図１４及び図１６において、圧延筋７１のうち、ダイパッド１１に形成された局所変形部７２以外の局所変形部の図示を省略している。また、図１５において、リードフレーム１０の裏面に形成された局所変形部の図示を省略している。また、参考として、リードフレーム１０の表面に形成された圧延筋７１および局所変形部７２の例を図１９の写真に示す。

　このような局所変形部７２の最大高さ粗さＲｚは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下であることが好ましい。局所変形部７２の最大高さ粗さＲｚを０．２μｍ以上とすることにより、局所変形部７２が、接着剤２４の圧延方向への進行を効果的に抑制することができる。また、局所変形部７２の最大高さ粗さＲｚを２．０μｍ以下とすることにより、第１リード部１２Ａの端子部５３および第２リード部１２Ｂの端子部６３と、ボンディングワイヤ２２との密着性が低下することを抑制することができる。なお、最大高さ粗さは、ＪＩＳ－Ｂ０６０１－２０１３に準拠している。

　また、局所変形部７２の長さＬ２１は、圧延筋７１の長さＬ２２の３０分の１以下であることが好ましい。局所変形部７２の長さＬ２１を圧延筋７１の長さＬ２２の３０分の１以下とすることにより、接着剤２４が局所変形部７２に沿って圧延方向に直交する方向に流れ過ぎることを抑制できる。

　また、局所変形部７２の幅Ｈ２１は、０．５μｍ以上３．０μｍ以下であることが好ましい。局所変形部７２の幅Ｈ２１を０．５μｍ以上とすることにより、毛細管現象により樹脂を局所変形部の方向へ十分流すことができる。また、局所変形部７２の幅Ｈ２１を３．０μｍ以下とすることにより、圧延筋方向よりも直行方向へ樹脂が流れ出過ぎてしまうことを抑制することができる。

　また、局所変形部７２の密度は、２００００個／ｍｍ^２以上１２００００個／ｍｍ^２以下であることが好ましい。局所変形部７２の密度を２００００個／ｍｍ^２以上とすることにより、接着剤２４の圧延方向への進行を効果的に抑制することができるとともに、毛細管現象により接着剤２４を局所変形部７２に沿って圧延方向に直交する方向に流すことができる。このため、接着剤２４をダイパッド１１上に均一に分布させることができる。また、局所変形部７２の密度を１２０００個／ｍｍ^２以下とすることにより、圧延筋方向よりも直行方向へ樹脂が流れ出過ぎてしまうことを抑制することができる。

　さらに、リードフレーム１０の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。

　なお、本実施の形態において、局所変形部７２が、圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部である場合を例にとって説明したが、これに限らず、局所変形部７２は、圧延方向に沿った断面において、下方に窪む凹部であっても良い。

　また、本実施の形態では、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂは、ダイパッド１１の４辺全てに沿って配置されているが、これに限られるものではなく、例えばダイパッド１１の対向する２辺のみに沿って配置されていても良い。

　また、本実施の形態では、第１リード部１２Ａの外部端子１７Ａと第２リード部１２Ｂの外部端子１７Ｂとが千鳥状に２列に配置されている場合を例にとって説明したが、これに限らず、外部端子が１列に配置されていても良く、３列以上に配置されていても良い。すなわち、リードフレーム１０によって作製される半導体装置は、ＤＲ－ＱＦＮ（Dual Row QFN）タイプの半導体装置でなくても良い。

　さらに、本実施の形態では、第１リード部１２Ａが、インナーリード５１と、接続リード５２と、端子部５３とを有し、第２リード部１２Ｂが、インナーリード６１と、端子部６３とを有し、かつ、第２リード部１２Ｂの端子部６３が、その基端側において支持リード１３に連結されている場合を例にとって説明したが、これに限られることはない。例えば、図２０に示すように、第１リード部１２Ａの端子部（端子領域）５３Ａが、第１リード部１２Ａの内端（ダイパッド１１側の端部）に位置し、第２リード部１２Ｂの端子部（端子領域）６３Ｂが、第２リード部１２Ｂの内端（ダイパッド１１側の端部）に位置していても良い。この場合、第１リード部１２Ａは、端子部５３Ａの外側（支持リード１３側）に位置する接続リード（外側領域）５２Ａを有し、この接続リード５２Ａが、その基端側において支持リード１３に連結されている。また、第２リード部１２Ｂは、端子部６３Ｂの外側（支持リード１３側）に位置する接続リード（外側領域）６２Ｂを有し、この接続リード６２Ｂが、その基端側において支持リード１３に連結されている。

　半導体装置の構成
　次に、図２１乃至図２３により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図２１乃至図２３は、本実施の形態による半導体装置（ＤＲ－ＱＦＮ（Dual Row QFN）タイプ）を示す図である。

　図２１及び図２２に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に設けられた複数の第１リード部１２Ａおよび複数の第２リード部１２Ｂと、ダイパッド１１上に搭載された半導体素子２１と、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂと半導体素子２１とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（接続部材、導電部材）２２とを備えている。ダイパッド１１の四隅には、それぞれ吊りリード１４が連結されている。また、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂ、吊りリード１４、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。

　このうちダイパッド１１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂおよび吊りリード１４は、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。このダイパッド１１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂおよび吊りリード１４の構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図１４乃至図１９に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

　また、半導体素子２１としては、従来一般に用いられている各種半導体素子を使用することが可能であり、特に限定されないが、例えば集積回路、大規模集積回路、トランジスタ、サイリスタ、ダイオード等を用いることができる。半導体素子２１の厚みは、３００μｍ以上６００μｍ以下程度とすることができる。この半導体素子２１は、各々ボンディングワイヤ２２が取り付けられる複数の電極２１ａを有している。また、半導体素子２１は、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４により、ダイパッド１１の表面に固定されている。

　各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各第１リード部１２Ａ又は第２リード部１２Ｂのボンディング領域１５にそれぞれ接続されている。なお、ボンディング領域１５には、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。

　封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μｍ以上１２００μｍ以下程度とすることができる。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば８ｍｍ以上１６ｍｍ以下とすることができる。なお、図２１において、封止樹脂２３のうち、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂよりも表面側に位置する部分の表示を省略している。

　ところで、半導体装置２０を作製する際には、後述するように、各半導体素子２１間の封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード（図示せず）を回転させながら、各半導体装置２０間のリードフレーム１０および封止樹脂２３を切断する。これにより、図２３に示すように第１リード部１２Ａの接続リード５２及び第２リード部１２Ｂの端子部６３には、ブレードとの摩擦により、ダイシングの方向（図２３においてはＸ方向）に沿って延びるスミアリングＳが発生する。このため、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離ＤＡが短くなる。この結果、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、短絡が発生する可能性がある。一方、リードフレーム１０が、コルソン系合金から構成されている場合、リードフレーム１０の硬度を高くすることができるとともに、伸びを小さくすることができ、延性を小さくすることができる。これにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際に、第１リード部１２Ａの接続リード５２及び第２リード部１２Ｂの端子部６３にスミアリングＳが発生することを抑制することができる。

　ここで、垂直断面において、第２リード部１２Ｂのうち、端子部６３のＺ方向に延びる中心軸線Ｘ１と、当該第２リード部１２Ｂに隣接する第１リード部１２Ａのうち、接続リード５２のＺ方向に延びる中心軸線Ｘ２との間の距離をＤ２１とし、垂直断面において、中心軸線Ｘ１と、当該第２リード部１２Ｂに形成されたスミアリングＳのうち、当該第１リード部１２Ａ側に最も突出する部分を通る鉛直線Ｘ３までの距離をＤ２２としたとき、Ｄ２１とＤ２２との比Ｄ２２／Ｄ２１（以下、スミアリング比Ｒ１と記す）は、０．２≦Ｒ１≦０．４という関係が成り立つことが好ましい。スミアリング比Ｒ１が０．４を超えると、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離が短くなり、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、短絡が発生する可能性がある。これに対して、スミアリング比Ｒ１を０．４以下とすることにより、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離が短くなることを抑制でき、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、短絡が発生することを抑制できる。

　また、垂直断面において、中心軸線Ｘ２と、当該第１リード部１２Ａに形成されたスミアリングＳのうち、当該第１リード部１２Ａに隣接する第２リード部１２Ｂ側に最も突出する部分を通る鉛直線Ｘ４までの距離をＤ２３としたとき、Ｄ２１とＤ２３との比Ｄ２３／Ｄ２１（以下、スミアリング比Ｒ２と記す）は、０．２≦Ｒ２≦０．４という関係が成り立つことが好ましい。スミアリング比Ｒ２が０．４を超えると、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離が短くなり、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、短絡が発生する可能性がある。これに対して、スミアリング比Ｒ２を０．４以下とすることにより、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離短くなることを抑制でき、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、短絡が発生することを抑制できる。

　このようなスミアリング比Ｒ１、Ｒ２を有する半導体装置２０は、本実施の形態による半導体装置２０のように、各リード部間の距離が短くなるＤＲ－ＱＦＮ（Dual Row QFN）タイプの半導体装置においても、各リード部間の距離が短くなることを抑制できるため、各リード部間の短絡の発生を効果的に抑制することができる。このような半導体装置２０は、リードフレーム１０を構成する金属材料として、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料、とりわけコルソン系合金を用いることにより、得ることができる。

　なお、図２０に示す本実施の形態の変形例によるリードフレーム１０から半導体装置２０を作製した場合、図２４に示すように、Ｄ２２とＤ２３とが略同一となる。この場合においても、０．２≦Ｒ１≦０．４、および０．２≦Ｒ２≦０．４という関係が成り立つことが好ましい。

　リードフレームの製造方法
　次に、図１４乃至図１９に示すリードフレーム１０の製造方法について、図２５（ａ）－（ｆ）を用いて説明する。なお、図２５（ａ）－（ｆ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図（図１６に対応する図）である。

　まず、図２５（ａ）に示すように、局所変形部７２が形成されていない金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、銅、銅合金、コルソン系合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる金属基板３１を使用することができる。とりわけ、金属基板３１は、コルソン系合金を含んでいることが好ましい。これにより、後述するように、各半導体素子２１間の封止樹脂２３をダイシングし、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際に、第１リード部１２Ａの接続リード５２及び第２リード部１２Ｂの端子部６３に発生するスミアリングを抑制することができる。

　次いで、局所変形部７２が形成されていない金属基板３１に、熱間圧延、第１の冷間圧延、焼鈍及び第２の冷間圧延を、この順で施すことにより、局所変形部７２が形成された平板状の金属基板３１を形成する（図２５（ｂ））。

　（熱間圧延）
　この場合、まず、局所変形部７２が形成されていない金属基板３１は、図示しない一対のローラー間に通され、所定の厚みとなるように熱間圧延加工が施される。このとき、金属基板３１の厚みが、リードフレームを作製する際に従来一般に施される熱間圧延後の金属基板の厚みよりも厚くなるように、金属基板３１が加工される。具体的には、熱間圧延後の金属基板３１の厚みは、５ｍｍ以上２０ｍｍ以下であっても良い。

　（第１の冷間圧延）
　次に、熱間圧延加工が施された金属基板３１は、図示しない一対のローラー間に通され、所定の厚みとなるように第１の冷間圧延加工が施される。この際、金属基板３１の厚みが、リードフレームを作製する際に従来一般に施される冷間圧延後の金属基板の厚みよりも厚くなるように、金属基板３１が加工される。具体的には、第１の冷間圧延後の金属基板３１の厚みは、３００μｍ以上１５００μｍ以下であっても良い。このとき、金属基板３１の表面および裏面に、圧延方向（Ｘ方向）に延びる圧延筋７１（図１４及び図１７参照）が形成される。

　（焼鈍）
　次いで、第１の冷間圧延加工が施された金属基板３１が焼鈍される。このように金属基板３１を焼鈍することにより、第１の冷間圧延により金属結晶の歪が生じ、結晶粒が細かくなった金属基板を軟化させ、金属基板３１に含まれる金属結晶粒や結晶方位を調整することができる。

　（第２の冷間圧延）
　次に、焼鈍された金属基板３１を再度冷間圧延することにより、金属基板３１を加工硬化させ、局所変形部７２が形成された金属基板３１を形成する。この際、金属基板３１が、図示しない一対のローラー間に通され、例えば所定の厚みとなるように、金属基板３１に第２の冷間圧延加工が施される。この場合、金属基板３１の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。

　また、このとき、金属基板３１の表面および裏面に、圧延方向に直交する方向（Ｙ方向（図１４及び図１７参照））に延びる複数の局所変形部７２が形成される。この場合、第２の冷間圧延加工の際に、加工率を適宜調整することにより、局所変形部７２が形成される。ここで本明細書中、加工率とは、第２の冷間圧延後における金属基板３１の断面積に対する、第２の冷間圧延により減少した金属基板３１の断面積の割合をいう。この加工率を高めることにより、すべり変形や、塑性不安定状態に起因する不均一な変形が生じ、金属板３０にせん断帯が発生する。そして、当該せん断帯に、オイルピットが形成される。このようにして、局所変形部７２が形成される。なお、本明細書中、オイルピットとは、冷間圧延時にローラーと被圧延材料との間に取り込まれた潤滑油によって金属基板３１の表面に現れる局部的な凹凸部をいう。

　また、加工率を高めることにより、金属基板３１の結晶粒を小さくすることができる。これにより、金属基板３１の加工歪が増大し、金属基板３１の伸びを低下させることができる。このため、金属基板３１の引張強度と伸びの値を調整し、金属基板３１の硬度を高めることができる。この際、金属基板３１は、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料、とりわけコルソン系合金から構成されていることが好ましい。このようにして、圧延筋７１（図１４及び図１７参照）と、局所変形部７２とが形成された金属基板３１が得られる。なお金属基板３１は、その後に、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施すことが好ましい。なお、図２５（ｂ）－（ｆ）において、圧延筋７１および局所変形部７２のうち、ダイパッド１１に形成された圧延筋７１および局所変形部７２以外の圧延筋および局所変形部の図示を省略している。

　次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図２５（ｃ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。

　続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図２５（ｄ））。

　次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図２５（ｅ））。これにより、ダイパッド１１、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂおよび吊りリード１４の外形が形成される。このとき、エッチング用レジスト層３２、３３の形状およびエッチング条件を適宜調整することにより、ダイパッド１１のダイパッド厚肉部１１ａと、ダイパッド薄肉部１１ｂとが形成される（図１４乃至図１６参照）。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングを行うことができる。

　その後、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、図１４乃至図１９に示すリードフレーム１０が得られる。（図２５（ｆ））。

　なお、上記においては、金属基板３１の両面側からスプレーエッチングを行う場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない。例えば、金属基板３１の片面ずつ２段階のスプレーエッチングを行っても良い。具体的には、まず金属基板３１の表面側の全体に第１エッチング用レジスト層を設けるとともに、裏面側に所定のパターンをもつ第２エッチング用レジスト層を形成し、金属基板３１の裏面側のみエッチングを施す。次に、第１及び第２エッチング用レジスト層を除去するとともに、金属基板３１の裏面側に耐エッチング性のある樹脂からなる封止層を設ける。続いて、金属基板３１の表面側に所定のパターンをもつ第３エッチング用レジスト層を形成し、この状態で金属基板３１の表面側のみエッチングを施す。その後、裏面側の封止層を剥離することにより、リードフレーム１０の外形が形成される。このように金属基板３１の片面ずつスプレーエッチングを行うことにより、リードフレーム１０、とりわけ第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂの変形を回避しやすいという効果が得られる。

　半導体装置の製造方法
　次に、図２１乃至図２３に示す半導体装置２０の製造方法について、図２６（ａ）－（ｅ）を用いて説明する。

　まず、例えば図２５（ａ）－（ｆ）に示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図２６（ａ））。

　次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図２６（ｂ））。この際、リードフレーム１０の表面には、圧延方向に延びる圧延筋７１が形成されている。これにより、接着剤２４が、圧延筋７１に起因する毛細管現象により圧延筋７１に沿って圧延方向に流れる。一方、本実施の形態によれば、リードフレーム１０の表面には、圧延方向に直交する方向に延びる複数の局所変形部７２が形成されている。これにより、局所変形部７２が接着剤２４の圧延方向への進行を抑制することができる。このため、接着剤２４が、ダイパッド１１から流れ出る不具合を防止することができる。また、接着剤２４が、局所変形部７２に起因した毛細管現象により局所変形部７２に沿って圧延方向に直交する方向に流れるため、接着剤２４をダイパッド１１上に均一に分布させることができる。

　次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各第１リード部１２Ａ及び第２リード部１２Ｂのボンディング領域１５とを、それぞれボンディングワイヤ（導電部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図２６（ｃ））。

　次に、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（図２６（ｄ））。このようにして、リードフレーム１０、第１リード部１２Ａ、第２リード部１２Ｂ、吊りリード１４、半導体素子２１及びボンディングワイヤ２２を封止する。

　次に、各半導体素子２１間の封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード（図示せず）を回転させながら、各半導体装置２０間のリードフレーム１０および封止樹脂２３を切断しても良い。この際、リードフレーム１０が、コルソン系合金から構成されている場合、リードフレーム１０の硬度を高くすることができるとともに、伸びを小さくすることができ、延性を小さくすることができる。このため、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際に、第１リード部１２Ａの接続リード５２及び第２リード部１２Ｂの端子部６３にスミアリングＳ（図２３参照）が発生することを抑制することができる。

　また、リードフレーム１０が、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料、とりわけコルソン系合金から構成されている場合、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２を、０．２≦Ｒ１≦０．４、および０．２≦Ｒ２≦０．４とすることができる。これにより、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離が短くなることを抑制でき、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、短絡が発生することを効果的に抑制できる。

　このようにして、図２１乃至図２３に示す半導体装置２０が得られる（図２６（ｅ））。

　このように、本実施の形態によれば、ダイパッド１１の圧延筋７１が設けられた面内に、圧延方向に直交する方向に延びる複数の局所変形部７２が形成されている。これにより、接着剤２４により半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する際に、局所変形部７２が接着剤２４の圧延方向への進行を抑制することができる。このため、接着剤２４が、ダイパッド１１から流れ出る不具合を防止することができる。

　また、ダイパッド１１に局所変形部７２を設けたことにより、接着剤２４が局所変形部７２に起因した毛細管現象により、局所変形部７２に沿って圧延方向に直交する方向に流れるため、接着剤２４をダイパッド１１上に均一に分布させることができる。

　また、本実施の形態によれば、局所変形部７２は、圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部である。これにより、局所変形部７２が接着剤２４の圧延方向への進行を効果的に抑制することができ、接着剤２４が、ダイパッド１１から流れ出る不具合を効果的に防止することができる。

　また、本実施の形態によれば、リードフレーム１０、とりわけ第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂが、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、伸びが、２．８％以上４．４％以下であるコルソン系合金から構成されている。これにより、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２を、０．２≦Ｒ１≦０．４、および０．２≦Ｒ２≦０．４とすることができる。これにより、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離が短くなることを抑制でき、第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとの間において、短絡が発生することを抑制できる。なお、このような金属材料により、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２を上記の範囲内にできることは、後述する実施例によって説明する。

　さらに、本実施の形態による半導体装置２０は、第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂの外部端子１７Ａ、１７Ｂが、隣り合う第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂ間で交互に内側および外側に位置するよう千鳥状に配置されている。本実施の形態によれば、このような半導体装置２０のように、第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂ間の距離が短くなるＤＲ－ＱＦＮタイプの半導体装置においても、第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂ間の距離が短くなることを抑制することができるため、第１リード部１２Ａおよび第２リード部１２Ｂ間の短絡の発生を効果的に抑制することができる。

　［実施例］
　次に、図２３及び図２４を用いて、上述した本実施の形態の作用について、具体的に説明する。

　（実施例１）
　図２５（ａ）－（ｆ）及び図２６（ａ）－（ｅ）に示す方法により、本実施の形態による半導体装置２０（実施例１）を作製した。その後、得られた半導体装置２０のスミアリング比Ｒ１、Ｒ２を測定した。この場合、リードフレーム１０を構成する金属材料には、引張強度が、８６０ＭＰａであり、伸びが、４．４％であるコルソン系合金を使用した。この結果を表１に示す。

　（実施例２）
　リードフレーム１０を構成する金属材料の引張強度が８９０ＭＰａであること、伸びが、２．８％であること、以外は、実施例１と同様にして、得られた半導体装置２０のスミアリング比Ｒ１、Ｒ２を測定した。この結果を表１に示す。

　（比較例１）
　リードフレーム１０を構成する金属材料の引張強度が７００ＭＰａであること、伸びが、１０．０％であること、以外は、実施例１と同様にして、得られた半導体装置２０のスミアリング比Ｒ１、Ｒ２を測定した。この結果を表１に示す。

　なお、実施例１、２及び比較例１、２のリードフレームは、同一成分をもつ金属材料を用いて作製されたものであり、その加工工程のみが相違している。

　（比較例２）
　リードフレーム１０を構成する金属材料の引張強度が６９０ＭＰａであること、伸びが、１２．８％であること、以外は、実施例１と同様にして、得られた半導体装置２０のスミアリング比Ｒ１、Ｒ２を測定した。この結果を表１に示す。

　この結果、比較例１においては、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２が、０．５以上となっており、比較例２においては、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２が０．５５以上となっていた。これに対して実施例１においては、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２が、０．３３以下まで低下し、実施例２においては、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２が０．２７以下まで低下した。

　このように、本実施の形態によれば、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際に、第１リード部１２Ａの接続リード５２及び第２リード部１２Ｂの端子部６３にスミアリングＳが発生することを抑制することができる。例えば、上記実施例においては、スミアリング比Ｒ１、Ｒ２を約０．５０から約０．３３まで低下させることができた。これにより、第１リード部１２Ａの接続リード５２と、第２リード部１２Ｂの端子部６３との間の距離が短くなることにより、互いに隣接する第１リード部１２Ａと第２リード部１２Ｂとが短絡する不具合を抑制できる。

　（第３の実施の形態）
　次に、第３の実施の形態について、図２７乃至図３７を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

　リードフレームの構成
　まず、図２７乃至図３１により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図２７は、本実施の形態によるリードフレームの一部を示す平面図であり、図２８は、本実施の形態によるリードフレームの一部を示す底面図であり、図２９は、本実施の形態によるリードフレームを示す断面図である。また、図３０は、本実施の形態によるリードフレームの一部を示す拡大平面図であり、図３１は、コネクティングバーを示す断面図である。

　図２７乃至図２９に示すリードフレーム１０は、半導体装置２０（図３２および図３３）を作製する際に用いられるものである。このようなリードフレーム１０は、矩形状の外形を有する外周領域１８と、外周領域１８内に多列および多段に（マトリックス状に）配置された、複数のパッケージ領域（単位リードフレーム）１０ａとを備えている。なお、図２７および図２８においては、リードフレーム１０の角部を含む一部のみを図示している。

　外周領域１８は、複数のパッケージ領域１０ａの周囲を取り囲むように平面視で矩形の環状に形成されている。この外周領域１８の幅Ｗ３１は、２ｍｍ以上１０ｍｍ以下としても良い。なお、外周領域１８は、薄肉化（ハーフエッチング）されることなく、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有している。

　ここでハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは、ハーフエッチング前の被エッチング材料の厚みの例えば３０％以上７０％以下、好ましくは４０％以上６０％以下となる。なお、各図において、ハーフエッチングされた領域を網掛けで示している。

　本明細書中、「内」、「内側」とは、各パッケージ領域１０ａにおいてダイパッド１１の中心方向を向く側をいい、「外」、「外側」とは、各パッケージ領域１０ａにおいてダイパッド１１の中心から離れる側（コネクティングバー１３側）をいう。また、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面をいい、「裏面」とは、「表面」の反対側の面であって外部の図示しない実装基板に接続される側の面をいう。

　図２７乃至図２９に示すように、各パッケージ領域１０ａは、半導体素子２１（後述）を搭載する平面矩形状のダイパッド１１と、ダイパッド１１周囲に設けられ、半導体素子２１と外部回路（図示せず）とを接続する複数の細長いリード部１２とを備えている。なお、パッケージ領域１０ａは、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域である。また、パッケージ領域１０ａは、図２７および図２８において縦横に延びる切断領域４６によって取り囲まれる領域である。なお、本実施の形態において、リードフレーム１０は、複数のパッケージ領域１０ａを含んでいるが、これに限らず、１つのリードフレーム１０に１つのパッケージ領域１０ａのみが形成されていても良い。

　複数のパッケージ領域１０ａは、コネクティングバー（支持リード、支持部材）１３を介して互いに連結されている。このコネクティングバー１３は、ダイパッド１１と、リード部１２とを支持するものであり、Ｘ方向およびＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０の面内において、ダイパッド１１の各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。なお、パッケージ領域１０ａの一辺の長さＬ３１は、３ｍｍ以上１０ｍｍ以下としても良い。

　ダイパッド１１は、平面略正方形形状を有しており、その表面には、後述する半導体素子２１が搭載される。ダイパッド１１の平面形状は、正方形に限らず、長方形等の多角形としても良い。また、ダイパッド１１の四つのコーナー部にはそれぞれ吊りリード１４が連結されており、ダイパッド１１は、この４本の吊りリード１４を介してコネクティングバー１３又は外周領域１８に連結支持されている。各吊りリード１４は、その全域にわたりハーフエッチングにより裏面側から薄肉に形成されている。しかしながら、これに限らず、吊りリード１４の一部のみが裏面側から薄肉化されていても良く、吊りリード１４の全体にわたり薄肉化されていなくても良い。

　各コネクティングバー１３は、パッケージ領域１０ａの周囲であってパッケージ領域１０ａよりも外側に配置されている。各コネクティングバー１３は、平面視で細長い棒形状を有しており、その幅Ｗ３２（コネクティングバー１３の長手方向に垂直な方向の距離であり、後述する最大幅部分１３ｅの幅）は、９５μｍ以上１３５μｍ以下としても良い。各コネクティングバー１３には、それぞれ複数のリード部１２がコネクティングバー１３の長手方向に沿って間隔を空けて連結されている。

　また、互いに直交する２つのコネクティングバー１３は、パッケージ領域１０ａの周囲に位置する連結部１９において互いに連結されている。この連結部１９は、リードフレーム１０内で格子点状に配置されている。連結部１９は、薄肉化（ハーフエッチング）されることなく、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有している。

　ダイパッド１１は、中央に位置するダイパッド厚肉部１１ａと、ダイパッド厚肉部１１ａの周縁全周にわたって形成されたダイパッド薄肉部１１ｂとを有している。このうちダイパッド厚肉部１１ａは、ハーフエッチングされておらず、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有している。具体的には、ダイパッド厚肉部１１ａの厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。一方、ダイパッド薄肉部１１ｂは、ハーフエッチングにより裏面側から薄肉に形成されている。このようにダイパッド薄肉部１１ｂを設けたことにより、ダイパッド１１が封止樹脂２３（後述）から離脱しにくくすることができる。

　各リード部１２は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続されるものであり、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。各リード部１２は、それぞれコネクティングバー１３から延び出している。この場合、複数のリード部１２の形状は全て互いに同一であるが、これに限らず、複数のリード部１２の形状が互いに異なっていても良い。

　複数のリード部１２は、上述したように、ダイパッド１１の周囲においてコネクティングバー１３の長手方向に沿って互いに間隔を空けて配置されている。隣接するリード部１２同士は、半導体装置２０（後述）の製造後に互いに電気的に絶縁される形状となっている。また、リード部１２は、半導体装置２０の製造後にダイパッド１１とも電気的に絶縁される形状となっている。このリード部１２の裏面には、それぞれ外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７が形成されている。各外部端子１７は、半導体装置２０（後述）の製造後に、それぞれ半導体装置２０から外方に露出するようになっている。

　この場合、外部端子１７は、ダイパッド１１の各辺に沿って平面視で１列に配置されている。しかしながら、これに限らず、外部端子１７は、隣り合うリード部１２間で交互に内側および外側に位置するよう、平面視で千鳥状に配置されていても良い。

　各リード部１２の表面には内部端子１５が形成されている。内部端子１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。このため、内部端子１５上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。

　各リード部１２の基端部は、コネクティングバー１３に連結されている。各リード部１２は、当該リード部１２が連結されるコネクティングバー１３の長手方向に対して垂直に延びている。しかしながら、これに限らず、各リード部１２の一部又は全部がコネクティングバー１３に対して傾斜して延びていても良い。

　ところで、本実施の形態によるリードフレーム１０は、後述するように、２段階のソーイングにより切断される。すなわち、まず１回目のソーイングにより、コネクティングバー１３に沿ってリードフレーム１０を約半分の厚みだけ部分的にカット（ステップカット）する。その後、ステップカットに使用されるステップカット用ブレード３７（後述）よりも薄い切断用ブレード３８（後述）を使用して、２回目のソーイングを行い、リードフレーム１０を互いに分離する。

　このため、リードフレーム１０には、コネクティングバー１３の長さ方向に沿って、ステップカットされるステップカット領域４５と、ダイシングにより分離される切断領域４６とが設けられている。そして平面視で、コネクティングバー１３の全域が、対応する切断領域４６の内側に位置し、切断領域４６の全域が、対応するステップカット領域４５の内側に位置している。また、ステップカット領域４５、切断領域４６及びコネクティングバー１３の幅方向中心線ＣＬは互いに一致するようになっている。

　ステップカット領域４５は、樹脂封止後１回目のソーイングにより、リードフレーム１０の裏面側から厚み方向（Ｚ方向）に略半分だけステップカット（ハーフカット）される領域であり、平面視で互いに平行な一対の外縁Ｓ３１、Ｓ３１によって区画されている。このステップカット領域４５は、パッケージ領域１０ａの外周に沿って格子状に配置され、それぞれＸ方向又はＹ方向に沿って延びている。ステップカット領域４５は、パッケージ領域１０ａから外周領域１８に延びるとともに、外周領域１８を幅方向に横断している。ステップカット領域４５の幅Ｗ３３は、ステップカットを行うステップカット用ブレード３７（後述）の幅に対応しており、コネクティングバー１３の幅Ｗ３２よりも広い。具体的には、ステップカット領域４５の幅Ｗ３３は、３０μｍ以上８０μｍ以下としても良い。

　切断領域４６は、２回目のソーイングにより、リードフレーム１０の厚み方向（Ｚ方向）全体にわたって切断する領域であり、平面視で互いに平行な一対の外縁Ｃ３１、Ｃ３１によって区画されている。この切断領域４６は、パッケージ領域１０ａの外周に沿って格子状に配置され、それぞれＸ方向又はＹ方向に沿って延びている。また切断領域４６は、パッケージ領域１０ａから外周領域１８に延びるとともに、外周領域１８を幅方向に横断している。なお、パッケージ領域１０ａの外縁は、切断領域４６の外縁Ｃ３１、Ｃ３１に一致する。切断領域４６の幅Ｗ３４は、２回目のソーイングを行う切断用ブレード３８（後述）の幅に対応しており、コネクティングバー１３の幅Ｗ３２よりも広く、ステップカット領域４５の幅Ｗ３３よりも狭い（Ｗ３２＜Ｗ３４＜Ｗ３３）。具体的には、切断領域４６の幅Ｗ３４は、１０μｍ以上４０μｍ以下としても良い。

　次に、図３０及び図３１を参照して、コネクティングバー１３の構成について更に説明する。

　図３０に示すように、コネクティングバー１３は、リード部１２が連結されたリード連結部１３ｈと、互いに隣接するリード連結部１３ｈ、１３ｈ同士の間に位置する中間部１３ｊとを有している。リード連結部１３ｈと中間部１３ｊとは、コネクティングバー１３の長さ方向に沿って交互に配置されている。なお、コネクティングバー１３のリード連結部１３ｈと中間部１３ｊとは、ともに薄肉化されることなく、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有している。これにより、コネクティングバー１３が薄肉化されている場合と比較して、コネクティングバー１３の強度が高められている。この結果、コネクティングバー１３の幅を細くすることができ、パッケージ領域１０ａの間隔を狭めることが可能となる。

　図３１は、中間部１３ｊにおける、コネクティングバー１３の垂直断面（図３０のXXXI－XXXI線断面）を示している。図３１に示すように、コネクティングバー１３は、断面において左右（Ｘ方向）に対称な形状を有している。コネクティングバー１３は、表面１３ａと、裏面１３ｂと、表面１３ａと裏面１３ｂとの間に位置する一対の側面１３ｃと、側面１３ｃからそれぞれ側方に突出する一対の側方突起部１３ｄとを有している。このコネクティングバー１３の表面１３ａおよび裏面１３ｂは、それぞれ未加工の素材面（後述する金属基板３１の表面および裏面）からなる。また、コネクティングバー１３の表面１３ａおよび裏面１３ｂは、それぞれダイパッド１１の表面および裏面と同一平面上に位置している。

　各側面１３ｃは、側方突起部１３ｄよりも表面１３ａ側に位置する第１側面１３ｆと、側方突起部１３ｄよりも裏面１３ｂ側に位置する第２側面１３ｇとを有している。このうち第１側面１３ｆは、側方突起部１３ｄから表面１３ａまで延び、第２側面１３ｇは、側方突起部１３ｄから裏面１３ｂまで延びている。第１側面１３ｆおよび第２側面１３ｇは、それぞれコネクティングバー１３の幅方向内側に向けて湾曲している。

　この場合、コネクティングバー１３の表面１３ａの幅Ｗ３５は、コネクティングバー１３の裏面１３ｂの幅Ｗ３６よりも広くなっている（Ｗ３５＞Ｗ３６）。具体的には、表面１３ａの幅Ｗ３５は、８０μｍ以上１２０μｍ以下であり、裏面１３ｂの幅Ｗ３６は、６０μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。また、表面１３ａの幅Ｗ３５は、裏面１３ｂの幅Ｗ３６よりも１５μｍ以上２５μｍ以下だけ広くすることが好ましい。これにより、コネクティングバー１３を裏面側からステップカット（ハーフカット）する際、その削り量を減らすことができ、バリの量を減らすとともに、ステップカット用ブレード３７（後述）の摩耗を抑制することができる。

　また本実施の形態において、一対の側方突起部１３ｄが形成された部分が、コネクティングバー１３のうち最大幅となる部分である最大幅部分１３ｅに対応する。この最大幅部分１３ｅは、厚み方向（Ｚ方向）において表面１３ａと裏面１３ｂとの間、すなわち表面１３ａおよび裏面１３ｂとは異なる位置に存在する。具体的には、最大幅部分１３ｅの幅Ｗ３２は９５μｍ以上１３５μｍ以下とすることができる（Ｗ３２＞Ｗ３５）。また、最大幅部分１３ｅの幅Ｗ３２は、表面１３ａの幅Ｗ３５よりも１０μｍ以上１５μｍ以下だけ広くすることが好ましい。これにより、コネクティングバー１３の断面二次モーメントを大きくし、コネクティングバー１３の強度を高めることができる。また、コネクティングバー１３を裏面側からステップカット（ハーフカット）した後、この最大幅部分１３ｅ又はその近傍領域が裏面側に露出するので、裏面方向から見たコネクティングバー１３の面積を広くすることができる。これにより、ステップカット後に半田めっきを形成する際、コネクティングバー１３にめっき用の大電流を流すことができる。

　図３１において、最大幅部分１３ｅは、厚み方向（Ｚ方向）において表面１３ａと裏面１３ｂとの略中間位置に形成されている。すなわち、最大幅部分１３ｅの、裏面１３ｂからの距離Ｔ３１は、コネクティングバー１３の厚みＴ３２の４０％以上６０％以下となっている。具体的には、最大幅部分１３ｅの、裏面１３ｂからの距離Ｔ３１は、４０μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましく、コネクティングバー１３の厚みＴ３２は、８０μｍ以上２００μｍ以下とすることが好ましい。これにより、コネクティングバー１３を裏面側からステップカット（ハーフカット）した後、最大幅部分１３ｅ又はその近傍領域を裏面側に露出することができ、ステップカット後に半田めっきを形成する際、コネクティングバー１３にめっき用の大電流を流すことが可能となる。

　なお、本実施の形態において、リード部１２は、ダイパッド１１の４辺全てに沿って配置されているが、これに限られるものではなく、例えばダイパッド１１の対向する２辺のみに沿って配置されていても良い。

　半導体装置の構成
　次に、図３２および図３３により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図３２および図３３は、本実施の形態による半導体装置（ＱＦＮタイプ）を示す図である。

　図３２および図３３に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に配置された複数のリード部１２と、ダイパッド１１上に搭載された半導体素子２１と、リード部１２と半導体素子２１とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（接続部材、導電部材）２２とを備えている。また、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。

　ダイパッド１１及びリード部１２は、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。またリード部１２のうち、封止樹脂２３の周縁に位置する部分は、ステップカットにより裏面側から薄肉化され、段状のステップカット部４５ａを形成している。このステップカット部４５ａには、封止樹脂２３が充填されていない。なお、ステップカット部４５ａは、半田めっきにより覆われていても良い。また、ステップカット部４５ａの側面４５ｂには、ステップカット時にバリが生じ、このバリが裏面側に向けて突出しても良い。なお、ステップカット部４５ａの深さＤ３１は、ハーフエッチング部（ダイパッド薄肉部１１ｂ等）の深さＤ３２と同一であっても良く、あるいは深さＤ３２より深くしても良い。

　このほか、ダイパッド１１及びリード部１２の構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図２７乃至図３１に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

　各ボンディングワイヤ２２は、例えば金、銅等の導電性の良い材料からなっている。各ボンディングワイヤ２２は、それぞれその一端が半導体素子２１の電極２１ａに接続されるとともに、その他端が各リード部１２の内部端子１５にそれぞれ接続されている。なお、内部端子１５には、ボンディングワイヤ２２と密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。

　封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μｍ以上１２００μｍ以下程度とすることができる。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば６ｍｍ以上１６ｍｍ以下することができる。なお、図３２において、封止樹脂２３のうち、ダイパッド１１及びリード部１２よりも表面側に位置する部分の表示を省略している。

　リードフレームの製造方法
　次に、図２７乃至図３１に示すリードフレーム１０の製造方法について、図３４（ａ）－（ｅ）を用いて説明する。なお、図３４（ａ）－（ｅ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図（図２９に対応する図）である。

　まず図３４（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。

　次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図３４（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。

　続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図３４（ｃ））。

　次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図３４（ｄ））。これにより、ダイパッド１１、リード部１２及びコネクティングバー１３の外形が形成される。このとき、コネクティングバー１３は、その表面側および裏面側からエッチングされることにより、その表面１３ａの幅Ｗ３５が裏面１３ｂの幅Ｗ３６よりも広くなり、かつコネクティングバー１３のうち最大幅（幅Ｗ３２）となる最大幅部分１３ｅが表面１３ａと裏面１３ｂとの間に形成される（図３１参照）。このようなコネクティングバー１３の断面形状は、エッチング用レジスト層３２、３３のパターンを適宜設定することにより作製することができる。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングを行うことができる。

　その後、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、図２７乃至図２９に示すリードフレーム１０が得られる。（図３４（ｅ））。

　半導体装置の製造方法
　次に、図３２および図３３に示す半導体装置２０の製造方法について、図３５（ａ）－（ｄ）及び図３６（ａ）－（ｃ）を用いて説明する。

　まず、例えば図３４（ａ）－（ｅ）に示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図３５（ａ））。

　次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図３５（ｂ））。

　次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２の内部端子１５とを、それぞれボンディングワイヤ（接続部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図３５（ｃ））。

　次に、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（樹脂封止工程）（図３５（ｄ））。このようにして、リードフレーム１０（ダイパッド１１、リード部１２及びコネクティングバー１３）、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２を封止する。

　続いて、ステップカット領域４５に沿って、リードフレーム１０の厚み方向の一部を切除する（ステップカット工程：１回目のソーイング）（図３６（ａ））。

　この間、例えばダイヤモンド砥石からなるステップカット用ブレード３７を準備し、このステップカット用ブレード３７をステップカット領域４５に沿って移動させる。この際、ステップカット用ブレード３７を回転させながら、ステップカット領域４５を切除する。これにより、ステップカット領域４５内のコネクティングバー１３、外周領域１８及び封止樹脂２３を部分的に切除する。このステップカットにより、ステップカット領域４５のコネクティングバー１３及び外周領域１８が厚み方向途中まで切除され、ステップカット部４５ａが形成される。このステップカットの作業は、Ｘ方向及びＹ方向に沿って複数回繰り返され、平面視格子状にステップカット部４５ａが形成される。

　このステップカット工程の後、電解めっきを施すことにより、ステップカット部４５ａに図示しない半田めっき層を形成する。

　ところで図３７は、ステップカット工程の後におけるコネクティングバー１３の断面を示している。本実施の形態において、コネクティングバー１３の最大幅部分１３ｅが表面１３ａと裏面１３ｂとの間に位置している。したがって、ステップカット工程の後、この最大幅部分１３ｅ又はその近傍の部分が裏面側に露出し、コネクティングバー１３の断面積を広く確保することができる。これにより、上述した半田めっき層を形成する際、電解めっき用の電流として大電流を流すことが可能となる。

　その後、パッケージ領域１０ａ毎に、リードフレーム１０及び封止樹脂２３を切断する（切断工程：２回目のソーイング）（図３６（ｂ））。

　この際、例えばダイヤモンド砥石からなる切断用ブレード３８を準備する。この切断用ブレード３８は、上述したステップカット用ブレード３７よりも幅が狭い。次に、この切断用ブレード３８を回転させながら移動することにより、切断領域４６を切断する。これにより、切断領域４６内のコネクティングバー１３、外周領域１８及び封止樹脂２３を厚み方向（Ｚ方向）全域にわたって切断（ダイシング）する。この切断作業は、Ｘ方向及びＹ方向に沿って複数回繰り返され、平面視格子状に切断線が形成される。

　このようにして、リードフレーム１０が半導体装置２０毎に分離され、図３２および図３３に示す半導体装置２０が得られる（図３５（ｃ））。

　以上説明したように、本実施の形態によれば、コネクティングバー１３の表面１３ａの幅Ｗ３５は、コネクティングバー１３の裏面１３ｂの幅Ｗ３６よりも広い。これにより、ステップカット工程においてコネクティングバー１３を裏面１３ｂ側から切除する際、バリの発生を低減するとともに、ステップカット用ブレード３７の摩耗を抑えることができる。

　また、本実施の形態によれば、コネクティングバー１３の最大幅部分１３ｅが、表面１３ａと裏面１３ｂとの間に位置している。これにより、コネクティングバー１３の断面二次モーメントを大きくし、コネクティングバー１３の強度を高めることができる。この結果、樹脂封止時に溶融樹脂の圧力によってコネクティングバー１３に生じる歪みを抑え、ステップカット工程におけるソーイングを正確に行うことが可能となる。また、ステップカット工程の後、コネクティングバー１３の断面積を広く確保することができるので、半田めっき層を形成する電解めっき用の電流として大電流を流すことが可能となる。さらに、最大幅部分１３ｅの側方突起部１３ｄがアンカーとしての役割を果たすので、コネクティングバー１３が封止樹脂２３に密着し、ソーイング時にコネクティングバー１３が封止樹脂２３から剥離しないようにすることができる。

　また、本実施の形態によれば、互いに直交する２つのコネクティングバー１３が連結部１９で互いに連結され、ダイパッド１１と連結部１９とは、吊りリード１４によって互いに連結されている。また、連結部１９は薄肉化（ハーフエッチング）されておらず、吊りリード１４は裏面側から薄肉化（ハーフエッチング）されている。これにより、パッケージ領域１０ａの周囲をしっかりと固定することができ、樹脂封止時にコネクティングバー１３やダイパッド１１に歪みが生じることを抑制することができる。さらに、吊りリード１４の裏面が薄肉化されているので、吊りリード１４が封止樹脂２３に密着し、ダイパッド１１や吊りリード１４が封止樹脂２３から剥離することを抑えることができる。

　変形例
　次に、図３８乃至図４３により、本実施の形態によるリードフレームの各変形例について説明する。図３８乃至図４３に示す変形例は、コネクティングバー又はリード部の構成が異なるものであり、他の構成は、図２７乃至図３７に示す実施の形態と略同一である。図３８乃至図４３において、図２７乃至図３７と同一部分には同一の符号を付して詳細な説明は省略する。

　（変形例１）
　図３８に示す変形例（変形例１）において、コネクティングバー１３の最大幅部分１３ｅは、コネクティングバー１３の表面１３ａと裏面１３ｂとの中間位置よりも表面１３ａ側に位置している。この場合、最大幅部分１３ｅの、裏面１３ｂからの距離Ｔ３３は、コネクティングバー１３の厚みＴ３２の５０％超、７５％以下となっている。具体的には、最大幅部分１３ｅの、裏面１３ｂからの距離Ｔ３３は、４０μｍ超、１５０μｍ以下とすることが好ましい。

　また、コネクティングバー１３の表面１３ａの幅Ｗ３７は、１００μｍ以上３００μｍ以下とすることが好ましく、裏面１３ｂの幅Ｗ３８は、５０μｍ以上１５０μｍ以下とすることが好ましい。さらに、最大幅部分１３ｅの幅Ｗ３９は、１５０μｍ以上３５０μｍ以下とすることが好ましい。

　このように、コネクティングバー１３の最大幅部分１３ｅが、表面１３ａと裏面１３ｂとの中間位置よりも表面１３ａ側に位置しているので、コネクティングバー１３のうち、中間位置よりも裏面１３ｂ側に位置する部分の断面積を小さくすることができる。これにより、ステップカット工程においてコネクティングバー１３を裏面１３ｂ側から切除する際、バリの発生を低減するとともに、ステップカット用ブレード３７の摩耗を抑えることができる。

　（変形例２）
　図３９に示す変形例（変形例２）は、コネクティングバー１３の表面１３ａに凹部６５を形成したものであり、他の構成は、図３８に示すコネクティングバー１３の構成と略同一である。この凹部６５は、コネクティングバー１３の長手方向に沿って、その全域又は一部領域にわたって溝状に延びている。また、凹部６５は、ハーフエッチングによりコネクティングバー１３の表面１３ａ側から凹状に形成されたものであり、略半円状又は略Ｃ字状断面を有している。凹部６５の両側には、それぞれエッチングされていない側部領域６６が形成されている。

　なお、凹部６５の幅Ｗ３１０は、６０μｍ以上１５０μｍ以下とすることが好ましく、凹部６５の深さＤ３３は、３０μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。

　このように、コネクティングバー１３の表面１３ａに凹部６５を形成したことにより、コネクティングバー１３のうち、中間位置よりも表面１３ａ側に位置する部分の断面積を小さくすることができる。これにより、切断工程においてコネクティングバー１３を切断する際、バリの発生を低減するとともに、切断用ブレード３８の摩耗を抑えることができる。

　（変形例３）
　図４０に示す変形例（変形例３）は、コネクティングバー１３の裏面１３ｂに凹部６７を形成したものであり、他の構成は、図３１に示すコネクティングバー１３の構成と略同一である。この凹部６７は、コネクティングバー１３の長手方向に沿って、その全域又は一部領域にわたって溝状に延びている。また、凹部６７は、ハーフエッチングによりコネクティングバー１３の裏面１３ｂ側から凹状に形成されたものであり、略半円状又は略Ｃ字状断面を有している。凹部６７の両側には、それぞれエッチングされていない側部領域６８が形成されている。

　なお、凹部６７の幅Ｗ３１１は、６０μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましく、凹部６７の深さＤ３４は、３０μｍ以上８０μｍ以下とすることが好ましい。

　このように、コネクティングバー１３の裏面１３ｂに凹部６７を形成したことにより、コネクティングバー１３の断面に占める裏面１３ｂ側の断面積を小さくすることができる。これにより、ステップカット工程においてコネクティングバー１３を裏面１３ｂ側から切除する際、バリの発生を低減するとともに、ステップカット用ブレード３７の摩耗を抑えることができる。

　（変形例４）
　図４１に示す変形例（変形例４）は、コネクティングバー１３の裏面１３ｂ側の凹部６７に加え、さらにコネクティングバー１３の表面１３ａにも凹部６５を形成したものであり、他の構成は、図４０に示すコネクティングバー１３の構成と略同一である。この表面１３ａ側の凹部６５は、コネクティングバー１３の長手方向に沿って、その全域又は一部領域にわたって溝状に延びている。また、表面１３ａ側の凹部６５は、ハーフエッチングによりコネクティングバー１３の表面１３ａ側から凹状に形成されたものであり、略半円状又は略Ｃ字状断面を有している。凹部６５の両側には、それぞれエッチングされていない側部領域６６が形成されている。

　なお、表面１３ａ側の凹部６５の幅Ｗ３１２は、６０μｍ以上１５０μｍ以下とすることが好ましく、凹部６５の深さＤ３５は、３０μｍ以上１００μｍ以下とすることが好ましい。

　このように、コネクティングバー１３の表面１３ａ及び裏面１３ｂにそれぞれ凹部６５、６７を形成したことにより、コネクティングバー１３の断面を小さくすることができる。これにより、ステップカット工程においてコネクティングバー１３を裏面１３ｂ側から切除する際、バリの発生を低減するとともに、ステップカット用ブレード３７の摩耗を抑えることができる。また、切断工程においてコネクティングバー１３を切断する際、バリの発生を低減するとともに、切断用ブレード３８の摩耗を抑えることができる。

　（変形例５）
　図４２に示す変形例（変形例５）は、リード部１２のうちコネクティングバー１３に連結される部分が、平面視でテーパー状に形成されているものであり、他の構成は、図３０に示す構成と略同様である。この場合、リード部１２は、内側（ダイパッド１１側）に位置する矩形状部分１２ｂと、外側（コネクティングバー１３側）に位置する台形状部分１２ｃとから構成されている。このうち台形状部分１２ｃは平面視でテーパー状に形成され、内側から外側に向けてその幅が徐々に狭くなっている。また、台形状部分１２ｃは、コネクティングバー１３からステップカット領域４５よりも内側まで延びていることが好ましい。

　このように、リード部１２のうちコネクティングバー１３に連結される部分が、平面視でテーパー状に形成されていることにより、ステップカットする位置がコネクティングバー１３の横方向に多少ずれた場合でも、ステップカット部４５ａの面積が大きく増加することがない。また、ステップカット工程及び切断工程時に発生するバリの量を低減するとともに、ステップカット用ブレード３７及び切断用ブレード３８の摩耗を抑えることができる。

　（変形例６）
　図４３に示す変形例（変形例６）は、コネクティングバー１３のうちリード部１２の両側に位置する部分に、それぞれ切欠部１３ｋが形成されているものであり、他の構成は、図３０に示す構成と略同様である。この場合、コネクティングバー１３は、切欠部１３ｋにおいて幅が狭められている。また、リード部１２は、内側（ダイパッド１１側）に位置する第１矩形状部分１２ｄと、外側（コネクティングバー１３側）に位置するとともに第１矩形状部分１２ｄよりも幅の狭い第２矩形状部分１２ｅとから構成されている。

　このように、コネクティングバー１３のうちリード部１２の両側に位置する部分にそれぞれ切欠部１３ｋを形成したことにより、ステップカット工程及び切断工程時に発生するバリの量を低減するとともに、ステップカット用ブレード３７及び切断用ブレード３８の摩耗を抑えることができる。

　（第４の実施の形態）
　次に、第４の実施の形態について、図４４乃至図５３を参照して説明する。なお、以下の各図において、同一部分には同一の符号を付しており、一部詳細な説明を省略する場合がある。

　リードフレームの構成
　まず、図４４乃至図４８により、本実施の形態によるリードフレームの概略について説明する。図４４乃至図４８は、本実施の形態によるリードフレームを示す図である。

　図４４乃至図４６に示すように、リードフレーム１０は、１つ又は複数の単位リードフレーム（パッケージ領域）１０ａを含んでいる。各単位リードフレーム１０ａは、半導体素子２１（後述）を搭載する平面矩形状のダイパッド１１と、ダイパッド１１周囲に設けられ、半導体素子２１と外部回路（図示せず）とを接続する複数の細長いリード部１２とを備えている。なお、単位リードフレーム１０ａは、それぞれ半導体装置２０（後述）に対応する領域であり、図４４および図４５において仮想線の内側に位置する領域である。また、図４４および図４５の仮想線は半導体装置２０の外周縁に対応している。

　なお、本明細書中、「内側」とは、各単位リードフレーム１０ａにおいてダイパッド１１の中心方向を向く側をいい、「外側」とは、各単位リードフレーム１０ａにおいてダイパッド１１の中心から離れる側（コネクティングバー１３側）をいう。また、「表面」とは、半導体素子２１が搭載される側の面をいい、「裏面」とは、「表面」の反対側の面であって外部の図示しない実装基板に接続される側の面をいう。

　複数の単位リードフレーム１０ａは、コネクティングバー（支持リード、支持部材）１３を介して互いに連結されている。このコネクティングバー１３は、ダイパッド１１と、リード部１２とを支持するものであり、Ｘ方向およびＹ方向に沿ってそれぞれ延びている。ここで、Ｘ方向、Ｙ方向とは、リードフレーム１０の面内において、ダイパッド１１の各辺に平行な二方向であり、Ｘ方向とＹ方向とは互いに直交している。また、Ｚ方向は、Ｘ方向及びＹ方向の両方に対して垂直な方向である。

　ダイパッド１１は、平面略正方形形状を有しており、その表面には、後述する半導体素子２１が搭載される。ダイパッド１１の平面形状は、正方形に限らず、長方形等の多角形としても良い。また、ダイパッド１１の四つのコーナー部にはそれぞれタイバー（吊りリード）１４が連結されており、ダイパッド１１は、この４本のタイバー１４を介してコネクティングバー１３に連結支持されている。各タイバー１４は、その全域にわたりハーフエッチングにより裏面側から薄肉に形成されている。

　ここでハーフエッチングとは、被エッチング材料をその厚み方向に途中までエッチングすることをいう。ハーフエッチング後の被エッチング材料の厚みは、ハーフエッチング前の被エッチング材料の厚みの例えば３０％以上７０％以下、好ましくは４０％以上６０％以下となる。なお、図４５および図４８において、ハーフエッチングされた領域を網掛けで示している。

　各コネクティングバー１３は、細長い棒形状を有しており、その端部１３ｍには、それぞれ正方形状の環状連結部（連結部材）１９が連結されている。環状連結部１９の内側には、平面正方形状の貫通開口１９ａが形成されている。また、環状連結部１９には、タイバー１４の外側端部が連結されている。すなわち、各環状連結部１９には、それぞれ４本のタイバー１４と、Ｘ方向に延びる２本のコネクティングバー１３と、Ｙ方向に延びる２本のコネクティングバー１３とが連結される。また、環状連結部１９は、その全域にわたりハーフエッチングにより裏面側から薄肉に形成されている。これにより、後述する半導体装置２０の製造工程において、後述する封止樹脂２３を形成する際に、樹脂が通過する流路を広く確保することができる。このため、各単位リードフレーム１０ａのコーナー部近傍の特定の箇所に応力が集中しにくくなり、封止樹脂２３を各単位リードフレーム１０ａの内側に確実に充填することができる。このような環状連結部１９の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、例えば、６０μｍ以上１２０μｍ以下とすることができる。

　コネクティングバー１３は、リード部１２が長手方向に沿って連結されるリード連結部４１と、互いに隣り合うリード連結部４１間、またはリード連結部４１と環状連結部１９との間に位置する中間部４３とを有している。なお、リード連結部４１とは、リード部１２の長手方向における両側縁の延長線と、コネクティングバー１３の長手方向における両側縁とによって取り囲まれた領域をいう。リード連結部４１および中間部４３は、それぞれ平面視矩形形状であり、その全域にわたり裏面側からハーフエッチングにより薄肉化されている（図４６および図４７参照）。

　ダイパッド１１は、中央に位置するダイパッド厚肉部１１ａと、ダイパッド厚肉部１１ａの周縁全周にわたって形成されたダイパッド薄肉部１１ｂとを有している（図４６参照）。このうちダイパッド厚肉部１１ａは、ハーフエッチングされておらず、加工前の金属基板（後述する金属基板３１）と同一の厚みを有している。具体的には、ダイパッド厚肉部１１ａの厚みは、半導体装置２０の構成にもよるが、８０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。一方、ダイパッド薄肉部１１ｂは、ハーフエッチングにより裏面側から薄肉に形成されている。このようにダイパッド薄肉部１１ｂを設けたことにより、ダイパッド１１が封止樹脂２３（後述）から離脱しにくくすることができる。

　各リード部１２は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に接続されるものであり、ダイパッド１１との間に空間を介して配置されている。隣り合うリード部１２同士は、半導体装置２０（後述）の製造後に互いに電気的に絶縁される形状となっている。また、リード部１２は、半導体装置２０の製造後にダイパッド１１と電気的に絶縁される形状となっている。このリード部１２の裏面には、それぞれ外部の実装基板（図示せず）に電気的に接続される外部端子１７が形成されている。各外部端子１７は、半導体装置２０（後述）の製造後に、それぞれ半導体装置２０から外方に露出するようになっている。この場合、外部端子１７は、平面視で１列に配置されている。

　図４４に示すように、リード部１２は、平面から見て略矩形形状を有しており、その基端部はコネクティングバー１３のリード連結部４１に連結されている。また、図４４乃至図４６に示すように、リード部１２の表面には内部端子１５が形成され、リード部１２の裏面には、上述した外部端子１７が形成されている。内部端子１５は、後述するようにボンディングワイヤ２２を介して半導体素子２１に電気的に接続される領域となっている。このため、内部端子１５上には、ボンディングワイヤ２２との密着性を向上させるめっき部が設けられていても良い。

　図４６に示すように、リード部１２は、ハーフエッチングされることなく、ダイパッド１１のダイパッド厚肉部１１ａ（加工前の金属基板３１）と同一の厚みを有している。なお、図４４、図４５および図４７において、リード部１２の幅は、例えば６０μｍ以上１８０μｍ以下であり、互いに隣接するリード部１２間の距離は、例えば８５μｍ以上２００μｍ以下である。

　次に、図４７および図４８を参照して、コネクティングバー１３及びタイバー１４の構成について更に説明する。図４７は、コネクティングバー１３の長手方向に垂直な方向の断面図である。

　コネクティングバー１３及びタイバー１４は、上述したように、裏面側からハーフエッチングにより薄肉化されている。図４７に示すように、コネクティングバー１３の厚みｔ４１は、タイバー１４の厚みｔ４２よりも薄くなっている。コネクティングバー１３の厚みｔ４１は、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、６０μｍ以上１２０μｍ以下とすることができ、タイバー１４の厚みｔ４２は、７０μｍ以上１３０μｍ以下とすることができる。

　ところで、一般にリードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際、リードフレーム１０とブレード（図示せず）との摩擦により、リードフレーム１０が単位リードフレーム１０ａ毎に振動する。単位リードフレーム１０ａに振動が発生すると、全体としてリードフレーム１０が振動する。これにより、リードフレーム１０のリード部１２とブレードとの間の摩擦が増大し、リード部１２にスミアリングが発生する可能性がある。リード部１２にスミアリングが発生した場合、スミアリングにより、リード部１２同士が短絡してしまうおそれがある。ここで本明細書中、スミアリングとは、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離するブレードとの摩擦により、リード部１２を構成する金属材料が、ダイシングの方向に沿って部分的に延びたもの（バリ）をいう。

　これに対して、本実施の形態においては、コネクティングバー１３の厚みｔ４１が、タイバー１４の厚みｔ４２よりも薄くなっている。これにより、コネクティングバー１３がブレードと接触する面積を小さくすることができ、ダイシング時に振動が発生することを抑制できる。このため、リードフレーム１０が単位リードフレーム１０ａ毎に振動することを抑制することができ、全体としてリードフレーム１０が振動することを抑制することができる。この結果、ダイシング時に、リード部１２とブレードとの間の摩擦を低減することができ、スミアリングの発生を抑制することができる。なお、このようなコネクティングバー１３の厚みｔ４１およびタイバー１４の厚みｔ４２は、後述するように、エッチング用レジスト層３２、３３の形状およびエッチング条件を適宜調整することにより、得ることができる。また、図示はしないが、コネクティングバー１３のうち、リード連結部４１の厚みと中間部４３の厚みとが異なっていても良い。この場合、例えば、リード連結部４１の厚みは、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、７０μｍ以上１３０μｍ以下とすることができ、中間部４３の厚みは、６０μｍ以上１２０μｍ以下とすることができる。

　また、図４８に示すように、環状連結部１９の幅Ｗ４１は、タイバー１４の幅Ｗ４２よりも広くなっている。これにより、環状連結部１９が、ダイシング時にコネクティングバー１３に発生する振動を吸収することができる。このため、ダイシング時に発生する振動がコネクティングバー１３からタイバー１４に伝わることを抑制することができる。この結果、ダイシング時にリードフレーム１０が振動することにより発生するスミアリングを抑制することができる。このような環状連結部１９の幅Ｗ４１は、製造する半導体装置２０の構成にもよるが、１５０μｍ以上３５０μｍ以下とすることができ、タイバー１４の幅Ｗ４２は、１００μｍ以上２５０μｍ以下とすることができる。なお、本明細書中、環状連結部１９の幅Ｗ４１とは、環状連結部１９のうち、Ｘ方向に延びる部分においては、当該部分のＹ方向の長さをいい、環状連結部１９のうち、Ｙ方向に延びる部分においては、当該部分のＸ方向の長さをいう。

　また、本実施の形態では、外部端子１７が、平面視で１列に配置されている場合を例にとって説明したが、これに限らず、リード部１２が長リード部と短リード部とを含み、長リード部の第１外部端子と短リード部の第２外部端子とが千鳥状に２列に配置されていても良く、外部端子が３列以上に配置されていても良い。

　半導体装置の構成
　次に、図４９および図５０により、本実施の形態による半導体装置について説明する。図４９および図５０は、本実施の形態による半導体装置を示す図である。

　図４９および図５０に示すように、半導体装置（半導体パッケージ）２０は、ダイパッド１１と、ダイパッド１１の周囲に配置された複数のリード部１２と、ダイパッド１１上に搭載された半導体素子２１と、リード部１２と半導体素子２１とを電気的に接続する複数のボンディングワイヤ（接続部材、導電部材）２２とを備えている。また、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２は、封止樹脂２３によって樹脂封止されている。

　ダイパッド１１、リード部１２は、上述したリードフレーム１０から作製されたものである。このほか、ダイパッド１１、リード部１２の構成は、半導体装置２０に含まれない領域を除き、上述した図４４乃至図４８に示すものと同様であるため、ここでは詳細な説明を省略する。

　封止樹脂２３としては、シリコーン樹脂やエポキシ樹脂等の熱硬化性樹脂、あるいはＰＰＳ樹脂等の熱可塑性樹脂を用いることができる。封止樹脂２３全体の厚みは、３００μｍ以上１２００μｍ以下程度とすることができる。また、封止樹脂２３の一辺（半導体装置２０の一辺）は、例えば６ｍｍ以上１６ｍｍ以下することができる。なお、図４９において、封止樹脂２３のうち、ダイパッド１１、リード部１２よりも表面側に位置する部分の表示を省略している。

　リードフレームの製造方法
　次に、図４４乃至図４８に示すリードフレーム１０の製造方法について、図５１（ａ）－（ｅ）及び図５２（ａ）－（ｃ）を用いて説明する。なお、図５１（ａ）－（ｅ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図（図４６に対応する図）であり、図５２（ａ）－（ｃ）は、リードフレーム１０の製造方法を示す断面図（図４７に対応する図）である。

　まず図５１（ａ）に示すように、平板状の金属基板３１を準備する。この金属基板３１としては、銅、銅合金、４２合金（Ｎｉ４２％のＦｅ合金）等の金属からなる基板を使用することができる。なお金属基板３１は、その両面に対して脱脂等を行い、洗浄処理を施したものを使用することが好ましい。

　次に、金属基板３１の表裏全体にそれぞれ感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、これを乾燥する（図５１（ｂ））。なお感光性レジスト３２ａ、３３ａとしては、従来公知のものを使用することができる。

　続いて、この金属基板３１に対してフォトマスクを介して露光し、現像することにより、所望の開口部３２ｂ、３３ｂを有するエッチング用レジスト層３２、３３を形成する（図５１（ｃ））。

　次に、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す（図５１（ｄ））。これにより、ダイパッド１１、リード部１２の外形が形成される。なお、腐蝕液は、使用する金属基板３１の材質に応じて適宜選択することができ、例えば、金属基板３１として銅を用いる場合、通常、塩化第二鉄水溶液を使用し、金属基板３１の両面からスプレーエッチングを行うことができる。

　その後、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去することにより、図４４乃至図４８に示すリードフレーム１０が得られる。（図５１（ｅ））。

　ところで、リードフレーム１０を作製する際、コネクティングバー１３及びタイバー１４は、上述したように、裏面側からハーフエッチングにより薄肉化される。コネクティングバー１３及びタイバー１４を裏面側から薄肉化する場合、図５１（ａ）－（ｃ）を用いて説明したように、感光性レジスト３２ａ、３３ａを塗布し、乾燥させた後に金属基板３１に対して、フォトマスクを介して露光し、現像することにより、エッチング用レジスト層３２、３３に所望の開口部３２ｂ、３３ｂを形成する（図５２（ａ））。この際、例えば、コネクティングバー１３およびタイバー１４に対応する部分に、開口部３３ｂまたは島状の感光性レジスト３３ａを複数点在させる。このとき、例えば、コネクティングバー１３に対応する部分における開口部３３ｂまたは島状の感光性レジスト３３ａの面積と、タイバー１４に対応する部分における開口部３３ｂまたは島状の感光性レジスト３３ａの面積とを適宜調整することにより、コネクティングバー１３の厚みｔ４１をタイバー１４の厚みｔ４２よりも薄くすることができる。

　次に、図５１（ｄ）を用いて説明したように、エッチング用レジスト層３２、３３を耐腐蝕膜として金属基板３１に腐蝕液でエッチングを施す。これにより、コネクティングバー１３及びタイバー１４の外形が形成される（図５２（ｂ））。

　その後、図５１（ｅ）を用いて説明したように、エッチング用レジスト層３２、３３を剥離して除去する（図５２（ｃ））。

　なお、上記においては、金属基板３１の両面側からスプレーエッチングを行う場合を例にとって説明したが、これに限られるものではない。例えば、金属基板３１の片面ずつ２段階のスプレーエッチングを行っても良い。具体的には、まず金属基板３１の表面側の全体に第１エッチング用レジスト層を設けるとともに、裏面側に所定のパターンをもつ第２エッチング用レジスト層を形成し、金属基板３１の裏面側のみエッチングを施す。次に、第１及び第２エッチング用レジスト層を除去するとともに、金属基板３１の裏面側に耐エッチング性のある樹脂からなる封止層を設ける。続いて、金属基板３１の表面側に所定のパターンをもつ第３エッチング用レジスト層を形成し、この状態で金属基板３１の表面側のみエッチングを施す。その後、裏面側の封止層を剥離することにより、リードフレーム１０の外形が形成される。このように金属基板３１の片面ずつスプレーエッチングを行うことにより、リード部１２の変形を回避しやすいという効果が得られる。

　半導体装置の製造方法
　次に、図４９および図５０に示す半導体装置２０の製造方法について、図５３（ａ）－（ｅ）を用いて説明する。

　まず、例えば図５１（ａ）－（ｅ）および図５２（ａ）－（ｃ）に示す方法により、リードフレーム１０を作製する（図５３（ａ））。

　次に、リードフレーム１０のダイパッド１１上に、半導体素子２１を搭載する。この場合、例えばダイボンディングペースト等の接着剤２４を用いて、半導体素子２１をダイパッド１１上に載置して固定する（ダイアタッチ工程）（図５３（ｂ））。

　次に、半導体素子２１の各電極２１ａと、各リード部１２の内部端子１５とを、それぞれボンディングワイヤ（接続部材）２２によって互いに電気的に接続する（ワイヤボンディング工程）（図５３（ｃ））。

　次に、リードフレーム１０に対して熱硬化性樹脂または熱可塑性樹脂を射出成形またはトランスファ成形することにより、封止樹脂２３を形成する（樹脂封止工程）（図５３（ｄ））。このようにして、ダイパッド１１、リード部１２、半導体素子２１およびボンディングワイヤ２２を封止する。

　この間、コネクティングバー１３側から各単位リードフレーム１０ａの内側に向けて、樹脂が回り込む。本実施の形態において、環状連結部１９、タイバー１４及びコネクティングバー１３の端部１３ｍは、それぞれ裏面側から薄肉化されている。このため、樹脂が通過する流路が広く確保され、溶融した樹脂は、各単位リードフレーム１０ａのコーナー部の周囲をスムーズに流れる。これにより、各単位リードフレーム１０ａのコーナー部近傍の特定の箇所に応力が集中しにくくなり、封止樹脂２３を各単位リードフレーム１０ａの内側に確実に充填することができる。また、封止樹脂２３の圧力によって、リード部１２が変形するおそれも少ない。

　次に、各半導体素子２１間の封止樹脂２３をダイシングすることにより、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する。この際、例えばダイヤモンド砥石からなるブレード（図示せず）を回転させながら、各半導体装置２０間のリードフレーム１０および封止樹脂２３を切断しても良い。

　この場合、コネクティングバー１３の厚みｔ４１が、タイバー１４の厚みｔ４２よりも薄くなっている。このように、ダイシング時にブレードと接触するコネクティングバー１３の厚みｔ４１をタイバー１４の厚みｔ４２よりも薄くすることにより、コネクティングバー１３がブレードと接触する面積を小さくすることができる。これにより、ダイシング時に振動が発生することを抑制でき、リードフレーム１０が単位リードフレーム１０ａ毎に振動することを抑制することができる。このため、全体としてリードフレーム１０が振動することを抑制することができる。この結果、ダイシング時に、リード部１２とブレードとの間の摩擦を低減することができ、スミアリングの発生を抑制することができる。

　また、この場合、環状連結部１９の幅Ｗ４１が、タイバー１４の幅Ｗ４２よりも広くなっている。このように、コネクティングバー１３とタイバー１４とを連結する環状連結部１９の幅Ｗ４１をタイバー１４の幅Ｗ４２よりも広くすることにより、環状連結部１９が、ダイシング時にコネクティングバー１３に発生するダイシングの振動を吸収することができる。これにより、ダイシング時に発生する振動がコネクティングバー１３からタイバー１４に伝わることを抑制することができる。このため、ダイシング時にリードフレーム１０が振動することにより発生するスミアリングを抑制することができる。

　このようにして、図４９および図５０に示す半導体装置２０が得られる（図５３（ｅ））。

　以上説明したように、本実施の形態によれば、コネクティングバー１３およびタイバー１４は、それぞれ裏面側から薄肉化され、コネクティングバー１３の厚みｔ４１が、タイバー１４の厚みｔ４２よりも薄くなっている。これにより、ダイシング時にコネクティングバー１３がブレードと接触する面積を小さくすることができる。これにより、ダイシング時に振動が発生することを抑制でき、リードフレーム１０が振動することを抑制することができる。このため、ダイシング時に、リード部１２とブレードとの間の摩擦を低減することができ、スミアリングの発生を抑制することができる。このため、リードフレーム１０が振動することを抑制することができる。この結果、ダイシング時に、リード部１２とブレードとの間の摩擦が増大することを抑制することができ、スミアリングの発生を抑制することができる。なお、このようにコネクティングバー１３の厚みｔ１とタイバー１４の厚みｔ４２との違いにより、スミアリングの発生を抑制することができることは、後述する実施例によって説明する。

　また、本実施の形態によれば、環状連結部１９の幅Ｗ４１は、タイバー１４の幅Ｗ４２よりも広くなっている。これにより、環状連結部１９が、ダイシング時にコネクティングバー１３に発生する振動を吸収することができる。このため、ダイシング時に発生する振動がコネクティングバー１３からタイバー１４に伝わることを抑制することができる。この結果、ダイシング時にリードフレーム１０が振動することにより発生するスミアリングを抑制することができる。

　［実施例］
　次に、上述した本実施の形態の作用について、具体的に説明する。

　（実施例）
　図５１（ａ）－（ｅ）及び図５２（ａ）－（ｃ）に示す方法により、本実施の形態によるリードフレーム１０を作製した。次に、図５３（ａ）－（ｅ）に示す方法により、本実施の形態による半導体装置２０（実施例）を作製した。その後、得られた半導体装置２０において、互いに隣接するリード部１２同士が短絡しているか否かを確認した。この場合、リードフレーム１０において、コネクティングバー１３のリード連結部４１の厚みは１０５μｍであり、中間部４３の厚みは１００μｍであった。また、リードフレーム１０および半導体装置２０において、タイバー１４の厚みは１１５μｍであり、環状連結部１９の厚みは１１５μｍであった。この結果を表１に示す。

　（比較例）
　タイバーの厚みが９０μｍであり、環状連結部の厚みが９０μｍであること、以外は、実施例と同様にして、得られた半導体装置において、互いに隣接するリード部同士が短絡しているか否かを調査した。この結果を表１に示す。

　この結果、コネクティングバーの厚みがタイバーの厚みよりも厚くなっている比較例においては、ダイシングによりリード部にスミアリングが発生し、互いに隣接するリード部同士が短絡していた。これに対してコネクティングバー１３の厚みｔ４１がタイバー１４の厚みｔ４２よりも薄くなっている実施例においては、リード部１２に、ダイシングによるスミアリングが発生することを抑制することができ、互いに隣接するリード部同士が短絡していなかった。

　このように、本実施の形態によれば、リードフレーム１０を各半導体装置２０毎に分離する際に、リード部１２にスミアリングが発生することを抑制することができる。これにより、互いに隣接するリード部１２間の距離が短くなることを抑制することができ、互いに隣接するリード部１２が短絡する不具合を抑制できる。

　上記各実施の形態及び変形例に開示されている複数の構成要素を必要に応じて適宜組合せることも可能である。あるいは、上記各実施の形態及び変形例に示される全構成要素から幾つかの構成要素を削除してもよい。
　

Claims

　リードフレームにおいて、
　半導体素子が搭載されるダイパッドと、
　前記ダイパッドの周囲に設けられた、複数の長リード部および複数の短リード部と、
　前記複数の長リード部および前記複数の短リード部が連結されたコネクティングバーとを備え、
　前記長リード部と前記短リード部とは、前記コネクティングバーの長手方向に沿って交互に配置され、
　前記コネクティングバーのうち、前記長リード部が連結された長リード連結部は、少なくとも部分的に裏面側から薄肉化され、
　前記コネクティングバーのうち、前記短リード部が連結された短リード連結部は、少なくとも部分的に表面側から薄肉化されている、リードフレーム。
　前記長リード連結部の前記薄肉化された部分は、前記コネクティングバーの長手方向に沿って、当該長リード連結部に隣接する短リード連結部側に向けて広がっている、請求項１記載のリードフレーム。
　前記短リード連結部の前記薄肉化された部分は、前記コネクティングバーの長手方向に沿って、当該短リード連結部に隣接する長リード連結部側に向けて広がっている、請求項１記載のリードフレーム。
　前記コネクティングバーのうち少なくとも長手方向の端部は、裏面側から薄肉化されている、請求項１記載のリードフレーム。
　前記ダイパッドのコーナー部から吊りリードが延在し、前記吊りリードの少なくとも一部は、裏面側から薄肉化されている、請求項１記載のリードフレーム。
　前記短リード連結部に、一対の薄肉領域が形成され、前記一対の薄肉領域の間には、前記一対の薄肉領域よりも厚い中央領域が形成されている、請求項１記載のリードフレーム。
　半導体装置において、
　ダイパッドと、
　前記ダイパッドの周囲に設けられた、複数の長リード部および複数の短リード部と、
　前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
　前記半導体素子と前記長リード部または前記短リード部とを電気的に接続する接続部材と、
　前記ダイパッドと、前記長リード部と、前記短リード部と、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止する封止樹脂とを備え、
　前記長リード部と前記短リード部とは、前記封止樹脂の周縁に沿って交互に配置され、　前記長リード部のうち前記封止樹脂から露出する部分は、裏面側から薄肉化され、
　前記短リード部のうち前記封止樹脂から露出する部分は、表面側から薄肉化されている、半導体装置。
　圧延方向に延びる圧延筋を有するリードフレームであって、
　前記圧延筋が設けられた面内に、前記圧延方向に直交する方向に延びる複数の局所変形部が形成されている、リードフレーム。
　前記局所変形部の最大高さ粗さは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下である、請求項８に記載のリードフレーム。
　前記局所変形部の長さは、前記圧延筋の長さの３０分の１以下である、請求項８に記載のリードフレーム。
　前記局所変形部の幅は、０．５μｍ以上３．０μｍ以下である、請求項８に記載のリードフレーム。
　前記局所変形部は、前記圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部である、請求項８に記載のリードフレーム。
　８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、ＪＩＳ－Ｚ２２４１に準拠して測定される伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料から構成されている、請求項８に記載のリードフレーム。
　前記金属材料は、コルソン系合金（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｓｉ）である、請求項１３に記載のリードフレーム。
　半導体素子が搭載されるダイパッドと、前記ダイパッドの周囲に設けられ、それぞれ外部端子を含む複数のリード部とを備え、前記複数のリード部の前記外部端子は、隣り合うリード部間で交互に内側および外側に位置するよう千鳥状に配置されている、請求項８に記載のリードフレーム。
　半導体装置であって、
　圧延方向に延びる複数の圧延筋を有するダイパッドと、
　前記ダイパッドの周囲に設けられ、それぞれ外部端子を含む複数のリード部と、
　前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
　前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続する導電部材と、
　前記ダイパッドと、前記リード部と、前記半導体素子と、前記導電部材とを封止する封止樹脂とを備え、
　前記ダイパッドの前記圧延筋が設けられた面内に、前記圧延方向に直交する方向に延びる複数の局所変形部が形成されている、半導体装置。
　前記局所変形部の最大高さ粗さは、０．２μｍ以上２．０μｍ以下である、請求項１６に記載の半導体装置。
　前記局所変形部の長さは、前記圧延筋の長さの３０分の１以下である、請求項１６に記載の半導体装置。
　前記局所変形部の幅は、０．５μｍ以上３．０μｍ以下である、請求項１６に記載の半導体装置。
　前記局所変形部は、前記圧延方向に沿った断面において、上方に突出する凸部である、請求項１６に記載の半導体装置。
　前記リード部は、８６０ＭＰａ以上８９０ＭＰａ以下の引張強度をもち、かつ、ＪＩＳ－Ｚ２２４１に準拠して測定される伸びが、２．８％以上４．４％以下である金属材料から構成されている、請求項１６に記載の半導体装置。
　前記金属材料は、コルソン系合金（Ｃｕ－Ｎｉ－Ｓｉ）である、請求項２１に記載の半導体装置。
　前記複数のリード部の前記外部端子は、隣り合うリード部間で交互に内側および外側に位置するよう千鳥状に配置されている、請求項１６に記載の半導体装置。
　リードフレームにおいて、
　ダイパッドと、
　前記ダイパッドの周囲に設けられたリード部と、
　前記リード部が連結されたコネクティングバーとを備え、
　前記コネクティングバーの表面の幅は、前記コネクティングバーの裏面の幅よりも広く、
　前記コネクティングバーのうち最大幅となる最大幅部分が、前記コネクティングバーの前記表面と前記裏面との間に位置する、リードフレーム。
　前記最大幅部分は、前記コネクティングバーの前記表面と前記裏面との中間位置よりも前記表面側に位置する、請求項２４記載のリードフレーム。
　前記コネクティングバーの前記表面及び前記裏面のうち少なくとも一方に、凹部が形成されている、請求項２４記載のリードフレーム。
　互いに直交する２つの前記コネクティングバーが連結部で互いに連結され、前記ダイパッドと前記連結部とは、吊りリードによって互いに連結され、前記連結部は薄肉化されておらず、前記吊りリードは裏面側から薄肉化されている、請求項２４記載のリードフレーム。
　前記リード部のうち前記コネクティングバーに連結される部分が、平面視でテーパー状に形成されている、請求項２４記載のリードフレーム。
　前記コネクティングバーのうち前記リード部の両側に位置する部分に、それぞれ切欠部が形成されている、請求項２４記載のリードフレーム。
　前記コネクティングバーの表面の幅は、前記コネクティングバーの裏面の幅よりも１５μｍ以上２５μｍ以下だけ広く、前記最大幅部分の幅は、前記コネクティングバーの表面の幅よりも１０μｍ以上１５μｍ以下だけ広い、請求項２４記載のリードフレーム。
　半導体装置の製造方法において、
　請求項２４記載のリードフレームを準備する工程と、
　前記リードフレームの前記ダイパッド上に半導体素子を搭載する工程と、
　前記半導体素子と前記リード部とを接続部材により電気的に接続する工程と、
　前記ダイパッドと、前記リード部と、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止樹脂により封止する工程と、
　前記コネクティングバーに沿って、裏面側から前記リードフレームの厚み方向の一部を切除する工程と、
　前記半導体装置毎に前記リードフレーム及び前記封止樹脂を切断する工程とを備えた、半導体装置の製造方法。
　リードフレームにおいて、
　半導体素子が搭載されるダイパッドと、
　前記ダイパッドの周囲に設けられた、複数のリード部と、
　前記複数のリード部が連結されたコネクティングバーと、
　前記ダイパッドと前記コネクティングバーとを連結するタイバーとを備え、
　前記コネクティングバーおよび前記タイバーは、それぞれ裏面側から薄肉化され、
　前記コネクティングバーの厚みは、前記タイバーの厚みよりも薄い、リードフレーム。
　リードフレームにおいて、
　半導体素子が搭載されるダイパッドと、
　前記ダイパッドの周囲に設けられた、複数のリード部と、
　前記複数のリード部が連結されたコネクティングバーと、
　前記ダイパッドから延在するタイバーと、
　前記タイバーと前記コネクティングバーとを連結する連結部材とを備え、
　前記連結部材の幅は、前記タイバーの幅よりも広い、リードフレーム。
　前記コネクティングバーおよび前記タイバーは、それぞれ裏面側から薄肉化され、
　前記コネクティングバーの厚みは、前記タイバーの厚みよりも薄い、請求項３３に記載のリードフレーム。
　前記連結部材は、裏面側から薄肉化されている、請求項３３に記載のリードフレーム。
　前記連結部材の幅は、１５０μｍ以上３５０μｍ以下であり、前記タイバーの幅は、１００μｍ以上２５０μｍ以下である、請求項３３に記載のリードフレーム。
　前記コネクティングバーの厚みは、６０μｍ以上１２０μｍ以下であり、前記タイバーの厚みは、７０μｍ以上１３０μｍ以下である、請求項３２に記載のリードフレーム。
　半導体装置において、
　ダイパッドと、
　前記ダイパッドの周囲に設けられた、複数のリード部と、
　前記ダイパッドから延在するタイバーと、
　前記タイバーに連結された連結部材と、
　前記ダイパッド上に搭載された半導体素子と、
　前記半導体素子と前記リード部とを電気的に接続する接続部材と、
　前記ダイパッドと、前記リード部と、前記タイバーと、前記連結部材と、前記半導体素子と、前記接続部材とを封止する封止樹脂とを備え、
　前記連結部材の幅は、前記タイバーの幅よりも広い、半導体装置。
　前記連結部材の幅は、１５０μｍ以上３５０μｍ以下であり、前記タイバーの幅は、１００μｍ以上２５０μｍ以下である、請求項３８に記載の半導体装置。