JPWO2016098691A1 - 半導体装置、製造方法、電子機器 - Google Patents

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Abstract

本技術は、半導体装置を積層し、積層された半導体装置を識別することができるようにする半導体装置、製造方法、電子機器に関する。複数の半導体装置と積層され、一体化される半導体装置であり、他の半導体装置と接続するための第１の貫通電極と、第１の貫通電極と内部の素子を接続する第２の貫通電極とを備え、第２の貫通電極は、積層される半導体装置毎に異なる位置に配置されている。第２の貫通電極は、積層されたときの積層位置を表す。積層後に、外部信号による書き込みにより、積層された半導体装置の積層方向のアドレスが同定される。本技術は、メモリチップやFPGAチップに適用できる。

Description

本技術は、半導体装置、製造方法、電子機器に関する。詳しくは、メモリ・ロジック回路・FPGA（Field-Programmable Gate Array）などのデバイスを、積層一体化した半導体装置、製造方法、電子機器に関する。
メモリなどの半導体装置は、歩留まりやパッケージサイズの観点で小型化が望まれており、個片に分割した半導体チップを電気的に接続して一体化した半導体素子は既に量産化されている。
こうした半導体装置は、主にパッケージ技術の発展型として実現されており、チップ側壁の電極を介して接続する方法、シリコンインターポーザーを介して接続する方法、貫通電極を介して接続する方法などが応用例としてあげられる。
チップ同士を、外部入出力端子を介して電気的に接続する場合、測定および良品選別した後、積層する方法を取ることができるので、一体化した製品の歩留まり低下を防ぐことができる。しかしながら、入出力端子や保護素子のインピーダンスが大きいため、速度の低下や消費電力の増大が課題として挙げられる。またレイアウト面積も大きいため、無駄となるチップ領域も多くなってしまう。
またチップ同士を接合する場合、高精度の位置合わせを行ったマウントを製品の数と積層数を乗算した回数行わなければならないため、組み立てのスループットが悪くなり、コストが増大してしまう可能性がある。
一方近年ではウェーハ同士を張り合わせ、一体化して製品とする方法が用いられるようになってきている（例えば、特許文献１）。ウェーハ同士を張り合わせる最大のメリットは、張り合わせ時に高精度の位置合わせを実施することで、同じウェーハ内に存在する全てのチップの位置合わせ精度が保証される点にある。
特開2013-251511号公報
しかしながら、ウェーハ同士を張り合わせるようにした場合、積層チップ内に不良品が入っていると、積層後に不良品とされたチップのみを取り除く方法がないため、一体化したチップ全体が不良品になってしまう。
一般的にウェーハの多層積層を行う場合、異なるマスクセットと機能を持ったウェーハ同士を積層し、それぞれの貫通接続孔の位置や機能は、特定の電源や信号線として用いられるものになる。
このようなカスタム設計を行う場合、実現したい機能に応じて最適な設計を施せるので、素子面積の低減や動作速度の向上を実現することが可能である。
しかしながら、カスタム設計デバイスは、使用用途が限られたものになるので、不特定多数のユーザが同じデバイスを異なる目的で活用することは困難である。例えば、３層積層した場合、３種類のマスクセットを作り、それぞれを用いたデバイス構造を各ウェーハに形成し、張り合わせて一体化する必要がある。これらのマスクセットを別の目的で活用することは困難である。よってデバイス開発におけるマスクセットの費用が大きな割合を占めており、費用の低減が望まれている。
本技術は、このような状況に鑑みてなされたものであり、同じアレイデバイスを、同じマスクセットを利用して作成し、かつ相互に電気的な接続を有した３次元ネットワークを実現することができるようにするものである。
本技術の一側面の第１の半導体装置は、複数の半導体装置と積層され、一体化される半導体装置であり、他の半導体装置と接続するための第１の貫通電極と、前記第１の貫通電極と内部の素子を接続する第２の貫通電極とを備え、前記第２の貫通電極は、積層される半導体装置毎に異なる位置に配置されている。
前記第２の貫通電極は、積層されたときの積層位置を表すようにすることができる。
積層後に、外部信号による書き込みにより、積層された半導体装置の積層方向のアドレスが同定されるようにすることができる。
半導体装置に配置されたフューズまたはアンチフューズ素子と、前記第２の貫通電極との組み合わせにより、外部信号によって積層方向のアドレスが書き込まれるようにすることができる。
ウェーハの状態で積層され、前記第１の貫通電極と前記第２の貫通電極が形成された後、個片化されるようにすることができる。
前記半導体装置は、メモリであり、前記メモリ内で用いられるXYアドレスに加え、積層された半導体装置の積層位置を表すZアドレスを組み合わせてビット位置を特定するようにすることができる。
記憶領域および冗長領域を、積層された複数の半導体装置間で共有するようにすることができる。
前記半導体装置は、FPGA（プログラマブル・ロジック・アレイ）であり、半導体装置内での位置を特定するXYアドレスと、半導体装置間での位置を特定するZアドレスにより、回路機能を書き込むロジックエレメントの配置を特定するようにすることができる。
積層方向の配線アレイ間を、プログラム可能な選択スイッチが付加された貫通電極を経由して接続し、３次元方向のネットワーク接続をロジックエレメント単位で構成するようにすることができる。
半導体装置内での信号の流れを制御するスイッチと、積層された半導体装置間での信号の流れを制御するスイッチを備えるようにすることができる。
外部接続端子と保護素子が形成された半導体装置と積層され、積層された半導体装置間は、前記第１の貫通電極により相互に接続され、前記外部接続端子と前記保護素子を、積層されている複数の半導体装置で共用するようにすることができる。
撮像素子が積層され、前記半導体装置は、前記撮像素子で撮像された信号のデータを記憶するメモリであり、前記メモリは、前記撮像素子の下層に複数積層され、前記メモリからの信号を処理する処理部が前記メモリの下層に積層されているようにすることができる。
本技術の一側面の第２の半導体装置は、平面状のコンフィギュラブルロジックアレイを、前記平面と直交する方向に複数積層し、前記コンフィギュラブルロジックアレイは、ロジックエレメントと、前記平面内で、縦方向および横方向に配置された単位配線と、前記縦方向および横方向の前記単位配線への接続と遮断を行う第１のスイッチと、を備え、前記ロジックエレメント、前記単位配線、および前記第１のスイッチを含む繰り返し単位が、前記平面内の縦方向と横方向に繰り返し配置され、前記繰り返し単位において、前記繰り返し単位内の前記単位配線と、前記コンフィギュラブルロジックアレイの前記直交方向に隣接する、他のコンフィギュラブルロジックアレイが含む、前記繰り返し単位内の前記単位配線との接続と遮断を行う第２のスイッチをさらに備え、前記第１のスイッチと前記第２のスイッチとの双方を介して、前記平面方向と前記直交方向とからなる３次元方向にロジック回路が構成されている。
本技術の一側面の製造方法は、複数の半導体装置と積層され、一体化される半導体装置を製造する製造方法において、他の半導体装置と接続するための第１の貫通電極と、前記第１の貫通電極と内部の素子を接続する第２の貫通電極とをそれぞれ形成するステップを含み、前記第２の貫通電極は、積層される半導体装置毎に異なる位置に配置されているように形成する。
本技術の一側面の電子機器は、複数の半導体装置と積層され、一体化される半導体装置を含む電子機器であり、前記半導体装置は、他の半導体装置と接続するための第１の貫通電極と、前記第１の貫通電極と内部の素子を接続する第２の貫通電極とを備え、前記第２の貫通電極は、積層される半導体装置毎に異なる位置に配置されている半導体装置を含む。
本技術の一側面の第３の半導体装置は、積層された複数の半導体装置と、前記半導体装置とデータの授受を行うデータ信号線と、前記半導体装置とアドレスの授受を行う制御信号線とを備え、前記データ信号線と前記制御信号線は、それぞれ多重されており、前記データ信号線の多重度は、前記制御信号線の多重度よりも低い。
前記複数の半導体装置のうちから、データの授受を行う半導体装置を選択するための選択信号の受授を行うチップ指定信号線をさらに備え、前記チップ指定信号線は、多重されており、前記チップ指定信号線の多重度は、前記制御信号線の多重度よりも低いまたは同等であるようにすることができる。
前記複数の半導体装置のそれぞれは、自己に割り振られた積層方向のアドレスを記憶し前記チップ指定信号線は、デコードされた前記積層方向のアドレスを授受するようにすることができる。
前記半導体装置は、メモリであり、前記メモリは、８層積層され、前記メモリは、４多重されており、前記８層積層されているメモリのうち、２層のメモリが同時に駆動されるようにすることができる。
前記半導体装置は、前記データ信号線用に、他の半導体装置と接続するための第１の貫通電極と、前記第１の貫通電極と接続するための第２の貫通電極とを備え、前記第２の貫通電極は、異なるデータが供給される半導体装置毎に異なる位置に配置されているようにすることができる。
本技術の一側面の第１の半導体装置においては、複数の半導体装置と積層され、一体化される半導体装置であり、他の半導体装置と接続するための第１の貫通電極と、第１の貫通電極と内部の素子を接続する第２の貫通電極とが備えられ、第２の貫通電極は、積層される半導体装置毎に異なる位置に配置されている。
本技術の一側面の第２の半導体装置においては、平面状のコンフィギュラブルロジックアレイが、平面と直交する方向に複数積層されている。コンフィギュラブルロジックアレイは、ロジックエレメントと、平面内で、縦方向および横方向に配置された単位配線と、縦方向および横方向の単位配線への接続と遮断を行う第１のスイッチとを備え、ロジックエレメント、単位配線、および第１のスイッチを含む繰り返し単位が、平面内の縦方向と横方向に繰り返し配置され、繰り返し単位において、繰り返し単位内の単位配線と、コンフィギュラブルロジックアレイの直交方向に隣接する、他のコンフィギュラブルロジックアレイが含む、繰り返し単位内の単位配線との接続と遮断を行う第２のスイッチをさらに備え、第１のスイッチと第２のスイッチとの双方を介して、平面方向と垂直方向とからなる３次元方向にロジック回路が構成されている。
前記製造方法においては、前記第１の半導体装置が製造される。
前記電子機器においては、前記第１の半導体装置を含む構成とされる。
本技術の一側面の第３の半導体装置においては、積層された複数の半導体装置と、半導体装置とデータの授受を行うデータ信号線と、半導体装置とアドレスの授受を行う制御信号線とが備えられ、データ信号線と制御信号線は、それぞれ多重されており、データ信号線の多重度は、制御信号線の多重度よりも低く設定されている。
本技術の一側面によれば、同じアレイデバイスを、同じマスクセットを利用して作成し、かつ相互に電気的な接続を有した３次元ネットワークを実現することができる。
なお、ここに記載された効果は必ずしも限定されるものではなく、本開示中に記載されたいずれかの効果であってもよい。
積層されるチップの構成について説明するための図である。 貫通電極について説明するための図である。 貫通電極について説明するための図である。 アドレスの書き込みついて説明するための図である。 アドレスの書き込みについて説明するための図である。 冗長領域の救済について説明するための図である。 冗長領域の救済について説明するための図である。 FPGAの構造について説明するための図である。 FPGAの構造について説明するための図である。 ３次元ネットワークについて説明するための図である。 ３次元ネットワークについて説明するための図である。 ３次元ネットワークについて説明するための図である。 ３次元ネットワークについて説明するための図である。 適用例について説明するための図である。 適用例について説明するための図である。 適用例について説明するための図である。 適用例について説明するための図である。 適用例について説明するための図である。 積層メモリへの適用例について説明するための図である。 積層メモリへの適用した場合の貫通電極について説明するための図である。 制御チップとメモリチップの構成について説明するための図である。 積層メモリへの適用例について説明するための図である。 積層メモリへの適用例について説明するための図である。 積層メモリへの適用例について説明するための図である。 積層メモリへの適用例について説明するための図である。 電子機器について説明するための図である。 使用例について説明するための図である。
以下に、本技術を実施するための形態（以下、実施の形態という）について説明する。なお、説明は、以下の順序で行う。
１．積層構造について
２．貫通電極について
３．各層の判別方法について
４．アドレスの書き込みについて
５．冗長領域の共有について
６．FPGAの構造について
７．３次元ネットワークについて
８．適用例について
９．適用例（メモリ）について
１０．電子機器の構成について
１１．撮像装置の使用例について
＜積層構造について＞
本技術によれば、同じアレイデバイスを同じマスクセットを利用して作成し、かつ相互に電気的な接続を有した半導体デバイスにおいて、外部信号による電位書き込みによって積層された素子の上下(Z軸)方向の配置アドレスが同定される半導体装置を提供することができる。
アレイ配置を有するデバイス、例えばメモリやゲートアレイのようなデバイス構造は、多層積層構造を規模の拡張に用いることができるので、同一のマスクセットを複数のデバイスセットで共有して用いることが可能である。ここでは、このようなデバイス構造を有する半導体装置を例に挙げて説明を続ける。
図１、図２を参照し、３つのチップを積層した場合を例に挙げ、上記したデバイス構造を有する半導体装置について説明する。図１に示したように、ロジック回路チップ１０、メモリチップ２０、およびメモリチップ３０を、図２に示したように積層する。ロジック回路チップ１０には、例えば、入出力部１１、回路部１２、保護回路１３などが搭載されている。
メモリチップ２０やメモリチップ３０は、DRAMなどのメモリチップである。メモリチップ２０には、メモリセル２１と、そのメモリセル２１からデータを読み出すデコーダ２２が搭載され、デコーダ２２は、図１に示したように、垂直方向と水平方向にそれぞれ備えられている。またメモリセル２１も、図中左右にそれぞれ設けられ、デコーダ２２も、それぞれのメモリセル２１に対応して設けられている。
また、メモリチップ２０には、冗長用fuseデバイス２４も搭載されている。メモリチップ２０のデータおよび制御信号の書き込み・読み出し線は、貫通電極（図２）を介して外部のチップから引き込まれている。
メモリチップ２０とメモリチップ３０は、同じ構成を有し、同じマスクで生成されたチップである。メモリチップ３０の裏面は、図１の右側に示したように、バンプ４１とメモリ接続部４２が設けられている。バンプ４１は、裏面に複数設けられている。このバンプ４１を介して、図示していない処理部と接続されている。
メモリチップ２０とメモリチップ３０のメモリ容量は、１チップあたり、例えば500Mbitであるとすると、２つのチップを２層積層すると1Gbit、４層積層すると2Gbitになる。このように製品の仕様に応じて積層数を変化させ、搭載容量を所望とされる容量に設定することが可能である。
入出力端子、入出力部の保護回路、テスト回路、積層チップのアドレスを制御するアドレス制御回路などは、メモリとは別のウェーハ（もしくは最上層メモリの裏面）に作り込まれており、これらのウェーハとメモリ本体は、貫通電極を介して電気的に接続されている。
図１、図２に示した例では、同一のマスクセットを複数のデバイスセットで共有して用いることが可能である例として、メモリチップ２０とメモリチップ３０を挙げている。
このような構成においては、入出力端子や保護素子を作り込むウェーハ、製品固有の機能を作り込むウェーハ、拡張可能なアレイデバイスを複数積層するウェーハなどに分けて設計することが考えられる。
入出力ウェーハや製品固有の機能を作り込むウェーハは、製品毎に仕様を変え、別々のマスクセットを用いて作成することが必要であるが、半導体チップのサイズさえ固定してしまえば、アレイデバイス部分は全て同じマスクセットを用いて生産することが可能になる。
回路用のウェーハとメモリ用のウェーハはそれぞれ別々のウェーハプロセスで形成され、貼り合わされて一体化された後、電気的接続部が形成される。
このような構成のデバイスを実現する上で解決すべき課題がある。同じマスクセットで作成したウェーハを積層した場合、外部から複数あるアレイデバイスのアドレスを判別してデータを書き込むことができないため、この問題を解決する必要がある。以下に、この問題を解決する本技術について説明する。
＜貫通電極について＞
図２を再度参照するに、複数のチップを積層した場合、貫通電極が設けられ、各チップは、貫通電極を介して電気的に接続される。
メモリチップ２０とメモリチップ３０には、それぞれ貫通電極５１と貫通電極５３が設けられている。貫通電極５１と貫通電極５３が接続されることで、ロジック回路チップ１０、メモリチップ２０、およびメモリチップ３０は互いにデータや電力の授受が行えるように接続されている。
なお、貫通電極は、データの授受用、電力の授受用などと、それぞれ機能が割り当てられている。ここでは、特に断りがない場合、データの授受用の貫通電極であるとして説明を続ける。
メモリチップ２０には、メモリチップ２０からの出力をロジック回路チップ１０に出力するためや、ロジック回路チップ１０からの出力をメモリチップ２０に出力するために、貫通電極５１と接続される貫通電極５２が設けられている。
同様に、メモリチップ３０には、メモリチップ３０からの出力をロジック回路チップ１０に出力するためや、ロジック回路チップ１０からの出力をメモリチップ３０に出力するために、貫通電極５２と接続される貫通電極５３が設けられている。
このような貫通電極は、メモリチップ２０やメモリチップ３０に、それぞれ複数設けられ、積層されているチップ間でのデータの授受などが行えるように構成されている。
＜各層の判別方法について＞
図２に示したように、複数のチップを積層した場合、何層目のチップにデータを出力するのか、何層目のチップからのデータであるのかを識別する必要がある。そこで、本技術においては、以下に説明するような貫通電極をチップに形成する。
図３に３枚のチップが積層されている場合を示す。図３に示した例では、チップ６０、チップ７０、チップ８０が積層されている。チップ６０、チップ７０、チップ８０は、例えば、図１に示したメモリチップ２０や、後述するFPGAチップ２２２（図９のＡ）などに該当するチップである。
チップ６０には、縦方向（図中上下方向）に、チップ６０を貫く貫通電極６１と貫通電極６５が、異なる位置に設けられている。またチップ６０には、横方向（図中左右方向）に、チップ６０に設けられている素子６４、素子６９、例えば、保護ダイオードや選択ＭＯＳなどの素子と接続される表面配線６２と表面配線６６が設けられている。
この表面配線６２と表面配線６６は、場所によっては、裏面配線６３または裏面配線６８と接続される。図３に示した例では、表面配線６２は、裏面配線６３と接続されていないが、表面配線６６は、貫通電極６７で裏面配線６８と接続されている。
同様にチップ７０には、縦方向に、チップ７０を貫く貫通電極７１と貫通電極７６が、異なる位置に設けられている。チップ７０に設けられている貫通電極７１は、チップ６０に設けられている貫通電極６１と接続され、貫通電極７６は、貫通電極６５と接続されている。
チップ７０には、横方向に、チップ７０に設けられている素子７５、または素子７９と接続される表面配線７２と表面配線７７が設けられている。この表面配線７２は、貫通電極７３で裏面配線７４と接続され、表面配線７７は、裏面配線７８と接続されていない。
同様に、チップ８０には、縦方向に、チップ８０を貫く貫通電極８１と貫通電極８５が、異なる位置に設けられている。チップ８０に設けられている貫通電極８１は、チップ７０に設けられている貫通電極７１と接続され、貫通電極８５は、貫通電極７６と接続されている。
貫通電極８１、貫通電極７１、および貫通電極６１が接続されることで、各層を貫く貫通電極が形成される。同様に、貫通電極８５、貫通電極７６、および貫通電極６５が接続されることで、各層を貫く貫通電極が形成される。
チップ８０には、横方向に、チップ８０に設けられている素子８４、または素子８８と接続される表面配線８２と表面配線８６が設けられている。この表面配線８２は、裏面配線８３と接続されず、表面配線８６は、裏面配線８７と接続されていない。
このように、各層により、裏面配線と接続されている貫通電極は異なる。図３に示した例では、下から１層目、２層目、３層目とした場合、１層目のチップ６０は、部分Ｂ（図中右側）に貫通電極６７が設けられている。貫通電極６７があることで、素子６９、表面配線６６、貫通電極６７、裏面配線６８、および貫通電極６５が接続された構成となる。
例えば、チップ６０の下層として、ロジック回路チップ１０（図３では不図示）が積層されていた場合、素子６９からのデータを、貫通電極６５に接続されているロジック回路チップ１０に出力することができる構成となる。
また、部分Ｂに設けられている貫通電極６５には、２層目のチップ７０や３層目のチップ８０は接続されていない。よって、部分Ｂに設けられている貫通電極６５を介して得られるデータは、１層目のチップ６０からであることが、データを受け取る側でも認識できる構造である。
同様に、２層目のチップ７０は、部分Ａ（図中左側）に貫通電極７３が設けられている。貫通電極７３があることで、素子７５、表面配線７２、貫通電極７３、裏面配線７４、および貫通電極７１が接続された構成となる。
このような構成となることで、例えば、素子７５からのデータを、貫通電極７１に接続されているロジック回路チップ１０（図３では不図示）などに出力することができる。
また、部分Ａに設けられている貫通電極７１には、１層目のチップ６０や３層目のチップ８０は接続されていない。よって、部分Ａに設けられている貫通電極７１を介して得られるデータは、２層目のチップ７０からであることが、データを受け取る側でも認識できる構造である。
このように、チップに設けられている素子と、各層を貫く貫通電極（第１の貫通電極とする）、例えば、貫通電極６５などを接続する貫通電極（第２の貫通電極とする）、例えば、貫通電極６７などを設け、第２の貫通電極を各層において、異なる位置に設けることで、その位置により各層を区別することが可能となる。
また後述するように、異なる層に配置されるチップであっても、同一のデータが供給されるチップの第２貫通電極は、同一のデータが供給されるチップで、同一の位置に設けられる。同一の位置に第２の貫通電極が設けられることで、その第２の貫通電極に接続されている第１の貫通電極に流されたデータは、複数のチップに同時に供給されるようにすることができる。
このように、第２の貫通電極は、各層において異なる位置に設けることで、その位置により各層を区別することが可能となるととともに、同一のデータを供給したいチップでは、同じ位置に設けることで、同一のデータが供給されるようにすることもできる。
図３に示した積層されたチップ間を接続する貫通電極、例えば、貫通電極６１，７１，８１は、各ウェーハの裏面から、各ウェーハの表面へ向かって、ウェーハプロセスのリソグラフィおよびドライエッチング技術により開口される。
なお裏面貫通接続電極の開口サイズの縮小、開口時間の短縮のためには、メモリ基板（例えば、チップ６０など）のウェーハ厚は、特性を劣化させない範囲で薄膜化されることが望ましい。
その際、下層のウェーハの裏面配線に接続される第１の貫通電極と、当該ウェーハの表面配線に接続される第２の貫通電極は、それぞれ異なるマスクが用いられ、深さの異なる２種類の電極が加工される。このとき、第１の貫通電極を形成するためのマスクは、積層されるウェーハで共通して用いることができる。第２の貫通電極を形成するためのマスクは、層を識別するための貫通電極や、異なるデータを供給したい素子に繋がれる貫通電極以外の部分は、共通のマスクを用いることができる。
両電極とも銅などの導電性材料が充填され、裏面配線によって相互に接続が形成される。この方法により、下層ウェーハと当該ウェーハの電気的な接続が実現され、かつ第２の貫通電極の配置を貼り合わせ層毎に切り替えることが可能になる。この結果、各ウェーハに作り込まれたデバイスが、どの層に存在しているかを情報として書き込むことが可能となる。
このように第１の貫通電極および第２の貫通電極の接続経路となるメモリウェーハの領域は、接続の障害となるデバイス構造が重ならないように設計されており、第１の貫通電極は、下層ウェーハの裏面配線に接続され、第２の貫通電極は、メモリウェーハ内の配線に接続されるように構成されている。
＜アドレスの書き込みについて＞
全ての信号線の接続経路を積層チップ毎に作り分けるためには、第２の貫通電極の接続位置を、積層数分だけ乗算した個数分準備しなければならないが、貫通電極を形成するために設けられる貫通接続孔は、通常のコンタクトホールと比較すると極めて大きなサイズで描かれているため、レイアウト面積のロスが大きくなってしまう可能性がある。
そこで図４に示すように、チップアドレスを書き込む経路のみが積層チップ１０３毎に作り分けられ、他のデータ線の接続経路は、全て同じ位置に重ねて配置するようにレイアウトされるように構成する。
チップ選択アドレスは、積層位置が何層目であるかを選択するデコーダのデータ線の選択アドレスであり、４層分のメモリチップが接続された場合は２bitのチップアドレスデコード線１０１が必要になる。
全てのウェーハプロセスが完了し、全積層ウェーハに対する電気接続と外部入出力端子の形成が終了した段階で、チップデコードアドレスが、各層のデバイスに書き込まれる。この書き込みについては、図５以降の図を参照して後述する。
なお、チップ選択アドレスを書き込む経路だけはウェーハ毎に第２の貫通電極の配置を変えておく必要がある。アドレス書き込みの回路が駆動され、アドレス線に対応した位置の選択トランジスタがONにされたとき、デコードアドレスに対応したフューズ回路に情報が書き込まれる。
このとき、アドレスに対応したウェーハのフューズ、例えば、図１に示したメモリチップ２０である場合、fuseデバイス２４に情報が書き込まれる一方で、アドレスに対応していないウェーハのフューズには、情報が書き込まれない構造にすることが必要である。よってフューズの書き込み部分だけは、アドレスに対応した位置に貫通電極を開口し、それ以外は貫通電極を開口しないようにマスクを作り分けておくようにしても良い。
一度チップアドレスデコード線にデータを書き込んでしまえば、その後は恒久的にチップアドレスが認識されるようになり、データの書き込み・消去を行いたいチップであるかどうかの判別は、チップアドレスデコード線とのデータの比較を行うことで実現される。
このような方法で事前に積層チップのアドレス情報を書き込んでおくと、複数のチップの任意のXYアドレスに同時にアクセスすることが可能になり、並列処理による高速化、冗長領域の共有化などに対応でき、積層チップのシステムを構築する上で大きなアドバンテージとなる。
図５は、Ｚ方向（接続層位置）のアドレスが、各ウェーハに書き込まれる原理を説明するための図である。図５を参照した説明では、４個のチップが、４層積層されている場合を例に挙げて説明する。
アレイデバイス、例えば、図２に示したチップ６０，７０，８０が形成されているウェーハとは異なる層に存在するデバイス（以下、チップアドレスデコーダと記述する）から積層チップのアドレスを制御する信号が供給される。
各層には積層チップアドレスデコーダに連結する形でアドレス書き込み用デバイス（フューズ・アンチフューズ等）が作り込まれている。前述の通り、層毎に第２の貫通電極の配置を変えてアドレス情報を書き込むフューズデバイスの位置を切り替えているため、制御チップでアドレス信号を切り替えると、アドレス信号に対応したアドレス書き込み用デバイスが駆動される。
例えば、図３に示したような貫通電極が設けられている積層チップにおいて、１層目のチップ６０は、部分Ｂに設けられている貫通電極６５（第１の貫通電極に相当）と貫通電極６７（第２の貫通電極に相当）が接続されている。この貫通電極６５とチップアドレスデコーダは連結され、貫通電極６５にアドレス書き込み用デバイスが作り込まれている。具体的には、貫通電極６５と接続されている貫通電極６７、さらに貫通電極６７に表面配線６６を介して接続されている素子６９に、アドレス書き込み用デバイスが作り込まれている。
制御チップ側でアドレス信号を切り換え、例えば１層目のチップ６０に対応したアドレス信号に切り換えられた場合、そのアドレス信号に対応したアドレス書き込み用デバイス、この場合、１層目のチップ６０に作り込まれているアドレス書き込み用デバイスが駆動される。
このようなアドレス信号の切り換え、アドレス書き込み用デバイスの駆動、そしてアドレスの書き込みが、各層で実行されることで、積層された各層のチップに、そのチップが何層目であるかを示すアドレスが書き込まれる。
例えば、図５に示すように、１層目のチップには、（００）がアドレスとして書き込まれる。図５に示した（０００/１）のうち、（００）はスタックアドレス（Stack Address）であり、（０/１）は、ONのとき１、OFFのとき０の値を取る。スタックアドレスとは、チップの積層方向（Ｚ軸方向）のアドレスである。ON、OFFの情報は、上記したように、アドレス線に対応した位置の選択トランジスタがONにされたとき、デコードアドレスに対応したフューズ回路に情報が書き込まれる用にするための情報である。
同様に、２層目のチップには、（０１）がスタックアドレスとして書き込まれ、３層目のチップには、（１０）がスタックアドレスとして書き込まれ、４層目のチップには、（１１）がスタックアドレスとして書き込まれる。なお、４層の場合には、２ビットのスタックアドレスでよいが、積層されるチップ数に応じて、スタックアドレスのビット数は設定される。
このように積層チップのアドレス情報が、各チップに恒久的に書き込まれる。このようなアドレスの書き込み以降の動作においては、チップに書き込まれた積層チップアドレス情報と、データを書き込みたいチップのアドレス情報を比較すれば、特定の貫通電極（貫通孔）を経由しなくても、正しいアドレス位置のデータを各チップに転送することができる。
このような原理により、各チップに層識別アドレスが書き込まれていると、複数の経路からデータを送るバッチ処理や、制御チップを介さず直接アレイデバイス間でデータを受け渡すダイレクトパスを作ることが可能になり、デバイスの高速化や低電力化に大きなアドバンテージをもたらすことができる。
＜冗長領域の共有について＞
上記したように、各層のチップに、何層目のチップであるかを表すアドレスが書き込まれることで、例えば、以下に説明する冗長領域の共有を行えるようになる。まず図６を参照して不良が発生した列を他の列に置き換えることについて説明する。
図６に示したのは、例えば、チップ６０であり、このチップ６０がメモリであるとする。チップ６０のうち、第２列目に、不良（図中×印は不良を表す）があるため、第２列目は不良列として無効化される。チップ６０には、このような不良列の代替列として、第１５乃至２０列目が、冗長列として設定されている。
不良列として無効化された第２列目の代わりに、冗長列として設定されている第１５列目が有効化される。このように、不良列が検出された場合、その列の代わりに、冗長列が有効化され、不良列の置き換えが実行される。
図６のＢに示した状況は、不良列が７列検出された状況である。第２列目、第３列目、第５列目、第６列目、第８列目、第９列目、および第１２列目の合計７列が、不良列として検出されている。冗長列は、第１５乃至２０列目の６列である。
このような状況の場合、第２列目は第１５列目に置き換えられ、第３列目は第１６列目に置き換えられ、第５列目は第１７列目に置き換えられ、第６列目は第１８列目に置き換えられ、第８列目は第１９列目に置き換えられ、第９列目は第２０列目にそれぞれ置き換えられる。しかしながら、第１２列目を置き換える冗長列はないため、第１２列目を置き換えることができない。
このような場合、チップ６０自体が不良として扱われる。また、複数のチップが積層され、その積層されているチップに、不良とされたチップ６０が含まれていると、上記したようなアドレスの書き込み（層を判別する手段）がないと、積層されているチップ全てが不良として扱われる。
すなわち一般には、同一チップ内でしか、置き換え用冗長アドレスを認識できないため、積層されたチップを跨った冗長救済を行うことは困難であった。しかしながら、上記したように、予め積層チップ選択アドレス（Ｚアドレス、上記したスタックアドレスに該当）がチップ内に書き込まれていれば、積層チップを並列にテスト・冗長救済を行うことができるようになり、上下に積層されたチップに１箇所でも未使用の救済用冗長列があれば、置き換え先として利用することが可能になる。これにより積層チップの歩留まりの向上に大きなメリットをもたらすことになる。
このことについて、図７を参照して説明する。図７の左側に図示したのがチップ６０であり、右側に図示したのがチップ７０であるとする。また、チップ６０とチップ７０は、図３に示したように積層されたチップ同士であるとする。
図７の左図に示したチップ６０は、図６のＡに示したチップ６０と同じく、第２列目が不良列と検出され、第１５列目に置き換えられた状態である。図７の右図に示したチップ７０は、図６のＢに示したチップ６０と同じく、不良列として検出された第２列目は第１５列目に置き換えられ、第３列目は第１６列目に置き換えられ、第５列目は第１７列目に置き換えられ、第６列目は第１８列目に置き換えられ、第８列目は第１９列目に置き換えられ、第９列目は第２０列目にそれぞれ置き換えられた状態である。
図７の右図に示したチップ７０は、さらに、第１２列目が不良列と検出されたが、チップ７０に設けられている冗長列は、既に、他の不良列の置き換えとして用いられているため、第１２列目を置き換える冗長列が残っていない。
全ての冗長列が使用されているチップ７０に対して、チップ６０には、使用されていない冗長列として、第１６乃至２０列目が残っている。上記したように、本技術によれば、積層されているチップを識別することができるため、チップ７０内で割り振ることができない不良列を、チップ６０内の冗長列に割り振ることが可能である。
そこで、チップ７０の第１２列目は、チップ６０の第１６列目に置き換えられる。この後、例えば、チップ７０の第１２列目に書き込まれるデータは、置き換えられたチップ６０の第１６列目に書き込まれる。
このように、従来技術において各ウェーハ内で不良発生列数が冗長可能列数を超えると救済することができなかった場合においても、本技術によれば、救済することが可能となる。
すなわち、本技術によれば、上下に積層した複数のウェーハ（Wafer）間に跨ってテストを行い、冗長領域をあてがうことが可能になる。これにより、積層チップ化による歩留まりロスを最小限に抑えることが可能になり、チップコストの低減を実現することが可能となる。
＜FPGAの構造について＞
次に、本技術を適用してFPGA（プログラマブル・ロジック・アレイ）を作成する場合について説明する。まず本技術を適用した場合と適用していない場合との違いを説明するために、適用していない場合について図８を参照して説明する。
図８に示した積層チップは、チップ２０１乃至２０５が積層されている。チップ２０１には、SRAM（Static Random Access Memory）が複数配置され、チップ２０２には、JTAG（Joint Test Action Group）が複数配置され、チップ２０３には、乗算器が複数配置されている。チップ２０４には、クロック・ネットワークが形成されている。チップ２０５には、I/O部、内部配線、ロジックセルがそれぞれ所定の位置に配置されている。
積層されたチップ２０１乃至２０５のうちの各ロジックエレメントは、アレイ状に配置されており、ロジック機能を書き込むための、ルックアップテーブル（Look up table）とメモリ部から構成されている。各FPGA チップは、ロジックエレメントを、アレイ上に接続する内部配線によって主要部が構成され、タイミングを合わせるクロック・ネットワークと入出力部などが作り込まれている。各エレメントの出力は、クロックで同期されたフリップフロップに接続され、タイミング毎の演算データを次段に送る仕組みになっている。
一般的なFPGAは、ロジックエレメント内に書き込まれた機能プログラムと、内部接続配線の接続先を切り替える接続プログラムによって、大規模な論理回路を読み込み、消去しながら動作させることが可能になっている。
図９のＡ、図９のＢは、本技術の原理を利用してプログラマブル・ロジック・アレイを作成した例を模式的に示したものである。図９のＡに図示した積層チップは、I/F部が形成されたI/Fチップ２２１上に、FPGAチップ２２２乃至２２４が積層されている。FPGAチップ２２２乃至２２４のそれぞれには、CLB（コンフィギャラブル・ロジック・ブロック）、RAM、ＤＳＰ（Digital Signal Processor）などが複数配置され、各層とデータの授受を行うためのインタフェース（I/O部）が配置されている。
図９のＢに図示した積層チップは、支持基板２４１上に、FPGAチップ２４２乃至２４４が積層されている。またFPGAチップ２４４の上にはHM-IP（ハードマクロIP）チップ２４５とI/Oチップ２４６が積層されている。FPGAチップ２４２乃至２４４は、FPGAチップ２２２（図９のＡ）と同様の構成とされている。HM-IPチップ２４５には、HM-IP部が形成されている。I/Oチップ２４６には、I/O部が形成されている。各層には貫通電極（TSV）が形成されており、各層はTSVで接続されている。
図９のＡに示した積層チップは、I/Fチップ２２１で各層が支えられ、このI/Fチップ２２１を介して他の処理部とデータの授受が行われる。図９のＡに示した積層チップにおいては、I/Fチップ２２１を最下層とした場合、上層であるFPGAチップ２２２乃至２２４からのデータがI/Fチップ２２１を介して、出力されることになる。この場合、データの流れは上層から下層へとなる。
図９のＢに示した積層チップは、支持基板２４１で各層が支えられ、この支持基板２４１を最下層としたとき、最上位層に位置するI/Oチップ２４６を介して、他の処理部とデータの授受が行われる。図９のＢに示した積層チップにおいては、下層のFPGAチップ２４２乃至２４５からのデータが、上層のI/Oチップ２４６を介して出力されることになる。この場合、データの流れは下層から上層へとなる。
このように、本技術の適用範囲は、各層からのデータをどのように取り出すかにより限定はされない。図９のＡや図９のＢに示したように、アレイ部分のみを多層積層することで、搭載するロジックエレメント数を可変にすることが可能となる。また入出力部分やコアロジックIP部分は、アレイ部分とは別のウェーハで作り分けられる構成とすることができる。
＜３次元ネットワークについて＞
上述したように、本技術によれば、複数のチップを積層し、各チップが何層目に位置するかを識別できるようになる。例えば、複数のFPGAチップを積層し、それらの複数のFPGAチップを、あたかも１枚のチップのように扱うようにすることができる。換言すれば、複数のFPGAチップを積層することで、上下左右方向の３次元的に信号の授受を行える１枚のチップとして扱うことができる。
ここで、３次元的にネットワーク接続されたFPGAを実現する方法について説明する。図１０のＡは、１層のFPGAチップ３０１の一部分の構成を示した図である。FPGAチップ３０１には、CLBと称される論理ブロックが平面方向に多数配置されている。図１０のＡでは、４個のCLB３１２−１乃至３１２−４を図示してある。
論理ブロック間(CLB３１２間)は、配線群により接続されている。図１０のＡでは、１本の線で示しているが、図１３に示すように複数の線により接続されている。またCLB３１２間には、選択スイッチ（SW）３１１−１乃至３１１−４も設けられている。例えば、CLB３１２−４からの出力は、選択スイッチ３１１−４の切り換えにより、図中左方向に設けられているCLB３１２−２に供給されたり、図中上方向に設けられているCLB３１２−３に供給されたりする。
FPGAチップ３０１に配線と選択スイッチが設けられることにより、その層内での上下左右方向へのデータの移動が可能とされている。ここでは、同一層内における左右方向をＸ軸方向とし、上下方向をＹ軸方向とする。各層、ここでは、４層として説明を続けるが、この４層の各FPGAチップは、それぞれ、図１０のＡに示したような構成を有する。
図１０のＢは、FPGAチップ３０１とFPGAチップ３０２の２つのチップを積層したときの１層目と２層目の論理合成図である。FPGAチップ３０２も、FPGAチップ３０１と同じく、選択スイッチ３２１−１乃至３２１−４とCBL３２２−１乃至３２２−４を含む構成とされている。
さらに、積層された場合、各層のCLBを接続するための選択スイッチも設けられる。以下、積層方向をＺ軸方向とする。Ｚ軸方向は、CLBが形成されている平面に対して垂直方向である。複数のFPGAチップが積層される場合、Ｚ軸方向にも信号を転送するための選択スイッチも設けられる。図１０のＢに示した例では、選択スイッチ３２３−１乃至３２３−４と、選択スイッチ３２４−１乃至３２４−４が、Ｚ軸方向に信号を転送するための選択スイッチとして設けられている。
このように、チップ内での信号の転送を行うための選択スイッチと積層された上下のチップとの信号の転送を行うための選択スイッチがある。以下、積層された上下のチップとの信号の転送を行うための選択スイッチは、チップ内での信号の転送を行うための選択スイッチと区別をつけるために、Ｚ軸方向選択スイッチと記述する。
図１０のＢに示したように、２枚のチップを積層した場合、実際には、平面上は、１層目と２層目の同パターンは重なっているが、Ｚ軸方向選択スイッチを介して接続することで、あたかも２倍の集積度になったような結線を実現できる。
図１１のＡは、FPGAチップ３０１とFPGAチップ３０２の２つのチップが積層されている積層チップに、さらにFPGAチップ３０３を積層したときの１乃至３層目の論理合成図である。
FPGAチップ３０３も、FPGAチップ３０１と同じく、選択スイッチ３３１−１乃至３３１−４とCBL３３２−１乃至３３２−４を含む構成とされている。チップが３層積層された場合、２層積層された場合と同じく、Ｚ軸方向選択スイッチが設けられる。図１１のＡに示した３層積層の場合、図１０のＢに示した２層積層の場合と比べて、さらに、Ｚ軸方向選択スイッチ３３３−１乃至３３３−４とＺ軸方向選択スイッチ３３４−１乃至３３４−４が設けられている。
図１１のＢは、図１１のＡに示したFPGAチップ３０１乃至３０３が３層積層されている状態からさらにFPGAチップ３０４を積層し、４層積層されている状態とされた論理合成図である。FPGAチップ３０４も、FPGAチップ３０１と同じく、選択スイッチ３４１−１乃至３４１−４（図１１のＢでは、選択スイッチ３４１−１，３４１−２を図示）とCBL３４２−１乃至３４２−４（図１１のＢでは、CBL３４２−１，３４２−２を図示）を含む構成とされている。
チップが４層積層された場合、２層積層された場合や３層積層された場合と同じく、Ｚ軸方向選択スイッチが設けられる。図１１のＢに示した４層積層の場合、図１１のＡに示した３層積層の場合と比べて、さらに、Ｚ軸方向選択スイッチ３４３−１乃至３４３−４（図１１のＢでは、Ｚ軸方向選択スイッチ３４３−１,３４３−２を図示）とＺ軸方向選択スイッチ３４４−１乃至３４４−４（図１１のＢでは、Ｚ軸方向選択スイッチ３４４−１,３４４−２を図示）が設けられている。
４層積層された場合、CLBのピッチが１／２で、集積度が４倍相当の回路とすることが可能となる。このように、FPGAチップを積層することで、２層のときは２倍、４層のときは４倍といったように、積層したチップ数分、集積度を高めることが可能となる。
このように、各層のロジックエレメントをアレイ上に接続している内部配線間は、選択スイッチと貫通電極を経由して、直上もしくは直下（Ｚ軸方向）のウェーハの配線層へと電気的な接続が形成されている。
ロジックエレメントの座標は、ロウおよびカラムデコーダとチップアドレスデコーダで位置を特定することが可能とされている。同一層内でのロジックエレメント間は、内部接続配線の接続方向をグリッド状に切り替えることができる選択スイッチ、例えば、選択スイッチ３２１を介して互いに接続されている。また、層間の接続方向の切り換えには、Ｚ軸方向選択スイッチ、例えば、Ｚ軸方向選択スイッチ３２３が設けられている。
選択スイッチとＺ軸方向選択スイッチの動作について図１２を参照してさらに説明を加える。本技術は、FPGAチップの内部接続配線間を貫通孔間経由で接続し、上下層への接続方向をＺ軸方向選択スイッチによって切り替える。
上下方向（Ｚ軸方向）の配線への切り替え用のＺ軸方向選択スイッチには、２bitのデータが書き込まれており、Ｚ軸方向選択スイッチに対する書き込み情報（0,0）,(0,1),(1,0),(1,1)によって、どの入力信号を該当アドレスの入力に用いるか、もしくは出力信号をどの方向へ受け渡すか、を個別に選択することが可能とされている。
図１２では、図１１のＡ(図１１のＢ)に示したFPGAチップのうち、FPGAチップ３０２上に配置されているCLB３２２−１と、CLB３２２−１に関係する選択スイッチ３２１−１、およびＺ軸方向選択スイッチ３２３−１とＺ軸方向選択スイッチ３２４−１を例示している。
選択スイッチ３２１−１は、FPGAチップ３０２内での信号の授受を制御するための選択スイッチである。Ｚ軸方向選択スイッチ３２３−１とＺ軸方向選択スイッチ３２４−１は、Ｚ軸方向に配置された他のチップ、この場合、FPGAチップ３０１またはFPGAチップ３０３との信号の授受を制御するための選択スイッチである。
また、Ｚ軸方向選択スイッチ３２３−１とＺ軸方向選択スイッチ３２４−１のうち、一方は、他層のFPGAチップからの信号の入力(IN)を制御し、他方は、他層のFPGAチップへの出力(OUT)を制御する。ここでは、Ｚ軸方向選択スイッチ３２３−１を、FPGAチップ３０１またはFPGAチップ３０３からの信号の入力を制御する選択スイッチであるとして説明を続ける。また、Ｚ軸方向選択スイッチ３２４−１を、FPGAチップ３０１またはFPGAチップ３０３への信号の出力を制御する選択スイッチであるとして説明を続ける。
図１２を参照した説明において、FPGAチップ３０１は、FPGAチップ３０２の下層に配置され、FPGAチップ３０３は、FPGAチップ３０２の上層に配置されているとして説明する。上記したように、Ｚ軸方向選択スイッチ３２３−１、Ｚ軸方向選択スイッチ３２４−１には、それぞれ２bitのデータが書き込まれている。
図１２に示したＺ軸方向選択スイッチ３２３−１を参照するに、Ｚ軸方向選択スイッチ３２３−１の２bitのデータ（Ｄ１，Ｄ２）に対して、（０，０）が書き込まれた場合、（X,Y,Z）、すなわち同層、この場合、FPGAチップ３０２内の配線に接続される。この状況の場合、Ｚ軸方向選択スイッチ３２３−１に入力された信号は、同層の選択スイッチ、例えば、選択スイッチ３２１−１に出力される。
Ｚ軸方向選択スイッチ３２３−１のデータ（Ｄ１，Ｄ２）に対して、（０，１）が書き込まれた場合、（X,Y,Z-1）、すなわち下層、この場合、FPGAチップ３０１内の配線に接続される。この状況の場合、Ｚ軸方向選択スイッチ３２３−１に入力された信号は、下層のFPGAチップ３０１に出力される。
Ｚ軸方向選択スイッチ３２３−１のデータ（Ｄ１，Ｄ２）に対して、（１，０）が書き込まれた場合、（X,Y,Z+1）、すなわち上層、この場合、FPGAチップ３０３内の配線に接続される。この状況の場合、Ｚ軸方向選択スイッチ３２３−１に入力された信号は、上層のFPGAチップ３０３に出力される。
Ｚ軸方向選択スイッチ３２３−１のデータ（Ｄ１，Ｄ２）に対して、（１，１）が書き込まれた場合、（X,Y,Z-1）と（X,Y,Z+1）、すなわち下層の配線と上層の配線、この場合、FPGAチップ３０１内の配線とFPGAチップ３０３内の配線が接続される。この状況の場合、Ｚ軸方向選択スイッチ３２３−１に、下層のFPGAチップ３０１から入力された信号は、上層のFPGAチップ３０３に出力され、上層のFPGAチップ３０３から入力された信号は、下層のFPGAチップ３０１に出力される。
図１２に示したＺ軸方向選択スイッチ３２４−１も、Ｚ軸方向選択スイッチ３２３−１と同様であり、書き込まれたデータ（Ｄ１，Ｄ２）により接続先が決定される。このように、Ｚ軸方向選択スイッチに書き込まれたデータ（Ｄ１，Ｄ２）により、接続先が決定され、入力された信号は、その決定された接続先に出力される。
なお、上層のFPGAチップがない層、例えば、図１１のＢに示した例においては、FPGAチップ３０４においては、Ｄ１（Ｚ）≠１とされる。また下層のFPGAチップがない層、例えば、図１１のＢに示した例においては、FPGAチップ３０１においては、Ｄ２（Ｚ）≠１とされる。また、（X,Y,Z）のＤ１と（X,Y,Z+1）のＤ２は、全ての（X,Y,Z）の組み合わせに対して、Ｄ１（Ｚ）＝Ｄ２（Ｚ＋１）となるように設定されている。
このようにアレイ構造はフューズに書き込まれたＺ方向のアドレス情報を参照することで、書き込みの可否が判定される。
図１２では、説明のため、２bitのデータで切り替えの制御を行っている例を挙げて説明したが、本技術は、選択スイッチのbit数と貫通電極（接続ポート）の数を増やした場合にも適用でき、増やすことで、切り替えることができる接続の数を任意に設定することが可能となる。ただし直上(Z+1)と直下(Z-1)の接続情報と該当チップ(Z)の接続情報は互いに矛盾したものにならない設定にしておく必要はある。
なお、本技術のＺ軸方向選択スイッチは、アレイデバイス用に設計されているものであるため、最下層のFPGAチップは、下方向の接続切り替えを選択できず、最上層のFPGAチップは、上方向の接続切り替えを選択できない仕組み構成される。
図１３は、Ｚ軸方向選択スイッチとセットで配置された貫通接続孔（貫通電極）の詳細な構造について説明するための図である。データを書き込む対象となっているロジックエレメントが接続されている層のＺ軸方向選択スイッチに対して、上層側のＺ軸方向選択スイッチに接続させる貫通電極と下層側のＺ軸方向選択スイッチに接続させる貫通電極の２組が連結されている。
図１３では、奇数層、例えば、１層目のチップとしてFPGAチップ３０１と、偶数層、例えば、２層目のチップとしてFPGAチップ３０２を例に挙げて説明する。FPGAチップ３０１上には、CLB３１２が形成され、チップ内での信号の入出力を制御する選択スイッチ３１１が形成されている。また、チップ間での信号の入出力を制御するＺ軸方向選択スイッチ３１３も形成されている。さらに、Ｚ軸方向選択スイッチ３１３に接続される貫通電極４１１と貫通電極４１２が形成されている。
同様に、FPGAチップ３０２上には、CLB３２２が形成され、チップ内での信号の入出力を制御する選択スイッチ３２１、チップ間での信号の入出力を制御するＺ軸方向選択スイッチ３２３、およびＺ軸方向選択スイッチ３２３に接続される貫通電極４２１と貫通電極４２２が形成されている。
ここで、Ｚ軸方向選択スイッチ３１３に接続される貫通電極４１１と貫通電極４１２に注目する。Ｚ軸方向選択スイッチ３１３に接続される貫通電極４１１と貫通電極４１２のうち、貫通電極４１１は、上層のFPGAチップ３０２の選択スイッチに接続される貫通電極とされ、貫通電極４１２は、下層のFPGAチップの選択スイッチ（FPGAチップが下層にない場合、下層にある例えば、ロジック回路チップなどの所定の端子）に接続される貫通電極とされる。
このようにＺ軸方向選択スイッチ３１３に接続される貫通電極４１１と貫通電極４１２をそれぞれ設定（設計）した場合、その上層のFPGAチップ３０２のＺ軸方向選択スイッチ３２３に接続される貫通電極４２１と貫通電極４２２は、それぞれ以下のように設定（設計）される。
すなわち、貫通電極４１１と接続される貫通電極４２１は、貫通電極４１１が上層に対する貫通電極（Up方向の貫通電極）であるため、貫通電極４２１は、下層に対する貫通電極（Down方向の貫通電極）とされる。
また、貫通電極４１２と接続される貫通電極４２２は、貫通電極４１２が下層に対する貫通電極（Down方向の貫通電極）であるため、貫通電極４２２は、上層に対する貫通電極（Up方向の貫通電極）とされる。
このように、Z-1層からZ層に接続する経路とZ+1層からZ層に接続する経路は、電気的に分離する必要があるため、奇数層と偶数層では配置が交互に入れ替えられる。貫通電極以外のマスクを共通化する場合、接続情報は、Zアドレスとの演算処理でこれらの切り替えを行うことで実現することが可能である。
このようなFPGAチップを設計する際、このような設計ルールを元に、例えばCADツールによる配線の仕組みを最適化すれば、FPGAにおける３次元のネットワーク接続を可能にすることができる。
本技術によれば、同じチップ面積の中で、仮想的にアレイ間の距離や配線本数が向上したかのような設計を行うことが可能となり、面積利用効率を飛躍的に向上させることが可能となる。
以上のような手法によって３次元にネットワーク接続されたFPGAチップを実現することが可能になる。このようなことが可能となることで、横方向のみの配線でロジックエレメント間の接続していたものに上下方向（積層されたチップ間）のパスが加わることになって、配線リソースをより効率的に利用することが可能となる。
上記したように本技術によれば、同一マスクで形成されたウェーハを積層し、電気的な接続を形成した後、共通の入出力端子を形成し、チップ分割して一体化したデバイスを作ることができるようになる。また単独ウェーハで実現できていた機能を積層したウェーハでも同様に実現することが可能となる。
メモリデバイスにおいては、積層方向でメモリ領域と冗長領域を共有することが可能となる。このことにより、歩留まりを大きく改善することが可能となる。
FPGAデバイスにおいては、３次元のネットワーク接続をロジックエレメント単位で実現することが可能となる。このことにより、配線リソースの利用効率を大幅に改善することが可能となる。
なお、上述した説明において、メモリチップを例に挙げて説明した実施の形態は、FPGAチップに対しても適用できるし、FPGAチップを例に挙げて説明した実施の形態は、メモリチップに対しても適用できる。
＜適用例について＞
図１４を参照し、上記した実施の形態を適用した素子配置について説明する。
ウェーハ５０１には、保護素子５１１、システムコントローラ５１２，組み込み回路５１３などが配置されている。またシステムコントローラ５１２は、各部を制御するためのクロックを発生するクロック発生部、データの読み出しや書き込みアドレスを制御するアドレス選択部、各部に供給する電源を制御する電源制御部、動作テストなどを行うテスト部、不良列を冗長列に置き換える処理などを行う冗長制御部などを備えている。また、ウェーハ５０１には、外部接続端子（ＰＡＤ）が形成されている。
ウェーハ５０２には、貫通接続部５２１、デコーダ５２２、アレイ部５２３が形成されている。ウェーハ５０３とウェーハ５０４も、ウェーハ５０２と同様の構成とされている。すなわち、ウェーハ５０２乃至５０４は、同一のマスクで製造することができるウェーハとされている。
ウェーハ５０２乃至５０４をメモリとした場合、３層分のメモリを備えたチップとすることができる。また３層分のメモリであるが、上記したように、層を識別するアドレスが付与され、また不良列も同層の冗長列だけでなく多層の冗長列に置き換えることができるため、あたかも１層のメモリであるかのように扱うことができる。
チップ分割時に無駄な空き領域を作らないためには、ウェーハ（Wafer）５０１の回路チップと、ウェーハ５０２乃至５０４のアレイチップのチップサイズは、同じサイズで構成されることが望ましい。
図１５は、上記した実施の形態を適用したイメージセンサの構成を示した図である。図１５に示したイメージセンサ６００は、処理回路６０１上に、メモリ６０２乃至６０４が３層積層されている。さらにメモリ６０４の上に、撮像素子６０５が積層され、撮像素子６０５上に、オンチップレンズ６０６が積層されている。
イメージセンサ６００においては、撮像素子６０５により受光された信号のデータは、メモリ６０２乃至６０４に書き込まれ、処理回路６０１は、メモリ６０２乃至６０４に書き込まれたデータを処理する構成とすることができる。
メモリ６０２乃至６０４は、例えば、図１乃至７を参照して説明した貫通電極を有し、各層を識別するアドレスが書き込まれ、あたかも１つのメモリであるかのように扱うことができる状態にされている。
上記した実施の形態を適用し、メモリウェーハ（メモリ６０２乃至６０４）に上下層のアドレスの書き込み機能を実現することで、メモリウェーハの層数を増減させることが可能になる。この方法により、回路機能やイメージセンサの仕様を変えることなく、実装するメモリの容量を複数倍に変更することができる。
図１５に示したイメージセンサ６００は、複数のアレイデバイスを積層したデバイス構造の上に撮像素子を積層したものである。イメージセンサに必要な受光部（撮像素子６０５）は、撮像素子６０５とオンチップレンズ６０６の間に設けられているカラーフィルタを形成する側である最上層に形成されている。なお、図１５には、オンチップレンズ６０６が積層されている例を示したが、このオンチップレンズ６０６がない構造でも良い。
図１５に示したイメージセンサ６００は、撮像素子６０５の下層構造の例として、制御する回路ウェーハ（処理回路６０１）の上に、複数のメモリウェーハ（メモリ６０２乃至６０４）を積層した構造である。
このような構造を有するイメージセンサ６００によると、メモリ６０２乃至６０４を内部搭載するイメージセンサとなるため、インターフェースの出力を介さずに保持した画像データを圧縮・補正などの処理をかけることができる構造となり、低消費電力かつ高速な画像処理が可能となる。
その際搭載するメモリの容量は、動画の録画時間や処理内容によって可変にできることが望ましいが、前述のチップサイズの観点で平面的な規模を変えることが困難な場合がある。しかしながら本技術においては、複数のメモリ基板を積層して用いることにより、同じイメージセンサと回路ウェーハを用いても搭載するメモリの容量を複数倍に変えることが可能になり、画素数、回路規模に応じてコストに見合ったメモリ搭載容量を選択できるようになり、応用の範囲を拡大させることが可能となる。
また図１６に示すように、イメージセンサ６２０に２層のメモリを設け、変換速度を向上させる構成とすることもできる。図１６に示したイメージセンサ６２０は、最下層を１層目としたとき、１層目に処理回路６２１、２層目にＡＤ変換素子６２２とメモリ６２３、３層目にＡＤ変換素子６２４とメモリ６２５、４層目に撮像素子６２６、５層目にレンズ６２７が積層されている。
各層は、例えば、図１乃至７を参照して説明した貫通電極を有し、その貫通電極を介して、データの授受を行えるように構成されている。
２層目と３層目は、同一の構成とされており、ＡＤ変換素子とメモリを備える構成とされている。このような構成とすることで、例えば、図１６の右図に示したような処理が可能となる。例えば、撮像素子６２６で撮像された画像の信号を、３層目のＡＤ変換素子６２４で処理し、その処理結果をメモリ６２５に一旦保管する。または、撮像素子６２６で撮像された画像の信号を、３層目のＡＤ変換素子６２４で処理した後、処理回路６２１に出力し、処理回路６２１で処理された処理結果が、メモリ６２５に一旦保管される。
このような処理が、３層目で行われている一方で、２層目でも同様の処理が行われる。すなわち、３層目のＡＤ変換素子６２４で変換された結果または処理回路６２１で処理された結果が、メモリ６２５で保管されている一方で、２層目のＡＤ変換素子６２２で変換された結果または処理回路６２１で処理された結果が、メモリ６２３で保管される。処理回路６２１で処理を進める間に、メモリ６２３またはメモリ６２５で処理結果が一時保管される。
このようにすることで、処理速度を向上させることが可能となる。
また、図１７に示すような構成にイメージセンサを構成することで、処理速度を向上させることができる。図１７に示したイメージセンサ６４０は、最下層を１層目としたとき、１層目に処理回路６４１、２層目にＡＤ変換素子６４２、３層目にＡＤ変換素子６４３、４層目に撮像素子６４４、５層目にレンズ６４５が積層されている。
この場合も、各層は、例えば、図１乃至７を参照して説明した貫通電極を有し、その貫通電極を介して、データの授受を行えるように構成されている。
２層目と３層目は、同一の構成とされており、ＡＤ変換素子を備える構成とされている。このような構成とすることで、例えば、図１７の右図に示したような処理が可能となる。例えば、撮像素子６４４で撮像された画像の信号が、３層目のＡＤ変換素子６４３で処理され、その処理結果が処理回路６２１に出力され、処理される。
このような処理が、３層目で行われている一方で、２層目でも同様の処理が行われる。すなわち、３層目のＡＤ変換素子６２４で変換された結果が、処理回路６４１に出力される一方で、２層目のＡＤ変換素子６４２で変換が実行される。例えば、撮像素子６４４で、１２０ｆｐｓで撮像される場合、２層目のＡＤ変換素子６４２と３層目のＡＤ変換素子６４３のそれぞれで、１２０ｆｐｓずつ処理できるため、処理回路６４１では、２４０ｆｔｐで処理できる。
すなわち、このような構成とすることで、ＡＤ変換素子６４２とＡＤ変換素子６４３で１２０ｆｔｐずつ交互に処理回路６４１に出力することができ、２倍の変換速度を実現することが可能となる。
なお、ＡＤ変換素子６４２とＡＤ変換素子６４３で、同一の処理を行うのではなく、例えば、ＡＤ変換素子６４２は、長時間露光の画素からの信号を処理し、ＡＤ変換素子６４３は、短時間露光の画素からの信号を処理するといったように、異なる露光時間の画素からの信号を処理するようにしても良い。
また、ＡＤ変換素子６４２は、静止画像を生成するための変換を行い、ＡＤ変換素子６４３は動画像を生成するための変換を行うといったように、異なる画像を生成するようにしても良い。
本技術は、イメージセンサに適用範囲が限定されるわけではなく、例えば、図１８に示すような装置に対しても適用できる。
図１８に示した装置６６０は、１層目に処理回路６６１、２層目にメモリ６６２、３層目にメモリ６６３、４層目にＬＳＩ（Large-Scale Integration）６６４を備える。ＬＳＩ６６４で処理するデータや、処理されたデータが、２層目のメモリ６６２または３層目のメモリ６６３で、一時的に保管される。
ＬＳＩ６６４は、例えば、高速通信用のＲＦチップなどであり、処理回路６６１と同一基板内に混載できない回路とすることができる。ＬＳＩ６６４とメモリ６６２，６６３を、I/O（Input/output）を介さずにデータのやり取りをできる構造とすることで、換言すれば、メモリを多層積層とし、ＬＳＩ６６４とI/Oを介さずにデータをやり取りできるような構造とすることで、部品点数が少なくなり、さらなる小型化や、処理速度の向上を期待できる。
この場合も、各層は、例えば、図１乃至７を参照して説明した貫通電極を有し、その貫通電極を介して、データの授受を行えるように構成されている。
＜適用例（メモリ）について＞
本技術の配線接続構造を用いた別の適用例として、メモリ素子（換言すれば、メモリチップ、あるいはメモリダイ）を複数個積層した積層メモリ構造体において、本技術の配線接続構造を適用した実施の形態について説明する。
図１乃至図７に記載した実施の形態においては、各層のメモリチップが自己が何層目に積層されているかを識別するためのアドレス（スタックアドレス）を記憶し、データの書き込みや読み出しが行われる例を挙げて説明した。これに対して本適用例（以下に説明する第１乃至第５の積層メモリの構造）では、各層のメモリチップがそのようなアドレスを記憶して処理する場合と記憶しないで処理する場合を例に挙げ、さらにメモリを積層した場合について説明を加える。
以下の実施の形態の記載においては、メモリを８層積層した場合を例に挙げて説明する。また、以下の実施の形態の記載におけるメモリとしては、例えば、１６ビットのＤＤＲ３メモリを例に用いて説明する。まず、各層のメモリチップがアドレスを記憶しないで処理が行われる場合について説明する。
（第１の積層メモリの構造）
第１の積層メモリの構造は、複数個のメモリチップと、これら複数個のメモリチップの動作を制御する制御チップとが積層された積層メモリ構造体である。第１の積層メモリ構造において、メモリに書き込まれるデータやメモリから読み出されるデータを伝送する信号線は、積層メモリ構造体に備わる各メモリチップへ、それぞれ独立に接続される。
メモリへの書き込み動作やメモリからの読み出し動作を制御するために必要となるアドレスやコマンドなどを伝送する制御信号を伝送する信号線は、積層メモリ構造体に備わる各メモリチップで共用（多重化）される。書き込み動作や読み出し動作を行うメモリを指定もしくは特定するための信号を伝送する信号線は、積層メモリ構造体に備わる各メモリチップで共用（多重化）される。
図１９は、積層メモリ構造体７００における各メモリチップへの配線の接続構造を表す模式図である。ここで、図１９は、データを授受するためのデータ信号線を多重しない場合の積層メモリの構成を示す図である。
なお、「データ信号線を多重しない」とは、積層メモリ構造体において各メモリチップへ接続されるデータ線が、メモリチップ毎に独立して配線された構造を表す。
図１９に示した積層メモリ構造体７００は、メモリチップ７０１−１乃至７０１−８の８個のメモリが積層されている。図１９のＡは、データ信号線の配線構造を示し、図１９のＢは、メモリへの書き込み動作やメモリからの読み出し動作を制御するために必要となるアドレスやコマンドなどを伝送する制御信号線の配線構造を示し、図１９のＣは、書き込み動作や読み出し動作を行うメモリを指定もしくは特定するための信号を伝送する信号線の配線構造を示している。
なお、動作させるメモリを指定もしくは特定するためのチップ指定信号線としては、例えばメモリのチップ指定信号線や、あるいは、制御信号線の一部などを用いることができる。
図１９に記載の積層メモリ構造体７００は、メモリチップへのデータの書き込み動作および読み出し動作を制御する制御チップ７０２を備える。図１９のＡ乃至Ｃに記載のデータ信号線、制御信号線、チップ指定信号線は、制御チップ７０２と積層メモリ構造体７００に備わる各メモリチップとの間に配線される。
図１９のＡに示したように、データ信号線は、メモリチップ７０１−１乃至７０１−８毎に設けられている。すなわち、メモリチップ７０１−１には、データ信号線７１１−１が接続され、メモリチップ７０１−２には、データ信号線７１１−２が接続され、メモリチップ７０１−３には、データ信号線７１１−３が接続され、メモリチップ７０１−４には、データ信号線７１１−４が接続され、メモリチップ７０１−５には、データ信号線７１１−５が接続され、メモリチップ７０１−６には、データ信号線７１１−６が接続され、メモリチップ７０１−７には、データ信号線７１１−７が接続され、メモリチップ７０１−８には、データ信号線７１１−８が接続されている。
メモリチップ７０１−１乃至７０１−８のそれぞれが、１６ビットのＤＤＲ３である場合、データ信号線７１１−１乃至７１１−８は、それぞれ１６ビットのデータを授受する信号線であり、そのような信号線が、８個のメモリ（８個のチップ）に別々に接続されている。各データ信号線７１１−１乃至７１１−８を並列に配線する構造により、図１９に記載の積層メモリ構造体７００は、１６ビットの８倍、１２８ビットのデータを同時に書き込みもしくは読み出しすることが可能となる。このような構成とすることで、高速通信が可能となる。
各データ信号線７１１−１乃至７１１−８はそれぞれ、上述した貫通電極として設けられている。この場合、各データ信号線７１１−１乃至７１１−８の一部を構成し、積層されたときに、各層を貫く１本の貫通電極となる貫通電極（第１の貫通電極とする）が設けられている。また、この貫通電極に繋ぐための貫通電極（第２の貫通電極とする）が設けられている。
以下の説明において、データ信号線７１１−１乃至７１１−８を、個々に区別する必要がない場合、単にデータ信号線７１１と記述する。また同様に、メモリチップ７０１−１乃至７０１−８を、個々に区別する必要がない場合、単にメモリチップ７０１と記述する。他の部分も同様に記載する。
なお、図１９においては、メモリチップ７０１を四角形状で示し、メモリチップ７０１と制御チップ７０２とを接続するデータ信号線７１１は、メモリチップ７０１の外部で配線され、制御チップ７０２に接続されているように図示してあるが、データ信号線７１１の配線構造の説明のために、そのように図示しているのであり、図２０を参照して後述するように、データ信号線７１１は、メモリチップ７０１の領域内に配線されている。また、図２１を参照して後述するように、メモリチップ７０１は、データ信号線７１１を構成する第１の間通電極と第２の貫通電極とがそれぞれ配置される領域を有している。
また、図１９のＢ、図１９のＣに、制御信号線７２１、チップ指定信号線７３１の配線構造を示しているが、データ信号線７１１と同じく、メモリチップ７０１の領域内に配線されている。また、図１９のＡ，図１９のＢ、および図１９のＣにそれぞれメモリチップ７０１を示したが、説明のために別々に記載しているが、同一（同層）のメモリチップ７０１に、データ信号線７１１、制御信号線７２１、およびチップ指定信号線７３１は、それぞれ所定の領域に配線されている。
図１９のＡの説明に戻り、例えば、データ信号線７１１−１の縦方向の貫通電極としては、メモリチップ７０１−１からメモリチップ７０１−８まで貫く１本の貫通電極（第１の貫通電極に該当）が設けられている。そして、メモリチップ７０１−１にだけ接続される電極（第２の貫通電極に該当）により、第１の貫通電極に接続されている。
なお、１本のデータ信号線７１１が、１６ビットのパラレル伝送を行う場合、１６個の第１の貫通電極と第２の貫通電極がそれぞれ設けられることで、１６ビットのパラレル伝送が実現される。図示は、第１の貫通電極と第２の貫通電極（第１の貫通電極と第２の貫通電極を含むデータ信号線７１１）を、それぞれ１個（１本）図示して説明を続けるが、１６ビットのパラレル伝送を行う場合には、１６個設けられている。
例えば、メモリチップ７０１−１が、図３に示したチップ６０に該当するとした場合、データ信号線７１１−１を構成する縦方向に設けられている第１の貫通電極は、図３に示した貫通電極６５に該当する貫通電極である。貫通電極６５は、図３を参照するに、貫通電極６５、貫通電極７６、および貫通電極８５で、１本の縦方向の貫通電極を構成し、その貫通電極は、チップ６０、チップ７０、およびチップ８０を貫く電極として設けられている。このように、データ信号線７１１−１の縦方向は、複数のチップを貫く１本の貫通電極として設けられている。
そして、貫通電極６５とメモリチップ７０１−１にだけ接続される電極（第２の貫通電極）とは、図３においては、横方向の裏面配線６８、貫通電極６７、および表面配線６６に該当（特に、貫通電極６７に該当）する。裏面配線６８、貫通電極６７、および表面配線６６により、チップ６０内の素子６９は、貫通電極６５と接続されているが、このような電極（配線）が、データ信号線７１１−１の一部を構成する配線として設けられている。
このことを、さらに、図２０を参照して説明する。図２０は、メモリチップ７０１−１乃至７０１−８が積層されている状態でのデータ信号線７１１−１乃至７１１−８を示し、各データ信号線７１１−１乃至７１１−８と貫通電極との関係を説明するための図である。
図２０中、“ａ”との符号を付した部分は、第１の貫通電極に該当し、図３に示した例えば、貫通電極６１や貫通電極６５に該当する。また図２０中、“ｂ”との符号を付した部分は、裏面配線に該当し、図３に示した例えば、裏面配線６３や裏面配線６８に該当する。
また図２０中、“ｃ”との符号を付した部分は、表面配線に該当し、図３に示した例えば、表面配線６２や表面配線６６に該当する。また図２０中、“ｄ”との符号を付した部分は、第２の貫通電極に該当し、図３に示した例えば、貫通電極６７や貫通電極７３に該当する。
積層メモリ構造体７００を構成するメモリチップ７０１−１には、貫通電極７０１−１ａ−１乃至７０１−１ａ−８、裏面配線７０１−１ｂ−１乃至７０１−１ｂ−８、表面配線７０１−１ｃ−１乃至７０１−１ｃ−８、および貫通電極７０１−１ｄが形成されている。なお、図２０には、例えば図３における素子６４に該当する素子は図示していないが、素子も設けられており、表面配線７０１−１ｃと接続されている。
同様にメモリチップ７０１−２には、貫通電極７０１−２ａ−１乃至７０１−２ａ−８、裏面配線７０１−２ｂ−１乃至７０１−２ｂ−８、表面配線７０１−２ｃ−１乃至７０１−２ｃ−８、および貫通電極７０１−２ｄが形成されている。なお、図２０では、一部符号の記載を省略している。
同様にメモリチップ７０１−３には、貫通電極７０１−３ａ−１乃至７０１−３ａ−８、裏面配線７０１−３ｂ−１乃至７０１−３ｂ−８、表面配線７０１−３ｃ−１乃至７０１−３ｃ−８、および貫通電極７０１−３ｄが形成されている。
同様にメモリチップ７０１−４には、貫通電極７０１−４ａ−１乃至７０１−４ａ−８、裏面配線７０１−４ｂ−１乃至７０１−４ｂ−８、表面配線７０１−４ｃ−１乃至７０１−４ｃ−８、および貫通電極７０１−４ｄが形成されている。
同様にメモリチップ７０１−５には、貫通電極７０１−５ａ−１乃至７０１−５ａ−８、裏面配線７０１−５ｂ−１乃至７０１−５ｂ−８、表面配線７０１−５ｃ−１乃至７０１−５ｃ−８、および貫通電極７０１−５ｄが形成されている。
同様にメモリチップ７０１−６には、貫通電極７０１−６ａ−１乃至７０１−６ａ−８、裏面配線７０１−６ｂ−１乃至７０１−６ｂ−８、表面配線７０１−６ｃ−１乃至７０１−６ｃ−８、および貫通電極７０１−６ｄが形成されている。
同様にメモリチップ７０１−７には、貫通電極７０１−７ａ−１乃至７０１−７ａ−８、裏面配線７０１−７ｂ−１乃至７０１−７ｂ−８、表面配線７０１−７ｃ−１乃至７０１−７ｃ−８、および貫通電極７０１−７ｄが形成されている。
同様にメモリチップ７０１−８には、貫通電極７０１−８ａ−１乃至７０１−８ａ−８、裏面配線７０１−８ｂ−１乃至７０１−８ｂ−８、表面配線７０１−８ｃ−１乃至７０１−８ｃ−８、および貫通電極７０１−８ｄが形成されている。
メモリチップ７０１−１の貫通電極７０１−１ａ−１、メモリチップ７０１−２の貫通電極７０１−２ａ−１、メモリチップ７０１−３の貫通電極７０１−３ａ−１、メモリチップ７０１−４の貫通電極７０１−４ａ−１、メモリチップ７０１−５の貫通電極７０１−５ａ−１、メモリチップ７０１−６の貫通電極７０１−６ａ−１、メモリチップ７０１−７の貫通電極７０１−７ａ−１、およびメモリチップ７０１−８の貫通電極７０１−８ａ−１は、接続されており、１本の第１の貫通電極（以下、適宜、第１の貫通電極７１１−１とする）を構成している。
この第１の貫通電極７１１−１は、データ信号線７１１−１の一部を構成する電極とされている。
データ信号線７１１−１は、メモリチップ７０１−１と接続されている。メモリチップ７０１−１には、貫通電極７０１−１ｄが形成されている。この貫通電極７０１−１ｄは、第２の貫通電極に該当する。この貫通電極７０１−１ｄは、裏面配線７０１−１ｂ−１と表面配線７０１−１ｃ−１と接続されている。また裏面配線７０１−１ｂ−１は、貫通電極７０１−１ａ−１（第１の貫通電極７１１−１）と接続されている。
よって、表面配線７０１−１ｃ−１に接続されているメモリチップ７０１−１内の素子（不図示）は、表面配線７０１−１ｃ−１、貫通電極７０１−１ｄ、裏面配線７０１−１ｂ−１を介して、第１の貫通電極７１１−１に接続されている。
第１の貫通電極７１１−１に接続されている第２の貫通電極は、メモリチップ７０１−１内の貫通電極７０１−１ｄしかない。換言すれば、表面配線７０１−１ｃ−１乃至７０１−１ｃ−８のうち、第１の貫通電極７１１−１に接続されているのは、表面配線７０１−１ｃ−１だけである。
よって、データ信号線７１１−１にデータが伝送されたとき、メモリチップ７０１内の素子にデータが供給されるのは、第１の貫通電極７１１−１に接続されている表面配線があるメモリチップ７０１−１となり、他のメモリチップ７０１−２乃至７０１−８には供給されない。
同様に、メモリチップ７０１−２には、第２の貫通電極に該当する貫通電極として、貫通電極７０１−２ｄが設けられている。この貫通電極７０１−２ｄは、データ信号線７１１−２を構成する第１の貫通電極７１１−２（第１の貫通電極７１１−２に含まれる貫通電極７０１−２ａ−２）と接続されている。
よって、データ信号線７１１−２にデータが伝送されたとき、メモリチップ７０１内の素子にデータが供給されるのは、第１の貫通電極７１１−２に接続されている表面配線があるメモリチップ７０１−２となる。
他のデータ信号線７１１−３乃至７１１−８も同様に、複数のチップを貫く貫通電極（第１の貫通電極）と、それぞれのメモリチップ７０１−２乃至７０１−８と第１の貫通電極を接続するための電極（第２の貫通電極、表面配線、裏面配線）により構成されている。
以下に説明する各信号線も、同様に、複数のチップを貫く第１の貫通電極と、第１の貫通電極を接続するための第２の貫通電極により構成されているため、その説明は適宜省略する。
メモリチップ７０１には、１ビットのデータを伝送するためのデータ信号線７１１用に、複数のチップを貫く第１の貫通電極が８箇所設けられ、第１の貫通電極と接続される第２の貫通電極が１箇所設けられている。各メモリチップ７０１に設けられる第１の貫通電極は、メモリチップ７０１毎に同一箇所に設けられ、第２の貫通電極は、メモリチップ７０１毎に異なる位置に設けられている。
１６ビットのパラレル伝送が行われる場合、メモリチップ７０１には、データ信号線７１１用に、第１の貫通電極が１２８（＝１６×８）箇所設けられ、第２の貫通電極が１６箇所設けられている。各メモリチップ７０１に設けられる１２８箇所の第１の貫通電極は、メモリチップ７０１毎に同一箇所に設けられ、１６箇所の第２の貫通電極は、メモリチップ７０１毎に異なる位置に設けられている。
ここで、図２１を参照し、メモリチップ７０１（図２１では、メモリチップ７０１−１を例に挙げる）と、制御チップ７０２の構成について説明を加える。
図２１の右側に示したメモリチップ７０１−１の構成から先に説明する。メモリチップ７０１−１は、メモリセルアレイが配置されるメモリセルアレイ領域７０５、メモリチップ７０１−１に備わるメモリセルアレイの駆動回路と第２の貫通電極が配置される第２の貫通電極配置領域７０６、およびメモリチップ７０１−１の第１の貫通電極が配置される第１の貫通電極配置領域７０７から構成されている。
第１の貫通電極配置領域７０７には、図２０における貫通電極７０１−１ａ−１に該当する貫通電極が、１６ビットのパラレル伝送を可能とするために、１６箇所設けられている。すなわち、図２１に示したように、第１の貫通電極配置領域７０７には、貫通電極７０１−１ａ−１−１乃至７０１−１ａ−１−１６の１６個の第１の貫通電極が形成されている。
メモリチップ７０１−１のおいては、貫通電極７０１−１ａ−１−１乃至７０１−１ａ−１−１６は、第２の貫通電極と接続されている。第２の貫通電極も、１６ビットのパラレル伝送を可能とするために、１６箇所設けられている。すなわち、図２１に示したように、貫通電極７０１−１ｄ−１乃至７０１−１ｄ−１６の１６個の第２の貫通電極が、第２の貫通電極配置領域７０６に形成されている。
メモリチップ７０１−１においては、貫通電極７０１−１ａ−１−１乃至７０１−１ａ−１−１６のそれぞれは、貫通電極７０１−１ｄ−１乃至７０１−１ｄ−１６と、裏面配線７０１−１ｂ−１−１乃至７０１−１ｂ−１−１６で接続されている。
メモリチップ７０１−１の第１の貫通電極配置領域７０７には、貫通電極７０１−１ａ−２乃至７０１−１ａ−８に関わる貫通電極も形成されている。すなわち、第１の貫通電極配置領域７０７には、データ信号線７１１−２の一部を構成する貫通電極７０１−１ａ−２−１乃至７０１−１ａ−２−１６が形成されている。
同じく、第１の貫通電極配置領域７０７には、データ信号線７１１−３の一部を構成する貫通電極７０１−１ａ−３−１乃至７０１−１ａ−３−１６が形成され、データ信号線７１１−４の一部を構成する貫通電極７０１−１ａ−４−１乃至７０１−１ａ−４−１６が形成され、データ信号線７１１−５の一部を構成する貫通電極７０１−１ａ−５−１乃至７０１−１ａ−５−１６が形成されている。
さらに、第１の貫通電極配置領域７０７には、データ信号線７１１−６の一部を構成する貫通電極７０１−１ａ−６−１乃至７０１−１ａ−６−１６が形成され、データ信号線７１１−７の一部を構成する貫通電極７０１−１ａ−７−１乃至７０１−１ａ−７−１６が形成され、データ信号線７１１−８の一部を構成する貫通電極７０１−１ａ−８−１乃至７０１−１ａ−８−１６が形成されている。
このように、メモリチップ７０１−１の場合、メモリチップ７０１−１には、第１の貫通電極に該当する貫通電極７０１−１ａ−１乃至７０１−１ａ−８が設けられ、それぞれの貫通電極７０１−１ａが、１６ビットのパラレル伝送を行うために、１６箇所設けられている。よって、第１の貫通電極だけで、１２８（＝８×１６）箇所設けられている。
第１の貫通電極配置領域７０７に配線されている第１の貫通電極は、全て制御チップ７０２と接続されている。図２１の左図を参照するに、制御チップ７０２は、制御チップ７０２が搭載する各種回路が配置されている制御回路部７０３と、第１の貫通電極が配置される第１の貫通電極配置領域７０４から構成されている。
この制御チップ７０２の第１の貫通電極配置領域７０４には、メモリチップ７０１−１の第１の貫通電極配置領域７０７に配置されている第１の貫通電極と同一の位置に、同一の第１の貫通電極が形成されている。
また、制御チップ７０２の第１の貫通電極配置領域７０４に配置されている第１の貫通電極のそれぞれは、制御回路部７０３と接続されている。
このように、制御チップ７０２には、第１の貫通電極が配置されている。またメモリチップ７０１−１には、第１の貫通電極と第２の貫通電極が配置されている。
メモリチップ７０１−２乃至７０１−８も、メモリチップ７０１−１と同じく、メモリセルアレイ領域７０５、第２の貫通電極配置領域７０６、および第１の貫通電極配置領域７０７から構成されている。
図示はしないが、例えば、メモリチップ７０１−２の第１の貫通電極配置領域７０７には、図２１に示したメモリチップ７０１−１の第１の貫通電極配置領域７０７に配置されている第１の貫通電極と同一の位置に第１の貫通電極が配置されている。また、メモリチップ７０１−２の第２の貫通電極配置領域７０６には、貫通電極７０１−２ｄ−１乃至７０１−２ｄ−１６が配置されている。
第２の貫通電極配置領域７０６に配置されている貫通電極７０１−２ｄ−１乃至７０１−２ｄ−１６のそれぞれは、裏面配線７０１−２ｂ−１−１乃至７０１−２ｂ−１−１６で、第１の貫通電極配置領域７０７に配置されている貫通電極７０１−２ａ−１乃至７０１−２ａ−１６と接続されている。
このように、メモリチップ７０１−１の場合、メモリチップ７０１−１には、第１の貫通電極に該当する貫通電極７０１−１ａ−１乃至７０１−１ａ−８が設けられ、それぞれの貫通電極７０１−１ａが、１６ビットのパラレル伝送を行うために、１６箇所設けられている。よって、第１の貫通電極だけで、１２８（＝８×１６）箇所設けられている。
第２の貫通電極に該当する貫通電極は、メモリチップ７０１−１には、貫通電極７０１−１ｄだけが設けられている。よって、この貫通電極７０１−１ｄが１６ビットのパラレル伝送に対応するために、１６箇所設けられていることになる。よって、メモリチップ７０１−１には、データ信号線７１１用の第１の貫通電極として１２８箇所、第２の貫通電極として１６箇所の、計１４４箇所の貫通電極が設けられている。
他のメモリチップ７０１−２乃至７０１−８にも、それぞれ、データ信号線７１１用に、１４４箇所の貫通電極が設けられている。
このように、データ信号線７１１を構成する第１の貫通電極に接続する第２の貫通電極の位置を作り分け、パラレルに信号を送受信する多層積層半導体メモリ構造とすることができる。
図１９のＢの説明に戻る。図１９のＢを参照するに、アドレス（Address）信号線、コマンド（Command）信号線、Vdd信号線、Vss信号線は、１本の信号線とされ、８個のメモリチップ７０１−１乃至７０１−８で共通の信号線（以下、制御信号線７２１と記述する）として設けられている。
制御信号線７２１は、８個のメモリチップ７０１で共通に用いられる信号線（多重化された信号線）であり、８個のメモリチップ７０１を貫く１本の貫通電極（第１の貫通電極）と、その貫通電極と各メモリチップ７０１を接続する電極（第２の貫通電極）は、各チップで同一の箇所に設けられている。すなわち、制御信号線７２１が設けられる貫通電極は、第１の貫通電極と第２の貫通電極の２箇所あり、第１の貫通電極と第２の貫通電極は、各メモリチップ７０１で同一の箇所に設けられている。
なお、制御信号線７２１用の貫通電極も、データ信号線７１１の貫通電極と同じく、制御用のデータとしてパラレルで伝送されるビット数に応じて、設けられる個数が異なる。例えば、制御用のデータとして、８ビットのデータがパラレル伝送される場合、制御信号線７２１用の貫通電極としては、１メモリチップ７０１において第１の貫通電極と第２の貫通電極のそれぞれに対して８箇所づつ、計１６箇所設けられる。
このように、制御信号線７２１は、８層に積層されたメモリチップ７０１で共用される８多重された信号線として設けられている。
図１９のＣに示したように、メモリチップ７０１−１乃至７０１−８にデータを書き込むまたはデータを読み出すメモリ（チップ）を指定するための信号を伝送するチップ指定信号線７３１は、メモリチップ７０１−１乃至７０１−８に共通に設けられている。またチップ指定信号線７３１は、１ビットのデータを伝送する信号線とされている。
チップ指定信号線７３１は、１ビットのデータが伝送される信号線のため、１個の第１の貫通電極と１個の第２の貫通電極が、１メモリチップ７０１に設けられている。
チップ指定信号線７３１にデータとして、例えば、“１”が伝送された場合、メモリチップ７０１に書き込みまたはメモリチップ７０１から読み出しが行われる。
図１９に示したような構成の場合、メモリチップ７０１（チップ）セレクトはチップ毎に制御されず、８チップが同時に動作する。１本のデータ信号線７１１が、１６ビットのパラレル伝送を行う場合、８チップが同時に動作することにより、１２８ビット（＝１６×８）の同時書き込みまたは読み出しを行うことが可能となる。よって、高速なデータの書き込みや読み出しを行うことが可能となる。
（第２の積層メモリの構造）
第２の積層メモリの構造は、複数個のメモリチップと、これら複数個のメモリチップの動作を制御する制御チップとが積層された積層メモリ構造体である。第２の積層メモリ構造において、メモリに書き込まれるデータやメモリから読み出されるデータを伝送する信号線は、積層メモリ構造体に備わる各メモリチップと多重化されて接続される。
メモリへの書き込み動作やメモリからの読み出し動作を制御するために必要となるアドレスやコマンドなどを伝送する制御信号を伝送する信号線は、積層メモリ構造体に備わる各メモリチップで共用される。書き込み動作や読み出し動作を行うメモリを指定もしくは特定するための信号を伝送する信号線は、積層メモリ構造体に備わる各メモリチップと多重化されて接続される。
図２２は、第２の積層メモリ構造体７５０における各メモリチップへの配線の接続構造を示す模式図である。図２２は、データ信号線を多重した場合の積層メモリの構成を示す図である。図２２のＡは、データ信号線の配線構造を示す図である。図２２のＡでは、４多重、すなわち制御チップ７０２に接続された１本のデータ信号線を分岐して４個のメモリチップに接続した場合のデータ信号線の配線を示している。
メモリチップ７０１−１乃至７０１−４が多重され、その４個のメモリチップ７０１に対して、１本のデータ信号線７６１−１が配線されている。またメモリチップ７０１−５乃至７０１−８が多重され、その４個のメモリチップ７０１に対して、１本のデータ信号線７６１−２が配線されている。
メモリチップ７０１−１乃至７０１−８のそれぞれが、１６ビットのＤＤＲ３である場合、データ信号線７６１−１，７６１−２は、それぞれ１６ビットのデータを授受する信号線であり、そのような信号線が、８個のメモリ（８個のチップ）に多重化されて接続されている。各データ信号線７６１−１，７６１−２を多重化して配線する構造により、図２２に記載の積層メモリ構造体７５０は、１６ビットの２倍、３２ビットのデータを同時に書き込みもしくは読み出しすることが可能となる。このような構成とすることで、高速通信が可能となる。
データ信号線７６１−１には、例えば、データＤ０乃至Ｄ１５の１６ビットが伝送され、データ信号線７６１−２には、例えば、データＤ１６乃至Ｄ３１の１６ビットが伝送される。すなわち、この場合、データ信号線７６１−１とデータ信号線７６１−２により、３２ビットのデータを同時に書き込みまたは読み出しが可能となる。
また例えば、３２ビットのデータのうち、メモリチップ７０１−１乃至７０１−４は、データの下位ビット（Data Lower）を記憶し、メモリチップ７０１−５乃至７０１−８は、データの上位ビット（Data Upper）を記憶するようにすることができる。
データ信号線７６１も、図１９のＡに示したデータ信号線７１１と同じく、複数のチップを貫通する貫通電極と、その貫通電極と接続するための貫通電極とを含む構成とされている。
例えば、データ信号線７６１−１の縦方向の貫通電極としては、メモリチップ７０１−１からメモリチップ７０１−８まで１本の貫通電極（第１−１の貫通電極とする）が設けられている。そして、第１−１の貫通電極に接続するための貫通電極（第２−１の貫通電極とする）が、メモリチップ７０１−１乃至７０１−４のそれぞれに設けられている。
また同様に、データ信号線７６１−２の縦方向の貫通電極としては、メモリチップ７０１−１からメモリチップ７０１−８まで１本の貫通電極（第１−２の貫通電極とする）が設けられている。そして、第１−２の貫通電極に接続するための貫通電極（第２−２の貫通電極とする）が、メモリチップ７０１−５乃至７０１−８のそれぞれに設けられている。
なお、１本のデータ信号線７６１が、１６ビットのパラレル伝送を行う場合、１６個の第１の貫通電極と第２の貫通電極がそれぞれ設けられることで、１６ビットのパラレル伝送が実現される。
１チップ、例えば、メモリチップ７０１−１には、第１−１の貫通電極、第１−２の貫通電極、および第２−１の貫通電極の合計３種類の貫通電極が、データ信号線７６１用に形成されている。メモリチップ７０１−２乃至７０１−４も、メモリチップ７０１−１と同じく、第１−１の貫通電極、第１−２の貫通電極、および第２−１の貫通電極の合計３種類の貫通電極が、データ信号線７６１用に形成されている。
１６ビットのパラレル伝送が行われる構造の場合、メモリチップ７０１−１には、第１−１の貫通電極用として１６箇所、第１−２の貫通電極用として１６箇所、および第２−１の貫通電極用として１６箇所の貫通電極が設けられている。よって、メモリチップ７０１−１には、データ信号線７６１用の貫通電極として４８箇所（＝１６＋１６＋１６）設けられている。
同様に、メモリチップ７０１−２乃至７０１−４にも、それぞれデータ信号線７６１用の貫通電極として４８箇所（＝１６＋１６＋１６）設けられている。４８箇所の貫通電極は、メモリチップ７０１−１乃至７０１−４のそれぞれのチップにおいて、同一箇所に設けられている。よって、製造時に、これら４個のメモリチップ７０１−１乃至７０１−４は、例えば、同一のマスクを用いて製造することができる。
同様に、メモリチップ７０１−５乃至７０１−８には、それぞれ、第１−１の貫通電極、第１−２の貫通電極、および第２−２の貫通電極の合計３種類の貫通電極が、データ信号線７６１用に形成されている。
メモリチップ７０１−５乃至７０１−８のそれぞれのチップには、第１−１の貫通電極用として１６箇所、第１−２の貫通電極用として１６箇所、および第２−２の貫通電極用として１６箇所の貫通電極が設けられている。よって、メモリチップ７０１−５乃至７０１−８のそれぞれのチップには、データ信号線７６１用の貫通電極として４８箇所（＝１６＋１６＋１６）設けられている。
メモリチップ７０１−５乃至７０１−８に関しては、データ信号線７６１−１の一部を構成する第１−１の貫通電極を形成しない構成とすることも可能である。メモリチップ７０１−５乃至７０１−８に、第１−１の貫通電極を形成しない構成とした場合、メモリチップ７０１−５乃至７０１−８には、それぞれ、第１−２の貫通電極と第２−２の貫通電極の合計２種類の貫通電極が、データ信号線７６１用に形成されることになる。
この場合、メモリチップ７０１−５乃至７０１−８のそれぞれのチップには、第１−２の貫通電極用として１６箇所、第２−２の貫通電極用として１６箇所の貫通電極が設けられることになるため、メモリチップ７０１−５乃至７０１−８のそれぞれのチップには、データ信号線７６１用の貫通電極として３２箇所設けられる。
図２２のＢを参照するに、アドレス（Address）信号線、コマンド（Command）信号線、Vdd信号線、Vss信号線は、１本の信号線とされ、８個のメモリチップ７０１−１乃至７０１−８で共通の制御信号線７２１として設けられている。この構成は、図１９のＢに示した場合と同様であるため、その説明は省略する。
このように、制御信号線７２１は、８つのメモリチップ７０１（８チップ）で共用される８多重された信号線として設けられている。
図２２のＡに示したようにデータ信号線７６１−１を４多重し、図２２のＢに示すように、制御信号線７２１を８多重した場合、データを書き込むまたは読み出すメモリチップ７０１−１乃至７０１−８を選択するための選択信号を伝送するチップ指定信号線が、図２２のＣに示すように設けられる。
図２２のＣに示したように、メモリチップ７０１−１乃至７０１−８を選択するための選択信号を伝送するチップ指定信号線は、２多重されて、メモリチップ７０１−１乃至７０１−８に設けられている。すなわち、制御チップ７０２に接続された１本のチップ指定信号線を分岐して、２個のメモリチップへと接続したチップ指定信号線の配線を示している。
メモリチップ７０１−１とメモリチップ７０１−５には、チップ指定信号線７７１−１が接続され、メモリチップ７０１−２とメモリチップ７０１−６には、チップ指定信号線７７１−２が接続され、メモリチップ７０１−３とメモリチップ７０１−７には、チップ指定信号線７７１−３が接続され、メモリチップ７０１−４とメモリチップ７０１−８には、チップ指定信号線７７１−４が接続されている。
チップ指定信号線７７１は、２個のメモリチップ７０１で共用される信号線として設けられ、２多重されており、４本のチップ指定信号線７７１により４ビットのパラレル信号（例えば、Ａ０−Ａ３の４ビットの信号とする）の伝送を可能とする。例えば、データの書き込み（読み出し）が行われるチップに該当するチップ指定信号線７７１に伝送されるデータは、“１”とされ、他のチップ指定信号線に伝送されるデータは、“０”とされる。
例えば、チップ指定信号線７７１−１に流されるデータＡ０が“１”とされ、チップ指定信号線７７１−２乃至７７１−４に流されるデータＡ１乃至Ａ３が“０”とされた場合、メモリチップ７０１−１に下位ビットのデータＤ０乃至Ｄ１５が書き込まれ（読み出され）、メモリチップ７０１−５に上位ビットのデータＤ１６乃至Ｄ３１が書き込まれる（読み出される）。
チップ指定信号線７７１も、図１９のＡに示したデータ信号線７１１と同じく、複数のチップを貫通する貫通電極と、その貫通電極と接続するための貫通電極とを含む構成とされている。
例えば、チップ指定信号線７７１−１の縦方向の貫通電極としては、メモリチップ７０１−１からメモリチップ７０１−８まで１本の貫通電極（第１−１の貫通電極とする）が設けられている。そして、第１−１の貫通電極に接続するための貫通電極（第２−１の貫通電極とする）が、メモリチップ７０１−１とメモリチップ７０１−５のそれぞれに設けられている。
また同様に、チップ指定信号線７７１−２の縦方向の貫通電極は、メモリチップ７０１−１からメモリチップ７０１−８まで１本の貫通電極（第１−２の貫通電極とする）が設けられている。そして、第１−２の貫通電極に接続するための貫通電極（第２−２の貫通電極とする）が、メモリチップ７０１−２とメモリチップ７０１−６のそれぞれに設けられている。
また同様に、チップ指定信号線７７１−３の縦方向の貫通電極は、メモリチップ７０１−１からメモリチップ７０１−８まで１本の貫通電極（第１−３の貫通電極とする）が設けられている。そして、第１−３の貫通電極に接続するための貫通電極（第２−３の貫通電極とする）が、メモリチップ７０１−３とメモリチップ７０１−７のそれぞれに設けられている。
また同様に、チップ指定信号線７７１−４の縦方向の貫通電極は、メモリチップ７０１−１からメモリチップ７０１−８まで１本の貫通電極（第１−４の貫通電極とする）が設けられている。そして、第１−４の貫通電極に接続するための貫通電極（第２−４の貫通電極とする）が、メモリチップ７０１−４とメモリチップ７０１−８のそれぞれに設けられている。
メモリチップ７０１−１とメモリチップ７０１−５には、第１−１の貫通電極、第１−２の貫通電極、第１−３の貫通電極、第１−４の貫通電極、および第２−１の貫通電極の合計５個の貫通電極が、チップ指定信号線７７１用に形成されている。また同様に、メモリチップ７０１−２とメモリチップ７０１−６には、第１−１の貫通電極、第１−２の貫通電極、第１−３の貫通電極、第１−４の貫通電極、および第２−２の貫通電極の合計５個の貫通電極が、チップ指定信号線７７１用に形成されている。
また同様に、メモリチップ７０１−３とメモリチップ７０１−７には、第１−１の貫通電極、第１−２の貫通電極、第１−３の貫通電極、第１−４の貫通電極、および第２−３の貫通電極の合計５個の貫通電極が、チップ指定信号線７７１用に形成されている。また同様に、メモリチップ７０１−４とメモリチップ７０１−８には、第１−１の貫通電極、第１−２の貫通電極、第１−３の貫通電極、第１−４の貫通電極、および第２−４の貫通電極の合計５個の貫通電極が、チップ指定信号線７７１用に形成されている。
メモリチップ７０１−１乃至７０１−８には、それぞれ、第１−１の貫通電極、第１−２の貫通電極、第１−３の貫通電極、第１−４の貫通電極の貫通電極が形成されているため、これらの第１の貫通電極を形成するためのマスクなどは、同一のものを用いることができる。
メモリチップ７０１−６に関しては、チップ指定信号線７７１−１の一部を構成する第１−１の貫通電極を形成しない構成とすることも可能である。メモリチップ７０１−６に、第１−１の貫通電極を形成しない構成とした場合、メモリチップ７０１−６には、第１−２の貫通電極乃至第１−４の貫通電極と第２−２の貫通電極の合計４種類の貫通電極が形成されるようにすることも可能である。
また、メモリチップ７０１−７に関しては、チップ指定信号線７７１−１とチップ指定信号線７７１−２の一部を構成する第１−１の貫通電極と第１−２の貫通電極を形成しない構成とすることも可能である。メモリチップ７０１−７に、第１−１の貫通電極と第１−２の貫通電極を形成しない構成とした場合、メモリチップ７０１−７には、第１−３の貫通電極、第１−４の貫通電極、および第２−３の貫通電極の合計３種類の貫通電極が形成されるようにすることも可能である。
また、メモリチップ７０１−８に関しては、チップ指定信号線７７１−１乃至チップ指定信号線７７１−３の一部を構成する第１−１の貫通電極乃至第１−３の貫通電極を形成しない構成とすることも可能である。メモリチップ７０１−８に、第１−１の貫通電極乃至第１−３の貫通電極を形成しない構成とした場合、メモリチップ７０１−８には、第１−４の貫通電極と第２−４の貫通電極の合計２種類の貫通電極が形成されるようにすることも可能である。
なお、図２２のＣのメモリチップ７０１−２のチップ指定信号線７７１−２を構成する第１の貫通電極と第２の貫通電極は、チップ指定信号線７７１−１上を跨いで接続されているように図示されているが、実際の配線では、チップ指定信号線７７１−１を避けて配置とされ、接続されている。同様に、メモリチップ７０１−６も、第１―１の貫通電極を設けた場合、チップ指定信号線７７１−１を避けた配置とされ、接続されている。
同様に、メモリチップ７０１−３のチップ指定信号線７７１−３を構成する第１の貫通電極と第２の貫通電極は、チップ指定信号線７７１−１とチップ指定信号線７７１−２上を跨いで接続されているように図示されているが、実際の配線では、チップ指定信号線７７１−１とチップ指定信号線７７１−２を避けた配置とされ、接続されている。同様に、メモリチップ７０１−７も、第１―１の貫通電極を設けた場合、チップ指定信号線７７１−１を避けた配置とされ、接続されている。
同様に、メモリチップ７０１−４のチップ指定信号線７７１−４を構成する第１の貫通電極と第２の貫通電極は、チップ指定信号線７７１−１乃至チップ指定信号線７７１−３上を跨いで接続されているように図示されているが、実際の配線では、チップ指定信号線７７１−１乃至チップ指定信号線７７１−３を避けた配置とされ、接続されている。同様に、メモリチップ７０１−８も、第１―１の貫通電極を設けた場合、チップ指定信号線７７１−１を避けた配置とされ、接続されている。
上記したように、データ信号線７６１は、ＡＣ規格が厳しいが、本技術によれば、メモリチップ７０１を積層する場合であっても、各メモリチップ７０１にワイヤボンド用のパッドを備える必要はなく、貫通電極で接続することができるため、入出力容量が小さくなり、データ信号線７６１を多重しても、ＡＣ規格を満たすことが可能となる。
図２２に示した例ではデータ信号線７６１は、４多重されており、アドレスやコマンドを伝送する制御信号線７２１は、８多重されており、チップ（メモリチップ７０１）を選択するためのチップ指定信号線７７１は、２多重されている。このように、データ信号線７６１、制御信号線７２１、およびチップ指定信号線７７１は、異なる多重度とされ、多重度は、
制御信号線の多重度＞データ信号線の多重度＞チップ指定信号線の多重度
の関係が満たされる。
データ信号線７６１を多重することで、データ信号線７６１の本数を少なくすることができ、データ信号線７６１を設けるための貫通電極の数も少なくすることができる。よって、配線に要する面積を縮小することができ、積層メモリ構造体７５０を小型化することが可能となる。
また、データ信号線７６１を多重することで、多重されたメモリチップ７０１同士で冗長処理を行うことが可能となる。冗長処理については、図６、図７を参照した説明した冗長処理を適用することができる。すなわち、例えば、メモリチップ７０１−１乃至７０１−４で冗長領域を共有することができる。また、例えば、メモリチップ７０１−１で不良列が発生した場合、共有している冗長領域、例えば、メモリチップ７０１−２の冗長領域を、メモリチップ７０１−１の不良列の代わりに使用することが可能となる。
よって、図７を参照して説明した場合と同じく、積層チップ化による歩溜まりロスを最小現に抑えることが可能となり、チップコストの低減を実現することが可能となる。
（第３の積層メモリの構造）
第３の積層メモリの構造は、複数個のメモリチップと、これら複数個のメモリチップの動作を制御する制御チップとが積層された積層メモリ構造体である。第３の積層メモリ構造において、メモリに書き込まれるデータやメモリから読み出されるデータを伝送する信号線は、積層メモリ構造体に備わる各メモリチップへ、多重化されて接続される。
メモリへの書き込み動作やメモリからの読み出し動作を制御するために必要となるアドレスやコマンドなどを伝送する制御信号を伝送する信号線は、積層メモリ構造体に備わる各メモリチップで共用される。書き込み動作や読み出し動作を行うメモリを指定もしくは特定するための信号を伝送する信号線は、積層メモリ構造体に備わる各メモリチップへ、多重化されて接続される。
図２３を参照し、データ信号線を２多重した場合の積層メモリについて説明を加える。
図２３は、データ信号線を２多重した場合の積層メモリ構造体８００の構成を示す図である。図２３のＡは、データ信号線の配線構造を示す図である。図２３のＡでは、２多重した場合のデータ信号線の配線を示している。すなわち、制御チップ７０２に接続された１本のデータ信号線を分岐して、２個のメモリチップへと接続したデータ信号線の配線を示している。
メモリチップ７０１−１とメモリチップ７０１−２が多重され、その２個のメモリチップ７０１に対して、１本のデータ信号線８１１−１が配線されている。またメモリチップ７０１−３とメモリチップ７０１−４が多重され、その２個のメモリチップ７０１に対して、１本のデータ信号線８１１−２が配線されている。
またメモリチップ７０１−５とメモリチップ７０１−６が多重され、その２個のメモリチップ７０１に対して、１本のデータ信号線８１１−３が配線されている。またメモリチップ７０１−７とメモリチップ７０１−８が多重され、その２個のメモリチップ７０１に対して、１本のデータ信号線８１１−４が配線されている。
メモリチップ７０１−１乃至７０１−８のそれぞれが、１６ビットのＤＤＲ３である場合、データ信号線８１１−１乃至８１１−４は、それぞれ１６ビットのデータを授受する信号線であり、そのような信号線が、８個のメモリ（８個のチップ）に多重化されて接続されている。各データ信号線８１１−１乃至８１１−４を多重化して配線する構造により、図２３に記載の積層メモリ構造体８００は、１６ビットの４倍、６４ビットのデータを同時に書き込みもしくは読み出しすることが可能となる。このような構成とすることで、高速通信が可能となる。
例えば、データ信号線８１１−１には、データＤ０乃至Ｄ１５の１６ビットが伝送され、データ信号線８１１−２には、データＤ１６乃至Ｄ３１の１６ビットが伝送され、データ信号線８１１−３には、データＤ３２乃至Ｄ４７の１６ビットが伝送され、データ信号線８１１−４には、データＤ４８乃至Ｄ６３の１６ビットが伝送される。すなわち、この場合、データ信号線８１１−１乃至８１１−４は、データＤ０乃至Ｄ６３の６４ビットのデータを伝送するデータ信号線８１１として機能する。
また例えば、６４ビットのデータのうち、メモリチップ７０１−１とメモリチップ７０１−２は、データの下位ビット（Data Lower）を記憶し、メモリチップ７０１−３とメモリチップ７０１−４は、データの中下位ビット（Data Middle Lower）を記憶し、メモリチップ７０１−５とメモリチップ７０１−６は、データの中上位ビット（Data Middle Upper）を記憶し、メモリチップ７０１−７と７０１−８は、データの上位ビット（Data Upper）を記憶するようにすることができる。
データ信号線８１１も、図１９のＡに示したデータ信号線７１１と同じく、複数のチップを貫通する貫通電極と、その貫通電極と接続するための貫通電極とを含む構成とされている。
例えば、データ信号線８１１−１の縦方向の貫通電極としては、メモリチップ７０１−１からメモリチップ７０１−８まで１本の貫通電極（第１−１の貫通電極とする）が設けられている。そして、第１−１の貫通電極に接続するための貫通電極（第２−１の貫通電極とする）が、メモリチップ７０１−１と７０１−２のそれぞれに設けられている。
また同様に、データ信号線８１１−２の縦方向の貫通電極は、メモリチップ７０１−１からメモリチップ７０１−８まで１本の貫通電極（第１−２の貫通電極とする）が設けられている。そして、第１−２の貫通電極に接続するための貫通電極（第２−２の貫通電極とする）が、メモリチップ７０１−３とメモリチップ７０１−４のそれぞれに設けられている。
また同様に、データ信号線８１１−３の縦方向の貫通電極は、メモリチップ７０１−１からメモリチップ７０１−８まで１本の貫通電極（第１−３の貫通電極とする）が設けられている。そして、第１−３の貫通電極に接続するための貫通電極（第２−３の貫通電極とする）が、メモリチップ７０１−５とメモリチップ７０１−６のそれぞれに設けられている。
また同様に、データ信号線８１１−４の縦方向の貫通電極は、メモリチップ７０１−１からメモリチップ７０１−８まで１本の貫通電極（第１−４の貫通電極とする）が設けられている。そして、第１−４の貫通電極に接続するための貫通電極（第２−４の貫通電極とする）が、メモリチップ７０１−７とメモリチップ７０１−８のそれぞれに設けられている。
なお、１本のデータ信号線７６１が、１６ビットのパラレル伝送を行う場合、１６個の第１の貫通電極と第２の貫通電極がそれぞれ設けられることで、１６ビットのパラレル伝送が実現される。
メモリチップ７０１−１とメモリチップ７０１−２には、第１−１の貫通電極、第１−２の貫通電極、第１−３の貫通電極、第１−４の貫通電極、および第２−１の貫通電極の合計５種類の貫通電極が、データ信号線８１１用に形成されている。
この場合、メモリチップ７０１−１とメモリチップ７０１−２には、それぞれ、第１−１の貫通電極用として１６箇所、第１−２の貫通電極用として１６箇所、第１−３の貫通電極用として１６箇所、第１−４の貫通電極用として１６箇所、および第２−１の貫通電極用として１６箇所の貫通電極が設けられている。よって、メモリチップ７０１−１とメモリチップ７０１−２には、それぞれデータ信号線８１１用の貫通電極として８０箇所（＝１６＋１６＋１６＋１６＋１６）設けられている。
同様に、メモリチップ７０１−３とメモリチップ７０１−４には、第１−１の貫通電極、第１−２の貫通電極、第１−３の貫通電極、第１−４の貫通電極、および第２−２の貫通電極の合計５種類の貫通電極が、データ信号線８１１用に形成されている。メモリチップ７０１−３とメモリチップ７０１−４には、それぞれ、データ信号線８１１用の貫通電極として８０箇所設けられている。
また同様に、メモリチップ７０１−５とメモリチップ７０１−６には、第１−１の貫通電極、第１−２の貫通電極、第１−３の貫通電極、第１−４の貫通電極、および第２−３の貫通電極の合計５種類の貫通電極が、データ信号線８１１用に形成されている。メモリチップ７０１−５とメモリチップ７０１−６には、それぞれ、データ信号線８１１用の貫通電極として８０箇所設けられている。
また同様に、メモリチップ７０１−７とメモリチップ７０１−８には、第１−１の貫通電極、第１−２の貫通電極、第１−３の貫通電極、第１−４の貫通電極、および第２−４の貫通電極の合計５種類の貫通電極が、データ信号線８１１用に形成されている。メモリチップ７０１−７とメモリチップ７０１−８には、それぞれ、データ信号線８１１用の貫通電極として８０箇所設けられている。
メモリチップ７０１−１乃至７０１−８には、それぞれ、第１−１の貫通電極、第１−２の貫通電極、第１−３の貫通電極、第１−４の貫通電極の貫通電極が形成されているため、これらの第１の貫通電極を形成するためのマスクなどは、同一のものを用いることができる。
メモリチップ７０１−３とメモリチップ７０１−４に関しては、データ信号線８１１−１の一部を構成する第１−１の貫通電極を形成しない構成とすることも可能である。メモリチップ７０１−３とメモリチップ７０１−４に、第１−１の貫通電極を形成しない構成とした場合、メモリチップ７０１−３とメモリチップ７０１−４には、それぞれ、第１−２の貫通電極乃至第１−４の貫通電極、第２−２の貫通電極の合計４種類の貫通電極が、データ信号線８１１用に形成されることになる。
この場合、メモリチップ７０１−３とメモリチップ７０１−４のそれぞれのチップには、第１−２の貫通電極用として１６箇所、第１−３の貫通電極用として１６箇所、第１−４の貫通電極用として１６箇所、および第２−２の貫通電極用として１６箇所の貫通電極が設けられることになるため、メモリチップ７０１−３とメモリチップ７０１−４のそれぞれのチップには、データ信号線８１１用の貫通電極として６４箇所設けられる。この場合は、メモリチップ７０１−３とメモリチップ７０１−４は、製造時、同一のマスクを用いて形成することができる。
メモリチップ７０１−５とメモリチップ７０１−６に関しては、データ信号線８１１−１とデータ信号線８１１−２の一部を構成する第１−１の貫通電極と第１−２の貫通電極を形成しない構成とすることも可能である。メモリチップ７０１−５とメモリチップ７０１−６に、第１−１の貫通電極と第１−２の貫通電極を形成しない構成とした場合、メモリチップ７０１−５とメモリチップ７０１−６には、それぞれ、第１−３の貫通電極、第１−４の貫通電極、および第２−３の貫通電極の合計３種類の貫通電極が、データ信号線８１１用に形成されることになる。
この場合、メモリチップ７０１−５とメモリチップ７０１−６のそれぞれのチップには、第１−３の貫通電極用として１６箇所、第１−４の貫通電極用として１６箇所、および第２−３の貫通電極用として１６箇所の貫通電極が設けられることになるため、メモリチップ７０１−５とメモリチップ７０１−６のそれぞれのチップには、データ信号線８１１用の貫通電極として４８箇所設けられる。この場合は、メモリチップ７０１−５とメモリチップ７０１−６は、製造時、同一のマスクを用いて形成することができる。
メモリチップ７０１−７とメモリチップ７０１−８に関しては、データ信号線８１１−１乃至データ信号線８１１−３の一部を構成する第１−１の貫通電極乃至第１−３の貫通電極を形成しない構成とすることも可能である。メモリチップ７０１−７とメモリチップ７０１−８に、第１−１の貫通電極乃至第１−３の貫通電極を形成しない構成とした場合、メモリチップ７０１−７とメモリチップ７０１−８には、それぞれ、第１−４の貫通電極と第２−４の貫通電極の合計２種類の貫通電極が、データ信号線８１１用に形成されることになる。
この場合、メモリチップ７０１−７とメモリチップ７０１−８のそれぞれのチップには、第１−４の貫通電極用として１６箇所と、第２−４の貫通電極用として１６箇所の貫通電極が設けられることになるため、メモリチップ７０１−７とメモリチップ７０１−８のそれぞれのチップには、データ信号線８１１用の貫通電極として３２箇所設けられる。この場合は、メモリチップ７０１−７とメモリチップ７０１−８は、製造時、同一のマスクを用いて形成することができる。
図２３のＢを参照するに、アドレス（Address）信号線、コマンド（Command）信号線、Vdd信号線、Vss信号線は、１本の信号線とされ、８個のメモリチップ７０１−１乃至７０１−８で共通の制御信号線７２１として設けられている。この構成は、図１９のＢに示した場合と同様であるため、その説明は省略する。
このように、制御信号線７２１は、８個のメモリチップ７０１（８チップ）で共用される８多重された信号線として設けられている。
図２３のＡに示したようにデータ信号線７１１を２多重し、図２３のＢに示すように、制御信号線７２１を８多重した場合、データを書き込むまたは読み出すメモリチップ７０１−１乃至７０１−８を選択するための選択信号を伝送するチップ指定信号線が、図２３のＣに示すように設けられる。
図２３のＣに示したように、メモリチップ７０１−１乃至７０１−８を選択するための選択信号を伝送するチップ指定信号線は、４多重されて、メモリチップ７０１−１乃至７０１−８に設けられている。すなわち、制御チップ７０２に接続された１本のチップ指定信号線を分岐して、４個のメモリチップへと接続したチップ指定信号線の配線を示している。
メモリチップ７０１−１、メモリチップ７０１−３、メモリチップ７０１−５、およびメモリチップ７０１−７には、チップ指定信号線８２１−１が接続され、メモリチップ７０１−２、メモリチップ７０１−４、メモリチップ７０１−６、およびメモリチップ７０１−８には、チップ指定信号線８２１−２が接続されている。
チップ指定信号線８２１は、４個のメモリチップ７０１で１本共用される信号線として設けられ、４多重されており、２本のチップ指定信号線８２１により２ビットのパラレル信号（例えば、データＡ０，Ａ１の２ビットの信号とする）の伝送を可能とする。例えば、データの書き込み（読み出し）が行われるメモリチップ７０１に該当するチップ指定信号線８２１に伝送されるデータは、“１”とされ、他のチップ指定信号線に伝送されるデータは、“０”とされる。
例えば、チップ指定信号線８２１−１に流されるデータＡ０が“１”とされ、チップ指定信号線８２１−２に流されるデータＡ１が“０”とされた場合、メモリチップ７０１−１に下位ビットのデータＤ０乃至Ｄ１５が書き込まれ（読み出され）、メモリチップ７０１−３に中下位ビットのデータＤ１６乃至Ｄ３１が書き込まれ（読み出され）、メモリチップ７０１−５に中上位ビットのデータＤ３２乃至Ｄ４７が書き込まれ（読み出され）、メモリチップ７０１−７に上位ビットのデータＤ４８乃至Ｄ６３が書き込まれる（読み出される）。
チップ指定信号線８２１も、図１９のＡに示したデータ信号線７１１と同じく、複数のチップを貫通する貫通電極と、その貫通電極と接続するための貫通電極とを含む構成とされている。
例えば、チップ指定信号線８２１−１の縦方向の貫通電極としては、メモリチップ７０１−１からメモリチップ７０１−８まで１本の貫通電極（第１−１の貫通電極とする）が設けられている。そして、第１−１の貫通電極に接続するための貫通電極（第２−１の貫通電極とする）が、メモリチップ７０１−１、メモリチップ７０１−３、メモリチップ７０１−５、メモリチップ７０１−７のそれぞれに設けられている。
また同様に、チップ指定信号線８２１−２の縦方向の貫通電極も、メモリチップ７０１−１からメモリチップ７０１−８まで１本の貫通電極（第１−２の貫通電極とする）が設けられている。そして、第１−２の貫通電極に接続するための貫通電極（第２−２の貫通電極とする）が、メモリチップ７０１−２、メモリチップ７０１−４、メモリチップ７０１−６、７０１−８のそれぞれに設けられている。
メモリチップ７０１−１、メモリチップ７０１−３、メモリチップ７０１−５、メモリチップ７０１−７のそれぞれには、第１−１の貫通電極、第１−２の貫通電極、および第２−１の貫通電極の合計３箇所の貫通電極が、チップ指定信号線８２１用に形成されている。
またメモリチップ７０１−２、メモリチップ７０１−４、メモリチップ７０１−６、７０１−８のそれぞれには、それぞれ、第１−１の貫通電極、第１−２の貫通電極、および第２−２の貫通電極の合計３箇所の貫通電極が、チップ指定信号線８２１用に形成されている。
メモリチップ７０１−１乃至７０１−８には、それぞれ、第１−１の貫通電極と第１−２の貫通電極の貫通電極が形成されているため、チップ指定信号線８２１に関わるこれらの第１の貫通電極を形成するためのマスクなどは、同一のものを用いることができる。
メモリチップ７０１−８に関しては、チップ指定信号線８２１−１の一部を構成する第１−１の貫通電極を形成しない構成とすることも可能である。メモリチップ７０１−８に、第１−１の貫通電極を形成しない構成とした場合、メモリチップ７０１−６には、第１−２の貫通電極と第２−２の貫通電極の合計２種類の貫通電極が形成されるようにすることも可能である。
なお、図２３のＣのメモリチップ７０１−２、メモリチップ７０１−４、メモリチップ７０１−６、のチップ指定信号線８２１−２を構成する第１の貫通電極と第２の貫通電極は、チップ指定信号線８２１−１上を跨いで接続されているように図示されているが、実際の配線では、チップ指定信号線８２１−１を避けて配置とされ、接続されている。
上記したように、データ信号線８１１は、ＡＣ規格が厳しいが、本技術によれば、メモリチップ７０１を積層する場合であっても、各メモリチップ７０１にワイヤボンド用のパッドを備える必要はなく、貫通電極で接続することができるため、入出力容量が小さくなり、データ信号線８１１を多重しても、ＡＣ規格を満たすことが可能となる。
図２３に示した例ではデータ信号線８１１は、２多重されており、アドレスやコマンドを伝送する制御信号線７２１は、８多重されており、チップ（メモリチップ７０１）を選択するためのチップ指定信号線８２１は、４多重されている。このように、データ信号線８１１、制御信号線７２１、およびチップ指定信号線８２１は、異なる多重度とされ、多重度は、
制御信号線の多重度＞チップ指定信号線の多重度＞データ信号線の多重度
の関係が満たされる。
データ信号線８１１を多重することで、データ信号線８１１の本数を少なくすることができ、データ信号線８１１を設けるための貫通電極の数も少なくすることができる。よって、配線に要する面積を縮小することができ、積層メモリ構造体８００を小型化することが可能となる。
また、データ信号線８１１を多重することで、多重されたメモリチップ７０１同士で冗長処理を行うことが可能となる。冗長処理については、図６、図７を参照した説明した冗長処理を適用することができる。すなわち、例えば、メモリチップ７０１−１と７０１−２で冗長領域を共有することができる。また、例えば、メモリチップ７０１−１で不良列が発生した場合、共有している冗長領域、例えば、メモリチップ７０１−２の冗長領域を、メモリチップ７０１−１の不良列の代わりに使用することが可能となる。
よって、図７を参照して説明した場合と同じく、積層チップ化による歩溜まりロスを最小現に抑えることが可能となり、チップコストの低減を実現することが可能となる。
（第４の積層メモリの構造）
第４の積層メモリの構造は、第２の積層メモリの構造と同じであるが、チップ指定信号線が、デコードされたデータを伝送する点で異なる。
図２４を参照し、データ信号線を４多重した場合の積層メモリについて説明を加える。
図２４は、データ信号線を４多重した場合の積層メモリ構造体８５０の構成を示す図である点で、図２２に示した積層メモリ構造体７５０と同様であるが、チップ指定信号線が、デコードされたデータを伝送する構成とされている点で異なる。
図２４のＡは、データ信号線の配線構造を示す図であり、図２２のＡに示したデータ信号線７６１の配線構造と同じであるため、その説明は省略する。また、図２４のＢに示した、制御信号線の配線構造も、図２２のＢに示した制御信号線７２１の配線構造と同じであるため、その説明は省略する。
図２４のＡに示したようにデータ信号線７１１を４多重し、図２４のＢに示すように、制御信号線７２１を８多重した場合、データを書き込むまたは読み出すメモリチップ７０１−１乃至７０１−８を選択するための選択信号を伝送するチップ指定信号線が、図２４のＣに示すように設けられる。
図２４のＣに示したように、メモリチップ７０１−１乃至７０１−８を選択するための選択信号を伝送するチップ指定信号線は、８多重されて、メモリチップ７０１−１乃至７０１−８に共通に設けられている。すなわち、メモリチップ７０１−１乃至メモリチップ７０１−８にそれぞれチップ指定信号線８６１が接続されている。
チップ指定信号線８６１は、例えば、データＡ０乃至Ａ３をデコードした２ビットのデコード信号を流す信号線とされている。図４、図５を参照して説明したように、各チップ（メモリチップ７０１）に、自己が何層目のチップであるかを認識させるためのデータ（スタックアドレス）を書き込み、スタックアドレスをチップ指定信号線８６１に流すようにする。
ただし図２４に示したデータ信号線７６１を４多重した場合、図２２を参照して説明したように、８個のメモリチップ７０１のうち、２個のメモリチップ７０１が選択され、その２個のメモリチップ７０１に上位ビットと下位ビットがそれぞれ書き込まれるため、上位ビットと下位ビットが書き込まれる１組のメモリチップ７０１とされている２個のメモリチップ７０１には、同一のスタックアドレスが書き込まれる（記憶される）。
よって、スタックアドレスとしては、４組のメモリチップ７０１を区別できれば良いため、２ビットのデータとすることができる。例えば、メモリチップ７０１−１とメモリチップ７０１−５には、スタックアドレスとして“００”が割り当てられ、メモリチップ７０１−２とメモリチップ７０１−６には、スタックアドレスとして“０１”が割り当てられ、メモリチップ７０１−３とメモリチップ７０１−７には、スタックアドレスとして“０１”が割り当てられ、メモリチップ７０１−４とメモリチップ７０１−８には、スタックアドレスとして“１１”が割り当てられる。
このようにスタックアドレスが割り当てられ、各メモリチップ７０１に、例えば、図５を参照して説明したように、ｆｕｓｅで書き込まれる。そして、チップ指定信号線８６１に、スタックアドレスとして、例えば“００”が伝送された場合、メモリチップ７０１−１とメモリチップ７０１−５は、自己が選択されたと判断し、データ信号線７６１−１，７６１−２で伝送されてきた信号を、それぞれ書き込む。
このように、チップ指定信号線８６１にデコードされたデータ（スタックアドレス）を伝送するようにすることで、信号線としては１本ですむ。よって、配線に要する面積を縮小することができ、積層メモリ構造体８５０を小型化することが可能となる。
なお、ここでは、チップ指定信号線８６１は、２ビットのデータを伝送するため、チップ指定信号線８６１は、２本の信号線とされ、２本の貫通電極で構成されている。図２２に示した例では、チップ指定信号線７７１は、４本あり、４本の貫通電極が設けられていたが、図２４に示した例では、チップ指定信号線８６１は、２本の貫通電極で構成されるため、上記したように、配線に要する面積を縮小することができ、積層メモリ構造体８５０を小型化することが可能となる。
図２４に示した例ではデータ信号線７６１は、４多重されており、アドレスやコマンドを伝送する制御信号線７２１は、８多重されており、チップ（メモリチップ７０１）を選択するためのチップ指定信号線８６１は、８多重されている。このように、データ信号線８１１、制御信号線７２１、およびチップ指定信号線８２１は、異なる多重度とされ、多重度は、
制御信号線の多重度＝チップ指定信号線の多重度＞データ信号線の多重度
の関係が満たされる。
データ信号線７６１を多重することで、多重されたメモリチップ７０１同士で冗長処理を行うことが可能となる。冗長処理については、図６、図７を参照した説明した冗長処理を適用することができる。すなわち、例えば、メモリチップ７０１−１乃至７０１−４で冗長領域を共有することができる。また、例えば、メモリチップ７０１−１で不良列が発生した場合、共有している冗長領域、例えば、メモリチップ７０１−２の冗長領域を、メモリチップ７０１−１の不良列の代わりに使用することが可能となる。
よって、図７を参照して説明した場合と同じく、積層チップ化による歩溜まりロスを最小現に抑えることが可能となり、チップコストの低減を実現することが可能となる。
（第５の積層メモリの構造）
第５の積層メモリの構造は、第３の積層メモリの構造と同じであるが、チップ指定信号線が、デコードされたデータを伝送する点で異なる。
図２５を参照し、データ信号線を２多重した場合の積層メモリについて説明を加える。
図２５は、データ信号線を２多重した場合の積層メモリ構造体９００の構成を示す図である点で、図２３に示した積層メモリ構造体８００と同様であるが、チップ指定信号線が、デコードされたデータを伝送する構成とされている点で異なる。
図２５のＡは、データ信号線の配線構造を示す図であり、図２３のＡに示したデータ信号線８１１の配線構造と同じであるため、その説明は省略する。また、図２５のＢに示した、制御信号線の配線構造も、図２３のＢに示した制御信号線７２１の配線構造と同じであるため、その説明は省略する。
図２５のＡに示したようにデータ信号線８１１を２多重し、図２５のＢに示すように、制御信号線７２１を８多重した場合、データを書き込むまたは読み出すメモリチップ７０１−１乃至７０１−８を選択するための選択信号を伝送するチップ指定信号線が、図２５のＣに示すように設けられる。
図２５のＣに示したように、メモリチップ７０１−１乃至７０１−８を選択するための選択信号を伝送するチップ指定信号線９１１は、８多重されて、メモリチップ７０１−１乃至７０１−８で共用される１本の信号線として設けられている。すなわち、メモリチップ７０１−１乃至メモリチップ７０１−８のそれぞれにチップ指定信号線８６１が接続されている。
チップ指定信号線９１１は、１ビットのデコード信号を流す信号線とされている。図４、図５を参照して説明したように、各チップ（メモリチップ７０１）に、自己が何層目のチップであるかを認識させるためのデータ（スタックアドレス）を書き込み、スタックアドレスをチップ指定信号線９１１に流すようにする。
ただし図２５に示したデータ信号線８１１を２多重した場合、図２３を参照して説明したように、８個のメモリチップ７０１のうち、４個のメモリチップ７０１が選択され、上位ビット、中上位ビット、中下位ビット、および下位ビットがそれぞれ書き込まれるため、上位ビット、中上位ビット、中下位ビット、および下位ビットがそれぞれ書き込まれる１組のメモリチップ７０１とされている４個のメモリチップ７０１には、同一のスタックアドレスが書き込まれる（記憶される）。
よって、スタックアドレスとしては、２組のメモリチップ７０１を区別できれば良いため、１ビットのデータとすることができる。例えば、メモリチップ７０１−１、メモリチップ７０１−３、メモリチップ７０１−５、メモリチップ７０１−７には、スタックアドレスとして“０”が割り当てられ、メモリチップ７０１−２、メモリチップ７０１−４、メモリチップ７０１−６、およびメモリチップ７０１−８には、スタックアドレスとして“１”が割り当てられる。
このようにスタックアドレスが割り当てられ、各メモリチップ７０１に、例えば、図５を参照して説明したように、ｆｕｓｅで書き込まれる。そして、チップ指定信号線９１１に、スタックアドレスとして、例えば“０”が伝送された場合、メモリチップ７０１−１、メモリチップ７０１−３、メモリチップ７０１−５、およびメモリチップ７０１−７は、自己が選択されたと判断し、データ信号線８１１−１乃至８１１−４で伝送されてきたデータを、それぞれ書き込む。
このように、チップ指定信号線９１１にデコードされたデータ（スタックアドレス）を伝送するようにすることで、信号線としては１本ですむ。よって、配線に要する面積を縮小することができ、積層メモリ構造体９００を小型化することが可能となる。
図２５に示した例ではデータ信号線８１１は、２多重されており、アドレスやコマンドを伝送する制御信号線７２１は、８多重されており、チップ（メモリチップ７０１）を選択するためのチップ指定信号線９１１は、８多重されている。このように、データ信号線８１１、制御信号線７２１、およびチップ指定信号線９１１は、異なる多重度とされ、多重度は、
制御信号線の多重度＝チップ指定信号線の多重度＞データ信号線の多重度
の関係が満たされる。
データ信号線８１１を多重することで、多重されたメモリチップ７０１同士で冗長処理を行うことが可能となる。冗長処理については、図６、図７を参照した説明した冗長処理を適用することができる。すなわち、例えば、メモリチップ７０１−１、メモリチップ７０１−３、メモリチップ７０１−５、およびメモリチップ７０１−７で冗長領域を共有することができる。また、例えば、メモリチップ７０１−１で不良列が発生した場合、共有している冗長領域、例えば、メモリチップ７０１−３の冗長領域を、メモリチップ７０１−１の不良列の代わりに使用することが可能となる。
よって、図７を参照して説明した場合と同じく、積層チップ化による歩溜まりロスを最小現に抑えることが可能となり、チップコストの低減を実現することが可能となる。
なお、上記した説明では、メモリチップ７０１が８層積層される場合を例に挙げて説明したが、８層以外の積層であっても本技術を適用でき、８層に本技術の適用範囲が限定されるわけでない。例えば、メモリチップ７０１を１０層積層し、２多重し、５本のデータ信号線が設けられる構成にしたり、９層積層し、３多重し、３本のデータ信号線が設けられる構成にしたりする場合にも本技術を適用できる。
上記したように、本実施の形態によれば、アレイデバイス部分を積層化することにより、規模の拡張に対応でき、組み込みロジック回路のウェーハを分離することで、ロジック回路部分だけの機能修正の製品マスク対応が容易になる。またアレイデバイス部分の仕様は、異なるデバイスで共通に利用できる標準化された配置とすることができる。
また入出力ピンや保護素子、入力切り替えの選択素子等は、アレイデバイスの積層数が増加変化しても共通に用いることが可能である。これらはアレイデバイスとは別のウェーハに形成し、貫通電極を経由してアレイデバイスに接続する構成とすることができる。
各アレイデバイス側には、一般的なESD保護回路は配置せず、貫通孔部のプロセスダメージ対策の小型保護タイオードのみ接続すれば素子の保護機能としては十分である。
以上のような方法で半導体素子を形成すれば、同じマスクセットを様々な機能・仕様に対応したデバイスを作ることが可能であり、チップの小型化により、実装面積を減らすことが可能になる。これによりコストの低減・開発期間の短縮などが実現できる。
＜電子機器の構成＞
例えば、図１５を参照して説明したイメージセンサ６００は、デジタルスチルカメラやビデオカメラ等の撮像装置や、携帯電話機などの撮像機能を有する携帯端末装置や、画像読取部に撮像装置を用いる複写機など、画像取込部（光電変換部）に撮像素子を用いる電子機器全般に対して適用可能である。
図２６は、本技術に係る電子機器、例えば撮像装置の構成の一例を示すブロック図である。図２６に示すように、本技術に係る撮像装置１０００は、レンズ群１００１等を含む光学系、撮像素子（撮像デバイス）１００２、ＤＳＰ回路１００３、フレームメモリ１００４、表示装置１００５、記録装置１００６、操作系１００７および電源系１００８等を有する。そして、ＤＳＰ回路１００３、フレームメモリ１００４、表示装置１００５、記録装置１００６、操作系１００７および電源系１００８がバスライン１００９を介して相互に接続されている。
レンズ群１００１は、被写体からの入射光（像光）を取り込んで撮像素子１００２の撮像面上に結像する。撮像素子１００２は、レンズ群１００１によって撮像面上に結像された入射光の光量を画素単位で電気信号に変換して画素信号として出力する。
表示装置１００５は、液晶表示装置や有機ＥＬ（electro luminescence）表示装置等のパネル型表示装置からなり、撮像素子１００２で撮像された動画または静止画を表示する。記録装置１００６は、撮像素子１００２で撮像された動画または静止画を、ＤＶＤ（Digital Versatile Disk）、ＨＤＤ（Hard disk drive）等の記録媒体に記録する。
操作系１００７は、ユーザによる操作の下に、本撮像装置が持つ様々な機能について操作指令を発する。電源系１００８は、ＤＳＰ回路１００３、フレームメモリ１００４、表示装置１００５、記録装置１００６および操作系１００７の動作電源となる各種の電源を、これら供給対象に対して適宜供給する。
上記の構成の撮像装置は、ビデオカメラやデジタルスチルカメラ、さらには携帯電話機等のモバイル機器向けカメラモジュールなどの撮像装置として用いることができる。そして、当該撮像装置において、撮像素子１００２として、上述したイメージセンサを用いることができる。また、イメージセンサとして、上記したチップを含むようにすることができる。
＜撮像装置の使用例＞
図２７は、上述のイメージセンサ６００（撮像素子）や撮像素子を含む電子機器を使用する使用例を示す図である。
上述した撮像素子は、例えば、以下のように、可視光や、赤外光、紫外光、Ｘ線等の光をセンシングする様々なケースに使用することができる。
・ディジタルカメラや、カメラ機能付きの携帯機器等の、鑑賞の用に供される画像を撮影する装置
・自動停止等の安全運転や、運転者の状態の認識等のために、自動車の前方や後方、周囲、車内等を撮影する車載用センサ、走行車両や道路を監視する監視カメラ、車両間等の測距を行う測距センサ等の、交通の用に供される装置
・ユーザのジェスチャを撮影して、そのジェスチャに従った機器操作を行うために、TVや、冷蔵庫、エアーコンディショナ等の家電に供される装置
・内視鏡や、赤外光の受光による血管撮影を行う装置等の、医療やヘルスケアの用に供される装置
・防犯用途の監視カメラや、人物認証用途のカメラ等の、セキュリティの用に供される装置
・肌を撮影する肌測定器や、頭皮を撮影するマイクロスコープ等の、美容の用に供される装置
・スポーツ用途等向けのアクションカメラやウェアラブルカメラ等の、スポーツの用に供される装置
・畑や作物の状態を監視するためのカメラ等の、農業の用に供される装置
なお、本明細書に記載された効果はあくまで例示であって限定されるものではなく、また他の効果があってもよい。
なお、本技術の実施の形態は、上述した実施の形態に限定されるものではなく、本技術の要旨を逸脱しない範囲において種々の変更が可能である。
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）
複数の半導体装置と積層され、一体化される半導体装置であり、
他の半導体装置と接続するための第１の貫通電極と、
前記第１の貫通電極と内部の素子を接続する第２の貫通電極と
を備え、
前記第２の貫通電極は、積層される半導体装置毎に異なる位置に配置されている
半導体装置。
（２）
前記第２の貫通電極は、積層されたときの積層位置を表す
前記（１）に記載の半導体装置。
（３）
積層後に、外部信号による書き込みにより、積層された半導体装置の積層方向のアドレスが同定される
前記（１）または（２）に記載の半導体装置。
（４）
半導体装置に配置されたフューズまたはアンチフューズ素子と、前記第２の貫通電極との組み合わせにより、外部信号によって積層方向のアドレスが書き込まれる
前記（１）乃至（３）のいずれかに記載の半導体装置。
（５）
ウェーハの状態で積層され、前記第１の貫通電極と前記第２の貫通電極が形成された後、個片化される
前記（１）乃至（４）のいずれかに記載の半導体装置。
（６）
前記半導体装置は、メモリであり、
前記メモリ内で用いられるXYアドレスに加え、積層された半導体装置の積層位置を表すZアドレスを組み合わせてビット位置を特定する
前記（１）乃至（５）のいずれかに記載の半導体装置。
（７）
記憶領域および冗長領域を、積層された複数の半導体装置間で共有する
前記（６）に記載の半導体装置。
（８）
前記半導体装置は、FPGA（プログラマブル・ロジック・アレイ）であり、
半導体装置内での位置を特定するXYアドレスと、半導体装置間での位置を特定するZアドレスにより、回路機能を書き込むロジックエレメントの配置を特定する
前記（１）乃至（５）のいずれかに記載の半導体装置。
（９）
積層方向の配線アレイ間を、プログラム可能な選択スイッチが付加された貫通電極を経由して接続し、３次元方向のネットワーク接続をロジックエレメント単位で構成する
前記（８）に記載の半導体装置。
（１０）
半導体装置内での信号の流れを制御するスイッチと、積層された半導体装置間での信号の流れを制御するスイッチを備える
前記（８）に記載の半導体装置。
（１１）
外部接続端子と保護素子が形成された半導体装置と積層され、
積層された半導体装置間は、前記第１の貫通電極により相互に接続され、
前記外部接続端子と前記保護素子を、積層されている複数の半導体装置で共用する
前記（１）乃至（１０）のいずれかに記載の半導体装置。
（１２）
撮像素子が積層され、
前記半導体装置は、前記撮像素子で撮像された信号のデータを記憶するメモリであり、
前記メモリは、前記撮像素子の下層に複数積層され、
前記メモリからの信号を処理する処理部が前記メモリの下層に積層されている
前記（１）乃至（１０）のいずれかに記載の半導体装置。
（１３）
平面状のコンフィギュラブルロジックアレイを、前記平面と直交する方向に複数積層し、
前記コンフィギュラブルロジックアレイは、
ロジックエレメントと、
前記平面内で、縦方向および横方向に配置された単位配線と、
前記縦方向および横方向の前記単位配線への接続と遮断を行う第１のスイッチと、
を備え、
前記ロジックエレメント、前記単位配線、および前記第１のスイッチを含む繰り返し単位が、前記平面内の縦方向と横方向に繰り返し配置され、
前記繰り返し単位において、
前記繰り返し単位内の前記単位配線と、前記コンフィギュラブルロジックアレイの前記直交方向に隣接する、他のコンフィギュラブルロジックアレイが含む、前記繰り返し単位内の前記単位配線との接続と遮断を行う第２のスイッチをさらに備え、
前記第１のスイッチと前記第２のスイッチとの双方を介して、前記平面方向と前記直交方向とからなる３次元方向にロジック回路が構成されている
半導体装置。
（１４）
複数の半導体装置と積層され、一体化される半導体装置を製造する製造方法において、
他の半導体装置と接続するための第１の貫通電極と、
前記第１の貫通電極と内部の素子を接続する第２の貫通電極と
をそれぞれ形成するステップを含み、
前記第２の貫通電極は、積層される半導体装置毎に異なる位置に配置されているように形成する
製造方法。
（１５）
複数の半導体装置と積層され、一体化される半導体装置を含む電子機器であり、
前記半導体装置は、
他の半導体装置と接続するための第１の貫通電極と、
前記第１の貫通電極と内部の素子を接続する第２の貫通電極と
を備え、
前記第２の貫通電極は、積層される半導体装置毎に異なる位置に配置されている
半導体装置を含む
電子機器。
（１６）
積層された複数の半導体装置と、
前記半導体装置とデータの授受を行うデータ信号線と、
前記半導体装置とアドレスの授受を行う制御信号線と
を備え、
前記データ信号線と前記制御信号線は、それぞれ多重されており、前記データ信号線の多重度は、前記制御信号線の多重度よりも低い
半導体装置。
（１７）
前記複数の半導体装置のうちから、データの授受を行う半導体装置を選択するための選択信号の受授を行うチップ指定信号線をさらに備え、
前記チップ指定信号線は、多重されており、前記チップ指定信号線の多重度は、前記制御信号線の多重度よりも低いまたは同等である
前記（１６）に記載の半導体装置。
（１８）
前記複数の半導体装置のそれぞれは、自己に割り振られた積層方向のアドレスを記憶し
前記チップ指定信号線は、デコードされた前記積層方向のアドレスを授受する
前記（１７）に記載の半導体装置。
（１９）
前記半導体装置は、メモリであり、
前記メモリは、８層積層され、
前記メモリは、４多重されており、前記８層積層されているメモリのうち、２層のメモリが同時に駆動される
前記（１６）乃至（１７）のいずれかに記載の半導体装置。
（２０）
前記半導体装置は、前記データ信号線用に、
他の半導体装置と接続するための第１の貫通電極と、
前記第１の貫通電極と接続するための第２の貫通電極と
を備え、
前記第２の貫通電極は、異なるデータが供給される半導体装置毎に異なる位置に配置されている
前記（１６）乃至（１９）のいずれかに記載の半導体装置。
１０ ロジック回路チップ， ２０，３０ メモリチップ， ５１乃至５４ 貫通電極， ６０ チップ， ６１ 貫通電極， ６２ 表面配線， ６３ 裏面配線， ６４ 素子， ６５ 貫通電極， ６６ 表面配線， ６７ 貫通電極，６８ 裏面配線， ６９ 素子， ７０ チップ， ７１ 貫通電極， ７２ 表面配線， ７３ 貫通電極， ７４ 裏面配線， ７５ 素子， ７６ 貫通電極， ７７ 表面配線， ７８ 裏面配線， ７９ 素子， ８０ チップ， ８１ 貫通電極， ８２ 表面配線， ８３ 裏面配線， ８４ 素子， ８５ 貫通電極， ８６ 表面配線， ８７ 裏面配線， ８８ 素子， ３０１乃至３０４ FPGAチップ， ３１１ 選択スイッチ， ３１２ CLB， ３１３ Ｚ軸方向スイッチ， ３２１ 選択スイッチ， ３２２ CLB， ３２３ Ｚ軸方向スイッチ， ３２４ Ｚ軸方向スイッチ， ７００ 積層メモリ， ７０１ メモリ， ７１１ データ信号線， ７２１ 制御信号線， ７３１ チップ指定信号線

Claims (20)

  1. 複数の半導体装置と積層され、一体化される半導体装置であり、
    他の半導体装置と接続するための第１の貫通電極と、
    前記第１の貫通電極と内部の素子を接続する第２の貫通電極と
    を備え、
    前記第２の貫通電極は、積層される半導体装置毎に異なる位置に配置されている
    半導体装置。
  2. 前記第２の貫通電極は、積層されたときの積層位置を表す
    請求項１に記載の半導体装置。
  3. 積層後に、外部信号による書き込みにより、積層された半導体装置の積層方向のアドレスが同定される
    請求項１に記載の半導体装置。
  4. 半導体装置に配置されたフューズまたはアンチフューズ素子と、前記第２の貫通電極との組み合わせにより、外部信号によって積層方向のアドレスが書き込まれる
    請求項１に記載の半導体装置。
  5. ウェーハの状態で積層され、前記第１の貫通電極と前記第２の貫通電極が形成された後、個片化される
    請求項１に記載の半導体装置。
  6. 前記半導体装置は、メモリであり、
    前記メモリ内で用いられるXYアドレスに加え、積層された半導体装置の積層位置を表すZアドレスを組み合わせてビット位置を特定する
    請求項１に記載の半導体装置。
  7. 記憶領域および冗長領域を、積層された複数の半導体装置間で共有する
    請求項６に記載の半導体装置。
  8. 前記半導体装置は、FPGA（プログラマブル・ロジック・アレイ）であり、
    半導体装置内での位置を特定するXYアドレスと、半導体装置間での位置を特定するZアドレスにより、回路機能を書き込むロジックエレメントの配置を特定する
    請求項１に記載の半導体装置。
  9. 積層方向の配線アレイ間を、プログラム可能な選択スイッチが付加された貫通電極を経由して接続し、３次元方向のネットワーク接続をロジックエレメント単位で構成する
    請求項８に記載の半導体装置。
  10. 半導体装置内での信号の流れを制御するスイッチと、積層された半導体装置間での信号の流れを制御するスイッチを備える
    請求項８に記載の半導体装置。
  11. 外部接続端子と保護素子が形成された半導体装置と積層され、
    積層された半導体装置間は、前記第１の貫通電極により相互に接続され、
    前記外部接続端子と前記保護素子を、積層されている複数の半導体装置で共用する
    請求項１に記載の半導体装置。
  12. 撮像素子が積層され、
    前記半導体装置は、前記撮像素子で撮像された信号のデータを記憶するメモリであり、
    前記メモリは、前記撮像素子の下層に複数積層され、
    前記メモリからの信号を処理する処理部が前記メモリの下層に積層されている
    請求項１に記載の半導体装置。
  13. 平面状のコンフィギュラブルロジックアレイを、前記平面と直交する方向に複数積層し、
    前記コンフィギュラブルロジックアレイは、
    ロジックエレメントと、
    前記平面内で、縦方向および横方向に配置された単位配線と、
    前記縦方向および横方向の前記単位配線への接続と遮断を行う第１のスイッチと、
    を備え、
    前記ロジックエレメント、前記単位配線、および前記第１のスイッチを含む繰り返し単位が、前記平面内の縦方向と横方向に繰り返し配置され、
    前記繰り返し単位において、
    前記繰り返し単位内の前記単位配線と、前記コンフィギュラブルロジックアレイの前記直交方向に隣接する、他のコンフィギュラブルロジックアレイが含む、前記繰り返し単位内の前記単位配線との接続と遮断を行う第２のスイッチをさらに備え、
    前記第１のスイッチと前記第２のスイッチとの双方を介して、前記平面方向と前記直交方向とからなる３次元方向にロジック回路が構成されている
    半導体装置。
  14. 複数の半導体装置と積層され、一体化される半導体装置を製造する製造方法において、
    他の半導体装置と接続するための第１の貫通電極と、
    前記第１の貫通電極と内部の素子を接続する第２の貫通電極と
    をそれぞれ形成するステップを含み、
    前記第２の貫通電極は、積層される半導体装置毎に異なる位置に配置されているように形成する
    製造方法。
  15. 複数の半導体装置と積層され、一体化される半導体装置を含む電子機器であり、
    前記半導体装置は、
    他の半導体装置と接続するための第１の貫通電極と、
    前記第１の貫通電極と内部の素子を接続する第２の貫通電極と
    を備え、
    前記第２の貫通電極は、積層される半導体装置毎に異なる位置に配置されている
    半導体装置を含む
    電子機器。
  16. 積層された複数の半導体装置と、
    前記半導体装置とデータの授受を行うデータ信号線と、
    前記半導体装置とアドレスの授受を行う制御信号線と
    を備え、
    前記データ信号線と前記制御信号線は、それぞれ多重されており、前記データ信号線の多重度は、前記制御信号線の多重度よりも低い
    半導体装置。
  17. 前記複数の半導体装置のうちから、データの授受を行う半導体装置を選択するための選択信号の受授を行うチップ指定信号線をさらに備え、
    前記チップ指定信号線は、多重されており、前記チップ指定信号線の多重度は、前記制御信号線の多重度よりも低いまたは同等である
    請求項１６に記載の半導体装置。
  18. 前記複数の半導体装置のそれぞれは、自己に割り振られた積層方向のアドレスを記憶し
    前記チップ指定信号線は、デコードされた前記積層方向のアドレスを授受する
    請求項１７に記載の半導体装置。
  19. 前記半導体装置は、メモリであり、
    前記メモリは、８層積層され、
    前記メモリは、４多重されており、前記８層積層されているメモリのうち、２層のメモリが同時に駆動される
    請求項１６に記載の半導体装置。
  20. 前記半導体装置は、前記データ信号線用に、
    他の半導体装置と接続するための第１の貫通電極と、
    前記第１の貫通電極と接続するための第２の貫通電極と
    を備え、
    前記第２の貫通電極は、異なるデータが供給される半導体装置毎に異なる位置に配置されている
    請求項１６に記載の半導体装置。
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