TW381407B - Electroluminescing devices - Google Patents

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TW381407B TW086108847A TW86108847A TW381407B TW 381407 B TW381407 B TW 381407B TW 086108847 A TW086108847 A TW 086108847A TW 86108847 A TW86108847 A TW 86108847A TW 381407 B TW381407 B TW 381407B
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Friedrich Jonas
Andreas Elschner
Rolf Wehrmann
Dirk Quintens
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Bayer Ag
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Description

A7 ________ B7 .. 五、發明説明(丨) S 一 本發明係有關含有傳導聚合物作爲電洞注射及/或電子 注射層之電致發光裝置。 (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 電致發光(EL)裝置之特徵在於:當一電壓被施加電流時 ,它就會發生。此種裝置即爲工業與科技方面長久以來所 熟知的"發光二極管(LEDs)。光之發出係由於正電荷(電 洞)及負電荷(電子)與光之發射結合所致。 所有在工業與科技上通用之LEDs,大部份係由無機丰導 體材料所組成。然而,EL裝置之基本構成爲有機材料,是 若干年前即已廣爲人知者。 這些有機的EL裝置通常包含一層或多層有機性電荷傳遞 化合物。 層狀構造基本上如下述;號碼1至10代表下列: .- -· 1. 載體,基質 2. 基電極 3. 電洞注射層 4. 電洞傳遞層 5. 射極層 6. 電子傳遞層 7. 電子注射層 經濟部中央標準局員工消費合作社印繁 8. 頂電極 9. 觸點 10. 覆蓋,封裝 此構造乃代表最普通的例子,且可藉省略各層來簡化, 而以單層來執行數項工作。在最簡單的例子中,EL裝置係
-3 - 本纸張適用中國國家檩準(CNS) Α4·_ (210χ297公楚) A7 B7 五、發明説明(2 ) , 包括兩個電極,於其間排列一有機層,用以執行所有功能 (包括光之發射 >。此種系統被描述於例如釈)9013148申 請案中,係以聚-〔p -次苯基次乙烯〕爲主。 在大表面電致發光顯示元件之製造方面,載流電極2或 8之至少一個必須由透明的和導電的材料所構成。 適合作爲基質1者爲透明載體,如玻璃或塑膠薄膜(可 舉之例爲聚酯類,如聚對苯二甲酸乙二酯或聚萘二甲酸乙 二酯、聚碳酸酯、聚丙烯酸酯、聚m、聚醯亞胺箔)。 下列爲適合作爲透明導電材料者: ’ a)金屬氧化物,例如氧化銦-錫(ITO)、氧化錫(NESA)等 b)丰透明金屬薄膜,例如Au、Pt、Ag、Cu等。 -·- .......· 根據本發明之申請案中,低分子量或低聚性和聚合性材 料可被用作射極層5。此物質之特徵爲彼等係光致發光的 。因此,適合之物質爲例如螢光染料或螢光分子,及彼等 形成低聚物或混合於聚合物中之反應產物。 經濟部中央梯準局員工消費合作衽印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本瓦) I; 此種材料之實例爲香豆素、έ、蒽、菲、芪、聯苯乙烯 、甲川或金屬錯合物,如Alq3等。適合之衆合物包括視 情沉經取代之次苯基類、次苯基次乙婦類、或是在聚合物 側鏈或在衆合物骨架上帶有螢光片段之衆合物。詳細的名 單可由EP_A 532 798中知悉。 惟事實上已發現到,爲增加發光強度,電子注射或電洞 注射層(3〆及/或6,7)必須被組合於電致發光組件中。 文獻中已揭示許多傳遞電荷(電洞及/或電子)之有機 師人 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Μ規格(210X297公釐)
五、發明説明(3 ) 化合物。主要係使用可在高度眞空下被蒸發之低分子量物 質。此等物質的分類及彼等用途之一項廣泛的調查可見於 (例如)下列申請案中:EP-A 387 715、US-A 4 539 507 、4 720 432及4 769 292。 此物質在高眞空蒸發時之沉積作用爲其缺點。爲簡化 ELP顯示器之製法,如果3,4和6,7層藉由溶液中之沉積作 用來產生,應是有利的。 由EP-A 686 662中,已知使用導電性有機聚合導體之特 殊混合物,如3,4-衆乙烯二氧ο塞吩及多羥化合物或内醯胺 ,作爲ELP组件中之電極1。 在合成金屬76 (1996)第141-143頁中,聚-(3,4-乙烯 二氧β塞吩)亦被描述作爲LEDs中之電極;可參考的是,聚 -(3,4-乙烯二氧b塞吩)電極比起氧化銦-錫(π〇)電極, 可產生更低的發光強度値。 令人驚訝地,頃發現以純的聚合性有機導體(如3,4-聚 乙烯二氧ϋ塞吩)作爲在透明金屬電極(如ITO)上之電荷 注射中間層時,於LEDs中所產生之發光強度値顯著優於帶 有純金屬電煸或純傳導衆合物電極之LEDs者。道些層可由 溶液製備,或藉由對應於聚合性有機導體之單體的聚合作 用來製備。 適合之衆合性有機導體,例如裝诚喃、聚她咯、聚苯胺 、聚噻吩或聚αΑ啶。道歧乃被描述於例如EP-A 257 573 ( 衆烷氧噻吩類)、W0 90/04256 (聚苯胺類)、ΕΡ-Α 589 529 ( α比咯)、DE-A 2 262 743 (低聚苯胺類)中。
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 經 中' 央. 標. 準 局 員 工 消 費 合 作 印 製 A7 B7 五、發明説明(4 ) 特别適合的是式(I )之中性或陽離子性11塞吩
R R I Ο (I),
S fa d 'ί理1 ΐΐ人 —— 其中 Ri及R2各自獨立地代表氳、視情況被取代之Ci _C2〇烷 基、CH2 OH或C6 -Ci4 -芳基;或 Ri 和R2 —起代表-(CH2 )m -CH2 - (m=0至 12,宜爲 1 至 5)、或C6_Ci4芳基;或 η 爲由5至100之整數。 R1 和R2 宜代表-(CH2 )£ _CH2 _,其中! = 1至4。 具有式(I )重覆結構單元之聚噻吩爲習知者(參考EP-A 440 957及339 340 )。根據本發明之分散液或溶液之製備 係揭示於EP-A 440 957及DE-0S 4 211 459中。 以分散液或溶液(較佳爲陽離子形式)使用之聚ί塞吩, 例如可藉由以氧化劑處理中性噻吩類而得。習知的氧化劑 ,如過氧二硫酸鉀,可被使用供氧化反應。雖然聚u塞吩類 之氧化作用接受正電荷,但其並未被顯示於式中,因爲彼 等之數目與位置無法被明確表示。根據EP-A 339 340所述 ,彼等可直接在載體上被製造。 聚陰離子爲聚合羧酸(如聚丙烯酸、聚甲基丙烯酸或聚 順丁烯二酸)及聚合磺酸(如聚苯乙烯磺酸和聚乙烯磺酸) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) V.
、1T 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 五、發明説明(5 之陰離子。這些聚羧酸和聚磺酸亦可爲乙烯羧酸和乙烯磺 酸與其他可聚合單體(如丙烯酸醋及苯乙烯)之共衆物。 供應聚陰離子之多元酸的分子量宜在1,000至2,000,000 之範園,且尤佳爲在2,〇〇〇至5〇〇,〇〇〇之範園。多元酸或其 驗金屬里爲商業上可獲得者,例如衆乙歸績酸和衆丙婦^ ;或可藉由習知方法予以製造(參考例如^⑹如】,
Methoden der organischen Chefflie, V〇i‘ E20
Makromolekulare Stoffe, Teil 2, (l987), pp. 1141 et seq.) 〇 根據本發明,代替卿成魏吩和聚陰離子分散液所需 要之自由多元酸者’亦能使用多元酸之驗金屬鹽混合物及 對等用量之單元酸。 根據本發明在衆陰離子存在下之衆β塞吩分散液可藉由對 應於下式之3,4-二烷氧噻吩: (誇先聞讀背面之注意事項再填寫本頁)
R.O OR, (Π), 'S' ;教理 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 其中R 1和R 2爲如式(I )之定義; 在多元酸之存在下(宜在水介質中),於1至1〇〇勺之 溫度下與典型仙於供⑽略及/或氧或空氣之氧化性衆合 的氧化劑進行氧化性聚合而得。 、聚懷吩可魏化錄合反應賴正電荷,其絲被顯示 於式中,因爲他們的數目及位置無疑地不能被測定。 就衆合反應而言,相當於式(j )之毺吩類多元酸及氧 k紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4规格(210X297公釐
經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 ____________B7 丨 五、發明説明(6 ) 化劑,可被溶解於有機溶劑,或較佳於水中,且形成的溶 液可在所處的聚合溫度下予以攪拌,直至聚合反應完全爲 止0 在空氣或氧氣被用作氧化劑之情沉中,则將空氣或氧氣 引入含有噻吩、多元酸和(視需要)催化劑量金屬鹽之溶 液中,直到衆合反應完全爲止。 聚合反應的時間可在數分鐘和30小時之間,端視批量大 小、聚合反應溫度及氧化劑而定。聚合反應的時間通常在 30分鐘和1〇小時之間。所獲得分散液之穩定性可藉由在聚 合間或衆合後添加像十二垸磺酸鈉之分散劑予以改善。 適合之氧化劑可爲任何適合供σΑ咯之氧化聚合反應之氧 化劑’例如描述於J. Am. Soc. 85,454 (1963)中者。實 際上’較好是使用便宜且容易處鏟之氧化劑,可舉之例如 鐵(DO鹽(如FeCl3、Fe(C104 )3 >及鐵(Μ)盤或有機 酸和含有有機殘基之無機酸,還有H2〇2、K2Cr 2 0 7、 驗金屬或鍵過硫醆鹽、鹼金屬過硼酸鹽、過錳酸鉀及銅鹽 (如四氣蝴酸鋼)。現已發現空氣和氧氣,視情況在催化 劑量金屬離子(如鐵、鈷、鎳、鉬及釩離子) 之存在下被 用作氧化劑係有利的。 此方法被詳細描述於EP-A 440 957 (=US-P 5,300,575) 〇 因此本發明之目的在於提供電致發光装置,其包括由前 述聚合性有機化合物所形成之電洞注射及/或電子注射層 〇 -------I --ic------IT---^ |_i#i (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 津.奪 iiji人
經濟部中央椟準局貝工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(7 ) ' 再者,本發明之目的在於使用前述聚合性有機化合物作 爲電洞注射及/或電子注射物質之用途。 中間層可由溶液中被沉積至基電極2及/或射極層5上 〇 爲此目的,在根據本發明之系統中,3,4-聚乙烯二氧D塞 吩係以薄膜之形式被沉積在基電極上。水或水/醇混合物 宜被用作溶劑。適合之醇類爲例如甲醇、乙醇、丙醇及異 丙醇。 使用這些溶劑的優點,爲更多層的有機溶劑(如芳香族 或脂肪族碳氫混合物)隨後可被沉積,而不會攻擊3,4層 。關於6,7層於射極層5上之塗覆,亦有相同情形。 聚合性有機導體之溶液可藉由諸如旋轉塗佈、魂鑄、刮 刀塗敷、壓製、屏幕塗覆等技術被均勻地沉積於基質上。 隨後在室溫或高達300¾之溫度下(宜爲200¾ >,將層狀 物乾燥/ 有機導體之溶液亦可以結構化形式被塗覆至任意結構化 之基電極上。製造結構化電洞及/或電子注射層之適合方 法’可舉例如網板印刷法、照相凹板印刷法、通過結構樣 板之噴霧祛、凹板偏位印刷法、墨水滚球印刷法或具結構 印章之印花法。 中間層之厚度爲約3至1〇〇毫微米,宜爲10毫微米至5〇 毫微米。 有機聚合性黏著劑及/或有機低分子量交聯劑亦可被添 加至聚合性有機導體之溶液中。適合之黏著劑爲例如奸 本紙張尺度適用^ 津埋
.—·. - ---------ι,ί¥------訂------ (請先閲請背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央#:準局員工消費合作衽印製 A7 B7 五、發明説明(8 ) 564 911中所述者。 根據本發明之中間層3,4亦可藉由對應於衆合性有機導 體之單體,進行電化學聚合反應.而於基電極上產生。這些 方法爲習知且被描述於例如EP 339 340中。 實施例 二氧η塞吩湓适(PEDT/PSS儲液)之锢f 將2〇克自由聚苯乙烯磺酸(分子量约40,〇〇〇)、214克 過氧二硫酸鉀和50毫克硫酸鐵(ffl ),於攪拌中添加至2〇〇〇 毫升水中。於攪拌中再添加8.0克3,4-乙烯二氧b塞吩,然 後在室溫下擾拌溶液24小時。添加100克陰離子交換劑 (Lewatit MP 62,拜耳AG之商品)和1〇〇克陽離子交換劑 (Lewatit S 100,拜耳AG之商品),(兩者均以水弄濕), 搜摔此混合物8小時。 過濾去除離子交換劑,獲得具有约1.2重量%固體含量之 溶液,其爲立即可使用者。 實施例1 下列的程序被用來製造根據本發明具有PEDT/PSS中間層 之電致發光裝置。 a) I TO之清潔 將經ΙΤ0塗覆之玻璃(由Balzers製造)切成20x 30mm大 小之細片並以下列步騍清潔: 1. 以蒸餾水/Falterol清洗劑(鹼性)之超音波浴15分鐘; 2. 以新鮮蒸餾水之超音波浴清洗兩次,每次5分鐘; 3. 以乙醇之超音波浴15分鐘; 10 津•丨 師人j 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閎讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(9 ) 4. 以新鮮丙酮之超音波浴兩次,每次15分鐘; 5. 在無棉織鏡片布上乾燥。 b) ggg^PSS層塗霜至ITO上 將2體積份經過濾之PEDT/PSS儲液與1體積份之甲醇混 合。取1耄升此儲液展布於清潔過之ιτο基質上。以旋轉 塗佈機,在1500轉數/分下30秒,將上清液旋轉分離◊然 後在70eC之乾燥箱中乾燥薄膜2〇分鐘。以針點式輪麻測定 器(Tencor 200)測量層之厚度,發現爲5〇毫微米。 c) 電致發来居夕涂- 將第二層’即電致發光層,塗覆至乾燥之PEDT/PSS層上 。爲此目的,製備含有7重量份聚(乙烯咔唑)(PVK) (Aldrich)和3重量份曱川染料(ΕΡ-Α 699 730)之1%溶液 。過濾此溶液並取1毫升溶液展布於?£1)1:/{)%上。以旋轉 塗佈機’在1000轉數/分下30秒,將上清液旋轉分離6然 後在500¾之眞空乾燥箱中乾燥樣品2〇分鐘。樣品整個層 厚爲150毫微米。 d) 盒屬_重極和電觭點之眞空蒸發塗霜 將樣品裝配於眞空蒸發裝置(Leybold 600)中。一具有3 毫米孔徑之多孔障板被置於衆合物層之上。在10_5毫巴之 壓力下,藉一電子束槍將鋁由靶子蒸發至衆合物層上。鋁 層厚度爲500毫微米。藉電子引線將有機性led之兩個電極 連接至電壓源。正極被連接至ΙΤ0電極,而負極則連接至 鋁電極。 e) 電致發光的測定 -11 - '私 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) --------------IAW------、訂------ (請先間請背面之注意事項再填窝本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 、 1 五、發明説明(10 ) 即使在低電壓下(U=5伏特),亦有1 mA/cm 2之電流流經 裝置。在8伏特下,電致發光可用發光二極管予以偵測。
在20伏特下,電致發光的強度爲50 cd/m2 (Minolta, LS 100)。 無根據本發明PEDT/PSS中間層之控制實驗,導致較低之 EL強度和較高之閥電壓(threshold voltage)。 實施例2 下列的程序被用來製造根據本發明之具有pEDT/PSS中間 層之電致發光裝置。 a) IT0之清潔 將經ΙΤ0塗覆之玻璃(由Balzers製造)切成20x30毫米 大小之細片並以下列步驟清潔: 1. 以蒸餾水/^3^61'〇1清洗劑(鹼性)之超音波浴15分鐘; 2. 以新鮮蒸餾水之超音波浴清洗兩次,每次5分鐘; 3. 以乙醇之超音波浴15分鐘; 4. 以新鮮丙酮之超音波浴兩次,每次η分鐘·; 5. 在無棉絨鏡片布上乾燥。 b) PEDT/PSS層塗覆至ΙΤ0上 將2體積份經過濾之PEDT/PSS儲液與丨體積份之甲醇混 合。取1毫升此儲液展布於清潔過之ΙΤ0基質上。以旋轉 塗佈機,在1500轉數/分下30秒,將上清液旋轉分離。然 後在70¾之乾燥箱中乾燥薄膜20分鐘。以針點式輪廓測定 器(Tencor 200)測量層之厚度,發現爲5〇毫微米。 c) 電致發光層之塗覆 "12 ~ % … 津埋. * 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Λ4規格(2i〇x297公釐) --:- (-請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
------------.I--II k II 訂 01. 經濟部t'央標準局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明(11) 將第二層,即電致發光層,塗覆至乾燥iPEDT/pss層上 。爲此目的,製備含有7重量份聚(乙烯咔唑)(ρνκ) (Aldrich)和3重量份香豆素6 (Lambda physics)之}⑽ 溶液。過濾此溶液並取1毫升溶液展布於。以 旋轉塗佈機,在1800轉數/分下10秒,將上清液移除。 d) 金屬電極和電觸點之眞皇蒸發塗霸 將樣品裝配於眞空蒸發裝置(Leybold 600)中。一具有3 當米孔徑之多孔障板被置於聚合物層之上。在1〇_5毫巴之 壓力下,藉一電子束槍將鋁由靶子蒸發至聚合物層上。鋁 層厚度爲500毫微米。藉電子引線將有機LED之兩個電極聯 結至電壓來源。正極被連接至IT0電極,而.負極則連接至 铭電極。 e) 電致發光的測定 即使在低電壓下(ϋ=10伏特),亦有〇 1 mA/cm2之電流 流經裝置。在8伏特下’電致發光可用發光二極管予以偵 測。在20伏特下,電致發光的強度爲1〇 cd/m2 (Min()ita, LS 100) ° 實施例3 下列的程序被用來製造根據本發明具有PEDT/PSS中間層 之電致發光裝置。 a) IT0之清潔 將經IT0塗覆之玻璃(由Balzers製造)切成2〇X3〇毫米 大小之細片並以下列步騍清潔: 1.以蒸餾水/FaIter〇1清洗劑(鹼性)之超音波浴15分鐘; 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇><297公釐) ——;-----广'、裝— (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) -訂 . 881407 A7 B7 經濟部中央摞準局負工消費合作社印装 五、發明説明(12 ) 2. 以新鮮蒸餾水之超音波浴清洗兩次,每次5分鐘; 3. 以乙醇之超音波浴15分鐘; 4. 以新鮮丙酮之超音波浴兩次,每次15分鐘; 5. 在無棉絨鏡片布上乾燥。 b) PEDT/PSS層塗霜至1^ 將2體積伤經過濾之pedt/PSS儲液與1體積份之甲醇混 合。取1毫升此儲液展布於清潔過之IT〇基質上。以旋轉 塗佈機,在1500轉數/分下30秒,將上清液旋轉分離。然 後在70C之乾燥箱中乾燥薄膜20分鐘。以針點式輪廟測定 器(Tencor 200)測量層之厚度,發現爲5〇亳微米。 c) 電致發光層之塗霜 將第二層,即電致發光層,塗覆至乾燥2PEDT/pss層上 。爲此目的,製備含有7重量份聚(乙烯叶咬)(ρνκ) (Aldrich)和3重量份染料KF 856 (BASF之商品)之1.5% 溶液。過濾此溶液並取1毫升溶液展布於叩於外巧上。以 旋轉塗佈機,在1800轉數/分下1〇秒,將上清液移除。 將樣品裝配於眞空蒸發裝置(Leybold 600)中。一具有3 笔米孔徑之多孔障板被置於衆合物層之上。在毫巴之 壓力下,藉一電子束槍將鋁由靶子蒸發至聚合物層上。鋁 層厚度爲500毫微、米。藉電子引線將有機LED之兩個電極聯 結至電壓來源。正極被連接至IT0電極,而負極則連接至 鋁電極。 e)電致發光的測定 即使在低電壓下(ϋ=5伏特),亦有i mA/cm2之電流流 ---^-------- -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、τ
本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) Β8ί407 Α7 Β7 經濟部中央標準局員工消費合作衽印製 五、發明説明(13 ) 經裝置。在4伏特下,電致發光可用發光二極管予以彳貞測 。在15伏特下,電致發光的強度爲30 cd/m2 (Min()U ' LS100)。 . 無根據本發明PEDT/PSS中間層之控制實驗,導致較低之 EL強度和較高之閥電壓。 實施例4 a) 將一根據實施例la清潔之IT0基質和一 ΐχ2 cni2大小之 白金箔懸浮於含0.8克四甲銨四氟硼酸酯和0.28克3 4-乙 烯二氧ί塞吩之100毫升乙胩溶液中。玻璃板被連接上去作 爲陰極。在2V電壓和1.5mA之電流下,於2〇秒内沒;積—薄 層3,4-乙烯二氧噻吩作爲電洞注射之中間層。 b) 將第二層,即電致發光層,沉積至乾燥之PEDT層上。爲 此目的,製備含有7重量份聚(乙烯唑)(pw)(Aldrich) 和3重量份曱)〗丨染料(EP-A 699 730)之1%溶液。過濾此溶 液並取1毫升溶液展布於PEDT上。以旋轉塗佈機,在1〇〇〇 轉數/分下30秒,將上清液移除。然後在5〇«c之眞空乾燥 箱中乾燥樣品20分鐘。樣品整個層厚爲150毫微米。 d)盒屬電極和雷觭點之眞空蒸癸涂逋 將樣品裝配於眞空蒸發裝置(Leybold 600)中。一具有3 毫米孔徑之多孔障板被置於聚合物層之上。在1〇-s毫巴之 壓力下,藉一電子束槍將鋁由乾子蒸發至聚合物層上。鈕 層厚度爲500毫微米。藉電子引線將有機LED之兩個電極聯 結至電壓來源。正極被連接至IT0電極,而負極则連接至 鋁電極。 15 mm
(請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 Φ! 'S81407 at , B7 五、發明説明(14) . e)電致發光的測定 即使在低電壓下(ϋ=5伏特),亦有1 mA/cm2之電流流經 裝置。在4伏特下,電致發光可用發光二極管予以偵測。 在20伏特下,電致發光的強度爲10 cd/m2 (Minolta, LS 100)° 無根據本發明PEDT中間層之控制實驗,導致較低之EL強 度和較高之閥電壓。 -------·irv-----—訂-------Ψ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部中央標準局員工消費合作社印製
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Claims (1)

  1. S81407 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 第86108847號專利申請案 ROC Patent Appln. No. 86108847 修正之申請專利範圍中文本-附件(一) Amended Claims in Chinese - (Enel. I) (88年5月/2曰送夏) (Submitted on May / j., 1999) 1. 一種包含電洞注射及/或電子注射層之電致發光裝置, 其中衆合性有機導體係選自包含聚α夫喃、聚蚍咯、聚苯 胺、聚噻吩及聚毗啶之組群中。 2. 根據申請專利範園第1項之電致發光裝置,係使用式 (I )之中性或陽離子性it塞吩: R' I 〇
    S RI 〇 ⑴, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 其中 R1及R2各自代表氫、視情沉被取代之Ci -C20炫盖_、 CH 2 0H或C 6 -C 14芳基;或 R1和R2 —起代表-(CH2 )ffl -CH 2 - ( m=0至12,較佳爲 1至5)、或Cg-Cm芳基;及 η 爲由5至100之整數。 3·根據申請專利範園第1項之電致發光裝置,其中式(又) 化合物在作爲衆陰離子之聚合羧酸的存在下,係爲陽離 子形式。 . 4.根據申請專利範園第3項之電致發光裝置,其中衆陰離 子係選自包含聚丙烯酸、聚曱基丙烯酸、聚順丁烯二酸 、聚苯乙烯磺酸和聚乙歸磺酸或其鹽類之组群;而聚合 羧酸及磺酸亦可爲乙烯羧酸和乙烯磺酸與其他可聚合單 體之共聚物。 -17 - --t. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) S81407 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 第86108847號專利申請案 ROC Patent Appln. No. 86108847 修正之申請專利範圍中文本-附件(一) Amended Claims in Chinese - (Enel. I) (88年5月/2曰送夏) (Submitted on May / j., 1999) 1. 一種包含電洞注射及/或電子注射層之電致發光裝置, 其中衆合性有機導體係選自包含聚α夫喃、聚蚍咯、聚苯 胺、聚噻吩及聚毗啶之組群中。 2. 根據申請專利範園第1項之電致發光裝置,係使用式 (I )之中性或陽離子性it塞吩: R' I 〇
    S RI 〇 ⑴, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 其中 R1及R2各自代表氫、視情沉被取代之Ci -C20炫盖_、 CH 2 0H或C 6 -C 14芳基;或 R1和R2 —起代表-(CH2 )ffl -CH 2 - ( m=0至12,較佳爲 1至5)、或Cg-Cm芳基;及 η 爲由5至100之整數。 3·根據申請專利範園第1項之電致發光裝置,其中式(又) 化合物在作爲衆陰離子之聚合羧酸的存在下,係爲陽離 子形式。 . 4.根據申請專利範園第3項之電致發光裝置,其中衆陰離 子係選自包含聚丙烯酸、聚曱基丙烯酸、聚順丁烯二酸 、聚苯乙烯磺酸和聚乙歸磺酸或其鹽類之组群;而聚合 羧酸及磺酸亦可爲乙烯羧酸和乙烯磺酸與其他可聚合單 體之共聚物。 -17 - --t. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) A8 381407 cs ' 六、申請專利範圍 5.根據申請專利範圍第3項之電致發光裝置,其中聚陰離 子爲聚苯乙烯酸或其鹼金屬鹽。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝. '1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210父297公|
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Families Citing this family (89)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB9623204D0 (en) * 1996-11-07 1997-01-08 Univ Durham Polymer light emitting diode
WO1998054767A1 (de) * 1997-05-31 1998-12-03 Robert Bosch Gmbh Leitfähiges schichtsystem und dessen verwendung in elektrolumineszierenden anordnungen
GB9805476D0 (en) * 1998-03-13 1998-05-13 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent devices
DE19812258A1 (de) * 1998-03-20 1999-09-23 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen unter Verwendung von Blendsystemen
DE19829948A1 (de) * 1998-07-04 2000-01-05 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnung unter Verwendung von Azomethin-Metallkomplexen
US6316130B1 (en) 1998-07-04 2001-11-13 Bayer Aktiengesellschaft Electroluminescent assemblies using azomethine-metal complexes
DE19829947A1 (de) * 1998-07-04 2000-01-05 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen mit Bor-Chelaten
DE19839948A1 (de) * 1998-09-02 2000-03-09 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen mit Metallkomplexen mit angeknüpften Fluoreszenzfarbstoffen
DE19839947A1 (de) * 1998-09-02 2000-03-09 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen mit Thiophencarboxylat-Metallkomplexen
DE19841803A1 (de) 1998-09-12 2000-03-16 Bayer Ag Hilfsschichten für elektrolumineszierende Anordnungen
JP2000164361A (ja) * 1998-11-25 2000-06-16 Tdk Corp 有機el素子
DE19937724C1 (de) * 1999-08-10 2000-12-07 Bosch Gmbh Robert Lichtemittierende Matrixanzeige sowie Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Matrixanzeige
EP1214868B1 (en) * 1999-09-01 2011-01-12 OSRAM Opto Semiconductors GmbH Organic electroluminescent device and production method thereof
US6611096B1 (en) * 1999-09-03 2003-08-26 3M Innovative Properties Company Organic electronic devices having conducting self-doped polymer buffer layers
US6593690B1 (en) * 1999-09-03 2003-07-15 3M Innovative Properties Company Large area organic electronic devices having conducting polymer buffer layers and methods of making same
US6730929B2 (en) * 1999-12-24 2004-05-04 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Organic electroluminescent device
DE10018168A1 (de) * 2000-04-12 2001-10-25 Osram Opto Semiconductors Gmbh Verfahren zum Herstellen von organischen, Licht emittierenden Dioden
JP4796685B2 (ja) * 2000-05-12 2011-10-19 ケミプロ化成株式会社 新規高分子緩衝剤およびそれを用いたエレクトロルミネッセント素子
US20020031602A1 (en) * 2000-06-20 2002-03-14 Chi Zhang Thermal treatment of solution-processed organic electroactive layer in organic electronic device
US6916553B2 (en) 2001-03-29 2005-07-12 Agfa-Gevaert Stable electroluminescent devices
US6890584B2 (en) 2000-06-28 2005-05-10 Agfa-Gevaert Flexographic ink containing a polymer or copolymer of a 3,4-dialkoxythiophene
US6955772B2 (en) 2001-03-29 2005-10-18 Agfa-Gevaert Aqueous composition containing a polymer or copolymer of a 3,4-dialkoxythiophene and a non-newtonian binder
JP4868099B2 (ja) * 2000-11-09 2012-02-01 日産化学工業株式会社 電界発光素子
DE10103416A1 (de) 2001-01-26 2002-08-01 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen
DE10111790A1 (de) * 2001-03-12 2002-09-26 Bayer Ag Neue Polythiophen-Dispersionen
DE60210429T2 (de) * 2001-03-29 2006-11-23 Agfa-Gevaert Stabile elektrolumineszenzvorrichtungen
US7211828B2 (en) * 2001-06-20 2007-05-01 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and electronic apparatus
TW548860B (en) 2001-06-20 2003-08-21 Semiconductor Energy Lab Light emitting device and method of manufacturing the same
KR100424090B1 (ko) * 2001-06-25 2004-03-22 삼성에스디아이 주식회사 유기 전계 발광 소자용 정공 수송층, 그 정공 수송층을사용한유기 전계 발광 소자 및 그 소자의 제조 방법
TW546857B (en) 2001-07-03 2003-08-11 Semiconductor Energy Lab Light-emitting device, method of manufacturing a light-emitting device, and electronic equipment
FR2825619A1 (fr) * 2001-10-01 2002-12-13 Oreal Composition cosmetique destinee a creer un effet optique, comprenant au moins un polymere electroluminescent et/ou electroconducteur
JP4166455B2 (ja) * 2001-10-01 2008-10-15 株式会社半導体エネルギー研究所 偏光フィルム及び発光装置
DE10150477A1 (de) * 2001-10-16 2003-04-17 Bayer Ag Elektrophosphoreszierende Anordnung mit leitfähigen Polymeren
US20030089252A1 (en) * 2001-11-09 2003-05-15 Sarnecki Greg J. Production of Electroluminescent Devices
JP3850747B2 (ja) * 2002-03-27 2006-11-29 株式会社東芝 正孔注入層用インク、el表示装置、及びこれらの製造方法
US7164155B2 (en) * 2002-05-15 2007-01-16 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device
US7118836B2 (en) 2002-08-22 2006-10-10 Agfa Gevaert Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration
US7026079B2 (en) 2002-08-22 2006-04-11 Agfa Gevaert Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration
EP1535499B1 (en) * 2002-08-22 2006-12-13 Agfa-Gevaert Process for preparing a substantially transparent conductive layer configuration
CA2499377A1 (en) 2002-09-24 2004-04-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids
EP1549696A1 (en) 2002-09-24 2005-07-06 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications
US7710019B2 (en) 2002-12-11 2010-05-04 Samsung Electronics Co., Ltd. Organic light-emitting diode display comprising auxiliary electrodes
US7005088B2 (en) 2003-01-06 2006-02-28 E.I. Du Pont De Nemours And Company High resistance poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrene sulfonate) for use in high efficiency pixellated polymer electroluminescent devices
US7317048B2 (en) 2003-01-06 2008-01-08 E.I. Du Pont De Nemours And Company Variable resistance poly(3,4-ethylenedioxythiophene)/poly(styrene sulfonate) for use in electronic devices
TW200416437A (en) * 2003-01-23 2004-09-01 Toray Industries Display panel
US7390438B2 (en) 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
US20050023974A1 (en) * 2003-08-01 2005-02-03 Universal Display Corporation Protected organic electronic devices and methods for making the same
DE10335727A1 (de) * 2003-08-05 2005-02-24 H.C. Starck Gmbh Transparente Elektrode für elektro-optische Aufbauten
WO2005024853A1 (ja) * 2003-09-08 2005-03-17 Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. 透明導電積層体とそれを用いた有機el素子、及びそれらの製造方法
JP3928609B2 (ja) * 2003-10-01 2007-06-13 セイコーエプソン株式会社 ポリ(3,4−エチレンジオキシチオフェン/スチレンスルホン酸)の保存方法
DE102004006583A1 (de) 2004-02-10 2005-09-01 H.C. Starck Gmbh Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden
US20050175861A1 (en) * 2004-02-10 2005-08-11 H.C. Starck Gmbh Polythiophene compositions for improving organic light-emitting diodes
US7351358B2 (en) 2004-03-17 2008-04-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications
US20060062899A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Eastman Kodak Company Method of discontinuous stripe coating
US20060177690A1 (en) * 2005-02-07 2006-08-10 Osram Opto Semiconductors Gmbh & Co. Ohg Tri-layer PLED devices with both room-temperature and high-temperature operational stability
EP1899985A4 (en) * 2005-06-27 2010-03-10 Du Pont ELECTRICALLY CONDUCTIVE POLYMER COMPOSITIONS
KR101356296B1 (ko) 2005-06-28 2014-02-06 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 높은 일 함수의 투명한 도체
DE102005043829A1 (de) 2005-09-13 2007-04-05 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit hoher Nennspannung
DE102005043828A1 (de) 2005-09-13 2007-03-22 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren
DE102005053646A1 (de) 2005-11-10 2007-05-16 Starck H C Gmbh Co Kg Polymerbeschichtungen mit verbesserter Lösungsmittelbeständigkeit
DE102006002798A1 (de) 2006-01-20 2007-08-09 H. C. Starck Gmbh & Co. Kg Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden
US7563290B2 (en) * 2006-07-06 2009-07-21 Kemet Electronics Corporation High voltage solid electrolytic capacitors using conductive polymer slurries
US8062553B2 (en) * 2006-12-28 2011-11-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compositions of polyaniline made with perfuoropolymeric acid which are heat-enhanced and electronic devices made therewith
US8153029B2 (en) * 2006-12-28 2012-04-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Laser (230NM) ablatable compositions of electrically conducting polymers made with a perfluoropolymeric acid applications thereof
US20080191172A1 (en) 2006-12-29 2008-08-14 Che-Hsiung Hsu High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers
DE102007046904A1 (de) * 2007-09-28 2009-04-09 H.C. Starck Gmbh Partikel mit Kern-Schale-Struktur für leitfähige Schichten
DE102007048212A1 (de) 2007-10-08 2009-04-09 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Zwischenschicht
JP5217931B2 (ja) * 2007-11-29 2013-06-19 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法
EP2851383A1 (en) * 2008-04-11 2015-03-25 Solvay USA Inc. Doped conjugated polymers, devices, and methods of making devices
DE102008024805A1 (de) 2008-05-23 2009-12-03 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren
DE102008032578A1 (de) 2008-07-11 2010-01-14 H.C. Starck Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren
GB2462688B (en) * 2008-08-22 2012-03-07 Cambridge Display Tech Ltd Opto-electrical devices and methods of manufacturing the same
US8268195B2 (en) * 2008-09-29 2012-09-18 Air Products And Chemicals, Inc. Electrically conductive films formed from dispersions comprising polythiophenes and ether containing polymers
DE102009007594A1 (de) 2009-02-05 2010-08-12 H.C. Starck Clevios Gmbh Verfahren zur Herstellung von Elektrolytkondensatoren mit polymerer Außenschicht.
JP5317758B2 (ja) * 2009-02-26 2013-10-16 学校法人早稲田大学 ポリチオフェン又はチオフェン共重合体の溶液又は分散液並びにその製造方法
DE102009012660A1 (de) 2009-03-13 2010-09-16 H.C. Starck Clevios Gmbh Polymerbeschichtungen mit verbesserter Temperaturstabilität
DE102009014856A1 (de) 2009-03-30 2010-10-07 H.C. Starck Clevios Gmbh Polymerbeschichtungen mit verbesserter UV- und Temperaturstabilität
DE102009031677A1 (de) 2009-07-02 2011-01-05 H.C. Starck Clevios Gmbh Neue Polyelektrolyt-Komplexe und deren Verwendung
DE102009036282A1 (de) 2009-08-06 2011-02-10 H.C. Starck Clevios Gmbh Neue Polymerbeschichtungen enthaltend leitfähige Polymere
JP5646163B2 (ja) 2009-12-11 2014-12-24 富士フイルム株式会社 共役系高分子の作製方法
DE102010012180A1 (de) 2010-03-19 2011-09-22 Heraeus Clevios Gmbh Sulfonierte Polyketone als Gegenion leitfähiger Polymere
DE102011018480A1 (de) 2011-04-21 2012-10-25 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Fluorierte Amine als SAM in OLEDs
DE102011107921B3 (de) 2011-07-19 2012-11-15 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg SAM-Schichten mit HTL-Funktion
DE202012007001U1 (de) 2012-07-20 2012-11-15 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Dispersionen aus PEDOT/Styrolsulfonsäure-Styrol-Copolymeren zur Reduzierung des Haze-Wertes
DE102013005763A1 (de) 2013-04-05 2014-10-09 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Transparente Schichten mit hoher Leitfähigkeit und hoher Effizienz in OLEDs und Verfahren zu ihrer Herstellung
EP2950316B1 (en) 2014-05-30 2019-11-06 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Monofunctional amines as adhesion primers for conductive polymers
EP2950317B1 (en) 2014-05-30 2017-08-23 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Two or polyfunctional compounds as adhesion primers for conductive polymers
EP3024049B1 (en) 2014-11-18 2021-08-25 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Fluorinated aromatic small molecules as functional additives for dispersion of conductive polymers
EP3067948B1 (en) 2015-03-09 2018-08-08 Heraeus Deutschland GmbH & Co. KG Conductive polymer in organic solvent with fluorinated non-ionic compound

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3963498A (en) 1971-12-27 1976-06-15 Eastman Kodak Company Silver halide element containing an organic semiconductor
US4539507A (en) 1983-03-25 1985-09-03 Eastman Kodak Company Organic electroluminescent devices having improved power conversion efficiencies
ES2064307T3 (es) 1986-08-26 1995-02-01 Hoechst Ag Polimeros solubles, conductores de la electricidad, procedimiento para su obtencion y uso de los mismos.
US4720432A (en) 1987-02-11 1988-01-19 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with organic luminescent medium
US4769292A (en) 1987-03-02 1988-09-06 Eastman Kodak Company Electroluminescent device with modified thin film luminescent zone
DE3843412A1 (de) 1988-04-22 1990-06-28 Bayer Ag Neue polythiophene, verfahren zu ihrer herstellung und ihre verwendung
KR960001314B1 (ko) 1988-10-11 1996-01-25 지페르링 케슬러 게엠베하 운트 코 전도성 중합체의 박층형성방법
US5498761A (en) 1988-10-11 1996-03-12 Wessling; Bernhard Process for producing thin layers of conductive polymers
US5126214A (en) 1989-03-15 1992-06-30 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Electroluminescent element
GB8909011D0 (en) * 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
EP0440957B1 (de) 1990-02-08 1996-03-27 Bayer Ag Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung
EP0443861B2 (en) * 1990-02-23 2008-05-28 Sumitomo Chemical Company, Limited Organic electroluminescence device
JP3069139B2 (ja) 1990-03-16 2000-07-24 旭化成工業株式会社 分散型電界発光素子
DE4211459A1 (de) 1992-04-06 1993-10-07 Agfa Gevaert Ag Herstellung einer Antistatikschicht für fotografische Materialien
TW278096B (zh) 1992-09-24 1996-06-11 Dsm Nv
JP3534445B2 (ja) * 1993-09-09 2004-06-07 隆一 山本 ポリチオフェンを用いたel素子
US5723873A (en) * 1994-03-03 1998-03-03 Yang; Yang Bilayer composite electrodes for diodes
EP0702075A4 (en) * 1994-03-16 1996-08-21 Sumitomo Electric Industries ORGANIC ELECTROLUMINESCENT ELEMENT
DE19507413A1 (de) 1994-05-06 1995-11-09 Bayer Ag Leitfähige Beschichtungen
EP0686662B2 (de) 1994-05-06 2006-05-24 Bayer Ag Leitfähige Beschichtungen
EP1271669A3 (en) * 1994-09-06 2005-01-26 Koninklijke Philips Electronics N.V. Electroluminescent device comprising a transparent structured electrode layer made from a conductive polymer
JPH08151572A (ja) * 1994-11-30 1996-06-11 Sumitomo Chem Co Ltd 有機エレクトロルミネッセンス素子
DE69710781T2 (de) * 1996-07-29 2002-10-31 Cambridge Display Tech Ltd Elektrolumineszierende anordnungen mit elektrodenschutz
GB9718393D0 (en) * 1997-08-29 1997-11-05 Cambridge Display Tech Ltd Electroluminescent Device

Also Published As

Publication number Publication date
AU3539697A (en) 1998-02-02
DE59712186D1 (de) 2005-03-03
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