KR20160007369A

KR20160007369A - 전극 패턴 제작용 적층체, 그 제조 방법, 터치 패널용 기판 및 화상 표시 장치

Info

Publication number: KR20160007369A
Application number: KR1020150094257A
Authority: KR
Inventors: 마코토 츠네카와
Original assignee: 닛토덴코 가부시키가이샤
Priority date: 2014-07-10
Filing date: 2015-07-01
Publication date: 2016-01-20
Also published as: CN105278740A; TW201603054A; US20160014905A1; JP2016018482A

Abstract

전극 패턴 제작용 적층체는, 기판의 두께 방향 일방면에 배치되고, 그 두께 방향 일방면의 JIS B 0601 에 준거하여 산출되는 산술 조도 Ra 가 100 ㎚ 이상인 금속 하지와, 금속 하지의 두께 방향 일방면에 배치되는 전극층을 구비한다.

Description

전극 패턴 제작용 적층체, 그 제조 방법, 터치 패널용 기판 및 화상 표시 장치{LAMINATE FOR ELECTRODE PATTERN PRODUCTION, PRODUCTION METHOD THEREOF, TOUCH PANEL SUBSTRATE, AND IMAGE DISPLAY DEVICE}

본 발명은 전극 패턴 제작용 적층체, 그 제조 방법, 터치 패널용 기판 및 화상 표시 장치, 상세하게는 전극 패턴 제작용 적층체, 전극 패턴 제작용 적층체의 제조 방법, 전극 패턴 제작용 적층체로부터 얻어지는 터치 패널용 기판, 및 터치 패널용 기판을 구비하는 화상 표시 장치에 관한 것이다.

종래부터 액정 표시 장치 등의 화상 표시 장치가, 배선을 포함하는 금속층이 표면 및 이면에 배치된 터치 패널용 기판을 구비하는 것이 알려져 있다.

이러한 배선은 금속 광택을 가지며, 그것에 의해 액정 표시 장치의 시인성이 저하될 것이 우려된다.

그래서 도 9c 에 나타내는 바와 같이, 터치 패널용 기판을 제조하기 위한 적층체로서, 예를 들어 제 1 흑화층 (56) 과, 제 1 금속층 (55) 과, 기재 (51) 와, 제 2 흑화층 (57) 과, 제 2 금속층 (58) 을 이 순서대로 갖는 적층체 (50) 가 알려져 있다.

이러한 적층체 (50) 를 얻기 위해서는, 예를 들어 도 9a 에 나타내는, 제 1 금속층 (55) 및 제 1 흑화층 (56) 이 표면에 순차 적층된 제 1 기재 (51) 와, 도 9b 에 나타내는, 제 2 금속층 (58) 및 제 2 흑화층 (57) 이 표면에 순차 적층된 제 2 기재 (49) 를, 도 9c 에 나타내는 바와 같이, 제 1 금속층 (55) 및 제 2 금속층 (58) 이 표리 방향에 있어서 제 1 기재 (51) 를 사이에 끼우도록 첩합 (貼合) 한다.

이러한 적층체 (50) 에서는, 제 1 흑화층 (56) 에 의해, 제 1 도체층 (55) 의 표면의 금속 광택에서 기인하는 표측 (시인측) 에서부터의 디스플레이 (40) 의 시인성 저하를 방지할 수 있음과 함께, 제 2 흑화층 (57) 에 의해, 제 2 도체층 (58) 의 표면의 금속 광택에서 기인하는 표측 (시인측) 에서부터의 디스플레이 (40) 의 시인성 저하를 방지할 수 있다.

그러나 이 방법에서는, 2 개의 기재 (제 1 기재 (51) 및 제 2 기재 (49)) 를 준비할 필요가 있어, 그만큼 번거로워진다.

그래서, 예를 들어 1 개의 기재의 양측에 2 개의 금속층과 2 개의 흑화층을 배치하는 방법이 제안되어 있다 (예를 들어 일본 공개특허공보 2013-129183호 참조).

일본 공개특허공보 2013-129183호의 방법에서는, 우선 도 10a 에 나타내는 바와 같이, 먼저 기재 (51) 를 준비하고, 계속해서 제 2 흑화층 (57) 을 기재 (51) 의 이면에 스퍼터링이나 도금 등의 프로세스에 의해 형성하고, 이어서, 도 10b 에 나타내는 바와 같이, 제 1 도체층 (55) 및 제 2 도체층 (58) 을 기재 (51) 의 표면 및 제 2 흑화층 (57) 의 이면의 각각에 형성한다. 그 후, 도 10c 에 나타내는 바와 같이, 제 1 흑화층 (56) 을 제 1 도체층 (55) 의 표면에 상기한 프로세스에 의해 형성한다.

그러나, 일본 공개특허공보 2013-129183호의 방법에서는, 제 2 흑화층 (57) 과 제 1 흑화층 (56) 의 2 개의 흑화층을, 별도의 공정, 요컨대 제 1 도체층 (55) 및 제 2 도체층 (58) 을 형성하는 공정의 전 공정 (도 10a 참조) 과 후 공정 (도 10c 참조) 에 있어서 각각 형성할 필요가 있다. 그 때문에, 적층체 (50) 는 번잡한 공정에 의해서 얻어진다는 문제가 있다.

본 발명의 목적은, 전극 패턴 제작용 적층체, 나아가서는 터치 패널용 기판을 간편한 방법으로 제조하기 위한 전극 패턴 제작용 적층체의 제조 방법, 그것에 의해 얻어지는 전극 패턴 제작용 적층체, 그것으로부터 얻어지는 터치 패널용 기판, 및 그것을 구비하며, 시인성이 우수한 화상 표시 장치를 제공하는 것에 있다.

본 발명은, 다음과 같다.

[1]

투명 기판과, 상기 투명 기판의 두께 방향 일방면에 배치되고, 그 두께 방향 일방면의 JIS B 0601 에 준거하여 산출되는 산술 조도 Ra 가 100 ㎚ 이상인 금속 하지 (下地) 와, 상기 금속 하지의 두께 방향 일방면에 배치되는 전극층을 구비하는 것을 특징으로 하는 전극 패턴 제작용 적층체.

[2]

상기 금속 하지는 금속 입자의 1 차 입자가 응집한 응집 입자를 포함하고, 상기 응집 입자의 평균 입자경이 30.0 ㎚ 이상인 것을 특징으로 하는, 상기 [1] 에 기재된 전극 패턴 제작용 적층체.

[3]

분광 광도계를 사용하여, 300 ㎚ ∼ 1300 ㎚ 의 파장을 스캐닝시키고, 상기 투명 기판의 상기 두께 방향 타방측에서부터 상기 투명 기판을 통과하도록 상기 금속 하지에 조사하여 측정한 시감 반사율 (Y 값) 이 20.0 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 상기 [1] 또는 [2] 에 기재된 전극 패턴 제작용 적층체.

[4]

상기 금속 하지는, 상기 투명 기판의 상기 두께 방향 일방면을 활성 에너지선, 플라즈마 및 레이저로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 1 종에 의해 개질하고, 이어서, 개질된 상기 투명 기판에 무전해 도금함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 상기 [1] ∼ [3] 중 어느 하나에 기재된 전극 패턴 제작용 적층체.

[5]

상기 금속 하지가 상기 투명 기판의 상기 두께 방향 타방면에도 배치되고, 2 개의 상기 금속 하지 중, 적어도 상기 투명 기판의 상기 두께 방향 일방측에 배치되는 상기 금속 하지의 상기 두께 방향 일방면의 상기 산술 조도 Ra 가 100 ㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 상기 [1] ∼ [4] 중 어느 하나에 기재된 전극 패턴 제작용 적층체.

[6]

상기 [1] ∼ [5] 중 어느 하나에 기재된 전극 패턴 제작용 적층체의 전극층 및 금속 하지가 패터닝됨으로써 전극 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 터치 패널용 기판.

[7]

상기 [6] 에 기재된 터치 패널용 기판과, 상기 터치 패널용 기판의 두께 방향 일방측에 배치되는 화상 표시 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.

[8]

상기 화상 표시 소자가 액정 표시 모듈이고, 상기 화상 표시 장치가 액정 표시 장치인 것을 특징으로 하는 상기 [7] 에 기재된 화상 표시 장치.

[9]

투명 기판을 준비하는 공정, 상기 투명 기판의 두께 방향 일방면을 개질하는 공정, 금속 하지를, 상기 투명 기판에 있어서 개질된 상기 두께 방향 일방면에 배치하는 공정, 및 전극층을 상기 금속 하지의 두께 방향 일방면에 배치하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전극 패턴 제작용 적층체의 제조 방법.

[10]

상기 투명 기판의 상기 두께 방향 일방면을 개질하는 공정에서는, 활성 에너지선, 플라즈마 및 레이저로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 1 종에 의해 상기 투명 기판을 개질하는 것을 특징으로 하는 상기 [9] 에 기재된 전극 패턴 제작용 적층체의 제조 방법.

본 발명의 전극 패턴 제작용 적층체 및 터치 패널용 기판에서는, 흑화층을 투명 기판의 두께 방향 일방면에 형성하지 않고, 전극층을 형성하기 위한 금속 하지의 두께 방향 일방면의 산술 조도 Ra 를 특정한 하한치 이상으로 설정하는 것뿐인 간편한 구성에 의해서, 금속 하지의 반사율을 낮게 설정할 수 있다.

그 때문에, 본 발명의 터치 패널용 기판을 구비하는 화상 표시 장치는, 화상 표시 소자에 대한, 금속 하지의 금속 광택에서 기인하는 시인성의 저하 방지를 가능하게 하면서 구성을 간편하게 할 수 있다.

본 발명의 전극 패턴 제작용 적층체의 제조 방법은, 전극층을 형성하는 공정의 전 공정에 있어서 흑화층을 형성하지 않고, 전극층을 형성하는 공정의 후 공정에 있어서 1 개의 흑화층을 형성하는 것을 가능하게 하면서 투명 기판의 두께 방향 일방면을 개질하는 공정을 구비하기 때문에, 저비용의 또한 간편한 방법에 의해서 금속 하지의 반사율을 저하시키고, 전극 패턴 제작용 적층체, 나아가서는 시인성이 우수한 터치 패널용 기판을 제조할 수 있다.

도 1a ∼ 도 1e 는, 본 발명의 전극 패턴 제작용 적층체 및 터치 패널용 기판의 일 실시형태의 제조 방법을 나타내는 공정도이며,
도 1a 는, 투명 기판을 준비하는 준비 공정 및 투명 기판의 이면을 개질하는 개질 공정,
도 1b 는, 금속 하지를 투명 기판에 배치하는 하지 배치 공정,
도 1c 는, 전극층을 금속 하지에 배치하는 전극층 배치 공정,
도 1d 는, 흑화층을 제 1 전극층에 배치하는 흑화층 배치 공정,
도 1e 는, 금속 하지, 전극층 및 흑화층을 패터닝하는 공정을 나타낸다.
도 2 는, 도 1e 에 나타내는 터치 패널용 기판을 구비하는 액정 표시 장치의 단면도를 나타낸다.
도 3a ∼ 도 3d 는, 본 발명의 전극 패턴 제작용 적층체 및 터치 패널용 기판의 일 실시형태의 제조 방법의 변형예를 나타내는 공정도이며,
도 3a 는, 투명 기판을 준비하는 준비 공정 및 투명 기판의 이면을 개질하는 개질 공정,
도 3b 는, 금속 하지를 투명 기판에 배치하는 하지 배치 공정,
도 3c 는, 전극층을 금속 하지에 배치하는 전극층 배치 공정,
도 3d 는, 금속 하지 및 전극층을 패터닝하는 공정을 나타낸다.
도 4 는, 실시예 1 의 제 2 금속 하지의 SEM 사진의 화상 처리도를 나타낸다.
도 5 는, 실시예 2 의 제 2 금속 하지의 SEM 사진의 화상 처리도를 나타낸다.
도 6 은, 실시예 4 의 제 2 금속 하지의 SEM 사진의 화상 처리도를 나타낸다.
도 7 은, 비교예 1 의 제 2 금속 하지의 SEM 사진의 화상 처리도를 나타낸다.
도 8 은, 비교예 3 의 제 2 금속 하지의 SEM 사진의 화상 처리도를 나타낸다.
도 9a ∼ 도 9c 는, 투명 전극 패턴 제작용 적층체의 제조 방법 (종래예) 을 나타내는 공정도이며,
도 9a 는, 제 1 전극층 및 제 1 흑화층이 표면에 순차 적층된 제 1 투명 기판을 준비하는 공정,
도 9b 는, 제 2 전극층 및 제 2 흑화층이 표면에 순차 적층된 제 2 투명 기판을 준비하는 공정,
도 9c 는, 제 1 투명 기판과 제 2 투명 기판을 첩합하는 공정을 나타낸다.
도 10a ∼ 도 10c 는, 일본 공개특허공보 2013-129183호에 기재된 적층체의 제조 방법을 나타내는 공정도이며,
도 10a 는, 제 2 흑화층을 형성하는 공정,
도 10b 는, 제 1 도체층 및 제 2 도체층을 형성하는 공정,
도 10c 는, 제 1 흑화층을 형성하는 공정을 나타낸다.

도 1 에 있어서, 지면 (紙面) 상하 방향은 전극 패턴 제작용 적층체 (후술) 의 표리 방향 (전극 패턴 제작용 적층체의 두께 방향, 제 1 방향) 으로서, 지면 하측은 이측 (裏側) (두께 방향 일방측, 제 1 방향 일방측), 지면 상측은 표측 (두께 방향 타방측, 제 1 방향 타방측) 이다. 또한, 도 1 에 있어서, 표리 방향은 후술하는 투명 기판이 기준이 된다.

도 1 에 있어서, 지면 좌우 방향은 좌우 방향 (폭방향, 제 1 방향에 직교하는 제 2 방향) 으로서, 지면 좌측은 좌측 (폭방향 일방측, 제 2 방향 일방측), 지면 우측은 우측 (폭방향 타방측, 제 2 방향 타방측) 이다. 도 1 에 있어서, 지면 두께 방향은 전후 방향 (제 1 방향 및 제 2 방향에 직교하는 제 3 방향) 으로서, 지면 앞쪽은 전측 (제 3 방향 일방측), 지면 안쪽은 후측 (제 3 방향 타방측) 이다. 구체적으로는, 각 도면의 방향 화살표에 준거한다.

도 1d 에 나타내는 바와 같이, 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 는 소정의 두께를 갖는 판상을 이루고, 두께 방향과 직교하는 소정 방향 (면 방향, 구체적으로는 좌우 방향 및 전후 방향) 으로 연장되며, 평탄한 표면 및 평탄한 이면을 갖고 있다. 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 는, 예를 들어 후술하는 액정 표시 장치 (30) (도 2 참조) 등의 화상 표시 장치에 구비되는 터치 패널용 기판 (20) (도 1e 참조) 등을 제조하기 위한 하나의 부품으로, 요컨대 화상 표시 장치가 아니다. 즉, 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 는 화상 표시 장치를 제조하기 위한 부품으로, LCD 모듈 (14) (도 2 참조) 등의 화상 표시 소자를 포함하지 않으며, 후술하는 투명 기판 (2), 금속 하지 (3) 및 전극층 (6) (도 1d 참조) 으로 이루어지고, 부품 단독으로 유통되어, 산업상 이용 가능한 디바이스이다.

구체적으로는 도 1d 에 나타내는 바와 같이, 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 는, 투명 기판 (2) 과, 투명 기판 (2) 의 표면 (18) 및 이면 (19) 의 각각에 배치되는 금속 하지 (3) 와, 표측의 금속 하지 (3) 표면 및 이측의 금속 하지 (3) 이면의 각각에 배치되는 전극층 (6) 과, 표측의 전극층 (6) 의 표면에 배치되는 흑화층 (9) 을 구비한다. 바람직하게는 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 는, 투명 기판 (2) 과, 금속 하지 (3) 와, 전극층 (6) 과, 흑화층 (9) 으로 이루어진다.

투명 기판 (2) 은, 평면으로 볼 때, 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 의 외형 형상에 대응하는 필름상 (또는 박판상) 으로 형성되어 있다. 투명 기판 (2) 을 형성하는 투명 재료로는, 예를 들어 유기 투명 재료, 무기 투명 재료 등의 절연 재료를 들 수 있다. 유기 투명 재료로는, 예를 들어 폴리에틸렌테레프탈레이트 (PET) 등의 폴리에스테르 재료, 예를 들어 폴리메타크릴레이트 등의 아크릴 재료, 예를 들어 폴리카보네이트 재료, 예를 들어 폴리에틸렌 (PE), 폴리프로필렌 (PP), 시클로올레핀 폴리머 (COP) 등의 올레핀 재료, 예를 들어 멜라민계 폴리머 등을 들 수 있다. 무기 투명 재료로는, 예를 들어 유리 등을 들 수 있다. 바람직하게는 경박성의 관점에서 유기 투명 재료, 보다 바람직하게는 폴리에스테르 재료를 들 수 있다.

투명 기판 (2) 은 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 투명 기판 (2) 을 2 종 이상 병용하는 투명 재료로 구성하는 경우에는, 종류가 상이한 복수의 투명 재료의 층을 복수 적층할 수도 있다. 구체적으로는, 2 종류의 폴리에스테르 재료를 두께 방향으로 적층할 수 있다. 보다 구체적으로는 투명 기판 (2) 은, 하나의 폴리에스테르 재료 (예를 들어 PET 등) 로 이루어지는 기재층 (21) 과, 그 표리 양면의 각각에 배치되며, 다른 폴리에스테르 재료 (하나의 폴리에스테르 재료와 종류가 상이한 폴리에스테르 재료, 예를 들어 테레프탈산 등의 디카르복실산과 에틸렌글리콜 등의 글리콜 성분의 공중합체 등) 로 이루어지는 용이 접착층 (22) 을 구비할 수도 있다. 용이 접착층 (22) 은, 다음에 설명하는 금속 하지 (3) 의 기재층 (21) 에 대한 접착력을 향상시키기 위해서 형성되는 층이고, 구체적으로는 기재층 (21) 의 표면에 배치되는 제 1 용이 접착제층 (23), 및 기재층 (21) 의 이면에 배치되는 제 2 용이 접착제층 (24) 을 구비한다.

투명 기판 (2) 의 전광선 투과율은, 예를 들어 80 ％ 이상, 바람직하게는 90 ％ 이상이고, 또한, 예를 들어 100 ％ 이하이다.

투명 기판 (2) 의 두께는 광의 투과성 및 핸들링성의 관점에서, 예를 들어 5 ㎛ 이상, 바람직하게는 15 ㎛ 이상이고, 또한, 예를 들어 100 ㎛ 이하, 바람직하게는 50 ㎛ 이하이다. 투명 기판 (2) 이 기재층 (21) 및 용이 접착층 (22) 을 구비하는 경우에는, 기재층 (21) 의 두께가 예를 들어 5 ㎛ 이상, 바람직하게는 15 ㎛ 이상이고, 또한, 예를 들어 100 ㎛ 이하, 바람직하게는 50 ㎛ 이하이고, 또한, 각 용이 접착층 (22) 의 두께가, 예를 들어 5 ㎚ 이상, 바람직하게는 20 ㎚ 이상이고, 또한, 예를 들어 1000 ㎚ 이하, 바람직하게는 100 ㎚ 이하이다.

금속 하지 (3) 는, 투명 기판 (2) 의 표면 (18) 및 이면 (19) 에 직접 접촉하도록 투명 기판 (2) 의 표면 (18) 및 이면 (19) 의 각각에 배치되어 있다. 각 금속 하지 (3) 는, 평면으로 볼 때 투명 기판 (2) 과 동일 형상을 이루는 박막상으로 형성되어 있다. 금속 하지 (3) 는, 다음에 설명하는 전극층 (6) 을, 예를 들어 전해 도금에 의해 형성하기 위한 종막 (시드층) 으로서 구성되어 있다. 금속 하지 (3) 는, 투명 기판 (2) 의 표면 (18) 에 배치되는 제 1 금속 하지 (4) (표측의 금속 하지 (3)) 와, 투명 기판 (2) 의 이면 (19) 에 배치되는 제 2 금속 하지 (5) (이측의 금속 하지 (3)) 를 구비한다.

제 1 금속 하지 (4) 는 후술하는 금속 입자 (51) 의 1 차 입자로 형성되어 있다. 요컨대, 제 1 금속 하지 (4) 는, 투명 기판 (2) 의 표면 (18) 에 있어서 금속 입자 (51) 가 응집하지 않고, 균일하게 분산된 금속 입자 (51) 로 형성되어 있다.

제 1 금속 하지 (4) 를 형성하는 금속으로는, 예를 들어 구리, 니켈, 크롬, 그들의 합금 등의 도체 (저저항 금속) 를 들 수 있고, 바람직하게는 구리, 구리 합금 (예를 들어 Ni 함유율이 0.1 ∼ 5 질량％ 인 CuNi 등), 니켈, 니켈 합금 (NI-P, Ni-B 등) 을 들 수 있고, 보다 바람직하게는 구리, 니켈을 들 수 있다. 금속은 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다.

제 1 금속 하지 (4) 의 표면 저항은, 예를 들어 전극층 (6) 을 전해 도금에 의해 생성하는 경우에, 전극층 (6) 을 생성하는 금속에 의해서 적절히 설정되고, 예를 들어 5 Ω/□ 이하, 바람직하게는 3 Ω/□ 이하, 보다 바람직하게는 1 Ω/□ 이하이고, 도금 시간, 생산 고비용도 고려하면, 예를 들어 0.01 Ω/□ 이상, 바람직하게는 0.1 Ω/□ 이상이다.

제 1 금속 하지 (4) 의 평균 입자경 (1 차 입자경) 은, 예를 들어 10 ㎚ 이상이고, 또한, 예를 들어 30 ㎚ 이하이다. 금속 입자 (51) 의 평균 입자경은, 예를 들어 금속 하지 (3) 의 SEM 사진의 화상 처리에 의해 산출된다.

제 1 금속 하지 (4) 의 두께는, 예를 들어 10 ㎚ 이상, 바람직하게는 50 ㎚ 이상이고, 또한, 예를 들어 1000 ㎚ 이하, 바람직하게는 500 ㎚ 이하이다.

제 1 금속 하지 (4) 의 표면의 산술 조도 Ra 는, 예를 들어 10 ㎚ 이상이고, 또한, 예를 들어 50 ㎚ 이하이다. 제 1 금속 하지 (4) 의 표면의 산술 조도 Ra 는, JIS B 0601 에 준거하여 산출된다.

제 2 금속 하지 (5) 는, 도 1b 의 우측도에서 참조되는 바와 같이 금속의 입자로 형성되어 있고, 구체적으로는, 금속 입자 (51) 의 1 차 입자가 응집한 응집 입자 (52) 를 포함하고 있다.

응집 입자 (52) 는, 복수의 금속 입자 (51) 의 1 차 입자가 포도송이 모양으로 응집한 형상으로 형성되어 있다. 금속 입자 (51) 는 대략 구형상 또는 괴상으로 형성되어 있다.

그리고 제 2 금속 하지 (5) 는, 상기한 복수의 응집 입자 (52) 가 투명 기판 (2) 의 이면 (19) 에 대하여 밀착된 형상이면서 또한 밀집된 형상으로 배치되어 있다. 요컨대, 복수의 응집 입자 (52) 는, 실질적으로 투명 기판 (2) 의 이면 (19) 전체를 피복하도록 배치되어 있다.

제 2 금속 하지 (5) 를 형성하는 금속으로는, 제 1 금속 하지 (4) 를 형성하는 금속과 동일한 금속을 들 수 있다.

제 2 금속 하지 (5) 의 이면 저항은, 예를 들어 제 2 전극층 (8) 을 전해 도금에 의해 생성하는 경우에, 제 2 전극층 (8) 을 생성하는 금속에 의해서 적절히 설정되고, 예를 들어 5 Ω/□ 이하, 바람직하게는 3 Ω/□ 이하, 보다 바람직하게는 1 Ω/□ 이하이고, 도금 시간, 생산 고비용도 고려하면, 예를 들어 0.01 Ω/□ 이상, 바람직하게는 0.1 Ω/□ 이상이다.

제 2 금속 하지 (5) 의 치수는, 예를 들어 제 2 금속 하지 (5) 의 이면 저항을 상기 범위로 설정하기 위해서 적절히 조정되어 있다. 구체적으로는, 제 2 금속 하지 (5) 의 두께는 다음에 서술하는 응집 입자 (52) 의 평균 입자경과 동일하다.

응집 입자 (52) 의 평균 입자경 (2 차 입자경) 은, 예를 들어 30.0 ㎚ 이상, 바람직하게는 40.0 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 50.0 ㎚ 이상이고, 또한, 예를 들어 300 ㎚ 이하, 바람직하게는 200 ㎚ 이하, 보다 바람직하게는 100 ㎚ 이하이다. 응집 입자 (52) 의 평균 입자경은, 후술하는 실시예에서 기재되는 방법에 의해 산출된다.

응집 입자 (52) 의 평균 입자경 (2 차 입자경) 이 상기 하한 이상이면, 제 2 금속 하지 (5) 의 표면의 반사율 (후술) 을 원하는 범위로 설정할 수 있고, 그 때문에, 제 2 금속 하지 (5) 의 표측에서부터의 시인성 저하를 방지할 수 있다. 요컨대, 액정 표시 장치 (30) (도 2 참조) 에 있어서의 시인측 (도 2 에 있어서의 표측, 후술) 에서부터의 시인성 저하를 방지할 수 있다.

금속 입자 (51) 의 평균 입자경 (1 차 입자경) 은, 예를 들어 10 ㎚ 이상이고, 또한, 예를 들어 30 ㎚ 이하이다.

제 2 금속 하지 (5) 의 이면의 산술 조도 Ra 는 상기한 응집 입자 (52) 의 2 차 입자경에 의해서 조정되며, 구체적으로는 100 ㎚ 이상이고, 바람직하게는 150 ㎚ 이상, 보다 바람직하게는 200 ㎚ 이상이고, 또한, 예를 들어 1000 ㎚ 이하, 바람직하게는 500 ㎚ 이하이다. 제 2 금속 하지 (5) 의 이면의 산술 조도 Ra 는, JIS B 0601 에 준거하여 산출된다.

제 2 금속 하지 (5) 의 이면의 산술 조도 Ra 가 상기 하한 미만이면, 제 2 금속 하지 (5) 의 표면의 반사율을 낮게 설정할 수 없고, 그 때문에, 제 2 금속 하지 (5) 의 표측에서부터의 시인성 저하, 요컨대, 액정 표시 장치 (30) (도 2 참조) 에 있어서의 시인측 (도 2 에 있어서의 표측, 후술) 에서부터의 시인성 저하를 방지할 수 없다. 제 2 금속 하지 (5) 의 이면의 산술 조도 Ra 가 상기 상한 이하 이면, 제 2 금속 하지 (5) 의 이면의 산술 조도 Ra 를 원하는 범위로 설정하여, 제 2 금속 하지 (5) 의 표면의 반사율 (후술) 을 원하는 범위로 설정할 수 있고, 그 때문에, 제 2 금속 하지 (5) 의 표측에서부터의 시인성 저하를 방지할 수 있다.

제 2 금속 하지 (5) 의 표면의 반사율은, 예를 들어 20.0 ％ 이하, 바람직하게는 15.0 ％ 이하, 보다 바람직하게는 10.0 ％ 이하이고, 또한, 예를 들어 0.0 ％ 이상, 바람직하게는 0.1 ％ 이상이다. 제 2 금속 하지 (5) 의 표면의 반사율은, 분광 광도계를 사용하여 측정한 시감 반사율 Y 값으로 정의한다. 구체적으로는, 제 2 금속 하지 (5) 의 표면의 반사율을 산출하는 방법은 후술하는 실시예에 있어서 상세히 서술된다.

제 2 금속 하지 (5) 의 표면의 반사율이 상기 상한 이하이면, 제 2 금속 하지 (5) 의 표측에서부터의 시인성 저하, 요컨대, 액정 표시 장치 (30) (도 2 참조) 에 있어서의 시인측 (도 2 에 있어서의 표측, 후술) 에서부터의 시인성 저하를 방지할 수 있다.

전극층 (6) 은, 표측의 금속 하지 (3) 의 표면 및 이측의 금속 하지 (3) 의 이면에 직접 접촉하도록 배치되어 있다. 각 전극층 (6) 은, 평면으로 볼 때 투명 기판 (2) 과 동일 형상을 이루는 필름상 (또는 박판상) 으로 형성되어 있다. 구체적으로는, 전극층 (6) 은 제 1 금속 하지 (4) 의 표면에 배치되는 제 1 전극층 (7) 과, 제 2 금속 하지 (5) 의 이면에 배치되는 제 2 전극층 (8) 을 구비한다.

제 1 전극층 (7) 은, 투명 기판 (2) 의 외형 형상에 대응하는 필름상으로 형성되어 있다. 제 1 전극층 (7) 을 형성하는 재료로는, 예를 들어 금, 은, 구리, 니켈, 알루미늄, 마그네슘, 텅스텐, 코발트, 아연, 철, 그들의 합금 등을 들 수 있으며, 바람직하게는 금, 은, 구리를 들 수 있고, 보다 바람직하게는 비용 및 가공성의 관점에서 구리를 들 수 있다.

제 1 전극층 (7) 의 두께는, 터치 패널용 기판 (20) (후술, 도 1e 참조) 에 필요시되는 저항에 따라서 적절히 설정되며, 구체적으로는 예를 들어 10 ㎚ 이상, 바람직하게는 100 ㎚ 이상이고, 또한, 예를 들어 20 ㎛ 이하, 바람직하게는 10 ㎛ 이하, 보다 바람직하게는 5 ㎛ 이하이다.

제 2 전극층 (8) 을 형성하는 재료 및 제 2 전극층 (8) 의 두께는, 상기한 제 1 전극층 (7) 의 그것들과 동일하다.

상기한 전극층 (6) 은 상기한 금속 하지 (3) 및 다음에 설명하는 흑화층 (9) 과 함께, 후술하는 전극 패턴 (15) (도 1e 참조) 를 일체적으로 구성할 수 있다.

흑화층 (9) 은 제 1 전극층 (7) 의 표면 전면에 배치되어 있고, 제 1 전극층 (7) 의 외형 형상에 대응하는 필름상으로 형성되어 있다. 흑화층 (9) 은, 제 1 전극층 (7) 의 표면에서의 금속 광택을 억제하여, 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 로부터 얻어지는 터치 패널용 기판 (20) 이 액정 표시 장치 (30) (도 2 참조) 에 구비될 때에, 제 1 전극층 (7) 의 시인측 (도 2 에 있어서의 표측, 후술) 에서부터의 시인성 저하를 방지하기 위해서 형성된다.

흑화층 (9) 을 형성하는 재료로는, 예를 들어 질화구리, 산화구리, 질화니켈, 산화니켈, 니켈아연 (NiZn), 주석니켈, 주석아연 등의 금속 재료, 또는 흑색 안료를 함유하는 수지 조성물 등을 들 수 있다. 바람직하게는 금속 재료, 보다 바람직하게는 니켈아연 (NiZn) 을 들 수 있다. 이러한 재료는 단독 사용 또는 2 종 이상 병용할 수 있다. 흑화층 (9) 의 두께는, 예를 들어 5 ㎚ 이상, 바람직하게는 10 ㎚ 이상이고, 또한, 예를 들어 200 ㎛ 이하, 바람직하게는 1 ㎛ 이하이다. 흑화층 (9) 의 반사율은, 예를 들어 20 ％ 이하, 바람직하게는 10 ％ 이하이고, 또한, 예를 들어 1 ％ 이상이다.

상기한 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 에는, 표측 (두께 방향 타방측) 에서부터 이측 (두께 방향 일방측) 을 향하여 흑화층 (9), 제 1 전극층 (7), 제 1 금속 하지 (4), 투명 기판 (2), 제 2 금속 하지 (5) 및 제 2 전극층 (8) 이 순차 형성되어 있다.

(전극 패턴 제작용 적층체의 제조 방법)

다음으로, 이 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 의 제조 방법에 대해서 설명한다.

전극 패턴 제작용 적층체 (1) 의 제조 방법은, 투명 기판 (2) 을 준비하는 준비 공정 (도 1a 참조), 투명 기판 (2) 을 개질하는 개질 공정 (도 1a 의 화살표 참조), 금속 하지 (3) 를 투명 기판 (2) 의 표면 (18) 및 이면 (19) 에 배치하는 하지 배치 공정 (도 1b 참조), 전극층 (6) 을 금속 하지 (3) 의 표면 및 이면에 배치하는 전극층 배치 공정 (도 1c 참조), 및 흑화층 (9) 을 제 1 전극층 (7) 의 표면에 배치하는 흑화층 배치 공정 (도 1d 참조) 을 구비한다.

이하, 각 공정에 관해서 상세히 서술한다.

(준비 공정)

도 1a 에 나타내는 바와 같이, 투명 기판 (2) 을 준비하는 공정에서는 상기 한 구성, 재료, 치수를 갖는 투명 기판 (2) 을 준비한다.

(개질 공정)

도 1a 의 화살표로 나타내는 바와 같이, 개질 공정을 준비 공정 후에 실시한다.

개질 공정에서는, 예를 들어 투명 기판 (2) 의 이면 (19) (투명 기판 (2) 이 기재층 (21), 제 1 용이 접착층 (23) 및 제 2 용이 접착층 (24) 을 구비하는 경우에는, 제 2 용이 접착층 (24) 의 이면 (19)) 을 개질한다.

투명 기판 (2) 의 개질은, 후술하는 응집 입자 (52) 를 생성하기 위한 기점을 투명 기판 (2) (제 2 용이 접착층 (24)) 의 이면 (19) 에 부여하는 처리이다.

투명 기판 (2) 의 이면 (19) 을, 예를 들어 활성 에너지선, 플라즈마, 레이저에 의해서 개질한다. 투명 기판 (2) 의 개질은 단독으로 실시하거나 또는 2 종 이상을 순차적으로 실시할 수 있다.

활성 에너지선, 플라즈마 및 레이저로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 1 종에 의해 투명 기판 (2) 을 개질하면, 후술하는 응집 입자 (52) 를 생성하기 위한 기점을 투명 기판 (2) 의 이면 (19) 에 확실하게 형성할 수 있다.

바람직하게는 활성 에너지선을 투명 기판 (2) 의 이면 (19) 에 조사 (노광) 한다.

활성 에너지선으로는, 예를 들어 자외선, 방사선, 적외선, X 선, α 선, β 선, γ 선, 전자선 등을 들 수 있다. 바람직하게는 자외선을 들 수 있다.

활성 에너지선으로서 자외선을 사용하는 경우에는, 자외선의 발생원으로서 예를 들어 저압 수은 램프, 고압 수은 램프, 초고압 수은 램프, 메탈할라이드 램프, 무전극 램프 (퓨전 램프), 케미컬 램프, 블랙라이트 램프, 수은-크세논 램프, 쇼트 아크등, 헬륨ㆍ카드뮴 레이저, 아르곤 레이저, 태양광, LED 등을 들 수 있다. 바람직하게는 저압 수은 램프를 들 수 있다.

활성 에너지선의 조사량 (노광량) 은 투명 기판 (2) 의 재료, 그 후 필요에 의해 실시되는 전처리의 조건, 전극층 (6) 의 재료 등에 따라서 적절히 설정되며, 예를 들어 200 mW/㎠ 이상, 바람직하게는 500 mW/㎠ 이상, 보다 바람직하게는 1000 mW/㎠ 이상이고, 또한, 예를 들어 10000 mW/㎠ 이하, 바람직하게는 5000 mW/㎠ 이하, 보다 바람직하게는 2000 mW/㎠ 이하이다. 활성 에너지선의 조사량이 상기 하한 이상이면, 다음에 설명하는 응집 입자 (52) 의 생성을 충분히 촉진시킬 수 있다. 그 때문에, 원하는 반사율을 얻을 수 있다. 활성 에너지선의 조사량이 상기 상한 이하이면 조사량에 상응하는 응집 입자 (52) 의 생성을 촉진하는 효과가 얻어지고, 그 때문에, 제조 비용의 상승을 억제할 수 있다.

활성 에너지선의 조사 시간은, 상기한 조사량이 되도록 적절히 설정되며, 예를 들어 1 초간 이상, 바람직하게는 10 초간 이상이고, 또한, 예를 들어 20 분간 이하, 바람직하게는 10 분간 이하이다.

자외선의 발생원에 있어서의 출력은 제품 폭에 따라 상이하지만, 예를 들어 40 W 이상, 바람직하게는 200 W 이상이고, 또한, 예를 들어 1000 W 이하, 바람직하게는 500 W 이하이다.

투명 기판 (2) 을 개질하는 시간은, 예를 들어 1 초 이상, 바람직하게는 10 초 이상이고, 또한, 예를 들어 600 초 이하, 바람직하게는 60 초 이하이다.

(하지 배치 공정)

도 1b 에 나타내는 바와 같이, 하지 배치 공정을 개질 공정 후에 실시한다.

하지 배치 공정에서는, 금속 하지 (3) 를 투명 기판 (2) 의 표면 (18) 및 이면 (19) 에 배치한다.

투명 기판 (2) 의 표면 (18) 및 이면 (19) 에 배치하는 방법으로서, 예를 들어 무전해 도금, 스퍼터링이 사용되고, 바람직하게는 제조 비용의 관점에서 무전해 도금이 사용된다. 무전해 도금이면, 이면 (19) 이 개질된 투명 기판 (2) 에 응집 입자 (52) 를 확실하게 생성할 수 있고, 그 때문에, 원하는 반사율을 얻을 수 있다.

구체적으로는, 이면 (19) 이 개질된 투명 기판 (2) 을 예를 들어 무전해 도금액에 침지한다.

또한, 무전해 도금에서는, 투명 기판 (2) 을 무전해 도금액에 침지하기 전에 전처리를 실시할 수도 있다.

전처리는 투명 기판 (2) 을 무전해 도금하기 위한 공지된 처리로서, 예를 들어 세정 처리, 촉매 처리, 활성화 처리 등을 포함한다.

세정 처리는, 투명 기판 (2) 의 표면 (18) 및 이면 (19) 에 부착된 유분 (지분 (脂分)) 을 제거하는 탈지 처리이다.

촉매 처리는, 투명 기판 (2) 의 표면 (18) 및 이면 (19) 에, 예를 들어 팔라듐 등의 촉매를 함유하는 촉매 피막을 부착시키는 처리이다.

활성화 처리는, 촉매 처리에 의해 부착시킨 촉매 (구체적으로는 Pd 등) 를 안정적으로 환원 석출함으로써 도금 불균일을 방지하기 위한 처리이다.

전처리의 조건은 적절히 설정된다.

전처리 후에, 투명 기판 (2) 을 무전해 도금액에 침지한다.

무전해 도금액은, 예를 들어 금속 하지 (3) 를 형성하는 금속 (또는 금속 이온) 을 함유한다.

침지 시간은 응집 입자 (52) 를 생성할 수 있는 시간이면 특별히 한정되지 않고, 예를 들어 10 초 이상, 바람직하게는 30 초 이상이고, 또한, 예를 들어 10 분 이하, 바람직하게는 5 분 이하이다.

이것에 의해, 제 1 금속 하지 (4) 를 투명 기판 (2) 의 표면 (18) 에 배치하는 것과 함께, 제 2 금속 하지 (5) 를 투명 기판 (2) 의 이면 (19) 에 배치한다.

그리고, 이 하지 배치 공정에 있어서, 도 1b 의 우측 둥근 원 안의 확대도에 나타내는 바와 같이, 상기한 개질 공정에서 투명 기판 (2) 의 이면 (19) 이 개질되어 있기 때문에, 금속 입자 (51) 가 포도송이 모양으로 응집하여, 원하는 2 차 입자경을 갖는 응집 입자 (52) 를 복수 형성한다. 이것에 의해, 이면의 산술 조도 Ra 가 특정치 이상인 제 2 금속 하지 (5) 가 형성된다. 요컨대, 복수의 응집 입자 (52) 가, 제 2 금속 하지 (5) 의 이면에 요철 (凹凸) 을 형성한다.

(전극층 배치 공정)

도 1c 에 나타내는 바와 같이, 전극층 배치 공정을 하지 배치 공정 후에 실시한다.

전극층 배치 공정에서는, 전극층 (6) 을 금속 하지 (3) 의 노출면에 배치한다. 구체적으로는, 제 1 전극층 (7) 을 제 1 금속 하지 (4) 의 표면 (요컨대, 제 1 금속 하지 (4) 에 있어서 투명 기판 (2) 에 접촉하는 면에 대한 반대측면) 에 배치하는 것과 함께, 제 2 전극층 (8) 을 제 2 금속 하지 (5) 의 이면 (제 2 금속 하지 (5) 에 있어서 투명 기판 (2) 에 접촉하는 면에 대한 반대측면) 에 배치한다.

전극층 (6) 을 금속 하지 (3) 의 노출면에 배치하는 방법으로서, 예를 들어 전해 도금, 스퍼터링이 사용되며, 제조 비용의 관점에서 바람직하게는 전해 도금이 사용된다. 전해 도금이면, 전극층 (6) 을 원하는 두께로 확실하게 형성할 수 있다.

구체적으로는 금속 하지 (3) 가 형성된 투명 기판 (2) 을, 예를 들어 전해 도금액에 침지한다. 또한, 상기 침지 전에, 미리 전극층 (6) 에 급전 부재 (도시 생략) 를 접촉시킨다.

전해 도금의 조건, 구체적으로는 전해 도금액의 온도, 전해 도금액에 있어서의 이온 농도, 전류 밀도 등은 적절히 설정된다.

(흑화층 배치 공정)

도 1d 에 나타내는 바와 같이, 흑화층 배치 공정은 전극층 배치 공정 후에 실시한다.

흑화층 배치 공정에서는, 흑화층 (9) 을 제 1 전극층 (7) 의 표면에 배치한다.

예를 들어 흑화층 (9) 을 금속 재료로 형성하는 경우에는, 예를 들어 도금 등에 의해서 흑화층 (9) 을 제 1 전극층 (7) 의 표면에 적층한다.

이로써, 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 가 얻어진다.

그리고, 도 1d 에 나타내는 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 는, 도 1e 에 나타내는 터치 패널용 기판 (20) 을 제조하기 위한 부품으로서 유통되어, 산업상 이용 가능한 디바이스 (부품) 이다.

<터치 패널용 기판>

그 후, 도 1e 에 나타내는 바와 같이, 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 에 있어서의 금속 하지 (3), 전극층 (6) 및 흑화층 (9) 을 패터닝함으로써, 전극 패턴 (15) 이 형성된 터치 패널용 기판 (20) 을 얻는다.

도 1e 에 나타내는 바와 같이, 터치 패널용 기판 (20) 은, 투명 기판 (2) 과, 투명 기판 (2) 의 표면 및 이면에 배치되는 전극 패턴 (15) 을 구비한다. 바람직하게는 터치 패널용 기판 (20) 은 투명 기판 (2) 과 전극 패턴 (15) 으로 이루어진다.

전극 패턴 (15) 은, 투명 기판 (2) 의 표측에 있어서는 제 1 금속 하지 (4), 제 1 전극층 (7) 및 흑화층 (9) 을 구비하고, 투명 기판 (2) 의 이측에 있어서는 제 2 금속 하지 (5) 및 제 2 전극층 (8) 을 구비한다. 전극 패턴 (15) 은, 인출 배선 (16) 과, 인출 배선 (16) 에 연속해서 (도시는 하지 않는다) 형성되는 전극 (17) 을 구비한다.

인출 배선 (16) 은, 터치 패널용 기판 (20) 의 둘레 단부에 서로 간격을 두고서 복수 배치되어 있다.

전극 (17) 은, 후술하는 액정 표시 장치 (30) (도 2 참조) 에 있어서 검지부 (센서) 를 구성하고 있으며, 터치 패널용 기판 (20) 의 중앙에 있어서 서로 간격을 두고 복수 배치되어 있다. 전극 (17) 의 패턴은 두께 방향으로 투영했을 때에 격자 형상을 이루며, 구체적으로는, 투명 기판 (2) 의 표측에 배치되는 전극 (17) 과 투명 기판 (2) 의 이측에 배치되는 전극 (17) 은, 예를 들어 두께 방향으로 투영했을 때에, 각각 직교하도록 형성되어 있다. 구체적으로는, 투명 기판 (2) 의 표측에 배치되는 전극 (17) 은 좌우 방향으로 연장되며, 전후 방향으로 서로 간격을 두고 형성되어 있다. 한편, 투명 기판 (2) 의 이측에 배치되는 전극 (17) 은 전후 방향으로 연장되며, 좌우 방향으로 서로 간격을 두고 형성되어 있다.

도 1e 에 나타내는 바와 같이, 투명 기판 (2) 의 표측에 배치되는 제 1 금속 하지 (4), 제 1 전극층 (7) 및 흑화층 (9) 과, 투명 기판 (2) 의 이측에 배치되는 제 2 금속 하지 (5) 및 제 2 전극층 (8) 을, 전극 패턴 (15) 으로 패터닝하기 위해서는, 그것들을 예를 들어 에칭한다.

이로써, 도 1e 에 나타내는 바와 같이, 인출 배선 (16) 및 전극 (17) 을 구비하는 전극 패턴 (15) 이 투명 기판 (2) 의 표리 양면에 형성된 터치 패널용 기판 (20) 을 얻는다.

<터치 패널 및 액정 표시 장치>

다음으로, 도 1e 에 나타내는 터치 패널용 기판 (20) 을 구비하는 액정 표시 장치 (30) 에 대해서, 도 2 를 참조하여 설명한다.

도 2 에 있어서, 액정 표시 장치 (30) 는 예를 들어 터치 패널식 휴대 전화로서, 표측으로부터 조작자 (또는 시인자) 에 의해 시인 및 조작된다. 액정 표시 장치 (30) 는, 판상의 화상 표시 소자로서의 LCD 모듈 (액정 표시 모듈) (14) 과, LCD 모듈 (14) 의 표측에 간격을 두고 형성되는 편광판 (12) 과, 편광판 (12) 의 표면에 배치되는 터치 패널 (26) 을 구비하고 있다.

LCD 모듈 (14) 의 이측에는, 도시하지는 않지만, 회로 기판 및 케이스체 등이 형성되어 있다.

액정 표시 장치 (30) 의 좌우 방향 및 전후 방향의 중앙부에 있어서, LCD 모듈 (14) 과 편광판 (12) 사이는, 공기층으로서의 갭층 (13) 으로 되어 있다. 또, 갭층 (13) 은, 둘레 단부에 있어서 프레임 형상으로 배치되는 스페이서 (21) 에 의해 구획되어 있다.

터치 패널 (26) 은, 편광판 (12) 의 표면에 배치되는 터치 패널용 기판 (20) 과, 터치 패널용 기판 (20) 의 표측에 투명한 점착제층 (25) 을 개재하여 접착되는 보호 유리층 (11) 을 구비한다.

도 2 에 있어서의 터치 패널 (26) 에서는, 도 1e 에 나타내는 터치 패널용 기판 (20) 이 그 표리 방향의 배치가 유지된 상태로, 액정 표시 장치 (30) 에 배치된다.

즉, 도 2 의 좌측의 둥근 원 안의 확대도에 나타내는 바와 같이, 액정 표시 장치 (30) 의 터치 패널 (26) 에 있어서의 터치 패널용 기판 (20) 에서는, 제 1 금속 하지 (4), 제 1 전극층 (7) 및 흑화층 (9) 은 투명 기판 (2) 에 대하여 표측에 배치되어 있다. 즉, 제 1 금속 하지 (4), 제 1 전극층 (7) 및 흑화층 (9) 은, 이 순서대로 투명 기판 (2) 에서부터 표측을 향하여 배치되어 있다.

한편, 제 2 금속 하지 (5) 및 제 2 전극층 (8) 은, 투명 기판 (2) 에 대하여 이측에 배치되어 있다. 즉, 제 2 금속 하지 (5) 및 제 2 전극층 (8) 은, 이 순서대로 투명 기판 (2) 에서부터 이측을 향하여 배치되어 있다.

즉, 액정 표시 장치 (30) 에 있어서의 터치 패널용 기판 (20) 에서는, 표측 (두께 방향 타방측) 에서부터 이측 (두께 방향 일방측) 을 향하여 흑화층 (9), 제 1 전극층 (7), 제 1 금속 하지 (4), 투명 기판 (2), 제 2 금속 하지 (5) 및 제 2 전극층 (8) 이 순차적으로 배치되어 있다.

그리고 이 액정 표시 장치 (30) 에서는, 전극 (17) 에 대응하는 보호 유리층 (11) 의 표면에 손가락 등이 접촉 또는 근접하면, 접촉 또는 근접하지 않은 경우와 비교하여 정전 용량의 차이를 일으키고, 그것이 검지 신호로서, 인출 배선 (16) 을 통해서 도시하지 않은 회로 기판에 전달된다.

한편, 회로 기판으로부터 LCD 모듈 (14) 에 입력 신호가 입력된다. 이러한 입력 신호에 의해, LCD 모듈 (14) 이 화상을 표시한다. 그 화상은, 편광판 (12), 터치 패널 (26) 을 통해서 조작자 (또는 시인자) 에게 시인된다.

한편, 표측으로부터 입사하는 자연광이 보호 유리층 (11) 및 점착제층 (25) 을 투과하고, 계속해서, 흑화층 (9), 제 1 전극층 (7) 및 제 1 금속 하지 (4) 로 이루어지는 복수의 전극 패턴 (15) 사이를 통과하고, 이어서, 투명 기판 (2) 을 투과한 후, 투명 기판 (2) 에 대하여 이측에 배치되는 전극 패턴 (15) 의 표면, 구체적으로는 제 2 금속 하지 (5) 의 표면 (시인측면) 에 있어서 반사되는 것 (또는 금속 광택) 에 의해서, 시인자가 LCD 모듈 (14) 에 표시된 화상을 시인할 때에, 상기한 화상에 대한 시인성이 저하되는 경우가 있다. 그러나, 본 실시형태에 의하면, 제 2 금속 하지 (5) 의 이면의 산술 조도 Ra 가 상기 하한 이상이 되도록 응집 입자 (52) 가 형성되어 있기 때문에, 제 2 금속 하지 (5) 의 표면에서의 금속 광택의 발생을 억제하여, 요컨대, 액정 표시 장치 (30) 에 있어서의 제 2 금속 하지 (5) 의 표면에 있어서 자연광이 반사되는 것을 억제한다.

또, 투명 기판 (2) 에 대하여 표측에 배치되는 전극 패턴 (15) 의 표면, 구체적으로는 제 1 전극층 (7) 의 표면에서의 금속 광택에서 기인하는 시인성의 저하는, 흑화층 (9) 에 의해서 억제된다.

(본 실시형태의 작용 효과)

그리고, 이 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 및 터치 패널용 기판 (20) 에서는 흑화층 (9) 을 투명 기판 (2) 의 이면 (19) 에 형성하지 않고, 요컨대, 도 10a ∼ 도 10c 에서 나타내는 바와 같이, 제 2 흑화층 (57) 및 제 1 흑화층 (56) 을 별도의 공정 (도 10a 의 공정과 도 10c 의 공정) 으로 형성하지 않고, 요컨대 전극층 배치 공정 (도 1c 참조) 의 전 공정에 있어서 흑화층 (9) 을 형성하지 않으며, 그리고, 전극층 배치 공정 (도 1c 참조) 후의 흑화층 배치 공정에 있어서 1 개의 흑화층 (9) 을 형성하는 (도 1c 참조) 것과 함께, 제 2 전극층 (8) 을 형성하기 위한 제 2 금속 하지 (5) 의 이면의 산술 조도 Ra 를 특정한 하한치 이상으로 설정하는 것뿐인 간편한 구성에 의해서, 도 1d 및 도 1e 에 나타내는 제 2 금속 하지 (5) 의 표면 반사율을 낮게 설정할 수 있다.

그 때문에, 도 2 에 도시되고, 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 로부터 제조되는 터치 패널용 기판 (20) 을 구비하는 액정 표시 장치 (30) 는, LCD 모듈 (14) 에 대한, 제 2 금속 하지 (5) 의 표면의 금속 광택에서 기인하는 표측 (시인측, 도 2참조) 에서부터의 시인성 저하를 방지할 수 있으면서, 터치 패널용 기판 (20) 의 구성을 간편하게 할 수 있다.

또한, 도 1a ∼ 도 1e 에 나타내는 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 및 터치 패널용 기판 (20) 의 제조 방법은, 도 10a ∼ 도 10c 에서 나타내는 바와 같은 제 2 흑화층 (57) 및 제 1 흑화층 (56) 을 별도의 공정 (도 10a 의 공정과 도 10c 의 공정과) 으로 형성하지 않고, 요컨대, 전극층 배치 공정 (도 1c 참조) 의 전 공정에 있어서 흑화층 (9) 을 형성하지 않으며, 그리고 전극층 배치 공정 (도 1c 참조) 후의 흑화층 배치 공정에 있어서 1 개의 흑화층 (9) 을 형성하는 (도 1d 참조) 것과 함께 투명 기판 (2) 을 개질하는 공정 (도 1a 의 공정) 을 구비하기 때문에, 저비용의 또한 간편한 방법에 의해서 제 2 금속 하지 (5) 의 표면의 반사율을 낮게 설정하여, 전극 패턴 제작용 적층체 (1), 나아가서는 시인성이 우수한 터치 패널용 기판 (20) 을 제조할 수 있다. 구체적으로는, 종래의 일본 공개특허공보 2013-129183호의 방법에서는, 도 10a 및 도 10c 에 나타내는 바와 같이, 제 1 흑화층 (56) 및 제 2 흑화층 (57) 을 2 개의 공정 각각에 있어서 스퍼터링이나 도금 등, 고가의 장치를 필요로 하는 진공 프로세스를 필요로 한다. 그러나, 본 실시형태에서는, 도 1d 에 나타내는 바와 같이, 상기 프로세스로 1 개의 흑화층 (9) 을 1 개의 공정만으로 형성하는 것과 함께, 투명 기판 (2) 의 이면 (19) 을 활성 에너지선, 플라즈마 및 레이저로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 1 종에 의해 개질하기 때문에, 저비용으로 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 및 터치 패널용 기판 (20) 을 제조할 수 있다.

<변형예>

도 1d 및 도 1e 의 실선으로 나타내는 실시형태에서는, 흑화층 (9) 은 제 1 전극층 (7) 의 표면에만 배치되어 있지만, 예를 들어 도 1d 및 도 1e 의 가상선으로 나타내는 바와 같이, 흑화층 (9) 은 또한, 제 2 전극층 (8) 의 이면에도 배치되어 있어도 된다. 즉, 흑화층 (9) 은 제 1 전극층 (7) 의 표면 및 제 2 전극층 (8) 의 이면에 배치되어 있다. 그 경우에는, 2 개의 흑화층 (9) 은 1 개의 공정, 예를 들어 도금, 구체적으로는 제 1 전극층 (7) 및 제 2 전극층 (8) 이 형성된 투명 기판 (2) 을 도금욕에 침지하는 것만으로 동시에 형성된다.

또한, 도 1d 및 도 1e 의 실선으로 나타낸 실시형태에서는, 흑화층 (9) 을 제 1 전극층 (7) 에 대하여 층으로서 별도 배치하고 있지만, 예를 들어 제 1 전극층 (7) 의 표면에서의 금속 광택을 억제하고, 제 1 전극층 (7) 의 표면의 반사율을 낮게 설정할 수 있으면 특별히 한정되지 않으며, 구체적으로는, 흑화층 (9) 을 별도 배치하지 않고, 제 1 전극층 (7) 의 표면에 에칭 등에 의해서 미소한 요철을 형성할 수도 있다.

또한, 도 1a 의 화살표로 나타내는 실시형태에 있어서, 개질 공정에서는 투명 기판 (2) 의 이면 (19) 만을 개질하고 있지만, 예를 들어, 도시하지 않지만, 추가로 투명 기판 (2) 의 표면 (18) 을 개질해도 된다.

그 경우에는, 제 1 금속 하지 (4) 의 표면 (18) 은, 제 2 금속 하지 (5) 의 이면 (19) 의 반사율과 동일 범위의 반사율을 갖는다. 요컨대, 제 1 금속 하지 (4) 는, 복수의 금속 입자 (51) 의 1 차 입자가 포도송이 모양으로 응집한 응집 입자 (52) 로 형성되어 있고, 이것에 의해, 제 1 금속 하지 (4) 의 표면의 산술 조도 Ra 는 제 2 금속 하지 (5) 의 그것과 동일 범위를 갖는다.

또한, 도 1d 및 도 1e 에서 나타내는 실시형태에서는, 투명 기판 (2) 의 양측에 금속 하지 (3) 및 전극층 (6) 을 형성하고 있다. 요컨대, 투명 기판 (2) 의 이측에 제 2 금속 하지 (5) 및 제 2 전극층 (8) 을 형성하고, 투명 기판 (2) 의 표측에도 제 1 금속 하지 (4) 및 제 1 전극층 (7) 을 형성하고 있다. 그러나, 예를 들어 도 3c 및 도 3d 에 나타내는 바와 같이, 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 에 있어서, 투명 기판 (2) 의 이측에만 제 2 금속 하지 (5) 및 제 2 전극층 (8) 을 형성할 수 있다.

요컨대, 도 3c 에 나타내는 바와 같이, 제 2 금속 하지 (5) 및 제 2 전극층 (8) 이 투명 기판 (2) 의 이측에 형성되는 한편, 투명 기판 (2) 의 표측에는 제 1 금속 하지 (4) 및 제 1 전극층 (7) 이 형성되지 않고, 또한 흑화층 (9) 도 형성되지 않는다. 투명 기판 (2) 의 표면 (18) 은 표측에 노출된다.

이러한 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 를 얻기 위해서는, 먼저 도 3a 에 나타내는 바와 같이 투명 기판 (2) 을 준비하고 (준비 공정), 계속해서, 도 3a 의 화살표로 나타내는 바와 같이 투명 기판 (2) 의 이면 (19) 을 개질하고 (개질 공정), 이어서, 도 3b 에 나타내는 바와 같이, 금속 하지 (3) (제 2 금속 하지 (5)) 를 투명 기판 (2) 의 이면 (19) 에만 배치하고 (하지 배치 공정), 그 후, 도 3c 에 나타내는 바와 같이, 전극층 (6) (제 2 전극층 (8)) 을 금속 하지 (3) (제 2 금속 하지 (5)) 의 이면에만 배치한다 (전극층 배치 공정). 이로써, 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 를 얻는다.

그와 같은 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 의 금속 하지 (3) 및 전극층 (6) 을 패터닝함으로써, 도 3d 에서 나타내는 바와 같이, 전극 패턴 (15) 이 형성된 터치 패널용 기판 (20) 을 제작하고, 이것이 액정 표시 장치 (30) 의 터치 패널 (26) 에 형성될 때에도, 터치 패널용 기판 (20) 은 그 표리 방향의 배치가 유지된 상태로 액정 표시 장치 (30) 에 배치된다.

이 구성에 의해서도, 제 2 금속 하지 (5) 의 표면에서의 금속 광택의 발생을 억제하여, 요컨대, 액정 표시 장치 (30) 에 있어서의 제 2 금속 하지 (5) 의 표면에 있어서 자연광이 반사되는 것을 억제할 수 있다.

이 변형예의 구성에 의하면, 도 3b 에 나타내는 바와 같이, 투명 기판 (2) 의 표면 (18) 에 제 1 금속 하지 (4) 를 형성할 필요가 없으므로, 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 의 구성을 간단하고 쉽게 할 수 있다. 그리고, 도 3c 에 나타내는 바와 같이, 흑화층 (9) 을 형성할 필요도 없으므로, 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 를 간편한 방법으로 제조할 수 있는 것과 함께, 전극 패턴 제작용 적층체 (1) 의 구성을 한층 더 간단하고 쉽게 할 수 있다.

바람직하게는 도 1d 및 도 1e 에 나타내는 바와 같이, 금속 하지 (3) 를 투명 기판 (2) 의 양측에 형성한다. 그와 같은 구성에 의하면, 투명 기판 (2) 의 양측에 배치되며, 배열이 상이한 2 종류의 전극층 (6) 을 구비한 전극 (17) 에 의해서, 보호 유리층 (11) 표면에 있어서의 조작자의 손가락의 좌우 방향 및 전후 방향의 위치 및 동작을 고정밀도로 검지할 수 있다. 한편, 제 1 전극층 (7) 의 표측의 흑화층 (9) 및 표면에 있어서의 특정한 산술 조도 Ra 를 갖는 제 2 금속 하지 (5) 의 각각에 의하여, 제 1 전극층 (7) 의 표면에서의 금속 광택 및 제 2 금속 하지 (5) 의 이면에 있어서의 금속 광택에서 기인하는 액정 표시 장치 (30) 의 표측 (시인측) 의 시인성 저하를 억제할 수 있다.

또한, 도 2 에서 나타내는 실시형태에서는 화상 표시 소자로서 LCD 모듈 (14) 을 예시하고 있지만, 이것에 한정되지 않고, 예를 들어 CRT, 무기 EL 디스플레이, 유기 EL 디스플레이, LED 디스플레이, LD 디스플레이, 전계 방출 디스플레이, 플라즈마 디스플레이 등을 예시할 수도 있다.

실시예

이하에 실시예 및 비교예를 나타내어 본 발명을 더욱 구체적으로 설명한다. 또한, 본 발명은 조금도 실시예 및 비교예에 한정되지 않는다.

또한, 이하에 나타내는 실시예의 수치는, 상기한 실시형태에 있어서 기재되는 수치 (즉 상한치 또는 하한치) 로 대체할 수 있다.

(실시예 1)

기재층으로서의 두께 50 ㎛ 의 PET 필름의 표리 양면에, 용이 접착층 (제 1 용이 접착층 및 제 2 용이 접착층) 으로서의 폴리에스테르계 수지층 (두께 70 ㎚) 이 배치된 투명 기판 (상품명 「U48」, 도레이사 제조) 을 준비하였다 (도 1a 참조).

이어서, 투명 기판의 이면에 저압 수은 램프 (출력 : 400 W, 오크 제작소 제조) 에 의해 자외선을 60 초간, 조사량 1260 mJ/㎠ 조사하였다 (도 1a 의 화살표 참조). 투명 기판에 대한 자외선의 조사량 (노광량) 은, 투명 기판의 근방에 배치된 자외선 광량계 (UV-351, 오크사 제조) 에 의해 측정하였다. 이후의 조사량에 대해서도 동일하게 측정하였다. 이것에 의해, 투명 기판의 이면을 개질하였다.

이어서, 투명 기판의 표리 양면에 전처리, 무전해 도금 및 전해 도금을 순차적으로 실시하였다.

구체적으로는, 전처리에서는 세정 처리, 촉매 처리, 및 활성화 처리를 순차적으로 실시하였다.

먼저, 세정 처리에서는, 이면이 자외선에 조사된 투명 기판을 70 ℃ 의 컨디셔너액에 3 분간 침지하였다.

이어서, 촉매 처리에서는, 세정한 투명 기판을 65 ℃ 의 Pd 촉매액에 5 분간 침지하였다. 이것에 의해, 투명 기판의 표면 및 이면에 Pd 의 촉매 피막을 형성하였다.

그 후, 활성화 처리에서는, 투명 기판을 50 g/ℓ 의 차아인산 수용액에 1 분간 침지하였다. 이것에 의해, 투명 기판의 표리 양면 (에 형성된 촉매 피막의 노출면) 을 활성화 처리하였다.

이로써, 투명 기판의 표리 양면을 전처리하였다.

이어서, 전처리한 투명 기판을, 27 ℃ 의 무전해 구리 도금액에 5 분간 침지하였다. 이것에 의해, 투명 기판의 표리 양면에 구리로 이루어지는 금속 하지 (제 1 금속 하지 및 제 2 금속 하지) 를 형성하였다 (도 1b 참조). 제 1 금속 하지의 표면 저항 및 제 2 금속 하지의 이면 저항은 0.6 Ω/□ 이었다. 표면 저항 및 이면 저항을, 저항률계 (로레스타 EP MCP-360, 미츠비시 화학 애널리텍사 제조) 에 의해 측정하였다. 이하의 표면 저항 및 이면 저항도 상기와 동일하게 측정하였다.

이어서, 금속 하지 (제 1 금속 하지 및 제 2 금속 하지) 가 표리 양면에 형성된 투명 기판을 23 ℃ 의 황산구리 도금액에 침지하고, 평균 전류 밀도 0.5 A/dm² 로, 2 분간 전해 도금하였다. 이것에 의해, 구리로 이루어지는 두께 200 ㎚ 의 전극층 (제 1 전극층 및 제 2 전극층) 을, 제 1 금속 하지의 표면 및 제 2 금속 하지의 이면에 형성하였다 (도 1c 참조). 제 1 전극층의 표면 저항 및 제 2 전극층의 이면 저항은 0.1 Ω/□ 이었다.

그 후, 전극층 (제 1 전극층 및 제 2 전극층) 이 표리 양측에 형성된 투명 기판을 30 ℃ 의 NiZn 도금액에 침지하고, 평균 전류 밀도 0.08 A/dm² 로, 90 초간 전해 도금하였다 (도 1d 의 가상선 참조). 이것에 의해, NiZn 으로 이루어지는 두께 50 ㎚ 의 흑화층을, 제 1 전극층의 표면 및 제 2 전극층의 이면에 각각 형성하였다.

(실시예 2)

두께 50 ㎛ 의 PET 필름의 표리 양면에, 용이 접착층으로서의 폴리에스테르계 수지층 (두께 70 ㎚) 이 배치된 투명 기판 (상품명 「U48」, 도레이사 제조) 을 준비하였다 (도 1a 참조).

이어서, 투명 기판의 이면에 저압 수은 램프 (출력 : 400 W, 오크 제작소 제조) 에 의해 자외선을 60 초간, 조사량 1245 mJ/㎠ 조사하였다 (도 1a 의 화살표 참조). 이것에 의해, 투명 기판의 이면을 개질하였다.

먼저, 세정 처리에서는, 이면이 자외선에 조사된 투명 기판을 70 ℃ 의 컨디셔너액에 3 분간 침지하였다. 이것에 의해, 투명 기판의 표리 양면을 세정 (탈지 처리) 하였다.

이어서, 촉매 처리에서는, 세정한 투명 기판을 30 ℃ 의 Pd 촉매액에 1 분간 침지하였다. 이것에 의해, 투명 기판의 표면 및 이면에 Pd 의 촉매 피막을 형성하였다.

이로써, 투명 기판의 표리 양면을 전처리하였다.

이어서, 전처리한 투명 기판을, 50 ℃ 의 무전해 니켈 도금액에 3 분간 침지하였다. 이것에 의해, 투명 기판의 표리 양면에 니켈로 이루어지는 금속 하지 (제 1 금속 하지 및 제 2 금속 하지) 를 형성하였다 (도 1b 참조). 제 1 금속 하지의 표면 저항 및 제 2 금속 하지의 이면 저항은 0.5 Ω/□ 이었다.

전극층 (제 1 전극층 및 제 2 전극층) 이 표리 양측에 형성된 투명 기판을 30 ℃ 의 NiZn 도금액에 침지하고, 평균 전류 밀도 0.08 A/dm² 로, 90 초간 전해 도금하였다 (도 1d 의 가상선 참조). 이것에 의해, NiZn 으로 이루어지는 두께 50 ㎚ 의 흑화층을, 제 1 전극층의 표면 및 제 2 전극층의 이면에 각각 형성하였다.

(실시예 3)

저압 수은 램프의 출력을 40 W 로 변경하고, 저압 수은 램프에 의한 자외선의 조사 조건을 10 분간, 3332 mJ/㎠ 로 변경한 것 이외에는 실시예 2 와 동일하게 처리하여, 전극 패턴 제작용 적층체를 얻었다.

(실시예 4)

저압 수은 램프의 출력을 40 W 로 변경하고, 저압 수은 램프에 의한 자외선의 조사 조건을 3 분간, 1097 mJ/㎠ 로 변경한 것 이외에는 실시예 2 와 동일하게 처리하여, 전극 패턴 제작용 적층체를 얻었다.

(비교예 1)

저압 수은 램프에 의한 자외선의 조사 조건을 15 초간, 308 mJ/㎠ 로 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 처리하여, 전극 패턴 제작용 적층체를 얻었다.

(비교예 2)

저압 수은 램프에 의한 자외선의 조사 조건을 30 초간, 632 mJ/㎠ 로 변경한 것 이외에는 실시예 2 와 동일하게 처리하여, 전극 패턴 제작용 적층체를 얻었다.

(비교예 3)

저압 수은 램프의 출력을 40 W 로 변경하고, 저압 수은 램프에 의한 자외선의 조사 조건을 30 초간, 202 mJ/㎠ 로 변경한 것 이외에는 실시예 2 와 동일하게 처리하여, 전극 패턴 제작용 적층체를 얻었다.

(비교예 4)

저압 수은 램프에 의한 자외선의 조사 조건을 30 초간, 627 mJ/㎠ 로 변경한 것 이외에는 실시예 1 과 동일하게 처리하여, 전극 패턴 제작용 적층체를 얻었다.

(평가)

이하의 물성을 각각 측정하였다. 그들의 결과 (SEM 사진을 제외한다) 를 표 1 에 나타낸다.

1. 금속 하지의 표면의 반사율

투명 기판에 대하여 이측에 배치된 흑화층, 제 2 전극층 및 제 2 금속 하지를 보호 필름으로 보호한 후, 이러한 투명 기판을 40 ℃ 의 질산/과산화수소액에 10 분간 침지하였다. 이로써, 투명 기판에 대하여 표측에 배치되는 흑화층, 제 1 전극층 및 제 1 금속 하지를 제거 (박리) 하였다.

그 후, 분광 광도계 (V-670, 닛폰 분광사 제조) 를 사용해서 투명 기판의 표측으로부터 투과시키는 형태로 제 2 금속 하지에 조사하고, 파장 1300 ∼ 300 ㎚ 의 측정 범위에서 스캔시켜, 제 2 금속 하지의 표면의 반사율을 측정하였다. 구체적으로는 시감 반사율 Y 값을 반사율로 하였다.

2. 금속 하지의 이면의 조도 Ra

전극층을 형성하기 전의 투명 기판의 제 1 금속 하지의 표면 조도 Ra, 및 제 2 금속 하지의 이면 조도 Ra 를 JIS B 0601 에 준거하여, 주사형 공초점 레이저 현미경 (OLS300, 올림푸스사 제조) 을 사용해서 측정하였다.

3. 응집 입자의 평균 입자경 (제 2 금속 하지의 금속의 응집 입자의 평균 입자경)

제 2 금속 하지를 형성하는 금속 입자가 응집한 응집 입자의 평균 입자경을 측정하였다.

구체적으로는, 제 2 전극층을 형성하기 전의 투명 기판에 배치된 제 2 금속 하지의 화상을, FIB-SEM 복합 장치 (상품명 「SMI9200」, 사용 배율 : 100,000 배, 에스아이아이ㆍ나노테크놀로지사 제조) 를 사용해서 촬영하였다. 촬영한 화상으로부터 해석 화상 「소프트 Image J」를 사용해서 2 차 입자의 입계를 특정하고, 그 후, 2 차 입자의 길이 방향을 직경으로 하여, 화상 내 입자 개수에 있어서의 평균값 (평균 입자경) 을 구하였다.

4. SEM 관찰

제 2 전극층을 형성하기 전의 투명 기판에 배치된 제 2 금속 하지의 이면을 SEM 관찰하였다.

실시예 1, 2, 4 및 비교예 1, 3 의 SEM 사진을 각각 도 4 ∼ 7 에 나타낸다.

또한, 상기 발명은 본 발명의 예시의 실시형태로서 제공하였지만, 이것은 단순한 예시에 불과하며, 한정적으로 해석되어서는 안된다. 당해 기술분야의 당업자에 의해서 분명한 본 발명의 변형예는, 후기하는 청구범위에 포함되는 것이다.

Claims

투명 기판과,
상기 투명 기판의 두께 방향 일방면에 배치되고, 그 두께 방향 일방면의 JIS B 0601 에 준거하여 산출되는 산술 조도 Ra 가 100 ㎚ 이상인 금속 하지와,
상기 금속 하지의 두께 방향 일방면에 배치되는 전극층을 구비하는 것을 특징으로 하는 전극 패턴 제작용 적층체.
제 1 항에 있어서,
상기 금속 하지는, 금속 입자의 1 차 입자가 응집한 응집 입자를 포함하고,
상기 응집 입자의 평균 입자경이 30.0 ㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 전극 패턴 제작용 적층체.
제 1 항에 있어서,
분광 광도계를 사용하여, 300 ㎚ ∼ 1300 ㎚ 의 파장을 스캐닝시키고, 상기 투명 기판의 상기 두께 방향 타방측에서부터 상기 투명 기판을 통과하도록 상기 금속 하지에 조사하여 측정한 시감 반사율 (Y 값) 이 20.0 ％ 이하인 것을 특징으로 하는 전극 패턴 제작용 적층체.
제 1 항에 있어서,
상기 금속 하지는, 상기 투명 기판의 상기 두께 방향 일방면을, 활성 에너지선, 플라즈마 및 레이저로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 1 종에 의해 개질하고, 이어서, 개질된 상기 투명 기판에 무전해 도금함으로써 형성되는 것을 특징으로 하는 전극 패턴 제작용 적층체.
제 1 항에 있어서,
상기 금속 하지가, 상기 투명 기판의 상기 두께 방향 타방면에도 배치되고,
2 개의 상기 금속 하지 중, 적어도 상기 투명 기판의 상기 두께 방향 일방측에 배치되는 상기 금속 하지의 상기 두께 방향 일방면의 상기 산술 조도 Ra 가 100 ㎚ 이상인 것을 특징으로 하는 전극 패턴 제작용 적층체.
제 1 항에 기재된 전극 패턴 제작용 적층체의 전극층 및 금속 하지가 패터닝됨으로써 전극 패턴이 형성되어 있는 것을 특징으로 하는 터치 패널용 기판.
제 6 항에 기재된 터치 패널용 기판과,
상기 터치 패널용 기판의 두께 방향 일방측에 배치되는 화상 표시 소자를 구비하는 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
제 7 항에 있어서,
상기 화상 표시 소자가 액정 표시 모듈인 것을 특징으로 하는 화상 표시 장치.
투명 기판을 준비하는 공정,
상기 투명 기판의 두께 방향 일방면을 개질하는 공정,
금속 하지를 상기 투명 기판에 있어서 개질된 상기 두께 방향 일방면에 배치하는 공정, 및
전극층을 상기 금속 하지의 두께 방향 일방면에 배치하는 공정을 구비하는 것을 특징으로 하는 전극 패턴 제작용 적층체의 제조 방법.
제 9 항에 있어서,
상기 투명 기판의 상기 두께 방향 일방면을 개질하는 공정에서는, 활성 에너지선, 플라즈마 및 레이저로 이루어지는 군에서 선택되는 어느 1 종에 의해 상기 투명 기판을 개질하는 것을 특징으로 하는 전극 패턴 제작용 적층체의 제조 방법.