WO2018150781A1 - 薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法 - Google Patents

薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法 Download PDF

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WO2018150781A1
WO2018150781A1 PCT/JP2018/000847 JP2018000847W WO2018150781A1 WO 2018150781 A1 WO2018150781 A1 WO 2018150781A1 JP 2018000847 W JP2018000847 W JP 2018000847W WO 2018150781 A1 WO2018150781 A1 WO 2018150781A1
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metal layer
wiring electrode
thin film
adhesion
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奏子 深堀
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株式会社村田製作所
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    • H01G4/33—Thin- or thick-film capacitors 

Definitions

  • the present invention relates to a thin film device including a rewiring layer.
  • the thin film devices of Patent Documents 1 and 2 include functional element portions such as resistors and capacitors formed in the base material portion.
  • the rewiring layer is formed on the surface side of the base material portion.
  • a metal such as copper is used for the wiring electrode of the rewiring layer.
  • the wiring electrode is generally covered with a protective resin insulating layer except for a portion that functions as an external connection terminal.
  • an object of the present invention is to provide a thin film device that suppresses migration generated from the wiring electrode of the rewiring layer.
  • the thin film device of the present invention includes a base material portion and a rewiring layer formed on the surface side of the base material portion.
  • the rewiring layer includes a first resin insulating layer and a second resin insulating layer, which are sequentially arranged from the base material portion side, and a wiring electrode.
  • the wiring electrode is disposed at the interface between the first resin insulating layer and the second resin insulating layer.
  • the wiring electrode includes at least a first wiring electrode.
  • the first wiring electrode includes an adhesion layer disposed on the surface of the first resin insulating layer, and a metal layer disposed on the surface of the adhesion layer. At the end of the first wiring electrode, along the interface, the adhesion layer protrudes by a first predetermined length from the metal layer.
  • the entire back surface of the metal layer is in contact with only the adhesion layer, and the metal layer is not in contact with the interface.
  • the thin film device of the present invention preferably has the following configuration.
  • a functional element having a positive electrode terminal and a negative electrode terminal is provided on the surface or inside of the base member.
  • the wiring electrode includes a first wiring electrode connected to the positive terminal and a second wiring electrode connected to the negative terminal. At the end of the first wiring electrode facing the second wiring electrode, the adhesion layer of the first wiring electrode protrudes by a first predetermined length from the metal layer of the first wiring electrode along the interface.
  • the entire back surface of the metal film is in contact with only the adhesion layer, and the metal layer is not in contact with the interface. This suppresses moisture from entering between the metal layer and the interface on the positive electrode side where migration occurs.
  • the thickness of the metal layer is preferably larger than the thickness of the adhesion layer.
  • the protective resin insulating layer is in close contact with the end portion of the metal layer and becomes dense. Thereby, the occurrence of migration is further suppressed.
  • the metal layer is copper or an alloy containing copper as a main component
  • the adhesion layer is titanium or a material containing titanium as a main component
  • the thin film device of the present invention may have the following configuration.
  • the metal layer has a first surface to which an adhesion layer disposed on the surface of the first resin insulating layer is adhered, and a second surface opposite to the first surface.
  • the wiring electrode includes an adhesion layer in close contact with the second surface.
  • the adhesion layer in close contact with the second surface is made of the same material as the adhesion layer disposed on the surface of the first resin insulation layer.
  • the adhesion layer that is in close contact with the second surface along the interface protrudes by a second predetermined length from the metal layer.
  • the first predetermined length or the second predetermined length is preferably equal to or greater than the thickness of the metal layer.
  • the present invention is a method of manufacturing a thin film device including a rewiring layer including a wiring electrode having an adhesion layer and a metal layer, and executes the following steps.
  • the thin film device manufacturing method includes a step of forming an adhesion layer on the surface of the underlying resin insulation layer in the rewiring layer, a step of forming a metal layer on the surface of the adhesion layer, and a resist film on the surface of the metal layer. And performing a process.
  • This method of manufacturing a thin film device executes a step of selectively etching a metal layer, a step of selectively etching the adhesion layer, and a step of additionally etching the metal layer using a resist pattern of one resist film.
  • the manufacturing method of this thin film device performs the process of peeling a resist film.
  • FIGS. 5A to 5F are partial side cross-sectional views schematically showing the shape of a rewiring layer portion in each step shown in FIG.
  • FIGS. 9A to 9G are partial side cross-sectional views schematically showing the shape of a rewiring layer portion in each step shown in FIG. It is an enlarged plan view which shows the structure of the wiring electrode of the rewiring layer of the thin film device which concerns on the 3rd Embodiment of this invention.
  • FIG. 1 is a side sectional view showing a structure of a thin film device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 2 is an enlarged partial side sectional view showing the configuration of the rewiring layer of the thin film device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 3 is an enlarged plan view showing the configuration of the rewiring layer of the thin film device according to the first embodiment of the present invention.
  • the thin film device 10 includes a base substrate 20, a capacitor layer 30, insulator layers 41 and 42, substrate input / output electrodes 51 and 52, metal layers 61 and 62, a resin insulation layer 53, a resin insulation layer. 71, terminal electrodes 81 and 82, and adhesion layers 91 and 92.
  • the thin film device 10 is a so-called thin film capacitor device in which a capacitor layer and the above-described components are formed on a base substrate 20 by a thin film process.
  • the capacitor corresponds to the “functional element” of the present invention.
  • the base substrate 20 is a semiconductor substrate or an insulating substrate.
  • the base substrate 20 is rectangular in plan view.
  • the capacitor layer 30 is formed on the surface of the base substrate 20.
  • the capacitor layer 30 includes a plurality of first capacitor electrodes 31, a plurality of second capacitor electrodes 32, and a plurality of dielectric layers 33. More specifically, the capacitor layer 30 has the following configuration.
  • a dielectric layer 33 that functions as an adhesion layer for a capacitor is formed.
  • a first capacitor electrode 31, a dielectric layer 33, and a second capacitor electrode 32 are sequentially formed on the surface of the capacitor adhesion layer.
  • the first capacitor electrode 31 and the second capacitor electrode 32 are opposed to each other with the dielectric layer 33 interposed therebetween.
  • a dielectric layer 33 is further formed on the surface of the second capacitor electrode 32.
  • the plurality of first capacitor electrodes 31 and the plurality of second capacitor electrodes 32 arranged in the stacking direction face each other with the dielectric layer 33 interposed therebetween.
  • the plurality of first capacitor electrodes 31 are electrodes on the positive electrode side, and the plurality of second capacitor electrodes 32 are electrodes on the negative electrode side.
  • the insulator layer 41 has a shape that covers substantially the entire surface of the base substrate 20. At this time, the insulator layer 41 covers the surface and side surfaces of the capacitor layer 30. The insulator layer 41 functions as a moisture resistant protective film. As a result, the entire surface of the capacitor layer 30 is covered with the insulator layer 41 and the base substrate 20 and is protected from the external environment such as humidity.
  • the insulator layer 42 is formed on the surface of the insulator layer 41 (the surface on the opposite side to the surface in contact with the base substrate 20).
  • a plurality of contact holes 501 and 502 extending in the thickness direction are formed in the insulator layer 41 and the insulator layer 42.
  • One end of the plurality of contact holes 501 is connected to one of the plurality of first capacitor electrodes 31, and the other end of the plurality of contact holes 501 is exposed on the surface of the insulator layer 42.
  • One end of the plurality of contact holes 502 is connected to one of the plurality of second capacitor electrodes 32, and the other end of the plurality of contact holes 502 is exposed on the surface of the insulator layer 42.
  • the substrate input / output electrodes 51 and 52 have a flat film shape and are formed on the surface of the insulator layer 42. Although not shown, the substrate input / output electrodes 51 and 52 are plural in number.
  • the substrate input / output electrode 51 is connected to the first capacitor electrode 31 through a plurality of contact holes 501.
  • the substrate input / output electrode 51 corresponds to the positive electrode terminal of the thin film device 10.
  • the substrate input / output electrode 52 is connected to the second capacitor electrode 32 through a plurality of contact holes 502.
  • the substrate input / output electrode 52 corresponds to the negative electrode terminal of the thin film device 10.
  • the base substrate 20, the capacitor layer 30, the insulator layers 41 and 42, the substrate input / output electrodes 51 and 52, and the plurality of contact holes 501 and 502 constitute the “substrate portion” of the present invention.
  • the functional element is not limited to a capacitor, and any element having a positive electrode terminal and a negative electrode terminal may be used. Moreover, the functional element should just be formed in the surface of the base material part, or the inside.
  • the resin insulating layer 53 includes a surface portion 530 and a side surface portion 531.
  • the resin insulating layer 53 is made of, for example, PBO.
  • the surface portion 530 is formed on the surface of the insulator layer 42, and the side surface portion 531 is formed on the side surface of the insulator layer 42 and the side surface of the insulator layer 41.
  • the surface portion 530 of the resin insulating layer 53 covers the substrate input / output electrodes 51 and 52.
  • the surface portion 530 of the resin insulation layer 53 corresponds to the “first resin insulation layer” of the present invention.
  • the adhesion layers 91 and 92 are formed on the surface 54 of the resin insulating layer 53.
  • the adhesion layer 91 and the adhesion layer 92 are formed apart from each other.
  • the adhesion layers 91 and 92 are made of titanium or a material containing titanium.
  • the adhesion layer 91 is connected to the substrate input / output electrode 51 through a contact hole 601 formed in the resin insulating layer 53.
  • the adhesion layer 92 is connected to the substrate input / output electrode 52 through a contact hole 602 formed in the resin insulating layer 53.
  • the metal layer 61 is formed on the surface of the adhesion layer 91.
  • the metal layer 62 is formed on the surface of the adhesion layer 92.
  • the metal layers 61 and 62 are made of copper or an alloy containing copper as a main component.
  • the metal layer 61 and the adhesion layer 91 constitute the “first wiring electrode” of the present invention, and the metal layer 62 and the adhesion layer 92 constitute the “second wiring electrode” of the present invention.
  • the terminal electrode 81 is formed on the surface of the metal layer 61, and the terminal electrode 82 is formed on the surface of the metal layer 62.
  • the resin insulating layer 71 is formed so as to cover the outer surfaces of the metal layers 61 and 62 and the adhesion layers 91 and 92. Therefore, the first wiring electrode having the metal layer 61 and the adhesion layer 91 and the second wiring electrode having the metal layer 62 and the adhesion layer 92 are formed between the surface portion 530 of the resin insulation layer 53 and the resin insulation layer 71. It is formed at the interface.
  • the resin insulating layer 71 is made of, for example, an epoxy resin material. That is, the resin insulating layer 71 is made of a material different from that of the resin insulating layer 53.
  • the surface portion 530 of the resin insulating layer 53, the first wiring electrode composed of the metal layer 61 and the adhesion layer 91, the second wiring electrode composed of the metal layer 62 and the adhesion layer 92, the resin insulation layer 71, and A rewiring layer having the contact holes 601 and 602 as constituent elements is formed. Therefore, the surface portion 530 of the resin insulating layer 53 corresponds to the “first resin insulating layer” of the present invention, and the resin insulating layer 71 corresponds to the “second resin insulating layer” of the present invention.
  • the resin insulating layer 71 is formed so as to cover the side surfaces of the terminal electrodes 81 and 82 and expose the surface.
  • a solder bump 81A is formed on the surface of the terminal electrode 81, and a solder bump 82A is formed on the surface of the terminal electrode 82.
  • the thin film device 10 includes the following configuration in the rewiring layer.
  • the end portion 911 of the adhesion layer 91 is outside the end portion 611 of the metal layer 61 in a plan view of the thin film device 10.
  • the end portion 911 of the adhesion layer 91 protrudes from the end portion 611 of the metal layer 61 along the surface portion 530 and the resin insulating layer 71 of the resin insulating layer 53 and the interface (the surface 54 of the resin insulating layer 53). ing.
  • the entire back surface of the metal layer 61 contacts only the adhesion layer 91, and the metal layer 61 does not contact the interface between the surface portion 530 of the resin insulating layer 53 and the resin insulating layer 71.
  • the end portion of the adhesion layer may be inside the end portion of the metal layer depending on manufacturing specifications (wet etching conditions) and the like.
  • the resin insulating layer 71 is difficult to enter between the metal layer and the surface 54 of the surface portion 530 of the resin insulating layer 53. Accordingly, moisture easily enters between the metal layer and the surface 54 of the surface portion 530 of the resin insulating layer 53, and migration is likely to occur.
  • the distance LL between the end 911 of the adhesion layer 91 and the end 611 of the metal layer 61 along the interface, that is, the protrusion amount of the adhesion layer 91 with respect to the metal layer 61 may be larger than “0”. That is, the end portion 911 of the adhesion layer 91 may be at a position that protrudes at least with respect to the end portion 611 of the metal layer 61.
  • the distance LL (projection amount) is preferably set to a thickness D61 or more of the metal layer 61. With such a setting, the adhesion layer 91 can be reliably projected with respect to the end 611 of the metal layer 61 even if the manufacturing process varies.
  • This distance LL corresponds to the “first predetermined length” of the present invention.
  • the thickness D61 of the metal layer 61 is preferably thicker than the thickness D91 of the adhesion layer 91 (D61> D91).
  • the thickness D61 of the metal layer 61 is about 1000 nm, and the thickness D91 of the adhesion layer 91 is about 100 nm.
  • the adhesion layer 91 protrudes from the end 611 of the metal layer 61, so that the bonding strength between the resin insulating layer 71 and the end 911 of the adhesion layer 91 is improved.
  • the resin insulating layer 71 at the end portion 911 becomes dense, and the occurrence and progress of migration can be more reliably suppressed.
  • the thickness D61 of the metal layer 61 is thicker than the thickness D91 of the adhesion layer 91, the resistance as the wiring electrode can be lowered, and the electrical characteristics as the thin film device 10 are improved.
  • the end portion 921 of the adhesion layer 92 is outside the end portion 621 of the metal layer 62 when the thin film device 10 is viewed in plan.
  • the end portion 921 of the adhesion layer 92 protrudes from the end portion 621 of the metal layer 62 along the surface portion 530 and the resin insulating layer 71 of the resin insulating layer 53 and the interface (the surface 54 of the resin insulating layer 53). ing.
  • the protruding amount of the adhesion layer 92 with respect to the metal layer 62 is substantially the same as the protruding amount of the adhesion layer 91 with respect to the metal layer 61.
  • the end 921 of the adhesion layer 92 may be flush with or inside the end 621 of the metal layer 62.
  • the protruding amount of the adhesion layer 92 with respect to the metal layer 62 and the protruding amount of the adhesion layer 91 with respect to the metal layer 61 are improved.
  • 91 protruding structures can be formed in a single manufacturing process.
  • the thin film device 10 having such a configuration is manufactured by the following process.
  • FIG. 4 is a flowchart showing a method of manufacturing the wiring electrode of the rewiring layer of the thin film device according to the first embodiment of the present invention.
  • FIG. 5A to FIG. 5F are partial side cross-sectional views schematically showing the shape of the rewiring layer portion in each step shown in FIG.
  • description will be made with reference to FIGS. 5A to 5F in accordance with the steps of FIG.
  • an adhesion layer 900 is formed on the surface of the resin insulating layer 53 which is a base in the rewiring layer (S101).
  • the adhesion layer 900 is made of titanium or a material mainly composed of titanium, and is formed with a thickness of 100 nm, for example.
  • a metal layer 600 is formed on the surface of the adhesion layer 900 (S102).
  • the metal layer 600 is made of copper and is formed with a thickness of 1000 nm, for example.
  • the adhesion layer does not necessarily need to be made of titanium or a material containing titanium as a main component, and may be made of chromium or a material containing chromium as a main component.
  • a resist film Re is formed on the surface of the metal layer 600 (S103).
  • the resist film Re is provided with a non-resist formation portion ReH in a portion where the metal layers 61 and 62 described later are separated and the adhesion layers 91 and 92 are separated.
  • the metal layer 600 is selectively etched using a first selective etching solution that dissolves the metal layer 600 and does not dissolve the adhesion layer 900 (S104). Thereby, as shown in FIG. 5C, the metal layer 61 and the metal layer 62 which are separated from each other are formed.
  • the adhesion layer 900 is dissolved, and the adhesion layer 900 is selectively etched using a second selective etching solution that does not dissolve the metal layer 600 (S105).
  • the adhesion layer 91 and the adhesion layer 92 which are separated from each other are formed.
  • the main purpose is to reliably separate the adhesion layer 91 and the adhesion layer 92 by using a single resist pattern. Become inside. That is, in this state, the end portion of the metal layer 61 protrudes along the interface (the surface of the resin insulating layer 53) more than the end portion of the adhesion layer 91. Similarly, the end portion of the metal layer 62 protrudes from the end portion of the adhesion layer 92 along the interface (the surface of the resin insulating layer 53).
  • the metal layers 61 and 62 are dissolved, and the metal layers 61 and 62 are additionally etched using a first selective etching solution that does not dissolve the adhesion layers 91 and 92 (S106).
  • a first selective etching solution that does not dissolve the adhesion layers 91 and 92 (S106).
  • the end portion of the adhesion layer 91 protrudes along the interface (the surface of the resin insulating layer 53) rather than the end portion of the metal layer 61.
  • the end portion of the adhesion layer 92 protrudes from the end portion of the metal layer 62 along the interface (the surface of the resin insulating layer 53).
  • This protrusion amount can be controlled by the concentration of the etching solution, the etching time, etc., and is set so that the protrusion amount is equal to or greater than the thickness of the metal layers 61 and 62. On the other hand, it is preferable that this protrusion amount is three times or less the thickness of the metal layers 61 and 62.
  • the resist film Re is peeled off (S107).
  • the end portion of the adhesion layer 91 protrudes along the interface (the surface of the resin insulating layer 53) rather than the end portion of the metal layer 61, and the end portion of the adhesion layer 92. Can protrude from the end of the metal layer 62 along the interface (the surface of the resin insulating layer 53) without changing the resist pattern for the metal layer and the adhesive layer.
  • FIG. 6 is a side sectional view showing the structure of the thin film device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIG. 7 is an enlarged partial side sectional view showing the configuration of the rewiring layer of the thin film device according to the second embodiment of the present invention.
  • the thin film device 10A according to the second embodiment is different from the thin film device 10 according to the first embodiment in that adhesion layers 93 and 94 on the external terminal side are added.
  • the other configuration of the thin film device 10A is the same as that of the thin film device 10, and the description of the same portion is omitted.
  • the thin film device 10 ⁇ / b> A includes adhesion layers 93 and 94.
  • the adhesion layers 93 and 94 are made of the same material as the adhesion layers 91 and 92.
  • the adhesion layer 93 is on the surface of the metal layer 61 (the “second surface” in the present invention), that is, on the side opposite to the contact surface with the adhesion layer 91 in the metal layer 61 (the “first surface” in the present invention). Formed on the surface.
  • the thickness D93 of the adhesion layer 93 is substantially the same as the thickness D91 of the adhesion layer 91.
  • the end portion 931 of the adhesion layer 93 protrudes from the end portion 611 of the metal layer 61 along the interface, similarly to the end portion 911 of the adhesion layer 91. This protrusion amount corresponds to the “second predetermined length” of the present invention.
  • the adhesion layer 94 is formed on the surface side of the metal layer 62, that is, the surface opposite to the contact surface of the metal layer 62 with the adhesion layer 92.
  • the thickness of the adhesion layer 94 is substantially the same as that of the adhesion layer 93.
  • the end portion 941 of the adhesion layer 94 protrudes from the end portion 621 of the metal layer 62 along the interface, similarly to the end portion 921 of the adhesion layer 92.
  • the end 611 of the metal layer 61 is disposed at a recessed position between the adhesion layer 91 and the adhesion layer 93, but the thickness D61 of the metal layer 61 is greater than the thickness of the adhesion layers 91 and 93. Is sufficiently thick, and the resin easily flows between the adhesion layer 91 and the adhesion layer 93. Therefore, even if the metal layer 61 is sandwiched between the adhesion layers 91 and 93, the end portion (end surface) of the metal layer 61 and the resin insulating layer 71 can be reliably bonded, and the resin in the vicinity of the end portion can be obtained. A decrease in the density of the insulating layer 71 can be suppressed.
  • the structure on the side of the metal layer 62 and the adhesion layers 92 and 94 also has the same structure as that of the metal layer 61 and the adhesion layers 91 and 93, and the same effects can be obtained.
  • the thin film device 10A having such a configuration is manufactured by the following process.
  • FIG. 8 is a flowchart showing a method of manufacturing the wiring electrode of the rewiring layer of the thin film device according to the second embodiment of the present invention.
  • FIGS. 9A to 9G are partial side cross-sectional views schematically showing the shape of the rewiring layer portion in each step shown in FIG. Hereinafter, description will be made with reference to FIGS. 9A to 9G according to the steps of FIG.
  • an adhesion layer 900 is formed on the surface of the resin insulating layer 53 which is a base in the rewiring layer (S201).
  • the adhesion layer 900D is made of titanium or a material mainly containing titanium, and is formed with a thickness of 100 nm, for example.
  • a metal layer 600 is formed on the surface of the adhesion layer 900 (S202).
  • the metal layer 600 is made of copper and is formed with a thickness of 1000 nm, for example.
  • an adhesion layer 900U on the external terminal side is formed on the surface of the metal layer 600 (S203).
  • the adhesion layer 900U is made of titanium or a material mainly containing titanium, and is formed with a thickness of 100 nm, for example.
  • a resist film Re is formed on the surface of the adhesion layer 900U (S204).
  • the resist film Re is provided with a non-resist formation portion ReH in a portion where metal layers 61 and 62 described later are separated, adhesion layers 91 and 92 are separated, and adhesion layers 93 and 94 are separated.
  • the adhesive layer 900U is dissolved and the adhesive layer 900U is selectively etched using a second selective etching solution that does not dissolve the metal layer 600 (S205).
  • a second selective etching solution that does not dissolve the metal layer 600 (S205).
  • the metal layer 600 is selectively etched using the first selective etchant that dissolves the metal layer 600 and does not dissolve the adhesion layer 900 (S206). As a result, as shown in FIG. 9D, a metal layer 61 and a metal layer 62 that are separated from each other are formed.
  • the metal layers 61 and 62 are dissolved, and the metal layers 61 and 62 are additionally etched using a first selective etching solution that does not dissolve the adhesion layers 91, 92, 93, and 94 (S208).
  • a first selective etching solution that does not dissolve the adhesion layers 91, 92, 93, and 94 (S208).
  • the end portions of the adhesion layers 91 and 93 protrude from the end portion of the metal layer 61 along the interface (the surface of the resin insulating layer 53).
  • the end portions of the adhesion layers 92 and 94 protrude from the end portion of the metal layer 62 along the interface (the surface of the resin insulating layer 53).
  • the resist film Re is peeled off (S209).
  • the end portions of the adhesion layers 91 and 93 protrude along the interface (the surface of the resin insulating layer 53) more than the end portions of the metal layer 61, and the adhesion layer 92,
  • a structure in which the end portion of 94 protrudes along the interface (the surface of the resin insulating layer 53) from the end portion of the metal layer 62 can be realized without changing the resist pattern for the metal layer and the adhesive layer.
  • FIG. 10 is an enlarged plan view showing the structure of the wiring electrode of the rewiring layer of the thin film device according to the third embodiment of the present invention.
  • the thin film device 10B according to the third embodiment differs from the thin film device 10 according to the first embodiment in the structure of the adhesion layers 91 and 92.
  • the other structure of the thin film device 10B is the same as that of the thin film device 10, and the description of the same part is omitted.
  • the occurrence of migration can be suppressed. Further, since the area of the metal layer 61 can be increased, the resistance of the wiring electrode composed of the metal layer 61 and the adhesion layer 91 can be reduced.
  • the end of the metal layer 62 and the adhesion layer 92 on the negative electrode side may be flush with each other, and the end of the adhesion layer 92 is not necessarily the end of the metal layer 62. Even if it does not protrude, the above-mentioned effect can be obtained.
  • a capacitor is used as a functional element of a thin film device.
  • the above configuration is also applied to a rewiring layer for a functional element including a positive electrode terminal and a negative electrode terminal such as an ESD protection element and a variable capacitor element. can do.

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Abstract

再配線層の配線電極から発生するマイグレーションを抑制する。薄膜デバイス（１０）は、基材部と、基材部の表面側に形成された再配線層と、を備える。再配線層は、基材部側から順次配置された樹脂絶縁層（５３）の表面部（５３０）および樹脂絶縁層（７１）、金属層（６１、６２）、および、密着層（９１、９２）を含む。金属層（６１）と密着層（９１）とは第１配線電極を構成し、金属層（６２）と密着層（９２）とは第２配線電極を構成する。これらの配線電極は、樹脂絶縁層（５３）の表面部（５３０）と樹脂絶縁層（７１）との界面に配置されている。第１の配線電極の端部において、この界面に沿って、密着層（９１）は、金属層（６１）よりも第１の所定長さだけ突出している。

Description

薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法
　本発明は、再配線層を備える薄膜デバイスに関する。
　従来、各種の薄膜デバイスが提案されている。例えば、特許文献１、２の薄膜デバイスでは、基材部内に形成された抵抗、キャパシタ等の機能素子部を備える。
　再配線層は、基材部の表面側に形成されている。再配線層の配線電極には、銅等の金属が用いられている。配線電極は、外部接続用端子として機能する部分を除き、一般的に保護用の樹脂絶縁層で覆われている。
国際公開第２０１６／１８１７１０号明細書 国際公開第２０１６／１３６５６４号明細書
　しかしながら、特許文献１、２に記載の薄膜デバイスの構造では、保護用の樹脂絶縁層を備えていても、正極側の配線電極と負極側の配線電極との間に電圧が印加された状態において、水分によって、マイグレーションが発生し、配線電極を形成する金属を含むデンドライト（樹枝状結晶）が形成されてしまうことがある。
　デンドライト（樹枝状結晶）が形成されると、正極側の配線電極と負極側の配線電極との間の絶縁耐圧が低下して、薄膜デバイスの機能の低下、信頼性の低下を引き起こしてしまう。
　したがって、本発明の目的は、再配線層の配線電極から発生するマイグレーションを抑制する薄膜デバイスを提供することにある。
　この発明の薄膜デバイスは、基材部と、基材部の表面側に形成された再配線層と、を備える。再配線層は、基材部側から順次配置された第１樹脂絶縁層および第２樹脂絶縁層と、配線電極と、を含む。配線電極は、第１樹脂絶縁層と第２樹脂絶縁層との界面に配置されている。配線電極は、少なくとも第１配線電極を備える。第１配線電極は、第１樹脂絶縁層の表面に配置された密着層と、密着層の表面に配置された金属層と、を備える。第１配線電極の端部において、界面に沿って、密着層は、金属層よりも第１の所定長さだけ突出している。
　この構成では、金属層の裏面の全面は密着層のみに当接し、金属層が界面に接していない。これにより、金属層と界面との間に隙間が生じることなく、水分が浸入したり、水蒸気が隙間で毛細管現象により水分になることが抑制され、マイグレーションの発生が抑制される。
　また、この発明の薄膜デバイスでは、次の構成であることが好ましい。基材部の表面または内部には、正極端子と負極端子とを有する機能素子が備えられている。配線電極は、正極端子に接続する第１配線電極と、負極端子に接続する第２配線電極とを、備える。第２配線電極に対向する第１配線電極の端部において、界面に沿って、第１配線電極の密着層は、第１配線電極の金属層よりも第１の所定長さだけ突出している。
　この構成では、正極側の金属層における負極に対向する端部、すなわちマイグレーションが発生し易い箇所において、金属膜の裏面の全面は密着層のみに当接し、金属層が界面に接していない。これにより、マイグレーションが発生する正極側において、金属層と界面との間に水分が浸入することが抑制される。
　また、この発明の薄膜デバイスでは、金属層の厚みは、密着層の厚みよりも大きいことが好ましい。
　これにより、配線電極が保護用の樹脂絶縁層に覆われる場合に、金属層の端部に保護用の樹脂絶縁層が密着して緻密になる。これにより、マイグレーションの発生が更に抑制される。
　また、この発明の薄膜デバイスでは、金属層は銅もしくは銅を主成分とする合金であり、密着層は、チタンまたはチタンを主成分とする材質であることが好ましい。
　この構成では、金属層と密着層とを、再配線層の配線電極を形成する入手が容易な材質で実現しながら、上述のマイグレーションの発生が抑制される。
　また、この発明の薄膜デバイスでは、次の構成であってもよい。金属層は、第１樹脂絶縁層の表面に配置された密着層が密着される第１面と、第１面に対向する第２面とを有する。配線電極は、第２面に密着した密着層を備える。第２面に密着した密着層は、第１樹脂絶縁層の表面に配置された密着層と同じ材質である。第１配線電極の端部において、界面に沿って、第２面に密着した密着層は、金属層よりも第２の所定長さだけ突出している。
　この構成では、第１配線電極を覆う保護用の樹脂絶縁層と配線電極との密着性が向上する。
　また、この発明の薄膜デバイスでは、第１の所定長さ、または、第２の所定長さは、金属層の厚み以上であることが好ましい。
　この構成では、ウエットエッチング等を用いる製造方法を適用した場合に、金属層と密着層との段差が確実に形成される。
　また、この発明は、密着層と金属層とを有する配線電極を含む再配線層を備えた薄膜デバイスの製造方法であり、次の各工程を実行する。薄膜デバイスの製造方法は、再配線層における下地の樹脂絶縁層の表面に密着層を形成する工程と、密着層の表面に金属層を形成する工程と、金属層の表面にレジスト膜を形成する工程と、を実行する。この薄膜デバイスの製造方法は、１つのレジスト膜のレジストパターンを用いて、金属層を選択エッチングする工程と、前記密着層を選択エッチングする工程と、金属層を追加エッチングする工程とを実行する。また、この薄膜デバイスの製造方法は、レジスト膜を剥離する工程を実行する。
　この製造方法を用いることによって、上述の構成を備える薄膜デバイスを、簡素なフローで製造できる。
　この発明によれば、再配線層の配線電極から発生するマイグレーションを抑制できる。
本発明の第１の実施形態に係る薄膜デバイスの構造を示す側面断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る薄膜デバイスの再配線層の構成を示す拡大した部分側面断面図である。 本発明の第１の実施形態に係る薄膜デバイスの再配線層の構成を示す拡大した平面図である。 本発明の第１の実施形態に係る薄膜デバイスの再配線層の配線電極の製造方法を示すフローチャートである。 （Ａ）－（Ｆ）は、図４に示すそれぞれの工程での再配線層部分の形状を模式的に示す部分側面断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る薄膜デバイスの構造を示す側面断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る薄膜デバイスの再配線層の構成を示す拡大した部分側面断面図である。 本発明の第２の実施形態に係る薄膜デバイスの再配線層の配線電極の製造方法を示すフローチャートである。 （Ａ）－（Ｇ）は、図８に示すそれぞれの工程での再配線層部分の形状を模式的に示す部分側面断面図である。 本発明の第３の実施形態に係る薄膜デバイスの再配線層の配線電極の構造を示す拡大平面図である。
　本発明の第１の実施形態に係る薄膜デバイスについて、図を参照して説明する。図１は、本発明の第１の実施形態に係る薄膜デバイスの構造を示す側面断面図である。図２は、本発明の第１の実施形態に係る薄膜デバイスの再配線層の構成を示す拡大した部分側面断面図である。図３は、本発明の第１の実施形態に係る薄膜デバイスの再配線層の構成を示す拡大した平面図である。
　図１に示すように、薄膜デバイス１０は、ベース基板２０、キャパシタ層３０、絶縁体層４１、４２、基材入出力電極５１、５２、金属層６１、６２、樹脂絶縁層５３、樹脂絶縁層７１、端子電極８１、８２、および、密着層９１、９２を備える。
　薄膜デバイス１０はいわゆる薄膜キャパシタのデバイスであって、ベース基板２０の上に薄膜プロセスによって、キャパシタ層、および、上述の各構成要素を形成したものである。キャパシタが本発明の「機能素子」に対応する。
　ベース基板２０は、半導体基板または絶縁性基板である。ベース基板２０は、平面視して矩形である。キャパシタ層３０は、ベース基板２０の表面に形成されている。キャパシタ層３０は、複数の第１キャパシタ電極３１、複数の第２キャパシタ電極３２、複数の誘電体層３３を備える。より具体的には、キャパシタ層３０は、次の構成からなる。ベース基板２０の表面には、キャパシタ用の密着層として機能する誘電体層３３が形成されている。このキャパシタ用の密着層の表面には、第１キャパシタ電極３１、誘電体層３３、および、第２キャパシタ電極３２が順に形成されている。第１キャパシタ電極３１と第２キャパシタ電極３２とは、誘電体層３３を挟んで対向している。第２キャパシタ電極３２の表面には、さらに、誘電体層３３が形成されている。以下、この層構造が繰り返されることによって、積層方向に並ぶ複数の第１キャパシタ電極３１と複数の第２キャパシタ電極３２とがそれぞれに誘電体層３３を挟んで対向する。
　複数の第１キャパシタ電極３１は、正極側の電極であり、複数の第２キャパシタ電極３２は、負極側の電極である。
　絶縁体層４１は、ベース基板２０の表面側の略全面を覆う形状である。この際、絶縁体層４１は、キャパシタ層３０の表面および側面を覆っている。絶縁体層４１は、耐湿性保護膜として機能する。これにより、キャパシタ層３０は、絶縁体層４１とベース基板２０とによって全面が覆われ、湿度等の外部環境から保護される。絶縁体層４２は、絶縁体層４１の表面（ベース基板２０に当接する側の面と反対側の面）に形成されている。
　絶縁体層４１および絶縁体層４２には、厚み方向に延びる複数のコンタクトホール５０１、５０２が形成されている。複数のコンタクトホール５０１の一方端は、複数の第１キャパシタ電極３１のいずれかに接続されており、複数のコンタクトホール５０１の他方端は、絶縁体層４２の表面に露出している。複数のコンタクトホール５０２の一方端は、複数の第２キャパシタ電極３２のいずれかに接続されており、複数のコンタクトホール５０２の他方端は、絶縁体層４２の表面に露出している。
　基材入出力電極５１、５２は、平膜状であって、絶縁体層４２の表面に形成されている。基材入出力電極５１、５２は、図示を省略しているが、それぞれ複数である。基材入出力電極５１は、複数のコンタクトホール５０１を介して、第１キャパシタ電極３１に接続されている。基材入出力電極５１が薄膜デバイス１０の正極端子に対応する。基材入出力電極５２は、複数のコンタクトホール５０２を介して、第２キャパシタ電極３２に接続されている。基材入出力電極５２が薄膜デバイス１０の負極端子に対応する。
　これらベース基板２０、キャパシタ層３０、絶縁体層４１、４２、基材入出力電極５１、５２、および、複数のコンタクトホール５０１、５０２によって、本発明の「基材部」が構成されている。なお、機能素子は、キャパシタに限るものではなく、正極端子と負極端子とを有する素子であればよい。また、機能素子は、基材部の表面または内部に形成されていればよい。
　樹脂絶縁層５３は、表面部５３０と側面部５３１とからなる。樹脂絶縁層５３は、例えばＰＢＯからなる。表面部５３０は、絶縁体層４２の表面に形成されており、側面部５３１は、絶縁体層４２の側面、および、絶縁体層４１の側面に形成されている。この際、樹脂絶縁層５３の表面部５３０は、基材入出力電極５１、５２を覆っている。この樹脂絶縁層５３の表面部５３０は、本発明の「第１樹脂絶縁層」に対応する。
　密着層９１、９２は、樹脂絶縁層５３の表面５４に形成されている。密着層９１と密着層９２とは、離間して形成されている。密着層９１、９２は、チタンまたはチタンをとする材質からなる。密着層９１は、樹脂絶縁層５３に形成されたコンタクトホール６０１を介して、基材入出力電極５１に接続されている。密着層９２は、樹脂絶縁層５３に形成されたコンタクトホール６０２を介して、基材入出力電極５２に接続されている。
　金属層６１は、密着層９１の表面に形成されている。金属層６２は、密着層９２の表面に形成されている。金属層６１、６２は、銅または銅を主成分とする合金からなる。金属層６１と密着層９１とによって、本発明の「第１配線電極」が構成され、金属層６２と密着層９２とによって、本発明の「第２配線電極」が構成される。
　端子電極８１は、金属層６１の表面に形成されており、端子電極８２は、金属層６２の表面に形成されている。
　樹脂絶縁層７１は、金属層６１、６２、および、密着層９１、９２の外面を覆うように形成されている。したがって、金属層６１と密着層９１とを有する第１配線電極と、金属層６２と密着層９２とを有する第２配線電極とは、樹脂絶縁層５３の表面部５３０と樹脂絶縁層７１との界面に形成されている。樹脂絶縁層７１は、例えば、エポキシ系樹脂の材質からなる。すなわち、樹脂絶縁層７１は、樹脂絶縁層５３と異なる材質からなる。
　このような構成によって、樹脂絶縁層５３の表面部５３０、金属層６１および密着層９１からなる第１配線電極、金属層６２および密着層９２からなる第２配線電極、樹脂絶縁層７１、および、コンタクトホール６０１、６０２を構成要素とする再配線層が形成される。したがって、樹脂絶縁層５３の表面部５３０が本発明の「第１樹脂絶縁層」に対応し、樹脂絶縁層７１が本発明の「第２樹脂絶縁層」に対応する。
　なお、樹脂絶縁層７１は、端子電極８１、８２の側面を覆い、表面を露出するように形成されている。端子電極８１の表面には、半田バンプ８１Ａが形成されており、端子電極８２の表面には半田バンプ８２Ａが形成される。
　このような構成において、薄膜デバイス１０は、次の構成を再配線層に備える。
　図１、図２、図３に示すように、薄膜デバイス１０を平面視して、密着層９１の端部９１１は、金属層６１の端部６１１よりも外側にある。言い換えれば、密着層９１の端部９１１は、樹脂絶縁層５３の表面部５３０と樹脂絶縁層７１と界面（樹脂絶縁層５３の表面５４）に沿って、金属層６１の端部６１１よりも突出している。
　この構成によって、金属層６１の裏面の全面が密着層９１のみに当接し、金属層６１は、樹脂絶縁層５３の表面部５３０と樹脂絶縁層７１と界面に接触しない。
　従来の構成では、製造の仕様（ウエットエッチングの条件）等によって、密着層の端部が金属層の端部よりも内側になってしまうことがある。この場合、樹脂絶縁層７１は、金属層と樹脂絶縁層５３の表面部５３０の表面５４との間に入り込みにくくなる。これにより、この金属層と樹脂絶縁層５３の表面部５３０の表面５４と間に水分が入り込み易くなり、マイグレーションが発生し易くなってしまう。
　しかしながら、本実施形態の薄膜デバイス１０の構成を備えることによって、従来構成のような水分が入り混み易い箇所は無くなり、マイグレーションの発生を抑制できる。
　なお、界面に沿った密着層９１の端部９１１と金属層６１の端部６１１との距離ＬＬ、すなわち、金属層６１に対する密着層９１の突出量は、「０」よりも大きければよい。すなわち、密着層９１の端部９１１は、金属層６１の端部６１１に対して少なくとも突出する位置にあればよい。ただし、距離ＬＬ（突出量）は、金属層６１の厚みＤ６１以上に設定することが好ましい。このような設定とすることで、製造工程のバラツキ等が生じても、密着層９１を金属層６１の端部６１１に対して、確実に突出させることができる。この距離ＬＬが、本発明の「第１の所定長さ」に対応する。
　また、金属層６１の厚みＤ６１は、密着層９１の厚みＤ９１よりも厚い（Ｄ６１＞Ｄ９１）方が好ましい。具体的な一例としては、金属層６１の厚みＤ６１は略１０００ｎｍであり、密着層９１の厚みＤ９１は略１００ｎｍである。これにより、樹脂絶縁層７１と金属層６１の端部６１１との当接面積が大きくなる。したがって、樹脂絶縁層７１と金属層６１の端部６１１と接合強度が向上し、端部６１１での樹脂絶縁層７１が緻密になり、マイグレーションの発生をさらに確実に抑制できる。
　また、密着層９１の厚みＤ９１が薄くても、密着層９１が金属層６１の端部６１１から突出しているので、樹脂絶縁層７１と密着層９１の端部９１１との接合強度が向上し、端部９１１での樹脂絶縁層７１が緻密になり、マイグレーションの発生、進行をさらに確実に抑制できる。
　なお、金属層６１の厚みＤ６１が密着層９１の厚みＤ９１よりも厚いことによって、配線電極としての抵抗を低くでき、薄膜デバイス１０としての電気特性が向上する。
　また、図１、図２、図３に示すように、薄膜デバイス１０を平面視して、密着層９２の端部９２１は、金属層６２の端部６２１よりも外側にある。言い換えれば、密着層９２の端部９２１は、樹脂絶縁層５３の表面部５３０と樹脂絶縁層７１と界面（樹脂絶縁層５３の表面５４）に沿って、金属層６２の端部６２１よりも突出している。金属層６２に対する密着層９２の突出量は、金属層６１に対する密着層９１の突出量と略同じである。なお、密着層９２の端部９２１は、金属層６２の端部６２１に対して面一または内側にあってもよい。ただし、金属層６２に対する密着層９２の突出量と金属層６１に対する密着層９１の突出量とを略同じにすることで、金属層６２に対する密着層９２の突出構造と、金属層６１に対する密着層９１の突出構造とを単一の製造工程で形成できる。
　このような構成からなる薄膜デバイス１０は、次に示す工程によって製造される。
　図４は、本発明の第１の実施形態に係る薄膜デバイスの再配線層の配線電極の製造方法を示すフローチャートである。図５（Ａ）－図５（Ｆ）は、図４に示すそれぞれの工程での再配線層部分の形状を模式的に示す部分側面断面図である。以下では、図４のステップにしたがって、図５（Ａ）－図５（Ｆ）を参照して説明する。
　図５（Ａ）に示すように、再配線層における下地となる樹脂絶縁層５３の表面に、密着層９００を形成する（Ｓ１０１）。密着層９００は、チタンまたはチタンを主成分とする材質からなり、例えば、１００ｎｍの厚みで形成されている。さらに、図５（Ａ）に示すように、密着層９００の表面に金属層６００を形成する（Ｓ１０２）。金属層６００は、銅からなり、例えば、１０００ｎｍの厚みで形成されている。なお、密着層は、必ずしもチタンまたはチタンを主成分とする材質からなる必要はなく、クロムまたはクロムを主成分とする材料からなっていてもよい。
　次に、図５（Ｂ）に示すように、金属層６００の表面にレジスト膜Ｒｅを形成する（Ｓ１０３）。この際、レジスト膜Ｒｅには、後述の金属層６１、６２を分離し、密着層９１、９２を分離する部分にレジスト非形成部ＲｅＨが設けられている。
　次に、金属層６００を溶解し、密着層９００を溶解しない第１の選択性のエッチング液を用いて、金属層６００の選択エッチングを行う（Ｓ１０４）。これにより、図５（Ｃ）に示すように、互いに分離された金属層６１と金属層６２とが形成される。
　次に、密着層９００を溶解し、金属層６００を溶解しない第２の選択性のエッチング液を用いて、密着層９００の選択エッチングを行う（Ｓ１０５）。これにより、図５（Ｄ）に示すように、互いに分離された密着層９１と密着層９２とが形成される。この工程では、単一のレジストパターンを用いて、密着層９１と密着層９２とを確実に分離することを主たる目的とするため、密着層９１の端部は、金属層６１の端部よりも内側になる。すなわち、この状態では、金属層６１の端部が密着層９１の端部よりも界面（樹脂絶縁層５３の表面）に沿って突出している。同様に、金属層６２の端部が密着層９２の端部よりも界面（樹脂絶縁層５３の表面）に沿って突出している。
　次に、金属層６１、６２を溶解し、密着層９１、９２を溶解しない第１の選択性のエッチング液を用いて、金属層６１、６２の追加エッチングを行う（Ｓ１０６）。これにより、図５（Ｅ）に示すように、密着層９１の端部が金属層６１の端部よりも界面（樹脂絶縁層５３の表面）に沿って突出している。同様に、密着層９２の端部が金属層６２の端部よりも界面（樹脂絶縁層５３の表面）に沿って突出している。この突出量は、エッチング液の濃度、エッチング時間等によって制御可能であり、突出量が金属層６１、６２の厚み以上になるように設定されている。一方で、この突出量は、金属層６１、６２の厚みの３倍以下であることが好ましい。このように突出量の上限値を規定することによって、後に、樹脂絶縁層７１を形成するエポキシ系樹脂が、金属層６１、６２の端部まで十分に流れ込み、金属層６１、６２の端部（端面）と確実に接合する。また、この端部付近における樹脂絶縁層７１の密度の低下を抑制できる。
　次に、図５（Ｆ）に示すように、レジスト膜Ｒｅを剥離する（Ｓ１０７）。
　このように、本実施形態の製造方法を用いることによって、密着層９１の端部が金属層６１の端部よりも界面（樹脂絶縁層５３の表面）に沿って突出し、密着層９２の端部が金属層６２の端部よりも界面（樹脂絶縁層５３の表面）に沿って突出する構造を、金属層用と密着層用とでレジストパターンを変えることなく、実現できる。
　次に、本発明の第２の実施形態に係る薄膜デバイスおよび薄膜デバイスの製造方法について、図を参照して説明する。
　図６は、本発明の第２の実施形態に係る薄膜デバイスの構造を示す側面断面図である。図７は、本発明の第２の実施形態に係る薄膜デバイスの再配線層の構成を示す拡大した部分側面断面図である。
　第２の実施形態に係る薄膜デバイス１０Ａは、第１の実施形態に係る薄膜デバイス１０に対して、外部端子側の密着層９３、９４を追加した点で異なる。薄膜デバイス１０Ａの他の構成は、薄膜デバイス１０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
　図６、図７に示すように、薄膜デバイス１０Ａは、密着層９３、９４を備える。密着層９３、９４は、密着層９１、９２と同じ材質からなる。
　密着層９３は、金属層６１の表面（本発明の「第２面」）側、すなわち、金属層６１における密着層９１との当接面（本発明の「第１面」）と反対側の面に形成されている。密着層９３の厚みＤ９３は、密着層９１の厚みＤ９１と略同じである。密着層９３の端部９３１は、密着層９１の端部９１１と同様に、界面に沿って、金属層６１の端部６１１よりも突出している。この突出量が、本発明の「第２の所定長さ」に対応する。
　密着層９４は、金属層６２の表面側、すなわち、金属層６２における密着層９２との当接面と反対側の面に形成されている。密着層９４の厚みは、密着層９３と略同じである。密着層９４の端部９４１は、密着層９２の端部９２１と同様に、界面に沿って、金属層６２の端部６２１よりも突出している。
　このような構成であっても、第１の実施形態と同様の作用効果を得ることができる。また、この構成では、金属層６１、６２の表面側における樹脂絶縁層７１との異材料間での接合の密着性が向上し、薄膜デバイス１０Ａの信頼性がさらに向上する。
　なお、この構成では、金属層６１の端部６１１が密着層９１と密着層９３とに挟まれて凹んだ位置に配置されるが、金属層６１の厚みＤ６１が密着層９１、９３の厚みよりも十分に厚く、密着層９１と密着層９３との間に樹脂が流れ込み易い。したがって、このような密着層９１、９３で金属層６１を挟みこむ構造であっても、金属層６１の端部（端面）と樹脂絶縁層７１とを確実に接合でき、この端部付近における樹脂絶縁層７１の密度の低下を抑制できる。なお、説明は、省略するが、金属層６２、密着層９２、９４側の構造においても、金属層６１、密着層９１、９３と同様の構造となり、同様の作用効果が得られる。
　このような構成からなる薄膜デバイス１０Ａは、次に示す工程によって製造される。
　図８は、本発明の第２の実施形態に係る薄膜デバイスの再配線層の配線電極の製造方法を示すフローチャートである。図９（Ａ）－図９（Ｇ）は、図８に示すそれぞれの工程での再配線層部分の形状を模式的に示す部分側面断面図である。以下では、図８のステップにしたがって、図９（Ａ）－図９（Ｇ）を参照して説明する。
　図９（Ａ）に示すように、再配線層における下地となる樹脂絶縁層５３の表面に、密着層９００を形成する（Ｓ２０１）。密着層９００Ｄは、チタンまたはチタンを主成分とする材質からなり、例えば、１００ｎｍの厚みで形成されている。さらに、図９（Ａ）に示すように、密着層９００の表面に金属層６００を形成する（Ｓ２０２）。金属層６００は、銅からなり、例えば、１０００ｎｍの厚みで形成されている。さらに、図９（Ａ）に示すように、金属層６００の表面に外部端子側の密着層９００Ｕを形成する（Ｓ２０３）。密着層９００Ｕは、チタンまたはチタンを主成分とする材質からなり、例えば、１００ｎｍの厚みで形成されている。
　次に、図９（Ｂ）に示すように、密着層９００Ｕの表面にレジスト膜Ｒｅを形成する（Ｓ２０４）。この際、レジスト膜Ｒｅには、後述の金属層６１、６２を分離し、密着層９１、９２を分離し、密着層９３、９４を分離する部分にレジスト非形成部ＲｅＨが設けられている。
　次に、密着層９００Ｕを溶解し、金属層６００を溶解しない第２の選択性のエッチング液を用いて、密着層９００Ｕの選択エッチングを行う（Ｓ２０５）。これにより、図９（Ｃ）に示すように、互いに分離された密着層９３と密着層９４とが形成される。
　次に、金属層６００を溶解し、密着層９００を溶解しない第１の選択性のエッチング液を用いて、金属層６００の選択エッチングを行う（Ｓ２０６）。これにより、図９（Ｄ）に示すように、互いに分離された金属層６１と金属層６２とが形成される。
　次に、密着層９００を溶解し、金属層６００を溶解しない第２の選択性のエッチング液を用いて、外部端側の密着層９３、９４および密着層９００の選択エッチングを行う（Ｓ２０７）。これにより、図９（Ｅ）に示すように、互いに分離された密着層９１と密着層９２とが形成される。この工程では、密着層９１、９３の端部は、金属層６１の端部よりも内側になる。すなわち、この状態では、金属層６１の端部が密着層９１、９３の端部よりも界面（樹脂絶縁層５３の表面）に沿って突出している。同様に、金属層６２の端部が密着層９２、９４の端部よりも界面（樹脂絶縁層５３の表面）に沿って突出している。
　次に、金属層６１、６２を溶解し、密着層９１、９２、９３、９４を溶解しない第１の選択性のエッチング液を用いて、金属層６１、６２の追加エッチングを行う（Ｓ２０８）。これにより、図９（Ｆ）に示すように、密着層９１、９３の端部が金属層６１の端部よりも界面（樹脂絶縁層５３の表面）に沿って突出している。同様に、密着層９２、９４の端部が金属層６２の端部よりも界面（樹脂絶縁層５３の表面）に沿って突出している。
　次に、図９（Ｇ）に示すように、レジスト膜Ｒｅを剥離する（Ｓ２０９）。
　このように、本実施形態の製造方法を用いることによって、密着層９１、９３の端部が金属層６１の端部よりも界面（樹脂絶縁層５３の表面）に沿って突出し、密着層９２、９４の端部が金属層６２の端部よりも界面（樹脂絶縁層５３の表面）に沿って突出する構造を、金属層用と密着層用とでレジストパターンを変えることなく、実現できる。
　次に、本発明の第３の実施形態に係る薄膜デバイスについて、図を参照して説明する。図１０は、本発明の第３の実施形態に係る薄膜デバイスの再配線層の配線電極の構造を示す拡大平面図である。
　第３の実施形態に係る薄膜デバイス１０Ｂは、第１の実施形態に係る薄膜デバイス１０に対して、密着層９１、９２の構造において異なる。薄膜デバイス１０Ｂの他の構成は、薄膜デバイス１０と同様であり、同様の箇所の説明は省略する。
　図１０に示すように、密着層９１は、金属層６２および密着層９２に対向する側の端部９１１のみが金属層６１の端部６１１よりも突出している。
　マイグレーションは、正極側である金属層６１と負極側である金属層６２との間で発生し、デンドライト（樹枝状結晶）は、正極側である金属層６１を起点として負極側である金属層６２に延びる。
　したがって、このような構成であっても、マイグレーションの発生を抑制できる。また、金属層６１の面積を大きくできるので、金属層６１および密着層９１からなる配線電極の抵抗を低下させることができる。
　なお、図１０に示すように、負極側である金属層６２と密着層９２とでは、端部が面一であってもよく、密着層９２の端部が金属層６２の端部よりも必ずしも突出していなくても、上述の作用効果が得られる。
　上述の説明では、薄膜デバイスの機能素子としてキャパシタを用いる態様を示したが、ＥＳＤ保護素子、可変キャパシタ素子等の正極端子と負極端子を備える機能素子に対する再配線層にも、上述の構成を適用することができる。
１０、１０Ａ、１０Ｂ：薄膜デバイス
２０：ベース基板
３０：キャパシタ層
３１：第１キャパシタ電極
３２：第２キャパシタ電極
３３：誘電体層
４１、４２：絶縁体層
５１、５２：基材入出力電極
５３：樹脂絶縁層
５４：表面
６１、６２：金属層
７１：樹脂絶縁層
８１、８２：端子電極
８１Ａ、８２Ａ：半田バンプ
９１、９２、９３、９４：密着層
５０１、５０２：コンタクトホール
５３０：表面部
５３１：側面部
６００：金属層
６０１、６０２：コンタクトホール
６１１、６２１：端部
９００、９００Ｄ、９００Ｕ：密着層
９１１、９２１、９３１、９４１：端部
Ｒｅ：レジスト膜
ＲｅＨ：レジスト非形成部

Claims (7)

  1. 　基材部と、
    　基材部の表面側に形成された再配線層と、
    　を備え、
    　前記再配線層は、
    　前記基材部側から順次配置された第１樹脂絶縁層および第２樹脂絶縁層と、
    　前記第１樹脂絶縁層と前記第２樹脂絶縁層との界面に配置された配線電極と、を含み、
    　前記配線電極は、少なくとも第１配線電極を備え、
    　前記第１配線電極は、
    　前記第１樹脂絶縁層の表面に配置された密着層と、
    　前記密着層の表面に配置された金属層と、
    　を備え、
    　前記第１配線電極の端部において、前記界面に沿って、前記密着層は、前記金属層よりも第１の所定長さだけ突出している、
    　薄膜デバイス。
  2. 　前記基材部の表面または内部には、正極端子と負極端子とを有する機能素子が備えられており、
    　前記配線電極は、
    　前記正極端子に接続する前記第１配線電極と、前記負極端子に接続する第２配線電極とを、備え、
    　前記第２配線電極に対向する前記第１配線電極の前記端部において、前記界面に沿って、前記第１配線電極の前記密着層は、前記第１配線電極の前記金属層よりも前記第１の所定長さだけ突出している、
    　請求項１に記載の薄膜デバイス。
  3. 　前記金属層の厚みは、前記密着層の厚みよりも大きい、
    　請求項１または請求項２に記載の薄膜デバイス。
  4. 　前記金属層は、銅もしくは銅を主成分とする合金であり、
    　前記密着層は、チタンまたはチタンを主成分とする材質である、
    　請求項１乃至請求項３のいずれかに記載の薄膜デバイス。
  5. 　前記金属層は、前記第１樹脂絶縁層の表面に配置された密着層が密着される第１面と、前記第１面に対向する第２面とを有し、
    　前記配線電極は、前記第２面に密着した密着層を備え、
    　前記第２面に密着した密着層は、前記第１樹脂絶縁層の表面に配置された密着層と同じ材質であり、
    　前記第１配線電極の端部において、前記界面に沿って、前記第２面に密着した密着層は、前記金属層よりも第２の所定長さだけ突出している、
    　請求項１乃至請求項４のいずれかに記載の薄膜デバイス。
  6. 　前記第１の所定長さ、または、前記第２の所定長さは、前記金属層の厚み以上である、
    　請求項５に記載の薄膜デバイス。
  7. 　基材部と、前記基材部の表面側に形成され、密着層と金属層とを有する配線電極を含む再配線層と、を備えた薄膜デバイスの製造方法であって、
    　前記再配線層における下地の樹脂絶縁層の表面に前記密着層を形成する工程と、
    　前記密着層の表面に前記金属層を形成する工程と、
    　前記金属層の表面にレジスト膜を形成する工程と、
    　前記レジスト膜のレジストパターンを用いて、前記金属層を選択エッチングする工程と、
    　前記レジスト膜のレジストパターンを用いて、前記密着層を選択エッチングする工程と、
    　前記レジスト膜のレジストパターンを用いて、前記金属層を追加エッチングする工程と、
    　前記レジスト膜を剥離する工程と、
    　を有する、薄膜デバイスの製造方法。
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