JPWO2016208609A1 - 導電性基板 - Google Patents

Abstract

透明基材と、前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された銅層とを有し、前記銅層は、前記銅層の膜厚が０．５μｍの場合の表面抵抗値が０．０７Ω／□以下である導電性基板を提供する。

Description

本発明は、導電性基板に関する。

静電容量式タッチパネルは、パネル表面に近接する物体により引き起こされる静電容量の変化を検出することにより、パネル表面上での近接する物体の位置の情報を電気信号に変換する。静電容量式タッチパネルに用いられる導電性基板は、ディスプレイの表面に設置されるため、導電性基板の導電層の材料には反射率が低く、視認されにくいことが要求されている。

そこで、静電容量式タッチパネルに用いられる導電層の材料としては、反射率が低く、視認されにくい材料が用いられ、透明基板または透明なフィルム上に配線が形成されている。例えば、特許文献１には、高分子フィルム上に透明導電膜としてＩＴＯ（酸化インジウム−スズ）膜を形成したタッチパネル用の透明導電性フィルムが開示されている。

近年タッチパネルを備えたディスプレイの大画面化が進んでおり、これに対応してタッチパネル用の透明導電性フィルム等の導電性基板についても大面積化が求められている。しかし、ＩＴＯは電気抵抗値が高く信号の劣化を生じるため、大型パネルには不向きという問題があった。

このため、例えば特許文献２、３に開示されているように導電層としてＩＴＯ膜にかえて銅等の金属箔を用いることが検討されている。

日本国特開２００３−１５１３５８号公報 日本国特開２０１１−０１８１９４号公報 日本国特開２０１３−０６９２６１号公報

しかしながら、銅等の金属箔は金属光沢を有する。このため、導電層として銅等の金属箔を備えた導電性基板をタッチパネルの用途に用いた場合、導電層の表面、特に側面で光を反射して、導電層の厚さによってはディスプレイの視認性が低下する恐れがある。そして、導電層の厚さは導電性基板に要求される表面抵抗値と、導電層を構成する材料とにより決まるため、従来は導電層の厚さを十分に薄くすることは困難であった。

上記従来技術の問題に鑑み、本発明の一側面では、銅層の厚さが薄い場合でも表面抵抗値を十分に抑制できる導電性基板を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため本発明の一側面では、
透明基材と、
前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された銅層とを有し、
前記銅層は、前記銅層の膜厚が０．５μｍの場合の表面抵抗値が０．０７Ω／□以下である導電性基板を提供する。

本発明の一側面によれば、銅層の厚さが薄い場合でも表面抵抗値を十分に抑制できる導電性基板を提供することができる。

本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係る導電性基板の断面図。 本発明の実施形態に係るパターニングした導電性基板の構成説明図。 図２ＡのＡ−Ａ´線における断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板の構成説明図。 図３ＡのＢ−Ｂ´線における断面図。 本発明の実施形態に係るメッシュ状の配線を備えた導電性基板の断面図。 実施例、比較例の予備試験における銅層の厚さと、表面抵抗値との関係図。

以下、本発明の導電性基板の一実施形態について説明する。

本実施形態の導電性基板は、透明基材と、透明基材の少なくとも一方の面上に形成された銅層とを有することができる。そして、銅層は、銅層の膜厚が０．５μｍの場合の表面抵抗値を０．０７Ω／□以下とすることができる。

なお、本実施形態における導電性基板とは、銅層等をパターニングする前の、透明基材の表面に銅層を有する基板と、銅層等をパターニングした基板、すなわち、配線基板と、を含む。銅層をパターニングした後の導電性基板は透明基材が銅層等により覆われていない領域を含むため光を透過することができ、透明導電性基板となっている。

ここでまず、導電性基板に含まれる部材について以下に説明する。

透明基材としては特に限定されるものではなく、可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。

可視光を透過する樹脂基板の材料としては例えば、ポリアミド系樹脂、ポリエチレンテレフタレート系樹脂、ポリエチレンナフタレート系樹脂、シクロオレフィン系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリカーボネート系樹脂等の樹脂を好ましく用いることができる。特に、可視光を透過する樹脂基板の材料として、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＣＯＰ（シクロオレフィンポリマー）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ポリアミド、ポリイミド、ポリカーボネート等をより好ましく用いることができる。

透明基材の厚さについては特に限定されず、導電性基板とした場合に要求される強度や静電容量、光の透過率等に応じて任意に選択することができる。透明基材の厚さとしては例えば１０μｍ以上２００μｍ以下とすることができる。特にタッチパネルの用途に用いる場合、透明基材の厚さは２０μｍ以上１２０μｍ以下とすることが好ましく、２０μｍ以上１００μｍ以下とすることがより好ましい。タッチパネルの用途に用いる場合で、例えば特にディスプレイ全体の厚さを薄くすることが求められる用途においては、透明基材の厚さは２０μｍ以上５０μｍ以下であることが好ましい。

透明基材の全光線透過率は高い方が好ましく、例えば全光線透過率は３０％以上であることが好ましく、６０％以上であることがより好ましい。透明基材の全光線透過率が上記範囲であることにより、例えばタッチパネルの用途に用いた場合にディスプレイの視認性を十分に確保することができる。

なお透明基材の全光線透過率はＪＩＳ Ｋ ７３６１−１に規定される方法により評価することができる。

透明基材は第１の主平面と、第２の主平面とを有することができる。なお、ここでいう主平面とは透明基材に含まれる面のうち最も面積の大きい平面部を指している。そして、第１の主平面と、第２の主平面とは１つの透明基材の中で対向して配置された面を意味する。すなわち、第２の主平面は、第１の主平面の反対側に位置する面を意味する。

次に、銅層について説明する。

銅層は、膜厚が０．５μｍの場合の表面抵抗値が０．０７Ω／□以下であることが好ましく、０．０５Ω／□以下であることがより好ましい。

既述のように導電性基板の導電層として金属箔を用いた場合、導電層は金属光沢を有するため、タッチパネル等、ディスプレイの表示面上に配置する場合、導電層の厚さによっては、導電層表面、特に導電層の側面での光の反射により、ディスプレイの視認性が低下する恐れがある。

しかしながら、導電層の厚さは導電性基板に要求される表面抵抗値の大きさ等と、導電層を構成する材料とにより選択されることになるため、従来の表面抵抗値が大きい金属箔を用いた導電層の場合には、導電層の厚さを薄くすることが困難であった。

そこで、本実施形態の導電性基板においては、膜厚が０．５μｍの場合の表面抵抗値が０．０７Ω／□以下である銅層を用いることで、銅層の厚さが薄い場合でも表面抵抗値を十分に抑制できる導電性基板とすることを可能とした。銅層は導電層として機能することができる。

なお、ここでいう膜厚が０．５μｍの場合の表面抵抗値が０．０７Ω／□以下である銅層とは、銅層の膜厚を０．５μｍに限定するものではない。導電性基板に含まれる銅層を成膜する際と同条件で膜厚が０．５μｍの銅層を成膜した場合の表面抵抗値が０．０７Ω／□以下であることを意味している。

透明基材上に銅層を形成する方法は特に限定されないが、光の透過率を低減させないため、透明基材と銅層との間に接着剤を配置しないことが好ましい。すなわち銅層は、透明基材の少なくとも一方の面上に直接形成されていることが好ましい。なお、後述のように透明基材と銅層との間に密着層を配置する場合には、密着層の上面に直接形成されていることが好ましい。

銅層は例えば透明基材上に、乾式めっき法により銅薄膜層を形成し該銅薄膜層を銅層とすることができる。これにより、透明基材上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。なお、乾式めっき法としては後で詳述するが、例えばスパッタリング法や蒸着法、イオンプレーティング法等を好ましく用いることができる。

また、銅層の膜厚をさらに厚くする場合には、銅薄膜層を給電層として湿式めっき法により銅めっき層を形成することにより、銅薄膜層と銅めっき層とを有する銅層とすることもできる。銅層が銅薄膜層と銅めっき層とを有することにより、この場合も透明基材上に接着剤を介さずに直接銅層を形成できる。

上述の様に透明基材の上面に銅層を直接形成するため、銅層は銅薄膜層を有することができる。また、銅層は銅薄膜層と銅めっき層とを有していてもよい。ただし、銅層の表面抵抗値を特に低減する観点から、銅層は銅薄膜層と銅めっき層とを有していることが好ましい。

銅層の厚さは特に限定されるものではなく、銅層を配線として用いた場合に、該配線に供給する電流の大きさや配線幅等に応じて任意に選択することができる。

ただし、銅層が厚くなると、配線パターンを形成するためにエッチングを行う際にエッチングに時間を要するためサイドエッチが生じ易くなり、細線が形成しにくくなる等の問題を生じる場合がある。このため、銅層の厚さは５μｍ以下であることが好ましく、３μｍ以下であることがより好ましい。

特に本実施形態の導電性基板においては、銅層の厚さが薄くても導電性基板の表面抵抗値を十分に小さくすることができる。そして、銅層の厚さを薄くすることにより、銅層表面、特に側面での光の反射を抑制し、タッチパネル等、ディスプレイの表示面等に配置する用途に用いた場合であってもディスプレイの視認性の低下を抑制することができる。このため、本実施形態の導電性基板においては銅層の厚さは１．０μｍ以下であることさらに好ましく、０．５μｍ以下であることが特に好ましい。

また、銅層の厚さの下限値は特に限定されるものではないが、導電性基板の抵抗値を低くし、十分に電流を供給できるようにする観点から、例えば銅層は厚さが５０ｎｍ以上であることが好ましく、６０ｎｍ以上であることがより好ましく、１５０ｎｍ以上であることがさらに好ましい。

なお、銅層が上述のように銅薄膜層と、銅めっき層を有する場合には、銅薄膜層の厚さと、銅めっき層の厚さとの合計が上記範囲であることが好ましい。

銅層が銅薄膜層により構成される場合、または銅薄膜層と銅めっき層とにより構成される場合のいずれの場合でも、銅薄膜層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば５０ｎｍ以上５００ｎｍ以下とすることが好ましい。

銅層は後述するように例えば所望の配線パターンにパターニングすることにより配線として用いることができる。そして、銅層は従来透明導電膜として用いられていたＩＴＯ膜よりも表面抵抗値を低くすることができるから、銅層を設けることにより導電性基板の表面抵抗値を小さくできる。

銅層の膜厚が０．５μｍの場合の表面抵抗値を０．０７Ω／□以下とする銅層の成膜方法は特に限定されないが、例えば銅層は、湿式法で成膜された銅めっき層を含んでおり、銅めっき層を単一のめっき槽を用いて成膜することが好ましい。すなわち、銅層は銅めっき層（湿式銅めっき層）を含み、該銅めっき層が、単一のめっき層であることが好ましい。

本発明の発明者らの検討によると、銅めっき層は、成膜された直後から、銅めっき層内で銅の結晶が徐々に成長して大きくなる。そして、銅めっき層内の銅の結晶サイズが大きくなることにより銅層の表面抵抗値を特に下げることができる。

ところが、銅めっき層を湿式法により成膜する際、基材の搬送方向に沿って２以上の複数のめっき槽を直列に配列し、各めっき槽で銅めっき膜を成膜、積層して銅めっき層を形成した場合、銅めっき膜間に微細な結晶の層が形成される場合がある。そして、各銅めっき膜を成膜後、各銅めっき膜内では銅結晶の成長が進行するものの、銅めっき膜間に微細な結晶の層が形成されると、銅めっき膜を超えて結晶成長することが阻害されると考えられる。このため、多槽のめっき槽を用いて銅めっき層を成膜した場合、銅結晶の成長は十分に進行しない。

これに対して、上述の様に銅めっき層を単一のめっき槽を用いて成膜した場合、銅めっき層は１つの層から構成され、層全体に渡って銅結晶の成長が進行するため、成膜後に銅結晶の成長が十分に進行し、銅層の表面抵抗値を下げることができる。このため、銅めっき層を単一のめっき槽を用いて成膜することで、銅層の表面抵抗値を特に低くすることができる。

なお、銅めっき層を成膜する際の湿式法の成膜方法としては、電気めっき法、無電解めっき法のいずれの方法でもいいが、電気めっき法であることが好ましい。

また、銅層の表面抵抗値を上述の所定の範囲とする銅層の他の成膜方法として、銅層が、電気めっき法により成膜された銅めっき層を含み、銅めっき層を成膜する際、添加剤としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド重合体を含む添加剤を用いて成膜する方法が挙げられる。すなわち、銅めっき層は、めっき液に含まれていたジアリルジメチルアンモニウムクロライド重合体由来の成分を含有することが好ましい。

銅めっき層を湿式法の一種である電気めっき法により成膜する際、めっき液としては特に限定されるものではなく、各種銅めっき液を使用することができる。ただし、本発明の発明者らの検討によれば、銅めっき液に添加剤としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド重合体を添加することで、成膜された銅めっき層に含まれる銅の結晶成長を促進することができる。そして、銅めっき層内の銅の結晶成長が促進され銅の結晶サイズが大きくなることで、銅層の表面抵抗値を下げることができる。

特に、本発明の発明者らの検討によれば、銅層が電気めっき法により成膜された銅めっき層を含んでおり、銅めっき層を単一のめっき槽を用い、かつ銅めっき液の添加剤としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド重合体を用いることがより好ましい。これは、単一のめっき槽を用いて銅めっき層を成膜する効果と、銅めっき液の添加剤としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド重合体を用いることとが相乗的に働き、銅めっき層内の銅の結晶を特に成長させることができるためである。そして、銅めっき層内の銅の結晶が成長することにより、銅めっき層、さらには導電性基板の表面抵抗値を下げることができる。

銅めっき液に添加剤としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド重合体を添加する場合、その添加量は特に限定されるものではなく、任意に選択することができる。例えば銅めっき液中のジアリルジメチルアンモニウムクロライド重合体の添加量が５ｍｇ／Ｌ以上４０ｍｇ／Ｌ以下となるように添加することができる。

ジアリルアンモニウムクロライド重合体の分子量としては３５００〜４５００の範囲が望ましい。分子量が３５００より小さいと成膜される銅層中に銅結晶成長があまり進行しない場合があり、４５００を超えても、銅結晶の成長にあまり寄与しない場合があるためである。

ジアリルジメチルアンモニウム重合体は単体の重合体でも良いが、ジアリルジメチルアンモニウム重合体として、ジアリルジメチルアンモニウム−ＳＯ_２共重合体を用いることが銅の結晶成長促進には特に望ましい。すなわち、銅めっき層は、めっき液に含まれていたジアリルジメチルアンモニウム−ＳＯ_２共重合体由来の成分を含有することが好ましい。

本実施形態の導電性基板は、透明基材、及び銅層以外にも任意の層を設けることができる。例えば黒化層や、密着層を設けることができる。黒化層、密着層について以下に説明する。

黒化層について説明する。

黒化層は、透明基材の少なくとも一方の面上に設けることができる。具体的には例えば銅層よりも導電性基板の外表面側に形成することができる。黒化層を設けることで、銅層の黒化層を設けた面での光の反射をさらに抑制できる。

黒化層の材料は特に限定されるものではなく、銅層表面における光の反射を抑制できる材料であれば好適に用いることができる。

黒化層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、黒化層は、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。

なお、黒化層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金を含むこともできる。この場合についても、黒化層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金としては、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｆｅ合金や、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を好ましく用いることができる。

黒化層の形成方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により形成することができ、例えば乾式法、または湿式法により成膜することができる。

黒化層を乾式法により成膜する場合、その具体的な方法は特に限定されるものではないが、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を好ましく用いることができる。黒化層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、黒化層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。

反応性スパッタリング法により黒化層を成膜する場合、ターゲットとしては、黒化層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。黒化層が合金を含む場合には、黒化層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め黒化層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。

また、黒化層に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素が含まれる場合、これらは黒化層を成膜する際の雰囲気中に添加しておくことにより、黒化層中に添加することができる。例えば、黒化層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、スパッタリングを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。黒化層を成膜する際の不活性ガス中にこれらのガスを添加することにより、炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を黒化層中に添加することができる。なお、不活性ガスとしてはアルゴンを好ましく用いることができる。

黒化層を湿式法により成膜する場合には、黒化層の材料に応じためっき液を用い、例えば電気めっき法により成膜することができる。

黒化層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば１５ｎｍ以上であることが好ましく、２５ｎｍ以上であることがより好ましい。これは、黒化層の厚さが薄い場合には、銅層表面における光の反射を十分に抑制できない場合があるため、上述のように黒化層の厚さを１５ｎｍ以上とすることにより銅層表面における光の反射を特に抑制できるように構成することが好ましいためである。

黒化層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、黒化層の厚さは７０ｎｍ以下とすることが好ましく、５０ｎｍ以下とすることがより好ましい。

本実施形態の導電性基板においては、黒化層を配置することにより、上述のように銅層表面における光の反射をさらに抑制することができる。このため、例えばタッチパネル等の用途に用いた場合にディスプレイの視認性の低下を特に抑制することが可能になる。

密着層の構成例について説明する。

既述のように銅層は透明基材上に形成することができるが、透明基材上に銅層を直接形成した場合に、透明基材と銅層との密着性が十分ではない場合がある。

そこで、本実施形態の導電性基板においては、透明基材と銅層との密着性を高めるため、透明基材上に密着層を配置することができる。

透明基材と銅層との間に密着層を配置することにより、透明基材と銅層との密着性を高め、透明基材から銅層が剥離することを抑制できる。

また、密着層は黒化層としても機能させることができる。このため、銅層の下面側、すなわち透明基材側からの光による銅層の光の反射も抑制することが可能になる。

密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び銅層との密着力や、要求される銅層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。

密着層は例えば、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも１種以上の金属を含むことが好ましい。また、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。

なお、密着層は、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金を含むこともできる。この場合についても、密着層は炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素をさらに含むこともできる。この際、Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｏ，Ｔａ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｃｕ，Ｓｎ，Ｍｎから選ばれる少なくとも２種以上の金属を含む金属合金としては、Ｃｕ−Ｔｉ−Ｆｅ合金や、Ｃｕ−Ｎｉ−Ｆｅ合金、Ｎｉ−Ｃｕ合金、Ｎｉ−Ｚｎ合金、Ｎｉ−Ｔｉ合金、Ｎｉ−Ｗ合金、Ｎｉ−Ｃｒ合金、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｃｒ合金を好ましく用いることができる。

密着層の成膜方法は特に限定されるものではないが、乾式めっき法により成膜することが好ましい。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を添加することもでき、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。

密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。

炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。

密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため銅層との密着性も高い。このため、透明基材と銅層との間に密着層を配置することにより、銅層の剥離を抑制することができる。

密着層の厚さは特に限定されるものではないが、例えば３ｎｍ以上５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３ｎｍ以上３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３ｎｍ以上３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。

密着層についても黒化層として機能させる場合、すなわち密着層により銅層における光の反射を抑制する場合、密着層の厚さを上述のように３ｎｍ以上とすることが好ましい。

密着層の厚さの上限値は特に限定されるものではないが、必要以上に厚くしても成膜に要する時間や、配線を形成する際のエッチングに要する時間が長くなり、コストの上昇を招くことになる。このため、密着層の厚さは上述のように５０ｎｍ以下とすることが好ましく、３５ｎｍ以下とすることがより好ましく、３３ｎｍ以下とすることがさらに好ましい。

次に、導電性基板の構成例について説明する。

本実施形態の導電性基板は透明基材と、銅層とを備え、透明基材の少なくとも一方の面上に、銅層を配置した構成とすることができる。

また、上述の密着層や黒化層を配置する場合には、例えば透明基材の少なくとも一方の面上に、密着層、銅層、黒化層をその順に積層した構成とすることもできる。なお、密着層及び黒化層はいずれか一方のみを設けることもできる。

具体的な構成例について、図１Ａ、図１Ｂを用いて以下に説明する。図１Ａ、図１Ｂは、本実施形態の導電性基板において、銅層以外に密着層、黒化層を設けた例を示しており、透明基材、密着層、銅層、黒化層の積層方向と平行な面における断面図の例を示している。なお、既述のように密着層、及び黒化層についてはいずれか一方または両方を設けないこともできる。

例えば、図１Ａに示した導電性基板１０Ａのように、透明基材１１の第１の主平面１１ａ側に密着層１２と、銅層１３と、黒化層１４と、を一層ずつその順に積層した構成とすることができる。また、図１Ｂに示した導電性基板１０Ｂのように、透明基材１１の第１の主平面１１ａ側と、第２の主平面１１ｂ側と、にそれぞれ密着層１２Ａ、１２Ｂと、銅層１３Ａ、１３Ｂと、黒化層１４Ａ、１４Ｂとを一層ずつその順に積層することもできる。

図１Ａ、図１Ｂに示したように、銅層１３（１３Ａ、１３Ｂ）の上面に黒化層１４（１４Ａ、１４Ｂ）を配置することで、銅層１３（１３Ａ、１３Ｂ）の上面側からの光の反射を抑制することができる。

また、密着層１２（１２Ａ、１２Ｂ）を設けることにより、透明基材１１と銅層１３（１３Ａ、１３Ｂ）との密着性を高めることができ、透明基材１１から銅層１３（１３Ａ、１３Ｂ）が剥離することを特に抑制することができる。また、密着層１２（１２Ａ、１２Ｂ）を設けることにより、銅層１３（１３Ａ、１３Ｂ）の黒化層１４（１４Ａ、１４Ｂ）を設けていない面についても光の反射を抑制することが可能になり好ましい。

ここまで本実施形態の導電性基板について説明したが、本実施形態の導電性基板は、１枚の導電性基板として用いることもできるが、本実施形態の導電性基板を複数枚積層した積層導電性基板とすることもできる。

本実施形態の導電性基板、及び導電性基板を積層した積層導電性基板については用途に応じて、導電性基板に含まれる銅層をパターニングすることができる。また、黒化層および／または密着層を設けている場合には、これらの層についても銅層と同様にパターニングすることができる。

特にタッチパネルの用途に用いる場合、導電性基板、または、積層導電性基板はメッシュ状の配線を備えていることが好ましい。

ここで、２枚の導電性基板を積層してメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を形成する場合を例に、積層前の導電性基板に形成する銅層や、任意に設けた密着層、及び黒化層のパターンの形状の構成例について図２Ａ、図２Ｂを用いて説明する。なお、パターニングされた銅層は配線として機能することができる。

図２Ａは、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を構成する２枚の導電性基板のうち、一方の導電性基板について、導電性基板２０を上面側、すなわち、透明基材１１の主平面と垂直な方向から見た図である。また、図２Ｂは、図２ＡのＡ−Ａ´線における断面図を示している。

図２Ａ、図２Ｂに示すように導電性基板２０において、透明基材１１上のパターニングされた密着層２２、銅層２３、及び黒化層２４は、透明基材１１の主平面１１ａ、１１ｂと平行な面での断面が同じ形状となっている。例えばパターニングされた黒化層２４は図２Ａ中に示した直線形状の複数のパターン（黒化層パターン２４Ａ〜２４Ｇ）を有し、係る複数の直線形状のパターンは図中Ｙ軸に平行に、かつ、図中Ｘ軸方向に互いに離隔して配置できる。この際、図２Ａに示したように透明基材１１が四角形状を有する場合、透明基材１１の一辺と平行になるように、黒化層のパターン（黒化層パターン２４Ａ〜２４Ｇ）を配置できる。

なお、上述のように、パターニングされた銅層２３、及び密着層２２もパターニングされた黒化層２４と同様にパターニングされており、直線形状の複数のパターン（銅層パターン、密着層パターン）を有し、係る複数のパターンは互いに平行に離隔して配置できる。このため、パターン間では透明基材１１の第１の主平面１１ａが露出することとなる。

図２Ａ、図２Ｂに示したパターニングされた密着層２２、銅層２３、及び黒化層２４のパターン形成方法は特に限定されない。例えば、黒化層を形成後、黒化層上に、形成するパターンに対応した形状を有するマスクを配置し、エッチングすることでパターンを形成できる。用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、エッチングする層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に銅層、黒化層、密着層をエッチングすることもできる。なお、黒化層を設けない場合には銅層を形成後、銅層上にマスクを配置し、同様にしてパターニングすることができる。

そして、銅層をパターニングした２枚の導電性基板を積層することにより積層導電性基板を形成することができる。なお、銅層以外に密着層や黒化層を設けた場合には密着層や黒化層についてもパターニングしていることが好ましい。積層導電性基板について、図３Ａ、図３Ｂを用いて説明する。図３Ａは、積層導電性基板３０を上面側、すなわち、２枚の導電性基板の積層方向に沿った上面側から見た図を示しており、図３Ｂは、図３ＡのＢ−Ｂ´線における断面図を示している。

積層導電性基板３０は、図３Ｂに示すように導電性基板２０１と、導電性基板２０２と、を積層して得られたものである。なお、導電性基板２０１、２０２は共に、透明基材１１１（１１２）の第１の主平面１１１ａ（１１２ａ）上に、パターニングされた密着層２２１（２２２）、銅層２３１（２３２）、及び黒化層２４１（２４２）が積層されている。導電性基板２０１、２０２のパターニングされた密着層２２１（２２２）、銅層２３１（２３２）、及び黒化層２４１（２４２）は、いずれも上述した導電性基板２０と同様に直線形状の複数のパターンを有するようにパターニングされている。

そして、一方の導電性基板２０１の透明基材１１１の第１の主平面１１１ａと、他方の導電性基板２０２の透明基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層されている。

なお、一方の導電性基板２０１の上下を逆にして、一方の導電性基板２０１の透明基材１１１の第２の主平面１１１ｂと、他方の導電性基板２０２の透明基材１１２の第２の主平面１１２ｂとが対向するように積層してもよい。この場合、後述する図４と同様の配置となる。

２枚の導電性基板を積層する際、図３Ａ、図３Ｂに示すように、一方の導電性基板２０１のパターニングされた銅層２３１と、他方の導電性基板２０２のパターニングされた銅層２３２と、が交差するように積層することができる。具体的には例えば、図３Ａにおいて、一方の導電性基板２０１のパターニングされた銅層２３１はそのパターンの長さ方向が図中のＸ軸方向と平行になるように配置できる。そして、他方の導電性基板２０２のパターニングされた銅層２３２はそのパターンの長さ方向が図中のＹ軸方向と平行になるように配置することができる。

なお、図３Ａは上述のように積層導電性基板３０の積層方向に沿って見た図のため、各導電性基板２０１、２０２の最上部に配置されたパターニングされた黒化層２４１、２４２を示している。パターニングされた銅層２３１、２３２もパターニングされた黒化層２４１、２４２と同じパターンとなっているため、パターニングされた銅層２３１、２３２もパターニングされた黒化層２４１、２４２と同様にメッシュ状となる。また、パターニングされた密着層２２１、２２２についてもパターニングされた黒化層２４１、２４２と同様のメッシュ状とすることができる。

積層した２枚の導電性基板の接着方法は特に限定されるものではなく、例えば接着剤等により接着、固定することができる。

以上に説明したように一方の導電性基板２０１と、他方の導電性基板２０２と、を積層することにより、図３Ａに示したように、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板３０とすることができる。

なお、図３Ａ、図３Ｂにおいては、直線形状の配線を組み合わせてメッシュ状の配線（配線パターン）を形成した例を示しているが、係る形態に限定されるものではなく、配線パターンを構成する配線は任意の形状とすることができる。例えばディスプレイの画像との間でモアレ（干渉縞）が発生しないようメッシュ状の配線パターンを構成する配線の形状をそれぞれ、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等の各種形状にすることもできる。

ここでは、２枚の導電性基板を積層することによりメッシュ状の配線を備えた積層導電性基板とする例を用いて説明したが、メッシュ状の配線を備えた（積層）導電性基板とする方法は係る形態に限定されるものではない。例えば図１Ｂに示した、透明基材１１の第１の主平面１１ａ、第２の主平面１１ｂに銅層１３Ａ、１３Ｂを形成した導電性基板１０Ｂからもメッシュ状の配線を備えた導電性基板を形成できる。

この場合、透明基材１１の第１の主平面１１ａ側に積層した密着層１２Ａ、銅層１３Ａ、黒化層１４Ａを、図１Ｂ中のＹ軸方向、すなわち、紙面と垂直な方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターニングする。また、透明基材１１の第２の主平面１１ｂ側に積層した、密着層１２Ｂ、銅層１３Ｂ、及び黒化層１４Ｂを図１Ｂ中のＸ軸方向と平行な複数の直線形状のパターンにパターニングする。パターニングは上述のように例えばエッチングにより実施できる。これにより、図４に示した導電性基板４０のように、透明基材１１を挟んで、透明基材の第１の主平面１１ａ側に形成したパターニングされた銅層４３Ａと、第２の主平面１１ｂ側に形成したパターニングされた銅層４３Ｂと、によりメッシュ状の配線を備えた導電性基板とすることができる。また、図４の導電性基板４０の場合、パターニングされた密着層４２Ａと、パターニングされた密着層４２Ｂ、及びパターニングされた黒化層４４Ａと、パターニングされた黒化層４４Ｂについても同様にメッシュ状の形状となる。

以上に説明した（積層）導電性基板によれば、銅層について、膜厚が０．５μｍの場合の表面抵抗値が０．０７Ω／□以下の特性を有することができる。このため、導電性基板の表面抵抗値を所定の範囲内とするように銅層の膜厚を選択する際に銅層の膜厚を薄くすることができる。すなわち、銅層の膜厚を薄くした場合でも導電性基板の表面抵抗値を抑制することが可能になる。

また、上述の様に銅層は膜厚を薄くできることに加えて、銅層を細線となるようにパターニングすることもできる。このため、パターニングした後でも、銅層表面、特に銅層の側面での光の反射を抑制することができる。
（導電性基板の製造方法）
次に本実施形態の導電性基板の製造方法の一構成例について説明する。

本実施形態の導電性基板の製造方法は、以下の工程を有することができる。
透明基材の少なくとも一方の面上に銅層を形成する銅層形成工程。
そして、銅層形成工程において形成する銅層としては、膜厚が０．５μｍの場合の表面抵抗値が０．０７Ω／□以下である銅層を用いることができる。

以下に本実施形態の導電性基板の製造方法について具体的に説明する。

なお、本実施形態の導電性基板の製造方法により上述の導電性基板を好適に製造することができる。このため、以下に説明する点以外については上述の導電性基板の場合と同様の構成とすることができるため説明を省略する。

銅層形成工程に供する透明基材は予め準備しておくことができる（透明基材準備工程）。用いる透明基材の種類は特に限定されるものではないが、既述のように可視光を透過する樹脂基板（樹脂フィルム）や、ガラス基板等を好ましく用いることができる。透明基材は必要に応じて予め任意のサイズに切断等行っておくこともできる。
（銅層形成工程）
そして、銅層は既述のように、銅薄膜層を有することが好ましい。また、銅層は銅薄膜層と銅めっき層とを有することもできる。このため、銅層形成工程は、例えば乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程を有することができる。また、銅層形成工程は、乾式めっき法により銅薄膜層を形成する工程と、該銅薄膜層上に銅めっき層を形成する工程と、を有していてもよい。

銅薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に限定されるものではなく、例えば、蒸着法、スパッタリング法、又はイオンプレーティング法等を用いることができる。なお、蒸着法としては真空蒸着法を好ましく用いることができる。銅薄膜層を形成する工程で用いる乾式めっき法としては、特に膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。

次に銅めっき層を形成する工程について説明する。湿式めっき法により銅めっき層を形成する工程における条件は、特に限定されるものではなく、表面抵抗値が所定の範囲となるように任意に諸条件を採用すればよい。例えば、銅めっき液を入れためっき槽に銅薄膜層を形成した基材を供給し、電流密度や、基材の搬送速度を制御することによって、銅めっき層を形成できる。

ただし、既述のように、銅めっき層を形成する工程においては、単一のめっき槽を用いて湿式法により銅めっき層を成膜することが好ましい。

また、銅めっき層を形成する工程において、銅めっき層は電気めっき法により成膜することが好ましく、銅めっき液の添加剤としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド重合体を用いることが好ましい。

特に銅めっき層を形成する工程において、単一のめっき槽を用いて電気めっき法により銅めっき層は成膜され、かつ銅めっき液の添加剤としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド重合体を用いることがより好ましい。

なお、銅めっき液に添加剤としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド重合体を添加する場合、その添加量は特に限定されるものではなく、任意に選択することができる。例えば銅めっき液中のジアリルジメチルアンモニウムクロライド重合体の添加量が５ｍｇ／Ｌ以上４０ｍｇ／Ｌ以下となるように添加することができる。

ジアリルアンモニウムクロライド重合体の分子量としては３５００〜４５００の範囲が望ましい。分子量が３５００より小さいと成膜される銅層中に銅結晶成長があまり進行しない場合があり、４５００を超えても、銅結晶の成長にあまり寄与しない場合があるためである。

ジアリルジメチルアンモニウム重合体は単体の重合体でも良いが、ジアリルジメチルアンモニウム重合体として、ジアリルジメチルアンモニウム−ＳＯ_２共重合体を用いることが銅の結晶成長促進には特に望ましい。

導電性基板は既述のように黒化層および／または密着層を有することもできる。このため、黒化層形成工程および／または密着層形成工程をさらに有することもできる。
（黒化層形成工程）
黒化層形成工程について説明する。

黒化層形成工程において、黒化層を形成する方法は特に限定されるものではなく、任意の方法により形成することができる。

黒化層形成工程において黒化層を形成する際、例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等の乾式めっき法を好ましく用いることができる。特に、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。

また、既述のように黒化層は電気めっき法等の湿式法により成膜することもできる。
（密着層形成工程）
次に、密着層形成工程について説明する。

密着層形成工程を実施する場合、銅層形成工程は、密着層形成工程の後に実施することができる。

密着層は例えば図１Ａにおいて、透明基材１１の一方の主平面である第１の主平面１１ａ上に形成することができる。また、図１Ｂに示した導電性基板１０Ｂの場合、透明基材１１の第１の主平面１１ａおよび第２の主平面１１ｂに密着層を形成することもできる。透明基材１１の第１の主平面１１ａ及び第２の主平面１１ｂの両方に密着層を形成する場合には、両主平面に同時に密着層を形成してもよい。また、いずれか一方の主平面に密着層を形成後に他方の主平面に密着層を形成してもよい。

密着層を構成する材料は特に限定されるものではなく、透明基材及び銅層との密着力や、銅層表面での光の反射の抑制の程度、また、導電性基板を使用する環境（例えば湿度や、温度）に対する安定性の程度等に応じて任意に選択することができる。密着層を構成する材料として好適に用いることができる材料については既述のため、ここでは説明を省略する。

密着層の成膜方法は特に限定されないが、例えば上述のように、乾式めっき法により成膜することができる。乾式めっき法としては例えばスパッタリング法、イオンプレーティング法や蒸着法等を好ましく用いることができる。密着層を乾式法により成膜する場合、膜厚の制御が容易であることから、スパッタリング法を用いることがより好ましい。なお、密着層には上述のように炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素も添加することができ、この場合は反応性スパッタリング法をさらに好ましく用いることができる。

なお、密着層が炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含む場合には、密着層を成膜する際の雰囲気中に炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスを添加しておくことにより、密着層中に添加することができる。例えば、密着層に炭素を添加する場合には一酸化炭素ガスおよび／または二酸化炭素ガスを、酸素を添加する場合には酸素ガスを、水素を添加する場合には水素ガスおよび／または水を、窒素を添加する場合には窒素ガスを、乾式めっきを行う際の雰囲気中に添加しておくことができる。

炭素、酸素、水素、窒素から選ばれる１種以上の元素を含有するガスは、不活性ガスに添加し、乾式めっきの際の雰囲気ガスとすることが好ましい。不活性ガスとしては特に限定されないが、例えばアルゴンを好ましく用いることができる。

反応性スパッタリング法により密着層を成膜する場合、ターゲットとしては、密着層を構成する金属種を含むターゲットを用いることができる。密着層が合金を含む場合には、密着層に含まれる金属種毎にターゲットを用い、透明基材等の被成膜体の表面で合金を形成してもよく、予め密着層に含まれる金属を合金化したターゲットを用いることもできる。

密着層を上述のように乾式めっき法により成膜することにより、透明基材と密着層との密着性を高めることができる。そして、密着層は例えば金属を主成分として含むことができるため銅層との密着性も高い。このため、透明基材と銅層との間に密着層を配置することにより、銅層の剥離を抑制することができる。
（パターニング工程）
本実施形態の導電性基板の製造方法で得られる導電性基板は例えばタッチパネル等の各種用途に用いることができる。そして、各種用途に用いる場合には、本実施形態の導電性基板に含まれる銅層がパターニングされていることが好ましい。なお、黒化層や密着層を設ける場合は、黒化層や密着層についてもパターニングされていることが好ましい。銅層、場合によってはさらに黒化層、密着層は、例えば所望の配線パターンにあわせてパターニングすることができ、銅層、場合によってはさらに黒化層、密着層は同じ形状にパターニングされていることが好ましい。

このため、本実施形態の導電性基板の製造方法は、銅層をパターニングするパターニング工程を有することができる。なお、黒化層や、密着層を形成した場合には、パターニング工程は、密着層、銅層、及び黒化層をパターニングする工程とすることができる。

パターニング工程の具体的手順は特に限定されるものではなく、任意の手順により実施することができる。例えば図１Ａのように透明基材１１上に密着層１２、銅層１３、黒化層１４が積層された導電性基板１０Ａの場合、まず黒化層１４上に所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置工程を実施することができる。次いで、黒化層１４の上面、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチング工程を実施できる。

エッチング工程において用いるエッチング液は特に限定されるものではなく、エッチングを行う層を構成する材料に応じて任意に選択することができる。例えば、層毎にエッチング液を変えることもでき、また、同じエッチング液により同時に銅層、場合によってはさらに黒化層、密着層をエッチングすることもできる。

また、図１Ｂのように透明基材１１の第１の主平面１１ａ、第２の主平面１１ｂに密着層１２Ａ、１２Ｂ、銅層１３Ａ、１３Ｂ、黒化層１４Ａ、１４Ｂを積層した導電性基板１０Ｂについてもパターニングするパターニング工程を実施できる。この場合例えば黒化層１４Ａ、１４Ｂ上に所望のパターンを有するマスクを配置するマスク配置工程を実施できる。次いで、黒化層１４Ａ、１４Ｂの上面、すなわち、マスクを配置した面側にエッチング液を供給するエッチング工程を実施できる。

エッチング工程で形成するパターンについては特に限定されるものではなく、任意の形状とすることができる。例えば図１Ａに示した導電性基板１０Ａの場合、既述のように密着層１２、銅層１３、及び黒化層１４を複数の直線や、ぎざぎざに屈曲した線（ジグザグ直線）等を含むようにパターンを形成することができる。

また、図１Ｂに示した導電性基板１０Ｂの場合、銅層１３Ａと、銅層１３Ｂとでメッシュ状の配線となるようにパターンを形成することができる。この場合、密着層１２Ａ、及び黒化層１４Ａは、銅層１３Ａと同様の形状に、密着層１２Ｂ、及び黒化層１４Ｂは銅層１３Ｂと同様の形状になるようにそれぞれパターニングを行うことが好ましい。

また、例えばパターニング工程で上述の導電性基板１０Ａについて銅層１３等をパターニングした後、パターニングした２枚以上の導電性基板を積層する積層工程を実施することもできる。積層する際、例えば各導電性基板の銅層のパターンが交差するように積層することにより、メッシュ状の配線を備えた積層導電性基板を得ることもできる。

積層した２枚以上の導電性基板を固定する方法は特に限定されるものではないが、例えば接着剤等により固定することができる。

以上に説明した本実施形態の導電性基板の製造方法において導電性基板を製造する際、銅層について、膜厚が０．５μｍの場合の表面抵抗値が０．０７Ω／□以下の特性を有することができる。このため、導電性基板の表面抵抗値を所定の範囲内とするように銅層の膜厚を選択する際に銅層の膜厚を薄くすることができる。すなわち、銅層の膜厚を薄くした場合でも導電性基板の表面抵抗値を抑制することが可能になる。

また、上述の様に銅層は膜厚を薄くできることに加えて、銅層を細線となるようにパターニングすることもできる。このため、パターニングした後でも、銅層表面、特に銅層の側面での光の反射を抑制することができる。

以下に具体的な実施例、比較例を挙げて説明するが、本発明はこれらの実施例に限定されるものではない。
［実施例１］
（予備試験）
まず、予備試験として、透明基材上に、銅薄膜層及び銅めっき層を含む銅層を成膜した導電性基板であって、銅層の厚さが０．１μｍ〜０．５μｍの評価試料を作製し、評価試料の表面抵抗値の評価を行った。以下に評価試料の作製手順を説明する。

縦５００ｍｍ×横５００ｍｍ、厚さ５０μｍのポリエチレンテレフタレート樹脂（ＰＥＴ）製の透明基材を準備した。なお、透明基材として用いたポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材について、全光線透過率をＪＩＳ Ｋ ７３６１−１に規定された方法により評価を行ったところ９７％であった。

銅層形成工程では、銅薄膜層形成工程と、銅めっき層形成工程と、を実施した。

まず、銅薄膜層形成工程について説明する。

銅薄膜層形成工程では、基材として上述のポリエチレンテレフタレート樹脂製の透明基材を用い、以下の条件により透明基材上に銅薄膜層を形成した。

予め６０℃まで加熱して水分を除去した上述の透明基材を、銅のターゲットを装着したスパッタリング装置のチャンバー内に設置した。

次に、チャンバー内を１×１０^−３Ｐａまで排気した後、アルゴンガスを導入し、チャンバー内の圧力を１．３Ｐａとした。

そして係る雰囲気下でターゲットに電力を供給し、透明基材の一方の主平面上に銅薄膜層を厚さが５０ｎｍになるように成膜した。

次に、銅めっき層形成工程においては、銅薄膜層上に銅めっき層を形成した。銅めっき層は電気めっき法により成膜を行い、各評価試料について、銅層の厚さが表１に示したように０．１μｍ〜０．５μｍになるように成膜した。

実施例１の予備試験では、銅めっき層を成膜する際、単一のめっき槽を用い、めっき液には、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド−ＳＯ_２共重合体を添加した銅めっき液を用いて実施した。

銅めっき層形成工程で用いためっき液としては、銅、硫酸、及び塩素についての濃度が、銅３０ｇ／Ｌ、硫酸８０ｇ／Ｌ、塩素５０ｍｇ／Ｌとなるように調製した銅めっき液を用いた。用いた銅めっき液には、添加剤として上述のＤＤＡＣ−ＳＯ_２共重合体（ジアリルジメチルアンモニウムクロライド−ＳＯ_２共重合体）を２０ｍｇ／Ｌとなるように添加している。また、めっき液にはＤＤＡＣ−ＳＯ_２共重合体以外に、ポリマー成分としてＰＥＧ（ポリエチレングリコール）が６５０ｍｇ／Ｌ、ブライトナー成分としてＳＰＳ（ビス（３−スルホプロピル）ジスルフィド）が１５ｍｇ／Ｌとなるように添加している。

得られた評価試料について、表面抵抗値の評価を行った。

表面抵抗値は、低抵抗率計（株式会社ダイアインスツルメンツ製 型番：ロレスターＥＰ ＭＣＰ−Ｔ３６０）を用いて測定した。測定は４探針法により行い、評価試料の最表面の層、すなわち本予備試験の場合は銅層に探針が接触するようにして測定を行った。

評価結果を表１、及び図５に示す。

表１、図５に示した結果によると、銅層の厚さが０．５μｍの場合に表面抵抗値が０．０７Ω／□以下になっていることを確認できた。
（導電性基板の作製）
そこで、銅層の厚さを０．５μｍとし、銅層上にさらに黒化層を形成した点以外は予備試験の場合と同様の条件で導電性基板を作製した。

まず銅層形成工程として、上述の様に銅層の厚さを０．５μｍとした点以外は予備試験の場合と同様にして透明基材上に銅層を形成した。この際の作製条件については説明を省略する。

黒化層形成工程では、銅層上に、スパッタリング法により黒化層として酸素を含有するＮｉ−Ｃｕ層を形成した。

黒化層形成工程では、Ｎｉ−３５重量％Ｃｕ合金のターゲットを装着したスパッタリング装置により、黒化層として酸素を含有するＮｉ−Ｃｕ合金層を成膜した。以下に黒化層の成膜手順について説明する。

まず、透明基材上に、銅層を積層した積層体をスパッタリング装置のチャンバー内にセットした。

次にチャンバー内を１×１０^−３Ｐａまで排気した後、アルゴンガスと酸素ガスとを導入し、チャンバー内の圧力を１．３Ｐａとした。なお、この際チャンバー内の雰囲気は体積比で３０％が酸素、残部がアルゴンとしている。

そして係る雰囲気下でターゲットに電力を供給し、銅層上に厚さ３０ｎｍになるように黒化層を成膜した。

以上の工程により、銅層の上面、すなわち、銅層の透明基材と対向する面と反対側の面に黒化層を形成し、透明基材上に、銅層、黒化層がその順で積層された導電性基板が得られた。

得られた導電性基板について表面抵抗値を予備試験の場合と同様にして測定を行ったところ、０．０３７Ω／□になることが確認できた。これは予備試験で銅層の厚さが０．５μｍの場合と同じ結果であるが、黒化層の厚さが３０ｎｍと非常に薄く、導電性基板の表面抵抗値にほとんど影響を与えないためである。
［実施例２］
（予備試験）
銅めっき層形成工程において５槽のめっき槽を用い、銅層の厚さが表１に示したように０．２μｍ〜０．５μｍになるようにして銅めっき層を成膜した点以外は実施例１の予備試験と同様に評価試料を作製した。

なお、銅めっき層形成工程に用いた銅めっき液には実施例１の場合と同様に、ジアリルジメチルアンモニウムクロライド−ＳＯ_２共重合体を添加した。

得られた評価試料について実施例１と同様にして、表面抵抗値の評価を行った。

評価結果を表１、及び図５に示す。

表１、図５に示した結果によると、銅層の厚さが０．５μｍの場合に表面抵抗値が０．０７Ω／□以下になっていることを確認できた。
（導電性基板の作製）
そこで、銅層の厚さを０．５μｍとし、銅層上にさらに黒化層を形成した点以外は予備試験の場合と同様の条件で導電性基板を作製した。

黒化層については実施例１の場合と同様の条件で作製した。

得られた導電性基板について表面抵抗値を予備試験の場合と同様にして測定を行ったところ、０．０５５Ω／□になることが確認できた。これは予備試験で銅層の厚さが０．５μｍの場合と同じ結果であるが、黒化層の厚さが３０ｎｍと非常に薄く、導電性基板の表面抵抗値にほとんど影響を与えないためである。
［実施例３］
（予備試験）
銅めっき層形成工程において銅めっき液への添加剤としてＤＤＡＣ−ＳＯ_２共重合体にかえてヤヌスグリーンＢを用い、銅層の厚さが表１に示したように０．２μｍ〜０．５μｍになるようにして銅めっき層を成膜した点以外は実施例１の予備試験と同様に評価試料を作製した。

なお、銅めっき層形成工程で用いた銅めっき液としては実施例１で説明しためっき液に添加したＤＤＡＣ−ＳＯ_２共重合体の代わりに、同じ濃度となるように添加したヤヌスグリーンＢを用いており、ＤＤＡＣ−ＳＯ_２共重合体は含まれていない。また、銅めっき層形成工程において、単一のめっき槽を用いている。

得られた評価試料について実施例１と同様にして、表面抵抗値の評価を行った。

評価結果を表１、及び図５に示す。

表１、図５に示した結果によると、銅層の厚さが０．５μｍの場合に表面抵抗値が０．０７Ω／□以下になっていることを確認できた。
（導電性基板の作製）
そこで、銅層の厚さを０．５μｍとし、銅層上にさらに黒化層を形成した点以外は予備試験の場合と同様の条件で導電性基板を作製した。

黒化層については実施例１の場合と同様の条件で作製した。

得られた導電性基板について表面抵抗値を予備試験の場合と同様にして測定を行ったところ、０．０５Ω／□になることが確認できた。これは予備試験で銅層の厚さが０．５μｍの場合と同じ結果であるが、黒化層の厚さが３０ｎｍと非常に薄く、導電性基板の表面抵抗値にほとんど影響を与えないためである。
［比較例１］
（予備試験）
銅めっき層形成工程において銅めっき液への添加剤としてヤヌスグリーンＢを用い、５槽のめっき槽を用い、銅層の厚さが表１に示したように０．２μｍ〜０．５μｍになるようにして銅めっき層を成膜した点以外は実施例１と同様に評価試料を作製した。

なお、銅めっき層形成工程で用いた銅めっき液としては実施例１で説明しためっき液に添加したＤＤＡＣ−ＳＯ_２共重合体の代わりに、同じ濃度となるように添加したヤヌスグリーンＢを用いており、ＤＤＡＣ−ＳＯ_２共重合体は含まれていない。

得られた評価試料について実施例１と同様にして、表面抵抗値の評価を行った。

評価結果を表１、及び図５に示す。

表１、図５に示した結果によると、銅層の厚さが０．５μｍの場合に表面抵抗値が０．０７Ω／□を超えていることを確認できた。
（導電性基板の作製）
そこで、銅層の厚さを０．５μｍとし、銅層上にさらに黒化層を形成した点以外は予備試験の場合と同様の条件で導電性基板を作製した。

黒化層については実施例１の場合と同様の条件で作製した。

得られた導電性基板について表面抵抗値を予備試験の場合と同様にして測定を行ったところ、０．０７２Ω／□と実施例１〜実施例３と比較して大きくなることが確認できた。

すなわち、比較例１で作製した導電性基板において、所望の表面抵抗値とするためには、実施例１〜実施例３の場合よりも銅層の厚さを厚くする必要があることが確認できた。そして、銅層の厚さが厚くなることにより銅層表面、特に銅層の側面での反射が生じやすくなる。このため、例えばタッチパネル用に用いた場合、実施例１〜実施例３の導電性基板と比較するとディスプレイの視認性が低下することが確認できた。

以上に導電性基板を、実施形態および実施例等で説明したが、本発明は上記実施形態および実施例等に限定されない。特許請求の範囲に記載された本発明の要旨の範囲内において、種々の変形、変更が可能である。

本出願は、２０１５年６月２６日に日本国特許庁に出願された特願２０１５−１２９２８５号に基づく優先権を主張するものであり、特願２０１５−１２９２８５号の全内容を本国際出願に援用する。

１０Ａ、１０Ｂ、２０、２０１、２０２、４０ 導電性基板
１１ 透明基材
１３、１３Ａ、１３Ｂ、２３、２３１、２３２、４３Ａ、４３Ｂ 銅層

Claims (4)

1. 透明基材と、
   前記透明基材の少なくとも一方の面上に形成された銅層とを有し、
   前記銅層は、前記銅層の膜厚が０．５μｍの場合の表面抵抗値が０．０７Ω／□以下である導電性基板。
2. 前記銅層は、湿式法で成膜された銅めっき層を含んでおり、
   前記銅めっき層は単一のめっき槽を用いて成膜される請求項１に記載の導電性基板。
3. 前記銅層は、電気めっき法により成膜された銅めっき層を含んでおり、
   前記銅めっき層を成膜する際、添加剤としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド重合体を用いる請求項１または２に記載の導電性基板。
4. 前記ジアリルジメチルアンモニウムクロライド重合体としてジアリルジメチルアンモニウムクロライド−ＳＯ_２共重合体を用いる請求項３に記載の導電性基板。

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