JP2002296314A

JP2002296314A - 半導体デバイスのコンタクト不良検査方法及びその装置

Info

Publication number: JP2002296314A
Application number: JP2001094745A
Authority: JP
Inventors: Yuichi Hamamura; 有一濱村; Takafumi Oshima; 隆文大島; Takao Tanaka; 宇乙田中; Satoshi Tomimatsu; 聡富松
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 2001-03-29
Filing date: 2001-03-29
Publication date: 2002-10-09

Abstract

(57)【要約】【課題】コンタクトチェーンの非導通箇所を特定するた
めの新しい検査方法、及びこれを実現するための検査装
置を提供する。【解決手段】触針によりコンタクトチェーンの片端に正
の電圧を印加し、荷電粒子線をコンタクトチェーンの表
面に走査照射して、電位コントラスト画像を得ることに
よって非導通箇所を特定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体デバイスの
コンタクト不良を検査する半導体デバイスのコンタクト
不良検査方法およびその装置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の不良位置を特定する技術として
は、電子線や集束イオンビームなどの荷電粒子線装置に
よって、配線パターンの表面電位状態の違い、すなわち
電位コントラストを取得して、欠陥の所在を検出する技
術が知られている。（ここで、荷電粒子線装置とは、荷
電粒子線を照射して、試料より放出した２次電子を検出
して、２次電子走査画像を取得する。２次電子量が多い
と、少ない場合に比べて相対的に明るいコントラストと
して、モニタ画面上に表示される。）上記従来の技術を
適用した解析手法としては、図７に示す如く、２層の配
線７０、７２とこれをつなぐスルーホール７１とで形成
したスルーホールチェーンの電位コントラスト解析が知
られている。なお、７３は層間絶縁膜、７６は断線を示
す。また、７７、７７’は接触用電極を示す。まず、は
じめに、解析対象のスルーホールチェーンの片端に半導
体基板と同電位に接地する。このスルーホールチェーン
の表面に荷電粒子線７４を照射すると、接地側では、放
出した２次電子７５による電子の不足分がアースから補
充され、常に接地電位に保たれる。一方、フローティン
グ側ではこの電子の補充が無いため、２次電子の放出量
が荷電粒子の入射量より多い場合は、配線が正に帯電
し、これによって２次電子の放出が抑制される。これに
よって、図８の電位コントラスト画像に示すように、接
地側が明るいコントラスト、フローティング側が暗いコ
ントラストとなり、この境目に非導通欠陥が発生してい
ることがモニタ画面上で確認することが可能となる。

【０００３】

【発明が解決しようとする課題】近年、製品の市場競争
力を強化するためには、製品開発期間の短縮が必須要件
となってきた。しかし、製品の良品、不良品を判断する
製品完成時の電気的特性検査までにはライン投入から数
十日を要するため、その電気的特性検査の結果を待って
対策したのでは遅い。

【０００４】この課題を解決するために、製品開発にお
いて、共通な工程をブロックごとに分割し、このブロッ
ク内で電気的検査を行い、この結果をプロセスにフィー
ドバックして、当該ブロックのプロセスを早期に確立す
る方法が必要となる。このブロックをモニタするための
試料は、ＴＥＧ（ＴｅｓｔＥｌｅｍｅｎｔＧｒｏｕ
ｐ）、ショートループモニタ、もしくはテストストラク
チャと呼ばれている。以下、これらを総称してＴＥＧと
呼ぶこととする。

【０００５】ところで、半導体ウエハの拡散層に接続す
るコンタクト工程についていえば、コンタクトホールの
非開口、コンタクトプラグの埋め込み不良、コンタクト
プラグと拡散層との高抵抗不良などの非導通不良が発生
する。このように、コンタクトチェーンに非導通不良が
発生した場合、この非導通不良の発生位置を特定し、観
察を行って、原因を究明することが必要となる。特に、
コンタクト不良は、穴底に発生することが多く、表面か
らは観察できないため、光学式の検査装置では確認する
ことが困難である。

【０００６】そこで、上記従来の技術を、仮に、図９に
示す如く、コンタクトチェーンに適用しようとした場
合、以下のような課題が生じることになる。まず、コン
タクトチェーンの片端を接地した状態で、コンタクトチ
ェーンの表面に荷電粒子線１３を照射したとしても、非
導通箇所に電位コントラストが発生しないことになる。
理由は以下の通りである。

【０００７】即ち、接地側もフローディング側も、図１
０に示すように、明るいコントラストになってしまい、
断線箇所が顕在しないことになる。

【０００８】接地側は、次の通りとなる。非導通箇所を
起点として、これより接地側では、２次電子が大量に放
出するため、明るいコントラストとなる。

【０００９】フローティング側は、次の通りとなる。図
９に示す如く、Ｎチャネルで形成したコンタクトチェー
ンの場合、荷電粒子線の照射により、放出した２次電子が
供給されず（ダイオードの整流作用により半導体基板か
ら電子が供給されにくくなるため）、帯電が一時的に発
生する。この帯電電圧がダイオード整流作用の耐圧より
高い場合には、ブレークダウンが発生し、ダイオードに
逆電流が流れる。これによって、放出した分の電子が半
導体基板から供給され、帯電状態が解消される。従っ
て、明るいコントラストとなり、Ｐチャネルと同様、非
導通箇所を顕在化させることができない。Ｐチャネルで
形成したコンタクトチェーン（図示せず）の場合につい
ても、放出した２次電子の分だけ、Ｐチャネルのダイオ
ードを介して半導体基板から供給されるため、帯電が発
生しない。従って、明るいコントラストとなり、図１０
に示すように断線箇所が顕在化しない。

【００１０】以上説明したとおり、従来の技術では、コ
ンタクトチェーンの非導通箇所の特定が困難であった。

【００１１】本発明の目的は、上記課題を解決すべく、
半導体デバイスのコンタクトチェーンの非導通箇所ある
いは高抵抗不良の発生位置を特定することができるよう
にした半導体デバイスのコンタクト不良検査方法および
その装置を提供することにある。

【００１２】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、コンタクトチェーンの片端に触針により
正のバイアス電圧を印加する印加工程または印加手段
と、該印加工程または印加手段によって正のバイアス電
圧が印加されたコンタクトチェーンの表面に荷電粒子線
を走査照射して電位コントラスト画像を取得する取得工
程または取得手段と、該取得工程または取得手段によっ
て取得される電位コントラスト画像に基づいてコンタク
トチェーンの非導通あるいは高抵抗不良の発生位置を特
定する特定工程または特定手段とを有することを特徴と
する半導体デバイスのコンタクト不良検査方法およびそ
の装置である。

【００１３】また、本発明は、前記半導体デバイスのコ
ンタクト不良検査方法およびその装置における印加工程
または印加手段において、印加する正のバイアス電圧
を、前記コンタクトチェーンを構成する拡散層、もしく
はＰウェル領域に対するＮ型チャネルの電位が、前記Ｎ
型チャネルのブレークダウン電圧よりも低くなるようす
ることを特徴とする。

【００１４】また、本発明は、コンタクトチェーンの片
端に触針して前記コンタクトチェーンの表面に荷電粒子
線を走査照射して前記触針に流れる電流を前記走査に同
期させてモニタして吸収電流画像を取得する取得工程ま
たは取得手段と、該取得工程または取得手段によって取
得される吸収電流画像に基づいてコンタクトチェーンの
非導通あるいは高抵抗不良の発生位置を特定する特定工
程または特定手段とを有することを特徴とする半導体デ
バイスのコンタクト不良検査方法およびその装置であ
る。

【００１５】また、本発明は、コンタクトチェーンを内
蔵した試料を搭載するステージと、荷電粒子光学系と、
２次荷電粒子を検出して電位コントラスト画像を得る２
次荷電粒子検出器と、触針機構とを真空処理室内部に設
置し、前記触針機構に正のバイアス電圧を印加するため
の電源装置を備えたことを特徴とする半導体デバイスの
コンタクト不良検査装置である。

【００１６】また、本発明は、コンタクトチェーンを内
蔵した試料を搭載するステージと、荷電粒子光学系と、
触針機構とを真空処理室内部に設置し、前記触針機構に
流れる電流を検出して吸収電流画像を取得する検出器を
備えたことを特徴とする半導体デバイスのコンタクト不
良検査装置である。

【００１７】

【発明の実施の形態】本発明に係る半導体デバイスのコ
ンタクト不良検査方法及びその装置の実施の形態につい
て図面を用いて説明する。

【００１８】半導体ウエハの拡散層に接続するコンタク
ト工程についていえば、コンタクトホールの非開口、コ
ンタクトプラグの埋め込み不良、コンタクトプラグと拡
散層との高抵抗不良などの非導通不良が発生する。ここ
で発生した欠陥の原因を把握してコンタクト工程の改善
を行うために、拡散層と、コンタクトプラグと、配線層
とで形成したコンタクトチェーンと称するＴＥＧ（ＴＥ
Ｇ（ＴｅｓｔＥｌｅｍｅｎｔＧｒｏｕｐ）、ショー
トループモニタ、もしくはテストストラクチャと呼ばれ
る。）が用いられる。

【００１９】ｎチャネルによって構成したコンタクトチ
ェーンを図６に示す。即ち、Ｐ型シリコン基板６に、ｎ
チャネル７を形成し、各々のｎチャネル７の間の電流の
リークを防止するため素子分離領域８を形成する。ｎチ
ャネル７と接続するようにコンタクトプラグ５を形成
し、さらに、このコンタクトプラグ５を第１層配線１と
接続させる。層間絶縁膜４により、隣接するコンタクト
プラグ５や、隣接する第１層配線１の絶縁を保つ。この
コンタクトチェーンの両端には、電気検査用の触針用電
極３、３’が形成されており、一つのコンタクトチェー
ンに欠陥が発生したかどうかを確認できるようになって
いる。

【００２０】次に、本発明に係るコンタクトチェーンの
解析方法について、図１及び図２を用いて説明する。図
１は、本発明に係るｎ型コンタクトチェーン解析方法を
示す模式図である。ここでは、説明の都合上、層間絶縁
膜を省略して記載してある。

【００２１】本発明においては、コンタクトチェーンの
第一層配線１もしくは触針用電極（図示せず）の片端に
導電性のプローブ１１を接触させる。そして、本発明に
おいては、このプローブ１１に、直流電源１２を用い
て、正の電圧を印加させることを特徴とする。但し、こ
の正の電圧印加によってｎチャネル７においてブレーク
ダウンが発生しないように、印加電圧はｎチャネルの耐
圧範囲内（＋数Ｖ以下）とするのが望ましい。

【００２２】この状態において、第一層配線１の上面か
ら電子ビームや集束イオンビームなどの荷電粒子線１３
を走査照射する。ここで、図１に示すように断線１４が
存在した場合、これを境として正電圧を印加した側の第
１層配線１では、２次電子１５の放出が抑制され、その
結果、正電圧印加側では、暗いコントラストとなること
を見出すことができる。一方、フローティング側では、
荷電粒子線１３の照射と２次電子１５の放出により正の
帯電が発生し、この帯電電圧が、ダイオードの耐圧より
高い場合には、ブレークダウンが発生し逆電流が流れ、
正の帯電が解消され、その結果、フローティング側で
は、２次電子１５が大量に放出することにより、明るい
コントラストとなることを見出すことができる。

【００２３】以上説明したように、コンタクトチェーン
の第一層配線１もしくは触針用電極（図示せず）の片端
に正の電位を印加することによって、図２に電位コント
ラスト画像として示す如く、図１に示すように断線など
の非導通不良１４が存在した場合、これを境として、正
電圧印加側では、暗いコントラストの画像となり、フロ
ーティング側では、ブレークダウンが発生することによ
って明るいコントラストの画像となることを見出すこと
ができる。その結果、このコントラストの境目を断線な
どの非導通不良１４の発生箇所として認識して特定する
ことが可能となる。この断線などの非導通不良１４の発
生箇所の特定は、検出器２３から検出される電位コント
ラスト画像信号に基づいて、制御系４２若しくはホスト
コンピュータ４３における画像処理によって自動的に行
うことが可能である。さらに、図２に示す如く、検出器
２３から検出される電位コントラスト画像信号を表示部
４３ａに表示することによって、断線などの非導通不良
の発生箇所を認識することも可能である。さらに、表示
部４３ａに表示された図２に示す電位コントラスト画像
を基に、断線などの非導通不良の発生箇所を特定するこ
とも可能である。

【００２４】このように、断線などの非導通不良１４の
発生箇所を認識して特定されることにより、この部分に
イオンビームなどを照射して断面観察用の穴をあけ、荷
電粒子ビームを照射して得られる２次荷電粒子を検出し
て断面観察を行ない、この断面観察などにより、不良の
原因を解明（究明）し、この不良原因の解明（究明）に
基づいて対策を施して、プロセス条件を適正化すること
が可能となる。

【００２５】次に、吸収電流法によるコンタクトチェー
ンの非導通箇所の特定を行う実施例について、図３およ
び図４を用いて説明する。図３は、吸収電流法によるコ
ンタクトチェーン不良箇所の特定方法を示す模式図であ
る。まず、はじめに、被検査対象のコンタクトチェーン
の第一層配線１の片端に、プローブ１１を接触させる。
このプローブ１１には、プローブ１１に流入する電流を
モニタするための検出器３０を接続し、該検出器３０か
ら検出された電流変化を信号処理部３２（制御系４２若
しくはホストコンピュータ４３）にて信号処理して、表
示部３３（４３ａ）上に走査２次元画像として表示させ
ることができる。

【００２６】この状態で、荷電粒子線１３を第１層配線
１の上面に走査照射し、プローブ１１に流れる電流、す
なわち吸収電流画像を信号処理部３２（制御系４２若し
くはホストコンピュータ４３）から取得する。断線など
の非導通不良１４の発生箇所を境に、これよりプローブ
１１が接触している側では、荷電粒子線１３や２次電子
１５の放出が、プローブ１１に流れる電流として検出す
ることができる。一方、フローティング側に荷電粒子線
１３が照射されても、プローブ１１には電流が流れず、
吸収電流の変化が現れない。これによって、図４に示す
ような不良箇所を明暗の境目とした吸収電流のコントラ
スト像を取得することが可能となり、不良箇所の特定を
実現することができる。この不良箇所の特定は、前述と
同様に行なうことが可能である。

【００２７】次に、本発明に係るコンタクトチェーン解
析装置について図５を用いて説明する。図５は、本発明
に係るコンタクトチェーン解析装置の概略図である。本
発明の解析装置は、解析装置本体４１と、電源や電気信
号計測機器等の制御系４２と、ユーザインターフェース
をつかさどるホストコンピュータ４３とで構成する。ま
ず、解析装置本体４１について説明する。真空排気装置
（図示せず）により真空に保たれた試料室４４に、コン
タクトチェーンを内蔵した試料４５を搭載するための試
料ステージ４６を設ける。この試料ステージはＸＹステ
ージ、ＸＹＺステージ、あるいはこれらと回転系ステー
ジや、チルトステージを組み合わせたものを用いる。試
料室４４には、荷電粒子線筐体４７が接続されており、
この荷電粒子線筐体４７についても真空排気装置（図示
せず）によって真空状態にする。この荷電粒子線筐体４
７は、電子やイオンを放出させる荷電粒子源４８、発生
した荷電粒子線１３を集束させる荷電粒子線光学系４９
により構成する。荷電粒子源４８は、電子の場合、熱電
子放射型（タングステンヘアピンフィラメントやランタ
ンヘキサボライドポイントカソード）、電界放射型など
がある。イオンの場合は、液体金属イオン源やプラズマ
型イオン源などである。荷電粒子光学系４９は、引き出
し電極、加速電極、スティグマ偏向コイル、静電レン
ズ、磁場レンズ等で構成し、集束した荷電粒子線１３の
走査や照射、非照射等の制御を行う。荷電粒子線の加速
電圧は、通常数百Ｖないし数百ｋＶ程度、荷電粒子線の
電流は、数ｐＡないし数十μＡまで様々である。荷電粒
子線１３の直径は、通常１ｎｍないし１０ｎｍ程度に集
束させるが、この限りではない。荷電粒子線１３を試料
４５の表面に照射する際に発生する２次電子１５（ある
いは反射電子）を検出器２３に引き込んで電流増幅を行
い、画像処理部２４（制御系４２若しくはホストコンピ
ュータ４３）で画像処理を行った後、モニタ４３ａに映
し出す。

【００２８】次に、配線パターン（第一層配線１の片
端）に接触するためのプローブ手段について説明する。
プローブ手段の基本的な構成は、プローブ１１と、これ
を駆動させるための駆動手段４９とで構成される。プロ
ーブの駆動手段４９は、走査画像の視野範囲内の任意の
ＸＹＺ方向の位置に、プローブ１１を駆動できるステー
ジで構成され、駆動源は、電動モータやピエゾ素子等を
使用し、マイクロメータないしサブマイクロメータの分
解能でコントロール可能である。接触させることにより
生じる画面コントラストの変化や、プローブ１１（金属
製の場合）の電流・電圧変化により、接触を検知する手
段（図示せず）を搭載することも可能である。

【００２９】なお、プローブ１１の駆動手段４９とホス
トコンピュータ４３は連動しており、作業者は、ホスト
コンピュータ４３のモニタ画面４３ａを見ながら、ジョ
イスティック４３ｄ等のインタフェースデバイスを介す
か、あるいはモニタ画面上に表示された駆動ボタンをマ
ウス４３ｂでクリックするかして、プローブ１１を移動
させることができる。探針（プローブ）１１の材質は、
ＷやＭｏのような金属が利用できるが、この限りではな
い。プローブ１１には、配線パターンに電圧を印加する
ための直流電源１２や、電流をモニタするための検出器
３０を接続する。以上の構成により、前述したコンタク
トチェーンの非導通解析を行うことができる。

【００３０】以上、本発明の実施の形態では、ｐ型シリ
コン基板上のｎチャネルのコンタクトチェーンについて
述べてきたが、ｎ型シリコン基板上のｐチャネルの場合
など、その他のコンタクトチェーンについても概ね同様
に解析することが可能となる。そのため、説明を省略す
る。

【００３１】

【発明の効果】本発明によれば、コンタクトチェーンの
非導通欠陥の発生位置特定が可能となり、それによって
短時間でコンタクト形成プロセスの改良にフィードバッ
クすることができる効果を奏する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係るｎ型コンタクトチェーン解析方法
を示す模式図である。

【図２】本発明に係るｎ型コンタクトチェーン解析方法
によって取得される電位コントラスト画像を示す模式図
である。

【図３】本発明に係る吸収電流法によるコンタクトチェ
ーン不良箇所の特定方法を示す模式図である。

【図４】本発明に係る吸収電流法によって取得されるコ
ントラスト像を示す図である。

【図５】本発明に係るコンタクトチェーン解析装置の概
略図である。

【図６】本発明に係るコンタクトチェーンを示す模式図
である。

【図７】従来のスルーホールチェーンの解析方法につい
て説明するための図である。

【図８】従来のスルーホールチェーン解析によって得ら
れる電位コントラスト画像を示す図である。

【図９】従来の電位コントラスト法を用いて、仮に、コ
ンタクトチェーン非導通解析をした場合の説明図であ
る。

【図１０】従来の電位コントラスト法を用いて、仮に、
コンタクトチェーン非導通解析をした場合における電位
コントラスト画像を示す図である。

【符号の説明】

１…第一層配線、３，３’…触針用電極、５…コンタク
トプラグ、６…Ｐ型シリコン基板、７…ｎチャネル、８
…素子分離領域、１１…プローブ、１２…直流電源、１
３…荷電粒子線、１４…断線などの非導通不良、１５…
２次電子、２３…検出器、２４…画像処理部、３０…検
出器、３２…信号処理部、３３（４３ａ）…表示部、４
１…試料室、４２…制御系、４３…ホストコンピュー
タ、４７…荷電粒子線筐体、４９…駆動手段。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者田中宇乙東京都青梅市新町六丁目16番地の３株式会社日立製作所デバイス開発センタ内 (72)発明者富松聡東京都国分寺市東恋ヶ窪一丁目280番地株式会社日立製作所中央研究所内Ｆターム(参考） 2G011 AA01 AA02 AE03 2G014 AA02 AA08 AB59 AC10 AC11 2G132 AA00 AD01 AD15 AF01 AF12 AL09 AL11 AL12 4M106 AA01 BA01 BA02 BA03 BA14 CA16 DD01 DE01 DE02 DE08 DE16 DE24 DJ11 DJ23

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】コンタクトチェーンの片端に触針により正
のバイアス電圧を印加する印加工程と、該印加工程によって正のバイアス電圧が印加されたコン
タクトチェーンの表面に荷電粒子線を走査照射して電位
コントラスト画像を取得する取得工程と、該取得工程によって取得される電位コントラスト画像に
基づいてコンタクトチェーンの非導通あるいは高抵抗不
良の発生位置を特定する特定工程とを有することを特徴
とする半導体デバイスのコンタクト不良検査方法。
【請求項２】前記印加工程において、印加する正のバイ
アス電圧を、前記コンタクトチェーンを構成する拡散
層、もしくはＰウェル領域に対するＮ型チャネルの電位
が、前記Ｎ型チャネルのブレークダウン電圧よりも低く
なるようすることを特徴とする請求項１に記載の半導体
デバイスのコンタクト不良検査方法。
【請求項３】前記印加工程において、コンタクトチェー
ンのもう一方の片端を電気的にフローティングさせるこ
とを特徴とする請求項１または２記載の半導体デバイス
のコンタクト不良検査方法。
【請求項４】コンタクトチェーンの片端に触針して前記
コンタクトチェーンの表面に荷電粒子線を走査照射して
前記触針に流れる電流を前記走査に同期させてモニタし
て吸収電流画像を取得する取得工程と、該取得工程によって取得される吸収電流画像に基づいて
コンタクトチェーンの非導通あるいは高抵抗不良の発生
位置を特定する特定工程とを有することを特徴とする半
導体デバイスのコンタクト不良検査方法。
【請求項５】前記取得工程において、コンタクトチェー
ンのもう一方の片端を電気的にフローティングさせるこ
とを特徴とする請求項４記載の半導体デバイスのコンタ
クト不良検査方法。
【請求項６】コンタクトチェーンの片端に触針により正
のバイアス電圧を印加する印加手段と、該印加手段によって正のバイアス電圧が印加されたコン
タクトチェーンの表面に荷電粒子線を走査照射して電位
コントラスト画像を取得する取得手段と、該取得手段によって取得される電位コントラスト画像に
基づいてコンタクトチェーンの非導通あるいは高抵抗不
良の発生位置を特定する特定手段とを備えたことを特徴
とする半導体デバイスのコンタクト不良検査装置。
【請求項７】前記印加手段において、印加する正のバイ
アス電圧を、前記コンタクトチェーンを構成する拡散
層、もしくはＰウェル領域に対するＮ型チャネルの電位
が、前記Ｎ型チャネルのブレークダウン電圧よりも低く
なるよう構成することを特徴とする請求項６に記載の半
導体デバイスのコンタクト不良検査装置。
【請求項８】前記印加手段において、コンタクトチェー
ンのもう一方の片端を電気的にフローティングさせるよ
うに構成することを特徴とする請求項６または７記載の
半導体デバイスのコンタクト不良検査装置。
【請求項９】コンタクトチェーンの片端に触針して前記
コンタクトチェーンの表面に荷電粒子線を走査照射して
前記触針に流れる電流を前記走査に同期させてモニタし
て吸収電流画像を取得する取得手段と、該取得手段によって取得される吸収電流画像に基づいて
コンタクトチェーンの非導通あるいは高抵抗不良の発生
位置を特定する特定手段とを備えたことを特徴とする半
導体デバイスのコンタクト不良検査装置。
【請求項１０】前記取得手段において、コンタクトチェ
ーンのもう一方の片端を電気的にフローティングさせる
ように構成したことを特徴とする請求項９記載の半導体
デバイスのコンタクト不良検査装置。
【請求項１１】コンタクトチェーンを内蔵した試料を搭
載するステージと、荷電粒子光学系と、２次荷電粒子を
検出して電位コントラスト画像を得る２次荷電粒子検出
器と、触針機構とを真空処理室内部に設置し、前記触針機構に正のバイアス電圧を印加するための電源
装置を備えたことを特徴とする半導体デバイスのコンタ
クト不良検査装置。
【請求項１２】コンタクトチェーンを内蔵した試料を搭
載するステージと、荷電粒子光学系と、触針機構とを真
空処理室内部に設置し、前記触針機構に流れる電流を検出して吸収電流画像を取
得する検出器を備えたことを特徴とする半導体デバイス
のコンタクト不良検査装置。