CN101130668B - 抛光用组合物和抛光方法 - Google Patents

抛光用组合物和抛光方法 Download PDF

Info

Publication number
CN101130668B
CN101130668B CN2007101468555A CN200710146855A CN101130668B CN 101130668 B CN101130668 B CN 101130668B CN 2007101468555 A CN2007101468555 A CN 2007101468555A CN 200710146855 A CN200710146855 A CN 200710146855A CN 101130668 B CN101130668 B CN 101130668B
Authority
CN
China
Prior art keywords
polishing
composition
water soluble
wafer
soluble polymer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN2007101468555A
Other languages
English (en)
Other versions
CN101130668A (zh
Inventor
上村泰英
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujimi Inc
Original Assignee
Fujimi Inc
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujimi Inc filed Critical Fujimi Inc
Publication of CN101130668A publication Critical patent/CN101130668A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN101130668B publication Critical patent/CN101130668B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02002—Preparing wafers
    • H01L21/02005—Preparing bulk and homogeneous wafers
    • H01L21/02008—Multistep processes
    • H01L21/0201—Specific process step
    • H01L21/02024—Mirror polishing
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B1/00—Processes of grinding or polishing; Use of auxiliary equipment in connection with such processes
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B24—GRINDING; POLISHING
    • B24B—MACHINES, DEVICES, OR PROCESSES FOR GRINDING OR POLISHING; DRESSING OR CONDITIONING OF ABRADING SURFACES; FEEDING OF GRINDING, POLISHING, OR LAPPING AGENTS
    • B24B37/00—Lapping machines or devices; Accessories
    • B24B37/04—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces
    • B24B37/042—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor
    • B24B37/044—Lapping machines or devices; Accessories designed for working plane surfaces operating processes therefor characterised by the composition of the lapping agent
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09G—POLISHING COMPOSITIONS; SKI WAXES
    • C09G1/00—Polishing compositions
    • C09G1/02—Polishing compositions containing abrasives or grinding agents
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C09—DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09K—MATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K3/00—Materials not provided for elsewhere
    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3205—Deposition of non-insulating-, e.g. conductive- or resistive-, layers on insulating layers; After-treatment of these layers
    • H01L21/321—After treatment
    • H01L21/32115—Planarisation
    • H01L21/3212—Planarisation by chemical mechanical polishing [CMP]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
  • Finish Polishing, Edge Sharpening, And Grinding By Specific Grinding Devices (AREA)

Abstract

本发明提供使用抛光用组合物进行抛光后，抛光对象表面的起因于抛光加工的LPD(光点缺陷)的数量可以降低的抛光用组合物，以及使用该抛光用组合物的抛光方法。本发明的抛光用组合物含有选自聚乙烯基吡咯烷酮和聚N-乙烯基甲酰胺的至少一种水溶性高分子和碱。

Description

抛光用组合物和抛光方法
技术领域
本发明涉及主要在抛光半导体晶片用途中使用的抛光用组合物以及使用该抛光用组合物的抛光方法。
背景技术
以往，硅晶片等半导体晶片的抛光分为预抛光和精抛光至少两阶段进行。其中，为了进一步提高品质和效率，预抛光又进一步分为两个阶段或以上进行。已知可在精抛光中使用的抛光用组合物例如有专利文献1中记载的抛光用组合物。专利文献1的抛光用组合物含有水、胶体二氧化硅、聚丙烯酰胺或裂裥菌素等水溶性高分子以及氯化钾等水溶性盐类。
近年来，随着半导体器件的设计规则的细线宽化，对于使用抛光用组合物进行抛光后在晶片表面观察到的缺陷的一种—LPD(光点缺陷)，由于其对半导体器件性能有影响，要求降低到目前尚未出现问题的小尺寸。具体来说，目前有问题的LPD是0.12μm或以上的大小，这主要原因是颗粒附着于晶片表面，通过洗涤技术的提高可以使其大幅降低。但是，尺寸更小的LPD(＞0.065μm)主要在预抛光时晶片表面产生的划伤，即，起因于抛光加工，这即使通过精抛光或洗涤也可能无法除去。关于该问题，即使使用专利文献1的抛光用组合物进行精抛光，起因于抛光加工的LPD数也不会比以往降低。
[专利文献1]日本特开平02-158684号公报
发明内容
本发明的目的在于提供使用抛光用组合物进行抛光后，抛光对象表面的起因于抛光加工的LPD数量可以降低的抛光用组合物，以及使用该抛光用组合物的抛光方法。
为实现上述目的，方面1的发明提供抛光用组合物，该抛光用组合物含有选自聚乙烯基吡咯烷酮和聚N-乙烯基甲酰胺的至少一种水溶性高分子和碱。
方面2的发明提供方面1的抛光用组合物，其中，上述水溶性高分子的重均分子量为6,000-4,000,000。
方面3的发明提供方面1或2的抛光用组合物，该抛光用组合物进一步含有螯合剂。
方面4的发明提供抛光方法，其特征在于：使用方面1-3中任一项的抛光用组合物对半导体晶片表面进行抛光。
本发明提供使用抛光用组合物进行抛光后，抛光对象表面的起因于抛光加工的LPD数量可以降低的抛光用组合物，以及使用该抛光用组合物的抛光方法。
具体实施方式
以下对本发明的一个实施方案进行说明。
本实施方案的抛光用组合物通过将规定量的水溶性高分子和碱和磨粒与水混合制备。因此，本实施方案的抛光用组合物实质上包含水溶性高分子、碱、磨粒和水。该抛光用组合物在对硅晶片等半导体晶片进行抛光的用途中使用，特别是在晶片的预抛光、预抛光分成两个阶段或以上进行时，在最终阶段的预抛光中使用。
本实施方案的抛光用组合物中含有的水溶性高分子是选自聚乙烯基吡咯烷酮和聚N-乙烯基甲酰胺的至少一种。这些水溶性高分子具有在晶片表面形成亲水膜的作用。可能是该亲水膜起到将以磨粒为代表的粗大颗粒对晶片施加的、相对于晶片表面为垂直方向的力分散成水平方向的作用，结果，抛光时晶片表面的缺陷的发生得到抑制，起因于抛光加工的LPD数量降低。
抛光用组合物中含有的水溶性高分子为聚乙烯基吡咯烷酮时，与为聚N-乙烯基甲酰胺相比，可以降低起因于抛光加工的LPD的数量。因此，抛光用组合物中含有的水溶性高分子优选聚乙烯基吡咯烷酮。
抛光用组合物中的水溶性高分子的含量优选为0.0003g/l或以上，更优选0.001g/l或以上，进一步优选0.003g/l或以上，最优选0.005g/l或以上。随着水溶性高分子含量的增多，容易在晶片表面形成足以抑制缺陷发生的亲水膜，起因于抛光加工的LPD的数量更大幅降低。从该点来看，如果抛光用组合物中的水溶性高分子的含量为0.0003g/l或以上，进一步说为0.001g/l或以上，更近一步说为0.003g/l或以上，最近一步说为0.005g/l或以上，则可以大幅降低起因于抛光加工的LPD的数量。
抛光用组合物中的水溶性高分子的含量还优选为0.1g/l或以下，更优选0.02g/l或以下，进一步优选0.015g/l或以下，最优选0.01g/l或以下。水溶性高分子的亲水膜导致抛光用组合物对晶片的抛光速度(除去速度)降低。因此，随着抛光用组合物中水溶性高分子含量的减少，亲水膜导致的抛光速度的降低受到更强的抑制。从该点考虑，如果抛光用组合物中水溶性高分子的含量为0.1g/l或以下，进一步说为0.02g/l或以下，更进一步说为0.015g/l或以下，最进一步说为0.01g/l或以下，则可强烈抑制亲水膜导致的抛光速度的降低。
抛光用组合物中含有的水溶性高分子的重均分子量优选为6,000或以上。随着水溶性高分子的重均分子量的增大，在晶片表面容易形成足以抑制缺陷发生的亲水膜，因此，起因于抛光加工的LPD的数量更大幅降低。从该点考虑，如果抛光用组合物中的水溶性高分子的重均分子量为6,000或以上，则可以大幅降低起因于抛光加工的LPD的数量。
抛光用组合物中含有的水溶性高分子的重均分子量还优选为4,000,000或以下，更优选3,000,000或以下。随着水溶性高分子重均分子量的减小，亲水膜导致的晶片抛光速度的降低受到更强的抑制。从该点考虑，如果抛光用组合物中的水溶性高分子的重均分子量在4,000,000或以下，进一步说在3,000,000或以下，则可以强烈抑制亲水膜导致的抛光速度的降低。
本实施方案的抛光用组合物中含有的碱例如可以是碱金属氢氧化物、氨、胺、季铵盐的任意一种。这些碱具有化学抛光晶片的作用，起到提高抛光用组合物对晶片的抛光速度的作用。
抛光用组合物中含有的碱为碱金属氢氧化物或季铵盐时，与使用其它碱相比，抛光用组合物对晶片的抛光速度大幅提高，同时，抛光后晶片表面粗糙度的增大受到抑制。因此，抛光用组合物中含有的碱优选为碱金属氢氧化物或季铵盐。
抛光用组合物中的碱的含量优选为0.1g/l或以上，更优选0.25g/l或以上，进一步优选0.5g/l或以上。随着碱含量的增多，抛光用组合物对晶片的抛光速度更大幅提高。从该点考虑，如果抛光用组合物中的碱含量为0.1g/l或以上，进一步说为0.25g/l或以上，更进一步说为0.5g/l或以上，则可以大幅提高抛光用组合物对晶片的抛光速度。
抛光用组合物中的碱的含量还优选为5g/l或以下，更优选4g/l或以下，进一步优选3g/l或以下。碱可能导致抛光后晶片表面粗糙度增大。因此，随着抛光用组合物中碱含量的减少，抛光后晶片表面粗糙度的增大受到更强的抑制。从该点考虑，如果抛光用组合物中的碱含量为5g/l或以下，进一步说为4g/l或以下，更进一步说为3g/l或以下，则可以强烈抑制抛光后晶片表面粗糙度的增大。
本实施方案的抛光用组合物中含有的磨粒例如可以是胶体二氧化硅和热解法二氧化硅的任意一种。这些磨粒具有机械抛光晶片的作用，起到使抛光用组合物对晶片的抛光速度提高的作用。
抛光用组合物中含有的磨粒为胶体二氧化硅时，与使用除此之外的磨粒相比，抛光用组合物的稳定性提高，结果，抛光后晶片表面的划痕减少。因此，抛光用组合物中含有的磨粒优选为胶体二氧化硅。
抛光用组合物中的磨粒的含量优选为1g/l或以上，更优选3g/l或以上，进一步优选5g/l或以上。随着磨粒含量的增多，抛光用组合物对晶片的抛光速度大幅提高。从该点考虑，如果抛光用组合物中的磨粒含量为1g/l或以上，进一步说为3g/l或以上，更进一步说为5g/l或以上，则可以大幅提高抛光速度。
抛光用组合物中的磨粒的含量还优选为45g/l或以下，更优选35g/l或以下，进一步优选25g/l或以下。随着磨粒含量的减少，抛光用组合物的胶体稳定性更大幅提高。从该点考虑，如果抛光用组合物中的磨粒含量为45g/l或以下，进一步说为35g/l或以下，更进一步说为25g/l或以下，则可以大幅提高抛光用组合物的胶体稳定性。
抛光用组合物中含有的磨粒的平均一次粒径优选为5nm或以上，更优选为10nm或以上，进一步优选15nm或以上。随着磨粒的平均一次粒径的增大，机械抛光晶片的磨粒的作用更增强，因此，抛光用组合物对晶片的抛光速度更大幅提高。从该点考虑，如果磨粒的平均一次粒径为5nm或以上，进一步说为10nm或以上，更进一步说为15nm或以上，则可以大幅提高抛光用组合物对晶片的抛光速度。
抛光用组合物中含有的磨粒的平均一次粒径还优选为200nm或以下，更优选150nm或以下，进一步优选100nm或以下。平均一次粒径大的磨粒可能导致抛光后晶片表面划痕的增加。因此，随着磨粒的平均一次粒径的减小，抛光后晶片表面的划痕的增加受到更强的抑制。从该点考虑，如果磨粒的平均一次粒径为200nm或以下，进一步说为150nm或以下，更进一步说为100nm或以下，则可以更强地抑制抛光后晶片表面划痕的增加。
本实施方案可得到以下优点。
·本实施方案的抛光用组合物含有选自聚乙烯基吡咯烷酮和聚N-乙烯基甲酰胺的至少一种水溶性高分子，由该水溶性高分子在晶片表面形成的亲水膜起到降低起因于抛光加工的LPD的数量的作用。因此，本实施方案的抛光用组合物可以降低使用抛光用组合物进行抛光后晶片表面上起因于抛光加工的LPD的数量。
上述实施方案可如下变更。
·上述实施方案的抛光用组合物可以进一步含有螯合剂。螯合剂通过与抛光用组合物中的金属杂质形成络合离子，将其捕获，起到抑制金属杂质对抛光对象的污染的作用。螯合剂可以是氨基羧酸系螯合剂或膦酸系螯合剂，优选含有乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、乙二胺四甲基磷酸或二亚乙基三胺五甲基磷酸。乙二胺四乙酸、二亚乙基三胺五乙酸、三亚乙基四胺六乙酸、乙二胺四甲基磷酸和二亚乙基三胺五甲基磷酸捕获金属杂质的能力特别高。
·根据需要，上述实施方案的抛光用组合物中可以添加防腐剂或消泡剂等公知的添加剂。
·上述实施方案的抛光用组合物可通过在使用前稀释浓缩原液来制备。
·上述实施方案的抛光用组合物也可以在对半导体晶片以外的抛光对象进行抛光的用途中使用。
下面对本发明的实施例和比较例进行说明。
将水溶性高分子、碱、磨粒和螯合剂与水适当混合，制备实施例1-53和比较例1-26的抛光用组合物。各抛光用组合物中的水溶性高分子、碱、磨粒和螯合剂的详细内容如表1所示。
表1和表2的“水溶性高分子”栏中，PVP*1表示重均分子量为10,000的聚乙烯基吡咯烷酮，PVP*2表示重均分子量为3,500,000的聚乙烯基吡咯烷酮，PVP*3表示重均分子量为1,600,000的聚乙烯基吡咯烷酮，PVP*4表示重均分子量为67,000的聚乙烯基吡咯烷酮，PNVF表示重均分子量为100,000的聚N-乙烯基甲酰胺，PVA表示重均分子量为62,000、皂化度为95％的聚乙烯醇，PVME表示重均分子量为10,000的聚乙烯基甲基醚，PEG表示重均分子量为26,000的聚乙二醇，PEO表示重均分子量为200,000的聚环氧乙烷，PPP表示重均分子量为9,000的聚氧乙烯聚氧丙烯嵌段共聚物，PEI表示重均分子量为10,000的聚乙烯亚胺，PAA表示重均分子量为25,000的聚丙烯酸，PAA-NH4表示重均分子量为20,000的聚丙烯酸铵，PAA-Na表示重均分子量为20,000的聚丙烯酸钠，PAAM表示重均分子量为1,000,000的聚丙烯酰胺，PSS-Na表示重均分子量为100,000的聚苯乙烯磺酸钠，HEC表示重均分子量为1,000,000的羟乙基纤维素，CMC-Na*1表示重均分子量为10,000的羧甲基纤维素钠，CMC-Na*2表示重均分子量为330,000的羧甲基纤维素钠，CMC-Na*3表示重均分子量为90,000的羧甲基纤维素钠，CMC-Na*4表示重均分子量为20,000的羧甲基纤维素钠。
表1和表2的“碱”栏中，TMAH表示氢氧化四甲基铵，KOH表示氢氧化钾，NaOH表示氢氧化钠，NH3表示氨，PIZ表示无水哌嗪，IMZ表示咪唑。
表1和表2的“磨粒”栏中，CS*1表示平均一次粒径为35nm的胶体二氧化硅，CS*2表示平均一次粒径为200nm的胶体二氧化硅，CS*3表示平均一次粒径为150nm的胶体二氧化硅，CS*4表示平均一次粒径为100nm的胶体二氧化硅，CS*5表示平均一次粒径为55nm的胶体二氧化硅，CS*6表示平均一次粒径为15nm的胶体二氧化硅，CS*7表示平均一次粒径为10nm的胶体二氧化硅，CS*8表示平均一次粒径为5nm的胶体二氧化硅。
表1和表2的“螯合剂”栏中，TTHA表示三亚乙基四胺六乙酸，DTPA表示二亚乙基三胺五乙酸，EDTPO表示乙二胺四亚甲基膦酸。
表1和表2的“抛光速度”栏表示使用实施例1-53和比较例1-26的抛光用组合物，在表3所示条件下对直径200mm、厚730μm的硅晶片(p-型、结晶方位<100>、没有COP(晶体原生粒子))进行抛光时得到抛光速度的测定结果。抛光速度通过将抛光前后各晶片的厚度差除以抛光时间求得。晶片的厚度的检测使用黑田精工株式会社制造的平坦度检查装置“NANOMETRO 300TT”。
表1和表2的“缺陷”栏表示对使用实施例1-53和比较例1-26的抛光用组合物进行抛光后，在硅晶片表面测定的起因于抛光加工的LPD数的评价的结果。具体来说，使用实施例1-53和比较例1-26的抛光用组合物，在表3所示条件下对直径200mm、厚度730μm的硅晶片(p-型、结晶方位<100>、没有COP)进行预抛光，然后使用用纯水稀释20倍的株式会社フジミインコ一ポレ一テツド制造的“GLANZOX-3900”，在表4所示条件下进一步精抛光。对精抛光后的晶片进行SC-1洗涤(标准洗涤1)和IPA(异丙醇)蒸气干燥，然后使用ケ一エルエ一·テンコ一ル公司制造的“SURFSCAN SP1-TBI”，首先进行第一次LPD的测定。然后对该晶片再次进行SC-1洗涤和IPA蒸气干燥后，使用“SURFSCAN SP1-TBI”进行第二次LPD的测定。将在第一次和第二次测定中位置不发生变化的LPD定义为起因于抛光加工的LPD，测定单位晶片表面起因于抛光加工的LPD的数量。“缺陷”栏中，◎(优)表示单位晶片表面起因于抛光加工的LPD的数量低于10个，○(良)表示10个或以上且低于20个，△(可)表示20个或以上且低于30个，×(不良)表示30个或以上。
表1和表2的“润湿”栏表示为了对由于水溶性高分子的作用而在晶片表面上形成的亲水膜进行评价，对使用实施例1-53和比较例1-26的抛光用组合物，按照表3所示条件进行抛光后硅晶片表面的润湿情况进行评价的结果。具体来说，将抛光后的晶片轻轻的水洗，然后目视确认表面的润湿状态进行评价。“润湿”栏中，0表示晶片表面完全未润湿，3表示晶片表面的30％被润湿，6表示晶片表面的60％被润湿，7表示晶片表面的70％被润湿，8表示晶片表面的80％被润湿，9表示晶片表面的90％被润湿，10表示晶片表面的100％被润湿。
比较例11的抛光用组合物凝胶化剧烈，无法用于晶片的抛光。
[表1]
Figure G071E6855520070831D000081
  实施例29   PVP*1   0.010   TMAH   2.0   CS*3   18.7   TTHA   0.30   0.299   ◎   10
  实施例30   PV*1   0.010   TMAH   2.0   CS*4   18.7   TTHA   0.30   0.292   ◎   10
  实施例31   PVP*1   0.010   TMAH   2.0   CS*5   18.7   TTHA   0.30   0.290   ◎   10
  实施例32   PVP*1   0.010   TMAH   2.0   CS*6   18.7   TTHA   0.30   0.284   ◎   10
  实施例33   PVP*1   0.010   TMAH   2.0   CS*7   18.7   TTHA   0.30   0.276   ◎   10
  实施例34   PVP*1   0.010   TMAH   2.0   CS*8   18.7   TTHA   0.30   0.249   ◎   10
  实施例35   PVP*1   0.010   KOH   3.0   CS*5   18.7   TTHA   0.30   0.258   ◎   10
  实施例36   PVP*1   0.010   KOH   1.5   CS*5   18.7   TTHA   0.30   0.243   ◎   10
  实施例37   PVP*1   0.010   KOH   0.5   CS*5   18.7   TTHA   0.30   0.210   ◎   10
  实施例38   PVP*1   0.010   PIZ   3.0   CS*5   18.7   TTHA   0.30   0.434   ◎   10
  实施例39   PVP*1   0.010   KOH   1.5   FS   18.7   TTHA   0.30   0.254   ◎   10
  实施例40   PVP*1   0.010   TMAH   2.0   CS*1   18.7   -   -   0.289   ◎   10
[表2]
Figure G071E6855520070831D000101
  比较例16   PSS-Na   0.50   TMAH   2.0   CS*1   18.7   TTHA   0.30   0.490   ×   8
  比较例17   PSS-Na   0.10   TMAH   2.0   CS*1   18.7   TTHA   0.30   0.420   ×   8
  比较例18   HEC   0.010   TMAH   2.0   CS*1   18.7   TTHA   0.30   0.281   ×   10
  比较例19   CMC-Na*1   0.010   TMAH   2.0   CS*1   18.7   TTHA   0.30   0.285   ×   10
  比较例20   CMC-Na*2   0.10   KOH   1.5   CS*1   18.7   TTHA   0.30   0.330   ×   0
  比较例21   CMC-Na*3   0.50   KOH   1.5   CS*1   18.7   TTHA   0.30   0.290   ×   0
  比较例22   CMC-Ma*3   0.10   KOH   1.5   CS*1   18.7   TTHA   0.30   0.420   ×   0
  比较例23   CMC-Na*4   0.50   KOH   1.5   CS*1   18.7   TTHA   0.30   0.200   ×   9
  比较例24   CMC-Na*4   0.10   KOH   1.5   CS*1   18.7   TTHA   0.30   0.420   ×   7
  比较例25   CMC-Na*1   0.50   KOH   1.5   CS*1   18.7   TTHA   0.30   0.330   ×   10
  比较例26   CMC-Na*1   0.10   KOH   1.5   CS*1   18.7   TTHA   0.30   0.400   ×   7
[表3]
Figure G071E6855520070831D000121
[表4]
Figure G071E6855520070831D000122
如表1和表2所示，根据实施例1-53的抛光用组合物，缺陷的评价均为△(可)或以上，抛光速度也得到了可以满足实际应用的值。而比较例1-26的抛光用组合物，除去无法进行抛光的比较例11，关于缺陷的评价均为×(不良)。
可由上述实施方案掌握的技术思想如下记载。
·方面1-4中任一项的抛光用组合物，该抛光用组合物进一步含有选自胶体二氧化硅和热解法二氧化硅的至少一种磨粒。此时，可以提高抛光用组合物对抛光对象的抛光速度。

Claims (5)

1.抛光用组合物，其特征在于：该抛光用组合物含有0.003～0.015g/L的选自聚乙烯基吡咯烷酮和聚N-乙烯基甲酰胺的至少一种水溶性高分子，以及碱。
2.权利要求1的抛光用组合物，其中，上述水溶性高分子的含量为0.005～0.01g/L。
3.权利要求1或2的抛光用组合物，其中，上述水溶性高分子的重均分子量为6,000-4,000,000。
4.权利要求1或2的抛光用组合物，该抛光用组合物进一步含有螯合剂。
5.抛光方法，其特征在于：使用权利要求1-4中任一项的抛光用组合物，对半导体晶片的表面进行抛光。
CN2007101468555A 2006-08-24 2007-08-24 抛光用组合物和抛光方法 Active CN101130668B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2006-227614 2006-08-24
JP2006227614 2006-08-24
JP2006227614A JP5204960B2 (ja) 2006-08-24 2006-08-24 研磨用組成物及び研磨方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN101130668A CN101130668A (zh) 2008-02-27
CN101130668B true CN101130668B (zh) 2012-10-31

Family

ID=38599067

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2007101468555A Active CN101130668B (zh) 2006-08-24 2007-08-24 抛光用组合物和抛光方法

Country Status (7)

Country Link
US (4) US7867909B2 (zh)
JP (1) JP5204960B2 (zh)
KR (1) KR101250044B1 (zh)
CN (1) CN101130668B (zh)
DE (1) DE102007039910B4 (zh)
GB (1) GB2443286B (zh)
TW (1) TWI412580B (zh)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5204960B2 (ja) 2006-08-24 2013-06-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法
CN102245724A (zh) * 2008-12-19 2011-11-16 安集微电子（上海）有限公司 一种化学机械抛光液
US20100159807A1 (en) * 2008-12-22 2010-06-24 Jinru Bian Polymeric barrier removal polishing slurry
TWI385244B (zh) * 2009-05-20 2013-02-11 Epoch Material Co Ltd 用於移除鋸痕之化學機械研磨組合物
JP5310848B2 (ja) 2009-06-05 2013-10-09 株式会社Sumco シリコンウェーハの研磨方法及びシリコンウェーハ
JP2011171689A (ja) 2009-07-07 2011-09-01 Kao Corp シリコンウエハ用研磨液組成物
JP4772156B1 (ja) * 2010-07-05 2011-09-14 花王株式会社 シリコンウエハ用研磨液組成物
JP5721505B2 (ja) * 2011-04-01 2015-05-20 ニッタ・ハース株式会社 研磨用組成物
CN103890114B (zh) 2011-10-24 2015-08-26 福吉米株式会社 研磨用组合物、使用了其的研磨方法和基板的制造方法
JP6357296B2 (ja) 2012-02-10 2018-07-11 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、及び半導体基板の製造方法
JP5822356B2 (ja) 2012-04-17 2015-11-24 花王株式会社 シリコンウェーハ用研磨液組成物
JP5927059B2 (ja) * 2012-06-19 2016-05-25 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた基板の製造方法
CN102786879B (zh) * 2012-07-17 2014-04-23 清华大学 钛酸钡化学机械抛光水性组合物及其应用
JP2014080461A (ja) * 2012-10-12 2014-05-08 Fujimi Inc 研磨用組成物の製造方法及び研磨用組成物
CN103773244B (zh) * 2012-10-17 2017-08-11 安集微电子（上海）有限公司 一种碱性化学机械抛光液
EP2957613B1 (en) * 2013-02-13 2020-11-18 Fujimi Incorporated Polishing composition, method for producing polishing composition and method for producing polished article
JP6110681B2 (ja) * 2013-02-13 2017-04-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物、研磨用組成物製造方法および研磨物製造方法
JP5920840B2 (ja) * 2013-09-30 2016-05-18 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびその製造方法
TWI553049B (zh) * 2013-10-04 2016-10-11 勝高股份有限公司 硏磨劑組成物、矽晶圓用硏磨劑組成物及矽晶圓製品的製造方法
JP6292816B2 (ja) * 2013-10-18 2018-03-14 東亞合成株式会社 半導体用濡れ剤及び研磨用組成物
EP3258483A4 (en) * 2015-02-12 2018-02-28 Fujimi Incorporated Method for polishing silicon wafer and surface treatment composition
US10748778B2 (en) 2015-02-12 2020-08-18 Fujimi Incorporated Method for polishing silicon wafer and surface treatment composition
KR102515826B1 (ko) * 2015-02-19 2023-03-30 가부시키가이샤 후지미인코퍼레이티드 실리콘 웨이퍼 연마용 조성물 및 연마 방법
EP3296376B1 (en) * 2015-05-08 2023-07-05 Fujimi Incorporated Method of polishing
JP6829192B2 (ja) * 2015-05-08 2021-02-10 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨方法
JP6690606B2 (ja) * 2017-07-14 2020-04-28 信越半導体株式会社 研磨方法
WO2022154016A1 (ja) * 2021-01-18 2022-07-21 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO2022154015A1 (ja) * 2021-01-18 2022-07-21 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1699444A (zh) * 2004-02-23 2005-11-23 Cmp罗姆和哈斯电子材料控股公司 用于控制半导体晶片中金属互连去除速率的抛光组合物
CN1714432A (zh) * 2002-12-09 2005-12-28 第一毛织株式会社 用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3715842A (en) 1970-07-02 1973-02-13 Tizon Chem Corp Silica polishing compositions having a reduced tendency to scratch silicon and germanium surfaces
US4169337A (en) 1978-03-30 1979-10-02 Nalco Chemical Company Process for polishing semi-conductor materials
US4462188A (en) 1982-06-21 1984-07-31 Nalco Chemical Company Silica sol compositions for polishing silicon wafers
US4588421A (en) 1984-10-15 1986-05-13 Nalco Chemical Company Aqueous silica compositions for polishing silicon wafers
JPH0623393B2 (ja) * 1987-04-27 1994-03-30 日本モンサント株式会社 ウエハーのファイン研磨用の組成物
US5352277A (en) 1988-12-12 1994-10-04 E. I. Du Pont De Nemours & Company Final polishing composition
JP2714411B2 (ja) 1988-12-12 1998-02-16 イー・アイ・デュポン・ドゥ・ヌムール・アンド・カンパニー ウェハーのファイン研摩用組成物
US5230833A (en) 1989-06-09 1993-07-27 Nalco Chemical Company Low sodium, low metals silica polishing slurries
US5916819A (en) 1996-07-17 1999-06-29 Micron Technology, Inc. Planarization fluid composition chelating agents and planarization method using same
US6099604A (en) 1997-08-21 2000-08-08 Micron Technology, Inc. Slurry with chelating agent for chemical-mechanical polishing of a semiconductor wafer and methods related thereto
JP4115562B2 (ja) * 1997-10-14 2008-07-09 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
WO1999032570A1 (en) 1997-12-23 1999-07-01 Akzo Nobel N.V. A composition for chemical mechanical polishing
JP2002517593A (ja) * 1998-06-10 2002-06-18 ロデール ホールディングス インコーポレイテッド 金属ｃｍｐにおける研磨用組成物および研磨方法
JP3810588B2 (ja) 1998-06-22 2006-08-16 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US6447803B1 (en) * 1998-08-14 2002-09-10 National Starch And Chemical Investment Holding Corporation Thickener-rheology modifier system for personal care compositions
JP3979750B2 (ja) * 1998-11-06 2007-09-19 株式会社荏原製作所 基板の研磨装置
WO2000079577A1 (fr) * 1999-06-18 2000-12-28 Hitachi Chemical Co., Ltd. Compose abrasif pour polissage cmp, procede de polissage d'un substrat, procede de fabrication d'un dispositif a semiconducteur utilisant ledit compose, et additif pour compose abrasif cmp
WO2001017006A1 (fr) * 1999-08-26 2001-03-08 Hitachi Chemical Company, Ltd. Compose de polissage chimiomecanique et procede de polissage
US6454820B2 (en) 2000-02-03 2002-09-24 Kao Corporation Polishing composition
WO2002002721A2 (en) * 2000-06-30 2002-01-10 Heliogenesis, Inc. Toy bubblemaking solution
JP2002190460A (ja) * 2000-10-12 2002-07-05 Toshiba Corp 研磨布、研磨装置および半導体装置の製造方法
US6612911B2 (en) * 2001-01-16 2003-09-02 Cabot Microelectronics Corporation Alkali metal-containing polishing system and method
JP3440419B2 (ja) 2001-02-02 2003-08-25 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物およびそれを用いた研磨方法
JP4003116B2 (ja) * 2001-11-28 2007-11-07 株式会社フジミインコーポレーテッド 磁気ディスク用基板の研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
TWI282360B (en) * 2002-06-03 2007-06-11 Hitachi Chemical Co Ltd Polishing composition and polishing method thereof
US7021993B2 (en) * 2002-07-19 2006-04-04 Cabot Microelectronics Corporation Method of polishing a substrate with a polishing system containing conducting polymer
JP4593064B2 (ja) 2002-09-30 2010-12-08 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP4212861B2 (ja) 2002-09-30 2009-01-21 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いたシリコンウエハの研磨方法、並びにリンス用組成物及びそれを用いたシリコンウエハのリンス方法
WO2004042812A1 (ja) 2002-11-08 2004-05-21 Fujimi Incorporated 研磨用組成物及びリンス用組成物
JP2004311967A (ja) * 2003-03-27 2004-11-04 Nippon Shokubai Co Ltd Ｃｍｐ研磨剤用ポリマー及び組成物
JP4668528B2 (ja) 2003-09-05 2011-04-13 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物
US20050090104A1 (en) * 2003-10-27 2005-04-28 Kai Yang Slurry compositions for chemical mechanical polishing of copper and barrier films
US20050136670A1 (en) * 2003-12-19 2005-06-23 Ameen Joseph G. Compositions and methods for controlled polishing of copper
US20060000808A1 (en) * 2004-07-01 2006-01-05 Fuji Photo Film Co., Ltd. Polishing solution of metal and chemical mechanical polishing method
US20060021972A1 (en) * 2004-07-28 2006-02-02 Lane Sarah J Compositions and methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
KR100636994B1 (ko) * 2004-08-27 2006-10-20 제일모직주식회사 표면이하 결함을 개선하는 실리콘 웨이퍼 경면연마용슬러리 조성물
JP4814502B2 (ja) * 2004-09-09 2011-11-16 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
JP2006100538A (ja) * 2004-09-29 2006-04-13 Fuji Photo Film Co Ltd 研磨用組成物及びそれを用いた研磨方法
US7291280B2 (en) * 2004-12-28 2007-11-06 Rohm And Haas Electronic Materials Cmp Holdings, Inc. Multi-step methods for chemical mechanical polishing silicon dioxide and silicon nitride
EP1702965A3 (en) * 2005-03-17 2007-07-25 FUJIFILM Corporation Metal chemical mechanical polishing solution and polishing method
JP4776269B2 (ja) * 2005-04-28 2011-09-21 株式会社東芝 金属膜ｃｍｐ用スラリー、および半導体装置の製造方法
EP1757665B8 (en) * 2005-08-24 2012-04-11 JSR Corporation Aqueous dispersion for chemical mechanical polishing, kit for preparing the aqueous dispersion for a chemical mechanical polishing process, and process for producing semiconductor devices
TWI385226B (zh) * 2005-09-08 2013-02-11 羅門哈斯電子材料Ｃｍｐ控股公司 用於移除聚合物阻障之研磨漿液
DE102005052924A1 (de) * 2005-11-03 2007-05-10 Basf Ag Wässrige Dispersionen wasserlöslicher Polymere mit kammartigen Stabilisatoren
US20070176141A1 (en) * 2006-01-30 2007-08-02 Lane Sarah J Compositions and methods for chemical mechanical polishing interlevel dielectric layers
JP5204960B2 (ja) 2006-08-24 2013-06-05 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨用組成物及び研磨方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1714432A (zh) * 2002-12-09 2005-12-28 第一毛织株式会社 用于硅晶片二次抛光的淤浆组合物
CN1699444A (zh) * 2004-02-23 2005-11-23 Cmp罗姆和哈斯电子材料控股公司 用于控制半导体晶片中金属互连去除速率的抛光组合物

Also Published As

Publication number Publication date
US7867909B2 (en) 2011-01-11
JP5204960B2 (ja) 2013-06-05
GB0716358D0 (en) 2007-10-03
US20080051010A1 (en) 2008-02-28
KR20080018823A (ko) 2008-02-28
US20090137123A1 (en) 2009-05-28
DE102007039910B4 (de) 2017-02-09
CN101130668A (zh) 2008-02-27
US20120138851A1 (en) 2012-06-07
US20130040461A1 (en) 2013-02-14
TW200813207A (en) 2008-03-16
GB2443286B (en) 2011-11-23
JP2008053415A (ja) 2008-03-06
US8721909B2 (en) 2014-05-13
GB2443286A (en) 2008-04-30
DE102007039910A1 (de) 2008-03-27
TWI412580B (zh) 2013-10-21
KR101250044B1 (ko) 2013-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN101130668B (zh) 抛光用组合物和抛光方法
JP7534283B2 (ja) 研磨用組成物
KR102565682B1 (ko) 실리콘 기판 중간 연마용 조성물 및 실리콘 기판 연마용 조성물 세트
JP7534282B2 (ja) 研磨用組成物
JP5656960B2 (ja) Ｌｐｄ低減剤及びそれを用いたシリコンウエハの欠陥低減方法
CN113631679B (zh) 研磨用组合物
WO2018096991A1 (ja) 研磨用組成物
JP5460827B2 (ja) シリコンウエハの製造方法
JP2013034026A (ja) 研磨用組成物及びそれを用いた半導体ウエハの製造方法
WO2024203749A1 (ja) 研磨用組成物
JP7450532B2 (ja) 研磨用組成物
WO2023181929A1 (ja) 研磨用組成物
WO2023181928A1 (ja) 研磨用組成物
WO2023063027A1 (ja) 研磨用組成物
WO2023189812A1 (ja) 研磨用組成物
WO2021199723A1 (ja) 研磨用組成物
WO2024029457A1 (ja) 研磨用組成物
WO2022209758A1 (ja) 研磨方法、研磨用組成物セット
WO2024070831A1 (ja) 研磨用組成物
WO2024190532A1 (ja) 研磨用組成物、研磨用組成物の濃縮液および研磨方法
JP2023149877A (ja) 研磨用組成物

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant