JP6292816B2 - 半導体用濡れ剤及び研磨用組成物 - Google Patents
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Description
一般に、CMPによるウェーハ研磨では、3〜4段階の研磨を行うことにより、高精度の平滑化を実現している。第1段階および第2段階に行う1次研磨および2次研磨では、表面の平滑化を主な目的としていることから、研磨速度が重要視される傾向がある。これに対し、第3段階または第4段階の仕上げ研磨では、ウェーハ表面のヘイズ及びCOP(Crystal Originated Particles;結晶欠陥)の抑制、更には凝集した研磨砥粒、研磨パッド屑、研磨により除去されたシリコン粉といったいわゆるパーティクルの付着による汚染防止などについても重要視される。
また、特許文献2に記載のセルロース誘導体又はポリビニルアルコールも同様にウェーハ表面に対する吸着性は十分なものではなかった。加えて、特許文献2の実施例では、具体的な水溶性高分子化合物としてヒドロキシエチルセルロースを用いた実験例が開示されているが、天然物由来の化合物であるために品質のばらつきが大きいという問題もあった。
〔1〕炭素数2〜20のアルキル基を有する連鎖移動剤の存在下、ビニルエステル化合物を70〜100mol%含む単量体混合物を重合した後、ビニルエステル単位に対する鹸化度が90〜100mol%となるように鹸化して得られる水溶性高分子であって、数平均分子量が1,000〜50,000である水溶性高分子を含む半導体用濡れ剤。
〔2〕前記連鎖移動剤が、炭素数4〜20のアルキル基を有するものであることを特徴とする前記〔1〕に記載の半導体用濡れ剤。
〔3〕前記連鎖移動剤の使用量が、前記単量体混合物100質量部に対し、0.1〜10質量部であることを特徴とする前記〔1〕又は〔2〕に記載の半導体用濡れ剤。
〔4〕前記〔1〕〜〔3〕のいずれかに記載の半導体用濡れ剤、水、砥粒及びアルカリ化合物を含んでなることを特徴とする研磨用組成物。
〔5〕前記砥粒がコロイダルシリカである前記〔4〕に記載の研磨用組成物。
〔6〕前記〔4〕又は〔5〕のいずれかの研磨用組成物からなるシリコンウェーハの仕上げ研磨用組成物。
本発明の半導体用濡れ剤は、炭素数2〜20のアルキル基を有する連鎖移動剤の存在下、ビニルエステル化合物を70〜100mol%含む単量体混合物を重合した後、ビニルエステル単位に対する鹸化度が90〜100mol%となるように鹸化して得られる水溶性高分子を含む。
このため、前記水溶性高分子は、以下の式(1)で表される構造単位を主体とし、その末端に炭素数2〜20のアルキル基が導入された構造を有するものとなる。
[−CH2CH(OH)−] (1)
尚、本発明では、前記単量体混合物は、ビニルエステル化合物の2種以上からなるものであってもよいし、ビニルエステル化合物とその他の単量体を含むものであってもよい。さらに、1種類のビニルエステル化合物のみからなるものも含まれるものとする。
本発明では、ビニルエステル化合物に由来する構造単位は、鹸化されることにより前記式(1)で表されるビニルアルコール構造単位へ変換される。式(1)で表される構造単位は、ウェーハへの吸着性が良好であるとともに、水溶性高分子の水への溶解性を確保する点で重要である。
ここで、上記全単量体混合物とは、必ずしも重合に供する全単量体を予め混合しておくことを要さない。すなわち、重合に供する全単量体を予め混合したものでもよいし、例えば、各単量体を混合せずに別々に添加した場合、又は、各単量体の一部のみを混合して残りを単独で添加するような場合等も含むものとする。
水溶性高分子におけるこれらの単量体の使用量は、0〜30mol%の範囲であり、1〜25mol%の範囲が好ましく、2〜20mol%の範囲がより好ましい。その他の単量体の使用量が30mol%を超えると、前記ビニルエステル化合物の使用量が70mol%未満となるため、水への溶解性が十分でなく、本発明の半導体用濡れ剤の効果が得られない場合がある。
[−CH2CH(X)−] (2)
〔式(2)中、Xは炭素数1〜10のアルキル基を有するアルキルエーテル基、炭素数6〜10のアリール基、式(3)若しくは式(4)で表される有機基、炭素数1〜10のアルキル基を有するウレタンアルキル基、炭素数3以上のアルキレン基を有するアルキレンオキシド基、水素又は炭素数1〜3のアルキル基を表す。〕
−C(=O)O−(CH2)m−R1 (3)
〔式(3)中、R1は炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜4のアルキル基を有するアルキルアミノ基又はジアルキルアミノ基、mは0〜3の整数を表す。〕
−C(=O)NH−(CH2)n−R2 (4)
〔式(4)中、R2は炭素数1〜8のアルキル基、炭素数1〜4のアルキル基を有するアルキルアミノ基又はジアルキルアミノ基、nは0〜3の整数を表す。〕
本発明では、炭素数2〜20のアルキル基を有する連鎖移動剤を用いることにより、水溶性高分子の末端に炭素数2〜20のアルキル基が導入される。これによりウェーハ表面等への吸着性が向上する。アルキル基の炭素数が1の場合は得られる水溶性高分子のウェーハへの吸着性が十分でない場合がある。また、アルキル基の炭素数が20を超えると、得られる高分子の水への溶解性が不足する場合がある。
連鎖移動剤を用いる際、その好ましい使用量は、全単量体の量に対して0.1〜10質量%であり、さらに好ましくは0.5〜5質量%である。
本発明における水溶性高分子は、重合溶媒中、前記炭素数2〜20のアルキル基を有する連鎖移動剤及び重合開始剤等の存在下、ビニルエステル化合物を70〜100mol%含む単量体混合物を重合してポリビニルエステルを得た後、該ビニルエステルに対する鹸化度が90〜100mol%となるように鹸化することにより得ることができる。
溶液重合の際の重合溶媒には、メタノール、エタノール等のアルコール類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン類、及びN,N−ジメチルホルムアミド等のアミド類等が挙げられ、これらの内の1種、又は2種以上を併用して用いてもよい。上記の中でも、重合後のポリマー溶液をそのまま後述する鹸化反応に用いることができる点からメタノールが好ましい。
ラジカル重合開始剤としては、例えば、過硫酸ナトリウム、過硫酸カリウム及び過硫酸アンモニウム等の過硫酸塩類、t−ブチルハイドロパーオキサイド等のハイドロパーオキサイド類、過酸化水素等の水溶性過酸化物、メチルエチルケトンパーオキサイド、シクロヘキサノンパーオキサイド等のケトンパーオキサイド類、ジ−t−ブチルパーオキサイド、t−ブチルクミルパーオキサイド等のジアルキルパーオキサイド類、t−ブチルパーオキシピバレート、t−ヘキシルパーオキシピバレート等のパーオキシエステル類等の油溶性の過酸化物、2,2’−アゾビスイソブチロニトリル、2,2’−アゾビス(2,4−ジメチルバレロニトリル)、2,2’−アゾビス(2−メチルブチロニトリル)等のアゾ化合物等が挙げられる。
前記ラジカル重合開始剤は1種類のみ使用しても又は2種以上を併用してもよい。
前記ラジカル重合開始剤の中でも、重合反応の制御が行い易い点より過硫酸塩類やアゾ化合物が好ましく、特に好ましくはアゾ化合物である。
ラジカル重合開始剤の使用割合は特に制限されないが、水溶性高分子全体を構成する全単量体の合計重量に基づいて、0.1〜10質量%の割合で使用することが好ましく、0.1〜5質量%の割合がより好ましく、0.2〜3質量%の割合がさらに好ましい。
アルデヒド化合物としては、上記の他にも、2−エチルヘキシルアルデヒド、ノニルアルデヒド、デシルアルデヒド等の炭素数8以上のアルデヒド化合物を用いてもよい。
また、乾燥前に、例えば酢酸メチル、メタノール及び水等を洗浄液として洗浄することにより、塩類や揮発成分等を低減することもできる。
本発明の半導体用濡れ剤は、前記水溶性高分子及び水を含んでなる。水は、濡れ剤としての効果を損なわないよう、純度の高いものを用いることが好ましい。具体的には、イオン交換樹脂により不純物イオンを除去した後、濾過により異物を除去した純水若しくは超純水、又は、蒸留水を使用することが好ましい。濡れ剤には、この他に、水との混和性が高いアルコール及びケトン類等の有機溶剤等を含んでいてもよい。
半導体用濡れ剤中の水溶性高分子の割合は、水溶液として扱いやすい粘度であれば特に限定されないが、1〜50質量%の範囲が好ましく、3〜40質量%の範囲がより好ましく、5〜30質量%の範囲がさらに好ましい。
ウェーハ表面の平滑性に関しては、半導体用濡れ剤中の水溶性高分子がウェーハ表面に吸着することで、CMPのメカニカル研磨においてウェーハ表面と砥粒との間の摩擦が緩和される。このため、メカニカル研磨によりウェーハ表面に形成される微小な凹凸が低減され、平滑性が向上すると考えられる。
一方、ケミカル研磨では、研磨の際にCOP内に研磨用組成物が入り込み、塩基性化合物がCOP内部を腐食又はエッチングする。このように、COP内部では、その内部壁に対して垂直方向に研磨されるため、ケミカル研磨の進行に伴いウェーハ表面のCOPは大きくなると考えられる。
本発明では、ウェーハ表面に吸着した水溶性高分子は、メカニカル研磨以上にケミカル研磨を抑制する働きを有するものと想定している。ウェーハに対する水溶性高分子の吸着性が高いほどこの傾向は強くなり、結果として平滑性が高くCOPの少ないウェーハ表面を得ることができると推察される。
本発明の研磨用組成物は、上記半導体用濡れ剤、水、砥粒及びアルカリ化合物を含んでなるものである。研磨用組成物中の半導体用濡れ剤の割合は、特に限定されるものではないが、研磨用組成物がCMPにおける扱い上、又ウェーハ表面に吸着するにあたり適度な粘度とすることが好ましい。研磨用組成物の具体的な粘度は、0.1〜10mPa・sの範囲であることが好ましく、0.3〜8mPa・sの範囲であることがより好ましく、0.5〜5mPa・sの範囲であることがさらに好ましい。
また、上記水溶性高分子は、研磨剤用組成物全体の0.001〜10質量%の範囲となるよう用いることが好ましく、0.005〜5質量%の範囲であることがより好ましい。
本発明の研磨用組成物は、前記アルカリ化合物を添加することにより、そのpHが8〜13となるように調整されるのが好ましい。pHの範囲は8.5〜12に調整するのがより好ましい。
製造例で得られた水溶性高分子の分析方法並びに、実施例及び比較例における半導体用濡れ剤又は研磨用組成物の評価方法について以下に記載する。
JIS K6726に従って測定した。
各製造例で得られた鹸化前の共重合体について、GPC(ゲルパーミエーションクロマトグラフィー HLC−8220、東ソー製)を用いて、ポリスチレン換算により測定した。
ガラスカッターで3×6cmに切出したウェーハの重量を測定後、3%フッ酸水溶液に20秒浸漬してウェーハ表面の酸化膜を除去し、その後純水で10秒洗浄した。この工程をウェーハの表面が完全撥水になるまで繰り返した。次いで、アンモニア:水の重量比が1:19であるアンモニア水に、水溶性高分子の濃度が0.18wt%となるように半導体用濡れ剤を加えて、エッチング薬液を調整した。ウェーハをエッチング薬液に完全に浸漬させ、25℃、12時間静置してエッチングした。エッチング前後のウェーハ重量変化から、次式に従いエッチングレート(E.R.)を算出した。
耐エッチング性と同様の方法にてウェーハ表面の酸化膜を除去後、0.18wt%の水溶性高分子溶液中に5分間浸漬した。浸漬後、ピンセットを用いて、ウェーハの表面が液面に対して垂直になるように引き上げ、10秒経過時点におけるウェーハ端部からの撥水距離を目視で確認し、以下の基準により判定した。
○:撥水距離 5mm未満
△:撥水距離 5〜10mm
×:撥水距離 10mm超
耐エッチング性と同様の方法でエッチングを行った後の、ウェーハ表面を目視で確認し、以下の基準により判定した。
○:表面に荒れが認められない
△:表面がやや荒れている
×:表面が著しく荒れている
50ccのスクリュー瓶に水酸化ナトリウムを水に溶かして調整したpH10のアルカリ水溶液40gに水溶性高分子5.0gを加え、蓋をして良く混合した。アルミブロックヒーター内で50℃、1ヶ月静置後の加水分解率をGC、(ガスクロマトグラフィー GC−2014、島津製作所製)で評価し、以下の基準より判定した。
○:水溶性高分子の加水分解率が5%未満
×:水溶性高分子の加水分解率が5%以上
9ccスクリュー瓶にコロイダルシリカ(1次粒子径:30〜50nm)5.0gに樹脂固形分20%の水溶性高分子水溶液を0.5g加えて、良く混合した。一晩静置後のシリカの粒子径(A)を動的光散乱法(ELSZ−1000、大塚電子製)により測定し、水溶性高分子を加えていないコロイダルシリカの粒子径(B)からの変化率を下式に従って算出し、以下の基準より判定した。
変化率(%)={(A−B)/B}×100
○:変化率が10%未満
△:変化率が10%以上〜30%未満
×:変化率が30%以上
≪ポリ酢酸ビニルの合成≫
攪拌翼、還流冷却管、温度計、各種導入管を備えた5Lの4つ口フラスコを用意し、重合溶剤としてメタノール1500部を仕込み、窒素導入管から10ml/minの流量にて窒素を吹き込みつつ、40minかけて60℃に昇温した。
昇温を確認後、2,2−アゾビス−2,4−ジメチルバレロニトリル(和光純薬工業製、商品名「V−65」)1.0部をメタノール50部に溶解した開始剤溶液を一括で加え、重合を開始した。
重合の開始と共に、モノマーとして酢酸ビニル(日本酢ビ・ポバール社製、以下「VAc」という)1,000部、連鎖移動剤として1−ドデカンチオール(和光純薬工業社製、以下「DM」という)6.0部をメタノール250部に溶解した連鎖移動剤溶液、V−65の4.0部をメタノール200部に溶解した開始剤溶液をそれぞれ導入管から6時間かけて滴下した。6時間重合させた後、フラスコを室温まで冷却し、4−メトキシフェノールを1.5部加えて重合を停止し、重合体1Aを得た。この重合体1Aの数平均分子量(Mn)は15,000であり、重合収率は86%であった。GC並びにNMRによる分析から、使用下連鎖移動剤は全て重合体1Aの末端に導入されていることが確認された。
重合体1Aに含まれる残モノマーは、真空ポンプをフラスコに繋いで、減圧下、50℃で加熱することでメタノールと共に除去した。
≪水溶性高分子の合成(重合体の鹸化)≫
フラスコから重合体1Aを抜出さずに、引き続き鹸化反応を行った。窒素導入管から10ml/minの流量にて窒素を吹き込みつつ、30minかけて混合液を60℃に昇温した。昇温を確認後、水酸化ナトリウム19.8部をメタノール350部に溶かしたアルカリ溶液を一括で加えて鹸化反応を開始した。4時間後、温度を下げて反応を停止した。溶剤をロータリーエバポレーターにてカット後、60℃で一晩真空乾燥して、黄褐色固体の水溶性高分子1Bを得た。水溶性高分子1Bの鹸化度は98.0mol%であった。
製造例1において、使用した連鎖移動剤の量を2.0部に変更した以外は同様にして、重合体2Aを得た。重合体2AのMnは42,000であり、重合収率は80%であった。GC並びにNMRによる分析から、使用した連鎖移動剤は全て重合体2Aの末端に導入されていることが確認された。
重合体2Aを製造例1と同様に鹸化して、水溶性高分子2Bを得た。水溶性高分子2Bの鹸化度は98.0mol%であった
製造例1において、使用した連鎖移動剤の量を25.0部に変更した以外は同様にして、重合体3Aを得た。重合体3AのMnは5,000であり、重合収率は85%であった。GC並びにNMRによる分析から、使用した連鎖移動剤は全て重合体3Aの末端に導入されていることが確認された。
重合体3Aを製造例1と同様に鹸化して、水溶性高分子3Bを得た。水溶性高分子3Bの鹸化度は98.0mol%であった
製造例1において、使用した連鎖移動剤の量を50.0部に変更した以外は同様にして、重合体4Aを得た。重合体4AのMnは2,300であり、重合収率は81%であった。GC並びにNMRによる分析から、使用した連鎖移動剤は全て重合体4Aの末端に導入されていることが確認された。
重合体4Aを製造例1と同様に鹸化して、水溶性高分子4Bを得た。水溶性高分子4Bの鹸化度は98.3mol%であった。
製造例1において、使用した連鎖移動剤を1−オクタンチオール(花王社製、商品名「チオカルコール08」)30.0部に変更した以外は同様にして、重合体5Aを得た。重合体5AのMnは3,000であり、重合収率は77%であった。GC並びにNMRによる分析から、使用下連鎖移動剤は全て重合体5Aの末端に導入されていることが確認された。
重合体5Aを製造例1と同様に鹸化して、水溶性高分子5Bを得た。水溶性高分子5Bの鹸化度は98.7mol%であった。
製造例1において、使用した連鎖移動剤を1−ブタンチオール(和光純薬工業社製)30.0部に変更した以外は同様にして、重合体6Aを得た。重合体6AのMnは1,900であり、重合収率は75%であった。GC並びにNMRによる分析から、使用した連鎖移動剤は全て重合体6Aの末端に導入されていることが確認された。
重合体6Aを製造例1と同様に鹸化して、水溶性高分子6Bを得た。水溶性高分子6Bの鹸化度は98.8mol%であった。
製造例1において、使用した連鎖移動剤を1−オクタデカンチオール(和光純薬工業社製)30.0部に変更した以外は同様にして、重合体7Aを得た。重合体7AのMnは6,000であり、重合収率は86%であった。GC並びにNMRによる分析から、使用した連鎖移動剤は全て重合体7Aの末端に導入されていることが確認された。
重合体7Aを製造例1と同様に鹸化して、水溶性高分子7Bを得た。水溶性高分子7Bの鹸化度は98.3mol%であった。
攪拌翼、還流冷却管、温度計、各種導入管を備えた3Lの4つ口フラスコを用意し、初期モノマーとしてVAc350部及びn−プロピルビニルエーテル(日本カーバイド社製、以下「NPVE」という)150部、重合溶剤としてメタノール250部を仕込み、攪拌混合した。さらに窒素導入管から10ml/minの流量にて窒素を吹き込みつつ、40minかけて混合液を60℃に昇温した。
昇温を確認後、V−65の2.0部をメタノール50部に溶解した開始剤溶液を一括で加え、重合を開始した。
重合の開始と共に、滴下モノマーとしてVAc500部をモノマー導入管から6時間かけて滴下しながら重合した。一方で、DM40.0部をメタノール150部に溶解した連鎖移動剤溶液、及びV−65の8.0部をメタノール120部に溶解した開始剤溶液も、重合開始共にそれぞれの導入管から6時間かけて滴下した。6時間重合させた後、フラスコを室温まで冷却し、4−メトキシフェノールを0.3部加えて重合を停止し、重合体8Aを得た。この重合体8AのMnは2,500であり、重合収率は83%であった。重合体8Aに含まれる残モノマーは、真空ポンプをフラスコに繋いで、減圧下、50℃で加熱することでメタノールと共に除去した。
重合体8Aを製造例1と同様に鹸化して、水溶性高分子8Bを得た。水溶性高分子8Bの鹸化度は98.0mol%であった。水溶性高分子8Bについて1H−NMRで組成を測定したところ、ポリビニルアルコール/NPVE=85/15mol%の共重合体であり、鹸化度は98.0mol%であった。
攪拌翼、還流冷却管、温度計、各種導入管を備えた1Lの4つ口フラスコを用意し、製造例3で得られた重合体3Bを100部、純水400部を仕込み、攪拌翼を150rpmで撹拌させながら90℃に昇温して完全に溶解させた。次いで、内温を60℃まで冷却した後、攪拌を継続しながら98%硫酸11.0部を加えた。さらに、n−ブチルアルデヒド(和光純薬工業社製)6.6部を純水150部で希釈した水溶液を30分間で滴下した。60℃で4時間反応させた後、25%アンモニア水7.7部を加えて反応を終了させた。GCによる分析から、n−ブチルアルデヒドは全量反応していることが確認された。その後、80℃で一晩真空乾燥することにより、黄褐色固体の水溶性高分子9Bを得た。
製造例1において、使用した連鎖移動剤の量を0.1部に変更した以外は同様にして、重合体10Aを得た。重合体10AのMnは60,000であり、重合収率は85%であった。GC並びにNMRによる分析から、使用した連鎖移動剤は全て重合体10Aの末端に導入されていることが確認された。
重合体10Aを製造例1と同様に鹸化して、水溶性高分子10Bを得た。水溶性高分子10Bの鹸化度は98.0mol%であった。
製造例1において、使用した連鎖移動剤の量を120部に変更した以外は同様にして、重合体11Aを得た。重合体11AのMnは800であり、重合収率は80%であった。GC並びにNMRによる分析から、使用した連鎖移動剤は全て重合体11Aの末端に導入されていることが確認された。
重合体11Aを製造例1と同様に鹸化して、水溶性高分子11Bを得た。水溶性高分子11Bの鹸化度は98.2mol%であった。
製造例7において、初期モノマーをVAc180部及びNPVE400部とし、滴下モノマーをVAc420部に変更した以外は同様にして、重合体12Aを得た。仕込み量に基づく計算では、全単量体に占めるVAcの割合は、60mol%となる。重合体12AのMnは2,200であり、重合収率は72%であった。
重合体12Aを製造例1と同様に鹸化して、高分子12Bを得た。高分子12Bの組成はポリビニルアルコール/NPVE=65/35mol%の共重合体であり、鹸化度は96.5mol%であった。
水溶性高分子1Bの濃度が15質量%となるように水を加え、半導体用濡れ剤を調整した。得られた半導体用濡れ剤について、耐エッチング性、濡れ性、ウェーハ外観及び耐アルカリ性の評価を行った。得られた結果について表1に示した。
また、アンモニア水を加えてpHを10.0に調整したコロイダルシリカ分散液(1次粒子系30〜50nm、シリカ固形分10%)10.0g、上記半導体用濡れ剤を0.1g添加して、研磨剤用組成物を得た。得られた研磨剤用組成物についてシリカ分散性を評価し、表1に結果を示した。
表1に示された水溶性高分子を用いた以外は実施例1と同様に半導体用濡れ剤及び研磨剤組成物を調製した。ただし、比較例3では、鹸化後の高分子が水に溶解しないため、濡れ剤及び研磨剤組成物としての評価ができなかった。各試料の評価結果について表1に示した。
PVA505:低鹸化ポリビニルアルコール(クラレ社製、商品名「クラレポバール
PVA505」、鹸化度73.5mol%、重合度500)
HEC:ヒドロキシエチルセルロース(和光純薬工業社製、重量平均分子量90,000)
PVP K30:ポリビニルピロリドン(東京化成工業社製)
一方、水溶性高分子の分子量が本願で規定する上限値よりも高い比較例1は、耐エッチング性に劣るものであった。逆に水溶性高分子の分子量が本願の下限値に満たない比較例2は、ウェーハへの濡れ性が不十分な結果であった。また、鹸化度の低いポリビニルアルコールを用いた比較例4は、酢酸ビニル由来のユニットの加水分解が生じるため、耐アルカリ性が不足するものであった。比較例5及び6は、従来の研磨用組成物に用いられる水溶性高分子であるセルロース誘導体等を用いた例であるが、ウェーハ表面への吸着性及びシリカ分散性の点で、満足するものではなかった。
Claims (7)
- 水溶性高分子を含む半導体用濡れ剤であって、
前記水溶性高分子は、ビニルアルコール構造単位を63〜100mol%含み、末端に炭素数2〜20のアルキル基を有し、数平均分子量が1,000〜50,000である、半導体用濡れ剤。 - 前記水溶性高分子は、末端に炭素数4〜20のアルキル基を有するものであることを特徴とする請求項1に記載の半導体用濡れ剤。
- 請求項1又は2に記載の半導体用濡れ剤、水、砥粒及びアルカリ化合物を含んでなることを特徴とする研磨用組成物。
- 前記砥粒がコロイダルシリカである請求項3に記載の研磨用組成物。
- 請求項3又は4のいずれかの研磨用組成物からなるシリコンウェーハの仕上げ研磨用組成物。
- 半導体用濡れ剤の製造方法であって、
前記半導体用濡れ剤は数平均分子量が1,000〜50,000である水溶性高分子を含み、
炭素数2〜20のアルキル基を有する連鎖移動剤の存在下、ビニルエステル化合物を70〜100mol%含む単量体混合物を重合する工程、
次いで、ビニルエステル単位に対する鹸化度が90〜100mol%となるように鹸化することにより前記水溶性高分子を得る工程を含む、方法。 - 前記連鎖移動剤の使用量が、前記単量体混合物100質量部に対し、0.1〜10質量部であることを特徴とする請求項6に記載の半導体用濡れ剤の製造方法。
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