CN102308671B - 发光元件的制造方法和发光元件、以及发光装置的制造方法和发光装置 - Google Patents
发光元件的制造方法和发光元件、以及发光装置的制造方法和发光装置 Download PDFInfo
- Publication number
- CN102308671B CN102308671B CN201080007098.3A CN201080007098A CN102308671B CN 102308671 B CN102308671 B CN 102308671B CN 201080007098 A CN201080007098 A CN 201080007098A CN 102308671 B CN102308671 B CN 102308671B
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- layer
- light
- diaphragm
- metallic compound
- dike
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Active
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 201
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 107
- 238000002347 injection Methods 0.000 claims abstract description 121
- 239000007924 injection Substances 0.000 claims abstract description 121
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 32
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims description 119
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims description 71
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims description 24
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 19
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 claims description 17
- 238000011161 development Methods 0.000 claims description 16
- 239000011368 organic material Substances 0.000 claims description 11
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 9
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims description 8
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims description 8
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 7
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 7
- 239000011810 insulating material Substances 0.000 claims description 6
- 230000001815 facial effect Effects 0.000 claims description 5
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 claims description 4
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 abstract description 8
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 description 24
- -1 polyethylene Polymers 0.000 description 24
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 22
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 11
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 10
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 8
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 8
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 6
- 229920001609 Poly(3,4-ethylenedioxythiophene) Polymers 0.000 description 5
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 description 5
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 description 5
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 4
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 4
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 4
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 3
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 3
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N Alumina Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 239000000470 constituent Substances 0.000 description 3
- 150000004696 coordination complex Chemical class 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 3
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 3
- 238000009832 plasma treatment Methods 0.000 description 3
- MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N quinolin-8-ol Chemical compound C1=CN=C2C(O)=CC=CC2=C1 MCJGNVYPOGVAJF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229920005989 resin Polymers 0.000 description 3
- 239000011347 resin Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 3
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 3
- 229910001316 Ag alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910000599 Cr alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N Phenol Chemical compound OC1=CC=CC=C1 ISWSIDIOOBJBQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N Styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1 PPBRXRYQALVLMV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004809 Teflon Substances 0.000 description 2
- 229920006362 Teflon® Polymers 0.000 description 2
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 2
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 2
- MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N anthracene Natural products C1=CC=CC2=CC3=CC=CC=C3C=C21 MWPLVEDNUUSJAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N benzo-alpha-pyrone Natural products C1=CC=C2OC(=O)C=CC2=C1 ZYGHJZDHTFUPRJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N chrysene Chemical compound C1=CC=CC2=CC=C3C4=CC=CC=C4C=CC3=C21 WDECIBYCCFPHNR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 2
- 229960000956 coumarin Drugs 0.000 description 2
- 235000001671 coumarin Nutrition 0.000 description 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 2
- 238000007607 die coating method Methods 0.000 description 2
- 238000003618 dip coating Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000007667 floating Methods 0.000 description 2
- GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N fluoranthrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=C22)=C3C2=CC=CC3=C1 GVEPBJHOBDJJJI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N glycolonitrile Natural products N#CC#N JMANVNJQNLATNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M lithium fluoride Chemical compound [Li+].[F-] PQXKHYXIUOZZFA-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 2
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 2
- 238000011160 research Methods 0.000 description 2
- 238000005096 rolling process Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 2
- 238000013517 stratification Methods 0.000 description 2
- 229910052723 transition metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 150000003624 transition metals Chemical class 0.000 description 2
- YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 1,3-Diphenylbenzene Chemical compound C1=CC=CC=C1C1=CC=CC(C=2C=CC=CC=2)=C1 YJTKZCDBKVTVBY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001020 Au alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000881 Cu alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910015202 MoCr Inorganic materials 0.000 description 1
- BNJXVYPVIJWBCO-UHFFFAOYSA-N N1C(C=CC2=CC=CC=C12)=O.N1C=CC=CC=C1 Chemical class N1C(C=CC2=CC=CC=C12)=O.N1C=CC=CC=C1 BNJXVYPVIJWBCO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001252 Pd alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N Phenanthrene Natural products C1=CC=C2C3=CC=CC=C3C=CC2=C1 YNPNZTXNASCQKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004698 Polyethylene Substances 0.000 description 1
- 229910000544 Rb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 125000000641 acridinyl group Chemical class C1(=CC=CC2=NC3=CC=CC=C3C=C12)* 0.000 description 1
- 239000004410 anthocyanin Substances 0.000 description 1
- 229930002877 anthocyanin Natural products 0.000 description 1
- 235000010208 anthocyanin Nutrition 0.000 description 1
- BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N antipyrene Natural products C1=CC=C2C=CC3=CC=CC4=CC=C1C2=C43 BBEAQIROQSPTKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N boric acid Chemical class OB(O)O KGBXLFKZBHKPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229960005057 canrenone Drugs 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N chromium nickel Chemical compound [Cr].[Ni] VNNRSPGTAMTISX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 229920001940 conductive polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 150000003997 cyclic ketones Chemical class 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 1
- ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N endo-cyclopentadiene Natural products C1C=CC=C1 ZSWFCLXCOIISFI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 238000003682 fluorination reaction Methods 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N hexabenzobenzene Natural products C1=C(C2=C34)C=CC3=CC=C(C=C3)C4=C4C3=CC=C(C=C3)C4=C2C3=C1 VPUGDVKSAQVFFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- AWOORJZBKBDNCP-UHFFFAOYSA-N molybdenum;oxotungsten Chemical compound [Mo].[W]=O AWOORJZBKBDNCP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N naphthalene-acid Natural products C1=CC=CC2=CC=CC=C21 UFWIBTONFRDIAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910001120 nichrome Inorganic materials 0.000 description 1
- QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N nonaoxidotritungsten Chemical compound O=[W]1(=O)O[W](=O)(=O)O[W](=O)(=O)O1 QGLKJKCYBOYXKC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N o-biphenylenemethane Natural products C1=CC=C2CC3=CC=CC=C3C2=C1 NIHNNTQXNPWCJQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002916 oxazoles Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 1
- DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N perinone Chemical compound C12=NC3=CC=CC=C3N2C(=O)C2=CC=C3C4=C2C1=CC=C4C(=O)N1C2=CC=CC=C2N=C13 DGBWPZSGHAXYGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N peryrene Natural products C1=CC(C2=CC=CC=3C2=C2C=CC=3)=C3C2=CC=CC3=C1 CSHWQDPOILHKBI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003016 phosphoric acids Chemical class 0.000 description 1
- IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N phthalocyanine Chemical compound N1C(N=C2C3=CC=CC=C3C(N=C3C4=CC=CC=C4C(=N4)N3)=N2)=C(C=CC=C2)C2=C1N=C1C2=CC=CC=C2C4=N1 IEQIEDJGQAUEQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000000704 physical effect Effects 0.000 description 1
- 229920005668 polycarbonate resin Polymers 0.000 description 1
- 239000004431 polycarbonate resin Substances 0.000 description 1
- 229920000728 polyester Polymers 0.000 description 1
- 229920000573 polyethylene Polymers 0.000 description 1
- 239000002861 polymer material Substances 0.000 description 1
- 229920000123 polythiophene Polymers 0.000 description 1
- 238000007639 printing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N pyrazol-3-one Chemical class O=C1C=CN=N1 JEXVQSWXXUJEMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003219 pyrazolines Chemical class 0.000 description 1
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 1
- 150000007660 quinolones Chemical class 0.000 description 1
- 230000000717 retained effect Effects 0.000 description 1
- IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N rubidium atom Chemical compound [Rb] IGLNJRXAVVLDKE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 239000011669 selenium Substances 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000000377 silicon dioxide Substances 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920002050 silicone resin Polymers 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000005361 soda-lime glass Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 239000007921 spray Substances 0.000 description 1
- PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N stilbene Chemical class C=1C=CC=CC=1C=CC1=CC=CC=C1 PJANXHGTPQOBST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000005504 styryl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000013589 supplement Substances 0.000 description 1
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000005075 thioxanthenes Chemical class 0.000 description 1
- 229910000314 transition metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001930 tungsten oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000008207 working material Substances 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
- H10K59/122—Pixel-defining structures or layers, e.g. banks
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/10—OLEDs or polymer light-emitting diodes [PLED]
- H10K50/17—Carrier injection layers
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/30—Organic light-emitting transistors
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
Abstract
一种发光元件的制造方法，在第1步骤，在基板(1)的一个主面上形成阳极(2)；在第2步骤，至少在阳极(2)的上方形成空穴注入层(3)；在第3步骤，用保护膜(40)至少将空穴注入层(3)的上方覆盖；在第4步骤，使用湿式工艺，在保护膜(40)之上形成在一部分区域具有保护膜露出的开口(5a)的堤(5)；在第5步骤，除去保护膜(40)的从开口(5a)露出的部分，直到空穴注入层(3)的一部分露出；在第6步骤，在从开口(5a)露出的空穴注入层(3)之上形成发光层；在第7步骤，在发光层的上方形成阴极。并且，保护膜对于在第4步骤的湿式工艺所使用的液体具有耐受性。
Description
技术领域
本发明涉及发光元件的制造方法和发光元件、以及发光装置的制造方法和发光装置。
背景技术
近年，研究、开发盛行的有机电致发光元件(以下记作“有机EL元件”)是利用固体荧光性物质的场致发光现象的发光元件。有机EL元件具有在阳极和阴极之间介置(介挿，介有、夹着)有机发光层的构造。另外，有时采用在阳极与有机发光层之间及阴极与有机发光层之间分别介置电荷注入层、电荷输送层的构造。
在此，以往的有机EL元件中，使用PEDOT(聚噻吩和聚苯乙烯磺酸的混合物)等导电性聚合物材料形成电荷注入层等，但提出了使用过渡金属氧化物等金属化合物来形成电荷注入层(例如，参照专利文献1等)。在使用金属化合物形成电荷注入层时，与使用PEDOT形成相比具有如下优越性：元件的电压-电流密度特性优良，而且即便在流过大电流得到强发光强度时也难以劣化。
发光层是使用湿式工艺在形成于阳极上的电荷注入层及电荷输送层之上形成井字形或线状的堤(bank)之后，用喷墨法、印刷法等而形成。
专利文献1：日本特开2005-203339号公报
发明内容
在如上所述应用金属化合物作为电荷注入输送层的结构中，也需要谋求对发光特性进一步改善。
本发明是鉴于上述需求而完成的，其目的在于提供一种具有高发光特性的发光元件的制造方法和发光元件、以及发光装置的制造方法和发光装置。
本发明的一方案的发光元件的制造方法中，执行如下步骤。
(第1步骤)在基板的一个主面上形成电极。
(第2步骤)至少在电极的上方形成具有金属化合物而成的层。
(第3步骤)用保护膜至少将具有金属化合物而成层的上方覆盖。
(第4步骤)使用湿式工艺，在保护膜之上形成在一部分区域具有保护膜露出的开口的堤。
(第5步骤)除去保护膜中的从所述开口露出的部分，直到具有金属化合物而成的层的一部分露出。
(第6步骤)在通过执行第5步骤而从所述开口露出的所述具有金属化合物而成的层之上形成发光层。
(第7步骤)在所述发光层的上方形成与所述第1电极极性不同的第2电极。
并且，本发明的一方案的发光元件的制造方法中，保护膜对于在第4步骤中的湿式工艺所使用的液体具有耐受性。
本发明的一方案的发光元件的制造方法中，用保护膜覆盖具有金属化合物而成的层(以下记作“金属化合物层”)的上方，在该状态下执行堤形成。并且，本发明的一方案的发光元件的制造方法中，保护膜对于在第4步骤中的湿式工艺所使用的液体具有耐受性。因此，本发明的一方案的发光元件的制造方法中，即使执行了第4步骤的湿式工艺，用保护膜覆盖了上面的金属化合物层也不会受到侵蚀。
因此，本发明的一方案的发光元件的制造方法中，能够以高精度确保金属化合物层的厚度，能够制造具有高发光性能的发光元件。
此外，本发明的一方案的发光元件的制造方法中，如上所述，在执行第4步骤的湿式工艺期间，用保护膜覆盖金属化合物层的上面，在第4步骤的湿式工艺的执行结束之后除去保护膜的一部分(第5步骤)，在其上层叠形成发光层(第6步骤)，因此在金属化合物层与发光层之间不会介有由于堤形成而引起的杂质。
因此，本发明的一方案的发光元件的制造方法中，在金属化合物层和发光层之间不介有杂质，能够制造具有高发光性能的发光元件。
如上所述，本发明的一方案的发光元件的制造方法，能够制造具有高发光特性的发光元件。
附图说明
图1是按工序顺序表示实施方式1的发光装置100的制造工序的一部分的示意端面图。
图2是按顺序表示实施方式1的发光装置100的制造工序的一部分的示意端面图。
图3是按顺序表示实施方式1的发光装置100的制造工序的一部分的示意端面图。
图4是表示发光装置100的要部结构的示意端面图。
图5是表示发光装置100中的堤5的形状的示意俯视图。
图6是表示发光装置100的制造途中的详细结构的示意端面图。
图7是表示发光装置100的结构中的、堤5的下部的详细结构的示意端面图。
图8是按工序顺序表示实施方式2的发光装置的制造工序的一部分的示意端面图。
图9是按工序顺序表示实施方式2的发光装置的制造工序的一部分的示意端面图。
图10是按工序顺序表示实施方式3的发光装置的制造工序的一部分的示意端面图。
图11是按工序顺序表示实施方式3的发光装置的制造工序的一部分的示意端面图。
图12是表示作为变形例的堤形状的示意俯视图。
具体实施方式
[得到本发明的一方案的原委]
本发明人发现，在采用以往的使用金属化合物而形成的电荷注入层时，存在由于堤形成时的湿式工艺所使用的液体而电荷注入层的表面被侵蚀这样的问题。并且研究表明：在电荷注入层的一部分被侵蚀了时，根据其侵蚀的程度，电荷注入层的膜厚发生变化，结果，有时产生发光特性的偏差。
本发明人还发现，由于在形成了电荷注入层之后到层叠形成发光层之间，执行堤形成等工序，导致会出现在电荷注入层的表面附着杂质这样的问题。研究表明，在这样附着了杂质的电荷注入层之上层叠形成了发光层时，会招致有机EL元件的发光特性的降低。因此，本发明人为了解决上述问题而进行了认真研究，目的在于提供一种在发光层的下部设置具有金属化合物而成的层的同时，能够抑制伴随着堤形成的侵蚀、杂质附着，具有高发光特性的发光元件的制造方法和发光元件、以及发光装置的制造方法和发光装置，完成了本发明。
[本发明的一方案的概要]
本发明的一方案的发光元件的制造方法中，执行如下步骤。
(第1步骤)在基板的一个主面上形成第1电极。
(第2步骤)至少在第1电极的上方形成具有金属化合物而成的层。
(第3步骤)用保护膜至少将具有金属化合物而成层的上方覆盖。
(第4步骤)使用湿式工艺，在保护膜之上形成在一部分区域具有保护膜露出的开口的堤。
(第5步骤)除去保护膜中的从所述开口露出的部分，直到具有金属化合物而成的层的一部分露出。
(第6步骤)在通过执行第5步骤而从所述开口露出的所述具有金属化合物而成的层之上形成发光层。
(第7步骤)在所述发光层的上方形成与所述第1电极极性不同的第2电极。
并且，本发明的一方案的发光元件的制造方法中，保护膜对于在第4步骤的湿式工艺所使用的液体具有耐受性。
本发明的一方案的发光元件的制造方法中，用保护膜覆盖具有金属化合物而成的层的上方，在该状态下执行堤形成。并且，本发明的一方案的发光元件的制造方法中，保护膜对于在第4步骤的湿式工艺所使用的液体具有耐受性。因此，本发明的一方案的发光元件的制造方法中，即使执行了第4步骤的湿式工艺，用保护膜覆盖了上面的具有金属化合物而成的层也不会受到侵蚀。
因此，本发明的一方案的发光元件的制造方法中，能够以高精度确保金属化合物层的厚度，能够制造具有高发光性能的发光元件。
此外，本发明的一方案的发光元件的制造方法中，如上所述，在执行第4步骤的湿式工艺期间，用保护膜覆盖具有金属化合物而成的层的上面，在第4步骤的湿式工艺的执行结束之后除去保护膜的一部分(第5步骤)，在其上层叠形成发光层(第6步骤)，因此在具有金属化合物而成的层与发光层之间不会介有由于堤形成而引起的杂质。
因此，本发明的一方案的发光元件的制造方法中，在具有金属化合物而成的层和发光层之间不介有杂质，能够制造具有高发光性能的发光元件。
如上可知，本发明的一方案的发光元件的制造方法中，能够制造具有高发光特性的发光元件。
本发明的一方案的发光元件的制造方法，在上述构成中，对于在所述第4步骤中的湿式工艺所使用的液体的侵蚀，保护膜具有比具有金属化合物而成的层高的耐受性，第5步骤包括通过蚀刻除去所述保护膜中的从所述开口露出的部分的处理，对于在第5步骤中对保护膜的蚀刻处理所使用的液体的侵蚀，具有金属化合物而成的层具有比保护膜高的耐受性。
如上所述，采用对于在第5步骤中对保护膜的蚀刻处理所使用的液体的侵蚀，具有金属化合物而成的层具有比保护膜高的耐受性这一特征时，即使执行第4步骤的湿式工艺，也能更可靠地防止具有金属化合物而成的层的侵蚀。
本发明的一方案的发光元件的制造方法在上述构成中，对于同一处理液，保护膜表现出与具有金属化合物而成的层不同的蚀刻速率。
这样，采用保护膜和具有金属化合物而成的层对于同一处理液表现出不同的蚀刻速率这一特征时，能更可靠地防止具有金属化合物而成的层的侵蚀。
本发明的一方案的发光元件的制造方法是在上述构成中，对于在第4步骤中的湿式工艺所使用的液体，保护膜的蚀刻速率低于具有金属化合物而成的层的蚀刻速率，第5步骤包括通过蚀刻除去保护膜中的从所述开口露出的部分的处理，对于在第5步骤中对保护膜的所述蚀刻处理所使用的液体，具有金属化合物而成的层的蚀刻速率低于保护膜的蚀刻速率。
这样，采用对于在第5步骤中对保护膜的蚀刻处理所使用的液体，具有金属化合物而成的层的蚀刻速率低于保护膜的蚀刻速率这一特征时，在第5步骤的保护膜的除去时，能够可靠保护具有金属化合物而成的层。
本发明的一方案的发光元件的制造方法是在上述构成中，第5步骤包括通过蚀刻除去保护膜中的从所述开口露出的部分的处理，保护膜不会被在第4步骤中的湿式工艺所使用的液体侵蚀，会被在第5步骤中对保护膜的蚀刻处理所使用的液体侵蚀，具有金属化合物而成的层不会被在第5步骤中对保护膜的蚀刻处理所使用的液体侵蚀。
采用这样的构成时，在执行第4步骤的湿式工艺时，用保护膜可靠地保护具有金属化合物而成的层，通过执行第5步骤，能够在可靠地保护具有金属化合物而成的层的情况下，除去开口相当部分的保护膜。因此，通过执行第6步骤，在具有金属化合物而成的层之上层叠形成发光层，能够制造具有高发光特性的发光元件。
本发明的一方案的发光元件的制造方法是在上述构成中，第4步骤中的湿式工艺包括通过显影形成所述堤的显影处理和在显影处理后进行的清洗处理，第5步骤包括在蚀刻处理后进行清洗的处理。并且，保护膜不会被在第4步骤中的显影处理及清洗处理所使用的各液体侵蚀，而是被在第5步骤中对保护膜的蚀刻处理所使用的液体侵蚀，具有金属化合物而成的层不会被在第5步骤中对保护膜的蚀刻处理所使用的液体侵蚀，而是被在第5步骤中的清洗处理所使用的液体侵蚀。
如上所述，由于保护膜不会被在第4步骤的显影处理及清洗处理所使用的各液体侵蚀，因此能够在第4步骤的执行中可靠地保护具有金属化合物而成的层。由于保护膜会被在第5步骤中对保护膜的蚀刻处理所使用的液体侵蚀，因此通过执行第5步骤的蚀刻处理，能够可靠地除去所述开口相当部分的保护膜。
而且，由于具有金属化合物而成的层不会被在第5步骤中对保护膜的蚀刻处理所使用的液体侵蚀，而是被在第5步骤的清洗处理所使用的液体侵蚀，因此在第6步骤层叠形成的发光层不会在其与具有金属化合物而成的层之间介有杂质。因此，采用上述构成时，能够在发光层的下部设置具有金属化合物而成的层的同时，抑制伴随着堤形成(第4步骤)的侵蚀、杂质的附着，能够制造具有高发光特性的发光元件。
本发明的一方案的发光元件的制造方法是在上述构成中，在第5步骤，用在清洗处理使用的液体侵蚀具有金属化合物而成的层，使其内面部露出，在第6步骤，在具有金属化合物而成的层的所述露出的内面部之上形成发光层。
这样，由于第5步骤中，用在清洗处理使用的液体侵蚀具有金属化合物而成的层，使其内面部露出，在该露出的部分层叠形成发光层，因此能够制造具有高发光特性的发光元件。
本发明的一方案的发光元件的制造方法是在上述构成中，在第5步骤，除去保护膜中的从所述开口露出的部分，并且除去具有金属化合物而成的层的所述一部分，使具有金属化合物而成的层的内面部的一部分露出，在第6步骤，在具有金属化合物而成的层的所述露出的内面部的一部分之上形成发光层。
采用这样的特征的情况下，在第6步骤形成发光层时，能够将保持墨的能力维持得高。即，由于具有金属化合物而成的层的所述露出的内面部的一部分的保持墨的能力高，因此能够将发光层的层叠形成时的保持墨的能力维持得高，能够制造具有高发光特性的发光元件。
本发明的一方案的发光元件的制造方法是在上述构成中，在第5步骤，除去保护膜中的从所述开口露出的部分，不除去保护膜的与所述堤对应的部分而将其残留。
采用这样的特征时，通过除去保护膜的与所述开口对应的部分，能够在具有金属化合物而成的层之上层叠形成发光层，电荷注入性变得良好。
此外，关于被堤覆盖的保护膜的部分，不将其除去而使其残留，因此能够将具有金属化合物而成的层与堤的密接(密着)性保持得高。
本发明的一方案的发光元件的制造方法是在上述构成中，保护膜可以使用绝缘材料形成。
本发明的一方案的发光元件的制造方法是在上述构成中，保护膜可以使用无机材料形成。
本发明的一方案的发光元件的制造方法是在上述构成中，保护膜可以使用SiO2形成。
本发明的一方案的发光元件的制造方法是在上述构成中，具有金属化合物而成的层具体而言是电荷注入层，在第5步骤，通过除去保护膜的从所述开口露出的部分，电荷注入层露出，在第6步骤，在电荷注入层之上层叠形成发光层。
采用这样的特征时，通过除去保护膜的与所述开口对应的部分，因此能够在具有金属化合物而成的层(电荷注入层)之上层叠形成发光层，电荷注入性变得良好。
本发明的一方案的发光元件的制造方法是在上述构成中，具有金属化合物而成的层具有自第1电极一侧依次层叠都包括金属氧化物的电荷注入层和电荷输送层的构造，在第5步骤，在电荷输送层之上层叠形成发光层。
采用这样的特征时，由于具有金属化合物的层具有电荷注入层和电荷输送层的层叠构造，成为在电荷注入层与发光层之间介置电荷输送层的结构，因此电荷注入性变得良好，能够制造具有高发光特性的发光元件。
另外，上述中，“第1电极”是阴极时，“具有金属化合物而成的层”是“电子注入层或电子输送层或电子注入输送层”。
本发明的一方案的发光元件的制造方法是在上述构成中，在第2步骤，可以使用金属氧化物或金属氮化物或金属氮氧化物形成所述具有金属化合物而成的层。
本发明的一方案的发光元件的制造方法是在上述构成中，在第6步骤，可以使用涂敷型的有机材料形成所述发光层。
本发明的一方案的发光装置的制造方法是在上述构成中，在第6步骤，可以使用喷墨法形成所述发光层。
本发明的一方案的发光装置的制造方法，应用上述本发明的一方案的发光元件的制造方法形成多个子像素的各个。由此，如上所述，能够制造具有高发光特性的发光装置。另外，本发明的一方案的“发光装置”是指例如照明装置、表示装置等。
本发明的一方案的发光元件是在基板的一个主面上具有第1电极及第2电极、介置于所述第1电极与所述第2电极之间的发光层及包括金属化合物的层、和至少规定所述发光层的堤而成的发光元件。并且，具有金属化合物而成的层至少形成在第1电极的上方，在堤的底面与具有金属化合物而成的层之间介置保护膜，保护膜的与堤的开口相当的区域开口，并且保护膜对于在其上层叠形成的堤的形成中的湿式工艺所使用的液体的侵蚀具有耐受性。
本发明的一方案的发光元件中，通过具有上述特征，能够确保金属化合物层的厚度等的精度，以及防止在金属化合物层与发光层之间介有杂质，具有高发光性能。
另外，在上述构成中，具有金属化合物而成的层可以采用向沿着堤的底面朝向相邻的子像素扩展这样的形态。在此，“沿着堤的底面”不仅是沿着堤的整个底面的形态，还包括沿着堤的底面的一部分的形态。
本发明的一方案的发光元件是在上述构成中，具有金属化合物而成的层具有如下这样的凹形状：与堤的开口相当的中央部侧比端部侧向基板的一个主面侧凹入。采用这样的构成时，具有金属化合物而成的层的凹形状部分形成为底部分，从墨的保持能力方面看优异，在该方面，与墨的保持能力低的以往构成相比，可获得高发光特性。
本发明的一方案的发光元件是在上述构成中，保护膜是用于提高堤的底面与具有金属化合物而成的层的密接性的层。由此，能够得到在堤的底面与具有金属化合物而成的层之间的高密接性，能够得到高品质。
本发明的一方案的发光元件是在上述构成中，保护膜可以使用绝缘材料形成。
本发明的一方案的发光元件是在上述构成中，保护膜可以使用无机材料形成。
本发明的一方案的发光元件是在上述构成中，保护膜可以使用SiO2形成。
本发明的一方案的发光元件是在上述构成中，具有金属化合物而成的层是电荷注入层，在保护膜的所述开口区域，在电荷注入层之上层叠形成发光层。采用这样的特征时，能够在保护膜的与所述开口对应的部分，在具有金属化合物而成的层(电荷注入层)之上层叠形成发光层，电荷注入性变得良好。
本发明的一方案的发光元件是在上述构成中，具有金属化合物而成的层具有自第1电极一侧起依次层叠都包括金属氧化物的电荷注入层和电荷输送层的构造，在保护膜的开口区域，在电荷输送层之上层叠形成发光层。采用这样的特征时，具有金属化合物的层具有电荷注入层和电荷输送层的层叠构造，在电荷注入层与发光层之间介置电荷输送层的结构，因此电荷注入性变得良好，具有高发光特性。
本发明的一方案的发光元件是在上述构成中，具有金属化合物而成的层的亲液性高于堤的表面的亲液性。采用这样的特征时，在形成发光层时，能够将墨的保持能力维持得高。
本发明的一方案的发光元件是在上述构成中，发光层可以使用涂敷型的有机材料形成。
本发明的一方案的发光元件是在基板的一个主面上具有第1电极及第2电极、介置于第1电极与第2电极之间的发光层及包括金属化合物的层、和至少规定发光层的堤而成的。并且，具有金属化合物而成的层至少形成在第1电极的上方，具有内底面部和与该内底面部连续的内侧面部，在堤的底面与具有金属化合物而成的层之间介置中间膜，中间膜的与堤的开口相当的区域开口。本发明的一方案的发光元件中，发光层的下部侧与具有金属化合物而成的层的凹形状部分的内底面部及内侧面部接触而形成。
在采用这样特征的发光元件中，由于在堤的底面与具有金属化合物而成的层之间介置中间膜，因此能够使堤的底面与具有金属化合物而成的层之间的密接性提高。另外，中间膜与另一方案的保护膜对应。
使用例如SiO2形成中间膜时等，由于中间膜具有拨液性，认为会对发光层的形成带来影响，但由于具有金属化合物而成的层的该部分形成为凹形状，因此发光层除了与凹形状部分的内底面部接触之外，也与内侧面部接触。因此，本发明的一方案的发光元件中，发光层在下部侧被形成并保持在具有金属化合物而成的层的凹形状部分内，因此能够具有良好的发光层。因此，具有高发光性能。
本发明的一方案的发光元件是在上述构成中，中间膜可以使用绝缘材料形成。
本发明的一方案的发光元件是在上述构成中，中间膜可以使用无机材料形成。
本发明的一方案的发光元件是在上述构成中，中间膜可以使用SiO2形成。
本发明的一方案的发光装置具有上述本发明的一方案的发光元件作为多个子像素的各个。由此，由于上述理由，本发明的一方案的发光装置具有高发光特性。
以下，举例说明用于实施本发明的实施方式。
在以下的说明中使用的实施方式是为了容易理解地说明本发明的构成及作用/效果而使用的例子，本发明除了本质特征部分以外不受以下任何实施方式的限定。
[实施方式1]
1.发光装置100的制造方法
使用图1～图3，说明实施方式1的发光装置100的制造方法的主要部分。另外，图1～图3中，仅提出发光装置100的一部分表示。
如图1(a)所示，首先，在基板1的一面(Z轴方向的上侧面)形成阳极2。在此，基板1实际上是TFT基板(对电路等省略图示。)，例如使用将钠玻璃、无荧光玻璃、磷酸类玻璃、硼酸类玻璃、石英、丙烯酸类树脂、苯乙烯类树脂、聚碳酸酯类树脂、环氧类树脂、聚乙烯、聚酯、硅酮类树脂或者氧化铝等绝缘性材料等为基材而形成的基板。
阳极2使用Ag(银)而形成。另外，阳极2的形成，除了Ag之外，也可使用APC(银、钯和铜的合金)、ARA(银、铷和金的合金)、MoCr(钼和铬的合金)、NiCr(镍和铬的合金)等。
接着，如图1(b)所示，将形成有阳极2的基板1的面上、包括阳极2的上面在内地用空穴注入层3覆盖，进而用保护膜(中间膜)40覆盖空穴注入层3的上方。在此，空穴注入层3是使用WOx(氧化钨)或MoWOx(钼钨氧化物)等的金属化合物而形成。另外，作为空穴注入层3的形成所使用的金属化合物，除了上述金属氧化物之外，例如可采用金属氮化物或金属氮氧化物。
在空穴注入层3由特定的金属化合物形成的情况下，能够容易注入空穴，在发光层内电子有效地有助于发光，因此能够得到良好的发光特性。作为上述特定的金属化合物，优选包括过渡金属。过渡金属有多个氧化价数，由此能够取得多个能级，结果，容易进行空穴注入，能够降低驱动电压。
保护膜40是使用SiO2(氧化硅)而形成。另外，保护膜40的形成，除了SiO2之外，还可使用铬、钛的氧化物及氮化物，以及金属材料等无机物材料。
接着，如图1(c)所示，以使得覆盖保护膜40之上的方式堆积形成堤准备膜50。在此，作为堤准备膜50的形成所使用的材料，例如可采用聚酰亚胺等绝缘性有机材料。对于堤准备膜50的形成，具体而言，例如可以使用旋涂法、喷涂法(spray coat)、辊涂法(roll coat)、印模涂敷法(die coat)、浸涂法(dip coat)等进行。
接着，如图1(d)所示，在堤准备膜50之上的一部分(欲设置开口的部位)形成掩模501，以该状态曝光。
接着，对曝光后的堤准备膜50进行显影，如图2(a)所示，形成在与各子像素相当的部位具有开口5a的堤5。堤5作为规定子像素中发光层6(参照图3(a))的分隔构件而构成。
接着，在形成了具有开口5a的堤5之后，使用纯水等清洗液除去显影后的不要的显影液(参照图2(b))。这样，使用湿式工艺执行堤5的形成。
另外，在堤5的形成中，若采用堤形成材料自身具有感光性的方式，则不需要另外设置抗蚀剂。也存在不需要湿式蚀刻的情况。
另外，在堤5的形成中，为了形成发光层6(参照图3(a))所使用的墨不漏出到相邻的子像素，可以使至少表面的一部分具有拨液性。作为具有拨液性的方法，除了使用具有拨液性的材料来形成堤5的方法之外，也可以使用等离子处理使堤5表面露出氟成分(使表面特氟龙(注册商标)化)。
堤5的形成除了聚酰亚胺之外，还可使用丙烯酸类树脂、苯酚酚醛清漆型树脂等有机材料等。
在堤5的形成中可以使用干式蚀刻法。这种情况下同样，保护膜40有效地起到防止杂质附着在其下方的空穴注入层3的表面这一作用。
接着，如图2(c)所示，除去堤5的开口5a的下部部分的保护膜40。该状态下，保护膜4在堤5的下部在堤5与空穴注入层3之间介置，空穴注入层3从开口4a露出。另外，可由使用稀氢氟酸溶液的蚀刻进行SiO2的除去。
在此，在保护膜4由SiO2构成、且被构成为厚度为50nm左右时，使用浓度0.5％的稀氢氟酸溶液，蚀刻2min.左右，由此除去保护膜4，确认了能够维持堤5的拨液性。
另外，关于蚀刻所使用的稀氢氟酸溶液，在pH低于中性时，可以添加添加剂。
在所述蚀刻处理中，由于稀氢氟酸溶液具有酸性，所以空穴注入层3不会溶解于稀氢氟酸溶液。
接着，如图3(a)所示，在由堤5规定的凹状部分形成发光层6。由此，发光层6层叠到空穴注入层3之上。在此，发光层6例如可通过使用喷墨法将含有发光层6的材料的墨滴下到由堤5规定的凹状部分，使墨干燥而形成。另外，关于形成发光层6时的墨的滴下，除了喷墨法之外，还可以使用分墨法、喷嘴涂敷法(nozzle coat)、旋涂法、凹版印刷法或凸版印刷法等。
作为发光层6的形成材料，例如可使用日本特开平05-163488号公报公开的材料。具体而言，可以采用类喔星(oxinoid)化合物、苝化合物、香豆素化合物、氮杂香豆素化合物、噁唑化合物、噁二唑化合物、紫环酮(perinone)化合物、吡咯并吡咯化合物、萘化合物、蒽化合物、芴化合物、荧蒽化合物、并四苯化合物、芘化合物、晕苯化合物、喹诺酮化合物及氮杂喹诺酮化合物、吡唑啉衍生物及吡唑啉酮衍生物、若丹明化合物、(chrysene)化合物、菲化合物、环戊二烯化合物、茋化合物、二苯基苯醌化合物、苯乙烯基化合物、丁二烯化合物、双氰亚甲基吡喃化合物、双氰亚甲基噻喃化合物、荧光素化合物、吡喃鎓化合物、噻喃鎓化合物、硒吡喃鎓化合物、碲吡喃鎓化合物、芳香族坎利酮化合物、低聚亚苯基化合物、噻吨化合物、蒽化合物、花青苷化合物、吖啶化合物、8-羟基喹啉化合物的金属配合物、2-联吡啶化合物的金属配合物、席夫盐与III族金属的配合物、8-羟基喹啉(喔星)金属配合物、稀土类配合物等荧光物质。
接着，如图3(b)所示，以使得覆盖发光层6及堤5的表面的方式形成电子注入层7。电子注入层7的形成例如可使用钡、酞菁、氟化锂及这些的组合材料。
接着，如图3(c)所示，在电子注入层7的面上形成阴极8。阴极8的形成例如可使用ITO(氧化铟锡)，IZO(氧化铟锌)等。
接着，如图3(d)所示，用封止(封止)层9覆盖阴极8之上。封止层9是具有抑制水分浸入发光层6的功能的层，例如可使用SiN(氮化硅)、SiON(氮氧化硅)等形成。
另外，虽然省略了图示，但在封止层9之上也可层叠滤色片(滤色器)、透光性基板。
如上述那样进行，完成发光装置100。
2.效果
本实施方式的发光装置100的制造方法起到如下效果。
如图1～图3所示，本实施方式的发光装置100的制造方法中，使用金属化合物形成空穴注入层3。因此，在使用本实施方式的制造方法制造的发光装置100中，与使用PEDOT形成空穴注入层的以往的情况相比，各像素的电压-电流密度特性优良，而且具有即便在流过大电流而得到强发光强度时也难以劣化这样的优越性。
本实施方式的制造方法中，用保护膜40覆盖使用金属化合物形成的空穴注入层3之上，在该状态下执行堤5的形成。保护膜400如上所述由SiO2等无机材料构成，对于在堤5的形成时的湿式工艺所使用的液体具有耐受性。另外，关于保护膜40，对于在堤5的形成时的湿式工艺所使用的液体具有耐受性。在此，关于保护膜40，也可以使其对由在堤5的形成时的湿式工艺所使用的液体导致的侵蚀的耐受性高于使用金属化合物形成的空穴注入层3对该侵蚀的耐受性。因此，本实施方式的制造方法中，即使执行在堤5的形成中的湿式工艺，上面被保护膜40覆盖的空穴注入层3也不会受到侵蚀。
在此，上述的“耐受性”是表示膜不受处理液侵蚀的程度的物性，具体而言，由对于处理液的侵蚀性、蚀刻速率表示。例如，如下表示。
1)堤形成步骤中的湿式工序
1-1)显影处理
显影液：TMAH(四甲基氢氧化铵)：0.1～2.5％(例如，0.4％)
·保护膜(SiO2)：蚀刻速率＝约为0nm/min.(几乎不溶解)
·空穴注入层(WOx)：蚀刻速率＝8nm/min.(溶解)
蚀刻速率：保护膜(SiO2)＜空穴注入层(WOx)
1-2)清洗处理(清洗液；纯水(中性))
·保护膜(SiO2)：蚀刻速率＝0nm/min，(完全不溶解)
·空穴注入层(WOx)：蚀刻速率＝1nm/min.(稍微溶解)
蚀刻速率：保护膜(SiO2)＜空穴注入层(WOx)
2)保护膜的除去步骤
2-1)蚀刻处理
蚀刻液：稀氢氟酸溶液(酸性)
·保护膜(SiO2)：蚀刻速率＝109nm/min.(溶解)
·空穴注入层(WOx)：蚀刻速率＝0nm/min.(不溶解)
蚀刻速率：保护膜(SiO2)＞空穴注入层(WOx)
2-2)清洗处理
清洗液：纯水(中性)
·保护膜(SiO2)：蚀刻速率＝0nm/min.(完全不溶解)
·空穴注入层(Wox)：蚀刻速率＝1nm/min.(稍微溶解)
蚀刻速率：保护膜(SiO2)＜空穴注入层(WOx)
因此，本实施方式的制造方法中，能够以高精度确保空穴注入层3的尺寸精度，能够制造具有高发光性能的发光装置100。
本实施方式的制造方法中，如上所述，在执行堤5的形成时的湿式工艺期间，用保护膜400覆盖空穴注入层3的Z轴方向上面，在堤5的形成结束后除去保护膜400的一部分，在其上层叠形成发光层6，因此在空穴注入层3与发光层6之间不会介有由于堤5的形成而引起的杂质。作为空穴注入层3的材料而使用的金属化合物(例如，WOx、MoWOx)的亲液性比以往使用的PEDOT等的亲液性高，能够在形成发光层6时将与墨的密接性维持得高。
因此，本实施方式的制造方法中，在空穴注入层3与发光层6之间不存在杂质，而且具有高紧密接合性，因此能够制造具有高发光性能的发光装置100。
3.发光装置100的结构
使用图4及图5说明使用上述制造方法制造的本实施方式的发光装置100的结构。图4是表示发光装置100的一个子像素10b和与其相邻的2个子像素的一部分的示意端面图。
如图4所示，发光装置100是以基板1为基础而形成，在基板1的Z轴方向上面，以相互空开间隔的状态，形成多个阳极2。另外，图4中，表示出沿X轴方向相互空开间隔地配置的多个阳极2，但在与纸面正交的方向上，也同样以相互空开间隔的状态配置多个阳极2。
并且，以使得覆盖基板1及阳极2的面上的方式形成空穴注入层3。并且，在空穴注入层3的面上的、相当于阳极2与阳极2之间的部位，隔着保护膜4形成有堤5。堤5规定各像素10a～10c中的发光层6，具有随着去往Z轴方向上方而截面积减少的梯形截面。
如图5所示，本实施方式的堤5采用井字形的所谓像素堤，由沿Y轴方向延伸的堤要素5a将在X轴方向相邻的子像素的发光层6a、发光层6b和发光层6c之间分别区分开。
另一方面，由沿X轴方向延伸的堤要素5b将在Y轴方向的上下相邻的子像素的发光层彼此之间分别区分开。
另外，如图5所示，沿X轴方向相邻的3个子像素分别与红色(R)、绿色(G)、蓝色(B)各颜色对应，将这些相邻的3个子像素作为一组构成1个像素。
返回图4，电子注入层7、阴极8及封止层9遍及整面地形成。另外，在发光装置100中，在封止层9之上，按每一子像素10a～10c配置有滤色片，有时配置透光性的基板(图4中省略了图示)。
发光装置100是使用上述方法制造的，因此当然具有上述优越性。
在此，空穴注入层3是使用金属化合物形成的。空穴注入层3的金属化合物与堤5之间，直接的密接性方面不够充分。但是，本实施方式的发光装置100中，空穴注入层3与堤5之间介置由SiO2等构成的保护膜4，因此由该介置来补足空穴注入层3与堤5的密接性。
因此，发光装置100中，从上述结构方面考虑也具有高发光性能。
4.发光装置100中的空穴注入层3的详细结构
使用图6说明发光装置100中的空穴注入层3的详细结构。图6是详细表示图2(c)所示状态的图。
如图6所示，在堤5的形成结束后，除去其开口5a的底部分的SiO2，空穴注入层3从保护膜4的开口4a露出，但在该状态下，在从保护膜4的开口4a露出的空穴注入层3形成有浅的凹部3a(箭头A所示的部分)。
凹部3a是在SiO2的除去工序，在用稀氢氟酸溶液进行蚀刻之后，用纯水冲洗蚀刻溶液等时产生的。但是，如上所述，构成空穴注入层3的Wx溶解于纯水，但由于如上所述用纯水进行的清洗处理的蚀刻速率小于湿式工艺的蚀刻处理的蚀刻速率，因此，远比在堤形成时的湿式工艺中形成的凹部浅得多。
这样本实施方式的发光装置100的制造方法中，同样在空穴注入层3形成浅的凹部3a，但该凹部3a有效地使得在发光层6形成中墨滴下时，墨更加密接于空穴注入层3的表面。即，如上所述，使用金属化合物形成的空穴注入层3与使用以往技术的PEDOT形成的空穴注入层相比，亲液性高，保持所滴下的墨的功能高。因此，与仅是形成为平面的空穴注入层相比，在形成有碗状的凹部3a的空穴注入层3，在包围凹部3a的侧壁也与墨密接，因此保持墨的能力进一步提高。
另外，上述中，空穴注入层3的浅凹部3a的平均深度未特别规定，可以设为例如5nm～100nm的范围内。关于凹部3a的平均深度，通过确保5nm以上，能够在凹部3a内存留充足量的墨，能够使墨稳定地留在由堤5规定的区域。而且，由于发光层6不排拒(はじき，弹开)地形成到堤5端部，因此能防止阳极2与阴极8之间的短路。
根据以上所述，发光装置100中，空穴注入层3与发光层6的密接性高，具有高发光性能。
接着，使用图7说明堤5的底面与空穴注入层3的密接性。图7(a)是放大了本实施方式的堤5的底面部分的示意端面图，图7(b)是作为比较例示出堤95的底面与空穴注入层93直接接合的结构的示意端面图。
如图7(a)所示，本实施方式的堤5的底面以与形成在基板1的上侧主面上的空穴注入层3之间介置保护膜4的状态接合在该空穴注入层3。在此，本实施方式中，虽然作为一例，作为空穴注入层3的构成材料使用WOx，作为堤5的构成材料使用上述的绝缘性有机材料，但是由于堤5与空穴注入层3之间介置由SiO2构成的保护膜4(B部分)，因此确保彼此之间的密接性很高，在堤烧制工序中的降温时，在堤5与保护膜4之间及保护膜4与空穴注入层3之间难以产生“浮动(うき)”。
另一方面，如图7(b)所示，作为比较例表示的结构中，在基板91的上侧主面上形成的空穴注入层93与堤95的底面直接相接(C部分)。在空穴注入层93及堤95的构成材料与上述同样时，在彼此之间的密接性方面存在问题。具体而言，由绝缘性有机材料构成的堤95和使用WOx构成的空穴注入层93，与图7(a)所示的本实施方式的结构相比，其密接性低，在堤烧制工序中的升温时和/或降温时，在堤5与保护膜4之间及保护膜4与空穴注入层3之间会产生“浮动”。
根据以上所述，本实施方式的发光装置100中，通过介置保护膜4，能够确保堤5与空穴注入层3的高密接性。
[实施方式2]
使用图8及图9说明实施方式2的发光装置的制造方法。另外，图8表示与上述实施方式1的制造方法中的图1所示的工序对应的工序，图9表示与图2所示工序对应的工序。
如图8(a)所示，在基板21的Z轴方向上面形成阳极22。另外，图8(a)中，仅图示1个阳极22，但实际上与图4所示的同样，以相互空开间隔的状态形成有多个阳极22。此外，基板21及阳极22的形成所用材料与上述实施方式1同样。
接着，如图8(b)所示，本实施方式的制造方法中，以使得覆盖基板21及阳极22的整个上面的方式，依次层叠形成空穴注入层23及空穴输送层30。然后，进而在其上层叠形成保护膜240。在此，空穴注入层23的形成所用的材料与上述实施方式1同样，对于空穴输送层30，也使用与空穴注入层3同样的金属化合物形成。保护膜240的形成所用的材料与上述实施方式1同样。
接着，如图8(c)所示，以使得覆盖保护膜240的整个上面的方式堆积形成堤准备膜250。在此，作为堤准备膜250的形成所用材料，与上述同样，可以采用例如聚酰亚胺等绝缘性有机材料。关于堤准备膜250的形成，也与上述同样，可以使用旋涂法、喷涂法、辊涂法、印模涂敷法、浸涂法等进行。
接着，如图8(d)所示，在堤准备膜250之上的一部分(欲设置开口的部位)形成掩模502，以该状态曝光。
接着，对曝光后的堤准备膜250进行显影，如图9(a)所示，在与各子像素相当的部位形成具有开口25a的堤25。
接着，形成了具有开口25a的堤25之后，使用纯水等清洗液除去显影后的不要的显影液(参照图9(b))。这样，与上述实施方式1同样，使用湿式工艺执行堤25的形成。
另外，堤25的形成中，若采用堤自身具有感光性的方式，则不需另外设置抗蚀剂。有时也不需要湿式蚀刻。
另外，在堤自身不具有感光性的情况下，使用抗蚀剂时，由于将堤蚀刻后的抗蚀剂的剥离，堤的开口部暴露于剥离液。此时，由于介置有保护膜，因此可防止由抗蚀剂剥离液对空穴注入层的影响或损伤。
另外，堤25的形成中，为使形成发光层所用的墨不漏出到相邻的子像素，可以使至少一部分表面具有拨液性。作为使其具有拨液性的方法，除了使用具有拨液性的材料来形成堤25的方法之外，也可以用等离子处理使堤25的表面露出氟成分(将表面特氟龙化)。
该情况下，也可通过在含氟的气体环境下的等离子处理，使堤的表面氟化。
此外，与上述实施方式1同样，堤25的形成除了聚酰亚胺之外，也可以使用丙烯酸类树脂、苯酚酚醛清漆型树脂等有机材料等。
在堤25的形成中也可以使用干式蚀刻法。此时，保护膜240也有效地起到防止杂质附着到其下的空穴输送层30的表面这一作用。堤除了应用负性材料之外，也可应用正性材料。
接着，如图9(c)所示，除去堤25的开口25a的下部部分的保护膜240。该状态下，保护膜24在堤25的下部在堤25与空穴输送层30之间介置，空穴输送层30的一部分从保护膜24的开口24a露出。另外，SiO2的除去可通过使用稀氢氟酸溶液的蚀刻而进行。
在上述蚀刻处理中，由于稀氢氟酸溶液具有酸性，因此空穴输送层30不会溶解于稀氢氟酸溶液，这点与上述实施方式1的空穴注入层3同样。
本实施方式的制造方法中，在空穴输送层30之上层叠发光层。此时，本实施方式的制造方法中，也使用金属化合物形成空穴输送层30，因此在堤25的形成时由保护膜240保护空穴输送层30。
因此，使用本实施方式的方法制造的发光装置中同样，在空穴输送层30与发光层之间不会介有杂质，而且可保障空穴输送层30的尺寸精度高，因此具有高发光特性。
[实施方式3]
使用图10及图11说明实施方式3的发光装置的制造方法。另外，在图10及图11中同样仅示出了与上述实施方式1的制造方法的工序中的、图1及图2所示工序分别相当的工序。
如图10(a)所示，在基板41的Z轴方向上面形成阳极42。本实施方式中，也是以相互空开间隔地状态配置多个阳极42。接着，如图10(b)所示，在阳极42的Z轴方向上面按顺序层叠空穴注入层43及保护膜440。
另外，本实施方式中，与上述实施方式1、2不同，将空穴注入层43及保护膜440选择性地层叠形成在阳极42的上面，在其余的基板41的表面不形成空穴注入层43及保护膜440。
接着，如图10(c)所示，以使得覆盖保护膜440及基板41的主面的露出部分的整个上方的方式，堆积形成堤准备膜450。在此，作为堤准备膜450的形成所使用的材料，与上述实施方式1、2同样，例如可采用聚酰亚胺等绝缘性有机材料。关于堤准备膜450的形成，可以与上述实施方式1、2同样地进行。
接着，如图10(d)所示，在堤准备膜450之上的一部分(欲设置开口的部位)形成掩模503，以该状态曝光。
接着，对曝光后的堤准备膜450进行显影，如图11(a)所示，形成在与各子像素相当的部位具有开口45a的堤45。
另外，如图11(a)所示，堤45的开口45a侧的一部分层叠于保护膜440之上(D部分)，其他部分层叠于基板41上(E部分)。
本实施方式的制造方法中，空穴注入层43也在相邻的子像素之间被区分开，能够进一步降低相邻的子像素之间的发光的影响。并且，在本实施方式的制造方法中同样，虽然使用金属化合物(例如WOx)形成空穴注入层43，但如图11(a)所示，在空穴注入层43的Z轴方向上面与堤45之间介置由SiO2等构成的保护膜440，因此能够提高彼此的密接性。
在此，如图10(b)所示，本实施方式中，以同一图案形成保护膜440和空穴注入层43。此时，可以一并执行光刻工序。即，可以用一张掩模执行。
另外，若允许分别使用掩模，以使得覆盖空穴注入层43的边缘的方式形成保护膜440，则能够弥补容易从边缘剥离这一空穴注入层43的特性。
接着，如图11(b)所示，在形成了具有开口45a的堤45之后，使用纯水等清洗液除去使用后的不要的显影液。这样，与上述实施方式1、2同样，使用湿式工艺执行堤45的形成。
另外，在堤45的形成中，若采用堤自身具有感光性的堤，则不需要另外设置抗蚀剂。有时也不需要湿式蚀刻。
在本实施方式中同样，堤45的形成中，为使形成发光层所用的墨不漏出到相邻的子像素，可以使至少一部分表面具有拨液性。关于使其具有拨液性的方法，与上述同样。
堤45的形成也可采用与上述实施方式1、2同样的材料及方法。
接着，如图11(c)所示，除去堤45的开口45a的下部部分的保护膜440。该状态下，保护膜44在堤45的下部(图11(a)的D部分)介置于堤45与空穴注入层43之间，空穴注入层43的一部分从保护膜44的开口44a露出。另外，SiO2的除去可通过使用稀氢氟酸溶液的蚀刻而进行。
本实施方式的制造方法中，同样，在此后依次层叠形成发光层、电子注入层、阴极、封止层等，由此完成发光装置(参照图3)。
[与堤的形状相关的补充]
上述实施方式1中，如图5所示，关于堤5的俯视形状做成所谓的像素堤(井字形堤)，除此之外也可采用线状堤等。关于堤的俯视形状，使用图12进行补充说明。
(线状堤)
如图12所示，采用线状的堤(线状堤)65时，将沿X轴方向相邻的像素的发光层66a、发光层66b和发光层66c区分开。
另外，如图12所示，在采用线状堤65时，沿Y轴方向相邻的像素的发光层彼此之间不被堤要素规定，但可以通过驱动方法和阳极的尺寸及间隔等，抑制发光中的相互影响。
[其他事项]
上述实施方式1～3中，在基板1、21、41上形成阳极2、22、42，但也可以在基板上形成阴极，在层叠体的上部形成阳极。采用这样的结构时，在阴极上形成电子注入层或电子输送层或电子注入输送层，用保护膜40、240、440覆盖其上，形成堤5、25、45。此时，也能抑制形成堤5、25、45时向电子注入层等附着杂质及因液体导致的侵蚀。
上述实施方式1～3的发光装置100等中，采用了顶部发射型(topemission)，但也可采用底部发射(bottom emission)型。
在上述实施方式1～3的制造方法中使用的方法及材料等是作为例子而示出的，本发明不限于此。
产业上的利用可能性
本发明对实现具有高发光性能、适于用作照明装置、显示装置的发光元件有用。
附图标记说明
1、21、41：基板
2、22、42：阳极
3、23、43：空穴注入层
4、24、40、44、240、440：保护膜
5、25、45、65：堤
6、6a、6b、6c、66a、66b、66c：发光层
7：电子注入层
8：阴极
9：封止层
10a、10b、10c：子像素
30：空穴输送层
50、250、450：堤准备层
100：发光装置
501、502、503：掩模
Claims (33)
1.一种发光元件的制造方法，包括：
第1步骤，在基板的一个主面上形成第1电极；
第2步骤，至少在所述第1电极的上方形成具有金属化合物而成的层；
第3步骤，用保护膜至少将所述具有金属化合物而成的层的上方覆盖；
第4步骤，使用湿式工艺，在所述保护膜之上形成在一部分区域具有所述保护膜露出的开口的堤；
第5步骤，除去所述保护膜中的从所述开ロ露出的部分，直到所述具有金属化合物而成的层的一部分露出；
第6步骤，在通过执行所述第5步骤而从所述开ロ露出的所述具有金属化合物而成的层之上形成发光层；和
第7步骤，在所述发光层的上方形成极性与所述第1电极不同的第2电极，
所述保护膜对于在所述第4步骤中的所述湿式工艺所使用的液体具有耐受性。
2.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，
对于在所述第4步骤中的所述湿式工艺所使用的液体的侵蚀，所述保护膜具有比所述具有金属化合物而成的层高的耐受性，
所述第5步骤包括通过蚀刻除去所述保护膜中的从所述开ロ露出的部分的处理，
对于在所述第5步骤中对所述保护膜的所述蚀刻处理所使用的液体的侵蚀，所述具有金属化合物而成的层具有比所述保护膜高的耐受性。
3.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，
对于同一处理液，所述保护膜表现出与所述具有金属化合物而成的层不同的蚀刻速率。
4.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，
对于在所述第4步骤中的所述湿式工艺所使用的液体，所述保护膜的蚀刻速率低于所述具有金属化合物而成的层的蚀刻速率，
所述第5步骤包括通过蚀刻除去所述保护膜中的从所述开ロ露出的部分的处理，
对于在所述第5步骤中对所述保护膜的所述蚀刻处理所使用的液体，所述具有金属化合物而成的层的蚀刻速率低于所述保护膜的蚀刻速率。
5.根据权利要求4所述的发光元件的制造方法，
所述第4步骤中的所述湿式工艺包括通过显影形成所述堤的显影处理和在所述显影处理后进行的清洗处理，
所述第5步骤包括通过蚀刻除去所述保护膜中的从所述开口露出的部分的处理，
对于在所述第4步骤中的所述显影处理及所述清洗处理所使用的各液体，所述保护膜的蚀刻速率低于所述具有金属化合物而成的层的蚀刻速率，
对于在所述第5步骤中对所述保护膜的所述蚀刻处理所使用的液体，所述具有金属化合物而成的层的蚀刻速率低于所述保护膜的蚀刻速率。
6.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，
所述第5步骤包括通过蚀刻除去所述保护膜中的从所述开ロ露出的部分的处理，
所述保护膜不会被在所述第4步骤中的所述湿式工艺所使用的液体侵蚀，而是被在所述第5步骤中对所述保护膜的蚀刻处理所使用的液体侵蚀，
所述具有金属化合物而成的层不会被在所述第5步骤中对所述保护膜的所述蚀刻处理所使用的液体侵蚀。
7.根据权利要求6所述的发光元件的制造方法，
所述第4步骤中的所述湿式工艺包括通过显影形成所述堤的显影处理和在所述显影处理后进行的清洗处理，
所述第5步骤包括在所述蚀刻处理后进行清洗的处理，
所述保护膜不会被在所述第4步骤中的所述显影处理及所述清洗处理所使用的各液体侵蚀，而是被在所述第5步骤中对所述保护膜的所述蚀刻处理所使用的液体侵蚀，
所述具有金属化合物而成的层不会被在所述第5步骤中对所述保护膜的所述蚀刻处理所使用的液体侵蚀，而是被在所述第5步骤中的所述清洗处理所使用的液体侵蚀。
8.根据权利要求7所述的发光元件的制造方法，
在所述第5步骤，用在所述清洗处理使用的液体侵蚀所述具有金属化合物而成的层，使其内面部露出，
在所述第6步骤，在所述具有金属化合物而成的层的所述露出的内面部之上形成发光层。
9.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，
在所述第5步骤，除去所述保护膜中的从所述开口露出的部分，并且除去所述具有金属化合物而成的层的所述一部分，使所述具有金属化合物而成的层的内面部的一部分露出，
在所述第6步骤，在所述具有金属化合物而成的层的所述露出的内面部的一部分之上形成所述发光层。
10.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，
在所述第5步骤，除去所述保护膜中的从所述开口露出的部分，不除去所述保护膜中的与所述堤对应的部分而将其残留。
11.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，
所述保护膜使用绝缘材料形成。
12.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，
所述保护膜使用无机材料形成。
13.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，
所述保护膜使用SiO2形成。
14.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，
所述具有金属化合物而成的层是电荷注入层，
在所述第5步骤，通过除去所述保护膜中的从所述开口露出的部分，所述电荷注入层露出，
在所述第6步骤，在所述电荷注入层之上层叠形成所述发光层。
15.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，
所述具有金属化合物而成的层具有自所述第1电极一侧依次层叠都包括金属氧化物的电荷注入层和电荷输送层的构造，
在所述第5步骤，在所述电荷输送层之上层叠形成所述发光层。
16.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，
在所述第2步骤，使用金属氧化物或金属氮化物或金属氮氧化物形成所述具有金属化合物而成的层。
17.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，
在所述第6步骤，使用涂敷型的有机材料形成所述发光层。
18.根据权利要求1所述的发光元件的制造方法，
在所述第6步骤，使用喷墨法形成所述发光层。
19.一种发光装置的制造方法，是具有多个子像素而成的发光装置的制造方法，
应用权利要求1～18中的任一项所述的发光元件的制造方法来形成所述多个子像素的各个。
20.一种发光元件，在基板的一个主面上具有第1电极及第2电极、介置于所述第1电极与所述第2电极之间的发光层及包括金属化合物的层、和至少规定所述发光层的堤而成，
所述具有金属化合物而成的层至少形成在所述第1电极的上方，并且具有与所述堤的开口相当的中央部侧比端部侧向所述基板的一个主面侧凹入的凹形状，
在所述堤的底面与所述具有金属化合物而成的层之间介置保护膜，
所述保护膜的与所述堤的开口相当的区域开口，并且所述保护膜对于在其上层叠形成的所述堤的形成中的湿式工艺所使用的液体的侵蚀具有耐受性。
21.根据权利要求20所述的发光元件，
所述保护膜是用于提高所述堤的底面与所述具有金属化合物而成的层的密接性的层。
22.根据权利要求20所述的发光元件，
所述保护膜使用绝缘材料形成。
23.根据权利要求20所述的发光元件，
所述保护膜使用无机材料形成。
24.根据权利要求20所述的发光元件，
所述保护膜使用SiO2形成。
25.根据权利要求20所述的发光元件，
所述具有金属化合物而成的层是电荷注入层，
在所述保护膜的开口区域，在所述电荷注入层之上层叠形成有所述发光层。
26.根据权利要求20所述的发光元件，
所述具有金属化合物而成的层具有自所述第1电极一侧起依次层叠有都包括金属氧化物的电荷注入层和电荷输送层的构造，
在所述保护膜的开ロ区域，在所述电荷输送层之上层叠形成有所述发光层。
27.根据权利要求20所述的发光元件，
所述具有金属化合物而成的层的亲液性高于所述堤的表面的亲液性。
28.根据权利要求20所述的发光元件，
所述发光层使用涂敷型的有机材料形成。
29.一种发光元件，在基板的一个主面上具有第1电极及第2电极、介置于所述第1电极与所述第2电极之间的发光层及包括金属化合物的层、和至少规定所述发光层的堤而成，
所述具有金属化合物而成的层至少形成在所述第1电极的上方，具有凹形状部分，所述凹形状部分具有内底面部和与该内底面部连续的内侧面部，
在所述堤的底面与所述具有金属化合物而成的层之间介置中间膜，
所述中间膜的与所述堤的开口相当的区域开口，
所述发光层的下部侧与所述具有金属化合物而成的层的所述凹形状部分的内底面部及内侧面部接触而形成。
30.根据权利要求29所述的发光元件，
所述中间膜使用绝缘材料形成。
31.根据权利要求29所述的发光元件，
所述中间膜使用无机材料形成。
32.根据权利要求29所述的发光元件，
所述中间膜使用SiO2形成。
33.一种发光装置，具有多个子像素而成，
具有权利要求20～32中的任一项所述的发光元件作为所述多个子像素的各个。
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2009028969 | 2009-02-10 | ||
| JP028969/2009 | 2009-02-10 | ||
| PCT/JP2010/000784 WO2010092798A1 (ja) | 2009-02-10 | 2010-02-09 | 発光素子の製造方法と発光素子、および発光装置の製造方法と発光装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN102308671A CN102308671A (zh) | 2012-01-04 |
| CN102308671B true CN102308671B (zh) | 2015-01-21 |
Family
ID=42561647
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN201080007098.3A Active CN102308671B (zh) | 2009-02-10 | 2010-02-09 | 发光元件的制造方法和发光元件、以及发光装置的制造方法和发光装置 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8822246B2 (zh) |
| EP (1) | EP2398300B1 (zh) |
| JP (1) | JP5336524B2 (zh) |
| KR (1) | KR101623227B1 (zh) |
| CN (1) | CN102308671B (zh) |
| WO (1) | WO2010092798A1 (zh) |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101643018B1 (ko) * | 2009-02-10 | 2016-07-27 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 발광 소자, 표시 장치, 및 발광 소자의 제조 방법 |
| JP5735506B2 (ja) | 2010-06-29 | 2015-06-17 | 株式会社Ｊｏｌｅｄ | 有機発光素子の製造方法 |
| US8963415B2 (en) | 2010-11-15 | 2015-02-24 | Panasonic Corporation | Organic EL element, display panel, and display device |
| WO2012073270A1 (ja) * | 2010-11-29 | 2012-06-07 | パナソニック株式会社 | 有機発光素子の製造方法、有機発光素子、発光装置、表示パネル、および表示装置 |
| GB2514401B (en) * | 2013-05-23 | 2017-08-23 | Cambridge Display Tech Ltd | Inkjet Devices |
| CN106611769B (zh) * | 2015-10-19 | 2020-02-21 | 上海和辉光电有限公司 | 一种有机电致发光元件 |
| KR20180013601A (ko) * | 2016-07-29 | 2018-02-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN109817826B (zh) * | 2019-01-22 | 2020-09-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种oled显示面板的制作方法 |
| CN112349854A (zh) * | 2019-12-25 | 2021-02-09 | 广东聚华印刷显示技术有限公司 | 显示器件及其制备方法和显示面板 |
| CN111354861A (zh) * | 2020-03-23 | 2020-06-30 | 苏州星烁纳米科技有限公司 | 一种显示面板及其制备方法、显示装置 |
Family Cites Families (98)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5443922A (en) | 1991-11-07 | 1995-08-22 | Konica Corporation | Organic thin film electroluminescence element |
| JPH05163488A (ja) | 1991-12-17 | 1993-06-29 | Konica Corp | 有機薄膜エレクトロルミネッセンス素子 |
| US5294869A (en) | 1991-12-30 | 1994-03-15 | Eastman Kodak Company | Organic electroluminescent multicolor image display device |
| US5688551A (en) | 1995-11-13 | 1997-11-18 | Eastman Kodak Company | Method of forming an organic electroluminescent display panel |
| DE69727987T2 (de) | 1996-11-29 | 2005-01-20 | Idemitsu Kosan Co. Ltd. | Organische elektrolumineszente Vorrichtung |
| JPH10162959A (ja) | 1996-11-29 | 1998-06-19 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| SG77710A1 (en) * | 1998-09-09 | 2001-01-16 | Tokuyama Corp | Photoresist ashing residue cleaning agent |
| JP3782245B2 (ja) | 1998-10-28 | 2006-06-07 | Ｔｄｋ株式会社 | 有機ｅｌ表示装置の製造装置及び製造方法 |
| US6309801B1 (en) | 1998-11-18 | 2001-10-30 | U.S. Philips Corporation | Method of manufacturing an electronic device comprising two layers of organic-containing material |
| JP4198253B2 (ja) | 1999-02-02 | 2008-12-17 | 出光興産株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP2002075661A (ja) | 2000-08-31 | 2002-03-15 | Fujitsu Ltd | 有機ｅｌ素子及び有機ｅｌ表示装置 |
| US7153592B2 (en) | 2000-08-31 | 2006-12-26 | Fujitsu Limited | Organic EL element and method of manufacturing the same, organic EL display device using the element, organic EL material, and surface emission device and liquid crystal display device using the material |
| US6900470B2 (en) | 2001-04-20 | 2005-05-31 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Display device and method of manufacturing the same |
| JP2002318556A (ja) | 2001-04-20 | 2002-10-31 | Toshiba Corp | アクティブマトリクス型平面表示装置およびその製造方法 |
| WO2002095841A2 (en) | 2001-05-18 | 2002-11-28 | Cambridge University Technical Services Limited | Electroluminescent device |
| JP2003007460A (ja) * | 2001-06-22 | 2003-01-10 | Sony Corp | 表示装置の製造方法および表示装置 |
| JP3825395B2 (ja) * | 2001-10-30 | 2006-09-27 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光装置および電気器具 |
| JP3823916B2 (ja) | 2001-12-18 | 2006-09-20 | セイコーエプソン株式会社 | 表示装置及び電子機器並びに表示装置の製造方法 |
| JP2003264083A (ja) | 2002-03-08 | 2003-09-19 | Sharp Corp | 有機ｌｅｄ素子とその製造方法 |
| JP4165173B2 (ja) | 2002-10-15 | 2008-10-15 | 株式会社デンソー | 有機ｅｌ素子の製造方法 |
| JP2004235128A (ja) * | 2002-12-04 | 2004-08-19 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| JP2004228355A (ja) | 2003-01-23 | 2004-08-12 | Seiko Epson Corp | 絶縁膜基板の製造方法、絶縁膜基板の製造装置及び絶縁膜基板並びに電気光学装置の製造方法及び電気光学装置 |
| JP2004234901A (ja) | 2003-01-28 | 2004-08-19 | Seiko Epson Corp | ディスプレイ基板、有機ｅｌ表示装置、ディスプレイ基板の製造方法および電子機器 |
| EP1629544B1 (en) | 2003-05-12 | 2008-11-19 | Cambridge Enterprise Limited | Polymer transistor |
| ATE401672T1 (de) | 2003-05-12 | 2008-08-15 | Cambridge Entpr Ltd | Herstellung einer polymeren vorrichtung |
| JP2005012173A (ja) | 2003-05-28 | 2005-01-13 | Seiko Epson Corp | 膜パターン形成方法、デバイス及びデバイスの製造方法、電気光学装置、並びに電子機器 |
| JP2004363170A (ja) * | 2003-06-02 | 2004-12-24 | Seiko Epson Corp | 導電パターンの形成方法、電気光学装置、電気光学装置の製造方法および電子機器 |
| US20090160325A1 (en) | 2003-12-16 | 2009-06-25 | Panasonic Corporation | Organic electroluminescent device and method for manufacturing the same |
| CN1894808A (zh) * | 2003-12-16 | 2007-01-10 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光器件和其制造方法 |
| JP2005203339A (ja) | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
| JP2005203340A (ja) | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子 |
| KR20060110323A (ko) | 2003-12-16 | 2006-10-24 | 마츠시타 덴끼 산교 가부시키가이샤 | 유기 전기발광 소자 및 그 제조 방법 |
| JP4857521B2 (ja) | 2004-01-09 | 2012-01-18 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法、電気光学装置、及び電子機器 |
| JP4002949B2 (ja) | 2004-03-17 | 2007-11-07 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 両面発光有機ｅｌパネル |
| JP2005268099A (ja) | 2004-03-19 | 2005-09-29 | Mitsubishi Electric Corp | 有機ｅｌ表示パネル、有機ｅｌ表示装置、および有機ｅｌ表示パネルの製造方法 |
| JP4645064B2 (ja) * | 2004-05-19 | 2011-03-09 | セイコーエプソン株式会社 | 電気光学装置の製造方法 |
| US7211456B2 (en) * | 2004-07-09 | 2007-05-01 | Au Optronics Corporation | Method for electro-luminescent display fabrication |
| US7276453B2 (en) * | 2004-08-10 | 2007-10-02 | E.I. Du Pont De Nemours And Company | Methods for forming an undercut region and electronic devices incorporating the same |
| JP2006185869A (ja) | 2004-12-28 | 2006-07-13 | Asahi Glass Co Ltd | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
| JP2006253443A (ja) | 2005-03-11 | 2006-09-21 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置、その製造方法および電子機器 |
| JP2006294261A (ja) | 2005-04-05 | 2006-10-26 | Fuji Electric Holdings Co Ltd | 有機ｅｌ発光素子およびその製造方法 |
| TWI307612B (en) | 2005-04-27 | 2009-03-11 | Sony Corp | Transfer method and transfer apparatus |
| JP2006344459A (ja) | 2005-06-08 | 2006-12-21 | Sony Corp | 転写方法および転写装置 |
| JP2007073499A (ja) | 2005-08-08 | 2007-03-22 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 発光装置およびその作製方法 |
| US7994711B2 (en) | 2005-08-08 | 2011-08-09 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting device and manufacturing method thereof |
| JP2007095606A (ja) | 2005-09-30 | 2007-04-12 | Seiko Epson Corp | 有機ｅｌ装置、その製造方法、及び電子機器 |
| JP4318689B2 (ja) | 2005-12-09 | 2009-08-26 | 出光興産株式会社 | ｎ型無機半導体、ｎ型無機半導体薄膜及びその製造方法 |
| JP2007214066A (ja) | 2006-02-13 | 2007-08-23 | Seiko Epson Corp | 有機エレクトロルミネセンス装置の製造方法 |
| JP2007287353A (ja) * | 2006-04-12 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法およびそれを用いて作成された有機エレクトロルミネッセント素子 |
| US20070241665A1 (en) | 2006-04-12 | 2007-10-18 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescent element, and manufacturing method thereof, as well as display device and exposure apparatus using the same |
| JP2007288071A (ja) | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法、それを用いた表示装置、露光装置 |
| JP2007288074A (ja) * | 2006-04-19 | 2007-11-01 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
| US20070290604A1 (en) | 2006-06-16 | 2007-12-20 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescent device and method of producing the same |
| JP2008041747A (ja) | 2006-08-02 | 2008-02-21 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント発光装置およびその製造方法 |
| JP4915650B2 (ja) | 2006-08-25 | 2012-04-11 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2008091072A (ja) * | 2006-09-29 | 2008-04-17 | Seiko Epson Corp | 電気光学装置、およびその製造方法 |
| JP4915913B2 (ja) | 2006-11-13 | 2012-04-11 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP2008140724A (ja) | 2006-12-05 | 2008-06-19 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ素子の製造方法および有機ｅｌ素子 |
| WO2008075615A1 (en) | 2006-12-21 | 2008-06-26 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element and light-emitting device |
| JP5326289B2 (ja) | 2007-03-23 | 2013-10-30 | 凸版印刷株式会社 | 有機ｅｌ素子およびそれを備えた表示装置 |
| JP5333211B2 (ja) | 2007-03-29 | 2013-11-06 | 大日本印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP2009004347A (ja) | 2007-05-18 | 2009-01-08 | Toppan Printing Co Ltd | 有機ｅｌ表示素子の製造方法及び有機ｅｌ表示素子 |
| US7683537B2 (en) | 2007-05-28 | 2010-03-23 | Panasonic Corporation | Organic EL device and display |
| US7764014B2 (en) | 2007-05-30 | 2010-07-27 | Panasonic Corporation | Organic EL display panel with banks defining line-state pixels |
| EP2077698B1 (en) | 2007-05-31 | 2011-09-07 | Panasonic Corporation | Organic el device and method for manufacturing the same |
| WO2009017026A1 (ja) | 2007-07-31 | 2009-02-05 | Sumitomo Chemical Company, Limited | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| JP5001745B2 (ja) | 2007-08-10 | 2012-08-15 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び製造方法 |
| JP2009048960A (ja) | 2007-08-23 | 2009-03-05 | Canon Inc | 電極洗浄処理方法 |
| JP2009058897A (ja) | 2007-09-03 | 2009-03-19 | Hitachi Displays Ltd | 表示装置 |
| TWI524567B (zh) * | 2007-09-27 | 2016-03-01 | 半導體能源研究所股份有限公司 | 發光元件，照明裝置，發光裝置，與電子裝置 |
| WO2009075075A1 (ja) * | 2007-12-10 | 2009-06-18 | Panasonic Corporation | 有機ｅｌデバイスおよびｅｌディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法 |
| KR20090062088A (ko) * | 2007-12-12 | 2009-06-17 | 삼성전자주식회사 | 유기 발광 장치 및 이의 제조방법 |
| WO2009084209A1 (ja) | 2007-12-28 | 2009-07-09 | Panasonic Corporation | 有機ｅｌデバイスおよび有機ｅｌディスプレイパネル、ならびにそれらの製造方法 |
| US7812345B2 (en) | 2008-02-28 | 2010-10-12 | Panasonic Corporation | Organic EL display panel |
| JP2009218156A (ja) | 2008-03-12 | 2009-09-24 | Casio Comput Co Ltd | Ｅｌパネル及びｅｌパネルの製造方法 |
| WO2009116547A1 (en) * | 2008-03-18 | 2009-09-24 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting element, light-emitting device and electronic device |
| JP5267246B2 (ja) | 2008-03-26 | 2013-08-21 | 凸版印刷株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法並びに有機エレクトロルミネッセンス表示装置 |
| JP2009239180A (ja) | 2008-03-28 | 2009-10-15 | Sumitomo Chemical Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| JP4931858B2 (ja) | 2008-05-13 | 2012-05-16 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセント素子の製造方法 |
| JP4678421B2 (ja) | 2008-05-16 | 2011-04-27 | ソニー株式会社 | 表示装置 |
| JP4975064B2 (ja) | 2008-05-28 | 2012-07-11 | パナソニック株式会社 | 発光装置及びその製造方法 |
| JP2008241238A (ja) | 2008-05-28 | 2008-10-09 | Mitsubishi Electric Corp | 冷凍空調装置及び冷凍空調装置の制御方法 |
| JP2010021138A (ja) | 2008-06-09 | 2010-01-28 | Panasonic Corp | 有機エレクトロルミネッセント装置およびその製造方法 |
| JP2010021166A (ja) | 2008-07-08 | 2010-01-28 | Hitachi Kokusai Electric Inc | プラズマ処理装置 |
| JP5199773B2 (ja) | 2008-07-30 | 2013-05-15 | 住友化学株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子およびその製造方法 |
| WO2010032444A1 (ja) | 2008-09-19 | 2010-03-25 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP5138542B2 (ja) | 2008-10-24 | 2013-02-06 | パナソニック株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法 |
| JP2011040167A (ja) | 2008-11-12 | 2011-02-24 | Panasonic Corp | 表示装置およびその製造方法 |
| JP2010123716A (ja) | 2008-11-19 | 2010-06-03 | Fujifilm Corp | 有機電界発光素子 |
| JP4856753B2 (ja) | 2008-12-10 | 2012-01-18 | パナソニック株式会社 | 光学素子および光学素子を具備する表示装置の製造方法 |
| CN101911832B (zh) | 2008-12-18 | 2013-06-19 | 松下电器产业株式会社 | 有机电致发光显示装置及其制造方法 |
| JP2010161185A (ja) | 2009-01-08 | 2010-07-22 | Ulvac Japan Ltd | 有機ｅｌ表示装置、有機ｅｌ表示装置の製造方法 |
| JP5357194B2 (ja) | 2009-02-10 | 2013-12-04 | パナソニック株式会社 | 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法 |
| KR101643018B1 (ko) | 2009-02-10 | 2016-07-27 | 가부시키가이샤 제이올레드 | 발광 소자, 표시 장치, 및 발광 소자의 제조 방법 |
| JP5437736B2 (ja) | 2009-08-19 | 2014-03-12 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| CN103053041B (zh) | 2010-08-06 | 2015-11-25 | 株式会社日本有机雷特显示器 | 有机el元件 |
| JP5612693B2 (ja) | 2010-08-06 | 2014-10-22 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
| WO2012017495A1 (ja) | 2010-08-06 | 2012-02-09 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子およびその製造方法 |
-
2010
- 2010-02-09 EP EP10741078.9A patent/EP2398300B1/en active Active
- 2010-02-09 WO PCT/JP2010/000784 patent/WO2010092798A1/ja active Application Filing
- 2010-02-09 JP JP2010550456A patent/JP5336524B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-02-09 CN CN201080007098.3A patent/CN102308671B/zh active Active
- 2010-02-09 KR KR1020117016742A patent/KR101623227B1/ko active IP Right Grant
-
2011
- 2011-08-09 US US13/205,765 patent/US8822246B2/en active Active
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| JP特开2005-331665A 2005.12.02 * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPWO2010092798A1 (ja) | 2012-08-16 |
| EP2398300B1 (en) | 2017-08-23 |
| KR20110116134A (ko) | 2011-10-25 |
| WO2010092798A1 (ja) | 2010-08-19 |
| JP5336524B2 (ja) | 2013-11-06 |
| US20110291085A1 (en) | 2011-12-01 |
| EP2398300A4 (en) | 2013-03-27 |
| EP2398300A1 (en) | 2011-12-21 |
| CN102308671A (zh) | 2012-01-04 |
| US8822246B2 (en) | 2014-09-02 |
| KR101623227B1 (ko) | 2016-05-20 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN102308671B (zh) | 发光元件的制造方法和发光元件、以及发光装置的制造方法和发光装置 | |
| JP5904471B2 (ja) | 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法 | |
| EP2398084B1 (en) | Light-emitting element, light-emitting device comprising light-emitting element, and method for manufacturing light-emitting element | |
| JP6519933B2 (ja) | 有機発光デバイスとその製造方法 | |
| JP5620494B2 (ja) | 発光素子、表示装置、および発光素子の製造方法 | |
| JP5658256B2 (ja) | 発光素子とその製造方法、および発光装置 | |
| US8513038B2 (en) | Method of manufacturing organic electroluminescent device | |
| WO2012017491A1 (ja) | 発光素子、発光素子を備えた発光装置および発光素子の製造方法 | |
| JP2012216296A (ja) | 有機発光装置の製造方法 | |
| JP2009266803A (ja) | 有機ｅｌディスプレイパネル及びその製造方法 | |
| CN103123955A (zh) | 有机el装置的制造方法 | |
| JP2013127884A (ja) | 薄膜付基板の製造方法 | |
| KR102577783B1 (ko) | 광 전자 소자의 제조 방법 | |
| KR20220129601A (ko) | 미러를 갖는 oled(organic light-emitting diode) 디스플레이 디바이스들 및 이를 제조하기 위한 방법 | |
| JP2011187276A (ja) | 導電膜パターンの製造方法、および有機ｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| JP2013008546A (ja) | 導電膜パターンの製造方法、および有機ｅｌ表示パネルの製造方法 | |
| JP4935599B2 (ja) | 表示装置の製造方法 | |
| JP2006294421A (ja) | 発光ディスプレイパネルの製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: JANPAN ORGANIC RATE DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO, LTD. Effective date: 20150420 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20150420 Address after: Tokyo, Japan Patentee after: JOLED Inc. Address before: Osaka Japan Patentee before: Matsushita Electric Industrial Co.,Ltd. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20231127 Address after: Tokyo, Japan Patentee after: Japan Display Design and Development Contract Society Address before: Tokyo, Japan Patentee before: JOLED Inc. |
|
| TR01 | Transfer of patent right |