JPWO2018150781A1 - 薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法 - Google Patents
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Abstract
Description
20:ベース基板
30:キャパシタ層
31:第1キャパシタ電極
32:第2キャパシタ電極
33:誘電体層
41、42:絶縁体層
51、52:基材入出力電極
53:樹脂絶縁層
54:表面
61、62:金属層
71:樹脂絶縁層
81、82:端子電極
81A、82A:半田バンプ
91、92、93、94:密着層
501、502:コンタクトホール
530:表面部
531:側面部
600:金属層
601、602:コンタクトホール
611、621:端部
900、900D、900U:密着層
911、921、931、941:端部
Re:レジスト膜
ReH:レジスト非形成部
Claims (7)
- 基材部と、
基材部の表面側に形成された再配線層と、
を備え、
前記再配線層は、
前記基材部側から順次配置された第1樹脂絶縁層および第2樹脂絶縁層と、
前記第1樹脂絶縁層と前記第2樹脂絶縁層との界面に配置された配線電極と、を含み、
前記配線電極は、少なくとも第1配線電極を備え、
前記第1配線電極は、
前記第1樹脂絶縁層の表面に配置された密着層と、
前記密着層の表面に配置された金属層と、
を備え、
前記第1配線電極の端部において、前記界面に沿って、前記密着層は、前記金属層よりも第1の所定長さだけ突出している、
薄膜デバイス。 - 前記基材部の表面または内部には、正極端子と負極端子とを有する機能素子が備えられており、
前記配線電極は、
前記正極端子に接続する前記第1配線電極と、前記負極端子に接続する第2配線電極とを、備え、
前記第2配線電極に対向する前記第1配線電極の前記端部において、前記界面に沿って、前記第1配線電極の前記密着層は、前記第1配線電極の前記金属層よりも前記第1の所定長さだけ突出している、
請求項1に記載の薄膜デバイス。 - 前記金属層の厚みは、前記密着層の厚みよりも大きい、
請求項1または請求項2に記載の薄膜デバイス。 - 前記金属層は、銅もしくは銅を主成分とする合金であり、
前記密着層は、チタンまたはチタンを主成分とする材質である、
請求項1乃至請求項3のいずれかに記載の薄膜デバイス。 - 前記金属層は、前記第1樹脂絶縁層の表面に配置された密着層が密着される第1面と、前記第1面に対向する第2面とを有し、
前記配線電極は、前記第2面に密着した密着層を備え、
前記第2面に密着した密着層は、前記第1樹脂絶縁層の表面に配置された密着層と同じ材質であり、
前記第1配線電極の端部において、前記界面に沿って、前記第2面に密着した密着層は、前記金属層よりも第2の所定長さだけ突出している、
請求項1乃至請求項4のいずれかに記載の薄膜デバイス。 - 前記第1の所定長さ、または、前記第2の所定長さは、前記金属層の厚み以上である、
請求項5に記載の薄膜デバイス。 - 基材部と、前記基材部の表面側に形成され、密着層と金属層とを有する配線電極を含む再配線層と、を備えた薄膜デバイスの製造方法であって、
前記再配線層における下地の樹脂絶縁層の表面に前記密着層を形成する工程と、
前記密着層の表面に前記金属層を形成する工程と、
前記金属層の表面にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜のレジストパターンを用いて、前記金属層を選択エッチングする工程と、
前記レジスト膜のレジストパターンを用いて、前記密着層を選択エッチングする工程と、
前記レジスト膜のレジストパターンを用いて、前記金属層を追加エッチングする工程と、
前記レジスト膜を剥離する工程と、
を有する、薄膜デバイスの製造方法。
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