KR102216011B1 - 분리가능한 고 저항률 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드 - Google Patents

분리가능한 고 저항률 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드 Download PDF

Info

Publication number
KR102216011B1
KR102216011B1 KR1020197026534A KR20197026534A KR102216011B1 KR 102216011 B1 KR102216011 B1 KR 102216011B1 KR 1020197026534 A KR1020197026534 A KR 1020197026534A KR 20197026534 A KR20197026534 A KR 20197026534A KR 102216011 B1 KR102216011 B1 KR 102216011B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
gas distribution
distribution plate
showerhead
process chamber
chamber
Prior art date
Application number
KR1020197026534A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20190107194A (ko
Inventor
제이슨 델라 로사
하미드 누바크쉬
블라디미르 니아지크
지수 김
원석 이
우사마 다두
Original Assignee
어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 filed Critical 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드
Publication of KR20190107194A publication Critical patent/KR20190107194A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102216011B1 publication Critical patent/KR102216011B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/3244—Gas supply means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/6715—Apparatus for applying a liquid, a resin, an ink or the like
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/32807—Construction (includes replacing parts of the apparatus)
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01J—ELECTRIC DISCHARGE TUBES OR DISCHARGE LAMPS
    • H01J37/00—Discharge tubes with provision for introducing objects or material to be exposed to the discharge, e.g. for the purpose of examination or processing thereof
    • H01J37/32—Gas-filled discharge tubes
    • H01J37/32431—Constructional details of the reactor
    • H01J37/32798—Further details of plasma apparatus not provided for in groups H01J37/3244 - H01J37/32788; special provisions for cleaning or maintenance of the apparatus
    • H01J37/3288—Maintenance
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2221/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof covered by H01L21/00
    • H01L2221/67—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L2221/683—Apparatus for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Analytical Chemistry (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Drying Of Semiconductors (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

분리가능한 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드들의 실시예들이 본원에서 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 반도체 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 샤워헤드는, 제 1 측(side) 및 제 1 측에 대향하는(opposing) 제 2 측을 갖는 베이스; 베이스의 제 2 측에 근접하게 배치된 가스 분배 플레이트 ― 가스 분배 플레이트는, 약 60 ohm-cm 내지 90 ohm-cm의 전기 저항률(electrical resistivity)을 갖는 재료로 형성됨 ― ; 가스 분배 플레이트를 베이스에 제거가능하게 커플링시키기 위해 가스 분배 플레이트의 주변 에지(peripheral edge) 주위에 배치된 클램프; 및 베이스와 가스 분배 플레이트 사이의 갭(gap)에 배치된 열 개스킷(thermal gasket)을 포함할 수 있다.

Description

분리가능한 고 저항률 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드{SHOWERHEAD HAVING A DETACHABLE HIGH RESISTIVITY GAS DISTRIBUTION PLATE}
[0001] 본 개시내용의 실시예들은 일반적으로, 반도체 프로세싱 장비에 관한 것이다.
[0002] 반도체 프로세스 챔버들(예를 들어, 증착 챔버들, 에칭 챔버들 등)에서 활용되는 통상의 샤워헤드들은 전형적으로, 베이스에 영구적으로 본딩된(bonded) 가스 분배 플레이트를 포함한다. 가스 분배 플레이트는, 플라즈마 프로세스들 동안의 플라즈마에 대한 노출에 의해 야기되는 열화(degradation)로 인해, 주기적으로 교체된다. 하지만, 본 발명자들은, 가스 분배 플레이트가 베이스에 영구적으로 본딩되어 있기 때문에, 가스 분배 플레이트를 교체하기 위해서는 전체 샤워헤드 어셈블리가 교체되며, 그에 따라, 교체 프로세스를 비용이 많이 들게 만든다는 것을 관찰하였다. 또한, 높은 소스 전력 프로세스가, 낮은 전기 저항률(electrical resistivity)(예를 들어, 0.005 - 0.015 ohm-cm)을 갖는 가스 분배 플레이트들을 사용하여 수행되는 응용예들에서는, 아킹(arcing)이 관찰되었다.
[0003] 따라서, 본 발명자들은 분리가능한 가스 분배 플레이트를 갖는 개선된 샤워헤드의 실시예들을 제공하였다.
[0004] 분리가능한 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드들의 실시예들이 본원에서 제공된다. 몇몇 실시예들에서, 반도체 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 샤워헤드는, 제 1 측(side) 및 제 1 측에 대향하는(opposing) 제 2 측을 갖는 베이스; 베이스의 제 2 측에 근접하게 배치된 가스 분배 플레이트 ― 가스 분배 플레이트는, 약 60 ohm-cm 내지 90 ohm-cm의 전기 저항률을 갖는 재료로 형성됨 ― ; 가스 분배 플레이트를 베이스에 제거가능하게 커플링시키기 위해 가스 분배 플레이트의 주변 에지(peripheral edge) 주위에 배치된 클램프; 및 베이스와 가스 분배 플레이트 사이의 갭(gap)에 배치된 열 개스킷(thermal gasket)을 포함할 수 있다.
[0005] 몇몇 실시예들에서, 프로세스 챔버는, 챔버 본체 ― 챔버 본체는, 챔버 본체의 내측 용적(inner volume) 내에 배치된 기판 지지부를 가짐 ―; 및 기판 지지부 맞은편에(opposite), 챔버 본체의 내측 용적 내에 배치된 샤워헤드를 포함할 수 있다. 샤워헤드는: 제 1 측 및 제 1 측에 대향하는 제 2 측을 갖는 베이스 ― 베이스의 제 1 측은 프로세스 챔버의 컴포넌트에 커플링됨 ― ; 베이스의 제 2 측에 근접하게 배치된 가스 분배 플레이트 ― 가스 분배 플레이트는, 약 60 ohm-cm 내지 90 ohm-cm의 전기 저항률을 갖는 재료로 형성됨 ― ; 가스 분배 플레이트를 베이스에 제거가능하게 커플링시키기 위해 가스 분배 플레이트의 주변 에지 주위에 배치된 클램프; 및 베이스와 가스 분배 플레이트 사이의 갭에 배치된 열 개스킷을 포함한다.
[0006] 몇몇 실시예들에서, 반도체 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 샤워헤드는, 제 1 측 및 제 1 측에 대향하는 제 2 측을 갖는 베이스 ― 제 2 측은 불화이트륨 코팅(yttrium fluoride coating)을 포함함 ― ; 베이스의 제 2 측에 근접하게 배치된 가스 분배 플레이트 ― 가스 분배 플레이트는, 약 60 ohm-cm 내지 90 ohm-cm의 전기 저항률을 갖는 재료로 형성됨 ― ; 가스 분배 플레이트를 베이스에 제거가능하게 커플링시키기 위해 가스 분배 플레이트의 주변 에지 주위에 배치된 양극산화된(anodized) 클램프; 베이스와 가스 분배 플레이트 사이의 갭에 배치된 복수의 실리콘 열 개스킷들; 및 가스 분배 플레이트가 베이스를 향해 편향(deflect)될 때 갭의 두께를 유지하기 위해, 갭 내에 배치되며 베이스의 제 2 측 내로 가압되는(pressed) 복수의 핀(pin)들을 포함할 수 있다.
[0007] 본 개시내용의 다른 그리고 추가의 실시예들이 하기에서 설명된다.
[0008] 앞서 간략히 요약되고 하기에서 보다 상세히 논의되는 본 개시내용의 실시예들은 첨부된 도면들에 도시된 본 개시내용의 예시적인 실시예들을 참조하여 이해될 수 있다. 그러나, 첨부된 도면들은 본 개시내용의 단지 전형적인 실시예들을 도시하는 것이므로 본 개시내용의 범위를 제한하는 것으로 간주되지 않아야 하는데, 이는 본 개시내용이 다른 균등하게 유효한 실시예들을 허용할 수 있기 때문이다.
[0009] 도 1은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드를 도시한다.
[0010] 도 2는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드와 함께 사용하기에 적합한 프로세스 챔버를 도시한다.
[0011] 이해를 촉진시키기 위해, 도면들에 대해 공통적인 동일한 엘리먼트들을 가리키기 위해 가능한 경우 동일한 도면부호들이 사용되었다. 도면들은 실척대로 그려지지 않았으며, 명확성을 위해 단순화될 수 있다. 일 실시예의 엘리먼트들 및 피처(feature)들이 추가의 언급없이 다른 실시예들에 유리하게 통합될 수 있다.
[0012] 분리가능한 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드들의 실시예들이 본원에서 제공된다. 적어도 몇몇 실시예들에서, 본 발명의 샤워헤드는 유리하게는, 가스 분배 플레이트의 제거 및 교체를 허용할 수 있고, 그에 따라, 영구적으로 본딩된 가스 분배 플레이트를 갖는 통상의 샤워헤드들과 비교하여, 더 긴 유효 수명 및 더 비용 효율적인 가스 분배 플레이트 교체 방식을 갖는 샤워헤드를 제공할 수 있다.
[0013] 도 1은 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드를 도시한다. 샤워헤드(100)는 일반적으로, 본체(102), 가스 분배 플레이트(104), 및 가스 분배 플레이트를 본체(102)에 제거가능하게 커플링시키도록 구성된 클램프(110)를 포함한다.
[0014] 본체(102)는 제 1 측(150), 제 2 측(140), 및 본체(102)에 형성된, 제 1 측(150)으로부터 제 2 측(140)으로 연장되는 복수의 관통 홀(through hole)들(116)을 포함한다. 복수의 관통 홀들(116)은 본체(102)를 통한 가스 분배 플레이트(104)로의 프로세스 가스들의 통과를 가능하게 한다. 몇몇 실시예들에서, 관통 홀들(116)은, 관통 홀들(116)에서의 잔류 전장(residual electrical field)을 감소시키고 가스 분배 플레이트(104)로의 더 균일한 가스 유동을 가능하게 하기 위해, 접시형 구멍(counter sunk)(예를 들어, 카운터싱크(countersink)(118)가 도시됨)일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 복수의 관통 홀들(116)로의 프로세스 가스들의 더 균등한 분배를 가능하게 하기 위해, 공동(cavity)(114)이 본체(102)의 제 1 측(150)에 형성될 수 있다. 본체(102)는, 예를 들어 알루미늄과 같은, 임의의 적합한 프로세스 호환성(compatible) 재료로 제조될 수 있다. 알루미늄과 같은 전도성 재료로 본체(102)를 제조함으로써, 본체(102)는, 예를 들어, 샤워헤드(100)에 제공되는 프로세스 가스들로부터 플라즈마의 형성을 가능하게 하기 위해, 전극으로서 기능할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 본체(102)의 제 2 측(140)은, 제 2 측(140)을 이온들, 플라즈마, 또는 라이트업(light up)으로부터 보호하기 위한 재료로 코팅될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 코팅은 불화이트륨(YF3) 코팅일 수 있다. 코팅은, 다양한 기법들을 사용하여 본체(102)의 제 2 측(140)에 배치될 수 있다. 본체(102)의 제 2 측(140)을 코팅하기 위한 몇몇 예시적인 비-한정적 방법들은, 타겟 재료의 전자-빔 유도 활성화(electron-beam induced activation)를 사용하는, 코팅 재료로 제조되거나 또는 그렇지 않으면 그러한 코팅 재료를 포함하는 타겟으로부터 본체(102) 상으로의 코팅의 증발 또는 증착을 포함할 수 있다.
[0015] 몇몇 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 O-링들 및/또는 무선 주파수(RF) 개스킷들(O-링들(130, 132, 134) 및 RF 개스킷들(108, 126)이 도시됨)을 수용하기 위해, 하나 또는 그 초과의 채널들이 본체(102)의 표면들에 형성될 수 있다. 존재하는 경우, O-링들(130, 132, 134)은 본체(102)와 클램프(110) 또는 프로세스 챔버(미도시)의 표면들 사이에 밀봉(seal)을 제공한다. O-링들(130, 132, 134)은, 전술된 밀봉을 가능하게 하는 데에 적합한 임의의 재료, 예를 들어, 고무로 제조될 수 있다. RF 개스킷들(108, 126)은, 예를 들어, RF 소스로부터 본체(102) 및 클램프(110)로의 RF 전력의 전도성(conductivity)을 용이하게(facilitate) 한다. 예를 들어, RF 전력은, (이하에서 설명되는 RF 전력 소스(286)와 같은) RF 전력 공급부로부터, 본체(102)에 커플링되고 하나 또는 그 초과의 RF 개스킷들(예를 들어, RF 개스킷(126))과 접촉하는 컴포넌트로 제공될 수 있다. RF 개스킷들(108, 126)은 임의의 적합한 전도성 재료, 예를 들어, 스테인리스 스틸로 제조될 수 있다.
[0016] 가스 분배 플레이트(104)는 본체(102)로부터, 가스 분배 플레이트(104)에 형성된 복수의 가스 분배 홀들(142)을 통해, 예를 들어, 프로세스 챔버의 프로세싱 용적으로 제공되는 프로세스 가스들의 분배를 가능하게 한다. 가스 분배 홀들(142)은 프로세스 가스들의 원하는 분배를 제공하기에 적합한 임의의 방식으로 배열될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 가스 분배 플레이트(104)가 본체(102)에 커플링되는 경우, 가스 분배 홀들(142)은 본체(102)의 관통 홀들(116) 주위에 배치된 클러스터들로 배열될 수 있다.
[0017] 가스 분배 플레이트(104)는, 플라즈마(예를 들어, 프로세싱 동안 프로세스 챔버에서 형성되는 플라즈마)에 대한 노출 동안 열화를 견디기에 적합한 임의의 재료로 제조될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 가스 분배 플레이트(104)는 단결정 실리콘(Si)으로 제조될 수 있다. 단결정 실리콘이, 선호되는(favored) 재료인 실리콘 탄화물과 비교하여, 더 빠른 에칭 레이트(rate)를 갖는다는 점에 적어도 부분적으로 기인하여, 단결정 실리콘은 가스 분배 플레이트를 위한 재료로서 전형적으로 사용되지 않는다. 하지만, 본 발명자들은, 예를 들어, 실리콘 탄화물(SiC)과 같은, 가스 분배 플레이트들을 제조하는 데에 활용되는 통상의 재료들과 비교하여, 단결정 실리콘이 표면 거칠기 변화, 아킹, 및 마이크로-마스킹에 대해 덜 민감하고, (예를 들어, 섭씨 약 150도보다 높은) 상승된 온도들에서 더 나은 동작성을 추가로 제공한다는 것을 관찰하였다. 부가적으로, 단결정 실리콘은 통상의 재료들과 비교하여 더 낮은 비용으로 더 쉽게 이용 가능하고 획득가능하다. 부가적으로, 실리콘-함유 가스들을 수반하는 기판 프로세스들에서 샤워헤드(100)가 사용되는 실시예들에서, 가스 분배 플레이트(104)를 실리콘으로 제조하게 되면, 가스 분배 플레이트(104)의 열화로 인한 오염의 경우들을 감소시킨다.
[0018] 몇몇 실시예들에서, 가스 분배 플레이트(104)는, 아킹을 감소시키기 위해, 약 60 ohm-cm 내지 90 ohm-cm의 높은 전기 저항률을 갖는 단결정 실리콘 재료로 제조된다. 상기 주목한 바와 같이, 본 발명자들은, 저 저항률 가스 분배 플레이트들(예를 들어, 약 0.005 - 0.015 0hm-cm의 저항률을 갖는 가스 분배 플레이트)은, 소스 전력이 162 MHz에서 2000 watts와 같거나 또는 그 초과인 프로세스들 동안 아킹을 발생시킬(arc) 것임을 관찰하였다. 따라서, 가스 분배 플레이트(104)의 고 저항률은 유리하게는, 샤워헤드(100)가 높은 소스 전력 프로세스들에서 사용될 때에 아킹을 감소시킨다. 몇몇 실시예들에서, 단결정 실리콘이 획득되는 잉곳(ingot)이 도핑되어, 그러한 잉곳의 저항률을 변화시킬 수 있다. 예를 들어, 단결정 실리콘 잉곳은 붕소와 같은 고 저항률 재료로 코팅 또는 도핑되어, 재료의 저항률을 증가시킬 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 가스 분배 플레이트(104)가 저 저항률 재료로 형성되는 경우, 가스 분배 플레이트(104)는 가스 분배 플레이트(104)의 저항률을 증가시키기 위해 고 저항률 재료로 도핑되거나, 코팅되거나 또는 처리될 수 있다.
[0019] 가스 분배 플레이트(104)는, 원하는 가스 분배 및 적합한 기능적 유효 수명을 제공하기에 충분한 임의의 적합한 두께를 가질 수 있다. 부가적으로, 몇몇 실시예들에서, 가스 분배 플레이트(104)는, 가스 분배 플레이트(104)가 본체(102)에 커플링되는 경우, 가스 분배 플레이트(104)와 본체(102) 사이에 배치된 하나 또는 그 초과의 열 개스킷들(3개의 열 개스킷들(120, 122, 124)이 도시됨)과의 지속적인 접촉을 보장하기에 충분한 적합한 두께를 가질 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 가스 분배 플레이트(104)의 두께는, 압축될 때 가스 분배 플레이트(104)의 에지에서 클램프(110)에 의해 제공되는 힘들에 의해 야기되는 가스 분배 플레이트(104)의 휨(bowing)의 양이 열 개스킷들(120, 122, 124)의 변형의 양보다 적도록, 그리고 그에 따라, 클램핑될 때 열 개스킷들(120, 122, 124) 중 각각의 열 개스킷과의 지속적인 접촉을 보장하도록, 선택될 수 있다. 대안적으로, 또는 조합하여, 몇몇 실시예들에서, 가스 분배 플레이트(104)의 두께는, 플라즈마 침투를 감소시키기에 적합한 가스 분배 홀들(142)의 종횡비를 제공하고 가스 분배 플레이트(104)의 기능적 유효 수명을 개선하도록, 선택될 수 있다. 예를 들어, 가스 분배 홀들(142)이 약 0.5 mm의 직경을 갖는 실시예들에서, 가스 분배 플레이트(104)는 약 9 mm의 두께를 가질 수 있다.
[0020] 클램프(110)는 본체(102)에 대한 가스 분배 플레이트(104)의 커플링을 가능하게 한다. 몇몇 실시예들에서, 클램프(110)는 그러한 커플링을, 클램프에 형성된 나사산 가공된(threaded) 홀(138)에 대응하는, 본체(102)에 형성된 관통 홀(136)에 제공되는 파스너(106)를 통해 가능하게 한다. 클램프(110)는 임의의 프로세스 호환성의 전도성 재료, 예를 들어, 알루미늄으로 제조될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 플라즈마 환경에서 클램프(110)의 열화를 감소시키기 위해, 클램프(110)는 스프레이 코팅(예를 들어, 이트리아(yttria)(Y2O3))으로 코팅될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 클램프(110)는 대안적으로, 산화알루미늄 코팅으로 양극산화될 수 있다.
[0021] 몇몇 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 O-링들 및 RF 개스킷들(O-링(128) 및 RF 개스킷(148)이 도시됨)을 수용하기 위해, 클램프(110)는 클램프(110)의 표면들에 형성된 하나 또는 그 초과의 채널들을 포함할 수 있다. 존재하는 경우, O-링(128)은, 본체(102)에 클램핑될 때 가스 분배 플레이트(104)의 파손을 방지하기 위해, 가스 분배 플레이트(104)에 대한 쿠셔닝(cushioning)을 제공한다. 존재하는 경우, RF 개스킷(148)은 본체(102)로부터, 클램프(110)를 통한, 가스 분배 플레이트(104)로의 RF 전력의 전도율을 가능하게 하고, 그에 따라, 가스 분배 플레이트(104)가 RF 전극으로서 기능하는 것을 허용한다. 가스 분배 플레이트(104)로의 RF 전류 경로를 제공하는 것은 또한, 본체(102)와 가스 분배 플레이트(104) 사이의 갭(146)을 차폐(shield)시키며, 이는, 예를 들어, 본체(102)의 관통 홀들(116)에서의 아킹을 감소시킨다. O-링(128) 및 RF 개스킷(148)은, 예를 들어, O-링들(130, 132, 134) 및 RF 개스킷들(108, 126)과 관련하여 상기 논의된 재료들과 같은, 임의의 적합한 재료로 제조될 수 있다.
[0022] 몇몇 실시예들에서, 열 개스킷들(120, 122, 124)은 본체(102)와 가스 분배 플레이트(104) 사이에 배치될 수 있다. 존재하는 경우, 예를 들어, 가스 분배 플레이트(104)에 걸친 더 균일한 열 구배(thermal gradient)를 제공하기 위해, 열 개스킷들(120, 122, 124)은 본체(102)와 가스 분배 플레이트(104) 사이의 열 교환을 가능하게 할 수 있다. 부가적으로, 열 개스킷들(120, 122, 124)은 본체(102)와 가스 분배 플레이트(104) 사이에 갭(146)을 제공할 수 있고, 관통 홀들(116) 및 대응하는 가스 분배 홀들(142)의 그룹들을 위한 분리된 플리넘(plenum)들(예를 들어, 구역들)을 정의할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 샤워헤드(100)는 또한, 본체(102) 내로 가압되는 복수의 핀들(152)을 포함할 수 있다. 복수의 핀들(152)은, 가스 분배 플레이트(104)가 본체(102)를 향해 편향될 때 갭(146)이 실질적으로 변경되지 않은 상태로 유지되도록 보장한다. 핀들(152) 각각은, 핀들(152) 뒤의 임의의 갭들이 적절하게 진공배기되게(evacuated) 보장하도록 관통-홀(153)을 포함한다.
[0023] 열 개스킷들(120, 122, 124)은, 프로세스 압력들 및 온도들(예를 들어, 진공 조건들 및 섭씨 약 150도 또는 그 초과의 온도들)에서 낮은 아웃-개싱(out-gassing)을 갖는 임의의 압축가능한, 열 전도성 재료로 제조될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 개스킷은, 예를 들어 Fujipoly®로부터 입수가능한 SARCON® GR-M, 또는 높은 열 전도율 및 내염성(flame-retardant) 특성들을 갖는 다른 실리콘 고무 재료와 같은 실리콘 함유 재료를 포함할 수 있다. 열 개스킷들(120, 122, 124)은, 본체(102)와 가스 분배 플레이트(104) 사이의 접촉을 유지하기에 적합한 임의의 형상을 가질 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 열 개스킷들(120, 122, 124)은 도 1에 도시된 바와 같은 직사각형 단면을 갖는 복수의 동심 링들일 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 열 개스킷들(120, 122, 124)의 기하형상은, 서로 클램핑될 때, 가스 분배 플레이트(104)의 에지에서 클램프(110)에 의해 제공되는 힘들에 기인한, 본체(102)와 가스 분배 플레이트(104) 사이의 거리의 차이(예를 들어, 가스 분배 플레이트(104)의 휨)를 수용하도록 최적화될 수 있다.
[0024] 몇몇 실시예들에서, 보호 링(112)이, 가스 분배 플레이트(104), 클램프(110), 및 본체(102)의 부분들을 차폐시키기 위해, 샤워헤드 주위에 배치될 수 있다. 보호 링(112)은 임의의 적합한 프로세스 호환성 재료, 예를 들어, 석영(SiO2)으로 제조될 수 있다.
[0025] 도 2는 본 개시내용의 몇몇 실시예들에 따른, 샤워헤드와 함께 사용하기에 적합한 예시적인 프로세스 챔버(200)의 개략도를 도시한다. 예시적인 프로세스 챔버들은 캘리포니아 산타클라라의 Applied Materials, Inc.로부터 입수 가능한 ENABLER®, ENABLER® E5, ADVANTEDGE™, 또는 다른 프로세스 챔버들을 포함할 수 있다. 샤워헤드들을 갖거나 또는 갖도록 변경되는 다른 적합한 프로세스 챔버들이 본 개시내용으로부터 유사하게 이득을 얻을 수 있다.
[0026] 몇몇 실시예들에서, 프로세스 챔버(200)는 일반적으로, 챔버 본체(202) ― 챔버 본체는, 챔버 본체의 내측 용적(205) 내에 배치된, 기판(210)을 상부에 지지하기 위한 기판 지지 페디스털(208)을 가짐 ―, 및 과잉의 프로세스 가스들, 프로세싱 부산물들 등을 챔버 본체(202)의 내측 용적(205)으로부터 제거하기 위한 배기 시스템(220)을 포함할 수 있다.
[0027] 몇몇 실시예들에서, 상부 라이너(liner)(264) 및 하부 라이너(266)가, 프로세싱 동안 챔버 본체(202)를 보호하기 위해, 챔버 본체(202)의 내부를 덮을 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 챔버 본체(202)는 프로세싱 용적(204)을 포함할 수 있는 내측 용적(205)을 갖는다. 프로세싱 용적(204)은, 예를 들어, 기판 지지 페디스털(208)과 샤워헤드(214)(예를 들어, 상기 설명된 샤워헤드(100)) 및/또는 원하는 위치들에 제공된 노즐들 사이에 정의될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 가스 공급부(288)는, 챔버 본체(202)의 프로세싱 용적(204)으로의 하나 또는 그 초과의 프로세스 가스들의 분배를 위해, 하나 또는 그 초과의 프로세스 가스들을 샤워헤드(214)에 제공할 수 있다.
[0028] 몇몇 실시예들에서, 기판 지지 페디스털(208)은 기판(210)을 기판 지지 페디스털(208)의 표면 상에 유지 또는 지지하는 메커니즘, 이를테면 정전 척, 진공 척, 기판 유지 클램프 등을 포함할 수 있다. 대안적으로, 또는 조합하여, 몇몇 실시예들에서, 기판 지지 페디스털(208)은, 기판 표면 근방에서의 이온 에너지 및/또는 종 플럭스(species flux)를 제어하기 위한 그리고/또는 (이를테면, 도시되지는 않은, 가열 및/또는 냉각 디바이스들과 같은) 기판 온도를 제어하기 위한 메커니즘들을 포함할 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 기판 지지 페디스털(208)은, 전극(240), 및 각각의 매칭 네트워크(matching network)들(236, 262)을 통해 전극(240)에 커플링된 하나 또는 그 초과의 전력 소스들(2개의 바이어스 전력 소스들(238, 244))을 포함할 수 있다. 예를 들어, 기판 지지 페디스털(208)은 매칭 네트워크(262)를 통해 바이어스 전력 소스(244)에 커플링된 캐소드로서 구성될 수 있다. 상기 설명된 바이어스 전력 소스들(예를 들어, 바이어스 전력 소스들(238, 244))은 약 2 MHz의 주파수, 또는 약 13.56 MHz, 또는 약 60 MHz에서, 약 12,000 W까지 생성할 수 있다. 적어도 하나의 바이어스 전력 소스는 연속 전력(continuous power) 또는 펄스형(pulsed) 전력을 제공할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 바이어스 전력 소스는 대안적으로 DC 또는 펄스형 DC 소스일 수 있다.
[0029] 몇몇 실시예들에서, 기판 지지 페디스털(208)은, 기판 지지 페디스털(208) 정상부에 배치되며 그리고 프로세싱 동안 기판(210)의 적어도 부분을 지지하도록 구성된 기판 지지 링(280)을 포함할 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 링들(인서트 링(278) 및 배리어 링(242)이 도시됨)은 기판 지지 페디스털(208) 주위에 배치될 수 있다. 하나 또는 그 초과의 링들은 임의의 적합한 프로세스 호환성 재료로 제조될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 인서트 링은 실리콘(Si)으로 제조될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 배리어 링(242)은 석영(SiO2)으로 제조될 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 접지된 메쉬(grounded mesh)(260)가 기판 지지 페디스털(208)의 둘레 주위에 배치될 수 있고, 챔버 본체(202)에 커플링될 수 있다.
[0030] 기판(210)은 챔버 본체(202)의 벽의 개구부(212)를 통해 챔버 본체(202)에 진입할 수 있다. 개구부(212)는 슬릿 밸브(218), 또는 개구부(212)를 통해 챔버의 내부로의 액세스를 선택적으로 제공하기 위한 다른 메커니즘을 통해 선택적으로 밀봉될 수 있다. 기판 지지 페디스털(208)은, 개구부(212)를 통해 기판들을 챔버 내외로 이송하기에 적합한 (도시된 바와 같은) 하부 포지션과, 프로세싱에 적합한 선택가능한(selectable) 상부 포지션 사이에서 기판 지지 페디스털(208)의 포지션을 제어할 수 있는 리프트(lift) 메커니즘(234)에 커플링될 수 있다. 프로세스 포지션은 특정 프로세스에 대해 프로세스 균일성을 최대화하도록 선택될 수 있다. 상승된 프로세싱 포지션들 중 적어도 하나의 포지션에 있을 때, 기판 지지 페디스털(208)은, 대칭적인 프로세싱 영역을 제공하기 위해, 개구부(212)보다 위쪽에 배치될 수 있다.
[0031] 몇몇 실시예들에서, 보호 링(206)(예를 들어, 상기 설명된 보호 링(112))이 샤워헤드(214) 주위에 배치될 수 있고, 예를 들어, 샤워헤드(214)의 본체(294)(예를 들어, 상기 설명된 본체(102)) 또는 가스 분배 플레이트(296)(예를 들어, 상기 설명된 가스 분배 플레이트(104))와 같은, 샤워헤드(214)의 적어도 부분을 덮을 수 있다. 몇몇 실시예들에서, 보호 링(206)은 상부 라이너(264)에 의해 지지될 수 있다.
[0032] 몇몇 실시예들에서, 샤워헤드(214)는 칠러(chiller) 플레이트(270)에 커플링될 수 있고 그리고/또는 칠러 플레이트(270)에 의해 지지될 수 있다. 존재하는 경우, 칠러 플레이트(270)는 프로세싱 동안 샤워헤드(214)의 온도에 대한 제어를 가능하게 한다. 몇몇 실시예들에서, 샤워헤드(214)의 온도에 대한 제어를 가능하게 하기 위해, 온도 제어 유체 공급부(칠러)(290)에 의해 제공되는 온도 제어 유체가 칠러 플레이트(270)를 통해 유동하는 것을 허용하도록, 칠러 플레이트(270)는, 칠러 플레이트(270)에 형성된 복수의 채널들(미도시)을 포함한다.
[0033] 몇몇 실시예들에서, 하나 또는 그 초과의 코일들(내측 코일(274) 및 외측 코일(272)이 도시됨)이 샤워헤드(214)의 주변 에지에 근접하여 및/또는 그 위에 배치될 수 있다. 존재하는 경우, 하나 또는 그 초과의 코일들은 프로세스 챔버(200)의 프로세싱 용적(204) 내에서 형성되는 플라즈마를 성형(shaping)하는 것을 가능하게 할 수 있다.
[0034] 몇몇 실시예들에서, RF 전력 소스(286)는 RF 전력을 동축 스터브(coaxial stub)(292)를 통해 칠러 플레이트(270) 및/또는 샤워헤드(214)에 제공한다. RF 전력 소스(286)는, 약 162 MHz의 주파수에서 약 2000 watts와 같거나 또는 그 초과의 전력, 및 약 227 MHz의 주파수에서 약 5000 W 까지의 전력에서 동작할 수 있다. 상기 설명된 바와 같이, 본 발명의 가스 분배 플레이트(104)는, RF 전력 소스가 고 주파수들에서 약 2000 W 또는 그 초과의 전력에서 동작하는 프로세스들 동안 아킹을 발생시키지 않을 것이다. 동축 스터브(292)는, 특성 임피던스, 공진 주파수를 갖는 고정식 임피던스 매칭 네트워크이며, 그리고 샤워헤드(214)와 RF 전력 소스(286) 사이에 대략적인 임피던스 매칭을 제공한다. 몇몇 실시예들에서, 동축 스터브(292)는 일반적으로, 내측 원통형 전도체(298), 외측 원통형 전도체(201), 및 내측 원통형 전도체(298)와 외측 원통형 전도체(201) 사이의 공간을 충전하는(filling) 절연체(203)를 포함한다.
[0035] 내측 원통형 전도체(298) 및 외측 원통형 전도체(201)는 특정 프로세스 환경을 견딜 수 있는 임의의 적합한 전도성 재료로 구성될 수 있다. 예를 들어, 몇몇 실시예들에서, 내측 원통형 전도체(298) 및 외측 원통형 전도체(201)는 니켈-코팅된 알루미늄으로 제조될 수 있다. RF 전력 소스(286)로부터 동축 스터브(292)로 RF 전력을 인가하기 위해 동축 스터브(292)의 축방향 길이를 따라 특정 지점들에 하나 또는 그 초과의 탭(tap)들(221)이 제공된다. RF 전력 소스(286)의 RF 전력 단자(terminal)(207) 및 RF 복귀(return) 단자(209)가 동축 스터브(292) 상의 탭(221)에서, 외측 원통형 전도체(201) 및 내측 원통형 전도체(298)에, 각각 연결된다. 동축 스터브(292)의 원단(far end)(213)에서의 종료 전도체(terminating conductor)(211)는 내측 원통형 전도체(298) 및 외측 원통형 전도체(201)를 함께 단락시키며(short), 그에 따라, 동축 스터브(292)는 동축 스터브(292)의 원단(213)에서 단락된다. 동축 스터브(292)의 근단(near end)(215)에서, 외측 원통형 전도체(201)는 환형 전도성 하우징 또는 지지부(276)를 통해 챔버 본체(202)에 연결되는 한편, 내측 원통형 전도체(298)는 전도성 원통(217)을 통해 칠러 플레이트(270) 및/또는 샤워헤드(214)에 연결된다. 몇몇 실시예들에서, 유전체 링(219)이 전도성 원통(217)과 칠러 플레이트(270) 사이에 배치되어 이들을 분리시킨다.
[0036] 배기 시스템(220)은 일반적으로, 펌핑 플리넘(224) 및, 펌핑 플리넘(224)을, 예를 들어, 하나 또는 그 초과의 유입구들(222)을 통해 챔버 본체(202)의 내측 용적(205)(및 일반적으로, 프로세싱 용적(204))에 커플링시키는 하나 또는 그 초과의 도관들을 포함한다. 진공 펌프(228)가, 배기 가스들을 챔버 본체(202)로부터 펌핑 아웃(pumping out)시키기 위해, 펌핑 포트(226)를 통해 펌핑 플리넘(224)에 커플링될 수 있다. 진공 펌프(228)는 배기물(exhaust)을 적절한 배기물 핸들링 장비로 라우팅(routing)시키기 위해, 배기 배출구(232)에 유체적으로(fluidly) 결합될 수 있다. (이를테면 게이트 밸브 등과 같은) 밸브(230)가, 진공 펌프(228)의 동작과 조합하여 배기 가스들의 유량의 제어를 가능하게 하기 위해, 펌핑 플리넘(224)에 배치될 수 있다. z-모션 게이트 밸브가 도시되었지만, 배기물의 유동을 제어하기 위한 임의의 적합한 프로세스 호환성 밸브가 활용될 수 있다.
[0037] 상기 설명된 바와 같이 프로세스 챔버(200)의 제어를 가능하게 하기 위해, 제어기(250)는, 다양한 챔버들 및 서브-프로세서들을 제어하기 위해 산업 현장(industrial setting)에서 사용될 수 있는 임의의 형태의 범용 컴퓨터 프로세서 중 하나일 수 있다. CPU(252)의 메모리, 또는 컴퓨터-판독 가능한 매체(256)는, 이를테면 랜덤 액세스 메모리(RAM), 판독 전용 메모리(ROM), 플로피 디스크, 하드 디스크, 또는 로컬(local) 또는 원격(remote)의 임의의 다른 형태의 디지털 저장소와 같은, 쉽게 이용가능한 메모리 중 하나 또는 그 초과일 수 있다. 지원 회로들(254)이, 통상의 방식으로 프로세서를 지원하기 위해 CPU(252)에 커플링된다. 이러한 회로들은 캐시, 전력 공급부들, 클록 회로들, 입력/출력 회로망 및 서브시스템들 등을 포함한다.
[0038] 하나 또는 그 초과의 방법들 및/또는 프로세스들은 일반적으로, CPU(252)에 의해 실행될 때 프로세스 챔버(200)로 하여금 그러한 방법들 및/또는 프로세스들을 수행하게 하는 소프트웨어 루틴(258)으로서 메모리(256)에 저장될 수 있다. 소프트웨어 루틴(258)은 또한, CPU(252)에 의해 제어되는 하드웨어로부터 원격에 위치된 제 2 CPU(미도시)에 의해 저장되고 그리고/또는 실행될 수 있다. 본 개시내용의 방법 중 일부 또는 전부는 또한 하드웨어로 수행될 수 있다. 따라서, 방법들 및/또는 프로세스들은, 소프트웨어로 구현되고 컴퓨터 시스템을 사용하여 실행되거나, 예를 들어, 주문형 반도체(application specific integrated circuit) 또는 다른 유형의 하드웨어 구현과 같은 하드웨어로 구현되거나, 또는 소프트웨어와 하드웨어의 조합으로서 구현될 수 있다. 소프트웨어 루틴(258)은 기판(210)이 기판 지지 페디스털(208) 상에 포지셔닝된 후에 실행될 수 있다. 소프트웨어 루틴(258)은, CPU(252)에 의해 실행될 때, 범용 컴퓨터를, 본원에서 개시된 방법들이 수행되도록 챔버 동작을 제어하는 특수 목적 컴퓨터(제어기)(250)로 변환시킨다.
[0039] 따라서, 분리가능한 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드의 실시예들이 본원에서 제공되었다. 본 발명의 샤워헤드의 실시예들은 유리하게는, 통상의 샤워헤드들과 비교하여, 더 긴 유효 수명 및 더 비용 효율적인 가스 분배 플레이트 교체 방식을 제공한다.
[0040] 전술한 내용들이 본 개시내용의 실시예들에 관한 것이지만, 본 개시내용의 다른 그리고 추가적인 실시예들이 본 개시내용의 기본적인 범위로부터 벗어나지 않으면서 안출될 수 있다.

Claims (15)

  1. 반도체 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 샤워헤드로서,
    제 1 측(side) 및 상기 제 1 측에 대향하는(opposing) 제 2 측을 갖는 본체;
    상기 본체와 가스 분배 플레이트 사이에 갭(gap)을 형성하도록 상기 본체의 제 2 측과 이격되어 배치되는 가스 분배 플레이트; 및
    상기 갭의 두께를 유지하기 위해, 상기 본체의 제 2 측 내로 가압되고(pressed) 상기 갭 내로 연장되는 단부를 가지는 하나 이상의 핀(pin);을 포함하고,
    상기 하나 이상의 핀의 각각은, 각각의 핀 뒤의 용적(volume)이 진공배기되도록(evacuated) 허용하기 위한 관통-홀을 포함하는 것인,
    반도체 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 샤워헤드.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 본체의 제 2 측 상에 불화이트륨 코팅(yttrium fluoride coating)을 더 포함하는,
    반도체 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 샤워헤드.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 분배 플레이트는 단결정 실리콘(Si)으로 제조되는,
    반도체 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 샤워헤드.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 분배 플레이트는, 고 저항률 재료로 도핑 또는 코팅되는 단결정 실리콘(Si)으로 제조되는,
    반도체 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 샤워헤드.
  5. 제 1 항에 있어서,
    상기 가스 분배 플레이트는, 붕소로 도핑 또는 코팅되는 단결정 실리콘(Si)으로 제조되는,
    반도체 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 샤워헤드.
  6. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 본체는, 상기 본체의 제 1 측으로부터 제 2 측으로 연장되는 복수의 관통 홀(through hole)들을 포함하는,
    반도체 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 샤워헤드.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 본체는 상기 본체의 제 1 측에 형성된 플리넘(plenum)을 포함하고, 상기 플리넘은 상기 복수의 관통 홀들에 유체적으로 결합되는,
    반도체 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 샤워헤드.
  8. 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 가스 분배 플레이트를 상기 본체에 제거가능하게 커플링시키기 위해 상기 가스 분배 플레이트의 주변 에지(peripheral edge) 주위에 배치된 클램프;를 더 포함하는,
    반도체 프로세싱 챔버에서 사용하기 위한 샤워헤드.
  9. 프로세스 챔버로서,
    챔버 본체 ― 상기 챔버 본체는, 상기 챔버 본체의 내측 용적(inner volume) 내에 배치된 기판 지지부를 가짐 ―; 및
    상기 기판 지지부 맞은편에서(opposite), 상기 챔버 본체의 내측 용적 내에 배치된 샤워헤드;를 포함하고,
    상기 샤워헤드는 제 1 항 내지 제 5 항 중 어느 한 항에 따른 샤워헤드이며, 상기 샤워헤드의 본체의 제 1 측이 상기 프로세스 챔버의 컴포넌트에 커플링되는,
    프로세스 챔버.
  10. 제 9 항에 있어서,
    상기 프로세스 챔버의 컴포넌트는 칠러 플레이트(chiller plate)이고, 상기 칠러 플레이트는 상기 챔버 본체의 천장(ceiling)에 커플링되는,
    프로세스 챔버.
  11. 제 9 항에 있어서,
    상기 샤워헤드에 커플링된 무선 주파수 (RF) 전력 소스를 더 포함하며,
    상기 무선 주파수 전력 소스는, 2000 watts와 동일하거나 그 초과의 전력 및 162 MHz의 주파수에서 작동하는,
    프로세스 챔버.
  12. 제 9 항에 있어서,
    상기 가스 분배 플레이트는 단결정 실리콘(Si)으로 제조되는,
    프로세스 챔버.
  13. 제 9 항에 있어서,
    상기 가스 분배 플레이트는, 고 저항률 재료로 도핑 또는 코팅되는 단결정 실리콘(Si)으로 제조되는,
    프로세스 챔버.
  14. 제 9 항에 있어서,
    상기 가스 분배 플레이트는, 붕소로 도핑 또는 코팅되는 단결정 실리콘(Si)으로 제조되는,
    프로세스 챔버.
  15. 제 9 항에 있어서,
    상기 가스 분배 플레이트를 상기 본체에 제거가능하게 커플링시키기 위해 상기 가스 분배 플레이트의 주변 에지(peripheral edge) 주위에 배치된 클램프;를 더 포함하는,
    프로세스 챔버.
KR1020197026534A 2014-07-03 2015-06-12 분리가능한 고 저항률 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드 KR102216011B1 (ko)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201462020837P 2014-07-03 2014-07-03
US62/020,837 2014-07-03
US14/729,736 2015-06-03
US14/729,736 US9911579B2 (en) 2014-07-03 2015-06-03 Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate
PCT/US2015/035501 WO2016003631A1 (en) 2014-07-03 2015-06-12 Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177027335A Division KR102022110B1 (ko) 2014-07-03 2015-06-12 분리가능한 고 저항률 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190107194A KR20190107194A (ko) 2019-09-18
KR102216011B1 true KR102216011B1 (ko) 2021-02-15

Family

ID=55017493

Family Applications (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177003033A KR102013421B1 (ko) 2014-07-03 2015-06-12 분리가능한 고 저항률 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드
KR1020197026534A KR102216011B1 (ko) 2014-07-03 2015-06-12 분리가능한 고 저항률 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드
KR1020177027335A KR102022110B1 (ko) 2014-07-03 2015-06-12 분리가능한 고 저항률 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177003033A KR102013421B1 (ko) 2014-07-03 2015-06-12 분리가능한 고 저항률 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020177027335A KR102022110B1 (ko) 2014-07-03 2015-06-12 분리가능한 고 저항률 가스 분배 플레이트를 갖는 샤워헤드

Country Status (5)

Country Link
US (3) US9911579B2 (ko)
KR (3) KR102013421B1 (ko)
CN (2) CN107481962B (ko)
TW (2) TWI708524B (ko)
WO (1) WO2016003631A1 (ko)

Families Citing this family (308)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9132436B2 (en) 2012-09-21 2015-09-15 Applied Materials, Inc. Chemical control features in wafer process equipment
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9610591B2 (en) 2013-01-25 2017-04-04 Applied Materials, Inc. Showerhead having a detachable gas distribution plate
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US10256079B2 (en) 2013-02-08 2019-04-09 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing systems having multiple plasma configurations
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9911579B2 (en) * 2014-07-03 2018-03-06 Applied Materials, Inc. Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate
JP6375163B2 (ja) * 2014-07-11 2018-08-15 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置および上部電極アセンブリ
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
US9966240B2 (en) 2014-10-14 2018-05-08 Applied Materials, Inc. Systems and methods for internal surface conditioning assessment in plasma processing equipment
US11637002B2 (en) 2014-11-26 2023-04-25 Applied Materials, Inc. Methods and systems to enhance process uniformity
US20160225652A1 (en) 2015-02-03 2016-08-04 Applied Materials, Inc. Low temperature chuck for plasma processing systems
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US9741593B2 (en) 2015-08-06 2017-08-22 Applied Materials, Inc. Thermal management systems and methods for wafer processing systems
US10504700B2 (en) 2015-08-27 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Plasma etching systems and methods with secondary plasma injection
JP6868616B2 (ja) 2015-10-08 2021-05-12 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 背面でのプラズマ点火が低減されたシャワーヘッド
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10373810B2 (en) 2016-02-21 2019-08-06 Applied Materials, Inc. Showerhead having an extended detachable gas distribution plate
US11010806B2 (en) 2016-11-10 2021-05-18 Gerald McLaughlin Method and system for distributed manufacturing
US11580582B1 (en) 2016-03-08 2023-02-14 Gerald McLaughlin Method and system for description database creation, organization, and use
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10504754B2 (en) 2016-05-19 2019-12-10 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved semiconductor etching and component protection
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US9865484B1 (en) 2016-06-29 2018-01-09 Applied Materials, Inc. Selective etch using material modification and RF pulsing
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10546729B2 (en) 2016-10-04 2020-01-28 Applied Materials, Inc. Dual-channel showerhead with improved profile
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
KR20180068582A (ko) * 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10431429B2 (en) 2017-02-03 2019-10-01 Applied Materials, Inc. Systems and methods for radial and azimuthal control of plasma uniformity
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10943834B2 (en) 2017-03-13 2021-03-09 Applied Materials, Inc. Replacement contact process
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US11276590B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Multi-zone semiconductor substrate supports
US11276559B2 (en) 2017-05-17 2022-03-15 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber for multiple precursor flow
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10297458B2 (en) 2017-08-07 2019-05-21 Applied Materials, Inc. Process window widening using coated parts in plasma etch processes
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10811232B2 (en) 2017-08-08 2020-10-20 Applied Materials, Inc. Multi-plate faceplate for a processing chamber
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11598003B2 (en) * 2017-09-12 2023-03-07 Applied Materials, Inc. Substrate processing chamber having heated showerhead assembly
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
US10903054B2 (en) 2017-12-19 2021-01-26 Applied Materials, Inc. Multi-zone gas distribution systems and methods
US11328909B2 (en) 2017-12-22 2022-05-10 Applied Materials, Inc. Chamber conditioning and removal processes
US10854426B2 (en) 2018-01-08 2020-12-01 Applied Materials, Inc. Metal recess for semiconductor structures
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10964512B2 (en) 2018-02-15 2021-03-30 Applied Materials, Inc. Semiconductor processing chamber multistage mixing apparatus and methods
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US10319600B1 (en) 2018-03-12 2019-06-11 Applied Materials, Inc. Thermal silicon etch
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10699879B2 (en) 2018-04-17 2020-06-30 Applied Materials, Inc. Two piece electrode assembly with gap for plasma control
US10886137B2 (en) 2018-04-30 2021-01-05 Applied Materials, Inc. Selective nitride removal
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10872778B2 (en) 2018-07-06 2020-12-22 Applied Materials, Inc. Systems and methods utilizing solid-phase etchants
US10755941B2 (en) 2018-07-06 2020-08-25 Applied Materials, Inc. Self-limiting selective etching systems and methods
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US11049755B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Applied Materials, Inc. Semiconductor substrate supports with embedded RF shield
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
US10892198B2 (en) 2018-09-14 2021-01-12 Applied Materials, Inc. Systems and methods for improved performance in semiconductor processing
US11062887B2 (en) 2018-09-17 2021-07-13 Applied Materials, Inc. High temperature RF heater pedestals
US11417534B2 (en) 2018-09-21 2022-08-16 Applied Materials, Inc. Selective material removal
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US11682560B2 (en) 2018-10-11 2023-06-20 Applied Materials, Inc. Systems and methods for hafnium-containing film removal
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
US11121002B2 (en) 2018-10-24 2021-09-14 Applied Materials, Inc. Systems and methods for etching metals and metal derivatives
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US11437242B2 (en) 2018-11-27 2022-09-06 Applied Materials, Inc. Selective removal of silicon-containing materials
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
US11721527B2 (en) 2019-01-07 2023-08-08 Applied Materials, Inc. Processing chamber mixing systems
US10920319B2 (en) 2019-01-11 2021-02-16 Applied Materials, Inc. Ceramic showerheads with conductive electrodes
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524775B (zh) * 2019-02-01 2023-03-10 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种等离子处理器以及用于等离子处理器的上电极组件
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US10954595B2 (en) * 2019-07-30 2021-03-23 Applied Materials, Inc. High power showerhead with recursive gas flow distribution
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
CN112349572B (zh) * 2019-08-09 2024-03-08 中微半导体设备(上海)股份有限公司 一种气体喷淋头及等离子处理装置
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
JP7278175B2 (ja) * 2019-08-23 2023-05-19 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理装置の製造方法及びメンテナンス方法
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
WO2021067705A2 (en) * 2019-10-04 2021-04-08 Applied Materials, Inc. Gas distribution assembly mounting for fragile plates to prevent breakage
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885691B (zh) * 2019-11-29 2024-05-14 中微半导体设备(上海)股份有限公司 等离子体处理装置及其稳定性优化的方法
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
US11242600B2 (en) * 2020-06-17 2022-02-08 Applied Materials, Inc. High temperature face plate for deposition application
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR102662900B1 (ko) * 2024-02-23 2024-05-03 브이엠 주식회사 반도체 식각 공정을 위한 이종 소재 부품의 접착에 의한 모듈화 방법

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020127853A1 (en) 2000-12-29 2002-09-12 Hubacek Jerome S. Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
US20040025791A1 (en) 2002-08-09 2004-02-12 Applied Materials, Inc. Etch chamber with dual frequency biasing sources and a single frequency plasma generating source
US20100038033A1 (en) 2007-10-12 2010-02-18 Lam Research Corporation Anchoring inserts, electrode assemblies, and plasma processing chambers
US20140209027A1 (en) 2013-01-25 2014-07-31 Applied Materials, Inc. Showerhead having a detachable gas distribution plate

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5076903A (en) * 1991-02-11 1991-12-31 Sequel Corporation Anodizing rack and clamps
US5722668A (en) * 1994-04-29 1998-03-03 Applied Materials, Inc. Protective collar for vacuum seal in a plasma etch reactor
US5746875A (en) * 1994-09-16 1998-05-05 Applied Materials, Inc. Gas injection slit nozzle for a plasma process reactor
US5558717A (en) * 1994-11-30 1996-09-24 Applied Materials CVD Processing chamber
TW309692B (en) * 1996-02-02 1997-07-01 Applied Materials Inc Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna coupling power through a parallel plate electrode
US6054013A (en) 1996-02-02 2000-04-25 Applied Materials, Inc. Parallel plate electrode plasma reactor having an inductive antenna and adjustable radial distribution of plasma ion density
JP3310171B2 (ja) * 1996-07-17 2002-07-29 松下電器産業株式会社 プラズマ処理装置
JP3480271B2 (ja) * 1997-10-07 2003-12-15 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置のシャワーヘッド構造
US6447853B1 (en) * 1998-11-30 2002-09-10 Kawasaki Microelectronics, Inc. Method and apparatus for processing semiconductor substrates
US7220937B2 (en) * 2000-03-17 2007-05-22 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with overhead RF source power electrode with low loss, low arcing tendency and low contamination
US6660126B2 (en) * 2001-03-02 2003-12-09 Applied Materials, Inc. Lid assembly for a processing system to facilitate sequential deposition techniques
JP4102873B2 (ja) * 2002-03-29 2008-06-18 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置用電極板及びプラズマ処理装置
US7147749B2 (en) * 2002-09-30 2006-12-12 Tokyo Electron Limited Method and apparatus for an improved upper electrode plate with deposition shield in a plasma processing system
US20060254512A1 (en) * 2003-02-28 2006-11-16 Tokyo Electron Limited Apparatus for attachment of semiconductor hardware
US6911093B2 (en) * 2003-06-02 2005-06-28 Lsi Logic Corporation Lid liner for chemical vapor deposition chamber
KR100638875B1 (ko) 2005-07-15 2006-10-27 삼성전기주식회사 초저전력 고효율 무선 디지탈 수신기
US7743730B2 (en) 2005-12-21 2010-06-29 Lam Research Corporation Apparatus for an optimized plasma chamber grounded electrode assembly
US8475625B2 (en) * 2006-05-03 2013-07-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for etching high aspect ratio features
JP5045000B2 (ja) * 2006-06-20 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、ガス供給装置、成膜方法及び記憶媒体
JP2008251765A (ja) * 2007-03-30 2008-10-16 Hitachi High-Technologies Corp プラズマエッチング装置
US7862682B2 (en) * 2007-06-13 2011-01-04 Lam Research Corporation Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses
US8216418B2 (en) * 2007-06-13 2012-07-10 Lam Research Corporation Electrode assembly and plasma processing chamber utilizing thermally conductive gasket and o-rings
US20090200553A1 (en) * 2007-11-30 2009-08-13 Applied Materials, Inc High temperature thin film transistor on soda lime glass
US8679288B2 (en) * 2008-06-09 2014-03-25 Lam Research Corporation Showerhead electrode assemblies for plasma processing apparatuses
US8221582B2 (en) * 2008-07-07 2012-07-17 Lam Research Corporation Clamped monolithic showerhead electrode
US8206506B2 (en) * 2008-07-07 2012-06-26 Lam Research Corporation Showerhead electrode
US8161906B2 (en) * 2008-07-07 2012-04-24 Lam Research Corporation Clamped showerhead electrode assembly
US8147648B2 (en) * 2008-08-15 2012-04-03 Lam Research Corporation Composite showerhead electrode assembly for a plasma processing apparatus
JP5316031B2 (ja) 2009-01-30 2013-10-16 セイコーエプソン株式会社 液体噴射装置および液体噴射方法
JP4317262B1 (ja) 2009-03-30 2009-08-19 株式会社コスモライフ 飲料ディスペンサ
US8402918B2 (en) * 2009-04-07 2013-03-26 Lam Research Corporation Showerhead electrode with centering feature
US8272346B2 (en) * 2009-04-10 2012-09-25 Lam Research Corporation Gasket with positioning feature for clamped monolithic showerhead electrode
SG169960A1 (en) * 2009-09-18 2011-04-29 Lam Res Corp Clamped monolithic showerhead electrode
JP3160877U (ja) * 2009-10-13 2010-07-15 ラム リサーチ コーポレーションＬａｍ Ｒｅｓｅａｒｃｈ Ｃｏｒｐｏｒａｔｉｏｎ シャワーヘッド電極アセンブリの端部クランプ留めおよび機械固定される内側電極
US20110135915A1 (en) 2009-11-25 2011-06-09 Greene, Tweed Of Delaware, Inc. Methods of Coating Substrate With Plasma Resistant Coatings and Related Coated Substrates
JP5045786B2 (ja) * 2010-05-26 2012-10-10 東京エレクトロン株式会社 プラズマ処理装置
US8573152B2 (en) * 2010-09-03 2013-11-05 Lam Research Corporation Showerhead electrode
US8470127B2 (en) * 2011-01-06 2013-06-25 Lam Research Corporation Cam-locked showerhead electrode and assembly
CN102305229A (zh) * 2011-08-31 2012-01-04 潍柴动力股份有限公司 一种内螺纹销
US9404174B2 (en) * 2011-12-15 2016-08-02 Applied Materials, Inc. Pinned target design for RF capacitive coupled plasma
US9303311B2 (en) * 2012-03-30 2016-04-05 Applied Materials, Inc. Substrate processing system with mechanically floating target assembly
KR101542599B1 (ko) * 2013-06-26 2015-08-06 한국생산기술연구원 확산핀을 가지는 전자소자 제조용 샤워 헤드 및 샤워 헤드 조립체
US9677176B2 (en) * 2013-07-03 2017-06-13 Novellus Systems, Inc. Multi-plenum, dual-temperature showerhead
US9472379B2 (en) * 2014-06-20 2016-10-18 Applied Materials, Inc. Method of multiple zone symmetric gas injection for inductively coupled plasma
US9911579B2 (en) * 2014-07-03 2018-03-06 Applied Materials, Inc. Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate
US10373810B2 (en) * 2016-02-21 2019-08-06 Applied Materials, Inc. Showerhead having an extended detachable gas distribution plate

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20020127853A1 (en) 2000-12-29 2002-09-12 Hubacek Jerome S. Electrode for plasma processes and method for manufacture and use thereof
US20040025791A1 (en) 2002-08-09 2004-02-12 Applied Materials, Inc. Etch chamber with dual frequency biasing sources and a single frequency plasma generating source
US20100038033A1 (en) 2007-10-12 2010-02-18 Lam Research Corporation Anchoring inserts, electrode assemblies, and plasma processing chambers
US20140209027A1 (en) 2013-01-25 2014-07-31 Applied Materials, Inc. Showerhead having a detachable gas distribution plate

Also Published As

Publication number Publication date
CN106663608A (zh) 2017-05-10
TWI667944B (zh) 2019-08-01
KR102022110B1 (ko) 2019-09-17
US9911579B2 (en) 2018-03-06
US10790120B2 (en) 2020-09-29
US20160005571A1 (en) 2016-01-07
US10607816B2 (en) 2020-03-31
KR20190107194A (ko) 2019-09-18
WO2016003631A1 (en) 2016-01-07
CN106663608B (zh) 2020-10-27
TW201931955A (zh) 2019-08-01
CN107481962B (zh) 2021-09-10
US20200194229A1 (en) 2020-06-18
TW201608935A (zh) 2016-03-01
CN107481962A (zh) 2017-12-15
US20180190473A1 (en) 2018-07-05
TWI708524B (zh) 2020-10-21
KR20170116195A (ko) 2017-10-18
KR20170024613A (ko) 2017-03-07
KR102013421B1 (ko) 2019-08-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US10790120B2 (en) Showerhead having a detachable high resistivity gas distribution plate
US11130142B2 (en) Showerhead having a detachable gas distribution plate
KR102335248B1 (ko) 플라즈마 프로세싱 챔버 내의 엘라스토머 시일의 수명을 연장시키는 크기로 형성된 에지 링
US10886107B2 (en) Extended detachable gas distribution plate and showerhead incorporating same

Legal Events

Date Code Title Description
A107 Divisional application of patent
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant