JPWO2016140073A1 - 導電層付き基板、タッチパネル用透明電極付き基板及びそれらの製造方法 - Google Patents
導電層付き基板、タッチパネル用透明電極付き基板及びそれらの製造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2016140073A1 JPWO2016140073A1 JP2017503413A JP2017503413A JPWO2016140073A1 JP WO2016140073 A1 JPWO2016140073 A1 JP WO2016140073A1 JP 2017503413 A JP2017503413 A JP 2017503413A JP 2017503413 A JP2017503413 A JP 2017503413A JP WO2016140073 A1 JPWO2016140073 A1 JP WO2016140073A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- layer
- substrate
- metal
- thin film
- metal oxide
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 163
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 44
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 206
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 206
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 166
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 139
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims abstract description 139
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 135
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 83
- 239000010949 copper Substances 0.000 claims abstract description 80
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 45
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims abstract description 24
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 15
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 239000004332 silver Substances 0.000 claims abstract description 15
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims abstract description 13
- 230000014509 gene expression Effects 0.000 claims abstract description 7
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 47
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 35
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 34
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 34
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 23
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 23
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 claims description 13
- QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N Copper oxide Chemical class [Cu]=O QPLDLSVMHZLSFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000005751 Copper oxide Substances 0.000 claims description 2
- 229910000431 copper oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229910000480 nickel oxide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 80
- 230000004313 glare Effects 0.000 abstract description 37
- 230000002265 prevention Effects 0.000 abstract description 13
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 375
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 26
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 13
- 239000000463 material Substances 0.000 description 12
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 11
- 229910018054 Ni-Cu Inorganic materials 0.000 description 10
- 229910018481 Ni—Cu Inorganic materials 0.000 description 10
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 8
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 8
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 6
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 6
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 6
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 5
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 description 5
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 4
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 4
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 4
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 description 4
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 4
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 4
- 229910021578 Iron(III) chloride Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 3
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 3
- YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N copper nickel Chemical compound [Ni].[Cu] YOCUPQPZWBBYIX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000007872 degassing Methods 0.000 description 3
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 3
- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K iron trichloride Chemical compound Cl[Fe](Cl)Cl RBTARNINKXHZNM-UHFFFAOYSA-K 0.000 description 3
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N [O].[Ar] Chemical compound [O].[Ar] VVTSZOCINPYFDP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 229910000365 copper sulfate Inorganic materials 0.000 description 2
- ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L copper(II) sulfate Chemical compound [Cu+2].[O-][S+2]([O-])([O-])[O-] ARUVKPQLZAKDPS-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000009826 distribution Methods 0.000 description 2
- 238000007772 electroless plating Methods 0.000 description 2
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 238000011835 investigation Methods 0.000 description 2
- FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M iron chloride Chemical compound [Cl-].[Fe] FBAFATDZDUQKNH-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 2
- 229920001707 polybutylene terephthalate Polymers 0.000 description 2
- 229920001225 polyester resin Polymers 0.000 description 2
- 239000004645 polyester resin Substances 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- 229910002059 quaternary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229920006300 shrink film Polymers 0.000 description 2
- 238000009751 slip forming Methods 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000001629 suppression Effects 0.000 description 2
- 229910002058 ternary alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 2
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 2
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 1
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 1
- 229920002799 BoPET Polymers 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012461 cellulose resin Substances 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L copper(II) chloride Chemical compound Cl[Cu]Cl ORTQZVOHEJQUHG-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- LDSIKPHVUGHOOI-UHFFFAOYSA-N copper;oxonickel Chemical compound [Ni].[Cu]=O LDSIKPHVUGHOOI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 1
- 150000001925 cycloalkenes Chemical class 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 239000002346 layers by function Substances 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000002932 luster Substances 0.000 description 1
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 239000002070 nanowire Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 239000011112 polyethylene naphthalate Substances 0.000 description 1
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 1
- 239000009719 polyimide resin Substances 0.000 description 1
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 229920002803 thermoplastic polyurethane Polymers 0.000 description 1
- XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N tin dioxide Chemical compound O=[Sn]=O XOLBLPGZBRYERU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001887 tin oxide Inorganic materials 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/04—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material
- B32B15/08—Layered products comprising a layer of metal comprising metal as the main or only constituent of a layer, which is next to another layer of the same or of a different material of synthetic resin
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B15/00—Layered products comprising a layer of metal
- B32B15/20—Layered products comprising a layer of metal comprising aluminium or copper
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F3/00—Input arrangements for transferring data to be processed into a form capable of being handled by the computer; Output arrangements for transferring data from processing unit to output unit, e.g. interface arrangements
- G06F3/01—Input arrangements or combined input and output arrangements for interaction between user and computer
- G06F3/03—Arrangements for converting the position or the displacement of a member into a coded form
- G06F3/041—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means
- G06F3/044—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means
- G06F3/0443—Digitisers, e.g. for touch screens or touch pads, characterised by the transducing means by capacitive means using a single layer of sensing electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B5/00—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form
- H01B5/14—Non-insulated conductors or conductive bodies characterised by their form comprising conductive layers or films on insulating-supports
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/20—Properties of the layers or laminate having particular electrical or magnetic properties, e.g. piezoelectric
- B32B2307/202—Conductive
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2307/00—Properties of the layers or laminate
- B32B2307/40—Properties of the layers or laminate having particular optical properties
- B32B2307/412—Transparent
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2309/00—Parameters for the laminating or treatment process; Apparatus details
- B32B2309/08—Dimensions, e.g. volume
- B32B2309/10—Dimensions, e.g. volume linear, e.g. length, distance, width
- B32B2309/105—Thickness
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B32—LAYERED PRODUCTS
- B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
- B32B2457/00—Electrical equipment
- B32B2457/20—Displays, e.g. liquid crystal displays, plasma displays
- B32B2457/208—Touch screens
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04103—Manufacturing, i.e. details related to manufacturing processes specially suited for touch sensitive devices
-
- G—PHYSICS
- G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
- G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
- G06F2203/00—Indexing scheme relating to G06F3/00 - G06F3/048
- G06F2203/041—Indexing scheme relating to G06F3/041 - G06F3/045
- G06F2203/04112—Electrode mesh in capacitive digitiser: electrode for touch sensing is formed of a mesh of very fine, normally metallic, interconnected lines that are almost invisible to see. This provides a quite large but transparent electrode surface, without need for ITO or similar transparent conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0036—Details
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Engineering & Computer Science (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Human Computer Interaction (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Non-Insulated Conductors (AREA)
- Position Input By Displaying (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
Abstract
Description
金属層のギラツキ防止の従来の技術として、黒色金属層を積層する技術(特許文献2,3,4)が開示されている。
本発明の目的は、ギラツキ防止特性とエッチング特性の両方を向上させ得る導電層付き基板、その製造方法、タッチパネル用透明電極付き基板を提供することである。
前記薄膜下地層はニッケル及び銅又はそれらの酸化物を主成分とし、前記金属酸化物層はニッケルと銅の酸化物を主成分とし、第1の金属層は金、銀、銅の少なくとも1種を主成分とするものであり、
(1)前記薄膜下地層の膜厚は20nm以下、
(2)前記金属酸化物層の膜厚は80nm以下、
(3)前記薄膜下地層の膜厚≦前記金属酸化物層の膜厚、
上記の関係式(1)〜(3)を満たすことを特徴としている。
(a)前記薄膜下地層の1/2の膜厚におけるO/(Ni+Cu)の比≦前記金属酸化物層の1/2の膜厚におけるO/(Ni+Cu)の比、の関係式を満たしている。
(d)前記薄膜下地層の前記金属酸化物層との間の界面から9/10の膜厚におけるO/(Ni+Cu)の比<前記金属酸化物層の表面から9/10の膜厚におけるO/(Ni+Cu)の比、の関係式を満たしている。
(e)前記第1の金属層の膜厚が10nm以上500nm以下であり、前記第2の金属層の膜厚が100nm以上10μm以下であり、前記薄膜下地層、前記金属酸化物層、前記第1の金属層、前記第2の金属層の膜厚の合計が10μm以下である。
(f)前記第1の金属層上に金、銀、銅のいずれかを主成分とする第2の金属層を形成する金属層積層工程をさらに有する。
(g)前記薄膜下地層と前記金属酸化物層をスパッタリングによって積層する際の酸素流量/電力密度から算出される値が、薄膜下地層の方が金属酸化物層より小さい。
(h)前記酸素流量/電力密度から算出される値が、薄膜下地層では0以上14以下であり、金属酸化物層では9以上27以下である。
(i)製膜時の圧力が0.6Pa以下である。
第5発明(請求項14)のタッチパネル用透明電極付き基板の製造方法は、前記第3発明に記載の導電層付き基板の製造方法によって製造した導電層付き基板における薄膜下地層と金属酸化物層と第1の金属層とを、1〜10μmの線幅に細線化された細線メッシュ電極に形成する電極形成工程を有する。
第6発明(請求項15)のタッチパネル用透明電極付き基板の製造方法は、前記(f)に記載の導電層付き基板の製造方法によって製造した導電層付き基板における薄膜下地層、金属酸化物層、第1の金属層及び第2の金属層とを、1〜10μmの線幅に細線化された細線メッシュ電極に形成する電極形成工程を有する。
上記のように金属層のギラツキを二重に抑制する関係上、薄膜下地層を形成しない場合に比べて薄膜下地層と金属酸化物層のエッチング特性を向上させることができる。その結果、エッチング特性の向上とギラツキ防止効果の向上を両立させることができ、これまでトレードオフであった両方の特性を満たすものを製作することが可能となった。
第4発明の導電層付き基板の製造方法によれば、第1の金属層をスパッタリングによって形成し、第2の金属層を電解メッキにより積層するため、安定した品質の第2の金属層を第1の金属層よりも厚く形成できる。
第5発明のタッチパネル用透明電極付き基板の製造方法によれば、スパッタリングによって積層した薄膜下地層と金属酸化物層と第1の金属層とをエッチングにより1〜10μmの線幅の細線メッシュ電極に形成できる。
第6発明のタッチパネル用透明電極付き基板の製造方法によれば、スパッタリングによって積層した薄膜下地層と金属酸化物層と第1の金属層と第2の金属層とをエッチングにより1〜10μmの線幅の細線メッシュ電極に形成できる。
図1に示す導電層付き基板Faは、透明フィルム基板1上に薄膜下地層2、金属酸化物層3、金属層4(第1の金属層)をこの順で積層したものである。
図1に示すタッチパネル用透明電極付き基板Fcは、上記の導電層付き基板Faの表面に薄い細線メッシュ状の金属層5(第2の金属層)を形成してから、薄膜下地層2と金属酸化物層3と金属層4をエッチングして、薄膜下地層2と金属酸化物層3と金属層4と金属層5とで細線メッシュ電極を形成したものである。
透明フィルム基板1を構成する透明フィルムは、少なくとも可視光領域で無色透明であり、透明電極層形成温度における耐熱性を有していれば、その材料は特に限定されない。透明フィルムの材料としては、ポリエチレンテレフタレート(PET)、ポリブチレンテレフタレート(PBT)、ポリエチレンナフタレート(PEN)等のポリエステル系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリイミド樹脂、セルロース系樹脂等が挙げられる。中でも、ポリエステル系樹脂が好ましく、ポリエチレンテレフタレートが特に好ましく用いられる。
透明フィルム基板1上には、薄膜下地層2が形成されている。薄膜下地層2は、エッチング特性が良好となる、ギラツキ防止、色目の向上、フィルム基板との密着性を目的とした層である。エッチング特性が良好とは、薄膜下地層2と金属酸化物層3の2層のエッチング時間の合計が、金属層4のエッチング時間の0.05倍以上6倍以内、好ましくは0.1倍以上3倍以内、より好ましくは0.5倍以上2倍以内であることである。
薄膜下地層2の上には、金属酸化物層3が形成される。金属酸化物層3は、ギラツキ防止及び色目の向上を目的とした層である。
金属酸化物層3はニッケルと銅の酸化物を主成分とする。主成分とは、ニッケルと銅の酸化物が膜成分の90%以上を占めることを指す。残り10%の範囲で、銀、タングステン、チタン、クロム等の金属を含有してもよい。ニッケル銅を用いることで、金属層4や、金属層5として銅を使用した場合に、塩化鉄水溶液等による1液でエッチングできること、エッチングレートが近いものが作りやすいこと等の利点がある。
上記のように金属層4のギラツキを二重に抑制する関係上、薄膜下地層2を形成しない場合に比べて薄膜下地層2と金属酸化物層3のエッチング特性を向上させることができる。その結果、エッチング特性の向上とギラツキ防止効果の向上を両立させることができ、これまでトレードオフであった両方の特性を満たすものを製作することが可能となった。
金属酸化物層3の上には、金属層4(第1の金属層)が形成される。金属層4は、導電性を付与することを目的とした膜である。金属層4は銅、銀又は金を主成分とする。主成分とは、銅、銀又は金が膜成分の90%以上を占めることを指す。残り10%の範囲で耐腐食性向上等の特性を向上させるためにその他の金属やドープ物質を含有してもよい。金属層4の製膜方法は規定されないが、無電解めっき、電解めっき、スパッタリングが好ましく、スパッタリングが特に好ましい。
金属層4の上には、必要に応じて適宜、金属層5(第2の金属層)が形成される。金属層5は、金属層4の上に積層することで、抵抗を下げることを目的とした膜である。金属層5は銅、銀又は金を主成分とする。主成分とは、銅、銀又は金が膜成分の90%以上を占めることを指す。残り10%の範囲で耐腐食性向上等の特性を向上させるためにその他の金属やドープ物質を含有してもよい。金属層5の製膜方法は規定されないが、無電解めっき、電解めっきが好ましく、電解めっき特に好ましい。
図2に示す例では、導電層付き基板Faの表面に薄膜状金属層5Aを製膜して導電層付き基板Fbを製作し、この導電層付き基板Fb表面にレジスト6で細線メッシュ電極のポジパターンを形成し、薄膜下地層2と金属酸化物層3と金属層4と薄膜状金属層5Aをエッチングすることで、タッチパネル用透明電極付き基板Fcを製作する。
[薄膜下地層2〜金属層4までの製造工程]
図1,図2は、導電層付き基板とタッチパネル用透明電極付き基板の製造方法の一例を示した説明図である。
図1の(A)に示すように、薄膜下地層2〜金属層4までを形成する製造工程(導電層付き基板Faの製造工程)は、下記に限定されるものではないが、スパッタリング法によって製膜する一例について記載する。
スパッタ時のチャンバー内の圧力は、黒化層(薄膜下地層2)の均一性、積層速度及び(Ni−Cu−O)化合物の含有酸素量にも大きく影響する。本発明においては、0.05Pa以上0.6Pa以下であることが好ましい。さらに好ましくは、0.10Pa以上0.35Pa以下が好ましい。
スパッタ時のチャンバー内の圧力は、黒化層(金属酸化物層3)の均一性、積層速度及び(Ni−Cu−O)化合物の含有酸素量にも大きく影響する。本実施形態においては、0.05Pa以上0.6Pa以下であることが好ましい。さらに好ましくは、0.10Pa以上0.35Pa以下が好ましい。
透明フィルム基板1などの透明樹脂基材上に、前記のようにして、薄膜下地層2を形成する薄膜下地層形成工程と、金属酸化物層3を形成する黒化層形成工程を経て、金属層4を堆積させる金属層形成工程を行う。図示は省略するが、金属層形成工程を経て金属層4が形成された導電層付き基板Faに対して、薄膜下地層2と金属酸化物層3と金属層4とを細線メッシュ電極に形成する電極形成工程を行うことで、タッチパネル用透明電極(細線パターン)付き基板(図示略)を製造する。
金属層4(第1の金属層)と金属層5(第2の金属層)とを有する場合、透明フィルム基板1などの透明樹脂基材上に、前記のようにして、薄膜下地層2を形成する薄膜下地層形成工程と、金属酸化物層3を形成する黒化層形成工程、金属層4を堆積させる金属層形成工程、金属層5を堆積させる金属層積層工程を経て、薄膜下地層2と金属酸化物層3と金属層4と金属層5とを細線メッシュ電極に形成する電極形成工程を行うことで、タッチパネル用透明電極(細線パターン)付き基板Fcを製造する。この場合の金属層積層工程及び電極形成工程では、後述するセミアディティブ法又はサブトラクティブ法の何れかを採用可能である。
前記のようにして金属層4まで製膜した導電層付き基板Faに対して、電極パターンのレジストを塗布、露光を行うことで、金属層4上に形成したいパターンの逆パターンをレジスト6によって形成する。その後、めっき処理によって金属層5を形成する(金属層積層工程)。そして、レジスト除去を行い、薄膜下地層2と金属酸化物層3と金属層4とをエッチングすることによって(電極形成工程)、薄膜下地層2と金属酸化物層3と金属層4と金属層5とで線幅が1〜10μmの細線メッシュ電極を形成してなるタッチパネル用透明電極付き基板Fcを製造する。エッチング液としては、特に限定されないが、塩化第二鉄水溶液や、塩化銅水溶液を主成分する溶液を使用することが好ましい。
金属層4を形成後、薄膜状金属層5Aを製膜して導電層付き基板Fbを製作する(金属層積層工程)。薄膜状金属層5Aは、電解めっき法によって製膜する。電解めっきとしては、硫酸銅水溶液を用いた電解めっきが好ましい。その後、電極パターンのレジストを塗布、露光を行うことで、薄膜状金属層5上に形成したいパターンをレジスト6によって形成する。その後、薄膜下地層2、金属酸化物層3、金属層4、薄膜状金属層5Aをエッチング処理する(電極形成工程)。最後にレジスト6の除去を行い、薄膜下地層2と金属酸化物層3と金属層4と金属層5とで線幅が1〜10μmの細線メッシュ電極を形成してなるタッチパネル用透明電極付き基板Fcを製造する。
尚、下記の実施例1〜6、比較例1〜6、実験例1〜2の分析結果は、表3に示すとおりである。
図3においては、横軸をXPSの処理時間、縦軸を主成分(全成分の95%以上と想定され、本実施例では、N,C,O,Ni,Cu)に占める「C」と「Ni+Cu」の含有比率(%)とし、図4においては、横軸をXPSの処理時間、縦軸をO/(Ni+Cu)の比とした。
分析において用いた値は、同じ速度でアルゴンスパッタを行い、薄膜下地層2については、金属酸化物層3との間の界面から膜厚の1/2の位置、9/10の位置におけるO/(Ni+Cu)の比、金属酸化物層3については、膜厚の表面から1/4の位置、1/2の位置、9/10の位置におけるO/(Ni+Cu)の比を参照した(図4、表1参照)。
透明フィルム基板1として、厚さ50μmで連続帯状の無着色透明な表面に易接着層を有する2軸延伸ポリエチレンテレフタレート(PET)フィルムを用意した。次に、透明フィルム基板1をRoll to Rollのスパッタリング装置に設置して、ターゲットであるNi−Cu(30重量%)合金をチャンバー内にセットする。そして、5×10−4Pa以下まで真空引きを行った後、搬送ドラムの温度を40℃まで昇温しフィルムを搬送することで、脱ガス処理を行いフィルム基板1から発生するガスの除去を行った。
その後、レジスト除去を行い、2%塩化第二鉄水溶液を用いてエッチングを行い、薄膜下地層2と金属酸化物層3と金属層4のメッシュ以外の部分を除去し、透明電極パターン(細線メッシュ電極)を作製した。このとき、細線の幅は3μmである。細線メッシュ電極の開口率は90%以上で、光線透過率は91%である。
実施例1の工程において、金属酸化物層3の膜厚を2/3にした以外は同様にして透明電極付き基板を製造した。目視確認において、薄膜下地層2及び金属酸化物層3が溶解する時間は、薄膜状の金属層4が溶解する時間の1.2倍であった。溶け残りの有無を確認するために測定したエッチング後のサンプルのD光線透過率は、製膜前のフィルム基板1と同等(±0.4%以内)であった。また、クロスカットによる密着性は4B以上であった。
実施例1の工程において、金属酸化物層3の製膜時の酸素量を15sccm以外にした以外は同様にして透明電極付き基板を製造した。目視確認において、薄膜下地層2及び金属酸化物層3が溶解する時間は、金属層4が溶解する時間の2.5倍であった。溶け残りの有無を確認するために測定したエッチング後のサンプルのD光線透過率は、製膜前のフィルム基板1と同等(±0.4%以内)であった。また、クロスカットによる密着性は4B以上であった。
実施例1の工程において、金属酸化物層3の製膜時の酸素量を30sccm以外にした以外は同様にして透明電極付き基板を製造した。目視確認において、薄膜下地層2及び金属酸化物層3が溶解する時間は、金属層4が溶解する時間の4.0倍であった。溶け残りの有無を確認するために測定したエッチング後のサンプルのD光線透過率は、製膜前のフィルム基板1と同等(±0.8%以内)であった。
実施例1の工程において、薄膜下地層2の製膜時の酸素量を0sccmにした以外は同様にして透明電極付き基板を製造した。目視確認において、薄膜下地層2及び金属酸化物層3が溶解する時間は、金属層4が溶解する時間の4.0倍であった。溶け残りの有無を確認するために測定したエッチング後のサンプルのD光線透過率は、製膜前のフィルム基板1と同等(±0.8%以内)であった。
実施例1の工程において、薄膜下地層2の製膜時の酸素量を10sccmにした以外は同様にして透明電極付き基板を製造した。溶け残りの有無を確認するために測定したエッチング後のサンプルのD光線透過率は、製膜前のフィルム基板と同等(±0.3%以内)であった。目視確認において、薄膜下地層2及び金属酸化物層3が溶解する時間は、金属層4が溶解する時間の5.0倍であった。
薄膜下地層2を積層しなかった以外は、実施例1と同様に条件で製膜を行った。
金属酸化物層3と金属層4をエッチングしたところ、金属層4のエッチングに要する時間に対する金属酸化物層3のエッチングに要する時間は、6.0倍より長かった。
金属酸化物層3を酸素量10sccmで製膜した以外は、比較例1と同様にプロセスを行った。金属酸化物層3と金属層4をエッチングしたところ、金属層4のエッチングに要する時間に対する金属酸化物層3のエッチングに要する時間は、2.0倍であった。
金属酸化物層3の膜厚を4倍にした以外は、実施例1と同様にプロセスを行った。薄膜下地層2、金属酸化物層3と金属層4をエッチングしたところ、金属層4のエッチングに要する時間に対する薄膜下地層2と金属酸化物層3のエッチングに要する時間は、6.0倍より長かった。
薄膜下地層2の膜厚を5倍にした以外は、実施例1と同様にプロセスを行った。薄膜下地層2と金属酸化物層3と金属層4をエッチングしたところ、金属層4のエッチングに要する時間に対する薄膜下地層2と金属酸化物層3のエッチングに要する時間は、3.0倍であった。しかしながら、色目が悪かった。
薄膜下地層2、金属酸化物層3を積層しなかった以外は、実施例1と同様に条件で製膜を行った。色目が悪かった。
薄膜下地層2を酸素量15sccmで製膜した以外は、実施例1と同様にプロセスを行った。薄膜下地層2、金属酸化物層3と金属層4をエッチングしたところ、金属層4のエッチングに要する時間に対する薄膜下地層2と金属酸化物層3のエッチングに要する時間は、6.0倍より長かった。
金属酸化物層3を酸素量45sccmで製膜した以外は、実施例1と同様にプロセスを行った。薄膜下地層2と金属酸化物層3と金属層4をエッチングしたところ、金属層4のエッチングに要する時間に対する薄膜下地層2と金属酸化物層3のエッチングに要する時間は、6.0倍より長かった。
2 薄膜下地層
3 金属酸化物層
4 金属層(第1の金属層)
5 金属層(第2の金属層)
5A 薄膜状金属層
6 レジスト
Fa,Fb 導電層付き基板
Fc タッチパネル用透明電極付き基板
Claims (15)
- 透明フィルム基板の少なくとも片面上に、薄膜下地層と金属酸化物層と第1の金属層をこの順に形成した導電層付き基板において、
前記薄膜下地層はニッケル及び銅又はそれらの酸化物を主成分とし、前記金属酸化物層はニッケルと銅の酸化物を主成分とし、第1の金属層は金、銀、銅の少なくとも1種を主成分とするものであり、
(1)前記薄膜下地層の膜厚は20nm以下、
(2)前記金属酸化物層の膜厚は80nm以下、
(3)前記薄膜下地層の膜厚≦前記金属酸化物層の膜厚、
上記の関係式(1)〜(3)を満たすことを特徴とする導電層付き基板。 - (4)前記薄膜下地層の1/2の膜厚におけるO/(Ni+Cu)の比≦前記金属酸化物層の1/2の膜厚におけるO/(Ni+Cu)の比、
上記の関係式(4)を満たすことを特徴とする請求項1に記載の導電層付き基板。 - 前記第1の金属層上に、金、銀、銅のいずれかを主成分とする第2の金属層がさらに積層されたことを特徴とする請求項1又は2に記載の導電層付き基板。
- (5)前記金属酸化物層の表面から1/4の膜厚におけるO/(Ni+Cu)の比<前記金属酸化物層の表面から9/10の膜厚におけるO/(Ni+Cu)の比、
上記の関係式(5)を満たすことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の導電層付き基板。 - (6)前記薄膜下地層の前記金属酸化物層との間の界面から9/10の膜厚におけるO/(Ni+Cu)の比<前記金属酸化物層の表面から9/10の膜厚におけるO/(Ni+Cu)の比、
上記の関係式(6)を満たすことを特徴とする請求項1〜3の何れか1項に記載の導電層付き基板。 - 前記第1の金属層の膜厚が10nm以上500nm以下であり、前記第2の金属層の膜厚が100nm以上10μm以下であり、
前記薄膜下地層、前記金属酸化物層、前記第1の金属層、前記第2の金属層の膜厚の合計が10μm以下であることを特徴とする請求項3に記載の導電層付き基板。 - 請求項3に記載の導電層付き基板における第1,第2の金属層を、1〜10μmの線幅に細線化された細線メッシュ電極であって開口率が90%以上の細線メッシュ電極に形成したことを特徴とするタッチパネル用透明電極付き基板。
- 透明フィルム基板の少なくとも片面上に、薄膜下地層と金属酸化物層と第1の金属層をこの順に形成する導電層付き基板の製造方法において、
ニッケル及び銅又はそれらの酸化物を主成分とし膜厚が20nm以下である前記薄膜下地層を形成する薄膜下地層形成工程と、
ニッケルと銅の酸化物を主成分とし膜厚が80nm以下である前記金属酸化物層を形成する黒化層形成工程と、
前記金属酸化物層上に金、銀、銅の少なくとも1種を主成分とする第1の金属層を形成する金属層形成工程と、
を有することを特徴とする導電層付き基板の製造方法 - 前記第1の金属層上に金、銀、銅のいずれかを主成分とする第2の金属層を形成する金属層積層工程をさらに有することを特徴とする請求項8に記載の導電層付き基板の製造方法。
- 前記薄膜下地層形成工程及び黒化層形成工程において、前記薄膜下地層と前記金属酸化物層をスパッタリングによって積層する際の酸素流量/電力密度から算出される値が、薄膜下地層の方が金属酸化物層より小さいことを特徴とする請求項8又は9に記載の導電層付き基板の製造方法。
- 前記酸素流量/電力密度から算出される値が、薄膜下地層では0以上14以下であり、金属酸化物層では9以上27以下であることを特徴とする請求項10に記載の導電層付き基板の製造方法。
- 前記薄膜下地層形成工程及び黒化層形成工程において、スパッタリングによる製膜時の圧力が0.6Pa以下であることを特徴とする請求項8〜11の何れか1項に記載の導電層付き基板の製造方法。
- 前記金属層形成工程では、前記第1の金属層をスパッタリングによって形成し、前記金属層積層工程では、前記第2の金属層を電解めっきによって形成することを特徴とする請求項8〜12の何れか1項に記載の導電層付き基板の製造方法。
- 請求項8に記載の導電層付き基板の製造方法によって製造した導電層付き基板における薄膜下地層と金属酸化物層と第1の金属層とを、1〜10μmの線幅に細線化された細線メッシュ電極に形成する電極形成工程を有することを特徴とするタッチパネル用透明電極付き基板の製造方法。
- 請求項9に記載の導電層付き基板の製造方法によって製造した導電層付き基板における薄膜下地層、金属酸化物層、第1の金属層及び第2の金属層とを、1〜10μmの線幅に細線化された細線メッシュ電極に形成する電極形成工程を有することを特徴とするタッチパネル用透明電極付き基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2015042545 | 2015-03-04 | ||
JP2015042545 | 2015-03-04 | ||
PCT/JP2016/054730 WO2016140073A1 (ja) | 2015-03-04 | 2016-02-18 | 導電層付き基板、タッチパネル用透明電極付き基板及びそれらの製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2016140073A1 true JPWO2016140073A1 (ja) | 2018-03-01 |
JP6698064B2 JP6698064B2 (ja) | 2020-05-27 |
Family
ID=56848226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2017503413A Active JP6698064B2 (ja) | 2015-03-04 | 2016-02-18 | 導電層付き基板、タッチパネル用透明電極付き基板及びそれらの製造方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10353497B2 (ja) |
JP (1) | JP6698064B2 (ja) |
CN (1) | CN107210092B (ja) |
WO (1) | WO2016140073A1 (ja) |
Families Citing this family (12)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2016137282A1 (ko) * | 2015-02-26 | 2016-09-01 | 주식회사 엘지화학 | 전도성 구조체 및 이의 제조방법 |
JP6729007B2 (ja) * | 2016-01-28 | 2020-07-22 | 住友金属鉱山株式会社 | 積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法 |
JP6932908B2 (ja) * | 2016-09-26 | 2021-09-08 | 住友金属鉱山株式会社 | 積層体基板、導電性基板、積層体基板の製造方法、導電性基板の製造方法 |
KR102361262B1 (ko) * | 2017-05-30 | 2022-02-09 | 동우 화인켐 주식회사 | Oled 일체형 터치 센서 및 이를 포함하는 oled 화상 표시 장치 |
WO2019065782A1 (ja) * | 2017-09-29 | 2019-04-04 | 富士フイルム株式会社 | 導電性フィルム、タッチパネルセンサー、タッチパネル、導電性フィルムの製造方法 |
CN109986599B (zh) * | 2017-12-29 | 2020-10-02 | 北京纳米能源与系统研究所 | 摩擦电光智能皮肤、机械手及机器人 |
JP7280036B2 (ja) * | 2018-12-17 | 2023-05-23 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルムの製造方法 |
CN112908519B (zh) * | 2021-01-19 | 2022-04-12 | 大正(江苏)微纳科技有限公司 | 一种抗化学腐蚀的透明导电薄膜及其制备方法 |
JP2023173028A (ja) * | 2022-05-25 | 2023-12-07 | 日東電工株式会社 | 導電層付フィルムおよびフィルムアンテナ用積層フィルム |
WO2024004405A1 (ja) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルム |
WO2024004401A1 (ja) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルムおよび導電性フィルムの製造方法 |
WO2024004404A1 (ja) * | 2022-07-01 | 2024-01-04 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルム |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005060326A1 (ja) * | 2003-12-16 | 2005-06-30 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 電磁波シールド材、及びその製造方法 |
JP2012508924A (ja) * | 2008-11-14 | 2012-04-12 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | タッチスクリーン及びその製造方法 |
JP2013129183A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-07-04 | Toray Ind Inc | 積層体 |
JP2014160481A (ja) * | 2011-01-18 | 2014-09-04 | Fujifilm Corp | 透明電極シート、透明電極シートの製造方法、及びこれらの透明電極シートを用いた静電容量方式のタッチパネル |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH10307204A (ja) | 1997-03-07 | 1998-11-17 | Asahi Glass Co Ltd | 遮光層付き基板及びその製造方法並びにカラーフィルタ基板及び液晶表示素子 |
US6416194B1 (en) * | 1999-02-11 | 2002-07-09 | Turkiye Sise Ve Cam Fabrikalari A.S. | Thermostable back-surface mirrors |
JP2002246788A (ja) | 2000-12-12 | 2002-08-30 | Nisshinbo Ind Inc | 透視性電磁波シールド材 |
EP1215705A3 (en) | 2000-12-12 | 2003-05-21 | Nisshinbo Industries, Inc. | Transparent electromagnetic radiation shielding material |
JP4105537B2 (ja) * | 2002-12-24 | 2008-06-25 | 株式会社村上開明堂 | エレクトロクロミック素子 |
JP2008311565A (ja) | 2007-06-18 | 2008-12-25 | Dainippon Printing Co Ltd | ディスプレイ用複合フィルタ |
US20110240996A1 (en) * | 2010-03-17 | 2011-10-06 | National Taiwan University | Optoelectronic device and method for producing the same |
JP5473990B2 (ja) * | 2011-06-17 | 2014-04-16 | 日東電工株式会社 | 導電性積層体、パターン配線付き透明導電性積層体、および光学デバイス。 |
JP5531029B2 (ja) * | 2012-01-05 | 2014-06-25 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルム及び導電性フィルムロール |
JP2013186632A (ja) | 2012-03-07 | 2013-09-19 | Toppan Printing Co Ltd | フィルム状タッチパネルセンサー及びその製造方法 |
JP5984570B2 (ja) * | 2012-08-09 | 2016-09-06 | 日東電工株式会社 | 導電性フィルム |
US9405046B2 (en) * | 2013-03-13 | 2016-08-02 | Intermolecular, Inc. | High solar gain low-e panel and method for forming the same |
US9395593B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-07-19 | Kinestral Technologies, Inc. | Electrochromic lithium nickel group 6 mixed metal oxides |
-
2016
- 2016-02-18 WO PCT/JP2016/054730 patent/WO2016140073A1/ja active Application Filing
- 2016-02-18 JP JP2017503413A patent/JP6698064B2/ja active Active
- 2016-02-18 US US15/551,514 patent/US10353497B2/en active Active
- 2016-02-18 CN CN201680008183.9A patent/CN107210092B/zh not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2005060326A1 (ja) * | 2003-12-16 | 2005-06-30 | Dai Nippon Printing Co., Ltd. | 電磁波シールド材、及びその製造方法 |
JP2012508924A (ja) * | 2008-11-14 | 2012-04-12 | エルジー イノテック カンパニー リミテッド | タッチスクリーン及びその製造方法 |
JP2014160481A (ja) * | 2011-01-18 | 2014-09-04 | Fujifilm Corp | 透明電極シート、透明電極シートの製造方法、及びこれらの透明電極シートを用いた静電容量方式のタッチパネル |
JP2013129183A (ja) * | 2011-11-22 | 2013-07-04 | Toray Ind Inc | 積層体 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US20180032167A1 (en) | 2018-02-01 |
CN107210092B (zh) | 2019-06-18 |
CN107210092A (zh) | 2017-09-26 |
JP6698064B2 (ja) | 2020-05-27 |
WO2016140073A1 (ja) | 2016-09-09 |
US10353497B2 (en) | 2019-07-16 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP6698064B2 (ja) | 導電層付き基板、タッチパネル用透明電極付き基板及びそれらの製造方法 | |
JP6099875B2 (ja) | 積層体の製造方法 | |
JP6322188B2 (ja) | 導電性フィルム基板、透明導電性フィルムおよびその製造方法、ならびにタッチパネル | |
CN106229080B (zh) | 用于柔性电子器件的低阻值透明导电网络膜及其制备方法 | |
JP6404663B2 (ja) | 透明導電積層体の製造方法 | |
JP6600550B2 (ja) | 金属層積層透明導電性フィルムおよびそれを用いたタッチセンサ | |
JP5818383B2 (ja) | 酸化膜が形成された導電性フィルムを備える有機発光ダイオードディスプレイ及びその製造方法 | |
WO2016163323A1 (ja) | 透明導電フィルムおよび表示デバイス | |
JP6262483B2 (ja) | 導電性フィルム基板およびその製造方法 | |
TW201603054A (zh) | 電極圖案製作用積層體、其製造方法、觸控面板用基板及影像顯示裝置 | |
JP2015133256A (ja) | 透明導電積層体およびその製造方法ならびに静電容量方式タッチパネル | |
JP2012123454A (ja) | 静電容量式タッチパネル用の透明導電フィルム | |
CN107636209B (zh) | 导电性基板 | |
JP2002246788A (ja) | 透視性電磁波シールド材 | |
WO2016190224A1 (ja) | 黒化めっき液、導電性基板 | |
JP2017185689A (ja) | 導電性基板 | |
JP7003665B2 (ja) | 黒化めっき液、導電性基板の製造方法 | |
JP6806732B2 (ja) | 透明導電積層体の製造方法 | |
WO2017175629A1 (ja) | 導電性基板 | |
JP6594706B2 (ja) | 透明電極フィルムおよび表示デバイス | |
JP2014222419A (ja) | 電子部品を作製するために用いられる積層体および積層体製造方法、フィルムセンサおよびフィルムセンサを備えるタッチパネル装置、並びに、濃度勾配型の金属層を成膜する成膜方法 | |
JPWO2018193940A1 (ja) | 導電性基板 | |
WO2016068153A1 (ja) | 導電性基板の製造方法 | |
WO2017130866A1 (ja) | 黒化めっき液、導電性基板の製造方法 | |
JP2014080686A (ja) | 積層体の製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
AA64 | Notification of invalidation of claim of internal priority (with term) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A241764 Effective date: 20171107 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20171214 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20190107 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20191023 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20191219 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20200225 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20200316 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20200331 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20200427 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 6698064 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |