TWI706299B - 導電性基板、導電性基板之製造方法 - Google Patents

Abstract

提供一種導電性基板，具有：透明基材；金屬層，形成在該透明基材的至少一個面上；保護層，形成在該金屬層上，並含有包含硫原子及/或氮原子的有機化合物；及黑化層，形成在該保護層上。

Description

導電性基板、導電性基板之製造方法

本發明涉及一種導電性基板、導電性基板之製造方法。

靜電容式觸控面板藉由對接近面板表面的物體所引起的靜電容的變化進行檢測以將面板表面上的接近物體的位置信息變換為電信號。靜電容式觸控面板所使用的導電性基板由於設置在顯示器的表面，故要求導電性基板的導電層材料的反射率較低並難以被視認。

故，作為靜電容式觸控面板所使用的導電層的材料，使用了反射率較低並難以被視認的材料，又，透明基板或透明薄膜上還形成有配線。例如，專利文獻1公開了一種觸控面板用透明導電性薄膜，其中在高分子薄膜上作為透明導電膜形成了ITO(氧化銦錫)膜。

近年，具有觸控面板的顯示器正趨於大畫面化，與此相應地，也要求觸控面板用透明導電性薄膜等導電性基板進行大面積化。然，由於ITO的電阻值較高，會引起信號劣化，故存在著不適於大型面板的問題。

為此，例如進行了如專利文獻2、3所述的作為導電層將ITO膜置換為銅等金屬箔的研討。然，例如在作為導電層使用了由銅等金屬箔構成的金屬層的情況下，由於銅具有金屬光澤，故存在著反射會導致顯示器的視認性下降的問題。

故，還對一種如下所述的導電性基板進行了研討，即，其中不僅形成了由銅等金屬箔構成的金屬層，而且在金屬層上表面還形成了由可抑制金屬層表面之光反射之材料構成的黑化層。

【先前技術文獻】

【專利文獻】

【專利文獻1】日本特開2003-151358號公報

【專利文獻2】日本特開2011-018194號公報

【專利文獻3】日本特開2013-069261號公報

然，在金屬層上表面形成了黑化層的情況下，金屬層和黑化層之間的密接性並不充分，故存在著當對金屬層或黑化層進行圖案化時，黑化層會發生剝離的問題。

鑑於上述先前技術的問題，於本發明的一態樣，以提供一種可抑制黑化層剝離的導電性基板為目的。

為了解決上述課題，於本發明的一態樣，提供一種導電性基板，具有：透明基材；金屬層，形成在該透明基材的至少一個面上；保護層，形成在該金屬層上，並含有包含硫原子及/或氮原子的有機化合物；及 黑化層，形成在該保護層上。

根據本發明的一態樣，可提供一種抑制黑化層剝離的導電性基板。

10A、10B‧‧‧導電性基板

11‧‧‧透明基材

1、12、12A、12B‧‧‧金屬層

13、13A、13B‧‧‧保護層

2、14、14A、14B‧‧‧黑化層

圖1A係先前導電性基板中的黑化層剝離機制的說明模式圖。

圖1B係先前導電性基板中的黑化層剝離機制的說明模式圖。

圖2A係本發明實施方式的導電性基板的結構說明圖。

圖2B係本發明實施方式的導電性基板的結構說明圖。

以下對本發明的導電性基板及導電性基板之製造方法的一實施方式進行說明。

(導電性基板)

本實施方式的導電性基板可具有：透明基材；形成在透明基材的至少一個面上的金屬層；形成在金屬層上，並含有包含硫原子及/或氮原子的有機化合物的保護層；及形成在保護層上的黑化層。

再者，本實施方式的導電性基板包含在對金屬層等進行圖案化前之在透明基材表面具有金屬層、保護層及黑化層的基板、以及對金屬層等進行了圖案化後的基板、即、配線基板。就對金屬層、保護層及黑化層進行了圖案化後的導電性基板而言，由於其包括透明基材未被金屬層等覆蓋的區域，故可使光穿透，為透明導電性基板。

這裡首先對導電性基板所包括的各部件在以下進行說明。

作為透明基材並無特別限定，可優選使用能使可視光穿透的樹脂基板(樹脂薄膜)或玻璃基板等。

作為能使可視光穿透的樹脂基板的材料，例如優選可使用聚醯胺系樹脂、聚對苯二甲酸乙二酯系樹脂、聚萘二甲酸乙二醇酯系樹脂、環烯烴系樹脂、聚醯亞胺系樹脂、及聚碳酸酯系樹脂等樹脂。特別地，作為能使可視光穿透的基板材料，較佳可使用PET(聚對苯二甲酸乙二酯)、COP(環烯烴聚合物)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚醯亞胺、及聚碳酸酯等。

對透明基材的厚度並無特別限定，可根據作為導電性基板使用時所要求的強度、靜電容或光的穿透率等進行任意選擇。作為透明基材的厚度例如可為10μm以上且200μm以下。尤其在使用於觸控面板的用途的情況下，透明基材的厚度優選為20μm以上且120μm以下，較佳為20μm以上且100μm以下。在使用於觸控面板的用途的情況下，例如尤其係在需要使顯示器整體厚度變薄的用途中，透明基材的厚度優選為20μm以上且50μm以下。

透明基材的全光線穿透率優選為較高，例如全光線穿透率優選為30%以上，較佳為60%以上。藉由使透明基材的全光線穿透率位於上述範圍，例如在使用於觸控面板的用途的情況下可充分確保顯示器的視認性。

再者，透明基材的全光線穿透率可藉由JIS K 7361-1所規定的方法進行評價。

透明基材可具有第1主平面和第2主平面。再者，這裡所言的主平面是指透明基材所包括之面中之面積最大的平面部。又，第1主平面和第2主平面係指在1個透明基材中對向配置的面。第2主平面也可指在1個透明基材中位於第1主平面相反側的面。

接下來對金屬層進行說明。

對構成金屬層的材料並無特別限定，可選擇具有適於其用途的導電率的材料，例如構成金屬層的材料優選為Cu與從Ni、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Mn、Co及W中所選擇的至少1種以上之金屬的銅合金或含有銅的材料。又，金屬層也可為由銅構成的銅層。

對在透明基材上形成金屬層的方法並無特別限定，然，為了不降低光的穿透率，在透明基材和金屬層之間優選不配置接著劑。即，金屬層優選為直接形成在透明基材的至少一個面上。再者，在如後所述於透明基材和金屬層之間配置密接層的情況下，優選為直接形成在密接層上表面。

為了在透明基材的上表面直接形成金屬層，金屬層優選具有金屬薄膜層。又，金屬層也可具有金屬薄膜層和金屬鍍層。

例如可在透明基材上採用乾式鍍法形成金屬薄膜層以將該金屬薄膜層作為金屬層。藉此在透明基材上可不經由接著劑而直接形成金屬層。再者，作為乾式鍍法，盡管將在後面對其進行詳述，然，例如可優選採用濺鍍法、蒸著法或離子鍍法等。

又，在要使金屬層的膜厚變厚的情況下，藉由將金屬薄膜層作為供電層並採用作為濕式鍍法的一種的電鍍法形成金屬鍍層，還可形成 具有金屬薄膜層和金屬鍍層的金屬層。藉由使金屬層具有金屬薄膜層和金屬鍍層，在此情況下也可在透明基材上不經由接著劑而直接形成金屬層。

對金屬層的厚度並無特別限定，在將金屬層作為配線使用的情況下，可根據供給至該配線的電流的大小或配線寬度等進行任意選擇。

然，若金屬層過厚，則在進行用於形成配線圖案的蝕刻時，蝕刻所要的時間較長，容易發生側蝕，存在著會出現難以形成細線等的問題的情況。為此，金屬層的厚度優選為5μm以下，較佳為3μm以下。

又，尤其從降低導電性基板的電阻值，以可充分供給電流的觀點來看，金屬層的厚度例如優選為50nm以上，較佳為60nm以上，最好為150nm以上。

再者，在金屬層如上所述具有金屬薄膜層和金屬鍍層的情況下，金屬薄膜層的厚度和金屬鍍層的厚度的合計優選為位於上述範圍。

在金屬層由金屬薄膜層構成的情況、或由金屬薄膜層和金屬鍍層構成的情況下，都對金屬薄膜層的厚度沒有特別的限定，例如優選為50nm以上且500nm以下。

金屬層如後所述，例如可藉由圖案化為預期的配線圖案作為配線使用。又，由於可使金屬層的電阻值低於作為先前透明導電膜而使用的ITO的電阻值，故藉由設置金屬層可使導電性基板的電阻值變小。

又，在本實施方式的導電性基板中，藉由配置後述的保護層，在進行圖案化時，可防止黑化層從金屬層剝離。尤其為了進一步經由保護層提高金屬層和黑化層之間的密接性，並進一步防止黑化層的剝離，金屬層之與保護層相對之面的表面粗糙度Ra優選為0.03μm以上且0.08μ m以下。

再者，這裡的表面粗糙度Ra規定於JIS B 0601，作為其測定方法，例如可採用觸針法或光學方法等進行評價。

對將金屬層的與保護層相對的面的表面粗糙度Ra設為上述範圍的方法並無特別限定，可選擇任意的方法。例如可採用藉有成膜條件形成粗糙面的金屬層的方法、或、對平滑金屬層進行成膜後再採用噴砂或微細粗化蝕刻等對金屬層的與保護層相對的面實施粗化處理的方法等，將該表面粗糙度Ra設為預期的表面粗糙度Ra。

接下來對保護層進行說明。

保護層可形成在金屬層上，並可含有包含硫原子及/或氮原子的有機化合物。

本發明的發明人等對先前導電性基板中的對金屬層或黑化層進行圖案化時的黑化層剝離的原因進行了研討。

根據本發明的發明人的研討可知，首先，如圖1A所示，在金屬層1上形成了黑化層2的先前導電性基板中，黑化層2包括了微細孔3。又，在為了進行圖案化而向黑化層2的表面供給蝕刻液時，如圖1B所示，存在著蝕刻液會從黑化層2所含的微細孔3浸透至金屬層1的表面並會使金屬層1的表面發生溶解進而在金屬層1和黑化層2之間形成間隙4的情況。為此金屬層1和黑化層2的接觸面積變小，金屬層1和黑化層2之間的密接性顯著下降，進而出現黑化層2從金屬層1剝離的情況。

相對於此，在本實施方式的導電性基板中，藉由在金屬層和黑化層之間配置保護層，而經由保護層可使金屬層和黑化層之間的密接性 高於圖1A和圖1B所示之先前導電性基板的密接性。為此可抑制黑化層從金屬層剝離。

作為保護層的材料並無特別限定，只要是蝕刻時可抑制黑化層從金屬層剝離的材料，對其並無特別限定，均可使用。作為保護層的材料，例如可優選使用含有硫原子及/或氮原子的有機化合物。保護層優選含有包含硫原子及/或氮原子的有機化合物，由含有該硫原子及/或氮原子的有機化合物構成者更為優選。

作為含有硫原子及/或氮原子的有機化合物並無特別限定，例如可優選使用苯并三唑(benzotriazole)系化合物、巰苯并噻唑(mercaptobenzothiazole)系化合物、咪唑系(imidazole)化合物、胺(amine)類等。

作為苯并三唑系化合物，例如可優選使用1,2,3-苯并三唑(化學式1)、1-〔N,N-雙(2-乙基己基)胺甲基〕苯并三唑(化學式2)、羧基苯并三唑(化學式3)、1-〔N,N-雙(2-乙基己基)胺甲基〕甲基苯并三唑(化學式4)、2,2’-〔〔(甲基1H-苯并三唑-1-基)甲基〕亞胺基〕雙乙醇(化學式5)、1,2,3-苯并三唑鈉鹽水溶液(化學式6)、甲苯基三唑(tolyltriazole，5-甲基1H-苯并三唑)、或甲苯基三唑鈉鹽等。

又，作為咪唑系化合物，例如可優選使用烷基咪唑、苯并咪唑或烯丙基苯基咪唑等。

特別地，作為含有硫原子及/或氮原子的有機化合物，較佳可使用苯并三唑系化合物。即，保護層更佳的係含有苯并三唑系化合物。

接下來對黑化層進行說明。

黑化層可形成在保護層的上表面。

對黑化層的材料並無特別限定，只要是可抑制金屬層表面之光反射的材料，就可優選使用之。

黑化層例如優選含有從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中選擇的至少1種以上的金屬。又，黑化層還可包括從碳、氧、氫及氮中選擇的1種以上的元素。

再者，黑化層可含有包含從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中選擇之至少2種以上的金屬的金屬合金。在此情況下黑化層也還可含有從碳、氧、氫及氮中選擇的1種以上的元素。此時，作為含有從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中選擇之至少2種以上的金屬的金屬合金，可優選使用Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Ti合金、Ni-W合 金、Ni-Cr合金或Ni-Cu-Cr合金。

對黑化層之形成方法並無特別限定，可採用任意方法形成之，例如採用乾式法或濕式法進行成膜。

在採用乾式法形成黑化層的情況，其具體方法並無特別限定，例如可優選使用濺鍍法、離子鍍法或蒸著法等乾式鍍法。在採用乾式法形成黑化層的情況下，從容易控制膜厚的觀點來看，優選使用濺鍍法。再者，黑化層如上所述可在其中添加從碳、氧、氫及氮中選擇的1種以上的元素，在此情況下還可優選使用反應性濺鍍法。

在採用反應性濺鍍法形成黑化層的情況下，作為靶材可使用包括構成黑化層之金屬種類的靶材。在黑化層包括合金的情況下，可按照黑化層所含的每種金屬種類分別使用靶，以在基材等被成膜體的表面形成合金，還可使用預先對黑化層所含的金屬進行了合金化的靶材。

又，在黑化層中包括從碳、氧、氫及氮中選擇的1種以上的元素的情況下，可藉由預先將其添加至形成黑化層時之氣氛中的方式添加至黑化層中。例如，在向黑化層添加碳的情況下，可預先將一氧化碳氣體及/或二氧化碳氣體添加至進行濺鍍時的氣氛中，在向黑化層添加氧的情況下，可預先將氧氣添加至進行濺鍍時的氣氛中，在向黑化層添加氫的情況下，可預先將氫氣及/或水添加至進行濺鍍時的氣氛中，而在向黑化層添加氮的情況下，可預先將氮氣添加至進行濺鍍時的氣氛中。藉由將這些氣體添加至形成黑化層時的非活性氣體中，可將從碳、氧、氫及氮中選擇的1種以上的元素添加至黑化層中。再者，作為非活性氣體可優選使用氬氣。

在採用濕式法形成黑化層的情況下，可使用基於黑化層材料的鍍液並採用例如電氣鍍法形成。

黑化層之厚度並無特別限定，例如優選為15nm以上，較佳為25nm以上。其原因在於，在黑化層厚度較薄的情況下，存在著無法充分抑制金屬層表面的光反射的情況，而如上所述藉由將黑化層厚度設為15nm以上，可更好地抑制金屬層表面的光反射，為優選。

黑化層之厚度的上限值並無特別限定，但如果過厚，則形成所需的時間或形成配線時蝕刻所需的時間會變長，進而導致成本上昇。為此，黑化層厚度優選為70nm以下，較佳為50nm以下。

在本實施方式的導電性基板中，藉由配置黑化層，如上所述可對金屬層表面的光反射進行抑制。為此，例如在使用於觸控面板等的用途的情況下，可防止顯示器的視認性的降低。

又，導電性基板除了上述透明基材、金屬層、保護層及黑化層之外還可設置任意的層。例如可設置密接層。

對密接層的構成例進行說明。

如上所述金屬層可形成在透明基材上，然，在將金屬層直接形成在透明基材上的情況下，存在著透明基材和金屬層的密接性不充分的情況。為此，在透明基材的上表面直接形成金屬層的情況下，存在著在製造過程中或使用時金屬層會從透明基材剝離的情況。

故，在本實施方式的導電性基板中，為了提高透明基材和金屬層的密接性，可在透明基材上配置密接層。

藉由在透明基材和金屬層之間配置密接層，由於提高了透明 基材和金屬層的密接性，故可防止金屬層從透明基材剝離。

又，還可使密接層發揮黑化層的功能。為此，來自金屬層的下表面側、即、也可抑制透明基材側的光所引起的金屬層的光反射。

對構成密接層的材料並無特別限定，可根據與透明基材和金屬層的密接力或所要求的對金屬層表面的光反射的抑制程度以及相對於導電性基板的使用環境(例如濕度或溫度)的穩定性程度等進行任意選擇。

密接層例如優選包括從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中選擇的至少1種以上的金屬。又，密接層還可包括從碳、氧、氫及氮中選擇的1種以上的元素。

再者，密接層也可含有包含從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中選擇的至少2種以上的金屬的金屬合金。在此情況下密接層還可含有從碳、氧、氫及氮中選擇的1種以上的元素。此時，作為含有從Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn及Mn中選擇的至少2種以上的金屬的金屬合金，可優選使用Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Ti合金、Ni-W合金、Ni-Cr合金或Ni-Cu-Cr合金。

密接層的形成方法並無特別限定，優選採用乾式鍍法形成。作為乾式鍍法例如可優選使用濺鍍法、離子鍍法或蒸著法等。在對密接層採用乾式法形成的情況下，從可容易地對膜厚進行控制的觀點來看，較佳使用濺鍍法。再者，密接層如上所述也可添加從碳、氧、氫及氮中選擇的1種以上的元素，在此情況下更優選使用反應性濺鍍法。

在密接層包括從碳、氧、氫及氮中選擇的1種以上的元素的 情況下，藉由在形成密接層時的氣氛中添加含有從碳、氧、氫及氮中選擇的1種以上的元素的氣體，可將其添加至密接層中。例如，在向密接層添加碳的情況下，可預先將一氧化碳氣體及/或二氧化碳氣體添加至進行乾式鍍時的氣氛中，在向密接層添加氧的情況下，可預先將氧氣添加至進行乾式鍍時的氣氛中，在向密接層添加氫的情況下，可預先將氫氣及/或水添加至進行乾式鍍時的氣氛中，而在向密接層添加氮的情況下，可預先將氮氣添加在進行乾式鍍時的氣氛中。

含有從碳、氧、氫及氮中選擇的1種以上的元素的氣體優選添加至非活性氣體以作為乾式鍍時的氣氛。作為非活性氣體對其並無特別限定，例如可優選使用氬氣。

如上所述藉由採用乾式鍍法形成密接層，可提高透明基材和密接層的密接性。又，密接層由於可含有金屬作為其主成分，故與金屬層的密接性也較高。為此，藉由在透明基材和金屬層之間配置密接層，可抑制金屬層的剝離。

密接層的厚度並無特別限定，例如優選為3nm以上且50nm以下，較佳為3nm以上且35nm以下，最好為3nm以上且33nm以下。

在也使密接層發揮黑化層的功能的情況下，即，在抑制金屬層的光反射的情況下，密接層厚度如上所述優選為3nm以上。

對密接層厚度的上限值並無特別限定，然，如果過厚，則形成所需的時間或形成配線時蝕刻所需的時間會變長，導致成本上昇。為此，密接層的厚度如上所述優選為50nm以下，較佳為35nm以下，最好為33nm以下。

接下來對導電性基板的構成例進行說明。

如上所述，本實施方式的導電性基板具有透明基材、金屬層、保護層及黑化層，在透明基材上可依次進行金屬層、保護層及黑化層的積層。

以下用圖2A和圖2B對具體構成例進行說明。圖2A和圖2B表示了本實施方式的導電性基板的與透明基材、金屬層及黑化層的積層方向平行的面的斷面圖的實例。

例如，如圖2A所示的導電性基板10A那樣，可在透明基材11的第1主平面11a側依次分別積層一層的金屬層12、保護層13及黑化層14。又，如圖2B所示的導電性基板10B那樣，也可在透明基材11的第1主平面11a側和第2主平面11b側依次分別積層一層的金屬層12A、12B、保護層13A、13B及黑化層14A、14B。

在本實施方式的導電性基板中，如上所述，在金屬層12(12A、12B)的上表面經由保護層13(13A、13B)配置了黑化層14(14A、14B)。因此可抑制來自金屬層12(12A、12B)上表面側的光反射。又，由於配置了保護層13(13A、13B)，還可抑制黑化層14(14A、14B)剝離。

又，如上所述，例如也可在透明基材11和金屬層12之間設置圖中未示的密接層。需要說明的是，在圖2B所示的導電性基板10B的情況下，還可在透明基材11和金屬層12A之間及/或在透明基材11和金屬層12B之間設置密接層。藉由設置密接層，可提高透明基材11和金屬層12(12A、12B)的密接性，尤其可抑制金屬層12(12A、12B)從透明基材11發生剝離。又，藉由設置密接層，也可對沒有設置金屬層12(12A、12B) 的黑化層的面的光反射進行抑制。

本實施方式的導電性基板例如可用於觸控面板等的各種用途。又，在用於各種用途的情況下，本實施方式的導電性基板所含的金屬層、保護層及黑化層優選被進行了圖案化。金屬層、保護層及黑化層例如可按照預期的配線圖案進行圖案化，又，金屬層、保護層及黑化層優選被圖案化為相同形狀。

再者，在設置了密接層的情況下，對金屬層、保護層及黑化層進行圖案化時，也可按照預期的配線圖案對密接層進行圖案化。為此在設置了密接層的情況下，優選將密接層、金屬層、保護層及黑化層圖案化為相同形狀。

如上所述，可將金屬層等圖案化為預期形狀，此時對所形成的圖案並無特別限定，可為任意形狀。例如優選可藉由使導電性基板具有網狀配線的方式形成圖案。在此情況下，還可對用於構成配線的金屬層進行圖案化，以使其構成預期的網狀配線，又，保護層和黑化層等也可圖案化為同樣的形狀。

對構成具有網狀配線的導電性基板的方法並無特別限定。

例如，在使用圖2A所示的導電性基板形成網狀配線的情況下，可藉由積層2個導電性基板以構成積層導電性基板的方式來形成網狀配線。在此情況下，例如可首先針對各導電性基板沿一個方向以互相隔離的方式形成直線狀或鋸齒狀等複數個線狀配線圖案。之後，藉由使一個導電性基板上所形成的配線圖案和另一個導電性基板上所形成的配線圖案在從2個導電性基板的積層方向的上表面側進行觀察的情況下交叉積層，可 構成網狀配線圖案。再者，積層了的導電性基板例如可採用接著劑等進行固定。

又，例如在圖2B中，藉由將第1主平面11a側所形成的金屬層12A和第2主平面11b側所形成的金屬層12B分別圖案化為所定的形狀，也可形成網狀配線。在此情況下，也可按照金屬層12A、12B的形狀預先對保護層13A、13B和黑化層14A、14B進行圖案化，較佳為視情況預先對密接層進行圖案化。

對金屬層等的圖案化方法並無特別限定，例如，可在黑化層14(14A、14B)的上表面配置了具有與所要形成的圖案相對應的形狀的掩膜(mask)後，再藉由實施蝕刻處理進行圖案化。

對所使用的蝕刻液並無特別限定，可根據構成所要進行蝕刻的層的材料進行任意選擇。例如，可針對各層變更蝕刻液，又，也可使用相同蝕刻液同時對金屬層和黑化層進行蝕刻，亦可視情況進而對密接層進行蝕刻。

對本實施方式的導電性基板的光反射程度並無特別限定，例如波長為400nm以上且700nm以下的光的正反射率(反射率)優選為35%以下，較佳為30%以下。在波長為400nm以上且700nm以下的光反射率為35%以下的情況下，例如在即使作為觸控面板用導電性基板而使用的情況下，也基本上不會引起顯示器的視認性的降低。

反射率的測定可藉由向黑化層14(14A、14B)照射光的方式進行測定。

具體而言，例如如圖2A所示，在透明基材11的第1主平 面11a側依次積層了金屬層12、保護層13及黑化層14的情況下，可從黑化層14的表面14a側照射光，以使光照射至黑化層14，並進行測定。測定時，可將波長為400nm以上且700nm以下的光例如採用波長為1nm的間隔如上所述針對導電性基板的黑化層14的表面14a進行照射，以進行正反射率的測定，並將測定值的平均值作為該導電性基板的正反射率。

又，就本實施方式的導電性基板的黑化層14(14A、14B)的表面而言，L＊a＊b＊表色系中的明度(L＊)的數值優選為較小。其原因在於，明度(L＊)的數值越小，黑化層14(14A、14B)、保護層13(13A、13B)及金屬層12(12A、12B)越不醒目。黑化層14(14A、14B)的表面的明度(L＊)優選為70以下。

又，在本實施方式的導電性基板中，如上所述設置了金屬層12(12A、12B)，故可使導電性基板的表面電阻較小。表面電阻優選為小於0.2Ω/□，較佳為小於0.10Ω/□。對表面電阻的測定方法並無特別限定，例如，可採用4探針法進行測定，優選為使探針接觸至導電性基板的表面例如黑化層表面而進行測定。

(導電性基板之製造方法)

接下來對本實施方式的導電性基板之製造方法的一構成例進行說明。

本實施方式的導電性基板之製造方法可具有以下步驟。

在透明基材的至少一個面上形成金屬層的金屬層形成步驟。

在金屬層上形成包括含有硫原子及/或氮原子的有機化合物的保護層的保護層形成步驟。

在保護層上形成黑化層的黑化層形成步驟。

以下對本實施方式的導電性基板之製造方法進行具體說明。

再者，可藉由本實施方式的導電性基板之製造方法較佳地製作上述導電性基板。為此，除了以下所說明的部分之外，可具有與上述導電性基板的情況時同樣的構成，故，省略其說明。

可預先準備一供金屬層形成步驟所使用的透明基材。對所用的透明基材的種類並無特別限定，如上所述，可優選使用能使可視光穿透的樹脂基板(樹脂薄膜)或玻璃基板等。還可根據需要預先將透明基材截斷為任意尺寸。

又，金屬層如上所述優選具有金屬薄膜層。又，金屬層還可具有金屬薄膜層和金屬鍍層。為此，金屬層形成步驟可具有例如採用乾式鍍法形成金屬薄膜層的步驟。又，金屬層形成步驟還可具有採用乾式鍍法形成金屬薄膜層的步驟、以及、將該金屬薄膜層作為供電層並採用作為濕式鍍法的一種的電氣鍍法形成金屬鍍層的步驟。

作為金屬薄膜層形成步驟中所使用的乾式鍍法並無特別限定，例如可使用蒸著法、濺鍍法或離子鍍法等。再者，作為蒸著法可優選使用真空蒸著法。作為金屬薄膜層形成步驟中所使用的乾式鍍法，尤其從可容易地對膜厚進行控制的觀點來看，較佳使用濺鍍法。

接下來對金屬鍍層形成步驟進行說明。對採用濕式鍍法形成金屬鍍層的步驟中的條件、即、電鍍處理條件並無特別限定，可採用常規方法的各種條件。例如，藉由將形成了金屬薄膜層的基材供給至放入了金屬鍍液的鍍槽，並對電流密度或基材搬送速度進行控制，可形成金屬鍍層。

接下來對保護層形成步驟進行說明。

在保護層形成步驟中可在金屬層上形成保護層。

如上所述，在對金屬層或黑化層等進行圖案化時，保護層可抑制黑化層從金屬層剝離。

對保護層的形成方法並無特別限定，例如可藉由將包括用於構成保護層的材料的溶液塗敷在金屬層上並進行乾燥處理來形成該保護層。

作為在金屬層上塗敷包括用於構成保護層的材料的溶液的方法並無特別限定，可採用任意方法進行塗敷。例如，可採用噴射(spray)或浸漬處理在金屬層上塗敷包括用於構成保護層的材料的溶液。

作為保護層的材料並無特別限定，只要是蝕刻時可抑制黑化層從金屬層剝離的材料，則並無特別限定，均可使用。作為保護層的材料，可優選使用例如含有硫原子及/或氮原子的有機化合物。保護層優選包括含有硫原子及/或氮原子的有機化合物，又，由含有該硫原子及/或氮原子的有機化合物所構成者更為優選。

作為含有硫原子及/或氮原子的有機化合物並無特別限定，例如可優選使用苯并三唑系化合物、巰苯并噻唑系化合物、咪唑系化合物、胺類等。特別地，作為含有硫原子及/或氮原子的有機化合物，較佳可使用苯并三唑系化合物。即，保護層優選含有苯并三唑系化合物。由於保護層所能優選使用的苯并三唑系化合物等已在上面進行了敘述，故這裡省略其說明。

接下來對黑化層形成步驟進行說明。

在黑化層形成步驟中對形成黑化層之方法並無特別限定，可 採用任意方法形成。

在黑化層形成步驟中形成黑化層時，例如可優選使用濺鍍法、離子鍍法或蒸著法等乾式鍍法。尤其從可容易地控制膜厚的觀點來看，更優選使用濺鍍法。

又，如上所述黑化層還可藉由電鍍法等濕式法形成。

在本實施方式的導電性基板之製造方法中，除了上述步驟之外，也可實施其他任意的步驟。

例如在透明基材和金屬層之間形成密接層的情況下，還可實施在透明基材之形成有金屬層之面上形成密接層的密接層形成步驟。在實施密接層形成步驟的情況下，金屬層形成步驟可在密接層形成步驟之後實施，此時，金屬層形成步驟中所說明的形成金屬薄膜層的基材係指本步驟中在透明基材上形成了密接層的基材。

密接層例如在圖2A中可形成在作為透明基材11的一個主平面的第1主平面11a上。又，在圖2B所示的導電性基板10B的情況下，也可在透明基材11的第1主平面11a及/或第2主平面11b上形成密接層。在透明基材11的第1主平面11a和第2主平面11b兩者形成密接層的情況下，也可在兩個主平面上同時形成密接層。又，也可在任意一個主平面上形成密接層之後再在另一個主平面上形成密接層。

構成密接層的材料並無特別限定，可根據與透明基材和金屬層的密接力或金屬層表面的光反射抑制程度，又，相對於導電性基板使用環境(例如濕度或溫度)的穩定性程度等進行任意選擇。作為構成密接層的優選可使用的材料，由於已經在上面進行了敘述，故這裡省略其說明。

密接層的成膜方法並無特別限定，例如如上所述，可採用乾式鍍法形成。作為乾式鍍法例如可優選使用濺鍍法、離子鍍法或蒸著法等。在對密接層採用乾式法形成的情況下，從可容易對膜厚進行控制的觀點來看，更優選使用濺鍍法。再者，也可在密接層中如上所述添加從碳、氧、氫及氮中選擇的1種以上的元素，此時還可優選使用反應性濺鍍法。

再者，在密接層含有從碳、氧、氫及氮中選擇的1種以上的元素的情況下，可藉由向密接層形成時的氣氛中添加含有從碳、氧、氫及氮中選擇的1種以上的元素的氣體，將其添加至密接層中。例如，在密接層中添加碳的情況下，可預先將一氧化碳氣體及/或二氧化碳氣體添加至進行乾式鍍時的氣氛中，在密接層中添加氧的情況下，可預先將氧氣添加至進行乾式鍍時的氣氛中，在密接層中添加氫的情況下，可預先將氫氣及/或水添加至進行乾式鍍時的氣氛中，而在密接層中添加氮的情況下，可預先將氮氣添加至進行乾式鍍時的氣氛中。

含有從碳、氧、氫及氮中選擇的1種以上的元素的氣體優選添加至非活性氣體以作為乾式鍍時的氣氛。作為非活性氣體對其並無特別限定，例如可優選使用氬氣。

在採用反應性濺鍍法形成密接層的情況下，作為靶材，可使用包括用於構成密接層的金屬的靶材。在密接層包括合金的情況下，可按密接層所含的金屬種類分別使用靶材以在透明基材等被成膜體的表面形成合金，也可使用預先對密接層所含的金屬進行了合金化的靶材。

藉由對密接層如上所述採用乾式鍍法形成，可提高透明基材和密接層的密接性。又，由於密接層例如可包括金屬作為其主成分，故也 可提高與金屬層之間的密接性。為此，藉由在透明基材和金屬層之間配置密接層，可抑制金屬層的剝離。

對密接層的厚度並無特別限定，例如優選為3nm以上且50nm以下，較佳為3nm以上且35nm以下，最好為3nm以上且33nm以下。

又，為了使金屬層的形成保護層的面(金屬層的與保護層相對的面)具有所定的表面粗糙度Ra，還可對金屬層表面實施金屬層表面加工步驟。

具體而言，例如在實施金屬層形成步驟之後並在實施保護層形成步驟之前，可實施金屬層表面加工步驟以使金屬層的形成保護層的面的表面粗糙度Ra為0.03μm以上且0.08μm以下。

將金屬層的形成保護層的面的表面粗糙度Ra設為上述範圍的方法並無特別限定，可採用任意的方法。例如可優選採用藉由成膜條件形成粗糙面的金屬層的方法、或、對平滑金屬層進行成膜後再對金屬層的與保護層相對的面採用噴砂或微粗化蝕刻等實施粗化處理的方法。

再者，在圖2B所示的於透明基材11的第1主平面11a和第2主平面11b形成了金屬層12A、12B的情況下，也可僅針對金屬層12A和金屬層12B中的任意一個將其形成保護層的面的表面加工為上述表面粗糙度Ra。又，還可針對兩個金屬層12A、12B將其形成保護層13A、13B的面的表面都設為上述表面粗糙度Ra。

藉由本實施方式的導電性基板之製造方法所獲得的導電性基板例如可應用於觸控面板等各種用途。又，在應用於各種用途的情況下，優選對本實施方式的導電性基板所含的金屬層、保護層及黑化層進行了圖 案化。再者，在設置密接層的情況下，優選也對密接層進行了圖案化。可對金屬層、保護層及黑化層有時也可對密接層例如按照預期的配線圖案進行圖案化，又，還可將金屬層、保護層及黑化層有時也可將密接層圖案化為相同的形狀。

為此，本實施方式的導電性基板之製造方法可具有對金屬層、保護層及黑化層進行圖案化的圖案化步驟。再者，在形成了密接層的情況下，圖案化步驟可為對密接層、金屬層、保護層及黑化層進行圖案化的步驟。

對圖案化步驟的具體順序並無特別限定，可按照任意順序實施。例如，在圖2A所示的於透明基材11上積層有金屬層12、保護層13及黑化層14的導電性基板10A的情況下，首先可實施在黑化層14上配置具有預期圖案的掩膜(mask)的掩膜配置步驟。接下來，可實施向黑化層14的上表面、即、配置了掩膜的面的那側提供蝕刻液的蝕刻步驟。

對蝕刻步驟中所使用蝕刻液並無特別限定，可根據構成要進行蝕刻的層的材料進行任意選擇。例如，可針對各層分別使用不同的蝕刻液，又，也可採用相同的蝕刻液對金屬層、保護層及黑化層甚至密接層同時進行蝕刻。

又，針對圖2B所示的在透明基材11的第1主平面11a和第2主平面11b上進行了金屬層12A、12B、保護層13A、13B及黑化層14A、14B的積層的導電性基板10B也可實施用於進行圖案化的圖案化步驟。在此情況下，例如可首先實施在黑化層14A、14B上配置具有預期圖案的掩膜的掩膜配置步驟。接下來，可實施向黑化層14A、14B的上表面、即、配置了 掩膜的那側提供蝕刻液的蝕刻步驟。

對蝕刻步驟所形成的圖案並無特別限定，可為任意形狀。例如在圖2A所示的導電性基板10A的情況下，如上所述，金屬層12、保護層13及黑化層14可被形成為包括複數個直線或彎曲成鋸齒狀的線(之字形直線)的圖案。

又，在圖2B所示的導電性基板10B的情況下，藉由金屬層12A和金屬層12B還可形成網狀配線的圖案。在此情況下，保護層13A和黑化層14A優選被圖案化為與金屬層12A同樣的形狀，保護層13B和黑化層14B優選被圖案化為與金屬層12B同樣的形狀。

又，例如在圖案化步驟中針對上述導電性基板10A而對金屬層12等進行了圖案化之後，還可實施對圖案化了的2個以上的導電性基板進行積層的積層步驟。積層時，例如也可藉由將各導電性基板的金屬層的圖案進行交叉積層的方式，獲得具有網狀配線的積層導電性基板。

對積層有2個以上的導電性基板的固定方法並無特別限定，例如可藉由接著劑等進行固定。

根據上述本實施方式的導電性基板之製造方法，由於在金屬層和黑化層之間設置了保護層，故，例如在圖案化步驟中，金屬層和黑化層圖案化時可抑制黑化層的剝離。

進而，就藉由本實施方式的導電性基板之製造方法所獲得的導電性基板而言，由於具有金屬層，故與於配線層使用有ITO的先前導電性基板相比，可降低電阻。又，由於配置了黑化層，故可對金屬層表面的光反射進行抑制，例如在作為觸控面板用導電性基板而使用的情況下，可 抑制顯示器的視認性的降低。

【實施例】

以下參照具體實施例和比較例進行說明，然，本發明並不限定於該些實施例。

(評價方法)

首先，對所獲得的導電性基板的評價方法進行說明。

(表面電阻)

使用低電阻率計(Daia Instruments股份有限公司製，型號：LORESTA-EP MCP-T360)對下述實施例和比較例中所製作的導電性基板的表面電阻進行了測定。測定採用4探針法，在導電性基板製成後，採用使探針接觸黑化層的方式進行了測定。

(正反射率)

藉由在紫外可視分光光度計(島津製作所股份有限公司製，型式：UV-2600)上設置反射率測定單元的方式進行了測定。

針對下述實施例和比較例中所製作的導電性基板的黑化層表面，以入射角為5°、受光角為5°且波長間隔為1nm的方式，進行波長為400nm以上且700nm以下的光的照射，以測得正反射率，並將其平均值作為該導電性基板的正反射率。

(明度)

針對下述實施例和比較例中所製作的導電性基板的黑化層表面，採用紫外可視分光光度計(島津製作所股份有限公司製，型式：UV-2600)以波長間隔為1nm的方式進行波長為400nm以上且700nm以下的光的照射， 據此進行了明度的測定。

(表面粗糙度Ra)

在金屬層形成步驟之後，針對金屬層中的形成了保護層的面進行了表面粗糙度Ra的測定。再者，在實施了金屬層表面加工步驟的情況下，在進行了金屬層表面加工步驟之後，再進行表面粗糙度Ra的測定。

採用雷射顯微鏡(keyence股份有限公司製，型式：VK9500)對表面粗糙度Ra進行了測定。

(黑化層的剝離試驗)

針對所製作的導電性基板，實施了對蝕刻時黑化層是否會發生剝離進行確認的試驗。試驗時，向所製作的導電性基板的整個黑化層表面噴射蝕刻液，並在放置了10秒後進行清洗，之後對黑化層剝離的有無進行了評價。

在黑化層完全沒有從金屬層剝離的情況下，評價為◎，在黑化層的一部分發生了剝離的情況下，評價為○，而在黑化層完全從金屬層剝離了的情況下，則評價為×。

再者，蝕刻液使用了濃度為0.5mol/l的氯化銅(copper(II)chloride)水溶液。

(試料的作製條件)

作為實施例和比較例，在下述條件下製作了導電性基板，並採用上述評價方法進行了評價。

〔實施例1〕

(密接層形成步驟)

在縱500mm×橫500mm且厚度為50μm的聚對苯二甲酸乙二酯(PET) 製透明基材的一個主平面上形成密接層。再者，針對作為透明基材所使用的聚對苯二甲酸乙二酯製透明基材，根據JIS K 7361-1所規定的方法對全光線穿透率進行了評價可知，其為97%。

在密接層形成步驟中，藉由安裝了Ni-17重量%Cr合金的靶材的濺鍍裝置，形成有作為密接層的含有氧的Ni-Cr合金層。以下對密接層的形成順序進行說明。

將預先加熱至60℃以除去了水分的上述透明基材設置在濺鍍裝置的腔體內。

接下來，將腔體內排氣至1×10^-3Pa後，導入氬氣和氧氣，使腔體內的壓力變為1.3Pa。再者，此時腔體內的氣氛的體積比為30%的氧氣及剩餘的氬氣。

之後，在該氣氛下向靶材提供電力，據此，在透明基材的一個主平面上形成厚度為20nm的密接層。

(金屬層形成步驟)

在金屬層形成步驟中實施了金屬薄膜層形成步驟和金屬鍍層形成步驟。

首先，對金屬薄膜層形成步驟進行說明。

在金屬薄膜層形成步驟中，使用了於密接層形成步驟中在透明基材上成膜有密接層者作為基材，並在密接層上形成了銅薄膜層作為金屬薄膜層。

就金屬薄膜層而言，除了使用銅靶材這點以及在對放置了基材的腔體內進行排氣後向其提供氬氣而設為氬氣氣氛這點之外，與密接層 的情況時同樣地以濺鍍裝置進行成膜。

進行了作為金屬薄膜層的銅薄膜層的膜厚為150nm的成膜。

接下來，在金屬鍍層形成步驟中，作為金屬鍍層形成了銅鍍層。就銅鍍層而言，藉由電鍍法進行了銅鍍層的厚度為2.0μm的成膜。

金屬層形成步驟結束之後，即，形成了銅鍍層之後，藉由對用於形成保護層的面的表面粗糙度Ra進行了測定可確認到，其為0.04μm。

(保護層形成步驟)

在保護層形成步驟中，在透明基材上形成了密接層和金屬層之積層體的金屬層上形成保護層。

在保護層形成步驟中，首先將上述積層體在1，2，3-苯并三唑溶液中浸漬8秒。之後，將金屬層的上表面(金屬層的與密接層相對的面和相反側的面)以外部分所附著的溶液除去，並進行乾燥，據此在金屬層上形成了保護層。

(黑化層形成步驟)

在黑化層形成步驟中，在保護層形成步驟中所形成的保護層上採用濺鍍法作為黑化層形成了含有氧的Ni-Cu層。

在黑化層形成步驟中，藉由安裝了Ni-35重量%Cu合金的靶材的濺鍍裝置，作為黑化層進行了含有氧的Ni-Cu合金層的成膜。以下對黑化層的成膜順序進行說明。

首先，將在透明基材上進行了密接層、金屬層及保護層的積層的積層體安置在濺鍍裝置的腔體內。

接下來，將腔體內排氣至1×10^-3Pa之後，導入氬氣和氧氣， 使腔體內的壓力變為1.3Pa。再者，此時腔體內的氣氛的體積比為30%的氧氣及剩餘的氬氣。

之後，在該氣氛下向靶材供給電力，據此，在保護層上成膜了厚度為30nm的黑化層。

藉由上述步驟，在金屬層的上表面、即、金屬層的與密接層相對的面和相反側的面上藉由保護層形成了黑化層，據此獲得了在透明基材上依次進行了密接層、金屬層、保護層及黑化層的積層的導電性基板。

針對所獲得的導電性基板，進行了上述的表面電阻、正反射率、明度及黑化層的剝離試驗的評價。

可確認到，表面電阻為0.0500Ω/□，正反射率為20.80%，明度(L＊)為53.00。

又，藉由實施了黑化層的剝離試驗可確認到，僅觀察到極少一部分黑化層發生了剝離，即，黑化層基本上沒有發生剝離。據此，評價為○。

〔實施例2〕

在金屬層形成步驟之後並在保護層形成步驟之前，作為金屬層表面加工步驟，實施了金屬層表面的粗化處理，除了該點之外，與實施例1同樣地製作了導電性基板。

金屬層表面加工步驟於金屬層形成步驟之後實施，其藉由微粗化蝕刻對金屬層表面進行了處理。

藉由對金屬層表面加工步驟實施後的用於形成保護層的面的表面粗糙度Ra進行測定可確認到，其為0.06μm。

之後，與實施例1同樣地實施保護層形成步驟和黑化層形成步驟，據此製作了導電性基板。

藉由與實施例1同樣地對所獲得的導電性基板進行了評價可確認到，表面電阻為0.0500Ω/□，正反射率為20.80%，明度(L＊)為53.00。

又，藉由實施了黑化層的剝離試驗可確認到，沒有發生剝離。據此，評價為◎。

〔比較例1〕

除了沒有實施保護層形成步驟這點之外，與實施例1同樣地製作了導電性基板。

即，所獲得的導電性基板具有在透明基材上依次積層有密接層、金屬層及黑化層的結構。

再者，在金屬層形成步驟結束之後，即，在形成了銅鍍層之後，藉由對用於形成黑化層的面的表面粗糙度Ra進行了測定可確認到，其值與實施例1時的值相同。

又，藉由與實施例1同樣地對所獲得的導電性基板進行評價可確認到，表面電阻為0.0500Ω/□，正反射率為20.80%，明度(L＊)為53.00。

然，藉由實施了黑化層的剝離試驗可確認到，黑化層完全從金屬層發生了剝離。據此，評價為×。

以上對導電性基板和導電性基板之製造方法藉由實施方式和實施例等進行了說明，然，本發明並不限定於上述實施方式和實施例等。 在申請專利範圍所記載的本發明的要旨的範圍內還可進行各種各樣的變形和變更。

本申請主張基於2015年7月31日於日本國專利廳所申請的特願2015-152891號的優先權，並將特願2015-152891號的全部內容引用於本國際申請。

10A‧‧‧導電性基板

11‧‧‧透明基材

11a‧‧‧第1主平面

11b‧‧‧第2主平面

12‧‧‧金屬層

13‧‧‧保護層

14‧‧‧黑化層

14a‧‧‧表面

Claims (4)

1. 一種導電性基板，具有：透明基材；金屬層，形成在該透明基材的至少一個面上；保護層，形成在該金屬層上，並含有包含硫原子及/或氮原子的有機化合物；及黑化層，形成在該保護層上，且該黑化層含有可抑制該金屬層表面之光反射的材料。
2. 如申請專利範圍第1項之導電性基板，其中，該保護層含有苯并三唑系化合物。
3. 一種導電性基板之製造方法，具有：金屬層形成步驟，在透明基材的至少一個面上形成金屬層；保護層形成步驟，在該金屬層上形成保護層，該保護層含有包含硫原子及/或氮原子的有機化合物；及黑化層形成步驟，在該保護層上形成黑化層，且該黑化層含有可抑制該金屬層表面之光反射的材料。
4. 如申請專利範圍第3項之導電性基板之製造方法，其中，該保護層含有苯并三唑系化合物。

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