KR101011158B1 - 개선된 광 추출 효율을 갖는 유기 발광 장치 - Google Patents

개선된 광 추출 효율을 갖는 유기 발광 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR101011158B1
KR101011158B1 KR1020030068230A KR20030068230A KR101011158B1 KR 101011158 B1 KR101011158 B1 KR 101011158B1 KR 1020030068230 A KR1020030068230 A KR 1020030068230A KR 20030068230 A KR20030068230 A KR 20030068230A KR 101011158 B1 KR101011158 B1 KR 101011158B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
layer
light
organic
transparent
transparent electrode
Prior art date
Application number
KR1020030068230A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20040030359A (ko
Inventor
티안유안셍
탕칭완
리아오리앙셍
Original Assignee
글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨 filed Critical 글로벌 오엘이디 테크놀러지 엘엘씨
Publication of KR20040030359A publication Critical patent/KR20040030359A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR101011158B1 publication Critical patent/KR101011158B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/856—Arrangements for extracting light from the devices comprising reflective means
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00—Electroluminescent light sources
    • H05B33/12—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/22—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers
    • H05B33/24—Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of auxiliary dielectric or reflective layers of metallic reflective layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21K—NON-ELECTRIC LIGHT SOURCES USING LUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING ELECTROCHEMILUMINESCENCE; LIGHT SOURCES USING CHARGES OF COMBUSTIBLE MATERIAL; LIGHT SOURCES USING SEMICONDUCTOR DEVICES AS LIGHT-GENERATING ELEMENTS; LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • F21K9/00—Light sources using semiconductor devices as light-generating elements, e.g. using light-emitting diodes [LED] or lasers
    • F21K9/20—Light sources comprising attachment means
    • F21K9/23—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings
    • F21K9/232—Retrofit light sources for lighting devices with a single fitting for each light source, e.g. for substitution of incandescent lamps with bayonet or threaded fittings specially adapted for generating an essentially omnidirectional light distribution, e.g. with a glass bulb
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2105/00—Planar light sources
    • F—MECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F21—LIGHTING
    • F21Y—INDEXING SCHEME ASSOCIATED WITH SUBCLASSES F21K, F21L, F21S and F21V, RELATING TO THE FORM OR THE KIND OF THE LIGHT SOURCES OR OF THE COLOUR OF THE LIGHT EMITTED
    • F21Y2115/00—Light-generating elements of semiconductor light sources
    • F21Y2115/10—Light-emitting diodes [LED]
    • F21Y2115/15—Organic light-emitting diodes [OLED]
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • H10K2102/301—Details of OLEDs
    • H10K2102/311—Flexible OLED
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/84—Passivation; Containers; Encapsulations
    • H10K50/844—Encapsulations
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111—Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113—Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135—Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10—Organic polymers or oligomers
    • H10K85/141—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE
    • H10K85/146—Organic polymers or oligomers comprising aliphatic or olefinic chains, e.g. poly N-vinylcarbazol, PVC or PTFE poly N-vinylcarbazol; Derivatives thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/30—Coordination compounds
    • H10K85/321—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3]
    • H10K85/324—Metal complexes comprising a group IIIA element, e.g. Tris (8-hydroxyquinoline) gallium [Gaq3] comprising aluminium, e.g. Alq3
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/615—Polycyclic condensed aromatic hydrocarbons, e.g. anthracene
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00—Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/60—Organic compounds having low molecular weight
    • H10K85/631—Amine compounds having at least two aryl rest on at least one amine-nitrogen atom, e.g. triphenylamine

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

본 발명은 투명 기판, 투명 기판의 제1면에 배치된 광 산란층, 광 산란층에 배치된 제 1 투명 전극 층, 제 1 투명 전극 층에 배치되는 것으로 광을 생산하는 하나 이상의 발광층 이외에 하나 이상의 유기 층을 포함하는 유기 EL 소자, 및 유기 EL 소자에 배치된 제 2 투명 전극 층을 포함하는 개선된 광 추출(light extraction) OLED 장치에 관한 것이다.광 추출

Description

개선된 광 추출 효율을 갖는 유기 발광 장치{ORGANIC LIGHT-EMITTING DEVICE HAVING ENHANCED LIGHT EXTRACTION EFFICIENCY}
도 1은 종래 기술의 OLED의 개략적인 단면도이다.
도 2는 광 추출 효율을 개선하기 위해서 광 산란층이 사용된, 선행 기술에 따른 다른 OLED 장치의 개략적인 단면도이다.
도 3은 광 산란층 및 고도의 반사성 애노드를 갖는, 본 발명에 따른 OLED 장치의 개략적인 단면도이다.
도 4는 광이 장치의 상부 및 저부에서 방출되도록 하는 투명 전극 및 광 산란층을 갖는 본 발명에 따른 OLED 장치의 개략적인 단면도이다.
도 5는 광이 장치의 상부 및 저부에서 방출되도록 하는 투명 전극 및 광 산란층을 갖는 본 발명에 따른 다른 OLED 장치의 개략적인 단면도이다.
도 6은 외부 광 반사체를 포함하는 고착물내 장치의 상부 및 저부로부터 광이 방출되도록 하는 본 발명에 따른 OLED 장치이다.
도 7은 백열전구의 모양의 밀봉된 인클로저내에 삽입된 것으로 가요성 중합체 시이트 기판상에 OLED 장치를 포함하는, 본 발명에 따른 조명 장치를 설명한다.
도 8은 투명 전극, 광 산란층, 반사체 층 및 저 지수의 아이솔레이션층(isolation layer)을 갖고 광 산란층이 기판과 바닥 투명 전극 층 사이에 배치된, 본 발명에 따른 저부 방출형 OLED 장치의 개략적인 단면도이다.
도 9는 투명 전극, 광 산란층, 반사체 층 및 저 지수의 아이솔레이션층을 갖고 광 산란층이 저 지수 아이솔레이션층과 상부 투명 전극 층 사이에 배치된, 본 발명에 따른 다른 저부 방출형 OLED 장치의 개략적인 단면도이다.
도 10은 투명 전극, 광 산란층, 반사체 층 및 저 지수의 아이솔레이션층을 갖고 광 산란층이 상부 투명 전극 층에 배치된, 본 발명에 따른 상부 방출형 OLED 장치의 개략적인 단면도이다.
도 11은 투명 전극, 광 산란층, 반사체 층 및 저 지수의 아이솔레이션층을 갖고, 광 산란층이 저부 투명 전극 층과 기판 사이에 배치된 본 발명에 따른 다른 상부 방출형 OLED 장치의 개략적인 단면도이다.
본 발명은 개선된 광 추출(light extraction) 효율을 갖는 유기 발광 다이오드(OLED)에 관한 것이고, 광원 및 디스플레이로서도 유용하다.
일반적으로, 유기 발광 장치(OLED)는 일반적으로 양도된 미국 특허 제 4,476,292호에서 개시된 바와 같은 작은 분자 장치 및 미국 특허 제 5,247,190호에서 개시된 바와 같은 중합체 OLED 장치로서 공지된 2개의 포맷을 가질 수 있다. 2 종의 OLED 장치는 순서대로 애노드, 유기 EL 소자, 및 캐쏘드를 포함할 수 있다. 애노드와 캐쏘드 사이에 배치된 유기 EL 소자는 일반적으로 유기 정공 수송층(HTL), 발광층(EL) 및 유기 전자-수송층(ETL)을 포함한다. EL층에서 정공 및 전자가 재조합되어 광을 방출한다. 탕(Tang) 등의 문헌[Appl. Phys. Lett., 51, 913(1987), Journal of Applied Physics, 65, 3610(1989)], 및 일반적으로 양도된 미국 특허 제 4,769,292 호에는 층과 같은 구조물을 사용하는 매우 효율적인 OLED를 설명하고 있다. 그 이후로, 중합체 물질을 포함한 대안의 층 구조물을 갖는 다수의 OLED가 개시되어, 장치 성능이 개선되었다.
광은, 각각 캐쏘드 및 애노드로부터 주입된 전자 및 정공이 전자 수송층 및 정공 수송층을 통해 유동하다가 발광층에서 재조합하는 경우 발생한다. 많은 인자가 이러한 광 발생 과정의 효율을 결정한다. 예를 들어, 애노드 및 캐쏘드 물질의 선택은, 전자 및 정공이 장치에 효과적으로 주입되는 정도를 결정하고, ETL 및 HTL의 선택은 전자 및 정공이 장치에 효과적으로 수송되는 정도를 결정하고, EL의 선택은 전자 및 정공이 효과적으로 재조합되는 정도 및 그로 인한 광 방출 효율 등을 결정할 수 있다. 그러나, OLED 장치의 효율을 제한하는 주요한 인자중 하나는 OLED 장치의 전자-정공 재조합으로 인해 발생하는 광자를 추출하는데 있어서의 비효율성임이 발견되었다. 사용된 유기 물질의 높은 광학 지수로 인하여, 재조합 공정에 의해 발생된 광자의 대부분은 내부 전반사(total internal reflection)로 인해 실질적으로 장치 내부에 트랩화된다(trapped). 이러한 트랩화 광자는 OLED 장치를 떠나지 못하여 이러한 장치의 광 출력량에 기여하지 못한다.
전형적인 OLED 장치는 유리 기판, 투명한 전도성 애노드, 예를 들어 인듐-주석-옥사이드(ITO), 유기 층의 적층물, 및 반사 애노드 층을 사용한다. 장치로부터 발생된 광은 유리 기판을 통해 방출된다. 이는 종종 저부 방출형 장치로서 지칭된다. 선택적으로, 장치는 기판, 반사성 애노드, 유기 층의 적층물, 및 상부 투명 전극 층을 포함할 수 있다. 장치로부터 발생된 광은 상부 투명 전극을 통해 방출된다. 이것은 일반적으로 상부 방출형 장치로서 지칭된다. 이러한 전형적인 장치에 있어서, ITO 층, 유기 층 및 유리의 지수는, 각각 약 2.0, 1.7 및 1.5이다. 발생된 광의 약 60%는 ITO/유기 EL 소자내 내부 반사에 의해 트랩화되고, 20%는 유리 기판에 트랩화되고, 방출된 광의 단지 약 20%만이 장치로부터 실재로 방출되어 유용한 기능을 수행하는 것으로 평가된다.
마디간(Madigan) 등의 문헌[Appl. Phys. Lett, Vol 76, No. 13, p 1650, 2000]은 광 추출 효율을 개선시키기 위한 마이크로 렌즈를 갖는 고 지수 기판의 사용에 대해 개시하고 있다. 벤자민(Benjamin) 등의 문헌[Adv. Mater. 2001, 13, No.2, 2001], 및 럽톤(Lupton) 등의 문헌[Appl. Phys. Lett. Vol 77, No. 21, p3340, 2000]은 광 추출을 개선하기 위한 파동형 기판의 사용에 대해 개시하고 있다. 가르부조브(Garbuzov) 등의 문헌[Optics Letters, Vol. 22, No. 6, p. 396, 1997]은 광 추출을 개선하기 위한 특별한 형태의 마이크로구조물을 갖는 기판의 사용에 대해 개시하고 있다. 기포드(Gifford) 등의 문헌[Appl. Phys. Lette. Vol. 80, No. 20, p3679, 2002]은 표면 플라스몬 크로스 커플링(surface plasmon cross coupling)을 통해 광 커플링을 개선하기 위한 주기적 구조물 및 불투명 금속 층을 갖는 기판의 사용에 대해 개시하고 있다. 그러나, 모든 이러한 방법은 장치의 구조를 보다 복잡하게 하고, 동시에 다수의 실용적인 용도에 있어서 적당하지 않은 고도의 각도 및 파장 의존성을 갖는 광을 출력한다는 문제점이 있다.
츄(Chou) 등의 국제특허 공개공보 제 WO 02/37580 A1 및 리우(Liu) 등의 미국 특허출원 US 2001/0026124 A1호에는 광 추출을 개선하기 위한 부피감있는 산란층 또는 표면 산란층의 사용에 대해 개시하고 있다. 산란층은 유기 층 다음에 적용되거나 유리 기판의 외면상에 도포되고, 산란층은 이러한 층에 대등한 광학 지수를 갖는다. 임계각 보다 큰 각도에서(그렇지 않으면 트랩화됨) OLED 장치로부터 방출된 광은 산란층을 통과하여 장치 외부로 산란될 수 있다. 이로써, OLED 장치의 효율이 개선되었지만 여전히 부족하다.
본 발명의 목적은 개선된 광 추출 효율을 갖는 OLED 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 추가의 목적은 개선된 광 추출 효율을 갖는 상부 방출형 OLED 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 추가의 목적은 개선된 광 추출 효율을 갖는 저부 방출형 OLED 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 가요성 지지체 상에 개선된 광 추출 효율을 갖는 OLED 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 능동 매트릭스 디스플레이 구조물과 상용성인 OLED 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 다른 목적은 수동 매트릭스 디스플레이 구조물과 상용성인 OLED 장치를 제공하는 것이다.
이러한 목적은
(a) 투명 기판;
(b) 투명 기판의 제1면에 배치된 광 산란층;
(c) 광 산란층에 배치된 제 1 투명 전극 층;
(d) 제 1 투명 전극 층에 배치된 것으로 광을 생산하는 하나 이상의 발광층 이외에 하나 이상의 유기 층을 포함하는 유기 EL 소자; 및
(e) 유기 EL 소자에 배치된 제 2 투명 전극 층을 포함하는 개선된 광 추출 OLED 장치에 의해 달성된다.
이러한 목적은 또한 장치 외부로 광을 산란시키는 수단을 갖고 장치 내부로의 광 흡수를 최소화하는 수단을 갖는 OLED 장치를 제공함으로써 달성된다. 광을 산란하는 수단은 장치 구조물 내부에 전략적으로 배치된 광 산란층의 사용을 포함한다. 장치 내부에서 광 흡수를 최소화하기 위한 수단은 본질적으로 투명한 전극 2개를 사용하는 것 또는 투명한 전극 하나 및 Ag, Ag계 합금, 및 Al를 포함한 목록중에서 선택된 고도로 반사성인 전극 하나를 포함하는 것이다. 2개의 투명 전극을 사용하는 경우, 장치는 외부 반사체 또는 내부 반사체를 포함할 수 있다. 내부 반사체가 사용되는 경우, 저 굴절률의 아이솔레이션층이 상기 반사체 층과 조합하여 사용되는 것이 바람직하고, 특히 반사체 층이 Ag, Ag계 합금 및 Al중에서 선택되지 않은 경우에는 더욱 그러하다.
본 발명에 따라 제조된 장치는 특히 광 전구를 대체할 수 있는 광원으로서 유용하다. 이들은 또한 디스플레이 장치로서 유용하다.
도 1은 기판(10), 애노드층(14), 유기 EL 소자(30), 및 캐쏘드 층(22)를 포함한 전형적인 종래의 OLED 장치(101)의 개략적인 단면도이다. 유기 EL 소자(30)는 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층을 포함한 1 내지 7개의 서브층을 포함할 수 있다. 가장 일반적으로, 기판(10) 및 애노드 층(14)는 둘다 투명하며, 캐쏘드 층(22)은 반사성이고, 장치로부터 발생한 광은 애노드층(14) 및 기판(10)을 통해 방출된다. 이는 일반적으로 저부 방출형 OLED 장치로서 지칭한다. OLED 장치는 또한 상부 방출형일 수 있다. 상부 방출형 OLED 장치에서는, 애노드 층이 반사성이고, 캐쏘드 층이 투명하게 제조되어, 발생된 광은 캐쏘드 층을 통해 방출된다. 저부 방출형 장치에 기초한 논의는 상부 방출형 장치에도 적용가능하다. 추가로, 전술한 층의 순서는 역순이 될 수 있다. 캐쏘드 층(22)이 기판(10)에 침적되고, 애노드 층(14)은 유기 EL 소자(30)상에 침적될 수 있다.
전형적으로, 유기 EL 소자(30) 및 투명 애노드 층(14)은 높은 굴절률을 갖는 물질로 제조되고, 기판(10)은 그의 굴절률이 공기보다는 실질적으로 높지만 낮은 굴절률의 물질로 제조된다. 유기 EL 소자(30)로부터 발생된 광은 모든 방향으로 방출된다. 수직면으로부터 작은 각도로 방출된 유기 EL 소재(30)로부터의 광의 제 1 부분(1)(작은 각도의 광(1)으로 지칭함)은 애노드 층(14) 및 기판(10)을 투과하여 외부 용도를 위해 사용가능하다. 제 1 부분(1)보다는 다소 넓은 각도로 방출된 유기 EL 소자(30)로부터의 광의 제 2 부분(2)은 애노드 층(14)을 투과할 수 있지만, 기판(10)/공기 계면에서의 임계각을 초과하여 후방으로 재반사될 것이다. 따라서, 여기에서 제 2 부분(2)(기판 모드 광(2)으로 지칭됨)은 OLED 장치(101) 내부에 트랩화되어 유용한 용도로서는 유용하지 않다. 유사하게, 약간 넓은 각도에서 방출된 유기 EL 소자(30)에서의 광의 제 3 부분(3)은 유기 EL 소자(30) 및 애노드(14) 내부의 내부 반사에 의해 트랩화된다. 여기에서 제 3 부분(3)(유기 모드 광(3)으로서 지칭됨)은 유용한 용도로서 유용하지 않다. 단지 작은 각도의 광(1)만이 사용하기에 적당하기 때문에, OLED 장치(101)의 광 추출 효율은 제한적이다.
도 2는 투명 기판(10)과 유기 EL 소자(30) 사이에 광 산란층(12)를 삽입함으로써 광 추출 효율을 개선시키도록 고안된 선행 기술의 OLED 장치(102)의 개략적인 단면도이다. OLED 장치(102)는 투명 기판(10), 광 산란층(12), 투명 애노드 층(14), 유기 EL 소자(30), 및 반사 캐쏘드 층(22)을 포함한다. 광이 광 산란층(12)을 통과하는 경우, 그의 일부는 모든 방향으로 산란된다. 따라서, 기판 모드 광(2) 또는 유기 광(3)이 광 산란층(13)를 통과하는 경우, 일부분은 OLED 장치(102) 외부로 산란되어 더 이상 트랩화되지 않는다. 나머지 부분은 트랩화된 채로 유지되고, 반사 캐쏘드(22)와 유기 EL 소자(30)/기판(10)의 계면 또는 기판(10)/공기 계면 사이에서 전후방으로 반사된다. 이들이 광 산란층(12)을 통과하는 각각의 경우, 이들은 OLED 장치(102)의 외부로 부분적으로 산란된다. 광 추출 효율은 개선된다.
그러나, 실제 장치에서, 광이 반사성 캐쏘드(22)에 의해 반사되는 각각의 경우, 이들은 부분적으로 흡수된다. 이는 MgAg 합금 또는 CuPc/Al(Li)(문헌[J. Appl. Phys. V86, No. 8, P4610, 1999] 참고)와 같은 반사성 캐쏘드로서 OLED 장치에서 공통적으로 사용되는 층이 일반적으로 제한된 반사성을 갖고 부분적으로 흡수하기 때문이다. 트랩화 기판-모드 광(2) 및 유기-모드 광(3)이 OLED 장치(102)의 외부로 전체 산란될 수 있기 전에 광 산란층(12)으로부터 다수의 경로를 만들 수 있기 때문에, 이러한 광은 반사성 캐쏘드 층(22)에 의한 다중 흡수에 의해 빠르게 감쇠된다. 또한, 광 산란층(12)은 작은 각도의 광(1)의 일부의 방향을 전환시켜, OLED 장치(102)에 트랩화되게 할 수 있다. 작은 각도의 광(1)중 이러한 트랩화된 성분 또한 부분적으로 흡수하는 반사성 캐쏘드(22)에 의해 감쇠된다. 반사성 캐쏘드(22)가 상당히 흡수성인 경우, 광 커플링 효율에 대한 순익은 매우 작거나 음수일 수도 있다.
본 발명은 장치 외부로 광을 산란시키는 수단 및 장치 내부에서의 광 흡수를 감소시키는 수단을 갖는 OLED 장치를 제공함으로써 광 커플링 효율을 개선시킬 수 있음을 고려하였다. OLED 장치 내부에서의 광 흡수를 감소시키는 수단을 도입함으로써, 장치내의 트랩화 광의 감쇠가 감소될 수 있고 광 커플링 효율이 개선될 수 있다. 광을 산란시키는 수단은 장치 구조물 내부에 전략적으로 배치된 광 산란층의 사용을 들 수 있다. 장치 내부의 광 흡수를 감소시키는 수단은 본질적으로 투명한 전극 2개를 사용하거나 하나의 투명 전극 및 Ag, Ag계 합금 및 Al를 포함한 목록중에서 선택된 하나의 고도의 반사성 전극을 사용하는 것을 들 수 있다. 2개의 투명 전극이 사용되는 경우, 장치는 또한 반사체를 포함할 수도 있다. 반사체 층은 OLED 장치의 구조에 부가되어 내부 반사체로서 작용할 수 있다. 선택적으로, OLED 장치의 외부에 반사체 고착물을 사용할 수 있다. 내부 반사체가 사용되는 경우, 저 굴절률의 아이솔레이션층은 바람직하게 반사체 층과 함께 사용되어 상기 내부 반사체 층에 의해 트랩 층의 반사를 감소시키고, 특히, 반사체 층이 Ag, Ag계 합금 및 Al로 구성된 목록중에서 선택되지 않는 경우, 더욱 그러하다.
도 3은 본 발명에 다른 OLED 장치(103)의 개략적인 도면이다. 도 2에서 도시한 선행 기술의 OLED 장치(102)와 유사하게, OLED 장치(103)는 투명 기판(10), 투명 기판상의 광 산란층(12), 광 산란층(12)상의 투명 애노드 층(14), 투명 애노드 층(14)상의 유기 EL 소자(30), 및 유기 EL 소자(30)상의 반사성 캐쏘드 층(22)을 포함한다. 그러나, 선행 기술과는 대조적으로 본 발명에 따른 반사성 캐쏘드 층(22)용 물질은 고도의 반사성인 Ag, Ag계 합금 및 Al로 제한된다. 가시광선 영역에서, 단지 Ag, Ag계 합금 및 Al은 반사성 캐쏘드 층에 의한 다중 흡수가 실질적인 손실을 유발하지 않을 정도로 높은 반사성을 갖는다. 물론, Ag 및 Ag 함량이 90% 보다 큰 Ag계 합금이 높은 반사성을 위해서는 바람직하다. 여기서, Ag 함량은 원자 백분율에 기초한다. 고도로 반사성인 물질을 사용함으로써, 캐쏘드 층(22)에 의한 광 흡수는 감소한다. OLED 장치(103)의 트랩화 광은 OLED 층을 따라 광 산란층(12)을 수회 통과하고, 다량의 감쇠 손실이 발생하기 전에 OLED 장치 외부로 효율적으로 산란된다. 따라서, OLED 장치의 광 추출 효율이 개선된다.
그러나, Ag, Ag계 합금 및 Al 애노드는 일부 전자 수송층에 적당한 전자 주입을 제공하지 않을 것이다. 이러한 경우, 유기 EL 소자(30)는 바람직하게는 전자 주입층을 포함한다. 일부 경우, 이러한 금속성 물질과 유기 EL 소자(30)와의 직접적인 접촉이 장치 불안정성을 유발할 수 있다. 이러한 경우에, 캐쏘드 층(22)과 유기 EL 소자(30) 사이에 층간 적층물(interlayer stack)을 갖는 것이 바람직할 것이다. 이러한 층간 적층물은 이러한 금속성 캐쏘드의 사용으로 인한 OLED 장치의 열화를 억제 또는 감소시키는 보호 특성을 갖는 조합으로 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. ITO, ZnS, ZTO, IZO, Sb2O3와 같은 무기 투명 전도성 층이 층간 적층물로서 사용될 수 있다. 구리 프탈로시아닌을 포함한 금속 함유 프탈로시아닌과 같은 유기 층도 사용될 수 있다. 층간 적층물의 두께는 반사성 캐쏘드 층(22)에 의한 흡수를 감소시킬 수 있도록 선택될 수 있다.
도 3은 저부 방출형 OLED 장치이다. 본 발명은 또한 상부 방출형 장치에 적용할 수 있다. 상부 방출형 장치에서, 캐쏘드 층(22)은 투명하고, 애노드 층(14)은 높은 반사성을 갖는다. 반사성 애노드 층(14)용 물질은 Ag, Ag계 합금 및 Al를 포함한 목록으로부터 선택된다. 특히, Ag 및 90% 초과의 Ag를 갖는 Ag계 합금은 우수한 반사성을 갖기 때문에 바람직하다. 높은 반사성 물질을 사용함으로써, 애노드 층(14)에 의한 광 흡수가 감소한다. OLED 장치(103)에서의 트랩화 광은 OLED 층을 따라 광 산란층(12)를 수회 통과하여, 다량의 감쇠 손실이 발생하기 전에 OLED 장치(103)로부터 효율적으로 산란될 수 있다. 따라서 OLED 장치(103)의 높은 광 추출 효율은 개선된다.
그러나, 이러한 높은 반사성 물질은 유기 EL 소자(30)내 일부 정공 수송층에서 적당한 정공 주입을 제공하지 않을 수 있다. 유기 EL 소자(30)는 바람직하게는 정공 주입층을 포함한다. 일부 경우에 이러한 금속성 물질과 유기 EL 소자(30)의 직접 접촉은 장치 불안전성을 유발할 수 있다. 이러한 경우에, 애노드 층(14)과 유기 EL 소자(30) 사이에 층간 적층물을 갖는 것이 바람직할 수 있다. 이러한 층간 적층물은 이러한 금속 애노드의 사용으로 인하여 OLED 장치의 열화를 억제 또는 감소시키는 보호 특성을 갖는 조합으로 하나 이상의 층을 포함할 수 있다. ITO, ZnS, ZTO, IZO, Sb2O3, 등과 같은 무기 투명 전도성 층이 층간 적층물로서 사용될 수 있다. 구리 프탈로시아닌을 비롯한 프탈로시아닌을 함유하는 금속과 같은 유기 물질 또한 사용될 수 있다. 층간 적층물의 두께는 반사성 애노드 층(14)에 의한 흡수를 감소시키도록 선택될 수 있다.
도 3을 다시 보면, 애노드 층(14) 및 캐쏘드 층(22)은 둘다 외부 전원(도시하지는 않음)으로부터 OLED 장치(103)로의 전기를 수송하는 전도층이다. 바람직하게, 애노드 층(14) 및 캐쏘드 층(22)의 시이트 저항은 10옴/스퀘어 미만이다. 유기 EL 소자(30)은 정공 주입층, 정공 수송층, 발광층, 전자 수송층, 및 전자 주입층을 포함한 다수의 층을 포함할 수 있다. 일부 경우에, 이러한 층의 일부가 조합될 수 있다. 예를 들어, 단일층이 발광층 및 전자 수송층 둘다로서 작용할 수 있다. 다른 경우에, 이러한 층의 일부가 제거될 수 있다. 예를 들어, 적당하게 선택된 애노드 층은 개별적인 정공 주입층에 대한 필요성을 제거할 수 있고, 적당하게 선택된 캐쏘드 층은 개별적인 전자 주입층에 대한 필요성을 제거할 수 있다. 이러한 층의 상세한 내용은 하기에서 설명할 것이다. 본 발명에서, 유기 EL 소자(30)는 이와 같은 임의의 가능한 조합을 지칭할 수 있다.
도 4는 본 발명에 따른 다른 OLED 장치(104)의 개략적인 도면이다. OLED 장치(104)는 기판(10), 기판 상의 투명 애노드 층(14), 애노드 층(14) 상의 유기 EL 소자(30), 유기 EL 소자(30) 상의 투명한 캐쏘드 층(22), 및 유기 EL 소자(30) 상의 광 산란층(12)을 포함한다. OLED 장치(104)가 둘다 투명한 전극을 갖기 때문에, OLED 구조에서는 극소의 광 흡수만이 있다. 광 산란층(12)을 통한 제 1 경로에서 산란되지 않은 트랩화 기판-모드 광(2) 및 유기-모드 광(3)은 광 산란층(12)을 수회 통과하여, 결국에는 투명한 캐쏘드 층(22)에 의해 감쇠되지 않고 OLED 장치(104)의 외부로 산란될 수 있다. 따라서, OLED 장치의 추출 효율은 선행 기술의 OLED 장치(102)에 비해 개선된다. OLED 장치(104)는 전술한 것 이외에 다른 층을 가질 수 있다. 예를 들어, 광 산란층(12) 상에 투명 보호층을 포함할 수 있다. 또한, 투명 캐쏘드 층(22)과 광 산란층(12) 사이에 부가적인 투명 층을 가질 수 있다. 부가적인 투명 층의 굴절률이 유기 EL 소자(30)보다 같거나 크다면, OLED 장치(104)의 성능에는 심각하게 영향받지 않는다.
도 5는 본 발명에 따른 다른 OLED 장치(105)이다. OLED 장치(105)는 기판(10), 기판(10)의 제1면에 배치된 광 산란층(12), 광 산란층(12)에 배치된 애노드 층(14), 애노드 층(14)에 배치된 유기 EL 소자(30), 및 유기 EL 소자(30)에 배치된 투명 캐쏘드(22)를 포함한다. 개선된 광 추출 효율면에서 장치(104)와 유사하게, OLED 장치(105)는 광 산란층(12)이 유기층 침적 이전에 제조될 수 있고, 일부 경우에 장치 제조 과정을 간략화할 수 있다는 추가된 장점을 갖는다. OLED 장치(104)와 유사하게, OLED 장치(105)는 도 5에서 도시한 바 이외에 구조상의 부가적인 투명 층을 가질 수 있다.
전극이 둘다 투명하기 때문에, OLED 장치(104 및 105)로부터 방출된 광은 장치의 양면에서 모두 방출된다. 다수의 용도에 있어서, OLED 장치의 한쪽 측면에서 대부분의 발생된 광이 방출되도록 하는 것이 바람직하다. 이는 외부 광 반사체를 사용하여 수행될 수 있다.
도 6은 외부 광 반사체(40)을 갖는 고정물내 OLED 장치(104 또는 105)를 포함한 본 발명에 따른 조명 장치(106)를 나타낸다. OLED 장치(104 또는 105)로부터 하방으로 방출된 광은 하방으로 유지된다. OLED 장치(104 또는 105)로부터 상방으로 방출된 광은 외부 광 반사체(40)에 의해 하방으로 방향이 재조정된다.
도 7은 본 발명에 따른 다른 조명 장치(107)이다. 여기서, OLED 장치(107a)는 기판(10)으로서 사용되는 가요성 중합체 시이트를 사용하여 제조된다. 애노드 층(14), 유기 EL 소자(30), 캐쏘드 층(22) 및 광 산란층(12)은 도 4 또는 도 5에서와 동일한 방식으로 기판(10)에 배치된다. 조명 장치(107)를 피복한 후, 중합체 시이트를 작게 절단하고, 필요한 경우, 롤링하고, 밀봉된 인클로저내로 삽입한다. 도 7은 형광등(42) 모양의 인클로저를 도시하며, 조명 장치(107)는 형광 전구를 사용하는 현존하는 광 고정물과 상용성일 수 있다. 다른 형태의 인클로저도 사용될 수 있다. 가요성 중합체 시이트를 사용하여 제조하는 것은 잠재적으로 제작비용을 월등히 감소시킬 수 있지만, 중합체 시이트를 통한 수분 및 산소의 높은 투과성은 현재까지 OLED 장치용 중합체의 성공적인 이용을 방해한다. 본 발명에 따른 가요성 지지체를 갖는 조명 장치를, 건조물질를 포함할 수 있는 밀봉된 인클로저에 배치한다. 기판에 대한 수분과 산소 투과성에 대한 요건이 완화될 수 있고, 중합체 기판의 사용이 실용화될 수 있다.
도 8은 본 발명에 따른 다른 OLED 장치(108)를 나타낸다. OLED 장치(108)는 기판(10), 기판(10) 상의 광 산란층(12), 광 산란층(12) 상의 투명 애노드 층(14), 투명 애노드 층(14) 상의 유기 EL 소자(30), 유기 소자(30) 상의 투명 캐쏘드 층(22), 투명 캐쏘드 층(22) 상의 저 굴절률의 아이솔레이션층(24), 및 저 굴절률의 아이솔레이션층(24) 상의 반사체 층(26)을 포함하는 저부 방출형 장치이다. 저 굴절률의 아이솔레이션층(24)은 유기 EL 소자(30)의 지수보다 실질적으로 작은 굴절률을 갖는 투명층이다. 유기 EL 소자(30)에서 방출되어 임계각보다는 큰 각도로 투명 캐쏘드 층(22)/저 굴절률 아이솔레이션층(24) 계면에 도달한 광은 전체적으로 내부 반사되어 반사체 층(26)과 마주치지 못한다. 광의 이러한 성분은 OLED 장치(108)에 트랩화되고, 결국 수회 광 산란층(12)을 통과한 후, 기판(10)을 통해 OLED 장치(108) 외부로 산란된다. 유기 EL 소자(30)의 작은 각도 광(1)은 저 굴절률 아이솔레이션층(24)을 통해 투과하고 기판(10)을 통해 OLED 장치(108)의 외부로 반사체 층(26)에 의해 반사된다. 이는 일단 반사체 층(26)에 의해 반사되기 때문에, 반사체 층(26)이 단지 부분적으로 반사성인 경우에도 흡수 손실이 적다. 도 2의 선행 기술의 장치(102)와 비교하면, OLED 장치(108)는 다중 반사에 의해 상당히 감소된 흡수 손실을 가질 수 있고, 모든 광을 OLED 장치의 한방향으로 향하게 하는 빌트인(built in)형 반사체의 장점을 여전히 보유하게 된다.
도 9는 본 발명에 따른 다른 OLED 장치(109)를 나타낸다. OLED 장치(109)는 기판(10), 기판(10) 상의 투명 애노드 층(14), 투명 애노드 층(14) 상의 유기 EL 소자(30), 유기 EL 소자(30) 상의 투명 캐쏘드 층(22), 투명 캐쏘드 층(22) 상의 광 산란층(12), 광 산란층(12) 상의 저 굴절률 아이솔레이션층(24), 및 저 굴절률아이솔레이션층(24) 상의 반사체 층(26)을 포함하는 저부 방출형 장치이다. OLED 장치(108)와 유사하게, 저 굴절률 아이솔레이션층(24)은 큰 각도의 광이 반사체 층(26)에 도달하는 것을 억제하여, 이로써 반사체 층에 의한 흡수 손실을 감소시킨다. 동시에, 작은 각도의 광(1)은 반사체 층(26)에 도달하여 기판(10)을 통해 OLED 장치(109) 외부로 반사될 수 있다.
도 10은 본 발명에 따른 다른 OLED 장치(110)를 나타낸다. OLED 장치(110)를 기판(10), 기판(10) 상의 반사체 층(26), 반사체 층(26)의 저 굴절률 아이솔레이션층(24), 저 굴절률 아이솔레이션층(24) 상의 투명 애노드 층(14), 투명 애노드 층(14) 상의 유기 EL 소자(30), 유기 EL 소자(30) 상의 투명 캐쏘드 층(22), 및 투명 캐쏘드 층(22) 상의 광 산란층(12)을 포함하는 상부 방출형 장치이다. 저 굴절률 아이솔레이션층(24)은 유기 EL 소자(30)보다 실질적으로 낮은 굴절률을 갖는 투명층이다. 유기 EL 소자(30)로부터 방출되어 입계각 보다 큰 각도로 투명 애노드(14)/저 굴절률 아이솔레이션층(24) 계면에 도달한 광은 전체적으로 내부 반사되어 반사층(26)과 마주치지 않는다. 광의 이러한 성분은 OLED 장치(110)에서 트랩화되고 광 산란층(12)을 통해 수회 투과한 후, 결국 OLED 장치(110) 외부로 산란된다. 유기 EL 소자(30)로부터의 작은 각도의 광(1)은 저 굴절률의 아이솔레이션층(24)을 통해 투과하고 광 산란층(12)을 통해 OLED 장치(110) 외부로 반사체 층(26)에 의해 반사된다. 단지 반사체 층(26)에 의해 반사되기 때문에, 반사체 층(26)이 단지 부분적으로 흡수성인 경우에도 흡수 손실은 적다. 도 2의 선행 기술의 OLED(102)와 비교하면, OLED 장치(110)는 다중 반사에 의해 흡수 손실이 상당히 감소되고, 모든 광을 OLED 장치의 한방향으로 방출하도록 하는 빌트인형 반사체의 장점을 여전히 가질 수 있다.
도 11은 본 발명에 따른 다른 상부 방출형 OLED 장치(111)이다. OLED 장치(111)는 기판(10), 반사체 층(26), 저 굴절률의 아이솔레이션층(24), 광 산란층(12), 투명 애노드 층(14), 유기 EL 소자(30) 및 투명 캐쏘드 층(22)을 포함한다.
본 명세서에서는 애노드 층(14)인 것으로 기판에 인접한 제 1 전극 층을 갖는 구조에 중점을 두고 있지만, 기판(10)에 인접한 제 1 전극 층이 캐쏘드 층(22)이고, 유기 EL 소자(30)에 배치된 제 2 전극 층이 애노드 층(14)이도록 구조가 역전될 수 있음을 이해할 것이다.
구조물에 다른 작용 층, 예를 들어 OLED 장치상에 전자 주입층, 정공 주입 층, 전자 수송층, 정공 수송층, 부가적인 보호층 등을 포함하는 것이 가능하다. 이러한 층에 대한 상세한 설명은 하기와 같다.
기판
본 발명의 OLED 장치는 전형적으로 캐쏘드 또는 애노드가 기판과 접촉할 수 있는 지지 기판상에 제공된다. 기판과 접촉하는 전극은 편의상 저부 전극으로 지칭된다. 통상적으로, 저부 전극은 애노드이지만, 본 발명은 이러한 구조로만 한정하지 않는다. 기판은, 의도된 발광 방향에 따라 광 투과성이거나 광 불투과성일 수 있다. 광 투과성이 기판을 통해 EL 방출을 관측하는데 바람직하다. 투명 유리 또는 플라스틱은 이러한 경우에 통상적으로 사용된다. EL 방출이 상부 전극을 통해 관측되는 용도에 있어서, 하부 지지체의 투과 특성은 중요하지 않으므로 광 투과성, 광 흡수성 또는 광 반사성일 수 있다. 이 경우에 사용하기 위한 기판은 유리, 플라스틱, 반전도체 물질, 실리콘, 세라믹 및 회로판 물질을 들 수 있지만 이에 한정되지는 않는다. 물론, 이들 장치의 배치에 광 투과성 상부 전극을 제공하는 것이 필요하다.
애노드 층
애노드 층은 외부 전원으로부터 OLED 장치로의 작동 전류를 운반하기에 충분한 전도도를 갖는 층 또는 층의 적층물이다. 애노드 층의 시이트 저항은 100옴/스퀘어 이하이어야 한다. 본 발명에 따른 애노드 층은 실질적으로 투명하거나 고도로 반사성이어야 한다. 고도로 반사성인 애노드 물질은 Ag, Ag계 합금 또는 Al를 포함하는 목록으로부터 선택될 수 있다. 이러한 물질은 산란층을 가지고 흡수 손실이 감소된 본 발명에서 사용되도록 하는 대부분의 다른 물질에 비해 높은 반사성을 갖는다. 이러한 물질중에서 순수한 Ag 및 Ag계 합금(Ag가 90% 초과)가 이들의 예외적인 고 반사성 때문에 바람직하다. 투명한 애노드에 있어서, 흡수성이 낮은 물질을 사용하면, OLED 장치가 보다 효율적이 된다. 일반적인 지침으로서, 광학 굴절률의 가상 파트(k)는 바람직하게 0.02 미만이다. 본 발명에서 사용될 수 있는 일반적인 투명 애노드 물질은 인듐-주석 옥사이드(ITO), 인듐-아연 옥사이드(IZO), 아연-주석 옥사이드(ZTO) 및 주석 옥사이드일 수 있지만, 알루미늄- 또는 인듐-도핑된 아연 옥사이드, 마그네슘-인듐 옥사이드, 및 니켈-텅스텐 옥사이드를 비롯한(이로서 한정하는 것은 아님) 다른 금속 옥사이드 또한 작용할 수 있다. 이러한 옥사이드 이외에, 금속 니트라이드, 예를 들어 갈륨 니트라이드, 및 금속 세레나이드, 예를 들어 아연 세레나이드, 및 금속 설파이드, 예를 들어 아연 설파이드를 애노드로서 사용할 수 있다. Au, Ag, 또는 Cu와 같은 금속 박막과 ZnS, TiO2, ITO 등과 같은 고 굴절률의 투명 물질의 샌드위치 또한 사용될 수 있다. 적당한 물질 및 두께가 사용되는 경우, 광의 총 흡광도는 5% 미만일 수 있다. 전형적인 애노드 물질은 4.1eV 이상의 일 함수를 갖는다. 그러나, 효과적인 개개의 정공-주입층으로 인하여 애노드의 일 함수는 덜 중요해지고 대부분의 임의의 수치를 가질 수 있다. 바람직한 애노드 물질은 증착, 스퍼터링, 화학증착 또는 전기화학적 수단과 같은 임의의 적당한 수단에 의해 침적된다. 애노드는 공지된 포토리쏘그래피 공정에 의해 또는 제조과정에 있어서 새도우 마스크(shadow mask)를 사용하여 패턴화될 수 있다.
광 산란층
본 발명에서 사용된 광 산란층은 매트릭스내 매입된 산란 중심부로 구성될 수 있거나 표면상의 조직(texture) 또는 미세구조물을 포함할 수 있다. 매트릭스에 매입된 산란 중심부를 갖는 경우, 매트릭스의 굴절률은 광이 효과적으로 산란층으로 도입되도록 유기 EL 소자(30)의 굴절률 이상이고 바람직하게는 유기 EL 소자(30)의 굴절률의 0.9 이상일 필요가 있다. OLED 장치에서 유기 EL 소자(30)로서 사용되는 일반적인 유기 물질은 1.7 이상의 비교적 높은 굴절률을 갖기 때문에, 매트릭스의 굴절률은 약 1.55 이상일 필요가 있다. 그러나, 유기 EL 소자(30)의 굴절률이 낮은 경우 매트릭스의 굴절률은 상당히 작을 수 있다. 광 산란층의 매트릭스는 용액, 용융물 또는 적당한 형태의 박막으로서 피복된 중합체일 수 있다. 이는 또한 단량체일 수 있고, UV광, 열 또는 기타 적당한 수단에 의해 박막으로서 피복된 후 중합화될 수 있다. 스핀-코팅, 브레이드 코팅(blade coating), 스크리닝 프린팅(screening printing) 등과 같은 일반적인 코팅 기법이 적당하게 선택될 수 있다. 다르게는, 산란층은 OLED 장치 구조물내 산란층의 바람직한 위치에 따라 상부 전극 층의 표면 또는 기판에 적층된 개별적인 구성요소일 수 있다. 산란 중심의 굴절률은 매트릭스와 상당히 상이할 필요가 있고, 바람직하게는 발광층의 굴절률 수치의 5% 초과 만큼 상이할 수 있다. 산란 중심부는 입자를 포함할 수 있고, 입자 물질의 예로는 TiO2, Sb2O3, CaO, In2O3 등을 들 수 있거나 공극 또는 공기 방울을 포함할 수 있다. 입자의 크기는 산란되는 광의 파장에 필적해야만 하고, 수십 나노미터 내지 수 마이크로미터의 범위일 수 있다. 산란층의 두께는 1 미만의 마이크로미터 내지 수 마이크로미터일 수 있다. 매트릭스의 입자의 두께 및 부하량은 임의의 OLED 장치로부터의 최적의 광 추출을 달성하도록 최적화될 필요가 있다. 표면상의 조직 또는 미세구조물을 갖는 산란층의 경우, 조직 또는 미세구조물이 마이크로-렌즈일 수 있거나 이들은 산란될 파장에 필적하는 깊이 및 크기의 규칙적 또는 불규칙한 구조물일 수 있다. 이러한 표면 특징은 산란층이 피복되면서 형성될 수 있거나, 산란층을 피복한 후, 엠보싱가공할 수 있다. 표면 산란 특징부를 갖는 산란층은 개별적으로 제조되어 OLED 장치상에 적층될 수 있다.
저 굴절률 아이솔레이션층
저 굴절률 아이솔레이션층은 내부 전반사 및 광 트랩화 영향을 사용하는 반사층에 의해 광의 흡수를 감소시키기 위해 사용된다. 이는 반사층과 OLED 장치의 나머지 층 사이에 배치된다. 유기 EL 소자는 다수의 층을 포함할 수 있지만 일반적으로 이러한 모든 층은 반사에 대해 높은 굴절률을 갖는다. 가장 일반적인 물질은 약 1.7 이상의 굴절률을 갖고, 따라서 아이솔레이션층은 약 1.55 이하의 굴절률을 가질 필요가 있다. 저 굴절률의 아이솔레이션층은 중합체 층일 수 있고 바람직하게 광 중합체 층일 수 있다. 저 굴절률 아이솔레이션층은 이로서 한정하는 것은 아니지만 MgF2, NaF, KF, Bi2S3, Na5Al3F14 등을 포함한 무기 층일 수도 있다.
정공 주입층(HIL)
애노드와 정공-수송층 사이의 정공 주입층을 제공하는 것도 유용하다. 정공 주입 물질은 후속적인 유기 층의 필름 형성 특성을 개선시키고 정공 수송층으로의 정공의 주입을 용이하게 하는 작용을 할 수 있다. 정공 주입층에서 사용하기 위한 적당한 물질로는, 이로서 한정하는 것은 아니지만, 일반적으로 양도된 미국 특허 제 4,720,432 호에서 개시되는 바와 같은 포르피린계 화합물 및 일반적으로 양도된 미국 특허 제 6,208,075 호에서 개시한 바와 같은 플라즈마 침적된 불화탄소 중합체를 들 수 있다. 유기 EL 장치에서 유용한 것으로 보고된 대체 정공 주입 물질은 유럽 특허 제 0 890 121 A1 및 유럽 특허 제 1 029 909 A1에 개시된다.
정공 수송층(HTL)
정공 수송층은 방향족 3급 아민과 같은 하나 이상의 정공-수송 화합물을 함유하고, 여기서 방향족 3급 아민은 방향족 고리의 구성원중 하나 이상이 탄소 원자에만 결합된 하나 이상의 3가 질소 원자를 함유하는 화합물로 이해될 수 있다. 한가지 형태로서, 방향족 3급 아민은 아릴아민, 예를 들어 모노아릴아민, 디아릴아민, 트리아릴아민, 또는 중합체 아릴아민일 수 있다. 예시적인 단량체 트리아릴아민은 클룹퍼(Klupfer) 등의 미국 특허 제 3,180,730 호에 예시되어 있다. 하나 이상의 비닐 라디칼로 치환되고/치환되거나 하나 이상의 활성 수소 함유 기를 포함하는 기타 적당한 트리아릴아민은 일반적으로 양도된 브랜틀리(Brantley) 등의 미국 특허 제 3,567,450 호 및 미국 특허 제 3,658,520 호에서 개시되어 있다.
보다 바람직한 부류의 방향족 3급 아민은 일반적으로 양도된 미국 특허 제 4,720,432 호 및 미국 특허 제 5,061,569 호에서 기술한 바와 같은 2개 이상의 방 향족 3급 아민 잔기를 포함하는 화합물을 들 수 있다. 정공-수송층은 방향족 3급 아민 화합물 단독 또는 혼합물로서 형성될 수 있다.
유용한 방향족 3급 아민의 예는 하기와 같다:
1,1-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)사이클로헥산;
1,1-비스(4-디-p-톨릴아미노페닐)-4-페닐사이클로헥산;
4,4'-비스(디페닐아미노)쿼드릴페닐;
비스(4-디메틸아미노-2-메틸페닐)-페닐메탄;
N,N,N-트리(p-톨릴)아민;
4-(디-p-톨릴아미노)-4'-[4(디-p-톨릴아미노)-스티릴]스틸벤;
N,N,N',N'-테트라-p-톨릴-4,4'-디아미노비페닐;
N,N,N',N'-테트라페닐-4,4'-디아미노비페닐;
N,N,N',N'-테트라-1-나프틸-4,4'-디아미노비페닐;
N,N,N',N'-테트라-2-나프틸-4,4'-디아미노비페닐;
N-페닐카바졸;
4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐;
4,4'-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]비페닐;
4,4"-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]p-터페닐;
4,4'-비스[N-(2-나프틸)-N-페닐아미노]비페닐;
4,4'-비스[N-(3-아세나프테닐)-N-페닐아미노]비페닐;
1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌;
4,4'-비스[N-(9-안트릴)-N-페닐아미노]비페닐;
4,4"-비스[N-(1-안트릴)-N-페닐아미노]-p-터페닐;
4,4'-비스[N-(2-페난트릴)-N-페닐아미노]비페닐;
4,4'-비스[N-(8-플루오르안테닐)-N-페닐아미노]비페닐;
4,4'-비스[N-(2-피레닐)-N-페닐아미노]비페닐;
4,4'-비스[N-(2-나프타세닐)-N-페닐아미노]비페닐;
4,4'-비스[N-(2-페릴레닐)-N-페닐아미노]비페닐;
4,4'-비스[N-(1-코로네닐)-N-페닐아미노]비페닐;
2,6-비스(디-p-톨릴아미노)나프탈렌;
2,6-비스[디-(1-나프틸)아미노]나프탈렌;
2,6-비스[N-(1-나프틸)-N-(2-나프틸)아미노]나프탈렌;
N,N,N',N'-테트라(2-나프틸)-4,4"-디아미노-p-터페닐;
4,4'-비스{N-페닐-N-[4-(1-나프틸)-페닐]아미노}비페닐;
4,4'-비스[N-페닐-N-(2-피레닐)아미노]비페닐;
2,6-비스[N,N-디(2-나프틸)아민]플루오렌;
1,5-비스[N-(1-나프틸)-N-페닐아미노]나프탈렌.
다른 부류의 유용한 정공 수송 물질로는 유럽 특허 제 1 009 041 호에서 개시된 바와 같은 다환식 방향족 화합물을 들 수 있다. 추가로, 중합체 정공-수송 물질, 예를 들어 폴리(N-비닐카바졸)(PVK), 폴리티오펜, 폴리피롤, 폴리아닐린, 및 PEDOT/PSS로 지칭되는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)/폴리(4-스티렌설포네이트)와 같은 공중합체가 사용될 수 있다.
발광층(LEL)
일반적으로 양도된 미국 특허 제4,769,292호 및 미국 특허 제5,935,721호에서 충분히 설명하는 바와 같이, 유기 EL 소자(30)의 발광층(LEL)은 발광물질 또는 형광물질을 포함하며, 여기서 전기 발광은 이러한 영역에서 전자-정공 재조합의 결과로서 발생한다. 발광층은 단일 물질을 포함할 수 있지만, 보다 일반적으로는 임의의 색상일 수 있는 게스트 화합물(들)로 도핑된 호스트 물질로 구성되며, 이때 발광은 주로 도판트로부터 발생한다. 발광층의 호스트 물질은 전술한 바와 같은 전자-수송 물질, 전술한 바와 같은 정공-수송 물질, 또는 정공-전자 재조합을 지지하는 기타 물질 또는 물질의 혼합물을 들 수 있다. 도판트는 일반적으로 인광 화합물 이외의 고도의 형광 염료, 예를 들어 국제특허 공개공보 제 WO98/55561 호, 제 WO 00/18851 호, 제 WO 00/57676 호, 및 제 WO 00/70655 호에서 개시한 전이 금속 착물도 유용하다. 도판트는 호스트 물질에서 0.01 내지 10중량%의 양으로 전형적으로 피복된다. 폴리플루오렌 및 폴리비닐아릴렌과 같은 중합체 물질(예를 들어, 폴리(p-페닐렌비닐렌), PPV)은 호스트 물질로서 사용될 수 있다. 이러한 경우, 작은 분자 도판트는 분자적으로 중합체 호스트에 분산될 수 있거나 도판트는 소량의 구성성분을 호스트 중합체로 공중합시킴으로서 첨가될 수 있다.
도판트로서 염료를 선택하기 위한 중요한 관계는, 분자의 최고 점유 분자 오비탈과 최저 비점유 분자 오비탈 사이의 에너지 차로서 정의되는 밴드갭 포텐셜(bandgap potential)의 비교이다. 호스트로부터 도판트 분자로의 충분한 에너지 전달을 위한 필요 조건은, 도판트의 밴드갭이 호스트 물질의 밴드갭 보다 작아야 한다.
유용한 것으로 공지된 호스트 및 방출 분자는, 이로서 한정하는 것은 아니지만, 일반적으로 양도된 미국 특허 제 4,768,292 호, 미국 특허 제 5,141,671 호, 미국 특허 제 5,150,006 호, 미국 특허 제 5,151,629 호, 미국 특허 제 5,405,709호, 미국 특허 제 5,484,922호, 미국 특허 제 5,593,788 호, 미국 특허 제 5,645,948 호, 미국 특허 제 5,683,823 호, 미국 특허 제 5,755,999 호, 미국 특허 제 5,928,802 호, 미국 특허 제 5,935,720 호, 미국 특허 제 5,935,721 호, 및 미국 특허 제 6,020,078 호에 개시된 것을 들 수 있다.
8-하이드록시퀴놀린(옥신)의 금속 착체 및 유사한 유도체는 전기발광을 지지할 수 있는 유용한 호스트 화합물의 부류를 포함한다. 유용한 킬레이트화 옥시노이드 화합물의 예로는 하기 화합물을 들 수 있다.
CO-1: 알루미늄 트리스옥신[일명, 트리스(8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)];
CO-2: 마그네슘 비스옥신[일명, 비스(8-퀴놀리놀라토)마그네슘(II)];
CO-3: 비스[벤조{f}-8-퀴놀리놀라토]아연(II);
CO04: 비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)-μ-옥소-비스(2-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III);
CO-5: 인듐 트리스옥신[일명, 트리스(8-퀴놀리놀라토)인듐];
CO-6: 알루미늄 트리스(5-메틸옥신)[일명, 트리스(5-메틸-8-퀴놀리놀라토)알루미늄(III)];
CO-7: 리튬 옥신[일명, (8-퀴놀리놀라토)리튬(I)];
CO-8: 갈륨 옥신[일명, 트리스(8-퀴놀리놀라토)갈륨(III)];
CO-9: 지르코늄 옥신[일명, 테트라(8-퀴놀리놀라토)지르코늄(IV)].
유용한 호스트 물질의 다른 부류로는, 이로서 한정하는 것은 아니지만, 안트라센의 유도체, 예를 들어 9, 10-디-(2-나프틸)안트라센 및 그의 유도체, 미국 특허 제 5,121,029 호에서 개시된 바와 같은 디스티릴아릴렌 유도체, 및 벤즈아졸 유도체, 예를 들어 2,2',2"-(1,3,5-페닐렌)트리스[1-페닐-1H-벤즈이미다졸]을 들 수 있다.
유용한 형광 도판트는, 이로서 한정하는 것은 아니지만, 안트라센의 유도체, 테트라센, 크산텐, 페릴렌, 루브렐, 큐마린, 로다민, 퀴나크리돈, 디시아노메틸렌피란 화합물, 티오피란 화합물, 폴리메틴 화합물, 피리리움 및 티아피리륨 화합물, 플루오렌 유도체, 페리플란텐 유도체 및 카보스티릴 화합물의 유도체를 들 수 있다.
전자-수송층(ETL)
본 발명의 유기 EL 소자의 전자-수송층을 형성하는데 사용하기 위한 바람직한 박막 형성 물질은 금속 킬레이트화 옥시노이드 화합물, 예를 들어 옥신 그 자체의 킬레이트(8-퀴놀리놀 또는 8-하이드록시퀴놀린으로 일반적으로 지칭됨)이다. 이러한 화합물은 전자를 주입 및 수송하고, 높은 수준의 성능을 나타내고, 박막형으로 용이하게 제조하는 것을 보조한다. 예시된 옥시노이드 화합물은 전술한 바와 같다.
기타 전자-수송 물질로는 일반적으로 양도된 미국 특허 제 4,356,429호에서 개시한 바와 같은 다양한 부타디엔 유도체 및 일반적으로 양도된 미국 특허 제 4,539,507호에서 개시한 바와 같은 다양한 헤테로사이클릭 광학 증백제를 들 수 있다. 벤즈아졸 및 트리아진은 또한 전자 수송 물질로서 유용하다.
일부 경우에, 발광층 및 전자 수송층은 선택적으로 발광 및 전자 수송 둘다를 지지할 수 있는 작용을 하는 단일 층으로 정리될 수 있다. 이러한 층은 작은 분자 OLED 시스템 및 중합체 OLED 시스템 둘다로 분류될 수 있다. 예를 들어, 중합체 시스템에서, PPV와 같은 중합체 발광층을 갖는 PEDOT-PSS와 같은 정공-수송층을 사용하는 것이 일반적이다. 이러한 시스템에서, PPV는 발광 및 전자 수송의 작용을 수행한다.
전자 주입층
본원에서 참고로 인용하는 미국 특허 제 5,608,287 호, 미국 특허 제 5,776,622 호, 미국 특허 제 5,776,623 호, 미국 특허 제 6,137,223 호, 및 미국 특허 제 6,140,763 호에서 개시한 것을 포함한 전자 주입층을 사용할 수 있다.
캐쏘드
캐쏘드 층은 외부 전원으로부터 OLED 장치로 작동 전류를 운송하는 충분한 전도성을 갖는 층 또는 층의 적층물이다. 캐쏘드 층의 시이트 저항은 100 옴/스퀘어 이하이어야 한다. 본 발명에 따른 캐쏘드 층은 주목하는 방출에 대해 고도로 반사성이거나 실질적으로 투명해야만 한다. 고도로 반사성인 캐쏘드용 물질은 Ag, Ag계 합금 또는 Al를 포함한 목록중에서 선택될 수 있다. 이러한 물질은 흡수 손실이 감소된 산란층과 함께 본 발명에서 사용되도록 하는 대부분의 다른 물질에 비해 높은 반사성을 갖는다. 이러한 물질중에서, 순수한 Ag 및 90% 초과의 Ag를 포함하는 Ag계 합금이 이들의 예외적인 높은 반사성으로 인해 바람직하다. 투명 캐쏘드에 있어서, 사용된 물질이 덜 흡수성일수록 OLED 장치는 보다 효율적이다. 일반적인 지침으로서, 굴절률의 가상 파트(k)는 바람직하게 0.02 미만이다. 본 발명에서 사용될 수 있는 일반적인 투명 캐쏘드 물질은 인듐-주석 옥사이드(ITO), 인듐-아연 옥사이드(IZO), 아연-주석 옥사이드(ZTO) 및 주석 옥사이드일 수 있지만, 알루미늄- 또는 인듐-도핑된 아연 옥사이드, 마그네슘-인듐 옥사이드, 및 니켈-텅스텐 옥사이드를 비롯한(이로서 한정하는 것은 아님) 다른 금속 옥사이드 또한 사용할 수 있다. 이러한 옥사이드 이외에, 금속 니트라이드, 예를 들어 갈륨 니트라이드, 및 금속 세레나이드, 예를 들어 아연 세레나이드 및 금속 설파이드, 예를 들어 아연 설파이드를 캐쏘드로서 사용할 수 있다. Au, Ag, 또는 Cu와 같은 금속 박막과 ZnS, TiO2, ITO 등과 같은 고 굴절률의 투명 물질의 샌드위치가 사용될 수 있다. 적당한 물질 및 두께가 사용되는 경우, 광의 총 흡광도는 5% 미만일 수 있다. 전형적인 캐쏘드 물질은 4.1eV 이하의 일함수를 갖는다. 그러나, 효율적인 개개의 정공-주입층에 의해, 애노드의 일 함수는 덜 중요해지고 거의 임의의 모든 값을 취할 수 있다. 선택적으로 투명한 캐쏘드는 미국 특허 제 4,885,211 호, 미국 특허 제 5,247,190 호, 일본 특허 제 3,234,963 호, 일본 특허 제 5,703,436 호, 일본 특허 제 5,608,287 호, 일본 특허 제 5,837,391 호, 일본 특허 제 5,677,572호, 일본 특허 제 5,776,622 호, 일본 특허 제 5,776,623 호, 일본 특허 제 5,714,838호, 일본 특허 제 5,969,474 호, 일본 특허 제 5,739,545호, 일본 특허 제 5,981,306호, 일본 특허 제 6,137,223 호, 일본 특허 제 6,140,763 호, 일본 특허 제 6,172,459호, 유럽 특허 제 1 076 368 호 및 미국 특허 제 6,278,236 호에 보다 상세하게 설명되어 있다. 캐쏘드 물질은 전형적으로 증착, 스퍼터링 또는 화학 증착에 의해 침적된다. 필요한 경우, 패턴화는 이로서 한정하는 것은 아니지만 마스크를 통한 침적(through-mask deposition), 일반적으로 양도된 미국 특허 제 5,276,380호 및 유럽특허 제 0 732 868 호에서 기술한 바와 같은 일체형 새도우 마스킹, 레이저 연마 및 선택적인 화학 증착을 비롯한 다수의 공지된 방법으로 달성될 수 있다.
유기 층의 침적
상기에 언급한 유기 물질은 승화와 같은 기상 방법에 의해 적절히 증착되지만, 제막을 개선시키기 위해, 예를 들어 선택적 결합제를 포함하는 용매로부터의 방법과 같이 유체로부터 침적될 수 있다. 상기 물질이 중합체인 경우, 용매 침적이 유용하지만, 예를 들어 공여체 시이트로부터의 열 전달 또는 스퍼터링과 같은 다른 방법이 사용될 수 있다. 승화에 의해 침적되는 물질은, 예를 들어 일반적으로 양도된 미국 특허 제 6,237,529 호에 기술된 탄탈 물질로 종종 구성된 승화기 "보트(boat)"로부터 증발되거나, 먼저 도너 시이트상에 코팅되고, 이어서 기판의 보다 근접한 곳에서 승화될 수 있다. 물질의 혼합물을 갖는 층은 각각의 승화기 보트를 이용하거나, 상기 물질을 예비 혼합시키고 단일 보트 또는 도너 시이트로부터 코팅시킬 수 있다. 패턴화된 침적은 새도우 마스크, 통합 새도우 마스크(일반적으로 양도된 미국 특허 제 5,294,870 호), 도너 시이트로부터의 공간 제한 열적 염료 운송(일반적으로 양도된 미국 특허 제 5,851,709 호 및 미국 특허 제 6,066,357 호) 및 잉크젯 방법(일반적으로 양도된 미국 특허 제 6,066,357 호)을 사용함으로써 달성될 수 있다.
캡슐화
대부분의 OLED 장치는 습도 및/또는 산소에 민감하므로 질소 또는 아르곤과 같은 비활성 분위기에서 알루미나, 보크사이트, 황산칼슘, 점토, 실리카 겔, 제올라이트, 산화알칼리금속, 산화알칼리토금속, 황산염 또는 활로겐화금속 및 과염소산염과 같은 건조제와 함께 일반적으로 밀봉된다. 캡슐화 및 건조를 위한 방법은 일반적으로 양도된 미국 특허 제 6,226,890 호에 기술된 방법을 포함하지만 이에 한정되지 않는다. 추가로, SiOx, 테프론, 및 선택적인 무기/중합체 층과 같은 차단층은 캡슐화를 위해 당 업계에 공지되어 있다.
기계적 보호
OLED 장치는 기계적 손상에 노출되기 쉬운 박막 장치이고 취급 및 사용 도중 보호될 필요가 있다. 종종, 캡슐화를 위한 방법은 기계적 보호를 제공한다. 일부 경우, 유리, 플라스틱 또는 다른 물질의 고형판이 접착제에 의해 OLED 장치의 활성 표면에 부착된다. 다른 경우, 보호층은 OLED 장치의 상부 표면에 침적된다. 고형판 또는 침적된 보호층은 본원에서 선택적인 보호층(28)으로서 지칭된다. 특히 상 부 방출형 장치에 있어서, 고형판은 방출된 광에 대해 투명할 필요가 있고 OLED 장치의 광학 구조의 일부가 된다.
광학 최적화
본 발명의 OLED 장치는 요구되는 경우 그의 특성을 개선시키기 위해서 다양한 공지된 광학 효과를 사용하는 다수의 OLED 장치를 사용한다. 이는 최대 광 투과성을 수득하기 위해 층 두께를 최적화하는 것, 유전성 거울 구조물을 제공하는 것, 반사성 전극을 광-흡수 전극과 대체하는 것, 디스플레이에 눈부심 방지 또는 반사 방지 코팅을 제공하는 것, 디스플레이상에 편극화 매질을 제공하는 것, 또는 디스플레이상에 착색, 중성 밀도 또는 색상 전환 필터를 제공하는 것을 들 수 있다. 필터, 편광판 및 눈부심 방지 또는 반사 방지 코팅이 특히 커버 전체 또는 커버의 일부로서 제공될 수 있다.
본 발명에 따라 광 추출 효율이 개선된 OLED 장치가 제공되었다.

Claims (8)

  1. (a) 투명 기판;
    (c) 상기 투명기판상에 배치된 제 1 투명 전극 층;
    (d) 상기 제 1 투명 전극 층에 배치된 것으로 광을 생산하는 하나 이상의 발광층 이외에 하나 이상의 유기 층을 포함하는 유기 EL 소자; 및
    (e) 상기 유기 EL 소자에 배치된 제 2 투명 전극 층; 그리고
    (b) 상기 투명 기판과 상기 제 1 투명 전극 사이에 배치되어 상기 유기 EL소자에서 발생된 광을 모든 방향으로 산란하는 광 산란층을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 광 추출(light extraction) OLED 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 제 2 투명 전극 층에 배치된 반사체 층을 더 구비함을 특징으로 하는 개선된 광 추출 OLED 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 발광층보다 낮은 굴절률을 갖는 저 굴절률 아이솔레이션층(isolation layer)이 제 2 투명 전극 층과 반사체 층 사이에 더 배치됨을 특징으로 하는 개선된 광 추출 OLED 장치.
  4. 제 1 항에 있어서,
    상기 광 산란층이 매트릭스에 분산된 광 산란 입자를 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 광 추출 OLED 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 매트릭스가 상기 발광층의 굴절률의 0.9배 이상인 굴절률을 갖는 것을 특징으로 하는 개선된 광 추출 OLED 장치.
  6. (a) 투명 기판;
    (b) 상기 투명 기판의 제1면에 배치된 제 1 투명 전극 층;
    (c) 상기 제 1 전극 층에 배치된 것으로 광을 생산하는 하나 이상의 발광층 이외에 하나 이상의 유기 층을 포함하는 유기 EL 소자;
    (d) 상기 유기 EL 소자에 배치된 제 2 투명 전극 층; 및
    (e) 상기 제 2 투명 전극 층에 배치되어 상기 유기 EL 소자에서 발생된 광을 모든 방향으로 산란하는 광 산란층을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 광 추출 OLED 장치.
  7. (a) 기판;
    (b) 상기 기판의 제1면에 배치된 반사체 층;
    (d)상기 반사층 상에 배치된 제 1 투명 전극 층;
    (e) 상기 제 1 투명 전극 층에 배치된 것으로 광을 생산하는 하나 이상의 발광층 이외에 하나 이상의 유기 층을 포함한 유기 EL 소자;
    (f) 상기 유기 EL 소자에 배치된 제 2 투명 전극 층; 및
    (c) 상기 반사체 층과 상기 제 1 투명 전극 층 사이에 배치되어 상기 유기 EL 소자에서 발생된 광을 모든 방향으로 산란하는 광 산란층을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 광 추출 OLED 장치.
  8. (a) 기판;
    (b) 상기 기판의 제1면에 배치된 반사체 층;
    (c) 상기 반사체 층에 배치된 제 1 투명 전극 층;
    (d) 상기 제 1 투명 전극 층에 배치된 것으로 광을 생산하는 하나 이상의 발광층 이외에 하나 이상의 유기 층을 포함하는 유기 EL 소자;
    (e) 상기 유기 EL 소자에 배치된 제 2 투명 전극 층; 및
    (f) 상기 제 2 투명 전극 층에 배치되어 상기 유기 EL 소자에서 발생된 광을 모든 방향으로 산란하는 광 산란층을 포함하는 것을 특징으로 하는 개선된 광 추출 OLED 장치.
KR1020030068230A 2002-10-01 2003-10-01 개선된 광 추출 효율을 갖는 유기 발광 장치 KR101011158B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US10/261,520 US6965197B2 (en) 2002-10-01 2002-10-01 Organic light-emitting device having enhanced light extraction efficiency
US10/261,520 2002-10-01

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20040030359A KR20040030359A (ko) 2004-04-09
KR101011158B1 true KR101011158B1 (ko) 2011-01-26

Family

ID=31993538

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020030068230A KR101011158B1 (ko) 2002-10-01 2003-10-01 개선된 광 추출 효율을 갖는 유기 발광 장치

Country Status (7)

Country Link
US (1) US6965197B2 (ko)
EP (1) EP1406474B1 (ko)
JP (1) JP4685340B2 (ko)
KR (1) KR101011158B1 (ko)
CN (1) CN1498046A (ko)
DE (1) DE60301466T2 (ko)
TW (1) TWI301388B (ko)

Families Citing this family (226)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US8093823B1 (en) * 2000-02-11 2012-01-10 Altair Engineering, Inc. Light sources incorporating light emitting diodes
US7049761B2 (en) 2000-02-11 2006-05-23 Altair Engineering, Inc. Light tube and power supply circuit
JP4315701B2 (ja) * 2003-02-25 2009-08-19 シャープ株式会社 窒化物系ｉｉｉ−ｖ族化合物半導体用電極とその製造方法
WO2004089042A1 (ja) * 2003-03-12 2004-10-14 Mitsubishi Chemical Corporation エレクトロルミネッセンス素子
US8063557B2 (en) * 2003-07-04 2011-11-22 Epistar Corporation Light-emitting device having wavelength-converting materials therewithin
US20050225751A1 (en) * 2003-09-19 2005-10-13 Donald Sandell Two-piece high density plate
US20070015289A1 (en) * 2003-09-19 2007-01-18 Kao H P Dispenser array spotting
US20050280811A1 (en) * 2003-09-19 2005-12-22 Donald Sandell Grooved high density plate
US20050226771A1 (en) * 2003-09-19 2005-10-13 Lehto Dennis A High speed microplate transfer
US7229669B2 (en) * 2003-11-13 2007-06-12 Honeywell International Inc. Thin-film deposition methods and apparatuses
JP2005158373A (ja) * 2003-11-25 2005-06-16 Toyota Industries Corp 発光デバイス及び当該デバイスの製造方法
JP4758889B2 (ja) 2004-03-26 2011-08-31 パナソニック電工株式会社 有機発光素子
TWI367686B (en) * 2004-04-07 2012-07-01 Semiconductor Energy Lab Light emitting device, electronic device, and television device
US7202504B2 (en) 2004-05-20 2007-04-10 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light-emitting element and display device
DE102004025578B4 (de) * 2004-05-25 2009-04-23 Applied Materials Gmbh & Co. Kg Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Flächenelementen und Verwendung dieses Verfahrens
KR100651936B1 (ko) * 2004-06-04 2006-12-06 엘지전자 주식회사 탑 에미션 방식의 유기 ｅｌ 소자 및 그 제조 방법
EP1759428B1 (en) * 2004-06-14 2016-05-18 Philips Intellectual Property & Standards GmbH Led with improved light emission profile
DE102004035965B4 (de) * 2004-07-23 2007-07-26 Novaled Ag Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit zumindest einer organischen Schicht
US7540978B2 (en) 2004-08-05 2009-06-02 Novaled Ag Use of an organic matrix material for producing an organic semiconductor material, organic semiconductor material and electronic component
US8653537B2 (en) 2004-08-13 2014-02-18 Novaled Ag Layer assembly for a light-emitting component
DE102004042461A1 (de) * 2004-08-31 2006-03-30 Novaled Gmbh Top-emittierendes, elektrolumineszierendes Bauelement mit Frequenzkonversionszentren
TWI293012B (en) * 2004-09-22 2008-01-21 Toshiba Matsushita Display Tec Organic el display and method of manufacturing same
JP2006092936A (ja) * 2004-09-24 2006-04-06 Toyota Industries Corp 有機ｅｌ装置
TWI294252B (en) * 2004-09-28 2008-03-01 Toshiba Matsushita Display Tec Display
JP2006100191A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 表示装置及び表示装置の製造方法
DE602004006275T2 (de) 2004-10-07 2007-12-20 Novaled Ag Verfahren zur Dotierung von einem Halbleitermaterial mit Cäsium
KR100653651B1 (ko) 2004-12-02 2006-12-05 한국전자통신연구원 광소자용 구조물 및 그의 제조 방법
JP2006164708A (ja) 2004-12-06 2006-06-22 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 電子機器および発光装置
ATE527705T1 (de) 2004-12-06 2011-10-15 Koninkl Philips Electronics Nv Organische elektrolumineszente lichtquelle
JP2006164808A (ja) * 2004-12-09 2006-06-22 Hitachi Ltd 発光素子，照明装置及びこれを有する表示装置
EP1836737A2 (fr) * 2004-12-21 2007-09-26 Thomson Licensing SAS Diode organique electroluminescente a emission double-face, a couche dielectrique d'extraction de lumiere
KR100611673B1 (ko) * 2005-01-31 2006-08-10 삼성에스디아이 주식회사 박막 형성 방법 및 유기전계발광소자의 제조 방법
US7602118B2 (en) * 2005-02-24 2009-10-13 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
KR100912802B1 (ko) * 2005-02-28 2009-08-18 삼성모바일디스플레이주식회사 전계발광 디스플레이 장치
DE502005002342D1 (de) 2005-03-15 2008-02-07 Novaled Ag Lichtemittierendes Bauelement
US7276848B2 (en) 2005-03-29 2007-10-02 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US7245065B2 (en) * 2005-03-31 2007-07-17 Eastman Kodak Company Reducing angular dependency in microcavity color OLEDs
ATE381117T1 (de) 2005-04-13 2007-12-15 Novaled Ag Anordnung für eine organische leuchtdiode vom pin-typ und verfahren zum herstellen
US20060232195A1 (en) * 2005-04-14 2006-10-19 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
KR100647326B1 (ko) * 2005-05-23 2006-11-23 삼성에스디아이 주식회사 열전자 방출 백라이트 장치
TWI324496B (en) * 2005-05-27 2010-05-01 Au Optronics Corp Organic light-emitting diode and manufacturing method thereof
DE502005009415D1 (de) * 2005-05-27 2010-05-27 Novaled Ag Transparente organische Leuchtdiode
JP2008543074A (ja) * 2005-06-03 2008-11-27 コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ 有機エレクトロルミネッセント光源
EP1739765A1 (de) * 2005-07-01 2007-01-03 Novaled AG Organische Leuchtdiode und Anordnung mit mehreren organischen Leuchtdioden
US20070013293A1 (en) * 2005-07-12 2007-01-18 Eastman Kodak Company OLED device having spacers
US7531955B2 (en) * 2005-07-12 2009-05-12 Eastman Kodak Company OLED device with improved efficiency and robustness
JP2007035550A (ja) * 2005-07-29 2007-02-08 Dainippon Printing Co Ltd エレクトロルミネッセンス素子用基板
DE502005005126D1 (de) * 2005-08-11 2008-10-02 Novaled Ag Verfahren zum Herstellen eines top-emittierenden Bauteils sowie Verwendung
US7586245B2 (en) * 2005-08-29 2009-09-08 Osram Opto Semiconductors Gmbh Using prismatic microstructured films for image blending in OLEDS
US7719182B2 (en) * 2005-09-22 2010-05-18 Global Oled Technology Llc OLED device having improved light output
US7548021B2 (en) * 2005-09-22 2009-06-16 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
JP4769068B2 (ja) * 2005-09-22 2011-09-07 パナソニック電工株式会社 有機発光素子及びその製造方法
US7402951B2 (en) 2005-09-27 2008-07-22 Eastman Kodak Company OLED device having improved contrast
US7420323B2 (en) * 2005-10-31 2008-09-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Electroluminescent apparatus having a structured luminescence conversion layer
US7321193B2 (en) 2005-10-31 2008-01-22 Osram Opto Semiconductors Gmbh Device structure for OLED light device having multi element light extraction and luminescence conversion layer
US8330348B2 (en) * 2005-10-31 2012-12-11 Osram Opto Semiconductors Gmbh Structured luminescence conversion layer
US20070103056A1 (en) * 2005-11-08 2007-05-10 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US7508130B2 (en) * 2005-11-18 2009-03-24 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
US7710026B2 (en) 2005-12-08 2010-05-04 Global Oled Technology Llc LED device having improved output and contrast
US7466075B2 (en) * 2005-12-08 2008-12-16 Eastman Kodak Company OLED device having improved output and contrast with light-scattering layer and contrast-enhancement layer
EP1806795B1 (de) 2005-12-21 2008-07-09 Novaled AG Organisches Bauelement
EP1804309B1 (en) 2005-12-23 2008-07-23 Novaled AG Electronic device with a layer structure of organic layers
EP1804308B1 (en) * 2005-12-23 2012-04-04 Novaled AG An organic light emitting device with a plurality of organic electroluminescent units stacked upon each other
EP1808909A1 (de) * 2006-01-11 2007-07-18 Novaled AG Elekrolumineszente Lichtemissionseinrichtung
JP4791827B2 (ja) * 2006-01-13 2011-10-12 東芝モバイルディスプレイ株式会社 有機ｅｌ表示装置
US7791271B2 (en) * 2006-02-24 2010-09-07 Global Oled Technology Llc Top-emitting OLED device with light-scattering layer and color-conversion
US20070201056A1 (en) * 2006-02-24 2007-08-30 Eastman Kodak Company Light-scattering color-conversion material layer
US7564063B2 (en) * 2006-03-23 2009-07-21 Eastman Kodak Company Composite electrode for light-emitting device
US7417370B2 (en) * 2006-03-23 2008-08-26 Eastman Kodak Company OLED device having improved light output
EP1848049B1 (de) 2006-04-19 2009-12-09 Novaled AG Lichtemittierendes Bauelement
JP4736952B2 (ja) * 2006-05-25 2011-07-27 パナソニック電工株式会社 両面発光パネル式照明器具
US20080012471A1 (en) * 2006-06-29 2008-01-17 Eastman Kodak Company Oled device having improved light output
TWI312531B (en) * 2006-06-30 2009-07-21 Nat Taiwan Universit Photoelectric device and fabrication method thereof
WO2008033388A2 (en) 2006-09-12 2008-03-20 Qd Vision, Inc. A composite including nanoparticles, methods, and products including a composite
DE102006046196A1 (de) * 2006-09-29 2008-04-03 Osram Opto Semiconductors Gmbh Leuchtmittel
JP2008117742A (ja) * 2006-11-07 2008-05-22 Micro System:Kk 円筒型有機ｅｌ照明器
US7521862B2 (en) * 2006-11-20 2009-04-21 Philips Lumileds Lighting Co., Llc Light emitting device including luminescent ceramic and light-scattering material
CN101192478B (zh) * 2006-12-01 2010-08-11 深圳富泰宏精密工业有限公司 背光键盘
KR101213487B1 (ko) 2006-12-04 2012-12-20 삼성디스플레이 주식회사 광추출효율이 향상된 유기전계 발광소자
DE102006059509B4 (de) * 2006-12-14 2012-05-03 Novaled Ag Organisches Leuchtbauelement
US8174187B2 (en) * 2007-01-15 2012-05-08 Global Oled Technology Llc Light-emitting device having improved light output
US7564067B2 (en) * 2007-03-29 2009-07-21 Eastman Kodak Company Device having spacers
US20080238297A1 (en) * 2007-03-29 2008-10-02 Masuyuki Oota Organic el display and method of manufacturing the same
DE102007019260B4 (de) 2007-04-17 2020-01-16 Novaled Gmbh Nichtflüchtiges organisches Speicherelement
US7560747B2 (en) * 2007-05-01 2009-07-14 Eastman Kodak Company Light-emitting device having improved light output
WO2008135891A1 (en) * 2007-05-02 2008-11-13 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Organic light emitting diode device
US7911133B2 (en) * 2007-05-10 2011-03-22 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
US7902748B2 (en) * 2007-05-31 2011-03-08 Global Oled Technology Llc Electroluminescent device having improved light output
US7982396B2 (en) * 2007-06-04 2011-07-19 Global Oled Technology Llc Light-emitting device with light-scattering particles and method of making the same
US7825570B2 (en) * 2007-06-11 2010-11-02 Global Oled Technology Llc LED device having improved contrast
JP2008310974A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Casio Comput Co Ltd 表示装置及びその製造方法
US8179034B2 (en) 2007-07-13 2012-05-15 3M Innovative Properties Company Light extraction film for organic light emitting diode display and lighting devices
JP2009032553A (ja) * 2007-07-27 2009-02-12 Casio Comput Co Ltd 表示装置
DE102007050876A1 (de) * 2007-09-26 2009-04-09 Osram Opto Semiconductors Gmbh Optoelektronisches Bauteil
DE102007054037A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-02 Osram Opto Semiconductors Gmbh Beleuchtungseinrichtung, Leuchte und Anzeigevorrichtung
US20100285241A1 (en) * 2007-10-22 2010-11-11 ApplliFlex LLC Laser deposition of nanocomposite films
JP2009111023A (ja) * 2007-10-26 2009-05-21 Toshiba Matsushita Display Technology Co Ltd 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
DE102007059732B4 (de) * 2007-12-12 2020-11-12 Pictiva Displays International Limited Lichtemittierende Vorrichtung
US8118447B2 (en) 2007-12-20 2012-02-21 Altair Engineering, Inc. LED lighting apparatus with swivel connection
US7712918B2 (en) 2007-12-21 2010-05-11 Altair Engineering , Inc. Light distribution using a light emitting diode assembly
WO2009107226A1 (ja) * 2008-02-29 2009-09-03 有限会社マイクロシステム 筒型有機ｅｌ照明器
TWI470787B (zh) 2008-03-31 2015-01-21 Japan Display Inc 有機ｅｌ顯示裝置及其製造方法
US8360599B2 (en) 2008-05-23 2013-01-29 Ilumisys, Inc. Electric shock resistant L.E.D. based light
JP5568224B2 (ja) * 2008-07-04 2014-08-06 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機エレクトロルミネッセンス素子
US7976196B2 (en) 2008-07-09 2011-07-12 Altair Engineering, Inc. Method of forming LED-based light and resulting LED-based light
US7946729B2 (en) 2008-07-31 2011-05-24 Altair Engineering, Inc. Fluorescent tube replacement having longitudinally oriented LEDs
DE102008036063B4 (de) * 2008-08-04 2017-08-31 Novaled Gmbh Organischer Feldeffekt-Transistor
DE102008036062B4 (de) 2008-08-04 2015-11-12 Novaled Ag Organischer Feldeffekt-Transistor
US8674626B2 (en) 2008-09-02 2014-03-18 Ilumisys, Inc. LED lamp failure alerting system
US8256924B2 (en) 2008-09-15 2012-09-04 Ilumisys, Inc. LED-based light having rapidly oscillating LEDs
JP4775863B2 (ja) * 2008-09-26 2011-09-21 東芝モバイルディスプレイ株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
US8444292B2 (en) 2008-10-24 2013-05-21 Ilumisys, Inc. End cap substitute for LED-based tube replacement light
US8324817B2 (en) 2008-10-24 2012-12-04 Ilumisys, Inc. Light and light sensor
US8653984B2 (en) 2008-10-24 2014-02-18 Ilumisys, Inc. Integration of LED lighting control with emergency notification systems
US8901823B2 (en) 2008-10-24 2014-12-02 Ilumisys, Inc. Light and light sensor
US7938562B2 (en) 2008-10-24 2011-05-10 Altair Engineering, Inc. Lighting including integral communication apparatus
US8214084B2 (en) 2008-10-24 2012-07-03 Ilumisys, Inc. Integration of LED lighting with building controls
US7957621B2 (en) 2008-12-17 2011-06-07 3M Innovative Properties Company Light extraction film with nanoparticle coatings
JP4775865B2 (ja) * 2009-01-14 2011-09-21 東芝モバイルディスプレイ株式会社 有機ｅｌ表示装置及びその製造方法
US8556452B2 (en) 2009-01-15 2013-10-15 Ilumisys, Inc. LED lens
US8362710B2 (en) 2009-01-21 2013-01-29 Ilumisys, Inc. Direct AC-to-DC converter for passive component minimization and universal operation of LED arrays
US8664880B2 (en) 2009-01-21 2014-03-04 Ilumisys, Inc. Ballast/line detection circuit for fluorescent replacement lamps
JP2010170969A (ja) * 2009-01-26 2010-08-05 Asahi Glass Co Ltd 電極付き基板、その製造方法、有機ｌｅｄ素子およびその製造方法
FR2944148B1 (fr) * 2009-04-02 2012-03-02 Saint Gobain Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour dispositif a diode electroluminescente organique et structure a surface texturee obtenue par ce procede
FR2944146B1 (fr) * 2009-04-02 2011-11-11 Saint Gobain Procede de fabrication d'une structure a surface texturee pour un dispositif a diode electroluminescente organique, et structure a surface texturee pour oled
US8330381B2 (en) 2009-05-14 2012-12-11 Ilumisys, Inc. Electronic circuit for DC conversion of fluorescent lighting ballast
US8299695B2 (en) 2009-06-02 2012-10-30 Ilumisys, Inc. Screw-in LED bulb comprising a base having outwardly projecting nodes
DE102009025123A1 (de) 2009-06-16 2010-12-23 Osram Opto Semiconductors Gmbh Strahlungsemittierende Vorrichtung
WO2011005579A2 (en) 2009-06-23 2011-01-13 Altair Engineering, Inc. Illumination device including leds and a switching power control system
WO2011010582A1 (ja) * 2009-07-23 2011-01-27 コニカミノルタホールディングス株式会社 シート状構造体とその製造方法およびそれを用いた面発光体
US20110108812A1 (en) * 2009-11-06 2011-05-12 Shiro Sumita Organic el device
JP2011113736A (ja) * 2009-11-25 2011-06-09 Toshiba Mobile Display Co Ltd 有機ｅｌ装置及びその製造方法
JP5731830B2 (ja) * 2010-01-19 2015-06-10 パナソニック株式会社 面状発光装置
FR2956468B1 (fr) * 2010-02-15 2015-07-10 Valeo Vision Dispositif optique, notamment pour vehicule automobile
CA2794512A1 (en) 2010-03-26 2011-09-29 David L. Simon Led light tube with dual sided light distribution
US8540401B2 (en) 2010-03-26 2013-09-24 Ilumisys, Inc. LED bulb with internal heat dissipating structures
US8541958B2 (en) 2010-03-26 2013-09-24 Ilumisys, Inc. LED light with thermoelectric generator
EP2383817A1 (en) 2010-04-29 2011-11-02 Nederlandse Organisatie voor toegepast -natuurwetenschappelijk onderzoek TNO Light-emitting device and method for manufacturing the same
US8334952B2 (en) * 2010-05-06 2012-12-18 Au Optronics Corp. 2D and 3D switchable display device
CN102906488B (zh) * 2010-05-28 2016-03-16 皇家飞利浦电子股份有限公司 光束整形光学堆叠、光源以及灯具
US8454193B2 (en) 2010-07-08 2013-06-04 Ilumisys, Inc. Independent modules for LED fluorescent light tube replacement
CA2803267A1 (en) 2010-07-12 2012-01-19 Ilumisys, Inc. Circuit board mount for led light tube
US8469551B2 (en) * 2010-10-20 2013-06-25 3M Innovative Properties Company Light extraction films for increasing pixelated OLED output with reduced blur
WO2012058556A2 (en) 2010-10-29 2012-05-03 Altair Engineering, Inc. Mechanisms for reducing risk of shock during installation of light tube
JP5676214B2 (ja) * 2010-11-04 2015-02-25 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光装置
US8870415B2 (en) 2010-12-09 2014-10-28 Ilumisys, Inc. LED fluorescent tube replacement light with reduced shock hazard
WO2012119111A1 (en) * 2011-03-03 2012-09-07 Nitto Denko Corporation Porous films for use in light-emitting devices
JP6062636B2 (ja) * 2011-03-10 2017-01-18 ローム株式会社 有機ｅｌ装置
TWI451611B (zh) * 2011-05-19 2014-09-01 Au Optronics Corp 有機發光裝置
KR20130006936A (ko) * 2011-06-27 2013-01-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
DE102011079048A1 (de) 2011-07-13 2013-01-17 Osram Opto Semiconductors Gmbh Lichtemittierende bauelemente und verfahren zum herstellen eines lichtemittierenden bauelements
TWI463717B (zh) 2011-07-29 2014-12-01 Au Optronics Corp 有機發光元件及其製造方法及使用其之照明裝置
US8471463B2 (en) * 2011-08-12 2013-06-25 Canon Kabushiki Kaisha Organic EL element, and light-emitting apparatus, image-forming apparatus, display apparatus and imaging apparatus using the organic EL element
WO2013028965A2 (en) 2011-08-24 2013-02-28 Ilumisys, Inc. Circuit board mount for led light
WO2013039914A1 (en) 2011-09-12 2013-03-21 Nitto Denko Corporation Efficient organic light-emitting diodes and fabrication of the same
JP5948649B2 (ja) * 2011-09-22 2016-07-06 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 発光モジュール及び照明装置
CN102345813A (zh) * 2011-09-30 2012-02-08 南京第壹有机光电有限公司 动态复合照明灯具
JP6056765B2 (ja) * 2011-10-28 2017-01-11 旭硝子株式会社 有機ｌｅｄ素子用の積層基板及び有機ｌｅｄ素子
WO2013131002A1 (en) 2012-03-02 2013-09-06 Ilumisys, Inc. Electrical connector header for an led-based light
CN102592543A (zh) * 2012-03-09 2012-07-18 郭丰亮 基于oled可见光通信的显示器
KR101887082B1 (ko) 2012-04-05 2018-08-13 한국전자통신연구원 유기발광다이오드 소자 및 그 제조 방법
CN103367645A (zh) * 2012-04-11 2013-10-23 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
FR2992475B1 (fr) * 2012-06-20 2015-04-24 Saint Gobain Oled avec cathode d’argent
DE102012210494B4 (de) * 2012-06-21 2023-12-28 Pictiva Displays International Limited Organische Leuchtdiode
JP5973811B2 (ja) * 2012-07-05 2016-08-23 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子、面光源、及び照明装置
JP5973812B2 (ja) * 2012-07-05 2016-08-23 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子、面光源、及び照明装置
JP5990049B2 (ja) * 2012-07-05 2016-09-07 ユー・ディー・シー アイルランド リミテッド 有機電界発光素子
WO2014008463A1 (en) 2012-07-06 2014-01-09 Ilumisys, Inc. Power supply assembly for led-based light tube
US9271367B2 (en) 2012-07-09 2016-02-23 Ilumisys, Inc. System and method for controlling operation of an LED-based light
CN104471735B (zh) * 2012-07-18 2017-03-01 乐金显示有限公司 有机发光器件
US9711748B2 (en) 2012-08-29 2017-07-18 Boe Technology Group Co., Ltd. OLED devices with internal outcoupling
CN103633109B (zh) * 2012-08-29 2016-05-25 固安翌光科技有限公司 具有高光取出率的有机电致发光显示器件及其制备方法
JP2014078499A (ja) * 2012-09-20 2014-05-01 Toshiba Corp 有機電界発光素子および発光装置
KR101421023B1 (ko) * 2012-10-23 2014-07-22 코닝정밀소재 주식회사 유기발광소자용 광추출 기판 제조방법
WO2014069573A1 (ja) * 2012-10-31 2014-05-08 昭和電工株式会社 有機ｅｌ素子並びにそれを備えた画像表示装置及び照明装置
WO2014069557A1 (ja) * 2012-10-31 2014-05-08 昭和電工株式会社 有機ｅｌ素子並びにそれを備えた画像表示装置及び照明装置
JPWO2014077093A1 (ja) * 2012-11-14 2017-01-05 コニカミノルタ株式会社 電界発光素子およびこれを備えた照明装置
WO2014084308A1 (ja) * 2012-11-30 2014-06-05 昭和電工株式会社 有機ｅｌ素子並びにそれを備えた画像表示装置及び照明装置
FR3003084B1 (fr) 2013-03-08 2015-02-27 Saint Gobain Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication
CN104051644A (zh) * 2013-03-12 2014-09-17 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
US9285084B2 (en) 2013-03-14 2016-03-15 Ilumisys, Inc. Diffusers for LED-based lights
WO2014156714A1 (ja) 2013-03-28 2014-10-02 コニカミノルタ株式会社 面発光素子
CN104124362A (zh) * 2013-04-24 2014-10-29 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
WO2014185392A1 (ja) * 2013-05-15 2014-11-20 コニカミノルタ株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
CN104183762A (zh) * 2013-05-22 2014-12-03 海洋王照明科技股份有限公司 有机电致发光装置、显示屏及其终端
WO2014193196A1 (ko) 2013-05-31 2014-12-04 주식회사 엘지화학 유기 발광 소자 및 이의 제조방법
CN105325056B (zh) * 2013-06-18 2017-09-08 柯尼卡美能达株式会社 有机发光元件
KR102101362B1 (ko) * 2013-07-05 2020-05-18 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
WO2015016176A1 (ja) * 2013-07-31 2015-02-05 昭和電工株式会社 有機ｅｌ素子、画像表示装置及び照明装置
CN103474448A (zh) * 2013-08-30 2013-12-25 京东方科技集团股份有限公司 一种电致发光器件及显示装置
DE102013110024B9 (de) * 2013-09-12 2023-11-09 Pictiva Displays International Limited Strahlungsemittierendes Bauelement mit organischem Schichtenstapel
US9267650B2 (en) 2013-10-09 2016-02-23 Ilumisys, Inc. Lens for an LED-based light
DE102013111739A1 (de) * 2013-10-24 2015-04-30 Osram Oled Gmbh Optoelektronisches Bauelement und Verfahren zum Herstellen eines optoelektronischen Bauelements
CN103715368A (zh) * 2013-12-27 2014-04-09 京东方科技集团股份有限公司 发光器件及其制造方法和显示装置
EP2897186B1 (de) 2014-01-21 2018-12-26 Covestro Deutschland AG UV-Schutzfolie für OLEDs
WO2015112437A1 (en) 2014-01-22 2015-07-30 Ilumisys, Inc. Led-based light with addressed leds
WO2015155925A1 (ja) * 2014-04-08 2015-10-15 パナソニックＩｐマネジメント株式会社 平面発光体及び照明装置
US9510400B2 (en) 2014-05-13 2016-11-29 Ilumisys, Inc. User input systems for an LED-based light
FR3023979B1 (fr) 2014-07-17 2016-07-29 Saint Gobain Support electroconducteur pour oled, oled l'incorporant, et sa fabrication.
DE102014110054A1 (de) 2014-07-17 2016-01-21 Osram Oled Gmbh Optoelektronische Baugruppe und Verfahren zum Herstellen einer optoelektronischen Baugruppe
CN105322097B (zh) * 2014-07-31 2017-07-07 财团法人工业技术研究院 有机发光模块
WO2016072807A1 (ko) 2014-11-06 2016-05-12 포항공과대학교 산학협력단 유기 리간드가 치환된 페로브스카이트 나노결정입자 발광체 제조방법, 이에 의해 제조된 나노결정입자 발광체 및 이를 이용한 발광소자
US10626326B2 (en) * 2014-11-06 2020-04-21 Postech Academy-Industry Foundation Method for manufacturing perovskite nanocrystal particle light emitting body where organic ligand is substituted, nanocrystal particle light emitting body manufactured thereby, and light emitting device using same
CN104362171A (zh) * 2014-12-03 2015-02-18 京东方科技集团股份有限公司 一种有机电致发光显示面板、其制作方法及显示装置
JP6510223B2 (ja) * 2014-12-11 2019-05-08 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法
JP6519910B2 (ja) * 2014-12-11 2019-05-29 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法
JP6538339B2 (ja) 2014-12-12 2019-07-03 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法
JP6561281B2 (ja) * 2014-12-12 2019-08-21 株式会社Ｊｏｌｅｄ 有機ｅｌ素子および有機ｅｌ素子の製造方法
US9843012B2 (en) 2014-12-26 2017-12-12 Industrial Technology Research Institute Top emitting organic electroluminescent devices
CN104766927B (zh) * 2015-04-30 2018-01-02 京东方科技集团股份有限公司 有机发光二极管器件及其制备方法
US10161568B2 (en) 2015-06-01 2018-12-25 Ilumisys, Inc. LED-based light with canted outer walls
KR20170001827A (ko) * 2015-06-25 2017-01-05 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN105355798A (zh) * 2015-11-25 2016-02-24 京东方科技集团股份有限公司 有机电致发光器件及其制作方法、显示装置
CN105489780A (zh) * 2015-12-31 2016-04-13 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司 一种滤光片及使用其的有机电致发光器件
CN105789484B (zh) * 2016-03-09 2018-05-15 纳晶科技股份有限公司 发光器件及其制作方法
CN106992268A (zh) * 2017-04-28 2017-07-28 京东方科技集团股份有限公司 一种有机发光二极管器件及其制造方法、显示装置
CN107170904B (zh) 2017-06-30 2019-10-15 京东方科技集团股份有限公司 Oled显示基板及其制作方法、显示装置
US11362310B2 (en) * 2017-11-20 2022-06-14 The Regents Of The University Of Michigan Organic light-emitting devices using a low refractive index dielectric
JP7138897B2 (ja) * 2018-01-03 2022-09-20 エルジー・ケム・リミテッド 光学フィルム
WO2019236541A1 (en) * 2018-06-04 2019-12-12 Jian Li Color tunable hybrid led-oled illumination devices
CN109801924B (zh) * 2019-01-15 2021-02-19 云谷（固安）科技有限公司 光学层、柔性显示器及其制备方法
US11094906B2 (en) 2019-08-15 2021-08-17 Shenzhen China Star Optoelectronics Semiconductor Display Technology Co., Ltd. Display panel
CN110571353A (zh) * 2019-08-15 2019-12-13 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 显示面板
EP3828161A3 (en) 2019-11-27 2021-07-07 Samsung Display Co., Ltd. Organic electroluminescence device and diamine compound for organic electroluminescence device
CN111682051A (zh) * 2020-06-23 2020-09-18 昆明京东方显示技术有限公司 硅基有机电致发光显示基板及其制作方法、显示面板
US11626576B2 (en) 2021-06-15 2023-04-11 Sharp Kabushiki Kaisha Layered light-emitting structure with roughened interface

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000284134A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Seiko Epson Corp 光学装置
JP2001291587A (ja) * 2000-02-01 2001-10-19 Canon Inc 有機発光デバイスの製造方法及び該方法で製造された有機発光デバイス
JP2001291595A (ja) * 2000-02-03 2001-10-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2002043054A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Casio Comput Co Ltd 発光素子およびその製造方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
JP2931211B2 (ja) * 1994-09-13 1999-08-09 出光興産株式会社 有機ｅｌ装置
JP3704774B2 (ja) * 1994-12-08 2005-10-12 株式会社デンソー Ｅｌ素子
JP3420399B2 (ja) * 1995-07-28 2003-06-23 キヤノン株式会社 発光素子
TW386609U (en) * 1996-10-15 2000-04-01 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent illumination apparatus
JP3488474B2 (ja) 1998-02-02 2004-01-19 インターナシヨナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレーシヨン 有機発光ダイオード用のアノード改質
JP2991183B2 (ja) * 1998-03-27 1999-12-20 日本電気株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP4614400B2 (ja) * 2000-01-17 2011-01-19 日東電工株式会社 有機ｅｌ発光装置、偏光面光源装置及び液晶表示装置
US7233026B2 (en) 2000-03-23 2007-06-19 Emagin Corporation Light extraction from color changing medium layers in organic light emitting diode devices
JP4713010B2 (ja) * 2000-05-08 2011-06-29 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置及びその作製方法
US6538375B1 (en) * 2000-08-17 2003-03-25 General Electric Company Oled fiber light source
JP2003036969A (ja) * 2000-10-25 2003-02-07 Matsushita Electric Ind Co Ltd 発光素子、及びそれを用いた表示装置と照明装置
AU2001247342A1 (en) 2000-11-02 2002-05-15 3M Innovative Properties Company Brightness enhancement of emissive displays
WO2002037568A1 (en) 2000-11-02 2002-05-10 3M Innovative Properties Company Brightness and contrast enhancement of direct view emissive displays
JP3880356B2 (ja) * 2000-12-05 2007-02-14 キヤノン株式会社 表示装置
JP4046948B2 (ja) * 2001-02-26 2008-02-13 株式会社日立製作所 有機発光表示装置
FR2836584B1 (fr) * 2002-02-27 2004-05-28 Thomson Licensing Sa Panneau electroluminescent dote d'elements d'extractions de lumiere
US6787990B2 (en) * 2002-05-28 2004-09-07 Eastman Kodak Company OLED area illumination light source having flexible substrate on a support
JP4255250B2 (ja) * 2002-06-12 2009-04-15 大日本印刷株式会社 エレクトロルミネッセント素子

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2000284134A (ja) * 1999-03-31 2000-10-13 Seiko Epson Corp 光学装置
JP2001291587A (ja) * 2000-02-01 2001-10-19 Canon Inc 有機発光デバイスの製造方法及び該方法で製造された有機発光デバイス
JP2001291595A (ja) * 2000-02-03 2001-10-19 Semiconductor Energy Lab Co Ltd 発光装置及びその作製方法
JP2002043054A (ja) * 2000-07-26 2002-02-08 Casio Comput Co Ltd 発光素子およびその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN1498046A (zh) 2004-05-19
US20040061136A1 (en) 2004-04-01
TWI301388B (en) 2008-09-21
KR20040030359A (ko) 2004-04-09
JP2004127942A (ja) 2004-04-22
JP4685340B2 (ja) 2011-05-18
EP1406474A1 (en) 2004-04-07
EP1406474B1 (en) 2005-08-31
TW200415957A (en) 2004-08-16
DE60301466T2 (de) 2006-06-08
DE60301466D1 (de) 2005-10-06
US6965197B2 (en) 2005-11-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101011158B1 (ko) 개선된 광 추출 효율을 갖는 유기 발광 장치
KR101233361B1 (ko) 개선된 광 출력을 갖는 유기전계 소자
JP5432114B2 (ja) 白色発光マイクロキャビティｏｌｅｄデバイス
KR101134411B1 (ko) ｎ-형 및 ｐ-형 유기 층을 갖는 연결 단위를 갖는 다단식 유기 전자 발광 장치
Qiu et al. Organic light-emitting diodes with improved hole-electron balance by using copper phthalocyanine/aromatic diamine multiple quantum wells
KR100973473B1 (ko) 전압 안정성이 개선된 계단식 유기 전기발광 장치
US20060244370A1 (en) Light-emitting layer spacing in tandem OLED devices
US7075231B1 (en) Tandem OLEDs having low drive voltage
JP4789209B2 (ja) 正孔輸送領域内の金属副層
JP2011082564A (ja) 非正孔阻止バッファ層を有するｏｌｅｄ
EP1351323A2 (en) Desiccant structures for oled displays
JP4828787B2 (ja) 有機電場発光デバイス及びその製造方法
EP1929533A1 (en) Patterning oled device electrodes and optical material
JP2007525023A (ja) 有機電場発光デバイスにおける結晶化抑制材料の使用
KR20040010193A (ko) 유기 발광 다이오드 디스플레이
KR101200860B1 (ko) 안정한 중간 연결부를 갖는 직렬식 ｏｌｅｄ

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
AMND Amendment
E902 Notification of reason for refusal
N231 Notification of change of applicant
AMND Amendment
E601 Decision to refuse application
AMND Amendment
J201 Request for trial against refusal decision
B701 Decision to grant
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140103

Year of fee payment: 4

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20150106

Year of fee payment: 5

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20151217

Year of fee payment: 6

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20161220

Year of fee payment: 7

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20171219

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20190110

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20200109

Year of fee payment: 10