JP4725984B2 - エレクトロルミネッセンス組立体 - Google Patents

エレクトロルミネッセンス組立体 Download PDF

Info

Publication number
JP4725984B2
JP4725984B2 JP2010258922A JP2010258922A JP4725984B2 JP 4725984 B2 JP4725984 B2 JP 4725984B2 JP 2010258922 A JP2010258922 A JP 2010258922A JP 2010258922 A JP2010258922 A JP 2010258922A JP 4725984 B2 JP4725984 B2 JP 4725984B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
dispersion
layer
substrate
solution
organic
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Lifetime
Application number
JP2010258922A
Other languages
English (en)
Other versions
JP2011061235A (ja
Inventor
フリードリヒ・ヨナス
ロルフ・ベーアマン
アンドレアス・エルシユナー
ヘルムート−ベルナー・ホイアー
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
HC Starck GmbH
Original Assignee
HC Starck GmbH
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by HC Starck GmbH filed Critical HC Starck GmbH
Publication of JP2011061235A publication Critical patent/JP2011061235A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP4725984B2 publication Critical patent/JP4725984B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Lifetime legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • HELECTRICITY
    • H10SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10KORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K50/00Organic light-emitting devices
    • H10K50/10OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
    • H10K50/17Carrier injection layers
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05BELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
    • H05B33/00Electroluminescent light sources
    • H05B33/02Details
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/12Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/122Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
    • C08G61/123Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C08ORGANIC MACROMOLECULAR COMPOUNDS; THEIR PREPARATION OR CHEMICAL WORKING-UP; COMPOSITIONS BASED THEREON
    • C08GMACROMOLECULAR COMPOUNDS OBTAINED OTHERWISE THAN BY REACTIONS ONLY INVOLVING UNSATURATED CARBON-TO-CARBON BONDS
    • C08G61/00Macromolecular compounds obtained by reactions forming a carbon-to-carbon link in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/12Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule
    • C08G61/122Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides
    • C08G61/123Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds
    • C08G61/126Macromolecular compounds containing atoms other than carbon in the main chain of the macromolecule derived from five- or six-membered heterocyclic compounds, other than imides derived from five-membered heterocyclic compounds with a five-membered ring containing one sulfur atom in the ring
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10S428/917Electroluminescent
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/25Web or sheet containing structurally defined element or component and including a second component containing structurally defined particles
    • Y10T428/254Polymeric or resinous material

Description

発明の属する技術分野
本発明は、補助層として電導性ポリマーを含有するエレクトロルミネッセンス組立体に関する。
従来の技術
エレクトロルミネッセンス(EL)組立体は、電場を印加すると光を発生し、電流が流れる特徴がある。このような組立体は、「発光ダイオード(LED)」の名前で長い間知られている。正電荷(正孔)と負電荷(電子)が光の発生を伴って、結合する結果として、光の発生が生じる。
業界で慣用されるLEDは、多くは無機半導体材料からなる。しかしながら、基本成分が有機材料であるエレクトロルミネッセンス組立体は、ここ数年の間に知られるようになった。
これらの有機エレクトロルミネッセンス組立体は、一般に一つまたはそれ以上の有機電荷移動化合物の層を含む。
この原則的な層構造は、次のようである。1から10の番号は、次の意味を有する。
1 支持体、基板
2 下部電極
3 正孔注入層
4 正孔移動層
5 発光層
6 電子移動層
7 電子注入層
8 上部電極
9 コンタクト
10 封入、封止
この構造は、最も一般的なケースを表し、個々の層を除外し、その場合、残りの層の一つが複数の機能を引き受けるようにさせることにより、単純化され得る。最も単純なケースにおいては、EL組立体は、2つの電極からなり、その間には、光の発生を含めてすべての機能を果たす有機層がある。このような系は、例えば、ポリ[p−フェニレンビニレン]をベースにした特許出願WO−A90/13148に述べられている。
大面積のエレクトロルミネッセンス表示素子の製造において、電力を供給する電極2または8の少なくとも一つは、透明な電導材料からなる必要がある。
好適な基板1は、ガラスまたは例えばポリエチレンテレフタレートもしくはポリエチレンナフタレートのようなポリエステル、ポリカーボネート、ポリアクリレート、ポリスルホンまたはポリイミド等のプラスチックのフィルム等の透明基板である。
好適な透明な電導材料は、
a)金属酸化物、例えばインジウム錫オキサイド(ITO)、酸化錫(NESA)、
b)半透明金属膜、例えばAu、Pt、Ag、Cuなど
である。
好適な発光層5は、DE−A 196 27 071に述べられている。しかしながら、
実際には、光束を増加させるために、電子注入層または正孔注入層(3,4及び/または6,7)がエレクトロルミネッセンス組立体中に組み入れられなければならないことが見出されている。EP−A686 662では、3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン及びポリヒドロキシ化合物またはラクタム等の電導性有機ポリマーの特定な混合物をELP組立体の電極1として使用することが述べられている。しかしながら、実際には、これらの電極は、特に大面積ディスプレイには不充分な電導性しか有しないことが見出されている。
DE−A 196 27 071では、ポリマー性有機電導体、例えば3,4−ポリエチレンジオキシチオフェンを正孔注入層として使用することが開示されている。この手段によって、エレクトロルミネッセンスディスプレイの光束は、中間の有機ポリマー層のない組立体と比較してかなり増大され得る。しかしながら、これらのディスプレイの寿命は、実用にはなお充分でない。
発明の解決すべき課題
有機材料をベースにしたELP組立体の寿命を増大させることが本発明の目的である。
課題を解決する手段
驚くべきことには、ここで、極めて小さな粒子径を有するポリマー性有機電導体の溶液または分散液を使用し、もし、式Iの電導性ポリマーを使用する場合には、非電導性対イオンまたは非イオン性のバインダーに対する電導性ポリカチオンの特定の比によって、エレクトロルミネッセンスディスプレイの寿命がかなり増大されることが可能になることが見出された。また、このようにして、2つの電導性電極2及び8の間の短絡の発生が極めて低減され得ることも見出された。
本発明は、溶液または分散液から塗布され、粒子が膨潤状態においてでも、1μm以下、好ましくは0.5μm、特に0.25μm以下の径を有するポリマー性有機電導体を正孔注入層として含むエレクトロルミネッセンス組立体を提供する。
好適なポリマー性有機電導体は、置換あるいは非置換のポリフラン、ポリピロール、ポリアニリンまたはポリチオフェンである。これらは、例えばEP−A2 257 573(ポリアルコキシチオフェン)、WO−A 90/04256(ポリアニリン)、EP−A 0 589 529(ポリピロール)及びDE−A22 62 743(オリゴアニリン)で述べられている。特に好適なポリマー性有機電導体は、非帯電あるいはカチオンの、可溶あるいは不溶の式I
Figure 0004725984
のアルキレンジオキシチオフェンである。
式中、nは、5から100の整数を表し、
Rは、H、1から20個の炭素原子を有する置換あるいは非置換のアルキル基、−CH−OHまたは6−14個の炭素原子を有するアリール基を表す。
特に好適なアルキレンジオキシチオフェンの例は、EP−A440 957及びDE−A42 11 459に述べられている。
同様に特に好適であるポリマー性有機電導体は、一般式II
Figure 0004725984
の非帯電あるいはカチオンの、可溶あるいは不溶のポリチオフェンである。
式中、nは、5から100の整数を表し、
Rは、H、又は1から12個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
は、−(CH)m−SOM(ここで、M=Li,Na,K,Rb,Cs,NH,H)を表し、
mは、1から12の整数を表す。
これらのポリチオフェンの製造は、WO−A98/03499に述べられている。
式I及びIIのポリチオフェンは、単独あるいは混合物として使用され得る。
特に好ましいのは、例えば、EP−A 440 957に述べられているように、ポリアニオンとの組合わせにおける式Iの電導性ポリマーである。1重量部のポリアニオン基準で、0.4重量部以下、特に0.3重量部以下の式Iの電導性ポリマーが存在する場合に、電導性ポリマーの特に好ましい溶液または分散液が得られる。
ポリアニオンに対する電導性ポリマーの比は、製造に際し直接設定される。しかしながら、高比率の電導性ポリマーを含む溶液または分散液から出発して、単に、ポリアニオンの塩またはポリアニオンの遊離酸を引き続き添加することによって、ポリアニオンに対する電導性ポリマーの本発明による比を設定することも可能であることも見出された。
加えて、好ましいこれらの溶液または分散液は、ポリアニオンに対する式Iのポリチオフェンの比が0.4:1である溶液または分散液を用いて得られたものよりも層の電導性が小さいという利点を有する。これにより、エレクトロルミネッセンスマトリックスディスプレイにおけるクロストーク(Braun in Synth.Metals,92(1998)107−113)が低減される。この理由により、75nmの乾燥フィルム厚で>10Ω/□の表面抵抗を有する層または<2S/cmの電導率を有する層をもたらす、溶液または分散液を使用することが好ましい。
本発明のエレクトロルミネッセンス組立体は、基本的に公知の技術により製造される。本発明の系に中間層3を製造するために、ポリチオフェンの溶液または分散液が下部電極上に膜として塗布される。使用される溶剤は、好ましくは水または水/アルコール混合物である。好適なアルコールは、例えばメタノール、エタノール、プロパノール、イソプロパノール及びブタノールである。これらの溶剤の使用は、層3が攻撃されることなく、更なる層が芳香族または脂肪族炭化水素等の有機溶剤から塗布され得るという利点を有する
ポリマー性有機電導体の溶液または分散液は、コーティングステップに先立ち、好ましくはフィルター、例えば<1μmの孔径を有するミリポアの膜フィルターにより濾過される。好ましくは、<0.5μmのフィルターを使用する。特に好ましくは、<0.25μmのフィルターを使用する。
ポリマー性有機電導体の溶液または分散液に有機ポリマー性バインダー及びまたは有機低分子量架橋剤を添加することも可能である。適切なバインダーは、例えばEP−A 564 911で述べられている。
10ppm以下の金属イオン及びまたは10ppm以下の無機酸のアニオンを含有するポリマー性有機電導体の溶液または分散液を使用することが好ましい。1ppm以下の金属イオン及びまたは1ppm以下の無機酸のアニオンを含有するポリマー性有機電導体の溶液または分散液を使用することが特に好ましい。
ポリマー性有機電導体の溶液または分散液は、スピンコーティング、キャスティング、ドクターブレードコーティング、印刷またはカーテンキャスティング等の手法により基板上に均一に塗布される。引き続き、層は、室温あるいは300℃迄、好ましくは200℃迄の温度で乾燥される。
ポリマー性有機電導体の溶液または分散液は、また、好ましくはインクジェット等の印刷技術により構造のある形に塗布される。この技術は、例えばScience,279巻,(1998)で水溶性ポリチオフェンについて述べられている。
全面がインジウム錫オキサイドでコートされ、電導性ポリマー層が構造のある形で塗布された基板を使用する場合には、引き続き同様に全面にわたって塗布された発光層は、電導性ポリマーでコートされた個所でのみ発光することが見出された。この方法により、電導性下部電極を構造のあるものとすることなく、構造のあるエレクトロルミネッセンスディスプレイを簡単な方法で製造することが可能になる。
本発明による中間層3の厚さは、約3から500nm、好ましくは10から200nmである。
引き続き、溶液からの堆積あるいは蒸着により、本発明により製造された中間層3に更なる層が塗布される。発光層5として、ポリパラフェニレンビニレン誘導体またはアルミニウムキノレート等のアルミニウム錯体を使用することが特に好ましい。ポリパラフェニレンビニレン誘導体を用いる場合には、有利なことには、追加の正孔注入層4を省略することができる。
本発明により製造されるエレクトロルミネッセンスディスプレイは、使用時に長寿命、高光束及び低電圧である特徴がある。
比較例
BaytronP(3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホネート分散液,PEDT/PSS1:2.5(BayerAG))についての濾過試験。
ミリポアの0.45μmメンブランフィルターによりBaytronP分散液を濾過することはできなかった。
従って、エレクトロルミネッセンスディスプレイを製造するのに分散液を濾過せずに使用した。
実施例1
3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホネート分散液,PEDT/PSS1:4の製造
20gの遊離ポリスチレンスルホン酸(M約40,000)、13.4gのカリウムパーオキソジサルフェート及び50mgの硫酸鉄(III)を撹拌しながら2000mlの水に添加する。5.0gの3,4−エチレンジオキシチオフェンを撹拌しながら添加した。分散液を室温で24時間撹拌する。引き続き、100gのアニオン交換樹脂LewatitMP62(Bayer AG)及び100gのカチオン交換樹脂LewatitS100(Bayer AG)を、双方とも水で湿潤させて添加し、混合物を8時間撹拌する。
50μmの孔径を有するポリアクリロニトリル繊維により濾過してイオン交換樹脂を除去する。これにより、直ちに使用に供せる約1.2重量%の固形分含量を有する分散液が得られる。
0.45μmのフィルターにより、分散液を容易に濾過することができた。エレクトロルミネッセンスディスプレイを製造するのに、濾過した分散液を使用した。
実施例2
3,4−ポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホネート分散液,PEDT/PSS1:8の製造
20gの遊離のポリスチレンスルホン酸(M約40,000)、6.7gのカリウムパーオキソジサルフェート及び50mgの硫酸鉄(III)を撹拌しながら2000mlの水に添加した。2.5gの3,4−エチレンジオキシチオフェンを撹拌しながら添加した。分散液を室温で24時間撹拌する。引き続き、100gのアニオン交換樹脂LewatitMP62(Bayer AG)及び100gのカチオン交換樹脂LewatitS100(Bayer AG)を、双方とも水で湿潤させて添加し、混合物を8時間撹拌する。
50μmの孔径を有するポリアクリロニトリル繊維により濾過してイオン交換樹脂を除去する。これにより、直ちに使用に供せる約1.1重量%の固形分含量を有する分散液が得られる。
分散液は0.22μmのフィルターにより容易に濾過することができた。濾過した分散液をエレクトロルミネッセンスディスプレイを製造するのに使用した。
使用例
比較例1
本発明により有機発光ダイオード(OLED)を組み立てるのに次の手順を使用した。1.ITO基板の洗浄
ITOコートガラス(Merck Balzers AG,Part.No.253 674 XO)を50mm×50mm片(基板)に切断した。引き続き、基板を3%濃度のMukasol水溶液の超音波浴中で15分間洗浄した。次に、基板を蒸留水でリンスし、遠心機でスピン乾燥する。このリンス及び乾燥手順を10回繰り返す。
2.ITOへのBaytron P層の塗布
基板をスピンコーター上に置き、約10mlの1.3%濃度のポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸溶液(Baytron P)を基板のITOコート側
に塗布する。引き続き、500rpmで3分間基板を回転させることにより、過剰の液をスピン除去する。次に、このようにコートした基板をホットプレート上110℃で5分間乾燥する。層は、60nmの厚さを有する(Tencor,Alphastep200)が、不均一であり、ピンホールを含む。
3.正孔電導体層の塗布
1重量部のポリビニルカルバゾール(BASFLuvican)及び2重量部のアミンA(式III)
Figure 0004725984
の1.5%濃度ジクロロエタン溶液5mlを濾過(MilliporeHV,0.45μm)し、乾燥したBaytron P層上に塗布した。引き続き、800rpmで60秒間基板を回転させることにより、過剰の液をスピン除去する。次に、このようにコートした基板をホットプレート上110℃で5分間乾燥する。層の合計の厚さは、150nmである。
4.発光/電子注入層の蒸着
第3の有機層、すなわち本発明により使用される物質のアルミニウムトリスヒドロキシキノレートを、加熱蒸着により上述のようにして製造した2つの有機層に塗布する。これは、蒸着ユニット(Leybold,Univex350)中で行われる。蒸着時、蒸着ユニット中の圧力は、10−3Paであり、蒸着速度は、2Å/秒である。3つの有機層の合計の厚さは、200nmである。
5.金属カソードの蒸着
有機層の系の上に金属電極が蒸着される。この目的で、孔(孔径5mm)の開いたマスク上に有機層の系を下向きに基板を置く。10−3Paの圧力で、Mg及びAg元素を2つの蒸発ボートから平行に蒸発させる。蒸着速度は、Mgに対しては28Å/秒、Agに対しては2Å/秒である。蒸着した金属コンタクトの厚さは、500nmである。
有機LEDの2つの電極は、電気的なリードにより電源に接続される。正極をITO電極に接続し、負極をMgAg電極に接続する。
電圧の印加の結果、短絡を起こし、電流及びエレクトロルミネッセンスは、経時的に安定でない。
比較例2
Baytron Pの代わりに実施例2の非濾過のポリエチレンジオキシチオフェン分散液をスピンコーティングにより塗布することを除いて、実施例1におけるような本発明によるOLEDの組み立てにおける手順。この目的で次の手順が使用される。
基板をスピンコーター上に置き、約10mlのポリエチレンジオキシチオフェン/ポリスチレンスルホン酸溶液を基板のITOコート側に塗布する。引き続き、500rpmで3分間基板を回転させることにより、過剰の液をスピン除去する。次に、このようにコートした基板をホットプレート上110℃で5分間乾燥する。層は、60nmの厚さを有する(Tencor,Alphastep200)が、不均一であり、ピンホールを含む。
電圧の印加の結果、短絡を起こし、電流及びエレクトロルミネッセンスは、経時的に安定でない。
使用例1
0.45μmのフィルターで濾過した実施例1の溶液をスピンコーティングにより塗布することを除いて、実施例1におけるような本発明によるOLEDの組み立てにおける手順。この目的で次の手順が使用される。
基板をスピンコーター上に置き、実施例1の濾過した溶液を基板のITOコート側に塗布する。引き続き、500rpmで3分間基板を回転させることにより、過剰の液をスピン除去する。次に、このようにコートした基板をホットプレート上110℃で5分間乾燥する。層は、60nmの厚さを有し(Tencor,Alphastep200)、均一であり、ピンホールを含まない。
僅か3ボルトの電圧以上で、ホトダイオード(EG&G C30809E)によりエレクトロルミネッセンスが検出される。10ボルトの電圧では、経時的に安定である、100mA/cmの単位面積当たりの電流と、経時的に安定である、2500cd/mのエレクトロルミネッセンス強度が得られる。エレクトロルミネッセンスの色は、緑青色である。

Claims (1)

  1. 正孔注入層として、粒子が1μm以下の径を有する溶液または分散液から塗布されたポリマー性有機電導体を含むエレクトロルミネッセンス組立体であって、存在する正孔注入層が式II
    Figure 0004725984
    (式中、nは、5から100の整数を表し、
    Rは、H又は、1から12個の炭素原子を有するアルキル基を表し、
    は、−(CH)m−SOM(ここで、M=Li,Na,K,Rb,Cs,NH,H)を表し、
    mは、1から12の整数を表す)
    の置換あるいは非置換、非帯電あるいはカチオンのポリアルコキシチオフェンからなるポリマー性有機電導体であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス組立体。
JP2010258922A 1998-09-12 2010-11-19 エレクトロルミネッセンス組立体 Expired - Lifetime JP4725984B2 (ja)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE19841803A DE19841803A1 (de) 1998-09-12 1998-09-12 Hilfsschichten für elektrolumineszierende Anordnungen
DE19841803.5 1998-09-12

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25017599A Division JP4746727B2 (ja) 1998-09-12 1999-09-03 エレクトロルミネッセンス組立体用の補助層

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP2011061235A JP2011061235A (ja) 2011-03-24
JP4725984B2 true JP4725984B2 (ja) 2011-07-13

Family

ID=7880755

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25017599A Expired - Lifetime JP4746727B2 (ja) 1998-09-12 1999-09-03 エレクトロルミネッセンス組立体用の補助層
JP2010258922A Expired - Lifetime JP4725984B2 (ja) 1998-09-12 2010-11-19 エレクトロルミネッセンス組立体

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP25017599A Expired - Lifetime JP4746727B2 (ja) 1998-09-12 1999-09-03 エレクトロルミネッセンス組立体用の補助層

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6391481B1 (ja)
EP (1) EP0991303B1 (ja)
JP (2) JP4746727B2 (ja)
KR (1) KR100613311B1 (ja)
AT (1) ATE228290T1 (ja)
DE (2) DE19841803A1 (ja)
ES (1) ES2186285T3 (ja)
TW (1) TW463524B (ja)

Families Citing this family (57)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
AU1241901A (en) * 1999-11-24 2001-06-04 Biotronics Technologies, Inc. Devices and methods for detecting analytes using electrosensor having capture reagent
JP4937440B2 (ja) * 2000-09-04 2012-05-23 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
JP4796685B2 (ja) * 2000-05-12 2011-10-19 ケミプロ化成株式会社 新規高分子緩衝剤およびそれを用いたエレクトロルミネッセント素子
DE10024738A1 (de) * 2000-05-19 2001-11-29 Qvf Engineering Gmbh Glasbauteile mit einer ableitfähigen Beschichtung, ihre Verwendung und daraus hergestellte Apparate, Anlagen und Rohrleitungen
WO2001093346A2 (en) * 2000-05-31 2001-12-06 Board Of Regents, The University Of Texas System High brightness and low voltage operated leds based on inorganic salts as emitters and conductive materials as cathodic contacts
JP4546615B2 (ja) * 2000-06-08 2010-09-15 大日本印刷株式会社 有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法
DE10103416A1 (de) * 2001-01-26 2002-08-01 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen
KR20030024690A (ko) * 2001-04-17 2003-03-26 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 저 황산염 및 고 금속 이온 함량을 갖는 전도성 투명중합체 층을 포함하는 led
US6569706B2 (en) * 2001-09-19 2003-05-27 Osram Opto Semiconductors Gmbh Fabrication of organic light emitting diode using selective printing of conducting polymer layers
JP3850747B2 (ja) * 2002-03-27 2006-11-29 株式会社東芝 正孔注入層用インク、el表示装置、及びこれらの製造方法
CN1663061A (zh) 2002-06-14 2005-08-31 孔纳尔卡技术公司 一种有机电子部件功能层的材料及其制造方法和应用
JP4239560B2 (ja) 2002-08-02 2009-03-18 セイコーエプソン株式会社 組成物とこれを用いた有機導電性膜の製造方法
US20040092700A1 (en) * 2002-08-23 2004-05-13 Che-Hsiung Hsu Methods for directly producing stable aqueous dispersions of electrically conducting polyanilines
US7371336B2 (en) * 2002-09-24 2008-05-13 E.I. Du Pont Nemours And Company Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications
EP1549696A1 (en) 2002-09-24 2005-07-06 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polyanilines made with polymeric acid colloids for electronics applications
CA2499377A1 (en) * 2002-09-24 2004-04-08 E. I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids
TW200416437A (en) * 2003-01-23 2004-09-01 Toray Industries Display panel
CN102212251B (zh) * 2003-04-22 2013-06-19 E.I.内穆尔杜邦公司 由聚合物酸性胶体制备的水分散性聚噻吩
US7390438B2 (en) * 2003-04-22 2008-06-24 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible substituted polydioxythiophenes made with fluorinated polymeric sulfonic acid colloids
WO2004114326A1 (en) * 2003-06-20 2004-12-29 Agfa-Gevaert Process for preparing electroconductive coatings
DE10329643B4 (de) * 2003-07-01 2016-08-11 Webasto Ag Verfahren zur Herstellung eines Deckels mit einer Glasscheibe und elektrischen Funktionselementen
US20050142283A1 (en) * 2003-07-31 2005-06-30 Hiroshi Kishimoto Method for forming coated film, organic device using the same, and method for manufacturing electroluminescent element
US20060243952A1 (en) * 2003-08-14 2006-11-02 Che-Hsiung Hsu Methods for directly producing stable aqueous dispersions of electrically conducting polyanilines
US20070004899A1 (en) * 2003-09-24 2007-01-04 Che-Hsiung Hsu Water dispersible polythiophenes made with polymeric acid colloids
DE10349029B4 (de) * 2003-11-07 2006-09-28 Polyic Gmbh & Co. Kg Verwendung von Poly(alkoxythiophen) als Funktionsschicht in elektrischen Bauelementen
US7270871B2 (en) * 2004-01-12 2007-09-18 Air Products And Chemicals, Inc. Dispersions and films comprising conducting polymer for optoelectronic devices
DE102004010811B4 (de) * 2004-03-05 2006-06-29 H.C. Starck Gmbh Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden
DE102004006583A1 (de) 2004-02-10 2005-09-01 H.C. Starck Gmbh Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden
US20050175861A1 (en) * 2004-02-10 2005-08-11 H.C. Starck Gmbh Polythiophene compositions for improving organic light-emitting diodes
US7351358B2 (en) 2004-03-17 2008-04-01 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polypyrroles made with polymeric acid colloids for electronics applications
US20060182993A1 (en) * 2004-08-10 2006-08-17 Mitsubishi Chemical Corporation Compositions for organic electroluminescent device and organic electroluminescent device
US20060062899A1 (en) * 2004-09-17 2006-03-23 Eastman Kodak Company Method of discontinuous stripe coating
JP5041535B2 (ja) * 2004-09-24 2012-10-03 プレックストロニクス インコーポレーティッド エレクトロルミネセンス装置におけるヘテロ原子位置規則性ポリ(3−置換チオフェン)
US7838688B2 (en) 2004-12-30 2010-11-23 E.I. Du Pont De Nemours And Company Derivatized 3,4-Alkylenedioxythiophene monomers, methods of making them, and use thereof
US7670506B1 (en) 2004-12-30 2010-03-02 E. I. Du Pont De Nemours And Company Photoactive compositions for liquid deposition
US20080121846A1 (en) * 2004-12-30 2008-05-29 E.I. Du Pont De Nemours And Company Electrically Conductive Polymers
EP1899985A4 (en) * 2005-06-27 2010-03-10 Du Pont ELECTRICALLY CONDUCTIVE POLYMER COMPOSITIONS
KR101356296B1 (ko) 2005-06-28 2014-02-06 이 아이 듀폰 디 네모아 앤드 캄파니 높은 일 함수의 투명한 도체
CN101253222B (zh) 2005-10-13 2010-12-22 山本化成株式会社 含有磺酸基的高分子化合物、及含有该化合物的有机场致发光元件
DE102005060159A1 (de) * 2005-12-14 2007-06-21 H. C. Starck Gmbh & Co. Kg Transparente polymere Elektrode für elektro-optische Aufbauten
DE102006002798A1 (de) 2006-01-20 2007-08-09 H. C. Starck Gmbh & Co. Kg Polythiophenformulierungen zur Verbesserung von organischen Leuchtdioden
CN101070420B (zh) * 2006-05-09 2010-05-12 远东新世纪股份有限公司 导电高分子组成物及其所制成的抗静电涂料与抗静电膜
TWI323623B (en) 2006-07-05 2010-04-11 Au Optronics Corp Organic electroluminescence device and method for reducing lateral leakage current thereof
US8062553B2 (en) 2006-12-28 2011-11-22 E. I. Du Pont De Nemours And Company Compositions of polyaniline made with perfuoropolymeric acid which are heat-enhanced and electronic devices made therewith
US8153029B2 (en) 2006-12-28 2012-04-10 E.I. Du Pont De Nemours And Company Laser (230NM) ablatable compositions of electrically conducting polymers made with a perfluoropolymeric acid applications thereof
US20080191172A1 (en) 2006-12-29 2008-08-14 Che-Hsiung Hsu High work-function and high conductivity compositions of electrically conducting polymers
JPWO2008105294A1 (ja) 2007-02-28 2010-06-03 出光興産株式会社 有機el素子
CN101125950B (zh) * 2007-08-03 2010-05-26 上海复旦天臣新技术有限公司 空穴传输材料的制备方法
JP4936069B2 (ja) * 2007-10-31 2012-05-23 株式会社デンソー モータ制御装置
EP2227512A1 (en) * 2007-12-18 2010-09-15 Lumimove, Inc., Dba Crosslink Flexible electroluminescent devices and systems
CN101486839B (zh) * 2008-01-18 2011-08-17 郑州泰达电子材料科技有限公司 导电性高分子组合物、固体电解质以及使用该固体电解质的固体电解电容器
KR20120102489A (ko) * 2009-04-10 2012-09-18 스미또모 가가꾸 가부시키가이샤 금속 복합체 및 그의 조성물
JP5029735B2 (ja) * 2010-07-16 2012-09-19 住友化学株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法
DE102010048031A1 (de) * 2010-10-12 2012-04-12 Heraeus Clevios Gmbh Polythiophene beinhaltende Dispersionen mit definiertem Sulfat-Gehalt
TWI644463B (zh) * 2012-10-26 2018-12-11 黑拉耶烏斯貴金屬公司 在OLEDs中具有高導電度及高效能之透明層及其製造方法
DE102013005763A1 (de) 2013-04-05 2014-10-09 Heraeus Precious Metals Gmbh & Co. Kg Transparente Schichten mit hoher Leitfähigkeit und hoher Effizienz in OLEDs und Verfahren zu ihrer Herstellung
CN110010353B (zh) * 2018-09-29 2021-01-01 深圳新宙邦科技股份有限公司 一种聚合物分散体及固态电解电容器

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB1399256A (en) 1971-10-22 1975-07-02 Sick Erwin Method and apparatus for detecting the passing of a straight contrast boundary
ES2064307T3 (es) 1986-08-26 1995-02-01 Hoechst Ag Polimeros solubles, conductores de la electricidad, procedimiento para su obtencion y uso de los mismos.
US5498761A (en) 1988-10-11 1996-03-12 Wessling; Bernhard Process for producing thin layers of conductive polymers
GB8909011D0 (en) 1989-04-20 1989-06-07 Friend Richard H Electroluminescent devices
EP0440957B1 (de) 1990-02-08 1996-03-27 Bayer Ag Neue Polythiophen-Dispersionen, ihre Herstellung und ihre Verwendung
DE4211461A1 (de) 1992-04-06 1993-10-07 Agfa Gevaert Ag Antistatische Kunststoffteile
TW247319B (ja) * 1992-06-17 1995-05-11 Japat Ltd
TW278096B (ja) 1992-09-24 1996-06-11 Dsm Nv
JP3534445B2 (ja) * 1993-09-09 2004-06-07 隆一 山本 ポリチオフェンを用いたel素子
JPH07166160A (ja) * 1993-12-16 1995-06-27 Toppan Printing Co Ltd 有機薄膜el素子
DE19507413A1 (de) 1994-05-06 1995-11-09 Bayer Ag Leitfähige Beschichtungen
EP0686662B2 (de) * 1994-05-06 2006-05-24 Bayer Ag Leitfähige Beschichtungen
JP3249297B2 (ja) * 1994-07-14 2002-01-21 三洋電機株式会社 有機電界発光素子
US5719467A (en) * 1995-07-27 1998-02-17 Hewlett-Packard Company Organic electroluminescent device
DE19627071A1 (de) * 1996-07-05 1998-01-08 Bayer Ag Elektrolumineszierende Anordnungen
WO1998003499A1 (en) 1996-07-22 1998-01-29 Universite De Montreal Novel self-acid-doped highly conducting polythiophenes

Also Published As

Publication number Publication date
ATE228290T1 (de) 2002-12-15
JP4746727B2 (ja) 2011-08-10
ES2186285T3 (es) 2003-05-01
JP2000091081A (ja) 2000-03-31
TW463524B (en) 2001-11-11
DE59903457D1 (de) 2003-01-02
EP0991303B1 (de) 2002-11-20
KR20000023089A (ko) 2000-04-25
EP0991303A3 (de) 2000-04-26
JP2011061235A (ja) 2011-03-24
EP0991303A2 (de) 2000-04-05
DE19841803A1 (de) 2000-03-16
KR100613311B1 (ko) 2006-08-21
US6391481B1 (en) 2002-05-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4725984B2 (ja) エレクトロルミネッセンス組立体
US6376105B1 (en) Electroluminescent arrangements
KR101346437B1 (ko) 전기-광학 구조체용 투명 중합체 전극
KR101184781B1 (ko) 유기 발광 다이오드를 개선시키기 위한 폴리티오펜 배합물
TWI401291B (zh) 用於改良有機發光二極體之聚噻吩配方
TWI405837B (zh) 供電-光結構體用之透明電極
JP5686341B2 (ja) 組成物およびデバイス
JP5317758B2 (ja) ポリチオフェン又はチオフェン共重合体の溶液又は分散液並びにその製造方法
CN109844973A (zh) 用于光电子器件的诱导掺杂的混合层
KR20050059120A (ko) 고효율성 픽셀화 중합체 전기발광 소자용 고저항성 폴리아닐린 배합물
US6869697B2 (en) Electrophosphorescent arrangement comprising conductive polymers
KR20010073071A (ko) 형광 염료에 결합된 금속 착화합물을 함유하는 전기장발광 장치
KR20080087623A (ko) 고분자 전기발광 다이오드의 주입층 형성방법

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20110329

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20110405

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 4725984

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

FPAY Renewal fee payment (event date is renewal date of database)

Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140422

Year of fee payment: 3

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R360 Written notification for declining of transfer of rights

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R360

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R371 Transfer withdrawn

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R371

S111 Request for change of ownership or part of ownership

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313111

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

EXPY Cancellation because of completion of term