JPWO2016158020A1 - 半導体モジュール - Google Patents

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教文 山田
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Abstract

線膨張係数が異なる積層基板および冷却器を、クラックおよび破断の発生を防止しつつはんだで接合する。回路板と、絶縁板と、金属板とが積層して構成される積層基板と、回路板に搭載される半導体チップと、はんだにより金属板に接合される冷却器と、を備え、冷却器は、金属板に接合される第１板部と、第１板部と対向する第２板部と、第１板部および第２板部の間に配置される複数の波型フィンとを有し、複数の波型フィンは、第１板部および第２板部に繋がっており、第１板部、第２板部、および複数の波型フィンで、冷媒が通過する流路を構成する半導体モジュールを提供する。

Description

本発明は、半導体モジュールに関する。
ハイブリッド自動車や電気自動車等に代表されるモータを使用する機器には、省エネルギーの目的で電力変換装置が利用されている。当該電力変換装置には、ＩＧＢＴ（Ｉｎｓｕｌａｔｅｄ Ｇａｔｅ Ｂｉｐｏｌａｒ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のパワー半導体素子を含む半導体モジュールが広く用いられている。そして、パワー半導体素子は大電流を制御する際に発熱するため、このパワー半導体素子を冷却するための冷却器を備える半導体モジュールが知られている（例えば、特許文献１〜６参照）。
特許文献１ 特開２００７−１４２４７２号公報
特許文献２ 特開平１０−２００２７８号公報
特許文献３ 特開２０１３−１６５２９８号公報
特許文献４ 特開２０１２−１４２４６５号公報
特許文献５ 特許第５３８１５６１号公報
特許文献６ 特開２０１１−１７１６８６号公報
しかしながら、パワー半導体素子を搭載する積層基板と比較して、当該積層基板を冷却する冷却器の線膨張係数が数倍程度異なることがある。このような半導体モジュールに対して熱サイクル試験を実行すると、当該積層基板および冷却器を接合するはんだ層に熱応力が発生してしまい、クラックおよび／または破断が生じることがあった。
本発明の第１の態様においては、回路板と、絶縁板と、金属板とが積層して構成される積層基板と、前記回路板に搭載される半導体チップと、はんだにより前記金属板に接合される冷却器と、を備え、冷却器は、前記金属板に接合される第１板部と、前記第１板部と対向する第２板部と、前記第１板部および前記第２板部の間に配置される複数の波型フィンとを有し、複数の前記波型フィンは、前記第１板部および前記第２板部に繋がっており、前記第１板部、前記第２板部、および複数の前記波型フィンで、冷媒が通過する流路を構成する半導体モジュールを提供する。
（一般的開示）
（項目１）
半導体モジュールは、回路板と、絶縁板と、金属板とが積層して構成される積層基板を備えてよい。
半導体モジュールは、回路板に搭載される半導体チップを備えてよい。
半導体モジュールは、はんだにより金属板に接合される冷却器を備えてよい。
冷却器は、金属板と接合される第１板部を有してよい。
冷却器は、第１板部と対向する第２板部を有してよい。
冷却器は、第１板部および第２板部の間に配置される複数の波型フィンを有してよい。
複数の波型フィンは、第１板部および第２板部に繋がってよい。
第１板部、第２板部、および複数の波型フィンは、冷媒が通過する流路を構成してよい。
（項目２）
複数の波型フィンのそれぞれの厚みが、０．５ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下でよい。
（項目３）
複数の波型フィンのそれぞれの波ピッチが、２ｍｍ以上、４ｍｍ以下でよい。
（項目４）
複数の波型フィンの波角度が、２０°以上、３５°以下でよい。
（項目５）
金属板の厚みが、０．６ｍｍ以上、１．０ｍｍ未満でよい。
（項目６）
半導体モジュールは、硬質樹脂で構成され、半導体チップおよび積層基板を封止する樹脂部をさらに備えてよい。
金属板のはんだ接合面は、樹脂部から露出してよい。
（項目７）
金属板のはんだ接合面は、樹脂部から突出してよい。
（項目８）
金属板の厚みが、０．５ｍｍ以上、１．０ｍｍ未満でよい。
（項目９）
金属板が、絶縁板に接合される金属層と、金属層に接合される第１ヒートスプレッダで構成されてよい。
（項目１０）
回路板が、絶縁板に接合される回路層と、回路層に接合される第２ヒートスプレッダで構成されてよい。
なお、上記の発明の概要は、本発明の必要な特徴の全てを列挙したものではない。また、これらの特徴群のサブコンビネーションもまた、発明となりうる。
本実施形態に係る半導体モジュール１００の構成例を示す。 本実施形態に係る複数の波型フィン１５６の一例を示す。 本実施形態に係る波型フィン１５６のフィン厚Ｗに対するはんだ層１４０の塑性ひずみ振幅の関係を算出した結果の一例を示す。 本実施形態に係る波型フィン１５６の波ピッチＰに対するはんだ層１４０の塑性ひずみ振幅の関係を算出した結果の一例を示す。 本実施形態に係る波型フィン１５６の波角度αに対するはんだ層１４０の塑性ひずみ振幅の関係を算出した結果の一例を示す。 本実施形態に係る半導体モジュール１００の第１の変形例を示す。 本実施形態に係る金属板１１２の厚さに対するはんだ層１４０の塑性ひずみ振幅の関係を算出した結果の一例を示す。 本実施形態に係る半導体モジュール１００の第２の変形例を示す。 本実施形態に係る半導体モジュール１００の第３の変形例を示す。 本実施形態に係る半導体モジュール１００の第４の変形例を示す。
以下、発明の実施の形態を通じて本発明を説明するが、以下の実施形態は請求の範囲にかかる発明を限定するものではない。また、実施形態の中で説明されている特徴の組み合わせの全てが発明の解決手段に必須であるとは限らない。
図１は、本実施形態に係る半導体モジュール１００の構成例を示す。図１において、紙面の横方向をＸ軸、縦方向をＺ軸とし、紙面に対して垂直な方向をＹ軸とした。半導体モジュール１００は、半導体チップ１０と、積層基板１２０と、冷却器１５０とを備える。半導体モジュール１００は、線膨張係数が異なる積層基板１２０および冷却器１５０を、クラックおよび破断の発生を防止しつつはんだで接合している。そして、当該積層基板１２０に搭載する半導体チップ１０を、冷却器１５０で冷却する。
半導体チップ１０は、当該半導体モジュール１００が冷却する冷却対象である。半導体チップ１０は、パワー半導体素子でもよく、例えば、絶縁ゲートバイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）、パワーＭＯＳＦＥＴ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ Ｆｉｅｌｄ Ｅｆｆｅｃｔ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）、ＦＷＤ（Ｆｒｅｅ Ｗｈｅｅｌｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等である。半導体チップ１０は、これらの組み合わせでもよく、また、当該組み合わせを１つの半導体素子とした逆阻止ＩＧＢＴ、逆導通ＩＧＢＴ等であってもよい。
積層基板１２０は、回路板１１４と、絶縁板１１０と、金属板１１２とが積層して構成される。積層基板１２０は、金属板１１２側に冷却器１５０が設けられ、回路板１１４側に半導体チップ１０を搭載する。図１は、−Ｚ方向側に冷却器１５０が設けられ、積層基板１２０の＋Ｚ方向側に半導体チップ１０を搭載する例を示す。
絶縁板１１０は、搭載する半導体チップ１０を外部から電気的に絶縁する機能を有し、例えば、Ｓｉ３Ｎ４、ＡｌＮ、およびＡｌ２Ｏ３のうち、少なくとも１つを含む材料で形成される。絶縁板１１０は、一例として、セラミック基板である。
金属板１１２は、絶縁板１１０の一方の面に配置される。金属板１１２は、予め定められた厚みで絶縁板１１０に配置される。金属板１１２は、一例として、絶縁板１１０に直接接合によって接合される。金属板１１２は、はんだ等を用いることにより、絶縁板１１０と他の部品等とを接合させる。
回路板１１４は、絶縁板１１０の他方の面に配置される。図１は、絶縁板１１０の＋Ｚ方向を向く面に、回路板１１４の−Ｚ方向を向く一方の面が接して配置される例を示す。回路板１１４は、回路配線、電源回路、入出力回路等が形成され、半導体チップ１０および当該半導体モジュール１００の外部と電気的に接続される。回路板１１４は、例えば、はんだ層１３０を介して半導体チップ１０と電気的に接続される。これに加えて、回路板１１４は、例えば、ピン配線、ワイヤ配線、および／またはリードフレーム配線を介して半導体チップ１０と電気的に接続されてもよい。
積層基板１２０は、例えばＤＣＢ（Ｄｉｒｅｃｔ Ｃｏｐｐｅｒ Ｂｏｎｄｉｎｇ）基板やＡＭＢ（Ａｃｔｉｖｅ Ｍｅｔａｌ Ｂｌａｚｉｎｇ）基板等を用いることができる。
はんだ層１３０は、半導体チップ１０および回路板１１４を接合して固定する。図１は、回路板１１４の＋Ｚ方向を向く他方の面と、半導体チップ１０の−Ｚ方向を向く一方の面とをはんだ層１３０が接合する例を示す。はんだ層１３０は、例えば、半導体チップ１０および回路板１１４の電源配線および／またはグラウンド配線同士を電気的に接続する。
はんだ層１４０は、積層基板１２０の半導体チップ１０が搭載される面とは反対側の面において、当該積層基板１２０の金属板１１２と冷却器１５０とを接合する。
はんだ層１３０は、半導体チップ１０および積層基板１２０を熱的にも接続する。即ち、積層基板１２０には、はんだ層１３０を介して、半導体チップ１０の温度が伝導する。また、はんだ層１４０は、積層基板１２０および冷却器１５０を熱的に接続する。したがって、当該半導体モジュール１００は、冷却器１５０により、積層基板１２０を冷却することで、半導体チップ１０を冷却することができる。はんだ層１３０およびはんだ層１４０は、一例として、Ｓｎ−Ａｇ系、Ｓｎ−Ｓｂ系、Ｓｎ−Ｓｂ−Ａｇ系のはんだ材料を有する。
冷却器１５０は、はんだ層１４０のはんだ付けにより積層基板１２０の金属板１１２に接合される。冷却器１５０は、例えば、内部に流路を備え、液体または気体の冷媒が通過することにより、熱的に接続した積層基板１２０を冷却する。冷却器１５０は、熱伝導率の高い材料で形成されることが望ましく、例えば、アルミニウム、アルミニウム合金、銅、銅合金等の材料を含む。
ここで、例えば、セラミックスの線膨張係数は、３×１０−６から８×１０−６／℃程度であることに対し、アルミニウムの線膨張係数は２３×１０−６程度、はんだの線膨張係数は２０×１０−６から２５×１０−６／℃程度、銅の線膨張係数は１７×１０−６／℃程度である。このように、はんだおよび冷却器１５０の材料として望ましい材料は、はんだ付けによって固定される積層基板１２０の絶縁板１１０の材料に比べて線膨張係数の値が数倍程度大きい。したがって、従来の半導体モジュールに対して熱サイクル試験等を実施すると、線膨張係数の差に応じた熱応力が発生し、はんだ層にクラックおよび／または破断が生じることがあった。特に、冷却器の積層基板に接合される面の垂直方向（即ち、±Ｚ方向）の撓み（即ち、冷却器の反り）により、接合部のはんだ層に熱応力が加わり、当該はんだ層にクラック等が発生する結果となっていた。
そこで、本実施形態に係る冷却器１５０は、±Ｚ方向の撓みの成分を低下させ、絶縁板１１０との線膨張係数の差を有していてもクラック等の発生を低減させる。冷却器１５０は、第１板部１５２と、第２板部１５４と、複数の波型フィン１５６とを有する。
第１板部１５２は、一方の面において積層基板１２０の金属板１１２にはんだ付けされる。即ち、第１板部１５２は、積層基板１２０を向く＋Ｚ方向の面において、はんだ層１４０によって金属板１１２とはんだ付けされる。第２板部１５４は、第１板部１５２の他方の面と対向する。図１は、第１板部１５２および第２板部１５４がＸＹ面と略平行にそれぞれ配置された例を示す。
波型フィン１５６は、第１板部１５２および第２板部１５４の間に複数配置されている。また、複数の波型フィン１５６は、それぞれが第１板部１５２および第２板部１５４と繋がっている。そして、第１板部１５２、第２板部１５４、および複数の波型フィン１５６で、冷媒が通過する流路を構成している。複数の波型フィン１５６のそれぞれは、例えば、±Ｚ方向から見て、波型の形状を描く。
複数の波型フィン１５６は、例えば、プレス加工、曲げ加工、鋳造等によって形成される。そして、複数の波型フィン１５６と、板状の第１板部１５２および第２板部１５４とをロウ付けなどにより接合して、冷却器１５０を形成することができる。
もしくは、切削加工などにより、第２板部１５４と一体化した複数の波型フィン１５６を形成する。その後に、一体形成した第２板部１５４および複数の波型フィン１５６と、板状の第１板部１５２とをロウ付けなどにより接合して、冷却器１５０を形成しても良い。
複数の波型フィン１５６は、例えば、第１板部１５２および第２板部１５４の間において、略平行に配置される。複数の波型フィン１５６のうち隣り合う２つの波型フィン１５６は、予め定められた間隔に配置されてもよく、例えば、複数の波型フィン１５６は略等間隔に配置される。複数の波型フィン１５６について、図２を用いて説明する。
図２は、本実施形態に係る複数の波型フィン１５６の一例を示す。図２は、複数の波型フィン１５６のＸＹ平面と略平行な断面の一例を示す。図２は、複数の波型フィン１５６がＸ方向に平行かつ等間隔に配列された例を示す。これにより、冷媒が通過する流路は、Ｙ方向に形成される。
以上の本実施形態に係る半導体モジュール１００は、冷却器１５０の第１板部１５２、第２板部１５４、および複数の波型フィン１５６によって構成される流路に冷媒が通過することにより、積層基板１２０を冷却する。このように、冷却器１５０は、複数の波型フィン１５６を用いるので、放熱効率を向上させることができる。また、複数の波型フィン１５６は、第１板部１５２だけでなく、第２板部１５４にも繋がって固定されるので、周囲温度が変動して熱膨張等が生じても、第１板部１５２の±Ｚ方向の撓み（即ち、反り）の発生を低減させることができる。したがって、はんだ層１４０の割れ、欠け、クラック、および破壊の発生を防止することができる。
以上のように、本実施形態に係る半導体モジュール１００は、動作時の熱サイクルに起因するクラックの発生を低減させて、信頼性を向上させることができる。
このような半導体モジュール１００は、波型フィン１５６のパラメータ（例えば、図２に示すフィン厚Ｗ、波ピッチＰ、波角度α）を適切に設定することで、さらに信頼性を向上させることができる。例えば、はんだ層１４０の信頼性を向上させる要素として、はんだの低サイクル疲労寿命の向上が挙げられる。一般的に、はんだの低サイクル疲労寿命は、次式に示すマンソン−コフィン則に従うと考えられている。
［数１］
ΔεｐＮｆ ｂ＝Ｃ
ここで、Δεｐは塑性ひずみ振幅、Ｎｆは疲労寿命、ｂおよびＣは材料によって定まる定数である。したがって、はんだの疲労寿命を延ばすためには、当該はんだの塑性ひずみ振幅を小さくすればよいことが分かる。
そこで、本実施形態に係る半導体モジュール１００について、熱応力シミュレーションにより、−４０℃から１２５℃の熱サイクルを加えた場合のはんだ層１４０に発生する塑性ひずみ振幅を算出した。
本実施形態で説明するシミュレーションにおいて、絶縁板１１０を０．３２ｍｍ厚のＳｉ３Ｎ４基板、回路板１１４および金属板１１２を０．４ｍｍ厚の銅、はんだ層１４０を０．２５ｍｍ厚のＳｎ−Ｓｂ−Ａｇ系のはんだとした。また、冷却器１５０は、アルミニウム合金（Ａ６０６３）で形成され、第１板部１５２および第２板部１５４は、１ｍｍ厚とした。波型フィン１５６のＺ方向の高さ（即ち、第１板部１５２および第２板部１５４の間隔）を８ｍｍ、流路の幅Ｆを０．９ｍｍとした。
図３は、本実施形態に係る波型フィン１５６のフィン厚Ｗに対するはんだ層１４０の塑性ひずみ振幅の関係を算出した結果の一例を示す。フィン厚Ｗが０．５ｍｍ未満であると、波型フィン１５６の総体積が小さいため冷却器１５０が反りやすくなり、塑性ひずみ振幅が大きくなる。また、フィン厚が０．８ｍｍより大きいと、波型フィン１５６の総体積が大きくなるので、第１板部１５２の厚さを増加させることに相当する。即ち、第１板部１５２の熱による伸縮の力が増加し、塑性ひずみ振幅が大きくなる。
したがって、複数の波型フィン１５６のそれぞれのフィン厚Ｗは、０．５ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下であることが好ましい。また、複数の波型フィン１５６のそれぞれの厚みが、０．６ｍｍ以上、０．７ｍｍ以下であることがより好ましい。
図４は、本実施形態に係る波型フィン１５６の波ピッチＰに対するはんだ層１４０の塑性ひずみ振幅の関係を算出した結果の一例を示す。波ピッチＰが４ｍｍ以下の範囲で、はんだの塑性ひずみ振幅が小さくなる。一方、波ピッチＰが４ｍｍよりも大きいと、波型の山と谷の深さが深くなり、冷却器のＸ方向の剛性が高くなるため、塑性ひずみ振幅が大きくなる。したがって、複数の波型フィン１５６のそれぞれの波ピッチが、４ｍｍ以下であることが好ましい。また、波ピッチＰを２ｍｍ未満に形成する場合、加工精度を確保することが困難となる場合がある。そこで、複数の波型フィン１５６の波ピッチは、２ｍｍ以上、４ｍｍ以下であることがより好ましい。
図５は、本実施形態に係る波型フィン１５６の波角度αに対するはんだ層１４０の塑性ひずみ振幅の関係を算出した結果の一例を示す。波角度αが２０°以上の範囲で塑性ひずみ振幅が小さくなる。即ち、波角度αが２０°より小さくなると、波型の形状を有さないストレート形状のフィンに近くなり、総体積が小さくなった冷却器１５０が反りやすくなり、塑性ひずみ振幅が大きくなる。したがって、複数の波型フィン１５６の波角度が、２０°以上であることが好ましい。また、複数の波型フィン１５６の波角度が３５°より大きくなると、流路抵抗が大きくなるため、冷却器１５０の冷却効率が低下してしまう。そこで、複数の波型フィン１５６の波角度は、２０°以上、３５°以下であることがより好ましい。
以上の本実施形態に係る半導体モジュール１００において、金属板１１２を０．４ｍｍ厚の銅としてシミュレーションを実行したことを説明した。ここで、金属板１１２は、絶縁板１１０に直接接合されているので、金属板１１２の厚さを変えることにより、絶縁板１１０の熱による伸縮がはんだ層１４０へ及ぼす影響を制御するともできる。特に、金属板１１２の厚さをより厚くすることで、絶縁板１１０によるはんだ層１４０への影響を低減することができる。即ち、金属板１１２の厚みは、０．６ｍｍ以上であることが望ましい。
しかしながら、金属板１１２の厚みが１．０ｍｍ以上になると、はんだ処理の回数を繰り返すことにより、絶縁板１１０へのクラックが発生する。また、回路板１１４の絶縁板１１０からの乖離や、金属板１１２の絶縁板１１０からの乖離が発生してしまうことがある。すなわち、金属板１１２の厚みは、０．６ｍｍ以上、１．０ｍｍ未満であることが望ましい。
以上のように、本実施形態に係る半導体モジュール１００は、波型フィン１５６のパラメータおよび金属板１１２の厚さを適切にすることで、はんだ層１４０に加わる熱応力を低減させ、クラック等の発生を低減させることができる。このような半導体モジュール１００の信頼性を向上させるべく、モジュール全体を樹脂によって封止することが知られている。しかしながら、モジュール全体を封止すると、樹脂体積が増加してしまい、樹脂にクラックが入ることがあった。そこで、このようなクラックが樹脂に発生することを防止する半導体モジュール１００を、次に説明する。
図６は、本実施形態に係る半導体モジュール１００の第１の変形例を示す。第１の変形例の半導体モジュール１００において、図１に示された本実施形態に係る半導体モジュール１００の動作と略同一のものには同一の符号を付け、説明を省略する。第１の変形例の半導体モジュール１００は、樹脂部２１０を更に備える。
樹脂部２１０は、例えば、絶縁性を有する硬質樹脂である。樹脂部２１０は、一例として、エポキシ樹脂である。樹脂部２１０は、半導体チップ１０、はんだ層１３０、および積層基板１２０を覆い、それらを封止している。また、樹脂部２１０は、金属板１１２のはんだ接合面を露出させている。樹脂部２１０で封止することにより、半導体モジュール１００の信頼性を向上させることができる。
このような半導体モジュール１００に対して、図３から図５で説明したシミュレーションと同様のシミュレーションを実行した。当該シミュレーションにおいて、絶縁板１１０を０．３２ｍｍ厚のＳｉ３Ｎ４基板、回路板１１４を０．４ｍｍ厚の銅、はんだ層１４０を０．２５ｍｍ厚のＳｎ−Ｓｂ−Ａｇ系のはんだとした。また、冷却器１５０は、アルミニウム合金（Ａ６０６３）で形成され、第１板部１５２および第２板部１５４は、１ｍｍ厚とした。波型フィン１５６のＺ方向の高さ（即ち、第１板部１５２および第２板部１５４の間隔）を８ｍｍ、流路の幅Ｆを０．９ｍｍ、フィン厚を０．８ｍｍとした。そして、金属板１１２の厚さをパラメータとして塑性ひずみ振幅を算出した。
図７は、本実施形態に係る金属板１１２の厚みに対するはんだ層１４０の塑性ひずみ振幅の関係を算出した結果の一例を示す。金属板１１２の厚みを厚くすることで、塑性ひずみ振幅を低減できることが分かる。特に、金属板１１２の厚みが０．６ｍｍ以上で塑性ひずみ振幅の低減の効果が大きい。即ち、金属板１１２の厚みは、０．６ｍｍ以上であることが望ましい。
なお、図７に示すシミュレーション結果から、金属板１１２の厚みを１．０ｍｍ以上にしても塑性ひずみ振幅を低減できることが予想される。しかしながら、前述のとおり、金属板１１２の厚みが１．０ｍｍ以上になると、はんだ処理の回数を繰り返すことによって不良が発生してしまう場合がある。そこで、金属板１１２の厚みは、０．６ｍｍ以上、１．０ｍｍ未満であることがより望ましい。
図８は、本実施形態に係る半導体モジュール１００の第２の変形例を示す。第２の変形例の半導体モジュール１００において、図６に示された半導体モジュール１００の第１の変形例の動作と略同一のものには同一の符号を付け、説明を省略する。
第２の変形例の半導体モジュール１００において、金属板１１２のはんだ接合面は、樹脂部２１０から突出している。すなわち、樹脂部２１０およびはんだ層１４０の間に空間を設けている。言い換えると、樹脂部２１０およびはんだ層１４０の間に金属板１１２を介在させ、樹脂部２１０がはんだ層１４０に接することを防止している。これにより、熱サイクルを加えた場合の樹脂部２１０の伸縮を、はんだ層１４０に直接伝わることを防止することができる。このように、半導体モジュール１００を樹脂部２１０で封止する場合において、樹脂部２１０およびはんだ層１４０の間に空間を設けることにより、熱サイクルを印加した場合のはんだ層１４０に加わる熱応力を低減させることができる。そのため、半導体モジュール１００の信頼性をより向上させることができる。
第２の変形例の半導体モジュール１００におけるシミュレーション結果を、図７の四角形で示す。当該シミュレーション結果は、金属板１１２の突出した厚みを金属板１１２の厚みの半分とし、他のパラメータを、第１の変形例の半導体モジュール１００におけるシミュレーションに用いたパラメータと略同一にしたものである。図７より、第２の変形例の半導体モジュール１００は、第１の変形例の半導体モジュール１００と比較して、塑性ひずみ振幅を低減できることが分かる。特に、金属板１１２の厚みが０．５ｍｍ以上で塑性ひずみ振幅の低減の効果が大きい。即ち、金属板１１２の厚みは、０．５ｍｍ以上であることが望ましい。また、前述のとおり、金属板１１２の厚みが１．０ｍｍ以上になると、はんだ処理の回数を繰り返すことによって不良が発生してしまう場合がある。そこで、第２の変形例において、金属板１１２の厚みは、０．５ｍｍ以上、１．０ｍｍ未満であることがより望ましい。
図９は、本実施形態に係る半導体モジュール１００の第３の変形例を示す。第３の変形例の半導体モジュール１００において、図６に示された半導体モジュール１００の第１の変形例の動作と略同一のものには同一の符号を付け、説明を省略する。第３の変形例の半導体モジュール１００では、金属板１１２が、金属層１１２ａと、第１ヒートスプレッダ１１２ｂと、それらを接合するはんだ層１１２ｃとで構成される。また、回路板１１４が、回路層１１４ａと、第２ヒートスプレッダ１１４ｂと、それらを接合するはんだ層１１４ｃとで構成される。
絶縁板１１０の一方の面において、金属層１１２ａが接合されて設けられている。そして、第１ヒートスプレッダ１１２ｂは、金属層１１２ａと冷却器１５０との間に設けられている。また、第１ヒートスプレッダ１１２ｂは、金属層１１２ａにはんだ層１１２ｃで接合される。冷却器１５０は、第１ヒートスプレッダ１１２ｂにはんだ層１４０ではんだ付けされる。はんだ層１１２ｃは、一例として、はんだ層１４０と略同一の材料を含む。
絶縁板１１０の他方の面において、回路層１１４ａが接合されて設けられている。そして、第２ヒートスプレッダ１１４ｂは、半導体チップ１０と回路層１１４ａとの間に設けられている。また、第２ヒートスプレッダ１１４ｂは、回路層１１４ａとはんだ層１１４ｃで接合される。半導体チップ１０は、第２ヒートスプレッダ１１４ｂにはんだ層１３０ではんだ付けされる。はんだ層１１４ｃは、一例として、はんだ層１４０と略同一の材料を含む。
第１ヒートスプレッダ１１２ｂは、はんだ層１４０およびはんだ層１１２ｃの線膨張係数に近い値の線膨張係数を有することが望ましい。これにより、第１ヒートスプレッダ１１２ｂは、絶縁板１１０からはんだ層１４０に加わる熱応力を緩和させて低減させることができる。
第２ヒートスプレッダ１１４ｂは、半導体チップ１０で発生する熱を拡散させ、熱抵抗を低減させる。第２ヒートスプレッダ１１４ｂは、はんだ層１３０およびはんだ層１１４ｃの線膨張係数に近い値の線膨張係数を有することが望ましい。第１ヒートスプレッダ１１２ｂおよび第２ヒートスプレッダ１１４ｂは、一例として、銅を材料として含む。また、第２ヒートスプレッダ１１４ｂは、第１ヒートスプレッダ１１２ｂと略同一の材料で形成されてもよい。
樹脂部２１０は、半導体チップ１０、はんだ層１３０、第２ヒートスプレッダ１１４ｂ、はんだ層１１４ｃ、回路層１１４ａ、絶縁板１１０、金属層１１２ａ、はんだ層１１２ｃ、および第１ヒートスプレッダ１１２ｂを覆い、封止している。また、樹脂部２１０は、第１ヒートスプレッダ１１２ｂのはんだ層１４０側のはんだ接合面を露出させる。
第１ヒートスプレッダ１１２ｂの厚みは、厚い方が金属板１１２の合計の厚みが増えるため、効果が高まる。即ち、金属層１１２ａおよび第１ヒートスプレッダ１１２ｂの厚みの合計が、０．６ｍｍ以上、１．０ｍｍ未満であることが望ましい。
以上の第３の変形例の半導体モジュール１００において、はんだ層１１２ｃおよびはんだ層１１４ｃの厚みを０．１ｍｍにし、図７に示すシミュレーションと同様のシミュレーションを実行した。シミュレーション結果より、第３の変形例の半導体モジュール１００は、第１の変形例の半導体モジュール１００と同様に、塑性ひずみ振幅を低減できることが分かった。
図１０は、本実施形態に係る半導体モジュール１００の第４の変形例を示す。第４の変形例の半導体モジュール１００において、図８および図９に示された半導体モジュール１００の第２の変形例および第３の変形例の動作と略同一のものには同一の符号を付け、説明を省略する。第４の変形例の半導体モジュール１００は、第３の変形例の半導体モジュール１００と同様に、金属板１１２が、金属層１１２ａと、第１ヒートスプレッダ１１２ｂと、それらを接合するはんだ層１１２ｃとで構成される。また、回路板１１４が、回路層１１４ａと、第２ヒートスプレッダ１１４ｂと、それらを接合するはんだ層１１４ｃとで構成される。また、第４の変形例の半導体モジュール１００は、第２の変形例の半導体モジュール１００と同様に、金属板１１２の第１ヒートスプレッダ１１２ｂは、樹脂部２１０から突出している。
このように、金属板１１２の第１ヒートスプレッダ１１２ｂは、樹脂部２１０の−Ｚ方向を向く面（即ち、底面）から突出しているので、当該半導体モジュール１００に熱サイクルを印加した場合、樹脂部２１０からはんだ層１４０に加わる熱応力を更に低減させることができる。
以上の第４の変形例の半導体モジュール１００において、はんだ層１１２ｃおよびはんだ層１１４ｃの厚みを０．１ｍｍにし、図７に示すシミュレーションと同様のシミュレーションを実行した。シミュレーション結果より、第４の変形例の半導体モジュール１００は、第２の変形例の半導体モジュール１００と同様に、塑性ひずみ振幅を低減できることが分かった。
なお、第３および第４の変形例の半導体モジュール１００において、回路板１１４が、回路層１１４ａと、第２ヒートスプレッダ１１４ｂと、それらを接合するはんだ層１１４ｃとで構成されることを説明した。ここで、第２ヒートスプレッダ１１４ｂは、半導体チップ１０および絶縁板１１０の間において熱抵抗に問題がなければ、無くてもよい。また、半導体モジュール１００の製造上、および／または設計上、絶縁板１１０の半導体チップ１０側および冷却器１５０側の間のバランスを保つ目的で、第２ヒートスプレッダ１１４ｂを設けてもよい。
第１ないし第４の変形例の半導体モジュール１００の製造方法は、以下の工程となる。まず、準備された積層基板１２０の回路板１１４に、半導体チップ１０をはんだ付け（すなわち、はんだ層１３０を形成）する。次に、それらの構成部材を、金属板１１２のはんだ接合面が露出するように、樹脂部２１０でモールド封止する。最後に、準備された冷却器１５０と、金属板１１２のはんだ接合面をはんだ付け（すなわち、はんだ層１４０を形成）する。
以上、本発明を実施の形態を用いて説明したが、本発明の技術的範囲は上記実施の形態に記載の範囲には限定されない。上記実施の形態に、多様な変更または改良を加えることが可能であることが当業者に明らかである。その様な変更または改良を加えた形態も本発明の技術的範囲に含まれ得ることが、請求の範囲の記載から明らかである。
請求の範囲、明細書、および図面中の動作フローに関して、便宜上「まず、」、「次に、」等を用いて説明したとしても、この順で実施することが必須であることを意味するものではない。
１０ 半導体チップ、１００ 半導体モジュール、１１０ 絶縁板、１１２ 金属板、１１２ａ 金属層、１１２ｂ 第１ヒートスプレッダ、１１２ｃ はんだ層、１１４ 回路板、１１４ａ 回路層、１１４ｂ 第２ヒートスプレッダ、１１４ｃ はんだ層、１２０ 積層基板、１３０ はんだ層、１４０ はんだ層、１５０ 冷却器、１５２ 第１板部、１５４ 第２板部、１５６ 波型フィン、２１０ 樹脂部

Claims (10)

  1. 回路板と、絶縁板と、金属板とが積層して構成される積層基板と、
    前記回路板に搭載される半導体チップと、
    はんだにより前記金属板に接合される冷却器と、
    を備え、
    前記冷却器は、
    前記金属板と接合される第１板部と、
    前記第１板部と対向する第２板部と、
    前記第１板部および前記第２板部の間に配置される複数の波型フィンと、
    を有し、
    前記複数の波型フィンは、前記第１板部および前記第２板部に繋がっており、
    前記第１板部、前記第２板部、および前記複数の波型フィンで、冷媒が通過する流路を構成する
    半導体モジュール。
  2. 前記複数の波型フィンのそれぞれの厚みが、０．５ｍｍ以上、０．８ｍｍ以下である請求項１に記載の半導体モジュール。
  3. 前記複数の波型フィンのそれぞれの波ピッチが、２ｍｍ以上、４ｍｍ以下である請求項１または２に記載の半導体モジュール。
  4. 前記複数の波型フィンの波角度が、２０°以上、３５°以下である請求項１から３のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
  5. 前記金属板の厚みが、０．６ｍｍ以上、１．０ｍｍ未満である請求項１から４のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
  6. 硬質樹脂で構成され、前記半導体チップおよび前記積層基板を封止する樹脂部をさらに備え、
    前記金属板のはんだ接合面は、前記樹脂部から露出している請求項１から５のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
  7. 前記金属板のはんだ接合面は、前記樹脂部から突出している請求項６に記載の半導体モジュール。
  8. 前記金属板の厚みが、０．５ｍｍ以上、１．０ｍｍ未満である請求項７に記載の半導体モジュール。
  9. 前記金属板が、前記絶縁板に接合される金属層と、前記金属層に接合される第１ヒートスプレッダで構成される請求項１から８のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
  10. 前記回路板が、前記絶縁板に接合される回路層と、前記回路層に接合される第２ヒートスプレッダで構成される請求項１から９のいずれか一項に記載の半導体モジュール。
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