JP2007312108A - 表面弾性波装置 - Google Patents

表面弾性波装置 Download PDF

Info

Publication number
JP2007312108A
JP2007312108A JP2006139175A JP2006139175A JP2007312108A JP 2007312108 A JP2007312108 A JP 2007312108A JP 2006139175 A JP2006139175 A JP 2006139175A JP 2006139175 A JP2006139175 A JP 2006139175A JP 2007312108 A JP2007312108 A JP 2007312108A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
acoustic wave
surface acoustic
conductor
wave device
semiconductor component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
JP2006139175A
Other languages
English (en)
Inventor
Hideki Kondo
秀樹 近藤
Shoji Kai
昇司 甲斐
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Alps Alpine Co Ltd
Original Assignee
Alps Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Alps Electric Co Ltd filed Critical Alps Electric Co Ltd
Priority to JP2006139175A priority Critical patent/JP2007312108A/ja
Publication of JP2007312108A publication Critical patent/JP2007312108A/ja
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
    • H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
    • H01L2224/161—Disposition
    • H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4805—Shape
    • H01L2224/4809—Loop shape
    • H01L2224/48091—Arched
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/73—Means for bonding being of different types provided for in two or more of groups H01L2224/10, H01L2224/18, H01L2224/26, H01L2224/34, H01L2224/42, H01L2224/50, H01L2224/63, H01L2224/71
    • H01L2224/732—Location after the connecting process
    • H01L2224/73251—Location after the connecting process on different surfaces
    • H01L2224/73265—Layer and wire connectors
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/151—Die mounting substrate
    • H01L2924/1517—Multilayer substrate
    • H01L2924/15172—Fan-out arrangement of the internal vias
    • H01L2924/15174—Fan-out arrangement of the internal vias in different layers of the multilayer substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/19—Details of hybrid assemblies other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/191—Disposition
    • H01L2924/19101—Disposition of discrete passive components
    • H01L2924/19105—Disposition of discrete passive components in a side-by-side arrangement on a common die mounting substrate

Landscapes

  • Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
  • Cooling Or The Like Of Semiconductors Or Solid State Devices (AREA)
  • Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)

Abstract

【課題】小型で、安価な表面弾性波装置を提供すること。
【解決手段】本発明の表面弾性波装置において、表面弾性波素子４と半導体部品１０が上下方向に重なって配置されるため、絶縁基板１に対する占有面積が小さくなって、小型化が図れると共に、覆い部材９が表面弾性波素子４の密封と半導体部品１０の放熱を兼ねることができて、部品点数が少なく、生産性が良くなって、安価なものが得られる。
【選択図】図１

Description

本発明は、テレビチューナ等に使用して好適な表面弾性波装置に関するものである。
図５は従来の表面弾性波装置の要部断面図であり、次に、従来の表面弾性波装置の構成を図５に基づいて説明すると、多層基板からなる絶縁基板５１は、下面側で、互いに間隔を置いて並設された第１，第２の凹部５１ａ、５１ｂを有すると共に、この絶縁基板５１の上面、内層、及び下面等には、導電パターンである導電体５２が設けられている。
表面弾性波素子５３は、第１の凹部５１ａ内に収納された状態で、第１の凹部５１ａ内の上面に設けられた導電体５２に接続されると共に、第１の凹部５１ａの下面の開放部は、蓋体５４によって塞がれて、第１の凹部５１ａ内が密閉されている。
半導体部品５５は、第２の凹部５１ｂ内に収納された状態で、第２の凹部５１ｂ内の上面に設けられた導電体５２に接続されると共に、この半導体部品５５は、第２の凹部５１ｂ内に充填されたアンダーフィル５６によって固着され、また、第２の凹部５１ｂの下面の開放部は、放熱作用を行う蓋体５７によって塞がれている。
また、絶縁基板５１の上面には、電子部品５８が搭載され、絶縁基板５１に所望の電気回路が形成されて、従来の表面弾性波装置が構成されると共に、このような構成を有する従来の表面弾性波装置は、表面弾性波素子５３や半導体部品５５を配置した絶縁基板５１側をマザー基板５９上に載置して、マザー基板５９に電気的に接続されるようになっている（例えば、特許文献１参照）。
特開２００２ー３５９３２７号公報
しかし、従来の表面弾性波装置にあっては、表面弾性波素子５３と半導体部品５５が絶縁基板５１に対して並設された状態で取り付けられるため、絶縁基板５１が大きくなって、大型になるばかりか、表面弾性波素子５３を密封するための蓋体５４と半導体部品５５の放熱用の蓋体５７を必要とし、部品点数が多くなって、生産性が悪く、コスト高になるという問題がある。
本発明は、このような従来技術の実情に鑑みてなされたもので、その目的は、小型で、安価な表面弾性波装置を提供することにある。
上記の目的を達成するために、本発明は、導電体と凹部を有する絶縁基板と、凹部内に収納された表面弾性波素子と、この表面弾性波素子と凹部内の底面との間に振動空間部を持たせた状態で、表面弾性素子を密封するための覆い部材とを備え、覆い部材の上部には、半導体部品が配置されると共に、半導体部品が覆い部材上に設けられたアンダーフィルによって固着されたことを特徴としている。
このように構成した本発明は、表面弾性波素子と半導体部品が上下方向に重なって配置されるため、絶縁基板に対する占有面積が小さくなって、小型化が図れると共に、覆い部材が表面弾性波素子の密封と半導体部品の放熱を兼ねることができて、部品点数が少なく、生産性が良くなって、安価なものが得られ、更に、覆い部材が半導体部品を載置するためのスペーサの役目を兼用できて、組立性の良好なものが得られる。
また、本発明は、上記発明において、覆い部材は、凹部内に収納され、表面弾性素子を覆って密封する金属製のカバーで形成されたことを特徴としている。
このように構成した本発明は、凹部からはみ出すことなくカバーの収納ができて、小型化を図ることができる。
また、本発明は、上記発明において、カバーの下端部は、凹部内の底面に設けられた導電体に接合され、この導電体は、絶縁基板に設けられたビア導体を介して絶縁基板の外表面に設けられた接地端子に接続されたことを特徴としている。
このように構成した本発明は、ビア導体の存在によって、カバーを電気的に接地できると共に、半導体部品の放熱効果も向上することができる。
また、本発明は、上記発明において、カバーは、凹部の上部から突出しない状態で、凹部内に収納されると共に、絶縁基板の上面には、電子部品が搭載されたことを特徴としている。
このように構成した本発明は、カバーが凹部の上面から突出しないため、電子部品を搭載するためのクリーム半田がカバーに邪魔されることなく絶縁基板上に印刷形成できて、生産性の良好なものが得られる。
また、本発明は、上記発明において、半導体部品は、端部が凹部の上部からはみ出した状態で配置されると共に、凹部からはみ出した位置で、半導体部品が絶縁基板の上面に設けられた導電体に導体バンプによって接続されたことを特徴としている。
このように構成した本発明は、半導体部品が導体バンプによって絶縁基板に対して面実装が可能となって、半導体部品の取付作業が容易となり、生産性の良好なものが得られると共に、カバーがスペーサの役目をなして、半導体部品と蓋体との間を一定に保つことができ、導体バンプの接続の安定したものが得られる。
また、本発明は、上記発明において、覆い部材は、凹部の開放部を覆って表面弾性素子を密封する金属製の蓋体で形成されたことを特徴としている。
このように構成した本発明は、蓋体の取付が簡単にできて、生産性の良好なものが得られる。
また、本発明は、上記発明において、半導体部品は、端部が蓋体からはみ出した状態で配置されると共に、蓋体からはみ出した位置で、半導体部品が絶縁基板の上面に設けられた導電体に導体バンプによって接続されたことを特徴としている。
このように構成した本発明は、半導体部品が導体バンプによって絶縁基板に対して面実装が可能となって、半導体部品の取付作業が容易となり、生産性の良好なものが得られると共に、蓋体がスペーサの役目をなして、半導体部品と蓋体との間を一定に保つことができ、導体バンプの接続の安定したものが得られる。
また、本発明は、上記発明において、蓋体は、絶縁基板の上面に設けられた導電体に接合され、この導電体は、絶縁基板に設けられたビア導体、或いはサイド電極を介して絶縁基板の外表面に設けられた接地端子に接続されたことを特徴としている。
このように構成した本発明は、ビア導体、或いはサイド電極の存在によって、蓋体を電気的に接地できると共に、半導体部品の放熱効果も向上することができる。
本発明は、表面弾性波素子と半導体部品が上下方向に重なって配置されるため、絶縁基板に対する占有面積が小さくなって、小型化が図れると共に、覆い部材が表面弾性波素子の密封と半導体部品の放熱を兼ねることができて、部品点数が少なく、生産性が良くなって、安価なものが得られ、更に、覆い部材が半導体部品を載置するためのスペーサの役目を兼用できて、組立性の良好なものが得られる。
発明の実施の形態について図面を参照して説明すると、図１は本発明の表面弾性波装置の第１実施例に係る要部断面図、図２は本発明の表面弾性波装置の第２実施例に係る要部断面図、図３は本発明の表面弾性波装置の第３実施例に係る要部断面図、図４は本発明の表面弾性波装置の第４実施例に係る要部断面図である。
次に、本発明の表面弾性波装置の第１実施例に係る構成を図１に基づいて説明すると、セラミック材等の多層基板からなる絶縁基板１は、上面側に設けられた凹部１ａを有し、この絶縁基板１の上面、内層、及び下面には、導電パターンである導電体２が設けられると共に、この上下間に位置する導電体２は、ビア導体３によって接続され、また、絶縁基板１の外表面である下面には、端子２ａと接地端子２ｂが設けられ、端子２ａと接地端子２ｂはビア導体３によって導電体２に接続されている。
表面弾性波素子４は、圧電基板５と、この圧電基板５の下面に設けられた櫛歯電極（ＩＤＴ電極）６とで形成され、この表面弾性波素子４は、櫛歯電極６側から凹部１ａ内に収納され、櫛歯電極６と凹部１ａの底面との間に振動空間部７を持たせた状態で、櫛歯電極６が接続導体８によって底面上の導電体２に電気的に接合（接続）されている。
金属製の覆い部材９は、キャップ状のカバーで形成され、このカバーからなる覆い部材９の下端部は、接続導体８によって導電体２に接合されて、覆い部材９によって振動空間部７が密封されると共に、この覆い部材９は、ビア導体３を介して接地端子２ｂに接続されている。
この時、カバーである覆い部材９の上面は、凹部１ａの上部から突出しない状態で、凹部１ａ内に収納されている。
ベアチップ等からなる半導体部品１０は、覆い部材９の上部に位置した状態で配置され、ワイヤ１０ａによって、絶縁基板１の上面に設けられた導電体２に電気的に接続されており、この時、半導体部品１０は、表面弾性波素子４の上部に位置して、表面弾性波素子４と共に上下方向に重なるように配置されている。
そして、含む半導体部品１０と覆い部材９との間には、アンダーフィル１１が設けられて、このアンダーフィル１１によって半導体部品１０が覆い部材９に固着されると共に、ワイヤ１０ａを含む半導体部品１０は、ポッティング材１６によって覆われて、ワイヤ１０ａの断線が防止され、また、覆い部材９は、表面弾性波素子４の密封と半導体部品１０の放熱を兼ね、覆い部材９は、ビア導体３と接地端子２ｂを介して電気的な接地と放熱が行われるようになっている。
また、絶縁基板１の上面には、コンデンサ、抵抗、或いはコイル等の電子部品１２が半田付けによって搭載されて、絶縁基板１に所望の電気回路が形成されて、本発明の表面弾性波装置が構成されている。
この電子部品１２の絶縁基板１への搭載は、凹部１ａ内に表面弾性波素子４と覆い部材９を取り付けた後、覆い部材９によって邪魔されること無く、クリーム半田（図示せず）が印刷によって絶縁基板１上に形成され、しかる後、このクリーム半田上に電子部品１２を載置した状態で、リフロー半田付け装置に搬送して、電子部品１２の導電体２への接続を行うことができるようになっている。
このような構成を有する本発明の表面弾性波装置は、絶縁基板１の下面側をマザー基板１３上に載置して、絶縁基板１の下面に設けられた端子２ａと接地端子２ｂがマザー基板１３に電気的に接続されるようになっている。
また、図２は本発明の表面弾性波装置の第２実施例を示し、この第２実施例について説明すると、覆い部材９が金属板からなるカバーで形成され、このカバーの上部は、凹部１ａから若干外方に突出している。
また、覆い部材９であるカバー上に載置された半導体部品１０は、端部が凹部１ａの上部からはみ出した状態で配置されると共に、凹部１ａからはみ出した位置で、半導体部品１０が絶縁基板１の上面に設けられた導電体２に導体バンプ１４によって接続され、この半導体部品１０と覆い部材９との間には、アンダーフィル１１が設けられて、このアンダーフィル１１によって半導体部品１０が覆い部材９に固着される。
その他の構成は、上記第１実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一符号を付し、ここではその説明を省略する。
また、図３は本発明の表面弾性波装置の第３実施例を示し、この第３実施例について説明すると、覆い部材９が金属板からなる蓋体で形成され、この蓋体は、凹部１ａの開放部を覆って、表面弾性素子４を密封すると共に、覆い部材９である蓋体は、凹部１ａの周辺の絶縁基板１の上面に設けられた導電体２に接続導体８によって接合される。
また、覆い部材９である蓋体上に載置された半導体部品１０は、端部が蓋体からはみ出した状態で配置されると共に、蓋体からはみ出した位置で、半導体部品１０が絶縁基板１の上面に設けられた導電体２に導体バンプ１４によって接続され、この半導体部品１０と覆い部材９との間には、アンダーフィル１１が設けられて、このアンダーフィル１１によって半導体部品１０が覆い部材９に固着される。
そして、覆い部材９である蓋体は、表面弾性波素子４の密封と半導体部品１０の放熱を兼ね、蓋体に接続された導電体２を介して電気的な接地と放熱が行われるようになっている。
その他の構成は、上記第２実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一符号を付し、ここではその説明を省略する。
また、図４は本発明の表面弾性波装置の第４実施例を示し、この第４実施例について説明すると、覆い部材９である蓋体上にもう得られた半導体部品１０がワイヤ１０ａによって導電体２に接続されると共に、絶縁基板１の側面に設けられたサイド電極１５は、覆い部材９に接続された導電体２と接地端子２ｂに接続されている。
そして、覆い部材９である蓋体は、表面弾性波素子４の密封と半導体部品１０の放熱を兼ね、覆い部材９は、サイド電極１５と、このサイド電極１５に接続された接地端子２ｂを介して電気的な接地と放熱が行われるようになっている。
その他の構成は、上記第３実施例と同様の構成を有し、同一部品に同一符号を付し、ここではその説明を省略する。
本発明の表面弾性波装置の第１実施例に係る要部断面図である。 本発明の表面弾性波装置の第２実施例に係る要部断面図である。 本発明の表面弾性波装置の第３実施例に係る要部断面図である。 本発明の表面弾性波装置の第３実施例に係る要部断面図である。 従来の表面弾性波装置に係る要部断面図である。
符号の説明
１ 絶縁基板
１ａ 凹部
２ 導電体
２ａ 端子
２ｂ 接地端子
３ ビア導体
４ 表面弾性波素子
５ 圧電基板
６ 櫛歯電極
７ 振動空間部
８ 接続導体
９ 覆い部材
１０ 半導体部品
１０ａ ワイヤ
１１ アンダーフィル
１２ 電子部品
１３ マザー基板
１４ 導体バンプ
１５ サイド電極
１６ ポッティング材

Claims (8)

  1. 導電体と凹部を有する絶縁基板と、前記凹部内に収納された表面弾性波素子と、この表面弾性波素子と前記凹部内の底面との間に振動空間部を持たせた状態で、前記表面弾性素子を密封するための覆い部材とを備え、前記覆い部材の上部には、半導体部品が配置されると共に、前記半導体部品が前記覆い部材上に設けられたアンダーフィルによって固着されたことを特徴とする表面弾性波装置。
  2. 前記覆い部材は、前記凹部内に収納され、前記表面弾性素子を覆って密封する金属製のカバーで形成されたことを特徴とする請求項１記載の表面弾性波装置。
  3. 前記カバーの下端部は、前記凹部内の底面に設けられた前記導電体に接合され、この導電体は、前記絶縁基板に設けられたビア導体を介して前記絶縁基板の外表面に設けられた接地端子に接続されたことを特徴とする請求項２記載の表面弾性波装置。
  4. 前記カバーは、前記凹部の上部から突出しない状態で、前記凹部内に収納されると共に、前記絶縁基板の上面には、電子部品が搭載されたことを特徴とする請求項２，又は３記載の表面弾性波装置。
  5. 前記半導体部品は、端部が前記凹部の上部からはみ出した状態で配置されると共に、前記凹部からはみ出した位置で、前記半導体部品が前記絶縁基板の上面に設けられた前記導電体に導体バンプによって接続されたことを特徴とする請求項２から４の何れか１項に記載の表面弾性波装置。
  6. 前記覆い部材は、前記凹部の開放部を覆って前記表面弾性素子を密封する金属製の蓋体で形成されたことを特徴とする請求項１記載の表面弾性波装置。
  7. 前記半導体部品は、端部が前記蓋体からはみ出した状態で配置されると共に、前記蓋体からはみ出した位置で、前記半導体部品が前記絶縁基板の上面に設けられた前記導電体に導体バンプによって接続されたことを特徴とする請求項６記載の表面弾性波装置。
  8. 前記蓋体は、前記絶縁基板の上面に設けられた前記導電体に接合され、この導電体は、前記絶縁基板に設けられたビア導体、或いはサイド電極を介して前記絶縁基板の外表面に設けられた接地端子に接続されたことを特徴とする請求項６，又は７記載の表面弾性波装置。
JP2006139175A 2006-05-18 2006-05-18 表面弾性波装置 Withdrawn JP2007312108A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006139175A JP2007312108A (ja) 2006-05-18 2006-05-18 表面弾性波装置

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006139175A JP2007312108A (ja) 2006-05-18 2006-05-18 表面弾性波装置

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2007312108A true JP2007312108A (ja) 2007-11-29

Family

ID=38844549

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2006139175A Withdrawn JP2007312108A (ja) 2006-05-18 2006-05-18 表面弾性波装置

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2007312108A (ja)

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013026280A (ja) * 2011-07-15 2013-02-04 Dainippon Printing Co Ltd 素子内蔵配線基板、及びその製造方法
CN103516326A (zh) * 2012-06-28 2014-01-15 太阳诱电株式会社 声波器件内置模块和通信装置
CN103811470A (zh) * 2012-11-05 2014-05-21 太阳诱电株式会社 电路模块
US9197190B2 (en) 2012-10-30 2015-11-24 Taiyo Yuden Co., Ltd. Electronic component module
WO2018123699A1 (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 株式会社村田製作所 高周波モジュール

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2013026280A (ja) * 2011-07-15 2013-02-04 Dainippon Printing Co Ltd 素子内蔵配線基板、及びその製造方法
CN103516326A (zh) * 2012-06-28 2014-01-15 太阳诱电株式会社 声波器件内置模块和通信装置
KR101486144B1 (ko) 2012-06-28 2015-01-23 다이요 유덴 가부시키가이샤 탄성파 디바이스 내장 모듈 및 통신 장치
US9478213B2 (en) 2012-06-28 2016-10-25 Taiyo Yuden Co., Ltd. Acoustic wave device built-in module and communication device
CN103516326B (zh) * 2012-06-28 2016-11-09 太阳诱电株式会社 声波器件内置模块和通信装置
US9197190B2 (en) 2012-10-30 2015-11-24 Taiyo Yuden Co., Ltd. Electronic component module
CN103811470A (zh) * 2012-11-05 2014-05-21 太阳诱电株式会社 电路模块
CN103811470B (zh) * 2012-11-05 2018-04-10 太阳诱电株式会社 电路模块
WO2018123699A1 (ja) * 2016-12-27 2018-07-05 株式会社村田製作所 高周波モジュール
US11057997B2 (en) 2016-12-27 2021-07-06 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module
US11825603B2 (en) 2016-12-27 2023-11-21 Murata Manufacturing Co., Ltd. High-frequency module

Similar Documents

Publication Publication Date Title
WO2000035015A1 (fr) Module de circuit rf
JP2006303335A (ja) 電子部品搭載用基板及びそれを用いた電子装置
JP2012159935A (ja) 電子部品モジュール、電子部品モジュールの製造方法、多機能カード
JP2007312108A (ja) 表面弾性波装置
JP2007312107A (ja) 表面弾性波装置
JP4916775B2 (ja) 圧電発振器
JP2015130601A (ja) モジュール
JP2006237909A (ja) 表面実装型圧電デバイス
JP2007095956A (ja) 電子部品収納用パッケージ
JPH0818390A (ja) 弾性表面波装置
JP2007067778A (ja) 圧電デバイス
JP2016103758A (ja) 圧電デバイス
JP2005311144A (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP3866128B2 (ja) 配線基板
JP5642559B2 (ja) 電子部品モジュール
JP2008187751A (ja) 表面実装型圧電発振器
JP2007124223A (ja) 圧電振動子収納用パッケージおよび圧電振動装置
JP2011182017A (ja) モジュール
JP4429034B2 (ja) 圧電発振器
JP2005203669A (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置
JP2005159130A (ja) 配線基板
JP2005244146A (ja) 電子部品収納用パッケージおよび電子装置ならびに電子装置の実装構造
JP2004064651A (ja) 表面実装型圧電発振器
JP2017028197A (ja) 電子部品搭載用パッケージおよび電子装置
JP2009089437A (ja) 表面実装型圧電発振器

Legal Events

Date Code Title Description
A300 Withdrawal of application because of no request for examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300

Effective date: 20090804