JPWO2014080662A1 - 銅粉 - Google Patents

銅粉 Download PDF

Info

Publication number
JPWO2014080662A1
JPWO2014080662A1 JP2014548473A JP2014548473A JPWO2014080662A1 JP WO2014080662 A1 JPWO2014080662 A1 JP WO2014080662A1 JP 2014548473 A JP2014548473 A JP 2014548473A JP 2014548473 A JP2014548473 A JP 2014548473A JP WO2014080662 A1 JPWO2014080662 A1 JP WO2014080662A1
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
copper
copper powder
mass
less
water
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2014548473A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5872063B2 (ja
Inventor
洋一 上郡山
洋一 上郡山
中山 茂樹
茂樹 中山
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Original Assignee
Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Family has litigation
First worldwide family litigation filed litigation Critical https://patents.darts-ip.com/?family=50775854&utm_source=google_patent&utm_medium=platform_link&utm_campaign=public_patent_search&patent=JPWO2014080662(A1) "Global patent litigation dataset” by Darts-ip is licensed under a Creative Commons Attribution 4.0 International License.
Application filed by Mitsui Mining and Smelting Co Ltd filed Critical Mitsui Mining and Smelting Co Ltd
Priority to JP2014548473A priority Critical patent/JP5872063B2/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5872063B2 publication Critical patent/JP5872063B2/ja
Publication of JPWO2014080662A1 publication Critical patent/JPWO2014080662A1/ja
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/24Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from liquid metal compounds, e.g. solutions
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F1/00Metallic powder; Treatment of metallic powder, e.g. to facilitate working or to improve properties
    • B22F1/05Metallic powder characterised by the size or surface area of the particles
    • B22F1/054Nanosized particles
    • B22F1/056Submicron particles having a size above 100 nm up to 300 nm
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F3/00Manufacture of workpieces or articles from metallic powder characterised by the manner of compacting or sintering; Apparatus specially adapted therefor ; Presses and furnaces
    • B22F3/10Sintering only
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B22CASTING; POWDER METALLURGY
    • B22FWORKING METALLIC POWDER; MANUFACTURE OF ARTICLES FROM METALLIC POWDER; MAKING METALLIC POWDER; APPARATUS OR DEVICES SPECIALLY ADAPTED FOR METALLIC POWDER
    • B22F9/00Making metallic powder or suspensions thereof
    • B22F9/16Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes
    • B22F9/18Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds
    • B22F9/20Making metallic powder or suspensions thereof using chemical processes with reduction of metal compounds starting from solid metal compounds
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22BPRODUCTION AND REFINING OF METALS; PRETREATMENT OF RAW MATERIALS
    • C22B15/00Obtaining copper
    • C22B15/0063Hydrometallurgy
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C22METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22CALLOYS
    • C22C9/00Alloys based on copper
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/02Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of metals or alloys
    • H01B1/026Alloys based on copper
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01BCABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B13/00Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00Printed circuits
    • H05K1/02Details
    • H05K1/09Use of materials for the conductive, e.g. metallic pattern
    • H05K1/092Dispersed materials, e.g. conductive pastes or inks
    • H05K1/097Inks comprising nanoparticles and specially adapted for being sintered at low temperature
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/11Treatments characterised by their effect, e.g. heating, cooling, roughening
    • H05K2203/1157Using means for chemical reduction
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/12All metal or with adjacent metals
    • Y10T428/12014All metal or with adjacent metals having metal particles

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

本発明の銅粉は、一次粒子の平均粒径Dが0.15〜0.6μmであり、一次粒子の平均粒径DとBET比表面積に基づく真球換算での平均粒径DBETとの比であるD/DBETの値が0.8〜4.0であり、かつ粒子間での凝集を抑制するための層を粒子表面に有していない。銅粉は、水、及び水と相溶性を有し、かつ水の表面張力を低下させ得る有機溶媒を液媒体とし、かつ一価又は二価の銅源を含む反応液と、ヒドラジンとを混合し、該銅源を還元して銅粒子を生成させることによって製造することが好適である。

Description

本発明は、銅粉及びその製造方法に関する。
還元剤を用いて液中で銅イオンを還元する湿式の銅粉の製造方法に関する従来の技術としては、例えば還元剤としてヒドラジンを用いた方法が知られている(特許文献1ないし3参照)。特許文献1においては、水酸化銅のスラリーにヒドラジンやヒドラジン化合物を添加して酸化銅を生成させ、この酸化銅をヒドラジンやヒドラジン化合物によって銅に還元する方法が記載されている。特許文献2には、ヒドラジン系還元剤の添加前に銅塩水溶液のpHを12以上に調整した後、還元糖を添加してからヒドラジン系還元剤を添加することが記載されている。特許文献3には、水酸化銅スラリーを第1還元剤で還元して亜酸化銅スラリーとし、該亜酸化銅スラリーを第2還元剤で還元して銅粉を得る方法において、第1還元剤としてヒドラジンを用い、かつpH調整剤としてアンモニア水溶液を併用することが記載されている。
銅粉の別の製造方法として、本出願人は先に、銅化合物が有機溶剤に溶解してなる油相と、還元剤が水に溶解してなる水相とを混合し、油相と水相との界面において銅を還元する方法を提案した(特許文献4参照)。
銅粉の更に別の製造方法として、特許文献5には、還元剤を添加して銅化合物の溶液から金属を還元析出させることによって銅微粒子を製造する方法において、(i)銅塩の溶液に還元剤を添加することにより銅超微粒子からなる独立単分散状態にある核を生成させ、次いで(ii)該銅超微粒子及び還元剤の存在下、銅塩の溶液から金属銅を還元析出させることが記載されている。
特許文献6には、硫酸第二銅塩と、エチレングリコールと、水酸化ナトリウムとを混合して水酸化銅を生成させ、次いでショ糖を加えた後に液を加熱して銅粒子を生成させる方法が記載されている。
特開昭62−99406号公報 特開平4−116109号公報 特開2007−254846号公報 特開2009−62598号公報 特開平10−317022号公報 特開2004−225087号公報
特許文献1ないし3に記載の方法によれば、一次粒子の粒径がサブミクロンオーダーのものが得られやすい。一方、特許文献4ないし6に記載の方法によれば、ナノ粒子と呼ばれる範囲の粒径を有する銅粒子が得られやすい。ところで、サブミクロンオーダーの粒径を有する銅粒子を用いて導体膜を形成すると、粒子が大きいことに起因して粒子間に空隙が生じやすく、該空隙が導体膜の電気抵抗を上昇させる一因となる。一方、銅のナノ粒子を用いて導体膜を形成しようとすると、膜形成時の焼成工程において加わる熱によって粒子が甚だしく収縮してしまい、膜の形成が困難である。更にナノ粒子は、表面エネルギーが大きく凝集を起こしやすいことから、通常は粒子表面に保護剤の層を設けて凝集を抑制しているところ、該保護剤の存在に起因して導体膜形成時の焼結温度が上昇してしまい、エネルギー的に不利になりやすい。
本発明の課題は、前述した従来技術が有する種々の欠点を解消し得る銅粉及びその製造方法を提供することにある。
本発明は、一次粒子の平均粒径Dが0.15〜0.6μmであり、一次粒子の平均粒径DとBET比表面積に基づく真球換算での平均粒径DBETとの比であるD/DBETの値が0.8〜4.0であり、かつ粒子間での凝集を抑制するための層を粒子表面に有していないことを特徴とする銅粉を提供するものである。
また本発明は、水、及び水と相溶性を有し、かつ水の表面張力を低下させ得る有機溶媒を液媒体とし、かつ一価又は二価の銅源を含む反応液と、ヒドラジンとを混合し、該銅源を還元して銅粒子を生成させることを特徴とする銅粉の製造方法を提供するものである。
更に本発明は、前記の銅粉と有機溶媒とを含む導電性組成物を提供するものである。
図1(a)は、実施例1で得られた銅粉の電子顕微鏡像であり、図1(b)は、実施例14で得られた導体膜の電子顕微鏡像である。
発明の詳細な説明
以下本発明の銅粉を、その好ましい実施形態に基づき説明する。以下では、銅粉というとき、文脈に応じて、複数の銅粒子の集合体である銅粉を指すこともあれば、銅粉を構成する個々の銅粒子を指すこともある。
本発明の銅粉は、一次粒子の平均粒径Dが0.15以上0.6μm以下というサブミクロンオーダーの範囲に粒径を有することを特徴の一つとする。当該技術分野におけるこれまでの技術では、前記範囲よりも粒径が小さい特に0.1μm以下のナノオーダーの銅粒子や、前記範囲よりも粒径が大きいサブミクロンオーダーの銅粒子に関する検討が主であり、前記範囲の粒径を有する銅粒子に関する検討例は少ない。本発明者は、後述する製造方法を採用することによって、前記範囲の粒径を有する銅粒子を合成すると、意外にも、該銅粒子の表面に保護層を設けなくても粒子間の凝集が起こりづらく、かつ該銅粒子から形成される導体膜が緻密で導電性が高くなることを見出し、本発明を完成させた。
本発明の銅粉の平均粒径Dを0.6μm以下に設定することによって、該銅粉を用いて導体膜を形成するときに、銅粉が低温で焼結しやすくなる。また、粒子間に空隙が生じにくく、導体膜の比抵抗を低下させることができる。一方、銅粉の平均粒径Dを0.15μm以上に設定することによって、銅粉を焼成するときの粒子の収縮を防止することができる。これらの観点から、前記の平均粒径Dは、0.15〜0.6μmであることが好ましく、0.15〜0.4μmであることが一層好ましい。本発明において、銅粉の一次粒子の平均粒径Dは、走査型電子顕微鏡による観察像を用いて測定した複数の粒子のフェレ径を、球に換算した体積平均粒径であり、具体的には後述する実施例記載の測定方法で測定することができる。本発明の銅粉の粒子形状は球状であることが、銅粉の分散性を高める観点から好ましい。
本発明の銅粉は、粒子間での凝集を抑制するための層(以下、保護層ともいう)を粒子表面に有していない。本発明の銅粉が、前記の数値範囲の平均粒径Dを有し、かつ粒子表面に保護層を有しないことは、その良好な低温焼結性に大きく寄与していると考えられる。前記の保護層は、例えば分散性等を高める目的で、銅粉製造の後工程において銅粒子表面を表面処理剤で処理することによって形成される。このような表面処理剤としては、ステアリン酸、ラウリル酸、オレイン酸といった脂肪酸等の各種の有機化合物が挙げられる。また、ケイ素、チタン、ジルコニウム等の半金属又は金属を含有するカップリング剤等も挙げられる。更に銅粉製造の後工程において表面処理剤を用いない場合であったとしても、湿式還元法によって銅粉を製造する際に、銅源を含有する反応液に分散剤を添加することによって、保護層が形成される場合もある。このような分散剤としては、ピロリン酸ナトリウム等のリン酸塩や、アラビアゴム等の有機化合物が挙げられる。
本発明の銅粉の低温焼結性を一層良好とする観点から、該銅粉は、前記保護層を形成する元素の含有量が極力少ないことが好ましい。具体的には、従来、保護層の成分として銅粉に存在していた炭素、リン、ケイ素、チタン及びジルコニウムの含有量の総和が、銅粉に対して0.10質量%以下であることが好ましく、0.08質量%以下であることが更に好ましく、0.06質量%以下であることが更に一層好ましい。例えば、本発明者の試算によれば、表面処理剤としてラウリル酸を用いて粒径0.6μmの銅粒子の表面を被覆する保護層を形成しようとすると、該銅粒子の炭素含有量は0.13%質量以上となる。
前記の含有量の総和は、小さければ小さいほどよいが、下限が0.06質量%程度であれば、十分に銅粉の低温焼結性を高めることができる。また、銅粉の炭素含有量が過度に多いと、銅粉を焼成して導体膜を形成する際に炭素を含むガスが発生し、そのガスに起因して膜にクラックが発生したり、膜が基板から剥離したりすることがある。本発明の銅粉において前記の含有量の総和が低い場合には、炭素含有ガスの発生による不具合を防止することができる。
上述した含有量は、炭素、リン、ケイ素、チタン及びジルコニウムの総和であったところ、個々の元素についての含有量は以下のとおりであることが好ましい。すなわち炭素の含有量は、0質量%以上0.08質量%以下であることが好ましく、0質量%以上0.05質量%以下であることが一層好ましい。リンの含有量は、0質量%以上0.001質量%以下であることが好ましく、0質量%以上0.0001質量%以下であることが一層好ましい。ケイ素の含有量は、0質量%以上0.005質量%以下であることが好ましく、0質量%以上0.001質量%以下であることが一層好ましい。チタンの含有量は、0質量%以上0.001質量%以下であることが好ましく、0質量%以上0.0001質量%以下であることが一層好ましい。ジルコニウムの含有量は、0質量%以上0.001質量%以下であることが好ましく、0質量%以上0.0001質量%以下であることが一層好ましい。
本発明の銅粉を、電子デバイスの回路形成用原料として用いる場合には、前記の各元素の他にも、不純物元素の含有量が極力少ないことが好ましい。このような不純物の代表的なものとして、ナトリウム、硫黄及び塩素が挙げられる。これらの元素は、例えば銅粉製造時に使用する還元剤や銅源等に由来して、不可避的に銅粉に混入されやすい。本発明の銅粉は、これら3つの元素の含有量の総和が、0.10質量%以下であることが好ましく、0.02質量%以下であることが更に好ましく、0.015質量%以下であることが更に一層好ましい。前記の含有量の総和は、小さければ小さいほどよいが、下限を0.0015質量%程度とすることで、満足すべき特性を有する銅粉となすことができる。なお、上述した元素以外の不純物として、カリウム及び鉄等も挙げられる。
上述した不純物元素の含有量は、ナトリウム、硫黄及び塩素の総和であったところ、個々の不純物元素についての含有量は以下のとおりであることが好ましい。すなわちナトリウムの含有量は、0質量%以上0.001質量%以下であることが好ましく、0質量%以上0.0001質量%以下であることが一層好ましい。硫黄の含有量は、0質量%以上0.02質量%以下であることが好ましく、0質量%以上0.01質量%以下であることが一層好ましい。塩素の含有量は、0質量%以上0.005質量%以下であることが好ましく、0質量%以上0.0005質量%以下であることが一層好ましい。カリウムの含有量は、0質量%以上0.001質量%以下であることが好ましく、0質量%以上0.0001質量%以下であることが一層好ましい。鉄の含有量は、0質量%以上0.001質量%以下であることが好ましく、0質量%以上0.0001質量%以下であることが一層好ましい。
以上のとおり本発明の銅粉は、不純物の含有量が少なく、銅の純度が高いものである。具体的には、本発明の銅粉における銅の含有量は98質量%以上であることが好ましく、99質量%以上であることが更に好ましく、99.8質量%以上であることが更に一層好ましい。なお、これまでに述べた各元素の含有量は、後述する実施例に記載の方法によって測定することができる。
本発明の銅粉は、上述したとおり、粒子間での凝集を抑制するための層を粒子表面に有していないにも関わらず、一次粒子の凝集が少ないものである。一次粒子の凝集の程度は、BET比表面積に基づく真球換算での平均粒径DBETと一次粒子の平均粒径Dとの比であるD/DBETの値を尺度として評価することができる。本発明の銅粉は、このD/DBETの値が0.8以上4.0以下である。D/DBETの値は、銅粉の粒径が均一で凝集のない理想の単分散状態に比べて、どれほど粒径分布が広いかを示す尺度であり、凝集度の推定に用いることができる。
D/DBETの値の評価は、基本的に、銅粉の粒子表面に細孔が少なく均質であることに加え、連続分布(1山分布)を有することを前提条件とする。この前提条件下、D/DBETの値が1である場合、銅粉は前述した理想の単分散状態と解釈できる。一方、D/DBETの値が1よりも大きいほど、銅粉の粒径分布が広く、粒径が不揃いであるか、又は凝集が多いと推測できる。D/DBETの値が1よりも小さいことは稀であり、これは、銅粉が前記の前提条件から外れた状態にある場合に観察されることが多い。前記の前提条件から外れた状態とは、例えば粒子表面に細孔がある状態や、粒子表面が不均一である状態、凝集が局所的に存在する状態等が挙げられる。
本発明の銅粉を、一次粒子の凝集が一層少ないものとする観点から、D/DBETの値は、好ましくは、0.8以上4.0以下であり、より好ましくは0.9以上1.8以下である。DBETの値は、銅粉のBET比表面積をガス吸着法で測定することによって求めることができる。具体的には、BET比表面積及びDBETの値は、後述する実施例に記載の方法で求めることができる。
本発明の銅粉におけるD/DBETの値は上述のとおりであるところ、DBETの値そのものは好ましくは0.08μm以上0.6μm以下であり、更に好ましくは0.1μm以上0.4μm以下であり、更に一層好ましくは0.2μm以上0.4μm以下である。また、本発明の銅粉におけるBET比表面積の値は、好ましくは1.7m2/g以上8.5m2/g以下であり、更に好ましくは2.5m2/g以上4m2/g以下である。
本発明の銅粉は、その結晶子径が好ましくは60nm以下、更に好ましくは50nm以下、更に一層好ましくは40nm以下である。下限値は20nmであることが好ましい。結晶子径の大きさをこの範囲に設定することで、銅粉の低焼結性が一層良好となる。銅粉の結晶子径は、後述する実施例に記載の方法によって測定することができる。
本発明の銅粉は低温で焼結可能なものである。具体的には焼結開始温度が好ましくは170℃以上240℃以下であり、更に好ましくは170℃以上235℃以下であり、更に一層好ましくは170℃以上230℃である。特に、焼結開始温度が前記の範囲であると、ポリイミドからなるフレキシブル基板の配線材料として本発明の銅粉を好適に用いることができる。この理由は、一般にフレキシブル基板に用いるポリイミドのガラス転移点が240℃超であることによる。
上述した焼結開始温度は、3体積%H2−N2雰囲気の炉の中に銅粉を静置し、炉の温度を次第に上昇させることによって測定することができる。具体的には、後述する実施例に記載の方法によって測定できる。焼結が開始したか否かは、炉から取り出した銅粉を走査型電子顕微鏡で観察し、粒子同士の間に面会合が起きているか否かによって判断する。面会合とは、一つの粒子の面と他の粒子の面とが連続するように粒子同士が一体化した状態をいう。例えば、図1(b)に示す導体膜の観察像では、粒子同士の面会合が起きている。
次に本発明の銅粉の好適な製造方法について説明する。本製造方法は、還元剤としてヒドラジンを用いた湿式での銅イオンの還元において、溶媒として、水と相溶性を有し、かつ水の表面張力を低下させ得る有機溶媒を用いることを特徴の一つとする。本製造方法は、該有機溶媒を用いることによって、本発明の銅粉を、容易かつ簡便に製造できるものである。
本製造方法においては、水及び前記有機溶媒を液媒体とし、かつ一価又は二価の銅源を含む反応液と、ヒドラジンとを混合し、該銅源を還元して銅粒子を生成させる。本製造方法においては、意図的に保護層を形成する操作は行わない。
前記有機溶媒としては、例えば、一価アルコール、多価アルコール、多価アルコールのエステル、ケトン、エーテル等を挙げることができる。一価アルコールとしては、炭素原子数が1以上5以下、特に1以上4以下のものが好ましい。具体例としては、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、t−ブタノール等を挙げることができる。
多価アルコールとしては、エチレングリコール、1,2−プロピレングリコール及び1,3−プロピレングリコール等のジオール、グリセリン等のトリオール等を挙げることができる。
多価アルコールのエステルとしては、上述した多価アルコールの脂肪酸エステルが挙げられる。脂肪酸としては例えば炭素原子数が1以上8以下、特に1以上5以下の一価脂肪酸が好ましい。多価アルコールのエステルは、少なくとも1個の水酸基を有していることが好ましい。
ケトンとしては、カルボニル基に結合しているアルキル基の炭素原子数が1以上6以下、特に1以上4以下のものが好ましい。ケトンの具体例としては、メチルエチルケトン、アセトン等が挙げられる。
エーテルとしては、ジメチルエーテル、エチルメチルエーテル、ジエチルエーテルや、環状エーテルであるオキタセン、テトラヒドロフラン、テトラヒドロピランや、ポリエーテルであるポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等の高分子化合物等が挙げられる。
上述した各種の有機溶媒のうち、一価アルコールを用いることが、経済性及び安全性等の観点から好ましい。
前記の液媒体は、水の質量に対する前記有機溶媒の質量の比率(有機溶媒の質量/水の質量)が好ましくは1/99から90/10であり、更に好ましくは 1.5/98.5から90/10である。水及び有機溶媒の比率がこの範囲内であると、湿式還元時における水の表面張力を適度に低下させることができ、D及びD/DBETの値が前記の範囲内にある銅粉を容易に得ることができる。
前記の液媒体は、好ましくは前記有機溶媒及び水のみからなる。このことは、分散剤等を用いずに、保護層を有さずかつ不純物の少ない銅粉を製造する観点等から好ましい。
本製造方法においては、前記の液媒体に、銅源を溶解又は分散させることによって反応液を調製する。反応液の調製方法としては、例えば、液媒体と銅源とを混合して撹拌する方法が挙げられる。反応液において、液媒体に対する銅源の割合は、銅源1gに対して液媒体の質量が好ましくは4g以上2000g以下、更に好ましくは8g以上1000g以下とする。液媒体に対する銅源の割合がこの範囲内であると、銅粉合成の生産性が高くなるので好ましい。
前記の銅源としては、一価又は二価の各種の銅化合物を用いることができる。特に、酢酸銅、水酸化銅、硫酸銅、酸化銅又は亜酸化銅を用いることが好ましい。銅源としてこれらの銅化合物を用いると、D及びD/DBETの値が前記の範囲内にある銅粉を容易に得ることができる。また不純物が少ない銅粉を得ることができる。
次いで、前記の反応液とヒドラジンとを混合する。ヒドラジンの添加量は、銅1モルに対して好ましくは0.5モル以上50モル以下、更に好ましく1モル以上20モル以下となるような量とする。ヒドラジンの添加量がこの範囲であると、D/DBETの値が前記の範囲内となる銅粉が得やれやすい。同様の理由から、反応液の温度は、混合開始時点から終了時点にわたって、40℃以上90℃以下、特に50℃以上80℃以下に維持することが好ましい。同様の理由から、混合開始時点から反応終了時点にわたって、反応液の撹拌を継続することが好ましい。
前記反応液とヒドラジンとの混合は、以下の(a)及び(b)のいずれかのように行うことが好ましい。こうすることで、急激な反応に起因して不都合が生じることを効果的に防止することができる。
(a)前記反応液中に、ヒドラジンを、時間をおいて複数回にわたって添加する。
(b)前記反応液中に、ヒドラジンを、連続して所定時間にわたって添加する。
(a)の場合、複数回とは、2回以上6回以下程度であることが好ましい。ヒドラジンの各添加の間隔は5分以上90分以下程度であることが好ましい。
(b)の場合、前記の所定時間とは1分以上180分以下程度であることが好ましい。反応液は、ヒドラジンとの混合が終了した後も、撹拌を継続して、熟成することが好ましい。こうすることで、D/DBETの値が前記の範囲内となる銅粉が得やすいからである。
本製造方法においては、還元剤としてヒドラジンのみを用いることが、不純物の少ない銅粉を得られるので好ましい。
このようにして得られた本発明の銅粉は、デカンテーション法等による洗浄後、水や有機溶剤等に分散させてスラリーとしてもよい。また本発明の銅粉は、乾燥させて乾燥粉としてもよい。また、本発明の銅粉は、後述するように溶剤や樹脂等を添加して導電性インクや導電性ペースト等の導電性組成物としてもよい。
従来、保護層を有さず、サブミクロンオーダーの粒径を有する銅粉は、乾燥させると凝集してしまうため、乾燥粉として取り出すことは難しかった。このため、従来、このような銅粉を保管・搬送する際には、銅粉に水や有機溶媒、樹脂等を添加して、水性スラリーやペーストの形態としていた。これに対し、本発明の銅粉は、保護層を有していないにも関わらず、乾燥させても凝集しにくいので、乾燥粉として保管・搬送できる。このことは、銅粉の保管スペースを削減でき、搬送しやすい等の点で有利である。
本発明の銅粉を含む導電性組成物は、該銅粉及び有機溶媒を少なくとも含んで構成される。有機溶媒としては、金属粉を含む導電性組成物の技術分野においてこれまで用いられてきたものと同様のものを特に制限なく用いることができる。そのような有機溶媒としては、例えばモノアルコール、多価アルコール、多価アルコールアルキルエーテル、多価アルコールアリールエーテル、エステル類、含窒素複素環化合物、アミド類、アミン類、飽和炭化水素などが挙げられる。これらの有機溶媒は、単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
モノアルコールとしては、例えば1−プロパノール、1−ブタノール、1−ペンタノール、1−ヘキサノール、シクロヘキサノール、1−ヘプタノール、1−オクタノール、1−ノナノール、1−デカノール、グリシドール、ベンジルアルコール、メチルシクロヘキサノール、2−メチル1−ブタノール、3−メチル−2−ブタノール、4−メチル−2−ペンタノール、イソプロピルアルコール、2−エチルブタノール、2−エチルヘキサノール、2−オクタノール、2−メトキシエタノール、2−エトキシエタノール、2−n−ブトキシエタノール、2−フェノキシエタノールなどを用いることができる。
多価アルコールとしては、エチレングリコール、プロピレングリコール、1,3−プロパンジオール、1,4−ブタンジオール、1,5−ペンタンジオール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、トリエチレングリコール、テトラエチレングリコール等を用いることができる。
多価アルコールアルキルエーテルとしては、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等を用いることができる。
多価アルコールアリールエーテルとしては、エチレングリコールモノフェニルエーテル等を用いることができる。エステル類としては、エチルセロソルブアセテート、ブチルセロソルブアセテート、γ―ブチロラクトン等を用いることができる。含窒素複素環化合物としては、N−メチルピロリドン、1,3−ジメチルー2−イミダゾリジノン等を用いることができる。アミド類としては、ホルムアミド、N−メチルホルムアミド、N,N−ジメチルホルムアミド等を用いることができる。アミン類としては、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、トリプロピルアミン、トリブチルアミン等を用いることができる。
飽和炭化水素としては、例えばヘプタン、オクタン、ノナン、デカン、ウンデカン、ドデカン、トリデカン、テトラデカン、ペンタデカン、ヘキサデカンなどを用いることができる。
本発明の導電性組成物には、必要に応じて分散剤を添加してもよい。分散剤としては、ナトリウム、カルシウム、リン、硫黄及び塩素等を含有しない非イオン性界面活性剤が好適であり、該非イオン性界面活性剤としては、例えば多価アルコール脂肪酸エステル、プロピレングリコール脂肪酸エステル、グリセリン脂肪酸エステル、ポリグリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレングリセリン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンアルキルエーテル、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンアルキルエーテル、ポリオキシアルキレンアルキルエーテル、ソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステル、ポリオキシエチレンソルビット脂肪酸エステル、ポリオキシエチレン硬化ひまし油、ポリオキシエチレンアルキルアミン、ポリオキシアルキレンアルキルアミン、アルキルアルカノールアミド、ポリオキシエチレンアルキルフェニルエーテルなどを用いることができる。
本発明の導電性組成物に、有機ビヒクルやガラスフリットを更に含有させることもできる。有機ビヒクルは、樹脂成分と溶剤とを含む。樹脂成分としては、例えば、アクリル樹脂、エポキシ樹脂、エチルセルロース、カルボキシエチルセルロース等が挙げられる。溶剤としては、ターピネオール及びジヒドロターピネオール等のテルペン系溶剤や、エチルカルビトール及びブチルカルビトール等のエーテル系溶剤が挙げられる。ガラスフリットとしては、ホウケイ酸ガラス、ホウケイ酸バリウムガラス、ホウケイ酸亜鉛ガラス等が挙げられる。
また本発明の導電性組成物には、導電性組成物の各種の性能を一層高めることを目的として、必要に応じて、本発明の銅粉に加えて他の銅粉を適宜配合してもよい。
本発明の導電性組成物における銅粉及び有機溶媒の配合量は、該導電性組成物の具体的な用途や該導電性組成物の塗布方法に応じて広い範囲で調整することができる。塗布方法としては、例えばインクジェット法、ディスペンサ法、マイクロディスペンサ法、グラビア印刷法、スクリーン印刷法、ディップコーティング法、スピンコーティング法、スプレー塗布法、バーコーティング法、ロールコーティング法などを用いることができる。
本発明の導電性組成物は、銅粉の含有割合に応じて粘度が異なり、粘度の違いに応じてインク、スラリー、ペースト等の種々の名称で呼称される。本発明の導電性組成物における銅粉の含有割合は、例えば5質量%以上95質量%以下という広い範囲で設定ができる。この範囲の中で、塗布方法としてインクジェット印刷法を用いる場合には、銅粉の含有割合を例えば10質量%以上50質量%以下に設定することが好ましい。スクリーン印刷法を用いる場合には、例えば60質量%以上95質量%以下に設定することが好ましい。アプリケータを用いる場合には、例えば5質量%以上90質量%以下に設定することが好ましい。銅粉の含有割合が高い場合、例えば90質量%前後である場合には、塗布方法としてはディスペンサ法を用いることが好ましい。
本発明の導電性組成物は、これを基板上に塗布して塗膜とし、この塗膜を焼成することによって、導体膜を形成することができる。導体膜は、例えばプリント配線板の回路形成や、セラミックコンデンサの外部電極の電気的導通確保のために好適に用いられる。基板としては、銅粉が用いられる電子回路の種類に応じて、ガラスエポキシ樹脂等からなるプリント基板や、ポリイミド等からなるフレキシブルプリント基板が挙げられる。
形成された塗膜の焼成温度は、前述した銅粉の焼成開始温度以上であればよい。塗膜の焼成温度は例えば、170〜240℃とすることができる。焼成の雰囲気は例えば非酸化性雰囲気下で行うことができる。非酸化性雰囲気としては、例えば水素や一酸化炭素等の還元性雰囲気、水素−窒素混合雰囲気等の弱還元性雰囲気、アルゴン、ネオン、ヘリウム及び窒素等の不活性雰囲気が挙げられる。還元雰囲気、弱還元雰囲気及び不活性雰囲気のいずれの場合であっても、加熱に先立ち加熱炉内を一旦真空吸引して酸素を除去した後に、それぞれの雰囲気とすることが好ましい。水素−窒素混合雰囲気下に焼成を行う場合、水素の濃度は爆発限界濃度以下の濃度とすることが好ましい。具体的には水素の濃度は1体積%以上4体積%以下程度であることが好ましい。いずれの雰囲気を用いる場合であっても、焼成時間は10分以上3時間以下、特に30分以上2時間以下とすることが好ましい。
このようにして得られた導体膜は、導電性組成物の構成成分として配合されている本発明の銅粉に起因して導電性が高いものとなる。また、導電性組成物の塗布対象物との密着性が高いものとなる。この理由は、本発明の銅粉が、低温焼結性が良好であることに起因しているものと本発明者は考えている。詳細には、低温焼結性が良好な本発明の銅粉は、該銅粉を含む塗膜の焼成工程において容易に溶融して粒子同士が面会合するので、導電性が高くなると考えられる。これに対して低温焼結性が良好でない場合には、塗膜を焼成しても粒子同士が点接触しているに過ぎないので、導電性を高めることが容易でない。密着性に関しては、焼成工程における粒子の溶融によって、溶融した粒子と基材の表面との接触面積が大きくなるとともに、溶融した粒子と基材の表面との間にアンカー効果が生じて密着性が高くなると考えられる。
以下、実施例により本発明を更に詳細に説明する。しかしながら本発明の範囲は、かかる実施例に制限されない。特に断らない限り、「%」は「質量%」を意味する。
〔実施例1〕
撹拌羽を取り付けた容量500mlの丸底フラスコを用意した。この丸底フラスコに、銅源として酢酸銅一水和物15.71gを投入した。丸底フラスコに、更に水10gと、有機溶媒としてイソプロパノール70.65gとを加えて反応液を得た。この反応液を、150rpmで撹拌しながら液温を60℃まで上げた。撹拌を続けたまま、反応液にヒドラジン一水和物1.97gを一度に添加した。次いで、反応液を30分間撹拌した。その後、反応液にヒドラジン一水和物17.73gを添加した。更に反応液を30分間撹拌した。その後、反応液にヒドラジン一水和物7.88gを添加した。その後、反応液を、液温を60℃に保ったまま、1時間撹拌し続けた。反応終了後、反応液全量を固液分離した。得られた固形分について、純水を用いたデカンテーション法による洗浄を行った。洗浄は、上澄み液の導電率が1000μS/cm以下になるまで繰り返した。洗浄物を固液分離した。得られた固形分にエタノール160gを加え、加圧濾過器を用いて濾過した。得られた固形分を常温で減圧乾燥し、目的とする銅粉を得た。
〔実施例2ないし13〕
有機溶媒の種類、水及び有機溶媒の使用量、又は銅源の種類を下記の表1記載のとおりに変更した以外は、実施例1と同様にして、目的とする銅粉を得た。
〔比較例1及び2〕
比較例1の銅粉として、表面に保護層が形成された銅粉である三井金属鉱業株式会社製「CT500」を使用した。比較例2の銅粉として、表面に保護層が形成された銅粉である三井金属鉱業株会社製「1050Y」を使用した。
〔測定・評価〕
実施例1ないし13で得られた銅粉並びに比較例1及び2の銅粉について、以下の方法で、一次粒子の平均粒径D(μm)、BET比表面積(m2/g)、BET比表面積に基づく真球換算での平均粒径DBET(μm)を求めた。更に、得られたD及びDBETの値からD/DBETを算出した。また、以下の方法で、炭素、リン、ケイ素、チタン、ジルコニウムの含有量(質量%)を測定し、これら5つの元素の総和を求めた。更に、ナトリウム、硫黄、塩素の含有量(質量%)を測定し、これら3つの元素の総和を求めた。カリウム、鉄、窒素、銅の含有量(質量%)も測定した。また、以下の方法で、結晶子径(nm)を求めた。また、以下の方法で、焼結開始温度(℃)を求めた。これらの結果を表1に示す。ただし、銅以外の個別の元素の含有量は、表2に示す。
〔一次粒子の平均粒径D〕
走査型電子顕微鏡(日本エフイー・アイ(株)製XL30SFEG)を用い、倍率10,000倍又は30,000倍で、銅粉を観察し、視野中の粒子200個について水平方向フェレ径を測定した。測定した値から、球に換算した体積平均粒径を算出し、一次粒子の平均粒径D(μm)とした。
〔BET比表面積〕
(株)島津製作所製フローソーブII2300を用い、1点法で測定した。測定粉末の量を1.0gとし、予備脱気条件は150℃で15分間とした。
〔BET比表面積に基づく真球換算での平均粒径DBET
前記で得られたBET比表面積(SSA)の値及び銅の室温近傍の密度(8.94g/cm3)から下記式によって求めた。
BET(μm)=6/(SSA(m2/g)×8.94(g/cm3))
〔各種元素の含有量〕
炭素及び硫黄の含有量(質量%)は、ガス分析装置((株)堀場製作所製EMIA−920V)を用いて測定した。リン、ケイ素、チタン、ジルコニウム、ナトリウム、カリウム及び鉄の含有量(質量%)は、ICP発光分析(エスアイアイ・ナノテクノロジー(株)製ICP−SPS−3000)で測定した。塩素の含有量(質量%)は、イオンクロマトグラフィー((株)三菱化学アナリテック製AQF−2100F)で測定した。銅の含有量(質量%)は100%から測定した不純物量を差し引いた値で表した。
〔結晶子径〕
(株)リガク製のRINT−TTRIIIを用いて銅粉のX線回折測定を行った。得られた(111)ピークを用いて、シェラー(Scherrer)法によって結晶子径(nm)を算出した。
〔焼結開始温度〕
銅粉をアルミニウム製の台に乗せて、3体積%H2−N2雰囲気下、160℃の設定温度で1時間保持した。その後、炉から銅粉を取り出し、前記の走査型電子顕微鏡を用いて倍率50,000倍で銅粉を観察し、面会合の有無を調べた。面会合が観察されない場合、炉の設定温度を、前記の設定温度から10℃高い温度に設定し直し、新たな設定温度において面会合の有無を前記と同様にして調べた。この操作を繰り返し、面会合が観察された炉の設定温度を、焼結開始温度(℃)とした。
表1に示す結果から明らかなとおり、各実施例の銅粉は、各比較例の銅粉に比して焼結開始温度が低く、低温焼結性が良好であることが判る。また、実施例14の導体膜の比抵抗値及び図1(b)から明らかなように、本発明の銅粉は230℃以下の温度で焼結し、かつ比抵抗の低い導体膜が得られることが判る。
〔実施例14:導電性組成物の調製及び導体膜の製造〕
実施例1で得られた銅粉を用いて、以下のようにして、濃度40質量%の銅粉のスラリー(導電性組成物)を得た。
銅粉4gとテトラエチレングリコール6gを、3本ロールミルを用いて混合しスラリーとした。得られたスラリーを、ガラス基板上にアプリケータを用いて塗布して塗膜を形成した。この塗膜を、230℃の3体積%H2−N2雰囲気下で2時間にわたって熱処理して、厚さ12μmの導体膜を得た。
実施例1で得られた銅粉及び本実施例で得られた導体膜について、前記の走査型電子顕微鏡を用い、倍率50000倍で観察した。銅粉の観察像を図1(a)に示し、導体膜の観察像を図1(b)に示す。得られた導体膜の比抵抗を、抵抗率計(三菱化学社製MCP−T600)にて表面抵抗測定を行った後、膜厚を換算して算出したところ、6μΩ・cmであり、バルク銅の比抵抗(1.7μΩ・cm)に近いものであった。
〔実施例15:導電性組成物の調製及び導体膜の製造〕
実施例4で得られた銅粉92質量%と、テトラエチレングリコール6質量%と、ポリオキシエチレンアルキルエーテル(trion X−100)2質量%とからなる導電性インク(導電性組成物)を調製した。得られた導電性インクを、ポリイミドフィルム(宇部興産株式会社製ユーピレックス25S)上にスクリーン印刷法を用いて塗布して塗膜を形成した。この塗膜を、230℃の3体積%H2−N2雰囲気下で2時間にわたって熱処理して、厚さ34μmの導体膜を得た。得られた導体膜にセロハンテープを貼り付けて剥離テストを行い、剥離の有無を調べたところ、剥離は観察されなかった。また、この導体膜の比抵抗を実施例14と同様の方法で測定したところ、9μΩ・cmであった。
〔比較例3:導電性組成物の調製及び導体膜の製造〕
実施例15において用いた実施例4の銅粉に代えて、三井金属鉱業(株)製の銅粉である「CT500」(粒径0.67μm)を用いた以外は、実施例15と同様にして導電性インクを調製した。この導電性インクを用い、実施例15と同様にして導体膜を得た。得られた導体膜について実施例15と同様の剥離テストを行ったところ、ポリイミドフィルムからの導体膜の剥離が観察された。また導体膜の比抵抗は45μΩ・cmであった。
本発明によれば、低温焼結性が良好である銅粉及びその製造方法が提供される。また本発明によれば、比抵抗が低く、かつ基材との密着性が高い導体膜を容易に形成し得る銅粉及びその製造方法が提供される。
本発明は、一次粒子の平均粒径Dが0.15以上0.6μm以下であり、一次粒子の平均粒径DとBET比表面積に基づく真球換算での平均粒径DBETとの比であるD/DBETの値が0.8以上4.0以下であり、かつ粒子間での凝集を抑制するための層を粒子表面に有していない銅であって、
結晶子径が60nm以下である銅粉を提供するものである。
また本発明は、一次粒子の平均粒径Dが0.15以上0.6μm以下であり、一次粒子の平均粒径DとBET比表面積に基づく真球換算での平均粒径D BET との比であるD/D BET の値が0.8以上4.0以下であり、かつ粒子間での凝集を抑制するための層を粒子表面に有していない銅粉であって、
焼結開始温度が170℃以上240℃以下である銅粉を提供するものである。

Claims (12)

  1. 一次粒子の平均粒径Dが0.15以上0.6μm以下であり、一次粒子の平均粒径DとBET比表面積に基づく真球換算での平均粒径DBETとの比であるD/DBETの値が0.8以上4.0以下であり、かつ粒子間での凝集を抑制するための層を粒子表面に有していないことを特徴とする銅粉。
  2. 炭素、リン、ケイ素、チタン及びジルコニウムの含有量の総和が、0.10質量%以下である請求項1に記載の銅粉。
  3. ナトリウム、硫黄及び塩素の含有量の総和が、0.10質量%以下である請求項1又は2に記載の銅粉。
  4. 結晶子径が60nm以下である請求項1ないし3のいずれか一項に記載の銅粉。
  5. 焼結開始温度が170℃以上240℃以下である請求項1ないし4のいずれか一項に記載の銅粉。
  6. 請求項1ないし5のいずれか一項に記載の銅粉と有機溶媒とを含む導電性組成物。
  7. 水、及び水と相溶性を有し、かつ水の表面張力を低下させ得る有機溶媒を液媒体とし、かつ一価又は二価の銅源を含む反応液と、ヒドラジンとを混合し、該銅源を還元して銅粒子を生成させることを特徴とする銅粉の製造方法。
  8. 水の質量に対する前記有機溶媒の質量の比率(有機溶媒/水)が1/99から90/10である請求項7に記載の製造方法。
  9. 前記銅源として酢酸銅、水酸化銅、硫酸銅、酸化銅又は亜酸化銅を用いる請求項7又は8に記載の製造方法。
  10. 液媒体が前記有機溶媒及び水のみからなる請求項7ないし9のいずれか一項に記載の製造方法。
  11. 還元剤としてヒドラジンのみを用いる請求項7ないし10のいずれか一項に記載の製造方法。
  12. 請求項1ないし5のいずれか一項に記載の銅粉を焼成して得られた導体膜。
JP2014548473A 2012-11-26 2013-06-20 銅粉 Active JP5872063B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2014548473A JP5872063B2 (ja) 2012-11-26 2013-06-20 銅粉

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2012257281 2012-11-26
JP2012257281 2012-11-26
PCT/JP2013/066934 WO2014080662A1 (ja) 2012-11-26 2013-06-20 銅粉及びその製造方法
JP2014548473A JP5872063B2 (ja) 2012-11-26 2013-06-20 銅粉

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JP5872063B2 JP5872063B2 (ja) 2016-03-01
JPWO2014080662A1 true JPWO2014080662A1 (ja) 2017-01-05

Family

ID=50775854

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2014548473A Active JP5872063B2 (ja) 2012-11-26 2013-06-20 銅粉

Country Status (7)

Country Link
US (1) US10518323B2 (ja)
EP (1) EP2923781A4 (ja)
JP (1) JP5872063B2 (ja)
KR (1) KR102118308B1 (ja)
CN (1) CN104684666B (ja)
TW (1) TWI630045B (ja)
WO (1) WO2014080662A1 (ja)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN106170851B (zh) 2014-02-04 2019-03-08 株式会社村田制作所 电子元器件模块、以及电子元器件模块的制造方法
JP5941082B2 (ja) * 2014-03-10 2016-06-29 三井金属鉱業株式会社 銅粉
JP5941588B2 (ja) * 2014-09-01 2016-06-29 Dowaエレクトロニクス株式会社 接合材およびそれを用いた接合方法
WO2016035314A1 (ja) * 2014-09-01 2016-03-10 Dowaエレクトロニクス株式会社 接合材およびそれを用いた接合方法
US10307825B2 (en) * 2015-01-30 2019-06-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Metal powder, ink, sintered body, substrate for printed circuit board, and method for manufacturing metal powder
US10625344B2 (en) * 2015-03-05 2020-04-21 Osaka University Method for producing copper particles, copper particles, and copper paste
WO2016152214A1 (ja) 2015-03-26 2016-09-29 三井金属鉱業株式会社 銅粉及びそれを含む導電性組成物
JP5907302B1 (ja) * 2015-05-15 2016-04-26 住友金属鉱山株式会社 銅粉及びそれを用いた銅ペースト、導電性塗料、導電性シート、並びに銅粉の製造方法
JP5907301B1 (ja) 2015-05-15 2016-04-26 住友金属鉱山株式会社 銀コート銅粉及びそれを用いた銅ペースト、導電性塗料、導電性シート、並びに銀コート銅粉の製造方法
JP6060225B1 (ja) * 2015-07-27 2017-01-11 三井金属鉱業株式会社 銅粉及びその製造方法
JP6842836B2 (ja) * 2016-02-29 2021-03-17 三井金属鉱業株式会社 銅ペースト及び銅の焼結体の製造方法
JP6967839B2 (ja) * 2016-03-23 2021-11-17 日東電工株式会社 加熱接合用シート、ダイシングテープ付き加熱接合用シート、及び、接合体の製造方法、パワー半導体装置
JP6688659B2 (ja) * 2016-03-31 2020-04-28 三井金属鉱業株式会社 銀コート銅粉
CN109475942B (zh) * 2016-08-03 2022-10-28 株式会社Adeka 铜粉的制造方法
JP7039126B2 (ja) * 2016-12-28 2022-03-22 Dowaエレクトロニクス株式会社 銅粉およびその製造方法
JP6955377B2 (ja) * 2017-06-16 2021-10-27 三井金属鉱業株式会社 銅粒子
JP6986390B2 (ja) * 2017-08-31 2021-12-22 Koa株式会社 厚膜抵抗器
JP6561100B2 (ja) * 2017-10-04 2019-08-14 Jx金属株式会社 表面処理銅微粒子の製造方法
JP7110410B2 (ja) * 2018-06-26 2022-08-01 アルファ・アセンブリー・ソリューションズ・インコーポレイテッド 焼結ダイアタッチ及び類似した用途のためのナノ銅ペースト及びフィルム
JP7083710B2 (ja) * 2018-06-29 2022-06-13 日揮触媒化成株式会社 金属粒子分散液の製造方法、金属粒子分散液、及び被膜付基材の製造方法
SG11202100308YA (en) * 2018-08-08 2021-02-25 Mitsui Mining & Smelting Co Bonding composition, conductor bonding structure, and method for producing same
RU2691474C1 (ru) * 2018-08-15 2019-06-14 Марина Владимировна Пузанова Медный порошок для очистки технического тетрахлорида титана от примеси окситрихлорида ванадия
JP6549298B1 (ja) * 2018-09-21 2019-07-24 Jx金属株式会社 易解砕性銅粉及びその製造方法
JP7139258B2 (ja) * 2019-01-22 2022-09-20 大陽日酸株式会社 銅微粒子、導電性材料、銅微粒子の製造方法
KR102274721B1 (ko) 2019-07-16 2021-07-09 전북대학교산학협력단 난소암 진단을 위한 돌연변이 유전자 및 이를 이용한 진단 방법
JP6704083B1 (ja) * 2019-11-22 2020-06-03 東邦チタニウム株式会社 銅粉体とその製造方法
JP2020053404A (ja) * 2019-12-11 2020-04-02 三井金属鉱業株式会社 銅ペースト及び銅の焼結体の製造方法
EP4129529A4 (en) * 2020-03-27 2023-09-20 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. METHOD FOR PRODUCING A BINDING COMPOSITION
JP7355182B2 (ja) 2020-10-28 2023-10-03 株式会社村田製作所 チップ型セラミック電子部品の製造方法
JP2022120411A (ja) 2021-02-05 2022-08-18 株式会社マテリアル・コンセプト 銅ペースト
JP7122436B1 (ja) * 2021-06-08 2022-08-19 Jx金属株式会社 銅粉
JP2024008681A (ja) * 2022-07-08 2024-01-19 Jx金属株式会社 銅粉

Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004256857A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Ishihara Sangyo Kaisha Ltd 銅微粒子及びその製造方法
JP2005023417A (ja) * 2003-07-04 2005-01-27 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd 銅超微粉末の製造方法
JP2009052146A (ja) * 2008-11-26 2009-03-12 Dowa Holdings Co Ltd 銅粉およびその製造法
JP2010018880A (ja) * 2008-04-01 2010-01-28 Dowa Electronics Materials Co Ltd 導電性ペースト用銅粉およびその製造方法
JP2010138494A (ja) * 2010-02-10 2010-06-24 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd フレーク銅粉の製造方法
JP2010144197A (ja) * 2008-12-16 2010-07-01 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 金属粉及び金属粉の製造方法
JP2012162807A (ja) * 2004-08-20 2012-08-30 Ishihara Sangyo Kaisha Ltd 銅微粒子及びその製造方法
JP2014034697A (ja) * 2012-08-08 2014-02-24 Furukawa Co Ltd 銅微粒子の製造方法、導電性ペーストおよび導電性ペーストの製造方法

Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6299406A (ja) 1985-10-28 1987-05-08 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 銅粉末の製造法
JP2638271B2 (ja) 1990-09-06 1997-08-06 住友金属工業株式会社 銅微粉末の製造方法
US7625420B1 (en) 1997-02-24 2009-12-01 Cabot Corporation Copper powders methods for producing powders and devices fabricated from same
JPH10317022A (ja) 1997-05-22 1998-12-02 Daiken Kagaku Kogyo Kk 金属微粒子粉末の製造方法
US20050097987A1 (en) 1998-02-24 2005-05-12 Cabot Corporation Coated copper-containing powders, methods and apparatus for producing such powders, and copper-containing devices fabricated from same
JP2002015622A (ja) 2000-06-30 2002-01-18 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd 導電ペースト用銅粉末及びその製造方法
KR100692159B1 (ko) * 2002-12-03 2007-03-12 아사히 가세이 가부시키가이샤 산화구리 초미립자
JP4120007B2 (ja) 2003-01-21 2008-07-16 ラサ工業株式会社 銅粉末の製造方法
JP4868716B2 (ja) * 2004-04-28 2012-02-01 三井金属鉱業株式会社 フレーク銅粉及び導電性ペースト
JP4662760B2 (ja) 2004-12-22 2011-03-30 三井金属鉱業株式会社 超微粒銅粉、超微粒銅粉スラリー及び超微粒銅粉スラリーの製造方法
JP5144022B2 (ja) 2006-03-24 2013-02-13 三井金属鉱業株式会社 銅粉の製造方法及びその製造方法で得られた銅粉
JP4821396B2 (ja) 2006-03-27 2011-11-24 住友金属鉱山株式会社 導電性組成物及び導電膜形成方法
CN100581694C (zh) * 2007-03-26 2010-01-20 中南大学 一种单分散高结晶度铜粉的制备方法
JP5235193B2 (ja) * 2007-06-28 2013-07-10 Jx日鉱日石金属株式会社 球状銅微粉及びその製造方法
JP2009062598A (ja) 2007-09-07 2009-03-26 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 銅ナノ粒子の製造方法
JP5392884B2 (ja) * 2007-09-21 2014-01-22 三井金属鉱業株式会社 銅粉の製造方法
JP5127605B2 (ja) * 2008-07-07 2013-01-23 富士フイルム株式会社 光断層画像化装置
US8216340B2 (en) * 2009-03-03 2012-07-10 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for producing dispersed, crystalline, stable to oxidation copper particles
SG10201405421WA (en) 2009-09-16 2014-10-30 Hitachi Chemical Co Ltd Printing ink, metal nanoparticles used in the same, wiring, circuit board, and semiconductor package
KR101134501B1 (ko) * 2009-12-07 2012-04-13 주식회사 풍산 열플라즈마를 이용한 고순도 구리분말의 제조방법
JP5520861B2 (ja) 2010-03-26 2014-06-11 古河電気工業株式会社 銅合金微粒子分散液、焼結導電体の製造方法、及び焼結導電体、並びに導電接続部材

Patent Citations (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2004256857A (ja) * 2003-02-25 2004-09-16 Ishihara Sangyo Kaisha Ltd 銅微粒子及びその製造方法
JP2005023417A (ja) * 2003-07-04 2005-01-27 Fukuda Metal Foil & Powder Co Ltd 銅超微粉末の製造方法
JP2012162807A (ja) * 2004-08-20 2012-08-30 Ishihara Sangyo Kaisha Ltd 銅微粒子及びその製造方法
JP2010018880A (ja) * 2008-04-01 2010-01-28 Dowa Electronics Materials Co Ltd 導電性ペースト用銅粉およびその製造方法
JP2009052146A (ja) * 2008-11-26 2009-03-12 Dowa Holdings Co Ltd 銅粉およびその製造法
JP2010144197A (ja) * 2008-12-16 2010-07-01 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 金属粉及び金属粉の製造方法
JP2010138494A (ja) * 2010-02-10 2010-06-24 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd フレーク銅粉の製造方法
JP2014034697A (ja) * 2012-08-08 2014-02-24 Furukawa Co Ltd 銅微粒子の製造方法、導電性ペーストおよび導電性ペーストの製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW201420235A (zh) 2014-06-01
EP2923781A1 (en) 2015-09-30
WO2014080662A1 (ja) 2014-05-30
CN104684666A (zh) 2015-06-03
JP5872063B2 (ja) 2016-03-01
TWI630045B (zh) 2018-07-21
CN104684666B (zh) 2017-07-04
US10518323B2 (en) 2019-12-31
KR20150088994A (ko) 2015-08-04
US20150266090A1 (en) 2015-09-24
EP2923781A4 (en) 2016-07-13
KR102118308B1 (ko) 2020-06-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5872063B2 (ja) 銅粉
JP5941082B2 (ja) 銅粉
JP5937730B2 (ja) 銅粉の製造方法
JP4868716B2 (ja) フレーク銅粉及び導電性ペースト
JP6121001B2 (ja) 導電体の接続構造及びその製造方法、導電性組成物並びに電子部品モジュール
CN109789482B (zh) 接合材料及使用该接合材料的接合方法
WO2014104032A1 (ja) 銅粉末の製造方法及び銅粉末、銅ペースト
KR102147012B1 (ko) 은 미립자 분산액
JP6224933B2 (ja) 銀被覆銅合金粉末およびその製造方法
WO2014155834A1 (ja) フレーク状の微小粒子
JP6884692B2 (ja) 銅粉及びそれを含む導電性組成物
JP6096143B2 (ja) 銀被覆フレーク状銅粉及びその製造方法、並びに導電性ペースト
JP5255580B2 (ja) フレーク銅粉の製造方法
JP2016094665A (ja) 銀コート銅粉及びそれを用いた導電性ペースト、導電性塗料、導電性シート
JP6605848B2 (ja) 表面被覆金属微粒子の分散溶液、ならびにこの分散溶液の塗布および焼結する工程を含む、焼結導電体および導電接続部材の製造方法
JP6387794B2 (ja) 有機被覆金属ナノ粒子及びその製造方法
JP2008235035A (ja) 金属ナノ粒子ペースト及び当該金属ナノ粒子ペーストの製造方法
JP2012233222A (ja) 低炭素銅粒子
JP6722495B2 (ja) 銀被覆銅粉およびその製造方法
JP2017115199A (ja) 銅粒子の製造方法
JPWO2019035246A1 (ja) 広分布な粒度分布を持つ銀ナノ粒子の製造方法及び銀ナノ粒子
JPWO2018198810A1 (ja) 広分布な粒度分布を持つ銀ナノ粒子の製造方法及び銀ナノ粒子

Legal Events

Date Code Title Description
TRDD Decision of grant or rejection written
A01 Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01

Effective date: 20151222

A61 First payment of annual fees (during grant procedure)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61

Effective date: 20160112

R150 Certificate of patent or registration of utility model

Ref document number: 5872063

Country of ref document: JP

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D04

RD03 Notification of appointment of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R3D03

R157 Certificate of patent or utility model (correction)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R157

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250

R250 Receipt of annual fees

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250