JPWO2011071145A1 - 積層型セラミックコンデンサ - Google Patents

Abstract

大容量かつ高い信頼性を有する積層型セラミックコンデンサを提供する。積層型セラミックコンデンサ２は、積層された複数のセラミック層１５を含むセラミック焼結体１０と、セラミック焼結体１０の内部に、セラミック層１５を介して、セラミック層１５の積層方向において互いに対向するように交互に設けられている第１及び第２の内部電極１１，１２を備えている。セラミック焼結体１０は、第１及び第２の内部電極１１，１２が対向している領域に位置している第１の部分と、第１の部分の外側に位置している第２の部分を含む。セラミック層１５のＸＲＤ分析によるａ軸のピーク強度（Ｉａ）に対するｃ軸のピーク強度（Ｉｃ）の比（Ｉｃ／Ｉａ）が２以上である。

Description

本発明は、積層型セラミックコンデンサに関する。特に、本発明は、直方体状のセラミック焼結体と、セラミック焼結体の内部に、セラミック層を介して互いに対向するように交互に設けられている複数の第１及び第２の内部電極とを備える積層型セラミックコンデンサに関する。

従来、携帯電話やノート型パソコンなどの電子機器において、積層型セラミックコンデンサが多用されている。

近年、積層型セラミックコンデンサが搭載されている電子機器の小型化及び大容量化が進んできており、積層型セラミックコンデンサに対する小型化及び大容量化の要求も益々高まってきている。それに伴い、例えば下記の特許文献１などにおいて、小型でありつつ大容量を有する積層型セラミックコンデンサ及びその製造方法が種々提案されている。

特開２００３−３１８０６０号公報

積層型セラミックコンデンサを大容量化する有力な方法のひとつとして、電極間に介在するセラミック層の厚みを小さくする方法が挙げられる。しかしながら、セラミック層の厚みを小さくしようとすると、グレインの大きさを小さくしなければならない。グレインの大きさを小さくするためには、長時間にわたって粉砕工程を行う必要がある。このため、製造に要する時間及び製造コストが増大してしまう。さらに、セラミック層が薄い場合は、絶縁破壊が生じやすくなるため、セラミックコンデンサの信頼性が低下してしまうという問題もある。

本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、大容量かつ高い信頼性を有する積層型セラミックコンデンサを提供することにある。

本発明に係る積層型セラミックコンデンサは、セラミック焼結体と、第１及び第２の内部電極とを備えている。セラミック焼結体は、積層された複数のセラミック層を含む。第１及び第２の内部電極は、セラミック焼結体の内部に、セラミック層を介して、セラミック層の積層方向において互いに対向するように交互に設けられている。セラミック焼結体は、第１の部分と、第２の部分とを含む。第１の部分は、第１及び第２の内部電極が対向している領域に位置している。第２の部分は、第１の部分の外側に位置している。第１の部分において、セラミック層は、積層方向に配向されている。セラミック層のＸＲＤ分析（Ｘ線回折分析）によるａ軸のピーク強度（Ｉａ）に対するｃ軸のピーク強度（Ｉｃ）の比（Ｉｃ／Ｉａ）が２以上である。

本発明に係る積層型セラミックコンデンサのある特定の局面では、前記セラミック焼結体が、長さ方向と、前記長さ方向に垂直な幅方向とに沿って延びる第１，第２の主面と、前記長さ方向及び前記幅方向の両方に垂直な厚み方向と、前記長さ方向とに沿って延びる第１，第２の側面と、前記幅方向及び厚み方向に沿って延びる第１，第２の端面とを有する直方体状のセラミック焼結体であり、前記第１の部分が、前記第１及び第２の内部電極が対向している対向部であり、前記第２の部分が、前記長さ方向において前記対向部の両側に位置しており、前記第１及び第２の内部電極が対向していない非対向部と、前記幅方向において前記対向部の両側に位置しており、前記第１及び第２の内部電極のいずれもが設けられていないサイドギャップ部とを有する。

本発明に係る積層型セラミックコンデンサの他の特定の局面では、積層方向から視た際に、セラミック焼結体における第１の部分の占める面積の割合は、８０％以上である。

本発明に係る積層型セラミックコンデンサのさらに他の特定の局面では、前記各サイドギャップ部の前記幅方向における長さは４５μｍ以下とされている。
本発明に係る積層型セラミックコンデンサのさらに他の特定の局面では、前記各非対向部の前記長さ方向における長さが５７．５μｍ以下とされている。

本発明では、セラミック層のＸＲＤ分析によるａ軸ピーク強度（Ｉａ）に対するｃ軸のピーク強度（Ｉｃ）の比（Ｉｃ／Ｉａ）が２以上である。このため、第１の部分におけるセラミック層の分極度を高めることができる。よって、セラミック層を薄くしすぎることなく、大容量化を図れる。従って、大容量かつ高い信頼性を有する積層型セラミックコンデンサを提供することができる。

図１は、本発明の第１の実施形態に係るセラミックコンデンサの略図的斜視図ある。 図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿う断面図である。 図３は、図２のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図である。 図４は、図２のＩＶ−ＩＶ線に沿う断面図である。 図５は、図１のＶ−Ｖ線に沿う断面の部分拡大断面図である。 図６は、導体パターンが印刷されたセラミックグリーンシートの略図的平面図である。 図７は、セラミック部材の略図的斜視図である。 図８は、両側面上にセラミック層を形成する工程を表す略図的斜視図である。 図９は、本発明の第２の実施形態に係る積層型セラミックコンデンサの略図的斜視図である。 図１０は、図９の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。 図１１は、図９の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける略図的断面図である。 図１２は、図９の線ＩＶ−ＩＶにおける略図的断面図である。 図１３は、試料１及び８例に係る積層型セラミックコンデンサのＸＲＤ分析におけるピーク強度を表すグラフである。

（第１の実施形態）
図１は、本発明の第１の実施形態のセラミックコンデンサの略図的斜視図である。図２は、図１の線ＩＩ−ＩＩにおける略図的断面図である。図３は、図１の線ＩＩＩ−ＩＩＩにおける略図的断面図である。図４は、図２の線ＩＶ−ＩＶにおける略図的断面図である。
この積層型セラミックコンデンサ２は、直方体状のセラミック焼結体１０を備えている。セラミック焼結体１０は、第１及び第２の主面１０ａ，１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ，１０ｆとを備えている。第１及び第２の１０ａ，１０ｂは、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１及び第２の側面１０ｃ，１０ｄは、長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。第１及び第２の端面１０ｅ，１０ｆは、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。

なお、本発明において、「直方体」には、角部や稜線部の少なくとも一部が面取りやＲ面取りされているものも含まれるものとする。

セラミック焼結体１０の寸法は特に限定されない。セラミック焼結体１０の長さ方向Ｌにおける長さは、例えば、０．４ｍｍ〜３．２ｍｍ程度とすることができる。セラミック焼結体１０の幅方向Ｗにおける長さは、例えば、０．２ｍｍ〜２．６ｍｍ程度とすることができる。セラミック焼結体１０の厚み方向Ｔにおける長さは、例えば、０．２ｍｍ〜２．６ｍｍ程度とすることができる。

セラミック焼結体１０は、積層された複数のセラミック層１５（図２及び図４を参照）を含む。セラミック層１５は、セラミックを含むセラミック材料からなる。セラミック材料には、セラミックの他に、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂやガラス成分などの焼成助剤などが含まれていてもよい。

セラミック層１５は、誘電体セラミックにより形成される。誘電体セラミックは、チタン酸バリウムを主成分としたペロブスカイト構造の結晶格子を持つセラミックが用いられる。誘電体セラミックには、例えば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｓｉ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を適宜添加してもよい。

図２〜図５に示すように、セラミック焼結体１０の内部には、複数の第１及び第２の内部電極１１，１２が設けられている。第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれは、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂに対して平行に設けられている。第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれの平面形状は、矩形である。複数の第１及び第２の内部電極１１，１２は、厚み方向Ｔにおいて互いに対向するように交互に配置されている。すなわち、第１及び第２の内部電極１１，１２は、厚み方向Ｔにおいて、セラミック焼結体１０に複数設けられたセラミック層１５を介して対向するように配置されている。

なお、セラミック層１５の層厚は、例えば、０．３μｍ〜２μｍの範囲内にあることが好ましい。また、第１及び第２の内部電極１１，１２の厚みは、例えば、０．２μｍ〜１μｍの範囲内にあることが好ましい。セラミック層１５の層厚は、第１及び第２の内部電極１１，１２の厚みの１倍〜３倍の範囲内にあることが好ましい。

第１の内部電極１１は、第１の端面１０ｅに露出している一方、第２の端面１０ｆ、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄには露出していない。一方、第２の内部電極１２は、第２の端面１０ｆに露出している一方、第１の端面１０ｅ、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄには露出していない。

第１の端面１０ｅ上には、第１の外部電極１３が設けられている。第１の外部電極１３は、第１の内部電極１１に接続されている。一方、第２の端面１０ｆ上には、第２の外部電極１４が設けられている。第２の外部電極１４は、第２の内部電極１２に接続されている。

なお、第１及び第２の内部電極１１，１２並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の形成材料は、導電材料である限りにおいて特に限定されない。第１及び第２の内部電極１１，１２並びに第１及び第２の外部電極１３，１４は、例えば、Ａｇ，Ａｕ、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｃｕなどの金属や、それらの金属のうちの一種以上を含む合金により形成することができる。また、第１及び第２の内部電極１１，１２並びに第１及び第２の外部電極１３，１４は、複数の導電膜の積層体により構成されていてもよい。

図３〜図５に示すように、セラミック焼結体１０には、第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂと、第１及び第２のサイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄと、内層部１０Ｅとが設けられている。

第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂは、第１及び第２の内部電極の対向方向（＝厚み方向Ｔ）において、第１及び第２の内部電極１１，１２が設けられている部分よりも外側に位置する部分である。具体的には本実施形態では、第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂは、セラミック焼結体１０の厚み方向Ｔにおける両端部に設けられている。

第１及び第２のサイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄは、対向方向（＝厚み方向Ｔ）から視た際に第１及び第２の内部電極１１，１２のいずれもが設けられていない部分である。具体的には本実施形態では、第１及び第２のサイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄは、セラミック焼結体１０の幅方向Ｗにおける両端部に設けられている。

内層部１０Ｅは、セラミック焼結体１０の第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂ並びに第１及び第２のサイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄを除いた部分である。具体的には本実施形態では、セラミック焼結体１０の厚み方向Ｔの両端部と幅方向Ｗの両端部を除いた領域に設けられている。内層部１０Ｅは、厚み方向Ｔにおいて第１及び第２の内部電極１１，１２が互いに対向している部分と、厚み方向Ｔから視たときに第１または第２の内部電極１１，１２のみが設けられている部分とを含んでいる。

本実施形態では、第１の部分を構成している対向部において、積層方向におけるＸ線分析（ＸＲＤ分析）によるａ軸のピーク強度（Ｉａ）に対するｃ軸のピーク強度（Ｉｃ）の比（Ｉｃ／Ｉａ）が２以上とされている。すなわち、静電容量を得る第１の部分において、セラミックの結晶格子のｃ軸配列が、積層方向に並行に揃った状態とされる割合が多いことを示している。このため、対向部（第１の部分）におけるセラミック層１５の分極度を高めることができる。よって、セラミック層１５を薄くしすぎることなく、積層型セラミックコンデンサ２の大容量化を図れる。

また、セラミック材料の誘電率を非常に大きくする必要がないため、誘電率を大きくするためにセラミック粒子を粒成長させたことに起因する信頼性の低下も抑制することができる。従って、大容量かつ高い信頼性を有する積層型セラミックコンデンサ２を提供することができる。

セラミック層１５の分極度をより高くして、より高い性能を実現する観点からは、第１の部分を構成している対向部において、セラミック層の積層方向におけるＸＲＤ分析によるａ軸のピーク強度（Ｉａ）に対するｃ軸のピーク強度（Ｉｃ）の比（Ｉｃ／Ｉａ）（以下、単に「比（Ｉｃ／Ｉａ）」とする。）が、２以上であることが好ましい。

なお、比（Ｉｃ／Ｉａ）の調整は、幅方向Ｗ（積層方向）から視た際の、セラミック焼結体１０における対向部（第１の部分）の占める面積の割合を調整することによって行うことができる。具体的には、後述するように、サイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄを小さくし、セラミック焼結体１０における対向部１０Ｅ１（第１の部分）の占める面積の割合を大きくすることによって、比（Ｉｃ／Ｉａ）を大きくすることができる。これは、サイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄの幅が小さくなることにより、焼成の際、サイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄと対向部の厚み方向Ｔに沿った収縮量の差が小さくなり、対向部に加わる厚み方向Ｔへの圧縮応力が小さくなるためと考えられる。

また、サイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄを後付けすることによっても、比（Ｉｃ／Ｉａ）を大きくすることができる。これは、幅方向Ｗにおいて対向部とサイドギャップ部との間に段差が生じなくなることにより、焼成の際、サイドギャップ部と対向部の厚み方向Ｔに沿った収縮量の差が小さくなり、対向部に加わる厚み方向Ｔへの圧縮応力が小さくなるためと考えられる。比（Ｉｃ／Ｉａ）を２以上とするためには、例えば、積層方向から視た際の、セラミック焼結体１０における対向部（第１の部分）の占める面積の割合を８０％以上とすることが好ましい。

次に、本実施形態の積層型セラミックコンデンサ２の製造方法の一例について、図６〜図８を参照しながら詳細に説明する。

まず、図６に示すセラミックグリーンシート２０を成形する。セラミックグリーンシート２０の成形方法は特に限定されない。セラミックグリーンシート２０の成形は、例えば、ダイコーター、グラビアコーター、マイクログラビアコーター等により行うことができる。

次に、セラミックグリーンシート２０の上に、導体パターン２１を形成する。この導体パターン２１は、第１及び第２の内部電極１１，１２を形成するためのものである。導体パターン２１の形成方法は、特に限定されない。導体パターン２１は、例えば、スクリーン印刷法、インクジェット法、グラビア印刷法などにより形成することができる。

次に、導体パターン２１が形成された複数のセラミックグリーンシート２０を積層することにより積層体を形成する。具体的には、具体的には、まず、導体パターン２１を形成していないセラミックグリーンシート２０を複数枚積層した後に、導体パターン２１が形成されているセラミックグリーンシート２０を、ｘ方向の一方側と他方側とに交互にずらして複数枚積層する。さらに、その上に、導体パターン２１を形成していないセラミックグリーンシート２０を複数枚積層し積層体を完成させる。ここで、最初と最後に積層する、導体パターン２１を形成していないセラミックグリーンシート２０は、第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂを形成するためのものである。

次に、積層体を図６に示す仮想カットラインＬに沿って切断することにより、図７に示す直方体状のセラミック部材２３を複数形成する。なお、積層体の切断は、ダイシングや押切りにより行うことができる。また、レーザーを用いて積層体２２を切断してもよい。

次に、図８に示すように、セラミック部材２３の側面２３ｅ、２３ｆの上に、側面２３ｅ、２３ｆを覆うように、セラミック層２４，２５を形成する。このセラミック層２４，２５は、第１及び第２のサイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄを形成するためのものである。

なお、セラミック層２４，２５の形成方法は特に限定されず、スクリーン印刷法等の印刷法、インクジェット法、グラビアコート法等のコート法、噴霧法等により行うことができる。

次に、セラミック層２４，２５を形成したセラミック部材２３を焼結する。これにより、セラミック焼結体１０を完成させる。

そして、最後に、第１及び第２の外部電極１３，１４を形成することにより積層型セラミックコンデンサ２を完成させる。なお、第１及び第２の外部電極１３，１４の形成方法は、特に限定されない。第１及び第２の外部電極１３，１４は、例えば、導電性ペーストを塗布した後に焼き付けることにより形成してもよい。その場合、上記セラミック部材２３の焼成前に導電性ペーストを塗布し、焼成と同時に第１及び第２の外部電極１３，１４を形成してもよい。また、第１及び第２の外部電極１３，１４は、例えば、めっき等により形成してもよい。

（第２の実施形態）
本発明は、上述した第１の実施形態の積層セラミックコンデンサに限らず、様々な構造の積層型セラミックコンデンサを提供することができる。図９は、本発明の第２の実施形態に係る積層型セラミックコンデンサを示す略図的斜視図である。図１０は、図９の線ＩＩ−ＩＩに沿う部分の断面図であり、図１１は、図９のＩＩＩ−ＩＩＩ線に沿う断面図であり、図１２は、図９のＩＶ−Ｖ線に沿う断面図である。

図９に示すように、本実施形態の積層型セラミックコンデンサ１０１は、直方体状のセラミック焼結体１０を備えている。セラミック焼結体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆとを備えている。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂは、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びている。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄは、長さ方向Ｌ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆは、幅方向Ｗ及び厚み方向Ｔに沿って延びている。

セラミック焼結体１０の寸法は特に限定されない。セラミック焼結体１０の長さ方向Ｌにおける長さは、例えば、０．４ｍｍ〜３．２ｍｍ程度とすることができる。セラミック焼結体１０の幅方向Ｗにおける長さは、例えば、０．２ｍｍ〜２．６ｍｍ程度とすることができる。セラミック焼結体１０の厚み方向Ｔにおける長さは、例えば、０．２ｍｍ〜２．６ｍｍ程度とすることができる。

セラミック焼結体１０は、積層された複数のセラミック層１５（図１０及び図１２を参照）を含む。セラミック層１５は、セラミックを含むセラミック組成物からなる。セラミック組成物には、セラミックの他に、Ｓｉ、Ｍｇ、Ｂやガラス成分などの焼成助剤などが含まれていてもよい。

セラミック組成物に主として含まれる
誘電体セラミックの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。誘電体セラミックには、例えば、Ｍｎ化合物、Ｍｇ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物、希土類化合物などの副成分を適宜添加してもよい。

図１０及び図１２に示すように、セラミック焼結体１０の内部には、複数の第１及び第２の内部電極１１，１２が設けられている。第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれは、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに対して平行に設けられている。第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれの平面形状は、矩形である。複数の第１及び第２の内部電極１１，１２は、幅方向Ｗ（積層方向）において、セラミック層１５を介して互いに対向するように交互に配置されている。なお、セラミック層１５の幅方向Ｗに沿った厚みは、特に限定されない。セラミック層１５の幅方向Ｗに沿った厚みは、例えば、０．３μｍ〜０．７μｍの範囲内であることが好ましい。セラミック層１５の幅方向Ｗに沿った厚みが０．３μｍより小さくなると、絶縁破壊が生じやすくなる場合がる。従って、積層型セラミックコンデンサ１０１の信頼性が低下する場合がある。

第１の内部電極１１は、第１の主面１０ａに露出している一方、第２の主面１０ｂ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆには露出していない。一方、第２の内部電極１２は、第２の主面１０ｂに露出している一方、第１の主面１０ａ、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆには露出していない。

なお、第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれの幅方向Ｗにおける厚みも特に限定されない。第１及び第２の内部電極１１，１２のそれぞれの幅方向Ｗにおける厚みは、０．２μｍ〜０．６μｍ程度とすることができる。

第１の主面１０ａ上には、第１の外部電極１３が設けられている。第１の外部電極１３は、第１の内部電極１１に接続されている。一方、第２の主面１０ｂ上には、第２の外部電極１４が設けられている。第２の外部電極１４は、第２の内部電極１２に接続されている。

なお、第１及び第２の内部電極１１，１２並びに第１及び第２の外部電極１３，１４の形成材料は、導電材料である限りにおいて特に限定されない。第１及び第２の内部電極１１，１２並びに第１及び第２の外部電極１３，１４は、例えば、Ａｇ，Ａｕ、Ｐｔ，Ｐｄ，Ｎｉ，Ｃｒ，Ｃｕなどの金属や、それらの金属のうちの一種以上を含む合金により形成することができる。また、第１及び第２の内部電極１１，１２並びに第１及び第２の外部電極１３，１４は、複数の導電膜の積層体により構成されていてもよい。

図１０及び図１２に示すように、セラミック焼結体１０には、第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂと、第１及び第２のサイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄと、内層部１０Ｅとが設けられている。

内層部１０Ｅは、セラミック焼結体１０のうち、幅方向Ｗ（積層方向）から視た際に第１及び第２の内部電極１１，１２のうちの少なくとも一方が設けられている領域に位置する部分である。内層部１０Ｅは、対向部１０Ｅ１と、非対向部１０Ｅ２とを含む。対向部１０Ｅ１は、幅方向Ｗ（積層方向）に第１及び第２の内部電極１１，１２が対向している領域に位置する部分である。このため、本実施形態では、対向部１０Ｅ１が第１の部分に構成している。セラミック焼結体１０のうち、対向部１０Ｅ１を除く部分、すなわち、非対向部１０Ｅ２と、第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂと、第１及び第２のサイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄとが第２の部分１０Ｆを構成している。第２の部分１０Ｆは、第１の部分を構成している対向部１０Ｅ１の外側に位置している。

非対向部１０Ｅ２は、幅方向Ｗ（積層方向）から視た際に、第１または第２の内部電極１１，１２が設けられている部分である。非対向部１０Ｅ２は、厚み方向Ｔ（第２の方向）におけるセラミック焼結体１０の両端部に位置している。

第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂと、第１及び第２のサイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄとは、第１及び第２の内部電極１１，１２のいずれも設けられていない部分である。第１及び第２の外層部１０Ａ，１０Ｂは、セラミック焼結体１０の幅方向Ｗにおける両端部に位置している。一方、第１及び第２のサイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄは、セラミック焼結体１０の長さ方向Ｌ（第１の方向）における両端部に位置している。

また、本実施形態においても、セラミック焼結体におけるセラミック層のＸＲＤ分析によるピーク強度（Ｉａ）に対するピーク強度（Ｉｃ）の比（Ｉｃ／Ｉａ）は、２以上とされる。それによって、第１の実施形態と同様の効果を得ることができる。

また、本実施形態の積層型セラミックコンデンサ１０１についても、上記第１の実施形態の積層型セラミックコンデンサ２と同様の方法により製造することができる。

本実施形態の積層型セラミックコンデンサ１０１の製造に際しても、上述した第１及び第２のサイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄが形成されていない積層体を用意し、第１及び第２のサイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄを形成するセラミック層を形成する方法が用いられる。そのようにして得られたセラミック積層体を焼成することにより、セラミック焼結体１０を得ることができる。それによって、サイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄの前記第１の方向における寸法を小さくすることができる。

本実施形態においても、好ましくは、上記サイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄの焼成後の第１の方向における長さは、それぞれ４５μｍ以下であることが好ましい。また、本実施形態においても、非対向部の上記第２の方向における長さが５７．５μｍ以下であることが望ましい。それによって、対向部分における第１及び第２の内部電極の対向面積を高めることができる。

（変形例）
以下、上記実施形態の変形例について説明する。なお、以下の変形例の説明において、上記実施形態と実質的に共通の機能を有する部材を挙通の符号で参照し、説明を省略する。

上記実施形態では、第１及び第２の内部電極１１，１２が第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに平行であり、かつ、第１の内部電極１１が第１の主面１０ａに引き出されている一方、第２の内部電極１２が第２の主面１０ｂに引き出されている例について説明した。但し、本発明では、セラミック焼結体にギャップ層が形成される限りにおいて、第１及び第２の内部電極の配置は特に限定されない。

例えば、第１及び第２の内部電極は、第１及び第２の主面もしくは第１及び第２の端面に平行に形成されていてもよい。

（実施例）
上記製造方法により、下記の設計パラメータで、上記図１に示した第１の実施形態の積層型セラミックコンデンサを作製した。

セラミック層１５の組成：ＢａＴｉＯ_３
セラミック層１５の層厚：０．８μｍ
セラミック焼結体の寸法：１.０ｍｍ×０.５ｍｍ×０.５ｍｍ（寸法公差±０.１ｍｍ）
セラミック層の厚み：０.８μｍ
外層（片側）厚み：３６μｍ
内部電極の材料：Ｎｉ
内部電極の厚み：０.５μｍ
内部電極の層数：３８０層
焼成温度：１２００℃
外部電極の材料：Ｃｕ（その上にＮｉ、Ｓｎめっきを形成した）
外部電極焼き付け温度：８００℃

また、サイドギャップ部１０Ｃ，１０Ｄの幅方向寸法、第１の内部電極及び第２の内部電極の非対向部のセラミック焼結体１０の長さ方向に沿う寸法、積層方向から見た際にセラミック焼結体１０における対向部の占める面積の割合である対向部面積率を下記の表１に示すように種々異ならせ、試料１〜８の積層型セラミックコンデンサ２を作製した。試料１〜４はサイドギャップ部を後付けしない従来の工法により作製した。試料５〜８はサイドギャップ部を後付けした工法により作製した。

上記のようにして得た各積層型セラミックコンデンサについて、対向部の長さ方向Ｌにおける中央と、幅方向Ｗにおける端部において、ＸＲＤ分析によるピーク強度を測定した。使用したＸＲＤ装置は、Ｂｒｕｋｅｒ ＡＸＳ社製、品番：Ｄ８−Ｄｉｓｃｏｖｅｒ ｗｉｔｈ ＧＡＤＤＳである。

上記ＸＲＤ分析から求められたａ軸（４００）のピーク強度（Ｉａ）と、ｃ軸（００４）のピーク強度（Ｉｃ）を求め、さらに比Ｉｃ／Ｉａを算出した。結果を下記の表１に示す。

また、各積層型セラミックコンデンサにおける静電容量を、ＬＣＲメータ（ヒューレット・パッカード社製、品番：ＨＰ４２８４Ａ）を用い、周波数１ｋＨｚ、０．５Ｖｒｍｓの電圧を印加し測定した。得られた静電容量から比誘電率を計算により求めた。結果を下記の表１に示す。

また、上記表１中の試料１及び試料８のＸＲＤスペクトルを代表例として図１３に示す。なお、図１３におけるＸＲＤスペクトルは、図３の破線Ｘで示す部分に相当する部分（対向部の長さ方向Ｌにおける中央、幅方向Ｗにおける端部）において測定した結果である。

表１から明らかなように、試料１〜４では、比Ｉｃ／Ｉａが、１．５２以下であるため、比誘電率が２２１１以下と低かった。
これに対して、比Ｉｃ／Ｉａが２．０以上である試料５〜８では、比誘電率を２９２０以上と大幅に高め得ることがわかる。なお、図１３に代表例として示すように、本発明の範囲外である試料１では、Ｉｃに比べ、Ｉａが大きく、本発明の実施例である試料８では、ＩｃがＩａの２倍以上であることがわかる。

１，２…積層型セラミックコンデンサ
１０…セラミック焼結体
１０Ａ，１０Ｂ…外層部
１０Ｃ，１０Ｄ…サイドギャップ部
１０Ｅ…内層部
１０Ｅ１…対向部
１０Ｅ２…非対向部
１０Ｆ…第２の部分
１０ａ…第１の主面
１０ｂ…第２の主面
１０ｃ…第１の側面
１０ｄ…第２の側面
１０ｅ…第１の端面
１０ｆ…第２の端面
１１…第１の内部電極
１２…第２の内部電極
１３…第１の外部電極
１４…第２の外部電極
１５…セラミック層
２０…セラミックグリーンシート
２１…導体パターン
２２…積層体
２３…セラミック部材
２３ｅ、２３ｆ…セラミック部材の端面
２４，２５…セラミック層

本発明に係る積層型セラミックコンデンサは、セラミック焼結体と、第１及び第２の内部電極とを備えている。直方体状のセラミック焼結体は、積層された複数のセラミック層を含み、長さ方向と、前記長さ方向に垂直な幅方向とに沿って延びる第１，第２の主面と、前記長さ方向及び前記幅方向の両方に垂直な厚み方向と、前記長さ方向とに沿って延びる第１，第２の側面と、前記幅方向及び厚み方向に沿って延びる第１，第２の端面とを有する。第１及び第２の内部電極は、セラミック焼結体の内部に、セラミック層を介して、セラミック層の積層方向において互いに対向するように交互に設けられている。セラミック焼結体は、第１の部分と、第２の部分とを含む。第１の部分は、第１及び第２の内部電極が対向している領域に位置している。第２の部分は、第１の部分の外側に位置している。前記第１の部分が、前記第１及び第２の内部電極が対向している対向部であり、前記第２の部分が、前記長さ方向において前記対向部の両側に位置しており、前記第１及び第２の内部電極が対向していない非対向部と、前記幅方向において前記対向部の両側に位置しており、前記第１及び第２の内部電極のいずれもが設けられていないサイドギャップ部とを有し、前記積層方向から視た際に、前記セラミック焼結体における前記第１の部分の占める面積の割合は、８０％以上である。第１の部分において、セラミック層は、積層方向に配向されている。セラミック層のＸＲＤ分析（Ｘ線回折分析）によるａ軸のピーク強度（Ｉａ）に対するｃ軸のピーク強度（Ｉｃ）の比（Ｉｃ／Ｉａ）が２．０５以上、２．７７以下である。

Claims (5)

1. 積層された複数のセラミック層を含むセラミック焼結体と、
   前記セラミック焼結体の内部に、前記セラミック層を介して、前記セラミック層の積層方向において互いに対向するように交互に設けられている第１及び第２の内部電極とを備え、
   前記セラミック焼結体は、前記第１及び第２の内部電極が対向している領域に位置している第１の部分と、前記第１の部分の外側に位置している第２の部分とを含み、
   前記第１の部分において、前記セラミック層は、前記積層方向に配向されており、かつ、前記セラミック層のＸＲＤ分析によるａ軸のピーク強度（Ｉａ）に対するｃ軸のピーク強度（Ｉｃ）の比（Ｉｃ／Ｉａ）が２以上である、積層型セラミックコンデンサ。
2. 前記セラミック焼結体が、長さ方向と、前記長さ方向に垂直な幅方向とに沿って延びる第１，第２の主面と、前記長さ方向及び前記幅方向の両方に垂直な厚み方向と、前記長さ方向とに沿って延びる第１，第２の側面と、前記幅方向及び厚み方向に沿って延びる第１，第２の端面とを有する直方体状のセラミック焼結体であり、
   前記第１の部分が、前記第１及び第２の内部電極が対向している対向部であり、
   前記第２の部分が、前記長さ方向において前記対向部の両側に位置しており、前記第１及び第２の内部電極が対向していない非対向部と、前記幅方向において前記対向部の両側に位置しており、前記第１及び第２の内部電極のいずれもが設けられていないサイドギャップ部とを有する、請求項１に記載の積層型セラミックコンデンサ。
3. 前記積層方向から視た際に、前記セラミック焼結体における前記第１の部分の占める面積の割合は、８０％以上である、請求項１または２に記載の積層型セラミックコンデンサ。
4. 前記各サイドギャップ部の前記幅方向における長さが４５μｍ以下である、請求項１〜３のいずれか１項に記載の積層型セラミックコンデンサ。
5. 前記各非対向部の前記長さ方向における長さが５７．５μｍ以下である、請求項１〜４のいずれか１項に記載の積層型セラミックコンデンサ。

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