KR100651958B1 - 상보형 데이터를 고속으로 출력하는 출력 래치 회로를구비하는 반도체 장치 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (10)
- 2 개의 래치 회로들(101, 102)을 포함하고, 이 래치 회로들의 각각은 증폭 회로로부터 공급되는 상보형 데이터 출력 중 대응하는 하나의 데이터 출력을 래치하며, 상기 래치 회로(101, 102)의 입력과 출력 사이에 개재된 트랜지스터(53, 58)의 하나의 게이트만을 포함하고, 상기 래치 회로는 상기 증폭 회로를 활성화하는 활성화 신호에 의해 리세트되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 증폭 회로는 메모리 셀로부터 판독되는 데이터를 증폭하는 센스 앰프이고, 상기 활성화 신호는 센스 앰프 활성화 신호인 것인 반도체 장치.
- 반도체 기억 장치로서,활성화 신호에 응답하여 메모리 셀로부터 판독되는 데이터를 나타내는 상보형 신호를 증폭하는 센스 앰프와;상기 센스 앰프로부터 공급되는 상보형 출력 신호 중 대응하는 하나의 출력 신호를 각각 래치하는 2 개의 래치 회로(101, 102)로서, 상기 래치 회로(101, 102)의 입력과 출력 사이에 개재된 트랜지스터(53, 58)의 하나의 게이트만을 포함하는 것인, 상기 2 개의 래치 회로와;상기 래치 회로의 출력을 공급하는 출력 버퍼를 포함하고,상기 센스 앰프를 활성화하는 상기 활성화 신호가 상기 래치 회로를 리세트하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 제3항에 있어서, 상기 래치 회로들의 각각은 래치 기능 중지 신호에 응답하여 상기 래치 회로의 래치 기능을 중지시키는 기능을 갖고, 상기 래치 기능은 상기 래치 회로들의 출력들 중 하나 이상의 출력이 불안정한 기간 동안 상기 래치 기능 중지 신호에 응답하여 중지되는 것인 반도체 기억 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 래치 회로들 중 하나의 래치 회로는 일시적으로 래치를 중지시키는 기능을 갖는 것인 반도체 장치.
- 제1항에 있어서, 상기 래치 회로들 중 하나의 래치 회로는 이 하나의 래치 회로가 래치하지 않는 데이터 출력에 접속되는 하나 이상의 트랜지스터를 갖는 것인 반도체 장치.
- 2 개의 래치 회로(101, 102)를 포함하고, 이 래치 회로들의 각각은 증폭 회로로부터 공급되는 상보형 데이터 출력 중 대응하는 하나의 데이터 출력을 래치하며, 상기 래치 회로(101, 102)의 입력과 출력 사이에 개재된 트랜지스터(53, 58)의 하나의 게이트만을 포함하고, 상기 래치 회로들은 상기 증폭 회로를 활성화하는 활성화 신호에 의해 구동되는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
- 제7항에 있어서, 상기 래치 회로들 중 하나의 래치 회로는 일시적으로 래치를 중지시키는 기능을 갖는 것인 반도체 장치.
- 반도체 기억 장치로서,활성화 신호에 응답하여 메모리 셀로부터 판독되는 데이터를 나타내는 상보형 신호를 증폭하는 센스 앰프와;상기 센스 앰프로부터 공급되는 상보형 출력 신호 중 대응하는 하나의 출력 신호를 각각 래치하는 2 개의 래치 회로(101, 102)로서, 상기 래치 회로(101, 102)의 입력과 출력 사이에 개재된 트랜지스터(53, 58)의 하나의 게이트만을 포함하는 것인, 상기 2 개의 래치 회로와;상기 래치 회로들의 출력들을 공급하는 출력 버퍼를 포함하고,상기 센스 앰프를 활성화하는 상기 활성화 신호가 상기 래치 회로들을 구동하는 것을 특징으로 하는 반도체 기억 장치.
- 2 개의 래치 회로(101, 102)를 포함하고, 이 래치 회로들의 각각은 증폭 회로로부터 공급되는 상보형 데이터 출력 중 대응하는 하나의 데이터 출력을 래치하며, 상기 래치 회로(101, 102)의 입력과 출력 사이에 개재된 트랜지스터(53, 58)의 하나의 게이트만을 포함하고, 상기 래치 회로는 상기 증폭 회로를 활성화하는 활성화 신호에 기초하여 상기 대응하는 데이터 출력을 래치하는 것을 특징으로 하는 반도체 장치.
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