CN107636209B - 导电性基板 - Google Patents

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Abstract

提供一种导电性基板，其包括：透明基材；以及形成在所述透明基材的至少一个面上的铜层，其中，所述铜层的膜厚为0.5μm时的所述铜层的表面电阻值为0.07Ω/□以下。

Description

导电性基板
技术领域
本发明涉及一种导电性基板。
背景技术
电容式触摸面板通过对由接近面板表面的物体所引起的电容的变化进行检测，从而将在面板表面上接近的物体的位置信息转换成电信号。由于用于电容式触摸面板的导电性基板设置在显示器的表面上，因此对于导电性基板的导电层材料要求其反射率较低、难以视觉确认。
因此，作为用于电容式触摸面板的导电层的材料，使用反射率较低、难以视觉确认的材料，在透明基板或透明薄膜上形成配线。例如，专利文献1中公开了一种触摸面板用的透明导电性薄膜，该透明导电性薄膜在高分子薄膜上形成作为透明导电膜的ITO(氧化铟锡)膜。
近些年具有触摸面板的显示器的大画面化正在进展，与其对应地，对于触摸面板用的透明导电性薄膜等的导电性基板也在寻求大面积化。然而，ITO由于其电阻值较高且易产生劣化，因此存在不适合大型面板的问题。
因此，例如如专利文献2、3所公开，正在研究使用铜等金属箔代替ITO膜来作为导电层。
<现有技术文献>
<专利文献>
专利文献1：日本国特开2003-151358号公报
专利文献2：日本国特开2011-018194号公报
专利文献3：日本国特开2013-069261号公报
发明内容
<本发明所要解决的问题>
然而，铜等金属箔具有金属光泽。因此，当将具备作为导电层的铜等金属箔的导电性基板用于触摸面板的用途时，在导电层的表面、特别是侧面会将光反射，由于导电层的厚度使得显示器的可视性有可能会降低。并且，由于导电层的厚度取决于导电性基板所要求的表面电阻值和构成导电层的材料，因此以往难以充分地将导电层的厚度薄化。
鉴于上述现有技术的问题，本发明的一个方面的目的在于提供一种导电性基板，其在铜层的厚度较薄时也能够充分地抑制表面电阻值。
<用于解决问题的方案>
为了解决上述问题，本发明的一个方面提供一种导电性基板，其包括：透明基材；以及形成在所述透明基材的至少一个面上的铜层，其中，所述铜层的膜厚为0.5μm时的所述铜层的表面电阻值为0.07Ω/□以下。
<发明的效果>
根据本发明的一个方面，能够提供一种导电性基板，其在铜层的厚度较薄时也能够充分地抑制表面电阻值。
附图说明
图1A是本发明的实施方式的导电性基板的剖面图。
图1B是本发明的实施方式的导电性基板的剖面图。
图2A是本发明的实施方式的图案化的导电性基板的结构说明图。
图2B是图2A的A-A’线的剖面图。
图3A是本发明的实施方式的具有网状配线的层叠导电性基板的结构说明图。
图3B是图3A的B-B’线的剖面图。
图4是本发明的实施方式的具有网状配线的导电性基板的剖面图。
图5是实施例、比较例的预备试验中的铜层的厚度与表面电阻值的关系图。
具体实施方式
以下，对本发明的导电性基板的一个实施方式进行说明。
本实施方式的导电性基板可以包括：透明基材；以及形成在透明基材的至少一个面上的铜层。并且，可以将铜层的膜厚为0.5μm时的铜层的表面电阻值设为0.07Ω/□以下。
需要说明的是，本实施方式中的所谓的导电性基板包括对铜层等进行图案化之前的在透明基材表面具有铜层的基板、以及对铜层等进行了图案化的基板、也即配线基板。另外，对铜层等进行了图案化后的导电性基板由于包括透明基材未被铜层等覆盖的区域因而可透过光，成为透明导电性基板。
在此，以下首先对导电性基板中包括的部件进行说明。
作为透明基材并无特别限定，优选可使用使可见光穿透的树脂基板(树脂薄膜)或玻璃基板等。
作为使可见光穿透的树脂基板的材料，例如可优选使用聚酰胺树脂、聚对苯二甲酸乙二酯树脂、聚萘二甲酸乙二醇酯树脂、环烯烃树脂、聚亚酰胺树脂、聚碳酸酯树脂等树脂。特别地，作为使可见光穿透的树脂基板的材料，可更优选使用PET(聚对苯二甲酸乙二酯)、COP(环烯烃聚合物)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、聚酰胺、聚亚酰胺、聚碳酸酯等。
关于透明基材的厚度并无特别限定，可根据作为导电性基板时所要求的强度、电容、或光的穿透率等任意选择。作为透明基材的厚度，例如可以设为10μm以上200μm以下。特别是用于触摸面板的用途时，透明基材的厚度优选设为20μm以上120μm以下，更优选设为20μm以上100μm以下。在用于触摸面板的用途的情况下，例如特别当寻求对显示器整体的厚度进行薄化的用途时，透明基材的厚度优选为20μm以上50μm以下。
透明基材的全透光率以较高者为佳，例如全透光率优选为30％以上，更优选为60％以上。通过使透明基材的全透光率为上述范围，从而能够充分地确保例如用于触摸面板的用途时的显示器的可视性。
需要说明的是，透明基材的全透光率可利用JIS K 7361-1中规定的方法来评价。
透明基材可以具有第一主平面和第二主平面。需要说明的是，在此所说的主平面是指透明基材所包括的面之中面积最大的平面部。并且，第一主平面和第二主平面是指在一个透明基材之中相对地配置的面。换言之，第二主平面是指位于第一主平面的相反侧的面。
接着，对铜层进行说明。
铜层的膜厚为0.5μm时的铜层的表面电阻值优选为0.07Ω/□以下，更优选为0.05Ω/□以下。
如上所述当将金属箔用作导电性基板的导电层时，由于导电层具有金属光泽，因此当配置在触摸面板等显示器的显示面上时，随着不同的导电层的厚度，由于导电层表面、特别是导电层的侧面上的光的反射，显示器的可视性有可能会降低。
然而，由于导电层的厚度是根据导电性基板所要求的表面电阻值的大小等和构成导电层的材料来选择，因此当使用以往的表面电阻值较大的金属箔的导电层的情况下，难以将导电层的厚度薄化。
因此，在本实施方式的导电性基板中，通过使用膜厚为0.5μm时的表面电阻值为0.07Ω/□以下的铜层，从而能够得到在铜层的厚度较薄时也能够充分地抑制表面电阻值的导电性基板。铜层能够起到导电层的功能。
需要说明的是，在此所说的膜厚为0.5μm时的表面电阻值为0.07Ω/□以下的铜层并非将铜层的膜厚限定为0.5μm。其是指在与对导电性基板中所包括的铜层进行成膜时相同的条件下对膜厚为0.5μm的铜层进行成膜时的表面电阻值为0.07Ω/□以下。
对于在透明基材上形成铜层的方法并无特别限定，为了降低光的穿透率，优选不在透明基材与铜层之间配置黏着剂。换言之，优选铜层直接形成在透明基板的至少一个面上。需要说明的是，当如下所述在透明基材与铜层之间配置黏着层时，优选直接形成在黏着层的上表面。
对于铜层，例如可以利用干式镀着法在透明基材上形成铜薄膜层，并以该铜薄膜层为铜层。由此，能够不经由黏着剂而直接在透明基材上形成铜层。需要说明的是，作为干式镀着法后面将详细说明，例如可优选使用溅射法、蒸镀法、或离子镀着法等。
另外，当对铜层的膜厚进一步进行增厚时，也可以通过以铜薄膜层为供电层利用湿式镀着法来形成铜镀层，从而将其设为具有铜薄膜层和铜镀层的铜层。通过使铜层具有铜薄膜层和铜镀层，从而在此情况下也能够不经由黏着剂而在透明基材上直接形成铜层。
如上所述为了在透明基材的上表面上直接形成铜层，铜层可以具有铜薄膜层。另外，铜层也可以具有铜薄膜层和铜镀层。但是，从将铜层的表面电阻值特别地降低的观点来看，优选铜层具有铜薄膜层和铜镀层。
对于铜层的厚度并不特别限定，当将铜层用作配线时，可根据对该配线供给的电流大小或配线宽度等来任意选择。
但是，若铜层变厚，则有时会产生在为了形成配线图案而进行蚀刻时由于蚀刻需要时间因而容易产生侧边蚀刻、难以形成细线等的问题。因此，铜层的厚度优选为5μm以下，更优选为3μm以下。
特别是在本实施方式的导电性基板中，即使铜层的厚度较薄也能够将导电性基板的表面电阻值充分地减小。并且，通过将铜层的厚度薄化，从而抑制铜层表面、特别是侧面上的光的反射，即使将其用于配置在触摸面板等显示器的显示面等上的用途时也能够抑制显示器的可视性的降低。为此，在本实施方式的导电性基板中，铜层的厚度更优选1.0μm以下，特别优选0.5μm以下。
另外，对铜层的厚度的下限值并无特别限定，从降低导电性基板的阻抗值、可充分地供给电流的观点来看，例如铜层的厚度优选为50nm以上，更优选为60nm以上，进一步优选为150nm以上。
需要说明的是，当铜层如上所述具有铜薄膜层和铜镀层时，优选铜薄膜层的厚度和铜镀层的厚度的合计为上述范围。
不论铜层由铜薄膜层构成的情况、或是由铜薄膜层和铜镀层构成的情况，对铜薄膜层的厚度均无特别限定，例如优选为50nm以上500nm以下。
如下所述例如可以将铜层图案化成所需的配线图案而用作配线。并且，由于铜层能够比以往的用作透明导电膜的ITO进一步降低表面电阻值，因此可通过设置铜层来减小导电性基板的表面电阻值。
对于铜层的膜厚为0.5μm时的表面电阻值为0.07Ω/□以下的铜层的成膜方法并无特别限定，例如优选铜层包括用湿式法进行成膜的铜镀层，并使用单一的镀槽对铜镀层进行成膜。换言之，优选铜层包括铜镀层(湿式铜镀层)，该铜镀层为单一的镀层。
根据本发明的发明人的研究，在铜镀层刚被成膜后，在铜镀层内铜的晶体逐渐生长。并且，由于铜镀层内的铜的晶体尺寸变大，因此能够特别地降低铜层的表面电阻值。
然而，当利用湿式法来对铜镀层进行成膜时，在沿着基材的输送方向串联地排列2个以上的多个镀槽、用各个镀槽来成膜铜镀膜、进行层叠并形成铜镀层的情况下，在铜镀膜之间有时会形成有细微的结晶的层。并且认为，在对各个铜镀膜进行成膜后，即便在各个铜镀膜内进行铜晶体的生长，如果在铜镀膜之间形成有细微的结晶的层，则也会阻碍超出铜镀膜进行晶体生长。因此，当使用多个槽的镀槽来对铜镀层进行成膜时，铜晶体的生长未充分地进行。
相比之下，如上所述当使用单一的镀槽对铜镀层进行成膜时，由于铜镀层由一个层构成，并且遍布整个层来进行铜晶体的生长，因此在成膜后铜晶体的生长充分地进行，能够降低铜层的表面电阻值。因此，通过使用单一的镀槽对铜镀层进行成膜，从而能够特别地降低铜层的表面电阻值。
需要说明的是，作为对铜镀层进行成膜时的湿式法的成膜方法，可以是电镀法、无电解镀法的任意方法，优选电镀法。
另外，作为将铜层的表面电阻值设为上述预定范围的铜层的其他的成膜方法，当铜层包括利用电镀法成膜的铜镀层，对铜镀层进行成膜时，可举出使用包括二烯丙基二甲基氯化铵聚合物的添加剂作为添加剂进行成膜的方法。换言之，优选铜镀层含有来自镀液中所包含的二烯丙基二甲基氯化铵聚合物的成分。
当利用作为湿式法的一种的电镀法来对铜镀层进行成膜时，作为镀液并无特别限定，可使用各种铜镀液。但是，根据本发明的发明人的研究，通过在铜镀液中添加作为添加剂的二烯丙基二甲基氯化铵聚合物，从而能够促进在所成膜的铜镀层中包含的铜的晶体生长。并且，通过促进铜镀层内的铜的晶体生长并使铜的晶体尺寸变大，从而能够降低铜层的表面电阻值。
特别是，根据本发明的发明人的研究，更优选铜层包括利用电镀法所成膜的铜镀层，使用单一的镀槽对铜镀层进行成膜，并且使用二烯丙基二甲基氯化铵聚合物来作为铜镀液的添加剂。这是因为使用单一的镀槽对铜镀层进行成膜的效果、与使用二烯丙基二甲基氯化铵聚合物来作为铜镀液的添加剂会相乘地起作用，能够使铜镀层内的铜的晶体特别地生长。并且，通过使铜镀层内的铜的晶体生长，从而能够减小铜镀层、以及导电性基板的表面电阻值。
当将二烯丙基二甲基氯化铵聚合物来作为添加剂添加到铜镀液中时，对其添加量并无特别限定，可以任意地选择。例如可以以铜镀液中的二烯丙基二甲基氯化铵聚合物的添加量为5mg/L以上40mg/L以下的方式来进行添加。
作为二烯丙基二甲基氯化铵聚合物的分子量优选3500～4500的范围。这是因为，如果分子量小于3500则有时无法在所成膜的铜层中充分进行铜晶体生长，即使超过4500，有时也不会对铜晶体的生长产生贡献。
二烯丙基二甲基氯化铵聚合物可以是单体的聚合物，作为二烯丙基二甲基氯化铵聚合物，为了促进铜的晶体生长，特别优选使用二烯丙基二甲基氯化铵-SO2共聚物。换言之，优选铜镀层含有来自镀液中所包含的二烯丙基二甲基氯化铵-SO2共聚物的成分。
本实施方式的导电性基板可以在透明基材及铜层之外设置任意的层。例如可以设置黑化层或黏着层。以下对黑化层、黏着层进行说明。
对黑化层进行说明。
黑化层可以形成在透明基材的至少一个面上。具体来说，例如可以形成在比铜层更靠近导电性基板的外表面侧。通过设置黑化层，能够进一步抑制在铜层的设置黑化层的面上的光的反射。
对黑化层的材料并无特别限定，只要是能够抑制铜层表面上的光反射的材料即可使用。
黑化层例如优选包含选自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少一种以上的金属。另外，黑化层还可以进一步包含选自碳、氧、氢、氮的一种以上的元素。
需要说明的是，黑化层也可以包括金属合金，该金属合金包含选自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少2种以上的金属。此时，黑化层也可以进一步包含选自碳、氧、氢、氮的1种以上的元素。此时，作为包含选自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少2种以上的金属的金属合金，例如可优选使用Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Ti合金、Ni-W合金、Ni-Cr合金、Ni-Cu-Cr合金。
对于黑化层的形成方法并无特别限定，可利用任意方法来形成，例如可利用干式法或湿式法来进行成膜。
当利用干式法对黑化层进行成膜时，对于其具体方法并无特别限定，例如可优选使用溅射法、离子镀着法或蒸镀法等干式镀法。从利用干式法对黑化层进行成膜时容易控制膜厚的观点来看，更优选使用溅射法。需要说明的是，可在黑化层中添加如上所述选自碳、氧、氢、氮的1种以上的元素，此时更优选使用反应性溅射法。
当利用反应性溅射法来对黑化层进行成膜时，作为靶，可使用包含构成黑化层的金属形态(metal species)的靶。当黑化层包含合金时，可以按黑化层中所包含的每个金属形态来使用靶，在基材等被成膜体的表面形成合金，也可以使用预先对黑化层中所包含的金属进行了合金化的靶。
另外，当在黑化层中包含选自碳、氧、氢、氮的1种以上的元素时，可以通过将其预先添加在对黑化层进行成膜时的气氛中来将其添加在黑化层中。例如，当在黑化层中添加碳时可以将一氧化碳气体及/或二氧化碳气体预先添加在进行溅射时的气氛中，当在黑化层中添加氧时可以将氧气预先添加在进行溅射时的气氛中，当在黑化层中添加氢时可以将氢气及/或水预先添加在进行溅射时的气氛中，当在黑化层中添加氮时可以将氮气预先添加在进行溅射时的气氛中。可以通过在对黑化膜进行成膜时的惰性气体中添加该些气体从而在黑化层中添加选自碳、氧、氢、氮的1种以上的元素。需要说明的是，作为惰性气体可以优选使用氩气。
利用湿式法对黑化层进行成膜时，可以根据黑化层的材料来使用镀液，例如可以利用电镀法来进行成膜。
对于黑化层的厚度并无特别限定，例如优选为15nm以上，更优选为25nm以上。这是因为，当黑化层的厚度较薄时，由于有时无法充分抑制铜层表面上的光的反射，因此优选如上所述通过使黑化层的厚度为15nm以上从而可特别地抑制铜层表面上的光的反射的方式进行构成。
对于黑化层的厚度的上限值并无特别限定，即使加厚至必要以上的厚度，成膜所需的时间或形成配线时的蚀刻所需的时间也会变长，从而招致成本的上升。因此，黑化层厚度优选设为70nm以下，更优选设为50nm以下。
在本实施方式的导电性基板中，通过配置黑化层，从而能够抑制铜层表面上的光的反射。因此，例如当用于触摸面板等用途时能够特别抑制显示器的可视性的降低。
对黏着层的构成例子进行说明。
如上所述可在透明基材上形成铜层，但在透明基材上直接形成铜层时，透明基材与铜层的黏着性有时并不充分。
因此，在本实施方式的导电性基板中，为了提高透明基材与铜层的黏着性，可在透明基材上配置黏着层。
通过在透明基材与铜层之间配置黏着层，能够提高透明基材与铜层的黏着性，并能够抑制铜层从透明基材上剥离。
另外，黏着层也能够起到黑化层的作用。因此，也能够抑制来自铜层的下表面侧、也即来自透明基材侧的光所引起的在铜层的光的反射。
对于构成黏着层的材料并无特别限定，可根据透明基材与铜层的黏着力或所要求的铜层表面上的光的反射的抑制程度、以及针对导电性基板的使用环境(例如湿度或温度)的稳定性程度等来任意地选择。
黏着层优选包含例如选自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少1种以上的金属。另外，黏着层也可进一步包含选自碳、氧、氢、氮的1种以上的元素。
需要说明的是，黏着层也可以包含包括选自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少2种以上的金属的金属合金。即使在此情况下，黏着层也可以进一步包含选自碳、氧、氢、氮的1种以上的元素。此时，作为包含选自Ni、Zn、Mo、Ta、Ti、V、Cr、Fe、Co、W、Cu、Sn、Mn的至少2种以上的金属的金属合金，例如优选使用Cu-Ti-Fe合金、Cu-Ni-Fe合金、Ni-Cu合金、Ni-Zn合金、Ni-Ti合金、Ni-W合金、Ni-Cr合金、Ni-Cu-Cr合金。
对于黏着层的成膜方法不无特别限定，优选利用干式镀着法来进行成膜。作为干式镀着法，例如可优选使用溅射法、离子镀着法、或蒸镀法等。从利用干式法对黏着层进行成膜时容易控制膜厚的观点来看，更优选使用溅射法。需要说明的是，也可以在黏着层中添加如上所述选自碳、氧、氢、氮的1种以上的元素，此时可更优选使用反应性溅射法。
当黏着层包含选自碳、氧、氢、氮的1种以上的元素时，可通过在对黏着层进行成膜时的气氛中预先添加含有选自碳、氧、氢、氮的1种以上的元素的气体，从而将其添加在黏着层中。例如，当在黏着层中添加碳时可预先在进行干式镀着时的气氛中添加一氧化碳气体及/或二氧化碳气体，当在黏着层中添加氧时可预先在该气氛中添加氧气，当在黏着层中添加氢时可预先在该气氛中添加氢气及/或水，当在黏着层中添加氮时可预先在该气氛中添加氮气。
对于含有选自碳、氧、氢、氮的1种以上元素的气体，优选将其添加在惰性气体中，使其为干式镀着时的气氛气体。作为惰性气体并无特别限定，例如可优选使用氩。
通过如上所述利用干式镀着法来对黏着层进行成膜，从而能够提高透明基材与黏着层的黏着性。并且，黏着层由于例如可包含金属作为主成分因此与铜层的黏着性较高。因此，通过在透明基材与铜层之间配置黏着层，从而能够抑制铜层的剥离。
对于黏着层的厚度并不特别限定，例如优选设为3nm以上50nm以下，更优选设为3nm以上35nm以下，进一步优选设为3nm以上33nm以下。
当黏着层也起到黑化层的作用时、也即利用黏着层抑制铜层上的光的反射时，优选将黏着层的厚度如上所述设为3nm以上。
对于黏着层的厚度的上限值并无特别限定，即使加厚至必要以上的厚度，成膜所需的时间或形成配线时的蚀刻所需的时间也会变长，从而招致成本的上升。因此，黏着层的厚度优选如上所述设为50nm以下，更优选设为35nm以下，进一步优选设为33nm以下。
接着，对导电性基板的构成例子进行说明。
本实施方式的导电性基板可以具有透明基材和铜层，在透明基材的至少一个面上配置铜层。
另外，在配置上述黏着层或黑化层时，也可以在透明基材的至少一个面上依次层叠黏着层、铜层、黑化层。需要说明的是，也可以仅设置黏着层及黑化层的任意一者。
关于具体的构成例子，以下使用图1A、图1B来进行说明。图1A、图1B示出了在本实施方式的导电性基板中除了铜层以外设置黏着层、黑化层的例子，示出了与透明基材、黏着层、铜层、黑化层的层叠方向平行的面上的剖面图的例子。需要说明的是，如上所述，也可以不设置黏着层及黑化层的任意一者或两者。
例如，如图1A所示的导电性基板10A，可在透明基材11的第一主平面11a侧将黏着层12、铜层13、黑化层14逐层地依次层叠。另外，如图1B所示的导电性基板10B，也可以在透明基材11的第一主平面11a侧和第二主平面11b侧分别将黏着层12A、12B、铜层13A、13B、黑化层14A、14B逐层地依次层叠。
如图1A、图1B所示，通过在铜层13(13A、13B)的上表面配置黑化层14(14A、14B)，从而能够抑制来自铜层13(13A、13B)的上表面侧的光的反射。
另外，通过设置黏着层12(12A、12B)，从而能够提高透明基材11与铜层13(13A、13B)的黏着性，能够特别地抑制铜层13(13A、13B)从透明基材11上剥离。另外，通过设置黏着层12(12A、12B)，从而对于铜层13(13A、13B)的未设置黑化层14(14A、14B)的面也能够抑制光的反射，因此较佳。
至此对本实施方式的导电性基板进行了说明，本实施方式的导电性基板可以用作1片的导电性基板，也可以设为层叠了多片本实施方式的导电性基板的层叠导电性基板。
对于本实施方式的导电性基板以及层叠了导电性基板的层叠导电性基板，可以根据用途而对导电性基板中所包括的铜层进行图案化。另外，当设有黑化层和/或黏着层时，对该些层也可以与铜层同样地进行图案化。
特别是用于触摸面板时，导电性基板或层叠导电性基板优选具有网(mesh)状的配线。
在此，以层叠2片导电性基板并形成具有网状配线的层叠导电性基板的情形为例，使用图2A、图2B对在层叠前的导电性基板上形成的铜层、或任意设置的黏着层及黑化层的图案的形状的构成例子进行说明。需要说明的是，图案化的铜层可以起到配线的功能。
图2A是从与上表面侧、也即与透明基材11的主平面垂直的方向观察构成具有网状配线的层叠导电性基板的2片导电性基板之中的一个导电性基板的图。另外，图2B表示图2A的A-A’线上的剖面图。
如图2A、图2B所示，在导电性基板20中，透明基材11上的图案化的黏着层22、铜层23、及黑化层24的、在与透明基材11的主平面11a、11b平行的面上的剖面为相同形状。例如，图案化的黑化层24具有图2A中所示的直线形状的多个图案(黑化层图案24A～24G)，该多个直线形状的图案平行于图中的Y轴，并且可沿图中的X轴相互隔离地配置。此时，如图2A所示当透明基材11具有四角形状时，可以以与透明基材11的一边平行的方式来配置黑化层的图案(黑化层图案24A～24G)。
需要说明的是，如上所述，图案化的铜层23以及黏着层22也与图案化的黑化层24同样地被图案化，具有直线形状的多个图案(铜层图案、黏着层图案)，该多个图案可以互相平行地隔离而配置。因此，在图案之间透明基材11的第一主平面11a露出。
对于图2A、图2B所示的图案化的黏着层22、铜层23及黑化层24的图案形成方法并无特别限定。例如可以在形成黑化层后，在黑化层上配置具有与形成图案对应的形状的掩膜，利用蚀刻来形成图案。对于使用的蚀刻液并无特别限定，可根据构成要蚀刻的层的材料任意地选择。例如，也可按照各层来改变蚀刻液，还可利用相同的蚀刻液来对铜层、黑化层、黏着层同时进行蚀刻。需要说明的是，当未设置黑化层时，可以在形成铜层后，在铜层上配置掩膜，同样地进行图案化。
并且，可通过对铜层进行了图案化的2片导电性基板进行层叠来形成层叠导电性基板。需要说明的是，在除了铜层以外设置黏着层或黑化层的情况下，优选还可以对黏着层或黑化层进行图案化。对于层叠导电性基板，使用图3A、图3B进行说明。图3A表示出从上表面侧、也即从沿着2片导电性基板的层叠方向的上表面侧观察层叠导电性基板30的图，图3B表示出图3A的B-B’线上的剖面图。
层叠导电性基板30如图3B所示是对导电性基板201和导电性基板202进行层叠而得到。需要说明的是，导电性基板201、202均在透明基材111(112)的第一主平面111a(112a)上层叠被图案化的黏着层221(222)、铜层231(232)、及黑化层241(242)。导电性基板201、202的图案化的黏着层221(222)、铜层231(232)、及黑化层241(242)均与上述导电性基板20同样地以具有直线形状的多个图案的方式图案化。
并且，以一个导电性基板201的透明基材111的第一主平面111a与另一个导电性基板202的透明基材112的第二主平面112b相对的方式进行层叠。
需要说明的是，也可以将一个导电性基板201上下颠倒，以一个导电性基板201的透明基材111的第二主平面111b与另一个导电性基板202的透明基材112的第二主平面112b相对的方式进行层叠。此时，为与下述图4同样的配置。
当对2片导电性基板进行层叠时，如图3A、图3B所示，可以以一个导电性基板201的图案化的铜层231与另一个导电性基板202的图案化的铜层232交叉的方式进行层叠。具体来说，例如在图3A中，可以以一个导电性基板201的图案化的铜层231的该图案的长度方向与图中的X轴方向平行的方式来配置。并且，可以以另一个导电性基板202的图案化的铜层232的该图案的长度方向与图中的Y轴方向平行的方式来配置。
需要说明的是，由于图3A如上所述是层叠导电性基板30的沿层叠方向观察的图，因此表示出在各导电性基板201、202的最上部配置的图案化的黑化层241、242。由于图案化的铜层231、232也与图案化的黑化层241、242为相同图案，因此图案化的铜层231、232也与图案化的黑化层241、242同样地为网状。另外，对于图案化的黏着层221、222也可以设为与图案化的黑化层241、242同样的网状。
对于层叠的2片导电性基板的黏接方法并无特别限定，例如可以利用黏接剂等进行黏接、固定。
如上所述可以通过对一个导电性基板201和另一个导电性基板202进行层叠，从而如图3A所示设为具有网状配线的层叠导电性基板30。
需要说明的是，在图3A、图3B中，示出了组合直线形状的配线而形成网状的配线(配线图案)的例子，然而并不限定于该形态，构成配线图案的配线可以为任意的形状。例如也可以以与显示器的图像之间不产生叠纹(干涉环)的方式，将构成网状配线图案的配线形状分别形成为呈之字形弯曲的线(锯齿形直线)等各种形状。
在此，使用通过层叠2片导电性基板来设成具有网状配线的层叠导电性基板的例子进行了说明，但设成具有网状配线的(层叠)导电性基板的方法并不限定于该形态。例如，也可以由在图1B所示的透明基材11的第一主平面11a、第二主平面11b上形成了铜层13A、13B的导电性基板10B来形成具有网状配线的导电性基板。
此时，将在透明基材11的第一主平面11a侧层叠的黏着层12A、铜层13A及黑化层14A图案化成与图1B中的Y轴方向、也即垂直于纸面的方向平行的多个直线形状的图案。另外，将在透明基材11的第二主平面11b侧层叠的黏着层12B、铜层13B及黑化层14B图案化成与图1B中的X轴方向平行的多个直线形状的图案。图案化如上所述例如可利用蚀刻来实施。由此，如图4所示的导电性基板40一样，利用夹持透明基材11、在透明基材的第一主平面11a侧形成的图案化的铜层43A和在透明基材的第二主平面11b侧形成的图案化的铜层43B而形成具有网状配线的导电性基板。另外，在图4的导电性基板40的情况中，对于图案化的黏着层42A和图案化的黏着层42B、以及图案化的黑化层44A和图案化的黑化层44B也可以同样地设为网状的形状。
根据以上说明的(层叠)导电性基板，对于铜层，能够具有膜厚为0.5μm时的该铜层的表面电阻值为0.07Ω/□以下的特性。因此，能够以将导电性基板的表面电阻值设为预定范围内的方式在选择铜层的膜厚时将铜层的膜厚薄化。换言之，即使将铜层的膜厚薄化时也能够抑制导电性基板的表面电阻值。
另外，除了如上所述能够将铜层的膜厚薄化，还能够将铜层图案化成细线。因此，即使在进行了图案化之后，也能够抑制铜层表面、特别是铜层的侧面上的光的反射。
(导电性基板的制造方法)
接着，对本实施方式的导电性基板的制造方法的一个构成例子进行说明。
本实施方式的导电性基板的制造方法可具有以下步骤。
在透明基材的至少一个面上形成铜层的铜层形成步骤。
并且，作为在铜层形成步骤中形成的铜层，可使用膜厚为0.5μm时的该铜层的表面电阻值为0.07Ω/□以下的铜层。
以下对本实施方式的导电性基板的制造方法具体进行说明。
需要说明的是，可以利用本实施方式的导电性基板的制造方法来较佳地制造上述导电性基板。因此，由于除了以下说明的点以外，由于为与上述导电性基板的情况同样的结构因此省略说明。
可以预先准备用于铜层形成步骤的透明基材(透明基材准备步骤)。对于使用的透明基材的种类并无特别限定，如上所述可优选使用使可见光穿透的树脂基板(树脂薄膜)或玻璃基板等。也可根据需要将透明基材预先切断成任意的尺寸。
(铜层形成步骤)
并且，如上所述，铜层优选具有铜薄膜层。另外，铜层也可具有铜薄膜层和铜镀层。因此，铜层形成步骤例如可具有利用干式镀着法形成铜薄膜层的步骤。另外，铜层形成步骤也可具有利用干式镀着法形成铜薄膜层的步骤、以及在该铜薄膜层上形成铜镀层的步骤。
作为在形成铜薄膜层的步骤中使用的干式镀着法，并无特别限定，例如可使用蒸镀法、溅射法、或离子镀着法等。需要说明的是，作为蒸镀法优选使用真空蒸镀法。作为在形成铜薄膜层的步骤中使用的干式镀着法，特别是从易于控制膜厚的观点来看，优选使用溅射法。
接着对形成铜镀层的步骤进行说明。对于利用湿式镀着法形成铜镀层的步骤中的条件并无特别限定，以使表面电阻值为预定范围的方式任意地采用诸条件即可。例如，可通过向注入有铜镀液的镀槽中供给形成有铜薄膜层的基材，并对电流密度或基材的输送速度进行控制来形成铜镀层。
但是，如上所述，在形成铜镀层的步骤中，优选使用单一的镀槽利用湿式法来对铜镀层进行成膜。
另外，在形成铜镀层的步骤中，优选利用电镀法来对铜镀层进行成膜，优选使用二烯丙基二甲基氯化铵聚合物作为铜镀液的添加剂。
特别是在形成铜镀层的步骤中，更优选使用单一的镀槽利用湿式法来对铜镀层进行成膜，并且使用二烯丙基二甲基氯化铵聚合物作为铜镀液的添加剂。
需要说明的是，当将二烯丙基二甲基氯化铵聚合物来作为添加剂添加到铜镀液中时，对其添加量并无特别限定，可以任意地选择。例如可以以铜镀液中的二烯丙基二甲基氯化铵聚合物的添加量为5mg/L以上40mg/L以下的方式来进行添加。
作为二烯丙基二甲基氯化铵聚合物的分子量优选3500～4500的范围。这是因为，如果分子量小于3500则有时无法在所成膜的铜层中充分进行铜晶体生长，即使超过4500，有时也不会对铜晶体的生长产生贡献。
二烯丙基二甲基氯化铵聚合物可以是单体的聚合物，作为二烯丙基二甲基氯化铵聚合物，为了促进铜的晶体生长，特别优选使用二烯丙基二甲基氯化铵-SO2共聚物。
如上所述，本实施方式的导电性基板还可以具有黑化层和/或黏着层。因此，也可以进一步具有黑化层形成步骤和/或黏着层形成步骤。
(黑化层形成步骤)
接着，对黑化层形成步骤进行说明。
在黑化层形成步骤中，对于形成黑化层的方法并无特别限定，可利用任意方法来形成。
在黑化层形成步骤中形成黑化层时，例如可优选使用溅射法、离子镀着法、或蒸镀法等干式镀着法。特别是，从容易控制膜厚的观点来看，更优选使用溅射法。
另外，如上所述，也可以利用电镀法等湿式法来对黑化层进行成膜。
(黏着层形成步骤)
接着，对黏着层形成步骤进行说明。
当实施黏着层形成步骤时，铜层形成步骤可以在黏着层形成步骤之后实施。
例如在图1A中，黏着层可以形成在透明基材11的作为一个主平面的第一主平面11a上。另外，在图1B所示的导电性基板10B的情况中，也可以在透明基材11的第一主平面11a及第二主平面11b上形成黏着层。当在透明基材11的第一主平面11a及第二主平面11b两者上形成黏着层时，可以在两个主平面上同时形成黏着层。另外，可以在任意一个主平面上形成黏着层之后在另一个主平面上形成黏着层。
对于构成黏着层的材料并无特别限定，可根据透明基材与铜层的黏着力、或在铜层表面上的光的反射的抑制程度、以及针对导电性基板使用环境(例如湿度或温度)的稳定性程度等来任意地选择。由于对于可优选用于作为构成黏着层的材料已经说明，因此在此省略说明。
对于黏着层的成膜方法不无特别限定，例如如上所述，可以利用干式镀着法来进行成膜。作为干式镀着法，例如可优选较佳地使用溅射法、离子镀着法、或蒸镀法等。特别当从易于控制膜厚的观点来看，可更优选使用溅射法。需要说明的是，可在黏着层中添加选自碳、氧、氢、氮的1种以上的元素，此时可进一步优选使用反应性溅射法。
需要说明的是，当黏着层包含选自碳、氧、氢、氮的1种以上的元素时，可通过在对黏着层进行成膜时的气氛中添加含有选自碳、氧、氮的1种以上的元素的气体，从而添加在黏着层中。例如，当在黏着层中添加碳时可预先在进行干式镀着时的气氛中添加一氧化碳气体和/或二氧化碳气体，当在黏着层中添加氧时可预先在进行干式镀着时的气氛中添加氧气，当在黏着层中添加氢时可预先在进行干式镀着时的气氛中添加氢气和/或水，当在黏着层中添加氮时可预先在该气氛中添加氮气。
对于含有选自碳、氧、氮的1种以上元素的气体，优选添加在惰性气体中，设为干式镀着时的气氛气体。作为惰性气体并无特别限定，例如可优选使用氩。
当利用反应性溅射法来成膜黏着层时，作为靶，可使用包含构成黏着层的金属形态(metal species)的靶。当黏着层包含合金时，可以按黏着层中包含的每个金属形态来使用靶，在透明基材等被成膜体的表面上形成合金，也可以使用预先将黏着层中包含的金属合金化的靶。
如上所述通过利用干式镀着法来成膜黏着层，从而能够提高透明基材与黏着层的黏着性。并且，黏着层由于例如可包含金属作为主成分因此与铜层的黏着性也较高。因此，通过在透明基材与铜层之间配置黏着层，从而能够抑制铜层的剥离。
(图案化步骤)
由本实施方式的导电性基板的制造方法得到的导电性基板例如可用于触摸面板等各种用途。并且，用于各种用途时，优选对本实施方式的导电性基板中包含的铜层及黑化层进行图案化。需要说明的是，当设有黑化层或黏着层时，优选对黑化层或黏着层也进行图案化。对于铜层、有时还有黑化层、黏着层，例如可以随着所需的配线图案来进行图案化，优选将铜层、有时还有黑化层、黏着层图案化成相同形状。
因此，本实施方式的导电性基板的制造方法可具有对铜层进行图案化的图案化步骤。需要说明的是，当形成有黑化层或黏着层时，图案化步骤可以为对黏着层、铜层、及黑化层进行图案化的步骤。
对于图案化步骤的具体程序并无特别限定，可利用任意程序来实施。例如，如图1A所示，当为在透明基材11上层叠有黏着层12、铜层13及黑化层14的导电性基板10A时，首先可实施在黑化层14上配置具有所需图案的掩膜的掩膜配置步骤。接着，可实施向黑化层14的上表面、也即配置有掩膜的一面侧供给蚀刻液的蚀刻步骤。
对于在蚀刻步骤中使用的蚀刻液并无特别限定，可根据构成进行蚀刻的层的材料来任意选择。例如，可按照每层来改变蚀刻液，另外也可利用相同的蚀刻液来同时蚀刻铜层、有时还有黑化层、黏着层。
另外，如图1B所示，可实施对在透明基材11的第一主平面11a、第二主平面11b上层叠有黏着层12A、12B、铜层13A、13B、黑化层14A、14B的导电性基板10B也实施图案化的图案化步骤。此时，例如可实施在黑化层14A、14B上配置具有预定图案的掩膜的掩膜配置步骤。接着，可实施向黑化层14A、14B的上表面、也即配置有掩膜的面侧供给蚀刻液的蚀刻步骤。
对于在蚀刻步骤中形成的图案并无特别限定，其可以为任意的形状。例如在图1A所示的导电性基板10A的情况中，可以如上所述以包含多条直线或呈之字形弯曲的线(锯齿形直线)的方式对黏着层12、铜层13及黑化层14形成图案。
另外，在图1B所示的导电性基板10B的情况中，可以设为网状配线的方式在铜层13A和铜层13B上形成图案。此时，优选以黏着层12A及黑化层14A为与铜层13A同样的形状、黏着层12B及黑化层14B为与铜层13B同样的形状的方式来分别进行图案化。
另外，例如也可以在图案化步骤中对上述导电性基板10A的铜层13等进行了图案化后，实施将图案化的2片以上的导电性基板层叠的层叠步骤。进行层叠时，例如也可以通过以各导电性基板的铜层的图案交叉的方式进行层叠，从而得到具有网状配线的层叠导电性基板。
关于对层叠了2片以上的导电性基板进行固定的方法并无特别限定，例如可以利用黏接剂等来进行固定。
当在以上说明的本实施方式的导电性基板的制造方法中制造导电性基板时，对于铜层，能够具有膜厚为0.5μm时的表面电阻值为0.07Ω/□以下的特性。因此，能够以将导电性基板的表面电阻值设为预定范围内的方式在选择铜层的膜厚时将铜层的膜厚薄化。换言之，即使将铜层的膜厚薄化时也能够抑制导电性基板的表面电阻值。
另外，除了如上所述能够将铜层的膜厚薄化，还能够将铜层图案化成细线。因此，即使在进行了图案化之后，也能够抑制铜层表面、特别是铜层的侧面上的光的反射。
＜实施例＞
以下，列举具体的实施例及比较例来进行说明，但本发明并不限定于这些实施例。
[实施例1]
(预备试验)
首先，作为预备试验，作为在透明基材上成膜包括铜薄膜层及铜镀层的铜层的导电性基板，制作铜层的厚度为0.1μm～0.5μm的评价试料，对评价试料的表面电阻值进行了评价。以下对评价试料的制作步骤进行说明。
准备了纵500mm×横500mm、厚度50μm的聚对苯二甲酸乙二酯树脂(PET)制的透明基材。需要说明的是，对于用作透明基材的聚对苯二甲酸乙二酯树脂制的透明基材，当利用JIS K 7361-1所规定的方法对全光线穿透率进行评价后为97％。
在铜层形成步骤中，实施了铜薄膜层形成步骤和铜镀层形成步骤。
首先，对铜薄膜层形成步骤进行说明。
在铜薄膜层形成步骤中，使用聚对苯二甲酸乙二酯树脂制的透明基材作为基材，根据以下条件在透明基材上形成了铜薄膜层。
将预先加热至60℃除去水分的上述透明基材设置在安装了铜靶的溅射装置的腔室内。
接着，将腔室内排气至1×10-3Pa后，导入氩气，使腔室内的压力为1.3Pa。
接着，在该气氛下对靶供电，在透明基材的一个主平面上以厚度变为50nm的方式成铜薄膜层。
接着，在铜镀层形成步骤中，在铜薄膜层上形成铜镀层。铜镀层是利用电镀法进行成膜，对于各个评价试料，以铜层的厚度如表1所示为0.1μm～0.5μm的方式进行成膜。
在实施例1的预备试验中，对铜镀层进行成膜时，使用单一的镀槽，使用在镀液中添加了二烯丙基二甲基氯化铵-SO2共聚物的铜镀液来实施。
作为在铜镀层形成步骤中使用的铜镀液，使用了将铜、硫酸及氯的浓度调制为铜30g/L、硫酸80g/L、氯50mg/L的铜镀液。在所使用的铜镀液中，作为添加剂添加了DDAC-SO2(二烯丙基二甲基氯化铵-SO2共聚物)20mg/L。另外，在镀液中，除了DDAC-SO2以外，作为聚合物成分添加了PEG(聚乙二醇)650mg/L、作为光亮剂成分添加了SPS(双(3-磺丙基)二硫化物)15mg/L。
对所得到的评价试料进行了表面电阻值的评价。
表面电阻值是使用低电阻仪(株式会社Daia Instruments制，型号：LORESTA-EPMCP-T360)进行测定。测定利用4探针法进行，使探针接触评价试料的最表面的层、也即本预备试验的情况中的铜层来进行测定。
评价结果如表1及图5所示。
根据表1、图5所示的结果，能够确认铜层的厚度为0.5μm时表面电阻值为0.07Ω/□以下。
(导电性基板的制作)
因此，除了将铜层的厚度设为0.5μm、在铜层上进一步形成黑化层以外，以与预备试验同样的条件制作导电性基板。
首先作为铜层形成步骤，除了如上所述将铜层的厚度设为0.5μm以外，与预备试验的情况同样地在透明基材上形成铜层。省略对此时的制作条件的说明。
在黑化层形成步骤中，在铜层上利用溅射法形成含有氧的Ni-Cu层作为黑化层。
在黑化层形成步骤中，利用安装了Ni-35重量％Cu合金的靶的溅射装置，成膜含有氧的Ni-Cu合金层作为黑化层。以下对黑化层的成膜步骤进行说明。
首先，将在透明基材上层叠了铜层的层叠体设置在溅射装置的腔室内。
接着，将腔室内排气至1×10-3Pa后，导入氩气和氧气，使腔室内的压力为1.3Pa。需要说明的是，此时腔室内的气氛在体积比上30％为氧气，其余为氩。
接着，在该气氛下向靶供电，在铜层上成膜厚度为30nm的黑化层。
通过以上步骤，得到了在铜层的上表面、也即铜层的与透明基材相对的面的相反侧的面上形成黑化层、并在透明基材上依次层叠有铜层、黑化层的导电性基板。
当与预备试验的情况同样地对所得到的导电性基板的表面电阻值进行测定后，能够确认为0.037Ω/□。这是因为与预备试验中铜层的厚度为0.5μm的情况相同的结果，黑化层的厚度为30nm非常薄，几乎不会对导电性基板的表面电阻值产生影响。
[实施例2]
(预备试验)
除了在铜镀层形成步骤中使用5个的镀槽，以铜层的厚度如表1所示为0.2μm～0.5μm的方式成膜铜镀层以外，与实施例1的预备试验同样地制作评价试料。
需要说明的是，与实施例1的情况同样地在用于铜镀层形成步骤的铜镀液中添加了二烯丙基二甲基氯化铵-SO2共聚物。
与实施例1同样，对所得到的评价试料进行了表面电阻值的评价。
评价结果如表1及图5所示。
根据表1、图5所示的结果，能够确认铜层的厚度为0.5μm时表面电阻值为0.07Ω/□以下。
(导电性基板的制作)
因此，除了将铜层的厚度设为0.5μm、在铜层上进一步形成黑化层以外，以与预备试验的情况同样的条件制作导电性基板。
以与实施例1的情况同样地制作黑化层。
当与预备试验的情况同样地对所得到的导电性基板的表面电阻值进行测定后，能够确认为0.055Ω/□。这是因为与预备试验中铜层的厚度为0.5μm的情况相同的结果，黑化层的厚度为30nm非常薄，几乎不会对导电性基板的表面电阻值产生影响。
[实施例3]
(预备试验)
除了在铜镀层形成步骤中使用健那绿B来代替DDAC-SO2共聚物作为针对铜镀液的添加剂、以铜层的厚度如表1所示为0.2μm～0.5μm的方式成膜铜镀层以外，与实施例1的预备试验同样地制作评价试料。
需要说明的是，作为在铜镀层形成步骤中使用的铜镀液，代替在实施例1中说明的镀液中添加的DDAC-SO2共聚物，使用以相同浓度的方式添加的健那绿B，并不包含DDAC-SO2共聚物。另外，在铜镀层形成步骤中，使用单一的镀槽。
与实施例1同样地对所得到的评价试料进行了表面电阻值的评价。
评价结果如表1及图5所示。
根据表1、图5所示的结果，能够确认铜层的厚度为0.5μm时表面电阻值为0.07Ω/□以下。
(导电性基板的制作)
因此，除了将铜层的厚度设为0.5μm、在铜层上进一步形成黑化层以外，以与预备试验的情况同样的条件制作导电性基板。
以与实施例1的情况同样的条件制作黑化层。
当与预备试验的情况同样地对所得到的导电性基板的表面电阻值进行测定后，能够确认为0.05Ω/□。这是因为与预备试验中铜层的厚度为0.5μm的情况相同的结果，黑化层的厚度为30nm非常薄，几乎不会对导电性基板的表面电阻值产生影响。
[比较例1]
(预备试验)
除了在铜镀层形成步骤中使用健那绿B作为针对铜镀液的添加剂、使用5个镀槽、以铜层的厚度如表1所示为0.2μm～0.5μm的方式成膜铜镀层以外，与实施例1的预备试验同样地制作评价试料。
需要说明的是，作为在铜镀层形成步骤中使用的铜镀液，代替在实施例1中说明的镀液中添加的DDAC-SO2共聚物，使用以相同浓度的方式添加的健那绿B，并不包含DDAC-SO2共聚物。
与实施例1同样地对所得到的评价试料进行了表面电阻值的评价。
评价结果如表1及图5所示。
根据表1、图5所示的结果，能够确认铜层的厚度为0.5μm时表面电阻值超过了0.07Ω/□。
(导电性基板的制作)
因此，除了将铜层的厚度设为0.5μm、在铜层上进一步形成黑化层以外，以与预备试验的情况同样的条件制作导电性基板。
以与实施例1的情况同样的条件制作黑化层。
当与预备试验的情况同样地对所得到的导电性基板的表面电阻值进行测定后，能够确认为0.072Ω/□、与实施例1～实施例3相比较大。
换言之，能够确认，在比较例1中制作的导电性基板中，为了设为所希望的表面电阻值，需要将铜层的厚度加厚得比实施例1～实施例3的情况更厚。并且，由于铜层的厚度变厚因此容易产生在铜层表面、特别是铜层的侧面的反射。因此，能够确认，例如当用于触摸面板用时，与实施例1～实施例3的导电性基板相比，显示器的可视性降低。
[表1]
Figure BDA0001491697670000231
以上通过实施方式以及实施例等对导电性基板进行了说明，但本发明并不限定于上述实施方式以及实施例等。可在权利要求书所记载的本发明的主旨范围内进行各种变形、变更。
本申请以2015年6月26日向日本专利局申请的日本专利申请第2015-129285号作为要求优先权的基础，本国际申请援引日本专利申请第2015-129285号的全部内容。
符号说明
10A、10B、20、201、202、40 导电性基板
11 透明基材
13、13A、13B、23、231、232、43A、43B 铜层

Claims (2)

1.一种导电性基板，其包括：
透明基材；以及
形成在所述透明基材的至少一个面上的铜层，
所述铜层包括通过湿式法进行成膜的铜镀层，
所述铜镀层由包含遍布整个该铜镀层生长的铜晶体的一个层构成，
其中，所述铜层的膜厚为0.5μm时的所述铜层的表面电阻值为0.07Ω/□以下，
使用单一的镀槽对所述铜镀层进行成膜，
所述铜镀层通过电镀法进行成膜，
当对所述铜镀层进行成膜时，使用二烯丙基二甲基氯化铵聚合物作为添加剂。
2.根据权利要求1所述的导电性基板，其中，使用二烯丙基二甲基氯化铵-SO2共聚物作为所述二烯丙基二甲基氯化铵聚合物。
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