KR100956247B1 - 금속유기 화학기상 증착장치 - Google Patents

금속유기 화학기상 증착장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100956247B1
KR100956247B1 KR1020070129715A KR20070129715A KR100956247B1 KR 100956247 B1 KR100956247 B1 KR 100956247B1 KR 1020070129715 A KR1020070129715 A KR 1020070129715A KR 20070129715 A KR20070129715 A KR 20070129715A KR 100956247 B1 KR100956247 B1 KR 100956247B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
susceptors
cover
susceptor
vapor deposition
chemical vapor
Prior art date
Application number
KR1020070129715A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20090062455A (ko
Inventor
이원신
홍종파
Original Assignee
삼성엘이디 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 삼성엘이디 주식회사 filed Critical 삼성엘이디 주식회사
Priority to KR1020070129715A priority Critical patent/KR100956247B1/ko
Priority to JP2008269386A priority patent/JP4879245B2/ja
Priority to DE102008052750A priority patent/DE102008052750A1/de
Publication of KR20090062455A publication Critical patent/KR20090062455A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100956247B1 publication Critical patent/KR100956247B1/ko

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45508—Radial flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/18—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metallo-organic compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/4412—Details relating to the exhausts, e.g. pumps, filters, scrubbers, particle traps
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/448—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for generating reactive gas streams, e.g. by evaporation or sublimation of precursor materials
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/455—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for introducing gases into reaction chamber or for modifying gas flows in reaction chamber
    • C23C16/45502—Flow conditions in reaction chamber
    • C23C16/45504—Laminar flow
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/458—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for supporting substrates in the reaction chamber
    • C23C16/4582—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs
    • C23C16/4583—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally
    • C23C16/4584—Rigid and flat substrates, e.g. plates or discs the substrate being supported substantially horizontally the substrate being rotated

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Fluid Mechanics (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)

Abstract

금속유기 화학기상 증착장치를 제공한다.
본 발명은 하부로 개방된 상부덮개와 상부로 개방된 하부덮개를 갖추어 상하 합형시 일정크기의 내부공간을 형성하는 반응챔버 : 상기 상,하부덮개에 구비되는 상,하부 중공축에 각각 회전가능하게 조립되는 상,하부 서셉터를 갖추어 서로 마주하는 상,하부 서셉터의 대응면에 적어도 하나 이상의 웨이퍼가 배치되는 웨이퍼배치부 ; 상기 상부덮개와 상부 서셉터사이에 구비되는 상부히터와, 상기 하부덮개와 부 서셉터사이에 구비되는 하부히터를 갖추어 상기 상,하부 서셉터에 복사열을 제공하는 가열부 ;상기 상,하부 중공축을 회전중심으로 하여 상,하부 서섭터를 일방향으로 회전시키는 동력을 제공하는 회전구동부 ; 상기 상,하부 중공축에 연결되는 상,하부 가스공급구를 갖추고, 상기 상,하부 중공축사이를 연결하는 중앙가스공급노즐을 통하여 서로 마주하는 상,하부 서셉터의 대응면사이로 반응가스를 공급하는 가스공급부 ; 및 상기 상,하부덮개의 외측테두리에 접하도록 배치되고, 상기 반응챔버의 내부공간과 연결되어 상기 웨이퍼와 반응완료된 반응가스를 외부로 배출하는 가스배기부 ; 를 포함한다.
Figure R1020070129715
금속유기, 화학기상증착, 웨이퍼, 서셉터, 챔버, 히터, 층류

Description

금속유기 화학기상 증착장치{Metal Organic Chemical Vapor Deposition Apparatus}
본 발명은 서로 마주하도록 배치된 웨이퍼의 증착면에 성장층을 동시에 형성할 수 있도록 개선된 금속유기 화학기상 증착장치에 관한 것이다.
일반적으로 화학 기상 증착(Chemical Vapor Deposition ; CVD)은 여러 가지 기판상에 다양한 결정막을 성장시키는 데 주요한 방법으로 사용되고 있으며, ㅇ이는 액상 성장법에 비해, 성장시킨 결정의 품질이 뛰어나지만, 결정의 성장 속도가 상대적으로 느린 단점이 있다. 이것을 극복하기 위해 한 번의 성장 싸이클에서 여러 장의 기판상에 동시에 성장을 실행하는 방법이 널리 채택되고 있다.
최근 반도체 소자의 미세화와 고효율, 고출력 LED 개발등으로 CVD 기술 중 금속유기 화학적 기상증착법 (Metal Organic Chemical Vapor Deposition ; MOCVD) 가 각광받고 있으며, 이러한 MOCVD는 화학적 기상성장법(CVD) 중의 한가지로 유기금속의 열분해반응을 이용해 반도체기판상에 금속화합물을 퇴적.부착시키는 화합물반도체의 기상성장법을 말한다.
도 1은 일반적인 금속유기 화학기상 증착장치를 도시한 구성도로서, 이러한 장치(10)는 일정크기의 내부공간을 갖는 챔버(11)와, 증착대상물인 웨이퍼(2)가 올려지는 다수의 포켓(12a)을 구비하는 서셉터(suscepter)(12)와, 상기 서셉터(12)의 하부에 배치되어 열을 제공하는 히터(13)와, 상기 서셉터(12)와 연결되는 구동축(17a)을 갖추어 회전동력을 제공하는 회전모터(17)와, 상기 챔버(11)내부로 반응가스를 공급하는 가스유입구(14) 및 반응이 종료된 폐 반응가스를 외부배출하는 가스배기구(15)를 포함하여 구성된다.
이러한 장치(10)는 상기 가스유입구(14)의 하부단에 구비된 노즐(16)이 상기 챔버내부중앙에 배치되는바, 상기 노즐(16)의 노즐공(16a)을 통하여 반응가스인 소스 가스(source gas)와 캐리어 가스(carrier gas)가 상기 챔버(11)내부의 중앙으로 공급된다.
이러한 반응가스는 상기 서셉터(12)에 로딩된 웨이퍼(2)의 상부면과 접촉함과 동시에 상기 웨이퍼(2)는 히터(13)에서 제공되는 복사열에 의해서 가열되는 서셉터(12)를 통해 고온으로 가열된다. 이에 따라, 상기 반응가스는 높은 온도의 웨이퍼(2)의 증착면인 상부면에서 화학적 증착반응을 하면서 상기 웨이퍼(2)의 표면에 질화물 성장층을 형성하고, 반응이 종료된 폐 반응가스는 부산물과 더불어 배기구(15)를 통하여 외부배출되는 것이다.
그러나, 종래의 금속유기 화학기상 증착장치에서는 특히 InGaN계 성장층을 형성하는 경우, 성장온도는 통상 700~800℃정도로 높고, 상기 웨이퍼(2)의 상부표면인 성장면과 상기 챔버(11)의 천정면간의 온도차가 크기 때문에 상기 챔버(11)내부에서 반응가스가 상부로 상승되는 열대류(A)가 발생되고, 이로 인하여 성장층의 조성이 불균일하게 되거나 화학적 증착반응이 원활하게 이루어지지 않게 된다.
또한, 성장온도가 1000℃ 로 고온이 되면 상기 챔버(11)내부에서의 열대류(A)가 한층 더 격렬해지면서 난류를 일으켜 GaN:Mg성장시에 Mg의 도핑 프로파일(Doping Profile)가 불균일하게 되는 문제를 일으킨다.
이에 따라, 종래에는 이러한 문제를 해결하기 위해서 반응가스의 유속을 증가시키거나 반응가스를 공급하는 방법을 변경하여 웨이퍼에 형성되는 성장층의 불균일을 해결하고자 하였다. 그러나, 이러한 방법은 성장 압력이나 반응가스의 공급 비율, 반응가스 공급 노즐 형상을 변화시키면 성장막의 조성 균일성이 무너지기 쉽고, 프로세스 윈도우(Process Window)가 좁아지는 문제가 있었다.
또한, 반응가스의 유속에 관해서, 예를 들면, 0.5 m/s, 200 Torr에서 균일한 조건이 얻어지고 있어도, 반응가스의 공급압력을 400 Torr로 하게 되면 반응가스의 유속이 0.25 m/s로 저하되면서 난류가 발생하고 균일성이 흐트러지는 경우가 있었다.
그리고, 동일 유속을 유지하려면 유량을 2배로 하거나 서셉터(12)의 상부면과 챔버(11)의 천정면간의 간격을 1/2로 할 필요가 있어, MFC(Mass Flow Controller)를 미리 大류량 대응으로 해 두는지, 장치의 하드적인 변경이 필요하게 되어 번잡하다.
그리고, 반응가스을 공급하는 방법을 개선하여 성장층의 균일성을 확보하고자하느 경우, 통상 AlInGaN 성장에 대해서는 3족가스로서 유기 금속(MO)이 사용되고, 5족가스로는 NH3가 사용되며, 캐리어 가스(Carrier Gas)로는 N2,H2가 사용되 지만, 상대적으로 유량이 많은 NH3의 비율을 변화시키면 3족가스의 조성 균일성도 흐트러지는 경우가 많기 때문에 결정성과 균일성을 양립시키기 위한 프로레스 윈도우(Process Window)는 제한된다.
이러한 현상은 챔버의 내부에서 발생하는 열대류가 주된 원인이라고 생각할 수 있어 열대류의 발생하기 어려운 반응로를 설계함으로서 균일성 확보가 용이한 넓은 프로세스 윈도우(Process Window)를 가지는 반응노를 얻을 수 있는 것이다.
따라서, 본 발명은 상기한 문제점을 해결하기 위해 안출한 것으로, 그 목적은 화학기상 증착반응시 챔버내부의 상하온도차이에 기인하는 열대류의 발생을 근본적으로 억제하고자 하는 금속유기 화학기상 증착장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 다른 목적은 고온환경에서도 반응가스의 흐름을 층류로 안정적으로 형성하고, 웨이퍼를 동일한 온도로 가열하고자 하는 금속유기 화학기상 증착장치를 제공하고자 한다.
본 발명의 또다른 목적은 서로 마주하도록 배치된 웨이퍼에 성장층을 동시에 성막하면서 유기금속원료의 이용효율을 높이고자 하는 금속유기 화학기상 증착장치를 제공하고자 한다.
상기한 목적을 달성하기 위한 구체적인 기술적인 수단으로서, 본 발명은 하부로 개방된 상부덮개와 상부로 개방된 하부덮개를 갖추어 상하 합형시 일정크기의 내부공간을 형성하는 반응챔버 : 상기 상,하부덮개에 구비되는 상,하부 중공축에 각각 회전가능하게 조립되는 상,하부 서셉터를 갖추어 서로 마주하는 상,하부 서셉터의 대응면에 적어도 하나 이상의 웨이퍼가 배치되는 웨이퍼배치부 ;상기 상부덮개와 상부 서셉터사이에 구비되는 상부히터와, 상기 하부덮개와 부 서셉터사이에 구비되는 하부히터를 갖추어 상기 상,하부 서셉터에 복사열을 제공하는 가열부 ;상기 상,하부 중공축을 회전중심으로 하여 상,하부 서섭터를 일방향으로 회전시키는 동력을 제공하는 회전구동부 ; 상기 상,하부 중공축에 연결되는 상,하부 가스공급구를 갖추고, 상기 상,하부 중공축사이를 연결하는 중앙가스공급노즐을 통하여 서로 마주하는 상,하부 서셉터의 대응면사이로 반응가스를 공급하는 가스공급부 ; 및 상기 상,하부덮개의 외측테두리에 접하도록 배치되고, 상기 반응챔버의 내부공간과 연결되어 상기 웨이퍼와 반응완료된 반응가스를 외부로 배출하는 가스배기부 ; 를 포함하는 금속유기 화학기상 증착장치를 제공한다.
바람직하게, 상기 반응챔버의 일측에는 덮개 회동부를 추가 포함하며, 상기 덮개회동부는 상기 상부덮개 또는 하부덮개중 어느 하나에 연결되는 일단이 연결되는 회동아암과, 상기 회동아암과 상단이 힌지축을 매개로 하여 연결되는 고정아암을 포함한다.
바람직하게, 상기 상부 서셉터는 상기 상부 서셉터에 일단 고정단이 고정되고, 상기 웨이퍼의 표면에 타단 자유단이 탄성적으로 접하도록 굽힘변형된 복수개의 탄성와이어를 구비한다.
바람직하게, 상기 상,하부히터는 상기 상,하부서셉터를 동일한 온도로 가열하거나 서로 다른 온도로 가열하도록 독립적으로 제어된다.
바람직하게, 상기 회전구동부는 상기 상부서셉터의 외주면에 형성된 피동기어와 기어물림되는 구동기어를 선단에 장착한 구동축을 구비하는 상부회전모터와, 상기 하부서셉터의 외주면에 형성된 피동기어와 기어물림되는 구동기어를 선단에 장착한 구동축을 구비하는 하부회전모터를 포함한다.
더욱 바람직하게, 상기 상,하부 회전모터는 상기 상,하부서셉터를 동일한 방 향 및 동일한 속도로 회전구동한다.
바람직하게, 상기 상부덮개와 하부덮개에는 상기 상,하부 서셉터의 외부면이나 상기 상,하부 히터에 각각 근접하도록 배치되어 가열온도를 측정하는 상,하부 온도센서를 각각 구비한다.
바람직하게, 상기 중앙가스공급노즐로부터 반응챔버내로 공급되는 반응가스의 공급위치는 상기 상,하부 서셉터사이의 상하간격중심과 서로 일치된다.
바람직하게, 상기 가스배기부는 상기 상,하부덮개의 외측테두리에 접하도록 배치되는 환고리형의 삽입부재와, 상기 반응챔버의 내부공간측으로 개구되도록 상기 삽입부재에 구비되는 배기구 및 상기 배기구와 연결되는 배기라인을 포함한다.
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
삭제
상기한 구성의 본 발명에 의하면, 개폐가 가능하도록 상하분할되는 상,하부 덮개로 이루어지는 반응챔버의 내부에 웨이퍼가 서로 마주하도록 배치한 상태에서 반응가스가 반응챔버의 중심으로부터 공급되어 외주측으로 배기되는 가스유로를 형성하거나 반응가스가 반응챔버의 외주측으로부터 공급되어 중심으로 배기되는 가스유료를 형성함으로서, 화학기상 증착반응시 챔버내부의 상하온도차이에 기인하는 열대류의 발생을 근본적으로 억제하여 균일한 성장층을 증착하여 우수한 품질의 증착 웨이퍼를 제조할 수 있다.
또한, 반응챔버내부의 고온환경에서도 반응가스의 흐름을 층류로 안정적으로 형성하고, 웨이퍼를 동일한 온도로 가열하여 성장층의 균일성, 결정성을 동시에 만족할 수 있는 한편, 서로 마주하도록 배치된 웨이퍼에 성장층을 동시에 성막함으로 서 유기금속원료의 이용효율을 높일 수 있는 것이다.
이하 본 발명에 대해서 첨부된 도면에 따라 보다 상세히 설명한다.
도 2은 본 발명에 따른 금속유기 화학기상 증착장치의 제1실시예가 닫혀진 상태를 단면도이고, 도 3은 본 발명에 따른 금속유기 화학기상 증착장치의 제1실시예가 열려진 상태를 단면도이며, 도 4는 본 발명에 따른 금속유기 화학기상 증착장치의 제1실시예에서 반응가스의 공급 및 배기흐름을 도시한 상태도이고, 도 5는 도 4의 4-4' 선을 따라 절단한 상태에서 상부에서 바라본 평면도이다.
본 발명의 제1실시예에 따른 장치(100)는 도 2 내지 5에 도시한 바와 같이, 서로 마주하도록 배치된 웨이퍼(2,2)의 표면에 동시에 성장층을 증착시킬 수 있는 것으로, 이는 반응챔버(110), 웨이퍼배치부(120), 가열부(130), 회전구동부(140), 가스공급부(150) 및 가스배기부(160)를 포함하여 구성된다.
상기 반응챔버(110)는 상부덮개(111)와 하부덮개(112)를 갖추어 상하 합형시 일정크기의 내부공간을 형성하는바, 상기 상부덮개(111)는 하부로 개방되고, 내부천정면(111a)에 단열재(113)가 구비되는 상부구조물이다.
상기 하부덮개(112)는 상부로 개방되고 내부바닥면(112a)에 단열재(114)가 구비되는 하부구조물이다.
이러한 상,하부 덮개(111,112)는 몸체를 냉각시킬 수 있도록 몸체내부에 냉각수와 같은 유체가 일방향으로 흐르는 냉각수라인(115,116)을 각각 구비하는 것이 바람직하다.
또한,상기 반응챔버(110)의 일측에는 상기 상부덮개(111) 또는 하부덮개(112)중 어느 하나를 회동시켜 이들을 서로 분리하거나 합형하는 덮개회동부(170)를 구비할 수도 있으며, 이러한 덮개 회동부(170)는 상기 상부덮개(110)에 일단이 연결되는 회동아암(171)과, 상기 회동아암(171)과 상단이 힌지축(172)을 매개로 하여 연결되는 고정아암(173)을 갖추어 구성한다.
여기서, 상기 회동아암(171)은 상기 상부덮개(111)에 연결되어 이를 하부덮개에 대하여 회동시켜 상,하부덮개(111,112)의 합형 및 분리동작을 수행하는 것으로 도시하였지만 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 웨이퍼 배치부(120)는 상부 서셉터(121)와 하부 서섭터(122)를 포함하는바, 상기 상부 서셉터(121)는 상기 상부덮개(111)의 내부에 배치되고, 상기 상부덮개(111)의 중앙부에 배치되는 상부 중공축(125)에 회전가능하게 조립된다.
상기 하부 서셉터(121)는 상기 하부덮개(112)의 내부에 배치되고, 상기 하부덮개(112)의 중앙부에 배치되는 하부 중공축(126)에 회전가능하게 조립된다.
이러한 상,하부 중공축(125,126)은 상기 상,하부 서셉터(121,122)의 정중앙에 관통형성된 중앙조립공(121b,122b)에 배치되는 베어링부재 또는 부쉬와 같은 회전지지부재(미도시)를 매개로 하여 회전가능하게 조립된다.
또한, 상기 상,하부 중공축(125,126)은 반응가스가 자유롭게 흐를 수 있도록 중공파이프로부재로 이루어진다.
상기 상,하부 서셉터(121,122)의 표면에는 증착대상물인 웨이퍼(2)가 로딩될 수 있도록 함몰형성되는 원반형의 포켓(121a,122a)을 구비하며, 이러한 상,하부서 셉터(121,122)은 포켓(121a,122a)에 로딩되는 웨이퍼(2)가 서로 마주하도록 배치된다.
여기서, 상기 상,하부 서셉터(121)에는 상기 포켓(121a)에 로딩된 웨이퍼(2)의 외부이탈이 곤란하도록 탄성와이어(124)를 복수개 구비하는바, 상기 탄성와이어(124)는 상기 상부서셉터(121)에 일단 고정단이 고정되고, 상기 웨이퍼의 표면에 타단 자유단이 탄성적으로 접하도록 굽힘변형된 와이어부재로 구비된다.
이에 따라, 상기 상부 서셉터(121)의 포켓(121a)에 로딩된 웨이퍼(2)와 상기 하부서셉터(122)의 포켓(122a)에 구비되는 웨이퍼(2)는 일정간격을 두고 증착면인 상부면이 서로 마주하도록 배치되는 것이다.
상기 가열부(130)는 상기 상,하부 서셉터(121,122)에 복사열을 제공하여 이에 로딩된 웨이퍼(2)를 가열하는 것으로, 이는 상부히터(131)와 하부히터(132)를 포함한다.
상기 상부히터(131)는 상기 상부덮개(111)의 내부 천정면과 상기 상부서셉터(121)사이에 구비되어 전원인가시 열을 발생시키는 전열부재이며, 상기 하부히터(132)는 상기 하부덮개(111)의 내부바닥면과 상기 하부서셉터(122)사이에 구비되는 전원인가시 일정온도의 열을 발생시키는 전열부재이다.
이러한 상,하부히터(131,132)는 상기 상,하부 서셉터(121,122)와 대응하는 영역에 상기 상,하부 서셉터(121,122)의 표면에 근접하도록 배치되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 상부덮개(111)와 하부덮개(112)에는 탐침봉이 상기 상,하부 서 셉터(121,122)의 외부면이나 상기 상,하부 히터(131,132)에 각각 근접하도록 배치되어 가열온도를 측정하는 상,하부 온도센서(134,135)를 각각 구비한다.
여기서, 상기 상부히터(131)와 하부히터(132)는 상기 상,하부서셉터(121,122)를 동일한 온도로 가열하거나 서로 다른 온도로 가열하도록 독립적으로 제어된다.
상기 회전구동부(140)는 상기 상,하부덮개(111,112)에 구비된 상,하부중공축(125,126)을 회전중심으로 하여 상기 상,하부서셉터(121,122)를 일방향으로 회전구동시키는 동력을 제공하는 것으로, 이는 상부회전모터(141)와 하부회전모터(142)를 구비하는바, 상기 상부회전모터(141)는 상기 상부서셉터(121)의 외주면에 형성된 피동기어(145)와 기어물림되는 구동기어를 선단에 장착한 구동축(143)을 구비한다.
상기 하부회전모터(142)는 상기 하부서셉터(122)의 외주면에 형성된 피동기어(146)와 기어물림되는 구동기어를 선단에 장착한 구동축(144)을 구비한다.
여기서, 상기 상,하부 회전모터(141,142)는 상기 상,하부 덮개(111,112)의 외부면에 고정설치되고, 상기 구동축(143,144)이 상기 상,하부 덮개(111,112)를 관통하여 배치되는 모터부재이다.
그리고, 상기 상,하부 회전모터(141,142)는 전원인가시 상기 상,하부 중공축(125,126)을 회전중심으로 하여 서로 마주하는 상,하부서셉터(121,122)를 동일한 방향 및 동일한 회전속도로 회전구동하는 것이 바람직하다.
상기 가스공급부(150)는 서로 마주하는 상,하부 서셉터(121,122)의 대응면사 이로 상기 반응챔버의 중심으로부터 외주측으로 반응가스가 흐르는 가스흐름을 형성하도록 반응가스를 공급하는 것이다.
이러한 가스공급부(150)는 상기 상,하부 중공축(125,126)에 각각 연결되는 상,하부 가스공급구(151,152)를 갖추고, 상기 상,하부 중공축(125,126)사이에는 이들을 서로 연결하는 중앙가스공급노즐(153)을 구비한다.
상기 중앙가스공급노즐(153)에는 상기 상,하부가스공급구(151,152)로부터 공공급되는 반응가스를 외부로 배출하기 위한 노즐공(154)을 복수개 구비한다.
여기서, 상기 중앙가스공급노즐(153)로부터 공급되는 반응가스의 공급위치는 상기 상,하부 서셉터(121,122)사이의 상하간격중심과 서로 대략적으로 일치되는 것이 바람직하다.
이러한 중앙가스공급노즐(153)은 상기 하부중공축(126)의 상단에 고정되는 것으로 도시하고 설명하였지만 이에 한정되는 것은 아니며 상기 상부 중공축(125)의 하단에 고정될 수도 있다.
또한, 상기 중앙가스공급노즐(153)은 상기 상,하부중공축(126)의 외경보다 큰 외경을 갖는 중공부재로 도시하고 설명하였지만 이에 한정도는 것은 아니며 상기 상,하부중공축(125,126)의 외경과 동일하거나 작은 외경크기로 구비될 수도 있다.
상기 가스배기부(160)는 상기 반응챔버(110)의 내부중심으로 공급되어 서로 마주하도록 배치된 웨이퍼(2,2)의 표면과 접촉되면서 상기 웨이퍼(2,2)의 상부표면에 성장층을 형성하도록 반응완료된 폐반응가스를 외부로 배출하는 것이다
이러한 가스배기부(160)는 상기 상,하부덮개(111,121)의 외측테두리에 접하도록 배치되는 환고리형의 삽입부재(161)와, 상기 반응챔버의 내부공간측으로 개구되도록 상기 삽입부재(161)에 구비되는 배기구(162) 및 상기 배기구(162)와 연결되는 배기라인(163)을 갖추어 구성한다.
이에 따라, 도 3에 도시한 바와 같이, 상기 덮개 회동부(170)의 개방작동에 의해서 회동아암(171)에 연결된 상부덮개(111)를 위치고정된 하부덮개(112)에 대하여 도면상 반시계방향으로 회동됨으로서, 상기 상,하부덮개(111,112)에 구비된 상,하부 서셉터(121,122)를 외부로 개방한다.
이러한 상태에서, 상기 상,하부 서셉터(121,122)에 형성된 복수개의 포켓(121a,122a)마다 증착대상물인 웨이퍼(2,2)를 각각 삽입하여 배치한다.
이때, 상기 상부 서셉터(121)에 로딩되는 웨이퍼(2)는 하부로 향하여 자중에 의해서 이탈될 수 있으므로 상기 상부 서셉터(121)에 일단인 고정단이 고정되는 탄성와이어(124)의 타단인 자유단이 웨이퍼(2)의 표면에 탄력적으로 접하도록 한다.
그리고, 상기 웨이퍼(2,2)의 로딩이 종료되면, 상기 덮개 회동부(170)의 닫힘작동에 의해서 회동아암(171)에 연결된 상부덮개(111)를 위치고정된 하부덮개(112)에 대하여 도면상 시계방향으로 회동함으로서, 상기 상,하부덮개(111,112)는 그 외측테두리에 접하도록 배치되는 환고리형의 삽입부재(161)를 매개로 합형되며, 이에 따라, 상기 상,하부덮개(111,113)와 삽입부재(161)사이에는 밀폐된 일정크기의 내부공간을 형성하게 된다. ,
이와 더불어, 상기 상,하부히터(131,132)에 전원을 인가함으로서 상기 상,하부 서셉터(121,122)를 복사열로서 가열하여 이에 로딩된 웨이퍼(2,2)를 700 내지 1200도로 가열한다.
그리고, 상기 상,하부 덮개(111,112)에 구비된 상,하부 회전모터(141,142)에 전원을 인가하여 각 구동축(143,144)을 회전시키면, 상기 구동축(143,144)의 각 일단부에 일체로 구비되거나 별도로 조립되는 구동기어(미도시)와 상기 상,하부 서셉터(121,122)의 외주측테두리에 구비된 피동기어(145,146)간의 기어물림에 의해서 상기 상,하부 서섭터(121,122)는 상,하부 중공축(125,126)을 회전중심으로 하여 동일한 방향으로 회전된다.
이러한 상태에서, 상기 상,하부 가스공급구(151,152)를 통하여 공급된 반응가스는 상,하부 중공축(125,126)을 통하여 이들사이에 구비된 중앙가스공급노즐(153)로 공급되고, 상기 중앙가스공급노즐(153)의 노즐공(154)을 통해 공급되는 반응가스는 도 4에 도시한 바와 같이, 상기 반응챔버(110)의 내부중심으로부터 외주측으로 흐르는 반응가스흐름(B)을 형성하게 된다.
그리고, 상기 반응가스흐름(B)은 서로 마주하는 상,하부 서셉터(121,122)사이에 형성되는 가스유로를 거쳐 상기 가스배기부(160)로 배출되는데, 상기 상부 서셉터(121)의 로딩면은 가스유로의 천정면에 해당되고, 상기 하부 서셉터(122)의 로딩면은 가스유로의 바닥면에 해당된다.
이때, 상기 서로 마주하는 상,하부 서셉터(121,122)는 상,하부 히터(131,132)에 의해서 동일한 온도로 가열되고, 이들간의 온도차이는 거의 없기 때 문에, 가스유로를 형성하는 천정면과 바닥면간의 온도차이에 의해서 발생되는 열대류 현상을 근본적으로 방지할 수 있고 가스유속이나 노즐형상에 관계없이 안정적인 반응가스 공급이 가능하게 된다.
이에 따라, 상기 서로 마주하는 상,하부 서셉터사이(121,122))사이를 통과하는 반응가스는 웨이퍼(2,2)의 증착면인 상부면에서 화학적 증착반응을 하면서 상기 웨이퍼(2)의 표면에 성장층을 균일하게 형성하고, 반응이 종료된 폐 반응가스는 부산물과 더불어 삽입부재(161)에 구비되는 배기구(162) 및 이에 연결된 배기라인(163)을 통하여 외부로 배출된다.
또한, 고온환경을 갖는 반응챔버내부에서 반응가스의 흐름을 층류로 안정적으로 형성하고, 복수개의 웨이퍼를 동일한 온도로 가열하여 성장층의 균일성 및 결정성을 안정적으로 확보할 수 있는 한편, 서로 마주하도록 배치된 웨이퍼에 성장층을 동시에 성막하면서 공급된 유기금속원료의 이용효율을 보다 높일 수 있는 것이다.
도 6은 본 발명에 따른 금속유기 화학기상 증착장치의 제2실시예가 닫혀진 상태를 단면도이고, 도 7은 본 발명에 따른 금속유기 화학기상 증착장치의 제2실시예가 열려진 상태를 단면도이며, 도 8은 본 발명에 따른 금속유기 화학기상 증착장치의 제2실시예에서 반응가스의 공급 및 배기흐름을 도시한 상태도이다.
본 발명의 제2실시예에 따른 장치(200)는 도 6 내지 8에 도시한 바와 같이, 서로 마주하도록 배치된 웨이퍼(2,2)의 표면에 동시에 성장층을 증착시킬 수 있는 것으로, 이는 반응챔버(210), 웨이퍼 배치부(220), 가열부(230), 회전구동부(240), 가스배기부(250) 및 가스공급부(260)를 포함하여 구성된다.
상기 반응챔버(210)는 상부덮개(211)와 하부덮개(212)를 갖추어 상하 합형시 일정크기의 내부공간을 형성하는바, 상기 상부덮개(211)는 하부로 개방되고, 내부천정면(211a)에 단열재(213)가 구비되는 상부구조물이다.
상기 하부덮개(212)는 상부로 개방되고 내부바닥면(212)에 단열재(214)가 구비되는 하부구조물이다.
이러한 상,하부 덮개(211,212)는 몸체를 냉각시킬 수 있도록 몸체내부에 냉각수와 같은 유체가 일방향으로 흐르는 냉각수라인(215,216)을 각각 구비하는 것이 바람직하다.
또한,상기 반응챔버(210)의 일측에는 상기 상부덮개(211) 또는 하부덮개(212)중 어느 하나를 회동시켜 이들을 서로 분리하거나 합형하는 덮개회동부(270)를 구비할 수도 있으며, 이러한 덮개 회동부(270)는 상기 상부덮개(210)에 일단이 연결되는 회동아암(271)과, 상기 회동아암(271)과 상단이 힌지축(272)을 매개로 하여 연결되는 고정아암(273)을 갖추어 구성한다.
여기서, 상기 회동아암(271)은 상기 상부덮개(211)에 연결되어 이를 하부덮개에 대하여 회동시켜 상,하부덮개(211,212)의 합형 및 분리동작을 수행하는 것으로 도시하였지만 이에 한정되는 것은 아니다.
상기 웨이퍼 배치부(220)는 상부 서셉터(221)와 하부 서섭터(222)를 포함하는바, 상기 상부 서셉터(221)는 상기 상부덮개(211)의 내부에 배치되고, 상기 상부덮개(211)의 중앙부에 배치되는 상부 중공축(225)에 회전가능하게 조립된다.
상기 하부 서셉터(221)는 상기 하부덮개(212)의 내부에 배치되고, 상기 하부덮개(212)의 중앙부에 배치되는 하부 중공축(226)에 회전가능하게 조립된다.
이러한 상,하부 중공축(225,226)은 상기 상,하부 서셉터(221,222)의 정중앙에 관통형성된 중앙조립공(221b,222b)에 배치되는 베어링부재 또는 부쉬와 같은 회전지지부재(미도시)를 매개로 하여 회전가능하게 조립된다.
또한, 상기 상,하부 중공축(225,226)은 반응가스가 자유롭게 흐를 수 있도록 중공파이프로부재로 이루어진다.
이러한 상,하부 중공축(225,226)에는 상기 반응챔버(210)의 내부에서 반응완료된 폐반응가스를 외부로 배출시키도록 상,하부 덮개로부터 외부로 연장되는 배기라인(251,252)을 일체로 구비할 수 도 있지만 이에 한정되는 것은 아니며 별도의 배기라인을 연결할 수도 있다.
상기 상,하부 서셉터(221,222)의 표면에는 증착대상물인 웨이퍼(2,2)가 로딩될 수 있도록 함몰형성되는 원반형의 포켓(221a,222a)을 구비하며, 이러한 상,하부서셉터(221,222)은 포켓(221a,222a)에 로딩되는 웨이퍼(2,2)가 서로 마주하도록 배치된다.
여기서, 상기 상,하부 서셉터(221)에는 상기 포켓(221a)에 로딩된 웨이퍼(2)의 외부이탈이 곤란하도록 탄성와이어(224)를 복수개 구비하는바, 상기 탄성와이어(224)는 상기 상부서셉터(221)에 일단 고정단이 고정되고, 상기 웨이퍼의 표면에 타단 자유단이 탄성적으로 접하도록 굽힘변형된 와이어부재로 구비된다.
이에 따라, 상기 상부 서셉터(221)의 포켓(221a)에 로딩된 웨이퍼(2)와 상기 하부서셉터(222)의 포켓(222a)에 구비되는 웨이퍼(2)는 일정간격을 두고 증착면인 상부면이 서로 마주하도록 배치되는 것이다.
상기 가열부(230)는 상기 상,하부 서셉터(221,222)에 복사열을 제공하여 이에 로딩된 웨이퍼(2,2)를 가열하는 것으로, 이는 상부히터(231)와 하부히터(232)를 포함한다.
상기 상부히터(231)는 상기 상부덮개(211)의 내부 천정면과 상기 상부 서셉터(221)사이에 구비되어 전원인가시 열을 발생시키는 전열부재이며, 상기 하부히터(232)는 상기 하부덮개(211)의 내부바닥면과 상기 하부서셉터(222)사이에 구비되는 전원인가시 일정온도의 열을 발생시키는 전열부재이다.
이러한 상,하부히터(231,232)는 상기 상,하부 서셉터(221,222)와 대응하는 영역에 상기 상,하부 서셉터(221,222)의 표면에 근접하도록 배치되는 것이 바람직하다.
그리고, 상기 상부덮개(211)와 하부덮개(212)에는 탐침봉이 상기 상,하부 서셉터(221,222)의 외부면이나 상기 상,하부 히터(231,232)에 각각 근접하도록 배치되어 가열온도를 측정하는 상,하부 온도센서(234,235)를 각각 구비한다.
여기서, 상기 상부히터(231)와 하부히터(232)는 상기 상,하부서셉터(221,222)를 동일한 온도로 가열하거나 서로 다른 온도로 가열하도록 독립적으로 제어된다.
상기 회전구동부(240)는 상기 상,하부덮개(211,212)에 구비된 상,하부중공축(225,226)을 회전중심으로 하여 상기 상,하부서셉터(221,222)를 일방향으로 회전 구동시키는 동력을 제공하는 것으로, 이는 상부 회전모터(241)와 하부 회전모터(242)를 구비하는바, 상기 상부 회전모터(241)는 상기 상부서셉터(221)의 외주면에 형성된 피동기어(245)와 기어물림되는 구동기어를 선단에 장착한 구동축(243)을 구비한다.
상기 하부회전모터(242)는 상기 하부서셉터(222)의 외주면에 형성된 피동기어(246)와 기어물림되는 구동기어를 선단에 장착한 구동축(244)을 구비한다.
여기서, 상기 상,하부 회전모터(241,242)는 상기 상,하부 덮개(211,212)의 외부면에 고정설치되고, 상기 구동축(243,244)이 상기 상,하부 덮개(211,212)를 관통하여 배치되는 모터부재이다.
그리고, 상기 상,하부 회전모터(241,242)는 전원인가시 상기 상,하부 중공축(225,226)을 회전중심으로 하여 서로 마주하는 상,하부서셉터(221,222)를 동일한 방향 및 동일한 회전속도로 회전구동하는 것이 바람직하다.
상기 가스배기부(250)는 상기 반응챔버(210)의 내부중심으로 공급되어 서로 마주하도록 배치된 웨이퍼(2,2)의 표면과 접촉되면서 상기 웨이퍼(2,2)의 상부표면에 성장층을 형성하도록 반응완료된 폐반응가스를 외부로 배출하는 것이다.
이러한 가스배기부(250)는 상기 상,하부 중공축(225,226)으로부터 연장되어 상기 상,하부 덮개(211,212)의 외부면으로부터 외측으로 일정길이 연장되는 중공형 배기라인(251,252)으로 구비된다.
이러한 배기라인(251,252)은 상기 상,하부 중공축(225,226)으로부터 연속하여 일정길이 연장되는 중공부재로 구비될 수도 있지만 이에 한정되는 것은 아니며 상기 상,하부 중공축(225,226)의 출구단에 조립식으로 조립되는 일정길이의 중공부재로 구비될 수도 있다.
상기 가스공급부(260)는 서로 마주하는 상,하부 서셉터(221,222)의 대응면사이로 상기 반응챔버의 외주측에서 중심으로 반응가스가 흐르는 가스흐름을 형성하도록 반응가스를 공급하는 것이다.
이러한 가스공급부(260)는 상기 상,하부덮개(211,212)의 외측테두리에 접하도록 배치되는 환고리형의 삽입부재(261)와, 상기 반응챔버(210)의 내부공간측으로 개구되도록 상기 삽입부재(261)에 구비되는 급기구(262) 및 상기 급기구(262)와 급기라인(263)을 매개로 연결되는 가스공급구(264)를 구비한다.
여기서, 상기 반응챔버의 내부로 노출되는 급기구(262)로부터 공급되는 반응가스의 공급위치는 상기 상,하부 서셉터(221,222)사이의 상하간격중심과 대략적으로 서로 일치되는 것이 바람직하다.
상기 가스공급구(264)에서 제공되는 반응가스는 상기 삽입부재(261)의 급기구(262)를 통하여 상기 반응챔버(210)의 외주측에서 중심방향으로 공급될 수 있는 것이다.
이에 따라, 도 7에 도시한 바와 같이, 상기 덮개 회동부(270)의 개방작동에 의해서 회동아암(271)에 연결된 상부덮개(211)를 위치고정된 하부덮개(212)에 대하여 도면상 반시계방향으로 회동됨으로서, 상기 상,하부덮개(211,212)에 구비된 상,하부 서셉터(221,222)를 외부로 개방한다.
이러한 상태에서, 상기 상,하부 서셉터(221,222)에 형성된 복수개의 포 켓(221a,222a)마다 증착대상물인 웨이퍼(2,2)를 각각 삽입하여 배치한다.
이때, 상기 상부 서셉터(221)에 로딩되는 웨이퍼(2)는 하부로 향하여 자중에 의해서 이탈될 수 있으므로 상기 상부 서셉터(221)에 일단인 고정단이 고정되는 탄성와이어(224)의 타단인 자유단이 웨이퍼(2)의 표면에 탄력적으로 접하도록 한다.
그리고, 상기 웨이퍼(2,2)의 로딩이 종료되면, 상기 덮개 회동부(270)의 닫힘작동에 의해서 회동아암(271)에 연결된 상부덮개(211)를 위치고정된 하부덮개(212)에 대하여 도면상 시계방향으로 회동함으로서, 상기 상,하부덮개(211,212)는 도 6에 도시한 바와 같이, 그 외측테두리에 접하도록 배치되는 환고리형의 삽입부재(261)를 매개로 합형되며, 이에 따라, 상기 상,하부덮개(211,212)와 삽입부재(261)사이에는 밀폐된 일정크기의 내부공간을 형성하게 된다. ,
이와 더불어, 상기 상,하부히터(231,232)에 전원을 인가함으로서 상기 상,하부 서셉터(221,222)를 복사열로서 가열하여 이에 로딩된 웨이퍼(2,2)를 700 내지 1200도로 가열한다.
그리고, 상기 상,하부 덮개(211,212)에 구비된 상,하부 회전모터(241,242)에 전원을 인가하여 각 구동축(243,244)을 회전시키면, 상기 구동축(243,244)의 각 일단부에 일체로 구비되거나 별도로 조립되는 구동기어(미도시)와 상기 상,하부 서셉터(221,222)의 외주측테두리에 구비된 피동기어(245,246)간의 기어물림에 의해서 상기 상,하부 서섭터(221,222)는 상,하부 중공축(225,226)을 회전중심으로 하여 동일한 방향으로 회전된다.
이러한 상태에서, 상기 가스공급구(264)를 통하여 급기라인(263)과 연결된 급기구(262)로 공급된 반응가스는 도 8에 도시한 바와 같이, 상기 반응챔버(210)의 외주측으로부터 중심측으로 흐르는 반응가스흐름(C)을 형성하게 된다.
그리고, 상기 반응가스흐름(C)은 서로 마주하는 상,하부 서셉터(221,222)사이에 형성되는 가스유로를 거쳐 상기 가스배기부(250)로 배출되는데, 상기 상부 서셉터(221)의 로딩면은 가스유로의 천정면에 해당되고, 상기 하부 서셉터(222)의 로딩면은 가스유로의 바닥면에 해당된다.
이때, 상기 서로 마주하는 상,하부 서셉터(221,222)는 상,하부 히터(231,232)에 의해서 동일한 온도로 가열되고, 이들간의 온도차이는 거의 없기 때문에, 가스유로를 형성하는 천정면과 바닥면간의 온도차이에 의해서 발생되는 열대류 현상을 근본적으로 방지할 수 있고 가스유속이나 노즐형상에 관계없이 안정적인 반응가스 공급이 가능하게 된다.
이에 따라, 상기 서로 마주하는 상,하부 서셉터사이(221,222)사이를 통과하는 반응가스는 웨이퍼(2,2)의 증착면인 상부면에서 화학적 증착반응을 하면서 상기 웨이퍼(2)의 표면에 성장층을 균일하게 형성하고, 반응이 종료된 폐 반응가스는 부산물과 더불어 상기 반응챔버의 중심부에 구비된 상,하부 중공축(225,226)및 이에 연결된 배기라인(251,252)을 통하여 배출된다.
또한, 고온환경을 갖는 반응챔버내부에서 반응가스의 흐름을 층류로 안정적으로 형성하고, 복수개의 웨이퍼를 동일한 온도로 가열함으로서, 성장층의 균일성 및 결정성을 안정적으로 확보할 수 있는 한편, 서로 마주하도록 배치된 웨이퍼에 성장층을 동시에 성막하면서 공급된 유기금속원료의 이용효율을 보다 높일 수 있는 것이다.
본 발명은 특정한 실시예에 관하여 도시하고 설명하였지만, 당업계에서 통상의 지식을 가진 자라면 이하의 특허청구범위에 기재된 본 발명의 사상 및 영역을 벗어나지 않는 범위 내에서 본 발명을 다양하게 수정 및 변경시킬 수 있음을 밝혀두고자 한다.
도 1은 일반적인 금속유기 화학기상증장치를 도시한 구성도이다.
도 2은 본 발명에 따른 금속유기 화학기상 증착장치의 제1실시예가 닫혀진 상태를 단면도이다.
도 3은 본 발명에 따른 금속유기 화학기상 증착장치의 제1실시예가 열려진 상태를 단면도이다.
도 4는 본 발명에 따른 금속유기 화학기상 증착장치의 제1실시예에서 반응가스의 공급 및 배기흐름을 도시한 상태도이다.
도 5는 도 4의 4-4' 선을 따라 절단한 상태에서 상부에서 바라본 평면도이다.
도 6은 본 발명에 따른 금속유기 화학기상 증착장치의 제2실시예가 닫혀진 상태를 단면도이다.
도 7은 본 발명에 따른 금속유기 화학기상 증착장치의 제1실시예가 열려진 상태를 단면도이다.
도 8은 본 발명에 따른 금속유기 화학기상 증착장치의 제1실시예에서 반응가스의 공급 및 배기흐름을 도시한 상태도이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110,210 : 반응챔버 111,211 : 상부덮개
112,212 : 하부덮개 120,220 : 웨이퍼 배치부
121,221 : 상부 서셉터 122,222 : 하부 서셉터
130,230 : 가열부 131,231 : 상부 히터
132,232 : 하부 히터 140,240 : 회전 구동부
141,241 : 상부 회전모터 142,242 : 하부 회전모터
150, 260 : 가스 공급부 160,250 : 가스 배기부

Claims (19)

  1. 하부로 개방된 상부덮개와 상부로 개방된 하부덮개를 갖추어 상하 합형시 일정크기의 내부공간을 형성하는 반응챔버 :
    상기 상,하부덮개에 구비되는 상,하부 중공축에 각각 회전가능하게 조립되는 상,하부 서셉터를 갖추어 서로 마주하는 상,하부 서셉터의 대응면에 적어도 하나 이상의 웨이퍼가 배치되는 웨이퍼배치부 ;
    상기 상부덮개와 상부 서셉터사이에 구비되는 상부히터와, 상기 하부덮개와 부 서셉터사이에 구비되는 하부히터를 갖추어 상기 상,하부 서셉터에 복사열을 제공하는 가열부 ;
    상기 상,하부 중공축을 회전중심으로 하여 상,하부 서섭터를 일방향으로 회전시키는 동력을 제공하는 회전구동부 ;
    상기 상,하부 중공축에 연결되는 상,하부 가스공급구를 갖추고, 상기 상,하부 중공축사이를 연결하는 중앙가스공급노즐을 통하여 서로 마주하는 상,하부 서셉터의 대응면사이로 반응가스를 공급하는 가스공급부 ; 및
    상기 상,하부덮개의 외측테두리에 접하도록 배치되고, 상기 반응챔버의 내부공간과 연결되어 상기 웨이퍼와 반응완료된 반응가스를 외부로 배출하는 가스배기부 ; 를 포함하는 금속유기 화학기상 증착장치.
  2. 제1항에 있어서, 상기 반응챔버의 일측에는 덮개 회동부를 추가 포함하며, 상기 덮개회동부는 상기 상부덮개 또는 하부덮개중 어느 하나에 연결되는 일단이 연결되는 회동아암과, 상기 회동아암과 상단이 힌지축을 매개로 하여 연결되는 고정아암을 포함함을 특징으로 하는 금속유기 화학기상 증착장치.
  3. 제1항에 있어서, 상기 상부 서셉터는 상기 상부 서셉터에 일단 고정단이 고정되고, 상기 웨이퍼의 표면에 타단 자유단이 탄성적으로 접하도록 굽힘변형된 복수개의 탄성와이어를 구비함을 특징으로 하는 금속유기 화학기상 증착장치.
  4. 제1항에 있어서, 상기 상,하부히터는 상기 상,하부서셉터를 동일한 온도로 가열하거나 서로 다른 온도로 가열하도록 독립적으로 제어됨을 특징으로 하는 금속유기 화학기상 증착장치.
  5. 제1항에 있어서, 상기 회전구동부는 상기 상부서셉터의 외주면에 형성된 피동기어와 기어물림되는 구동기어를 선단에 장착한 구동축을 구비하는 상부회전모터와, 상기 하부서셉터의 외주면에 형성된 피동기어와 기어물림되는 구동기어를 선단에 장착한 구동축을 구비하는 하부회전모터를 포함함을 특징으로 하는 금속유기 화학기상 증착장치.
  6. 제5항에 있어서, 상기 상,하부 회전모터는 상기 상,하부서셉터를 동일한 방향 및 동일한 속도로 회전구동함을 특징으로 하는 금속유기 화학기상 증착장치.
  7. 제1항에 있어서, 상기 상부덮개와 하부덮개에는 상기 상,하부 서셉터의 외부면이나 상기 상,하부 히터에 각각 근접하도록 배치되어 가열온도를 측정하는 상,하부 온도센서를 각각 구비함을 특징으로 하는 금속유기 화학기상 증착장치.
  8. 제1항에 있어서, 상기 중앙가스공급노즐로부터 반응챔버내로 공급되는 반응가스의 공급위치는 상기 상,하부 서셉터사이의 상하간격중심과 서로 일치됨을 특징으로 하는 금속유기 화학기상 증착장치.
  9. 제1항에 있어서, 상기 가스배기부는 상기 상,하부덮개의 외측테두리에 접하도록 배치되는 환고리형의 삽입부재와, 상기 반응챔버의 내부공간측으로 개구되도록 상기 삽입부재에 구비되는 배기구 및 상기 배기구와 연결되는 배기라인을 포함함을 특징으로 하는 금속유기 화학기상 증착장치.
  10. 삭제
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 삭제
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 삭제
  17. 삭제
  18. 삭제
  19. 삭제
KR1020070129715A 2007-12-13 2007-12-13 금속유기 화학기상 증착장치 KR100956247B1 (ko)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070129715A KR100956247B1 (ko) 2007-12-13 2007-12-13 금속유기 화학기상 증착장치
JP2008269386A JP4879245B2 (ja) 2007-12-13 2008-10-20 金属有機化学気相蒸着装置
DE102008052750A DE102008052750A1 (de) 2007-12-13 2008-10-22 Vorrichtung für metallorganische Gasphasenabscheidung

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020070129715A KR100956247B1 (ko) 2007-12-13 2007-12-13 금속유기 화학기상 증착장치

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020090125601A Division KR20100014206A (ko) 2009-12-16 2009-12-16 금속유기 화학기상 증착장치

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20090062455A KR20090062455A (ko) 2009-06-17
KR100956247B1 true KR100956247B1 (ko) 2010-05-06

Family

ID=40680225

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020070129715A KR100956247B1 (ko) 2007-12-13 2007-12-13 금속유기 화학기상 증착장치

Country Status (3)

Country Link
JP (1) JP4879245B2 (ko)
KR (1) KR100956247B1 (ko)
DE (1) DE102008052750A1 (ko)

Families Citing this family (339)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US9793148B2 (en) 2011-06-22 2017-10-17 Asm Japan K.K. Method for positioning wafers in multiple wafer transport
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US8946830B2 (en) 2012-04-04 2015-02-03 Asm Ip Holdings B.V. Metal oxide protective layer for a semiconductor device
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9640416B2 (en) 2012-12-26 2017-05-02 Asm Ip Holding B.V. Single-and dual-chamber module-attachable wafer-handling chamber
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US8993054B2 (en) 2013-07-12 2015-03-31 Asm Ip Holding B.V. Method and system to reduce outgassing in a reaction chamber
CN103343334A (zh) * 2013-07-18 2013-10-09 湖南顶立科技有限公司 一种气相沉积方法
US9018111B2 (en) 2013-07-22 2015-04-28 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor reaction chamber with plasma capabilities
US9793115B2 (en) 2013-08-14 2017-10-17 Asm Ip Holding B.V. Structures and devices including germanium-tin films and methods of forming same
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US9556516B2 (en) 2013-10-09 2017-01-31 ASM IP Holding B.V Method for forming Ti-containing film by PEALD using TDMAT or TDEAT
US9605343B2 (en) 2013-11-13 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal carbon films, structures conformal carbon film, and system of forming same
US10179947B2 (en) 2013-11-26 2019-01-15 Asm Ip Holding B.V. Method for forming conformal nitrided, oxidized, or carbonized dielectric film by atomic layer deposition
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
US9349620B2 (en) * 2014-07-09 2016-05-24 Asm Ip Holdings B.V. Apparatus and method for pre-baking substrate upstream of process chamber
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9543180B2 (en) 2014-08-01 2017-01-10 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for transporting wafers between wafer carrier and process tool under vacuum
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102300403B1 (ko) 2014-11-19 2021-09-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
US9478415B2 (en) 2015-02-13 2016-10-25 Asm Ip Holding B.V. Method for forming film having low resistance and shallow junction depth
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US9899291B2 (en) 2015-07-13 2018-02-20 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10043661B2 (en) 2015-07-13 2018-08-07 Asm Ip Holding B.V. Method for protecting layer by forming hydrocarbon-based extremely thin film
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US10087525B2 (en) 2015-08-04 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Variable gap hard stop design
US9647114B2 (en) 2015-08-14 2017-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming highly p-type doped germanium tin films and structures and devices including the films
US9711345B2 (en) 2015-08-25 2017-07-18 Asm Ip Holding B.V. Method for forming aluminum nitride-based film by PEALD
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9909214B2 (en) 2015-10-15 2018-03-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing dielectric film in trenches by PEALD
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
US9455138B1 (en) 2015-11-10 2016-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming dielectric film in trenches by PEALD using H-containing gas
US9607837B1 (en) 2015-12-21 2017-03-28 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon oxide cap layer for solid state diffusion process
US9735024B2 (en) 2015-12-28 2017-08-15 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using functional group-containing fluorocarbon
US9627221B1 (en) 2015-12-28 2017-04-18 Asm Ip Holding B.V. Continuous process incorporating atomic layer etching
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US9754779B1 (en) 2016-02-19 2017-09-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10087522B2 (en) 2016-04-21 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US9793135B1 (en) 2016-07-14 2017-10-17 ASM IP Holding B.V Method of cyclic dry etching using etchant film
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10177025B2 (en) 2016-07-28 2019-01-08 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US10090316B2 (en) 2016-09-01 2018-10-02 Asm Ip Holding B.V. 3D stacked multilayer semiconductor memory using doped select transistor channel
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US9916980B1 (en) 2016-12-15 2018-03-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
US10103040B1 (en) 2017-03-31 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for manufacturing a semiconductor device
USD830981S1 (en) 2017-04-07 2018-10-16 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate processing apparatus
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
WO2019103613A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. A storage device for storing wafer cassettes for use with a batch furnace
KR102633318B1 (ko) 2017-11-27 2024-02-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 청정 소형 구역을 포함한 장치
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
WO2019158960A1 (en) 2018-02-14 2019-08-22 Asm Ip Holding B.V. A method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR20190128558A (ko) 2018-05-08 2019-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 산화물 막을 주기적 증착 공정에 의해 증착하기 위한 방법 및 관련 소자 구조
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11270899B2 (en) 2018-06-04 2022-03-08 Asm Ip Holding B.V. Wafer handling chamber with moisture reduction
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
TW202405221A (zh) 2018-06-27 2024-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料及包含含金屬材料的膜及結構之循環沉積方法
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
TWI751420B (zh) 2018-06-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ知識產權私人控股有限公司 薄膜沉積方法
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
JP7509548B2 (ja) 2019-02-20 2024-07-02 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための周期的堆積方法および装置
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
US11482533B2 (en) 2019-02-20 2022-10-25 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and methods for plug fill deposition in 3-D NAND applications
JP2020133004A (ja) 2019-02-22 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材を処理するための基材処理装置および方法
KR20200108248A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOCN 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
TW202113936A (zh) 2019-07-29 2021-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於利用n型摻雜物及/或替代摻雜物選擇性沉積以達成高摻雜物併入之方法
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN112323048B (zh) 2019-08-05 2024-02-09 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
CN112635282A (zh) 2019-10-08 2021-04-09 Asm Ip私人控股有限公司 具有连接板的基板处理装置、基板处理方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210078405A (ko) 2019-12-17 2021-06-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 바나듐 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
KR20210100010A (ko) 2020-02-04 2021-08-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 대형 물품의 투과율 측정을 위한 방법 및 장치
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
CN111218670A (zh) * 2020-03-11 2020-06-02 南京原磊纳米材料有限公司 一种改进型ald镀膜机
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
CN113555279A (zh) 2020-04-24 2021-10-26 Asm Ip私人控股有限公司 形成含氮化钒的层的方法及包含其的结构
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR20210145080A (ko) 2020-05-22 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202202649A (zh) 2020-07-08 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
DE102022129723A1 (de) * 2022-11-10 2024-05-16 Aixtron Se CVD-Reaktor mit herausnehmbarem Prozesskammergehäuse

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006165450A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 半導体成膜装置及び半導体成膜方法
KR20060089387A (ko) * 2005-02-04 2006-08-09 주식회사 테라세미콘 액정표시장치의 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착방법

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS59159941A (ja) * 1983-02-28 1984-09-10 Ishikawajima Harima Heavy Ind Co Ltd アルミニウム粗合金製造法
JPS59187139A (ja) * 1983-04-06 1984-10-24 Yanmar Diesel Engine Co Ltd ２機１軸式減速逆転機
JPH06163422A (ja) * 1992-11-17 1994-06-10 Anelva Corp 薄膜形成方法および薄膜形成装置
JP2002134423A (ja) * 2000-10-27 2002-05-10 Super Silicon Kenkyusho:Kk エピタキシャル成長装置

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006165450A (ja) * 2004-12-10 2006-06-22 Mitsui Eng & Shipbuild Co Ltd 半導体成膜装置及び半導体成膜方法
KR20060089387A (ko) * 2005-02-04 2006-08-09 주식회사 테라세미콘 액정표시장치의 화학기상 증착장치 및 화학기상 증착방법

Also Published As

Publication number Publication date
JP2009147308A (ja) 2009-07-02
KR20090062455A (ko) 2009-06-17
DE102008052750A1 (de) 2009-06-18
JP4879245B2 (ja) 2012-02-22

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100956247B1 (ko) 금속유기 화학기상 증착장치
JP4945185B2 (ja) 結晶成長方法
JP4576466B2 (ja) 気相成長装置及び気相成長方法
JP4958798B2 (ja) 化学気相成長リアクタ及び化学気相成長法
US7699604B2 (en) Manufacturing apparatus for semiconductor device and manufacturing method for semiconductor device
US20080092812A1 (en) Methods and Apparatuses for Depositing Uniform Layers
TWI463590B (zh) A semiconductor manufacturing apparatus, a semiconductor manufacturing method, and a cleaning method of a semiconductor manufacturing apparatus
US9620395B2 (en) Apparatus for processing substrate for supplying reaction gas having phase difference
US20110200749A1 (en) Film deposition apparatus and method
US9875895B2 (en) Substrate processing apparatus including exhaust ports and substrate processing method
KR101046068B1 (ko) 화학 기상 증착 장치용 서셉터 및 이를 구비하는 화학 기상증착 장치
JP2011086792A (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
TW200905776A (en) Vapor phase growth apparatus and vapor phase growth method
TW200807505A (en) Method for maintaining semiconductor manufacturing apparatus, semiconductor manufacturing apparatus, and method for manufacturing semiconductor
JP2013225571A (ja) 気相成長装置
JP5443096B2 (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
CN111261548A (zh) SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法
JP6226677B2 (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
KR20100014206A (ko) 금속유기 화학기상 증착장치
US20150064908A1 (en) Substrate processing apparatus, method for processing substrate and method for manufacturing semiconductor device
KR100790729B1 (ko) 화학 기상 증착 장치
CN113604874B (zh) 一种气相外延系统及其维护操作方法
JP5134311B2 (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
JP2011151118A (ja) 半導体製造装置および半導体製造方法
JP7002731B2 (ja) 気相成長装置

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
A107 Divisional application of patent
N231 Notification of change of applicant
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment
LAPS Lapse due to unpaid annual fee