JP2016048760A - 半導体装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】半導体基板1の主面上にアノード電極2が設けられている。アノード電極2の端部を覆う保護膜4が半導体基板1上に設けられている。保護膜4はアノード電極2上において開口部5を有する。開口部5内においてアノード電極2上に金属膜6が設けられている。金属膜6は半田7に対する接合性と濡れ性がアノード電極2よりも高い。保護膜4は、開口部5内において開口部5の外周に沿って互いに離間して配置された複数の凸部4aを有する。複数の凸部4aは、半田7が金属膜6の端部まで濡れ広がるのを抑制する。
【選択図】図2
Description
図1は、本発明の実施の形態1に係る半導体装置を示す断面図である。この半導体装置は基板の表面側と裏面側に電極を有する縦型ダイオードである。即ち、半導体基板1の上面にアノード電極2が設けられ、半導体基板1の下面にカソード電極3が設けられている。
図13は、本発明の実施の形態2に係る半導体装置の電極を示す平面図である。図14は、図13のI−IIに沿った断面図である。図15は、図13のIII−IVに沿った断面図である。
Claims (12)
- 半導体基板と、
前記半導体基板の主面上に設けられた電極と、
前記半導体基板上に設けられ、前記電極の端部を覆い、前記電極上において開口部を有する保護膜と、
前記開口部内において前記電極上に設けられ、半田に対する接合性と濡れ性が前記電極よりも高い金属膜とを備え、
前記保護膜は、前記開口部内において前記開口部の外周に沿って互いに離間して配置された複数の抑制部を有し、
前記複数の抑制部は、前記半田が前記金属膜の端部まで濡れ広がるのを抑制することを特徴とする半導体装置。 - 前記複数の抑制部は、前記開口部の内側に向かって突出した複数の凸部であり、
前記半導体基板の前記主面に対して垂直方向から見た平面視において前記金属膜の端部が櫛歯状であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。 - 前記複数の抑制部は複数の点状保護膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記金属膜はめっき法により形成された膜であることを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記金属膜は、ジンケート処理を含む無電解めっき法により形成された膜であることを特徴とする請求項4に記載の半導体装置。
- 半導体基板と、
前記半導体基板の主面上に設けられた電極と、
前記電極上に設けられ、半田に対する接合性と濡れ性が前記電極よりも高い金属膜とを備え、
前記半導体基板の前記主面に対して垂直方向から見た平面視において前記金属膜の端部が櫛歯状であることを特徴とする半導体装置。 - 前記金属膜が設けられた前記電極に前記半田を介して接合された外部電極と、
前記金属膜の前記端部、前記半田、及び、前記外部電極の少なくとも一部を覆う封止材とを更に備えることを特徴とする請求項1〜6の何れか1項に記載の半導体装置。 - 前記封止材の線膨張係数は、前記電極の線膨張係数より小さく、かつ前記半導体基板の線膨張係数より大きいことを特徴とする請求項7に記載の半導体装置。
- 前記金属膜は、半田接合用金属膜と、前記半田接合用金属膜上に設けられ前記半田接合用金属膜の酸化を防止する酸化防止用金属膜とを有することを特徴とする請求項1〜8の何れか1項に記載の半導体装置。
- 前記酸化防止用金属膜はAu又はAgを含む貴金属であることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置。
- 前記半田接合用金属膜はNi又はNiを含む金属であることを特徴とする請求項9又は10に記載の半導体装置。
- 前記電極はAl又はAlを含む金属であることを特徴とする請求項1〜11の何れか1項に記載の半導体装置。
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