TW201624502A - 導電性基板之製造方法 - Google Patents

Abstract

提供一種導電性基板的製造方法，依序實施下述步驟：阻絕層形成步驟：在具有透明基材及在該透明基材的至少一個面上形成的金屬層之基材的該金屬層上，形成具備有與所形成的配線圖案相對應的開口部之阻絕層；黑色鍍層形成步驟：在該阻絕層的該開口部形成黑色鍍層；阻絕層除去步驟：除去該阻絕層；及金屬層除去步驟：除去從該黑色鍍層露出的該金屬層。

Description

導電性基板的製造方法

本發明關於一種導電性基板的製造方法。

靜電容量式觸控面板藉由對接近面板表面的物體所引起的靜電容量變化進行檢測，將面板表面上接近之物體的位置資訊變換為電訊號。由於靜電容量式觸控面板所用的導電性基板設置在顯示器的表面，故對該導電性基板的配線材料要求反射率低，難以被目視辨認。

故作為靜電容量式觸控面板所用的配線材料，係使用反射率低，難以被目視辨認的材料，在透明基板或透明膜上形成有配線。例如，專利文獻1中揭示了一種在高分子膜上形成ITO(氧化銦錫)膜作為透明導電膜的觸控面板用透明導電性膜。

近年，具備觸控面板的顯示器的大畫面化不斷發展，與此相對應地也對觸控面板用透明導電性膜等導電性基板要求大面積化。然而，ITO由於電阻值高，易發生訊號劣化，故存在著不適於大型面板的問題。

因此，例如，如專利文獻2、3所示，進行了使用銅等金屬箔取代ITO膜的研究。然而，例如，在金屬層使用銅等金屬箔的情況下，由於銅具有金屬光澤，故存在著因反射光的眩光使得顯示器的目視辨認性降低的問題。

故研究了下述導電性基板：除了形成了由銅等金屬箔構成的 金屬層之外，還形成了可抑制金屬層表面之光反射的黑化層。

作為一種形成金屬層和黑化層，並且將金屬層等圖案化成配線圖案的導電性基板製造方法，例如，提出了一種基於以下步驟的方法。

首先，製造在透明基材上積層了金屬層及黑化層的導電性基板。接下來，在黑化層上貼上DFR(dry film resist，乾膜阻劑)，並在DFR的表面載置形成了配線圖案形成用掩膜圖案的掩膜，然後進行曝光和顯影，藉此，在DFR形成想要的開口部。並且，對從DFR的開口部露出的黑化層及金屬層進行蝕刻以形成配線圖案，並對DFR進行剝離。

專利文獻1：日本特開2003-151358號公報

專利文獻2：日本特開2011-018194號公報

專利文獻3：日本特開2013-069261號公報

然而，DFR與黑化層的密接性差，若要藉由蝕刻形成配線寬度微細的細線，則存在下述問題：在黑化層上形成的DFR會發生剝離，難以形成想要的配線圖案。

鑑於上述先前技術的問題，本發明的一方面之目的在於，提供一種可形成含有配線寬度微細的細線的配線圖案之導電性基板的製造方法。

為了解決上述課題，於本發明的一態樣，提供一種導電性基板的製造 方法，依序實施下述步驟：阻絕層(resist layer)形成步驟：在具有透明基材及在該透明基材的至少一個面上形成的金屬層之基材的該金屬層上，形成具備有與所形成的配線圖案相對應的開口部之阻絕層；黑色鍍層形成步驟，在該阻絕層的該開口部形成黑色鍍層；阻絕層除去步驟，除去該阻絕層；及金屬層除去步驟，除去從該黑色鍍層露出的該金屬層。

根據本發明的一態樣，能夠提供一種可形成含有配線寬度微細的細線的配線圖案之導電性基板的製造方法。

20、301、302、40‧‧‧導電性基板

11、21、311、312、41‧‧‧透明基材

12‧‧‧金屬層

121、22、321、322、42A、42B‧‧‧經圖案化的金屬層

131‧‧‧具備開口部的阻絕層

14‧‧‧(阻絕層的)開口部

15、23、331、332、43A、43B‧‧‧黑色鍍層

圖1A：本發明實施形態的導電性基板製造方法的步驟說明圖(1)。

圖1B：本發明實施形態的導電性基板製造方法的步驟說明圖(2)。

圖1C：本發明實施形態的導電性基板製造方法的步驟說明圖(3)。

圖1D：本發明實施形態的導電性基板製造方法的步驟說明圖(4)。

圖2A：由本發明實施形態的導電性基板製造方法所獲得的導電性基板的構成例的俯視圖。

圖2B：沿圖2A的A-A’線的剖面圖。

圖3A：使用了由本發明實施形態的導電性基板製造方法所獲得的導電性基板並具備網目狀配線的積層導電性基板的構成例的俯視圖。

圖3B：沿圖3A的B-B’線的剖面圖。

圖4：由本發明實施形態的導電性基板製造方法所獲得的具備網目狀配 線的導電性基板的剖面圖。

以下，對本發明的導電性基板的製造方法的一實施形態進行說明。

本實施形態的導電性基板的製造方法可依序實施如下步驟。

阻絕層形成步驟：在具有透明基材及在該透明基材的至少一個面上所形成的金屬層之基材的該金屬層上，形成具備有與所形成的配線圖案相對應的開口部的阻絕層。

黑色鍍層形成步驟：在阻絕層的開口部形成黑色鍍層。

阻絕層除去步驟：除去阻絕層。

金屬層除去步驟：除去從黑色鍍層露出的金屬層。

如上所述，由於黑化層與作為阻絕層的DFR的密接性低，故若根據先前提出的導電性基板的製造方法，在對金屬層或黑化層進行蝕刻時，存在著DFR發生剝離，不能形成含有微細細線的配線圖案的情況。

故本發明的發明人對具有含有微細細線的配線圖案之導電性基板的製造方法進行了研究。而發現在金屬層上形成具有想要圖案的黑色鍍層後，再使用該黑色鍍層對金屬層進行圖案化，藉此可製造具有含有微細細線的配線圖案之導電性基板，從而完成了本發明。

對本實施形態的導電性基板的製造方法的各步驟進行說明。

(阻絕層形成步驟)

首先，對阻絕層形成步驟進行說明。

在阻絕層形成步驟中，可在具有透明基材及該透明基材的至 少一個面上所形成的金屬層之基材的金屬層上，形成具備有與所形成的配線圖案相對應的開口部之阻絕層。

這裡，首先對提供阻絕層形成步驟的具有透明基材及該透明基材的至少一個面上所形成的金屬層之基材進行說明。

作為透明基材，並無特別限定，可較佳使用可見光能透過的樹脂基板(樹脂膜)或玻璃基板等。

作為可見光能透過的樹脂基板的材料，可較佳使用例如聚醯胺類樹脂、聚對酞酸乙二酯類樹脂、聚萘二甲酸乙二酯(polyethylene naphthalate)類樹脂、環烯(cycloolefin)類樹脂、聚醯亞胺類樹脂、聚碳酸酯類樹脂等樹脂。特別作為可見光能透過的樹脂基板的材料，可更佳使用聚醯胺、PET(聚對酞酸乙二酯)、COP(環烯聚合物)、PEN(聚萘二甲酸乙二酯)、聚醯亞胺、聚碳酸酯等。

對透明基材的厚度並無特別限定，可根據在製成導電性基板時所要求的強度或靜電容量、透光率等進行任意選擇。作為透明基材的厚度，例如可為10μm以上200μm以下。尤其在使用於觸控面板用途的情況下，透明基材的厚度較佳為20μm以上120μm以下，更佳為20μm以上100μm以下。在使用於觸控面板用途的情況下，例如尤其在需要使顯示器整體厚度變薄的用途中，透明基材的厚度較佳為20μm以上50μm以下。

透明基材的總透光率較高為佳，例如，總透光率較佳為30%以上，更佳為60%以上。藉由將透明基材的總透光率設定在上述範圍，例如在使用於觸控面板用途的情況下，可充分地確保顯示器的目視辨認性。

另，可藉由JIS K 7361-1所規定的方法對透明基材的總透 光率進行評價。

接下來對金屬層進行說明。

對金屬層的構成材料並無特別限定，可選擇具有與其用途相符的導電率的材料，例如，較佳為Cu和從Ni、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Mn、Co、W中所選擇的至少1種以上的金屬的銅合金，或者含銅之材料。又，金屬層亦可為由銅構成的銅層。

在透明基材上形成金屬層的方法並無特別限定，然而，為了不降低透光率，較佳不在透明基材和金屬層之間配置接著劑。即，金屬層較佳直接形成在透明基材的上面。

為了在透明基材的上面直接形成金屬層，金屬層較佳具有金屬薄膜層。又，金屬層亦可具有金屬薄膜層和金屬鍍層。

例如，在透明基材上，可藉由乾式鍍法形成金屬薄膜層，並將該金屬薄膜層作為金屬層。藉此，可在透明基材上不透過接著劑而直接形成金屬層。另，作為乾式鍍法，可較佳使用例如蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等。尤其由於可容易地對膜厚進行控制，故更佳使用濺鍍法。

又，在使金屬層的膜厚變厚的情況下，亦可藉由將金屬薄膜層作為供電層以作為濕式鍍法其中一種的電鍍法來形成金屬鍍層，藉此製成具有金屬薄膜層和金屬鍍層之金屬層。藉由使金屬層具有金屬薄膜層和金屬鍍層，此情形時亦可在透明基材上不透過接著劑而直接形成金屬層。

藉由濕式鍍法形成金屬鍍層時的條件，即例如藉由電鍍法形成金屬鍍層時的條件，並無特別限定，可採用基於通常方法的各種條件。例如，可將形成了金屬薄膜層的基材供給至內置有金屬鍍液的鍍槽，藉由 控制電流密度或基材的運送速度，來形成金屬鍍層。

另，在金屬層具有金屬薄膜層和金屬鍍層的情況下，金屬薄膜層和金屬鍍層的材料可不同，然而，較佳由相同材料構成。

又，在本實施形態的導電性基板中，後述的黑色鍍層和金屬層對於蝕刻液的反應性較佳為不同。金屬層較佳例如對於一般所用的氯化銅液的反應性高，即可輕易藉由氯化銅液進行蝕刻。因此，本實施形態的導電性基板的金屬層更佳例如含有由銅構成的層。具體而言，本實施形態的導電性基板的金屬層較佳含有例如銅薄膜層。又，本實施形態的導電性基板的金屬層亦可含有鍍銅層。

對金屬層的厚度並無特別限定，在將金屬層作為配線來使用的情況下，可根據供給至該配線的電流大小或配線寬度等進行任意選擇。

然而，若金屬層變厚，則在進行用於形成配線圖案的蝕刻時，由於蝕刻需花費時間，故有時容易產生側蝕，而發生難以形成細線等的問題。因此，金屬層的厚度較佳為5μm以下，更佳為3μm以下。

又，尤其從降低導電性基板的電阻值以可充分地供給電流的觀點來看，例如，金屬層的厚度較佳為50nm以上，更佳為60nm以上，再更佳為150nm。

另，在金屬層如上所述具有金屬薄膜層和金屬鍍層的情況下，金屬薄膜層的厚度和金屬鍍層的厚度的合計較佳在上述範圍。

在金屬層由金屬薄膜層構成的情況下，或由金屬薄膜層和金屬鍍層構成的情況下，對金屬薄膜層的厚度都無特別限定，例如較佳為50nm以上500nm以下。

金屬層如後所述，例如可藉由將其圖案化為想要的配線圖案，以作為配線使用。另，由於金屬層可較以往被作為透明導電膜使用的ITO降低電阻值，故藉由設置金屬層，可降低導電性基板的電阻值。

另，在透明基材和金屬層之間亦可設置密接層。

如上所述，金屬層可形成在透明基材上，然而，在將金屬層直接形成在透明基材上的情況下，透明基材和金屬層的密接性有時會不足。因此，在透明基材的上面直接形成了金屬層的情況下，在製造過程中或使用時，有時金屬層會從透明基材剝離。

故在本實施形態的導電性基板的製造方法中，為了提高透明基材和金屬層之密接性，亦可在透明基材和金屬層之間配置密接層。

藉由在透明基材和金屬層之間配置密接層，可提高透明基材和金屬層的密接性，抑制金屬層從透明基材剝離。

又，還可使密接層作為黑化層發揮功能。此時，從金屬層的下面側即透明基材側入射的光所引起的金屬層的光反射亦可被抑制。

對構成密接層的材料並無特別限定，可根據透明基材和金屬層的密接力或所要求的對金屬層表面的光反射的抑制程度及對於導電性基板使用環境(例如濕度、溫度)的穩定性程度等進行任意選擇。

密接層較佳例如含有從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少1種以上的金屬。又，密接層可進一步含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素。

另，密接層可含有金屬合金，該金屬合金含有從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少2種以上的 金屬。在此情況下，密接層亦可進一步含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素。此時，作為含有從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少2種以上的金屬的金屬合金，可較佳使用例如Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Ti合金、Ni-W合金、Ni-Cr合金、Ni-Cu-Cr合金。

另，在使密接層作為黑化層發揮功能的情況下，密接層較佳例如含有Ni-Cu合金。此時密接層亦可進一步含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素。

又，如後所述，在形成黑色鍍層之後，會除去從黑色鍍層露出的金屬層，然而，在形成了密接層的情況下，此時對密接層亦較佳與金屬層同樣地進行圖案化。即，較佳對密接層中的沒有被黑色鍍層覆蓋的部分進行除去。在此情況下，由於以黑色鍍層為掩膜來對金屬層和密接層進行蝕刻，故作為密接層的材料，較佳為與黑色鍍層不同的材料，更佳為對蝕刻液的反應性比黑色鍍層還高的材料。

對密接層的成膜方法並無特別限定，然而，較佳採用乾式鍍法進行成膜。作為乾式鍍法，例如可較佳使用蒸鍍法、濺鍍法、離子鍍法等。在採用乾式法使密接層成膜的情況下，由於可容易地控制膜厚，故更佳使用濺鍍法。另，在密接層如上所述亦可添加從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素，此情況下，可更佳使用反應性濺鍍法。

在密接層含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素的情況下，可藉由先在密接層成膜時的環境氣體中添加含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素的氣體，而添加至密接層中。例如，當在密接 層添加碳的情況下，可事先在實施乾式鍍時的環境氣體中添加一氧化碳氣體和/或二氧化碳氣體；在添加氧的情況下，可事先添加氧氣；在添加氫的情況下，可事先添加氫氣和/或水；在添加氮的情況下，可事先添加氮氣。

含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素的氣體，較佳添加至非活性氣體，製成乾式鍍敷時的環境氣體。作為非活性氣體，並無特別限定，例如可較佳使用氬氣。

藉由使密接層如上所述採用乾式鍍法成膜，可提高透明基材和密接層的密接性。又，密接層例如由於可含有金屬作為主成分，故與金屬層的密接性亦高。因此，藉由在透明基材和金屬層之間配置密接層，可對金屬層的剝離進行抑制。

密接層的厚度並無特別限定，然而，例如較佳為3nm以上50nm以下，更佳為3nm以上35nm以下，再更佳為3nm以上33nm以下。

在使密接層亦作為黑化層發揮功能的情況下，即，在抑制金屬層的光反射的情況下，較佳使密接層的厚度如上所述為3nm以上。

密接層厚度的上限值並無特別限定，然而，如果超過所需厚度，則成膜所需的時間或形成配線時的蝕刻所需的時間會變長，而招致成本上昇。因此，密接層的厚度如上所述較佳為50nm以下，更佳為35nm以下，再更佳為33nm以下。

又，在阻絕層形成步驟中，可在具有至此為止所說明的透明基材和該透明基材上所形成的金屬層之基材上形成阻絕層。

圖1A示意地表示在透明基材11上形成了金屬層12和阻絕 層13時的導電性基板的剖面圖。圖1A示出了在透明基材11的第1主平面11a上形成了金屬層12和阻絕層13的形態，然而，並不限定於該形態，例如，如後所述，亦可在透明基材11的第2主平面11b側亦形成金屬層和阻絕層。

阻絕層13只要在黑色鍍層形成步驟中可發揮抗鍍敷層(plating resist)的功能即可，對阻絕層13的材質等並無特別限定。作為阻絕層13，例如可較佳使用膜狀DFR(dry film resist)。

對阻絕層13的厚度亦並特別限定，可根據形成的黑色鍍層的厚度等進行任意選擇。阻絕層13較佳為例如厚度為10μm以上15μm以下。

將阻絕層13形成在金屬層12上的方法並無特別限定，可根據構成阻絕層13之材料的種類等進行任意選擇。例如，如上所述，在由膜狀DFR形成阻絕層的情況下，若考慮到膜的收縮率，則可加熱至85℃~105℃後再藉由層壓轉印在金屬層上。

阻絕層形成步驟中所形成的阻絕層13可具有與所要形成的配線圖案形狀相對應的開口部。

具體而言，例如，如圖1B示意地表示，藉由在圖1A所示的阻絕層13形成開口部14，可形成具備開口部14的阻絕層131。

具備該開口部14的阻絕層131的形成方法並無特別限定，然而，例如可藉以下步驟來形成。

首先，如上所述，在金屬層12的形成阻絕層13的面，即金屬層12的整個上面形成阻絕層13。

接下來，在阻絕層13上載置形成了用於形成開口部14的圖案的掩膜，並進行曝光和顯影。藉此，可形成具備有與配線圖案形狀相對應的開口部14的阻絕層131。

曝光、顯影時的條件並無特別限定，可根據構成所使用的阻絕層的材料或阻絕層的厚度等進行任意選擇。例如，就曝光而言，可根據阻絕層的厚度，將積算照射量設定為50mJ/cm²以上80mJ/cm²以下來實施。又，就顯影而言，例如可使用碳酸鈉水溶液來實施，此時所使用的碳酸鈉水溶液的濃度亦無特別限定，例如，可為5~7wt%。

(黑色鍍層形成步驟)

接下來對黑色鍍層形成步驟進行說明。

在黑色鍍層形成步驟中，在具有與阻絕層形成步驟中所形成的配線圖案形狀相對應的開口部之阻絕層的開口部14，形成黑色鍍層。例如，如圖1C示意地表示，可在具備圖1B所形成的開口部14的阻絕層131的開口部14內形成黑色鍍層15。

黑色鍍層15例如可較佳藉由採用金屬層12作為電極的電鍍法形成。

構成黑色鍍層15之材料並無特別限定，只要為可抑制金屬層12表面的光反射的材料即可。

黑色鍍層較佳含有例如從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少1種以上的金屬。又，黑色鍍層亦可進一步含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素。

另，黑色鍍層亦可含有金屬合金，該金屬合金含有從Ni、 Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少2種以上的金屬。此時，黑色鍍層亦可進一步含有從碳、氧、氫、氮中選擇的1種以上的元素。

此時，作為含有從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn中選擇的至少2種以上的金屬的金屬合金，例如可較佳使用Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Ti合金、Ni-W合金、Ni-Cr合金、Ni-Cu-Cr合金。

在本實施形態的導電性基板的製造方法中，可利用金屬層和黑色鍍層與蝕刻液的反應性的不同，使用黑色鍍層的圖案來對金屬層進行圖案化。故金屬層和黑色鍍層對於蝕刻液的反應性較佳為不同。又，如上所述，在透明基材和金屬層之間形成密接層的情況下，密接層和黑色鍍層對於蝕刻液的應性亦較佳為不同。

另，根據本發明的發明人等的研究，在以錫類黑色鍍液或鉻類黑色鍍液形成了黑色鍍層的情況下，該黑色鍍層與例如含有銅等的金屬層相比，對於一般所用的作為蝕刻液的氯化銅液的反應性較低。因此，黑色鍍層較佳含有從Sn(錫)、Cr(鉻)中選擇的1種以上。尤其Sn(錫)的含有率宜為15wt%以上和/或Cr(鉻)的含有率宜為10wt%以上。

另，在如上述先前的導電性基板的製造方法般在金屬層上形成黑化層之後再對金屬層和黑化層進行蝕刻而形成配線圖案的情況下，金屬層和黑化層較佳對於鍍液具有相同程度的反應性。然而，含有錫或鉻的黑化層如上所述，與適用於金屬層的銅等相比，對於氯化銅液的反應性較差，故難以製成具有想要之配線圖案的導電性基板。相對於此，在本實施 形態的導電性基板的製造方法中，由於可不對黑色鍍層實施蝕刻，故即使在黑色鍍層含有錫或鉻的情況下，亦可製成具有想要之配線圖案的導電性基板。因此，當黑化層(黑色鍍層)含有錫或鉻的情況時，與先前的導電性基板的製造方法相比，尤其可發揮能形成較佳配線圖案的效果。

尤佳為黑色鍍層含有鉻。其原因在於，藉由含有鉻的鉻類黑色鍍液(鉻類鍍液)所形成的黑色鍍層對降低金屬層表面的反射率尤其有效。

對鍍液的組成並無特別限定，然而，形成黑色鍍層時所使用的鍍液除了構成黑色鍍層之成分以外，例如還可含有醋酸和醋酸鋇。

對形成黑色鍍層時的條件並無特別限定，可根據所使用的鍍液或黑色鍍層的膜厚、基材的運送速度等進行任意選擇。例如，黑色鍍層可在鍍液溫度為30℃以上45℃以下，且供給至金屬層的電壓為4V以上10V以下的條件下採用電鍍法來形成。

(阻絕層除去步驟)

接下來對阻絕層除去步驟進行說明。

在阻絕層除去步驟中，例如可對圖1C所示的具有開口部的阻絕層131進行除去。

除去阻絕層之方法並無特別限定，可根據阻絕層的種類採用任意方法進行除去。例如，在使用DFR作為阻絕層的情況下，可藉由經加熱的有機胺類剝離液進行剝離。此時，對有機胺類剝離液的溫度並無特別限定，然而例如較佳為加熱至40℃以上45℃以下。

(金屬層除去步驟)

接下來對金屬層除去步驟進行說明。

藉由實施上述的阻絕層除去步驟，金屬層上面的一部分被黑色鍍層15覆蓋，金屬層12上面的其他部分則變為從黑色鍍層15露出的狀態。故在金屬層除去步驟中，可將從黑色鍍層15露出的金屬層12除去。藉此，如圖1D所示，可製成在透明基材11上積層有與黑色鍍層15形狀相對應的經圖案化的金屬層121和黑色鍍層15之導電性基板。

在金屬層除去步驟中，藉由使用蝕刻液進行蝕刻，可除去金屬層。作為此時所用的蝕刻液，並無特別限定，可進行任意選擇，然而，較佳為相對於蝕刻液之反應性，黑色鍍層15較低而金屬層12較高的蝕刻液。另，反應性低，意味著難以溶化，而反應性高，則意味著容易溶化。

作為蝕刻液，例如可較佳使用二氯化銅溶液。對二氯化銅溶液的具體組成並無特別限定，然而，例如可較佳使用含有二氯化銅20wt%以上35wt%以下，且氯1wt%以上7wt%以下的溶液。

在金屬層除去步驟中，對除去金屬層時的蝕刻條件例如蝕刻液溫度或浸漬於蝕刻液的時間等並無特別限定，可根據金屬層的材料或金屬層的厚度、蝕刻液的種類等選擇任意的條件。例如，在使用二氯化銅溶液作為蝕刻液的情況下，二氯化銅溶液可為接近常溫的20℃以上25℃以下。又，可將透明基材上形成了金屬層和黑色鍍層的材料浸漬在二氯化銅溶液例如10秒以上20秒以下。

另，如上所述，在透明基材和金屬層之間形成了密接層的情況下，在金屬層除去步驟中，密接層亦較佳與金屬層同樣地進行圖案化。即，就密接層而言，較佳在金屬層除去步驟中，除去未被黑色鍍層覆蓋的 部分。

如上所述，在對密接層進行圖案化的情況下，亦可藉由蝕刻金屬層時所使用的蝕刻液，與金屬層一起進行除去。又，實施金屬層的蝕刻後，亦可使用不同的蝕刻液對密接層進行蝕刻。在進行密接層的蝕刻時，可藉由蝕刻，除去密接層中未被黑色鍍層及金屬層覆蓋的部分。即，可以黑色鍍層及金屬層為掩膜對密接層進行蝕刻。

至此為止，使用圖1A~圖1D進行了說明，又，圖1A~圖1D中，表示僅在透明基材的第1主平面11a上形成了經圖案化的金屬層121及黑色鍍層15之例。然而，並不限定於該形態，在第2主平面11b上同樣地亦可形成經圖案化的金屬層和黑色鍍層。另，在此情況下亦可在透明基材和金屬層之間設置密接層。

即使是在第2主平面11b上形成經圖案化的金屬層及黑色鍍層的情況，由於亦可與上述情況同樣方式形成，故這裡省略其說明。

藉由本實施形態的導電性基板的製造方法所獲得的導電性基板的光反射程度並無特別限定。例如，波長為400nm以上800nm以下的光的反射率(正反射率)較佳未達30%，更佳未達20%，尤佳未達10%。在波長為400nm以上800nm以下的光的反射率未達30%的情況下，例如，即使是作為觸控面板用導電性基板使用時，亦幾乎不會引起顯示器目視辨認性降低，故較佳。

反射率的測量可以向黑色鍍層照光之方式進行測量。

具體而言，例如，如圖1D般在透明基材11的第1主平面11a側依序積層有經圖案化的金屬層121和黑色鍍層15的情況下，可以對 黑色鍍層15照光之方式對黑色鍍層15的表面15a從上方側照光，進行測量。測量時，可將波長為400nm以上800nm以下的光例如以波長1nm的間隔如上所述地對導電性基板的黑色鍍層15進行照射，並可將所測得之值的平均值作為該導電性基板的反射率。

另，在將作為黑化層發揮功能的密接層形成在透明基材11和經圖案化的金屬層121之間的情況下，以對密接層照光之方式從透明基材的第2主平面11b側以同樣條件對密接層照光，亦可對設置有密接層之側的面的反射率進行測量。

在藉由本實施形態的導電性基板的製造方法所獲得的導電性基板中，較佳為在黑色鍍層表面所測得的光反射率位於上述範圍。又，在形成了作為黑化層發揮功能的密接層的情況下，更佳為密接層表面和黑色鍍層表面的光反射率都滿足上述範圍。

又，在藉由本實施形態的導電性基板的製造方法所獲得的導電性基板中，如上所述，由於設置了經圖案化的金屬層121，故可減小導電性基板的表面電阻。表面電阻較佳未達0.2Ω/□，更佳未達0.15Ω/□。對表面電阻的測量方法並無特別限定，例如可採用4探針法來進行測量，較佳使探針接觸於導電性基板的表面例如黑色鍍層的表面，進行測量。

接下來，對藉由本實施形態的導電性基板的製造方法所獲得的導電性基板的構成例進行說明。

如上所述，藉由本實施形態的導電性基板的製造方法所製造的導電性基板可為下述構成：具備透明基材、金屬層及黑色鍍層，在透明基材上依序積層有金屬層、黑色鍍層。又，根據需要，在透明基材和金屬 層之間亦可設置密接層。

又，藉由本實施形態的導電性基板的製造方法所獲得的導電性基板可為配線基板，其中，金屬層和黑色鍍層被進行了圖案化，並且根據需要密接層亦可被進行了圖案化。在此情況下，如圖1D所示，經圖案化的金屬層121和黑色鍍層15可具有大致相同的圖案。即，與透明基材11的主平面平行的面的剖面形狀可為大致相同的形狀。

又，在設置了密接層的情況下，密接層在與透明基材的主平面平行的面的剖面形狀亦可與經圖案化的金屬層121及黑色鍍層15為大致相同的形狀。

在藉由本實施形態的導電性基板的製造方法所獲得的導電性基板中，就經圖案化的金屬層和黑化層，及設置了密接層的情況下的密接層而言，各層的圖案寬度(配線寬度)或形狀都無特別限定，可根據用途進行任意選擇。

惟，如上所述，藉由本實施形態的導電性基板的製造方法，可形成含有配線寬度微細的細線的配線圖案，該配線圖案在以往是難以形成的，即在透明基材上形成了金屬層及黑化層之後，在黑化層上形成阻絕層並進行蝕刻，難以形成此種配線圖案。因此，在藉由本實施形態的導電性基板的製造方法所獲得的導電性基板中，較佳含有配線寬度微細的細線。具體而言，藉由本實施形態的導電性基板的製造方法所獲得的導電性基板較佳例如含有配線寬度為3μm以上10μm以下的配線，更佳含有3μm以上5μm以下的配線。另，本實施形態的導電性基板的製造方法並不限定於含有微細細線的導電性基板，還可應用於製造各種配線寬度的導電性 基板的情況。

又，例如在使用於觸控面板用途的情況下，藉由本實施形態的導電性基板的製造方法所獲得的導電性基板或積層該導電性基板而獲得的積層導電性基板較佳具備有網目狀配線。

這裡，以積層2片導電性基板形成具備有網目狀配線的積層導電性基板的情況為例，使用圖2A和圖2B對積層前的導電性基板上所形成的金屬層及黑色鍍層的圖案形狀的構成例進行說明。

圖2A係對構成具備有網目狀配線的積層導電性基板的2片導電性基板其中一片導電性基板，從上面側即與透明基材21的主平面21a(21b)垂直的方向觀察導電性基板20的圖。又，圖2B表示圖2A的A-A’線的剖面圖。

如圖2A、圖2B所示，在導電性基板20中，透明基材21上的經圖案化的金屬層22及黑色鍍層23在與透明基材21的主平面21a(21b)平行的面的剖面形狀具有大致相同的形狀。例如，黑色鍍層23具有圖2A中所示的直線狀的複數個圖案(黑色鍍層圖案23A~23G)，該複數個直線狀圖案與圖中Y軸平行，並且可沿圖中X軸方向互相隔離配置。此時，如圖2A所示，在透明基材21具有四角形狀的情況下，例如，能以與透明基材21的一邊平行的方式配置黑色鍍層的圖案(黑色鍍層圖案23A~23G)。

另，經圖案化的金屬層22亦具有與黑色鍍層23同樣的圖案，即，具有直線狀的複數個圖案(金屬層圖案)，該複數個圖案互相平行地隔離配置。因此，在圖案間露出透明基材21的第1主平面21a。

另，在本實施形態的導電性基板的製造方法的阻絕層形成步 驟中，藉由使形成在阻絕層的開口部的形狀與圖2A所示的具有直線狀圖案的黑色鍍層23為同樣的形狀，可製造圖2A、圖2B所示的導電性基板。

另，亦可藉由積層2片上述透明基材21上形成了經圖案化的金屬層22及黑色鍍層23的導電性基板20，形成積層導電性基板。

使用圖3A、圖3B對積層導電性基板進行說明。

圖3A表示對積層導電性基板30從上面側，即沿2片導電性基板的積層方向的上面側進行觀察的圖，圖3B表示圖3A的B-B’線的剖面圖。

積層導電性基板30如圖3B所示，係藉由將導電性基板301和導電性基板302積層而得者。另，導電性基板301、302皆在透明基材311(312)的第1主平面311a(312a)上積層了經圖案化的金屬層321(322)及黑色鍍層331(332)。導電性基板301、302的經圖案化的金屬層321(322)及黑色鍍層331(332)，都被圖案化成與上述導電性基板20同樣地具有直線狀的複數個圖案。

又，積層成其中一片導電性基板301的透明基材311的第1主平面311a與另一片導電性基板302的透明基材312的第2主平面312b相對向。

另，亦可使其中一片導電性基板301的上下倒置，積層成其中一片導電性基板301的透明基材311的第2主平面311b與另一片導電性基板302的透明基材312的第2主平面312b相對向。此情況與後述的圖4為相同的配置。

將2片導電性基板積層時，如圖3A、圖3B所示，可積層成 其中一片導電性基板301的經圖案化的金屬層321與另一片導電性基板302的經圖案化的金屬層322交叉。具體而言，例如，在圖3A中，其中一片導電性基板301的經圖案化的金屬層321可配置為其圖案的長度方向與圖中X軸方向平行。又，另一片導電性基板302的經圖案化的金屬層322可配置為其圖案的長度方向與圖中Y軸方向平行。

另，圖3A係如上所述沿積層導電性基板30的積層方向進行觀察的圖，故顯示出配置在各導電性基板301、302最上部的黑色鍍層331、332。由於經圖案化的金屬層321、322亦與黑色鍍層331、332為相同的圖案，故經圖案化的金屬層321、322亦與黑色鍍層331、332同樣地為網目狀。

對積層的2片導電性基板的接著方法並無特別限定，例如，可使用接著劑等進行接著、固定。

如上所述，藉由將一片導電性基板301和另一片導電性基板302積層，如圖3A所示，可形成具備網目狀配線的積層導電性基板30。

以此方式，在製造積層導電性基板的情況下，可具有將藉由上述本實施形態的導電性基板的製造方法所獲得的導電性基板積層的積層步驟。在積層步驟中，如上所述，藉由將複數片導電性基板積層和固定，可獲得積層導電性基板。

至此為止，雖使用藉由將2片導電性基板積層來形成具有網目狀配線的積層導電性基板之例進行了說明，然而，形成具有網目狀配線的(積層)導電性基板的方法並不限定於該形態。

例如，藉由在透明基材的第1主平面及第2主平面分別積層 具有規定圖案的金屬層及黑化層，可獲得網目狀的導電性基板。以下進行具體說明。

在圖1A~圖1D中，示出了僅在透明基材11其中一個主平面形成了金屬層和黑化層的導電性基板的例子，然而，藉由本實施形態的導電性基板的製造方法所獲得的導電性基板並不限定於該形態。例如，如圖4所示，亦可製成在透明基材41的第1主平面41a及第2主平面41b積層有經圖案化的金屬層42A、42B及黑色鍍層43A、43B的導電性基板40。

在此情況下，藉由以形成在第1主平面41a的經圖案化的金屬層42A與形成在第2主平面41b的經圖案化的金屬層42B交叉的方式來進行圖案化，可獲得具備網目狀配線的導電性基板。

具體而言，形成下述構成：在透明基材41的第1主平面41a側，積層被圖案化為與Y軸方向即垂直於紙面的方向平行的複數個直線狀的金屬層42A及黑色鍍層43A。又，形成下述構成：在透明基材41的第2主平面41b側，積層被圖案化為與圖4中X軸方向即圖中左右方向平行的複數個直線狀的金屬層42B及黑色鍍層43B。

另，經圖案化的金屬層42A、42B及黑色鍍層43A、43B可由上述方法形成。

具體而言，首先，準備在透明基材41的第1主平面41a及第2主平面41b的整面形成有金屬層的基材。

之後，在上述基材的金屬層上，分別形成上述具有與被經圖案化的金屬層42A、42B相對應的形狀的開口部之阻絕層(阻絕層形成步驟)。此時，第1主平面41a側的阻絕層可具有例如與Y軸方向即垂直於紙 面的方向平行的複數個直線狀的開口部。又，第2主平面41b側的阻絕層可具有例如與X軸方向即圖中左右方向平行的複數個直線狀的開口部。

接下來，在各阻絕層的開口部形成黑色鍍層43A、43B(黑色鍍層形成步驟)。

接下來，對分別形成在第1主平面41a側和第2主平面41b側的阻絕層進行除去(阻絕層除去步驟)。

接下來，藉由除去阻絕層，來實施對從黑色鍍層43A、43B露出的金屬層進行除去的金屬層除去步驟(金屬層除去步驟)。藉此，可形成經圖案化的金屬層42A、42B。

至此為止，在圖3A、圖3B、圖4中，雖顯示組合直線狀配線以形成網目狀配線(配線圖案)的例子，然而，並不限定於該形態，構成配線圖案的配線亦可為任意形狀。例如，為了不在與顯示器的影像之間產生亂真紋(干涉條紋)，亦可將構成網目狀配線圖案的配線形狀分別設計成呈鋸齒狀折曲的線(Z字形直線)等各種形狀。圖4所示的導電性基板的情況亦同樣。

另，在圖3A、圖3B、圖4中，示出了在透明基材上形成了經圖案化的金屬層及黑色鍍層的例子，然而，如上所述，亦可在透明基材和金屬層之間設置密接層。

在以上所說明的本實施形態的導電性基板的製造方法中，在金屬層形成阻絕層，在形成在該阻絕層的開口部內形成黑色鍍層。又，可使用黑色鍍層進行金屬層的蝕刻。

由於黑色鍍層形成在阻絕層的開口部內，故亦可使其圖案寬 度變細。又，藉由以黑色鍍層為掩膜進行蝕刻，可形成含有配線寬度微細的細線的配線圖案。因此，根據本實施形態的導電性基板的製造方法，可形成含有配線寬度微細的細線的配線圖案。

又，根據藉由本實施形態的導電性基板的製造方法所獲得的導電性基板或使用該導電性基板的積層導電性基板，經圖案化的金屬層的表面配置有黑色鍍層。因此，可抑制經圖案化的金屬層表面的光反射。又，由於配置了金屬層，故可使導電性基板、積層導電性基板的電阻值變小。

以上藉由實施形態等對導電性基板的製造方法進行了說明，然而，本發明並不限定於上述實施形態等。在記載於申請專利範圍的本發明要旨的範圍內，可進行各種各樣的變形和變更。

本申請主張基於2014年10月30日向日本專利廳申請的“特願2014-221381號”的優先權，並將“特願2014-221381號”的全部內容引用於本申請。

20‧‧‧導電性基板

21‧‧‧透明基板

23(23A~23G)‧‧‧黑色鍍層

Claims (3)

1. 一種導電性基板的製造方法，依序實施下述步驟：阻絕層(resist layer)形成步驟，在具有透明基材及在該透明基材的至少一個面上所形成的金屬層之基材的該金屬層上，形成具備有與所形成的配線圖案相對應的開口部之阻絕層；黑色鍍層形成步驟，在該阻絕層的該開口部內形成黑色鍍層；阻絕層除去步驟，除去該阻絕層；及金屬層除去步驟，除去從該黑色鍍層露出的該金屬層。
2. 如申請專利範圍第1項之導電性基板的製造方法，其中，該金屬層含有鍍銅層。
3. 如申請專利範圍第1項或第2項之導電性基板的製造方法，其中，該黑色鍍層含有鉻。