CN104051644A - 一种有机电致发光器件及其制备方法 - Google Patents

一种有机电致发光器件及其制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN104051644A
CN104051644A CN201310078468.8A CN201310078468A CN104051644A CN 104051644 A CN104051644 A CN 104051644A CN 201310078468 A CN201310078468 A CN 201310078468A CN 104051644 A CN104051644 A CN 104051644A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
glass
organic electroluminescence
electroluminescence device
substrate
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
CN201310078468.8A
Other languages
English (en)
Inventor
周明杰
王平
黄辉
钟铁涛
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Original Assignee
Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd, Shenzhen Oceans King Lighting Engineering Co Ltd filed Critical Oceans King Lighting Science and Technology Co Ltd
Priority to CN201310078468.8A priority Critical patent/CN104051644A/zh
Publication of CN104051644A publication Critical patent/CN104051644A/zh
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00—Organic light-emitting devices
    • H10K50/80—Constructional details
    • H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
    • H10K50/854—Arrangements for extracting light from the devices comprising scattering means
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K77/00—Constructional details of devices covered by this subclass and not covered by groups H10K10/80, H10K30/80, H10K50/80 or H10K59/80
    • H10K77/10—Substrates, e.g. flexible substrates
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K2102/00—Constructional details relating to the organic devices covered by this subclass
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)

Abstract

本发明提供了一种有机电致发光器件及其制备方法。采用折射率大于1.8的光学玻璃作为基底，并且在阳极与玻璃基底之间制备散射层，可以使光线进行散射，使侧向发射的光导入到玻璃面，从而加强入射光；在玻璃基底背面制备光取出层，从而降低全反射发生几率，提高器件的出光效率，同时，光取出层在空气中比较稳定，可隔绝空气中的大部分水分与氧气，有效提高器件的稳定性。本发明制备方法简单，易于控制和操作，并且原材料容易获得。

Description

一种有机电致发光器件及其制备方法
技术领域
本发明属于有机电致发光领域，具体涉及一种有机电致发光器件及其制备方法。
背景技术
有机电致发光器件（OLED）是一种以有机材料为发光材料，能把施加的电能转化为光能的能量转化装置。它具有超轻薄、自发光、响应快、低功耗等突出性能，在显示、照明等领域有着极为广泛的应用前景。
有机电致发光器件的结构为三明治结构，在阴极和导电阳极之间夹有一层或多层有机薄膜。在含多层结构的器件中，两极内侧主要包括发光层、注入层及传输层。有机电致发光器件是载流子注入型发光器件，在阳极和阴极加上工作电压后，空穴从阳极，电子从阴极分别注入到工作器件的有机材料层中，两种载流子在有机发光材料中形成空穴-电子对发光，然后光从电极发出。
在传统的发光器件中，一般都是以氧化铟锡透明导电薄膜（ITO）玻璃基底为出光面，这种结构中，光的出射会先经过ITO导电材料的吸收反射，再进行一次玻璃基底的吸收和反射，最后才能出射到空气中，但是玻璃和ITO界面之间存在折射率差，会使光从ITO到达玻璃时发生全反射，造成出光的损失，从而导致整体出光性能较低。
发明内容
为了解决上述问题，本发明旨在提供一种具有较高出光效率的有机电致发光器件。本发明还提供了一种有机电致发光器件的制备方法。
第一方面，本发明提供了一种有机电致发光器件，包括依次层叠的光取出层、玻璃基底、散射层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极；所述光取出层的材质为三氧化钨、氯化钠、氯化钙和氯化钡中的一种；所述散射层材质为铯盐与氧化锌形成的混合物，所述铯盐占所述氧化锌的质量分数为2-10%。
在清洁的玻璃基底两面分别设置光取出层和散射层。
优选地，玻璃基底为折射率高于1.8的光学玻璃，所述光学玻璃对可见光的透过率大于90%。
优选地，玻璃基底选用的玻璃牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41或N-LASF44。
该牌号为德国肖特牌号（SCHOTT），其中，N-LAF36玻璃的国际玻璃码是800424.443，N-LASF31A玻璃的国际玻璃码是883408.551，N-LASF41玻璃的国际玻璃码是835431.485，N-LASF44玻璃的国际玻璃码是804465.444。
光取出层的材质为折射率约为1.6的材料，为三氧化钨（WO3）、氯化钠（NaCl）、氯化钙（CaCl2）和氯化钡（BaCl2）中的一种。
优选地，光取出层的材质为氯化钙。
优选地，光取出层的厚度为40～80nm。
当光从玻璃透射出来抵达光取出层时，由于光取出层的材质与玻璃基底的折射率能很好的匹配，使两者间光的全反射减少，可以将光散射到空气中。
散射层的材质为铯盐掺杂到氧化锌（ZnO）中形成的混合物，其中，铯盐为客体，氧化锌为主体，铯盐的质量为氧化锌质量的2～10%。
铯盐加入到ZnO中，铯离子的存在，可以有效防止ZnO的团聚收缩，使ZnO散射层保持均匀分布，提高散射能力。
优选地，ZnO的粒径为50～100nm。
优选地，散射层的厚度为0.5～10μm。
在散射层上设置阳极。
优选地，阳极的材质为透明导电薄膜，选自铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO）。更优选地，阳极的材质为ITO。
优选地，阳极的厚度为80～300nm。更优选地，阳极的厚度为120nm。
光线从阳极射出，经过散射层到达玻璃基底，在阳极与玻璃基底之间制备散射层，可以使光线进行散射，使侧向发射的光导入到玻璃面，从而加强入射光；透明导电薄膜的折射率为1.7～1.8，而本发明采用的玻璃基底折射率高于1.8的光学玻璃，就是从光疏介质到达光密介质，全反射现象可以消除，这样就会使更多的光入射到玻璃基底中；而在基底背面制备光取出层，可以缩小玻璃基底与空气间的折射率之差，从而降低全反射发生几率，使更多的光射出到空气中，提高器件的出光效率，同时，光取出层在空气中比较稳定，可隔绝空气中的大部分水分与氧气，有效提高器件的稳定性。
在阳极上依次设置空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。
优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5）。更优选地，空穴注入层的材质为MoO3。
优选地，空穴注入层的厚度为20～80nm。更优选地，空穴注入层的厚度为40nm。
优选地，空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）。更优选地，空穴传输层的材质为TAPC。
优选地，空穴传输层的厚度为20～60nm。更优选地，空穴传输层的厚度为40nm。
优选地，发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二（β-萘基）蒽（ADN）、4,4’-双（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1,1’-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq3）。更优选地，发光层的材质为Alq3。
优选地，发光层的厚度为5～40nm。更优选地，发光层的厚度为30nm。
优选地，电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）。
更优选地，1,2,4-三唑衍生物为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）。更优选地，电子传输层的材质为Bphen。
优选地，电子传输层的厚度为40～200nm。更优选地，电子传输层的厚度为150nm。
优选地，阴极的材质为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au）。更优选地，阴极的材质为银。
优选地，阴极的厚度为80～250nm。更优选地，阴极的厚度为120nm。
第二方面，本发明提供了一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
提供清洁的玻璃基底；
在所述玻璃基底的一面热阻蒸镀制备光取出层，所述光取出层的材质为三氧化钨、氯化钠、氯化钙和氯化钡中的一种；
再在所述玻璃基底的另一面采用磁控溅射或电子束蒸镀制备散射层，所述散射层材质为铯盐与氧化锌形成的混合物，所述铯盐占所述氧化锌的质量分数为2-10%；
在散射层上磁控溅射制备阳极，在所述阳极上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。
通过对玻璃基底的清洗，除去玻璃基底表面的有机污染物。
具体地，玻璃基底的清洁操作为：将玻璃基底依次用蒸馏水、乙醇冲洗，然后放在异丙醇中浸泡过夜，去除玻璃表面的有机污染物，得到清洁的玻璃基底。
优选地，玻璃基底为折射率高于1.8的光学玻璃，且对可见光的透过率大于90%。
优选地，玻璃基底选用的玻璃牌号为N-LAF36、N-LASF31A、N-LASF41或N-LASF44。
该牌号为德国肖特牌号（SCHOTT），其中，N-LAF36玻璃的国际玻璃码是800424.443，N-LASF31A玻璃的国际玻璃码是883408.551，N-LASF41玻璃的国际玻璃码是835431.485，N-LASF44玻璃的国际玻璃码是804465.444。
光取出层通过热阻蒸镀的方法设置在玻璃基底的一面，散射层通过磁控溅射或电子束蒸镀的方法设置在玻璃基底的另一面。
优选地，热阻蒸镀制备光取出层时条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，速度1～10nm/s。
光取出层的材质为折射率约为1.6的材料，为三氧化钨（WO3）、氯化钠（NaCl）、氯化钙（CaCl2）和氯化钡（BaCl2）中的一种。
优选地，光取出层的材质为氯化钙。
当光从玻璃透射出来抵达光取出层时，由于光取出层的材质与玻璃基底的折射率能很好的匹配，使两者间光的全反射减少，可以将光散射到空气中。
优选地，磁控溅射制备散射层时条件为加速电压：300～800V，磁场：50～200G，功率密度：1～40W/cm2。
优选地，电子束蒸镀制备散射层时条件为能量密度为10～100W/cm2。
散射层的材质为铯盐掺杂到氧化锌（ZnO）中形成的混合物，其中，铯盐为客体，氧化锌为主体，铯盐的质量为氧化锌质量的2～10%。
铯盐加入到ZnO中，铯离子的存在，可以有效防止ZnO的团聚收缩，使ZnO散射层保持均匀分布，提高散射能力。
优选地，ZnO的粒径为50～100nm。
优选地，散射层的厚度为0.5～10μm。
优选地，磁控溅射制备阳极时条件为加速电压300～800V，磁场50～200G，功率密度1～40W/cm2。
优选地，阳极的材质为透明导电薄膜，选自铟锡氧化物（ITO）、铝锌氧化物（AZO）或铟锌氧化物（IZO）。更优选地，阳极的材质为ITO。
优选地，阳极的厚度为80～300nm。更优选地，阳极的厚度为120nm。
光线从阳极射出，经过散射层到达玻璃基底，在阳极与玻璃基底之间制备散射层，可以使光线进行散射，使侧向发射的光导入到玻璃面，从而加强入射光；透明导电薄膜的折射率为1.7～1.8，而本发明采用的玻璃基底折射率高于1.8的光学玻璃，就是从光疏介质到达光密介质，全反射现象可以消除，这样就会使更多的光入射到玻璃基底中；而在基底背面制备光取出层，可以缩小玻璃基底与空气间的折射率之差，从而降低全反射发生几率，使更多的光射出到空气中，提高器件的出光效率，同时，光取出层在空气中比较稳定，可隔绝空气中的大部分水分与氧气，有效提高器件的稳定性。
在阳极上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。
优选地，热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层时条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，速度0.1～1nm/s。
优选地，空穴注入层的材质为三氧化钼（MoO3）、三氧化钨（WO3）或五氧化二钒（V2O5）。更优选地，空穴注入层的材质为MoO3。
优选地，空穴注入层的厚度为20～80nm。更优选地，空穴注入层的厚度为40nm。
优选地，空穴传输层的材质为1,1-二[4-[N,N′-二(p-甲苯基)氨基]苯基]环己烷（TAPC）、4,4',4''-三（咔唑-9-基）三苯胺（TCTA）或N,N'-二苯基-N,N'-二(1-萘基)-1,1'-联苯-4,4'-二胺（NPB）。更优选地，空穴传输层的材质为TAPC。
优选地，空穴传输层的厚度为20～60nm。更优选地，空穴传输层的厚度为40nm。
优选地，发光层的材质为4-（二腈甲基）-2-丁基-6-（1,1,7,7-四甲基久洛呢啶-9-乙烯基）-4H-吡喃（DCJTB）、9,10-二（β-萘基）蒽（ADN）、4,4’-双（9-乙基-3-咔唑乙烯基）-1,1’-联苯（BCzVBi）或8-羟基喹啉铝（Alq3）。更优选地，发光层的材质为Alq3。
优选地，发光层的厚度为5～40nm。更优选地，发光层的厚度为30nm。
优选地，电子传输层的材质为4,7-二苯基-1,10-菲罗啉（Bphen）、1,2,4-三唑衍生物或1,3,5-三(1-苯基-1H-苯并咪唑-2-基)苯（TPBi）。
更优选地，1,2,4-三唑衍生物为3-(联苯-4-基)-5-(4-叔丁基苯基)-4-苯基-4H-1,2,4-三唑（TAZ）。更优选地，电子传输层的材质为Bphen。
优选地，电子传输层的厚度为40～200nm。更优选地，电子传输层的厚度为150nm。
优选地，热阻蒸镀制备阴极时条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，速度1～10nm/s。
优选地，阴极的材质为银（Ag）、铝（Al）、铂（Pt）或金（Au）。更优选地，阴极的材质为银。
优选地，阴极的厚度为80～250nm。更优选地，阴极的厚度为120nm。
本发明具有如下有益效果：
本发明制备的有机电致发光器件，光线从阳极射出，经过散射层到达玻璃基底，在阳极与玻璃基底之间制备散射层，可以使光线进行散射，使侧向发射的光导入到玻璃面，从而加强入射光；透明导电薄膜的折射率为1.7～1.8，而本发明采用的玻璃基底折射率高于1.8的光学玻璃，就是从光疏介质到达光密介质，全反射现象可以消除，这样就会使更多的光入射到玻璃基底中；而在基底背面制备光取出层，可以缩小玻璃基底与空气间的折射率之差，从而降低全反射发生几率，使更多的光射出到空气中，提高器件的出光效率，同时，光取出层在空气中比较稳定，可隔绝空气中的大部分水分与氧气，有效提高器件的稳定性。
本发明制备方法简单，易于控制和操作，并且原材料容易获得。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1是本发明实施例1提供的有机电致发光器件的结构图；
图2是本发明实施例1提供的有机电致发光器件与对比例的电流密度与流明效率的关系图。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
实施例1
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将N-LASF44玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，得到清洁的玻璃基底；
（2）在高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为5×10-4Pa的条件下，以3nm/s的蒸镀速率在清洁的玻璃基底的一面热阻蒸镀CaCl2制备光取出层，厚度为60nm；
在清洁的玻璃基底的另一面利用电子束蒸镀ZnO与Cs2O的混合物制备散射层，其中，ZnO粒径为100nm，Cs2O的质量为ZnO质量的5%，散射层厚度为2μm；电子束蒸镀的能量密度为50W/cm2；
（3）在加速电压400V，磁场100G，功率密度20W/cm2的条件下，在散射层上磁控溅射ITO制备阳极，厚度为120nm；
（4）在压强为5×10-4Pa的条件下，以0.3nm/s的蒸镀速率在阳极表面依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，以3nm/s的蒸镀速度在电子传输层表面热阻蒸镀制备阴极，得到所需要的电致发光器件。
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为MoO3，厚度为40nm；空穴传输层的材质为TAPC，厚度为40nm；发光层的材质为Alq3，厚度为30nm；电子传输层的材质为Bphen，厚度为150nm；阴极的材质为银，厚度为120nm。
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：CaCl2/N-LASF44玻璃/ZnO:Cs2O/ITO/MoO3/TAPC/Alq3/Bphen/Ag。
图1是本实施例的有机电致发光器件的结构示意图。如图1所示，该有机电致发光器件的结构包括依次层叠的光取出层101、玻璃基底102、散射层103、阳极104、空穴注入层105、空穴传输层106、发光层107、电子传输层108和阴极109。
实施例2
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将N-LAF36玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，得到清洁的玻璃基底；
（2）在高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为5×10-5Pa的条件下，以1nm/s的蒸镀速率在清洁的玻璃基底的一面热阻蒸镀WO3制备光取出层，厚度为40nm；
在清洁的玻璃基底的另一面磁控溅射ZnO与Cs2CO3的混合物制备散射层，其中，ZnO粒径为50nm，Cs2CO3的质量为ZnO质量的10%，散射层厚度为10μm；磁控溅射的加速电压：400V，磁场约：100G，功率密度：25W/cm2；
（3）在加速电压400V，磁场100G，功率密度20W/cm2的条件下，在散射层上磁控溅射AZO制备阳极，厚度为80nm；
（4）在压强为5×10-5Pa的条件下，以0.1nm/s的蒸镀速率在阳极表面依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，以1nm/s的蒸镀速度在电子传输层表面热阻蒸镀制备阴极，得到所需要的电致发光器件。
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为WO3，厚度为40nm；空穴传输层的材质为TCTA，厚度为60nm；发光层的材质为BCzVBi，厚度为40nm；电子传输层的材质为TAZ，厚度为75nm；阴极的材质为Pt，厚度为80nm。
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：WO3/N-LAF36/ZnO:Cs2CO3/AZO/WO3/TCTA/BCzVBi/TAZ/Pt。
实施例3
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将N-LASF31A玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，得到清洁的玻璃基底；
（2）在高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为2×10-3Pa的条件下，以10nm/s的蒸镀速率在清洁的玻璃基底的一面热阻蒸镀NaCl制备光取出层，厚度为80nm；
在清洁的玻璃基底的另一面利用电子束蒸镀ZnO与CsCl的混合物制备散射层，其中，ZnO粒径为100nm，CsCl的质量为ZnO质量的2%，散射层厚度为0.5μm；电子束蒸镀的能量密度为10W/cm2；
（3）在加速电压400V，磁场100G，功率密度20W/cm2的条件下，在散射层上磁控溅射IZO制备阳极，厚度为300nm；
（4）在压强为2×10-3Pa的条件下，以1nm/s的蒸镀速率在阳极表面依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，以10nm/s的蒸镀速度在电子传输层表面热阻蒸镀制备阴极，得到所需要的电致发光器件。
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为V2O5，厚度为20nm；空穴传输层的材质为TAPC，厚度为20nm；发光层的材质为ADN，厚度为15nm；电子传输层的材质为Bphen，厚度为60nm；阴极的材质为Au，厚度为100nm。
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：NaCl/N-LASF31A玻璃/ZnO:CsCl/IZO/V2O5/TAPC/ADN/Bphen/Au。
实施例4
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）将N-LASF41玻璃用蒸馏水、乙醇冲洗干净后，放在异丙醇中浸泡一个晚上，得到清洁的玻璃基底；
（2）在高真空镀膜系统（沈阳科学仪器研制中心有限公司）中，压强为2×10-4Pa的条件下，以5nm/s的蒸镀速率在清洁的玻璃基底的一面热阻蒸镀BaCl2制备光取出层，厚度为60nm；
在清洁的玻璃基底的另一面利用电子束蒸镀ZnO与CsN3的混合物制备散射层，其中，ZnO粒径为100nm，CsN3的质量为ZnO质量的5%，散射层厚度为8μm；电子束蒸镀的能量密度为100W/cm2；
（3）在加速电压400V，磁场100G，功率密度20W/cm2的条件下，在散射层上磁控溅射AZO制备阳极，厚度为150nm；
（4）在压强为2×10-4Pa的条件下，以0.5nm/s的蒸镀速率在阳极表面依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，以5nm/s的蒸镀速度在电子传输层表面热阻蒸镀制备阴极，得到所需要的电致发光器件。
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为V2O5，厚度为80nm；空穴传输层的材质为TAPC，厚度为60nm；发光层的材质为DCJTB，厚度为5nm；电子传输层的材质为TPBi，厚度为35nm；阴极的材质为Al，厚度为250nm。
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：BaCl2/N-LASF41玻璃/ZnO:CsN3/AZO/V2O5/TAPC/DCJTB/TPBi/Al。
对比例
一种有机电致发光器件的制备方法，包括以下步骤：
（1）提供ITO作为阳极，厚度为120nm；
（2）在压强为5×10-4Pa的条件下，以0.3nm/s的蒸镀速率在阳极表面依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层，以3nm/s的蒸镀速度在电子传输层表面热阻蒸镀制备阴极，得到所需要的电致发光器件。
具体地，在本实施例中，空穴注入层的材质为MoO3，厚度为40nm；空穴传输层的材质为TAPC，厚度为40nm；发光层的材质为Alq3，厚度为30nm；电子传输层的材质为Bphen，厚度为150nm；阴极的材质为银，厚度为120nm。
以上步骤完成后，得到一种有机电致发光器件，结构具体表示为：ITO/MoO3/TAPC/Alq3/Bphen/Ag。
利用美国吉时利公司的Keithley2400测试电学性能，色度计（日本柯尼卡美能达公司，型号：CS-100A）测试亮度和色度。
图2是本实施例的有机电致发光器件与对比例的电流密度与流明效率的关系图。其中，曲线1为本实施例的有机电致发光器件的电流密度与流明效率的关系图；曲线2为对比例（结构具体表示为：ITO/MoO3/TAPC/Alq3/Bphen/Ag）的电流密度与流明效率的关系图。
从图2中可以看到，在不同电流密度下，实施例1的流明效率都比对比例的要大，最大的流明效率为9.9lm/W，而对比例的仅为6.0lm/W，而且对比例的流明效率随着电流密度的增大而快速下降，这说明，本发明通过采用折射率在1.8以上的玻璃基底，使更多的光可以入射到玻璃基底中，在阳极与玻璃基底之间制备散射层，加强入射光，降低全反射发生几率，提高器件的出光效率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例而已，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (9)

1.一种有机电致发光器件，其特征在于，包括依次层叠的光取出层、玻璃基底、散射层、阳极、空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极；所述光取出层的材质为三氧化钨、氯化钠、氯化钙和氯化钡中的一种；所述散射层材质为铯盐与氧化锌形成的混合物，所述铯盐占所述氧化锌的质量分数为2-10%。
2.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述铯盐为氧化铯、氯化铯、叠氮铯和碳酸铯中的一种。
3.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述氧化锌的粒径为50～100nm。
4.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述玻璃基底为折射率高于1.8的光学玻璃，所述光学玻璃对可见光的透过率大于90%。
5.如权利要求1所述的有机电致发光器件，其特征在于，所述散射层的厚度为0.5～10μm。
6.一种有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
提供清洁的玻璃基底；
在所述玻璃基底的一面热阻蒸镀制备光取出层，所述光取出层的材质为三氧化钨、氯化钠、氯化钙和氯化钡中的一种；
再在所述玻璃基底的另一面采用磁控溅射或电子束蒸镀制备散射层，所述散射层材质为铯盐与氧化锌形成的混合物，所述铯盐占所述氧化锌的质量分数为2-10%；
在散射层上磁控溅射制备阳极，在所述阳极上依次热阻蒸镀制备空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和阴极。
7.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述铯盐为氧化铯、氯化铯、叠氮铯和碳酸铯中的一种。
8.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，所述氧化锌的粒径为50～100nm。
9.如权利要求6所述的有机电致发光器件的制备方法，其特征在于，热阻蒸镀制备光取出层时条件为压强5×10-5～2×10-3Pa，速度0.1～1nm/s。
CN201310078468.8A 2013-03-12 2013-03-12 一种有机电致发光器件及其制备方法 Pending CN104051644A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310078468.8A CN104051644A (zh) 2013-03-12 2013-03-12 一种有机电致发光器件及其制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201310078468.8A CN104051644A (zh) 2013-03-12 2013-03-12 一种有机电致发光器件及其制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN104051644A true CN104051644A (zh) 2014-09-17

Family

ID=51504243

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201310078468.8A Pending CN104051644A (zh) 2013-03-12 2013-03-12 一种有机电致发光器件及其制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN104051644A (zh)

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004127942A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Eastman Kodak Co 高光抽出型有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）デバイス
CN102257649A (zh) * 2008-12-19 2011-11-23 松下电工株式会社 有机电致发光元件
CN102468444A (zh) * 2010-11-16 2012-05-23 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
TW201244217A (en) * 2011-04-12 2012-11-01 Arkema Inc Internal optical extraction layer for OLED devices

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004127942A (ja) * 2002-10-01 2004-04-22 Eastman Kodak Co 高光抽出型有機発光ダイオード（ｏｌｅｄ）デバイス
CN102257649A (zh) * 2008-12-19 2011-11-23 松下电工株式会社 有机电致发光元件
CN102468444A (zh) * 2010-11-16 2012-05-23 海洋王照明科技股份有限公司 一种有机电致发光器件及其制备方法
TW201244217A (en) * 2011-04-12 2012-11-01 Arkema Inc Internal optical extraction layer for OLED devices

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN104051639A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104009165B (zh) 一种有机电致发光器件的制备方法
CN104009178A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104051644A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104009179A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104124352A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104347801A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104124365A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104009164A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104051656A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104124392A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104009168A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104124393A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104425730A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104051664A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104425733A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104051658A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104051663A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104659229A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法
CN104124359A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104051638A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104051661A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104124340A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104009183A (zh) 一种有机电致发光器件及其制备方法
CN104659231A (zh) 有机电致发光器件及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C02 Deemed withdrawal of patent application after publication (patent law 2001)
WD01 Invention patent application deemed withdrawn after publication

Application publication date: 20140917