JP2599478B2 - チップ型電子部品 - Google Patents
チップ型電子部品Info
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- JP2599478B2 JP2599478B2 JP2038674A JP3867490A JP2599478B2 JP 2599478 B2 JP2599478 B2 JP 2599478B2 JP 2038674 A JP2038674 A JP 2038674A JP 3867490 A JP3867490 A JP 3867490A JP 2599478 B2 JP2599478 B2 JP 2599478B2
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- Fixed Capacitors And Capacitor Manufacturing Machines (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 産業上の利用分野 本発明は、積層型フィルムコンデンサ等のチップ型電
子部品に関する。
子部品に関する。
従来の技術 チップ型電子部品は、プリント基板に直接端子を半田
付けされ、かつ非常に小型であるために電子回路の高集
積化設計に適している。チップ型電子部品の外装として
は樹脂モールド型のタイプ、樹脂塗膜で被覆したタイ
プ、および無外装タイプ等がある。
付けされ、かつ非常に小型であるために電子回路の高集
積化設計に適している。チップ型電子部品の外装として
は樹脂モールド型のタイプ、樹脂塗膜で被覆したタイ
プ、および無外装タイプ等がある。
また、電極の形状については、第７図に示すような、
例えばチップ型積層セラミックコンデンサやチップ型抵
抗器および積層フィルムコンデンサでは、素子11の両端
の電極２が素子端面だけではなく、素子端面近傍の上下
面及び左右面（側面）にも形成されている。樹脂モール
ド型のタイプは、電極がリードフレームにより形成され
ているので、素子13の両端の電極２は素子端面と素子端
面近傍の下面にのみ形成されている。この状態をタンタ
ル電解コンデンサを例にとって第８図に示す。
例えばチップ型積層セラミックコンデンサやチップ型抵
抗器および積層フィルムコンデンサでは、素子11の両端
の電極２が素子端面だけではなく、素子端面近傍の上下
面及び左右面（側面）にも形成されている。樹脂モール
ド型のタイプは、電極がリードフレームにより形成され
ているので、素子13の両端の電極２は素子端面と素子端
面近傍の下面にのみ形成されている。この状態をタンタ
ル電解コンデンサを例にとって第８図に示す。
発明が解決しようとする課題 チップ型電子部品はフロー法、リフロー法等により半
田付け（表面実装）されているが、近年、高集積化され
るにつれて半田付けが難しくなってきている。すなわ
ち、回路パターンが微細になってきているために、半田
付けする際に余分な半田が不必要な部分に付着して、短
絡不良が発生しやすいという課題がある。
田付け（表面実装）されているが、近年、高集積化され
るにつれて半田付けが難しくなってきている。すなわ
ち、回路パターンが微細になってきているために、半田
付けする際に余分な半田が不必要な部分に付着して、短
絡不良が発生しやすいという課題がある。
この課題は、チップ型積層セラミックコンデンサやチ
ップ型抵抗器およびチップ型積層フィルムコンデンサの
ように電極が素子端面だけではなく、素子端面近傍の上
下面及び左右面（側面）にも形成されているタイプの電
子部品では、特に発生しやすい。
ップ型抵抗器およびチップ型積層フィルムコンデンサの
ように電極が素子端面だけではなく、素子端面近傍の上
下面及び左右面（側面）にも形成されているタイプの電
子部品では、特に発生しやすい。
この課題について図面を用いて説明する。第９図a,b
において、11は従来の積層セラミックコンデンサ、12は
基板上に形成されているランド（銅箔製）である。説明
のためランドの幅を素子幅と同じとする。第９図ａのよ
うに高密度でない場合は、余分な半田が残ったとしても
素子間の間隔が広いので短絡しないが、第９図ｂのよう
に高密度の場合は、余分の半田が素子側面の電極の半田
濡れ性によってつながって短絡しやすい。
において、11は従来の積層セラミックコンデンサ、12は
基板上に形成されているランド（銅箔製）である。説明
のためランドの幅を素子幅と同じとする。第９図ａのよ
うに高密度でない場合は、余分な半田が残ったとしても
素子間の間隔が広いので短絡しないが、第９図ｂのよう
に高密度の場合は、余分の半田が素子側面の電極の半田
濡れ性によってつながって短絡しやすい。
本発明の目的は、高密度に表面実装した場合でも、半
田による短絡のないチップ型電子部品を提供することに
ある。
田による短絡のないチップ型電子部品を提供することに
ある。
課題を解決するための手段 上記課題を解決するために本発明のチップ型電子部品
は、表面が少なくともすずを含む金属で被覆された電極
を形成した母素子を切断して個別の素子とされるチップ
型電子部品本体の、前記切断により形成された両切断面
および電極面および上面・下面の切断面方向の両端部を
樹脂により被覆したことを特徴とするものである。
は、表面が少なくともすずを含む金属で被覆された電極
を形成した母素子を切断して個別の素子とされるチップ
型電子部品本体の、前記切断により形成された両切断面
および電極面および上面・下面の切断面方向の両端部を
樹脂により被覆したことを特徴とするものである。
作 用 本発明のチップ型電子部品は、電極の素子側面部およ
び電極端面の切断面方向の両端部が樹脂により被覆され
ているので、半田付け時に電極の素子側面部に半田が付
着したり、素子側面部に半田を呼び込むことがなく、短
絡不良となることを防止することができる。したがっ
て、高密度の表面実装に対応するチップ型電子部品を実
現することができる。
び電極端面の切断面方向の両端部が樹脂により被覆され
ているので、半田付け時に電極の素子側面部に半田が付
着したり、素子側面部に半田を呼び込むことがなく、短
絡不良となることを防止することができる。したがっ
て、高密度の表面実装に対応するチップ型電子部品を実
現することができる。
実施例 以下、本発明の実施例について図面を参照しながら説
明する。
明する。
（実施例１） 本発明の一例として、チップ型積層フィルムコンデン
サについて説明する。
サについて説明する。
積層フィルムコンデンサはその製造工程において第２
図に示すように、母素子14を切断刃15により切断して個
別のコンデンサ素子１を形成する。切断により形成され
た切断面４は、電極端面が露出しているので、コンデン
サ特性を劣下させないように樹脂等で外装される。第３
図は、チップ型積層フィルムコンデンサの切断面に紫外
線硬化樹脂を用いて外装する工程の一例を示す斜視図で
ある。第３図において、１は積層フィルムコンデンサ素
子、２はコンデンサの電極引き出し端面に、金属溶射法
により形成された後、半田めっきを施してなる電極であ
る。積層フィルムコンデンサ素子１の切断面４の上に、
金属ローラ８を用いて紫外線硬化樹脂9cを所定の厚さに
塗布する。
図に示すように、母素子14を切断刃15により切断して個
別のコンデンサ素子１を形成する。切断により形成され
た切断面４は、電極端面が露出しているので、コンデン
サ特性を劣下させないように樹脂等で外装される。第３
図は、チップ型積層フィルムコンデンサの切断面に紫外
線硬化樹脂を用いて外装する工程の一例を示す斜視図で
ある。第３図において、１は積層フィルムコンデンサ素
子、２はコンデンサの電極引き出し端面に、金属溶射法
により形成された後、半田めっきを施してなる電極であ
る。積層フィルムコンデンサ素子１の切断面４の上に、
金属ローラ８を用いて紫外線硬化樹脂9cを所定の厚さに
塗布する。
ここで、紫外線硬化樹脂9aはかき上げローラ７と中間
転写ローラ６によって金属ローラ８上に運ばれ、塗布膜
厚及び塗布領域を制御するために余分な樹脂9bはドクタ
ーブレード５によってかき落とされる。金属ローラ８の
表面には膜厚を制御された樹脂層9cが形成される。第４
図に示すように前記樹脂層9cに、コンデンサ素子１の切
断面４が接触することにより、切断面４の全体、および
電極端面と電極上下面の切断面近傍部分に均一に塗布さ
れる。樹脂の塗布膜厚及び塗布領域は、ドクターブレー
ド５により制御された樹脂層9cの厚さ、樹脂粘度、樹脂
温度、塗布速度等種々の条件により制御することが可能
である。本実施例では塗布領域（片側）は切断幅に対し
て10％、塗布膜厚は0.05mmとした。塗布された紫外線硬
化樹脂9cは、紫外線ランプ10によって紫外線を照射して
硬化し、必要に応じて恒温槽などで熱硬化する。
転写ローラ６によって金属ローラ８上に運ばれ、塗布膜
厚及び塗布領域を制御するために余分な樹脂9bはドクタ
ーブレード５によってかき落とされる。金属ローラ８の
表面には膜厚を制御された樹脂層9cが形成される。第４
図に示すように前記樹脂層9cに、コンデンサ素子１の切
断面４が接触することにより、切断面４の全体、および
電極端面と電極上下面の切断面近傍部分に均一に塗布さ
れる。樹脂の塗布膜厚及び塗布領域は、ドクターブレー
ド５により制御された樹脂層9cの厚さ、樹脂粘度、樹脂
温度、塗布速度等種々の条件により制御することが可能
である。本実施例では塗布領域（片側）は切断幅に対し
て10％、塗布膜厚は0.05mmとした。塗布された紫外線硬
化樹脂9cは、紫外線ランプ10によって紫外線を照射して
硬化し、必要に応じて恒温槽などで熱硬化する。
このようにして得られた本発明のチップ型積層フィル
ムコンデンサは、第１図に示すように切断面が樹脂９に
より外装されており、かつ切断面と同一面内にある電極
の側面（第１図B,B′で示す）も外装され、電極端面
（第６図A,A′で示す）の切断面近傍にも樹脂16a,16bが
塗布されており、切断面近傍の上下面にも樹脂17a,17b
が塗布されている。
ムコンデンサは、第１図に示すように切断面が樹脂９に
より外装されており、かつ切断面と同一面内にある電極
の側面（第１図B,B′で示す）も外装され、電極端面
（第６図A,A′で示す）の切断面近傍にも樹脂16a,16bが
塗布されており、切断面近傍の上下面にも樹脂17a,17b
が塗布されている。
本発明のチップ型積層フィルムコンデンサ100個を、
側面の間隔が0.5mmになるように１列に10個ずつ、10列
に基板に並べて、フロー法により半田付けした。なお、
ランドの幅は素子の幅と同一にした。比較例として前記
樹脂外装を施していないチップ型積層フィルムコンデン
サを同時に半田付けした。半田付け後の状態を観察する
と、比較例では、短絡が７箇所見られたが、本発明のコ
ンデンサ素子では短絡箇所が１つも発生していなかっ
た。
側面の間隔が0.5mmになるように１列に10個ずつ、10列
に基板に並べて、フロー法により半田付けした。なお、
ランドの幅は素子の幅と同一にした。比較例として前記
樹脂外装を施していないチップ型積層フィルムコンデン
サを同時に半田付けした。半田付け後の状態を観察する
と、比較例では、短絡が７箇所見られたが、本発明のコ
ンデンサ素子では短絡箇所が１つも発生していなかっ
た。
さらに本発明のコンデンサ素子の間隔を0mm（密着状
態）に、かつ、ランドの幅を素子の切断幅より小さく、
素子を１列に10個ずつ、10列に基板に並べて、前記試験
と同様にフロー法により半田付けした。半田付け後の状
態を観察すると、短絡の発生は皆無であった。比較例と
して前記の試験と同様に樹脂外装を施していないチップ
型積層フィルムコンデンサを同時に半田付けした。比較
例ではすべての素子が第５図に示すような短絡状態とな
ったが、本発明品では第６図に示すように短絡状態は全
くなかった。
態）に、かつ、ランドの幅を素子の切断幅より小さく、
素子を１列に10個ずつ、10列に基板に並べて、前記試験
と同様にフロー法により半田付けした。半田付け後の状
態を観察すると、短絡の発生は皆無であった。比較例と
して前記の試験と同様に樹脂外装を施していないチップ
型積層フィルムコンデンサを同時に半田付けした。比較
例ではすべての素子が第５図に示すような短絡状態とな
ったが、本発明品では第６図に示すように短絡状態は全
くなかった。
以上のように本発明のフィルムコンデンサは、隣接す
る素子の電極間で半田による短絡が生じにくいので、コ
ンデンサ素子の側面の間隔をつめて高密度の表面実装を
することができる。
る素子の電極間で半田による短絡が生じにくいので、コ
ンデンサ素子の側面の間隔をつめて高密度の表面実装を
することができる。
（実施例２） 本発明の第２の実施例を以下に説明する。実施例１と
同様に本発明のチップ型積層フィルムコンデンサを作成
したが、このとき電極端面が樹脂で塗布される領域（第
１図の16a,bで示す）の大きさを変えて６種類作成し
た。前記の塗布される領域の大きさは切断幅に対する塗
布領域の片側の幅の大きさの割合で示す。これらの素子
を実施例１の第２の試験に用いた基板（コンデンサ素子
が互いに接触するタイプ）に実施例１と同様に（１列に
10個、10列計100個）実装して、フロー法により半田付
けし、第５図に示すような短絡の発生数と、半田付け強
度を測定した。その結果を第１表に示す。
同様に本発明のチップ型積層フィルムコンデンサを作成
したが、このとき電極端面が樹脂で塗布される領域（第
１図の16a,bで示す）の大きさを変えて６種類作成し
た。前記の塗布される領域の大きさは切断幅に対する塗
布領域の片側の幅の大きさの割合で示す。これらの素子
を実施例１の第２の試験に用いた基板（コンデンサ素子
が互いに接触するタイプ）に実施例１と同様に（１列に
10個、10列計100個）実装して、フロー法により半田付
けし、第５図に示すような短絡の発生数と、半田付け強
度を測定した。その結果を第１表に示す。
以上の結果より、本発明は短絡不良の発生が少なく、
半田付け強度も1kgf以上で良好であることがわかる。な
お、第１表から塗布領域の大きさは10から30％の範囲が
望ましいことがわかる。
半田付け強度も1kgf以上で良好であることがわかる。な
お、第１表から塗布領域の大きさは10から30％の範囲が
望ましいことがわかる。
なお、前記実施例では積層フィルムコンデンサの例を
示したが、本発明の適用はこれに限るものではなく、電
極が素子端面だけではなく、素子端面近傍の上下面及び
左右面（側面）にも形成されているチップ型積層セラミ
ックコンデンサやチップ型抵抗器などにも適用できる。
また外装樹脂や外装方法も本実施例に限るものではな
く、熱硬化型の樹脂等、電子部品の外装に一般的に用い
られる樹脂であれば用いることができる。外装方法には
タンポ方式、オフセット印刷方式、ディッピング方式な
どが適用できる。また、電極表面の金属も半田に限るも
のではなく、半田付け性を向上させることが期待でき
る。例えば錫を含む金属で被覆されていれば本発明の目
的にかなう。
示したが、本発明の適用はこれに限るものではなく、電
極が素子端面だけではなく、素子端面近傍の上下面及び
左右面（側面）にも形成されているチップ型積層セラミ
ックコンデンサやチップ型抵抗器などにも適用できる。
また外装樹脂や外装方法も本実施例に限るものではな
く、熱硬化型の樹脂等、電子部品の外装に一般的に用い
られる樹脂であれば用いることができる。外装方法には
タンポ方式、オフセット印刷方式、ディッピング方式な
どが適用できる。また、電極表面の金属も半田に限るも
のではなく、半田付け性を向上させることが期待でき
る。例えば錫を含む金属で被覆されていれば本発明の目
的にかなう。
発明の効果 以上のように本発明によれば、電極を短絡させること
なく、高密度で表面実装可能なチップ型電子部品を実現
することができる。
なく、高密度で表面実装可能なチップ型電子部品を実現
することができる。
第１図は本発明の一実施例のチップ型積層フィルムコン
デンサを示す外観斜視図、第２図はチップ型積層フィル
ムコンデンサの切断工程を示す斜視図、第３図は同コン
デンサの切断に紫外線硬化樹脂を用いて外装する工程の
一例を示す斜視図、第４図は同チップ型積層セラミック
コンデンサの樹脂外装工程の詳細を示す要部の上面図、
第５図は比較例のコンデンサ素子を高密度（間隔0mm）
に実装して短絡不良となった状態を示す斜視図、第６図
は本発明のコンデンサ素子を高密度（間隔0mm）に実装
した状態を示す斜視図である。第７図は従来のチップ型
積層セラミックコンデンサの外観斜視図、第８図は従来
の樹脂モールドタイプのチップ型タンタル電解コンデン
サの外観斜視図、第９図a,bはコンデンサの面実装後の
状態を示す斜視図である。 １……チップ型積層フィルムコンデンサ、２……電極、
９……外装樹脂、16a,16b……電極端面が樹脂で塗布さ
れる領域、17a,17b……素子表面が樹脂で塗布される領
域。
デンサを示す外観斜視図、第２図はチップ型積層フィル
ムコンデンサの切断工程を示す斜視図、第３図は同コン
デンサの切断に紫外線硬化樹脂を用いて外装する工程の
一例を示す斜視図、第４図は同チップ型積層セラミック
コンデンサの樹脂外装工程の詳細を示す要部の上面図、
第５図は比較例のコンデンサ素子を高密度（間隔0mm）
に実装して短絡不良となった状態を示す斜視図、第６図
は本発明のコンデンサ素子を高密度（間隔0mm）に実装
した状態を示す斜視図である。第７図は従来のチップ型
積層セラミックコンデンサの外観斜視図、第８図は従来
の樹脂モールドタイプのチップ型タンタル電解コンデン
サの外観斜視図、第９図a,bはコンデンサの面実装後の
状態を示す斜視図である。 １……チップ型積層フィルムコンデンサ、２……電極、
９……外装樹脂、16a,16b……電極端面が樹脂で塗布さ
れる領域、17a,17b……素子表面が樹脂で塗布される領
域。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 大嶋 邦雄 大阪府門真市大字門真1006番地 松下電 器産業株式会社内 (56)参考文献 特開 平２−43718（ＪＰ，Ａ) 実開 昭64−6029（ＪＰ，Ｕ)
Claims (2)
- 【請求項１】電極を形成した母素子を切断して個別の素
子とされるチップ型電子部品であって、前記電極の表面
を少なくともすずを含む金属で被覆するとともに、前記
切断により形成された両切断面および前記電極面と上面
・下面の切断面方向の両端部を樹脂により被覆したこと
を特徴とするチップ型電子部品。 - 【請求項２】電極を含む切断面以外の切断面近傍の樹脂
被覆が電極部分で片端より切断幅方向の電極幅の50％未
満であることを特徴とする請求項１記載のチップ型電子
部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2038674A JP2599478B2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | チップ型電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2038674A JP2599478B2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | チップ型電子部品 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH03241802A JPH03241802A (ja) | 1991-10-29 |
| JP2599478B2 true JP2599478B2 (ja) | 1997-04-09 |
Family
ID=12531821
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2038674A Expired - Fee Related JP2599478B2 (ja) | 1990-02-20 | 1990-02-20 | チップ型電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2599478B2 (ja) |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2011071145A1 (ja) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミックコンデンサ |
| WO2011071146A1 (ja) | 2009-12-11 | 2011-06-16 | 株式会社村田製作所 | 積層型セラミックコンデンサ |
| KR101379874B1 (ko) | 2009-12-11 | 2014-04-01 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층형 세라믹 전자부품 |
| KR101523630B1 (ko) | 2009-12-11 | 2015-05-28 | 가부시키가이샤 무라타 세이사쿠쇼 | 적층형 세라믹 전자부품 |
| JP6076051B2 (ja) * | 2012-11-19 | 2017-02-08 | 日本碍子株式会社 | 圧電素子 |
| JP6082255B2 (ja) | 2013-01-18 | 2017-02-15 | 日本碍子株式会社 | セラミックス部品及びその製造方法 |
| JP6314922B2 (ja) * | 2015-06-25 | 2018-04-25 | Tdk株式会社 | 電子部品 |
Family Cites Families (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS646029U (ja) * | 1987-06-30 | 1989-01-13 | ||
| JPH0243718A (ja) * | 1988-08-04 | 1990-02-14 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | コンデンサの外装方法 |
-
1990
- 1990-02-20 JP JP2038674A patent/JP2599478B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH03241802A (ja) | 1991-10-29 |
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