JPWO2019155519A1 - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2019155519A1 JPWO2019155519A1 JP2019571136A JP2019571136A JPWO2019155519A1 JP WO2019155519 A1 JPWO2019155519 A1 JP WO2019155519A1 JP 2019571136 A JP2019571136 A JP 2019571136A JP 2019571136 A JP2019571136 A JP 2019571136A JP WO2019155519 A1 JPWO2019155519 A1 JP WO2019155519A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- probe
- manufacturing
- wiring
- semiconductor device
- electrode pad
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/32—Additional lead-in metallisation on a device or substrate, e.g. additional pads or pad portions, lines in the scribe line, sacrificed conductors
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/04—Housings; Supporting members; Arrangements of terminals
- G01R1/0408—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets
- G01R1/0491—Test fixtures or contact fields; Connectors or connecting adaptors; Test clips; Test sockets for testing integrated circuits on wafers, e.g. wafer-level test cartridge
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R1/00—Details of instruments or arrangements of the types included in groups G01R5/00 - G01R13/00 and G01R31/00
- G01R1/02—General constructional details
- G01R1/06—Measuring leads; Measuring probes
- G01R1/067—Measuring probes
- G01R1/073—Multiple probes
- G01R1/07307—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card
- G01R1/07342—Multiple probes with individual probe elements, e.g. needles, cantilever beams or bump contacts, fixed in relation to each other, e.g. bed of nails fixture or probe card the body of the probe being at an angle other than perpendicular to test object, e.g. probe card
-
- G—PHYSICS
- G01—MEASURING; TESTING
- G01R—MEASURING ELECTRIC VARIABLES; MEASURING MAGNETIC VARIABLES
- G01R31/00—Arrangements for testing electric properties; Arrangements for locating electric faults; Arrangements for electrical testing characterised by what is being tested not provided for elsewhere
- G01R31/28—Testing of electronic circuits, e.g. by signal tracer
- G01R31/2851—Testing of integrated circuits [IC]
- G01R31/2886—Features relating to contacting the IC under test, e.g. probe heads; chucks
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L22/00—Testing or measuring during manufacture or treatment; Reliability measurements, i.e. testing of parts without further processing to modify the parts as such; Structural arrangements therefor
- H01L22/30—Structural arrangements specially adapted for testing or measuring during manufacture or treatment, or specially adapted for reliability measurements
- H01L22/34—Circuits for electrically characterising or monitoring manufacturing processes, e. g. whole test die, wafers filled with test structures, on-board-devices incorporated on each die, process control monitors or pad structures thereof, devices in scribe line
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Automation & Control Theory (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
- Measuring Leads Or Probes (AREA)
- Tests Of Electronic Circuits (AREA)
- Testing Of Individual Semiconductor Devices (AREA)
Abstract
Description
Claims (12)
- 半導体ウェハのスクライブ領域上にコの字状にトランジスタの電極パッド群を形成する工程と、
扇状に配列されたプローブ列の各プローブを、前記電極パッド群の内のそれぞれが対応する電極パッドに接触させる工程と、
前記トランジスタの電気特性を検査する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記プローブの先端の材料は、前記半導体ウェハの製造工程で用いられる材料の内の一と同種であることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項2に記載の半導体装置の製造方法において、
前記プローブの先端および電極パッド群の材料は、タングステンであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項1に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体ウェハの製造工程の途中で、前記トランジスタの電気特性を検査する工程を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 縦方向に延在するスクライブ領域および横方向に延在するスクライブ領域に、半導体素子の電極パッド群を同一方向に形成する工程と、
プローブ列の各プローブを、前記電極パッド群の内のそれぞれが対応する電極パッドに接触させる工程と、
前記半導体素子の電気特性を検査する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子は、トランジスタであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項5に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子は、インバータであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 半導体ウェハのスクライブ領域上に半導体素子の電極パッド群を形成する工程と、
静電チャックで前記半導体ウェハを固定する工程と、
プローブ列の各プローブを、前記電極パッド群の内のそれぞれが対応する電極パッドに接触させる工程と、
前記半導体素子の電気特性を検査する工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子は、トランジスタであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の半導体装置の製造方法において、
前記半導体素子は、インバータであることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の半導体装置の製造方法において、
前記プローブ列は、カンチレバー上に形成されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 請求項8に記載の半導体装置の製造方法において、
前記プローブ列は、扇状に配列されていることを特徴とする半導体装置の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/JP2018/003987 WO2019155519A1 (ja) | 2018-02-06 | 2018-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2019155519A1 true JPWO2019155519A1 (ja) | 2021-01-14 |
JP7065124B2 JP7065124B2 (ja) | 2022-05-11 |
Family
ID=67548225
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019571136A Active JP7065124B2 (ja) | 2018-02-06 | 2018-02-06 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11977099B2 (ja) |
JP (1) | JP7065124B2 (ja) |
KR (1) | KR20200096600A (ja) |
CN (1) | CN111557041B (ja) |
TW (1) | TWI757577B (ja) |
WO (1) | WO2019155519A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2021185939A1 (en) * | 2020-03-20 | 2021-09-23 | Asml Netherlands B.V. | Method, apparatus, and system for dynamically controlling an electrostatic chuck during an inspection of wafer |
Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06163655A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Nec Kansai Ltd | プローブカード |
JPH10335398A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-18 | Siemens Ag | 半導体ウェーハ上の多層試験パッドおよびその形成方法 |
JP2002313864A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2004226086A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Yokogawa Electric Corp | コンタクトプローブ |
JP2007121317A (ja) * | 2007-02-01 | 2007-05-17 | Sii Nanotechnology Inc | 微小接触式プローバー |
JP2009206272A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置の検査方法及びプローバ装置 |
JP2009239101A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法、半導体ウェハ、およびテスト方法 |
Family Cites Families (37)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4749947A (en) | 1986-03-10 | 1988-06-07 | Cross-Check Systems, Inc. | Grid-based, "cross-check" test structure for testing integrated circuits |
JPS62290144A (ja) | 1986-06-09 | 1987-12-17 | Yokogawa Electric Corp | 半導体ウエ−ハ用プロ−ブ装置 |
JPH04100252A (ja) | 1990-08-20 | 1992-04-02 | Fujitsu Ltd | 電子ビームテスタの試料搭載機構 |
JPH05307049A (ja) * | 1992-04-30 | 1993-11-19 | Nec Kansai Ltd | 半導体ウェーハ特性測定装置 |
US6014032A (en) | 1997-09-30 | 2000-01-11 | International Business Machines Corporation | Micro probe ring assembly and method of fabrication |
US20070245553A1 (en) | 1999-05-27 | 2007-10-25 | Chong Fu C | Fine pitch microfabricated spring contact structure & method |
JP4526626B2 (ja) * | 1999-12-20 | 2010-08-18 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 電気特性評価装置 |
JP2002082130A (ja) * | 2000-09-06 | 2002-03-22 | Hitachi Ltd | 半導体素子検査装置及びその製造方法 |
JP2002217258A (ja) | 2001-01-22 | 2002-08-02 | Hitachi Ltd | 半導体装置およびその測定方法、ならびに半導体装置の製造方法 |
KR100451627B1 (ko) * | 2001-04-18 | 2004-10-08 | 주식회사 아이씨멤즈 | 반도체 소자 테스트용 프로브 구조물 및 그 제조방법 |
TW565529B (en) | 2002-01-24 | 2003-12-11 | Scs Hightech Inc | Probe card and method for testing the proceed function or speed of electronic devices |
KR100466984B1 (ko) | 2002-05-15 | 2005-01-24 | 삼성전자주식회사 | 테스트 소자 그룹 회로를 포함하는 집적 회로 칩 및 그것의 테스트 방법 |
JP2004228314A (ja) | 2003-01-22 | 2004-08-12 | Renesas Technology Corp | パッドを有する半導体装置 |
JP4675615B2 (ja) | 2003-12-05 | 2011-04-27 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 不良検査装置並びにプローブ位置決め方法およびプローブ移動方法 |
US7297945B2 (en) | 2003-12-05 | 2007-11-20 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defective product inspection apparatus, probe positioning method and probe moving method |
JP4377300B2 (ja) * | 2004-06-22 | 2009-12-02 | Necエレクトロニクス株式会社 | 半導体ウエハおよび半導体装置の製造方法 |
KR100624434B1 (ko) | 2004-09-07 | 2006-09-19 | 삼성전자주식회사 | 저항성 팁을 구비한 반도체 탐침 및 그 제조방법 |
JP2006258429A (ja) * | 2005-03-15 | 2006-09-28 | Sii Nanotechnology Inc | 走査型プローブ顕微鏡 |
US20070152685A1 (en) * | 2006-01-03 | 2007-07-05 | Formfactor, Inc. | A probe array structure and a method of making a probe array structure |
US7528618B2 (en) | 2006-05-02 | 2009-05-05 | Formfactor, Inc. | Extended probe tips |
US7898266B2 (en) | 2008-06-04 | 2011-03-01 | Seagate Technology Llc | Probe with electrostatic actuation and capacitive sensor |
JP5257113B2 (ja) * | 2009-02-06 | 2013-08-07 | 富士通株式会社 | プローブ針 |
KR101583000B1 (ko) * | 2009-03-09 | 2016-01-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 디바이스 테스트 장치 및 방법 |
US8171791B2 (en) | 2009-05-13 | 2012-05-08 | Robert Bosch Gmbh | Rotation sensor with onboard power generation |
JP2011033422A (ja) * | 2009-07-31 | 2011-02-17 | Hitachi High-Technologies Corp | 検査装置及び検査方法 |
JP2011249366A (ja) * | 2010-05-21 | 2011-12-08 | Panasonic Corp | 半導体装置及びその製造方法 |
US8421243B2 (en) * | 2010-06-24 | 2013-04-16 | Headway Technologies, Inc. | Layered chip package and method of manufacturing same |
JP5788767B2 (ja) | 2011-11-07 | 2015-10-07 | 株式会社日本マイクロニクス | プローブブロックとそれを備えるプローブカード並びにプローブ装置 |
US9293073B2 (en) * | 2011-12-14 | 2016-03-22 | Shenzhen China Star Optoelectronics Technology Co., Ltd. | Testing system |
JP5873741B2 (ja) | 2012-03-09 | 2016-03-01 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体検査装置および半導体検査方法 |
KR101339493B1 (ko) * | 2012-05-14 | 2013-12-10 | 삼성전기주식회사 | 프로브 카드용 공간 변환기 및 그 제조방법 |
TW201400819A (zh) | 2012-06-22 | 2014-01-01 | Advanced Semiconductor Eng | 探針結構與薄膜式探針的製造方法 |
TWI574013B (zh) | 2013-03-15 | 2017-03-11 | 穩懋半導體股份有限公司 | 探針卡、探針結構及其製造方法 |
US9995770B2 (en) * | 2014-03-21 | 2018-06-12 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Limited | Multidirectional semiconductor arrangement testing |
KR102396428B1 (ko) * | 2014-11-11 | 2022-05-11 | 삼성전자주식회사 | 반도체 테스트 장치 및 방법 |
US10699973B2 (en) * | 2017-11-06 | 2020-06-30 | GLOBALFOUNDERS Inc. | Semiconductor test structure and method for forming the same |
US11709199B2 (en) * | 2018-02-06 | 2023-07-25 | Hitachi High-Tech Corporation | Evaluation apparatus for semiconductor device |
-
2018
- 2018-02-06 WO PCT/JP2018/003987 patent/WO2019155519A1/ja active Application Filing
- 2018-02-06 CN CN201880085517.1A patent/CN111557041B/zh active Active
- 2018-02-06 US US16/967,246 patent/US11977099B2/en active Active
- 2018-02-06 JP JP2019571136A patent/JP7065124B2/ja active Active
- 2018-02-06 KR KR1020207019435A patent/KR20200096600A/ko not_active Application Discontinuation
-
2019
- 2019-01-25 TW TW108102860A patent/TWI757577B/zh active
Patent Citations (7)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH06163655A (ja) * | 1992-11-26 | 1994-06-10 | Nec Kansai Ltd | プローブカード |
JPH10335398A (ja) * | 1997-05-21 | 1998-12-18 | Siemens Ag | 半導体ウェーハ上の多層試験パッドおよびその形成方法 |
JP2002313864A (ja) * | 2001-04-12 | 2002-10-25 | Nec Corp | 半導体装置 |
JP2004226086A (ja) * | 2003-01-20 | 2004-08-12 | Yokogawa Electric Corp | コンタクトプローブ |
JP2007121317A (ja) * | 2007-02-01 | 2007-05-17 | Sii Nanotechnology Inc | 微小接触式プローバー |
JP2009206272A (ja) * | 2008-02-27 | 2009-09-10 | Mitsumi Electric Co Ltd | 半導体装置の検査方法及びプローバ装置 |
JP2009239101A (ja) * | 2008-03-27 | 2009-10-15 | Renesas Technology Corp | 半導体装置の製造方法、半導体ウェハ、およびテスト方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20200096600A (ko) | 2020-08-12 |
TWI757577B (zh) | 2022-03-11 |
JP7065124B2 (ja) | 2022-05-11 |
TW201935015A (zh) | 2019-09-01 |
CN111557041B (zh) | 2023-12-26 |
WO2019155519A1 (ja) | 2019-08-15 |
US11977099B2 (en) | 2024-05-07 |
CN111557041A (zh) | 2020-08-18 |
US20210048450A1 (en) | 2021-02-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP7079799B2 (ja) | 半導体装置の評価装置 | |
US6091249A (en) | Method and apparatus for detecting defects in wafers | |
JP4923716B2 (ja) | 試料分析装置および試料分析方法 | |
JP7002572B2 (ja) | プローブ | |
JP3741897B2 (ja) | 荷電ビーム処理装置およびその方法、半導体の不良解析方法 | |
JP7065124B2 (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
JP4090657B2 (ja) | プローブ装置 | |
JP2005091199A (ja) | 内部構造観察方法とその装置及び内部構造観察用試料ホルダー | |
JP2002026100A (ja) | 半導体基板および電気回路製造プロセスの検査方法並びに電気回路装置の製造方法 | |
JP3695181B2 (ja) | 基板抽出方法及びそれを用いた電子部品製造方法 | |
JP2002296314A (ja) | 半導体デバイスのコンタクト不良検査方法及びその装置 | |
JP2004170395A (ja) | 荷電粒子線装置 | |
JP2004328003A (ja) | 基板抽出方法及びそれを用いた電子部品製造方法 | |
JP4811448B2 (ja) | イオンビーム装置 | |
JP2002270656A (ja) | デバイスの欠陥検査装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200707 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20211005 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20211111 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20220412 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20220425 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 7065124 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |