JPWO2010092798A1 - 発光素子の製造方法と発光素子、および発光装置の製造方法と発光装置 - Google Patents
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Abstract
Description
本発明者等は、従来の金属化合物を用い形成された電荷注入層を採用する場合において、バンクの形成時のウェットプロセスで用いられる液により電荷注入層の表面が浸食されてしまうという問題があることを見出した。そして、電荷注入層が一部浸食されてしまった場合には、その浸食の度合によって電荷注入層の膜厚が変化する結果、発光特性のバラツキを生じることがあることを究明した。
本発明の一態様に係る発光素子の製造方法では、次のステップを実行することを特徴とする。
1.発光装置100の製造方法
実施の形態1に係る発光装置100の製造方法について、図1から図3を用い、主となる部分について説明する。なお、図1から図3では、発光装置100の一部だけを抜き出して示している。
本実施の形態に係る発光装置100の製造方法は、次のような効果を奏する。
1−1)現像処理
現像液:TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド):0.1〜2.5[%](例えば、0.4[%])
・保護膜(SiO2):エッチングレート=略0[nm/min.](殆ど溶解しない)
・ホール注入層(WOX):エッチングレート=8[nm/min.](溶解する)
エッチングレート:保護膜(SiO2)<ホール注入層(WOX)
1−2)洗浄処理(洗浄液;純粋(中性))
・保護膜(SiO2):エッチングレート=0[nm/min.](全く溶解しない)
・ホール注入層(WOX):エッチングレート=1[nm/min.](僅かに溶解する)
エッチングレート:保護膜(SiO2)<ホール注入層(WOX)
2)保護膜の除去ステップ
2−1)エッチング処理
エッチング液:希フッ酸溶液(酸性)
・保護膜(SiO2):エッチングレート=109[nm/min.](溶解する)
・ホール注入層(WOX):エッチングレート=0[nm/min.](溶解しない)
エッチングレート:保護膜(SiO2)>ホール注入層(WOX)
2−2)洗浄処理
洗浄液:純粋(中性)
・保護膜(SiO2):エッチングレート=0[nm/min.](全く溶解しない)
・ホール注入層(WOX):エッチングレート=1[nm/min.](僅かに溶解する)
エッチングレート:保護膜(SiO2)<ホール注入層(WOX)
従って、本実施の形態に係る製造方法では、高い精度でホール注入層3の寸法精度を確保することができ、高い発光性能を有する発光装置100を製造することができる。
上記製造方法を用い製造される本実施の形態に係る発光装置100の構成について、図4および図5を用い説明する。図4は、発光装置100の一つのサブピクセル10bと、これに隣接する2つのサブピクセルの一部とを示す模式端面図である。
発光装置100におけるホール注入層3の詳細構成について、図6を用い説明する。図6は、図2(c)に示す状態を詳細に示すものである。
実施の形態2に係る発光装置の製造方法について、図8および図9を用い説明する。なお、図8は、上記実施の形態1に係る製造方法における図1に示す工程に対応する工程を示し、図9は、図2に示す工程に対応する工程を示す。
実施の形態3に係る発光装置の製造方法について、図10および図11を用い説明する。なお、図10および図11においても、上記実施の形態1に係る製造方法における工程に内、図1および図2にそれぞれ相当する工程だけを示している。
上記実施の形態1では、図5に示すように、バンク5の平面形状については、所謂、ピクセルバンク(井桁状バンク)としたが、その他に、ラインバンクなどを採用することができる。バンクの平面形状について、図12を用い補足する。
図12に示すように、ライン状のバンク(ラインバンク)65を採用する場合には、X軸方向に隣接するピクセルの発光層66aと発光層66bと発光層66cとを区分けする。
上記実施の形態1〜3では、基板1,21,41上に陽極2,22,42を形成することとしたが、基板上に陰極を形成し、積層体の上部に陽極を形成することとしてもよい。このような構成を採用する場合には、陰極上に電子注入層または電子輸送層、あるいは電子注入輸送層を形成し、その上を保護膜40,240,440で覆いバンク5,25,45を形成することになる。この場合においても、バンク5,25,45の形成に係る電子注入層などへの不純物の付着および液による浸食を抑制することができる。
2,22,42.陽極
3,23,43.ホール注入層
4,24,40,44,240,440.保護膜
5,25,45,65.バンク
6,6a,6b,6c,66a,66b,66c.発光層
7.電子注入層
8.陰極
9.封止層
10a,10b,10c.サブピクセル
30.ホール輸送層
50,250,450.バンク準備層
100.発光装置
501,502,503.マスク
本発明は、上記要望を鑑みてなされたものであって、高い発光特性を有する発光素子の製造方法と発光素子、および発光装置の製造方法と発光装置を提供することを目的とする。
(第1ステップ)基板における一方の主面上に、電極を形成する。
(第2ステップ)少なくとも電極の上方に、金属化合物を有してなる層を形成する。
(第3ステップ)少なくとも金属化合物を有してなる層の上を、保護膜で覆う。
(第5ステップ)保護膜における上記開口から露出する部分を、金属化合物を有してなる層の一部が露出するまで除去する。
(第6ステップ)第5ステップの実行により、上記開口から露出した前記金属化合物を有してなる層の上に、発光層を形成する。
そして、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法では、保護膜が、第4ステップにおけるウェットプロセスで用いられる液に対し耐性を有することを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法では、上述のように、第4ステップにおけるウェットプロセスが実行される間、金属化合物層の上面が保護膜で覆われており、第4ステップにおけるウェットプロセスの実行が終了してから保護膜の一部を除去し(第5ステップ)、その上に発光層を積層形成する(第6ステップ)ので、金属化合物層と発光層との間に、バンク形成に起因する不純物が介在することがない。
以上より、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法では、高い発光特性を有する発光素子を製造することができる。
本発明者等は、従来の金属化合物を用い形成された電荷注入層を採用する場合において、バンクの形成時のウェットプロセスで用いられる液により電荷注入層の表面が浸食されてしまうという問題があることを見出した。そして、電荷注入層が一部浸食されてしまった場合には、その浸食の度合によって電荷注入層の膜厚が変化する結果、発光特性のバラツキを生じることがあることを究明した。
本発明の一態様に係る発光素子の製造方法では、次のステップを実行することを特徴とする。
(第1ステップ)基板における一方の主面上に、第1電極を形成する。
(第2ステップ)少なくとも第1電極の上方に、金属化合物を有してなる層を形成する。
(第4ステップ)保護膜の上に、一部領域に保護膜が露出する開口を有するバンクを、ウェットプロセスを用い形成する。
(第5ステップ)保護膜における上記開口から露出する部分を、金属化合物を有してなる層の一部が露出するまで除去する。
(第7ステップ)上記発光層の上方に、第1電極と極性の異なる第2電極を形成する。
そして、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法では、保護膜が、第4ステップにおけるウェットプロセスで用いられる液に対し耐性を有することを特徴とする。
また、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法では、上述のように、第4ステップにおけるウェットプロセスが実行される間、金属化合物を有してなる層の上面が保護膜で覆われており、第4ステップにおけるウェットプロセスの実行が終了してから保護膜の一部を除去し(第5ステップ)、その上に発光層を積層形成する(第6ステップ)ので、金属化合物を有してなる層と発光層との間に、バンク形成に起因する不純物が介在することがない。
以上より、本発明の一態様に係る発光素子の製造方法では、高い発光特性を有する発光素子を製造することができる。
本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、上記構成において、保護膜が、金属化合物を有してなる層に対し、同一の処理液に関して、異なるエッチングレートを示すことを特徴とする。
本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、上記構成において、保護膜が、第4ステップにおけるウェットプロセスで用いられる液に対し、金属化合物を有してなる層よりもエッチングレートが低く、また、第5ステップが、保護膜における上記開口から露出する部分をエッチングにより除去する処理を含み、金属化合物を有してなる層が、第5ステップにおける保護膜へのエッチング処理において用いられる液に対し、保護膜よりもエッチングレートが低いことを特徴とする。
本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、上記構成において、第5ステップが、保護膜における上記開口から露出する部分をエッチングにより除去する処理を含み、保護膜が、第4ステップにおけるウェットプロセスで用いられる液によっては浸食されることなく、第5ステップにおける保護膜へのエッチング処理で用いられる液により浸食され、金属化合物を有してなる層が、第5ステップにおける保護膜へのエッチング処理で用いられる液によっては浸食されないことを特徴とする。
このように、第5ステップで、金属化合物を有してなる層を、洗浄処理で用いられる液により浸食させて、その内面部を露出させ、当該露出させた部分に発光層を積層形成するので、高い発光特性を有する発光素子を製造することができる。
このような特徴を採用する場合には、保護膜における上記開口に対応する部分を除去することで、金属化合物を有してなる層の上に発光層を積層形成することができ、電荷注入性が良好となる。
本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、上記構成において、保護膜が、絶縁材料を用い形成されることを特徴とすることもできる。
本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、上記構成において、保護膜が、無機材料を用い形成されることを特徴とすることもできる。
本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、上記構成において、金属化合物を有してなる層が、具体的に、電荷注入層であって、第5ステップで、保護膜における上記開口から露出する部分を除去することにより、電荷注入層が露出し、第6ステップで、電荷注入層の上に、発光層を積層形成することを特徴とする。
本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、上記構成において、金属化合物を有してなる層が、ともに金属酸化物からなる電荷注入層と電荷輸送層とが、第1電極の側から順に積層された構造を有し、第5ステップで、電荷輸送層の上に、発光層を積層形成することを特徴とする。
なお、上記において、「第1電極」が陰極である場合には、「金属化合物を有してなる層」が。「電子注入層または電子輸送層、あるいは電子注入輸送層」となる。
本発明の一態様に係る発光素子の製造方法は、上記構成において、第6ステップで、塗布型の有機材料を用い、前記発光層を形成することを特徴とすることもできる。
本発明の一態様に係る発光装置の製造方法は、複数のサブピクセルの各々を、上記本発明の一態様に係る発光素子の製造方法を適用して形成することを特徴とする。これにより、上述のように、高い発光特性を有する発光装置を製造することができる。なお、本発明の一態様に係る「発光装置」とは、例えば、照明装置や表示装置などを指すものである。
なお、上記構成において、金属化合物を有してなる層は、バンクの底面に沿って隣接するサブピクセルに向けて拡がっているという形態を採用することもできる。ここで、「バンクの底面に沿って」とは、バンクの底面全体に沿っている形態だけでなく、バンクの底面の一部に沿っている形態も含むものである。
本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、保護膜が、絶縁材料を用い形成されていることを特徴とすることもできる。
本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、保護膜が、SiO2を用い形成されていることを特徴とすることもできる。
本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、金属化合物を有してなる層が、電荷注入層であって、保護膜の上記開口領域で、電荷注入層の上に、発光層が積層形成されていることを特徴とする。このような特徴を採用する場合には、保護膜における上記開口に対応する部分において、金属化合物を有してなる層(電荷注入層)の上に発光層を積層形成することができ、電荷注入性が良好となる。
本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、発光層が、塗布型の有機材料を用い形成されていることを特徴とすることもできる。
また、中間膜を、例えば、SiO2を用い形成する場合になどには、中間膜が撥液性を有することから、発光層の形成に影響を与えることも考えられるが、金属化合物を有してなる層の該当部分が凹形状に形成されているので、発光層は、凹形状部分の内底面部に加えて、内側面部にも接触する。このため、本発明の一態様に係る発光素子では、発光層が、下部側において金属化合物を有してなる層の凹形状部分内に形成・保持されるので、良好な発光層を備えることができる。このため、高い発光性能を有する。
本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、中間膜が、無機材料を用い形成されていることを特徴とすることもできる。
本発明の一態様に係る発光素子は、上記構成において、中間膜が、SiO2を用い形成されていることを特徴とすることもできる。
以下では、本発明を実施するための形態について、例を用い説明する。
なお、以下の説明で用いる実施の形態は、本発明の構成および作用・効果を分かりやすく説明するために用いる例であって、本発明は、その本質的な特徴部分以外に何ら以下の形態に限定を受けるものではない。
1.発光装置100の製造方法
実施の形態1に係る発光装置100の製造方法について、図1から図3を用い、主となる部分について説明する。なお、図1から図3では、発光装置100の一部だけを抜き出して示している。
次に、図1(b)に示すように、陽極2が形成された基板1の面上を、陽極2の上面も含めて、ホール注入層3で覆い、さらに、その上を保護膜(中間膜)40で覆う。ここで、ホール注入層3は、WOX(酸化タングステン)またはMoWOX(モリブデン−タングステン酸化物)などの金属化合物を用い形成されている。なお、ホール注入層3の形成に用いる金属化合物としては、上記金属酸化物の他に、例えば、金属窒化物または金属酸窒化物を採用することができる。
次に、図1(c)に示すように、保護膜40の上を覆うように、バンク準備膜50を堆積形成する。ここで、バンク準備膜50の形成に用いる材料としては、例えば、ポリイミドなどの絶縁性有機材料を採用することができる。バンク準備膜50の形成は、例えば、具体的には、スピンコート法、スプレーコート法、ロールコート法、ダイコート法、ディップコート法などを用いて行うことができる。
次に、露光後のバンク準備膜50に対して現像を行い、図2(a)に示すように、各サブピクセルに相当する箇所に開口5aを有するバンク5を形成する。バンク5は、サブピクセルにおける発光層6(図3(a)を参照。)を規定する仕切り部材として構成される。
なお、バンク5の形成においては、バンク形成材料自体が感光性を有するものを採用すれば、レジストを別途設ける必要はない。また、ウェットエッチングも不要となる場合もある。
また、バンク5の形成において、ドライエッチング法を用いることもできる。この場合においても、保護膜40は、その下のホール注入層3の表面に不純物が付着するのを防止する、という役割から有効である。
ここで、保護膜4がSiO2からなり、50[nm]程度の厚みに構成されている場合、0.5[%]の濃度を有する希フッ酸溶液を用いて、2[min.]間程度エッチングすることにより、保護膜4を除去し、バンク5の撥液性を維持することができることが確認された。
上記エッチング処理において、ホール注入層3は、希フッ酸溶液が酸性を有するため、希フッ酸溶液に対し溶解することがない。
次に、図3(a)に示すように、バンク5で規定される凹状部分に発光層6を形成する。これにより、ホール注入層3の上に発光層6が積層される。ここで、発光層6は、例えば、インクジェット法を用いて発光層6の材料を含むインクをバンク5で規定される凹状部分に滴下し、インクを乾燥させることにより形成できる。なお、発光層6の形成に係るインクの滴下には、インクジェット法の他に、ディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷法、あるいは凸版印刷法などを用いることもできる。
次に、図3(c)に示すように、電子注入層7の面上に、陰極8を形成する。陰極8の形成には、例えば、ITO(酸化インジウムスズ)、IZO(酸化インジウム亜鉛)などを用いることができる。
なお、図示を省略しているが、封止層9の上にカラーフィルターや透光性基板を積層することもある。
2.効果
本実施の形態に係る発光装置100の製造方法は、次のような効果を奏する。
図1から図3に示すように、本実施の形態に係る発光装置100の製造方法では、金属化合物を用い、ホール注入層3を形成している。このため、本実施の形態に係る製造方法を用い製造される発光装置100では、PEDOTを用いホール注入層を形成する従来の場合に比べて、各ピクセルにおける電圧−電流密度特性が優れ、また、大きな電流を流して強い発光強度を得る場合にも劣化し難い、というような優位性を有する。
1)バンク形成ステップにおけるウェット工程
1−1)現像処理
現像液:TMAH(テトラメチルアンモニウムハイドロオキサイド):0.1〜2.5[%](例えば、0.4[%])
・保護膜(SiO2):エッチングレート=略0[nm/min.](殆ど溶解しない)
・ホール注入層(WOX):エッチングレート=8[nm/min.](溶解する)
エッチングレート:保護膜(SiO2)<ホール注入層(WOX)
1−2)洗浄処理(洗浄液;純粋(中性))
・保護膜(SiO2):エッチングレート=0[nm/min.](全く溶解しない)
・ホール注入層(WOX):エッチングレート=1[nm/min.](僅かに溶解する)
エッチングレート:保護膜(SiO2)<ホール注入層(WOX)
2)保護膜の除去ステップ
2−1)エッチング処理
エッチング液:希フッ酸溶液(酸性)
・保護膜(SiO2):エッチングレート=109[nm/min.](溶解する)
・ホール注入層(WOX):エッチングレート=0[nm/min.](溶解しない)
エッチングレート:保護膜(SiO2)>ホール注入層(WOX)
2−2)洗浄処理
洗浄液:純粋(中性)
・保護膜(SiO2):エッチングレート=0[nm/min.](全く溶解しない)
・ホール注入層(WOX):エッチングレート=1[nm/min.](僅かに溶解する)
エッチングレート:保護膜(SiO2)<ホール注入層(WOX)
従って、本実施の形態に係る製造方法では、高い精度でホール注入層3の寸法精度を確保することができ、高い発光性能を有する発光装置100を製造することができる。
3.発光装置100の構成
上記製造方法を用い製造される本実施の形態に係る発光装置100の構成について、図4および図5を用い説明する。図4は、発光装置100の一つのサブピクセル10bと、これに隣接する2つのサブピクセルの一部とを示す模式端面図である。
そして、基板1および陽極2の面上を覆うように、ホール注入層3が形成されている。そして、ホール注入層3の面上であって、陽極2と陽極2との間に相当する箇所には、保護膜4を介してバンク5が形成されている。バンク5は、各ピクセル10a〜10cにおける発光層6を規定するものであって、Z軸方向上方に行くに従って断面積が減少する台形状断面を有する。
一方、X軸方向に延伸するバンク要素5bにより、Y軸方向の上下に隣接するサブピクセルの発光層同士の間が各々区分けされる。
図4に戻って、電子注入層7、陰極8および封止層9は、全面に渡って形成されている。なお、図4では図示を省略しているが、発光装置100では、封止層9のさらに上に、サブピクセル10a〜10c毎にカラーフィルターが配され、また、透光性の基板が配されることもある。
ここで、ホール注入層3が金属化合物を用い形成されている。ホール注入層3の金属化合物とバンク5とは、直接的な密着性という点で不十分である。しかしながら、本実施の形態に係る発光装置100では、ホール注入層3とバンク5との間にSiO2などからなる保護膜4が介挿されているので、当該介挿によりホール注入層3とバンク5との密着性が補完されている。
4.発光装置100におけるホール注入層3の詳細構成
発光装置100におけるホール注入層3の詳細構成について、図6を用い説明する。図6は、図2(c)に示す状態を詳細に示すものである。
図6に示すように、バンク5の形成が終了した後、その開口5aの底部分のSiO2を除去し、保護膜4の開口4aからホール注入層3が露出するようにするのであるが、この状態において、保護膜4の開口4aから露出するホール注入層3には、浅い凹部3aが形成されることになる(矢印Aで示す部分)。
次に、バンク5の底面とホール注入層3との密着性について、図7を用い説明する。図7(a)は、本実施の形態におけるバンク5の底面部分を拡大した模式端面図であり、図7(b)は、比較例として、バンク95の底面とホール注入層93とが直に接合されている構成を示す模式端面図である。
[実施の形態2]
実施の形態2に係る発光装置の製造方法について、図8および図9を用い説明する。なお、図8は、上記実施の形態1に係る製造方法における図1に示す工程に対応する工程を示し、図9は、図2に示す工程に対応する工程を示す。
次に、図8(b)に示すように、本実施の形態に係る製造方法では、基板21および陽極22の上面全体を覆うように、ホール注入層23およびホール輸送層30を、この順に積層形成する。そして、さらにその上に、保護膜240を積層形成する。ここで、ホール注入層23の形成に用いる材料は、上記実施の形態1と同様であるが、ホール輸送層30についても、ホール注入層3と同様の金属化合物を用い形成する。また、保護膜240の形成に用いる材料は、上記実施の形態1と同様である。
次に、露光後のバンク準備膜250に対して現像を行い、図9(a)に示すように、各サブピクセルに相当する箇所に開口25aを有するバンク25を形成する。
次に、開口25aを有するバンク25を形成した後に、純水などの洗浄液を用いて現像後の不要となった現像液を除去する(図9(b)を参照)。このように、バンク25の形成は、上記実施の形態1と同様に、ウェットプロセスを用い実行される。
なお、バンク自体が感光性を有さない形態において、レジストを用いた場合、バンクをエッチングした後のレジストの剥離により、バンクの開口部が剥離液に曝されることになる。このとき、保護膜が介在しているので、レジスト剥離液によるホール注入層に対する影響またはダメージが防止される。
また、バンク25の形成には、上記実施の形態1と同様に、ポリイミドの他に、アクリル系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂などの有機材料などを用いることもできる。
また、バンク25の形成において、ドライエッチング法を用いることもできる。この場合においても、保護膜240は、その下のホール輸送層30の表面に不純物が付着するのを防止する、という役割から有効である。また、バンクは、ネガ型材料の他、ポジ型材料も適用できる。
本実施の形態に係る製造方法では、ホール輸送層30の上に発光層を積層する。このとき、本実施の形態に係る製造方法では、ホール輸送層30も金属化合物を用い形成しているので、バンク25の形成時に保護膜240によりホール輸送層30が保護されている。
[実施の形態3]
実施の形態3に係る発光装置の製造方法について、図10および図11を用い説明する。なお、図10および図11においても、上記実施の形態1に係る製造方法における工程に内、図1および図2にそれぞれ相当する工程だけを示している。
なお、本実施の形態では、上記実施の形態1,2と相違し、ホール注入層43および保護膜440を、陽極42の上面に選択的に積層形成し、残りの基板41の表面には、これらを形成していない。
次に、露光後のバンク準備膜450に対して現像を行い、図11(a)に示すように、各サブピクセルに相当する箇所に開口45aを有するバンク45を形成する。
なお、図11(a)に示すように、バンク45は、開口45a側の一部が保護膜440の上に積層され(D部分)、他の部分は基板41上に積層される(E部分)。
なお、マスクを別々に用いることを許容し、ホール注入層43のエッジを覆うように保護膜440を形成するようにすれば、エッジから剥がれやすいというホール注入層43の特性を補うことができる。
なお、バンク45の形成においては、バンク自体が感光性を有するものを採用すれば、レジストを別途設ける必要はない。また、ウェットエッチングも不要となる場合もある。
また、バンク45の形成には、上記実施の形態1,2と同様の材料および方法を用いることも可能である。
[バンクの形状に関する補足]
上記実施の形態1では、図5に示すように、バンク5の平面形状については、所謂、ピクセルバンク(井桁状バンク)としたが、その他に、ラインバンクなどを採用することができる。バンクの平面形状について、図12を用い補足する。
図12に示すように、ライン状のバンク(ラインバンク)65を採用する場合には、X軸方向に隣接するピクセルの発光層66aと発光層66bと発光層66cとを区分けする。
なお、図12に示すように、ラインバンク65を採用する場合には、Y軸方向に隣接するピクセルの発光層同士はバンク要素により規定されていないが、駆動方法および陽極のサイズおよび間隔などにより、発光における互いの影響を抑制することができる。
上記実施の形態1〜3では、基板1,21,41上に陽極2,22,42を形成することとしたが、基板上に陰極を形成し、積層体の上部に陽極を形成することとしてもよい。このような構成を採用する場合には、陰極上に電子注入層または電子輸送層、あるいは電子注入輸送層を形成し、その上を保護膜40,240,440で覆いバンク5,25,45を形成することになる。この場合においても、バンク5,25,45の形成に係る電子注入層などへの不純物の付着および液による浸食を抑制することができる。
また、上記実施の形態1〜3に係る製造方法で用いた方法および材料などは、一例として示したものであり、本発明は、これに限定されるものではない。
2,22,42.陽極
3,23,43.ホール注入層
4,24,40,44,240,440.保護膜
5,25,45,65.バンク
6,6a,6b,6c,66a,66b,66c.発光層
7.電子注入層
8.陰極
9.封止層
10a,10b,10c.サブピクセル
30.ホール輸送層
50,250,450.バンク準備層
100.発光装置
501,502,503.マスク
Claims (34)
- 基板における一方の主面上に、第1電極を形成する第1ステップと、
少なくとも前記第1電極の上方に、金属化合物を有してなる層を形成する第2ステップと、
少なくとも前記金属化合物を有してなる層の上を、保護膜で覆う第3ステップと、
前記保護膜の上に、一部領域に前記保護膜が露出する開口を有するバンクを、ウェットプロセスを用い形成する第4ステップと、
前記保護膜における前記開口から露出する部分を、前記金属化合物を有してなる層の一部が露出するまで除去する第5ステップと、
前記第5ステップの実行により、前記開口から露出した前記金属化合物を有してなる層の上に、発光層を形成する第6ステップと、
前記発光層の上方に、前記第1電極と極性の異なる第2電極を形成する第7ステップと、
を有し、
前記保護膜は、前記第4ステップにおける前記ウェットプロセスで用いられる液に対し耐性を有する
ことを特徴とする発光素子の製造方法。 - 前記保護膜は、前記第4ステップにおける前記ウェットプロセスで用いられる液による浸食に対し、前記金属化合物を有してなる層よりも高い耐性を有し、
前記第5ステップは、前記保護膜における前記開口から露出する部分をエッチングにより除去する処理を含み、
前記金属化合物を有してなる層は、前記第5ステップにおける前記保護膜への前記エッチング処理において用いられる液による浸食に対し、前記保護膜よりも高い耐性を有する
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 前記保護膜は、前記金属化合物を有してなる層に対し、同一の処理液に関して、異なるエッチングレートを示す
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 前記保護膜は、前記第4ステップにおける前記ウェットプロセスで用いられる液に対し、前記金属化合物を有してなる層よりもエッチングレートが低く、
前記第5ステップは、前記保護膜における前記開口から露出する部分をエッチングにより除去する処理を含み、
前記金属化合物を有してなる層は、前記第5ステップにおける前記保護膜への前記エッチング処理において用いられる液に対し、前記保護膜よりもエッチングレートが低い
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第4ステップにおける前記ウェットプロセスは、現像により前記バンクを形成する現像処理と、前記現像処理後に行われる洗浄処理とを含み、
前記第5ステップは、前記保護膜における前記開口から露出する部分をエッチングにより除去する処理を含み、
前記保護膜は、前記第4ステップにおける前記現像処理および前記洗浄処理で用いられる各々の液に対し、前記金属化合物を有してなる層よりもエッチングレートが低く、
前記金属化合物を有してなる層は、前記第5ステップにおける前記保護膜への前記エッチング処理で用いられる液に対し、前記保護膜よりもエッチングレートが低い
ことを特徴とする請求項4に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第5ステップは、前記保護膜における前記開口から露出する部分をエッチングにより除去する処理を含み、
前記保護膜は、前記第4ステップにおける前記ウェットプロセスで用いられる液によっては浸食されることなく、前記第5ステップにおける前記保護膜へのエッチング処理で用いられる液により浸食され、
前記金属化合物を有してなる層は、前記第5ステップにおける前記保護膜への前記エッチング処理で用いられる液によっては浸食されない
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第4ステップにおける前記ウェットプロセスは、現像により前記バンクを形成する現像処理と、前記現像処理後に行われる洗浄処理とを含み、
前記第5ステップは、前記エッチング処理後に洗浄する処理を含み、
前記保護膜は、前記第4ステップにおける前記現像処理および前記洗浄処理で用いられる各々の液によっては浸食されることなく、前記第5ステップにおける前記保護膜への前記エッチング処理で用いられる液により浸食され、
前記金属化合物を有してなる層は、前記第5ステップにおける前記保護膜への前記エッチング処理で用いられる液によっては浸食されることなく、前記第5ステップにおける前記洗浄処理で用いられる液により浸食される
ことを特徴とする請求項6に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第5ステップでは、前記金属化合物を有してなる層を、前記洗浄処理で用いられる液により浸食させて、その内面部を露出させ、
前記第6ステップでは、前記金属化合物を有してなる層の前記露出した内面部の上に、発光層を形成する
ことを特徴とする請求項7に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第5ステップでは、前記保護膜における前記開口から露出する部分を除去するとともに、前記金属化合物を有してなる層の前記一部を除去して、前記金属化合物を有してなる層の内面部の一部を露出させ、
前記第6ステップでは、前記金属化合物を有してなる層の前記露出した内面部の一部の上に、前記発光層を形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第5ステップでは、前記保護膜における前記開口から露出する部分を除去し、前記保護膜における前記バンクに対応する部分を除去させることなく残存させる
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 前記保護膜は、絶縁材料を用い形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 前記保護膜は、無機材料を用い形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 前記保護膜は、SiO2を用い形成される
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 前記金属化合物を有してなる層は、電荷注入層であって、
前記第5ステップでは、前記保護膜における前記開口から露出する部分を除去することにより、前記電荷注入層が露出し、
前記第6ステップでは、前記電荷注入層の上に、前記発光層を積層形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 前記金属化合物を有してなる層は、ともに金属酸化物からなる電荷注入層と電荷輸送層とが、前記第1電極の側から順に積層された構造を有し、
前記第5ステップでは、前記電荷輸送層の上に、前記発光層を積層形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第2ステップでは、金属酸化物、または金属窒化物、または金属酸窒化物を用い、前記金属化合物を有してなる層を形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第6ステップでは、塗布型の有機材料を用い、前記発光層を形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 前記第6ステップでは、インクジェット法を用い、前記発光層を形成する
ことを特徴とする請求項1に記載の発光素子の製造方法。 - 複数のサブピクセルを有してなる発光装置の製造方法であって、
請求項1から18の何れかの発光素子の製造方法を適用して、前記複数のサブピクセルの各々を形成する
ことを特徴とする発光装置の製造方法。 - 基板の一方の主面上において、第1電極および第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介挿された発光層および金属化合物からなる層と、少なくとも前記発光層を規定するバンクとを有してなる発光素子であって、
前記金属化合物を有してなる層は、少なくとも前記第1電極の上方に形成され、
前記バンクの底面と前記金属化合物を有してなる層との間には、保護膜が介挿されており、
前記保護膜は、前記バンクの開口に相当する領域が開口され、且つ、その上に積層形成される前記バンクの形成に係るウェットプロセスで用いられる液による浸食に対し耐性を有する
ことを特徴とする発光素子。 - 前記金属化合物を有してなる層は、前記バンクの開口に相当する中央部側が、端部側よりも前記基板の一方の主面側に窪んだ凹形状を有する
ことを特徴とする請求項20に記載の発光素子。 - 前記保護膜は、前記バンクの底面と前記金属化合物を有してなる層との密着性を高めるための層である
ことを特徴とする請求項20に記載の発光素子。 - 前記保護膜は、絶縁材料を用い形成されている
ことを特徴とする請求項20に記載の発光素子。 - 前記保護膜は、無機材料を用い形成されている
ことを特徴とする請求項20に記載の発光素子。 - 前記保護膜は、SiO2を用い形成されている
ことを特徴とする請求項20に記載の発光素子。 - 前記金属化合物を有してなる層は、電荷注入層であって、
前記保護膜の開口領域では、前記電荷注入層の上に、前記発光層が積層形成されている
ことを特徴とする請求項20に記載の発光素子。 - 前記金属化合物を有してなる層は、ともに金属酸化物からなる電荷注入層と電荷輸送層とが、前記第1電極の側から順に積層された構造を有し、
前記保護膜の開口領域では、前記電荷輸送層の上に、前記発光層が積層形成されている
ことを特徴とする請求項20に記載の発光素子。 - 前記金属化合物を有してなる層は、前記バンクの表面よりも高い親液性を有する
ことを特徴とする請求項20に記載の発光素子。 - 前記発光層は、塗布型の有機材料を用い形成されている
ことを特徴とする請求項20に記載の発光素子。 - 基板の一方の主面上において、第1電極および第2電極と、前記第1電極と前記第2電極との間に介挿された発光層および金属化合物からなる層と、少なくとも前記発光層を規定するバンクとを有してなる発光素子であって、
前記金属化合物を有してなる層は、少なくとも前記第1電極の上方に形成され、内底面部と当該内底面部に連続する内側面部とを備え、
前記バンクの底面と前記金属化合物を有してなる層との間には、中間膜が介挿され、
前記中間膜は、前記バンクの開口に相当する領域が開口されており、
前記発光層は、その下部側が、前記金属化合物を有してなる層の前記凹形状部分の内底面部および内側面部に接触して形成されている
ことを特徴とする発光素子。 - 前記中間膜は、絶縁材料を用い形成されている
ことを特徴とする請求項30に記載の発光素子。 - 前記中間膜は、無機材料を用い形成されている
ことを特徴とする請求項30に記載の発光素子。 - 前記中間膜は、SiO2を用い形成されている
ことを特徴とする請求項30に記載の発光素子。 - 複数のサブピクセルを有してなる発光装置であって、
請求項20から33の何れかの発光素子を、前記複数のサブピクセルの各々として備える
ことを特徴とする発光装置。
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