WO2017126393A1 - リードフレーム及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

コネクティングバーの変形を防止しながら、ダイシングによる切断バリと、回転刃物の磨耗とを抑制することにより、良好な品質の半導体装置の生産性を向上させ、高品質の半導体装置を経済的に製造可能とするリードフレーム及びその製造方法を提供する。縦、横、又は、縦横に互いに隣接している複数の単位リードフレーム１２を含むリードフレーム１０及びその製造方法が提供される。単位リードフレーム１２は、素子搭載部と、端子部１４および１５を有するリード１１と、コネクティングバー１３とを有する。リード１１は、前記素子搭載部の周囲に配置されている。前記隣接している単位リードフレーム１２のリード１１同士がコネクティングバー１３を介して互いに接続されている。前記コネクティングバー１３の本体１３ａには、前記リード１１の接続側端部１８に接続される第１の補強部１６と、コネクティングバーの長手方向に隣り合う前記第１の補強部１６同士を連結し、かつ、前記コネクティングバー本体１３ａよりも幅狭である第２の補強部１７とが、一体的に設けられている。前記第１の補強部１６は、その厚み方向に窪んだ凹部２１を有する。

Description

リードフレーム及びその製造方法

　本発明は、半導体装置の製造に用いられるリードフレーム及びその製造方法に関する。

　半導体装置としては、複数の半導体装置が一括して樹脂封止されているＭＡＰ（Mold Alley Process）タイプのＱＦＮ（Quad Flat Non-leaded）型半導体装置が知られている。このＱＦＮ型半導体装置に用いるリードフレームには、複数の単位リードフレームが、縦、横、又は、縦横に互いに隣接するように配置されている。そして、隣接している単位リードフレームのリード同士がコネクティングバーを介して互いに接続されている。なお、一括して樹脂封止されたＱＦＮ型半導体装置は、樹脂封止後に、個片化される。この個片化は、例えば、隣接しているＱＦＮ型半導体装置を、回転刃物によってダイシングすることにより行われる。

　しかし、ダイシングの際には、コネクティングバーの除去時に切断バリ、あるいは、回転刃物の磨耗が生じる。このため、これを抑制するため、図２Ａ、および、図２Ｂに示すように、コネクティングバー８０の裏面側または表面側は、ハーフエッチングにより、薄肉にされている（例えば、特開２００１－３２０００７号公報参照）。なお、符号８１は、単位リードフレームである。符号８２は、リードである。図２Ｂ中のハッチングで描いている部分は、ハーフエッチングされた箇所を示す。二点鎖線は、回転刃物で切断されるダイシングラインを示す。このダイシングラインで挟まれた部位が、ダイシングによって除去される部位である（他の図も同様）。

　また、ＱＦＮ型半導体装置に用いるリードフレームとしては、図３Ｂに示すように、図３Ａに示す通常のＱＦＮ型半導体装置に用いるリードフレーム８３と比較して、より長いインナーリード８４を有するロングリードタイプのリードフレーム８５が知られている。なお、図３Ａおよび図３Ｂは、それぞれリードフレーム８３および８５の裏面側を示している。図３Ａ中の符号８６は、リードフレーム８３に含まれる単位リードフレームのインナーリードである。また、インナーリード８６および８４は、共に、ハーフエッチングによって薄肉となっている。

　リードフレーム８５に含まれる単位リードフレームにおいては、ＩＣチップ（半導体素子）を載置するパッド（素子搭載部）８７と、インナーリード８４と、の距離が短くなる。そのため、ＩＣチップとインナーリード８４とを電気的に接合するボンディングワイヤー（図示しない）を短くすることができる。これにより、樹脂封止の際のワイヤー流れによる短絡を防止できる利点がある。さらに、ボンディングワイヤーの使用量の減少に伴う材料コストの削減が可能となる利点もある。

特開２００１－３２０００７号公報

　ロングリードタイプのリードフレーム８５においては、切断バリの発生を抑制するため、コネクティングバー８８が薄肉であり、そして、インナーリード８４が長い。そのため、図４Ａに示すように、コネクティングバー８８を基点として、板厚方向にリードフレーム８５が変形しやすい。また、図４Ｂに示すように、コネクティングバー８８が水平面内で湾曲しやすい。このように、リードフレーム８５が変形し易い状況が生ずる。なお、コネクティングバーを薄肉にすることなく、切断バリの発生を抑制するために、ダイシング速度を落して生産するという対策を採用することも考えられる。しかし、この場合、ＱＦＮ型半導体装置の生産性が低下する。

　本発明はかかる事情に鑑みてなされた。本発明の目的は、コネクティングバーの変形を防止しながら、ダイシングによる切断バリと、回転刃物の磨耗とを抑制できるリードフレーム及びその製造方法を提供することにある。本発明に依れば、良好な品質の半導体装置の生産性が向上するので、高品質の半導体装置を経済的に製造することができる。

　前記目的に沿う第１の実施形態に係るリードフレームは、縦、横、又は、縦横に互いに隣接するように配置されている複数の単位リードフレームを含み、
　前記単位リードフレームは、その中央に素子搭載部と、前記素子搭載部の周囲に配置されているリードと、コネクティングバーとを有し、
　前記リードは、その表裏に端子部と、接続側端部とを有し、
　前記隣接している前記単位リードフレームの前記リード同士が、コネクティングバーを介して、互いに接続されており、
　前記コネクティングバーは、コネクティングバー本体と、第１の補強部と、前記コネクティングバー本体よりも幅狭である第２の補強部と、を含み、
　前記第１の補強部は、前記コネクティングバー本体の裏面側および／または表面側と一体化されており、前記リードの前記接続側端部に接続されており、さらに、その厚み方向に窪んでいる凹部を有し、前記第２の補強部は、前記コネクティングバー本体と一体化されており、かつ、前記コネクティングバーの前記長手方向に隣り合う第１の補強部同士を連結している。

　第１の実施形態に係るリードフレームにおいて、前記リードの前記接続側端部は、接続部本体と、前記接続部本体の表面側に、前記接続部本体よりも幅狭である第３の補強部を含んでいてもよい。この場合、前記第３の補強部は、前記第１の補強部又は前記コネクティングバー本体と一体化している。ここで、前記第３の補強部は、０．０２ｍｍ以上、０．０８ｍｍ以下幅を有してもよい。また、前記第３の補強部は、ダイシングする際のダイシング領域の端と交差するように配置されており、前記第３の補強部の両端は、それぞれ、前記ダイシング領域の端から、０．０５ｍｍ以上隔離されていてもよい。

　第１の実施形態に係るリードフレームにおいて、前記凹部の幅は、好ましくは、前記コネクティングバー本体の幅以下である。

　前記目的に沿う第２の実施形態に係る、第１の実施形態に係るリードフレームの製造方法は、リードフレーム材のうち、コネクティングバーが形成される領域の裏面側及び／または表面側をハーフエッチングして、コネクティングバー本体と、第１の補強部と、前記第１の補強部にその厚み方向に窪んでいる凹部と、前記コネクティングバー本体よりも幅狭である第２の補強部とを形成することを含み、前記第１の補強部は、前記コネクティングバーの、リードの接続側端部が接続される領域に形成され、前記第２の補強部は、前記コネクティングバー本体の、前記コネクティングバーの長手方向に隣り合う前記第１の補強部間の領域に、前記隣り合う第１の補強部同士を連結するように、形成される。

　第２の実施形態に係るリードフレームの製造方法は、前記リードフレーム材のうち、前記リードの前記接続側端部の表面側をハーフエッチングすることにより、接続部本体と、前記接続部本体よりも幅狭である第３の補強部と、を形成することを含んでいてもよい。この場合、前記第３の補強部は、前記第１の補強部又は前記コネクティングバー本体と一体的に形成される。

　本実施形態に係るリードフレーム及びその製造方法によれば、コネクティングバーは、コネクティングバー本体と、第１の補強部と、第２の補強部とを有する。第２の補強部は、前記コネクティングバーの長手方向に隣り合う第１の補強部同士を連結し、かつ、コネクティングバー本体よりも幅狭である。そのため、コネクティングバーの強度を維持しながら、ダイシングによって除去されるコネクティングバー量（金属量）を減らすことができる。更に、第１の補強部は、その厚み方向に窪んでいる凹部を有する。その分、第１の補強部の厚みが薄くなるため、ダイシングによって除去されるコネクティングバー量を更に減らすことができる。従って、コネクティングバーの変形を防止しながら、ダイシングによる切断バリと、回転刃物の磨耗とを抑制することができる。その結果、良好な品質の半導体装置の生産性が向上するので、高品質の半導体装置を経済的に製造することができる。

　また、コネクティングバーに接続される、リードの接続側端部は、その接続部本体の表面側に、第３の補強部を有してもよい。その場合、第３の補強部は、第１の補強部又はコネクティングバー本体と一体化しており、かつ、接続部本体よりも幅狭である。そのため、ダイシングによって除去する部分を更に減らすことができる。その結果、切断バリ、および、回転刃物の磨耗を抑制する効果を、更に高めることができる。

　図１Ａは、本開示の一実施形態に係るリードフレームのコネクティングバー近傍の表面側を示す平面図である。
　図１Ｂは、本開示の一実施形態に係るリードフレームのコネクティングバー近傍の裏面側を示す底面図である。
　図１Ｃは、図１ＡのＸ１－Ｘ１矢視断面図である。
　図１Ｄおよび図１Ｅは、それぞれ、図１ＢのＸ２－Ｘ２矢視断面図、および、Ｘ３－Ｘ３矢視断面図である。
　図２Ａは、第１の従来例に係るリードフレームのコネクティングバー近傍の表面側を示す平面図である。
　図２Ｂは、第１の従来例に係るリードフレームのコネクティングバー近傍の裏面側を示す底面図である。
　図３Ａおよび図３Ｂは、それぞれ、第２および第３の従来例に係るリードフレームに含まれる一の単位リードフレームの裏面側およびその近傍を示す底面図である。
　図４Ａは、第３の従来例に係るリードフレームのコネクティングバー近傍の変形状態を示す、リードフレームの側断面図である。
　図４Ｂは、第３の従来例に係るリードフレームのコネクティングバー近傍の変形状態を示す、リードフレームの裏面側を示す底面図である。

　続いて、本開示のより具体的な実施の形態について、添付図面を参照しつつ説明することにより、本発明の理解に供する。図１Ａ～図１Ｅに示すように、本開示の一実施形態に係るリードフレーム１０は、ＱＦＮ型半導体装置（以下、単に半導体装置ともいう）を製造するために用いられる。このリードフレーム１０は、互いに隣接するように配置されている複数の単位リードフレーム１２および１２を含む。それぞれの単位リードフレーム１２は、その中央に半導体素子（ＩＣチップ）を搭載するための素子搭載部を有する。この素子搭載部の周囲には、リード（導体接続端子）１１が配置されている（図３Ａおよび図３Ｂを参照）。以下、リードフレーム１０についてさらに詳しく説明する。

　リードフレーム１０は、銅、銅合金、又は、銅めっきが施された鉄系合金を素材とする板状のリードフレーム材をエッチング加工することにより形成される。このリードフレーム１０は、縦、横、又は、縦横に互いに隣接するように配置されている複数の単位リードフレーム１２を含む。そして、それぞれの単位リードフレーム１２のリード１１同士が、コネクティングバー（枠リード）１３を介して互いに接続されている。

　複数のリード１１は、素子搭載部の周囲に間隔を有して配置されている。このリード１１は、その表と裏とに、それぞれ端子部１４と、端子部１５とを有する。半導体装置においては、素子搭載部の表面側に搭載された半導体素子と、表面側の端子部１４とが、ボンディングワイヤーによって電気的に接合される。そして、裏面側の端子部１５と外部とが、電気的に接合される。また、素子搭載部と間隔を有して、コネクティングバー１３が配置されている。このコネクティングバー１３には、素子搭載部を支持する支持リード（図示しない）も連結されている（図３Ａおよび図３Ｂを参照）。

　なお、単位リードフレーム１２のうち、上記した素子搭載部、リード１１、コネクティングバー１３、及び、支持リード、を除いた部分は、表面側から裏面側まで貫通している。このリード１１の端子部１５を除いた部分と、支持リード（以下、リード１１等ともいう）とは、リードフレーム材の裏面側をハーフエッチングすることにより形成される。なお、ハーフエッチング後のリード１１等の厚みは、例えば、リードフレーム材の厚みの３０～７０％（好ましくは、下限が４０％、上限が６０％）程度である。

　通常リードは、例えば、０．２ｍｍ程度の幅を有する。薄肉にした部分の長手方向の長さは、０．３ｍｍ程度である（図３Ａを参照）。しかし、図１Ａおよび図１Ｂに示すように、薄肉の部分が、例えば、０．５ｍｍ以上の長さＬを有する場合、ロングリードタイプのリードフレーム１０には、前記したように、変形が生じ易い（図３Ｂ、図４Ａ、および図４Ｂ参照）。なお、長さＬは、リードフレームの種類に応じて種々変更することができる。その上限は、特に限定されず、例えば、１～２ｍｍ程度である。そこで、図１Ｂ、図１Ｄ、および図１Ｅに示すように、コネクティングバー１３のコネクティングバー本体１３ａの裏面側で、第１の補強部１６、および、第２の補強部１７が、コネクティングバー本体１３ａと一体化している（即ち、コネクティングバー１３のうち、第１の補強部１６、および、第２の補強部１７を除いた部分がコネクティングバー本体１３ａとなる）。

　第１の補強部１６は、コネクティングバー１３のうち、リード１１の接続側端部（端子部１５を含む）１８が接続される部分に、設けられている。この接続される部分とは、コネクティングバー１３（コネクティングバー本体１３ａ）の長手方向と、リード１１の長手方向とが交差する領域である。また、第１の補強部１６が設けられた部分のコネクティングバー１３（第１の補強部１６およびコネクティングバー本体１３ａ）の断面形状は、長方形状である。ただし、この断面形状は、正方形状あるいは台形状であってもよい。第１の補強部１６の厚みと、コネクティングバー本体１３ａの厚みとの合計は、リードフレーム材の厚みと同等（フルメタル部）である。この第１の補強部１６は、上記したリード１１等の形成に際し、リードフレーム材をハーフエッチングしないことにより、形成することができる。

　第２の補強部１７は、コネクティングバー本体１３ａの長手方向に隣り合う第１の補強部１６および１６同士を連結している。この第２の補強部１７が設けられた部分のコネクティングバー１３（第２の補強部１７およびコネクティングバー本体１３ａ）の断面形状は、図１Ｅに示すように、凸状となっている。コネクティングバー１３は、その幅方向両側にハーフエッチング部（第１の薄肉部）１９および２０を有する。そのため、第２の補強部１７は、コネクティングバー本体１３ａの幅Ｗ１（第１の補強部１６の幅）よりも幅狭（例えば、幅Ｗ１の０．１～０．３倍程度）である。さらに、第２の補強部１７は、コネクティングバー本体１３ａの幅方向中央部に配置されている。なお、第２の補強部は、コネクティングバー本体の幅方向中央部から見てその幅方向の端部側に配置することもできる。

　第２の補強部１７の厚みは、上記した第１の補強部１６の厚みと同等である。第２の補強部１７の厚みと、コネクティングバー本体１３ａの厚みとの合計は、リードフレーム材の厚みと同等（フルメタル部）である。上記したリード１１等の形成に際し、リードフレーム材のうち、コネクティングバー１３の幅方向の両端部側に該当する領域をハーフエッチングして、ハーフエッチング部１９および２０を形成することにより、第２の補強部１７を設けることができる。

　本実施形態においては、複数の第２の補強部１７が、コネクティングバー１３の長手方向に一直線状に配置されている。ただし、第２の補強部１７は、コネクティングバー１３の強度を維持すると共に、ダイシングによって除去するコネクティングバー１３の量を減らすために設けられる。そのため、その配置される位置は、特に限定されない。従って、第２の補強部１７は、例えば、コネクティングバー１３の幅方向の両端部側の一方に、部分的にずらして配置されてもよい。

　このように、コネクティングバー１３にハーフエッチング部１９および２０を形成することにより、コネクティングバー本体１３ａに第１の補強部１６、および、第２の補強部１７を設けることができる。これにより、コネクティングバー１３の強度を維持すると共に、除去するコネクティングバー１３の量を減らすことができる。しかし、第１の補強部１６、および、第２の補強部１７を設けることにより、これらの補強部がない場合（図２Ｂを参照）と比較して、除去するコネクティングバー１３の量が増加する。そこで、除去するコネクティングバー１３の量を減らすため、第１の補強部１６は、その厚み方向に窪んでいる凹部２１を有する。この凹部２１が配置されている部分のコネクティングバー１３（第１の補強部１６の凹部２１およびコネクティングバー本体１３ａ）の断面形状は、図１Ｄに示すように、凹状となっている。

　凹部２１は、上記したハーフエッチングをすることにより、リード１１等と共に形成することができる。即ち、凹部２１の深さは、第１の補強部１６の厚み、および、第２の補強部１７の厚みと同等か、僅かに浅くなっている。また、凹部２１の幅（コネクティングバー１３の幅方向の幅）は、コネクティングバー１３の幅Ｗ１（例えば、０．１～０．２ｍｍ程度）以下である。なお、凹部を、第１の補強部が配置されているコネクティングバー１３の表面側、即ちコネクティングバー本体１３ａ（厚み方向の一方の端部側）のみに形成することもできる。さらに、凹部を、第１の補強部が配置されているコネクティングバーの裏面側および表面側の両方（厚み方向の両端部側）に形成することもできる。

　また、本実施の形態においては、凹部２１は、平面視して円形（断面円形）にしている。ただし、凹部２１は、ダイシングによって除去するコネクティングバー量を減らすために設けられる。そのため、その形状は特に限定されない。従って、その形状を、例えば、楕円形、卵形、あるいは多角形等にすることもできる。

　図１Ａおよび図１Ｃに示すように、リード１１の接続側端部１８のうち、接続部本体１８ａの表面側に、第３の補強部２２が一体化している（即ち、接続側端部１８のうち、第３の補強部２２を除いた部分が接続部本体１８ａとなる）。この第３の補強部２２が設けられた部分の接続側端部１８（第３の補強部２２および接続部本体１８ａ）の断面形状は、凸状となっている。リード１１の接続側端部１８は、その幅方向の両端部側にハーフエッチング部（第２の薄肉部）２３および２４を有する。これにより、第３の補強部２２は、接続部本体１８ａの幅Ｗ２よりも幅狭となっており、さらに、接続部本体１８ａの幅方向中央部に配置されている。なお、第３の補強部は、接続部本体の幅方向の両端部側の一方に設けることもできる。

　従って、第３の補強部２２が位置する接続側端部１８の厚みは、リードフレーム材（フルメタル部）の厚み、上記第１の補強部１６の厚みとコネクティングバー本体１３ａの厚みとの合計、あるいは、第２の補強部１７の厚みとコネクティングバー本体１３ａの厚みとの合計と、同等である。なお、第３の補強部２２は、コネクティングバー１３に対するリード１１の曲がりを防止するため、コネクティングバー本体１３ａと一体化している。このため、第３の補強部２２の幅Ｗ３は、例えば、０．０２ｍｍ以上０．０８ｍｍ以下（好ましくは、下限が０．０４ｍｍ、上限が０．０６ｍｍ）であるのがよい。

　第３の補強部２２（ハーフエッチング部２３および２４）には、ダイシングする際に、ダイシング領域２５（二点鎖線で挟まれた領域）の端（二点鎖線の位置）が位置する。そのため、第３の補強部２２（ハーフエッチング部２３および２４）の長さは、スムーズにダイシングすることができるように、リード１１及びコネクティングバー１３と、ダイシングする際の回転刃物との位置関係を考慮して決定することができる。

　具体的には、ダイシング領域２５の端の位置を基準として、その両側に、コネクティングバー１３（コネクティングバー本体１３ａ）の幅方向の端部の位置、および、リード１１の薄肉部（接続側端部１８を除く）の位置が、設定される。例えば、ダイシング領域２５の端からコネクティングバー１３（コネクティングバー本体１３ａ）の幅方向の端部までの距離Ｌ１と、ダイシング領域２５の端からリード１１の薄肉部までの距離Ｌ２を、それぞれ０．０５ｍｍ以上（合計０．１ｍｍ以上）に設定することができる。なお、距離Ｌ１およびＬ２の各上限値は、特に限定されず、例えば、０．２ｍｍ程度である。

　続いて、本開示の一実施形態に係るリードフレームの製造方法について、図１Ａ～図１Ｅを参照しながら説明する。前記したように、製造するリードフレーム１０は、ＱＦＮ型半導体装置を製造するために用いられる。このリードフレーム１０は、縦、横、又は、縦横に互いに隣接するように配置されている複数の単位リードフレーム１２を含む。単位リードフレーム１２は、その中央に半導体素子を搭載するための素子搭載部と、その素子搭載部の周囲に配置されているリード１１と、コネクティングバーとを有する。以下、このリードフレーム１０の製造方法についてさらに詳しく説明する。

　リードフレーム材に対して、エッチング処理が行われる。このエッチング処理に際しては、リードフレーム材の表面側および裏面側のエッチングを行わない領域を覆うように、レジスト膜（所定パターンのレジスト膜）を、予め形成しておく。ここで、リードフレーム材のうち、前記した素子搭載部、リード１１、コネクティングバー１３、及び、支持リードが配置されている領域を除いた領域については、リードフレーム材の表面側および裏面側の双方のいずれにもレジスト膜が形成されない。これにより、リードフレーム材は、表面側および裏面側の双方からエッチングされて、エッチングされた領域が、表面から裏面まで貫通する。

　また、リードフレーム材のうち、コネクティングバー１３が形成される領域については、リードフレーム材の表面側および裏面側の一部にレジスト膜が形成される。このため、リードフレーム材裏面側のレジスト膜が形成されていない領域がハーフエッチングされる。その結果、ハーフエッチング部１９および２０が形成される。これにより、コネクティングバー本体１３ａを形成することができる。それと共に、リード１１の接続側端部１８が接続される領域に、第１の補強部１６をコネクティングバー本体１３ａと一体的に形成することができる。さらに、コネクティングバー１３の長手方向に隣り合う第１の補強部１６および１６間の領域に、当該隣り合う第１の補強部１６および１６同士を連結する、第２の補強部１７を、コネクティングバー本体１３ａに一体的に形成することができる。ここで、第２の補強部１７は、コネクティングバー本体１３ａよりも幅狭である。更に、第１の補強部１６（第１の補強部１６が形成される領域）の厚み方向に凹部２１も形成することができる。このとき、素子搭載部、さらに、リード１１の各薄肉部および支持リードも形成することができる。

　そして、リードフレーム材のうち、リード１１のコネクティングバー１３への接続側端部１８が形成される領域については、リードフレーム材の表面側の一部および裏面側には、レジスト膜が形成される。このため、リードフレーム材表面側のレジスト膜が形成されていない領域がハーフエッチングされる。その結果、ハーフエッチング部２３および２４が形成される。これにより、接続部本体１８ａが形成される。それと共に、コネクティングバー本体１３ａに連続する、接続部本体１８ａよりも幅狭の第３の補強部２２を形成することができる。以上の方法により、リードフレーム１０が完成する。

　このリードフレーム１０の使用にあたっては、まず、半導体素子が素子搭載部に搭載され、次いで、ボンディングワイヤーによって半導体素子と、リード１１の端子部１４とが電気的に接続される。そして、リードフレーム１０の表面側から樹脂封止を行うことにより、半導体素子等が樹脂によって封止される。このとき、素子搭載部の裏面およびリード１１の端子部１５は、外部に露出される。

　この樹脂封止されたリードフレームを、その裏面側（又は表面側）から、回転刃物でダイシングすることにより、一体となった複数のＱＦＮ型半導体装置を個片化することができる。以上のことから、本実施形態のリードフレーム及びその製造方法を用いることにより、コネクティングバーの変形を防止しながら、ダイシングによる切断バリと、回転刃物の磨耗とを抑制することができる。その結果、良好な品質の半導体装置の生産性が向上するので、高品質の半導体製品を経済的に製造することができる。

　以上、本開示の実施の形態を説明した。ただし、本実施形態は、何ら上記実施形態についての記載により開示された構成に限定されない。特許請求の範囲に記載されている事項により規定される技術的範囲には、当該範囲内で考え得る、他の実施形態および変形例も含まれる。例えば、前記したそれぞれの実施形態および変形例の一部又は全部を組合せることにより構成される本実施形態のリードフレーム及びその製造方法も本発明の技術的範囲に含まれる。前記実施の形態においては、第１および第２の補強部の形成に際し、コネクティングバーの裏面側のみをハーフエッチングした場合（第１および第２の補強部をコネクティングバーの裏面側のみに突出させた場合）について説明した。しかし、コネクティングバーの表面側のみをハーフエッチングしても（第１および第２の補強部をコネクティングバーの表面側のみに突出させても）よい。さらに、コネクティングバーの裏面側および表面側の両方をハーフエッチングしても（第１および第２の補強部をコネクティングバーの裏面側および表面側の両方に突出させても）よい。なお、コネクティングバーの表面側がハーフエッチングされる（即ち、第１および第２の補強部がコネクティングバー本体の表面側に形成される）場合は、第３の補強部が第１の補強部と一体化することになる。

　また、前記実施形態として、リードの接続側端部の表面側に配置されている第３の補強部を有するリードフレームについて説明した。ただし、第３の補強部は、必要が無ければ、設けなくてもよい。この場合、第１および第２の補強部をリードフレームの裏面側のみに配置することにより、リードフレーム材の表面側のハーフエッチングが不要となる。そして、前記実施形態においては、回転刃物を用いて行うダイシングについて説明した。ただし、例えば、レーザ等を用いてダイシングを行ってもよい。更に、前記実施形態においては、リードフレーム（単位リードフレーム）は、模式的に表示されている。そのため、リードフレームの形状は、前記した実施形態についての記載により開示された形状に限定されない。

　本国際出願は、２０１６年１月１９日に出願された日本国特許出願である特願２０１６－００８０４５号に基づく優先権を主張するものであり、当該日本国特許出願である特願２０１６－００８０４５号の全内容は、本国際出願に援用される。

　本発明の特定の実施の形態についての上記説明は、例示を目的として提示したものである。それらは、網羅的であったり、記載した形態そのままに本発明を制限したりすることを意図したものではない。数多くの変形や変更が、上記の記載内容に照らして可能であることは当業者に自明である。

１０：リードフレーム
１１：リード
１２：単位リードフレーム
１３：コネクティングバー
１３ａ：コネクティングバー本体
１４、１５：端子部
１６：第１の補強部
１７：第２の補強部
１８：接続側端部
１８ａ：接続部本体
１９、２０：ハーフエッチング部
２１：凹部
２２：第３の補強
２３、２４：ハーフエッチング部
２５：ダイシング領域

 

Claims (7)

1. 　縦、横、又は、縦横に互いに隣接するように配置されている複数の単位リードフレームを含み、
   　前記単位リードフレームは、その中央に素子搭載部と、前記素子搭載部の周囲に配置されているリードと、コネクティングバーとを有し、
   　前記リードは、その表裏に端子部と、接続側端部とを有し、
   　前記隣接している単位リードフレームの前記リード同士が、前記コネクティングバーを介して、互いに接続されており、
   　前記コネクティングバーは、コネクティングバー本体と、第１の補強部と、前記コネクティングバー本体よりも幅狭である第２の補強部と、を含み、
   　前記第１の補強部は、前記コネクティングバー本体の裏面側および／または表面側と一体化されており、前記リードの前記接続側端部に接続されており、さらに、その厚み方向に窪んでいる凹部を有し、
   　前記第２の補強部は、前記コネクティングバー本体と一体化されており、かつ、前記コネクティングバーの長手方向に隣り合う前記第１の補強部同士を連結している、
   リードフレーム。
2. 　前記リードの前記接続側端部は、接続部本体と、前記接続部本体の表面側にある、前記接続部本体よりも幅狭である第３の補強部とを、含み、
   　前記第３の補強部は、前記第１の補強部又は前記コネクティングバー本体と一体化している、
   請求項１に記載のリードフレーム。
3. 　前記第３の補強部は、０．０２ｍｍ以上、０．０８ｍｍ以下の幅を有する、請求項２に記載のリードフレーム。
4. 　前記第３の補強部は、ダイシング領域の端と交差するように配置されており、
   　前記第３の補強部の両端は、それぞれ、前記ダイシング領域の端から、０．０５ｍｍ以上隔離されている、請求項２又は３記載のリードフレーム。
5. 　前記凹部の幅は、前記コネクティングバー本体の幅以下である請求項１～４のいずれか１項に記載のリードフレーム。
6. 　リードフレーム材のうち、コネクティングバーが形成される領域の裏面側及び／または表面側をハーフエッチングして、コネクティングバー本体と、第１の補強部と、前記第１の補強部にその厚み方向に窪んでいる凹部と、前記コネクティングバー本体よりも幅狭である第２の補強部とを形成することを含み、
   　前記第１の補強部は、前記コネクティングバーの、リードの接続側端部が接続される領域に形成され、
   　前記第２の補強部は、前記コネクティングバー本体の、前記コネクティングバーの長手方向に隣り合う前記第１の補強部間の領域に、前記隣り合う第１の補強部同士を連結するように、形成される、
   請求項１～５のいずれか１項に記載のリードフレームの製造方法。
7. 　前記リードフレーム材のうち、前記リードの前記接続側端部の表面側をハーフエッチングすることにより、接続部本体と、前記接続部本体よりも幅狭である第３の補強部と、を形成することを含み、
   　前記第３の補強部は、前記第１の補強部又は前記コネクティングバー本体と一体的に形成される、
   請求項６記載のリードフレームの製造方法。
   
    

Images