KR101486144B1 - 탄성파 디바이스 내장 모듈 및 통신 장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 과제는, 탄성파를 여진하는 전극 상의 공극에 수분 등이 침입하는 것을 억제할 수 있는 탄성파 디바이스 내장 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것이다.
본 발명은, 절연층(14)과 배선층(16)이 적층된 다층 배선판(12)과, 다층 배선판(12)에 내장된 탄성파 디바이스(20)와, 다층 배선판(12) 상에 설치되고, 탄성파 디바이스(20)와 전기적으로 접속된 전자 부품(40)을 구비하고, 탄성파 디바이스(20)는, 압전 기판(22) 상에 형성된 탄성파를 여진하는 전극인 IDT0과, IDT0을 둘러싸고 압전 기판(22) 상에 설치된 프레임(24)과 IDT0 상에 공극(30)을 갖도록 프레임(24) 상에 설치된 리드(26)를 포함하는 밀봉부(28)를 갖고, 리드(26)는, 압전 기판(22)측으로 우묵하게 들어가 있는 탄성파 디바이스 내장 모듈이다.

Description

탄성파 디바이스 내장 모듈 및 통신 장치{ACOUSTIC WAVE DEVICE BUILT-IN MODULE AND COMMUNICATION DEVICE}
본 발명은, 다층 배선판에 탄성파 디바이스가 내장된 탄성파 디바이스 내장 모듈 및 통신 장치에 관한 것이다.
탄성파를 이용하는 탄성파 디바이스는, 예를 들어 휴대 전화 단말기 등의 무선 통신 기기의 필터 및 분파기에 사용되고 있다. 탄성파 디바이스에는, 탄성 표면파를 이용하는 탄성 표면파 디바이스와 벌크파를 이용하는 벌크파 디바이스가 있다. 탄성 표면파 디바이스는, 압전 기판 상에 빗살 무늬 형상의 IDT(Interdigital Transducer) 전극이 형성되어 있다. IDT 전극을 덮어 유전체막이 형성된 러브파 디바이스 혹은 탄성 경계파 디바이스도 탄성 표면파 디바이스에 포함된다. 한편, 벌크파 디바이스에는, 압전막의 상하 양면을 전극에 의해 샌드위칭한 압전 박막 공진기 디바이스가 있다. 또한, 램파를 이용한 램파 디바이스도 벌크파 디바이스에 포함된다.
탄성파 디바이스에서는, 특성을 유지하기 위해, 탄성파를 여진하는 전극(압전 기판 상에 형성된 IDT 전극, 또는 압전막의 상하면에 그 두께 방향으로 중첩하여 배치된 전극쌍) 상에 공극(공간)을 갖는 밀봉부를 형성하는 것이 행해진다.
또한, 무선 통신 기기의 소형화가 진행되고 있고, 그에 수반하여, 탄성파 디바이스가 실장되는 모듈도 보다 소형화가 요구되고 있다. 이러한 모듈의 소형화 및 박형화를 위해, 탄성파 디바이스를 금속 등의 배선층과 수지 등의 절연층이 적층된 다층 배선판 내에 배치하는 것이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 1). 한편, 수지는 가열되면, 수지 내의 수분 혹은 미반응 생성물이 기화, 탈가스하는 것이 알려져 있다(예를 들어, 특허문헌 2).
일본 특허 출원 공개 제2006-351590호 공보 일본 특허 출원 공개 제2007-258776호 공보
배선층과 절연층이 적층된 다층 배선판에 탄성파 디바이스가 내장된 탄성파 디바이스 내장 모듈에 있어서는, 탄성파를 여진하는 전극을 밀봉부에 의해 밀봉한 경우라도, 전극 상의 공극(공간)에 수분 등이 침입하는 일이 발생한다. 이에 의해, 탄성파를 여진하는 전극의 부식이 발생하고, 탄성파 디바이스로서의 특성이 열화된다. 또한, 탄성파 디바이스 내장 모듈을 전자 기기의 머더보드 등에 실장할 때에는, 실장 시의 가열에 의해, 탄성파를 여진하는 전극 상의 공극에 침입한 수분 등이 기화·팽창하여, 탄성파 디바이스에 스트레스가 가해져, 크랙이 발생하는 경우가 있다.
본 발명은, 상기 과제에 비추어 이루어진 것이며, 탄성파를 여진하는 전극 상의 공극(공간)에 수분 등이 침입하는 것을 억제할 수 있는 탄성파 디바이스 내장 모듈 및 통신 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 절연층과 배선층이 적층된 다층 배선판과, 상기 다층 배선판에 내장된 탄성파 디바이스와, 상기 다층 배선판 상에 설치되고, 상기 탄성파 디바이스와 전기적으로 접속된 전자 부품을 구비하고, 상기 탄성파 디바이스는, 기판 상에 형성된 탄성파를 여진하는 전극과, 상기 전극을 둘러싸고 상기 기판 상에 설치된 프레임과 상기 전극 상에 공극을 갖도록 상기 프레임 상에 설치된 리드를 포함하는 밀봉부를 갖고, 상기 리드는, 상기 기판측으로 우묵하게 들어가 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스 내장 모듈이다. 본 발명에 따르면, 공극 내의 압력을 높게 할 수 있으므로, 공극 내에 수분 등이 침입하는 것을 억제할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 공극 내의 압력은, 상기 리드가 상기 기판측으로 우묵하게 들어가지 않고 평탄하다고 한 경우에 있어서의 상기 전극 상의 공극의 압력보다도 높은 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 절연층은, 수지에 의해 형성되어 있는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 리드는, 금속에 의해 형성되어 있는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 리드의 만곡량은, 상기 리드의 두께의 절반보다도 작은 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 리드와 상기 절연층과의 사이에 절연물이 개재되어 있는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 탄성파 디바이스는, 상기 다층 배선판의 두께 방향의 중앙부에 내장되어 있는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 탄성파 디바이스는, 탄성 표면파 디바이스를 포함하는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 탄성파 디바이스는, 벌크파 디바이스를 포함하는 구성으로 할 수 있다.
상기 구성에 있어서, 상기 탄성파 디바이스에 의해 분파기가 형성되어 있는 구성으로 할 수 있다.
본 발명은, 상기 기재된 탄성파 디바이스 내장 모듈을 갖는 것을 특징으로 하는 통신 장치이다.
본 발명에 따르면, 탄성파를 여진하는 전극 상의 공극에 수분 등이 침입하는 것을 억제할 수 있다.
도 1은 제1 비교예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈을 도시하는 단면도.
도 2는 제1 실시예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈을 도시하는 단면도.
도 3의 (a)는 도 2에 도시한 탄성파 디바이스 내장 모듈에 내장된 상태에서의 하나의 탄성파 디바이스를 도시하는 외관 사시도, 도 3의 (b)는 도 3의 (a)에 도시되는 리드를 투시한 경우의 탄성파 디바이스의 구성을 도시하는 평면도.
도 4는 도 3의 (b)의 선 A―A를 따른 단면도.
도 5의 (a) 및 도 5의 (b)는 제1 실시예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈의 제조 방법을 도시하는 제1 단면도.
도 6의 (a)는 제1 실시예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈의 제조 방법을 도시하는 평면도, 도 6의 (b)는 제1 실시예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈의 제조 방법을 도시하는 제2 단면도.
도 7은 제1 실시예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈의 제조 방법을 도시하는 제3 단면도.
도 8의 (a) 내지 도 8의 (c)는 제1 실시예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈의 제조 방법을 도시하는 제3 단면도.
도 9의 (a) 및 도 9의 (b)는 제1 실시예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈의 제조 방법을 도시하는 제4 단면도.
도 10의 (a) 및 도 10의 (b)는 제1 실시예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈의 제조 방법을 도시하는 제5 단면도.
도 11은 프레임 및 리드가 절연물로 형성된 탄성 표면파 디바이스를 도시하는 단면도.
도 12의 (a)는 압전 박막 공진기 디바이스를 도시하는 평면도, 도 12의 (b)는 도 12의 (a)의 선 A―A 사이의 단면도.
도 13은 분파기를 도시하는 블록도.
도 14는 제1 실시예의 제1 변형예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈을 도시하는 단면도.
도 15는 제2 실시예에 따른 통신 장치를 도시하는 블록도.
도 1은 제1 비교예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈을 도시하는 단면도이다. 도 1과 같이, 제1 비교예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈은, 절연층(102)과 배선층(104)이 복수 적층된 다층 배선판(106) 중에, 탄성파 디바이스(110)가 내장되어 있다. 절연층(102)을 개재하여 적층된 복수의 배선층(104)은, 절연층(102)의 두께 방향으로 연장되는 관통 배선(층간 접속 배선)(108)에 의해, 서로 전기적으로 접속되어 있다. 다층 배선판(106)의 표면에는, 인덕터, 캐패시터, 고주파 IC(Integrated Circuit:집적 회로) 등의 전자 부품(130)이 실장되어 있다.
탄성파 디바이스(110)는, 압전 기판(112) 상에 형성된 빗살 무늬 형상의 IDT(Interdigital Transducer) 전극 IDT0과, 그 양측에 위치하여 배치된 반사기 R0을 포함하는 탄성 표면파 디바이스이다. 그리고 압전 기판(112) 상에는, IDT0과 반사기 R0을 밀봉하는 금속제의 밀봉부(114)가 형성되어 있다. 밀봉부(114)는, IDT0과 반사기 R0의 주위를 둘러싸는 프레임(116)과, IDT0 상에 공극(120)이 형성되도록 프레임(116) 상에 설치된 리드(118)를 포함한다. 이러한 밀봉부(114)의 주위에 있어서의 압전 기판(112) 상에는, IDT0을 외부에 전기적으로 접속하기 위한 돌기 전극(122)이 형성되어 있다. 돌기 전극(122)은, 배선층(104) 및/혹은 관통 배선(층간 접속 배선)(108)을 개재하여, 전자 부품(130) 등에 전기적으로 접속 가능하게 되어 있다.
도 1과 같이, 탄성파 디바이스(110)가 다층 배선판(106) 중에 배치되어 있는 경우, IDT0 상의 공극(공간)(120) 내에 수분이 침입하여 IDT0이 부식되어, 탄성파 디바이스(110)의 특성이 열화되는 일이 발생하기 쉽다. 이러한 수분은, 탄성파 디바이스 내장 모듈의 제조 공정에 있어서 침입하거나, 혹은 탄성파 디바이스 내장 모듈의 형성 후의 경시 변화에 의해 침입한다. 또한, 이러한 수분은, 압전 기판(112)과 프레임(116)과의 계면 혹은 프레임(116)과 리드(118)와의 계면 등, 어떠한 계면으로부터 공극(120) 내에 침입한다. 예를 들어, IDT0과 돌기 전극(122)과의 사이를 접속하는 배선과 프레임(116)과의 사이를 전기적으로 절연하도록, 배선과 프레임(116)과의 사이에 절연물층을 개재시킨 경우에는, 이 절연물층과 프레임(116)과의 계면으로부터 수분이 침입한다. 특히, 절연층(102)이 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 혹은 열가소성의 액정 폴리머 시트 등에 의해 형성되어 있는 경우, 수지는 흡습성을 가지므로, 공극(120) 내에 수분이 침입하기 쉽다.
또한, 밀봉부(114)는, 프레임(116)과 리드(118)를 예를 들어 땜납에 의해 접합함으로써 형성되지만, 이 접합 처리는 땜납의 융점 이상의 고온 환경하에서 행해진다. 이로 인해, 이러한 고온 상태로부터 상온으로 복귀할 때에 공극(120)의 체적이 일정하면, 공극(120) 내의 압력은 저하된다. 이와 같이, 공극(120) 내가 감압 상태로 되면, 이러한 공극(120) 내에 수분이 침입하는 것이 조장된다. 또한, 절연층(102)이 수지로 형성되어 있는 경우에는, 탄성파 디바이스 내장 모듈을 전자 기기의 머더보드 등에 실장할 때의 열에 의해, 절연층(102)으로부터 수분 및/혹은 미반응 생성물(예를 들어, 불소 혹은 염소)이 기화, 탈가스한다. 이때, 다층 배선판(106)의 내층인 절연층(102)에 있어서 발생한 수분 및/혹은 미반응 생성물은, 외부로 방출되는 일 없이, 다층 배선판(106) 내에 유지된다. 이로 인해, 경시 변화에 의해, 이들 수분 및/혹은 미반응 생성물이 공극(120) 내에 침입하는 일도 발생한다.
이와 같이, 다층 배선판 중에 탄성파 디바이스가 내장된 탄성파 디바이스 내장 모듈에서는, 이러한 탄성파 디바이스에 있어서 탄성파를 여진하는 전극 상의 공극에 수분 등이 침입하는 일이 발생하고, 이에 의해 탄성파 디바이스의 특성의 열화 등을 초래한다. 따라서, 이러한 과제를 해결하기 위해, 탄성파를 여진하는 전극 상에 형성되는 공극에 수분 등이 침입하는 것을 억제할 수 있는 실시예에 대해 이하에 설명한다.
제1 실시예
도 2는 제1 실시예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈을 도시하는 단면도이다. 도 2와 같이, 제1 실시예의 탄성파 디바이스 내장 모듈(10)에 있어서는, 탄성파 디바이스(20)는, 다층 배선판(12)의 내부에 매립되어 배치되어 내장되어 있다. 탄성파 디바이스(20)는, 다층 배선판(12)의 두께 방향의 대략 중앙부에 위치하여 수납·배치되어 있다. 다층 배선판(12)은, 절연층(14)과 배선층(16)이 복수 적층된 적층 기판이다. 적층된 복수의 배선층(16)은, 절연층(14)을 관통하는 관통 배선(층간 접속 배선이라고도 함)(18)에 의해 서로 전기적으로 접속되어 있다. 배선층(16) 및 관통 배선(18)은, 예를 들어 구리(Cu) 등의 금속으로 형성되어 있다. 한편, 절연층(14)은, 예를 들어 에폭시 수지, 폴리이미드 수지, 혹은 열가소성의 액정 폴리머 시트 등에 의해 형성되어 있다.
여기서, 탄성파 디바이스 내장 모듈(10) 내에 수용·내장된 탄성파 디바이스(20)에 대해 설명한다. 도 3의 (a)는 도 2에 도시한 탄성파 디바이스 내장 모듈 내에 내장된 상태에서의 하나의 탄성파 디바이스(20)를 도시하는 외관 사시도, 도 3의 (b)는 도 3의 (a)에 도시되는 리드(26)를 투시한 경우의 탄성파 디바이스(20)의 구성을 도시하는 평면도이다. 여기에서는, 탄성파 디바이스(20)의 주위에 있는 절연층(14), 배선층(16)의 표시를 생략하고 있다. 도 3의 (a) 및 도 3의 (b)와 같이, 탄성파 디바이스(20)는, 예를 들어 탄탈산리튬(LiTaO3) 또는 니오브산리튬(LiNbO3) 등의 압전 재료를 포함하여 이루어지는 기판(22)(이하, 압전 기판이라고 칭함) 상에, IDT0 및 그 양측에 배치된 반사기 R0을 구비하는 탄성 표면파 디바이스이다. 압전 기판(22)의 두께는, 예를 들어 250㎛이다. IDT0 및 반사기 R0은, 예를 들어 알루미늄(Al) 등의 금속으로 형성되어 있다. 또한, 도 3의 (b)에 있어서는, 하나의 IDT0과 그 양측에 배치된 반사기 R0을 표시할 뿐이지만, 하나의 탄성파 디바이스에 있어서는, 이러한 IDT0과 반사기 R0을 포함하는 탄성파 디바이스 소자가 복수개 조합되어, 필터 회로 등, 원하는 회로가 형성되어 있다.
압전 기판(22) 상에 있어서는, IDT0 및 반사기 R0의 주위를 둘러싸고, 평면 형상이 대략 사각 형상을 갖는 프레임(24)이 배치되어 있다. 프레임(24)은, 예를 들어 Cu 또는 니켈(Ni) 등을 포함하는 금속에 의해 형성되고, 그 두께는 예를 들어 30㎛이다. 이러한 프레임(24) 상에는, IDT0 및 반사기 R0 상에 공극(30)이 형성되도록, IDT0 및 반사기 R0 위를 덮어 판 형상의 리드(26)가 배치되어 있다. 리드(26)는, 예를 들어 Cu 또는 Ni 등을 포함하는 금속판에 의해 형성되고, 그 두께는 예를 들어 20㎛이다. 이에 의해, IDT0 및 반사기 R0은, 프레임(24)과 리드(26)로 이루어지는 밀봉부(28)에 의해 형성되는 공극(30) 내에 밀봉되어 있다.
그리고 밀봉부(28)보다도 외측의 압전 기판(22) 상면에 있어서는, 돌기 전극(32)이 4개 배치되어 있다. 4개의 돌기 전극(32) 중 1개의 돌기 전극(32A)은 신호 입력용이며, 또 다른 1개의 돌기 전극(32B)은 신호 출력용이다. 또한, 나머지 2개의 돌기 전극(32C, 32D)은 그라운드(접지)용이다. 신호 입력용 돌기 전극(32A) 및 신호 출력용 돌기 전극(32B)은, 배선(34)을 개재하여 IDT0에 전기적으로 접속된다. 또한, 신호 입력용 돌기 전극(32A) 및 신호 출력용 돌기 전극(32B)에 접속되는 배선(34)과 프레임(24)과의 사이에는 절연물층(도시 생략)이 배치되고, 배선(34)과 프레임(24)과의 사이는 전기적으로 절연되어 있다. 한편, 그라운드(접지)용 돌기 전극(32C, 32D)은, 배선(35)을 개재하여, 프레임(24)에 전기적으로 접속되어 있다. 즉, 탄성파 디바이스(20)에 있어서, IDT0 및 반사기 R0은, 프레임(24) 및 리드(26)에 의해, 외부의 전자기계에 대해서도 차폐된다.
도 4는 도 3의 (b)의 선 A―A를 따른 단면도이다. 도 4와 같이, 개개의 돌기 전극(32)은, 주상(柱狀)의 하측 부분(32a), 주상의 상측 부분(32b) 및 양 주상부의 사이에 배치된 예를 들어 금(Au)―주석(Sn) 땜납을 포함하여 이루어지는 접합 부재(36)를 갖고 구성되어 있다. 한편, 밀봉부(28)를 구성하는 프레임(24)과 리드(26)도, 금(Au)―주석(Sn) 땜납을 포함하여 이루어지는 접합 부재(36)에 의해 접합되어 있다. 제1 실시예에 있어서의 탄성파 디바이스 내장 모듈(10) 내에 배치된 탄성파 디바이스(20)에 있어서는, 리드(26)의 상면은 평탄한 면이 아니라, 프레임(24)으로부터 멀어짐에 따라 압전 기판(22)측으로 만곡된 변형[압전 기판(22) 표면에 근접하는 방향으로 우묵하게 들어간 형상]이 생긴다. 즉, 이러한 리드(26)의 압전 기판(22) 표면측에의 변형에 수반하여, IDT0 및 반사기 R0 상에 존재하는 공극(공간)(30)은, 그 용적이 감소하고 있다. 또한, 이러한 리드(26)의 만곡량 X는, 그 두께의 절반보다도 작고, 리드(26)와 IDT0과의 사이의 최소의 간격은, 10㎛ 이상으로 확보되어 있다. 또한, 도 3의 (a)의 사시도에서는, 만곡의 모습은 생략하여 도시되어 있다.
도 2에 있어서, 다층 배선판(12)에 내장된 탄성파 디바이스(20)가 갖는 돌기 전극(32)은, 배선층(16) 및 관통 배선(18)에 접속되어 있다. 다층 배선판(12)의 상면에 형성된 배선층(16A)은, 적어도 그 일부가 단자 패드로서 사용되고, 이러한 단자 패드에는, 전자 부품(40)이 땜납(42)에 의해 실장되어 있다. 전자 부품(40)은, 저항 소자, 인덕터, 혹은 캐패시터 등의 칩 부품 및 파워 앰프, 안테나 스위치, 혹은 고주파 IC의 능동 소자 등이며, 단자 패드에 대하여 필요에 따라 실장되어 있다. 이러한 구성에 의해, 탄성파 디바이스(20)와 전자 부품(40)과의 사이는 전기적으로 접속된다. 또한, 탄성파 디바이스(20) 및 전자 부품(40)은, 필요에 따라 다층 배선판(12)의 하면에 형성된 배선층(16B)에 대해서도 전기적으로 접속된다. 다층 배선판(12)의 하면의 배선층(16B)은, 탄성파 디바이스 내장 모듈(10)의 외부 접속용 단자 패드 외부로서 기능한다. 즉, 탄성파 디바이스(20) 및 전자 부품(40)은, 다층 배선판(12)의 하면에 있어서의 배선층(16B)을 개재하여, 전자 기기의 머더보드에 있어서의 단자 등에 전기적으로 접속된다.
다음으로, 제1 실시예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 5의 (a) 및 도 5의 (b) 및 도 6의 (b) 내지 도 10의 (b)는 제1 실시예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈의 제조 방법을 도시하는 단면도이다. 도 6의 (a)는 제1 실시예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈의 제조 방법을 도시하는 평면도이다. 우선, 도 5의 (a) 및 도 5의 (b)를 이용하여, 제1 실시예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈에 내장되는 탄성파 디바이스의 제조 방법에 대해 설명한다. 도 5의 (a)와 같이, 압전 기판(22) 상에, 주지의 수단을 사용하여 IDT0, 반사기 R0, IDT0과 반사기 R0을 둘러싸는 프레임(24), 및 프레임(24)의 외측에 위치하는 돌기 전극(32)의 하측 부분(32a)을 형성한다. IDT0 및 반사기 R0은, 예를 들어 알루미늄을 주체로 하는 금속의 증착 및 리프트오프법을 이용하여 형성할 수 있다. 프레임(24) 및 돌기 전극(32)의 하측 부분(32a)은, 예를 들어 전해 도금법을 적용하여, 구리를 주체로 하는 금속을 선택적으로 피착함으로써 형성할 수 있다.
이러한 압전 기판(22) 상에의 금속층의 형성과 병행하여, 예를 들어 SUS304 등의 스테인리스를 포함하여 이루어지는 지지 기판(44) 위(도 5에 있어서는 하방향)에, 리드(26)와 돌기 전극(32)의 상측 부분(32b)을 선택적으로 형성한다. 그런 후, 리드(26)의 상면의 테두리부 및 돌기 전극(32)의 상측 부분(32b)의 상면에, 예를 들어 금(Au)―주석(Sn) 땜납을 포함하여 이루어지는 접합 부재(36)를 형성한다. 이들 리드(26), 돌기 전극(32)의 상측 부분(32b) 및 접합 부재(36)는, 예를 들어 전해 도금법을 이용하여 형성할 수 있다.
그리고, 리드(26)가 프레임(24)에 대향하고, 돌기 전극(32)의 상측 부분(32b)이 하측 부분(32a)에 대향하도록, 지지 기판(44)을 압전 기판(22) 상에 배치한다. 그리고, 접합 부재(36)의 융점 이상의 온도(예를 들어 250℃ 내지 300℃)로 접합 부재(36)를 가열하여, 지지 기판(44)을 압전 기판(22)측으로 가압한다.
이에 의해, 접합 부재(36)를 개재하여 리드(26)가 프레임(24) 상에 접합되고, 도 5의 (b)와 같이, IDT0과 반사기 R0 상에 공극(30)을 갖는 밀봉부(28)가 형성된다. 또한, 돌기 전극(32)의 하측 부분(32a)과 상측 부분(32b)이 접합 부재(36)에 의해 접합되어, 돌기 전극(32)이 형성된다. 그 후, 지지 기판(44)을 제거함으로써, IDT0과 반사기 R0 상에 공극(30)을 갖는 밀봉부(28)가 형성되고, 또한 이러한 밀봉부(28)의 주위에 복수개의 돌기 전극(32)이 배치된 탄성파 디바이스(20)가 형성된다. 또한, 이 단계에서는, 리드(26)의 표면은 평탄한 형상을 갖고 있다. 한편, 고온 환경하에 있어서 접합 부재(36)를 용융시켜 프레임(24)과 리드(26)를 접합시키고 있으므로, 고온으로부터 상온으로 복귀될 때에 공극(30) 내의 압력이 저하되어, 공극(30) 내는 외기압보다도 낮은 감압 상태로 되어 있다.
또한, 리드(26)는, 높은 방열성 및 낮은 전기 저항을 얻기 위해, Cu를 포함하는 것이 바람직하고, 두께의 불균일성을 저감시키기 위해, Cu층 상에 Ni층을 형성하는 것이 바람직하다. 또한, 지지 기판(44)은, 예를 들어 SUS304와 같이, Cu에 대하여 도금의 기재로서 기능하고, 또한, 밀봉 후에 리드(26)로부터 용이하게 박리될 수 있는 정도의 밀착성을 갖는 재료가 바람직하다. 또한, 열팽창 계수의 차이에 의한 위치 어긋남을 저감하기 위해, 지지 기판(44)으로서 압전 기판(22)과 동일한 압전체 재료를 사용해도 된다. 지지 기판(44)으로서 압전체를 사용하는 경우에는, 지지 기판(44) 표면에 전해 도금용 금속층(예를 들어, Al층 또는 Cu층)을, 다시 그 위에 도금층과 적당한 밀착성을 갖는 금속층(예를 들어, Ti층)을 형성하는 것이 바람직하다.
전술한 바와 같은 제조 공정을 갖고 형성된 탄성파 디바이스(20)는, 도 6의 (a) 및 도 6의 (b)와 같이, 상면과 하면을 관통하는 관통 배선(18)이 형성되고, 또한 양면에 배선층(16a)이 선택적으로 형성된 절연층(14a)에 매립된다. 이때, 탄성파 디바이스(20)의 상면은 절연층(14a) 상면에 노출되고, 적어도 리드(26)의 상면은 절연층(14a)의 상면과 동일 평면을 이루고 있는 것이 바람직하다.
이 후, 도 7과 같이, 절연층(14a)의 상면측에 프리프레그의 절연층(14b)과 배선층(16b)을 순서대로 배치하고, 한편, 절연층(14a)의 하면측에 프리프레그의 절연층(14c)과 배선층(16c)을 순서대로 배치한다. 그런 후, 절연층(14b, 14c) 및 배선층(16b, 16c)을 가열하여, 지지체(46)를 사용하여 절연층(14b, 14c) 및 배선층(16b, 16c)을 절연층(14a)측으로 가압한다. 이에 의해, 도 8의 (a)와 같이, 절연층(14b, 14c) 및 배선층(16b, 16c)이 절연층(14a)에 압착하여, 탄성파 디바이스(20)가 내장된 적층 기판이 얻어진다. 이때, 절연층(14b, 14c) 및 배선층(16b, 16c)에 가해지는 압력은 탄성파 디바이스(20)에도 인가되므로, 리드(26)의 재질 및 두께를 적절하게 선택함으로써, 리드(26)가 압전 기판(22)측으로 만곡된 변형[압전 기판(22) 표면에 근접하는 방향으로 우묵하게 들어간 형상]을 생기도록 한다. 리드(26)가 압전 기판(22) 표면에 근접하는 방향으로 우묵하게 들어간 형상으로 됨으로써, 공극(30)의 용적이 작아져, 절연층(14a)에 매립하기 전의 리드(26)가 평탄한 형상이었던 경우에 비해, 공극(30) 내의 압력이 높아진다. 또한, 리드(26)의 만곡량은, 그 재질 및 두께에 의존하므로, 원하는 만곡량으로 되도록, 리드(26)의 재질 및 두께를 미리 선택한다.
도 8의 (b)와 같이, 배선층(16b)의 상면 및 배선층(16c)의 하면에 형성한 레지스트층(도시 생략)을 마스크로 이용하여, 배선층(16b, 16c)에 대하여, 예를 들어 에칭 처리를 실시함으로써, 배선층(16b, 16c)에 개구를 형성한다. 이 개구에서는, 절연층(14b, 14c)이 노출되어 있다. 개구에서 노출되어 있는 절연층(14b, 14c)에 대하여, 예를 들어 레이저를 조사함으로써, 절연층(14b, 14c)을 관통하는 관통 구멍(48)을 형성한다. 관통 구멍(48)에서는, 배선층(16a)이 노출되어 있다.
도 8의 (c)와 같이, 관통 구멍(48)에 관통 배선(18)을 형성한다. 관통 배선(18)은, 우선 무전해 도금법에 의해 시드 메탈을 형성하고, 이 시드 메탈을 급전선으로서 전해 도금법에 의해 형성할 수 있다. 또한, 절연층(14b)의 상면 및 절연층(14c)의 하면에도 도금층이 형성되므로, 절연층(14b)의 상면 전체면 및 절연층(14c)의 하면 전체면에 배선층(16b, 16c)이 다시 형성된다.
도 9의 (a)와 같이, 배선층(16b)의 상면 및 배선층(16c)의 하면에 형성한 레지스트층(도시 생략)을 마스크로 이용하여, 배선층(16b, 16c)에 대하여, 예를 들어 에칭 처리를 실시함으로써, 배선층(16b, 16c)을 원하는 형상으로 패터닝한다.
도 9의 (b) 및 도 10의 (a)와 같이, 도 7 내지 도 9의 (a)에서 설명한 처리와 마찬가지의 처리를 반복하여, 탄성파 디바이스(20)가 내장된 다층 배선판(12)을 형성한다. 그 후, 도 10의 (b)와 같이, 다층 배선판(12)의 상면의 배선층(16)에 땜납(42)을 공급하고, 리플로우함으로써, 탄성파 디바이스(20)에 전기적으로 접속되는 전자 부품(40)을 실장한다. 이에 의해, 제1 실시예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈(10)이 형성된다.
제1 실시예에 따르면, 도 2 및 도 4와 같이, 다층 배선판(12)에 내장된 탄성파 디바이스(20)의 밀봉부(28)를 구성하는 리드(26)는, 압전 기판(22)측으로 우묵하게 들어간 형상으로 되어, 밀봉부(28)에 의해 형성되는 공극(30)의 용적이 감소하고 있다. 이에 의해, 공극(30) 내의 압력이 높아져, 공극(30) 내에 수분 등이 침입하는 것을 억제할 수 있다. 그 결과, 탄성파 디바이스(20)의 특성의 열화 등을 억제할 수 있다.
공극(30) 내에 수분 등이 침입하는 것을 억제한다고 하는 관점에서, 공극(30) 내의 압력은, 리드(26)가 평탄하다고 한 경우에 있어서의 공극(30) 내의 압력보다도 높은 것이 바람직하다. 예를 들어, 리드(26)의 만곡량 X(우묵하게 들어간 양 X)가, 리드(26)가 평탄하다고 한 경우에 있어서의 공극(30)의 높이의 1％ 이상이면, 공극(30) 내의 압력을 높여, 수분 등의 침입을 억제할 수 있다. 또한, 공극(30) 내의 압력을 보다 높여, 수분 등의 침입을 보다 효과적으로 억제하기 위해, 리드(26)의 만곡량 X는, 리드(26)가 평탄하다고 한 경우에 있어서의 공극(30)의 높이의 5％ 이상인 것이 바람직하다. 10％ 이상이면 보다 바람직하고, 20％ 이상인 것이 더욱 바람직하다.
제1 실시예에서는, 프레임(24) 및 리드(26)가 모두 금속에 의해 형성되어 있는 경우를 예로 나타내었지만 이것으로 한정되는 것은 아니다. 프레임(24) 및 리드(26)는, 폴리이미드, 에폭시 수지 등의 수지, 혹은 세라믹재 등의 절연물에 의해 형성되어도 된다. 도 11은 프레임 및 리드가 절연물로 형성된 탄성 표면파 디바이스를 도시하는 단면도이다. 도 11과 같이, 압전 기판(22) 상에 설치된 IDT0 및 반사기 R0을 둘러싸고, 예를 들어 수지를 포함하여 이루어지는 프레임(24a)이 설치되어 있다. 프레임(24a) 상에는, IDT0 및 반사기 R0 상에 공극(30)이 형성되도록, 예를 들어 수지를 포함하여 이루어지는 리드(26a)가 설치되어 있다. 이에 의해, IDT0 및 반사기 R0은, 프레임(24a)과 리드(26a)를 갖는 밀봉부(28a)에 의해 밀봉되어 있다. 밀봉부(28a)를 관통하여, IDT0에 전기적으로 접속되는 관통 전극(49)이 형성되어 있다. 또한, 프레임(24a)과 리드(26a)와의 사이에는 접합 부재는 개재되어 있지 않고, 프레임(24a)과 리드(26a)는 직접 접합되어 있다.
또한, 프레임(24)과 리드(26)를 다른 재료로 형성할 수도 있다. 예를 들어, 프레임(24)이 금속에 의해 형성되고, 리드(26)가 세라믹재에 의해 형성되어도 된다. 또한, 밀봉부(28)는, 프레임(24) 및 리드(26) 이외의 부재를 포함하고 있어도 된다. 또한, 밀봉부(28)는, 일체 형성된 캡 형상의 부재로 구성되어도 된다.
또한, 리드(26)의 강도가 작으면, 도 7에 도시한 절연층(14b), 절연층(14c) 등을 절연층(14a)에 압착시킬 때에 가하는 압력에 의해, 리드(26)에 큰 만곡이 형성되고, 리드(26)가 IDT0에 접촉할 가능성이 있다. 또한, 리드(26)에 크랙이 발생할 가능성도 있다. 이로 인해, 리드(26)는, 어느 정도의 크기의 강도를 갖는 것이 바람직하고, 금속에 의해 형성되어 있는 것이 바람직하다. 또한, 리드(26)를 금속으로 형성함으로써, 탄성파 디바이스(20)의 방열성 및 내습성을 향상시킬 수 있다. 이러한 방열성 및 내습성을 향상시키는 관점에서, 프레임(24)도 금속으로 형성되어 있는 것이 바람직하다.
리드(26)가 금속에 의해 형성되어 있는 경우, 도 5의 (a) 및 도 5의 (b)를 이용하여 설명한 바와 같이, 리드(26)와 프레임(24)을 땜납을 포함하여 이루어지는 접합 부재(36)를 사용하여 접합하고, 밀봉부(28)를 형성한다. 이 접합 처리는 고온 환경하에서 행해지므로, 밀봉 처리 후에는 공극(30) 내는 감압 상태로 된다. 공극(30) 내가 감압 상태이면, 공극(30) 내에 수분 등이 침입하기 쉽다. 따라서, 리드(26)가 금속에 의해 형성되어 있는 경우, 리드(26)가 압전 기판(22)측으로 우묵하게 들어간 형상으로 되고, 밀봉부(28)에 의해 형성되는 공극(30)의 용적이 감소하는 것은, 밀봉 처리에 있어서의 공극(30) 내의 감압화를 보상하여, 수분 등의 침입을 억제하는 것에 유효하다.
또한, 리드(26)의 강도가 필요 이상으로 크면, 도 7에 도시하는 절연층(14b), 절연층(14c) 등을 절연층(14a)에 압착시킬 때에 가하는 압력에 의해서도, 리드(26)에는 거의 만곡을 발생시키지 않는다. 따라서, 리드(26)의 강도는, 절연층(14b), 절연층(14c) 등을 절연층(14a)에 압착시킬 때에 가하는 압력에 의해 리드(26)에 만곡이 발생하는 정도의 크기인 것이 바람직하다. 리드(26)의 강도와 두께는 상관 관계에 있으므로, 리드(26)가 예를 들어 Cu 혹은 Ni 등의 금속, 그들 금속을 성분에 포함하는 합금, 혹은 세라믹재에 의해 형성되는 경우, 리드(26)의 두께는 10㎛ 이상 내지 40㎛ 이하로 되는 것이 바람직하고, 20㎛ 이상 내지 30㎛ 이하로 되는 것이 보다 바람직하다.
또한, 다층 배선판(12)을 구성하는 절연층(14)은, 수지 이외의 절연물로 형성할 수도 있지만, 절연층(14)을 수지에 의해 형성하는 경우, 전술한 바와 같이 수지는 흡습하기 쉬운 성질을 가지므로, 공극(30) 내에 수분이 침입하기 쉽다. 따라서, 절연층(14)이 수지에 의해 형성되어 있는 경우, 공극(30) 내의 압력을 높여 수분 등의 침입을 억제하기 위해서라도, 리드(26)가 압전 기판(22)측으로 우묵하게 들어간 형상으로 되는 것이 바람직하다.
또한, 리드(26)에 있어서의 만곡량 X는, 이러한 리드(26)가 IDT0에 접촉하지 않는 양으로 되지만, 리드(26)가 금속으로 형성되는 경우에는, 리드(26)와 IDT0과의 간격이 10㎛ 이상 이격되어 있는 것이 바람직하다. 이것은, 리드(26)와 IDT0과의 간격이 작아지면, 리드(26)와 IDT0과의 사이에 발생하는 용량에 의해, 탄성파 디바이스(20)의 특성이 열화되기 때문이다. 이로 인해, 리드(26)의 만곡량 X는, 예를 들어 리드(26)의 두께의 1/2보다도 작게 되는 것이 선택된다. 한편, 리드(26)가 수지 등의 절연물로 형성되어 있는 경우에는, 리드(26)는, IDT0의 진동을 방해하지 않는 위치까지 IDT0에 근접하여 우묵하게 들어가는 것이 허용된다.
도 2와 같이, 탄성파 디바이스(20)는, 다층 배선판(12)의 두께 방향의 중앙부에 내장되는 것이 바람직하다. 이에 의해, 다층 배선판(12)을 압착에 의해 형성할 때에 가하는 압력에 의해, 탄성파 디바이스(20)의 밀봉부(28)를 구성하는 리드(26)를, 압전 기판(22)측으로 우묵하게 들어간 형상으로 하게 하는 것이 용이하게 된다. 즉, 공극(30) 내의 압력을 높이는 것을 용이하게 행할 수 있다.
제1 실시예에서는, 다층 배선판(12)에 내장된 탄성파 디바이스(20)가 탄성 표면파 디바이스인 경우를 예로 설명하였지만, 탄성파 디바이스(20)로서, 러브파 디바이스 또는 탄성 경계파 디바이스를 적용하는 경우에 있어서도, 본 발명 사상을 적용할 수 있다. 또한, 다층 배선판에 내장되는 탄성파 디바이스는, 압전 박막 공진기 디바이스 혹은 램파 디바이스 등의 벌크파 디바이스인 경우여도 된다. 또한, 다층 배선판에 내장된 복수의 탄성파 디바이스 중 1개가 탄성 표면파 디바이스이고, 다른 1개가 벌크파 디바이스인 경우여도 된다. 도 12의 (a)는 압전 박막 공진기 디바이스를 도시하는 평면도, 도 12의 (b)는 도 12의 (a)의 선 A―A 사이의 단면도이다. 도 12의 (a) 및 도 12의 (b)와 같이, 실리콘 등의 기판(50) 상에, 하부 전극(52), 질화알루미늄 등의 압전막(54) 및 상부 전극(56)이 순서대로 적층되어 있다. 압전막(54)을 사이에 두고 하부 전극(52)과 상부 전극(56)이 겹치는 영역이 공진 영역(58)이다. 공진 영역(58)의 하방의 기판(50)에는, 기판(50)을 관통하는 관통 구멍(60)이 형성되어 있다. 또한, 관통 구멍(60) 대신에, 기판(50)의 일부가 제거되어 공극이 형성되는 구성, 기판(50)과 하부 전극(52)과의 사이에 돔형의 공극이 형성되는 구성, 혹은 탄성파를 반사하는 음향 다층막이 형성되는 구성을 적용하는 것도 가능하다.
또한, 다층 배선판에 내장된 탄성파 디바이스에 의해 분파기가 형성되는 구성으로 해도 된다. 도 13은 분파기를 도시하는 블록도이다. 도 13과 같이, 분파기(68)는, 송신 필터(62)와 수신 필터(64)와 정합 회로(66)를 구비한다. 송신 필터(62) 및 수신 필터(64)가, 다층 배선판에 내장된 탄성파 디바이스에 의해 형성된다. 예를 들어, 도 2에 있어서, 다층 배선판(12)에 내장된 탄성파 디바이스(20) 중 한쪽을 송신 필터(62), 다른 쪽을 수신 필터(64)로 할 수 있다. 각 필터의 탄성파를 여진하는 전극은, 다른 압전 기판 상에 형성되어도 되고, 또한 공통의 압전 기판 상에 형성되어도 된다. 공통의 압전 기판 상에 형성된 경우에는, 1개의 밀봉부에 의해 복수의 탄성파를 여진하는 전극을 밀봉해도 된다.
송신 필터(62)는, 안테나 단자(Ant)와 송신 단자(Tx)와의 사이에 배치·접속되어 있다. 수신 필터(64)는, 안테나 단자(Ant)와 수신 단자(Rx)와의 사이에 배치·접속되어 있다. 그리고 정합 회로(66)는, 송신 필터(62) 및 수신 필터(64) 중 적어도 한쪽과 안테나 단자(Ant)와의 사이에 접속되어 있다.
송신 필터(62)는, 송신 단자(Tx)로부터 입력된 신호 중 송신 대역의 신호를 송신 신호로서 안테나 단자(Ant)에 통과시키고, 다른 주파수의 신호를 억압한다. 수신 필터(64)는, 안테나 단자(Ant)로부터 입력된 신호 중 수신 대역의 신호를 수신 신호로서 수신 단자(Rx)에 통과시키고, 다른 주파수의 신호를 억압한다. 정합 회로(66)는, 송신 필터(62)를 통과한 송신 신호가, 수신 필터(64)측에 누설되지 않고, 안테나 단자(Ant)로부터 출력되도록 임피던스를 정합시키는 회로이다.
제1 실시예에 있어서, 도 6의 (a) 및 도 6의 (b)에 도시되는 절연층(14a)의 주위 측면에, 절연층(14a)과 동일한 정도의 두께를 갖는 Cu 등의 금속층이 배치되어도 된다. 이러한 금속층을 배치함으로써, 다층 배선판(12)의 강도 및 방열성을 높일 수 있다.
도 14는 제1 실시예의 제1 변형예에 따른 탄성파 디바이스 내장 모듈을 도시하는 단면도이다. 도 14와 같이, 제1 실시예의 제1 변형예의 탄성파 디바이스 내장 모듈(70)에 있어서는, 밀봉부(28)를 구성하는 리드(26) 상에, 예를 들어, 폴리이미드 수지, 에폭시 수지 등의 수지 혹은 그 밖의 절연물을 포함하여 이루어지는 조정층(72)이 배치되어 있다. 조정층(72)은, 절연층(14)과 다른 재질의 절연물로 형성되어 있다. 그 밖의 구성은, 제1 실시예의 도 2와 동일하므로 설명을 생략한다.
제1 실시예의 제1 변형예에서는, 리드(26)와 절연층(14)과의 사이에, 절연물을 포함하여 이루어지는 조정층(72)이 배치되어 있다. 이러한 조정층(72)의 두께를 조정함으로써, 도 7에서의 절연층(14b, 14c) 등을 절연층(14a)에 압착시킬 때에 가하는 압력에 의해 리드(26)가 우묵하게 들어가는 양을 조정하는 것이 가능해진다.
예를 들어, 다층 배선판(12)에 내장된 복수의 탄성파 디바이스(20) 각각의 리드(26)의 면적이 다르면, 각 탄성파 디바이스(20)에 동일한 크기의 압력이 가해져도, 탄성파 디바이스(20)마다 리드(26)의 만곡량이 다른 경우가 발생한다. 예를 들어, 복수의 탄성파 디바이스(20) 중 1개는, 리드(26)가 거의 우묵하게 들어가지 않고, 다른 1개는, IDT0에 접촉할수록 리드(26)가 우묵하게 들어가는 경우가 있다. 그러나 제1 실시예의 제1 변형예와 같이, 리드(26) 상에 조정층(72)을 배치하고, 또한 이러한 조정층(72)의 두께를 탄성파 디바이스(20)마다 선택함으로써, 복수의 탄성파 디바이스(20)의 각각에 있어서의 리드(26)의 만곡량을, 마찬가지의 것으로 할 수 있다.
제2 실시예
제2 실시예는, 제1 실시예의 탄성파 디바이스 내장 모듈을 갖는 통신 장치이다. 도 15는 제2 실시예에 따른 통신 장치를 도시하는 블록도이다. 도 15와 같이, 제2 실시예의 통신 장치(80)는, 안테나(82), 안테나 스위치(84), 고주파 IC(86), 파워 앰프(88), 필터(90), 복수의 분파기(92), 복수의 수신 필터(94) 및 복수의 로우패스 필터(96)를 갖는다. 고주파 IC(86)는, 복수의 로우 노이즈 앰프(98)를 갖는다. 고주파 IC(86)는, 신호의 주파수의 변환을 행하는 다이렉트 컨버터로서 기능한다.
복수의 분파기(92)는 각각, W-CDMA(Wideband Code Division Multiple Access) 방식에 있어서의 밴드 1, 밴드 2 및 밴드 5에 대응하고 있다. 복수의 수신 필터(94)는 각각, GSM(Global System for Mobile Communication)(등록 상표, 이하 마찬가지) 방식에 있어서의 850㎒대, 900㎒대, 1800㎒대, 1900㎒대에 대응하고 있다. 복수의 로우패스 필터(96)의 한쪽은, GSM 방식의 로우 밴드대(850㎒대와 900㎒대)의 송신 필터의 기능을 갖고, 다른 쪽은, GSM 방식의 하이 밴드대(1800㎒대와 1900㎒대)의 송신 필터의 기능을 갖는다.
복수의 분파기(92) 각각이 갖는 송신 필터(92a)는, 파워 앰프(88)와 필터(90)를 개재하여 고주파 IC(86)에 접속되어 있다. 필터(90)는, 접속되는 송신 필터(92a)의 통과 대역과 동일한 대역을 선택적으로 통과시키는 밴드패스 필터이다. 복수의 분파기(92) 각각이 갖는 수신 필터(92b)는, 고주파 IC(86) 내의 로우 노이즈 앰프(98)에 접속되어 있다. 복수의 수신 필터(94) 각각은, 고주파 IC(86) 내의 로우 노이즈 앰프(98)에 접속되어 있다. 복수의 로우패스 필터(96)는, 파워 앰프(88)를 개재하여 고주파 IC(86)에 접속되어 있다. 또한, 수신 필터(92b) 및 수신 필터(94)는, 평형 출력의 경우로 한정하지 않고, 불평형 출력의 경우여도 된다.
복수의 분파기(92) 각각의 안테나 단자(밴드 1, 밴드 2 및 밴드 5)는, 안테나 스위치(84)에 접속되어 있다. 복수의 수신 필터(94) 각각의 안테나 단자(GSM 850, GSM 900, GSM 1800, GSM 1900)는, 안테나 스위치(84)에 접속되어 있다. 복수의 로우패스 필터(96) 각각의 안테나 단자(GSM_LB Tx 및 GSM_HB Tx)는, 안테나 스위치(84)에 접속되어 있다.
안테나 스위치(84)는, 통신 방식에 따라 각 분파기 및 각 필터 중 어느 하나를 선택하고, 안테나(82)와 접속시킨다. 예를 들어, 고주파 IC(86)는, 베이스밴드 신호를 W-CDMA 방식의 밴드 5의 RF 신호로 업 컨버트하여 송신 신호를 생성한다. 송신 신호는, 필터(90)에서 필터링된 후, 파워 앰프(88)에 의해 증폭되고, 밴드 5용의 분파기(92)에서 다시 필터링된다. 송신 신호는, 안테나(82)를 통해 송신된다. 또한, 안테나(82)가 수신한 W-CDMA 방식의 밴드 5의 수신 신호는, 밴드 5용의 분파기(92)에서 필터링된다. 로우 노이즈 앰프(98)는 수신 신호를 증폭하고, 고주파 IC(86)는 수신 신호를 베이스밴드 신호로 다운 컨버트한다.
제1 실시예의 탄성파 디바이스 내장 모듈(10)은, 도 15의 파선으로 둘러싸인 부품[1개의 분파기(92)와 1개의 파워 앰프(88)]을 갖는 구성이나, 1점 쇄선으로 둘러싸인 부품[안테나 스위치(84), 복수의 분파기(92), 복수의 수신 필터(94) 및 복수의 로우패스 필터(96)]을 갖는 구성 등, 여러 가지 양태를 취할 수 있다.
이상, 본 발명의 실시예에 대해 상술하였지만, 본 발명은 이러한 특정한 실시예로 한정되는 것이 아니라, 특허청구범위에 기재된 본 발명의 요지의 범위 내에 있어서, 다양한 변형·변경이 가능하다.
10, 70 : 탄성파 디바이스 내장 모듈
12 : 다층 배선판
14 : 절연층
16 : 배선층
18 : 관통 배선
20 : 탄성파 디바이스
22 : 압전 기판
24, 24a : 프레임
26, 26a : 리드
28, 28a : 밀봉부
30 : 공극
32 : 돌기 전극
36 : 접합 부재
40 : 전자 부품
68 : 분파기
72 : 조정층
80 : 통신 장치

Claims (11)

  1. 절연층과 배선층이 적층된 다층 배선판과,
    상기 다층 배선판에 내장된 탄성파 디바이스와,
    상기 다층 배선판 상에 설치되고, 상기 탄성파 디바이스와 전기적으로 접속된 전자 부품을 구비하고,
    상기 탄성파 디바이스는, 기판 상에 형성된 탄성파를 여진하는 전극과, 상기 전극을 둘러싸고 상기 기판 상에 설치된 프레임과 상기 전극 상에 공극을 갖도록 상기 프레임 상에 설치된 리드를 포함하는 밀봉부를 갖고,
    상기 리드는, 상기 기판측으로 우묵하게 들어가 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스 내장 모듈.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 공극 내의 압력은, 상기 리드가 상기 기판측으로 우묵하게 들어가지 않고 평탄하다고 한 경우에 있어서의 상기 전극 상의 공극의 압력보다도 높은 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스 내장 모듈.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 절연층은, 수지에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스 내장 모듈.
  4. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 리드는, 금속에 의해 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스 내장 모듈.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 리드의 만곡량은, 상기 리드의 두께의 절반보다도 작은 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스 내장 모듈.
  6. 제4항에 있어서,
    상기 리드와 상기 절연층과의 사이에 상기 절연층과는 다른 재질의 절연물이 개재되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스 내장 모듈.
  7. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 탄성파 디바이스는, 상기 다층 배선판의 두께 방향의 중앙부에 내장되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스 내장 모듈.
  8. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 탄성파 디바이스는, 탄성 표면파 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스 내장 모듈.
  9. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 탄성파 디바이스는, 벌크파 디바이스를 포함하는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스 내장 모듈.
  10. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 탄성파 디바이스에 의해 분파기가 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 탄성파 디바이스 내장 모듈.
  11. 제1항 또는 제2항에 기재된 탄성파 디바이스 내장 모듈을 갖는 것을 특징으로 하는 통신 장치.
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