KR101250044B1 - 연마용 조성물 및 연마 방법 - Google Patents
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- 238000005498 polishing Methods 0.000 title claims abstract description 186
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 99
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 9
- 229920003169 water-soluble polymer Polymers 0.000 claims abstract description 35
- 229920000036 polyvinylpyrrolidone Polymers 0.000 claims abstract description 15
- 235000013855 polyvinylpyrrolidone Nutrition 0.000 claims abstract description 15
- 239000002738 chelating agent Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000001267 polyvinylpyrrolidone Substances 0.000 claims abstract description 11
- 239000006061 abrasive grain Substances 0.000 claims description 24
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000008119 colloidal silica Substances 0.000 claims description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 13
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 claims description 12
- 229910021485 fumed silica Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims 3
- 239000003513 alkali Substances 0.000 abstract description 17
- 230000007547 defect Effects 0.000 abstract description 10
- -1 abrasive Substances 0.000 abstract description 3
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 60
- 239000011164 primary particle Substances 0.000 description 15
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 7
- KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M Potassium hydroxide Chemical compound [OH-].[K+] KWYUFKZDYYNOTN-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M Sodium hydroxide Chemical compound [OH-].[Na+] HEMHJVSKTPXQMS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 6
- 239000011734 sodium Substances 0.000 description 6
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N Ammonia Chemical compound N QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N N,N-bis{2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl}glycine Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O QPCDCPDFJACHGM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N acetic acid;2,3,4,5,6-pentahydroxyhexanal;sodium Chemical compound [Na].CC(O)=O.OCC(O)C(O)C(O)C(O)C=O DPXJVFZANSGRMM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- RUSUZAGBORAKPY-UHFFFAOYSA-N acetic acid;n'-[2-(2-aminoethylamino)ethyl]ethane-1,2-diamine Chemical compound CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.CC(O)=O.NCCNCCNCCN RUSUZAGBORAKPY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000008044 alkali metal hydroxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 3
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 3
- RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N imidazole Natural products C1=CNC=N1 RAXXELZNTBOGNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 3
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229960003330 pentetic acid Drugs 0.000 description 3
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 description 3
- RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N Diethylenetriamine Chemical compound NCCNCCN RPNUMPOLZDHAAY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N EDTA Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(O)=O)CC(O)=O KCXVZYZYPLLWCC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N Ethylenediamine Chemical compound NCCN PIICEJLVQHRZGT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910019142 PO4 Inorganic materials 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229920003171 Poly (ethylene oxide) Polymers 0.000 description 2
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 2
- 229920002873 Polyethylenimine Polymers 0.000 description 2
- 239000004372 Polyvinyl alcohol Substances 0.000 description 2
- WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M Potassium chloride Chemical compound [Cl-].[K+] WCUXLLCKKVVCTQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 229920002125 Sokalan® Polymers 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910021529 ammonia Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001768 carboxy methyl cellulose Substances 0.000 description 2
- 229920003123 carboxymethyl cellulose sodium Polymers 0.000 description 2
- 229940063834 carboxymethylcellulose sodium Drugs 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N diethylenediamine Natural products C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 239000010452 phosphate Substances 0.000 description 2
- 229920002432 poly(vinyl methyl ether) polymer Polymers 0.000 description 2
- 229920002401 polyacrylamide Polymers 0.000 description 2
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 2
- 229920002451 polyvinyl alcohol Polymers 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 2
- 235000019812 sodium carboxymethyl cellulose Nutrition 0.000 description 2
- 229920001027 sodium carboxymethylcellulose Polymers 0.000 description 2
- WDQLRUYAYXDIFW-RWKIJVEZSA-N (2r,3r,4s,5r,6r)-4-[(2s,3r,4s,5r,6r)-3,5-dihydroxy-4-[(2r,3r,4s,5s,6r)-3,4,5-trihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-2-yl]oxy-6-[[(2r,3r,4s,5s,6r)-3,4,5-trihydroxy-6-(hydroxymethyl)oxan-2-yl]oxymethyl]oxan-2-yl]oxy-6-(hydroxymethyl)oxane-2,3,5-triol Chemical compound O[C@@H]1[C@@H](CO)O[C@@H](O)[C@H](O)[C@H]1O[C@H]1[C@H](O)[C@@H](O[C@H]2[C@@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)[C@H](O)[C@@H](CO[C@H]2[C@@H]([C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](CO)O2)O)O1 WDQLRUYAYXDIFW-RWKIJVEZSA-N 0.000 description 1
- RAEOEMDZDMCHJA-UHFFFAOYSA-N 2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-[2-[2-[bis(carboxymethyl)amino]ethyl-(carboxymethyl)amino]ethyl]amino]acetic acid Chemical compound OC(=O)CN(CC(O)=O)CCN(CC(=O)O)CCN(CCN(CC(O)=O)CC(O)=O)CC(O)=O RAEOEMDZDMCHJA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RQAFMLCWWGDNLI-UHFFFAOYSA-N 2-[4-[bis(2-chloroethyl)amino]phenyl]acetic acid Chemical compound OC(=O)CC1=CC=C(N(CCCl)CCCl)C=C1 RQAFMLCWWGDNLI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 1
- QJSFUOBKBXVTMN-UHFFFAOYSA-N C=C.P(O)(O)=O Chemical compound C=C.P(O)(O)=O QJSFUOBKBXVTMN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N Carbamic acid Chemical compound NC(O)=O KXDHJXZQYSOELW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N Phosphorous acid Chemical compound OP(O)=O ABLZXFCXXLZCGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical compound [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002305 Schizophyllan Polymers 0.000 description 1
- 239000003082 abrasive agent Substances 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000002421 anti-septic effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 229920001400 block copolymer Polymers 0.000 description 1
- 229920002678 cellulose Polymers 0.000 description 1
- 239000001913 cellulose Substances 0.000 description 1
- 239000011362 coarse particle Substances 0.000 description 1
- 238000011109 contamination Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 238000013461 design Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K phosphate Chemical compound [O-]P([O-])([O-])=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 1
- 239000011574 phosphorus Substances 0.000 description 1
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920001495 poly(sodium acrylate) polymer Polymers 0.000 description 1
- 229920001467 poly(styrenesulfonates) Polymers 0.000 description 1
- 229920000058 polyacrylate Polymers 0.000 description 1
- 239000004584 polyacrylic acid Substances 0.000 description 1
- 229920002503 polyoxyethylene-polyoxypropylene Polymers 0.000 description 1
- 239000001103 potassium chloride Substances 0.000 description 1
- 235000011164 potassium chloride Nutrition 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000007127 saponification reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M sodium polyacrylate Chemical compound [Na+].[O-]C(=O)C=C NNMHYFLPFNGQFZ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229940006186 sodium polystyrene sulfonate Drugs 0.000 description 1
- 239000011550 stock solution Substances 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/02002—Preparing wafers
- H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
- H01L21/02008—Multistep processes
- H01L21/0201—Specific process step
- H01L21/02024—Mirror polishing
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
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- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
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- B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
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- C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
- C09G1/00—Polishing compositions
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- C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
- C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
- C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
- C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
- H01L21/321—After treatment
- H01L21/32115—Planarisation
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Abstract
본 발명의 과제는 연마용 조성물을 이용하여 연마한 후의 연마 대상물 표면에 있어서의 연마 가공에 기인하는 LPD(light point defects)의 수를 저감하는 것이 가능한 연마용 조성물 및 그 연마용 조성물을 이용한 연마 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 연마용 조성물은, 폴리비닐피롤리돈 및 폴리N-비닐포름아미드로부터 선택되는 적어도 1종류의 수용성 고분자와 알칼리를 함유한다.
연마용 조성물, 수용성 고분자, 알칼리, 지립, 킬레이트제
Description
본 발명은 반도체 웨이퍼를 연마하는 용도로 주로 사용되는 연마용 조성물 및 그 연마용 조성물을 이용한 연마 방법에 관한 것이다.
종래, 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼의 연마는 예비 연마와 마무리 연마의 적어도 2단계로 나누어 행해진다. 그 중 예비 연마는, 가일층의 고품위화 및 효율화를 목적으로 하여 다시 2단계 이상으로 나누어 행해지는 경우가 있다. 마무리 연마에서 사용 가능한 연마용 조성물로서, 예를 들어 특허 문헌 1에 기재된 연마용 조성물이 알려져 있다. 특허 문헌 1의 연마용 조성물은 물, 콜로이달 실리카, 폴리아크릴아미드나 시조필란(schizophyllan)과 같은 수용성 고분자 및 염화칼륨과 같은 수용성 염류를 함유하고 있다.
그런데 최근, 반도체 디바이스의 디자인 룰이 세선화됨에 따라서, 연마용 조성물을 이용하여 연마한 후의 웨이퍼 표면에서 관찰되는 결함의 일종인 LPD(light point defects)에 대해 반도체 디바이스의 성능에 영향을 미친다고 하여, 지금까지 문제가 되지 않았던 작은 사이즈의 것까지 저감이 요구되고 있다. 구체적으로는, 지금까지 문제가 되고 있던 LPD는 0.12 ㎛ 이상의 크기의 것이며, 이것은 웨이퍼 표면에 부착된 파티클이 주된 원인이기 때문에, 세정 기술의 향상에 의해 상당한 저감이 이루어져 있다. 그런데, 그것보다도 사이즈가 작은 LPD(> 0.065 ㎛)는 주로 예비 연마시에 웨이퍼 표면에 발생되는 흠집에 의한 것, 즉 연마 가공에 기인하는 것이며, 이것은 마무리 연마나 세정에 의해서는 제거할 수 없을 우려가 있다. 이 점, 특허 문헌 1의 연마용 조성물을 이용하여 마무리 연마를 행한 경우라도, 연마 가공에 기인하는 LPD의 수가 종래에 비해 저감되는 일은 없다.
[특허 문헌 1] 일본 특허 출원 공개 평02-158684호 공보
본 발명의 목적은, 연마용 조성물을 이용하여 연마한 후의 연마 대상물 표면에 있어서의 연마 가공에 기인하는 LPD의 수를 저감하는 것이 가능한 연마용 조성물 및 그 연마용 조성물을 이용한 연마 방법을 제공하는 데 있다.
상기한 목적을 달성하기 위해, 청구항 1에 기재된 발명은 폴리비닐피롤리돈 및 폴리N-비닐포름아미드로부터 선택되는 적어도 1종류의 수용성 고분자와 알칼리를 함유하는 연마용 조성물을 제공한다.
청구항 2에 기재된 발명은, 상기 수용성 고분자의 중량 평균 분자량이 6,000 내지 4,000,000인 청구항 1에 기재된 연마용 조성물을 제공한다.
청구항 3에 기재된 발명은, 킬레이트제를 더 함유하는 청구항 1 또는 2에 기재된 연마용 조성물을 제공한다.
청구항 4에 기재된 발명은, 청구항 1 내지 3 중 어느 한 항에 기재된 연마용 조성물을 이용하여 반도체 웨이퍼의 표면을 연마하는 연마 방법을 제공한다.
본 발명에 따르면, 연마용 조성물을 이용하여 연마한 후의 연마 대상물 표면에 있어서의 연마 가공에 기인하는 LPD의 수를 저감하는 것이 가능한 연마용 조성물 및 그 연마용 조성물을 이용한 연마 방법이 제공된다.
이하, 본 발명의 일 실시 형태를 설명한다.
본 실시 형태의 연마용 조성물은, 소정량의 수용성 고분자와 알칼리와 지립(砥粒)을 물과 혼합함으로써 제조된다. 따라서, 본 실시 형태의 연마용 조성물은, 수용성 고분자, 알칼리, 지립 및 물로 이루어진다. 이 연마용 조성물은 실리콘 웨이퍼 등의 반도체 웨이퍼를 연마하는 용도로 사용되는 것이며, 특히 웨이퍼의 예비 연마, 예비 연마가 2단계 이상으로 나누어 행해지는 경우에는 최종 단계의 예비 연마에서 사용되는 것이다.
본 실시 형태의 연마용 조성물에 포함되는 수용성 고분자는, 폴리비닐피롤리돈 및 폴리N-비닐포름아미드로부터 선택되는 적어도 1종류이다. 이들 수용성 고분자는 웨이퍼 표면에 친수막을 형성하는 작용을 갖고 있다. 이 친수막은 지립을 비롯한 조대(粗大) 입자로부터 웨이퍼에 부여되는 웨이퍼 표면에 대해 수직 방향의 힘을 수평 방향으로 분산하는 기능을 하고, 그 결과 연마시의 웨이퍼 표면에 있어서의 결함의 발생이 억제되어, 연마 가공에 기인하는 LPD의 수가 저감될 것이라 추측된다.
연마용 조성물에 포함되는 수용성 고분자가 폴리비닐피롤리돈인 경우에는, 폴리N-비닐포름아미드인 경우에 비해, 연마 가공에 기인하는 LPD의 수를 저감할 수 있다. 따라서, 연마용 조성물에 포함되는 수용성 고분자는 폴리비닐피롤리돈인 것이 바람직하다.
연마용 조성물 중의 수용성 고분자의 함유량은, 0.0003 g/L 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.001 g/L 이상, 더욱 바람직하게는 0.003 g/L 이상, 가장 바람직하게는 0.005 g/L 이상이다. 수용성 고분자의 함유량이 많아짐에 따라, 결함의 발생을 억제하는 데 충분한 친수막이 웨이퍼 표면에 형성되기 쉬워지기 때문에, 연마 가공에 기인하는 LPD의 수는 보다 크게 저감된다. 이 점에 있어서, 연마용 조성물 중의 수용성 고분자의 함유량이 0.0003 g/L 이상, 다시 말하면 0.001 g/L 이상, 다시 말하면 0.003 g/L 이상, 다시 말하면 0.005 g/L 이상이면, 연마 가공에 기인하는 LPD의 수를 크게 저감할 수 있다.
연마용 조성물 중의 수용성 고분자의 함유량은 또한, 0.1 g/L 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.02 g/L 이하, 더욱 바람직하게는 0.015 g/L 이하, 가장 바람직하게는 0.01 g/L 이하이다. 수용성 고분자에 의한 친수막은 연마용 조성물에 의한 웨이퍼의 연마 속도(제거 속도)의 저하를 초래한다. 그로 인해, 연마용 조성물 중의 수용성 고분자의 함유량이 적어짐에 따라, 친수막에 의한 연마 속도의 저하는 보다 강하게 억제된다. 이 점에 있어서, 연마용 조성물 중의 수용성 고분자의 함유량이 0.1 g/L 이하, 다시 말하면 0.02 g/L 이하, 다시 말하면 0.015 g/L 이하, 다시 말하면 0.01 g/L 이하이면 친수막에 의한 연마 속도의 저하를 강하게 억제할 수 있다.
연마용 조성물에 포함되는 수용성 고분자의 중량 평균 분자량은 6,000 이상인 것이 바람직하다. 수용성 고분자의 중량 평균 분자량이 커짐에 따라, 결함의 발생을 억제하는 데 충분한 친수막이 웨이퍼 표면에 형성되기 쉬워지기 때문에, 연마 가공에 기인하는 LPD의 수는 보다 크게 저감된다. 이 점에 있어서, 연마용 조성물 중의 수용성 고분자의 중량 평균 분자량이 6,000 이상이면, 연마 가공에 기인 하는 LPD의 수를 크게 저감할 수 있다.
연마용 조성물에 포함되는 수용성 고분자의 중량 평균 분자량은 또한, 4,000,000 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3,000,000 이하이다. 수용성 고분자의 중량 평균 분자량이 작아짐에 따라, 친수막에 의한 웨이퍼의 연마 속도의 저하는 보다 강하게 억제된다. 이 점에 있어서, 연마용 조성물 중의 수용성 고분자의 중량 평균 분자량이 4,000,000 이하, 다시 말하면 3,000,000 이하이면 친수막에 의한 연마 속도의 저하를 강하게 억제할 수 있다.
본 실시 형태의 연마용 조성물에 포함되는 알칼리는, 예를 들어 알칼리 금속 수산화물, 암모니아, 아민, 제4급 암모늄염 중 어느 것이라도 좋다. 이들 알칼리는, 웨이퍼를 화학적으로 연마하는 작용을 갖고, 연마용 조성물에 의한 웨이퍼의 연마 속도를 향상시키는 기능을 한다.
연마용 조성물에 포함되는 알칼리가 알칼리 금속 수산화물 또는 제4급 암모늄염인 경우에는, 그 밖의 알칼리를 이용한 경우에 비해, 연마용 조성물에 의한 웨이퍼의 연마 속도가 크게 향상하는 동시에, 연마 후의 웨이퍼의 표면 거칠기의 증대가 억제된다. 따라서, 연마용 조성물에 포함되는 알칼리는, 알칼리 금속 수산화물 또는 제4급 암모늄염인 것이 바람직하다.
연마용 조성물 중의 알칼리의 함유량은 0.1 g/L 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.25 g/L 이상, 더욱 바람직하게는 0.5 g/L 이상이다. 알칼리의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 웨이퍼의 연마 속도는 보다 크게 향상된다. 이 점에 있어서, 연마용 조성물 중의 알칼리의 함유량이 0.1 g/L 이상, 다시 말하면 0.25 g/L 이상, 다시 말하면 0.5 g/L 이상이면 연마용 조성물에 의한 웨이퍼의 연마 속도를 크게 향상시킬 수 있다.
연마용 조성물 중의 알칼리의 함유량은 또한, 5 g/L 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 4 g/L 이하, 더욱 바람직하게는 3 g/L 이하이다. 알칼리는 연마 후의 웨이퍼의 표면 거칠기의 증대를 초래할 우려가 있다. 그로 인해, 연마용 조성물 중의 알칼리의 함유량이 적어짐에 따라, 연마 후의 웨이퍼의 표면 거칠기의 증대는 보다 강하게 억제된다. 이 점에 있어서, 연마용 조성물 중의 알칼리의 함유량이 5 g/L 이하, 다시 말하면 4 g/L 이하, 다시 말하면 3 g/L 이하이면, 연마 후의 웨이퍼의 표면 거칠기의 증대를 강하게 억제할 수 있다.
본 실시 형태의 연마용 조성물에 포함되는 지립은, 예를 들어 콜로이달 실리카 및 흄드 실리카(fumed silica) 중 어느 것이라도 좋다. 이들 지립은, 웨이퍼를 기계적으로 연마하는 작용을 갖고, 연마용 조성물에 의한 웨이퍼의 연마 속도를 향상시키는 기능을 한다.
연마용 조성물에 포함되는 지립이 콜로이달 실리카인 경우에는, 그 밖의 지립을 이용한 경우에 비해, 연마용 조성물의 안정성이 향상되어, 그 결과 연마 후의 웨이퍼의 표면의 스크래치가 저감된다. 따라서, 연마용 조성물에 포함되는 지립은 콜로이달 실리카인 것이 바람직하다.
연마용 조성물 중의 지립의 함유량은, 1 g/L 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 3 g/L 이상, 더욱 바람직하게는 5 g/L 이상이다. 지립의 함유량이 많아짐에 따라, 연마용 조성물에 의한 웨이퍼의 연마 속도는 보다 크게 향상된다. 이 점에 있어서, 연마용 조성물 중의 지립의 함유량이 1 g/L 이상, 다시 말하면 3 g/L 이상, 다시 말하면 5 g/L 이상이면 연마 속도를 크게 향상시킬 수 있다.
연마용 조성물 중의 지립의 함유량은 또한, 45 g/L 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 35 g/L 이하, 더욱 바람직하게는 25 g/L 이하이다. 지립의 함유량이 적어짐에 따라, 연마용 조성물의 콜로이드 안정성은 보다 크게 향상된다. 이 점에 있어서, 연마용 조성물 중의 지립의 함유량이 45 g/L 이하, 다시 말하면 35 g/L 이하, 다시 말하면 25 g/L 이하이면, 연마용 조성물의 콜로이드 안정성을 크게 향상시킬 수 있다.
연마용 조성물에 포함되는 지립의 평균 1차 입자 직경은, 5 nm 이상인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 10 nm 이상, 더욱 바람직하게는 15 nm 이상이다. 지립의 평균 1차 입자 직경이 커짐에 따라, 웨이퍼를 기계적으로 연마하는 지립의 작용이 보다 강해지므로, 연마용 조성물에 의한 웨이퍼의 연마 속도는 보다 크게 향상된다. 이 점에 있어서, 지립의 평균 1차 입자 직경이 5 nm 이상, 다시 말하면 10 nm 이상, 다시 말하면 15 nm 이상이면 연마용 조성물에 의한 웨이퍼의 연마 속도를 크게 향상시킬 수 있다.
연마용 조성물에 포함되는 지립의 평균 1차 입자 직경은 또한, 200 nm 이하인 것이 바람직하고, 보다 바람직하게는 150 nm 이하, 더욱 바람직하게는 100 nm 이하이다. 평균 1차 입자 직경이 큰 지립은, 연마 후의 웨이퍼 표면의 스크래치의 증가를 초래할 우려가 있다. 그로 인해, 지립의 평균 1차 입자 직경이 작아짐에 따라, 연마 후의 웨이퍼 표면의 스크래치의 증가는 보다 강하게 억제된다. 이 점 에 있어서, 지립의 평균 1차 입자 직경이 200 nm 이하, 다시 말하면 150 nm 이하, 다시 말하면 100 nm 이하이면, 연마 후의 웨이퍼 표면의 스크래치의 증가를 보다 강하게 억제할 수 있다.
본 실시 형태에 따르면, 이하의 이점이 얻어진다.
·본 실시 형태의 연마용 조성물은, 폴리비닐피롤리돈 및 폴리N-비닐포름아미드로부터 선택되는 적어도 1종류의 수용성 고분자를 함유하고 있고, 이 수용성 고분자에 의해 웨이퍼 표면에 형성되는 친수막은 연마 가공에 기인하는 LPD의 수를 저감하는 작용을 한다. 그로 인해, 본 실시 형태의 연마용 조성물에 따르면, 연마용 조성물을 이용하여 연마한 후의 웨이퍼 표면에 있어서의 연마 가공에 기인하는 LPD의 수를 저감할 수 있다.
상기 실시 형태를 다음과 같이 변경해도 좋다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은 킬레이트제를 더 함유해도 좋다. 킬레이트제는 연마용 조성물 중의 금속 불순물과 착이온(complex ion)을 형성하여 이것을 포착함으로써, 금속 불순물에 의한 연마 대상물의 오염을 억제하는 기능을 한다. 킬레이트제는 아미노카르본산계 킬레이트제 또는 포스폰산계 킬레이트제라도 좋고, 에틸렌디아민4아세트산, 디에틸렌트리아민5아세트산, 트리에틸렌테트라민6아세트산, 에틸렌디아민4메틸인산, 또는 디에틸렌트리아민5메틸인산을 포함하는 것이 바람직하다. 에틸렌디아민4아세트산, 디에틸렌트리아민5아세트산, 트리에틸렌테트라민6아세트산, 에틸렌디아민4메틸인산 및 디에틸렌트리아민5메틸인산은 금속 불순물을 포착하는 능력이 특히 높다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물에는 필요에 따라서 방부제나 소포제와 같은 공지의 첨가제를 첨가해도 좋다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은 사용 전에 농축 원액을 희석함으로써 조제되어도 좋다.
·상기 실시 형태의 연마용 조성물은 반도체 웨이퍼 이외의 연마 대상물을 연마하는 용도로 사용되어도 좋다.
다음에, 본 발명의 실시예 및 비교예를 설명한다.
수용성 고분자, 알칼리, 지립 및 킬레이트제를 적절하게 물과 혼합함으로써 제1 내지 제53 실시예 및 제1 내지 제26 비교예의 연마용 조성물을 조제하였다. 각 연마용 조성물 중의 수용성 고분자, 알칼리, 지립 및 킬레이트제의 상세 내용은 표1에 나타내는 바와 같다.
표1 및 표2의 "수용성 고분자"란 중, PVP*1은 중량 평균 분자량이 10,000인 폴리비닐피롤리돈을 나타내고, PVP*2는 중량 평균 분자량이 3,500,000인 폴리비닐피롤리돈을 나타내고, PVP*3은 중량 평균 분자량이 1,600,000인 폴리비닐피롤리돈을 나타내고, PVP*4는 중량 평균 분자량이 67,000인 폴리비닐피롤리돈을 나타내고, PNVF는 중량 평균 분자량이 100,000인 폴리N-비닐포름아미드를 나타내고, PVA는 중량 평균 분자량이 62,000인 비누화도 95 ％의 폴리비닐알코올을 나타내고, PVME는 중량 평균 분자량이 10,000인 폴리비닐메틸에테르를 나타내고, PEG는 중량 평균 분 자량이 26,000인 폴리에틸렌글리콜을 나타내고, PEO는 중량 평균 분자량이 200,000인 폴리에틸렌옥사이드를 나타내고, PPP는 중량 평균 분자량이 9,000인 폴리옥시에틸렌-폴리옥시프로필렌 블록 공중합체를 나타내고, PEI는 중량 평균 분자량이 10,000인 폴리에틸렌이민을 나타내고, PAA는 중량 평균 분자량이 25,000인 폴리아크릴산을 나타내고, PAA-NH4는 중량 평균 분자량이 20,000인 폴리아크릴산암모늄을 나타내고, PAA-Na는 중량 평균 분자량이 20,000인 폴리아크릴산나트륨을 나타내고, PAAM은 중량 평균 분자량이 1,000,000인 폴리아크릴아미드를 나타내고, PSS-Na는 중량 평균 분자량이 100,000인 폴리스티렌술폰산나트륨을 나타내고, HEC는 중량 평균 분자량이 1,000,000인 히드록시에틸셀룰로오스를 나타내고, CMC-Na*1은 중량 평균 분자량이 10,000인 카르복시메틸셀룰로오스나트륨을 나타내고, CMC-Na*2는 중량 평균 분자량이 330,000인 카르복시메틸셀룰로오스나트륨을 나타내고, CMC-Na*3은 중량 평균 분자량이 90,000인 카르복시메틸셀룰로오스나트륨을 나타내고, CMC-Na*4는 중량 평균 분자량이 20,000인 카르복시메틸셀룰로오스나트륨을 나타낸다.
표1 및 표2의 "알칼리"란 중, TMAH는 수산화테트라메틸암모늄을 나타내고, KOH는 수산화칼륨을 나타내고, NaOH는 수산화나트륨을 나타내고, NH3은 암모니아를 나타내고, PIZ는 무수피페라진을 나타내고, IMZ는 이미다졸을 나타낸다.
표1 및 표2의 "지립"란 중, CS*1은 평균 1차 입자 직경이 35 nm인 콜로이달 실리카를 나타내고, CS*2는 평균 1차 입자 직경이 200 nm인 콜로이달 실리카를 나타내고, CS*3은 평균 1차 입자 직경이 150 nm인 콜로이달 실리카를 나타내고, CS*4는 평균 1차 입자 직경이 100 nm인 콜로이달 실리카를 나타내고, CS*5는 평균 1차 입자 직경이 55 nm인 콜로이달 실리카를 나타내고, CS*6은 평균 1차 입자 직경이 15 nm인 콜로이달 실리카를 나타내고, CS*7은 평균 1차 입자 직경이 10 nm인 콜로이달 실리카를 나타내고, CS*8은 평균 1차 입자 직경이 5 nm인 콜로이달 실리카를 나타낸다.
표1 및 표2의 "킬레이트제"란 중, TTHA는 트리에틸렌테트라민6아세트산을 나타내고, DTPA는 디에틸렌트리아민5아세트산을 나타내고, EDTPO는 에틸렌디아민4에틸렌포스폰산을 나타낸다.
표1 및 표2의 "연마 속도"란에는, 제1 내지 제53 실시예 및 제1 내지 제26 비교예의 연마용 조성물을 이용하여, 직경 200 mm, 두께 730 ㎛의 실리콘 웨이퍼[p-형, 결정방위 <100>, COP(crystal originated particles) 프리]를 표3에 나타내는 조건으로 연마하였을 때에 얻어지는 연마 속도를 측정한 결과를 나타낸다. 연마 속도는 연마 전후의 각 웨이퍼의 두께의 차를 연마 시간으로 나눔으로써 구하였다. 웨이퍼의 두께의 계측에는, 구로다 세이꼬오 가부시끼가이샤제의 평탄도 검사 장치 "NANOMETRO 300TT"를 사용하였다.
표1 및 표2의 "결함"란에는, 제1 내지 제53 실시예 및 제1 내지 제26 비교예 의 연마용 조성물을 이용하여 연마한 후의 실리콘 웨이퍼 표면에서 측정되는 연마 가공에 기인하는 LPD의 수에 대해 평가한 결과를 나타낸다. 구체적으로는, 직경 200 mm, 두께 730 ㎛의 실리콘 웨이퍼(p-형, 결정방위 <100>, COP 프리)를, 제1 내지 제53 실시예 및 제1 내지 제26 비교예의 연마용 조성물을 이용하여 표3에 나타내는 조건으로 예비 연마한 후, 순수(純水)로 20배 희석한 가부시끼가이샤 후지미 인코포레이티드제의 "GLANZOX-3900"을 이용하여 표4에 나타내는 조건으로 또한 마무리 연마하였다. 마무리 연마 후의 웨이퍼에 대해, SC-1 세정(Standard Clean 1) 및 IPA(isopropyl alcohol) 증기 건조를 행한 후 케이엘에이·텐코(kla-tencor)사제의 "SURFSCAN SP1-TBI"를 이용하여 우선 제1회째의 LPD의 측정을 행하였다. 그 후, 동일한 웨이퍼에 대해, 다시 SC-1 세정 및 IPA 증기 건조를 행한 후 "SURFSCAN SP1-TBI"를 이용하여 제2회째의 LPD의 측정을 행하였다. 제1회째와 제2회째의 측정에서 위치가 바뀌지 않는 LPD를 연마 가공에 기인하는 LPD라 정의하고, 웨이퍼 표면당의 연마 가공에 기인하는 LPD의 수를 측정하였다. "결함"란 중, ◎(우수)는 웨이퍼 표면당의 연마 가공에 기인하는 LPD의 수가 10개 미만이었던 것을 나타내고, ○(양호)는 10개 이상 20개 미만, △(가능)은 20개 이상 30개 미만, ×(불량)은 30개 이상이었던 것을 나타낸다.
표1 및 표2의 "젖음성"란에는, 수용성 고분자의 작용에 의한 웨이퍼 표면에의 친수막의 형성을 평가하기 위해, 제1 내지 제53 실시예 및 제1 내지 제26 비교예의 연마용 조성물을 이용하여 표3에 나타내는 조건으로 연마한 후의 실리콘 웨이퍼 표면의 젖음성을 평가한 결과를 나타낸다. 구체적으로는, 연마 후의 웨이퍼를 가볍게 물 세척한 후 육안에 의해 표면의 젖음 상태를 확인하여 평가하였다. "젖음성"란 중, 0는 웨이퍼 표면이 전혀 젖어 있지 않았던 것을 나타내고, 3은 웨이퍼 표면의 30 ％가 젖어 있었던 것, 6은 웨이퍼 표면의 60 ％가 젖어 있었던 것, 7은 웨이퍼 표면의 70 ％가 젖어 있었던 것, 8은 웨이퍼 표면의 80 ％가 젖어 있었던 것, 9는 웨이퍼 표면의 90 ％가 젖어 있었던 것, 10은 웨이퍼 표면의 100 ％가 젖어 있었던 것을 나타낸다.
또한, 제11 비교예의 연마용 조성물은 겔화가 심해, 웨이퍼의 연마에 사용할 수 없었다.
표1 및 표2에 나타내는 바와 같이, 제1 내지 제53 실시예의 연마용 조성물에 따르면, 결함에 관한 평가는 모두 △(가능) 이상이며, 연마 속도도 실용상 만족할 수 있는 값이 얻어졌다. 그에 반해, 제1 내지 제26 비교예의 연마용 조성물에 따르면, 연마를 행할 수 없었던 제11 비교예를 제외하고, 결함에 관한 평가는 모두 ×(불량)였다.
상기 실시 형태로부터 파악할 수 있는 기술적 사상에 대해 이하에 기재한다.
·콜로이달 실리카 및 흄드 실리카로부터 선택되는 적어도 1종류의 지립을 더 함유하는 청구항 1 내지 4 중 어느 한 항에 기재된 연마용 조성물. 이 경우, 연마용 조성물에 의한 연마 대상물의 연마 속도를 향상시킬 수 있다.
Claims (9)
- 예비 연마 공정 및 마무리 연마 공정을 구비하는 반도체 웨이퍼의 제조 방법에 있어서의 예비 연마에 사용되는 연마용 조성물이며,폴리비닐피롤리돈 및 폴리N-비닐포름아미드로부터 선택되는 적어도 1종류의 수용성 고분자와,알칼리를 함유하고,상기 수용성 고분자의 함유량이 0.0003 이상 0.1g/L 이하인 것을 특징으로 하는 연마용 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 수용성 고분자의 중량 평균 분자량이 6,000 내지 4,000,000인 연마용 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 킬레이트제를 더 함유하는 연마용 조성물.
- 제1항 또는 제2항에 있어서, 콜로이달 실리카 및 흄드 실리카로부터 선택되는 적어도 1종류의 지립을 더 함유하는 연마용 조성물.
- 제1항에 기재된 연마용 조성물을 이용하여 반도체 웨이퍼의 표면을 연마하는 연마 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 연마 방법.
- 제5항에 있어서, 상기 연마 공정은, 상기 연마용 조성물을 이용하여 반도체 웨이퍼의 표면을 예비 연마하는 공정과, 예비 연마된 반도체 웨이퍼의 표면을 상기 연마용 조성물과는 상이한 연마용 조성물을 이용하여 연마하는 공정을 구비하는, 연마 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 수용성 고분자의 함유량이 0.001 이상 0.020g/L 이하인 연마용 조성물.
- 제1항에 있어서, 상기 수용성 고분자의 함유량이 0.003 이상 0.015g/L 이하인 연마용 조성물.
- 반도체 웨이퍼의 제조 방법이며,예비 연마 공정 및 마무리 연마 공정을 갖고,상기 예비 연마 공정에서는, 제1항에 기재된 연마용 조성물을 이용하여 반도체 웨이퍼의 표면을 연마하는, 반도체 웨이퍼의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JPJP-P-2006-00227614 | 2006-08-24 | ||
| JP2006227614A JP5204960B2 (ja) | 2006-08-24 | 2006-08-24 | 研磨用組成物及び研磨方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20080018823A KR20080018823A (ko) | 2008-02-28 |
| KR101250044B1 true KR101250044B1 (ko) | 2013-04-02 |
Family
ID=38599067
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020070084845A KR101250044B1 (ko) | 2006-08-24 | 2007-08-23 | 연마용 조성물 및 연마 방법 |
Country Status (7)
| Country | Link |
|---|---|
| US (4) | US7867909B2 (ko) |
| JP (1) | JP5204960B2 (ko) |
| KR (1) | KR101250044B1 (ko) |
| CN (1) | CN101130668B (ko) |
| DE (1) | DE102007039910B4 (ko) |
| GB (1) | GB2443286B (ko) |
| TW (1) | TWI412580B (ko) |
Families Citing this family (28)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP5204960B2 (ja) | 2006-08-24 | 2013-06-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
| WO2010069149A1 (zh) * | 2008-12-19 | 2010-06-24 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种化学机械抛光液 |
| US20100159807A1 (en) * | 2008-12-22 | 2010-06-24 | Jinru Bian | Polymeric barrier removal polishing slurry |
| TWI385244B (zh) * | 2009-05-20 | 2013-02-11 | Epoch Material Co Ltd | 用於移除鋸痕之化學機械研磨組合物 |
| DE112010002227B4 (de) | 2009-06-05 | 2018-11-29 | Sumco Corp. | Verfahren zum Polieren eines Siliciumwafers |
| JP2011171689A (ja) | 2009-07-07 | 2011-09-01 | Kao Corp | シリコンウエハ用研磨液組成物 |
| JP4772156B1 (ja) * | 2010-07-05 | 2011-09-14 | 花王株式会社 | シリコンウエハ用研磨液組成物 |
| JP5721505B2 (ja) * | 2011-04-01 | 2015-05-20 | ニッタ・ハース株式会社 | 研磨用組成物 |
| SG11201401309PA (en) | 2011-10-24 | 2014-06-27 | Fujimi Inc | Composition for polishing purposes, polishing method using same, and method for producing substrate |
| JP6357296B2 (ja) * | 2012-02-10 | 2018-07-11 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、及び半導体基板の製造方法 |
| JP5822356B2 (ja) | 2012-04-17 | 2015-11-24 | 花王株式会社 | シリコンウェーハ用研磨液組成物 |
| JP5927059B2 (ja) * | 2012-06-19 | 2016-05-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた基板の製造方法 |
| CN102786879B (zh) * | 2012-07-17 | 2014-04-23 | 清华大学 | 钛酸钡化学机械抛光水性组合物及其应用 |
| JP2014080461A (ja) * | 2012-10-12 | 2014-05-08 | Fujimi Inc | 研磨用組成物の製造方法及び研磨用組成物 |
| CN103773244B (zh) * | 2012-10-17 | 2017-08-11 | 安集微电子（上海）有限公司 | 一种碱性化学机械抛光液 |
| CN104995277B (zh) * | 2013-02-13 | 2018-05-08 | 福吉米株式会社 | 研磨用组合物、研磨用组合物制造方法及研磨物制造方法 |
| JP6110681B2 (ja) * | 2013-02-13 | 2017-04-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨物製造方法 |
| JP5920840B2 (ja) * | 2013-09-30 | 2016-05-18 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびその製造方法 |
| WO2015050260A2 (ja) * | 2013-10-04 | 2015-04-09 | 株式会社Sumco | 研磨剤組成物、シリコンウェハー用研磨剤組成物、およびシリコンウェハー製品の製造方法 |
| JP6292816B2 (ja) * | 2013-10-18 | 2018-03-14 | 東亞合成株式会社 | 半導体用濡れ剤及び研磨用組成物 |
| WO2016129215A1 (ja) * | 2015-02-12 | 2016-08-18 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | シリコンウェーハの研磨方法および表面処理組成物 |
| US10748778B2 (en) | 2015-02-12 | 2020-08-18 | Fujimi Incorporated | Method for polishing silicon wafer and surface treatment composition |
| EP3261114B1 (en) * | 2015-02-19 | 2021-01-13 | Fujimi Incorporated | Composition for silicon wafer polishing and polishing method |
| WO2016181889A1 (ja) * | 2015-05-08 | 2016-11-17 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| EP3296376B1 (en) * | 2015-05-08 | 2023-07-05 | Fujimi Incorporated | Method of polishing |
| JP6690606B2 (ja) * | 2017-07-14 | 2020-04-28 | 信越半導体株式会社 | 研磨方法 |
| EP4279561A1 (en) * | 2021-01-18 | 2023-11-22 | Fujimi Incorporated | Polishing composition |
| JPWO2022154016A1 (ko) * | 2021-01-18 | 2022-07-21 |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311967A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Nippon Shokubai Co Ltd | Ｃｍｐ研磨剤用ポリマー及び組成物 |
| KR20050062429A (ko) * | 2003-12-19 | 2005-06-23 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 | 조절된 구리 연마용 조성물 및 방법 |
| KR20060019257A (ko) * | 2004-08-27 | 2006-03-03 | 제일모직주식회사 | 표면이하 결함을 개선하는 실리콘 웨이퍼 경면연마용슬러리 조성물 |
| KR20060043078A (ko) * | 2004-02-23 | 2006-05-15 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 | 반도체 웨이퍼에서 금속 연결체 제거율을 조절하기 위한 연마 조성물 |
Family Cites Families (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3715842A (en) * | 1970-07-02 | 1973-02-13 | Tizon Chem Corp | Silica polishing compositions having a reduced tendency to scratch silicon and germanium surfaces |
| US4169337A (en) * | 1978-03-30 | 1979-10-02 | Nalco Chemical Company | Process for polishing semi-conductor materials |
| US4462188A (en) * | 1982-06-21 | 1984-07-31 | Nalco Chemical Company | Silica sol compositions for polishing silicon wafers |
| US4588421A (en) * | 1984-10-15 | 1986-05-13 | Nalco Chemical Company | Aqueous silica compositions for polishing silicon wafers |
| JPH0623393B2 (ja) * | 1987-04-27 | 1994-03-30 | 日本モンサント株式会社 | ウエハーのファイン研磨用の組成物 |
| US5352277A (en) * | 1988-12-12 | 1994-10-04 | E. I. Du Pont De Nemours & Company | Final polishing composition |
| JP2714411B2 (ja) | 1988-12-12 | 1998-02-16 | イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー | ウェハーのファイン研摩用組成物 |
| US5230833A (en) * | 1989-06-09 | 1993-07-27 | Nalco Chemical Company | Low sodium, low metals silica polishing slurries |
| US5916819A (en) * | 1996-07-17 | 1999-06-29 | Micron Technology, Inc. | Planarization fluid composition chelating agents and planarization method using same |
| US6099604A (en) * | 1997-08-21 | 2000-08-08 | Micron Technology, Inc. | Slurry with chelating agent for chemical-mechanical polishing of a semiconductor wafer and methods related thereto |
| JP4115562B2 (ja) * | 1997-10-14 | 2008-07-09 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| WO1999032570A1 (en) | 1997-12-23 | 1999-07-01 | Akzo Nobel N.V. | A composition for chemical mechanical polishing |
| EP1102821A4 (en) * | 1998-06-10 | 2004-05-19 | Rodel Inc | COMPOSITION AND METHOD FOR CMP POLISHING METAL |
| JP3810588B2 (ja) * | 1998-06-22 | 2006-08-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US6447803B1 (en) * | 1998-08-14 | 2002-09-10 | National Starch And Chemical Investment Holding Corporation | Thickener-rheology modifier system for personal care compositions |
| JP3979750B2 (ja) * | 1998-11-06 | 2007-09-19 | 株式会社荏原製作所 | 基板の研磨装置 |
| EP1691401B1 (en) * | 1999-06-18 | 2012-06-13 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | Method for polishing a substrate using CMP abrasive |
| TWI290740B (en) * | 1999-08-26 | 2007-12-01 | Hitachi Chemical Co Ltd | Polishing compound for chemical-mechanical polishing and polishing method |
| US6454820B2 (en) * | 2000-02-03 | 2002-09-24 | Kao Corporation | Polishing composition |
| AU2001268738A1 (en) * | 2000-06-30 | 2002-01-14 | Heliogenesis, Inc. | Toy bubblemaking solution |
| JP2002190460A (ja) * | 2000-10-12 | 2002-07-05 | Toshiba Corp | 研磨布、研磨装置および半導体装置の製造方法 |
| US6612911B2 (en) * | 2001-01-16 | 2003-09-02 | Cabot Microelectronics Corporation | Alkali metal-containing polishing system and method |
| JP3440419B2 (ja) * | 2001-02-02 | 2003-08-25 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法 |
| JP4003116B2 (ja) * | 2001-11-28 | 2007-11-07 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| TWI282360B (en) * | 2002-06-03 | 2007-06-11 | Hitachi Chemical Co Ltd | Polishing composition and polishing method thereof |
| US7021993B2 (en) * | 2002-07-19 | 2006-04-04 | Cabot Microelectronics Corporation | Method of polishing a substrate with a polishing system containing conducting polymer |
| JP4593064B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2010-12-08 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| JP4212861B2 (ja) * | 2002-09-30 | 2009-01-21 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法 |
| US7481949B2 (en) | 2002-11-08 | 2009-01-27 | Wako Pure Chemical Industries, Ltd | Polishing composition and rinsing composition |
| KR100516886B1 (ko) * | 2002-12-09 | 2005-09-23 | 제일모직주식회사 | 실리콘 웨이퍼의 최종 연마용 슬러리 조성물 |
| JP4668528B2 (ja) * | 2003-09-05 | 2011-04-13 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物 |
| US20050090104A1 (en) * | 2003-10-27 | 2005-04-28 | Kai Yang | Slurry compositions for chemical mechanical polishing of copper and barrier films |
| US20060000808A1 (en) * | 2004-07-01 | 2006-01-05 | Fuji Photo Film Co., Ltd. | Polishing solution of metal and chemical mechanical polishing method |
| US20060021972A1 (en) * | 2004-07-28 | 2006-02-02 | Lane Sarah J | Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride |
| JP4814502B2 (ja) * | 2004-09-09 | 2011-11-16 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| JP2006100538A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Fuji Photo Film Co Ltd | 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法 |
| US7291280B2 (en) * | 2004-12-28 | 2007-11-06 | Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. | Multi-step methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride |
| KR20060101396A (ko) * | 2005-03-17 | 2006-09-22 | 후지 샤신 필름 가부시기가이샤 | 금속 연마액 및 연마방법 |
| JP4776269B2 (ja) * | 2005-04-28 | 2011-09-21 | 株式会社東芝 | 金属膜ｃｍｐ用スラリー、および半導体装置の製造方法 |
| US20070049180A1 (en) * | 2005-08-24 | 2007-03-01 | Jsr Corporation | Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, kit for preparing the aqueous dispersion, chemical mechanical polishing process, and process for producing semiconductor devices |
| TWI385226B (zh) * | 2005-09-08 | 2013-02-11 | 羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司 | 用於移除聚合物阻障之研磨漿液 |
| DE102005052924A1 (de) | 2005-11-03 | 2007-05-10 | Basf Ag | Wässrige Dispersionen wasserlöslicher Polymere mit kammartigen Stabilisatoren |
| US20070176141A1 (en) * | 2006-01-30 | 2007-08-02 | Lane Sarah J | Compositions and methods for chemical mechanical polishing interlevel dielectric layers |
| JP5204960B2 (ja) | 2006-08-24 | 2013-06-05 | 株式会社フジミインコーポレーテッド | 研磨用組成物及び研磨方法 |
-
2006
- 2006-08-24 JP JP2006227614A patent/JP5204960B2/ja active Active
-
2007
- 2007-07-31 TW TW096128010A patent/TWI412580B/zh active
- 2007-08-22 GB GB0716358A patent/GB2443286B/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-23 US US11/844,014 patent/US7867909B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-08-23 DE DE102007039910.5A patent/DE102007039910B4/de active Active
- 2007-08-23 KR KR1020070084845A patent/KR101250044B1/ko active IP Right Grant
- 2007-08-24 CN CN2007101468555A patent/CN101130668B/zh active Active
-
2009
- 2009-01-27 US US12/360,557 patent/US20090137123A1/en not_active Abandoned
-
2012
- 2012-02-08 US US13/368,694 patent/US20120138851A1/en not_active Abandoned
- 2012-10-19 US US13/655,594 patent/US8721909B2/en active Active
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004311967A (ja) * | 2003-03-27 | 2004-11-04 | Nippon Shokubai Co Ltd | Ｃｍｐ研磨剤用ポリマー及び組成物 |
| KR20050062429A (ko) * | 2003-12-19 | 2005-06-23 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 | 조절된 구리 연마용 조성물 및 방법 |
| KR20060043078A (ko) * | 2004-02-23 | 2006-05-15 | 롬 앤드 하스 일렉트로닉 머티리얼스 씨엠피 홀딩스 인코포레이티드 | 반도체 웨이퍼에서 금속 연결체 제거율을 조절하기 위한 연마 조성물 |
| KR20060019257A (ko) * | 2004-08-27 | 2006-03-03 | 제일모직주식회사 | 표면이하 결함을 개선하는 실리콘 웨이퍼 경면연마용슬러리 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| GB2443286B (en) | 2011-11-23 |
| CN101130668B (zh) | 2012-10-31 |
| GB2443286A (en) | 2008-04-30 |
| DE102007039910B4 (de) | 2017-02-09 |
| TWI412580B (zh) | 2013-10-21 |
| JP2008053415A (ja) | 2008-03-06 |
| TW200813207A (en) | 2008-03-16 |
| US8721909B2 (en) | 2014-05-13 |
| GB0716358D0 (en) | 2007-10-03 |
| US20080051010A1 (en) | 2008-02-28 |
| US20120138851A1 (en) | 2012-06-07 |
| DE102007039910A1 (de) | 2008-03-27 |
| US7867909B2 (en) | 2011-01-11 |
| US20090137123A1 (en) | 2009-05-28 |
| CN101130668A (zh) | 2008-02-27 |
| JP5204960B2 (ja) | 2013-06-05 |
| US20130040461A1 (en) | 2013-02-14 |
| KR20080018823A (ko) | 2008-02-28 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160303 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170302 Year of fee payment: 5 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20190227 Year of fee payment: 7 |