JPWO2013147274A1 - 半導体装置の製造方法および半導体装置 - Google Patents
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Abstract
Description
まず、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法により作製(製造)される半導体装置の一例としてトレンチゲート型IGBTの構造について説明する。図1は、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の一例を示す断面図である。図1の紙面左側には、エミッタ電極7とn++エミッタ領域3との境界から半導体基板の深さ方向における不純物濃度分布を示す。図1に示す実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法により製造される半導体装置において、n-ドリフト層1となる半導体基板の内部には、おもて面側の表面層にpベース領域2が設けられている。
図13は、実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の一例を示す断面図である。実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法が実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法と異なる点は、IGBTに代えてダイオードを作製する点である。
次に、半導体層のドーピング濃度について検証した。図14は、周知の広がり抵抗(Spread Resistance)測定法によって測定した、実施例にかかる半導体装置のキャリア濃度分布を示す特性図である。実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法に従い、プロトン照射(ステップS5)および第1アニール(ステップS6)を行った試料を用意した(以下、実施例とする)。
次に、本発明にかかる半導体装置の製造方法の複数回のプロトン注入において、1段目のn+フィールドストップ層のプロトンピーク位置の好ましい位置について、実施の形態3として説明する。1段目のn+フィールドストップ層とは、ダイオードの場合はカソード層側、IGBTの場合はコレクタ層側となる基板裏面から、基板の深さ方向で最も深い箇所に位置するn+フィールドストップ層のことである。
本発明にかかる半導体装置の製造方法におけるプロトンの加速エネルギーについて、実施の形態4として説明する。上記のγの範囲を満たすように、空乏層が最初に達するn+フィールドストップ層のピーク位置が基板裏面からの距離Xを有するように当該n+フィールドストップ層を実際にプロトン照射で形成するには、プロトンの加速エネルギーを、以下に示す図18の特性図から決めればよい。図18は、本発明にかかる半導体装置のプロトンの平均飛程とプロトンの加速エネルギーとの関係を示す特性図である。
2 pベース領域
3 n++エミッタ領域
4 トレンチ
5 ゲート絶縁膜
6 ゲート電極
7 エミッタ電極
8 層間絶縁膜
9 p+コレクタ層
10 n+フィールドストップ層
10a〜10c n+層
11 コレクタ電極
まず、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法により作製(製造)される半導体装置の一例としてトレンチゲート型IGBTの構造について説明する。図1は、実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の一例を示す断面図である。図1の紙面左側には、エミッタ電極7とn++エミッタ領域3との境界から半導体基板の深さ方向における不純物濃度分布を示す。図1に示す実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法により製造される半導体装置において、n-ドリフト層1となる半導体基板の内部には、おもて面側の表面層にpベース領域2が設けられている。
図13は、実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法により製造される半導体装置の一例を示す断面図である。実施の形態2にかかる半導体装置の製造方法が実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法と異なる点は、IGBTに代えてダイオードを作製する点である。
次に、半導体層のドーピング濃度について検証した。図14は、周知の広がり抵抗(Spread Resistance)測定法によって測定した、実施例にかかる半導体装置のキャリア濃度分布を示す特性図である。実施の形態1にかかる半導体装置の製造方法に従い、プロトン照射(ステップS5)および第1アニール(ステップS6)を行った試料を用意した(以下、実施例とする)。
次に、本発明にかかる半導体装置の製造方法の複数回のプロトン注入において、1段目のn+フィールドストップ層のプロトンピーク位置の好ましい位置について、実施の形態3として説明する。1段目のn+フィールドストップ層とは、ダイオードの場合はカソード層側、IGBTの場合はコレクタ層側となる基板裏面から、基板の深さ方向で最も深い箇所に位置するn+フィールドストップ層のことである。
本発明にかかる半導体装置の製造方法におけるプロトンの加速エネルギーについて、実施の形態4として説明する。上記のγの範囲を満たすように、空乏層が最初に達するn+フィールドストップ層のピーク位置が基板裏面からの距離Xを有するように当該n+フィールドストップ層を実際にプロトン照射で形成するには、プロトンの加速エネルギーを、以下に示す図18の特性図から決めればよい。図18は、本発明にかかる半導体装置のプロトンの平均飛程とプロトンの加速エネルギーとの関係を示す特性図である。
2 pベース領域
3 n++エミッタ領域
4 トレンチ
5 ゲート絶縁膜
6 ゲート電極
7 エミッタ電極
8 層間絶縁膜
9 p+コレクタ層
10 n+フィールドストップ層
10a〜10c n+層
11 コレクタ電極
Claims (14)
- 第1導電型の半導体基板の裏面から、プロトンを照射する照射工程と、
前記半導体基板の裏面に照射されたプロトンを活性化し、前記半導体基板よりも不純物濃度が高い第1導電型の第1半導体層を形成するアニール工程と、を含み、
前記照射工程の照射条件に応じて、前記照射工程と前記アニール工程とを組にして複数回行うことにより、前記半導体基板の深さ方向に、前記第1半導体層を複数形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記照射工程は、前記半導体基板の裏面から前記第1半導体層を形成する領域の深さが深いほど高い加速電圧とし、
前記アニール工程は、前記半導体基板の裏面から前記第1半導体層を形成する領域の深さが深いほど高いアニール温度とし、
前記照射工程および前記アニール工程の組は、前記第1半導体層が前記半導体基板の裏面から最も深い位置となる組から順に行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。 - 前記一組の照射工程とアニール工程において、複数回の照射工程の後に1回のアニールを行うことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記第1半導体層は、空乏層の広がりを抑制するフィールドストップ層であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記照射工程および前記アニール工程により形成する前記第1半導体層の数は、前記半導体基板の厚さもしくは定格電圧あるいはこれらの両方に基づくことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置は、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体装置は、ダイオードであることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記半導体基板からなる第1導電型のドリフト層を備え、
前記半導体基板のおもて面には第2導電型の第2半導体層が形成され、
qを電荷素量、Ndを前記ドリフト層の平均濃度、εSを前記半導体基板の誘電率、Vrateを定格電圧、JFを定格電流密度、vsatをキャリアの速度が所定の電界強度で飽和した飽和速度として、距離指標Lが下記式(1)で表され、
前記第2半導体層に最も近い前記第1半導体層のキャリア濃度がピーク濃度となる位置の前記半導体基板の裏面からの深さをXとし、
前記半導体基板の厚さをW0としたときに、
X=W0−γLであり、γが0.2以上1.5以下となるように前記第2半導体層に最も近い前記第1半導体層のピーク濃度となる位置とすることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記γが0.9以上1.4以下であることを特徴とする請求項8に記載の半導体装置の製造方法。
- 前記γが1.0以上1.3以下であることを特徴とする請求項9に記載の半導体装置の製造方法。
- 第1導電型の半導体基板の裏面からプロトンを照射する照射工程と、
前記半導体基板の裏面に照射されたプロトンを活性化し、前記半導体基板よりも不純物濃度が高い第1導電型の第1半導体層を形成するアニール工程と、
を含み、
前記照射工程と前記アニール工程とを組にして複数回行うことにより、前記半導体基板の深さ方向に、前記第1半導体層を複数形成し、
複数回の前記照射工程のうち前記半導体基板の裏面から最も深い位置にプロトンを照射する第1の照射工程の組となる、複数回の前記アニール工程のうちの第1のアニール工程のアニール温度を380℃以上450℃以下とし、
複数回の前記照射工程のうち前記半導体基板の裏面から2番目に深い位置にプロトンを照射する第2の照射工程の組となる、複数回の前記アニール工程のうちの第2のアニール工程のアニール温度を350℃以上420℃以下とし、
複数回の前記照射工程のうち前記半導体基板の裏面から3番目に深い位置にプロトンを照射する第3の照射工程の組となる、複数回の前記アニール工程のうちの第3のアニール工程のアニール温度を340℃以上400℃以下とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記第1のアニール工程のアニール温度を400℃以上420℃以下とし、
前記第2のアニール工程のアニール温度を370℃以上390℃以下とし、
前記第3のアニール工程のアニール温度を350℃よりも高く370℃以下とすることを特徴とする請求項11に記載の半導体装置の製造方法。 - 第1導電型の半導体基板の裏面からプロトンを照射する照射工程と、
前記半導体基板の裏面に照射されたプロトンを活性化し、前記半導体基板よりも不純物濃度が高い第1導電型の第1半導体層を形成するアニール工程と、
を含み、
前記照射工程の照射条件に応じて、1回または複数回の前記照射工程と1回の前記アニール工程とを組にして複数回行うことにより、前記半導体基板の深さ方向に、前記第1半導体層を複数形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記照射工程において、プロトンの照射により飛程Rpの前記第1半導体層を形成するときのプロトンの加速エネルギーEは、前記飛程Rpの対数log(Rp)をx、前記加速エネルギーEの対数log(E)をyとして、下記式(2)を満たすことを特徴とする請求項1に記載の半導体装置の製造方法。
y=−0.0047x4+0.0528x3−0.2211x2+0.9923x+5.0474 ・・・(2)
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