JP2000514590A - エレクトロルミネッセンス装置 - Google Patents

エレクトロルミネッセンス装置

Info

Publication number
JP2000514590A
JP2000514590A JP10504730A JP50473098A JP2000514590A JP 2000514590 A JP2000514590 A JP 2000514590A JP 10504730 A JP10504730 A JP 10504730A JP 50473098 A JP50473098 A JP 50473098A JP 2000514590 A JP2000514590 A JP 2000514590A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
acid
solution
electroluminescent device
injection layer
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP10504730A
Other languages
English (en)
Other versions
JP4191801B2 (ja
Inventor
ヨナス,フリードリヒ
エルシユナー,アンドレアス
ベーアマン,ロルフ
クインテンス,デイルク
Original Assignee
バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト filed Critical バイエル・アクチエンゲゼルシヤフト
Publication of JP2000514590A publication Critical patent/JP2000514590A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4191801B2 publication Critical patent/JP4191801B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/11OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED] characterised by the electroluminescent [EL] layers
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/12Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof structurally associated with, e.g. formed in or on a common substrate with, one or more electric light sources, e.g. electroluminescent light sources, and electrically or optically coupled thereto
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C09DYES; PAINTS; POLISHES; NATURAL RESINS; ADHESIVES; COMPOSITIONS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; APPLICATIONS OF MATERIALS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • C09KMATERIALS FOR MISCELLANEOUS APPLICATIONS, NOT PROVIDED FOR ELSEWHERE
    • C09K11/00Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials
    • C09K11/06Luminescent, e.g. electroluminescent, chemiluminescent materials containing organic luminescent materials
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/12Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces
    • H05B33/14Light sources with substantially two-dimensional radiating surfaces characterised by the chemical or physical composition or the arrangement of the electroluminescent material, or by the simultaneous addition of the electroluminescent material in or onto the light source
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K85/00Organic materials used in the body or electrodes of devices covered by this subclass
    • H10K85/10Organic polymers or oligomers
    • H10K85/111Organic polymers or oligomers comprising aromatic, heteroaromatic, or aryl chains, e.g. polyaniline, polyphenylene or polyphenylene vinylene
    • H10K85/113Heteroaromatic compounds comprising sulfur or selene, e.g. polythiophene
    • H10K85/1135Polyethylene dioxythiophene [PEDOT]; Derivatives thereof
    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K30/00Organic devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent

Abstract

(57)【要約】 本発明は、その導電性有機重合体がポリフラン類、ポリピロール類、ポリアニリン類、ポリチオフェン類及びポリピリジン類を含んで成る群から選ばれる正孔及び/又は電子注入層を含有するエレクトロルミネッセンス装置に関する。

Description

【発明の詳細な説明】 エレクトロルミネッセンス装置 本発明は、導電性の重合体を正孔注入層(hole-injecting layer)及び電子注入 層として含有するエレクトロルミネッセンス装置(素子)[electroluminescing arrangement(device)]に関する。 エレクトロルミネッセンス(EL)装置は、ある電圧が電流を伴って印加され たときそれが発光することを特徴とする。そのような装置は、工業と技術におい て長い間「発光ダイオード」(LED)という名称で知られてきた。発光現象は 、正電荷(正孔)と負電荷(電子)が光の放射を伴って結合するために起こる。 工業と技術において一般に使用されている全てのLEDは、主として無機半導 体物質から成っている。しかしながら、ここ数年間その基本構成成分が有機物質 であるEL装置が知られてきている。 これらの有機EL装置は、一般的に、一層以上の有機電荷移送化合物層を含有 している。 層構造は、原則的に、次の通りである。1から10の数字は以下を表す。 1.担体、基体 2.底部電極 3.正孔注入層 4.正孔移送層 5.発光層 6.電子移送層 7.電子注入層 8.上部電極 9.端子 10.カバー、封入剤 この構造は最も一般的な場合を表しており、一つの層が複数の役目を果たすよ うにして個々の層を省略することによって単純化することができる。最も単純な 場合のEL装置では、2個の電極の間に、発光を含む全ての機能を果たす1個の 有機層が配置される。そのような系は、例えばポリ(p−フェニレンビニレン) に基づいている出願WO9013148に記載されている。大きい面のエレクト ロルミネッセンス表示素子の製造においては、電流を運ぶ電極2又は8の中の少 なくとも1個は、透明な導電物質から成っていなければならない。 ガラスやプラスチックフィルム(例えば、ポリエチレンテレフタレートやポリ エチレンナフタレートのようなポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリル 酸エステル、ポリスルフォン、ポリイミド箔)のような透明な担体(carrier)が 、基体1として適切である。 透明な導電物質として以下の物質が適切である。 a)金属酸化物、例えばインジウム−スズ酸化物(ITO)、酸化スズ(NE SA)等 b)半透明金属フィルム、例えばAu、Pt、Ag、Cu等 本発明に従う用途では、高分子物質と同様に低分子量又はオリゴマー物質も発 光層5として使用することができる。その物質は、フォトルミネッセンス現象(p hotoluminescing)を示すことを特徴とする。従って、適切な物質は、例えば蛍光 染料、或いは、蛍光を示す分子及びオリゴマーを形成するか又はそれを重合体に 組み込んだその反応生成物である。 そのような物質の例は、クマリン類、ペリレン類、アントラセン類、フェナン トレン類(phenanthernes)、スチルベン類、ジスチリル類、メチン類又はAlq3 のような金属錯体等である。適切な重合体の例として、置換されていてもよいフ ェニレン類、フェニレンビニレン類又はポリマー側鎖中に又はポリマー主鎖中に 蛍光を示すセグメントを有する重合体が挙げられる。詳細なリストは、EP−A 532798に記載されている。 しかしながら、実際には、ルミネッセンスを増大させるためには、電子注入層 又は正孔注入層(3、4及び/又は6、7)がエレクトロルミネッセンスを示す アセンブリー(assembly)中に組み入れられなければならないことが見出されてき た。 電荷(正孔及び/又は電子)を移送する多くの有機化合物が文献に記載されて いる。例えば高真空中で真空蒸着される、低分子量体を主体とする物質が使用さ れている。種々な物質の広範囲な調査とそれらの使用について次の文献に記載さ れている。EP−A387715、US−A4539507、4720432及 び4769292。 一つの不利な点は、物質を高真空蒸着で付着させることである。ELPディス プレイの製造工程を単純化するためには、3、4及び6、7の層が溶液からの析 出によって製造できれば有利であろう。 EP−A686662には、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンのよう な導電性有機重合体とポリヒドロキシ化合物又はラクタムとの特別な混合物をE LPアセンブリー中の電極1として用いることが記載されている。 Synthetic Metals 76(1996)141−14 3には、ポリ−(3,4−エチレンジオキシチオフェン)はまた発光ダイオード 中の電極としても記載されており、ポリ−(3,4−エチレンジオキシチオフェ ン)電極で得られるルミネッセンス値(value)はインジウム−スズ酸化物(IT O)電極の場合より低いという事実が参照されている。 ここに、驚くべきことに、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンのような 純品の導電性有機重合体をITOのような透明な金属電極上の電荷注入中間層と して用いると、発光ダイオードにおいて、純品の金属電極又は純品の導電性有機 重合体電極を有する発光ダイオードよりも非常に優れたルミネッセンス値が得ら れることが見出された。これらの層は、溶液から、又は導電性有機重合体に対応 するモノマーの直接重合によって製造することができる。 適切な導電性有機重合体は、例えばポリフラン類、ポリピロール類、ポリアニ リン類、ポリチオフェン類又はポリピリジン類である。これらは、例えばEP− A257573(ポリアルコキシチオフェン類)、WO90/04256(ポリ アニリン類)、EP−A589529(ポリピロール)、DE−A226274 3(オリゴアニリン)に記載されている。 式(1):[式中、 R1及びR2は、互いに独立に、水素、置換されていてもよいC1〜C20−アルキ ル、CH2OH又はC6−C14−アリールを表すか、又は R1及びR2が一緒になって、−(CH2m−CH2−(ここにm=0〜12、好 ましくは1〜5である)又はC6−C14−アリールを表し、 そして nは5〜100の整数である] を有する中性又はカチオン性のチオフェンが特に適切である。 R1及びR2は、好ましくは−(CH21−CH2−(ここに1=0〜4である )を表す。 式(1)の繰り返し構造単位を有するポリチオフェンは既知である(EP−A 440957及び339340参照)。本発明に従う分散液又は溶液の製造は、 EP−A440957及びDE−OS4211459に記載されている。 ポリチオフェンは、分散液又は溶液の状態で、好ましくは例えば中性のチオフ ェンを酸化剤で処理することによって得られるカチオン形の状態で使用される。 ペルオキソ二硫酸カリウムのような従来からの酸化剤が酸化のために用いられる 。酸化によってポリチオフェンは正電荷を受け取るが、その数と位置は確実には 特定できないので式には示されていない。EP−A339340に記載されてい る情報によればそれらは担体上で直接製造することができる。 ポリアニオンは、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸又はポリマレイン酸のよ うな重合体状のカルボン酸、並びにポリスチレンスルホン酸及びポリビニルスル ホン酸のような重合体状のスルホン酸のアニオンである。これらのポリカルボン 酸及びポリスルホン酸は、ビニルカルボン酸 又はビニルスルホン酸とアクリル酸及びスチレンのような他の重合可能なモノマ ーとの共重合体であることもできる。 ポリアニオンを供給するポリ酸の分子量は、1,000〜2,000,000 の範囲であることが好ましく、より好ましくは2,000〜5000,000の 範囲である。このポリ酸又はそれらのアルカリ塩は市販されている、例えばポリ スチレンスルホン酸及びポリアクリル酸、か又は既知の方法で製造することがで きる(例えば、Houben-Wey1,Methoden der organischen Chemie,Vol.E20,Ma kromo1ekulare Stoffe,Tei12,(1987)、1141頁及び継続頁を参照)。 本発明のポリチオフェン及びポリアニオンの分散液を形成するために必要な遊 離のポリ酸に代えて、ポリ酸のアルカリ塩と対応する量のモノ酸(monoacid)の混 合物を使用することも可能である。 本発明による、ポリアニオンの存在下でのポリチオフェン分散液は、次式: (式中、R1及びR2は、式(I)で定義した通りである) に相当する3,4−ジアルコキシチオフェンを、ピロールの酸化重合に通常使用 される酸化剤及び/又は酸素もしくは空気を用いて、ポリ酸の存在下で、0〜1 00℃の温度で、好ましくは水性溶剤中で酸化重合することによって得られる。 酸化重合によってポリチオフェンは正電荷を得るが、その数と位置は確実には 決定できないので式には示されていない。 重合に際しては、式(II)に相当するチオフェン、ポリ酸及び酸化剤を、有 機溶剤中に、又は−好ましくは−水中に溶解し、そして得られた溶液を予定の重 合温度で重合反応が完結するまで攪拌する。 空気又は酸素を酸化剤として使用する場合には、空気又は酸素を、チオフェン 、ポリ酸及び場合によっては触媒量の金属塩を含有する溶液中に、重合反応が完 結するまで導入する。 重合時間は、バッチの大きさ、重合温度及び酸化剤に依存して、数分間と30 時間の間であり得る。重合時間は通常は30分と10時間の間である。得られた 分散液の安定性は、ドデシルスルホン酸ナトリウムのような分散剤を重合中又は 重合後に添加することによって改良することができる。 酸化剤としては、ピロールの酸化重合に適切な酸化剤ならいずれも適切な酸化 剤であり、それは例えばJ.Am.Soc.85,454(1963)に記載さ れている。 実際的な理由のために、高価でなく、取り扱いの容易な酸化剤、例えばFeC l3、Fe(ClO43、並びに有機酸及び有機残基を含有する無機酸の鉄(I II)塩のような鉄(III)塩、H22、K2Cr27、過硫酸アルカリ又は アンモニウム、過ホウ酸アルカリ、過マンガン酸カリウム及び四フッ化ホウ酸銅 のような銅塩、を使用するのが好ましい。更に、空気及び酸素が、場合によって は触媒量の金属イオン例えば鉄、コバルト、ニッケル、モリブデン及びバナジウ ムイオンの存在下で、酸化剤として有利に使用することができることが見出され た。 その工程はEP−A440957(=US−P5,300,575)により詳 しく記載されている。 従って、本発明は、上述の有機重合体化合物から形成される正孔注入層及び/ 又は電子注入層を含有するエレクトロルミネッセンス装置を提供することを目的 とする。 本発明の目的はまた、上述の有機重合体化合物の正孔注入物質及び/又は電子 注入物質としての使用である。 中間層は、溶液から底部電極2及び/又は発光層5の上に析出させることがで きる。 この目的のために、本発明の系においては、例えば3,4−ポリエチレンジオ キシチオフェンの溶液を底部電極上にフィルムの形で析出させる。溶剤として水 又は水/アルコール混合物が好ましく用いられる。適切なアルコールは、例えば メタノール、エタノール、プロパノール及びイソプロパノールである。 これらの溶剤を使用すると、芳香族又は脂肪族炭化水素混合物のような有機溶 剤の追加の層を、層3、4を浸食することなく析出させることができるという利 点がある。同じことは、発光層5への層6、7の塗布に関して真実である。 導電性有機重合体の溶液は、スピンコーティング、キャスティング、ドクター ナイフ塗布、圧着、カーテンコーティング等のような技術によって基体上に均一 に析出させる。次いで層を、室温又は300℃迄の、好ましくは200℃迄の温 度で乾燥する。 有機導電体の溶液はまた、場合によっては構造を持った底部電極に構造を持っ た形で塗布することができる。構造を持った正孔−及び/又は電子注入層を製造 する適切な方法は、例えば、スクリーン印刷、輪転グラビア印刷、構造を持った 型板を通してのスプレー、グラビアオフセッ ト印刷、インクボール印刷又は構造を持ったスタンプでのスタンピングである。 中間層の厚さは約3〜100nmであり、好ましくは10nm〜50nmであ る。 有機重合体バインダー及び/又は有機低分子量架橋剤もまた導電性有機重合体 の溶液に添加することができる。適切なバインダーは、例えばEP564911 に記載されている。 本発明による中間層3、4は、導電性有機重合体に対応するモノマーの電気化 学的重合によっても底部電極上で生成させることができる。これらの方法は既知 であり例えばEP339340に記載されている。実施例 3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン溶液の製造(PEDT/PSS原料溶 液) 遊離のポリスチレンスルホン酸(分子量約40,000)20g、レルオキソ 二硫酸カリウム21.4g及び硫酸鉄(III)50mgを、攪拌しながら水2 000mlに添加する。3,4−エチレンジオキシチオフェン8.0gを、これ も攪拌しながら添加する。次いで、溶液を室温で24時間攪拌する。アニオン交 換剤(Lewatit MP62,Bayer AGから市販)100g及びカ チオン交換剤(Lewatit S100,Bayer AGから市販)100 gを、両者共水で湿らせて、添加し、そしてその混合物を8時間攪拌する。 イオン交換剤を濾過で除去する。固形分含量が約1.2重量%である溶液が得 られ、それはそのまま使用できる。実施例 1 本発明によるPEDT/PSS中間層を有するエレクトロルミネッセンス装置 を製造するために次の手順を使用した。 a)ITOの洗浄 ITOでコーティングしたガラス(Balzersによって製造された)を 、20x30mmサイズに切断し、次の手順で洗浄した。 1. 超音波浴中、蒸留水/Falterolリンス剤(塩基性)中で15 分洗浄 2. 超音波浴中で新しい蒸留水中で5分づつ2回のすすぎ 3. 超音波浴中、エタノール中で15分洗浄 4. 超音波浴中で新しいアセトン中で15分づつ2回のすすぎ 5. 糸くずのないレンズ用布上での乾燥 b)PEDT/PSS層のITOへの塗布 濾過したPEDT/PSS原料溶液2容量部をメタノール1容量部と混合す る。この溶液約1mlを洗浄したITO基体上に広げる。 表面の溶液をスピンコーターを用い1500回転/分で30秒間振り落とす 。次いでフィルムを乾燥室で70℃で20分乾燥する。層の厚さをstylus profi lometer(Tencor 200)で測定し、50nmであることが分かる。 c)エレクトロルミネッセンス層の塗布 2番目の層、エレクトロルミネッセンス層を乾燥したPEDT/PSS層に 塗布する。この目的のために、ポリビニルカルバゾール(PVK)(Aldri ch)7重量部とメチン染料(EP−A699730)3重量部の1%溶液を調 製する。溶液を濾過し、その溶液1mlをPEDT/PSS上に広げる。表面の 溶液をスピンコ ーターを用い1000回転/分で30秒間振り落とす。次いで試料を真空乾燥室 で50℃で20分乾燥する。試料の全体の層の厚さはその時150nmである。 d)金属電極の真空蒸着コーティング及び電気的接続 試料を真空蒸発装置(Leybold600)に取り付ける。直径が3mm の穴のあいたマスクを重合体層の上方に設置する。10-5ミリバールの圧力で、 電子ビーム銃を用いて、アルミニウムをターゲットから重合体層の上に蒸着させ る。Al層の厚さは500nmである。有機LEDの2個の電極を電気リード線 によって電源に接続する。正極をITO電極に、負極をAl電極に接続する。 e)エレクトロルミネッセンスの測定 低電圧(U=5ボルト)においてさえ、1mA/cm2の電流が装置を通っ て流れる。8ボルトで、エレクトロルミネッセンスが光ダイオードで検出できる 。20ボルトでは、エレクトロルミネッセンス強度は50cd/m2(Mino lta LS100)である。 本発明によるPEDT/PSS中間層を用いない対照実験では、EL強度はよ り低く、そしてしきい電圧はより高い。実施例 2 本発明によるPEDT/PSS中間層を有するエレクトロルミネッセンス装置 を製造するために次の手順を使用した。 a)ITOの洗浄 ITOでコーティングしたガラス(Balzersによって製造された)を 、20x30mmサイズに切断し、次の手順で洗浄した。 1. 超音波浴中、蒸留水/Falterolリンス剤(塩基性) 中で15分洗浄 2. 超音波浴中で新しい蒸留水中で15分づつ2回のすすぎ 3. 超音波浴中、エタノール中で15分洗浄 4. 超音波浴中で新しいアセトン中で15分づつ2回のすすぎ 5. 糸くずのないレンズ用布上での乾燥 b)PEDT/PSS層のITOへの塗布 濾過したPEDT/PSS原料溶液2容量部をメタノール1容量部と混合す る。この溶液約1mlを洗浄したITO基体上に広げる。表面の溶液をスピンコ ーターを用い1500回転/分で30秒間振り落とす。次いでフィルムを乾燥室 で70℃で20分乾燥する。層の厚さをstylus profilometer(Tencor 200)で測 定し、50nmであることが分かる。 c)エレクトロルミネッセンス層の塗布 2番目の層、エレクトロルミネッセンス層を乾燥したPEDT/PSS層に 塗布する。この目的のために、ポリビニルカルバゾール(PVK)(Aldri ch)7重量部とクマリン6(LambdaPhysics)3重量部の1.5 %溶液を調製する。溶液を濾過し、その溶液1mlをPEDT/PSS上に広げ る。表面の液体をスピンコーターを用い1800回転/分で10秒間取り除く。 d)金属電極の真空蒸着コーティング及び電気的接続 試料を真空蒸発装置(Leybold600)に取り付ける。直径が3mmの 穴のあいたマスクを重合体層の上方に設置する。10-5ミリバールの圧力で、電 子ビーム銃を用いて、アルミニウムをターゲットから重合体層の上に蒸着させる 。Al層の厚さは500nm である。有機LEDの2個の電極を電気リード線によって電源に接続する。正極 をITO電極に、負極をAl電極に接続する。 e)エレクトロルミネッセンスの測定 低電圧(U=10ボルト)においてさえ、0.1mA/cm2の電流が装置 を通って流れる。8ボルトで、エレクトロルミネッセンスが光ダイオードで検出 できる。20ボルトでは、エレクトロルミネッセンス強度は10cd/m2(M inolta LS100)である。実施例 3 本発明によるPEDT/PSS中間層を有するエレクトロルミネッセンス装置 を製造するために次の手順を使用した。 a)ITOの洗浄 ITOでコーティングしたガラス(Balzersによって製造された)を 、20x30mmサイズに切断し、次の手順で洗浄した。 1. 超音波浴中、蒸留水/Falterolリンス剤(塩基性)中で15 分洗浄 2. 超音波浴中で新しい蒸留水中で15分づつ2回のすすぎ 3. 超音波浴中、エタノール中で15分洗浄 4. 超音波浴中で新しいアセトン中で15分づつ2回のすすぎ 5. 糸くずのないレンズ用布上での乾燥 b)PEDT/PSS層のITOへの塗布 濾過したPEDT/PSS原料溶液2容量部をメタノール1容量部と混合す る。この溶液約1mlを洗浄したITO基体上に広げる。表面の溶液をスピンコ ーターを用い1500回転/分で30秒間振 り落とす。次いでフィルムを乾燥室で70℃で20分乾燥する。層の厚さをstyl us profilometer(Tencor 200)で測定し、50nmであることが分かる。 c)エレクトロルミネッセンス層の塗布 2番目の層、エレクトロルミネッセンス層を乾燥したPEDT/PSS層に 塗布する。この目的のために、ポリビニルカルバゾール(PVK)(Aldri ch)7重量部とぺリレン染料KF856(BASFからの市販品)3重量部の 1.5%溶液を調製する。溶液を濾過し、その溶液1mlをPEDT/PSS上 に広げる。表面の液体をスピンコーターを用い1800回転/分で10秒間取り 除く。試料の全体の層の厚さはその時140nmである。 d)金属電極の真空蒸着コーティング及び電気的接続 試料を真空蒸発装置(Leybold600)に取り付ける。直径が3mm の穴のあいたマスクを重合体層の上方に設置する。10-5ミリバールの圧力で、 電子ビーム銃を用いて、アルミニウムをターゲットから重合体層の上に蒸着させ る。Al層の厚さは500nmである。有機LEDの2個の電極を電気リード線 によって電源に接続する。正極をITO電極に、負極をAl電極に接続する。 e)エレクトロルミネッセンスの測定 低電圧(U=5ボルト)においてさえ、1mA/cm2の電流が装置を通っ て流れる。4ボルトで、エレクトロルミネッセンスが光ダイオードで検出できる 。15ボルトでは、エレクトロルミネッセンス強度は30cd/m2(Mino lta LS100)である。 本発明によるPEDT/PSS中間層を用いない対照実験では、EL 強度はより低く、そしてしきい電圧はより高い。実施例 4 a)実施例1aに従って洗浄したITO基体及び1x2cm2サイズの白金箔を 、四フッ化ホウ酸テトラメチルアンモニウム0.8g及び3,4−エチレンジオ キシチオフェン0.28gをアセトニトリル100mlに溶解した溶液中につり 下げる。ガラス板を陽極として接続する。正孔注入中間層としての3,4−ポリ エチレンジオキシチオフェンの薄層が、電圧2Vそして電流1.5mAで、20 秒のうちに析出する。 b)2番目の層、エレクトロルミネッセンス層を、乾燥したPEDT層上に析出 させる。この目的のために、ポリビニルカルバゾール(PVK)(Ald ri ch)7重量部とメチン染料(EP−A699730)3重量部の1%溶液を調 製する。溶液を濾過し、その溶液1mlをPEDT/PSS上に広げる。表面の 溶液をスピンコーターを用い1000回転/分で30秒間振り落とす。次いで試 料を真空乾燥室で50℃で20分乾燥する。試料の全体の層の厚さはその時15 0nmである。 c)金属電極の真空蒸着コーティング及び電気的接続 試料を真空蒸発装置(Leybold600)に取り付ける。直径が3mm の穴のあいたマスクを重合体層の上方に設置する。10-5ミリバールの圧力で、 電子ビーム銃を用いて、アルミニウムをターゲットから重合体層の上に蒸着させ る。Al層の厚さは500nmである。有機LEDの2個の電極を電気リード線 によって電源に接続する。正極をITO電極に、負極をAl電極に接続する。 d)エレクトロルミネッセンスの測定 低電圧(U=5ボルト)においてさえ、1mA/cm2の電流が装置を通っ て流れる。4ボルトで、エレクトロルミネッセンスが光ダイオードで検出できる 。20ボルトでは、エレクトロルミネッセンス強度は10cd/m2(Mino lta LS100)である。 本発明によるPEDT中間層を用いない対照実験では、EL強度はより低く、 そしてしきい電圧はより高い。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (81)指定国 EP(AT,BE,CH,DE, DK,ES,FI,FR,GB,GR,IE,IT,L U,MC,NL,PT,SE),OA(BF,BJ,CF ,CG,CI,CM,GA,GN,ML,MR,NE, SN,TD,TG),AP(GH,KE,LS,MW,S D,SZ,UG,ZW),EA(AM,AZ,BY,KG ,KZ,MD,RU,TJ,TM),AL,AM,AT ,AU,AZ,BA,BB,BG,BR,BY,CA, CH,CN,CU,CZ,DE,DK,EE,ES,F I,GB,GE,GH,HU,IL,IS,JP,KE ,KG,KP,KR,KZ,LC,LK,LR,LS, LT,LU,LV,MD,MG,MK,MN,MW,M X,NO,NZ,PL,PT,RO,RU,SD,SE ,SG,SI,SK,TJ,TM,TR,TT,UA, UG,US,UZ,VN,YU (72)発明者 クインテンス,デイルク ベルギー・ビー―2500リール・マースフオ ルトバーン221

Claims (1)

  1. 【特許請求の範囲】 1. 正孔注入層及び/又は電子注入層を含有し、導電性有機重合体がポリフラ ン類、ポリピロール類、ポリアニリン類、ポリチオフェン類及びポリピリジン類 を含んで成る群から選ばれることを特徴とするエレクトロルミネッセンス装置。 2. 式(1): [式中、 R1及びR2は、互いに独立に、水素、置換されていてもよいC1〜C20 −アルキル、CH2OH又はC6−C14−アリールを表すか、又はR1及びR2が 一緒になって、−(CH2m−CH2−(ここにm=0〜12、好ましくは1〜 5である)又はC6−C14−アリールを表し、そして nは5〜100の整数である] を有する中性又はカチオン性のチオフェンが用いられる請求項1に記載のエレク トロルミネッセンス装置。 3. 式(1)を有する化合物が、ポリアニオンとしての重合体のカルボン酸の 存在下でカチオン形で存在する請求項1に記載のエレクトロルミネッセンス装置 。 4. ポリアニオンが、ポリアクリル酸、ポリメタクリル酸、ポリマレイン酸、 ポリスチレンスルホン酸及びポリビニルスルホン酸又はそれら の塩を含んで成る群から選ばれ、重合体のカルボン酸及びポリスルホン酸は、ビ ニルカルボン酸と他の重合可能なモノマー及びビニルスルホン酸と他の重合可能 なモノマーとの共重合体であることもできる請求項3に記載のエレクトロルミネ ッセンス装置。 5. ポリアニオンが、ポリスチレン系の酸又はそのアルカリ塩である請求項3 に記載のエレクトロルミネッセンス装置。 6. 請求項1に記載の有機重合体化合物の、エレクトロルミネッセンス装置の 正孔注入層及び/又は電子注入層中の導電体としての使用。
JP50473098A 1996-07-05 1997-07-01 エレクトロルミネッセンス装置 Expired - Fee Related JP4191801B2 (ja)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19627071.5 1996-07-05
DE19627071A DE19627071A1 (de) 1996-07-05 1996-07-05 Elektrolumineszierende Anordnungen
PCT/EP1997/003437 WO1998001909A1 (de) 1996-07-05 1997-07-01 Elektrolumineszierende anordnungen

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2000514590A true JP2000514590A (ja) 2000-10-31
JP4191801B2 JP4191801B2 (ja) 2008-12-03

Family

ID=7798999

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP50473098A Expired - Fee Related JP4191801B2 (ja) 1996-07-05 1997-07-01 エレクトロルミネッセンス装置

Country Status (11)

Country Link
US (1) US6376105B1 (ja)
EP (1) EP0909464B1 (ja)
JP (1) JP4191801B2 (ja)
KR (1) KR100506784B1 (ja)
AT (1) ATE288134T1 (ja)
AU (1) AU3539697A (ja)
CA (1) CA2259563C (ja)
DE (2) DE19627071A1 (ja)
ES (1) ES2236817T3 (ja)
TW (1) TW381407B (ja)
WO (1) WO1998001909A1 (ja)

Cited By (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001323137A (ja) * 2000-05-12 2001-11-20 Chemiprokasei Kaisha Ltd 新規高分子緩衝剤およびそれを用いたエレクトロルミネッセント素子
JP2002151272A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Nissan Chem Ind Ltd 電界発光素子
JP2003288985A (ja) * 2002-03-27 2003-10-10 Toshiba Corp 正孔注入層用インク、el表示装置、及びこれらの製造方法
JP2006295203A (ja) * 1998-03-13 2006-10-26 Cambridge Display Technol Ltd エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2007103384A (ja) * 2001-06-25 2007-04-19 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光装置用正孔輸送層を用いた有機電界発光装置の製造方法
JP2009046687A (ja) * 2001-03-12 2009-03-05 Hc Starck Gmbh 新規のポリチオフェン分散液
WO2009069820A1 (ja) 2007-11-29 2009-06-04 Sumitomo Chemical Company, Limited 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2010195980A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Waseda Univ ポリチオフェン又はチオフェン共重合体の溶液又は分散液並びにその製造方法
JP2011516695A (ja) * 2008-04-11 2011-05-26 プレックストロニクス インコーポレーティッド ドープ処理された共役ポリマー、デバイス、およびデバイスを作製する方法
US8040042B2 (en) * 2003-09-08 2011-10-18 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Transparent electroconductive layered structure, organic electroluminescent device using the same layered structure, method for producing the same layered structure, and method for producing the same device

Families Citing this family (79)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9623204D0 (en) 1996-11-07 1997-01-08 Univ Durham Polymer light emitting diode
WO1998054767A1 (de) * 1997-05-31 1998-12-03 Robert Bosch Gmbh Leitfähiges schichtsystem und dessen verwendung in elektrolumineszierenden anordnungen
DE19812258A1 (de) * 1998-03-20 1999-09-23 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen unter Verwendung von Blendsystemen
DE19829948A1 (de) * 1998-07-04 2000-01-05 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnung unter Verwendung von Azomethin-Metallkomplexen
US6316130B1 (en) 1998-07-04 2001-11-13 Bayer Aktiengesellschaft Electroluminescent assemblies using azomethine-metal complexes
DE19829947A1 (de) * 1998-07-04 2000-01-05 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen mit Bor-Chelaten
DE19839948A1 (de) * 1998-09-02 2000-03-09 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen mit Metallkomplexen mit angeknüpften Fluoreszenzfarbstoffen
DE19839947A1 (de) * 1998-09-02 2000-03-09 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen mit Thiophencarboxylat-Metallkomplexen
DE19841803A1 (de) * 1998-09-12 2000-03-16 Bayer Ag Hilfsschichten für elektrolumineszierende Anordnungen
JP2000164361A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Tdk Corp 有機el素子
DE19937724C1 (de) * 1999-08-10 2000-12-07 Bosch Gmbh Robert Lichtemittierende Matrixanzeige sowie Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Matrixanzeige
CN1225944C (zh) * 1999-09-01 2005-11-02 奥斯兰姆奥普托半导体股份有限两合公司 电发光器件制造方法
US6611096B1 (en) * 1999-09-03 2003-08-26 3M Innovative Properties Company Organic electronic devices having conducting self-doped polymer buffer layers
US6593690B1 (en) * 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
US6730929B2 (en) * 1999-12-24 2004-05-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescent device
DE10018168A1 (de) * 2000-04-12 2001-10-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Dioden
US20020031602A1 (en) * 2000-06-20 2002-03-14 Chi Zhang Thermal treatment of solution-processed organic electroactive layer in organic electronic device
US6890584B2 (en) 2000-06-28 2005-05-10 Agfa-Gevaert Flexographic ink containing a polymer or copolymer of a 3,4-dialkoxythiophene
US6955772B2 (en) 2001-03-29 2005-10-18 Agfa-Gevaert Aqueous composition containing a polymer or copolymer of a 3,4-dialkoxythiophene and a non-newtonian binder
US6916553B2 (en) 2001-03-29 2005-07-12 Agfa-Gevaert Stable electroluminescent devices
DE10103416A1 (de) 2001-01-26 2002-08-01 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen
JP4500492B2 (ja) * 2001-03-29 2010-07-14 アグフア−ゲヴエルト,ナームローゼ・フエンノートシヤツプ 安定なエレクトロルミネッセント装置
TW548860B (en) * 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
US7211828B2 (en) 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW546857B (en) 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
JP4166455B2 (ja) * 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
FR2825619A1 (fr) * 2001-10-01 2002-12-13 Oreal Composition cosmetique destinee a creer un effet optique, comprenant au moins un polymere electroluminescent et/ou electroconducteur
DE10150477A1 (de) * 2001-10-16 2003-04-17 Bayer Ag Elektrophosphoreszierende Anordnung mit leitfähigen Polymeren
US20030089252A1 (en) * 2001-11-09 2003-05-15 Sarnecki Greg J. Production of Electroluminescent Devices
US7164155B2 (en) 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7026079B2 (en) 2002-08-22 2006-04-11 Agfa Gevaert Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration
DE60216825T2 (de) * 2002-08-22 2007-10-04 Agfa-Gevaert Verfahren zum herstellen einer im wesentlichen transparenten elektrisch leitenden schichtanordnung
US7118836B2 (en) 2002-08-22 2006-10-10 Agfa Gevaert Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration
AU2003275203A1 (en) 2002-09-24 2004-04-19 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids
JP2006500461A (ja) * 2002-09-24 2006-01-05 イー・アイ・デュポン・ドウ・ヌムール・アンド・カンパニー 電子工学用途のための、ポリマー酸コロイドを用いて製造された水分散性ポリアニリン
US7710019B2 (en) 2002-12-11 2010-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes
US7317048B2 (en) 2003-01-06 2008-01-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Variable resistance poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrene sulfonate) for use in electronic devices
US7005088B2 (en) 2003-01-06 2006-02-28 E.I. Du Pont De Nemours And Company High resistance poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrene sulfonate) for use in high efficiency pixellated polymer electroluminescent devices
TW200416437A (en) * 2003-01-23 2004-09-01 Toray Industries Display panel
US7390438B2 (en) 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
US20050023974A1 (en) * 2003-08-01 2005-02-03 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
DE10335727A1 (de) * 2003-08-05 2005-02-24 H.C. Starck Gmbh Transparente Elektrode für elektro-optische Aufbauten
JP3928609B2 (ja) * 2003-10-01 2007-06-13 セイコーエプソン株式会社 ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン/スチレンスルホン酸)の保存方法
US20050175861A1 (en) * 2004-02-10 2005-08-11 H.C. Starck Gmbh Polythiophene compositions for improving organic light-emitting diodes
DE102004006583A1 (de) 2004-02-10 2005-09-01 H.C. Starck Gmbh Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden
US7351358B2 (en) 2004-03-17 2008-04-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications
US20060062899A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Eastman Kodak Company Method of discontinuous stripe coating
US20060177690A1 (en) * 2005-02-07 2006-08-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Tri-layer PLED devices with both room-temperature and high-temperature operational stability
WO2007002682A2 (en) * 2005-06-27 2007-01-04 E. I. Du Pont De Nemours And Company Electrically conductive polymer compositions
EP1897096A4 (en) 2005-06-28 2009-08-12 Du Pont TRANSPARENT CONDUCTORS WITH HIGH EXTRACTION WORK
DE102005043829A1 (de) 2005-09-13 2007-04-05 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit hoher Nennspannung
DE102005043828A1 (de) 2005-09-13 2007-03-22 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren
DE102005053646A1 (de) 2005-11-10 2007-05-16 Starck H C Gmbh Co Kg Polymerbeschichtungen mit verbesserter Lösungsmittelbeständigkeit
DE102006002798A1 (de) 2006-01-20 2007-08-09 H. C. Starck Gmbh & Co. Kg Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden
US7563290B2 (en) * 2006-07-06 2009-07-21 Kemet Electronics Corporation High voltage solid electrolytic capacitors using conductive polymer slurries
US8062553B2 (en) * 2006-12-28 2011-11-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compositions of polyaniline made with perfuoropolymeric acid which are heat-enhanced and electronic devices made therewith
US8153029B2 (en) * 2006-12-28 2012-04-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Laser (230NM) ablatable compositions of electrically conducting polymers made with a perfluoropolymeric acid applications thereof
US20080191172A1 (en) * 2006-12-29 2008-08-14 Che-Hsiung Hsu High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers
DE102007046904A1 (de) 2007-09-28 2009-04-09 H.C. Starck Gmbh Partikel mit Kern-Schale-Struktur für leitfähige Schichten
DE102007048212A1 (de) 2007-10-08 2009-04-09 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Zwischenschicht
DE102008024805A1 (de) 2008-05-23 2009-12-03 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren
DE102008032578A1 (de) 2008-07-11 2010-01-14 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren
GB2462688B (en) * 2008-08-22 2012-03-07 Cambridge Display Tech Ltd Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
US8268195B2 (en) * 2008-09-29 2012-09-18 Air Products And Chemicals, Inc. Electrically conductive films formed from dispersions comprising polythiophenes and ether containing polymers
DE102009007594A1 (de) 2009-02-05 2010-08-12 H.C. Starck Clevios Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht.
DE102009012660A1 (de) 2009-03-13 2010-09-16 H.C. Starck Clevios Gmbh Polymerbeschichtungen mit verbesserter Temperaturstabilität
DE102009014856A1 (de) 2009-03-30 2010-10-07 H.C. Starck Clevios Gmbh Polymerbeschichtungen mit verbesserter UV- und Temperaturstabilität
DE102009031677A1 (de) 2009-07-02 2011-01-05 H.C. Starck Clevios Gmbh Neue Polyelektrolyt-Komplexe und deren Verwendung
DE102009036282A1 (de) 2009-08-06 2011-02-10 H.C. Starck Clevios Gmbh Neue Polymerbeschichtungen enthaltend leitfähige Polymere
JP5646163B2 (ja) 2009-12-11 2014-12-24 富士フイルム株式会社 共役系高分子の作製方法
DE102010012180A1 (de) 2010-03-19 2011-09-22 Heraeus Clevios Gmbh Sulfonierte Polyketone als Gegenion leitfähiger Polymere
DE102011018480A1 (de) 2011-04-21 2012-10-25 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Fluorierte Amine als SAM in OLEDs
DE102011107921B3 (de) 2011-07-19 2012-11-15 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg SAM-Schichten mit HTL-Funktion
DE202012007001U1 (de) 2012-07-20 2012-11-15 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Dispersionen aus PEDOT/Styrolsulfonsäure-Styrol-Copolymeren zur Reduzierung des Haze-Wertes
DE102013005763A1 (de) 2013-04-05 2014-10-09 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Transparente Schichten mit hoher Leitfähigkeit und hoher Effizienz in OLEDs und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP2950317B1 (en) 2014-05-30 2017-08-23 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Two or polyfunctional compounds as adhesion primers for conductive polymers
EP2950316B1 (en) 2014-05-30 2019-11-06 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Monofunctional amines as adhesion primers for conductive polymers
EP3886194A3 (en) 2014-11-18 2021-10-20 Heraeus Deutschland GmbH & Co KG Fluorinated aromatic small molecules as functional additives for dispersion of conductive polymers
EP3067948B1 (en) 2015-03-09 2018-08-08 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Conductive polymer in organic solvent with fluorinated non-ionic compound

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07126616A (ja) * 1993-09-09 1995-05-16 Ryuichi Yamamoto ポリチオフェンを用いたel素子
WO1995025149A1 (fr) * 1994-03-16 1995-09-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Element organique electroluminescent
JPH0848858A (ja) * 1994-05-06 1996-02-20 Bayer Ag 伝導性被覆
JPH08151572A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

Family Cites Families (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3963498A (en) 1971-12-27 1976-06-15 Eastman Kodak Company Silver halide element containing an organic semiconductor
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
ATE112883T1 (de) 1986-08-26 1994-10-15 Hoechst Ag Lösliche, elektrisch leitende polymere, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung.
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
DE3843412A1 (de) 1988-04-22 1990-06-28 Bayer Ag Neue polythiophene, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
US5498761A (en) 1988-10-11 1996-03-12 Wessling; Bernhard Process for producing thin layers of conductive polymers
ATE156295T1 (de) 1988-10-11 1997-08-15 Zipperling Kessler & Co Verfahren zur herstellung dünner schichten aus leitfähigen polymeren
US5126214A (en) 1989-03-15 1992-06-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescent element
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
DE59010247D1 (de) 1990-02-08 1996-05-02 Bayer Ag Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung
EP0443861B2 (en) * 1990-02-23 2008-05-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic electroluminescence device
JP3069139B2 (ja) 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
DE4211459A1 (de) 1992-04-06 1993-10-07 Agfa Gevaert Ag Herstellung einer Antistatikschicht für fotografische Materialien
TW278096B (ja) 1992-09-24 1996-06-11 Dsm Nv
US5723873A (en) * 1994-03-03 1998-03-03 Yang; Yang Bilayer composite electrodes for diodes
DE19507413A1 (de) 1994-05-06 1995-11-09 Bayer Ag Leitfähige Beschichtungen
WO1996008047A2 (en) * 1994-09-06 1996-03-14 Philips Electronics N.V. Electroluminescent device comprising a transparent structured electrode layer made from a conductive polymer
JP3724589B2 (ja) * 1996-07-29 2005-12-07 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド エレクトロルミネセンス素子
GB9718393D0 (en) * 1997-08-29 1997-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent Device

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07126616A (ja) * 1993-09-09 1995-05-16 Ryuichi Yamamoto ポリチオフェンを用いたel素子
WO1995025149A1 (fr) * 1994-03-16 1995-09-21 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Element organique electroluminescent
JPH0848858A (ja) * 1994-05-06 1996-02-20 Bayer Ag 伝導性被覆
JPH08151572A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
"Increased brightness and lifetime of polymer light-emitting diodes with polyaniline anodes", SYNTHETIC METALS, vol. 80, JPN6008046286, 1996, pages 111 - 117, ISSN: 0001132009 *
"Polyaniline as a transparent electrode for polymer light-emitting diodes: Lower operating voltage an", APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 64, JPN6008046289, 1994, pages 1245 - 1247, ISSN: 0001132010 *

Cited By (11)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006295203A (ja) * 1998-03-13 2006-10-26 Cambridge Display Technol Ltd エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP4732236B2 (ja) * 1998-03-13 2011-07-27 ケンブリッジ ディスプレイ テクノロジー リミテッド エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2001323137A (ja) * 2000-05-12 2001-11-20 Chemiprokasei Kaisha Ltd 新規高分子緩衝剤およびそれを用いたエレクトロルミネッセント素子
JP2002151272A (ja) * 2000-11-09 2002-05-24 Nissan Chem Ind Ltd 電界発光素子
JP2009046687A (ja) * 2001-03-12 2009-03-05 Hc Starck Gmbh 新規のポリチオフェン分散液
JP2007103384A (ja) * 2001-06-25 2007-04-19 Samsung Sdi Co Ltd 有機電界発光装置用正孔輸送層を用いた有機電界発光装置の製造方法
JP2003288985A (ja) * 2002-03-27 2003-10-10 Toshiba Corp 正孔注入層用インク、el表示装置、及びこれらの製造方法
US8040042B2 (en) * 2003-09-08 2011-10-18 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. Transparent electroconductive layered structure, organic electroluminescent device using the same layered structure, method for producing the same layered structure, and method for producing the same device
WO2009069820A1 (ja) 2007-11-29 2009-06-04 Sumitomo Chemical Company, Limited 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
JP2011516695A (ja) * 2008-04-11 2011-05-26 プレックストロニクス インコーポレーティッド ドープ処理された共役ポリマー、デバイス、およびデバイスを作製する方法
JP2010195980A (ja) * 2009-02-26 2010-09-09 Waseda Univ ポリチオフェン又はチオフェン共重合体の溶液又は分散液並びにその製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6376105B1 (en) 2002-04-23
WO1998001909A1 (de) 1998-01-15
TW381407B (en) 2000-02-01
DE19627071A1 (de) 1998-01-08
KR100506784B1 (ko) 2005-09-28
KR20000022456A (ko) 2000-04-25
AU3539697A (en) 1998-02-02
EP0909464B1 (de) 2005-01-26
JP4191801B2 (ja) 2008-12-03
EP0909464A1 (de) 1999-04-21
DE59712186D1 (de) 2005-03-03
ATE288134T1 (de) 2005-02-15
ES2236817T3 (es) 2005-07-16
CA2259563C (en) 2009-02-03
CA2259563A1 (en) 1998-01-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2000514590A (ja) エレクトロルミネッセンス装置
JP4725984B2 (ja) エレクトロルミネッセンス組立体
KR101184781B1 (ko) 유기 발광 다이오드를 개선시키기 위한 폴리티오펜 배합물
TWI388432B (zh) 電洞注入/傳送層組合物及裝置
JP4860933B2 (ja) 有機発光ダイオードを向上させるためのポリチオフェン組成物
TWI401291B (zh) 用於改良有機發光二極體之聚噻吩配方
KR20000011462A (ko) 붕소킬레이트를함유한전자발광어셈블리
KR20000011464A (ko) 아조메틴-금속착물을사용한전자발광어셈블리
JP5317758B2 (ja) ポリチオフェン又はチオフェン共重合体の溶液又は分散液並びにその製造方法
US6503643B1 (en) Electro-luminescent arrangements with thiophene carboxylate metal complexes
KR20000005992A (ko) N-알킬-2,2'-이미노-비스-(8-히드록시퀴놀린)-금속착물을함유하는전자발광어셈블리
US20020006528A1 (en) Electroluminescent assemblies using boron chelates of 8-aminoquinoline derivatives
EP1516901A1 (en) Phosphors and process for production thereof, luminescent compositions, and organic electroluminescent devices and processes for production thereof
US6534200B1 (en) Electroluminescent systems with polynulcear metal complexes
US20050145830A1 (en) Phosphors and process for production thereof, luminescent compositions, and organic electroluminescent devices and processes for production thereof
KR20010073071A (ko) 형광 염료에 결합된 금속 착화합물을 함유하는 전기장발광 장치
JP2004027142A (ja) 導電性高分子材料および有機エレクトロルミネッセンス素子

Legal Events

Date Code Title Description
A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20050809

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20051004

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20051129

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20060217

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20060905

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20061124

A602 Written permission of extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602

Effective date: 20070122

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20070305

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20071129

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20080226

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080526

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20080522

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20080701

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20080807

TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20080916

A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20080919

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110926

Year of fee payment: 3

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20110926

Year of fee payment: 3

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120926

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120926

Year of fee payment: 4

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130926

Year of fee payment: 5

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees