KR100860169B1 - 전원회로를 내장한 반도체 집적회로, 액정표시 제어장치 및 휴대용 전자기기 - Google Patents

전원회로를 내장한 반도체 집적회로, 액정표시 제어장치 및 휴대용 전자기기 Download PDF

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Abstract

세그먼트 구동전압 진폭의 한쪽의 레벨을 접지전위에 맞추어 다른 액정구동전압의 레벨을 결정하도록 해도 래치업을 일으키기 어려운 전원회로를 내장한 액정구동 제어장치를 제공한다.
전원회로(230)에서 발생된 마이너스 전압(VCOML)이 바이어스 전압으로서 기판 혹은 웰영역에 인가되도록 된 전원회로 내장의 반도체 집적회로에 있어서, 전원회로의 기동시에 상기 마이너스 전압으로 바이어스 되는 기판 혹은 웰영역을 일시적으로 접지전위를 인가하는 스위치(270)를 설치하도록 했다.
반도체기판, 액정패널, 드라이버, 표시용 RAM, 액정구동 제어장치, 리세트 신호

Description

전원회로를 내장한 반도체 집적회로, 액정표시 제어장치 및 휴대용 전자기기{SEMICONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT HAVING POWER CIRCUIT BUILT-IN, LIQUID CRYSTAL DISPLAY CONTROL DEVICE AND PORTABLE ELECTRONIC EQUIPMENT}
도1은 본 발명을 적용하는 유효한 승압형 전원회로 내장의 액정컨트롤 드라이버와 이 LSI에 의해 구동되는 액정패널로 이루어지는 액정표시장치의 구성을 나타내는 블럭도,
도2는 본 발명을 적용한 액정컨트롤 드라이버에서의 래치업 방지용의 리세트 회로의 실시예를 나타내는 블럭도,
도3은 리세트 회로 및 그라운드 단락용 스위치를 설치하지 않는 경우와 설치한 경우에서의 기판전위 변화의 모양을 나타내는 파형도,
도4는 리세트 회로의 구체적인 회로예를 나타내는 회로도,
도5는 리세트 회로의 동작 타이밍을 나타내는 타이밍 챠트,
도6은 본 발명을 적용한 액정컨트롤 드라이버에서의 액정구동용 전원회로의 실시예를 나타내는 블럭도,
도7은 액정구동용 전원회로를 구성하는 커먼전압을 발생하는 제2의 승압회로의 실시예를 나타내는 회로도,
도8은 실시예의 승압회로를 동작시키는 클럭신호의 파형예를 나타내는 파형 도,
도9는 실시예의 승압회로의 동작을 설명하기 위한 작용설명도,
도10은 본 발명의 다른 실시예를 나타내는 액정컨트롤 드라이버와 이 LSI에의해 구동되는 액정패널로 이루어지는 액정표시 시스템의 구성예를 나타내는 블럭도,
도11은 제2의 실시예에서의 제어신호의 타이밍을 나타내는 타이밍 챠트,
도12는 본 발명을 적용한 액정컨트롤 드라이버를 구비한 휴대전화기의 전체 구성을 나타내는 블럭도,
도13은 본 발명을 적용한 액정컨트롤 드라이버의 실장형태의 일예를 나타내는 평면도,
도14는 액정패널의 구동방식의 차이에 의한 세그먼트 인가전압(VSEG)과 커먼 인가전압(VCOM)의 레벨의 차이를 나타내는 파형도,
도15는 액정컨트롤 드라이버의 디바이스 구조의 일예를 나타내는 반도체기판의 단면도이다.
(부호의 설명)
10 제1의 승압회로
20 제1의 승압회로
11 기준전압회로
13A~13C 볼테이지 폴로어
20 제2의 승압회로
21 챠지펌프
22 전압반전회로
30 가변저항 분할회로
100 반도체기판
114b 기판 바이어스 전압 급전용 영역
200 액정컨트롤 드라이버
210 세그먼트 드라이버
220 커먼 드라이버
230 액정구동용 전원회로
240 표시용 RMA
250 제어부
260 리세트 회로
270 그라운드 단락용 스위치
300 액정패널
370 유리기판
371, 372 ITO 배선
510 FPC
이 발명은, 전원전압을 승압한 전압을 발생하는 승압형 전원회로를 내장한 반도체 집적회로에서의 래치업 방지기술에 관한 것으로, 예컨대 액정표시장치를 구동하는 전압을 발생하는 액정구동용 전원회로를 내장한 액정표시 제어용 LSI(대규모 반도체 집적회로) 및 이것을 탑재한 휴대용 전자기기에 이용하는 유효한 기술에 관한 것이다.
최근, 휴대전화기나 페이저 등의 휴대용 전자기기의 표시장치로서는, 일반적으로 복수의 표시화소가 예컨대 매트릭스 모양으로 2차원 배열된 도트 매트릭스형 액정패널이 이용되고 있으며, 기기내부에는 이 액정패널의 표시제어를 행하는 반도체 집적회로화 된 표시제어장치나 액정패널을 구동하는 드라이버 회로 혹은 그와 같은 드라이버 회로를 내장한 표시제어장치가 탑재되어 있다. 이러한 반도체 집적회로화된 표시제어장치는 5V 이하의 전압으로 동작 가능한 것에 비해, 액정패널의 표시구동에는 5 ~ 40V와 같은 구동전압을 필요로 하기 때문에, 이 표시제어장치에는 전원전압을 승압하여 액정패널을 구동하는 전압을 발생하는 액정구동용 전원회로가 내장되어 있는 것이 많다. 보다 구체적으로는, 도14에 나타내는 바와 같이 6V 정도의 진폭을 가지는 세그먼트선 구동전압(SEG)과, 그 수배의 진폭(약 40V)을 가지는 커먼선 구동전압(COM)에 의해 액정패널은 구동된다.
액정구동용 전원회로에서의 전원생성방식으로서는, 도14의 (A)에 나타내는 바와 같이 커먼선 구동전압(COM)의 진폭이 낮은 쪽의 레벨(VCOML)을 접지전위(0V)로 맞추어, 그것을 기준으로 하여 다른 레벨(VCOMH, VSEGH, VSEGL)을 결정하고 필요한 전압을 승압형 전원회로로 생성하는 방식과, 도14의 (B)에 나타내는 바와 같 이 커먼선 구동전압(COM)의 진폭이 높은 쪽의 레벨(VCOMH)을 전원전압(Vcc)(예컨대 5V)으로 맞추어, 그것을 기준으로 하여 다른 레벨(VCOMH, VSEGH, VSEGL)을 결정하고 필요한 전압을 승압형 전원회로로 생성하는 방식이 생각된다.
또, 액정구동용 전원회로에는 오피앰프를 이용한 기준전압회로나 볼테이지 폴로어회로 등이 이용되며, 그들의 오피앰프는 승압된 전압을 전원전압으로서 동작하지만, 상기와 같은 전원생성방식의 전원회로에서 생성되는 전압은 그라운드에 비해 절대치가 상당히 높은 레벨로 되기 때문에, 승압한 전압을 전원전압으로 하는 오피앰프의 소비전력이 크게 된다는 문제가 있다.
본 발명자들은, 전원회로의 저소비전력화를 도모하기 위해, 도14의 (c)에 나타내는 바와 같이, 세그먼트선 구동전압(SEG)의 진폭이 낮은 쪽의 레벨(VSEGL)을 접지전위(0V)로 맞추어, 그것을 기준으로 하여 다른 레벨(VCOMH, VCOML, VSEGH)을 결정하고 외부 전원전압을 승압하여 생성하는 방식을 채용하는 것을 검토했다. 그런데, 도14의 (C)에 나타내는 바와 같은 방식으로서는 CMOS회로화 했을 때에 래치업 현상을 일으키기 쉽다는 문제점이 있다는 것을 알았다.
이것은, 도14의 (C)와 같은 방식에서는, 커먼선 구동전압(COM)의 전압의 진폭이 낮은 쪽의 레벨(VCOML)이 -15V와 같은 레벨이므로, 반도체기판과 그 표면 소자의 활성영역과의 사이의 PN접합을 역바이어스로 하기 위해서는, 이 전원회로가 탑재되는 반도체칩의 반도체기판 혹은 커먼선 드라이버 회로가 형성되는 반도체영역(웰영역)을 -15V와 같은 마이너스의 전압으로 바이어스하지 않으면 안되기 때문 이다. 그런데, 기판이 -15V와 같은 마이너스 전압으로 바이어스된 반도체 집적회로에 있어서는, 전원을 투입한 직후는 승압회로에 의해 충분한 마이너스 전압이 발생되지 않기 때문에, 전원회로에서 발생된 전압이 인가되는 반도체기판의 전위가 불안정하게 되며, 그것이 원인으로 래치업을 일으키기 쉽다는 과제가 있다.
이 래치업 현상을, 도15를 이용하여 상세하게 설명한다. 도15에 있어서, 100은 P형 단결정 실리콘과 같은 반도체기판, 111a, 111b는 이 기판의 주면에 형성된 N형 웰영역, 112는 N형 웰영역(111a)의 표면에 형성된 P형 웰영역이며, N형 웰영역(111a)의 표면에는 드라이버 회로 이외의 CMOS 로직회로(로직부)를 구성하는 P채널 MOSFET가 형성되고, P형 웰영역(112)의 표면에는 동일하게 CMOS 로직회로를 구성하는 N채널 MOSFET가 형성되어 있다. 또, N형 웰영역(111b)의 표면에는 드라이버 회로(드라이버부)를 구성하는 P채널 MOSFET가 형성되고, P형 기판(100)의 표면에는 드라이버 회로를 구성하는 N채널 MOSFET가 형성되어 있다. 또한, 드라이버 회로를 구성하는 P채널 MOSFET와 N채널 MOSFET는 게이트 절연막이 두껍게 되거나, 게이트와 소스·드레인과의 사이가 이간되는 등하여 고내압화된 소자이다.
상기와 같은 구조에 있어서, N형 웰영역(111a)에는 웰급전용의 N형 영역(113a)을 통해서 전원전위(VDD)가 인가되고, P형 기판(100)에는 급전용의 P형 영역(114b)을 통해서 도시하지 않는 전원회로에서 발생된 -15v와 같은 마이너스 전압(VCOML)이 인가된다.
그런데, 상기와 같은 구조에 있어서는, 로직부의 P채널 MOSFET의 P형 소스영역(114a)과 N웰영역(111a)과 P형 기판(100)과의 사이에 기생 PNP 트랜지스터(Qs1) 가 존재한다. 또, 드라이버부의 N채널 MOSFET의 N형 소스영역(113b)과 급전용의 P형 영역(114b)과 P형 기판(100)과의 사이에는 기생 NPN 트랜지스터(Qs2)가 존재한다. 그리고, 기생 트랜지스터(Qs1)의 콜렉터와 Qs2의 베이스는 모두 P형 기판(100)이며, Qs1과 Qs2는 도시되어 있는 바와 같이 접속된 기생 사이리스터 구조를 가진다. 그 때문에, 전원투입 직후에 전원회로에서 급전용의 P형 영역(114b)에, 도3의 (A)의 기간(T1)에 나타내는 바와 같은 불안정한 전압이 인가되면, 기판(100)의 기판전위가 변동하여 기생 트랜지스터(Qs2)에 전류가 흐르고, 이것이 트리거가 되어 기생 사이리스터가 온되어 전류가 계속해서 흘러버리는 래치업 현상을 일으킬 염려가 있다는 것을 알았다.
또한, 같은 마이너스 전압을 발생하는 도14의 (B)의 방식의 전원회로를 구비한 반도체 집적회로의 경우에는, 플러스의 전압은 높지 않기 때문에 반도체기판으로서 도14의 (A)의 방식의 전원회로를 가지는 반도체 집적회로와 다른 도전형(예컨대 N형)의 반도체기판을 사용하여 반대의 관계가 되는 바이어스 전압을 반도체기판에 인가함으로써, 비교적 용이하게 래치업을 방지할 수 있다.
또, 도14의 (C)의 방식의 전원회로를 구비한 반도체 집적회로에 있어서는, 상기와 같은 래치업을 회피하기 위해 전원회로의 출력단자에 접속된 전용의 외부단자를 설치하고, 이 외부단자에 기생 사이리스터보다도 낮은 전압에서 온하는 다이오드를 접속하는 것이 행해진다. 그런데, 액정표시 시스템에서의 반도체 집적회로의 실장기술로서는, 액정패널과 CPU 등의 제어장치를 접속하는 프린트배선 케이블 상에 칩을 실장하는 TCP(Tape Carrier Package)실장이나 액정패널을 구성하는 유리 기판 상에 직접 반도체칩을 탑재하는 COG(Chip On Glass)실장 등이 실용화되어 있다.
이 발생중, TCP 실장방식을 적용한 경우에는, 상기 외장의 다이오드를 접속함으로써 래치업 현상을 효과적으로 방지할 수 있다. 그러나, COG 실장방식을 적용한 경우에는, 유리기판의 표면에 형성한 고저항의 ITO(Indium Tin Oxid) 등으로 이루어지는 배선을 통해서 칩과 다이오드가 접속되는 것으로 되기 때문에, 상기 배선의 기생저항이 높기 때문에, 외장 다이오드가 온되기 어렵게 되어 버린다. 그 때문에, COG 실장방식에 있어서는, 상기 외장의 다이오드를 이용해도 래치업 현상의 발생을 효과적으로 방지할 수 없다는 과제가 있다는 것이 명백하게 되었다.
또한, 전술의 플러스 전압방식(도14 (A))을 채용한 경우에 있어서는, 반도체기판은 마이너스 전압이 아니라 접지전위로 바이어스 하면 된다. 이것에 의해 도15에 나타나 있는 기판전위 공급영역(114b)에는 전원투입 직후부터 안정한 접지전위가 인가되도록 되며 기생 트랜지스터(Qs2)가 온될 염려가 없으므로, CMOS회로화에 따른 기생 사이리스터에 의한 래치업 현상의 방지는 마이너스 전압방식 만큼 엄하게 행할 필요는 없다. 또, 래치업 대책은, 본 발명과 같은 회로에 의한 것 이외에, 도15에 있어서, 2중 웰구조(PWELL을 마이너스 전압(VC0ML)으로 하고, P형 기판(100)을 접지전위(GND))로 하든지, 웰영역을 깊게 하던가 디바이스 구조를 연구하는 것으로써 어느정도 회피 가능하지만, 그와 같은 대책에 있어서는 프로세스가 복잡하게 되거나 웰의 깊이를 정확하게 제어하게 위해 고도한 프로세스 기술이 필요하게 되므로, 반도체칩의 코스트가 높게 된다는 불합리가 있다.
이 발명은, 전원회로를 내장하고 특히 COG 실장되는 반도체 집적회로화 된 액정구동 제어장치에 있어서, 세그먼트선 구동전압 진폭의 한쪽의 레벨을 접지전위로 맞추어 다른 액정구동전압의 레벨을 결정하도록 해도 래치업을 일으키기 어렵도록 하는 것을 목적으로 하고 있다.
이 발명의 다른 목적은, 래치업에 대한 강도가 높은 전원회로를 내장한 반도체 집적회로를 제공하는데 있다.
이 발명의 상기 및 그 이외의 목적과 신규한 특징에 대해서는, 본 명세서의 기술 및 첨부도면에서 명백하게 될 것이다.
본원에서 개시되는 발명 중 대표적인 것의 개요를 설명하면, 하기와 같다.
즉, 본원의 제1의 발명은, 외부 전원전압을 받아 이 외부 전원전압보다도 높은 플러스 전압과 접지전위보다도 낮은 마이너스 전압을 발생하는 전원회로(230)를 내장한 반도체 집적회로로서, 상기 마이너스 전압을 반도체기판의 바이어스 전압으로서 급전하는 제1의 배선(291)과 접지전위를 공급하는 제2의 배선(292)과의 사이에 접속된 스위치 소자(270)를 구비하고 있도록 한 것이다.
보다 구체적으로는, 전원회로(230)에서 발생된 마이너스 전압(VCOML)이 바이어스 전압으로서 반도체기판 혹은 웰영역에 인가되도록 된 전원회로 내장의 반도체 집적회로에 있어서, 본래 상기 마이너스 전압으로 바이어스되어야 할 반도체기판 혹은 웰영역에, 전원회로의 기동시에 일시적으로 접지전위를 인가하는 스위치 소자(270)를 설치하도록 했다.
상기한 수단에 의하면, 전원회로의 기동시에 상기 스위치 소자를 일시적으로 도통상태로 시킴으로써, 전원회로의 기동시에 이 전원회로의 불안정한 출력전압이 반도체기판에 바이어스 전압으로서 인가되는 것을 회피할 수 있기 때문에, 전원회로의 기동시에 반도체기판의 바이어스 전위가 일정치 않아 기생 사이리스터에 전류가 흘러 래치업을 일으키는 것을 방지할 수 있다.
또, 바람직하게는, 상기 스위치 소자는 전원회로의 기동시에 일시적으로 도통되어, 상기 마이너스 전압이 인가되어야 할 반도체기판의 전위를 일시적을 접지전위로 시키도록 구성한다. 이것에 의해, 전원회로의 기동시에 상기 스위치 소자를 일시적으로 도통시키는 신호를 외부에서 입력시킬 필요가 없다.
또, 바람직하게는, 상기 전원회로를 기동시키기 위한 제어신호에 의거하여 상기 스위치 소자를 일시적으로 도통상태로 시키는 제어신호를 생성하는 제어회로를 설치한다. 이 제어회로는 리세트 회로를 이용할 수 있다. 이것에 의해, 전원회로의 기동에 상기 스위치 소자의 도통을 용이하게 동기시켜, 최적의 타이밍으로 반도체기판의 전위를 안정화 또는 고정화시킬 수 있다.
또, 상기 스위치 소자는, 고내압의 MOSFET로 구성하면 좋다. 이것에 의해, 반도체 집적회로의 내구성을 향상시킬 수 있다.
또, 본원의 제2의 발명은, 외부 전원전압을 받아 액정패널의 세그먼트 전극에 인가되는 전압과, 상기 액정패널의 커먼전극에 인가되는 상기 외부 전원전압보다도 높은 플러스 전압과 접지전위보다도 낮은 마이너스 전압을 발생하는 액정구동용 전원회로를 구비하여 반도체 집적회로화 된 액정표시 제어장치에 있어서, 상기 마이너스 전압을 반도체기판의 바이어스 전압으로서 급전하는 제1의 배선과 접지전위를 공급하는 제2의 배선과의 사이에 접속된 스위치 소자를 설치하도록 했다.
상기한 수단에 의하면, 전원회로의 기동시에 상기 스위치 소자를 일시적으로 도통시킴으로써, 전원회로의 기동시에 이 전원회로의 불안정한 출력전압이 반도체기판에 바이어스 전압으로서 인가되는 것을 회피할 수 있다. 그 때문에, 전원회로의 기동시에 반도체기판의 바이어스 전위가 일정치 않아 기생 사이리스터에 전류가 흘러 래치업을 일으키는 것을 방지할 수 있다.
또, 바람직하게는, 상기 스위치 소자는 전원회로의 기동시에 일시적으로 도통되어, 상기 마이너스 전압이 인가되어야 할 기판의 전위를 일시적으로 접지전위로 시키도록 구성한다. 이것에 의해, 전원회로의 기동시에 상기 스위치 소자를 일시적으로 도통시키는 신호를 외부에서 입력시킬 필요가 없다.
또, 바람직하게는, 상기 전원회로를 기동시키기 위한 제어신호에 의거하여 상기 스위치 소자를 일시적으로 도통상태로 시키는 제어신호를 생성하는 제어회로를 설치한다. 이 제어회로는 리세트 회로를 이용할 수 있다. 이것에 의해, 전원회로의 기동에 상기 스위치 소자의 도통을 용이하게 동기시켜, 최적의 타이밍으로 기판의 전위를 안정화 또는 고정화시킬 수 있다.
또, 상기 스위치 소자는, 고내압의 MOSFET로 구성하면 좋다. 이것에 의해, 반도체 집적회로의 내구성을 향상시킬 수 있다.
또, 상기 전원회로에 의해 생성된 전압에 의거하여 액정패널의 세그먼트 전극을 구동하는 신호를 출력하는 세그먼트 구동회로와, 상기 전원회로에 의해 생성 된 전압에 의거하여 액정패널의 커먼전극을 구동하는 신호를 출력하는 커먼구동회로를 동일 반도체기판 상에 구비한 액정표시 제어장치에 있어서, 상기 커먼구동회로를 구성하는 소자는 상기 액정구동용 전원회로를 구성하는 소자보다도 내압이 높은 MOSFET로 구성되며, 상기 스위치 소자는 상기 커먼구동회로를 구성하는 소자와 동일 구조의 고내압 MOSFET로 구성되도록 한다. 이것에 의해, 어떠한 새로운 프로세스를 추가하지 않고, 전원회로의 기동시에 반도체기판의 전위를 안정화 내지 고정시키는 스위치 소자를 형성할 수 있다.
또, 외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 액정표시를 행하는 제1의 동작모드와, 외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 액정표시를 행하지 않는 제2의 동작모드를 구비한 액정표시 제어장치에 있어서, 상기 제2의 동작모드에서 제1의 동작모드로 이행할때, 상기 스위치 소자가 일시적으로 도통되어, 상기 마이너스 전압이 인가되어야 할 기판의 전위를 일시적으로 접지전위로 시키도록 구성한다. 혹은, 발진회로를 구비하여 외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 상기 발진회로가 동작되어 액정표시를 행하는 제1의 동작모드와, 외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 상기 발진회로의 동작이 정지되어 액정표시를 행하지 않는 제3의 동작모드를 구비한 액정표시 제어장치에 있어서, 상기 제3의 동작모드에서 제1의 동작모드로 이행할때, 상기 스위치 소자가 일시적으로 도통되어, 상기 마이너스 전압이 인가되어야 할 기판에 일시적으로 접지전위가 인가되도록 구성한다. 이것에 의해, 전원투입시 뿐아니라, 내부의 동작모드가 변화할때도 래치업이 발생하는 것을 방지할 수 있다.
또, 상기 스위치 소자를 온, 오프제어하기 위한 신호가 입력되는 외부단자를 설치하도록 해도 된다. 이것에 의해, 반도체기판의 전위를 안정화 내지 고정화시키는 스위치 소자를 제어하는 신호를 생성하는 회로를 액정표시 제어장치의 내부에 설치하지 않고 래치업을 방지할 수 있으며, 액정표시 제어장치의 회로의 설계가 용이하게 됨과 동시에, 칩 코스트를 저감할 수 있다.
본원의 제3의 발명에 관한 휴대용 전자기기는, 상기와 같은 구성을 가지는 액정표시 제어장치와, 상기 세그먼트 구동회로에 의해 생성된 신호 및 상기 커먼전극 구동회로에 의해 생성된 신호에 의거하여 도트 매트릭스방식으로 표시를 행하는 액정패널과, 상기 액정표시 제어장치의 전원전압을 부여하는 전지를 구비하도록 했다. 이것에 의해, 표시화질이 양호함과 동시에 저소비전력이며 장시간의 전지구동이 가능한 휴대용 전자기기를 실현할 수 있다.
이하, 이 발명의 적절한 실시형태를 도면에 의거하여 설명한다.
먼저, 본 발명을 적용하는 유효한 승압형 전원회로를 내장한 반도체 집적회로의 일예로서의 액정표시 제어용 반도체 집적회로(200)를 도1을 이용하여 설명한다. 도1은, 승압형 전원회로를 내장한 액정컨트롤 드라이버(200)와 이 드라이버에 의해 구동되는 액정패널(300)로 이루어지는 액정표시장치의 구성을 나타내는 블럭도이다.
도1에 있어서, 200은 액정컨트롤 드라이버 LSI, 300은 이 액정컨트롤 드라이버 LSI(200)에 의해 구동되는 액정패널이다. 액정컨트롤 드라이버 LSI(200)는 액정패널(300)의 세그먼트 전극(세그먼트선)을 구동하는 세그먼트 드라이버(210), 액정 패널(300)의 커먼전극(커먼선)을 구동하는 커먼드라이버(220), 이들의 드라이버에 필요로 되는 구동전압을 발생하는 액정구동용 전원회로(230), 액정패널(300)에 표시해야할 화상 데이터를 비트 맵방식으로 기억하는 표시용 RAM(240), 외부의 마이크로 프로세서(이하, MPU 또는 CPU라고도 한다) 등에서의 지령에 의거하여 칩 내부 전체를 제어하는 제어부(250) 등을 구비하며, 이들의 회로는 단결정 실리콘과 같은 1개의 반도체칩 상에 구성되어 있다. 또한, LSI(200)는 전원전압(VDD)이 공급되는 외부단자와 접지전위가 공급되는 외부단자를 가진다.
도시하지 않지만, 이 액정컨트롤 드라이버(200)에는, 표시용 RAM(240)에 대한 어드레스를 생성하는 어드레스 카운터나, 표시용 RAM(240)에서 판독된 데이터와 외부의 MPU 등에서 공급된 새로운 표시 데이터에 의거하여 투과표시나 중합표시를위한 논리연산을 행하는 논리연산수단, 상기 세그먼트 드라이버(210) 및 커먼 드라이버(220)에 대한 동작 타이밍신호를 생성하는 타이밍 생성회로 등이 설치되어 있다.
또한, 상기 제어부(250)의 제어방식으로서는, 외부의 MPU에서 커맨드 코드를 받으면 이 커맨드를 디코드하여 제어신호를 생성하는 방식이나 미리 제어부 내에 복수의 커맨드 코드와 실행하는 커맨드를 지시하는 레지스터(인덱스 레지스터라고 부른다)를 구비하여, MPU가 인덱스 레지스터에 기록을 행함으로써 실행하는 커맨드를 지정하여 제어신호를 생성하는 방식 등 임의의 제어방식을 취할 수 있다.
이와 같이 구성된 제어부(250)에 의한 제어에 의해, 액정컨트롤 드라이버(200)는 외부의 MPU에서의 지령 및 데이터에 의거하여 상술한 액정패널(300)에 표시를 행할때에, 표시 데이터를 표시용 RAM(240)에 순차 기록해가는 묘화처리를 행함과 동시에, 표시 RAM용(240)에서 순차 표시 데이터를 판독하는 판독처리를 행하여 액정패널(300)의 세그먼트 전극에 인가하는 신호 및 커먼전극에 인가하는 신호를 드라이버(210, 220)에 의해 출력시킴으로써 액정표시가 행해진다.
도2는, 본 발명을 적용한 액정컨트롤 드라이버에서의 래치업 방지용의 제어회로로서의 리세트 회로의 실시예를 나타낸다. 또한, 210은 세그먼트 드라이버, 220은 커먼 드라이버, 230은 액정구동용 전원회로이다. 액정구동용 전원회로(230)에서 발생된 예컨대 -15V인 마이너스 전압의 커먼전압(VCOML)이 커먼 드라이버(210)에 공급됨과 동시에, 반도체기판(100)에 기판 바이어스 전압으로서 인가되어 있다.
이 실시예에서는, 전원투입시나 슬립모드 혹은 스탠바이 모드에서 통상동작상태로 복귀할때, 액정구동용 전원회로(230)를 기동시키기 위해 상기 제어부(250)에서 공급되는 전원기동신호(ST)에 의해 제어되는 리세트 회로(260)와, 이 리세트 회로(260)에서의 신호(RS)에 의해 전원회로의 기동시, 전원회로의 동작이 안정하게 될때까지의 짧은시간(예컨대 3 ~ 5m초)만큼 기판전위(제1 기준전위)를 접지전위로 고정시키기 위한 단락용 스위치(270)가 설치되어 있다.
이 그라운드 단락용 스위치(270)는, 예컨대 MOSFET에 의해 구성되고, 소스(혹은 드레인)에 그라운드용 배선(291)이 접속되며, 드레인(혹은 소스)에 기판표면의 급전용의 P형 영역(114b)에 전원회로(230)에서의 마이너스 전압(제2 기준전압)(VCOML)을 기판 바이어스 전압으로서 공급하는 배선(292)이 접속된다. 또, 그라운드 단락용 스위치(270)는, 전원회로(230)가 기동되어 있는 동안은 마이너스의 고전압(VCOML)이 인가되므로, 고내압의 MOSFET로 구성하는 것이 바람직하다. 또한, 그라운드 단락용 스위치(270)는 온저항을 작게 하기 위해 로직회로를 구성하는 소자에 비해 게이트폭을 크게 하는 등의 연구를 행하는 것이 바람직하다. 도2에서 디바이스 구조자체는 도15와 동일하므로, 그 설명은 도15의 설명을 참조 가능하여, 생략된다.
도3에는, 이 리세트 회로(260) 및 그라운드 단락용 스위치(270)가 없는 경우와 있는 경우에서의 기판전위의 변화의 모양을 나타낸다. 리세트 회로(260) 및 그라운드 단락용 스위치(270)가 없는 경우에는, 도3의 (A)와 같이 시스템의 전원이 투입된 후 전원회로(230)가 기동될때까지의 기간(T1)은 기판전위가 변동함으로써 래치업의 원이이 되는 전류가 흐를 염려가 있다. 이것에 비해, 리세트 회로(260) 및 그라운드 단락용 스위치(270)가 있는 경우에는, 도3의 (B)와 같이 시스템의 전원이 투입되고 다음에 전원회로(230)가 기동된 후 소정시간(T2)이 경과할때까지의 시간(T1+T2)만큼, 그라운드 단락용 스위치(270)가 온됨으로써, 기판전위가 접지전위(GND)에 고정된다. 그 때문에, 래치업의 원인이 되는 전류가 기판에 흐르는 것이 방지된다.
도4에는, 상기 리세트 회로(260)의 구체적인 회로예가 나타나 있다. 도4에서, MOSFET를 나타내는 신호의 게이트 부분에 0표시가 붙어있는 것은 P채널형의 MOSFET이며, O표시가 붙어있지 않은 N채널 MOSFET와 구별된다.
이 실시예의 리세트 회로(260)는 한쪽의 입력단자에 상기 전원회로의 기동신호(ST)를 반전한 신호(/ST)가, 또 다른쪽의 입력단자에 전원회로에 공급되는 클록신호(φ1)(또는 φ2)가 입력된 NOR 게이트(261)와, 이 NOR 게이트(261)의 출력단자에 접속된 브스트용의 용량(262)과, 이 용량(262)의 다른쪽의 단자에 접속된 다이오드로서 작용하는 MOSFET(263)와, 이 MOSFET(263)의 드레인과 접지점과의 사이에 접속된 축적용 용량(264)과, 상기 브스트용 용량(262)의 다른쪽의 단자와 접지점과의 사이에 접속되어 상기 기동신호(/ST)가 게이트에 인가된 스위치 MOSFET(265)와, 상기 축적용 용량(264)과 병렬로 접속되어 상기 기동신호(/ST)가 게이트에 인가된 스위치 MOSFET(266)와, 상기 축적용 용량(264)의 충전측의 단자(노드n1)에 입력단자가 인가된 제1의 인버터(267)와, 인버터(267)의 출력을 반전하는 제2의 인버터(268)와, 인버터(268)의 출력을 반전하는 제3의 인버터(269)를 구비하고 있으며, 브스트용 용량(262)과 MOSFET(263)와 축적용량(264)에 의해 챠지펌프가 구성되어 있다. 또, 상기 노드(n1) 및 MOSFET(263과 265)의 접속노드(n0)와 전원전압단자(VDD)와의 사이에는, 각각 표시 개시신호(DS)의 반전신호(/DS)에 의해 온, 오프제어되는 풀업용의 MOSFET(Qp1, Qp2)가 접속되어 있다.
상기 인버터(267 ~ 269) 중 최종단의 제3의 인버터(269)는 전원전압(VDD)의 단자와 승압전압(VCOML)의 단자와의 사이에 직력로 접속된 P채널 MOSFET(Q1)와 N채널 MOSFET(Q2)로 구성되어 있으며, P-MOS(Q1)의 게이트에 상기 기동신호(ST)가 인가되고, N-MOS(Q2)의 게이트에 전단의 인버터(268)의 출력신호가 인가되어 있다. 인버터(269)의 저전위측의 전원전압이 승압전압(VCOML)인 것은, 기판에 바이어스 전압으로서 승압전압(VCOML)이 인가되어 있는 상태에서 그라운드 단락용 스위치(270)를 구성하는 MOSFET가 확실하게 오프상태로 되도록 하기 위해, 즉 단락용 스위치(270)의 제어신호의 로레벨이 VCOML이 되도록 하기 위해서 이다.
다음에, 상기 리세트 회로(260)의 전원투입시의 동작을 도5를 이용하여 설명한다.
전원전압(VDD)이 투입되면, 전원투입 직후는 기동신호(ST)가 로레벨이므로 리세트 회로(260)의 최종단의 인버터(269)를 구성하는 P-MOS(Q1)가 온된다. 또, 표시는 개시되지 않으므로 하이레벨의 표시제어신호(/DS)에 의해 풀업용 MOSFET(Qp1, Qp2)는 오프되어 있음과 동시에, 전원투입 직후의 기동신호(/ST)는 하이레벨(VDD)이므로 스위치(265, 266)가 온되어 챠지펌프의 충전노드(n1)의 전위(Vn1)는 0V로 되어 있으므로, 인버터(267)의 출력은 하이레벨(VDD), 그리고 인버터(268)의 출력은 로레벨(GND)이 된다. 이것에 의해, N-MOS(Q2)는 오프된다. 그 때문에, 그라운드 단락용 스위치(270)는 온상태가 된다. 그 결과, 기동신호(ST)가 로레벨인 전원투입 직후의 기간(T1) 동안은 온상태의 스위치(270)를 통해서 기판(100)에 대해 접지전위가 인가되어 그 레벨이 고정된다. 이것에 의해, 기간(T1)에서의 래치업의 발생이 방지된다.
다음에, 전원투입후, T1 시간경과하면 전원회로(230)의 기동신호(ST)가 하이레벨로 변화된다(도5의 타이밍 t1). 그러면, 스위치(265, 266)가 오프됨과 동시에, NOR 게이트(261)가 개방된다. 또, 이것과 동기하여 도시하지 않는 발진회로에서 승압용 클럭(φ1, φ2)이 전원회로(230)에 공급되어, 전원회로(230)가 승압동작을 개 시함과 동시에, 이 승압용 클럭(φ1)(또는 φ2)이 리세트 회로(260)에 공급된다. 그러면, 이 클럭이 개방되어 있는 NOR 게이트(261)를 통해서 용량(262, 264)과 다이오드 MOSFET(263)로 이루어지는 챠지펌프에 공급되어, 챠지펌프가 승압동작을 개시하여 충전노드(n1)의 전위(Vn1)가 서서히 상승한다(도5의 기간T2).
한편, 이때 기동신호(ST)가 하이레벨로 변화됨으로써, 최종 인버터(269)의 P-MOS(Q1)가 오프되어도, N-MOS(Q2)도 오프되어 있으므로, 출력노드(n2)에 축적되어 있는 전하에 의해 그라운드 단락용 스위치(270)는 온상태를 유지한다. 또한, 기간(T2)은 3 ~ 5ms라는 짧은시간으로 설정되어 있으므로, 그 사이에 인버터(269)의 출력노드(n2)의 전하가 리크하여 그라운드 단락용 스위치(270)가 오프되는 일은 없다. 이것에 의해, 기판(100)에는 접지전위가 계속 인가되어, 기간(T2)에서의 래치업의 발생도 방지된다.
그리고, 기동신호(ST)가 하이레벨로 변화된 후, T2 시간경과한 시점(도5의 타이밍 t2)에서, 챠지펌프의 충전노드(n1)의 전위(Vn1)가 인버터(267)의 논리문턱치를 초과한다. 그러면, 인버터(267)의 출력이 로레벨로, 또 인버터(268)의 출력이 하이레벨로 변화하며, 최종 인버터(269)의 N-MOS(Q2)가 온상태가 되어, 출력 리세트 신호(RS)는 VCOML이 된다. 이것에 의해, 그라운드 단락용 스위치(270)가 오프되며, 기판(100)에는 출력되기 시작한 전원회로(230)의 승압전압(VCOML)이 인가되도록 된다.
또한, 이 마이너스 전압(VCOML)이 완전하게 안정하게 되기 전에 N-MOS(Q2)가 온되기 때문에, 기간(T2)이 경과해도 잠시동안은 리세트 신호(RS)의 레벨은 승압전 압(VCOML)과 함께 변화한다. 그러나, 이 변화는 그라운드 단락용 스위치(270)를 통해서 기판(100)에 공급되는 바이어스 전압의 변화와 연동하고 있으므로, 바이어스 전압이 변화하고 있는 동안에도 그라운드 단락용 스위치(270)는 오프상태를 유지한다. 그 후, 액정표시의 개시를 지시하는 신호(DS)가 하이레벨로 되고, 그 반전신호(/DS)가 로레벨로 되면 풀업용의 MOSFET(Qp1, Qp2)가 온되어 표시기간 중 노드(n0, n1)의 전위를 VDD로 유지시키므로, 리세트 회로(260)에의 클럭(φ1)의 공급을 멈추어도 리세트 신호(RS)는 로레벨(VCOML)을 유지한다. 클럭을 멈춤으로써 리세트 회로의 챠지펌프 동작을 정지시켜 쓸모없는 소비전력을 저감할 수 있다.
이상, 전원투입시의 리세트 회로의 동작에 대해서 설명했지만, 휴대전화기 등에 사용되는 액정컨트롤 드라이버와 같은 LSI에 있어서는, 상기 승압용 클럭(φ1, φ2)이나 로직부(제어부)의 동작클럭을 생성하기 위한 발진회로를 내장하여, 예컨대 휴대전화기에서의 대기시와 같은 액정표시 및 로직동작이 불필요한 소정의 모드(이하, 이것을 슬립모드라고 말한다)에서는 발진회로의 동작 그 차체를 정지하거나,액정표시는 필요없더라도 로직부는 동작하는 소정의 모드(이하, 이것을 스탠바이 모드라고 말한다)에서는 액정구동용 전원회로의 동작은 정지시키지만 발진회로는 동작시키는 경우가 있다. 따라서, 이와 같은 슬립모드나 스탠바이 모드에서 통상 동작모드로 복귀해야할 액정구동용 전원회로를 기동시킬때에도, 상기 리세트 회로(260)를 동작시켜 기판(100)의 전위를 안정시키고, 래치업이 일어나는 것을 방지하도록 구성하는 것도 가능하다. 또한, 스탠바이 모드는 예컨대 휴대전화기에서는 대기중에 정기적인 기지국과의 교신을 행하는 경우이다.
도6에는, 본 실시예에 이용되는 승압형 전원회로의 구체예를 나타낸다.
도6의 액정구동용 전원회로는 전원전압(VDD)을 승압하여 액정패널의 세그먼트 전극의 구동에 필요한 전압(VSEGH)보다도 약간 높은 전압(VDD2)을 발생하는 챠지펌프 등으로 이루어지는 승압회로(10)와, 이 승압회로(10)에서 승압된 전압(VDD2)을 전원으로서 동작하여 액정구동전압을 발생하는데 필요한 기준이 되는 전압을 발생하는 기준전압회로(11)와, 발생된 기준전압을 저항 분할하여 복수의 소망 레벨의 기준전압을 생성하는 래더저항으로 이루어지는 분압회로(12A)와, 승압회로(10)에서 승압된 전압(VDD2)을 전원으로서 동작하고 또 상기 분압회로(12A)에서 생성된 전압을 기준전압으로서 액정패널의 세그먼트 전극의 구동에 필요한 전압(VSEGH, VSEGL) 및 액정중심전위(VMID)를 발생하는 볼테이지 (13A, 13B)와, 기준전압회로(11)에서 발생한 기준전압을 저항 분할하여 커먼측의 승압에 필요한 기준전압을 생성하는 래더저항으로 이루어지는 제2의 분압회로(12B)와, 승압회로(10)에서 승압된 전압(VDD2)을 전원으로서 동작하고 또 상기 분압회로(12B)로 생성된 전압을 기준전압으로서 액정패널의 커먼 인가전압 생성을 위한 기준전위(VCI2)를 발생하는 볼테이지 폴로어(13C)와, 이 볼테이지 폴로어(13C)의 출력에 의거하여 액정패널의 커먼전극의 구동에 필요한 전압(VCOMH, VCOML)을 발생하는 챠지펌프 등으로 이루어지는 제2의 승압회로(20)로 구성되어 있다.
상기 기준전압회로(11)는 비반전 입력단자에 액정구동용의 기준전압(Vref)이 인가된 차동앰프(AMP)와, 이 차동앰프의 출력단자와 접지점과의 사이에 접속된 가변저항(Rv)과 고정저항(Rc)으로 이루어지는 가변저항 분할회로(30)로 이루어지며, 가변저항 분할회로(30)에서 앰프의 출력(Vout)을 저항분할한 전압이 차동앰프(AMP)의 반전입력단자에 피드백되도록 구성되며, 기준전압(Vref)의 (Rv + Rc)/Rv배의 전압(Vout)을 출력한다. 예컨대 Rv = Rc로 설정하면 VREF의 2배의 전압(Vout)을 출력시킬 수 있다. 또, 가변저항(Rv)의 값을 적절하게 설정함으로써 출력전압(Vout) 즉 세그먼트 전압(VSEGH)을 조정할 수 있다. 또한, 기준전압(Vref)은 예컨대 밴드 캡 리퍼런스 회로와 같은 온도 의존성 및 전원전압 의존성이 작은 기준전압 발생회로에서 공급되는 것이 바람직하다.
본 실시예의 액정구동용 전원회로에 있어서는, 기준전압회로(11)나 볼테이지 폴로어(13A ~ 13C)를 구성하는 앰프의 전원전압은 제1의 승압회로(10)에서 승압된 전압(VDD2)이며, 세그먼트 전압(VSEGL - VSEGH) 및 커먼전압(VCOML - VCOMH)이 각각 예컨대 0 ~ 6V와 -14 ~ 20V이며 외부 전원전압(VDD)이 2.7V인 경우에는, 승압전압(VDD2)은 6 ~ 8V 즉 2.2VDD ~ 3VDD이면 좋으므로, 승압전압(VLCD)(약 40V)을 전원전압으로 하는 플러스의 승압전압방식(도14의 (A) 참조)에서의 앰프에 비해, 앰프의 소비전력을 저감할 수 있음과 동시에, 앰프를 구성하는 소자도 그 정도 내압이 높은 것을 사용할 필요가 없으므로, 회로의 점유면적을 작게 할 수 있다.
도7에는, 상기 제2의 승압회로(20)의 구체적인 회로 구성예를 나타낸다. 액정패널에 인가되는 전압의 파형을 나타내는 도14의 (C)를 참조하면 명백한 바와 같이, 커먼전극에 인가되는 신호를 생성하기 위해서는 액정중심전위(VMID)를 중심으로 하여 상기 승압전압(VCOMH)과 극성이 반대인 마이너스 전압(VCOML)이 필요하다.
본 실시예에 있어서는, 도7에 나타나 있는 바와 같이, 제2의 승압회로(20)를 플러스 극성의 커먼전압(VCOMH)을 발생하는 챠지펌프(21)와, 이 챠지펌프의 출력전압을 반전하여 마이너스 극성의 커먼전압(VCOML)을 생성하는 전압반전회로(22)로 구성하고 있다. 또한, 제1의 승압회로(10)는 제2의 승압회로(20)의 챠지펌프(21)와 동일의 구성으로 좋으므로, 도시 및 설명을 생략한다. 또, 이 실시예의 챠지펌프(21) 및 전압반전회로(22)에는, 전원회로의 기동신호(ST)에 의해 클럭의 공급제어가 행해지는 AND 게이트(G1, G2 및 G3, G4)가 설치되어 있으며, 기동신호(ST)가 로레벨인 동안은 클럭(φ1, φ2)의 공급이 차단되어 승압동작을 행하지 않고, 기동신호(ST)가 하이레벨로 되면 클럭(φ1, φ2)이 공급되어 승압동작을 개시하도록 구성되어 있다.
플러스의 커먼전압(VCOMH)을 발생하는 상기 챠지펌프(21)는, 클럭신호(φ1)에 의해 온, 오프동작되는 스위치(SW1 ~ SW4)와, 상기 클럭신호(φ1)와 하이레벨의 기간이 중복되지 않도록 형성된 클럭신호(φ2)(도8 참조)에 의해 온, 오프동작되는 스위치(SW5 ~ SW7)와, 스위치(SW5, SW6)에 의해 직렬형태로 되는 승압용량(C1, C2)과, 출력단자(OUT1)에 접속된 출력의 평골용량(C3)으로 구성되어 있다.
상기 승압용량(C1)의 저전위측의 단자(C1-)는 스위치(SW4 또는 SW7)를 통해서 접지점 또는 제1 기준전위단자(T1)에 접속 가능하게 되어 있음과 동시에, 승압용량(C1)의 고전위측의 단자(C1+)는 스위치(SW3)를 통해서 제2 기준전위단자(T2)에 접속 가능하게 되어 있다. 또, 상기 승압용량(C2)의 저전위측의 단자(C2-)는 스위치(SW2)를 통해서 접지점에 접속 가능하게 되어 있음과 동시에, 승압용량(C2)의 고전위측의 단자(C2+)는 스위치(SW1)를 통해서 제1 기준전위단자(T1)에 접속 가능하 게 되어 있다.
또한, 출력단자(OUT1)와 상기 승압용량(C2)의 고전위측의 단자(C2+)와의 사이는 스위치(SW5)를 통해서 접속 가능하게 되어 있음과 동시에, 승압용량(C2)의 저전위측의 단자(C2-)와 승압용량(C1)의 고전위측의 단자(C1+)와의 사이는 스위치(SW6)을 통해서 접속 가능하게 되어 있다. 그리고, 상기 제1 기준전위단자(T1)에는 상기 볼테이지 폴로어(13C)로부터의 출력전압(VCI2)이 인가되어 있다. 또한, 제1 기준전위단자(T1)에 접속되어 있는 용량(C10)은 상기 볼테이지 폴로어(13C)에서 출력되는 전압을 안정화시키는 용량이다.
상기와 같이 구성된 챠지펌프(20)는 클럭신호(φ1)가 하이레벨로 되어 도9의 (A)와 같이 스위치(SW1 ~ SW4)가 온(이때, SW5 ~ SW7은 오프)되어 있는 동안에 승압용량(C1, C2)이 기준전압(VCI2)으로 충전된다. 그리고, 다음에 스위치(SW1 ~ SW4)가 오프되면 대신에 스위치(SW5 ~ SW7)가 온상태가 되어, 도9의 (B)와 같이 승압용량(C1, C2)이 직렬형태로 됨과 동시에, 승압용량(C1)의 기준단측 즉 저전위측의 단자(C1-)는 스위치(SW7)를 통해서 제1 기준전위단자(T1)에 접속된다. 이것에 의해, 출력단자(OUT1)의 전압은 3VCI2로 승압된다. 상기 충전동작과 브스트동작을 반복함으로써, 승압용량(C2)에 충전된 전하가 출력단자(OUT1)에 접속되어 있는 평골용량(C3)으로 전송되어 3VCI2의 승압전압(VCOMH)이 출력된다.
전압반전회로(22)는 챠지펌프(21)에서 발생된 플러스의 승압전압(VCOMH)이 인가되는 전압단자(Ta)와, 상기 볼테이지 폴로어(13B)에서 생성된 액정중심전위(VMID)가 인가되는 제2 기준전압단자(Tb)와, 전압반전용 용량(C21)과, 이 용량(C21)의 한쪽의 단자와 상기 전압단자(Ta)와의 사이 및 전압단자(Tb)와의 사이에 각각 접속된 스위치(SW8, SW10)와, 전압반전용 용량(C21)의 다른쪽의 단자와 상기 전압단자(Tb)와의 사이 및 출력단자(Tc)와의 사이에 각각 접속된 스위치(SW9, SW11)와, 출력단자(Tc)와 접지점과의 사이에 접속된 마이너스 전압용 평골용량(C22)으로 구성되어 있다. 또한, 제2 기준전위단자(T2)에 접속되어 있는 용량(C20)은 상기 볼테이지 폴로어(13B)에서 출력되는 전압을 안정화시키는 용량이다.
이 실시예의 전압반전회로는 서로 하이레벨 기간이 중복되지 않도록 된 클럭(도8의 φ1, φ2 참조)에 의해 스위치(SW8 및 SW9)를 온, SW10, SW11을 오프시켜, 전압반전용 용량(C21)에 플러스의 승압전압(VCOMH)과 액정중심전위(VMID)와의 전위차에 상당하는 전압을 충전시킨 후, 스위치(SW8 및 SW9)를 오프, 또 스위치(SW10과 SW11)를 온시킴으로써 액정중심전위(VMID)을 중심으로 하여 상기 승압전압(VCOMH)과 극성이 반대인 마이너스 전압(VCOML)으로 출력단자(OUT2)에 접속되어 있는 평골용량(C22)에 충전시키도록 동작된다.
상기와 같이 이 실시예의 액정구동용 전원회로에 있어서는, 커먼전압(VCOML, VCOMH)을 발생하는 제2의 승압회로(20)가 챠지펌프에 의해 구성되어 있기 때문에, 앰프를 이용하는 경우에 비해 전류효율도 높게 된다. 즉, 앰프로 커먼전압(VCOML, VCOMH)을 발생하기 위해서는 그 앰프의 전원전압으로서 커먼전압(VCOML, VCOMH)보다도 더욱 높은 전압을 필요로 하기 때문에 효율은 나쁘게 되지만, 실시예와 같이 챠지펌프에서 승압된 전압으로 직접 액정패널의 커먼전극을 구동함으로써 전류효율 이 높게 된다.
그런데, 챠지펌프는 전류효율은 좋지만 전류공급능력은 낮기 때문에 패널의 부하가 크면 챠지펌프의 출력레벨은 저하하여 버린다. 그런데, 도14의 (C)의 파형을 참조하면 알 수 있듯이 커먼전극을 구동하는 파형은 주파수가 낮기 때문에 평균적인 부하는 작으므로 상기와 같이 챠지펌프로 커먼전압(VCOML, VCOMH)을 발생해도 전혀 문제는 없다.
한편, 세그먼트 전극을 구동하는 전압파형은 커먼전극을 구동하는 전압파형보다도 훨씬 빈번히 변화를 반복하기 때문에 평균적인 부하가 크므로, 세그먼트 구동전압을 챠지펌프에서 발생시키도록 하면, 패널의 표시를 개시한 직후에 챠지펌프의 출력이 떨어질 염려가 있다. 그리고, 챠지펌프의 출력이 저하하면, 출력전압의 정밀도가 나쁘게 되며 액정에 직류전압이 인가되어 액정이 열화할 염려가 있음과 동시에 예컨대 컬러액정표시패널에는 표시색이 어긋나는 등 양호한 화질을 얻을 수 없다는 불합리가 있다. 그런데, 상기 실시예에서는 평균적인 부하가 큰 세그먼트 전극의 구동전압을 볼테이지 폴로어로 발생하도록 하고 있기 때문에, 전압저하를 일으킬 염려가 없고, 이것에 의해 표시화질의 열화를 회피할 수 있다.
또한, 도7에 나타나 있는 각 용량소자(C1~C3, C10, C20, C21, C22)등은, 도7의 승압회로가 탑재된 반도체칩에 대해 외장용량으로서 접속된다. 이 경우, 외장용량을 접속하기 위한 외부단자와, 승압한 전압(VCOMH)이나 마이너스 전압(VCOML)을 공급하는 각 배선의 일부를 상기 외부단자까지 인출하여 접속하기 위한 배선을 반도체칩에 설치되게 된다.
또, 이미 설명한 바와 같이, 상기 실시예에 있어서는 전압반전회로(21)에서 생성된 마이너스 전압(VCOML)이 기판 바이어스 전압으로서 기판에 급전하는 배선의 도중에, 래치업 대책으로서 그라운드 단략용 스위치(270)가 설치되어 있지만, 이와 같은 대책을 시행한 LSI이라도 더욱 래치업 강도를 높게 하기 위해서는, 마이너스 전압(VCOML)을 공급하는 배선을 외부단자로 인출하여 그 외부단자에 외방의 다이오드를 접속하여 행하는 것이 바람직하다. 그 경우, 이 래치업 방지용의 다이오드는 생성된 마이너스 전압(VCOML)을 안정화되기 위한 상기 용량소자(C22)가 접속되는 외부단자와 공통의 단자에 접속시킬 수 있다. 도7에는, 그와 같은 래치업 방지용의 다이오드가 D1로서, 전압반전회로(22)의 출력단자(OUT2)에 접속되어 있는 모양이 나타나 있다.
도10은, 본 발명을 적용한 액정표시 제어장치로서의 액정컨트롤 드라이버와 이 드라이버에 의해 구동되는 액정패널로 이루어지는 액정표시 시스템의 다른 실시예를 나타내는 블럭도이다.
도10에 있어서, 200은 액정컨트롤 드라이버, 300은 이 액정컨트롤 드라이버(200)에 의해 구동되는 액정패널이다. 액정컨트롤 드라이버(200)는 액정패널(300)의 세그먼트 전극을 구동하는 세그먼트 드라이버(210), 액정패널(300)의 커먼전극을 구동하는 커먼 드라이버(220), 이들의 드라이버에 필요로 되는 구동전압을 발생하는 액정구동용 전원회로(230), 칩 내부 전체를 제어하는 제어부(250) 등을 구비하고 있다. 이들의 회로는 단결정 실리콘과 같은 1개의 반도체칩 상에 구성되어 있다. 그리고, 이 실시예에 있어서도, 전원회로(230)에서 생성된 마이너스 전 압(VCOML)을 기판에 공급하는 배선의 도중에 이 배선을 그라운드에 고정하기 위한 단락용 스위치(270)가 설치되어 있다. 또한, 353은, 이 액정컨트롤 드라이버(200)를 제어하는 마이크로 프로세서 내지는 마이크로 컴퓨터(MPU)이다.
또, 도시하지 않지만, 이 액정컨트롤 드라이버(200)에는 표시 데이터를 기억하는 표시용 RAM에 대한 어드레스를 생성하는 어드레스 카운터나 표시용 RAM에서 판독된 데이터와 외부의 MPU 등에서 공급된 새로운 표시 데이터에 의거하여 투과표시나 중합표시를 위한 논리연산을 행하는 논리연산수단, 상기 세그먼트 드라이버(210) 및 커먼 드라이버(220)에 대한 동작 타이밍신호를 생성하는 타이밍 생성회로 등이 설치되어 있다. 또한 도시하지 않지만, 도1과 같이 액정패널(300)에 표시해야할 화상 데이터를 비트 맵방식으로 기억하는 표시용 RAM을 액정구동용 전원회로와 동일의 칩 상에 내장하고 있어도 좋다.
이 실시예는, 액정컨트롤 드라이버(200)의 제어부(250)에 대한 표시개시신호(DSC)나 액정구동용 전원회로에 대한 승압개시신호(CST), 그라운드 단락 스위치(270)의 온, 오프 제어신호(리세트 신호)(RST)를, 제어용의 MPU(353)에서 생성하여 액정컨트롤 드라이버(200)에 공급하도록 한 것이다. 이것을 가능하게 하기 위해, 액정컨트롤 드라이버(200)에는 외부의 MPU 등에서 공급되는 상기 각 제어신호(DSC, CST, RST)를 받기 위한 외부단자(281, 282, 283)가 설치되어 있다. 도11에는, 제어용의 MPU(353)에서 액정컨트롤 드라이버(200)에 공급되는 상기 각 제어신호(DSC, CST, RST)의 타이밍이 나타나 있다.
도11에서 알 수 있듯이, 제어신호(DSC)에 의해 전원회로(230)의 동작이 개시 된 후 소정시간(T0)이 경과할 때가지는 제어신호(RST)가 하이레벨로 되어 단락용 스위치(270)가 온됨으로써, 기판전위가 그라운드로 고정되며, 래치업의 발생이 방지된다. 그리고 제어신호(RST)가 로레벨로 되어 단락용 스위치(270)가 오프되며 잠시 지난후에 제어신호(DSC)가 하이레벨로 변화되어 액정의 표시가 개시되도록 된다.
도12는, 도1이나 도10의 액정컨트롤 드라이버(200)와 액정패널(300)로 이루어지는 액정표시장치의 응용예로서의 휴대전화기의 전체 구성을 나타내는 블럭도이다.
이 실시예의 휴대전화기는 표시부로서의 액정패널(300), 송수신용의 안테나(321), 음성출력용의 스피커(322), 음성입력용의 마이크로폰(323), 본 발명을 적용한 액정컨트롤 드라이버(200), 스피커(322)나 마이크로폰의 신호의 입출력을 행하는 음성 인터페이스(330), 안테나(321)와의 사이의 신호의 입출력을 행하는 고주파 인터페이스(340), 음성신호나 송수신 신호에 관한 신호처리를 행하는 DSP(Digital Signal Processor)(351), 커스텀 기능(유저이론)을 제공하는 ASIC(Application Specific Integrated Circuits)(352), 표시제어를 포함하여 장치 전체의 제어를 행하는 마이크로 프로세서 혹은 마이크로 컴퓨터 등으로 이루어지는 시스템 제어장치(353) 및 데이터나 프로그램의 기억용 메모리(360) 및 상기 휴대전화기의 전원이 되는 전지(380) 등을 구비하여 이루어진다. 상기 DSP(351), ASCI(352) 및 시스템 제어장치로서의 MPU(353)에 의해, 이른바 베이스 밴드부(350)가 구성된다.
특히 제한되는 것은 아니지만, 상기 액정패널(300)은 다수의 표시화소가 매트릭스 모양으로 배열된 도트 매트릭스방식의 패널이다. 또한, 컬러표시의 액정패널의 경우, 1화소는 적, 청, 녹의 3도트로 구성된다. 또, 메모리(360)는 예컨대 소정의 블럭단위로 일광소거 가능한 플래시 메모리 등으로 구성되며, 표시제어를 포함하는 휴대전화기 시스템 전체의 제어 프로그램이나 제어 데이터가 기억됨과 동시에, 2차원적인 표시패턴으로서 문자폰트 등의 표시 데이터가 저장된 패턴 메모리인 CGROM(Character Gemerator Read Only Memory)으로서의 기능을 겸비하고 있다.
도13에는, 본 발명을 적용한 액정컨트롤 드라이버(200)를 액정패널(300)에 COG(Chip on glass)실장한 상태의 액정모듈을 나타낸다.
도 13에 있어서, 370은 액정패널(300)을 구성하는 유리기판, 380은 유리기판(370)과의 사이에 액정을 협지하여 표시부를 구성하는 대향기판, 371, 372는 유리기판(370) 상에 형성되어 기판의 일측에 단부가 집합된 ITO 등으로 이루어지는 인출배선이며, 이 배선(371, 372)의 단부와 액정컨트롤 드라이버(200)의 대응하는 전극패드(외부단자)와의 사이에 땝납볼 등을 개재시켜 요착시킴으로써 액정컨트롤 드라이버(200)가 액정패널 상에 실장되어 있다.
또, 500은 상기 액정컨트롤 드라이버(200)를 제어하는 마이크로 프로세서(MPU)(353) 및 용량이나 다이오드 등의 외장소자(390)가 실장된 프린트 기판(500)으로, 이 프린트 기판(500) 상의 마이크로 프로세서(MPU)(353) 및 외장소자(390)와 액정패널(300)측의 액정컨트롤 드라이버(200)와는, 유리기판(370)의 단부에 설치된 단자에 히트실 등을 통해서 결합된 플렉시블 프린트 기판(FPC ; Flexcible Print Circuit)(510, 520)에 의해 접속되어 있다. 또한, 액정패널(300)에는 유리기판(370)의 단부의 단자에 접속된 급전용의 FPC(530)에 의해 전원전압(VDD) 및 접지전위(GND)가 공급되도록 구성되어 있다. 또한, 유리기판(370)의 단부의 단자와 액정컨트롤 드라이버(200)와의 사이도 ITO 등으로 이루어지는 배선(373)에 의해 접속되어 있다.
이상 본 발명자에 의해 행해진 발명을 실시예에 의거해 구체적으로 설명했지만, 본 발명은 상기 실시형태에 한정되는 것이 아니고, 그 요지를 이탈하지 않는 범위에서 여러가지 변경 가능한 것은 말할 필요도 없다. 예컨대, 상기 실시예에서는, 챠지펌프(21)에서 생성한 플러스의 전압(VCOMH)을 반전함으로써 마이너스 전압(VCOML)을 발생시키는 전압반전회로(22)를 설치하고 있지만, 챠지펌프(21)와 같은 구성으로 직접적으로 마이너스 전압을 발생하는 챠지펌프를 가지는 전원회로를 탑재한 반도체 집적회로에 대해서도 본 발명을 적용할 수 있다.
또, 상기 실시예의 액정컨트롤 드라이버(200)에 있어서는, P형 단결정기판을 이용하고 있지만, N형 기판을 이용해도 좋다. 그 경우, 예컨대 전원회로에서 발생된 VCOMH와 같은 플러스 전압이 인가되는 N형 기판과 VDD 배선과의 사이에 전원단락용 스위치를 설치하든지, 혹은 전원회로에서 발생된 VCOML과 같은 마이너스 전압이 인가되는 P웰 영역과 그라운드 배선과의 사이에 그라운드 단락용 스위치를 설치하여, 전원 상승시에서의 웰전위의 변동을 막아, 래치업을 방지하도록 하면 된다.
이상의 설명에서는 주로 본 발명자에 의해 행해진 발명을 그 배경이 된 이용분야인 휴대전화기의 액정패널을 구동하는 액정컨트롤 드라이버에 대해서 설명했지 만 이 발명은 그것에 한정되는 것이 아니고, 예컨대 포켓벨, 페이저, PDA(Personal Digital Assistants) 등 액정패널을 가지는 여러가지의 휴대용 전자기기에 적용할 수 있다.
본원에서 개시되는 발명 중 대표적인 것에 의해 얻어지는 효과를 간단하게 설명하면 하기와 같다.
즉, 본 발명에 따르면, 전류의 로스가 적고 또 정밀도가 높은 승압전압을 발생하는 것이 가능한 전원회로를 실현할 수 있고, 이것에 의해 액정패널을 구동하는 전압을 발생하는 액정구동용 전원회로에 적용한 경우에는 액정의 열화가 없이 고화질의 표시가 가능하게 됨과 동시에, 저소비전력으로 장시간의 전지구동이 가능한 액정표시장치 및 휴대용 전자기기를 제공할 수 있다.

Claims (35)

  1. 외부 전원전압을 받아 이 외부 전원전압보다도 높은 플러스 전압과 접지전위보다도 낮은 마이너스 전압을 발생하는 전원회로를 내장한 반도체 집적회로로서, 상기 마이너스 전압을 기판의 바이어스 전압으로서 급전하는 제1의 배선과,
    접지전위를 공급하는 제2의 배선과,
    상기 제1 배선과 상기 제2배선과의 사이에 접속된 스위치 소자를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 스위치 소자는, 상기 전원회로의 기동시에 일시적으로 도통되어, 상기 마이너스 전압이 인가되어야 할 상기 기판에 일시적으로 상기 접지전위를 공급하도록 구성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 전원회로를 기동시키기 위한 제1 제어신호에 의거하여 상기 스위치 소자를 일시적으로 도통상태로 시키는 제2 제어신호를 생성하는 제어회로를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  4. 제 1 항 내지 제 3 항 중 어느 한항에 있어서,
    상기 스위치 소자는, 고내압의 MOSFET로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 반도체 집적회로.
  5. 외부 전원전압을 받아 액정패널의 제1 전극에 인가되는 전압과, 상기 액정패널의 제2 전극에 인가되는 상기 외부 전원전압보다도 높은 플러스 전압과 접지전위보다도 낮은 마이너스 전압을 발생하는 액정구동용 전원회로를 구비하여 반도체 집적회로화 된 액정표시 제어장치로서,
    상기 마이너스 전압을 반도체 기판의 바이어스 전압으로서 급전하는 제1 배선과,
    접지전위를 공급하는 제2의 배선과,
    상기 제1 배선과 상기 제2 배선과의 사이에 접속된 스위치 소자를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 액정표시 제어장치.
  6. 제 5 항에 있어서,
    상기 스위치 소자는, 상기 전원회로의 기동시에 일시적으로 도통되어, 상기 마이너스 전압이 인가되어야 할 기판에 일시적으로 상기 접지전위를 공급하도록 구성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시 제어장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 전원회로를 기동시키기 위한 제1 제어신호에 의거하여 상기 스위치 소자를 일시적으로 도통상태로 시키는 제2 제어신호를 생성하는 제어 회로를 구비하고 있는 것을 특징으로 하는 액정표시 제어장치.
  8. 제 5 항 내지 제 7 항 중 어느 한항에 있어서,
    상기 스위치 소자는, 고내압의 MOSFET로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시 제어장치.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 전원회로에 의해 생성된 전압에 의거하여 액정패널의 제1 전극을 구동하는 신호를 출력하는 제1 구동회로와, 상기 전원회로에 의해 생성된 전압에 의거하여 액정패널의 제2 전극을 구동하는 신호를 출력하는 제2 구동회로를 더 구비하며,
    상기 제2 구동회로를 구성하는 소자는 상기 액정구동용 전원회로를 구성하는 소자보다도 내압이 높은 MOSFET로 구성되고,
    상기 스위치 소자는 상기 제2 구동회로를 구성하는 소자와 동일 구조의 고내압 MOSFET로 구성되어 있는 것을 특징으로 액정표시 제어장치.
  10. 제 5 항에 있어서,
    외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 액정표시를 행하는 제1의 동작모드와, 외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 액정표시를 행하지 않는 제2의 동작모드를 구비한 액정표시 제어장치로서,
    상기 제2의 동작모드에서 상기 제1의 동작모드로 이행할때, 상기 스위치 소자가 일시적으로 도통되어, 상기 마이너스 전압이 인가되어야 할 기판에 일시적으로 상기 접지전위가 인가되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 액정표시 제어장치.
  11. 제 5 항에 있어서,
    발진회로를 구비하고, 외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 상기 발진회로가 동작되어 액정표시를 행하는 제1의 동작모드와, 외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 상기 발진회로의 동작이 정지되어 액정표시를 행하지 않는 제3의 동작모드를 구비한 액정표시 제어장치로서, 상기 제3의 동작모드에서 제1의 동작모드로 이행할때, 상기 스위치 소자가 일시적으로 도통되어, 상기 마이너스 전압이 인가되어야 할 기판에 일시적으로 접지전위를 공급하도록 구성되어 이루어지는 것을 특징으로 하는 액정표시 제어장치.
  12. 제 5 항에 있어서,
    상기 스위치 소자를 온, 오프제어하기 위한 신호가 입력되는 외부단자를 구비한 것을 특징으로 하는 액정표시 제어장치.
  13. 제 5 항에 있어서,
    상기 액정표시 제어장치와,
    상기 제1 구동회로에 의해 생성된 신호 및 상기 제2 전극 구동회로에 의해 생성된 신호에 의거하여 도트 매트릭스방식으로 표시를 행하는 액정패널과,
    상기 액정표시 제어장치의 전원전압을 부여하는 전지를 구비한 것을 특징으로 하는 휴대용 전자기기.
  14. 외부 전원전압을 받아 액정패널의 제1 전극에 인가되는 전압 및 상기 액정패널의 제2 전극에 인가되는 상기 외부 전원전압보다도 높은 플러스 전압과 접지전위보다도 낮은 마이너스 전압을 발생하는 액정구동용 전원회로와, 상기 마이너스 전압을 반도체 기판의 바이어스 전압으로서 급전하는 제1의 배선과, 상기 접지전위를 공급하는 제2의 배선과, 상기 제1 배선과 상기 제2 배선과의 사이에 접속된 스위치 소자와, 이 스위치 소자를 온, 오프 제어하기 위한 신호가 입력되는 외부단자를 구비한 액정표시 제어장치와,
    상기 액정표시 제어장치를 제어하는 제어장치와,
    상기 액정표시 제어장치에 의해 생성된 제1 전극 구동신호 및 제2 전극 구동신호에 의거하여 도트 매드릭스방식으로 표시를 행하는 액정패널과,
    상기 액정표시 제어장치의 전원전압을 부여하는 전지를 구비하고,
    상기 제어장치에서 상기 액정표시 제어장치의 상기 외부단자에 대해 상기 스위치 소자를 온, 오프 제어하기 위한 신호가 공급되도록 구성된 것을 특징으로 하는 휴대용 전자기기.
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  23. 반도체 기판상에 형성되어 있고 제1 전극과 제2 전극을 가지는 표시패널과 같이 사용하기 위한 표시 제어장치로서 외부 전원 전압을 받아 표시패널의 제1 전극에 인가되는 전압 및 외부전원전압보다도 높은 플러스 전압을 생성하거나 접지전위보다도 낮은 마이너스 전압을 발생시키는 전원공급회로와, 상기 플러스 전압과 마이너스 전압은 표시패널의 제2 전극에 인가되고,
    상기 마이너스 전압을 반도체 기판의 바이어스 전압으로서 급전하는 제1 배선과,
    상기 접지전위를 공급하는 제2 배선과,
    상기 제1 배선과 상기 제2 배선과의 사이에 접속된 스위치 소자와,
    상기 전원공급회로를 가동시키기 위해 제2 제어 신호에 따라 스위치 소자를 일시적으로 도통시키는 제1 제어 신호를 생성하는 회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 제어장치.
  24. 제23항에 있어서,
    상기 스위치 소자는, 상기 전원공급회로의 기동시에 일시적으로 도통되어, 상기 마이너스 전압이 인가되어야 할 반도체 기판의 전위를 일시적으로 접지전위가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 표시 제어장치.
  25. 제23항에 있어서,
    상기 스위치 소자는, 높은 내전압의 MOSFET를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 제어장치.
  26. 제23항에 있어서,
    상기 액정표시 제어장치의 외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 표시 동작을 행하는 제1의 동작모드와, 액정표시 제어장치의 외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 표시동작을 행하지 않는 제2의 동작모드와, 상기 제2의 동작모드에서 제1의 동작모드로 변화할 때, 상기 스위치 소자가 일시적으로 도통되어, 상기 마이너스 전압이 인가되어야 할 기판에 일시적으로 접지전위가 인가되도록 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 제어장치.
  27. 제23항에 있어서,
    발진회로를 더 구비하고,
    상기 액정표시 제어장치의 외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 상기 발진회로가 동작되어 표시동작을 행하는 제1의 동작모드와, 상기 액정표시 제어장치의 외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 상기 발진회로의 동작이 정지되어 표시동작을 행하지 않는 제2의 동작모드를 구비한 액정표시 제어장치로서 상기 제2의 동작모드에서 상기 제1의 동작모드로 변화할 때, 상기 스위치 소자가 일시적으로 도통되어, 상기 마이너스 전압이 인가되어야 할 반도체 기판의 전위를 일시적으로 접지전위가 되게 하는 것을 특징으로 하는 표시 제어장치.
  28. 제23항에 있어서,
    상기 스위치 소자를 온, 오프 제어하기 위한 신호가 입력되는 외부단자를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 표시 제어장치.
  29. 반도체 기판상에 형성되어 있고 제1 전극과 제2 전극을 가지는 표시패널과 같이 사용하기 위한 표시 제어장치로서,
    외부 전원 전압을 수신하고 표시패널의 제1 전극에 인가되는 전압을 생성하는 전원 공급 회로와, 외부 전원 전압보다 높은 플러스 전압 또는 접지전위보다 낮은 마이너스 전압을 생성하며, 상기 플러스 전압과 상기 마이너스 전압은 상기 표시 패널의 상기 제2 전극에 인가되며,
    상기 마이너스 전압을 기판에 대한 바이어스 전압으로 공급하기 위한 제1 배선과,
    상기 접지전위를 공급하기 위한 제2 배선과,
    상기 제1 배선과 상기 제2 배선과의 사이에 접속된 스위치 소자와,
    상기 전원공급회로를 가동시키기 위해 제2 제어 신호에 따라 스위치 소자를 일시적으로 도통시키는 제1 제어 신호를 생성하는 회로와,
    상기 전원공급회로에 의해 생성된 전압에 근거하여 표시패널의 상기 제1 전극들을 구동하는 신호를 공급하는 제1 구동회로와,
    상기 전원공급회로에 의해 생성된 전압에 근거하여 액정패널의 상기 제2 전극들을 구동하는 신호를 공급하는 제2 구동회로를 포함하는 것을 특징으로 하는 표시 제어장치.
  30. 제29항에 있어서,
    상기 스위치 소자는, 상기 전원공급회로의 기동시에 일시적으로 도통되어, 상기 마이너스 전압이 인가되어야 할 반도체 기판의 전위를 일시적으로 접지전위가 되도록 하는 것을 특징으로 하는 표시 제어장치.
  31. 제29항에 있어서,
    상기 스위치 소자는, 높은 내전압의 MOSFET로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 제어장치.
  32. 제29항에 있어서,
    상기 제2 구동 회로를 구성하는 소자들은 액정표시장치의 전원 공급 회로를 구성하는 소자들에 비해 높은 내전압의 MOSFET로 구성되어 있는 것을 특징으로 하는 표시 제어장치.
  33. 제29항에 있어서,
    상기 액정표시 제어장치의 외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 표시동작을 행하는 제1의 동작모드와, 상기 액정표시 제어장치의 외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 표시동작을 행하지 않는 제2의 동작모드를 구비한 액정표시 제어장치로서 상기 제2의 동작모드에서 상기 제1의 동작모드로 변화할 때, 상기 스위치 소자가 일시적으로 도통되어, 상기 마이너스 전압이 인가되어야 할 반도체 기판의 전위를 일시적으로 접지전위가 되게 하는 것을 특징으로 하는 표시 제어장치.
  34. 제29항에 있어서,
    발진회로를 더 구비하고,
    상기 액정표시 제어장치의 외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 상기 발진회로가 동작되어 표시동작을 행하는 제1의 동작모드와, 상기 액정표시 제어장치의 외부에서 전원전압이 공급되고 있는 상태에서 상기 발진회로의 동작이 정지되어 표시동작을 행하지 않는 제2의 동작모드를 구비한 액정표시 제어장치로서, 상기 제2의 동작모드에서 상기 제1의 동작모드로 변화할 때, 상기 스위치 소자가 일시적으로 도통되어, 상기 마이너스 전압이 인가되어야 할 반도체 기판의 전위를 일시적으로 접지전위가 되게 하는 것을 특징으로 하는 표시 제어장치.
  35. 제29항에 있어서,
    상기 스위치 소자를 온, 오프 제어하기 위한 신호가 입력되는 외부단자를 더 구비하는 것을 특징으로 하는 표시 제어장치.
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