TWI701479B - 導電性基板、液晶觸控面板 - Google Patents

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Abstract

一種配置在液晶面板的影像顯示面上的導電性基板，其具備：透明基材；金屬層，其形成在該透明基材的至少一個面上；以及黑化層，其形成在該透明基材的至少一個面上；將背光關閉時該液晶面板的影像顯示面的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時，將其b*值設為b*panel，此時，將該黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的b*值滿足以下式1。
(b*panel+1)≧b*≧(b*panel-3.5) 式1

Description

導電性基板、液晶觸控面板
本發明關於一種導電性基板、液晶觸控面板。
近些年，用於各種用途的電容式觸控面板藉由對“由接近面板表面的物體所引起的電容變化”進行檢測，而將接近於面板表面上的物體的位置資訊轉換成電氣信號。
由於用於電容式觸控面板的導電性基板被配置在顯示器的表面，因此對於導電性基板的導電層之材料要求其反射率較低、難以視覺察覺。
因此，作為用於電容式觸控面板的導電層的材料，使用反射率較低、難以視覺察覺的材料，並形成在透明基板或透明薄膜上。例如，專利文獻1揭露了一種觸控面板用的透明導電性薄膜，該透明導電性薄膜在高分子薄膜上形成了作為透明導電膜的ITO(氧化銦錫)膜。
近些年液晶觸控面板的大尺寸化正在進展，與其對應地，對於觸控面板用的透明導電性薄膜等導電性基板亦尋求大面積化。然而，ITO由於其電阻值較高且會發生信號劣化，因此存在不適合大型面板的問題。
因此，例如如專利文獻2、3所揭露，正在研究使用銅等金屬箔來代替ITO膜作為導電層。然而，例如當將銅等金屬箔用作導電層時，由於銅等金屬箔具有金屬光澤，因此存在由反射引起的液晶面板可視性降 低的問題。
因而，正在研究一種導電性基板，其形成了由銅等金屬箔構成的層，同時形成了由能夠抑制銅等金屬箔表面上的光反射的材料所構成的黑化層。藉由形成黑化層，而降低導電性基板的光的反射率、並使「將金屬層圖案化而成的配線」不顯眼，以提高液晶面板的可視性。
<先前技術文獻>
專利文獻1：日本特開2003-151358號公報
專利文獻2：日本特開2011-018194號公報
專利文獻3：日本特開2013-069261號公報
然而，以往的導電性基板，當液晶面板的背光關閉時有時會有導電性基板的配線顯眼之情況，從液晶觸控面板的更加高性能化的觀點來看，尋求一種即使是在液晶面板的背光關閉時配線亦不顯眼的導電性基板。
鑑於上述先前技術的問題，本發明的一個方面的目的在於提供一種導電性基板，其即使是在液晶面板的背光關閉時配線亦不顯眼。
為了解決上述問題，本發明的一個方面提供一種配置在液晶面板的影像顯示面上的導電性基板，其具備：透明基材；金屬層，其形成在該透明基材的至少一個面上；以及黑化層，其形成在該透明基材的至少一個面上；將背光關閉時該液晶面板的影像顯示面的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時，將其b*值設為b*panel，此時，將該黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的b*值滿足以下式1。
(b*panel+1)≧b*≧(b*panel-3.5) 式1
依據本發明的一個方面，可提供一種導電性基板，其即使是在液晶面板的背光關閉時配線亦不顯眼。
10A、10B、20A、20B、30‧‧‧導電性基板
11‧‧‧透明基材
12、12A、12B‧‧‧金屬層
13、13A、13B、32A、32B‧‧‧黑化層
圖1A是本發明的實施方式的導電性基板的剖面圖。
圖1B是本發明的實施方式的導電性基板的剖面圖。
圖2A是本發明的實施方式的導電性基板的剖面圖。
圖2B是本發明的實施方式的導電性基板的剖面圖。
圖3是本發明的實施方式的具有網狀的配線的導電性基板的俯視圖。
圖4A是圖3的A-A’線的剖面圖。
圖4B是圖3的A-A’線的剖面圖。
以下，對本發明的導電性基板、以及導電性基板的製造方法的一個實施方式進行說明。
(導電性基板)
本實施方式的導電性基板可配置在液晶面板的影像顯示面上，可設為具備透明基材、形成在透明基材的至少一個面上的金屬層、以及形成在透明基材的至少一個面上的黑化層的結構。
並且，將背光關閉時的液晶面板的影像顯示面的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時，將其b*值設為b*panel，此時，將黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的b*值優選滿足以下式1。
(b*panel+1)≧b*≧(b*panel-3.5) 式1
再者，本實施方式中的所謂的導電性基板包括對金屬層等進行圖案化之前的在透明基材表面具有金屬層或黑化層的基板、以及對金屬層等進行圖案化了的基板即配線基板。另外，對金屬等進行圖案化後的導電性基板由於包括透明基材未被金屬層覆蓋的區域因而可透過光，成為透明導電性基板。
在此，首先對本實施方式的導電性基板中包括的各部件進行說明。
透明基材並無特別限定，優選使用使可見光穿透的樹脂基板(樹脂薄膜)或玻璃基板等。
作為使可見光穿透的樹脂基板的材料，例如可優選使用聚醯胺系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂、聚2,6萘二甲酸乙二酯系樹脂、環烯烴系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、聚碳酸酯系樹脂等樹脂。
其中，作為使可見光穿透的樹脂基板的材料，可更優選使用PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、COP(環烯烴聚合物)、PEN(聚2,6萘二甲酸乙二酯)、聚醯胺、聚醯亞胺、聚碳酸酯等。
作為透明基材，可特別優選使用聚對苯二甲酸乙二酯薄膜。
關於透明基材的厚度並無特別限定，可根據作為導電性基板時所要求的強度、電容、或光的穿透率等任意選擇。作為透明基材的厚度，例如可以設為10μm以上200μm以下。特別是用於液晶觸控面板的用途時，透明基材的厚度優選設為20μm以上120μm以下，更優選設為20μm以上100μm以下。在用於液晶觸控面板的用途的情形下，例如特別是當尋 求對液晶觸控面板整體的厚度進行薄化的用途時，透明基材的厚度優選為20μm以上50μm以下。
透明基材的總透光率優選較高者，例如總透光率優選為30%以上，更優選為60%以上。藉由使透明基材的總透光率為上述範圍，從而能夠充分地確保例如用於液晶觸控面板的用途時顯示器的可視性。
再者，透明基材的總透光率可利用JIS K 7361-1中規定的方法來評價。
接著，對金屬層進行說明。
對於構成金屬層的材料並無特別限定，可以選擇具有合於用途的導電率的材料，例如，構成金屬層的材料優選為銅合金或含銅的材料，該銅合金為Cu與選自Ni、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Mn、Co、W的至少一種以上的金屬者。另外，金屬層亦可設為由銅構成之銅層。由於導電率較高，因此金屬層特別優選為銅層或銅合金層。
對於在透明基材上形成金屬層的方法並無特別限定，為了降低光的穿透率，優選不在透明基材與金屬層之間配置接著劑。換言之，優選金屬層直接形成在透明基材的至少一個面上。再者，當如下所述在透明基材與金屬層之間配置密合層時，優選直接形成在密合層的上表面。
為了在透明基材的上表面上直接形成金屬層，優選金屬層具有金屬薄膜層。另外，金屬層亦可具有金屬薄膜層和金屬鍍層。
例如可以利用乾式鍍著法在透明基材上形成金屬薄膜層，以該金屬薄膜層為金屬層。由此，能夠不經由接著劑而直接在透明基材上形成金屬層。再者，作為乾式鍍著法，例如可優選使用濺鍍法、蒸鍍法、或 離子鍍著法等。
另外，當對金屬層的膜厚進行增厚時，亦可以金屬薄膜層為供電層，利用濕式鍍著法的一種的電鍍法來形成金屬鍍層，藉此將金屬薄膜層和金屬鍍層作為金屬層。藉由使金屬層具有金屬薄膜層和金屬鍍層，從而在此情形中亦能夠不經由接著劑而在透明基材上直接形成金屬層。
對於金屬層的厚度並不特別限定，當將金屬層用作配線時，可根據向該配線供給的電流大小或配線寬度等來任意選擇。
然而，若金屬層變厚，由於在為了形成配線圖案而進行蝕刻時蝕刻需要時間，使得會有產生如下問題的情況，即容易產生側邊蝕刻、難以形成細線等的問題。因此，金屬層的厚度優選為5μm以下，更優選為3μm以下。
從特別地降低導電性基板的阻抗值、可充分地供給電流的觀點來看，例如金屬層的厚度優選為50nm以上，更優選為60nm以上，進一步更優選為150nm以上。
再者，當金屬層如上所述具有金屬薄膜層和金屬鍍層時，優選金屬薄膜層的厚度和金屬鍍層的厚度的合計為上述範圍。
即使是在金屬層由金屬薄膜層構成的情況、或具有金屬薄膜層和金屬鍍層的情況的任意一個情況下，對於金屬薄膜層的厚度也並無特別限定，例如優選設為50nm以上500nm以下。
如下所述例如可以將金屬層圖案化成所需的配線圖案來用作配線。並且，由於金屬層能夠比以往的用作透明導電膜的ITO進一步降低電阻值，因此可藉由設置金屬層來減小導電性基板的電阻值。
接著對黑化層進行說明。
對於黑化層的材料並無特別限定，可適當地使用能夠抑制金屬層表面上的光反射的材料即可。
黑化層例如優選包含選自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少一種以上的金屬。另外，黑化層亦可以進一步包含選自碳、氧、氫、氮的一種以上的元素。
再者，黑化層亦可以包括金屬合金，該金屬合金含有選自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少2種以上的金屬。此時，黑化層亦可以進一步包含選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素。此時，作為含有選自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少2種以上的金屬的金屬合金，可優選使用Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Ti合金、Ni-W合金、Ni-Cr合金、Ni-Cu-Cr合金。
對於黑化層的形成方法並無特別限定，可利用任意方法來形成，例如可利用乾式法或濕式法來形成。
當利用乾式法形成黑化層時，對於其具體方法並無特別限定，例如可優選使用濺鍍法、蒸鍍法、或離子鍍著法等乾式鍍法。從利用乾式法形成黑化層時容易控制膜厚的觀點來看，更優選使用濺鍍法。再者，可在黑化層添加如上所述選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素，此時更優選使用反應性濺鍍法。
當利用反應性濺鍍法來形成黑化層時，作為靶，可使用包含構成黑化層的金屬形態(metal species)的靶。當黑化層包含合金時，可以 按黑化層中所含的每個金屬形態來使用靶，在基材等被成膜體的表面形成合金，亦可以使用預先對黑化層中所包含的金屬進行了合金化的靶。
另外，當在黑化層中包含選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素時，可以藉由將其預先添加在形成黑化層時的氣氛中，來將其添加在黑化層中。例如，當在黑化層添加碳時可將一氧化碳氣體及/或二氧化碳氣體預先添加在進行濺鍍時的氣氛中，當在黑化層添加氧時可以將氧氣預先添加在進行濺鍍時的氣氛中，當在黑化層添加氫時可以將氫氣及/或水預先添加在進行濺鍍時的氣氛中，當在黑化層添加氮時可以將氮氣預先添加在進行濺鍍時的氣氛中。可以藉由在形成黑化膜時的惰性氣體中添加該些氣體從而在黑化層中添加選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素。再者，作為惰性氣體可優選使用氬氣。
利用濕式法形成黑化層時，可以根據黑化層的材料來使用鍍液，例如可利用電鍍法來形成。
對於黑化層的厚度並無特別限定，例如優選為15nm以上，更優選為25nm以上。這是因為，當黑化層的厚度較薄時，由於有時無法充分抑制金屬層表面上的光反射，因此優選如上所述藉由使黑化層的厚度為15nm以上地構成，以使其可特別地抑制金屬層表面上的光反射。
對於黑化層的厚度的上限值並無特別限定，即使加厚至必要以上的厚度，形成所需的時間或形成配線時的蝕刻所需的時間亦會變長，從而招致成本的上升。因此，黑化層厚度優選設為70nm以下，更優選設為50nm以下。
在本實施方式的導電性基板中藉由配置黑化層，而能夠抑制 金屬層表面上的光反射。因此，例如當用於液晶觸控面板等用途時能夠抑制液晶面板的可視性降低。
然而，如上所述，對於以往的導電性基板，當將液晶面板的背光關閉時有時導電性基板的配線會顯眼。並且，從液晶觸控面板的更高性能化的觀點來看，尋求一種即使在液晶面板的背光關閉時配線亦不顯眼的導電性基板。
因此，本發明的發明人對於在以往的導電性基板中導電性基板的配線顯眼的原因進行了研究。並且發現了在以往的導電性基板中，當液晶面板的背光關閉時的影像顯示面的顏色與黑化層的顏色的差異較大時導電性基板的配線會變得顯眼的情況。因此，發現藉由將液晶面板的背光關閉時的影像顯示面的顏色與黑化層的顏色之間的差異、特別是換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的b*值的差異設在特定的範圍內，從而即使是在液晶面板的背光關閉時亦能夠使配線不顯眼的情況，並完成了本發明。
在本實施方式的導電性基板中，將背光關閉時的液晶面板的影像顯示面的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時，將其b*值設為b*panel，此時，將黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的b*值優選滿足以下式1。
(b*panel+1)≧b*≧(b*panel-3.5) 式1
另外，根據本發明的發明人的研究，為了在液晶面板的背光關閉時使配線更加不顯眼，液晶面板的背光關閉時的影像顯示面及黑化層的換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的a*值的差異亦優選為特定的範圍內。
因此，將背光關閉時的液晶面板的影像顯示面的顏色換算成 CIE(L*a*b*)色彩系統時，將其a*值設為a*panel，此時，黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的a*值優選滿足以下式2。
(a*panel+0)≧a*≧(a*panel-3.5) 式2
對於將黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的b*值或a*值設定為所需範圍的方法並無特別限定，例如可以藉由對黑化層的厚度或材料等進行選擇來使其為所需的範圍。例如，可以藉由在黑化層添加選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素，此時，可以藉由調整選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素的添加量，來使黑化層的顏色成為所需的b*值或a*值。
在本實施方式的導電性基板中，除了上述透明基材、金屬層、黑化層以外，還可設置任意的層。例如可以設置密合層。
對密合層的結構例子進行說明。
如上所述可在透明基材上形成金屬層，但在透明基材上直接形成金屬層時，透明基材與金屬層的密合性有時並不足。因此，當在透明基材的上表面上直接形成金屬層時，在製造過程中或使用時金屬層有時會從透明基材剝離。
因此，在本實施方式的導電性基板中，為了提高透明基材與金屬層的密合性，可在透明基材上配置密合層。
藉由在透明基材與金屬層之間配置密合層，能夠提高透明基材與金屬層的密合性，並能夠抑制金屬層從透明基材剝離。
另外，密合層亦能夠起到黑化層的作用。因此，亦能夠抑制來自金屬層的下表面側、亦即來自透明基材側的光所引起的在金屬層的光反射。
對於構成密合層的材料並無特別限定，可根據透明基材與金屬層的密合力或所要求的金屬層表面上的光反射的抑制程度、或是針對導電性基板的使用環境(例如濕度或溫度)的穩定性程度等來任意地選擇。
密合層優選包含例如選自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少1種以上的金屬。另外，密合層亦可進一步包含選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素。
再者，密合層亦可以包含“含有選自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少2種以上的金屬”的金屬合金。即使在此情況下，密合層亦可以進一步包含選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素。此時，作為含有選自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少2種以上的金屬的金屬合金，例如優選使用Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Ti合金、Ni-W合金、Ni-Cr合金、Ni-Cu-Cr合金。
對於密合層的形成方法不無特別限定，優選利用乾式電鍍法來形成。作為乾式電鍍法，例如可優選使用濺鍍法、離子鍍著法、或蒸鍍法等。從利用乾式法形成密合層時容易控制膜厚的觀點來看，更優選使用濺鍍法。再者，亦可以在密合層中添加如上所述選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素，此時可更優選使用反應性濺鍍法。
當密合層包含選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素時，可藉由在形成密合層時的氣氛中預先添加含有選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素的氣體，以將其添加至密合層中。例如，當在密合層添加碳時可預先在進行乾式電鍍時的氣氛中添加一氧化碳氣體及/或二氧化碳氣體， 當在密合層添加氧時可預先在該氣氛中添加氧氣，當在密合層添加氫時可預先在該氣氛中添加氫氣及/或水，當在密合層添加氮時可預先在該氣氛中添加氮氣。
對於含有選自碳、氧、氫、氮的1種以上元素的氣體，優選將其添加至惰性氣體，使其為乾式鍍著時的氣氛氣體。作為惰性氣體並無特別限定，例如可優選使用氬。
藉由如上所述利用乾式鍍著法來形成密合層，能夠提高透明基材與密合層的密合性。並且，密合層由於例如可含有金屬作為主成分因此與金屬層的密合性較高。因此，藉由在透明基材與金屬層之間配置密合層，從而能夠抑制金屬層的剝離。
對於密合層的厚度並不特別限定，例如優選設為3nm以上50nm以下，更優選設為3nm以上35nm以下，進一步優選設為3nm以上33nm以下。
當密合層亦起到黑化層的作用時、亦即抑制金屬層上的光反射時，優選將密合層的厚度如上所述設為3nm以上。
對於密合層的厚度的上限值並無特別限定，即使加厚至必要以上的厚度，形成所需的時間或形成配線時的蝕刻所需的時間亦會變長，從而招致成本的上升。因此，密合層的厚度優選如上所述設為50nm以下，更優選設為35nm以下，進一步優選設為33nm以下。
再者，對於密合層的顏色並無特別限定，然而當對金屬層等進行圖案化而作為配線基板時，有時會有可透過透明基材而從外部視覺察覺密合層的情況。因此，當在液晶面板的影像顯示面上配置時，對於密合 層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統的b*值亦優選滿足上述式1，以使密合層亦不顯眼。
另外，對於密合層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統的a*值亦更優選滿足上述式2。
接著，對導電性基板的結構例子進行說明。
如上所述，本實施方式的導電性基板可以具有透明基材、金屬層、黑化層。另外，亦可以任意地設置密合層等。此時，對於關於金屬層和黑化層的透明基材上的積層順序並無特別限定。另外，亦可以分別形成多層金屬層和黑化層。
關於具體的結構例子，以下使用圖1A、圖1B、圖2A、圖2B來進行說明。圖1A、圖1B、圖2A、圖2B表示出本實施方式的導電性基板的平行於透明基材、金屬層、黑化層的積層方向的面的剖面圖之例子。
本實施方式的導電性基板可以具有例如在透明基材的至少一個面上從透明基材側依次積層了金屬層、黑化層的構造。
具體來說，例如，如圖1A所示的導電性基板10A，可在透明基材11的一個面11a側將金屬層12、黑化層13逐層地依次積層。另外，如圖1B所示的導電性基板10B，亦可以在透明基材11的一個面11a側和另一個面11b側分別將金屬層12A、12B、黑化層13A、13B逐層地依次積層。
另外，進一步亦可設置例如密合層來作為任何層。此時，例如可以為例如在透明基材的至少一個面上從透明基材側依次形成了密合層、金屬層、黑化層的構造。
具體來說，例如如圖2A所示的導電性基板20A，可以在透 明基材11的一個面11a側，依次積層密合層14、金屬層12、以及黑化層13。
此時亦可設為如下結構：在透明基材11的兩面積層了密合層、金屬層、黑化層。具體來說，如圖2B所示的導電性基板20B，可在透明基材11的一個面11a側以及另一個面11b側，分別依次積層密合層14A、14B、金屬層12A、12B、以及黑化層13A、13B。
再者，在圖1B、圖2B中，表示出了當在透明基材的兩面積層金屬層和黑化層時，以透明基材11為對稱面並且以在透明基材11的上下所積層的層對稱的方式進行配置的例子，但並不限定於該形態。例如，可以在圖2B中，使透明基材11的一個表面11a側的結構與圖1B的結構同樣，設為不設置密合層14A地依次積層金屬層12A和黑化層13A的形態，使在透明基材11上下所積層的層為非對稱的結構。
由於在本實施方式的導電性基板中在透明基材上設置了金屬層和黑化層，因此能抑制由於金屬層所引起的光反射。
對於本實施方式的導電性基板的光反射的程度並無特別限定，例如為了提高用作液晶觸控面板用的導電性基板時的液晶面板的可視性，優選波長400nm以上且700nm以下的光的平均反射率較低者。例如，波長400nm以上且700nm以下的光的平均反射率優選為20%以下，更優選為15%以下，特別優選為12%以下。
對於反射率的測定，可以對導電性基板的黑化層照射光來進行測定。具體來說，例如當如圖1A所示在透明基材11的一個面11a側依次積層金屬層12、黑化層13時，以向黑化層13照射光的方式對表面A照 射光並進行測定。並且，可以按照例如波長1nm的間隔，如上所述對導電性基板的黑化層13照射波長400nm以上且700nm以下的光，將所測得的值的平均值作為該導電性基板的波長400nm以上且700nm以下的光的平均反射率(以下僅記載為“平均反射率”)。
本實施方式的導電性基板可以優選用作液晶觸控面板用的導電性基板。當將本實施方式的導電性基板用作液晶觸控面板用的導電性基板時，導電性基板可以具有網(mesh)狀的配線。
具有網狀配線的導電性基板可以藉由對上述本實施方式的導電性基板的金屬層及黑化層進行蝕刻來得到。
例如，可以利用兩層的配線來形成網狀的配線。具體的結構例如圖3所示。圖3表示出從金屬層及黑化層的積層方向的上面側觀察具有網狀配線的導電性基板30的圖。圖3所示的導電性基板30具有透明基材11、平行於圖中Y軸方向的複數條配線31A、及平行於X軸方向的配線31B。 再者，配線31A、31B藉由蝕刻金屬層而形成，在該配線31A、31B的上表面及/或下表面形成圖中未顯示的黑化層。另外，將黑化層蝕刻成與配線31A、31B相同的形狀。
透明基材11和配線31A、31B的配置並無特別限定。配置透明基材11和配線的結構例子如圖4A、圖4B所示。圖4A、圖4B相當於圖3的A-A’線上的剖面圖。
首先，如圖4A所示，可以在透明基材11的上下表面分別配置配線31A、31B。再者，在圖4A中，在配線31A的上表面、及31B的下表面，配置有被蝕刻成與配線相同形狀的黑化層32A、32B。
另外，如圖4B所示，可以使用1組透明基材11，，夾著一個透明基材11A地在上下表面配置配線31A、31B，並且將一個配線31B配置在透明基材11之間。此時在配線31A、31B的上表面亦配置有被蝕刻成與配線相同形狀的黑化層32A、32B。再者，如上所述，除了黑化層和金屬層以外還可以設置密合層。因此，在圖4A、圖4B任意一個情形中，例如亦可以在配線31A及/或配線31B與透明基材11之間設置密合層。當設置密合層時，優選可以將密合層亦蝕刻為與配線31A、31B相同的形狀。
圖3及圖4A所示的具有網狀配線的導電性基板例如可以由如圖1B所示在透明基材11的兩面上具有金屬層12A、12B、黑化層13A、13B的導電性基板形成。
若以使用圖1B的導電性基板來形成的情形為例進行說明，則首先以平行於圖1B中Y軸方向的複數條線狀的圖案沿X軸方向空出特定間隔來配置的方式，對透明基材11的一個面11a側的金屬層12A及黑化層13A進行蝕刻。再者，圖1B中的X軸方向意味著與各層的寬度方向平行的方向。另外，圖1B中的Y軸方向意味著與圖1B中的紙面垂直的方向。
接著，以平行於圖1B中X軸方向的複數條線狀的圖案空出特定間隔地沿Y軸方向配置的方式，對透明基材11的另一個面11b側的金屬層12B及黑化層13B進行蝕刻。
藉由以上操作，能形成如圖3、圖4A所示的具有網狀配線的導電性基板。再者，亦可以對透明基材11的兩面同時進行蝕刻。換言之，可以同時進行金屬層12A、12B、黑化層13A、13B的蝕刻。另外，在圖4A中，對於具有在配線31A、31B與透明基材11之間進一步被圖案化成與配 線31A、31B相同形狀的密合層的導電性基板，可藉由使用圖2B所示的導電性基板同樣進行蝕刻來製作。
圖3所示的具有網狀配線的導電性基板亦可以使用2片圖1A或圖2A所示的導電性基板而形成。若以使用2片圖1A的導電性基板來形成的情形為例進行說明，則針對2片圖1A所示的導電性基板，以平行於X軸方向的複數條線狀圖案空出特定間隔地沿Y軸方向配置的方式，分別對金屬層12及黑化層13進行蝕刻。接著，可以藉由下述方式來將2片導電性基板貼合而形成具有網狀配線的導電性基板，即以利用上述蝕刻處理而在各導電性基板形成的線狀的圖案相互交叉的方式對準方向，來將2片導電性基板貼合。對於將2片導電性基板貼合時的貼合面並無特別限定。例如，亦可以將積層有金屬層12等的圖1A中的表面A、與未積層有金屬層12等的圖1A中的另一個面11b貼合，從而形成圖4B所示的構造。
另外，亦可以例如將透明基材11的未積層有金屬層12等的圖1A中的另一面11b彼此貼合而使剖面為圖4A所示的構造。
再者，在圖4A、圖4B中，對於在配線31A、31B與透明基材11之間進一步具有被圖案化成與配線31A、31B相同形狀的密合層的導電性基板，可以使用圖2A所示的導電性基板來代替圖1A所示的導電性基板而進行製作。
對於圖3、圖4A、圖4B所示的具有網狀配線的導電性基板中的配線的寬度、或配線間的距離並無特別限定，例如可以根據配線中流動的電流量等來選擇。
另外，在圖3、圖4A、圖4B中顯示了將直線形狀的配線組 合而形成網狀的配線(配線圖案)的例子，但並不限定於該形態，構成配線圖案的配線可以為任意的形狀。例如，亦可以與液晶面板的影像之間不產生疊紋(干涉紋)的方式，將構成網狀配線圖案的配線的形狀分別形成為呈鋸齒彎曲的線(之字形直線)等各種形狀。
具有這樣由2層配線構成的網狀的配線的導電性基板例如可以優選用作投影型電容式的觸控面板用的導電性基板。
依據以上的本實施方式的導電性基板，其為在液晶面板的影像顯示面上配置的導電性基板，將黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的b*值設為特定的範圍內。因此，可以形成即使是在將液晶面板的背光關閉時配線亦不顯眼的導電性基板。
(液晶觸控面板)
可以藉由將上述說明的導電性基板裝載並固定在例如液晶面板的影像顯示面上來形成液晶觸控面板。換言之，可形成具有本實施方式的導電性基板的液晶觸控面板。
將導電性基板固定在液晶面板的影像顯示面上的方法並無特別限定，例如可利用透明的接著劑來進行固定。
在本實施方式的液晶觸控面板中，由於將導電性基板的黑化層換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的b*值設定在特定範圍內，因此可以成為即使是在將液晶面板的背光關閉時配線亦不顯眼的液晶觸控面板。
(導電性基板的製造方法、液晶觸控面板的製造方法)
接著，對本實施方式的導電性基板的製造方法的一個結構例子進行說明。
本實施方式的導電性基板的製造方法可具有以下步驟。
在該透明基材的至少一個面上形成金屬層的金屬層形成步驟。
在透明基材的至少一個面上形成黑化層的黑化層形成步驟。
並且，對於在黑化層形成步驟中形成的黑化層，當將背光關閉時的液晶面板的影像顯示面的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時，將其b*值設為b*panel，此時，將黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的b*值優選滿足以下式1。
(b*panel+1)≧b*≧(b*panel-3.5) 式1
以下對本實施方式的導電性基板的製造方法具體進行說明。
再者，可利用本實施方式的導電性基板的製造方法來適當地製造上述導電性基板。因此，由於除了以下說明的點以外均為與上述導電性基板的情況同樣的結構因此省略說明。
可以預先準備用於金屬層形成步驟的透明基材。對於使用的透明基材的種類並無特別限定，如上所述可優選使用使可見光穿透的樹脂基板(樹脂薄膜)或玻璃基板等。亦可根據需要將透明基材預先切割成任意的尺寸。
如上所述，金屬層優選具有金屬層薄膜層。另外，金屬層亦可具有金屬薄膜層和金屬鍍層。因此，金屬層形成步驟例如可具有利用乾式鍍著法形成金屬薄膜層的步驟。另外，金屬層形成步驟可具有利用乾式鍍著法形成金屬薄膜層的步驟、以及藉由以金屬薄膜層為供電層利用濕式鍍著法的一種的電鍍法來形成金屬鍍層的步驟。
作為用於形成金屬薄膜層的步驟的乾式鍍著法，並無特別限 定，例如可使用蒸鍍法、濺鍍法、或離子鍍著法等。再者，作為蒸鍍法，可以優選使用真空蒸鍍法。作為用於形成金屬薄膜層的步驟的乾式鍍著法，特別是從容易控制膜厚的觀點來看，更優選使用濺鍍法。
接著對形成金屬鍍層的步驟進行說明。對於利用濕式鍍著法形成金屬鍍層的步驟中的條件、亦即電鍍處理的條件並無特別限定，採用根據常用方法的諸條件即可。例如，可藉由向注入有金屬鍍液的鍍槽中供給形成有金屬薄膜層的基材，並對電流密度或基材的輸送速度進行控制來形成金屬鍍層。
接著，對黑化層形成步驟進行說明。
在黑化層形成步驟中，對於形成黑化層的方法並無特別限定，可利用任意方法來形成。
在黑化層形成步驟中形成黑化層時，例如可優選使用濺鍍法、離子鍍著法、或蒸鍍法等乾式鍍著法。特別是，從容易控制膜厚的觀點來看，更優選使用濺鍍法。另外，亦可以如上所述在黑化層添加選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素，此時可以優選使用反應性濺鍍法。
如上所述，亦可以利用電鍍法等濕式法來形成黑化層。
對於由黑化層形成步驟形成的黑化層，將背光關閉時的液晶面板的影像顯示面的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時，將其b*值設為b*panel，此時，將黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的b*值優選滿足以下式1。
(b*panel+1)≧b*≧(b*panel-3.5) 式1
另外，當將背光關閉時的液晶面板的影像顯示面的顏色換算成CIE (L*a*b*)色彩系統時，將其a*值設為a*panel，此時，將黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的a*值更優選滿足以下式2。
(a*panel+0)≧a*≧(a*panel-3.5) 式2
對於將黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的b*值或a*值設定為所需範圍的方法並無特別限定，例如可以藉由對黑化層的厚度或材料等進行選擇來使其為所需的範圍。例如，例如可以藉由在黑化層中添加選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素，此時，可以藉由調整選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素的添加量，來使黑化層的顏色為所需的b*值或a*值。
另外，在本實施方式的導電性基板的製造方法中，除了上述步驟以外，亦可以實施任意的步驟。
例如當在透明基材與金屬層之間形成密合層時，可以實施在透明基材的形成有金屬層的面上形成密合層的密合層形成步驟。當實施密合層形成步驟時，金屬層形成步驟可在密合層形成步驟之後實施，在金屬層形成步驟中，在本步驟中金屬薄膜層可以形成在“透明基材上形成有密合層”的基材上。
對於密合層的形成方法不無特別限定，以利用乾式電鍍法來形成為佳。作為乾式電鍍法，例如可優選使用濺鍍法、離子鍍著法、或蒸鍍法等。當利用乾式法來形成密合層時，從易於控制膜厚的觀點來看，可更優選使用濺鍍法。再者，可在密合層添加選自碳、氧、氫、氮的1種以上的元素，此時可進一步優選使用反應性濺鍍法。
由本實施方式的導電性基板的製造方法得到的導電性基板 例如可用於觸控面板等各種用途。並且，用於各種用途時，優選對本實施方式的導電性基板中所含的金屬層及黑化層進行圖案化。再者，當設有密合層時，優選對密合層亦進行圖案化。對於金屬層、黑化層、有時還有密合層，例如可以隨著所需的配線圖案來進行圖案化，優選將金屬層、黑化層、有時還有密合層圖案化成相同形狀。
因此，本實施方式的導電性基板的製造方法可具有對金屬層及黑化層進行圖案化的圖案化步驟。再者，當形成有密合層時，圖案化步驟可以為對密合層、金屬層、及黑化層進行圖案化的步驟。
對於圖案化步驟的具體程序並無特別限定，可利用任意程序來實施。例如，如圖1A所示，當為在透明基材11上積層有金屬層12及黑化層13的導電性基板10A時，首先可實施在黑化層13上的表面A上配置具有所需圖案的掩膜(mask)的掩膜配置步驟。接著，可實施向黑化層13的上表面、亦即配置有掩膜的一面側供給蝕刻液的蝕刻步驟。
對於在蝕刻步驟中使用的蝕刻液並無特別限定，可根據構成進行蝕刻的層的材料來任意選擇。例如，可按照每層來改變蝕刻液，另外亦可利用相同的蝕刻液來蝕刻金屬層、黑化層、有時還有密合層。
另外，如圖1B所示，可實施對在透明基材11的一個面11a、另一個面11b上積層有金屬層12A、12B、黑化層13A、13B的導電性基板10B亦進行圖案化的圖案化步驟。此時，例如可實施在黑化層13A、13B上的表面A、表面B上配置具有預定圖案的掩膜的掩膜配置步驟。接著，可實施向黑化層13A、13B上的表面A及表面B、亦即配置有掩膜的面側供給蝕刻液的蝕刻步驟。
對於在蝕刻步驟中形成的圖案並無特別限定，其可以為任意的形狀。例如在圖1A所示的導電性基板10A的情況中，可以如上所述以含有複數條直線或呈鋸齒彎曲的線(之字形直線)的方式對金屬層12及黑化層13形成圖案。
另外，在圖2B所示的導電性基板10B的情況中，可以設為網狀配線的方式在金屬層12A和金屬層12B上形成圖案。此時，優選以黑化層13A為與金屬層12A同樣的形狀、黑化層13B為與金屬層12B同樣的形狀的方式來分別進行圖案化。
另外，例如亦可以在圖案化步驟中對上述導電性基板10A的金屬層12等進行了圖案化後，實施將圖案化的2片以上的導電性基板積層的積層步驟。進行積層時，例如亦可藉由以各導電性基板的金屬層的圖案交叉的方式進行積層，從而得到具有網狀配線的積層導電性基板。
關於對積層了2片以上的導電性基板進行固定的方法並無特別限定，例如可以利用接著劑等來進行固定。
根據以上本實施方式的導電性基板的製造方法，該導電性基板為配置在液晶面板的影像顯示面上，以黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的b*值在預定範圍內的方式來形成黑化層。因此可以形成即使是在將液晶面板的背光關閉時配線亦不顯眼的導電性基板。
再者，當使用利用本實施方式的導電性基板的製造方法得到得導電性基板來製造液晶觸控面板時，可以實施將導電性基板裝載並固定在液晶面板的影像顯示面上的步驟。
對於將導電性基板固定在液晶面板的影像顯示面上的方法 並無特別限定，例如可以利用透明接著劑等來進行固定。
在本實施方式的液晶觸控面板中，由於將導電性基板的黑化層換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的b*值設定為特定範圍內，因此可以形成即使是在將液晶面板的背光關閉時配線亦不顯眼的液晶觸控面板。
<實施例>
以下，列舉具體的實施例及比較例來進行說明，但本發明並不限定於這些實施例。
(1)評價方法
首先，對所得到的導電性基板的評價方法進行說明。
(平均反射率)
在紫外可見光光度計(株式會社島津製作所製，型號：UV-2600)設置反射率測定單元來進行了測定。
如下所述，在各實施例、比較例中製作了具有圖1A所示構造的導電性基板。因此，反射率測定係：針對圖1A所示的導電性基板10A的黑化層13的表面A，設為入射角5°、受光角5°，以波長1nm間隔照射波長400nm以上且700nm以下的光並測定反射率(鏡面反射率)，將其平均值作為該導電性基板的波長400nm以上且700nm以下的光的平均反射率(平均反射率)。再者，關於在各實施例、比較例中測定、計算出的導電性基板的波長400nm以上且700nm以下的光的平均反射率，在表1中表示為平均反射率。
(黑化層的a*值、b*值)
在測定、計算平均反射率時，根據針對黑化層的表面以波長1nm間隔 照射波長400nm以上且700nm以下的光而測定的反射率的測定值，計算出a*值、b*值。
(可視性試驗)
在作為影像顯示面的a*值的a*panel為-1、作為b*值的b*panel為-2的液晶面板的影像顯示面上利用透明接著劑來固定所製作的各實施例、比較例的導電性基板。再者，此時以使液晶面板的影像顯示面、與具有所製作的圖1A所示的構造的導電性基板的透明基材11的另一個面11b對著的方式將導電性基板固定在液晶面板的影像顯示面上。
接著，在螢光燈照明下，由5名檢查員來進行目視試驗，在將液晶面板的背光關閉的狀態下，對視覺察覺到導電性基板的配線的檢查員的人數進行計數。
當視覺察覺到導電性基板的配線的檢查員人數為5人時評價為×，當視覺察覺到導電性基板的配線的檢查員人數為1人以上且4人以下時評價為△，當視覺察覺到導電性基板的配線的檢查員人數為0人時評價為○。
(2)導電性基板的製作條件
按照以下程序，製作各實施例、比較例的導電性基板、液晶觸控面板。
[實施例1]
按照以下程序製作平行於金屬層、黑化層的積層方向的面其剖面具有如圖1A所示的構造的導電性基板，並進行評價。
準備了寬度500nm、厚度100μm的聚對苯二甲酸乙二酯樹脂(PET)製的透明基材。再者，對於用作透明基材的聚對苯二甲酸乙二酯 樹脂製的透明基材，當利用JIS K 7361-1所規定的方法對總透光率進行評價後為97%。
接著，在透明基材的一個面形成作為金屬層的厚度為0.5μm的銅層。
再者，銅層由銅薄膜層構成，銅薄膜層是用濺鍍法來形成。
在銅層的形成中使用卷對卷(Roll-to-Roll)濺鍍裝置，利用濺鍍法形成。具體來說，首先，在卷對卷濺鍍裝置中設置了銅的靶、以及上述透明基材。接著，對腔室內進行排氣至1×10-4Pa後，導入氬氣，使腔室內的壓力為1.3Pa的氬氣氛。接著，在該氣氛下向靶供應電力，藉由輸送透明基材而在透明基材的一個主平面上形成出銅層。
接著，在上述銅層的上表面形成黑化層。黑化層與銅層的情況同樣使用卷對卷濺鍍裝置利用濺鍍法形成。再者，形成添加了氧的鎳銅層來作為黑化層。
具體來說，首先，在卷對卷濺鍍裝置中設置由鎳65wt%和銅35wt%構成的鎳-銅合金的靶、及形成有銅層的透明基材。接著，對腔室內進行排氣至1×10-4Pa後，以氬氣為200sccm、氧氣為43sccm的條件向腔室內導入氬氣和氧氣，將腔室內的壓力調整至2Pa。接著，一邊以輸送速度為3.0m/分的速度將形成有銅層的透明基材自捲出輥輸送，一邊從直流電源向濺鍍陰極供應電力，進行濺鍍放電，在銅層上形成黑化層。藉由該操作在透明基材的銅層上形成了厚度50nm的黑化層。
對於所得到的導電性基板，利用上述方法對平均反射率及黑化層的a*值、b*值進行了測定。結果如表1所示。
接著，在所製作的導電性基板的黑化層上利用層壓法貼附市售的乾膜抗蝕劑。接著，隔著用於形成配線寬度4μm且為格子狀的網狀圖案的掩膜，而進行紫外線照射，從而形成感光性抗蝕劑圖案。
接著，對感光性抗蝕劑圖案的開口部供應加熱至30℃的氯化鐵溶液，利用蝕刻將在開口部露出的黑化層及銅層除去，之後利用氫氧化鈉水溶液將感光性抗蝕劑圖案剝離除去。由此，形成了將銅層及黑化層圖案化了的導電性基板，對該導電性基板進行上述可視性評價。結果如表1所示。
[實施例2~實施例4]
關於各實施例，除了將黑化層形成時的形成有銅層的透明基材的輸送速度以及向腔室內供應的氧氣的供應量設為表1所示的值以外，與實施例1同樣地製作導電性基板，對其進行評價。結果如表1所示。
[比較例1、比較例2]
基材的輸送速度以及向腔室內供應的氧氣的供應量設為表1所示的值以外，與實施例1同樣地製作導電性基板，對其進行評價。結果如表1所示。
Figure 105112929-A0202-12-0028-1
根據表1所示的結果，能夠確認出：對於黑化層的b*值、與背光關閉時的該液晶面板的影像顯示面的b*panel不滿足以下式1的關係的比較例1、2，其可視性評價的結果為×。亦即，可確認當將導電性基板配置到關閉背光的液晶面板上時，配線顯眼。
(b*panel+1)≧b*≧(b*panel-3.5) 式1
相對於此，對於黑化層的b*值滿足以上式1的實施例1~實施例4，可確認其可視性評價的結果均為△或○，當將導電性基板配置到液晶面板上時，能夠抑制配線顯眼。
特別是，對於黑化層的a*值、與背光關閉時的液晶面板的影像顯示面的a*panel滿足以下式2的關係的實施例3、4，能夠確認其可視性評價的結果為○，當將導電性基板配置到液晶面板上時，配線變得特別不顯眼。
(a*panel+0)≧a*≧(a*panel-3.5) 式2
另外，實施例1~實施例4的導電性基板的平均反射率均為20%以下，能夠確認藉由設置黑化層能夠抑制由金屬層所引起的光反射。
以上藉由實施方式及實施例等對導電性基板及液晶觸控面板進行了說明，但本發明並不限定上述實施方式及實施例等。在申請專利範圍所記載的本發明的主旨的範圍內，可進行各種變形、變更。
本申請案係主張基於2015年4月30日向日本國特許廳申請的日本專利申請案第2015-093576號的優先權，該日本專利申請案第2015-093576號的全部內容係藉由參照而併入本國際申請中。
10A‧‧‧導電性基板
11‧‧‧透明基材
11a‧‧‧一個面
11b‧‧‧另一個面
12‧‧‧金屬層
13‧‧‧黑化層
A‧‧‧表面

Claims (8)

  1. 一種導電性基板，係配置在液晶面板的影像顯示面上者，其具備：透明基材；金屬層，其形成在該透明基材的至少一個面上；以及黑化層，其形成在該透明基材的至少一個面上；將背光關閉時的該液晶面板的影像顯示面的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時，將其b*值設為b*panel，此時，將該黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的b*值滿足以下式1。(b*panel+1)≧b*≧(b*panel-3.5) 式1
  2. 如申請專利範圍第1項的導電性基板，其中，將背光關閉時的該液晶面板的該影像顯示面的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時，將其a*值設為a*panel，此時，將該黑化層的顏色換算成CIE(L*a*b*)色彩系統時的a*值滿足以下式2。(a*panel+0)≧a*≧(a*panel-3.5) 式2
  3. 如申請專利範圍第1項的導電性基板，其波長400nm以上且700nm以下的光的平均反射率為20%以下。
  4. 如申請專利範圍第2項的導電性基板，其波長400nm以上且700nm以下的光的平均反射率為20%以下。
  5. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的導電性基板，其中，該金屬層為銅層或銅合金層。
  6. 如申請專利範圍第1至4項中任一項的導電性基板，其中，該透明基材為聚對苯二甲酸乙二酯膜。
  7. 如申請專利範圍第5項的導電性基板，其中，該透明基材為聚對苯二甲酸乙二酯膜。
  8. 一種液晶觸控面板，其具備申請專利範圍第1至7項中任一項的導電性基板。
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