KR100506784B1 - 전기발광장치 - Google Patents

전기발광장치 Download PDF

Info

Publication number
KR100506784B1
KR100506784B1 KR10-1998-0710892A KR19980710892A KR100506784B1 KR 100506784 B1 KR100506784 B1 KR 100506784B1 KR 19980710892 A KR19980710892 A KR 19980710892A KR 100506784 B1 KR100506784 B1 KR 100506784B1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
electroluminescent device
layer
acid
polymer
solution
Prior art date
Application number
KR10-1998-0710892A
Other languages
English (en)
Other versions
KR20000022456A (ko
Inventor
프리드리히 요나스
안드레아스 엘슈너
롤프 베르만
디르크 퀸텐스
Original Assignee
바이엘 악티엔게젤샤프트
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 바이엘 악티엔게젤샤프트 filed Critical 바이엘 악티엔게젤샤프트
Publication of KR20000022456A publication Critical patent/KR20000022456A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR100506784B1 publication Critical patent/KR100506784B1/ko

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Polyoxymethylene Polymers And Polymers With Carbon-To-Carbon Bonds (AREA)

Abstract

본 발명은 폴리푸란, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리티오펜 및 폴리피리딘으로 이루어진 군으로부터 선택된 중합체 유기 도체인 홀 주입층 및(또는) 전자 주입층을 포함하는 전기발광 장치에 관한 것이다.

Description

전기발광 장치 {Electroluminescent Arrangements}
3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜 용액(PEDT/PSS 원액)의 제조
20 g의 유리 폴리스티렌술폰산(분자량 약 40,000), 21.4 g의 칼륨 퍼록소디술페이트 및 50 ㎎의 황산철(Ⅲ)을 200 ㎖의물에 교반시키면서 첨가하였다. 또한, 8.0 g의 3,4-에틸렌디옥시티오펜을 교반시키면서 첨가하였다. 이어서 용액을 실온에서 24 시간 동안 교반시켰다. 둘 다 물로 습윤시킨 100 g의 음이온 교환기(레바티트(Lewatit) MP 62, Bayer AG의 상업 제품) 및 100 g의 양이온 교환기(레바티트 S 100, Bayer AG 제품)를 첨가하고, 혼합물을 8 시간 동안 교반시켰다.
이온 교환기를 여과 제거시켰다. 고체 함량이 약 1.2 중량%인 용액을 수득하고 사용하기 위해 준비시켰다.
실시예 1
본 발명에 따른 PEDT/PSS 중간 층이 있는 전기발광 장치를 제조하기 위해 다음 절차를 이용하였다.
a) ITO 세정
ITO로 코팅된 유리(Balzers 제품)를 20 x 30 mm 크기의 조각으로 자르고, 다음 단계로 세정시켰다.
1. 초음파 조의 증류수/팔테롤(Falterol) 수세제(염기성)에서 15분,
2. 각 경우마다 초음파 조의 신선한 증류수에서 2 x 15 분 동안 헹굼,
3. 초음파 조의 에탄올에서 15 분,
4. 각 경우마다 초음파 조의 신선한 아세톤에서 2 x 15 분,
5. 린트 무함유 렌즈 천 상에서 건조시킴.
b) ITO에 PEDT/PSS 층 도포
2 부피 부의 여과된 PEDT/PSS 원액을 1 부피 부의 메탄올과 혼합하였다. 약 1 ㎖의 이 용액을 세정된 ITO 기판에 발랐다. 상층 용액을 스핀 도포기로 1500 회전/분으로 30 초 동안 회전 제거시켰다. 이어서 필름을 70 ℃, 건조 캐비넷에서20 분 동안 건조시켰다. 층 두께를 철필 조도계(텐코르(Tenchor) 200)로 측정한 결과 측정치는 50 nm이었다.
c) 전기발광층의 도포
두 번째 층인 전기발광층을 건조된 PEDT/PSS 층에 도포시켰다. 이를 위해, 7 중량 부의 폴리(비닐카르바졸)(PVK)(Aldrich 제품) 및 3 중량 부의 메틴 염료(유럽 특허 공개 제699 730호)의 1% 용액을 제조하였다. 용액을 여과시키고 1㎖의 용액을 PEDT/PSS 상에 발랐다. 상층 용액을 스핀 도포기로 1000 회전/분으로 30 초 동안 회전 제거시켰다. 이어서샘플을 50 ℃, 진공 건조 캐비넷에서 20 분 동안 건조시켰다. 이 때 샘플의 전체 층 두께는 150 nm이었다.
d) 금속 전극의 진공 증착 코팅 및 전기 접촉
샘플을 진공 증착 장치(레이볼드(Leybold) 600)에 올렸다. 구멍 직경이 3 mm인 천공된 마스크를 중합체 층 위에 두었다.10-5 밀리바의 압력으로 알루미늄을 전자 광선 총을 이용하여 표적으로부터 중합체 층에 증착시켰다. Al 층 두께는 500nm이었다. 유기 LED의 2개의 전극을 전기 도선으로 전압원에 연결시켰다. 양극을 ITO 전극에, 음극을 Al 전극에 연결시켰다.
e) 전기발광 측정
낮은 전압(U = 5 볼트)에서 조차도, 1 mA/cm2의 전류가 장치를 통해 흘렀다. 8 볼트에서, 전기발광을 포토다이오드로 검출할 수 있었다. 20 볼트에서, 전기 발광 강도는 50 cd/m2이었다(미놀타(Minolta) 제품, LS 100).
본 발명에 따른 PEDT/PSS 중간 층이 없는 대조군 실험은 보다 낮은 EL 강도 및 보다 높은 한계 전압을 초래하였다.
실시예 2
본 발명에 따른 PEDT/PSS 중간 층이 있는 전기발광 장치를 제조하는데 하기 절차를 이용하였다.
a) ITO의 세정
ITO로 코팅된 유리(Balzers 제품)를 20 x 30 mm 크기의 조각으로 자르고, 다음 단계로 세정시켰다.
1. 초음파 조의 증류수/팔테롤 린싱제(염기성)에서 15분,
2. 각 경우마다 초음파 조의 신선한 증류수에서 2 x 15 분 동안 헹굼,
3. 초음파 조의 에탄올에서 15 분,
4. 각 경우마다 초음파 조의 신선한 아세톤에서 2 x 15 분,
5. 린트 무함유 렌즈 천 상에서 건조시킴.
b) ITO에 PEDT/PSS 층 도포
2 부피 부의 여과된 PEDT/PSS 원액을 1 부피 부의 메탄올과 혼합하였다. 약 1 ㎖의 이 용액을 세정된 ITO 기판에 발랐다. 상층 용액을 스핀 도포기로 1500 회전/분으로 30 초 동안 회전 제거시켰다. 이어서 필름을 70 ℃, 건조 캐비넷에서20 분 동안 건조시켰다. 층 두께를 철필 조도계(텐코르 200)로 측정한 결과 측정치는 50 nm이었다.
c) 전기발광층의 도포
두 번째 층인 전기발광층을 건조된 PEDT/PSS 층에 도포시켰다. 이를 위해, 7 중량 부의 폴리(비닐카르바졸)(PVK)(Aldrich 제품) 및 3 중량 부의 코머린 (coumerin) 6(Lambda Physics 제품)의 1.5% 용액을 제조하였다. 용액을 여과시키고 1 ㎖의 이 용액을 PEDT/PSS 상에 발랐다. 상층액을 스핀 도포기로 1800 회전/분으로 10 초 동안 회전 제거시켰다.
d) 금속 전극의 진공 증착 코팅 및 전기 접촉
샘플을 진공 증착 장치(레이볼드 600)에 올렸다. 구멍 직경이 3 mm인 천공된 마스크를 중합체 층 위에 두었다. 10-5 밀리바의 압력으로 알루미늄을 전자 광선 총을 이용하여 표적으로부터 중합체 층에 증착시켰다. Al 층 두께는 500 nm이었다. 유기 LED 의 2개의 전극을 전기 도선으로 전압원에 연결시켰다. 양극을 ITO 전극에, 음극을 Al 전극에 연결시켰다.
e) 전기발광 측정
낮은 전압(U = 10 볼트)에서 조차도, 0.1 mA/cm2의 전류가 장치를 통해 흘렀다. 8 볼트에서, 전기발광을 포토다이오드로검출할 수 있었다. 20 볼트에서, 전기 발광 강도는 10 cd/m2이었다(미놀타 제품, LS 100).
실시예 3
본 발명에 따른 PEDT/PSS 중간 층이 있는 전기발광 장치를 제조하는데 하기 절차를 이용하였다.
a) ITO의 세정
ITO로 코팅된 유리(Balzers 제품)를 20 x 30 mm 크기의 조각으로 자르고, 다음 단계로 세정시켰다.
1. 초음파 조의 증류수/팔테롤 린싱제(염기성)에서 15분,
2. 각 경우마다 초음파 조의 신선한 증류수에서 2 x 15 분 동안 헹굼,
3. 초음파 조의 에탄올에서 15 분,
4. 각 경우마다 초음파 조의 신선한 아세톤에서 2 x 15 분,
5. 린트 무함유 렌즈 천 상에서 건조시킴.
b) ITO에 PEDT/PSS 층 도포
2 부피 부의 여과된 PEDT/PSS 원액을 1 부피 부의 메탄올과 혼합하였다. 약 1 ㎖의 이 용액을 세정된 ITO 기판에 발랐다. 상층 용액을 스핀 도포기로 1500 회전/분으로 30 초 동안 회전 제거시켰다. 이어서 필름을 70 ℃, 건조 캐비넷에서20 분 동안 건조시켰다. 층 두께를 철필 조도계(텐코르 200)로 측정한 결과 측정치는 50 nm이었다.
c) 전기발광층의 도포
두 번째 층인 전기발광층을 건조된 PEDT/PSS 층에 도포시켰다. 이를 위해, 7 중량 부의 폴리(비닐카르바졸)(PVK)(Aldrich 제품) 및 3 중량 부의 페릴렌 염료 KF 856(BASF사로부터 입수 가능한 제품)의 1.5% 용액을 제조하였다.용액을 여과시키고 1 ㎖의 이 용액을 PEDT/PSS 상에 발랐다. 상층액을 스핀 도포기로 1800 회전/분으로 10 초 동안 회전제거시켰다. 이 때 샘플의 전체 층 두께는 140 nm이었다.
d) 금속 전극의 진공 증착 코팅 및 전기 접촉
샘플을 진공 증착 장치(레이볼드 600)에 올렸다. 구멍 직경이 3 mm인 천공된 마스크를 중합체 층 위에 두었다. 10-5 밀리바의 압력으로 알루미늄을 전자 광선 총을 이용하여 표적으로부터 중합체 층에 증착시켰다. Al 층 두께는 500 nm이었다. 유기 LED 의 2개의 전극을 전기 도선으로 전압원에 연결시켰다. 양극을 ITO 전극에, 음극을 Al 전극에 연결시켰다.
e) 전기발광 측정
낮은 전압(U = 5 볼트)에서 조차도, 1 mA/cm2의 전류가 장치를 통해 흘렀다. 4 볼트에서, 전기발광을 포토다이오드로 검출할 수 있었다. 15 볼트에서, 전기 발광 강도는 30 cd/m2이었다(미놀타 제품, LS 100).
본 발명에 따른 PEDT/PSS 중간 층이 없는 대조군 실험은 보다 낮은 EL 강도 및 보다 높은 한계 전압을 초래하였다.
실시예 4
a) 실시예 1a에 따른 세정된 ITO 기판 및 1 x 2 cm2 크기의 금속박을 100 ㎖의 아세토니트릴 중 0.8 g의 테트라메틸암모늄 테트라플루오로보레이트 및 0.28 g의 3,4-에틸렌 디옥시티오펜의 용액에 현탁시켰다. 유리 플레이트를 양극로서 접속시켰다. 홀 주입 중간 층으로서 3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜의 얇은 층을 2 V의 볼트 및 1.5 mA의 전류로 20초 동안 침착시켰다.
b) 두 번째 층인 전기발광층을 건조된 PEDT 층에 침착시켰다. 이를 위해, 7 중량 부의 폴리(비닐카르바졸)(PVK)(Aldrich 제품) 및 3 중량 부의 메틴 염료(유럽 특허 공개 제699 730호)의 1% 용액을 제조하였다. 용액을 여과시키고 1㎖의 이 용액을 PEDT 상에 발랐다. 상층 용액을 스핀 도포기로 1000 회전/분으로 30 초 동안 제거시켰다. 이어서 샘플을 50 ℃, 진공 건조 캐비넷에서 20 분 동안 건조시켰다. 이 때 샘플의 전체 층 두께는 150 nm이었다.
c) 금속 전극의 진공 증착 코팅 및 전기 접촉
샘플을 진공 증착 장치(레이볼드 600)에 올렸다. 구멍 직경이 3 mm인 천공된 마스크를 중합체 층 위에 두었다. 10-5 밀리바의 압력으로 알루미늄을 전자 광선 총을 이용하여 표적으로부터 중합체 층에 증착시켰다. Al 층 두께는 500 nm이었다. 유기 LED 의 2개의 전극을 전기 도선으로 전압원에 연결시켰다. 양극을 ITO 전극에, 음극을 Al 전극에 연결시켰다.
d) 전기발광 측정
낮은 전압(U = 5 볼트)에서 조차도, 1 mA/cm2의 전류가 장치를 통해 흘렀다. 4 볼트에서, 전기발광을 포토다이오드로 검출할 수 있었다. 20 볼트에서, 전기 발광 강도는 10 cd/m2이었다(미놀타 제품, LS 100)이었다.
본 발명에 따른 PEDT가 없는 대조군 실험은 보다 낮은 EL 강도 및 보다 높은 한계 전압을 초래하였다.
본 발명은 홀 주입층 및(또는) 전자 주입층으로서 전도성 중합체를 포함하는 전기발광 장치(고안품)에 관한 것이다.
전기발광 장치(EL)는 전압이 가해질 때 전류의 흐름과 함께 빛을 방출하는 것을 특징으로 한다. 이러한 장치는 '발광 다이오드(light-emitting diodes, LEDs)'로써 산업 및 기술 분야에 오래전부터 알려져 왔다. 빛의 방출은 양 전하(홀)(hole)및 음전하(전자)가 빛의 방출과 함께 재결합되는 것으로 인한 것이다.
산업 및 기술 분야에 통상적으로 사용되는 모든 LED는 주로 무기 반도체 물질로 구성된다. 그러나, 수 년 동안 기본 구성 물질이 유기 물질인 EL 장치가 알려지게 되었다.
이들 유기 EL 장치는 일반적으로 1층 이상의 유기 전하 수송 화합물을 포함한다.
일반적으로, 층 구조는 다음과 같다. 1 내지 10번은 다음을 나타낸다.
1. 캐리어, 기판
2. 기저 전극
3. 홀 주입 층
4. 홀 수송 층
5. 방출 층
6. 전자 수송 층
7. 전자 주입 층
8. 상부 전극
9. 접점
10. 커버, 엔캡슐레이션
이 구조는 가장 일반적인 경우를 나타내며, 각각의 층을 제거하고 한 층이 다수의 기능을 수행하도록 하여 단순화시킬 수 있다. 가장 간단한 경우는, EL 장치가 2 개의 전극으로 구성되어 있고, 이 전극 사이에 발광을 포함하여 모든 기능을 수행하는 유기층이 위치하고 있는 것이다. 예를 들어, 폴리-[p-페닐렌비닐렌]을 기재로 하는 이러한 형태의 계는 국제 공개 제9013148호에 기재되어 있다.
표면이 넓은 전기발광 디스플레이 소자(display element)를 생성시키는 경우에 있어서, 전류 수송 전극 2 또는 8 중 적어도 하나는 투명한 전도성 물질로 구성되어야 한다.
기판 1로서 적절한 것은 유리 또는 플라스틱 필름(예를 들어, 폴리에틸렌 테레프탈레이트 또는 폴리에틸렌 나프탈레이트와 같은 폴리에스테르, 폴리카르보네이트, 폴리아크릴레이트, 폴리술폰, 폴리이미드 금속박)과 같은 투명한 캐리어이다.
투명한 전도성 물질로 적절한 것은 다음과 같다.
a) 금속 산화물, 예를 들어 산화 인듐 주석(ITO), 산화 주석(NESA) 등.
b) 반투명 금속 필름, 예를 들어 Au, Pt, Ag, Cu 등.
본 발명에 따른 출원에 있어서, 중합체 물질은 물론 저분자량 또는 올리고머 물질도 방출 층 5로서 사용될 수 있다. 이들 물질은 광발광인 것을 특징으로 한다. 따라서, 적절한 물질은 예를 들어, 형광 염료 또는 형광 분자, 올리고머를 생성시키는 이들의 반응 생성물 또는 이들의 중합체로의 도입물이다.
이러한 물질의 예는 코마린, 페닐렌, 안트라센, 페난트렌, 스틸벤, 디스티릴, 메틴 또는 금속 복합체(예를 들어, Alq3 등)이다. 적절한 중합체로는 임의로 치환된 페닐렌, 페닐렌 비닐렌, 또는 중합체 측쇄 또는 중합체 주쇄에 발광 세그먼트가 있는 중합체가 있다. 상세한 목록은 유럽 특허 공개 제532 798호에 주어졌다.
그러나, 사실상 휘도를 증가시키기 위해서는 전자 주입층 또는 홀 주입 층(3, 4 및(또는) 6, 7)이 전기발광 어셈블리로도입되어야 한다.
전하(홀 및(또는) 전자)를 수송시키는 많은 수의 유기 화합물이 문헌에 기재되어 있다. 예를 들어, 고 진공에서 진공 증착되는 저 분자량 물질이 주로 사용된다. 이런 종류의 물질 및 그의 용도의 포괄적인 개관은 예를 들어, 유럽 특허 공개제387 715호, 미국 특허 제4 539 507호, 동 제4 720 432호 및 동 제4 769 292호에 주어졌다.
단점은 고진공 증착으로 물질을 침착시킨다는 것이다. ELP 디스플레이의 제조 공정을 간단히 하기 위해, 층 3, 4 및 6, 7을 용액으로부터 침착시켜 생성할 수 있다면 유리할 것이다.
유럽 특허 공개 제686 662호에서는 ELP 어셈블리에 전극 1로서 전도성 유기 중합체 도체의 특정 배합물, 예를 들어 3,4-폴리에틸렌 디옥시티오펜 및 폴리히드록시 화합물 또는 락탐을 사용하는 것이 공지되어 있다.
문헌[Synthetic Metals 76 (1996) 141-143]에서는 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜) 전극이 산화 인듐 주석(ITO) 전극 보다더 낮은 휘도를 생성시키는 사실을 언급하면서 LED에서의 전극으로서 폴리(3,4-에틸렌디옥시티오펜)이 또한 기재되어 있다.
이제 본 발명자들은 ITO와 같은 투명한 금속 전극 상의 전하 주입 중간 층으로서 순수한 중합체 유기 도체, 예를 들어3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜이 순수한 금속 전극 또는 순수한 전도성 중합체 전극이 있는 LED 보다 현저히 우수한 LED의휘도 값을 생성시킨다는 것을 발견하였다. 이들 층은 용액으로부터, 또는 중합체 유기 도체에 상응하는 단량체를 직접 중합시킴으로써 제조될 수 있다.
적절한 중합체 유기 도체는 예를 들어, 폴리푸란, 폴리피롤, 폴리아닐린, 폴리티오펜 또는 폴리피리딘이다. 이들은 예를들어, 유럽 특허 공개 제257 573호(폴리알콕시티오펜), 국제 공개 제90/04256호(폴리아닐린), 유럽 특허 공개 제589 529호(피롤), 독일 특허 공개 제2 262 743호(올리고아닐린)에 기재되어 있다.
특히 적절한 것은 하기 화학식 (Ⅰ)의 중성 또는 양이온 티오펜이다.
상기 식 중,
R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 임의로 치환된 C1-C20-알킬, CH2OH 또는 C6-C14-아릴을 나타내거나, 또는
R1 및 R2는 함께 m이 0 내지 12, 바람직하게는 1 내지 5인 -(CH2)m-CH2- 또는 C6-C14-아릴을 나타내고,
n은 5 내지 100의 정수이다.
화학식 (Ⅰ)의 구조 단위가 반복되는 폴리티오펜이 공지되어 있다(참조. 유럽 특허 공개 제440 957호 및 동 제339 340호). 본 발명에 따른 분산액 또는 용액의 제조는 유럽 특허 공개 제440 957호 및 독일 특허 OS 제4 211 459호에 기재되어 있다.
폴리티오펜은 예를 들어, 중성 티오펜을 산화제로 처리함으로써 수득되는 분산액 또는 용액에서, 바람직하게는 양이온 형태로 사용된다. 칼륨 퍼록소디술페이트와 같은 통상적인 산화제가 산화에 사용된다. 산화를 통해 폴리티오펜이 양전하를 갖는다 해도 이들의 전하 값 및 위치는 특정될 수 없기 때문에 화학식에 나타나지 않는다. 유럽 특허 공개 제339340호에 주어진 정보에 따라, 이들은 캐리어 상에서 직접 생성될 수 있다.
중합체 음이온은 중합체 카르복실산, 예를 들어 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산 또는 폴리말레산과, 폴리스티렌 술폰산 및폴리비닐 술폰산 등의 중합체 술폰산의 음이온이다. 이들 폴리카르복실산 및 폴리술폰산은 또한 비닐 카르복실산 및 비닐 술폰산과 다른 중합 가능성 단량체(예를 들어, 아크릴레이트 및 스티렌)와의 공중합체일 수 있다.
중합체 음이온을 제공하는 중합체산의 분자량은 바람직하게는, 1,000 내지 2,000,000 범위, 더욱 바람직하게는 2,000 내지500,000 범위이다. 폴리스티렌 술폰산 및 폴리아크릴산과 같은 중합체산 또는 그의 염은 상업상 입수 가능하거나, 또는 공지된 방법에 의해 생성될 수 있다(예를 들어, 문헌[Houben-Weyl, Methoden der organischen Chemie, Vol. E20,Makromolekulare Stoffe, Teil 2, (1987), pp. 1141] 이하 참조).
본 발명에 따른 폴리티오펜 및 중합체 음이온의 분산액을 형성시키는데 요구되는 유리 중합체산 대신에, 중합체산 및 상응하는 양의 단량체산의 알칼리 염의 혼합물을 사용할 수도 있다.
본 발명에 따른 중합체 음이온 존재하의 폴리티오펜 분산액은 바람직하게는, 수성 매질 중에서 중합체산의 존재하에 피롤의 산화중합에 통상적으로 사용되는 산화제 및(또는) 산소 또는 공기로 0 내지 100 ℃의 온도에서 하기 화학식 (Ⅱ)에 상응하는3,4-디알콕시티오펜을 산화 중합시킴으로써 수득된다.
상기 식 중,
R1 및 R2는 화학식 (Ⅰ)에 정의된 바와 같다.
폴리티오펜은 산화 중합에 의해 양 전하를 얻게 되는데, 이것은 물론 이들의 전하 값 및 위치가 결정될 수 없기 때문에 화학식에 나타내지는 않았다.
중합의 경우, 화학식 (Ⅱ)에 상응하는 티오펜, 중합체산 및 산화제를 유기 용매, 또는 바람직하게는 물에 용해시키고, 생성된 용액을 중합 반응이 종결될 때까지 가정된 중합 온도에서 교반시킨다.
공기 또는 산소가 산화제로 사용되는 경우, 공기 또는 산소를 티오펜, 중합체산, 및 임으로는 촉매량의 금속 염을 포함하는 용액에 중합 반응이 종결될 때까지 유입시킨다.
중합 시간은 배치의 크기, 중합 온도 및 산화제에 따라 다르지만, 수 분 내지 30 시간 일 수 있다. 중합 시간은 일반적으로 30 분 내지 10 시간이다. 수득된 분산액의 안정성은 도데실 술폰산 나트륨과 같은 분산제를 중합 동안이나 또는 중합 후에 첨가함으로써 개선시킬 수 있다.
적절한 산화제는 예를 들어, 문헌[J. Am. Soc. 85, 454(1963)]에 기재된 피롤의 산화 중합에 적합한 모든 산화제이다. 실제적인 이유로 인해, 저가이며 취급이 용이한 산화제, 예를 들어 FeCl3, Fe(ClO4)3 및 철(Ⅲ) 염과 같은 철(Ⅲ) 염, 또는 유기산, 및 유기산 잔기를 포함하는 무기산, 또한 H2O2, K2Cr2O7, 알칼리 및 암모늄 퍼술페이트, 알칼리 퍼보레이트, 과망간산칼륨 및 구리 염(예컨대, 테트라플루오로보레이트 구리)을 사용하는 것이 바람직하다. 또한, 공기 및 산소가 임의로는 촉매량의 금속 이온, 예를 들어 철, 코발트, 니켈, 몰리브뎀 및 바나듐 이온 존재하에서 산화제로서 사용되는 것이 유리할 수 있다.
화학식 (Ⅰ)의 1 M 티오펜을 다량의 중합체산 중에서 산화 중합시킴으로써 중합체산의 산기를 0.25 내지 10, 바람직하게는 0.8내지 8, 특히 1.9 내지 8로 낮출 수 있다.
공정은 유럽 특허 공개 제440 957호(미국 특허 제5,300,575호)에 보다 상세히 기재되어 있다. 탈염된 용액의 제조에 관해서는 독일 특허 OS 4 211 459호에 개시되어 있다.
각각의 폴리티오펜 분산액은 추가로 여과될 수 있다. 바람직하게는, 각각의 여과된 분산액은 경화될 수 있다. 사용되는필터의 포어 크기는 0.5 μm 이하이다.
따라서, 본 발명의 목적은 상기 중합체 유기 화합물로부터 형성된 홀 주입 층 및(또는) 전자 주입 층 전기발광 장치를 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 또한 홀 주입 물질 및(또는) 전자 주입 물질로서 상기 중합체 유기 화합물의 용도이다.
중간 층은 기저 전극 2 및(또는) 방출 층 5 상에 용액으로부터 침착될 수 있다.
본 발명에 따른 시스템에서 이 목적을 위해, 예를 들어 3,4-폴리에틸렌디옥시티오펜의 용액을 기저 전극 상에 필름 형태로 침착시킨다. 바람직하게는, 물 또는 물/알콜 혼합물이 용매로서 사용된다. 적절한 알콜은 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 프로판올 및 이소프로판올이다.
이러한 용매를 사용하면 층 3,4를 부식시키지 않고 방향족 또는 지방족 탄화수소 혼합물과 같은 유기 용매의 또다른 층을 침착할 수 있는 장점이 있다. 방출 층 5에 층 6, 7을 도포시키는 경우에도 마찬가지이다.
중합체 유기 도체의 용액을 스핀 코팅, 캐스팅, 닥터 나이프(doctor knife) 도포, 압착, 커튼(curtain) 코팅 등과 같은기술로 기판 상에 일정하게 침착시킨다. 이어서 층을 실온 또는 300 ℃ 이하, 바람직하게는 200 ℃ 이하 온도에서 건조시킨다.
또한, 유기 도체의 용액을 구조화된 형태로 임의로 구조화된 기저 전극에 도포시킬 수 있다. 구조화된 홀 주입 층 및(또는) 전자 주입 층을 생성시키는데 적절한 방법은 예를 들어, 스크린 인쇄, 로토그라비어(rotogravure) 인쇄, 구조화된 주형을 통한 분무, 그라비어 오프셋(gravure offset) 인쇄, 잉크 볼 인쇄 또는 구조화된 스탬프를 이용한 스탬핑이다.
중간 층은 두께가 약 3 내지 100 nm, 바람직하게는 10 nm 내지 50 nm이다.
중합체 유기 결합제 및(또는) 저분자량 유기 가교 결합제가 또한 중합체 유기 도체의 용액에 첨가될 수 있다. 적절한 결합제는 예를 들어, 유럽 특허 제564 911호에 기재되어 있다.
본 발명에 따른 중간 층 3, 4는 중합체 유기 도체에 상응하는 단량체의 전기화학적 중합에 의해 또한 기저 전극 상에 생성될 수 있다. 이 방법은 공지되어 있고, 예를 들어 유럽 특허 제339 340호에 기재되어 있다.

Claims (7)

  1. 하기 화학식 (I)의 중성 또는 양이온 폴리티오펜의 전하 주입 중간층을 포함하고, 투명 금속 전극을 더 포함하며, 상기 전하 주입 중간층은 상기 투명 금속 전극 상에 위치하는 것인 전기발광 장치.
    <화학식 Ⅰ>
    상기 식 중,
    R1 및 R2는 서로 독립적으로 수소, 임의로 치환된 C1-C20-알킬, CH2OH 또는 C6-C14-아릴을 나타내거나, 또는
    R1 및 R2는 함께 m이 0 내지 12, 바람직하게는 1 내지 5인 -(CH2)m-CH2- 또는 C6-C14-아릴을 나타내고,
    n은 5 내지 100의 정수이다.
  2. 제1항에 있어서, 화학식 (Ⅰ)의 화합물이 중합체 음이온으로서 중합체 카르복실산의 존재하에서 양이온 형태인 전기발광 장치.
  3. 제2항에 있어서, 중합체 음이온이 폴리아크릴산, 폴리메타크릴산, 폴리말레산, 폴리스티렌 술폰산 및 폴리비닐 술폰산 또는 그들의 염으로 이루어진 군으로부터 선택되되, 이들 중합체 카르복실산 및 술폰산이 또한 비닐 카르복실산 및 비닐 술폰산과 다른 중합가능한 단량체와의 공중합체일 수 있는 전기발광 장치.
  4. 제3항에 있어서, 중합체 음이온이 폴리스티렌 술폰산 또는 그의 알칼리 염인 전기발광 장치.
  5. 제1항 또는 2항에 있어서, 투명 금속 전극이 금속 산화물 또는 반투명 금속 필름인 투명 전도성 물질을 포함하는 것인 전기발광 장치.
  6. 제5항에 있어서, 금속 산화물이 산화 인듐 주석(ITO) 또는 산화 주석(NESA)으로 이루어진 군으로부터 선택되거나 반투명 금속 필름이 Au, Pt, Ag 또는 Cu로 이루어진 군으로부터 선택되는 것인 전기발광 장치.
  7. 제1항 또는 2항에 있어서, 투명 금속 전극이 산화 인듐 주석(ITO) 전극인 전기발광 장치.
KR10-1998-0710892A 1996-07-05 1997-07-01 전기발광장치 KR100506784B1 (ko)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19627071A DE19627071A1 (de) 1996-07-05 1996-07-05 Elektrolumineszierende Anordnungen
DE19627071.5 1996-07-05
PCT/EP1997/003437 WO1998001909A1 (de) 1996-07-05 1997-07-01 Elektrolumineszierende anordnungen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20000022456A KR20000022456A (ko) 2000-04-25
KR100506784B1 true KR100506784B1 (ko) 2005-09-28

Family

ID=7798999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR10-1998-0710892A KR100506784B1 (ko) 1996-07-05 1997-07-01 전기발광장치

Country Status (11)

Country Link
US (1) US6376105B1 (ko)
EP (1) EP0909464B1 (ko)
JP (1) JP4191801B2 (ko)
KR (1) KR100506784B1 (ko)
AT (1) ATE288134T1 (ko)
AU (1) AU3539697A (ko)
CA (1) CA2259563C (ko)
DE (2) DE19627071A1 (ko)
ES (1) ES2236817T3 (ko)
TW (1) TW381407B (ko)
WO (1) WO1998001909A1 (ko)

Families Citing this family (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9623204D0 (en) * 1996-11-07 1997-01-08 Univ Durham Polymer light emitting diode
WO1998054767A1 (de) * 1997-05-31 1998-12-03 Robert Bosch Gmbh Leitfähiges schichtsystem und dessen verwendung in elektrolumineszierenden anordnungen
GB9805476D0 (en) 1998-03-13 1998-05-13 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
DE19812258A1 (de) * 1998-03-20 1999-09-23 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen unter Verwendung von Blendsystemen
DE19829947A1 (de) * 1998-07-04 2000-01-05 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen mit Bor-Chelaten
US6316130B1 (en) 1998-07-04 2001-11-13 Bayer Aktiengesellschaft Electroluminescent assemblies using azomethine-metal complexes
DE19829948A1 (de) * 1998-07-04 2000-01-05 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnung unter Verwendung von Azomethin-Metallkomplexen
DE19839948A1 (de) * 1998-09-02 2000-03-09 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen mit Metallkomplexen mit angeknüpften Fluoreszenzfarbstoffen
DE19839947A1 (de) * 1998-09-02 2000-03-09 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen mit Thiophencarboxylat-Metallkomplexen
DE19841803A1 (de) * 1998-09-12 2000-03-16 Bayer Ag Hilfsschichten für elektrolumineszierende Anordnungen
JP2000164361A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Tdk Corp 有機el素子
DE19937724C1 (de) * 1999-08-10 2000-12-07 Bosch Gmbh Robert Lichtemittierende Matrixanzeige sowie Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Matrixanzeige
CN1225944C (zh) * 1999-09-01 2005-11-02 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 电发光器件制造方法
US6593690B1 (en) 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
US6611096B1 (en) 1999-09-03 2003-08-26 3M Innovative Properties Company Organic electronic devices having conducting self-doped polymer buffer layers
US6730929B2 (en) * 1999-12-24 2004-05-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescent device
DE10018168A1 (de) * 2000-04-12 2001-10-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Dioden
JP4796685B2 (ja) * 2000-05-12 2011-10-19 ケミプロ化成株式会社 新規高分子緩衝剤およびそれを用いたエレクトロルミネッセント素子
US20020031602A1 (en) * 2000-06-20 2002-03-14 Chi Zhang Thermal treatment of solution-processed organic electroactive layer in organic electronic device
US6916553B2 (en) 2001-03-29 2005-07-12 Agfa-Gevaert Stable electroluminescent devices
US6955772B2 (en) 2001-03-29 2005-10-18 Agfa-Gevaert Aqueous composition containing a polymer or copolymer of a 3,4-dialkoxythiophene and a non-newtonian binder
US6890584B2 (en) 2000-06-28 2005-05-10 Agfa-Gevaert Flexographic ink containing a polymer or copolymer of a 3,4-dialkoxythiophene
JP4868099B2 (ja) * 2000-11-09 2012-02-01 日産化学工業株式会社 電界発光素子
DE10103416A1 (de) 2001-01-26 2002-08-01 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen
DE10111790A1 (de) * 2001-03-12 2002-09-26 Bayer Ag Neue Polythiophen-Dispersionen
CN100558782C (zh) * 2001-03-29 2009-11-11 爱克发-格法特公司 含有一种3,4-二烷氧基噻吩的聚合物或共聚物和一种非牛顿粘结剂的水基组合物
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US7211828B2 (en) * 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
KR100424090B1 (ko) * 2001-06-25 2004-03-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자용 정공 수송층, 그 정공 수송층을사용한유기 전계 발광 소자 및 그 소자의 제조 방법
TW546857B (en) * 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
FR2825619A1 (fr) * 2001-10-01 2002-12-13 Oreal Composition cosmetique destinee a creer un effet optique, comprenant au moins un polymere electroluminescent et/ou electroconducteur
JP4166455B2 (ja) * 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
DE10150477A1 (de) * 2001-10-16 2003-04-17 Bayer Ag Elektrophosphoreszierende Anordnung mit leitfähigen Polymeren
US20030089252A1 (en) * 2001-11-09 2003-05-15 Sarnecki Greg J. Production of Electroluminescent Devices
JP3850747B2 (ja) * 2002-03-27 2006-11-29 株式会社東芝 正孔注入層用インク、el表示装置、及びこれらの製造方法
US7164155B2 (en) * 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7118836B2 (en) 2002-08-22 2006-10-10 Agfa Gevaert Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration
US7026079B2 (en) 2002-08-22 2006-04-11 Agfa Gevaert Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration
WO2004019666A1 (en) * 2002-08-22 2004-03-04 Agfa-Gevaert Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration
CN1681869B (zh) * 2002-09-24 2010-05-26 E.I.内穆尔杜邦公司 用于电子器件用聚合物酸胶体制成的可水分散的聚苯胺
JP4509787B2 (ja) 2002-09-24 2010-07-21 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー ポリマー酸コロイドを伴って製造される水分散性ポリチオフェン
US7710019B2 (en) 2002-12-11 2010-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes
US7317048B2 (en) 2003-01-06 2008-01-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Variable resistance poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrene sulfonate) for use in electronic devices
US7005088B2 (en) 2003-01-06 2006-02-28 E.I. Du Pont De Nemours And Company High resistance poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrene sulfonate) for use in high efficiency pixellated polymer electroluminescent devices
TW200416437A (en) * 2003-01-23 2004-09-01 Toray Industries Display panel
US7390438B2 (en) 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
US20050023974A1 (en) * 2003-08-01 2005-02-03 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
DE10335727A1 (de) * 2003-08-05 2005-02-24 H.C. Starck Gmbh Transparente Elektrode für elektro-optische Aufbauten
CN100587857C (zh) * 2003-09-08 2010-02-03 住友金属矿山株式会社 透明导电层叠体与采用了该层叠体的有机el元件及它们的制造方法
JP3928609B2 (ja) * 2003-10-01 2007-06-13 セイコーエプソン株式会社 ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン/スチレンスルホン酸)の保存方法
US20050175861A1 (en) * 2004-02-10 2005-08-11 H.C. Starck Gmbh Polythiophene compositions for improving organic light-emitting diodes
DE102004006583A1 (de) 2004-02-10 2005-09-01 H.C. Starck Gmbh Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden
US7351358B2 (en) 2004-03-17 2008-04-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications
US20060062899A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Eastman Kodak Company Method of discontinuous stripe coating
US20060177690A1 (en) * 2005-02-07 2006-08-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Tri-layer PLED devices with both room-temperature and high-temperature operational stability
JP5323478B2 (ja) * 2005-06-27 2013-10-23 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 導電性ポリマー組成物
CN101208369B (zh) 2005-06-28 2013-03-27 E.I.内穆尔杜邦公司 高功函数透明导体
DE102005043828A1 (de) 2005-09-13 2007-03-22 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren
DE102005043829A1 (de) 2005-09-13 2007-04-05 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit hoher Nennspannung
DE102005053646A1 (de) 2005-11-10 2007-05-16 Starck H C Gmbh Co Kg Polymerbeschichtungen mit verbesserter Lösungsmittelbeständigkeit
DE102006002798A1 (de) 2006-01-20 2007-08-09 H. C. Starck Gmbh & Co. Kg Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden
US7563290B2 (en) * 2006-07-06 2009-07-21 Kemet Electronics Corporation High voltage solid electrolytic capacitors using conductive polymer slurries
US8153029B2 (en) * 2006-12-28 2012-04-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Laser (230NM) ablatable compositions of electrically conducting polymers made with a perfluoropolymeric acid applications thereof
US8062553B2 (en) * 2006-12-28 2011-11-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compositions of polyaniline made with perfuoropolymeric acid which are heat-enhanced and electronic devices made therewith
US20080191172A1 (en) * 2006-12-29 2008-08-14 Che-Hsiung Hsu High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers
DE102007046904A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-09 H.C. Starck Gmbh Partikel mit Kern-Schale-Struktur für leitfähige Schichten
DE102007048212A1 (de) 2007-10-08 2009-04-09 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Zwischenschicht
JP5217931B2 (ja) 2007-11-29 2013-06-19 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
CN102850728B (zh) * 2008-04-11 2015-07-22 索尔维美国有限公司 掺杂共轭聚合物、器件及器件的制造方法
DE102008024805A1 (de) 2008-05-23 2009-12-03 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren
DE102008032578A1 (de) 2008-07-11 2010-01-14 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren
GB2462688B (en) * 2008-08-22 2012-03-07 Cambridge Display Tech Ltd Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
US8268195B2 (en) * 2008-09-29 2012-09-18 Air Products And Chemicals, Inc. Electrically conductive films formed from dispersions comprising polythiophenes and ether containing polymers
DE102009007594A1 (de) 2009-02-05 2010-08-12 H.C. Starck Clevios Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht.
JP5317758B2 (ja) * 2009-02-26 2013-10-16 学校法人早稲田大学 ポリチオフェン又はチオフェン共重合体の溶液又は分散液並びにその製造方法
DE102009012660A1 (de) 2009-03-13 2010-09-16 H.C. Starck Clevios Gmbh Polymerbeschichtungen mit verbesserter Temperaturstabilität
DE102009014856A1 (de) 2009-03-30 2010-10-07 H.C. Starck Clevios Gmbh Polymerbeschichtungen mit verbesserter UV- und Temperaturstabilität
DE102009031677A1 (de) 2009-07-02 2011-01-05 H.C. Starck Clevios Gmbh Neue Polyelektrolyt-Komplexe und deren Verwendung
DE102009036282A1 (de) 2009-08-06 2011-02-10 H.C. Starck Clevios Gmbh Neue Polymerbeschichtungen enthaltend leitfähige Polymere
JP5646163B2 (ja) 2009-12-11 2014-12-24 富士フイルム株式会社 共役系高分子の作製方法
DE102010012180A1 (de) 2010-03-19 2011-09-22 Heraeus Clevios Gmbh Sulfonierte Polyketone als Gegenion leitfähiger Polymere
DE102011018480A1 (de) 2011-04-21 2012-10-25 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Fluorierte Amine als SAM in OLEDs
DE102011107921B3 (de) 2011-07-19 2012-11-15 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg SAM-Schichten mit HTL-Funktion
DE202012007001U1 (de) 2012-07-20 2012-11-15 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Dispersionen aus PEDOT/Styrolsulfonsäure-Styrol-Copolymeren zur Reduzierung des Haze-Wertes
DE102013005763A1 (de) 2013-04-05 2014-10-09 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Transparente Schichten mit hoher Leitfähigkeit und hoher Effizienz in OLEDs und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP2950316B1 (en) 2014-05-30 2019-11-06 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Monofunctional amines as adhesion primers for conductive polymers
EP2950317B1 (en) 2014-05-30 2017-08-23 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Two or polyfunctional compounds as adhesion primers for conductive polymers
EP3886194A3 (en) 2014-11-18 2021-10-20 Heraeus Deutschland GmbH & Co KG Fluorinated aromatic small molecules as functional additives for dispersion of conductive polymers
EP3067948B1 (en) 2015-03-09 2018-08-08 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Conductive polymer in organic solvent with fluorinated non-ionic compound

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0443861A2 (en) * 1990-02-23 1991-08-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic electroluminescence device
EP0686662A2 (de) * 1994-05-06 1995-12-13 Bayer Ag Leitfähige Beschichtungen

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3963498A (en) 1971-12-27 1976-06-15 Eastman Kodak Company Silver halide element containing an organic semiconductor
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
DE3750650D1 (de) 1986-08-26 1994-11-17 Hoechst Ag Lösliche, elektrisch leitende Polymere, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung.
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
DE3843412A1 (de) 1988-04-22 1990-06-28 Bayer Ag Neue polythiophene, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
EP0407492B1 (de) 1988-10-11 1997-07-30 Zipperling Kessler &amp; Co (GmbH &amp; Co) Verfahren zur herstellung dünner schichten aus leitfähigen polymeren
US5498761A (en) 1988-10-11 1996-03-12 Wessling; Bernhard Process for producing thin layers of conductive polymers
US5126214A (en) 1989-03-15 1992-06-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescent element
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
DE59010247D1 (de) * 1990-02-08 1996-05-02 Bayer Ag Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung
JP3069139B2 (ja) 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
DE4211459A1 (de) 1992-04-06 1993-10-07 Agfa Gevaert Ag Herstellung einer Antistatikschicht für fotografische Materialien
TW278096B (ko) 1992-09-24 1996-06-11 Dsm Nv
JP3534445B2 (ja) * 1993-09-09 2004-06-07 隆一 山本 ポリチオフェンを用いたel素子
US5723873A (en) * 1994-03-03 1998-03-03 Yang; Yang Bilayer composite electrodes for diodes
KR100246496B1 (ko) * 1994-03-16 2000-04-01 구라우치 노리타카 유기일렉트로루미너 센스소자
DE19507413A1 (de) 1994-05-06 1995-11-09 Bayer Ag Leitfähige Beschichtungen
JP2001506393A (ja) * 1994-09-06 2001-05-15 フィリップス エレクトロニクス ネムローゼ フェンノートシャップ 導電性ポリマー製の透明な構造を付与した電極層を有するエレクトロルミネセント装置
JPH08151572A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE69710781T2 (de) * 1996-07-29 2002-10-31 Cambridge Display Tech Ltd Elektrolumineszierende anordnungen mit elektrodenschutz
GB9718393D0 (en) * 1997-08-29 1997-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent Device

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
EP0443861A2 (en) * 1990-02-23 1991-08-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic electroluminescence device
EP0686662A2 (de) * 1994-05-06 1995-12-13 Bayer Ag Leitfähige Beschichtungen

Also Published As

Publication number Publication date
CA2259563C (en) 2009-02-03
US6376105B1 (en) 2002-04-23
DE19627071A1 (de) 1998-01-08
CA2259563A1 (en) 1998-01-15
ATE288134T1 (de) 2005-02-15
JP4191801B2 (ja) 2008-12-03
TW381407B (en) 2000-02-01
DE59712186D1 (de) 2005-03-03
JP2000514590A (ja) 2000-10-31
WO1998001909A1 (de) 1998-01-15
EP0909464B1 (de) 2005-01-26
ES2236817T3 (es) 2005-07-16
EP0909464A1 (de) 1999-04-21
KR20000022456A (ko) 2000-04-25
AU3539697A (en) 1998-02-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR100506784B1 (ko) 전기발광장치
JP4725984B2 (ja) エレクトロルミネッセンス組立体
KR101184781B1 (ko) 유기 발광 다이오드를 개선시키기 위한 폴리티오펜 배합물
TWI388432B (zh) 電洞注入/傳送層組合物及裝置
TWI405837B (zh) 供電-光結構體用之透明電極
KR101359205B1 (ko) 유기 발광 다이오드를 개선시키기 위한 폴리티오펜 배합물
KR20050038628A (ko) 전기전도성 폴리아닐린의 안정한 수분산액을 직접 제조하는방법
Kraft Conducting polymers
JP5317758B2 (ja) ポリチオフェン又はチオフェン共重合体の溶液又は分散液並びにその製造方法
KR20000011464A (ko) 아조메틴-금속착물을사용한전자발광어셈블리
KR20050059120A (ko) 고효율성 픽셀화 중합체 전기발광 소자용 고저항성 폴리아닐린 배합물
KR20000005992A (ko) N-알킬-2,2&#39;-이미노-비스-(8-히드록시퀴놀린)-금속착물을함유하는전자발광어셈블리
KR20130018436A (ko) 전도성 고분자의 상대이온으로서의 술폰화된 폴리케톤
KR20010073071A (ko) 형광 염료에 결합된 금속 착화합물을 함유하는 전기장발광 장치
JP2004027142A (ja) 導電性高分子材料および有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3616850B2 (ja) 電界発光素子の製造方法
GB2400728A (en) Thin film laminate for electrolumninescent element with reduced water content
WO2004019346A1 (en) Layer configuration comprising an electron-blocking element
WO2004019347A1 (en) Layer configuration comprising an electron-blocking element
KR20000005991A (ko) 블렌드시스템을사용하는전자발광장치

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20120723

Year of fee payment: 8

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20130719

Year of fee payment: 9

FPAY Annual fee payment

Payment date: 20140718

Year of fee payment: 10

LAPS Lapse due to unpaid annual fee