KR100976734B1

KR100976734B1 - 광도파판용 액상 실리콘 고무 조성물

Info

Publication number: KR100976734B1
Application number: KR1020080040647A
Authority: KR
Inventors: 도시오 야마자키; 다카오 우노; 시게루 우부카타
Original assignee: 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤
Priority date: 2007-05-25
Filing date: 2008-04-30
Publication date: 2010-08-19
Also published as: TWI454530B; TW200916529A; JP2008291124A; CN101311751A; KR20080103898A; JP4605402B2; CN101311751B

Abstract

(A) M, Q, D 및 T 단위에서 선택되는 단위로 이루어지며, M 및 Q 단위의 합계량이 80mol% 이상이고, Q 단위에 대한 M 단위의 몰비가 0.5∼1.5의 범위인 알케닐기를 함유하는 실리콘 수지

(B) 평균 중합도가 2,000 이하인 알케닐기를 함유하는 실온에서 액상인 오가노 폴리실록산

(C) 평균 중합도가 2,000을 초과하는 알케닐기를 함유하는 실온에서 생고무 형태인 오가노 폴리실록산

(D) 규소 원자와 결합한 수소 원자를 함유하는 오가노 하이드로젠폴리실록산

(E) 히드로실릴화 반응 촉매를 필수 성분으로 하는 광도파판용 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물.

본 발명의 조성물의 경화물 필름은 고투명, 고경도 및 가요성을 구비하고 있으므로, 휴대 전화의 키 패드 조광용 백라이트 장치의 광도파판으로서 최적이다.

히드로실릴화, 조광용 백라이트, 광도파판, 경화형 필름

Description

광도파판용 액상 실리콘 고무 조성물{LIQUID SILICONE RUBBER COMPOSITIONS FOR OPTICAL WAVEGUIDE PLATE}

본 발명은 오가노 폴리실록산을 주성분으로 하며, 히드로실릴화 반응에 의해 경화되는 광도파판용 액상 실리콘 고무 조성물에 관한 것으로서, 특히 고투명, 고경도의 성형물이 얻어지기 때문에 휴대 전화의 키 패드 조광용 백라이트 장치의 광도파판에 적합하게 사용되는 것이다.

휴대 전화의 야간 사용을 위하여 많은 키 패드는 조광용 백라이트 장치를 구비하고 있는데, 종래에는 발광 다이오드(LED)를 키 패드의 뒷쪽에 다수 개 배치하는 구성이었다. 그러나, 최근의 휴대 전화의 고기능화에 따라, 조광용 백라이트 장치에도 박형화, 경량화, 고휘도화, 코스트 다운의 요구가 높아졌으며, 액정 모니터(LCD)에서도 채용되고 있는 광도파판에 의한 조광용 백라이트 장치가 제안되었다. 이것은 LED 광원과, 상기 광원에 대향하는 단면으로부터 광을 내부에 도입하여 확산시키고, 조광하고자 하는 키 부분에 설치한 반사면에서 광을 반사하여 반사광을 외부에 투사하는 광도파판으로 구성되어 있다(특허 문헌 1: 일본 특허 공개 2003-59321호 공보 참조). 이 장치의 특징은 LED를 횡방향에 설치함으로써 박형화 가 가능해지며, 종래의 뒷쪽에 LED를 설치한 타입에 비하여 LED 개수를 감소시켜도 키 패드 전면을 균일하게 고휘도로 조광할 수 있게 되었다. 또한 소비 전력도 저하하였으므로 전지의 소형, 경량화도 진행하여 저비용화에도 기여하였다.

LCD 백라이트 장치의 광도파판은 광학적 특성만이 요구되는데, 키 패드 조광용 백라이트 장치의 광도파판은 키 입력의 변위(클릭)를 스위칭 소자에 전달하는 역할도 하므로 고투명인 것에 더하여, 탄성이나 그 온도 의존성이 작은 것, 얇고 균일한 두께로 표면 평활한 필름을 성형할 수 있는 것 등도 필요해진다. 일반적으로 아크릴 수지나 폴리카보네이트 수지는 고투명이며 필름 성형성은 양호하지만, 탄성의 온도 의존성, 특히 저온 영역에서는 취화 때문에 키 입력시에 크랙이 발생할 수가 있었다. 따라서, LED의 밀봉재 등의 광학 재료에도 응용되고 있는 고투명한 실리콘계 수지(특허 문헌 2: 일본 특허 공개 2002-265787호 공보, 특허 문헌 3: 일본 특허 공개 2006-202952호 공보, 특허 문헌 4: 일본 특허 공개 2006-342200호 공보 참조)가 저온 특성이 뛰어난 점에서 주목받았다. 그 중에서도 실리카를 전혀 포함하지 않기 때문에 고투명이면서, 저온에서도 탄성을 해치지 않고 열경화에 의한 필름 성형도 비교적 용이한 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 경화물이 키 패드 조광용 백라이트 장치의 광도파판으로 채용되게 되었다.

그러나, 보강재로서의 실리카를 전혀 포함하지 않는 실리콘 고무는 일반적으로 강도가 없어 부드럽고, 표면 점착성을 갖기 때문에 필름 성형에 적합하지 않다. 가교 밀도를 높이면 강도와 경도가 향상되고 점착성도 작아지기 때문에 필름 성형성은 개선되지만, 가요성이 없는 무른 필름이 되어 버린다.

[특허 문헌 1] 일본 특허 공개 2003-59321호 공보

[특허 문헌 2] 일본 특허 공개 2002-265787호 공보

[특허 문헌 3] 일본 특허 공개 2006-202952호 공보

[특허 문헌 4] 일본 특허 공개 2006-342200호 공보

본 발명은 상기 사정을 감안하여 이루어진 것으로서, 보강재로서의 실리카를 전혀 포함하지 않는 고투명한 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물로서, 경도와 가요성을 양립시킨 경화물을 형성할 수 있고, 특히 백라이트 장치용으로서 적합한 광도파판용 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

본 발명자들은 상기 목적을 달성하기 위하여 예의 검토를 거듭한 결과, 경화물의 경도를 발현시키기 위한 실리콘 수지와 가요성을 부여시키기 위한 생고무형 오가노 폴리실록산을 병용한 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물로 함으로써 경화후의 성형 필름의 경도와 가요성의 양립이 가능한 것을 알아내고 본 발명에 이른 것이다.

즉 본 발명은, (A) R₃SiO₁ _/2단위(M 단위), SiO₄ _/2단위(Q 단위), R₂SiO₂ _/2단위(D 단위) 및 RSiO₃ _/2단위(T 단위)에서 선택되는 단위로 이루어지며, 이들 전체 구성 단위 중 M 단위 및 Q 단위의 합계량이 80mol% 이상이고, Q 단위에 대한 M 단위의 몰비가 0.5∼1.5의 범위인 실리콘 수지 100질량부,

(여기서, R은 탄소수 1∼6의 1가 탄화수소기이며, 1분자 중의 적어도 2개는 알케닐기임.)

(B) 평균 중합도가 2,000 이하이고, 1분자 중에 적어도 2개의 규소 원자와 결합한 알케닐기를 함유하는 실온에서 액상인 오가노 폴리실록산 50∼200질량부,

(C) 평균 중합도가 2,000을 초과하며, 1분자 중에 적어도 2개의 규소 원자와 결합한 알케닐기를 함유하는 실온에서 생고무 형태인 오가노 폴리실록산 1∼50질량부,

(D) 1분자 중에 적어도 2개의 규소 원자와 결합한 수소 원자를 함유하는 오가노 하이드로젠폴리실록산을, (A), (B) 성분 및 (C) 성분 중의 규소 원자와 결합한 알케닐기 1개 당 규소 원자에 결합한 수소 원자의 수가 1.0∼10.0개가 되는 양으로, 그리고

(E) 촉매량의 히드로실릴화 반응 촉매

를 필수 성분으로 하는 것을 특징으로 하는 광도파판용 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물을 제공한다.

본 발명의 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 경화물 필름은 고투명, 고경도이면서 가요성을 구비한 것이므로, 휴대 전화의 키 패드 조광용 백라이트 장치의 광도파판으로서 최적이다.

이하, 본 발명을 더욱 상세하게 설명한다.

본 발명의 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 (A) 성분의 실리 콘 수지는, R₃SiO₁ _/2단위(M 단위), SiO₄ _/2단위(Q 단위), R₂SiO₂ _/2단위(D 단위) 및 RSiO_3/2단위(T 단위)에서 선택되는 단위로 이루어지며, 이들 전체 구성 단위 중 M 단위 및 Q 단위의 합계량이 80mol% 이상이고, Q 단위에 대한 M 단위의 몰비가 0.5∼1.5의 범위인 분기형 또는 3차원 메시 구조의 것이다. 여기서, R은 탄소수 1∼6의 1가 탄화수소기이며, 1분자 중의 적어도 2개는 알케닐기이다.

상기 실리콘 수지의 탄소수 1∼6의 1가 탄화수소기 R의 구체적인 예로는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기 등의 알케닐기, 시클로헥실기, 시클로헥세닐기 및 페닐기 등의 비치환된 1가 탄화수소기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 시아노메틸기 등의 상기 1가 탄화수소기의 수소 원자의 적어도 일부가 할로겐 원자나 시아노기로 치환된 치환 알킬기 등의 치환된 1가 탄화수소기를 들 수 있고, (A) 성분의 실리콘 수지에 포함되는 복수의 R은 동일할 수도 다를 수도 있지만, 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 다른 성분과의 상용성의 관점에서 R의 80mol% 이상이 메틸기인 것이 바람직하다. 각 성분의 상용성이 악화되면 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 경화물의 투명성이 저하하기 때문이다. 또한 알케닐기로는 비닐기가 바람직한데, 이것도 다른 성분과의 상용성을 유지하는 것이 이유이다.

상기한 (A) 성분의 실리콘 수지에 있어서, 상기 4종의 구성 단위 중 R₃SiO₁ _/2 단위(M 단위)와 SiO₁ _/2단위(Q 단위)는 필수이며, 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 경화물의 경도를 향상시키기 위해서는 전 구성 단위에 차지하는 이 2종의 구성 단위의 비율이 80mol% 이상인 것이 필요하며, 바람직하게는 90mol% 이상, 보다 바람직하게는 100mol%이다. R₂SiO₂ _/2단위(D 단위) 및 RSiO₃ _/2단위(T 단위)는 포함되어 있을 수도 없을 수도 있다.

또한 SiO₄ _/2단위(Q 단위)에 대한 R₃SiO₁ _/2단위(M 단위)의 몰비가 0.5보다 작으면, 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 다른 성분과의 상용성이 악화되고, 1.5보다 크면 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 경화물의 경도가 저하하게 된다. 따라서 Q 단위에 대한 M 단위의 몰비는 0.5∼1.5의 범위에 있을 것이 필요해지며, 바람직하게는 0.7∼1.2의 범위이다.

상기한 (A) 성분의 실리콘 수지로서 구체적으로는, 비닐디메틸실록시기와 Q 단위의 공중합체, 비닐디메틸실록시기·트리메틸실록시기와 Q 단위의 공중합체, 비닐디메틸실록시기·디메틸실록산 단위와 Q 단위의 공중합체, 비닐디메틸실록시기·페닐실세스퀴옥산 단위와 Q 단위의 공중합체, 비닐디메틸실록시기·디메틸실록산 단위·페닐실세스퀴옥산 단위와 Q 단위의 공중합체, 트리메틸실록시기·비닐메틸시실록산 단위와 Q 단위의 공중합체 등을 들 수 있다.

본 발명의 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 (B) 성분의 실온에서 액상인 오가노 폴리실록산은 평균 중합도가 2,000 이하이고 1분자 중에 적어도 2개의 규소 원자와 결합한 알케닐기를 함유하는 것으로, 통상 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 베이스 폴리머로서 사용되고 있는 공지의 것이며, 25℃에서의 점도가 1∼100Pa·s, 바람직하게는 5∼100Pa·s의 점도를 갖는 것이다.

또한 본 발명의 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 (C) 성분의 실온에서 생고무 형태인 오가노 폴리실록산은 평균 중합도가 2,000 이상을 초과하며, 1분자 중에 적어도 2개의 규소 원자와 결합한 알케닐기를 함유하는 것으로, 통상 밀러블(millable) 타입의 실리콘 고무 컴파운드의 베이스 폴리머로서 사용되고 있는 공지의 것이다. 평균 중합도는 바람직하게는 2,100∼100,000, 보다 바람직하게는 3,000∼10,000이다.

(B) 성분, (C) 성분의 평균 중합도는 예컨대 겔 침투 크로마토그래피(GPC) 분석에서의 폴리스티렌 환산에 의한 중량 평균 분자량으로부터 산출되는 평균값(중량 평균 중합도) 등을 적용할 수 있다.

상기한 (B) 성분, (C) 성분은 모두 알케닐기 함유 오가노 폴리실록산인데, 차이는 분자량(중합도)뿐이다. 이들은 통상 하기 평균 조성식 (I)

R¹ _aSiO_(4-a)/2 (I)

(여기서, R¹은 탄소수 1∼6의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기로서, 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등의 알킬기, 비닐기, 알릴기, 부테닐기, 펜테닐기, 헥세닐기 등의 알케닐기, 시클로헥실기, 시클로헥세닐기, 페닐기 등의 비치환된 1가 탄화수소기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 시아노메틸기 등의 상기 1가 탄화수소기의 수소 원자의 적어도 일부가 할로겐 원자나 시아노기로 치환된 치환 알킬기 등의 치환된 1가 탄화수소기이다. 복수의 치환기는 다를 수도 동일할 수도 있으나, 분자 중에 알케닐기를 2개 이상 포함하고 있 을 것이 필요하다. 또한 a는 1.9∼2.4, 바람직하게는 1.95∼2.05의 범위의 수이다.)

로 표시되며, 직쇄형일 수도 분기되어 있을 수도 있다. 바람직하게는 주쇄가 디오가노 폴리실록산 단위(D 단위)의 반복으로 이루어지고, 분자쇄 양 말단이 트리오가노 실록시기(M 단위)로 봉쇄된 직쇄형 오가노 폴리실록산인 것이 예시되며, 규소 원자에 결합한 치환기는 메틸기 또는 페닐기가 바람직하다. 또한 1분자 중에 2개 이상 함유하는 것이 필수인 규소 원자와 결합한 알케닐기는 비닐기가 바람직하며, 이는 분자쇄 말단에 있을 수도 측쇄에 있을 수도 있으나, 양 말단에 2개 함유하는 것이 바람직하다.

본 발명의 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 경화후의 성형 필름의 경도과 가요성을 양립시키기 위하여, (A) 성분 100질량부에 대하여 (B) 성분은 50∼200질량부, (C) 성분은 1∼50질량부의 범위가 적합하다. (B) 성분, (C) 성분 모두 이 범위 미만의 조성에서는 가요성이 없는 무른 필름이 되고, 반대로 이 범위를 초과하는 조성에서는 유연하고 표면 점착성이 있는 필름이 되기 때문에 적합하지 않다. 바람직하게는, (A) 성분 100질량부에 대하여 (B) 성분은 80∼150질량부, (C) 성분은 5∼20질량부이다.

본 발명의 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 (D) 성분의 오가노 하이드로젠폴리실록산은 1분자 중에 적어도 2개의 규소 원자와 결합한 수소 원자(SiH기)를 함유하는 것으로, 하기 평균 조성식 (Ⅱ)

R² _bH_cSiO_(4-b-c)/2 (Ⅱ)

(여기서, R²는 탄소수 1∼6의 치환 또는 비치환된 1가 탄화수소기이며, 바람직하게는 지방족 불포화 결합을 갖지 않는 것이다. 구체적인 예로는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 부틸기, 펜틸기, 헥실기 등의 알킬기, 시클로헥실기, 시클로헥세닐기, 페닐기 등의 비치환된 1가 탄화수소기, 3,3,3-트리플루오로프로필기, 시아노메틸기 등의 상기 1가 탄화수소기의 수소 원자의 적어도 일부가 할로겐 원자나 시아노기로 치환된 치환 알킬기 등의 치환된 1가 탄화수소기이다. b는 0.7∼2.1, c는 0.18∼1.0, b+c는 0.8∼3.0, 바람직하게는 b는 0.8∼2.0, c는 0.2∼1.0, b+c는 1.0∼2.5를 만족하는 양의 정수로 표시됨.)

로 표시되는 종래부터 공지의 오가노 하이드로젠폴리실록산이 적용 가능하다. 또한 오가노 하이드로젠폴리실록산의 분자 구조는 직쇄형, 환형, 분기형, 3차원 메시형의 어느 하나의 구조일 수도 있다. 이 경우, 1분자 중의 규소 원자의 수(또는 중합도)는 2∼300개, 특히 4∼200개 정도의 실온에서 액상인 것이 적합하게 사용된다. 또한, 규소 원자에 결합하는 수소 원자(SiH기)는 분자쇄 말단에 있을 수도 측쇄에 있을 수도, 그 양쪽에 있을 수도 있으며, 1분자 중에 적어도 2개(통상 2∼300개), 바람직하게는 3개 이상(예컨대 3∼200개), 보다 바람직하게는 4∼150개 정도 함유하는 것이 사용된다.

상기한 (D) 성분의 오가노 하이드로젠폴리실록산으로서 구체적으로는 1,1,3,3-테트라메틸디실록산, 1,3,5,7-테트라메틸시클로테트라실록산, 메틸하이드 로젠시클로폴리실록산, 메틸하이드로젠실록산·디메틸실록산 환형 공중합체, 트리스(디메틸하이드로젠실록시)메틸실란, 트리스(디메틸하이드로젠실록시)페닐실란, 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로젠폴리실록산, 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로젠실록산 공중합체, 양 말단 디메틸하이드로젠실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산, 양 말단 디메틸하이드로젠실록시기 봉쇄 디메틸실록산·메틸하이드로젠실록산 공중합체, 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로젠실록산·디페닐실록산 공중합체, 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로젠실록산·디페닐실록산·디메틸실록산 공중합체, 환형 메틸하이드로젠폴리실록산, 환형 메틸하이드로젠실록산·디메틸실록산 공중합체, 환형 메틸하이드로젠실록산·디페닐실록산·디메틸실록산 공중합체, (CH₃)₂HSiO₁ _/2 단위와 SiO₄ _/2 단위로 이루어지는 공중합체, (CH₃)₂HSiO₁ _/2단위와 SiO₄ _/2단위와 (C₆H₅)SiO₃ _/2 단위로 이루어지는 공중합체 등이나 상기 각 예시 화합물에 있어서 메틸기의 일부 또는 전부가 에틸기, 프로필기 등의 다른 알킬기나 페닐기 등의 아릴기로 치환된 것 등을 들 수 있다.

(D) 성분의 배합량에 대해서는 본 발명의 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 경화후의 성형 필름의 경도과 가요성을 양립시키기 위하여, (A) 성분, (B) 성분 및 (C) 성분 중의 규소 원자와 결합한 알케닐기 1개 당 규소 원자에 결합한 수소 원자의 수가 1.0∼10.0, 바람직하게는 1.5∼5.0의 범위가 되도록 (D) 성분의 양을 조정할 필요가 있다. 이 범위 미만에서는 유연하여 표면 점착성이 있 는 필름이 되고, 이 범위를 초과하면 가요성이 없는 필름이 된다.

본 발명의 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 (E) 성분의 히드로실릴화 반응 촉매는 공지의 것이 적용 가능하며, 예컨대 백금흑, 염화제2백금, 염화백금산, 염화백금산과 1가 알코올과의 반응물, 염화백금산과 올레핀류와의 착물, 백금 비스아세토아세테이트 등의 백금계 촉매, 팔라듐계 촉매, 로듐계 촉매 등을 들 수 있다. 또한, 이 히드로실릴화 반응 촉매의 배합량은 촉매량으로 할 수 있으며, 통상 백금족 금속으로서 (A) 성분에 대하여 0.5∼1,000ppm, 바람직하게는 1∼200ppm 정도이다.

본 발명의 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물에는 본 발명의 효과를 해치지 않는 범위에서 알콕시실릴기를 함유하는 알콕시실란계 화합물, 실란커플링제, 티타늄계나 지르코늄계 등의 축합 촉매 등을 가교 보조제로서 배합할 수도 있다.

또한 예컨대 1,3,5,7-테트라메틸-1,3,5,7-테트라비닐시클로테트라실록산이나 1,3,5-트리알릴-1,3,5-트리아진-2,4,6-(1H, 3H, 5H)-트리온(트리알릴이소시아누레이트) 등의 다작용 알케닐 화합물, 1-에티닐시클로헥산올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올 등의 아세틸렌알코올 유도체 등의 히드로실릴화 반응 억제제를 포트 라이프(pot life)의 확보를 위하여 첨가할 수도 있고, 예컨대 트리메틸클로로실란이나 옥타메틸테트라시클로실록산으로 표면 처리한 처리 실리카 등의 무기 충전재를 경화물의 경도나 강도를 향상시키기 위하여 배합할 수도 있다. 더욱이 염료, 안료, 난연제, 이형제 등의 배합도 본 발명의 효과를 손상하지 않는 범위이면 가능하다.

이들 각 임의 성분은 1종 단독으로 사용할 수도 2종 이상을 병용할 수도 있다.

본 발명의 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물은 통상의 혼합 교반기, 혼련기 등을 이용하여 상기한 각 성분을 균일하게 혼합함으로써 조제할 수 있다.

본 발명의 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 경화물로 이루어지는 백라이트 장치용 광도파판은 각 성분을 균일하게 혼합한 상기한 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물을 80∼350℃, 바람직하게는 100∼200℃, 보다 바람직하게는 120∼150℃에서 가열 경화함으로써 얻을 수 있다. 성형법은 공지의 열경화 수지에 의한 필름 성형법을 이용할 수 있고, 예컨대 프레스 성형법이라면, 2장의 수지 필름(라이너) 사이에 본 발명의 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물을 유입하고, 소정의 금형, 조건으로 가압 가황시키면 된다. 또한 연신 성형법의 예로는 2장의 연속 수지 필름 사이에 본 발명의 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물을 공급하면서 롤에 의해 일정 두께로 연신하고, 가열로에 연속적으로 공급하여 상압 열기 가황시킨다. 경화후, 냉각하고나서 라이너를 박리하면, 광도파판을 얻을 수 있다.

이 경우, 본 발명의 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 경화물은 그 고무 경도가 듀로미터 A에서 70도 이상(통상 70∼85도), 특히 75∼85도인 것이 바람직하다. 또한 두께 2mm의 경화물 시트의 전광선 투과율이 스가 시켄키(주) 제조 직독 베이스 컴퓨터 HGM-2에 의한 측정값으로 90% 이상, 특히 92% 이상인 것 이 바람직하다. 또한 두께 0.2mm의 경화물 필름을 2겹 접기(즉 180°)로 절곡하여도 갈라짐이 발생하지 않는 것이 바람직하다.

<실시예>

이하, 실시예와 비교예에 의해 본 발명을 구체적으로 설명하는데, 본 발명은 이하의 실시예에 한정되지 않는다. 또한, 배합량의 단위는 질량부이다. 또한 중량 평균 분자량, 중량 평균 중합도는 겔 침투 크로마토그래피(GPC) 분석에서의 폴리스티렌 환산값이다. 점도는 회전 점도계에 의한 값이다.

[실시예 1∼7, 비교예 1∼6]

히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 각 예에 대하여 (A) 실리콘 수지, (B) 액상 알케닐기 함유 오가노 폴리실록산, (C) 생고무형 알케닐기 함유 오가노 폴리실록산, (D) 오가노 하이드로젠폴리실록산, (E) 히드로실릴화 반응 촉매, (F) 히드로실릴화 반응 제어제, 각각의 배합량을 표 1에 나타내었다. 각 조성물은 균일하게 혼합 교반, 감압 탈포하였다.

프레스판 상에 폴리에틸렌테레프탈레이트(PET) 라이너, 두께 2.2mm의 틀을 포개고, 이 틀 내에 상기한 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물을 유입하고, 이 위에 PET 라이너, 프레스판을 더 적층하여 120℃에서 10분간 프레스 성형하였다. 2장의 PET 라이너째로 꺼내어 냉각후, PET 라이너를 박리하여 두께 약 2mm의 실리콘 고무제 투명 필름을 얻었다.

마찬가지로 두께 0.2mm의 스페이서(틀)를 사용하여 150℃에서 2분간 프레스 성형함으로써 두께 약 0.2mm의 실리콘 고무제 투명 시트를 얻었다.

이들에 대하여 하기의 물성을 평가하였다.

·고무 경도: JIS-K6249(2mm 시트), 듀로미터 A

·투명성: 2mm 시트의 전광선 투과율을 측정하였다.

·가요성: 0.2mm 시트로부터 세로 60mm×가로 20mm의 피스를 잘라내고, 종방향 대략 중앙에서 2겹으로 접어 굴곡부에 크랙(갈라짐)이 발생하지 않으면 합격으로 하였다.

·종합 평가: 고무 경도가 듀로미터 A에서 70 이상, 투명성이 전광선 투과율 90% 이상, 가요성이 합격의 3항목 모두가 만족되었을 때 ○, 그 이외를 ×로 하였다.

사용한 재료

(A) 실리콘 수지

A-1 (CH₃)₃SiO₁ _/2단위, (CH₂=CH)(CH₃)₂SiO₁ _/2단위, SiO₄ _/2단위의 공중합체

몰비: (CH₃)₃SiO₁ _/2/(CH₂=CH)(CH₃)₂SiO₁ _/2/SiO₄ _/2=40/10/50

1분자 당 알케닐기 수: 4.2개(중량 평균 분자량=3,000)

A-2 (CH₃)₃SiO₁ _/2단위, (CH₂=CH)(CH₃)₂SiO₁ _/2단위, SiO₄ _/2단위의 공중합체

몰비: (CH₃)₃SiO₁ _/2/(CH₂=CH)(CH₃)₂SiO₁ _/2/SiO₄ _/2=40/5/55

1분자 당 알케닐기 수: 3.5개(중량 평균 분자량=5,000)

A-3 (CH₃)₃SiO₁ _/2단위, (CH₂=CH)(CH₃)SiO₂ _/2단위, SiO₄ _/2단위의 공중합체

몰비: (CH₃)₃SiO₁ _/2/(CH₂=CH)(CH₃)SiO₂ _/2/SiO₄ _/2=45/10/45

1분자 당 알케닐기 수: 4.2개(중량 평균 분자량=3,000)

A-4 (CH₃)₃SiO₁ _/2단위, SiO₄ _/2단위의 공중합체

몰비: (CH₃)₃SiO₁ _/2/SiO₄ _/2=50/50

1분자 당 알케닐기 수: 0개(중량 평균 분자량=3,000)

(B) 액상 알케닐기 함유 오가노 폴리실록산

B-1 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산

중량 평균 중합도: 약 1,100(중량 평균 분자량=약 80,000)

점도: 약 100Pa·s

B-2 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산

중량 평균 중합도: 약 450(중량 평균 분자량=약 33,000)

점도: 약 5Pa·s

B-3 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산·디메틸폴리실록산 공중합체

중량 평균 중합도: 약 750(중량 평균 분자량=약 56,000)

점도: 약 30Pa·s

1분자 당 알케닐기 수: 3.8개

(C) 생고무형 알케닐기 함유 오가노 폴리실록산

C-1 양 말단 디메틸비닐실록시기 봉쇄 디메틸 폴리실록산

중량 평균 중합도: 약 8,000(중량 평균 분자량=약 600,000)

C-2 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 비닐메틸실록산·디메틸폴리실록산 공중합체

중량 평균 중합도: 약 8,000(중량 평균 분자량=약 600,000)

1분자 당 알케닐기 수: 10개

C-3 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산

중량 평균 중합도=약 8,000(중량 평균 분자량=약 600,000)

1분자 당 알케닐기 수: 0개

(D) 오가노 하이드로젠폴리실록산

D-1 양 말단 트리메틸실록시기 봉쇄 메틸하이드로젠폴리실록산

점도: 20mPa ·s

1분자 당 SiH기 수: 40개(SiH기 함유량 0.016mol/g)

D-2 양 말단 디메틸하이드로젠 실록시기 봉쇄 디메틸폴리실록산·메틸하이드로젠폴리실록산 공중합체

점도: 40mPa·s

1분자 당 SiH기 수: 45개(SiH기 함유량 0.011mol/g)

(E) 히드로실릴화 반응 촉매

E-1 1-에티닐시클로헥산올

(F)히드로실릴화 반응 촉매

F-1 백금 촉매

Pt 농도: 1중량%

Claims

(A) R₃SiO_1/2단위(M 단위), SiO_4/2단위(Q 단위), R₂SiO_2/2단위(D 단위) 및 RSiO_3/2단위(T 단위)에서 선택되는 단위로 이루어지며, 이들 전체 구성 단위 중 M 단위 및 Q 단위의 합계량이 80mol% 이상이고, Q 단위에 대한 M 단위의 몰비가 0.5∼1.5의 범위인 분기형 또는 3차원 메시형의 실리콘 수지 100질량부,

(여기서, R은 탄소수 1∼6의 1가 탄화수소기이며, 1분자 중의 적어도 2개는 알케닐기임.)

(B) 평균 중합도가 450∼2,000이고, 1분자 중에 적어도 2개의 규소 원자와 결합한 알케닐기를 함유하는 실온에서 액상인 직쇄형 오가노 폴리실록산 50∼200질량부,

(C) 평균 중합도가 2,100∼100,000이고, 1분자 중에 적어도 2개의 규소 원자와 결합한 알케닐기를 함유하는 실온에서 생고무 형태인 직쇄형 오가노 폴리실록산 1∼50질량부,

(D) 1분자 중에 적어도 2개의 규소 원자와 결합한 수소 원자를 함유하는 오가노 하이드로젠폴리실록산을, (A), (B) 성분 및 (C) 성분 중의 규소 원자와 결합한 알케닐기 1개 당 규소 원자에 결합한 수소 원자의 수가 1.0∼10.0개가 되는 양으로, 그리고

(E) 촉매량의 히드로실릴화 반응 촉매

를 필수 성분으로 하는 것을 특징으로 하는 광도파판용 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물.
삭제
제 1 항에 있어서, 상기 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 경화물의 고무 경도가 듀로미터 A에서 70도 이상인 것을 특징으로 하는 광도파판용 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물.
제 1 항에 있어서, 상기 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 두께 2mm의 경화물 시트의 전광선 투과율이 90% 이상인 것을 특징으로 하는 광도파판용 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물.
제 1 항에 있어서, 상기 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물의 두께 0.2mm의 경화물 필름을 절곡하여도 갈라짐이 발생하지 않는 것을 특징으로 하는 광도파판용 히드로실릴화 경화형 액상 실리콘 고무 조성물.