CN103516326B - 声波器件内置模块和通信装置 - Google Patents
声波器件内置模块和通信装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN103516326B CN103516326B CN201310258524.6A CN201310258524A CN103516326B CN 103516326 B CN103516326 B CN 103516326B CN 201310258524 A CN201310258524 A CN 201310258524A CN 103516326 B CN103516326 B CN 103516326B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- wave device
- acoustic wave
- lid
- electrode
- device built
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 61
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 50
- 238000007789 sealing Methods 0.000 claims abstract description 31
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 27
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 27
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims description 15
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims description 15
- 238000010897 surface acoustic wave method Methods 0.000 claims description 10
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 83
- 238000000034 method Methods 0.000 description 19
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 17
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 10
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 9
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 9
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 7
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 6
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 6
- 239000010408 film Substances 0.000 description 6
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 6
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 5
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 4
- 230000006837 decompression Effects 0.000 description 4
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 4
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 4
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 4
- 239000003822 epoxy resin Substances 0.000 description 4
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 4
- 229920000647 polyepoxide Polymers 0.000 description 4
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 4
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 235000019687 Lamb Nutrition 0.000 description 3
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 3
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 229910010293 ceramic material Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 238000001914 filtration Methods 0.000 description 3
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 3
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 3
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 3
- 229920000106 Liquid crystal polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000004977 Liquid-crystal polymers (LCPs) Substances 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 235000019994 cava Nutrition 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 229920001169 thermoplastic Polymers 0.000 description 2
- 239000004416 thermosoftening plastic Substances 0.000 description 2
- WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-pyrazole-3-carboxylic acid Chemical compound CC1=CC(C(O)=O)=NN1 WSMQKESQZFQMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017083 AlN Inorganic materials 0.000 description 1
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003327 LiNbO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910012463 LiTaO3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 240000001439 Opuntia Species 0.000 description 1
- 208000037656 Respiratory Sounds Diseases 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 238000005452 bending Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 1
- 230000005672 electromagnetic field Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 description 1
- GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N lithium niobate Chemical compound [Li+].[O-][Nb](=O)=O GQYHUHYESMUTHG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000013011 mating Effects 0.000 description 1
- 239000000155 melt Substances 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- 238000009738 saturating Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 1
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 239000011800 void material Substances 0.000 description 1
- 238000003466 welding Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/58—Structural electrical arrangements for semiconductor devices not otherwise provided for, e.g. in combination with batteries
- H01L23/64—Impedance arrangements
-
- G—PHYSICS
- G10—MUSICAL INSTRUMENTS; ACOUSTICS
- G10K—SOUND-PRODUCING DEVICES; METHODS OR DEVICES FOR PROTECTING AGAINST, OR FOR DAMPING, NOISE OR OTHER ACOUSTIC WAVES IN GENERAL; ACOUSTICS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- G10K11/00—Methods or devices for transmitting, conducting or directing sound in general; Methods or devices for protecting against, or for damping, noise or other acoustic waves in general
- G10K11/18—Methods or devices for transmitting, conducting or directing sound
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/0538—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements
- H03H9/0547—Constructional combinations of supports or holders with electromechanical or other electronic elements consisting of a vertical arrangement
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic devices; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders; Supports
- H03H9/10—Mounting in enclosures
- H03H9/1064—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices
- H03H9/1092—Mounting in enclosures for surface acoustic wave [SAW] devices the enclosure being defined by a cover cap mounted on an element forming part of the surface acoustic wave [SAW] device on the side of the IDT's
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K1/00—Printed circuits
- H05K1/18—Printed circuits structurally associated with non-printed electric components
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/46—Manufacturing multilayer circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Surface Acoustic Wave Elements And Circuit Networks Thereof (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
本发明提供了声波器件内置模块和通信装置。一种声波器件内置模块，包括：通过叠置绝缘层（14）和配线层（16）而形成的多层配线板（12）；嵌入在多层配线板（12）中的声波器件（20）；以及位于多层配线板（12）上并且电连接到声波器件（20）的电子部件（40），其中，声波器件（20）包括：电极（IDT0），该电极（IDT0）位于基板（22）上并且激励声波；以及密封部（28），该密封部（28）包括位于基板（22）上以围绕电极（IDT0）的框体（24）和位于框体（24）上以在电极（IDT0）上方形成空隙（30）的盖（26），并且盖（26）朝向基板（22）凹陷。
Description
技术领域
本发明的一些方面涉及声波器件内置模块和通信装置。
背景技术
利用声波的声波器件在诸如移动电话终端等的无线通信装置中用作滤波器和双工器。声波器件包括使用表面声波的表面声波器件和使用体波的体波器件。表面声波器件具有形成在压电基板上的梳状IDT（Interdigital Transducer：叉指换能器）电极。表面声波器件包括具有覆盖IDT电极的介电膜的洛夫（Love）波器件或边界声波器件。另一方面，体波器件包括具有夹在压电膜（piezoelectric film）的上下表面的电极的压电薄膜谐振器器件。另外，体波器件还包括使用蓝姆（Lamb）波的蓝姆波器件。
声波器件为了保持特征而包括密封部，该密封部在激励声波的电极（形成在压电基板上的IDT电极、或者设置在压电膜的上下表面上以便沿其厚度方向彼此交叠的一对电极）上方具有空隙（空间）。
无线通信装置的尺寸已经减小，由此，要求减小安装有声波器件的模块的尺寸。已知声波器件位于通过叠置诸如金属的配线层和诸如树脂的绝缘层而形成的多层配线板中，以使模块的尺寸减小并且使模块变薄（例如，日本专利特开2006-351590号公报）。另一方面，已知在加热树脂时，树脂中的水分或未反应物质蒸发并且排出（例如，日本专利特开2007-258776号公报）。
即使在包括被嵌入通过叠置配线层和绝缘层而形成的多层配线板中的声波器件的声波器件内置模块中激励声波的电极被密封部密封时，水分等也会侵入到该电极上方的空隙（空间）中。这会腐蚀激励声波的电极并使声波器件的特性劣化。另外，在声波器件内置模块安装在电子设备的母板等上时，由于安装时的加热，已经侵入到激励声波的电极中的水分蒸发并膨胀，在声波器件上施加压力并且可能会产生裂纹。
发明内容
根据本发明的一个方面，提供了一种声波器件内置模块，该声波器件内置模块包括：通过叠置绝缘层和配线层而形成的多层配线板；嵌入所述多层配线板中的声波器件；以及位于所述多层配线板上并且电耦合到所述声波器件的电子部件，其中，所述声波器件包括：电极，该电极位于基板上并且激励声波；以及密封部，该密封部包括位于所述基板上以围绕所述电极的框体和位于所述框体上以在所述电极上方形成空隙的盖，并且所述盖朝向所述基板凹陷。
根据本发明的另一个方面，提供了一种包括上述声波器件内置模块的通信装置。
附图说明
图1是例示根据第一比较例的声波器件内置模块的截面图；
图2是例示根据第一实施方式的声波器件内置模块的截面图；
图3A是例示图2所示的声波器件内置模块中嵌入的一个声波器件的外部立体图，并且图3B是通过透明性地例示图3A所示的盖来例示声波器件的构造的平面图；
图4是沿图3B的A-A线截取的截面图；
图5A和图5B是例示第一实施方式的声波器件内置模块的制造方法的截面图（部分一）；
图6A是例示第一实施方式的声波器件内置模块的制造方法的平面图，并且图6B是例示第一实施方式的声波器件内置模块的制造方法的截面图（部分二）；
图7是例示第一实施方式的声波器件内置模块的制造方法的截面图（部分三）；
图8A至图8C是例示第一实施方式的声波器件内置模块的制造方法的截面图（部分四）；
图9A和图9B是例示第一实施方式的声波器件内置模块的制造方法的截面图（部分五）；
图10A和图10B是例示第一实施方式的声波器件内置模块的制造方法的截面图（部分六）；
图11是例示框体和盖由绝缘材料形成的表面声波器件的截面图；
图12A是例示压电薄膜谐振器器件的平面图，并且图12B是沿图12A中的A-A线截取的截面图；
图13是例示双工器的框图；
图14是例示根据第一实施方式的第一变型例的声波器件内置模块的截面图；以及
图15是例示根据第二实施方式的通信装置的框图。
具体实施方式
图1是例示根据第一比较例的声波器件内置模块的截面图。如图1所示，第一比较例的声波器件内置模块包括嵌入在通过叠置绝缘层102和配线层104而形成的多层配线板106中的声波器件110。通过绝缘层102叠置的配线层104借助沿绝缘层102的厚度方向延伸的贯通配线（层间连接配线）108彼此电连接。诸如电感器、电容器和高频IC（集成电路）等的电子部件130安装在多层配线板106的表面上。
声波器件110是一种包括形成在压电基板112上的梳状IDT（叉指换能器）电极IDT0和位于梳状IDT电极IDT0两侧的反射器R0的表面声波器件。另外，由金属制成并对梳状IDT电极IDT0和反射器R0进行密封的密封部114形成在压电基板112上。密封部114包括围绕梳状IDT电极IDT0和反射器R0的框体116和形成在框体116上使得在梳状IDT电极IDT0上方形成空隙120的盖118。用于将梳状IDT电极IDT0电连接到外部的突起电极122位于密封部114周围的压电基板112上。突起电极122被构造为能够通过配线层104和/或贯通配线（层间连接配线）108电连接到电子部件130。
如图1所示，在声波器件110位于多层配线板106内部时，水分侵入到梳状IDT电极IDT0上方的空隙（空间）120中并腐蚀梳状IDT电极IDT0，从而声波器件110的特性容易退化。水分在声波器件内置模块的制造过程期间侵入，或者由于声波器件内置模块形成后随时间的劣化而侵入。另外，水分从诸如压电基板112与框体116之间的界面、或者框体116与盖118之间的界面等的界面侵入到空隙120中。例如，当绝缘层位于配线与框体116之间，使得将梳状IDT电极IDT0连接到突起电极122的配线与框体116电绝缘时，水分从绝缘层与框体116之间的界面侵入。尤其地，在绝缘层102由环氧树脂、聚酰亚胺树脂或热塑性液晶高分子片材形成时，树脂具有吸湿特性，由此水分容易侵入到空隙120中。
密封部114通过用例如焊料将框体116结合到盖118而形成，并且结合在温度比焊料熔点高的环境中执行。由此，如果在温度从高温变为常温时空隙120的体积不变，则空隙内部的压力减小。如上所述，空隙120内部的减压状态帮助水分侵入到空隙120中。进一步地，当绝缘层120由树脂形成时，由于用于将声波器件内置模块安装在电子设备的母板上所施加的热，水分和/或未反应物质（例如，氟或氯）从绝缘层102蒸发并排出。此时，在绝缘层102（该绝缘层102是多层配线板106的内层）中产生的水分和/或未反应物质未排放到外部，而保留在多层配线板106中。因此，随时间的劣化使上述水分和/或未反应物质侵入到空隙120中。
如上所述，在包括嵌入多层配线板中的声波器件的声波器件内置模块中，水分等侵入到声波器件中激励声波的电极上方的空隙中，从而使声波器件的特征退化。由此，下文中，将描述能够防止水分等侵入到位于激励声波的电极上方的空隙中，以解决上述问题的实施方式。
第一实施方式
图2是例示根据第一实施方式的声波器件内置模块的截面图。如图2所示，在第一实施方式的声波器件内置模块10中，声波器件20被嵌入在多层配线板12内部中。以位于多层配线板12沿厚度方向的大致中心部分的方式容纳并排列声波器件20。多层配线板12是通过叠置绝缘层14和配线层16而形成的多层基板。所叠置的配线层16借助贯穿绝缘层14的贯通配线（层间连接配线）18彼此电连接。配线层16和贯通配线18由诸如铜（Cu）等的金属形成。另一方面，绝缘层14由例如环氧树脂、聚酰亚胺树脂或热塑性液晶高分子片材形成。
这里，将描述容纳并嵌入在声波器件内置模块10中的声波器件20。图3A是例示图2所示的声波器件内置模块中嵌入的一个声波器件20的外部立体图，并且图3B是通过透明性地例示图3A所示的盖26来例示声波器件20的构造的平面图。这里，省略的是位于声波器件20周围的绝缘层14和配线层16。如图3A和图3B所示，声波器件20是包括在基板22（下文中称作压电基板）上的梳状IDT电极IDT0和位于梳状IDT电极IDT0两侧的反射器R0的表面声波器件，基板22是由诸如钽酸锂（LiTaO3）或铌酸锂（LiNbO3）等的压电材料制成的。压电基板22具有例如250μm的厚度。梳状IDT电极IDT0和反射器R0由诸如铝（Al）等的金属形成。图3B仅例示一个梳状IDT电极IDT0和位于其两侧的反射器R0，但是在声波器件中，诸如滤波电路等的期望电路由包括梳状IDT电极IDT0和反射器R0的多个声波器件元件的组合而形成。
具有近似矩形的平面形状的框体24位于压电基板22上，以围绕梳状IDT电极IDT0和反射器R0。框体24由包括例如Cu或镍（Ni）的金属形成，并且具有例如30μm的厚度。覆盖梳状IDT电极IDT0和反射器R0的板状盖26位于框体24上，使得在梳状IDT电极IDT0和反射器R0上方形成空隙30。盖26由包括例如Cu或Ni的金属板形成，并且具有例如20μm的厚度。该构造允许梳状IDT电极IDT0和反射器R0被密封在由框体24和盖26组成的密封部28形成的空隙30中。
四个突出电极32位于密封部28外侧的压电基板22的上表面上。四个突出电极32中的突出电极32A用于输入信号，并且另一个突出电极32B用于输出信号。进一步地，两个突出电极32C和32D用于接地。信号输入突出电极32A和信号输出突出电极32B通过配线34电连接到梳状IDT电极IDT0。绝缘层（未示出）位于配线34（该配线34连接到信号输入突出电极32A和信号输出突出电极32B）与框体24之间，并且配线34与框体24电绝缘。另一方面，接地突出电极32C和32D通过配线35电连接到框体24。也就是说，声波器件20通过框体24和盖26将梳状IDT电极IDT0和反射器R0与外部电磁场屏蔽。
图4是沿图3B的A-A线截取的截面图。如图4所示，各个突出电极32包括下柱状部32a、上柱状部32b和位于柱状部之间并由金（Au）-锡（Sn）焊料制成的连接部件36。另一方面，构成密封部28的框体24和盖26与由金（Au）-锡（Sn）焊料制成的连接部件36互连。在位于第一实施方式的声波器件内置模块10内部的声波器件20中，盖26的上表面不平坦，而是以与框体24的距离更大的方式更加朝向压电基板22弯曲（更加朝向接近压电基板表面的方向凹陷）。也就是说，位于梳状IDT电极IDT0和反射器R0上方的空隙（空间）30的体积随着盖26朝向压电基板22表面的变形而减小。盖26的弯曲量X小于其厚度的一半，并且保证盖26与梳状IDT电极IDT0之间的最小间隙大于或等于10μm。而且，图3A的立体视图省略了弯曲的例示。
在图2中，包括在嵌入多层配线板12中的声波器件20中的突出电极32连接到配线层16和贯通配线18。形成在多层配线板12上表面上的配线层16A的至少一部分用作连接焊盘（terminal pad），并且电子部件40用焊料42安装在连接焊盘上。电子部件40是诸如电阻元件、电感器或电容器等的芯片组件或诸如功率放大器、天线开关或高频IC等的有源元件，并且必要时安装在连接焊盘上。上述构造将声波器件20电连接到电子部件40。另外，声波器件20和电子部件40必要时电连接到形成在多层配线板12下表面上的配线层16B。多层配线板12下表面上的配线层16B起到用于声波器件内置模块10的外部连接的连接焊盘的作用。也就是说，声波器件20和电子部件40通过多层配线板12下表面上的配线层16B电连接到电子设备母板上的端子。
下面将描述第一实施方式的声波器件内置模块的制造方法。图5A和图5B以及图6B至图10B是例示第一实施方式的声波器件内置模块的制造方法的截面图。图6A是例示第一实施方式的声波器件内置模块的制造方法的平面图。参照图5A和图5B，将首先描述嵌入在第一实施方式的声波器件内置模块中的声波器件的制造方法。如图5A所示，利用已知技术在压电基板22上形成梳状IDT电极IDT0、反射器R0、围绕梳状IDT电极IDT0和反射器R0的框体24、和位于框体24外侧的突出电极32的下部32a。例如，可以通过主要包括铝的金属的气相沉积和剥离，形成梳状IDT电极IDT0和反射器R0。可以通过借助电镀选择性地沉积主要包括铝的金属，形成框体24和突出电极32的下部32a。
在压电基板22上形成金属层的同时，在由诸如SUS304等的不锈钢制成的支撑基板44上（图5中向下）选择性地形成盖26和突出电极32的上部32b。然后，在盖26上表面的边缘部和突出电极32的上部32b的上表面上形成由金（Au）-锡（Sn）焊料制成的连接部件36。例如，可以通过电镀形成盖26、突出电极32的上部32b和连接部件36。
然后，使支撑基板44位于压电基板22上，使得盖26面对框体24并且突出电极32的上部32b面对下部32a。将连接部件36加热到比连接部件36的熔点更高的温度（例如，250至300℃），并且朝向压电基板22对支撑基板44进行加压。
该过程通过连接部件36将盖26结合到框体24，并且如图5B所示，形成在梳状IDT电极IDT0和反射器R0上方具有空隙30的密封部28。另外，通过连接部件36将突出电极32的下部32a和上部32b彼此结合，以形成突出电极32。然后，去除支撑基板44，以形成在梳状IDT电极IDT0和反射器R0上方具有空隙30的密封部28，从而形成包括位于密封部28周围的两个或更多个突出电极32的声波器件20。此时，盖26的表面是平坦的。另一方面，在高温环境下使连接部件36熔融，以将框体24结合到盖26，由此在温度从高温返回到常温时，空隙30内部的压力减小，并且空隙30内部的压力比外部大气压力低。
盖26优选地包括Cu，以实现高散热性能和低电阻，并且Ni层优选地形成在Cu层上，以降低厚度的不均匀性。另外，支撑基板44优选地由起到用于镀铜的基底的作用并且具有密封后可以容易地从盖26去除的粘合度的、诸如SUS304等的材料制成。进一步地，与压电基板22的材料相同的压电材料可以用于支撑基板44，以降低由于热膨胀系数不同而引起的错位。当压电物质用于支撑基板44时，用于电镀的第一金属层（例如Al层或Cu层）优选地形成在支撑基板44的表面上，并且具有适当粘合度的第二金属层（例如Ti层）优选地进一步形成在第一金属层上。
如图6A和图6B所示，通过上述制造过程形成的声波器件20被嵌入在绝缘层14a中，该绝缘层14a包括形成为穿透上下表面的贯通配线18和选择性地形成在两个表面上的配线层16a。此时，声波器件20的上表面优选地暴露于绝缘层14a的上表面，并且至少盖26的上表面形成与绝缘层14a的上表面相同的平面。
然后，如图7所示，在预浸料的（prepreg）绝缘层14c和配线层16c顺序位于绝缘层14a的下表面侧的同时，预浸料的绝缘层14b和配线层16b顺序位于绝缘层14a的上表面侧。然后，对绝缘层14b和14c以及配线层16b和16c进行加热，并且用支撑体46朝向绝缘层14a对绝缘层14b和14c以及配线层16b和16c进行加压。如图8A所示，这将绝缘层14b和14c以及配线层16b和16c结合到绝缘层14a，并且获得内部嵌入有声波器件20的多层基板。此时，朝向绝缘层14b和14c以及配线层16b和16c所施加的压力也施加至声波器件20，由此，适当选择盖26的材料和厚度，使得盖26朝向压电基板22弯曲（朝向接近压电基板22表面的方向凹陷）。当盖26朝向接近压电基板22表面的方向凹陷时，空隙30的体积变小，并且空隙30内的压力变得比在嵌入到绝缘层14a之前盖26为平坦时的压力大。盖26的凹陷量依赖于其材料和厚度，由此，初步选择盖26的材料和厚度，以实现期望的凹陷量。
如图8B所示，通过使用在配线层16b上表面和配线层16c下表面上形成的抗蚀层（未示出）作为掩模并且例如蚀刻配线层16b和16c，在配线层16b和16c中形成开口。在开口中暴露出绝缘层14b和14c。例如，通过用激光束照射暴露于开口中的绝缘层14b和14c，形成穿透绝缘层14b和14c的贯通孔48。在贯通孔48中暴露出配线层16a。
如图8C所示，在贯通孔48中形成贯通配线18。可以通过形成籽晶金属（seedmetal）的无电镀和使用籽晶金属作为供电线的电镀，形成贯通配线18。由于镀层还形成在绝缘层14b的上表面和绝缘层14c的下表面上，所以在绝缘层14b的整个上表面和绝缘层14c的整个下表面上再次形成配线层16b和16c。
如图9A所示，通过使用在配线层16b的上表面和配线层16c的下表面上形成的抗蚀层（未示出）作为掩模对配线层16b和16c进行蚀刻，将配线层16b和16c构图为期望形状。
如图9B和图10A所示，重复与图7至图9A中描述的过程相同的过程，并且形成嵌入有声波器件20的多层配线层12。然后，如图10B所示，焊料42位于多层配线板12上表面上的配线层16上，并且借助再流焊安装电连接到声波器件20的电子部件40。上述过程形成第一实施方式的声波器件内置模块10。
如图2和图4所示，因为使构成嵌入在多层配线板12中的声波器件20的密封部28的盖26朝向压电基板22凹陷，所以第一实施方式减小由密封部28形成的空隙30的体积。由此，空隙30内部的压力增大，并且可以抑制水分侵入到空隙30中。因此，可以抑制声波器件20的特性的劣化。
为了抑制水分侵入到空隙30中，空隙30内部的压力优选地比在盖26平坦时空隙30内部的压力大。例如，当盖26的弯曲量X（凹陷量X）大于或等于空隙30在盖26平坦时的高度的1%时，可能增大空隙30内部的压力，并且可以抑制水分的侵入。为了通过进一步增大空隙30内部的压力来有效抑制水分的侵入，盖26的凹陷量X优选地大于或等于空隙30在盖26平坦时的高度的5%。大于或等于10%是更优选的，并且大于或等于20%是进一步优选的。
第一实施方式中，用金属形成框体24和盖26，但是并非旨在提出任何限制。框体24和盖26可以由诸如树脂（诸如聚酰亚胺树脂或环氧树脂）或陶瓷材料等的绝缘材料形成。图11是例示包括由绝缘材料形成的框体和盖的表面声波器件的截面图。如图11所示，由例如树脂制成的框体24a形成为围绕位于压电基板22上的梳状IDT电极IDT0和反射器R0。由例如树脂制成的盖26a形成在框体24a上，以在梳状IDT电极IDT0和反射器R0上方形成空隙30。该构造允许由包括框体24a和盖26a的密封部28a来密封梳状IDT电极IDT0和反射器R0。形成穿透密封部28a并且电连接到梳状IDT电极IDT0的贯通电极49。连接部件不位于框体24a与盖26a之间，并且框体24a直接被结合到盖26a。
框体24可以由与盖26的材料不同的材料形成。例如，框体24可以由金属形成，而盖26可以由陶瓷材料形成。另外，密封部28可以包括除了框体24和盖26之外的部件。进一步地，密封部28可以由一体形成的帽状部件构成。
当盖26的强度低时，通过图7所示地将绝缘层14b和绝缘层14c结合到绝缘层14a所施加的压力可以形成大的凹陷，并且盖26可能与梳状IDT电极IDT0接触。另外，在盖26中可能形成裂纹。由此，盖26优选地具有一定程度的强度，并且优选地由金属形成。另外，通过用金属形成盖26，可以提高声波器件20的散热性能和耐湿性。为了提高散热性能和耐湿性，框体24优选地也由金属形成。
当盖26由金属形成时，如利用图5A和图5B所描述的，通过用由焊料制成的连接部件36将盖26结合到框体24来形成密封部28。该结合过程在高温环境下执行，由此，在密封过程之后，空隙30的内部处于减压状态。当空隙30的内部处于减压状态时，水分等容易侵入到空隙30中。因此，当盖26由金属制成时，通过使盖26朝向压电基板22凹陷来减小由密封部28形成的空隙30的体积对密封过程中空隙30内部的减压进行补偿，并且有效抑制水分的侵入。
另外，当盖26的强度比所要求的强度高时，通过用于图7所示地将绝缘层14b和绝缘层14c结合到绝缘层14a所施加的压力难以使盖26凹陷。因此，盖26优选地具有通过用于将绝缘层14b和绝缘层14c结合到绝缘层14a所施加的压力使盖26凹陷的强度。由于盖26的强度与厚度有关，所以当盖26由诸如Cu或Ni等的金属、含有这些金属的合金或陶瓷材料制成时，盖26优选地具有小于或等于10至40μm的厚度，更优选地具有小于或等于20至30μm的厚度。
构成多层配线板12的绝缘层14可以由除了树脂之外的绝缘材料形成，但是当绝缘层14由树脂形成时，树脂容易吸收水分，由此水分容易侵入到空隙30中。因此，当绝缘层14由树脂形成时，为了提高空隙30内部的压力并抑制水分的侵入，优选地使盖26朝向压电基板22凹陷。
盖26的凹陷量X是盖26不能接触梳状IDT电极IDT0的量，但是当盖26由金属形成时，盖26与梳状IDT电极IDT0之间的间隙优选地大于或等于10μm。这是因为当盖26与梳状IDT电极IDT0之间的间隙小时，声波器件20的特性由于盖26与梳状IDT电极IDT0之间产生的电容而劣化。由此，例如，选择小于盖26的一半厚度的盖26的凹陷量X。另一方面，当盖26由诸如树脂等的绝缘材料形成时，盖26可以靠近IDT凹陷到不妨碍梳状IDT电极IDT0振动的位置。
如图2所示，声波器件20优选地嵌入在多层配线板12沿厚度方向的中央部分中。该构造允许通过用于通过加压结合（pressure bonding）形成多层配线板12所施加的压力使构成声波器件20的密封部28的盖26容易朝向压电基板22凹陷。也就是说，可以容易地增大空隙30内部的压力。
在第一实施方式中，嵌入在多层配线板12中的声波器件20是表面声波器件，但是即使当声波器件20是洛夫波器件或边界声波器件时，也可以应用本发明的概念。嵌入在多层配线板中的声波器件可以是压电薄膜谐振器器件或诸如蓝姆波器件等的体波器件。进一步地，嵌入在多层配线板中的一个声波器件可以是表面声波器件，并且另一个可以是体波器件。图12A是例示压电薄膜谐振器器件的平面图，而图12B是沿图12A中的A-A线截取的截面图。如图12A和图12B所示，在诸如硅的基板50上，从基板侧按下述顺序叠置下电极52、诸如氮化铝等的压电薄膜54和上电极56。谐振区域58是下电极52和上电极56隔着压电膜54彼此交叠的区域。穿透基板50的贯通孔60形成在位于谐振区域58下方的基板50中。代替贯通孔60，可以通过去除基板50的一部分形成空隙，可以在基板50与下电极52之间形成圆顶型空隙，或者可以形成反射声波的声多层膜。
另外，利用嵌入在多层配线板中的声波器件可以形成双工器。图13是例示双工器的框图。如图13所示，双工器68包括发送滤波器62、接收滤波器64和匹配电路66。发送滤波器62和接收滤波器64由嵌入在多层配线板中的声波器件来形成。例如，在图2中，嵌入在多层配线板12中的一个声波器件20可以是发送滤波器62，而另一个可以是接收滤波器64。激励滤波器的声波的电极可以形成在不同的压电基板上，或者在单个压电基板上。当激励声波的电极形成在单个压电基板上时，可以由单个密封部进行密封。
发送滤波器62位于并连接在天线端子Ant与发送端子Tx之间。接收滤波器64位于并连接在天线端子Ant与接收端子Rx之间。匹配电路66连接在发送滤波器62和接收滤波器64中的至少一个与天线端子Ant之间。
发送滤波器62将从发送端子Tx输入的信号中在传输频带中的信号作为发送信号传递到天线端子Ant，并且抑制具有其它频率的信号。接收滤波器64将从天线端子Ant输入的信号中在接收频带中的信号作为接收信号传递到接收端子Rx，并且抑制具有其它频率的信号。匹配电路66是对阻挡进行匹配使得通过发送滤波器62发送的发送信号从天线端子Ant输出而不泄漏到接收滤波器64侧的电路。
在第一实施方式中，厚度近似等于绝缘层14a的厚度的诸如Cu等的金属层可以形成在图6A和图6B例示的绝缘层14a的周边侧面中。这样的金属层可以提高多层配线板12的强度和散热性能。
图14是例示根据第一实施方式的第一变型例的声波器件内置模块的截面图。如图14所示，在第一实施方式的第一变型例的声波器件内置模块70中，由诸如聚酰亚胺树脂或环氧树脂等的树脂或其它绝缘材料制成的调整层72位于构成密封部28的盖26上。调整层72由与绝缘层14不同的绝缘材料形成。其它构造与第一实施方式的图2所示的构造相同，由此省略其描述。
第一实施方式的第一变型例在盖26与绝缘层14之间形成调整层72。对调整层72的厚度进行调整使得能够调整通过用于图7所示地将绝缘层14b和14c结合到绝缘层14a所施加的压力所形成的盖26的凹陷量。
例如，当嵌入在多层配线板12中的声波器件20的盖26的面积彼此不同时，即使在向声波器件20实施相同压力时，声波器件20的盖26的凹陷量也彼此不同。例如，一个声波器件20可以具有几乎不凹陷的盖26，而另一个可以具有凹陷得足以接触梳状IDT电极IDT0的盖26。然而，如第一实施方式的第一变型例中所描述的，在盖26上形成调整层72，并且针对各声波器件20选择调整层72的厚度，由此，可以使声波器件20中盖26的凹陷量彼此相同。
第二实施方式
第二实施方式是包括第一实施方式的声波器件内置模块的示例性通信装置。图15是例示根据第二实施方式的通信装置的框图。如图15所示，第二实施方式的通信装置80包括天线82、天线开关84、高频IC86、功率放大器88、滤波器90、双工器92、接收滤波器94和低通滤波器96。高频IC86具有低噪声放大器98。高频IC86起到转换信号频率的直接转换器的作用。
双工器92支持W-CDMA（宽带码分多址）的频带1、频带2和频带5。接收滤波器94支持GSM（全球移动通信系统）（注册商标，以下亦如此）的850MHz频带、900MHz频带、1800MHz频带和1900MHz频带。一个低通滤波器96具有用于GSM低频带（850MHz频带和900MHz频带）的发送滤波器的功能，而另一个具有用于GSM的高频带（1800MHz频带和1900MHz频带）的发送滤波器的功能。
包括在双工器92中的发送滤波器92a通过功率放大器88和滤波器90连接到高频IC86。滤波器90是使与发送滤波器92a的通频带相同的频带选择性通过的带通滤波器。包括在双工器92中的接收滤波器92b连接到高频IC86中的低噪声放大器98。接收滤波器94连接到高频IC86中的低噪声放大器98。低通滤波器96通过功率放大器88连接到高频IC86。接收滤波器92b和接收滤波器94不限于均衡输出滤波器，而可以是不均衡输出滤波器。
双工器92的天线端子（频带1、频带2和频带5）连接到天线开关84。接收滤波器94的天线端子（GSM850、GSM900、GSM1800、GSM1900）连接到天线开关84。低通滤波器96的天线端子（GSM_LB Tx和GSM_HB Tx）连接到天线开关84。
天线开关84根据通信方法选择双工器和滤波器中的一个，并且将其连接到天线82。例如，高频IC86通过将基带信号上变换为W-CDMA频带5的RF信号来生成发送信号。发送信号被滤波器90滤波，被功率放大器88放大，并且被用于频带5的双工器92再次滤波。发送信号通过天线82来发送。由天线82接收的W-CDMA频带5的接收信号被用于频带5的双工器92滤波。低噪声放大器98放大接收信号并且高频IC86将接收信号下变换为基带信号。
第一实施方式的声波器件内置模块10可以具有各种构造：例如，其可以包括图15中的虚线所围绕的组件（一个双工器92和一个功率放大器88），或者点划线所围绕的组件（天线开关84、双工器92、接收滤波器94和低通滤波器96）。
尽管已经详细描述了本发明的实施方式，但是应当理解的是，可以在不偏离本发明的精神和范围的情况下对本发明做出各种改变、替换和修改。
Claims (10)
1.一种声波器件内置模块，该声波器件内置模块包括：
多层配线板，该多层配线板是通过叠置绝缘层和配线层形成的；
声波器件，该声波器件嵌入在所述多层配线板中；以及
电子部件，该电子部件位于所述多层配线板上并且电连接到所述声波器件，其中，
所述声波器件包括：
电极，该电极位于基板上并且激励声波；以及
密封部，该密封部包括位于所述基板上以围绕所述电极的框体和位于所述框体上以在所述电极上方形成空隙的盖，并且
所述盖朝向所述基板凹陷，并且所述盖的上表面与所述绝缘层直接接触，所述盖的所述上表面是与所述盖的位于空隙侧的下表面相反的面，
所述空隙内的压力比在所述盖未朝向所述基板凹陷而是平坦的情况下所述电极上方的空隙内的压力大。
2.根据权利要求1所述的声波器件内置模块，其中，所述绝缘层由树脂形成。
3.根据权利要求1所述的声波器件内置模块，其中，所述盖由金属形成。
4.根据权利要求3所述的声波器件内置模块，其中，所述盖的凹陷量比所述盖的一半厚度小。
5.根据权利要求3所述的声波器件内置模块，其中，绝缘材料位于所述盖与所述绝缘层之间。
6.根据权利要求1所述的声波器件内置模块，其中，
所述声波器件嵌入在所述多层配线板的沿厚度方向的中央部分中。
7.根据权利要求1所述的声波器件内置模块，其中，
所述声波器件包括表面声波器件。
8.根据权利要求1所述的声波器件内置模块，其中，
所述声波器件包括体波器件。
9.根据权利要求1所述的声波器件内置模块，其中，
所述声波器件形成双工器。
10.一种通信装置，该通信装置包括：
权利要求1所述的声波器件内置模块。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2012-145819 | 2012-06-28 | ||
| JP2012145819A JP5358724B1 (ja) | 2012-06-28 | 2012-06-28 | 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN103516326A CN103516326A (zh) | 2014-01-15 |
| CN103516326B true CN103516326B (zh) | 2016-11-09 |
Family
ID=49778029
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201310258524.6A Expired - Fee Related CN103516326B (zh) | 2012-06-28 | 2013-06-26 | 声波器件内置模块和通信装置 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US9478213B2 (zh) |
| JP (1) | JP5358724B1 (zh) |
| KR (1) | KR101486144B1 (zh) |
| CN (1) | CN103516326B (zh) |
| TW (1) | TWI578699B (zh) |
Families Citing this family (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5358724B1 (ja) * | 2012-06-28 | 2013-12-04 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置 |
| JP6106404B2 (ja) * | 2012-10-30 | 2017-03-29 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品モジュール |
| JP5797356B2 (ja) * | 2013-09-26 | 2015-10-21 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置および弾性波モジュール |
| DE112014006008B4 (de) | 2013-12-25 | 2022-07-28 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Elektronikkomponentenmodul |
| US9575967B2 (en) * | 2014-03-31 | 2017-02-21 | Paypal, Inc. | Dynamic jukebox |
| JP6444787B2 (ja) * | 2015-03-23 | 2018-12-26 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
| CN107251428B (zh) * | 2015-03-27 | 2020-10-23 | 株式会社村田制作所 | 弹性波装置、通信模块设备以及弹性波装置的制造方法 |
| JP6385883B2 (ja) * | 2015-04-24 | 2018-09-05 | 太陽誘電株式会社 | モジュールおよびモジュールの製造方法 |
| JP6427075B2 (ja) * | 2015-07-08 | 2018-11-21 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス、分波器、及びモジュール |
| JP6854891B2 (ja) * | 2017-07-04 | 2021-04-07 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置、分波器および通信装置 |
| TWI789420B (zh) | 2017-08-31 | 2023-01-11 | 美商康寧公司 | 可攜式電子裝置的外殼及製造其之方法 |
| CN113016065A (zh) * | 2018-11-14 | 2021-06-22 | 株式会社村田制作所 | 电子部件以及具备该电子部件的电子部件模块 |
| JP6777136B2 (ja) * | 2018-11-20 | 2020-10-28 | Tdk株式会社 | アンテナモジュール |
| JP7397611B2 (ja) * | 2019-09-26 | 2023-12-13 | 太陽誘電株式会社 | 電子デバイス |
| CN111864050B (zh) * | 2020-04-16 | 2023-04-18 | 诺思(天津)微系统有限责任公司 | 半导体器件、半导体组件及电子设备 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0745735A (ja) * | 1993-08-02 | 1995-02-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2002208650A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Kyocera Corp | 電子素子収容装置 |
| JP2007312108A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Alps Electric Co Ltd | 表面弾性波装置 |
| JP2012070098A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子部品およびその製造方法、並びに電子部品を備えた電子デバイス |
Family Cites Families (36)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5593238A (en) | 1979-01-05 | 1980-07-15 | Nec Corp | Manufacture of semiconductor device |
| JPH04170811A (ja) | 1990-11-05 | 1992-06-18 | Fujitsu Ltd | 弾性表面波デバイス |
| JP3192507B2 (ja) | 1992-12-18 | 2001-07-30 | 三菱電機株式会社 | 樹脂シール中空型半導体装置の製造方法 |
| JPH1155062A (ja) | 1997-08-06 | 1999-02-26 | Toyo Commun Equip Co Ltd | 圧電デバイスのリードフレーム搭載構造 |
| JP2000114918A (ja) * | 1998-10-05 | 2000-04-21 | Mitsubishi Electric Corp | 表面弾性波装置及びその製造方法 |
| JP2000165192A (ja) | 1998-11-30 | 2000-06-16 | Kyocera Corp | 弾性表面波装置 |
| JP3677409B2 (ja) | 1999-03-05 | 2005-08-03 | 京セラ株式会社 | 弾性表面波装置及びその製造方法 |
| JP3598060B2 (ja) | 1999-12-20 | 2004-12-08 | 松下電器産業株式会社 | 回路部品内蔵モジュール及びその製造方法並びに無線装置 |
| JP3729396B2 (ja) | 2001-11-01 | 2005-12-21 | 日立金属株式会社 | 高周波部品 |
| JP2003198204A (ja) | 2001-12-26 | 2003-07-11 | Kyocera Corp | 高周波モジュール |
| US6873529B2 (en) * | 2002-02-26 | 2005-03-29 | Kyocera Corporation | High frequency module |
| JP3825352B2 (ja) * | 2002-03-27 | 2006-09-27 | 京セラ株式会社 | 回路基板 |
| DE20221966U1 (de) | 2002-06-06 | 2010-02-25 | Epcos Ag | Mit akustischen Wellen arbeitendes Bauelement mit einem Anpaßnetzwerk |
| JP2004356911A (ja) * | 2003-05-28 | 2004-12-16 | Kyocera Corp | 表面実装型圧電発振器 |
| CN100550618C (zh) * | 2004-07-14 | 2009-10-14 | 株式会社村田制作所 | 压电器件及制作方法 |
| JP2006238014A (ja) | 2005-02-24 | 2006-09-07 | Kyocera Corp | 弾性表面波素子実装基板及びそれを用いた高周波モジュール、通信機器 |
| JP2006351590A (ja) | 2005-06-13 | 2006-12-28 | Sony Corp | マイクロデバイス内蔵基板およびその製造方法 |
| EP1892831B1 (en) | 2005-06-16 | 2012-08-29 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric device and manufacturing method thereof |
| JP2007173750A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-05 | Sony Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
| JP4509038B2 (ja) | 2006-02-01 | 2010-07-21 | 富士通メディアデバイス株式会社 | 弾性波デバイスおよびその製造方法 |
| JP2007258776A (ja) | 2006-03-20 | 2007-10-04 | Kyocera Corp | 高周波モジュール |
| JP2007312107A (ja) | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Alps Electric Co Ltd | 表面弾性波装置 |
| JP4952781B2 (ja) | 2007-02-28 | 2012-06-13 | 株式会社村田製作所 | 分波器及びその製造方法 |
| JP2009010559A (ja) | 2007-06-27 | 2009-01-15 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電部品及びその製造方法 |
| JP5214627B2 (ja) | 2007-10-30 | 2013-06-19 | 京セラ株式会社 | 弾性波装置 |
| CN101911485B (zh) | 2008-01-17 | 2014-07-09 | 株式会社村田制作所 | 压电器件 |
| JP5104432B2 (ja) | 2008-03-17 | 2012-12-19 | パナソニック株式会社 | 弾性表面波デバイス |
| CN104104356B (zh) | 2008-11-28 | 2017-06-23 | 京瓷株式会社 | 弹性波装置及电路基板 |
| JP2011040602A (ja) * | 2009-08-12 | 2011-02-24 | Renesas Electronics Corp | 電子装置およびその製造方法 |
| US8471433B2 (en) | 2009-10-14 | 2013-06-25 | Panasonic Corporation | Elastic wave device and electronic device using the same |
| US8514035B2 (en) * | 2009-12-30 | 2013-08-20 | Broadcom Corporation | RF front-end with on-chip transmitter/receiver isolation using a gyrator |
| JP2012084954A (ja) | 2010-10-07 | 2012-04-26 | Panasonic Corp | 弾性波素子とこれを用いた電子機器 |
| JP6010350B2 (ja) | 2012-06-04 | 2016-10-19 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス |
| JP5358724B1 (ja) * | 2012-06-28 | 2013-12-04 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置 |
| JP6106404B2 (ja) | 2012-10-30 | 2017-03-29 | 太陽誘電株式会社 | 電子部品モジュール |
| JP6242597B2 (ja) | 2013-06-03 | 2017-12-06 | 太陽誘電株式会社 | 弾性波デバイス及びその製造方法 |
-
2012
- 2012-06-28 JP JP2012145819A patent/JP5358724B1/ja active Active
-
2013
- 2013-05-28 US US13/903,760 patent/US9478213B2/en active Active
- 2013-06-05 TW TW102119984A patent/TWI578699B/zh active
- 2013-06-26 CN CN201310258524.6A patent/CN103516326B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2013-06-27 KR KR20130074859A patent/KR101486144B1/ko active IP Right Grant
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0745735A (ja) * | 1993-08-02 | 1995-02-14 | Hitachi Ltd | 半導体装置 |
| JP2002208650A (ja) * | 2001-01-11 | 2002-07-26 | Kyocera Corp | 電子素子収容装置 |
| JP2007312108A (ja) * | 2006-05-18 | 2007-11-29 | Alps Electric Co Ltd | 表面弾性波装置 |
| JP2012070098A (ja) * | 2010-09-21 | 2012-04-05 | Taiyo Yuden Co Ltd | 電子部品およびその製造方法、並びに電子部品を備えた電子デバイス |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20140003196A1 (en) | 2014-01-02 |
| KR101486144B1 (ko) | 2015-01-23 |
| TW201407955A (zh) | 2014-02-16 |
| JP2014011570A (ja) | 2014-01-20 |
| CN103516326A (zh) | 2014-01-15 |
| JP5358724B1 (ja) | 2013-12-04 |
| KR20140001789A (ko) | 2014-01-07 |
| US9478213B2 (en) | 2016-10-25 |
| TWI578699B (zh) | 2017-04-11 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN103516326B (zh) | 声波器件内置模块和通信装置 | |
| CN107134986B (zh) | 电子器件 | |
| US9887686B2 (en) | Acoustic wave device, transceiver device, and mobile communication device | |
| CN100525100C (zh) | 高频模块及通信设备 | |
| US9197190B2 (en) | Electronic component module | |
| US9667221B2 (en) | Acoustic wave device | |
| CN1897461A (zh) | 滤波装置以及使用它的多波段滤波器、分频器及通信装置 | |
| JP5340756B2 (ja) | 電子部品、およびその製造方法 | |
| CN102694526A (zh) | 电子组件、电子装置以及电子组件的制造方法 | |
| WO2021002454A1 (ja) | 高周波モジュール及び通信装置 | |
| WO2021215107A1 (ja) | 高周波モジュール及び通信装置 | |
| JP5856592B2 (ja) | 弾性波デバイス内蔵モジュール及び通信装置 | |
| US11881879B2 (en) | Radio-frequency module and communication device | |
| JP2000196407A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP5107281B2 (ja) | 電子部品、デュープレクサ、通信モジュール、通信装置、および電子部品の製造方法 | |
| JPH0832402A (ja) | 弾性表面波装置、移動無線機用分波器および移動無線装置 | |
| US9065037B2 (en) | Piezoelectric vibrating piece, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic device, and radio-controlled timepiece | |
| US20130249352A1 (en) | Piezoelectric vibrating piece, piezoelectric vibrator, oscillator, electronic device, and radio-controlled timepiece | |
| JP2007184691A (ja) | 複合ｒｆ部品 | |
| JP2021052248A (ja) | 高周波モジュール及び通信装置 | |
| JP7465515B1 (ja) | 弾性波デバイス | |
| JP2003087093A (ja) | 弾性表面波フィルタ | |
| JP2006333127A (ja) | 高周波フィルタ部品、デュプレクサ、高周波モジュール及び無線通信機器 | |
| CN116635997A (zh) | 高频模块和通信装置 | |
| JP2022157185A (ja) | 高周波モジュール及び通信装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |
Granted publication date: 20161109 |
|
| CF01 | Termination of patent right due to non-payment of annual fee |