TW201603054A - 電極圖案製作用積層體、其製造方法、觸控面板用基板及影像顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

電極圖案製作用積層體具備：金屬基底，其配置於基板之厚度方向之其中一面，且該厚度方向之其中一面之依據JIS B 0601而算出的算術粗糙度Ra為100nm以上；及電極層，其配置於金屬基底之厚度方向之其中一面。

Description

電極圖案製作用積層體、其製造方法、觸控面板用基板及影像顯示裝置
本發明係關於一種電極圖案製作用積層體、其製造方法、觸控面板用基板及影像顯示裝置，詳細而言，本發明係關於一種電極圖案製作用積層體、電極圖案製作用積層體之製造方法、自電極圖案製作用積層體獲得之觸控面板用基板、及具備觸控面板用基板之影像顯示裝置。
先前，已知液晶顯示裝置等影像顯示裝置具備包含配線之金屬層配置於正面及背面之觸控面板用基板。
此種配線具有金屬光澤，因此，存在液晶顯示裝置之視認性降低之顧慮。
因此，如圖9C所示，作為用以製作觸控面板用基板之積層體，已知有例如依序具有第1黑化層56、第1金屬層55、基材51、第2黑化層57、及第2金屬層58之積層體50。
為了獲得此種積層體50，例如將圖9A所示之第1金屬層55及第1黑化層56依序積層於正面之第1基材51、與圖9B所示之第2金屬層58及第2黑化層57依序積層於正面之第2基材49，如圖9C所示般以第1金屬層55及第2金屬層58於正背方向上隔著第1基材51之方式進行貼合。
於此種積層體50中，可藉由第1黑化層56防止因第1導體層55之 正面之金屬光澤所引起的自正側(視認側)之顯示器40之視認性之降低，並且可藉由第2黑化層57而防止因第2導體層58之正面之金屬光澤所引起的自正側(視認側)之顯示器40之視認性之降低。
然而，於該方法中，需要準備兩個基材(第1基材51及第2基材49)，從而會相應地耗費工時。
因此，提出例如於一個基材之兩側配置兩個金屬層與兩個黑化層之方法(例如，參照日本專利特開2013-129183號公報)。
於日本專利特開2013-129183號公報之方法中，首先如圖10A所示，首先準備基材51，繼而藉由濺鍍或電鍍等製程將第2黑化層57形成於基材51之背面，其次如圖10B所示，將第1導體層55及第2導體層58形成於基材51之正面、及第2黑化層57之背面之各者。其後如圖10C所示，藉由上述之製程而將第1黑化層56形成於第1導體層55之正面。
然而，於日本專利特開2013-129183號公報之方法中，需要於不同之步驟、即於形成第1導體層55及第2導體層58之步驟之前之步驟(參照圖10A)與其後之步驟(參照圖10C)中，分別形成第2黑化層57與第1黑化層56之兩個黑化層。因此，積層體50存在藉由繁雜之步驟而獲得之不良情況。
本發明之目的在於提供一種用以利用簡便之方法製造電極圖案製作用積層體以及觸控面板用基板之電極圖案製作用積層體之製造方法、藉此而獲得之電極圖案製作用積層體、自該電極圖案製作用積層體獲得之觸控面板用基板、及具備觸控面板用基板且視認性優異之影像顯示裝置。
本發明係如下所述：
[1]
一種電極圖案製作用積層體，其特徵在於具備：透明基板；金 屬底板，其配置於上述基板之厚度方向之其中一面，且該厚度方向之其中一面之依據JIS B 0601而算出的算術粗糙度Ra為100nm以上；及電極層，其配置於上述金屬基底之厚度方向之其中一面。
[2]
如上述[1]之電極圖案製作用積層體，其中上述金屬基底包含金屬粒子之一次粒子凝聚而成之凝聚粒子，且上述凝聚粒子之平均粒徑為30.0nm以上。
[3]
如上述[1]或[2]之電極圖案製作用積層體，其中使用分光光度計，使300nm~1300nm之波長掃描而以自上述透明基板之上述厚度方向另一側通過上述透明基板之方式照射至上述金屬基底而測定之視感反射率(Y值)為20.0%以下。
[4]
如上述[1]至[3]中任一項之電極圖案製作用積層體，其中上述金屬基底係藉由利用選自由活性能量線、電漿及雷射所組成之群中之任一種將上述透明基板的上述厚度方向之其中一面改質，其次對已改質之上述透明基板進行無電電鍍而設置。
[5]
如上述[1]至[4]中任一項之電極圖案製作用積層體，其中上述金屬基底亦配置於上述透明基板之上述厚度方向之另一面，兩個上述金屬基底中至少配置於上述透明基板之上述厚度方向之其中一側之上述金屬基底的上述厚度方向之其中一面之上述算術粗糙度Ra為100nm以上。
[6]
一種觸控面板用基板，其特徵在於：藉由將如上述[1]至[5]中任一項之電極圖案製作用積層體之電極層圖案化而形成電極圖案。
[7]
一種影像顯示裝置，其特徵在於具備：如上述[6]之觸控面板用基板；及影像顯示元件，其配置於上述觸控面板用基板之厚度方向之其中一側。
[8]
如上述[7]之影像顯示裝置，其中上述影像顯示元件為液晶顯示模組，且上述影像顯示裝置為液晶顯示裝置。
[9]
一種電極圖案製作用積層體之製造方法，其特徵在於具備：準備透明基板之步驟；將上述透明基板之厚度方向之其中一面改質的步驟；將金屬基底配置於上述透明基板之已改質之上述厚度方向之其中一面的步驟；及將電極層配置於上述金屬基底之厚度方向之其中一面的步驟。
[10]
如上述[9]之電極圖案製作用積層體之製造方法，其中於將上述透明基板之上述厚度方向之其中一面改質的步驟中，藉由選自由活性能量線、電漿及雷射所組成之群中之任一種而將上述透明基板改質。
於本發明之電極圖案製作用積層體及觸控面板用基板中，不將黑化層設置於透明基板之厚度方向之其中一面，而僅藉由將用以設置電極層之金屬基底之厚度方向之其中一面的算術粗糙度Ra設定為特定之下限值以上之簡便構成，便可將金屬基底之反射率設定得較低。
因此，具備本發明之觸控面板用基板之影像顯示裝置，可一面防止因金屬基底之金屬光澤所引起之對影像顯示元件的視認性之降低，一面使構成簡便。
本發明之電極圖案製作用積層體之製造方法未於設置電極層之步驟之前之步驟設置黑化層，且於設置電極層之步驟之後之步驟具備 既可設置一個黑化層，又將透明基板之厚度方向之其中一面改質的步驟，因此可藉由低成本且簡便之方法使金屬基底之反射率降低，可製造電極圖案製作用積層體以及視認性優異之觸控面板用基板。
1‧‧‧電極圖案製作用積層體
2‧‧‧透明基板
3‧‧‧金屬基底
4‧‧‧第1金屬基底
5‧‧‧第2金屬基底
6‧‧‧電極層
7‧‧‧第1電極層
8‧‧‧第2電極層
9‧‧‧黑化層
11‧‧‧保護玻璃層
12‧‧‧偏光板
13‧‧‧間隙層
14‧‧‧LCD模組
15‧‧‧電極圖案
16‧‧‧引出配線
17‧‧‧電極
18‧‧‧正面
19‧‧‧背面
20‧‧‧觸控面板用基板
21‧‧‧基材層
21‧‧‧間隔件
22‧‧‧易接著層
23‧‧‧第1易接著劑層
24‧‧‧第2易接著劑層
25‧‧‧黏著劑層
26‧‧‧觸控面板
30‧‧‧液晶顯示裝置
40‧‧‧顯示器
49‧‧‧第2基材
50‧‧‧積層體
51‧‧‧第1基材
51‧‧‧金屬粒子
52‧‧‧凝聚粒子
55‧‧‧第1金屬層
55‧‧‧第1導體層
56‧‧‧第1黑化層
57‧‧‧第2黑化層
58‧‧‧第2金屬層
58‧‧‧第2導體層
圖1A~圖1E係表示本發明之電極圖案製作用積層體及觸控面板用基板之一實施形態之製造方法之步驟圖，圖1A表示準備透明基板之準備步驟、及將透明基板之背面改質之改質步驟，圖1B表示將金屬基底配置於透明基板之基底配置步驟，圖1C表示將電極層配置於金屬基底之電極層配置步驟，圖1D表示將黑化層配置於第1電極層之黑化層配置步驟，圖1E表示將金屬基底、電極層及黑化層圖案化之步驟。
圖2表示具備圖1E所示之觸控面板用基板之液晶顯示裝置之剖視圖。
圖3A~圖3D係表示本發明之電極圖案製作用積層體及觸控面板用基板之一實施形態之製造方法之變化例之步驟圖，圖3A表示準備透明基板之準備步驟、及將透明基板之背面改質之改質步驟，圖3B表示將金屬基底配置於透明基板之基底配置步驟，圖3C表示將電極層配置於金屬基底之電極層配置步驟，圖3D表示將金屬基底及電極層圖案化之步驟。
圖4表示實施例1之第2金屬基底之SEM(Scanning Electron Microscope，掃描式電子顯微鏡)照片之影像處理圖。
圖5表示實施例2之第2金屬基底之SEM照片之影像處理圖。
圖6表示實施例4之第2金屬基底之SEM照片之影像處理圖。
圖7表示比較例1之第2金屬基底之SEM照片之影像處理圖。
圖8表示比較例3之第2金屬基底之SEM照片之影像處理圖。
圖9A~圖9C表示透明電極圖案製作用積層體之製造方法(先前例)之步驟圖，圖9A表示準備第1電極層及第1黑化層依序積層於正面之第1透明基板之步驟，圖9B表示準備第2電極層及第2黑化層依序積層於正面之第2透明基板之步驟，圖9C表示將第1透明基板與第2透明基板進行貼合之步驟。
圖10A~圖10C係表示日本專利特開2013-129183號公報所記載之積層體之製造方法之步驟圖，圖10A表示形成第2黑化層之步驟，圖10B表示形成第1導體層及第2導體層之步驟，圖10C表示形成第1黑化層之步驟。
於圖1中，紙面上下方向係電極圖案製作用積層體(後述)之正背方向(電極圖案製作用積層體之厚度方向，第1方向)，且紙面下側係背面側(厚度方向之其中一側，第1方向之其中一側)，紙面上側係正側(厚度方向之另一側，第1方向之另一側)。再者，於圖1中，正背方向係將下述之透明基板作為基準。
於圖1中，紙面左右方向係左右方向(寬度方向，與第1方向正交之第2方向)，且紙面左側係左側(寬度方向之其中一側，第2方向之其中一側)，紙面右側係右側(寬度方向之另一側，第2方向之另一側)。於圖1中，紙面紙厚方向係前後方向(與第1方向及第2方向正交之第3方向)，且紙面近前側係前側(第3方向之其中一側)，紙面深側係後側(第3方向之另一側)。具體而言係依據各圖之方向箭頭。
如圖1D所示，電極圖案製作用積層體1形成具有特定厚度之板 狀，具有沿與厚度方向正交之特定方向(面方向，具體而言為左右方向及前後方向)延伸且平坦之正面及平坦之背面。電極圖案製作用積層體1例如係用以製造下述之液晶顯示裝置30(參照圖2)等影像顯示裝置所具備之觸控面板用基板20(參照圖1E)等的一零件，即並非為影像顯示裝置。即，電極圖案製作用積層體1係用以製作影像顯示裝置之零件，不包含LCD(Liquid Crystal Display，液晶顯示裝置)模組14(參照圖2)等影像顯示元件，而包含下述之透明基板2、金屬基底3及電極層6(參照圖1D)，且係作為零件單獨流通且可於產業上利用之器件。
具體而言，如圖1D所示，電極圖案製作用積層體1具備：透明基板2；金屬基底3，其配置於透明基板2之正面18及背面19之各者；電極層6，其配置於正側之金屬基底3之正面及背面側之金屬基底3之背面之各者；及黑化層9，其配置於正側之電極層6之正面。較佳為電極圖案製作用積層體1包含透明基板2、金屬基底3、電極層6、及黑化層9。
透明基板2於俯視下形成為與電極圖案製作用積層體1之外形形狀對應之膜狀(或者薄板狀)。作為形成透明基板2之透明材料，可列舉例如有機透明材料、無機透明材料等絕緣材料。作為有機透明材料，可列舉：例如聚對苯二甲酸乙二酯(PET)等聚酯材料；例如聚甲基丙烯酸酯等丙烯酸系材料；例如聚碳酸酯材料；例如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)、環烯烴聚合物(COP)等烯烴材料；及例如三聚氰胺系聚合物等。作為無機透明材料，可列舉例如玻璃等。就輕薄性之觀點而言，較佳為可列舉有機透明材料，更佳為可列舉聚酯材料。
透明基板2可將透明材料單獨使用或併用兩種以上。於透明基板2包含2種以上併用之透明材料之情形時，亦可將種類不同之複數種透明材料之層積層複數層。具體而言，可將2種聚酯材料沿厚度方向積層。更具體而言，透明基板2亦可具備：基材層21，其包含一聚酯材 料(例如PET等)；及易接著層22，其配置於該基材層21之正背兩面之各者，且包含其他聚酯材料(種類與一聚酯材料不同之聚酯材料，例如為對苯二甲酸等二羧酸與乙二醇等醇成分之共聚物等)。易接著層22係用以提高以下說明之金屬基底3對基材層21之接著力而設置的層，具體而言具備配置於基材層21之正面之第1易接著劑層23、及配置於基材層21之背面之第2易接著劑層24。
透明基板2之全光線透過率例如為80%以上，較佳為90%以上，又例如為100%以下。
就光之透過性及操作性之觀點而言，透明基板2之厚度例如為5μm以上，較佳為15μm以上，又例如為100μm以下，較佳為50μm以下。於透明基板2具備基材層21及易接著層22之情形時，基材層21之厚度例如為5μm以上，較佳為15μm以上，又例如為100μm以下，較佳為50μm以下，又，各易接著層22之厚度例如為5nm以上，較佳為20nm以上，又例如為1000nm以下，較佳為100nm以下。
金屬基底3係以直接接觸於透明基板2之正面18及背面19之方式配置於透明基板2之正面18及背面19的各者。各金屬基底3於俯視下形成為與透明基板2形成相同形狀之薄膜狀。金屬基底3係作為用以藉由例如電解電鍍而形成以下說明之電極層6之種膜(種層)而構成。金屬基底3具備：第1金屬基底4(正側之金屬基底3)，其配置於透明基板2之正面18；及第2金屬基底5(背面側之金屬基底3)，其配置於透明基板2之背面19。
第1金屬基底4係包含下述之金屬粒子51之一次粒子。即，第1金屬基底4包含金屬粒子51，該金屬粒子51不凝聚而均勻地分散於透明基板2之正面18。
作為形成第1金屬基底4之金屬，可列舉例如銅、鎳、鉻、其等之合金等導體(低電阻金屬)，較佳為可列舉銅、銅合金(例如，Ni含有 率為0.1~5質量%之CuNi等)、鎳、鎳合金(NI-P、Ni-B等)，更佳為可列舉銅、鎳。可將金屬單獨使用或併用兩種以上。
第1金屬基底4之正面電阻例如於藉由電解電鍍產生電極層6之情形時，係根據產生電極層6之金屬而適當設定，例如為5Ω/□以下，較佳為3Ω/□以下，更佳為1Ω/□以下，若亦考慮電鍍時間、高生產成本，則例如為0.01Ω/□以上，較佳為0.1Ω/□以上。
第1金屬基底4之平均粒徑(一次粒徑)例如為10nm以上，又，例如為30nm以下。金屬粒子51之平均粒徑例如係藉由金屬基底3之SEM照片之影像處理而算出。
第1金屬基底4之厚度例如為10nm以上，較佳為50nm以上，又，例如為1000nm以下，較佳為500nm以下。
第1金屬基底4之正面之算術粗糙度Ra例如為10nm以上，又，例如為50nm以下。第1金屬基底4之正面之算術粗糙度Ra係依據JIS B 0601而算出。
參照圖1B之右側圖，第2金屬基底5包含金屬粒子，具體而言，包含金屬粒子51之一次粒子凝聚而成之凝聚粒子52。
凝聚粒子52形成為複數個金屬粒子51之一次粒子凝聚成葡萄之串狀之形狀。金屬粒子51形成為大致球形狀或塊狀。
而且，第2金屬基底5之上述複數個凝聚粒子52係相對於透明基板2之背面19而呈密接狀且密集狀配置。即，複數個凝聚粒子52實質上係以被覆透明基板2之背面19整體之方式配置。
作為形成第2金屬基底5之金屬，可列舉與形成第1金屬基底4之金屬相同之金屬。
第2金屬基底5之背面電阻例如於藉由電解電鍍產生第2電極層8之情形時，係根據產生第2電極層8之金屬而適當設定，例如為5Ω/□以下，較佳為3Ω/□以下，更佳為1Ω/□以下，若亦考慮電鍍時間、 高生產成本，則例如為0.01Ω/□以上，較佳為0.1Ω/□以上。
例如為了將第2金屬基底5之背面電阻設定於上述範圍，而對第2金屬基底5之尺寸進行適當調整。具體而言，第2金屬基底5之厚度與以下敍述之凝聚粒子52之平均粒徑相同。
凝聚粒子52之平均粒徑(二次粒徑)例如為30.0nm以上，較佳為40.0nm以上，更佳為50.0nm以上，又，例如為300nm以下，較佳為200nm以下，更佳為100nm以下。凝聚粒子52之平均粒徑係藉由以下之實施例中所記載之方法而算出。
若凝聚粒子52之平均粒徑(二次粒徑)為上述下限以上，則可將第2金屬基底5之正面之反射率(後述)設定於所需之範圍，因此，可防止來自第2金屬基底5之正側之視認性之降低。即，可防止來自液晶顯示裝置30(參照圖2)中之視認側(圖2中之正側，後述)之視認性之降低。
金屬粒子51之平均粒徑(一次粒徑)例如為10nm以上，又，例如為30nm以下。
第2金屬基底5之背面之算術粗糙度Ra係根據上述凝聚粒子52之二次粒徑而調整，具體而言為100nm以上，較佳為150nm以上，更佳為200nm以上，又，例如為1000nm以下，較佳為500nm以下。第2金屬基底5之背面之算術粗糙度Ra係依據JIS B 0601而算出。
若第2金屬基底5之背面之算術粗糙度Ra未達上述下限，則無法將第2金屬基底5之正面之反射率設定得較低，因此，無法防止來自第2金屬基底5之正側之視認性之降低，即，無法防止來自液晶顯示裝置30(參照圖2)中之視認側(圖2中之正側，後述)之視認性之降低。若第2金屬基底5之背面之算術粗糙度Ra為上述上限以下，則可將第2金屬基底5之背面之算術粗糙度Ra設定於所需之範圍，且可將第2金屬基底5之正面之反射率(後述)設定於所需之範圍，因此，可防止來自第2金屬基底5之正側之視認性之降低。
第2金屬基底5之正面之反射率例如為20.0%以下，較佳為15.0%以下，更佳為10.0%以下，又例如為0.0%以上，較佳為0.1%以上。第2金屬基底5之正面之反射率定義為使用分光光度計而測定之視感反射率Y值。具體而言，算出第2金屬基底5之正面之反射率之方法將於以下敍述之實施例中進行詳細敍述。
若第2金屬基底5之正面之反射率為上述上限以下，則可防止來自第2金屬基底5之正側之視認性之降低，即，可防止來自液晶顯示裝置30(參照圖2)中之視認側(圖2中之正側，後述)之視認性之降低。
電極層6係以直接接觸於正側之金屬基底3之正面及背面側之金屬基底3之背面之方式配置。各電極層6於俯視下形成為與透明基板2形成相同形狀之膜狀(或者薄板狀)。具體而言，電極層6具備：第1電極層7，其配置於第1金屬基底4之正面；及第2電極層8，其配置於第2金屬基底5之背面。
第1電極層7形成為與透明基板2之外形形狀對應之膜狀。作為形成第1電極層7之材料，可列舉例如金、銀、銅、鎳、鋁、鎂、鎢、鈷、鋅、鐵、其等之合金等，較佳為可列舉金、銀、銅，就成本及加工性之觀點而言，更佳為可列舉銅。
第1電極層7之厚度係根據觸控面板用基板20(後述，參照圖1E)所必需之電阻而適當設定，具體而言，例如為10nm以上，較佳為100nm以上，又例如為20μm以下，較佳為10μm以下，更佳為5μm以下。
形成第2電極層8之材料及第2電極層8之厚度與上述第1電極層7之材料及厚度相同。
上述之電極層6可與上述之金屬基底3、及以下說明之黑化層9一起一體地構成下述之電極圖案15(參照圖1E)。
黑化層9配置於第1電極層7之整個正面，且形成為與第1電極層7 之外形形狀對應之膜狀。黑化層9係用於以下而設置，即抑制第1電極層7之正面之金屬光澤，於液晶顯示裝置30(參照圖2)具備自電極圖案製作用積層體1獲得之觸控面板用基板20時，防止自第1電極層7之視認側(圖2中之正側，後述)之視認性之降低。
作為形成黑化層9之材料，可列舉例如氮化銅、氧化銅、氮化鎳、氧化鎳、鎳鋅(NiZn)、錫鎳、錫鋅等金屬材料、或包含黑色顏料之樹脂組合物等。較佳為可列舉金屬材料，更佳為可列舉鎳鋅(NiZn)。此種材料可單獨使用或併用兩種以上。黑化層9之厚度例如5nm以上，較佳為10nm以上，又，例如為200μm以下，較佳為1μm以下。黑化層9之反射率例如為20%以下，較佳為10%以下，又，例如為1%以上。
於上述之電極圖案製作用積層體1，自正側(厚度方向之另一側)朝向背面側(厚度方向之其中一側)依序設置有黑化層9、第1電極層7、第1金屬基底4、透明基板2、第2金屬基底5及第2電極層8。
(電極圖案製作用積層體之製造方法)
繼而，對該電極圖案製作用積層體1之製造方法進行說明。
電極圖案製作用積層體1之製造方法具備：準備透明基板2之準備步驟(參照圖1A)；將透明基板2改質之改質步驟(參照圖1A之箭頭)；將金屬基底3配置於透明基板2之正面18及背面19之基底配置步驟(參照圖1B)；將電極層6配置於金屬基底3之正面及背面之電極層配置步驟(參照圖1C)；及將黑化層9配置於第1電極層7之正面之黑化層配置步驟(參照圖1D)。
以下，對各步驟進行詳細敍述。
(準備步驟)
如圖1A所示，於準備透明基板2之步驟中，準備具有上述構成、材料、尺寸之透明基板2。
(改質步驟)
如圖1A之箭頭所示，於準備步驟之後實施改質步驟。
於改質步驟中，例如係將透明基板2之背面19(於透明基板2具備基材層21、第1易接著層23及第2易接著層24之情形時為第2易接著層24之背面19)改質。
透明基板2之改質係將用以產生下述之凝聚粒子52的起點賦予至透明基板2(第2易接著層24)之背面19之處理。
例如藉由活性能量線、電漿、雷射對透明基板2之背面19進行處理而改質。關於透明基板2之改質，可單獨實施或者依序實施2種以上。
若藉由選自由活性能量線、電漿及雷射所組成之群中之任一種將透明基板2改質，則可將用以產生下述之凝聚粒子52之起點確實地形成於透明基板2之背面19。
較佳為將活性能量線照射(曝光)至透明基板2之背面19。
作為活性能量線，可列舉例如紫外線、放射線、紅外線、X射線、α射線、β射線、γ射線、電子束等。較佳為可列舉紫外線。
於使用紫外線作為活性能量線之情形時，作為紫外線之產生源，可列舉例如低壓水銀燈、高壓水銀燈、超高壓水銀燈、金屬鹵素燈、無電極燈(熔融燈)、化學燈、黑光燈、水銀-氙氣燈、短弧燈、氦-鎘雷射、氬雷射、太陽光、LED(Light Emitting Diode，發光二極體)等。較佳為可列舉低壓水銀燈。
活性能量線之照射量(曝光量)係根據透明基板2之材料、其後視需要而實施之預處理之條件、電極層6之材料等而適當設定，例如為200mW/cm2以上，較佳為500mW/cm2以上，更佳為1000mW/cm2以上，又，例如為10000mW/cm2以下，較佳為5000mW/cm2以下，更佳為2000mW/cm2以下。若活性能量線之照射量為上述下限以上，則可 充分促進以下說明之凝聚粒子52之產生。因此，可獲得所需之反射率。若活性能量線之照射量為上述上限以下，則可獲得促進與照射量相對應之凝聚粒子52之產生之效果，因此，可抑制製造成本之上升。
活性能量線之照射時間係以成為上述照射量之方式而適當設定，例如為1秒以上，較佳為10秒以上，又，例如為20分鐘以下，較佳為10分鐘以下。
紫外線之產生源之輸出根據製品寬度而不同，例如為40W以上，較佳為200W以上，又，例如為1000W以下，較佳為500W以下。
將透明基板2改質之時間例如為1秒以上，較佳為10秒以上，又，例如為600秒以下，較佳為60秒以下。
(基底配置步驟)
如圖1B所示，於改質步驟之後實施基底配置步驟。
於基底配置步驟中，將金屬基底3配置於透明基板2之正面18及背面19。
作為配置於透明基板2之正面18及背面19之方法，例如使用無電電鍍、濺鍍，就製造成本之觀點而言，較佳為使用無電電鍍。若為無電電鍍，則可於背面19已改質之透明基板2確實地產生凝聚粒子52，因此，可獲得所需之反射率。
具體而言，將背面19已改質之透明基板2例如浸漬於無電電鍍液中。
又，於無電電鍍中，亦可於將透明基板2浸漬於無電電鍍液中之前實施預處理。
預處理係用以對透明基板2進行無電電鍍之公知之處理，且例如包含清洗處理、觸媒處理、活化處理等。
清洗處理係去除附著於透明基板2之正面18及背面19之油部分(脂 部分)之脫脂處理。
觸媒處理係使例如含有鈀等觸媒之觸媒皮膜附著於透明基板2之正面18及背面19之處理。
活化處理係用以藉由將於觸媒處理中所附著之觸媒(具體而言為Pd(鈀)等)穩定地還元析出而防止電鍍不均之處理。
預處理之條件適當設定。
於預處理之後，將透明基板2浸漬於無電電鍍液中。
無電電鍍液例如含有形成金屬基底3之金屬(或者金屬離子)。
浸漬時間只要為可產生凝聚粒子52之時間，則並未特別限定，例如為10秒以上，較佳為30秒以上，又，例如為10分鐘以下，較佳為5分鐘以下。
藉此，將第1金屬基底4配置於透明基板2之正面18，並且將第2金屬基底5配置於透明基板2之背面19。
而且，於該基底配置步驟中，如圖1B之右側之圓圈之放大圖所示，於上述改質步驟中將透明基板2之背面19改質，因此金屬粒子51凝聚成葡萄之串狀而形成複數個具有所需之二次粒徑的凝聚粒子52。藉此，形成背面之算術粗糙度Ra為特定值以上之第2金屬基底5。即，複數個凝聚粒子52於第2金屬基底5之背面形成凹凸。
(電極層配置步驟)
如圖1C所示，於基底配置步驟之後實施電極層配置步驟。
於電極層配置步驟中，將電極層6配置於金屬基底3之露出面。具體而言，將第1電極層7配置於第1金屬基底4之正面(即，第1金屬基底4之與透明基板2接觸之面的相反面)，並且將第2電極層8配置於第2金屬基底5之背面(第2金屬基底5之與透明基板2接觸之面的相反面)。
作為將電極層6配置於金屬基底3之露出面之方法，例如使用電解電鍍、濺鍍，就製造成本之觀點而言，較佳為使用電解電鍍。若為 電解電鍍，則能以所需之厚度確實地形成電極層6。
具體而言，將設置有金屬基底3之透明基板2例如浸漬於電解電鍍液中。又，於上述浸漬前，預先使供電構件(未圖示)接觸於電極層6。
電解電鍍之條件，具體而言電解電鍍液之溫度、電解電鍍液中之離子濃度、電流密度等係適當設定。
(黑化層配置步驟)
如圖1D所示，黑化層配置步驟係於電極層配置步驟之後實施。
於黑化層配置步驟中，將黑化層9配置於第1電極層7之正面。
例如，於黑化層9包含金屬材料之情形時，例如係藉由電鍍等將黑化層9積層於第1電極層7之正面。
藉此，獲得電極圖案製作用積層體1。
而且，圖1D所示之電極圖案製作用積層體1係作為用以製作圖1E所示之觸控面板用基板20之零件而流通、且可於產業上利用之器件(零件)。
<觸控面板用基板>
其後，如圖1E所示，藉由將電極圖案製作用積層體1中之金屬基底3、電極層6及黑化層9圖案化，而獲得形成有電極圖案15之觸控面板用基板20。
如圖1E所示，觸控面板用基板20具備透明基板2及配置於透明基板2之正面及背面之電極圖案15。較佳為觸控面板用基板20包含透明基板2與電極圖案15。
電極圖案15於透明基板2之正側具備第1金屬基底4、第1電極層7及黑化層9，且於透明基板2之背面側具備第2金屬基底5及第2電極層8。電極圖案15具備引出配線16、及連接於引出配線16(未圖示)而形成之電極17。
引出配線16於觸控面板用基板20之周端部相互隔開間隔而配置有複數個。
電極17於下述之液晶顯示裝置30(參照圖2)構成檢測部(感測器)，且於觸控面板用基板20之中央相互隔開間隔而配置有複數個。電極17之圖案於向厚度方向投影時形成格子形狀，具體而言，配置於透明基板2之正側之電極17與配置於透明基板2之背面側之電極17例如於向厚度方向投影時，係以分別正交之方式形成。具體而言，配置於透明基板2之正側之電極17沿左右方向延伸，且於前後方向上相互隔開間隔而形成。另一方面，配置於透明基板2之背面側之電極17沿前後方向延伸，且於左右方向上相互隔開間隔而形成。
如圖1E所示，為了將配置於透明基板2之正側之第1金屬基底4、第1電極層7及黑化層9、與配置於透明基板2之背面側之第2金屬基底5及第2電極層8圖案化為電極圖案15，例如對其等進行蝕刻。
藉此，如圖1E所示，獲得於透明基板2之正背兩面形成有具備引出配線16及電極17之電極圖案15的觸控面板用基板20。
<觸控面板及液晶顯示裝置>
繼而，參照圖2對具備圖1E所示之觸控面板用基板20之液晶顯示裝置30進行說明。
於圖2中，液晶顯示裝置30例如為觸控面板式行動電話，且係自正側由操作者(或者視認者)視認及操作。液晶顯示裝置30具備：LCD模組(液晶顯示模組)14，其為板狀，且作為影像顯示元件；偏光板12，其於LCD模組14之正側隔開間隔而設置；及觸控面板26，其配置於偏光板12之正面。
雖未圖示，但於LCD模組14之背面側設置有電路基板及殼體等。
於液晶顯示裝置30之左右方向及前後方向之中央部，LCD模組14與偏光板12之間被設為作為空氣層之間隙層13。再者，間隙層13係藉 由周端部上配置為框狀之間隔件21而劃分成。
觸控面板26具備：觸控面板用基板20，其配置於偏光板12之正面；及保護玻璃層11，其經由透明之黏著劑層25而接著於觸控面板用基板20之正側。
於圖2之觸控面板26中，圖1E所示之觸控面板用基板20係於維持其正背方向之配置之狀態下配置於液晶顯示裝置30。
即，如圖2之左側之圓圈之放大圖所示，於液晶顯示裝置30之觸控面板26之觸控面板用基板20中，第1金屬基底4、第1電極層7及黑化層9相對於透明基板2而配置於正側。即，第1金屬基底4、第1電極層7及黑化層9係以該順序自透明基板2朝向正側配置。
另一方面，第2金屬基底5及第2電極層8相對於透明基板2而配置於背面側。即，第2金屬基底5及第2電極層8係以該順序自透明基板2朝向背面側配置。
即，於液晶顯示裝置30之觸控面板用基板20中，自正側(厚度方向之另一側)朝向背面側(厚度方向之其中一側)依序配置有黑化層9、第1電極層7、第1金屬基底4、透明基板2、第2金屬基底5及第2電極層8。
而且，於該液晶顯示裝置30中，當手指等接觸或接近於與電極17對應之保護玻璃層11之正面時，與未接觸或者近接之情形相比會產生靜電電容之差，且該靜電電容之差會作為檢測信號而經由引出配線16傳送至未圖示之電路基板。
另一方面，輸入信號自電路基板被輸入至LCD模組14。藉由該輸入信號使LCD模組14顯示影像。該影像經由偏光板12、觸控面板26而被操作者(或者視認者)視認。
另一方面，於藉由自正側入射之自然光透過保護玻璃層11及黏著劑層25，繼而通過包含黑化層9、第1電極層7及第1金屬基底4之複數 個電極圖案15之間，其次透過透明基板2，然後於相對於透明基板2而配置於背面側之電極圖案15之正面、具體而言於第2金屬基底5之正面(視認側面)反射(或者金屬光澤)而視認者視認到顯示於LCD模組14之影像時，存在對上述之影像之視認性降低的情形。然而，根據本實施形態，以第2金屬基底5之背面之算術粗糙度Ra成為上述下限以上之方式形成有凝聚粒子52，因此抑制第2金屬基底5之正面之金屬光澤之產生，即抑制自然光於液晶顯示裝置30之第2金屬基底5之正面反射之情況。
再者，由相對於透明基板2而配置於正側之電極圖案15之正面、具體而言第1電極層7之正面之金屬光澤所引起之視認性的降低，藉由黑化層9而被抑制。
(本實施形態之作用效果)
而且，於該電極圖案製作用積層體1及觸控面板用基板20中，僅藉由如下簡便之構成而可將圖1D及圖1E所示之第2金屬基底5之正面的反射率設定得較低：不將黑化層9設置於透明基板2之背面19，即未如圖10A~圖10C所示般於不同之步驟(圖10A之步驟與圖10C之步驟)中設置第2黑化層57及第1黑化層56，即不於電極層配置步驟(參照圖1C)之前之步驟中設置黑化層9，而且於電極層配置步驟(參照圖1C)之後之黑化層配置步驟中設置一個黑化層9(參照圖1C)，並且將用以設置第2電極層8之第2金屬基底5之背面之算術粗糙度Ra設定為特定的下限值以上。
因此，圖2所示且具備自電極圖案製作用積層體1製作之觸控面板用基板20之液晶顯示裝置30，可一面防止對於LCD模組14之因第2金屬基底5之正面之金屬光澤所引起的自正側(視認側，參照圖2)之視認性之降低，一面使觸控面板用基板20之構成簡單。
又，圖1A~圖1E所示之電極圖案製作用積層體1及觸控面板用基 板20之製造方法未於不同之步驟(圖10A之步驟與圖10C之步驟)中設置如圖10A~圖10C所示之第2黑化層57及第1黑化層56，即未於電極層配置步驟(參照圖1C)之前之步驟中設置黑化層9，而且具備於電極層配置步驟(參照圖1C)之後之黑化層配置步驟中設置一個黑化層9(參照圖1D)並且將透明基板2改質之步驟(圖1A之步驟)，因此可藉由低成本且簡便之方法而將第2金屬基底5之正面之反射率設定得較低，從而可製造電極圖案製作用積層體1以及視認性優異之觸控面板用基板20。具體而言，於先前之日本專利特開2013-129183號公報之方法中，如圖10A及圖10C所示，需要於兩個步驟之各者中對第1黑化層56及第2黑化層57實施濺鍍或電鍍等需要高價之裝置之真空製程。然而，於本實施形態中，如圖1D所示，於上述製程中，僅於一個步驟中形成一個黑化層9，並且藉由選自由活性能量線、電漿及雷射所組成之群中之任一種將透明基板2之背面19改質，因此能以低成本製造電極圖案製作用積層體1及觸控面板用基板20。
<變化例>
於圖1D及圖1E之以實線所表示之實施形態中，黑化層9僅配置於第1電極層7之正面，但例如如圖1D及圖1E之假想線所示，黑化層9亦可進而配置於第2電極層8之背面。即，黑化層9係配置於第1電極層7之正面及第2電極層8之背面。於此情形時，兩個黑化層9於一個步驟，例如利用電鍍，具體而言僅將設置有第1電極層7及第2電極層8之透明基板2浸漬於電鍍浴而同時形成。
又，於圖1D及圖1E之以實線所表示之實施形態中，將黑化層9相對於第1電極層7而作為層來另行配置，但例如只要可抑制第1電極層7之正面之金屬光澤而將第1電極層7之正面之反射率設定得較低，則並未特別限定，具體而言，亦可不另行配置黑化層9，而藉由蝕刻等於第1電極層7之正面形成微小之凹凸。
又，於圖1A之以箭頭所示之實施形態中，於改質步驟中，僅對透明基板2之背面19進行改質，雖未圖示，但例如亦可進而對透明基板2之正面18進行改質。
於此情形時，第1金屬基底4之正面18具有與第2金屬基底5之背面19的反射率為相同範圍之反射率。即，第1金屬基底4包含複數個金屬粒子51之一次粒子凝聚成葡萄之串狀而成的凝聚粒子52，藉此，第1金屬基底4之正面之算術粗糙度Ra與第2金屬基底5之背面之算術粗糙度Ra具有相同範圍。
又，於以圖1D及圖1E所示之實施形態中，於透明基板2之兩側設置金屬基底3及電極層6。即，於透明基板2之背面側設置第2金屬基底5及第2電極層8，且亦於透明基板2之正側設置第1金屬基底4及第1電極層7。然而，例如如圖3C及圖3D所示，於電極圖案製作用積層體1中，可僅於透明基板2之背面側設置第2金屬基底5及第2電極層8。
即，如圖3C所示，第2金屬基底5及第2電極層8設置於透明基板2之背面側，另一方面，於透明基板2之正側未設置第1金屬基底4及第1電極層7，進而亦未設置黑化層9。透明基板2之正面18於正側露出。
為了獲得此種電極圖案製作用積層體1，首先，如圖3A所示，準備透明基板2(準備步驟)，繼而，如圖3A之箭頭所示，對透明基板2之背面19進行改質(改質步驟)，其次，如圖3B所示，將金屬基底3(第2金屬基底5)僅配置於透明基板2之背面19(基底配置步驟)，其後，如圖3C所示，將電極層6(第2電極層8)僅配置於金屬基底3(第2金屬基底5)之背面(電極層配置步驟)。藉此，獲得電極圖案製作用積層體1。
藉由將此種電極圖案製作用積層體1之金屬基底3及電極層6圖案化，而如圖3D所示製作形成有電極圖案15之觸控面板用基板20，亦於將該觸控面板用基板20設置於液晶顯示裝置30之觸控面板26時，將觸控面板用基板20於維持其正背方向之配置之狀態下配置於液晶顯示 裝置30。
亦可藉由該構成而抑制第2金屬基底5之正面產生金屬光澤，即抑制自然光於液晶顯示裝置30之第2金屬基底5之正面反射之情況。
根據該變化例之構成，如圖3B所示，無需於透明基板2之正面18設置第1金屬基底4，因此可使電極圖案製作用積層體1之構成簡單。進而，如圖3C所示，亦無需設置黑化層9，因此可利用簡便之方法製造電極圖案製作用積層體1，並且可進一步使電極圖案製作用積層體1之構成簡易。
如圖1D及圖1E所示，較佳為將金屬基底3設置於透明基板2之兩側。根據此種構成，可藉由配置於透明基板2之兩側且具備排列不同之2種電極層6的電極17，而精度佳地檢測保護玻璃層11之正面上之操作者之手指的左右方向及前後方向之位置及動作。另一方面，可藉由第1電極層7之正側之黑化層9及正面具有特定之算術粗糙度Ra之第2金屬基底5之各者，而抑制因第1電極層7之正面之金屬光澤及第2金屬基底5之背面之金屬光澤而引起的液晶顯示裝置30之正側(視認側)之視認性之降低。
又，於以圖2所示之實施形態中，例示了LCD模組14作為影像顯示元件，但不限定於此，例如，亦可例示CRT(cathode-ray tube，陰極射線管)、無機EL(Electroluminescence，電致發光)顯示器、有機EL顯示器、LED顯示器、LD(Laser Diode，激光二極管)顯示器、場發射顯示器、電漿顯示器等。
實施例
以下表示實施例及比較例而對本發明更具體地進行說明。再者，本發明不受實施例及比較例任何限定。
又，以下所示之實施例之數值可代替上述之實施形態中所記載之數值(即，上限值或下限值)。
(實施例1)
準備於作為基材層之厚度50μm之PET(polyethylene terephthalate，聚對苯二甲酸乙二酯)膜之正背兩面配置有作為易接著層(第1易接著層及第2易接著層)的聚酯系樹脂層(厚度70nm)之透明基板(商品名「U48」，東麗公司製造)(參照圖1A)。
其次，藉由低壓水銀燈(輸出：400W，OAK製作所製造)以60秒、照射量1260mJ/cm2之條件對透明基板之背面進行紫外線照射(參照圖1A之箭頭)。對透明基板之紫外線之照射量(曝光量)係藉由配置於透明基板的附近之紫外線光量計(UV-351、OAK公司製造)而測定。關於以下之照射量，亦以相同之方式進行測定。藉此，將透明基板之背面改質。
其次，對透明基板之正背兩面依序實施預處理、無電電鍍及電解電鍍。
具體而言，於預處理中，依序實施清洗處理、觸媒處理、及活化處理。
首先，於清洗處理中，將背面被紫外線照射之透明基板於70℃之調節液中浸漬3分鐘。
其次，於觸媒處理中，將已清洗之透明基板於65℃之Pd觸媒液中浸漬5分鐘。藉此，於透明基板之正面及背面形成Pd之觸媒皮膜。
其後，於活化處理中，將透明基板於50g/l之次亞磷酸水溶液中浸漬1分鐘。藉此，對透明基板之正背兩面(設置於正背兩面之觸媒皮膜之露出面)進行活化處理。
藉此，對透明基板之正背兩面進行預處理。
其次，將已預處理之透明基板於27℃之無電解銅電鍍液中浸漬5分鐘。藉此，於透明基板之正背兩面形成包含銅之金屬基底(第1金屬基底及第2金屬基底)(參照圖1B)。第1金屬基底之正面電阻及第2金屬 基底之背面電阻為0.6Ω/□。藉由電阻率計(Loresta EP MCP-360，三菱化學ANALYTECH公司製造)測定正面電阻及背面電阻。以下之正面電阻及背面電阻亦與上述同樣地進行測定。
其次，將於正背兩面形成有金屬基底(第1金屬基底及第2金屬基底)之透明基板浸漬於23℃之硫酸銅電鍍液中，並以平均電流密度0.5A/dm2進行2分鐘電解電鍍。藉此，將包含銅之厚度200nm之電極層(第1電極層及第2電極層)形成於第1金屬基底之正面及第2金屬基底之背面(參照圖1C)。第1電極層之正面電阻及第2電極層之背面電阻為0.1Ω/□。
其後，將於正背兩面形成有電極層(第1電極層及第2電極層)之透明基板浸漬於30℃之NiZn電鍍液中，並以平均電流密度0.08A/dm2進行90秒電解電鍍(參照圖1D之假想線)。藉此，將包含NiZn之厚度50nm之黑化層分別形成於第1電極層之正面及第2電極層之背面。
(實施例2)
準備於厚度50μm之PET膜之正背兩面配置有作為易接著層的聚酯系樹脂層(厚度70nm)之透明基板(商品名「U48」，東麗公司製造)(參照圖1A)。
其次，藉由低壓水銀燈(輸出：400W，OAK製作所製造)以60秒、照射量1245mJ/cm2之條件對透明基板之背面進行紫外線照射(參照圖1A之箭頭)。藉此，將透明基板之背面改質。
其次，對透明基板之正背兩面依序實施預處理、無電電鍍及電解電鍍。
具體而言，於預處理中，依序實施清洗處理、觸媒處理、及活化處理。
首先，於清洗處理中，將背面被紫外線照射之透明基板於70℃之調節液中浸漬3分鐘。藉此，對透明基板之正背兩面進行清洗(脫脂 處理)。
其次，於觸媒處理中，將已清洗之透明基板於30℃之Pd觸媒液中浸漬1分鐘。藉此，於透明基板之正面及背面形成Pd之觸媒皮膜。
其後，於活化處理中，將透明基板於50g/l之次亞磷酸水溶液中浸漬1分鐘。藉此，對透明基板之正背兩面(設置於正背兩面之觸媒皮膜之露出面)進行活化處理。
藉此，對透明基板之正背兩面進行預處理。
其次，將預處理後之透明基板於50℃之無電解鎳電鍍液中浸漬3分鐘。藉此，於透明基板之正背兩面形成包含鎳之金屬基底(第1金屬基底及第2金屬基底)(參照圖1B)。第1金屬基底之正面電阻及第2金屬基底之背面電阻為0.5Ω/□。
其次，將於正背兩面形成有金屬基底(第1金屬基底及第2金屬基底)之透明基板浸漬於23℃之硫酸銅電鍍液中，並以平均電流密度0.5A/dm2進行2分鐘電解電鍍。藉此，將包含銅之厚度200nm之電極層(第1電極層及第2電極層)形成於第1金屬基底之正面及第2金屬基底之背面(參照圖1C)。第1電極層之正面電阻及第2電極層之背面電阻為0.1Ω/□。
將於正背兩面形成有電極層(第1電極層及第2電極層)之透明基板浸漬於30℃之NiZn電鍍液中，並以平均電流密度0.08A/dm2進行90秒電解電鍍(參照圖1D之假想線)。藉此，將包含NiZn之厚度50nm之黑化層形成於第1電極層之正面及第2電極層之背面之各者。
(實施例3)
將低壓水銀燈之輸出變更為40W，且將藉由低壓水銀燈之紫外線之照射條件變更為10分鐘、3332mJ/cm2，除此以外，以與實施例2相同之方式進行處理而獲得電極圖案製作用積層體。
(實施例4)
將低壓水銀燈之輸出變更為40W，且將藉由低壓水銀燈之紫外線之照射條件變更為3分鐘、1097mJ/cm2，除此以外，以與實施例2相同之方式進行處理而獲得電極圖案製作用積層體。
(比較例1)
將藉由低壓水銀燈之紫外線之照射條件變更為15秒、308mJ/cm2，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而獲得電極圖案製作用積層體。
(比較例2)
將藉由低壓水銀燈之紫外線之照射條件變更為30秒、632mJ/cm2，除此以外，以與實施例2相同之方式進行處理而獲得電極圖案製作用積層體。
(比較例3)
將低壓水銀燈之輸出變更為40W，且將藉由低壓水銀燈之紫外線之照射條件變更為30秒、202mJ/cm2，除此以外，以與實施例2相同之方式進行處理而獲得電極圖案製作用積層體。
(比較例4)
將藉由低壓水銀燈之紫外線之照射條件變更為30秒、627mJ/cm2，除此以外，以與實施例1相同之方式進行處理而獲得電極圖案製作用積層體。
(評價)
分別測定以下之物性。將其等之結果(除SEM照片以外)示於表1。
1.金屬基底之正面之反射率
於利用保護膜保護相對於透明基板而配置於背面側之黑化層、第2電極層及第2金屬基底之後，將該透明基板於40℃之硝酸/過氧化氫液中浸漬10分鐘。藉此，去除(剝離)相對於透明基板而配置於正側 之黑化層、第1電極層及第1金屬基底。
其後，使用分光光度計(V-670，日本分光公司製造)以自透明基板之正側透過之形式對第2金屬基底進行照射，並於波長1300~300nm之測定範圍內進行掃描而測定第2金屬基底之正面之反射率。具體而言，將視感反射率Y值設為反射率。
2.金屬基底之背面之粗糙度Ra
使用掃描式共聚焦雷射顯微鏡(OLS300，Olympus(奧林巴斯)公司製造)，並依據JIS B 0601對形成電極層前之透明基板之第1金屬基底之正面之粗糙度Ra及第2金屬基底之背面的粗糙度Ra進行測定。
3.凝聚粒子之平均粒徑(第2金屬基底之金屬之凝聚粒子之平均粒徑)
對形成第2金屬基底之金屬粒子凝聚而成之凝聚粒子之平均粒徑進行測定。
具體而言，使用FIB-SEM(Focused Ion Beam-Scanning Electron Microscope，聚焦離子束掃描式電子顯微鏡)複合裝置(商品名「SMI9200」，使用倍率：100,000倍，SII Nano Technology(奈米技術)公司製造)，對配置於形成第2電極層之前之透明基板之第2金屬基底的影像進行拍攝。根據所拍攝之影像並使用解析影像「軟體Image(影像)J」來特定出二次粒子之粒界，其後，將二次粒子之長邊方向設為直徑而求出影像內之粒子個數之平均值(平均粒徑)。
4. SEM觀察
對配置於形成第2電極層之前之透明基板之第2金屬基底的背面進行SEM觀察。
將實施例1、2、4及比較例1、3之SEM照片分別示於圖4~7。
再者，上述發明係作為本發明之例示之實施形態而提供，但其只不過為例示，不應限定性地解釋。由該技術領域之業者所明知之本發明的變化例包含於下述之申請專利範圍內。
1‧‧‧電極圖案製作用積層體
2‧‧‧透明基板
3‧‧‧金屬基底
4‧‧‧第1金屬基底
5‧‧‧第2金屬基底
6‧‧‧電極層
7‧‧‧第1電極層
8‧‧‧第2電極層
9‧‧‧黑化層
15‧‧‧電極圖案
16‧‧‧引出配線
17‧‧‧電極
18‧‧‧正面
19‧‧‧背面
20‧‧‧觸控面板用基板
21‧‧‧基材層
22‧‧‧易接著層
23‧‧‧第1易接著劑層
24‧‧‧第2易接著劑層
51‧‧‧金屬粒子
52‧‧‧凝聚粒子

Claims (10)

  1. 一種電極圖案製作用積層體，其特徵在於具備：透明基板；金屬基底，其配置於上述基板之厚度方向之其中一面，且該厚度方向之其中一面之依據JIS B 0601而算出的算術粗糙度Ra為100nm以上；及電極層，其配置於上述金屬基底之厚度方向之其中一面。
  2. 如請求項1之電極圖案製作用積層體，其中上述金屬基底包含金屬粒子之一次粒子凝聚而成之凝聚粒子，且上述凝聚粒子之平均粒徑為30.0nm以上。
  3. 如請求項1之電極圖案製作用積層體，其中使用分光光度計，使300nm~1300nm之波長掃描，自上述透明基板之上述厚度方向之另一側以通過上述透明基板之方式對上述金屬基底進行照射而測定的視感反射率(Y值)為20.0%以下。
  4. 如請求項1之電極圖案製作用積層體，其中上述金屬基底係藉由利用選自由活性能量線、電漿及雷射所組成之群中之任一種將上述透明基板的上述厚度方向之其中一面改質，其次對已改質之上述透明基板進行無電電鍍而設置。
  5. 如請求項1之電極圖案製作用積層體，其中上述金屬基底亦配置於上述透明基板之上述厚度方向之另一面，且兩個上述金屬基底中至少配置於上述透明基板之上述厚度方向之其中一側的上述金屬基底之上述厚度方向之其中一面的上述算術粗糙度Ra為100nm以上。
  6. 一種觸控面板用基板，其特徵在於：藉由將如請求項1之電極圖案製作用積層體之電極層及金屬基底圖案化而形成電極圖案。
  7. 一種影像顯示裝置，其特徵在於具備：如請求項6之觸控面板用基板；及影像顯示元件，其配置於上述觸控面板用基板之厚度方向之其中一側。
  8. 如請求項7之影像顯示裝置，其中上述影像顯示元件為液晶顯示模組。
  9. 一種電極圖案製作用積層體之製造方法，其特徵在於具備：準備透明基板之步驟；將上述透明基板之厚度方向之其中一面改質之步驟；將金屬基底配置於上述透明基板之已改質之上述厚度方向之其中一面的步驟；及將電極層配置於上述金屬基底之厚度方向之其中一面的步驟。
  10. 如請求項9之電極圖案製作用積層體之製造方法，其中於將上述透明基板之上述厚度方向之其中一面改質之步驟中，藉由選自由活性能量線、電漿及雷射所組成之群中之任一種而將上述透明基板改質。
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