TWI697992B

TWI697992B - 引線框架及其製造方法

Info

Publication number: TWI697992B
Application number: TW106101749A
Authority: TW
Inventors: 石橋貴弘
Original assignee: 日商三井高科技股份有限公司
Priority date: 2016-01-19
Filing date: 2017-01-18
Publication date: 2020-07-01
Also published as: CN108475669A; TW201737449A; WO2017126393A1; JP6705654B2; JP2017130524A

Abstract

一種提供引線框架及其製造方法，能防止連接桿變形，並且抑制切斷飛邊和刀具磨損，能提高良好的生產率。提供包括在縱向、橫向或縱橫方向彼此鄰接的多個單位引線框架的引線框架及其製造方法。單位引線框架包括元件裝載部、具備端子部的引線和連接桿。引線配置在元件裝載部周圍。借助連接桿將鄰接的單位引線框架的引線彼此連接。連接桿的主體設有第一加強部和第二加強部，第一加強部與引線的連接側端部連接。第二加強部把在連接桿長邊方向上相鄰的第一加強部彼此連接，且寬度比連接桿主體的寬度窄。第一加強部具有在其厚度方向上凹陷的凹部。

Description

引線框架及其製造方法

本發明涉及半導體裝置的製造所採用的引線框架及其製造方法。

作為半導體裝置，已知具有將多個半導體裝置統一樹脂封裝的MAP（Mold Alley Process）類型的QFN（Quad Flat Non-leaded）型半導體裝置。所述QFN型半導體裝置所採用的引線框架中，多個單位引線框架在縱向、橫向或者縱橫方向彼此鄰接配置。而且，借助連接桿將鄰接的單位引線框架的引線彼此連接。另外，統一樹脂封裝的QFN型半導體裝置在樹脂封裝後被單片化。所述單片化例如利用旋轉刀具對鄰接的QFN型半導體裝置進行切割。

可是在切割時，在除去連接桿時會產生切斷飛邊或者旋轉刀具的磨損。因此，如圖2A和圖2B所示，為了控制這種情況，連接桿80的背面側或表面側利用半蝕刻而加工成薄壁（例如參照日本專利公開公報特開2001-320007號）。另外，附圖標記81為單位引線框架。附圖標記82為引線。圖2B中用陰影線繪出的部分表示半蝕刻的部位。雙點劃線表示用旋轉刀具切斷的切割線。被所述切割線夾著的部位是被切割除去的部位（其他的圖中也相同）。

此外，作為QFN型半導體裝置所採用的引線框架，如圖3B所示，已知長引線類型的引線框架85，其相比於圖3A所示的通常的QFN型半導體裝置所採用的引線框架83具有更長的內部引線84。另外，圖3A和圖3B分別表示了引線框架83和引線框架85的背面側。圖3A中的附圖標記86為引線框架83所含的單位引線框架的內部引線。此外，內部引線86和內部引線84都利用半蝕刻而成為薄壁。

在引線框架85所含的單位引線框架中，承載IC晶片（半導體元件）的底座（元件裝載部）87與內部引線84之間的距離變短。因此，可以使電連接IC晶片和內部引線84的接合線（未圖示）變短。由此，具有能防止樹脂封裝時的導線佈置導致的短路的優點。而且，還具有伴隨接合線的使用量的減少而削減材料成本的優點。

專利文獻1：日本專利公開公報特開2001-320007號。

在長引線類型的引線框架85中，為了抑制切斷飛邊的產生，連接桿88為薄壁且內部引線84較長。因此，如圖4A所示，引線框架85容易以連接桿88為基點在板厚方向上變形。此外，如圖4B所示，連接桿88容易在水平面內彎曲。如此，產生了引線框架85容易變形的狀況。另外，還可以考慮不將連接桿形成薄壁，為了抑制切斷飛邊的發生，採用降低切割速度進行生產的對策。可是此時，QFN型半導體裝置的生產率降低。

本發明是鑒於上述問題而完成的。本發明的目的是提供能防止連接桿變形，並且抑制切割產生的切斷飛邊和旋轉刀具的磨損的引線框架及其製造方法。按照本發明，由於提高了良好品質的半導體裝置的生產率，所以能經濟性良好地製造高品質的半導體裝置。

用於實現上述目的的第一實施方式的引線框架包括在縱向、橫向或者縱橫方向彼此鄰接配置的多個單位引線框架，所述單位引線框架具有：位於所述單位引線框架的中央的元件裝載部；配置在所述元件裝載部的周圍的引線；以及連接桿，所述引線具有端子部和連接側端部，所述端子部位於所述引線的表面和背面，借助連接桿將鄰接的所述單位引線框架的所述引線彼此連接，所述連接桿包括連接桿主體、第一加強部和第二加強部，所述第二加強部的寬度比所述連接桿主體的寬度窄，所述第一加強部與所述連接桿主體的背面側和/或表面側一體化，並與所述引線的所述連接側端部連接，而且所述第一加強部具有在其厚度方向凹陷的凹部，所述第二加強部與所述連接桿主體一體化，且把在所述連接桿的所述長邊方向上相鄰的第一加強部彼此連接。

在第一實施方式的引線框架中，優選所述引線的所述連接側端部包括連接部主體和第三加強部，所述第三加強部位於所述連接部主體的表面側，且寬度比所述連接部主體的寬度窄。在這種情況下，所述第三加強部與所述第一加強部或所述連接桿主體一體化。在此，優選所述第三加強部具有0.02毫米(mm)以上且0.08毫米(mm)以下的寬度。此外，優選所述第三加強部配置成與切割時的切割區域的邊緣交叉，所述第三加強部的兩端分別與所述切割區域的邊緣分開0.05毫米(mm)以上。

在第一實施方式的引線框架中，優選所述凹部的寬度在所述連接桿主體的寬度以下。

用於實現上述目的的第二實施方式的引線框架的製造方法是第一實施方式的引線框架的製造方法，對引線框架件中的形成連接桿的區域的背面側和/或表面側進行半蝕刻，形成連接桿主體、第一加強部、在所述第一加強部上向其厚度方向凹陷的凹部以及寬度比所述連接桿主體的寬度窄的第二加強部，所述第一加強部形成在所述連接桿的與引線的連接側端部連接的區域，在所述連接桿主體的、位於在所述連接桿的長邊方向上相鄰的所述第一加強部之間的區域內，以將相鄰的所述第一加強部彼此連接的方式形成所述第二加強部。

第二實施方式的引線框架的製造方法中，優選對所述引線框架件中的所述引線的所述連接側端部的表面側進行半蝕刻，形成連接部主體以及寬度比所述連接部主體的寬度窄的第三加強部。此時，所述第三加強部與所述第一加強部或所述連接桿主體一體形成。

按照本實施方式的引線框架及其製造方法，連接桿具有連接桿主體、第一加強部和第二加強部。第二加強部把在所述連接桿的長邊方向上相鄰的第一加強部彼此連接，且寬度比連接桿主體的寬度窄。因此，可以維持連接桿的強度，並且減少切割除去的連接桿量（金屬量）。進而，第一加強部具有在其厚度方向凹陷的凹部。由於第一加強部的厚度相應地變薄，因而可以進一步減少切割除去的連接桿量。因此，不僅可以防止連接桿變形，並且可以抑制切割產生的切斷飛邊和旋轉刀具的磨損。其結果，由於提高了良好品質的半導體裝置的生產率，所以能經濟性良好地製造高品質的半導體裝置。

此外，連接桿上連接的引線的連接側端部可以在其連接部主體的表面側具有第三加強部。此時，第三加強部與第一加強部或連接桿主體一體化，且寬度比連接部主體的寬度窄。因此，可以進一步減少切割除去的部分。其結果，可以進一步提高抑制切斷飛邊和旋轉刀具磨損的效果。

以上之關於本揭露內容之說明及以下之實施方式之說明係用以示範與解釋本發明之精神與原理，並且提供本發明之專利申請範圍更進一步之解釋。

以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟習相關技藝者了解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技藝者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。以下之實施例係進一步詳細說明本發明之觀點，但非以任何觀點限制本發明之範疇。

接著，參照附圖說明本發明的更具體的實施方式，以供理解本發明。如圖1A～圖1E所示，本發明一個實施方式的引線框架10用於製造QFN型半導體裝置（以下也簡稱為半導體裝置）。所述引線框架10包含彼此鄰接配置的多個單位引線框架12、12。各個單位引線框架12在中央具有用於裝載半導體元件（IC晶片）的元件裝載部。引線（導體連接端子）11配置在所述元件裝載部的周圍（參照圖3A和圖3B）。以下具體說明引線框架10。

通過對以銅、銅合金或者實施了銅鍍層的鐵系合金為材料的板狀的引線框架件進行蝕刻加工，形成引線框架10。所述引線框架10包括在縱向、橫向或者縱橫方向彼此鄰接配置的多個單位引線框架12。而且，借助連接桿（框引線）13將各個單位引線框架12的引線11彼此連接。

多個引線11在元件裝載部的周圍間隔配置。所述引線11在表面和背面分別具有端子部14和端子部15。在半導體裝置中，裝載在元件裝載部的表面側的半導體元件和表面側的端子部14利用接合線而電連接。而且，背面側的端子部15與外部電連接。此外，連接桿13與元件裝載部間隔配置。所述連接桿13還連接有支承元件裝載部的支承引線（未圖示）（參照圖3A和圖3B）。

另外，單位引線框架12中的除了上述元件裝載部、引線11、連接桿13和支承引線以外的部分從表面側貫穿至背面側。通過對引線框架件的背面側進行半蝕刻而形成所述引線11的除了端子部15以外的部分和支承引線（以下也稱為引線11等）。另外，半蝕刻後的引線11等的厚度例如是引線框架件的厚度的30～70%（優選下限為40%，上限為60%）左右。

通常引線例如具有0.2毫米(mm)左右的寬度。形成為薄壁的部分的長邊方向的長度為0.3毫米(mm)左右（參照圖3A）。可是，如圖1A和圖1B所示，薄壁的部分例如具有0.5毫米(mm)以上的長度L時，如上所述，長引線類型的引線框架10容易產生變形（參照圖3B、圖4A和圖4B）。另外，長度L可以根據引線框架的種類進行各種變更。長度L的上限沒有特別限定，例如為1～2毫米(mm)左右。在此，如圖1B、圖1D和圖1E所示，在連接桿13的連接桿主體13a的背面側，第一加強部16和第二加強部17與連接桿主體13a一體化（即連接桿13中的除了第一加強部16和第二加強部17以外的部分成為連接桿主體13a）。

第一加強部16設置在連接桿13中的與引線11的連接側端部（包含端子部15）18連接的部分。該連接的部分是指連接桿13（連接桿主體13a）的長邊方向和引線11的長邊方向交叉的區域。此外，連接桿13的設有第一加強部16的部分（第一加強部16和連接桿主體13a）的斷面形狀是長方形。但是，所述斷面形狀也可以是正方形或者梯形。第一加強部16的厚度和連接桿主體13a的厚度的合計，與引線框架件的厚度相同（全金屬部）。在形成上述引線11等時，通過不對引線框架件進行半蝕刻，從而可以形成所述第一加強部16。

第二加強部17把在連接桿主體13a的長邊方向上相鄰的第一加強部16、16彼此連接。如圖1E所示，連接桿13的設有所述第二加強部17的部分（第二加強部17和連接桿主體13a）的斷面形狀呈凸狀。連接桿13在寬度方向兩側具有半蝕刻部（第一薄壁部）19、20。因此，第二加強部17的寬度比連接桿主體13a的寬度W1（第一加強部16的寬度）窄（例如是寬度W1的0.1～0.3倍左右）。而且，第二加強部17配置在連接桿主體13a的寬度方向中央部。另外，第二加強部也可以配置在從連接桿主體的寬度方向中央部觀察時的寬度方向的端部側。

第二加強部17的厚度與上述第一加強部16的厚度相同。第二加強部17的厚度和連接桿主體13a的厚度的合計，與引線框架件的厚度相同（全金屬部）。在形成上述的引線11等時，可以通過對引線框架件中的相當於連接桿13的寬度方向的兩端部側的區域進行半蝕刻，從而形成半蝕刻部19和半蝕刻部20，由此設置第二加強部17。

在本實施方式中，多個第二加強部17在連接桿13的長邊方向上配置成一條直線狀。但是，設置第二加強部17是為了維持連接桿13的強度，並且減少切割除去的連接桿13的量。因此，第二加強部17的配置位置沒有特別限定。因此，第二加強部17例如可以在連接桿13的寬度方向的兩端部側的一方局部錯開配置。

如此，通過在連接桿13上形成半蝕刻部19和半蝕刻部20，可以在連接桿主體13a上設置第一加強部16和第二加強部17。由此，可以維持連接桿13的強度，並且減少除去的連接桿13的量。可是，由於設置第一加強部16和第二加強部17，所以相比於沒有上述加強部的情況（參照圖2B），增加了除去的連接桿13的量。在此，為了減少除去的連接桿13的量，第一加強部16具有在其厚度方向凹陷的凹部21。如圖1D所示，連接桿13的配置所述凹部21的部分（第一加強部16的凹部21和連接桿主體13a）的斷面形狀呈凹狀。

可以通過進行上述半蝕刻，與引線11等一起形成凹部21。即，凹部21的深度與第一加強部16的厚度以及第二加強部17的厚度相同或略淺。此外，凹部21的寬度（連接桿13的寬度方向的寬度）在連接桿13的寬度W1（例如0.1～0.2毫米(mm)左右）以下。另外，也可以僅在配置第一加強部的連接桿13的表面側，即連接桿主體13a（厚度方向的一方的端部側）形成凹部。而且，也可以在配置第一加強部的連接桿的背面側和表面側雙方（厚度方向的兩端部側）形成凹部。

此外，在本實施方式中，凹部21在俯視時呈圓形（斷面為圓形）。但是，設置凹部21是為了減少切割除去的連接桿量。因此，凹部21的形狀沒有特別限定。因此，凹部21的形狀例如也可以是橢圓形、卵形或者多邊形等。

如圖1A和圖1C所示，第三加強部22一體地形成在引線11的連接側端部18中的連接部主體18a的表面側（即，連接側端部18中的除了第三加強部22以外的部分成為連接部主體18a）。連接側端部18的設有所述第三加強部22的部分（第三加強部22和連接部主體18a）的斷面形狀呈凸狀。引線11的連接側端部18在寬度方向的兩端部側具有半蝕刻部（第二薄壁部）23、24。由此，第三加強部22的寬度比連接部主體18a的寬度W2窄，而且第三加強部22配置在連接部主體18a的寬度方向中央部。另外，第三加強部也可以設在連接部主體的寬度方向的兩端部側的一方。

因此，第三加強部22所處部位的連接側端部18的厚度，與引線框架件（全金屬部）的厚度、上述第一加強部16的厚度和連接桿主體13a的厚度的合計、或者第二加強部17的厚度和連接桿主體13a的厚度的合計相同。另外，為了防止引線11相對於連接桿13彎曲，第三加強部22和連接桿主體13a一體化。因此，第三加強部22的寬度W3例如在0.02毫米(mm)以上且0.08毫米(mm)以下（優選下限為0.04毫米(mm)，上限為0.06毫米(mm)）。

在切割時，切割區域25（被雙點劃線夾著的區域）的邊緣（雙點劃線的位置）位於第三加強部22（半蝕刻部23和半蝕刻部24）。因此，為了能順利進行切割，可以考慮引線11和連接桿13與切割時的旋轉刀具的位置關係，來決定第三加強部22（半蝕刻部23和半蝕刻部24）的長度。

具體而言，將切割區域25的邊緣的位置作為基準，在其兩側設定連接桿13（連接桿主體13a）的寬度方向的端部的位置和引線11的薄壁部（除了連接側端部18）的位置。例如可以設定為從切割區域25的邊緣至連接桿13（連接桿主體13a）的寬度方向的端部的距離L1，以及從切割區域25的邊緣至引線11的薄壁部的距離L2，分別在0.05毫米(mm)以上（合計為0.1毫米(mm)以上）。另外，距離L1和距離L2各自的上限值沒有特別限定，例如為0.2毫米(mm)左右。

接著，參照圖1A～圖1E說明本發明一個實施方式的引線框架的製造方法。如上所述，製造的引線框架10用於製造QFN型半導體裝置。所述引線框架10包括在縱向、橫向或者縱橫方向彼此鄰接配置的多個單位引線框架12。單位引線框架12具有：用於在單位引線框架12的中央裝載半導體元件的元件裝載部；配置在所述元件裝載部的周圍的引線11；以及連接桿。以下，進一步具體說明所述引線框架10的製造方法。

對引線框架件進行蝕刻處理。在所述蝕刻處理時，以覆蓋引線框架件的表面側和背面側的不進行蝕刻的區域的方式，預先形成抗蝕膜（規定圖案的抗蝕膜）。在此，對於引線框架件中的除了配置所述元件裝載部、引線11、連接桿13和支承引線的區域以外的區域，引線框架件的表面側和背面側雙方都不形成抗蝕膜。由此，引線框架件被從表面側和背面側雙方進行蝕刻，蝕刻的區域從表面貫穿至背面。

此外，對於引線框架件中的形成連接桿13的區域，引線框架件的表面側和背面側的一部分形成抗蝕膜。因此，引線框架件背面側的未形成抗蝕膜的區域被半蝕刻。其結果，形成半蝕刻部19和半蝕刻部20。由此，可以形成連接桿主體13a。同時，可以在連接引線11的連接側端部18的區域，將第一加強部16和連接桿主體13a一體形成。而且，在連接桿13的長邊方向上相鄰的第一加強部16、16之間的區域內，與連接桿主體13a一體形成用於將相鄰的所述第一加強部16、16彼此連接的第二加強部17。在此，第二加強部17的寬度比連接桿主體13a的寬度窄。而且，也可以在第一加強部16（形成第一加強部16的區域）的厚度方向形成凹部21。此時，還可以形成元件裝載部，還能進一步形成引線11的各薄壁部和支承引線。

而且，在引線框架件中，對於形成引線11的向連接桿13連接的連接側端部18的區域，在引線框架件的表面側的一部分和背面側形成抗蝕膜。因此，引線框架件表面側的未形成抗蝕膜的區域被半蝕刻。其結果，形成半蝕刻部23和半蝕刻部24。由此，形成連接部主體18a。與此同時，可以形成與連接桿主體13a連續的第三加強部22，所述第三加強部22的寬度比連接部主體18a的寬度窄。利用以上的方法，完成引線框架10。

在使用所述引線框架10時，首先在元件裝載部裝載半導體元件，接著，利用接合線將半導體元件與引線11的端子部14電連接。而後，通過從引線框架10的表面側進行樹脂封裝，利用樹脂來封裝半導體元件等。此時，元件裝載部的背面和引線11的端子部15向外部露出。

通過利用旋轉刀具從所述樹脂封裝的引線框架的背面側（或表面側）對所述引線框架進行切割，可以使一體的多個QFN型半導體裝置單片化。綜上，通過採用本實施方式的引線框架及其製造方法，不僅防止了連接桿的變形，還可以抑制切割產生的切斷飛邊和旋轉刀具的磨損。其結果，由於提高了良好品質的半導體裝置的生產率，所以能夠經濟性良好地製造高品質的半導體產品。

以上說明了本發明的實施方式。但是，本發明不限於任何上述實施方式的記載所公開的結構。在由權利要求記載的內容所限定的技術範圍內，也包括處於所述範圍內的其他實施方式和變形例。例如，由組合上述各個實施方式和變形例的一部分或全部而構成的本實施方式的引線框架及其製造方法也包含在本發明的技術範圍內。在上述實施方式中，說明了形成第一加強部和第二加強部時，僅對連接桿的背面側進行半蝕刻的情況（使第一加強部和第二加強部僅向連接桿的背面側突出的情況）。可是，也可以僅對連接桿的表面側進行半蝕刻（使第一加強部和第二加強部僅向連接桿的表面側突出）。而且，也可以對連接桿的背面側和表面側雙方進行半蝕刻（使第一加強部和第二加強部向連接桿的背面側和表面側雙方突出）。另外，連接桿的表面側被半蝕刻（即，第一加強部和第二加強部形成在連接桿主體的表面側）時，第三加強部與第一加強部一體化。

此外，作為上述實施方式，說明了具有第三加強部的引線框架，所述第三加強部配置在引線的連接側端部的表面側。但是，如果沒有必要，也可以不設置第三加強部。此時，通過僅在引線框架的背面側配置第一加強部和第二加強部，從而不需要引線框架件的表面側的半蝕刻。而且，在上述實施方式中，說明了用旋轉刀具進行切割。但是，例如也可以採用鐳射進行切割。而且，在上述實施方式中，示意性表示了引線框架（單位引線框架）。因此，引線框架的形狀不限於由所述實施方式的記載所公開的形狀。

10‧‧‧引線框架11‧‧‧引線12‧‧‧單位引線框架13‧‧‧連接桿13a‧‧‧連接桿主體14、15‧‧‧端子部16‧‧‧第一加強部17‧‧‧第二加強部18‧‧‧連接側端部18a‧‧‧連接部主體19、20‧‧‧半蝕刻部21‧‧‧凹部22‧‧‧第三加強部23、24‧‧‧半蝕刻部25‧‧‧切割區域80‧‧‧連接桿81‧‧‧單位引線框架82‧‧‧引線83‧‧‧引線框架84‧‧‧內部引線85‧‧‧引線框架86‧‧‧內部引線87‧‧‧元件裝載部88‧‧‧連接桿

圖1A是表示本發明一個實施方式的引線框架的連接桿附近的表面側的俯視圖。圖1B是表示本發明一個實施方式的引線框架的連接桿附近的背面側的仰視圖。圖1C是圖1A的X1-X1箭頭方向的斷面圖。圖1D和圖1E分別是圖1B的X2-X2箭頭方向的斷面圖和X3-X3箭頭方向的斷面圖。圖2A是表示第一現有例的引線框架的連接桿附近的表面側的俯視圖。圖2B是表示第一現有例的引線框架的連接桿附近的背面側的仰視圖。圖3A和圖3B分別是表示第二現有例和第三現有例的引線框架所含的一個單位引線框架的背面側及其附近的仰視圖。圖4A是引線框架的側斷面圖，表示第三現有例的引線框架的連接桿附近的變形狀態。圖4B是表示引線框架的背面側的仰視圖，表示第三現有例的引線框架的連接桿附近的變形狀態。

10‧‧‧引線框架

11‧‧‧引線

12‧‧‧單位引線框架

13‧‧‧連接桿

13a‧‧‧連接桿主體

14、15‧‧‧端子部

16‧‧‧第一加強部

17‧‧‧第二加強部

18‧‧‧連接側端部

18a‧‧‧連接部主體

19、20‧‧‧半蝕刻部

21‧‧‧凹部

22‧‧‧第三加強部

23、24‧‧‧半蝕刻部

25‧‧‧切割區域

Claims

一種引線框架，包括：在縱向、橫向或者縱橫方向彼此鄰接配置的多個單位引線框架，該些單位引線框架具有：位於該些單位引線框架的中央的一元件裝載部；配置在該元件裝載部的周圍的多個引線，該些引線各具有一端子部和一連接側端部，該端子部位於該些引線的表面和背面；以及一連接桿，該連接桿包括一連接桿主體、一第一加強部和一第二加強部，該第二加強部的寬度比該連接桿主體的寬度窄，該第一加強部與該連接桿主體的背面側和/或表面側一體化，並與該些引線的該連接側端部連接，而且該第一加強部具有位於該第一加強部之中央部並在厚度方向凹陷的凹部，該第二加強部與該連接桿主體一體化，且把在該連接桿的長邊方向上相鄰的該第一加強部彼此連接，該連接桿將鄰接的該些單位引線框架的該些引線彼此連接。
一種引線框架，包括：在縱向、橫向或者縱橫方向彼此鄰接配置的多個單位引線框架，該些單位引線框架具有：位於該些單位引線框架的中央的一元件裝載部；配置在該元件裝載部的周圍的多個引線，該些引線各具有一端子部和一連接側端部，該端子部位於該些引線的表面和背面；以及一連接桿，該連接桿包括一連接桿主體、一第一加強部和一第二加強部，該第二加強部的寬度比該連接桿主體的寬度窄，該第一加強部與該連接桿主體的背面側和/或表面側一體化，並與該些引線的該連接側端部連接，而且該第一加強部具有在其厚度方向凹陷的凹部，該第二加強部與該連接桿主體一體化，且把在該連接桿的長邊方向上相鄰的該第一加強部彼此連接，該連接桿將鄰接的該些單位引線框架的該些引線彼此連接，其中該些引線的該連接側端部包括一連接部主體和一第三加強部，該第三加強部位於該連接部主體的表面側，且寬度比該連接部主體的寬度窄，該第三加強部與該第一加強部或該連接桿主體一體化。
如申請專利範圍第2項所述的引線框架，其中該第三加強部具有0.02毫米(mm)以上且0.08毫米(mm)以下的寬度。
如申請專利範圍第2項或第3項所述的引線框架，其中該第三加強部配置成與切割區域的邊緣交叉，該第三加強部的兩端分別與該切割區域的邊緣分開0.05毫米(mm)以上。
如申請專利範圍第1或2項所述的引線框架，該凹部的寬度在該連接桿主體的寬度以下。
一種引線框架的製造方法，包括：對引線框架件中的形成連接桿的區域的背面側和/或表面側進行半蝕刻，形成連接桿主體、第一加強部、位於該第一加強部之中央部並在該第一加強部上向其厚度方向凹陷的凹部以及寬度比該連接桿主體的寬度窄的第二加強部，該第一加強部形成在該連接桿的與引線的連接側端部連接的區域，在該連接桿主體的、位於在該連接桿的長邊方向上相鄰的該第一加強部之間的區域內，以將相鄰的該第一加強部彼此連接的方式形成該第二加強部。
一種引線框架的製造方法，包括：對引線框架件中的形成連接桿的區域的背面側和/或表面側進行半蝕刻，形成連接桿主體、第一加強部、在該第一加強部上向其厚度方向凹陷的凹部以及寬度比該連接桿主體的寬度窄的第二加強部，該第一加強部形成在該連接桿的與引線的連接側端部連接的區域，在該連接桿主體的、位於在該連接桿的長邊方向上相鄰的該第一加強部之間的區域內，以將相鄰的該第一加強部彼此連接的方式形成該第二加強部，其中對該引線框架件中的該引線的該連接側端部的表面側進行半蝕刻，形成連接部主體以及寬度比該連接部主體的寬度窄的第三加強部，該第三加強部與該第一加強部或該連接桿主體一體形成。