JP2011187276A - 導電膜パターンの製造方法、および有機ｅｌ表示パネルの製造方法 - Google Patents

Abstract

【課題】アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属膜の上に、インジウムを含む金属酸化物からなる透明導電膜が積層された構造の導電膜パターンを良好に形成する。
【解決手段】弗酸を含む水溶液を用いて透明導電膜４０をエッチングし、そのエッチング側面４３をサイドエッチングしてレジスト膜５０の下に後退させる。次に、第２エッチャント７０でエッチングすると、レジスト膜５０の下面５２、エッチング側面４３、エッチング側面３３及び金属膜３０のエッチング底面３２で形成される領域に液溜まり７１が形成され、ラインＰ1→Ｐ2→Ｐ3のように、エッチング底面３２が下方向に後退しながら、透明導電膜４０のエッチング側面４３及び金属膜３０のエッチング側面３３も後退していくので、エッチング側面４３とエッチング側面３３とが連続した面一の面あるいはエッチング側面４３の方が後退した形状に形成される。
【選択図】図４

Description

本発明は、導電膜パターンの製造方法に関し、特に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属膜の上に、インジウムと亜鉛とを含む金属酸化物からなる透明導電膜を形成した積層構造の導電膜パターンを形成する方法に関する。

近年、発光型のディスプレイとして、基板上に行列方向に沿って有機ＥＬ素子を複数配列した有機ＥＬ表示パネルが、小型電子機器のディスプレイとして実用化されている。
各有機ＥＬ素子は、電流駆動型の発光素子であって、陽極と陰極の一対の電極対の間に有機発光材料を含む発光層が配設された基本構造を有し、陽極と有機発光層との間、並びに陰極と有機発光層との間には、必要に応じて電荷注入層、電荷輸送層などが介挿されている。そして、駆動時に、一対の電極対間に電圧を印加すると、陽極から発光層に注入されるホールと、陰極から発光層に注入される電子との再結合に伴って発光する。

このような有機ＥＬ表示パネルは、各有機ＥＬ素子が自己発光を行うので視認性が高く、完全固体素子であるため耐衝撃性に優れる。
有機ＥＬ素子には、ＴＦＴ基板の下から取り出すボトムエミッション型とＴＦＴ基板上方に光を取り出すトップエミッション型とがあり、ボトムエミッション型の方が作製が容易であるが、トップエミッション型の方が開口率を高くしやすい。

トップエミッション型有機ＥＬ素子においては、陽極として、ＡｌあるいはＡｌ合金で金属膜で形成し、その金属膜の上に透明なＩＴＯなどの透明導電膜を形成した積層構造の反射陽極が好んで用いられている。
この金属膜及び透明導電膜からなる反射陽極は、各有機ＥＬ素子ごとに独立した電極であって、この透明導電膜の上を覆うように、ホール注入層や発光層などが形成される。

ところで、上記の積層構造の電極をパターニング形成する方法として、まず、金属膜及び透明導電膜を連続して形成した後、混酸を用いて透明導電膜及び金属膜を一括してウェットエッチングすることによってパターニングする方法が好まれている。
これは、金属膜をウェットエッチングでパターニングした後に、その上に透明導電膜を積層すると、金属膜の表面にアルミナ酸化膜が形成され、形成されたアルミナ酸化膜が電極中に残留するが、上記のように金属膜及び透明導電膜を連続して形成すれば、金属膜の表面にアルミナ酸化膜が形成されるのを防止できるからである。

特開２００７−４１３７４号公報

ホール注入層などの層を安定に形成して有機ＥＬ素子の性能を良好にする上で、反射陽極を滑らかな形状にパターニング形成することが望まれる。
しかしながら、一般に混酸の透明導電膜に対するエッチングレートは、ＡｌやＡｌ合金からなる金属膜に対するエッチングレートに比べて遅いので、上記のようにウェットエッチングで積層構造の反射陽極を一括してパターニング形成すると、金属膜が透明導電膜よりも早くエッチングされて、結果的に、金属膜の上に透明導電膜が庇形状（オーバーハング形状）で残存してしまう。

そして、このような庇形状を有する積層電極の上方に、ホール注入層などの層を形成すると、庇形状の部分で膜の段切れが発生したり、また、庇部分の下に空洞が残存してしまうこととなる。
そして、ホール注入層に段切れが発生すると、例えば、後の工程で使用する現像液が金属電極に接触することによって有機ＥＬ素子の特性が変わることがある。また、透明導電膜の庇部分の下に空洞が残存すると、その空洞部分にガス、水分などが溜まって、後の工程で膨張することによって有機ＥＬ素子の特性が変わることもある。

そこで、特許文献１には、積層電極において、透明導電膜の庇が形成されるのを防止すために、透明導電膜と金属膜を一括でエッチングした後に、形成された透明導電膜の庇を、フッ化水素を含む水溶液でエッチングして除去する技術が開示されているが、この方法で積層電極を滑らかな形状に形成することは難しい。
本発明は、上記課題を鑑みてなされたものであって、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属膜の上に、インジウムを含む金属酸化物からなる透明導電膜が積層された積層構造の導電膜パターンを良好に形成できる方法を提供し、それによって、特性の良好な有機ＥＬ発光パネル及び発光装置を提供することを目的とする。

本願発明者らは、上記課題を解決するため、本発明の一態様に係る導電膜パターンの製造方法では、基板上に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属膜を形成する第１工程と、金属膜の上面の上に、インジウムを含む金属酸化物からなる透明導電膜を形成する第２工程と、透明導電膜の上面に感光性レジスト膜を形成する第３工程と、所定のパターンを介して感光性レジスト膜を露光し、透明導電膜の一部を感光性レジスト膜から露出させる第４工程と、透明導電膜の露出された領域の膜厚が所定の膜厚になるまで、透明導電膜の露出された領域を、金属膜より透明導電膜に対してエッチングレートが高い第１エッチャントを用いてウェットエッチングする第５工程と、第１エッチャントを除去する第６の工程と、所定の膜厚となった透明導電膜の上面である第１面、及び、所定の膜厚となった透明導電膜の上面につらなり且つ感光性レジスト膜の下層にある透明導電膜の側面である第２面を、透明導電膜より金属膜に対してエッチングレートが高い若しくは同等である第２エッチャントを用いてウェットエッチングする第７工程と、を含み、第５工程において、透明導電膜は、第１エッチャントにより感光性レジスト膜の下方までサイドエッチングされ、第７工程において、感光性レジスト膜の下面、第１面及び第２面により形成される領域に第２エッチャントの液溜まりが形成されて、第１面と第２面とがエッチングされ、所定の膜厚となった透明導電膜が金属膜上から除去され、金属膜の上面が露出されると、感光性レジスト膜の下面、第２面、及び金属膜の露出された上面である第３面により形成される領域に第２エッチャントの液溜まりが形成され、第２面と第３面とがエッチングされ、第７工程において、金属膜の露出された領域が基板上から除去され、基板が露出されると、基板、第２面、及び基板につらなる金属膜の側面である第４面が形成され、第２面及び第４面がエッチングされ、第２面と第４面とを連続した面一の面、あるいは、第２面の方が第４面より感光性レジスト膜の下層に後退した側面形状に形成する、こととした。

また上記課題を解決するため、本発明の別の態様に係る導電膜パターンの製造方法では、基板上に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属膜を形成する第１工程と、金属膜の上面の上に、インジウムを含む金属酸化物からなる透明導電膜を形成する第２工程と、透明導電膜の上面に感光性レジスト膜を形成する第３工程と、所定のパターンを介して感光性レジスト膜を露光し、透明導電膜を感光性レジスト膜から露出させる第４工程と、透明導電膜の露出された領域から金属膜が露出するまで、透明導電膜の露出された領域を、金属膜より透明導電膜に対してエッチングレートが高い第１エッチャントを用いてウェットエッチングする第５工程と、第１エッチャントを除去する第６の工程と、露出された金属膜の上面である第１面、及び、金属膜の上面につらなり且つ感光性レジスト膜の下層にある透明導電膜の側面である第２面を、透明導電膜より金属膜に対してエッチングレートが高い若しくは同等である第２エッチャントを用いてウェットエッチングする第７工程と、を含み、第５工程において、透明導電膜は、第１エッチャントにより感光性レジスト膜の下方までサイドエッチングされ、第７工程において、感光性レジスト膜の下面、第１面、及び第２面により形成される領域に第２エッチャントの液溜まりが形成されて、第１面と第２面とがエッチングされ、露出された金属膜が基板上から除去され、基板が露出されると、感光性レジスト膜の下面、基板、第２面、及び基板につらなる金属膜の側面である第３面が形成され、第２面及び第３面がエッチングされ、第２面と第３面とを連続した面一の面、あるいは、第２面の方が第３面より感光性レジスト膜の下層に後退した側面形状に形成する、こととした。

上記本発明の一態様に係る導電膜パターンの製造方法によれば、第５工程において、第１エッチャントで、透明導電膜の露出された領域の膜厚が所定の膜厚になるまで、透明導電膜の露出された領域をウェットエッチングし、別の態様に係る導電膜パターンの製造方法によれば、透明導電膜の露出された領域から金属膜が露出するまで、透明導電膜の露出された領域をウェットエッチングするが、いずれの態様においても、透明導電膜を、第１エッチャントにより感光性レジスト膜の下方までサイドエッチングするので、第７工程において、感光性レジスト膜の下面、第１面、及び第２面により形成される領域に第２エッチャントの液溜まりが形成される。

第７工程において、このような第２エッチャントの液溜まりが形成されることが、第２エッチャントの透明導電膜に対するエッチングレートを向上させて、金属膜と透明導電膜とが連動してエッチングされるように作用するので、第２エッチャントによって、第２面と第３面とを連続した面一の面、あるいは、第２面の方が第３面より感光性レジスト膜の下層に後退した側面形状に形成することができる。

その結果、形成された導電膜パターンには、透明導電膜の庇部が生成することがなく、且つ滑らかな電極形状に形成される。
よって、上記態様に係る導電膜パターンの製造方法で製造した導電膜パターンを覆うように薄膜を形成すると、薄膜が段切れすることがなく、カバレッジの良好な膜を形成することができる。

即ち、上記態様の電極膜パターンの製造方法によれば、有機ＥＬ素子の陽極を形成するのに最適な電極膜パターンを実現できることとなる。

実施の形態に係る表示パネル１００の構成を模式的に示す断面図である。 実施の形態１に係る陽極作製プロセスの前半を示す図である。 （ａ）は、エッチング工程を行う装置の一例を示す概略図、（ｂ）は、処理槽の一例を示す図である。 陽極作製プロセスの後半を示す図である。 実施の形態２にかかる陽極作製プロセスの前半を示す図である。 比較例にかかる陽極作製方法を示す図である。 比較例にかかる庇が形成された陽極を覆って、ホール注入層１５などを形成したきに異常が発生した状態を示す図である。 実施例及び比較例の製法で作製した陽極の断面を示すＳＥＭ写真である。

＜発明の態様＞
本発明の一態様に係る製造方法によれば、本発明の一態様に係る導電膜パターンの製造方法では、基板上に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属膜を形成する第１工程と、金属膜の上面の上に、インジウムを含む金属酸化物からなる透明導電膜を形成する第２工程と、透明導電膜の上面に感光性レジスト膜を形成する第３工程と、所定のパターンを介して感光性レジスト膜を露光し、透明導電膜の一部を感光性レジスト膜から露出させる第４工程と、透明導電膜の露出された領域の膜厚が所定の膜厚になるまで、透明導電膜の露出された領域を、金属膜より透明導電膜に対してエッチングレートが高い第１エッチャントを用いてウェットエッチングする第５工程と、第１エッチャントを除去する第６の工程と、所定の膜厚となった透明導電膜の上面である第１面、及び、所定の膜厚となった透明導電膜の上面につらなり且つ感光性レジスト膜の下層にある透明導電膜の側面である第２面を、透明導電膜より金属膜に対してエッチングレートが高い若しくは同等である第２エッチャントを用いてウェットエッチングする第７工程と、を含み、第５工程において、透明導電膜は、第１エッチャントにより感光性レジスト膜の下方までサイドエッチングされ、第７工程において、感光性レジスト膜の下面、第１面及び第２面により形成される領域に第２エッチャントの液溜まりが形成されて、第１面と第２面とがエッチングされ、所定の膜厚となった透明導電膜が金属膜上から除去され、金属膜の上面が露出されると、感光性レジスト膜の下面、第２面、及び金属膜の露出された上面である第３面により形成される領域に第２エッチャントの液溜まりが形成され、第２面と第３面とがエッチングされるとともに、金属膜の側面である第４面が形成され、さらに、第２面と第３面と第４面とが第２エッチャントでエッチングされて、金属膜の露出された領域が基板上から除去されて基板が露出されると、第２面と第４面とが連続した面一の面、あるいは、第２面の方が第４面より感光性レジスト膜の下層に後退した側面形状に形成する、こととした。それによって、形成された導電膜パターンには、透明導電膜の庇部が生成することがないので、形成した導電膜パターンを覆うように薄膜を形成すれば、薄膜が段切れすることがなく良好に形成することができる。

また、本態様の製造方法では、金属膜上に形成した透明導電膜を、第１エッチャントで所定の膜厚が残るように透明導電膜をエッチングした後、第６工程で第１エッチャントを除去し、第７工程で第２エッチャントによるエッチングを行うので、第５工程〜第７工程の間、金属膜の表面は第１エッチャントにも空気にも触れることがなく、金属膜表面の酸化が抑えられる。

第７工程では、第２のウェットエッチングで、所定の膜厚を残した透明導電膜の表面をウェットエッチングで完全に除去し、引き続き、金属膜がウェットエッチングされる。
また、本発明の別の態様に係る導電膜パターンの製造方法では、基板上に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属膜を形成する第１工程と、金属膜の上面の上に、インジウムを含む金属酸化物からなる透明導電膜を形成する第２工程と、透明導電膜の上面に感光性レジスト膜を形成する第３工程と、所定のパターンを介して感光性レジスト膜を露光し、透明導電膜を感光性レジスト膜から露出させる第４工程と、透明導電膜の露出された領域から金属膜が露出するまで、透明導電膜の露出された領域を、金属膜より透明導電膜に対してエッチングレートが高い第１エッチャントを用いてウェットエッチングする第５工程と、第１エッチャントを除去する第６の工程と、露出された金属膜の上面である第１面、及び、金属膜の上面につらなり且つ感光性レジスト膜の下層にある透明導電膜の側面である第２面を、透明導電膜より金属膜に対してエッチングレートが高い若しくは同等である第２エッチャントを用いてウェットエッチングする第７工程と、を含み、第５工程において、透明導電膜は、第１エッチャントにより感光性レジスト膜の下方までサイドエッチングされ、第７工程において、感光性レジスト膜の下面、第１面、及び第２面により形成される領域に第２エッチャントの液溜まりが形成されて、第１面と第２面とがエッチングされ、露出された金属膜が基板上から除去され、基板が露出されると、感光性レジスト膜の下面、基板、第２面、及び基板につらなる金属膜の側面である第３面が形成され、第２面及び第３面がエッチングされ、第２面と第３面とを連続した面一の面、あるいは、第２面の方が第３面より感光性レジスト膜の下層に後退した側面形状に形成する、こととした。

この態様の製造方法によっても、形成された導電膜パターンには、透明導電膜の庇部が生成することがないので、形成した導電膜パターンを覆うように薄膜を形成すれば、薄膜が段切れすることがなく良好に形成することができる。
また、この製造方法では、第５工程において第１エッチャントで透明導電膜を金属膜が露出するまでエッチングするので、透明導電膜のエッチング時間管理を省略でき、工程管理を簡素化できる。

一方、第１エッチングによって金属膜の表面が露出するので、金属膜の表面に酸化膜が形成されやすいが、第２エッチャントで酸化膜が除去されるので特に問題とはならない。
上記態様の製造方法において、透明導電膜は、さらに亜鉛を含む金属酸化物で形成することが好ましい。すなわち、金属膜上にインジウムと亜鉛との合金の酸化物からなるＩＺＯで透明導電膜を形成すれば、有機ＥＬ表示装置の有機発光層から発光した光を、高効率で外部に取り出すためのキャビティーを構成するのに好適である。また、ＩＺＯ膜は、従来から使用されているＩＴＯ膜と比べて結晶化しにくいため、金属酸化物の中でもエッチングされやすく、第２エッチャントのＩＴＯ膜に対するエッチングレートを金属膜に対するエッチングレートと同等にしやすい。

第１エッチャントとして、弗酸を含む水溶液を用いることが好ましい。
第１エッチャントとして、特にフッ化アンモニウム水溶液を用いることが好ましい。
その場合、フッ化アンモニウム水溶液の中のフッ酸の濃度は、０．３〜０．５パーセントであることが好ましい。
第２エッチャントとして、硝酸と、酢酸と、リン酸との混合水溶液を用いることが好ましい。この混酸は、透明導電膜に対するエッチングレートと金属膜に対するエッチングレートがほぼ等しいので、透明導電膜の側面と、金属膜の表面及び側面とを、ほぼ同等の速度でエッチングすることができる。

ここで、第２エッチャントにおける、硝酸と、酢酸と、リン酸と、水との成分比率は、硝酸が５−１０％、酢酸が１０％未満、リン酸が６０−７０％、残部が水であることが好ましい。
第５工程のエッチングで残す透明導電膜の膜厚は３ｎｍ以上７ｎｍ以下であることが好ましい。

本発明の一態様にかかる有機ＥＬ表示パネルの製造方法においては、上記態様の導電膜パターンの製造方法により、下部導電膜パターンを形成し、さらに、下部導電膜パターンから、感光性樹脂層を除去し、感光性樹脂層の下部の領域の透明導電膜の表面を露出させる第８工程と、露出させた透明導電膜の表面と、透明導電膜の側面と、金属膜の側面と、及び基板上であって金属膜がウェットエッチングにより除去されて露出した基板上に、中間層を連続して形成する第９工程と、中間層上の所定の画素領域に有機発光層を形成する第１０工程と、有機発光層の上方に上部導電膜を形成する第１１工程と、を含むこととした。

＜実施の形態＞
以下、本発明の構成および作用・効果を分かりやすく説明するために実施の形態を説明するが、本発明は、その本質的な特徴部分以外に何ら以下の形態に限定を受けるものではない。
［実施の形態１］
図１は、実施の形態１に係る表示パネル１００の構成を模式的に示す断面図である。本実施形態にかかる表示装置は、有機材料の電界発光現象を利用して画像を表示する表示パネル１００と、これに接続された駆動制御部（不図示）とから構成されている。
（表示パネル１００の構成）
表示パネル１００の構成について、図１を参照しながら説明する。

表示パネル１００は、画素（ピクセル）が、基板１の上面に沿ってマトリック状に配列されており、各画素は、隣接するＲＧＢ３色のサブピクセルによって形成されている。図１に示す有機ＥＬ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃは、ＴＦＴ基板上に配列されたトップエミッション型のＥＬ素子であって、有機ＥＬ素子２０ａ青色のサブピクセル、有機ＥＬ素子２０ｂは緑色のサブピクセル、有機ＥＬ素子２０ｃは赤色のサブピクセルに相当する。

ＴＦＴ基板は、基板１の上面に、パネル全体の各有機ＥＬ素子２０ａ〜２０ｃをアクティブマトリクス方式で駆動するためのＴＦＴ層（不図示）が形成され、その上を平坦化膜２で被覆された構成されている。
基板１は、パネルのベース部分となる基板であって、無アルカリガラス、ソーダガラス、無蛍光ガラス、燐酸系ガラス、硼酸系ガラス、石英、アクリル系樹脂、スチレン系樹脂、ポリカーボネート系樹脂、エポキシ系樹脂、ポリエチレン、ポリエステル、シリコーン系樹脂、又はアルミナ等の絶縁性材料で形成されている。

平坦化膜２は、絶縁性に優れる有機材料、例えばポリイミド、ポリアミド、アクリル系樹脂材料からなる。
次に、有機ＥＬ素子２０ａ〜２０ｃの素子の構成について説明する。
平坦化膜２上に、金属電極３と透明電極４を積層した積層構造の陽極を有し、当該陽極の上に、ホール注入層５が形成されている。

金属電極３は、アルミニウム又はアルミニウム合金で形成されている。このアルミニウムやアルミニウム合金は、高反射性であって比較的安価である。
アルミニウム合金の例としては、アルミニウム−ネオジウム（Ａｌ−Ｎｄ）合金、アルミニウム−ジルコニウム（Ａｌ−Ｚｒ）合金、アルミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）合金、アルミニウム−シリコン（Ａｌ−Ｓｉ）合金、アルミニウム−シリコン−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）合金などが挙げられる。

透明電極４は、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）からなり、金属電極３の上面を被覆している。
金属電極３及び透明電極４からなる陽極は、各サブピクセルごと（有機ＥＬ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃごと）に分離された形状にパターニングされている。
図１に示すように、陽極を覆うように、ホール注入層５がパネル全体に拡がって設けられている。

このホール輸送層５の上には、隣り合うサブピクセルどうしの間を仕切るように、絶縁材料からなるバンク６が設けられている。また、ホール輸送層５の上には、バンク６で仕切られた領域内に、ホール輸送層７、有機発光層８が積層形成されている。
さらに、有機発光層８の上には、電子注入層９、陰極１０および封止層１１が、バンク６を乗り超えて、全体の有機ＥＬ素子２０ａ，２０ｂ，２０ｃで連続するように形成されている。

ホール注入層５は、モリブデンやタングステンの酸化物で形成されている。
ホール注入層５の膜厚は、０．１［ｎｍ］〜２０［ｎｍ］の範囲内が好ましい。
バンク６は、樹脂等の有機材料で形成されており絶縁性を有する。バンク６の形成に用いる有機材料の例としては、アクリル系樹脂、ポリイミド系樹脂、ノボラック型フェノール樹脂等が挙げられる。バンク６は、有機溶剤耐性を有することが好ましい。

バンク６は、エッチング処理、ベーク処理などが施されるので、それらの処理に対して耐性の高い材料で形成されることが好ましい。また、バンク６の表面に撥水性をもたせるために、フッ素処理してもよい。
ホール輸送層７は、ホールを輸送し有機発光層８に対して注入する材料からなる層であって、ウェット法で形成できる。その材料の具体例としては、４，４'−ビス［Ｎ−（ナフチル）−Ｎ−フェニル−アミノ］ビフェニル（α−ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ'−ビス（３−メチルフェニル）−（１，１'−ビフェニル）−４，４'−ジアミン（ＴＰＤ）などのトリアリールアミン系化合物を挙げることができる。

有機発光層８は、ホールと電子とが注入され再結合されることにより励起状態が生成され発光する機能を有する。有機発光層８もウェット法で形成できる。その材料は、例えば、特許公開公報（特開平５−１６３４８８号公報）に記載のオキシノイド化合物、ペリレン化合物、クマリン化合物、アザクマリン化合物、オキサゾール化合物、オキサジアゾール化合物、ペリノン化合物、ピロロピロール化合物、ナフタレン化合物、アントラセン化合物、フルオレン化合物、フルオランテン化合物、テトラセン化合物、ピレン化合物、コロネン化合物、キノロン化合物及びアザキノロン化合物、ピラゾリン誘導体及びピラゾロン誘導体、ローダミン化合物、クリセン化合物、フェナントレン化合物、シクロペンタジエン化合物、スチルベン化合物、ジフェニルキノン化合物、スチリル化合物、ブタジエン化合物、ジシアノメチレンピラン化合物、ジシアノメチレンチオピラン化合物、フルオレセイン化合物、ピリリウム化合物、チアピリリウム化合物、セレナピリリウム化合物、テルロピリリウム化合物、芳香族アルダジエン化合物、オリゴフェニレン化合物、チオキサンテン化合物、アンスラセン化合物、シアニン化合物、アクリジン化合物、８−ヒドロキシキノリン化合物の金属鎖体、２−ビピリジン化合物の金属鎖体、シッフ塩とＩＩＩ族金属との鎖体、オキシン金属鎖体、希土類鎖体などの蛍光物質で形成されることが好ましい。

電子注入層９は、陰極１０から注入される電子を有機発光層８へ輸送する機能を有し、例えば、バリウム、フタロシアニン、フッ化リチウム、あるいはこれらの組み合わせで形成される。
陰極１０は、上部電極であって、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（酸化インジウム亜鉛）などの光透過性の材料で形成される。この他に、例えば、アルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらのハロゲン化物を含む層と銀を含む層とをこの順で積層した構造とすることもできる。

封止層１１は、有機発光層８などが水分に晒されたり、空気に晒されたりすることを抑制する機能を有し、例えば、ＳｉＮ（窒化シリコン）、ＳｉＯＮ（酸窒化シリコン）などの光透過性の材料で形成することが好ましい。
（表示パネル１００の製造方法）
上記表示パネル１００の製造方法について一例を説明する。

基板１を準備し、反応性スパッタ法に基づき、ＴＦＴ層を形成する。
上記ＴＦＴ層を覆うように、基板１上に厚み約４μｍで平坦化膜２を形成する。この平坦化膜２は、公知の感光性有機材料（例えばシロキサン共重合型感光性ポリイミド）をスピンコートすることによって形成できる。
平坦化膜２の上（ＴＦＴ基板の上）に、金属材料（アルミニウムまたはアルミニウム合金）を薄膜成形し、この金属膜の表面上に、ＩＺＯからなる透明導電膜を製膜し、製膜した金属膜と透明導電膜の積層体をマトリクス状にパターニングすることによって陽極板を形成する。なお、この陽極作製プロセスについては、後で詳述する。

モリブデンやタングステン等の金属材料を反応性スパッタ法で成膜することによってホール注入層５を形成する。
バンク材料として、感光性のレジスト材料、もしくはフッ素系やアクリル系材料を含有するレジスト材料を、スピンコート法で塗布し、フォトレジスト法でパターニングして熱キュアすることによってバンク６を形成する。

次に、バンク６間の領域内に、例えば、インクジェット法によりホール輸送層材料を含むインクを滴下し、そのインクを乾燥させてホール輸送層７を形成する。
さらに、有機ＥＬ材料を含むインクを滴下し、そのインクを乾燥させて有機発光層８を形成する。なお、インクの塗布方法は、ディスペンサー法、ノズルコート法、スピンコート法、凹版印刷、凸版印刷等によって塗布しても良い。インクの乾燥は、真空乾燥を行い、引き続き、窒素雰囲気中においてベークを行う。有機発光層８の平均膜厚は、例えば７０ｎｍである。

次に、有機発光層８およびバンク６を覆うように、真空蒸着法により、バリウムを製膜し、引き続き、バリウムを混合した化合物Ａｌｑの膜を、共蒸着法により所定の膜厚（例えば２０ｎｍ）で製膜することにより、電子注入層９を製膜する。
次に、電子注入層９の上に、例えば、プラズマコーティング法で陰極１０となるＩＺＯ薄膜（膜厚は例えば１００ｎｍ）を製膜し、その上に、封止層１１を製膜する。

（陽極作製方法）
図２は、陽極作製プロセスの前半を示す図である。
積層膜製造工程：
図２（ａ）に示すように、基板１上の平坦化膜２の上に、金属材料（アルミニウムまたはアルミニウム合金）を、スパッタ法もしくは真空蒸着法を用いて薄膜成形することによって、金属膜３０を形成する。続いて、この金属膜３０の表面上に、ＩＺＯをスパッタリング法で薄膜成形して透明導電膜４０を形成する。

金属膜３０の膜厚は例えば２００ｎｍ程度、透明導電膜４０の膜厚は、例えば２０ｎｍ〜５０ｎｍである。
レジスト膜形成工程：
製膜した金属膜３０と透明導電膜４０の積層体の上に、感光性レジストを塗布して被覆し、フォトリソグラフィ法でパターニングする。すなわち、パターンマスクを介して感光性レジスト膜を露光することによって、図２（ｂ）に示すようにパター二ングされたレジスト膜５０を形成する。このレジスト膜５０によって透明導電膜４０は部分的に被覆される。

エッチング工程：
図３（ａ）は、エッチング工程を行う装置の一例を示す概略図であって、この装置では矢印の方向に基板を搬送しながら、処理槽、水洗槽、乾燥機を通過するようになっている。
図３（ｂ）は、処理槽の一例を示す図である。図３（ｂ）に示す装置では、処理槽２００の中にコンベアーベルト２０１を搬送する搬送ローラ２０２を備え、コンベアーベルト２０１上に基板を載せて処理槽２００内を通過するようになっている。

また処理槽２００は、シャワーライン２０３とバッファータンク２０４と送液ポンプ２０５を備え、バッファータンク２０４内のエッチャントをシャワーライン２０３から基板上に噴霧することができるようになっている。また処理槽２００は、ディップ槽２０６とバッファータンク２０７と送液ポンプ２０８を備え、バッファータンク２０７内のエッチャントをディップ槽２０６に供給し、ディップ槽２０６内にエッチャントを貯めて基板を浸漬できるようにもなっている。なお、符合２０９，２１０は廃液ラインである。

このようなエッチング装置を用いて、以下のように（ａ）第１エッチャントによるエッチングを行い、続いて、（ｂ）第２エッチャントによるエッチングを行う。各エッチング時間は、搬送ローラ２０２の速度を調整することによって調整できる。
（ａ）第１エッチャントによるエッチング：
レジスト膜５０で部分的に被覆した透明導電膜４０に対して、図２（ｃ）に示すように、透明導電膜４０のレジスト膜５０で被覆されていない上面４１に第１エッチャント６０を接触させて、透明導電膜４０を、所定の膜厚（膜厚３ｎｍ以上７ｎｍ以下）になるまでエッチングする。エッチング後の膜厚は、予め所定の膜厚になるのに要する時間を測定しておいて、その時間だけエッチングを行うによってコントロールする。すなわち、予め透明導電膜４０が所定の厚みになるまでの時間を測定しておくか、あるいは、エッチングレートを測定しておいて、所定の厚みになると予測される時間が経過したときに終了すればよい。

なお、この残部分４４の膜厚が薄すぎると、ピンホールが発生して被覆膜としての効果が得られないので、３ｎｍ以上に設定することが好ましい。一方、残部分４４が厚すぎると、後の第２エッチャントによるエッチングで除去するのに時間がかかるので、７ｎｍ以下とするのが好ましい。
第１エッチャントとしては、金属膜３０よりも透明導電膜４０に対してエッチングレートが高いものを用いる。具体的には、第１エッチャント６０は、弗酸を含む水溶液であって、特に、フッ化アンモニウム（ＮＨ₄Ｆ）水溶液を用いることが好ましいが、フッ硝酸を用いることもできる。

フッ化アンモニウム（ＮＨ₄Ｆ）水溶液の場合、フッ酸（ＨＦ）の濃度は、０．３ｗｔ％〜０．５ｗｔ％であることが好ましい。
上記処理槽２００において、第１エッチャント６０を透明導電膜４０に付着させる方法としては、レジスト膜５０で部分的に被覆した基板を、ディップ槽２０６内の第１エッチャント６０に浸漬してもよいし、レジスト膜５０で透明導電膜４０を部分的に被覆した基板に、シャワーライン２０３から第１エッチャント６０を散布する方法でエッチング処理してもよい。

このように、第１エッチャント６０で透明導電膜４０をエッチングすることによって、透明導電膜４０は、下方向にエッチングされると共にレジスト膜５０の下方にもぐり込むようにサイドエッチングされる。
すなわち、透明導電膜４０が第１エッチャント６０でエッチングされると、透明導電膜４０の上面４１（第１面）が下方向にエッチングされて、エッチング底面４２（第1面）が下方向に後退して、透明導電膜４０の厚みは薄くなると共に、透明導電膜４０のエッチング側面４３（第２面）が形成される。そして、透明導電膜４０の残部分４４が所定の膜厚になるまでエッチングを行う。

そして、このようなエッチングに伴って形成されたエッチング側面４３は、レジスト膜５０の側面５１と面一ではなく、当該側面５１よりも図２（ｄ）において左方向に後退している。すなわち、エッチング側面４３はレジスト膜５０の下方に入り込んでいる。そして、レジスト膜５０の下面５２とエッチング側面４３との間には、第１エッチャント６０による液溜まり６１が形成されている。

透明導電膜４０によるエッチングが終了すると、基板を水洗して、第１エッチャント６０を洗い流し、乾燥する。
（ｂ）第２エッチャントによるエッチング
図４は、陽極作製プロセスの後半を示す図である。
図４（ａ）に示すように、上記エッチング底面４２及びエッチング側面４３に第２エッチャント７０を接触させてウェットエッチングする。

この第２エッチャントによるエッチング工程を処理槽２００で行う場合も、ディップ槽２０６内に第２エッチャント７０を貯めて基板を浸漬してもよいし、シャワーライン２０３から第２エッチャント６０を散布する方法でエッチング処理してもよい。
第２エッチャント７０としては、透明導電膜４０に対するエッチングレートと金属膜３０に対するエッチングレートが同等のもの、若しくは金属膜３０に対するエッチングレートが高いものを用いるが、第２エッチャント７０の透明導電膜４０に対するエッチングレートと金属膜３０に対するエッチングレートがほぼ等しいものを用いることが好ましい。

硝酸と、酢酸と、リン酸との混合水溶液は、透明導電膜４０と金属膜３０に対するエッチングレートをほぼ同等にすることが容易なので、第２エッチャント７０として好ましい。
この混酸において、硝酸と、酢酸と、リン酸と、水との好ましい成分比率は、硝酸が５−１０％、酢酸が１０％未満、リン酸が６０−７０％、残部が水である。

なお、この組成範囲内あっても、成分比率によってエッチングレートはある程度変化し、エッチャントの温度、さらに攪拌速度などの条件によってもエッチングレートが変化するので、実験的に最適な組成比率、エッチング温度を求めておけばよい。
このような第２エッチャントを用いて、まず透明導電膜４０の残部分４４をエッチングするが、図４（ａ）に示すように、レジスト膜５０の下面５２、エッチング底面４２及びエッチング側面４３により形成される領域に第２エッチャントの液溜まり７１が形成された状態で、エッチング底面４２とエッチング４３とがエッチングされ、透明導電膜４０の残部分４４が金属膜３０上から除去されると、図４（ｂ）に示すように金属膜３０の表面３１（第３面）が露出されて第２エッチャントに接触する。

続いて、金属膜３０の表面３１（第３面）がエッチングされてエッチング底面３２（第３面）が下方向に後退し、それに伴って、エッチング側面３３（第４面）も形成される。
この時も、図４（ｃ）に示すように、レジスト膜５０の下面５２、エッチング側面４３、エッチング側面３３及び金属膜３０のエッチング底面３２により形成される領域に、第２エッチャント７０の液溜まり７１が形成される。

エッチング底面３２は、図４（ｄ）においてラインＰ1→Ｐ2→Ｐ3で示すように、下方向に後退しながら、透明導電膜４０のエッチング側面４３及び金属膜３０のエッチング側面３３もエッチングされて図面左方向に後退するが、ここで、エッチング側面４３及びエッチング側面３３は、ほぼ同じ速度で後退していくので、エッチング側面４３とエッチング側面３３とが連続した面一の面、あるいはエッチング側面４３の方がエッチング側面３３よりも後退した形状を形成しながら、エッチングが進んでいく。

従って、エッチング底面３２が金属膜３０の下面に達して図４（ｆ）のように平坦化膜２の上面（ＴＦＴ基板の上面）が露出するまでエッチングされた状態においても、エッチング側面４３とエッチング側面３３とが連続した面一の面、あるいは、エッチング側面４３の方がエッチング側面３３よりレジスト膜の下層に後退した形状に形成される。
以上のように、透明導電膜４０と金属膜３０の積層体をウェットエッチングした後、レジスト膜５０を剥離することによって、マトリクス状にパターニングされた陽極板が作製される。

（本実施形態にかかる陽極作製方法による効果）
上記本実施の形態に係る陽極作製方法によれば、第２エッチャントによるエッチング工程において、エッチング側面４３及びエッチング側面３３が、ほぼ同等の速度でエッチングされることによって、エッチングが終了した時点において、にエッチング側面４３とエッチング側面３３とが連続した面一の面、あるいは、エッチング側面４３の方がエッチング側面３３よりレジスト膜の下層に後退した滑らかな形状に形成される。

ここで、上記のようにエッチング側面４３及びエッチング側面３３を、ほぼ同等の速度でエッチングする上で、第２エッチャントとして、金属膜３０とに対するエッチングレートと透明導電膜４０に対するエッチングレートとが近いもの（具体的には硝酸と酢酸とリン酸との混合水溶液）を用いることが基本的に大切であるが、レジスト膜５０の下面５２、エッチング側面４３、エッチング側面３３及びエッチング底面３２により形成される領域に、第２エッチャント７０の液溜まり７１が形成されることも大きく寄与している。

すなわち、エッチング側面４３とエッチング側面３３は共に、第２エッチャントの液溜まり７１に接しながらエッチング進行するが、透明導電膜４０は、インジウムを含む金属酸化物で形成されており、この種の材料の場合、第２エッチャントによる液溜まり７１が存在することによって、第２エッチャントによる透明導電膜４０に対するエッチングレートが向上する。従って、この作用も加わることによって、透明導電膜４０の庇が形成されることなく、エッチング側面４３とエッチング側面３３がほぼ同じ速度でエッチングされ、エッチング側面４３とエッチング側面３３が滑らかに連続する形状となる。

そして、このように形成された陽極は、エッチング側面４３とエッチング側面３３が滑らかに連続する形状に形成されているので、当該陽極を覆うように、ホール注入層５を設けると、ホール注入層５と陽極との間に空隙が生じることがなく、ホール注入層５の薄膜が段切れすることもない。すなわち、カバレッジの良好なホール注入層５の薄膜が形成される。

また、カバレッジが良好なホール注入層５を形成できるので、このホール注入層５の上に、バンク６、ホール輸送層７、有機発光層８などを良好に形成することもできる。
以上のように、本実施の形態に係る製造方法を適用することによって、各有機ＥＬ素子ａ，２０ｂ，２０ｃを良好に製造することができる。
また、このように製造された表示パネル１００は、有機ＥＬ素子内に空洞による欠陥がないので、使用中に有機ＥＬ素子の性能が劣化することもない。

なお、本実施の形態の製法では、第１エッチャント６０によるエッチングから第２エッチャント７０によるエッチングに切り替えるときに、金属膜３０の表面３１は、残部分４４で覆われているので、金属膜３０の表面３１が第１エッチャント６０に接触することはなく、空気に接触することもない。従って、金属膜３０の表面３１が酸化されるのを防止できる。

（陽極作製方法の比較例）
図６は、比較例にかかる陽極作製方法を示す図である。
積層体製造工程及びレジスト膜形成工程は、上記実施の形態と同様に行うが、エッチング工程において、一種類のエッチャント８０を用いて、透明導電膜４０と金属膜３０のエッチングを行う。

エッチャント８０として、例えば、上記第２エッチャントと同様の混酸を用いることによって、透明導電膜４０と金属膜３０の両方をエッチングすることができる。
ただし、エッチャント８０で透明導電膜４０をエッチングするときには、透明導電膜４０はサイドエッチングがほとんどなされない。すなわち、図６（ａ），（ｂ）に示すように、透明導電膜４０のエッチング側面１４３は、ほとんど図面左方向に後退することなく、レジスト膜５０の下にエッチング側面１４３がもぐり込むことがないので、レジスト膜５０の下面と透明導電膜４０のエッチング側面１４３との間に、エッチャント８０による液溜まりは形成されない。

従って、エッチャント８０で金属膜３０の上面が露出され、図６（ｃ）〜（ｄ）のように、エッチャント８０で金属膜３０がエッチングされるときにも、レジスト膜５０の下面５２、エッチング側面１４３、エッチング側面１３３及びエッチング底面１３２により形成される領域に、エッチャント８０の液溜まりは形成されない。
よって、エッチャント８０でエッチング側面１４３、エッチング側面１３３、エッチング底面１３２をエッチングするときに、上記実施の形態のようにエッチング側面１４３とエッチング側面１３３とは同等速度ではなく、エッチング側面１４３よりもエッチング側面１３３の方が高いエッチングレートでエッチングされ、エッチング側面１３３が透明導電膜４０の下側に後退し、透明導電膜４０による庇１４５が形成される。

図６（ｆ）は、このようにして形成された陽極を示しており、透明導電膜１４には庇１４５が形成され、庇１４５の下、すなわち金属電極１３の側面１３３の横に、空洞９０を有している。
図７は、庇１４５及び空洞９０が形成された陽極を覆って、ホール注入層１５を形成し、さらに、バンク１６、ホール輸送層１７、有機発光層１８、電子注入層１９などを形成したときに異常が発生した状態を示す図であって、図７に示す領域は、図１中、破線Ａで囲んだ領域に相当する。当図に示すように、ホール注入層１５において、庇１４５及び空洞９０の箇所で段切れが生じやすく、良好なカバレッジは得られにくい。また、庇１４５の裏側部分１４５ａにアルミ酸化物が残留する。

ホール注入層１５のカバレッジが悪いと、バンク１６などを形成する工程で使用する現像液（ＴＭＡＨ）が金属電極１３に接触して金属電極１３が腐食されることもある。
さらに、バンク１６、ホール輸送層１７、有機発光層１８、電子注入層１９などを形成すると空洞９０にガスや水分などが閉じ込められ、さらに、バンク１６、ホール輸送層１７、有機発光層１８、電子注入層１９などを形成するときの加熱焼成工程に伴って、空洞９０に閉じ込められたガスの圧力が高くなって膨張するので、図７に示すようにバンク１６、ホール輸送層１７、有機発光層１８、電子注入層１９などが変形することもあり、有機ＥＬ素子の性能が劣化する要因となる。

また、空洞９０が有機ＥＬ素子中に残ると、製造工程中だけでなく、表示パネル１００を使用しているときにも、空洞９０に起因する有機ＥＬ素子の性能劣化が生じやすい。
［実施の形態２]
実施の形態２に係る表示パネルの製造方法は、陽極作製プロセス以外は上記実施の形態１の表示パネル１００の製造方法と同様である。

本実施形態にかかる陽極作製方法について、図５を参照しながら説明する。
図５は、実施の形態２にかかる陽極作製プロセスの前半を示す図である。
陽極作製プロセスにおいて、図５（ａ）に示す積層体製造工程、図５（ｂ）に示すレジスト膜形成工程は、実施の形態１の積層体製造工程，レジスト膜形成工程と同様である。
次に、図５（ｃ）〜（ｅ）に示すように、第１エッチャントによるエッチングを行う。この工程も、実施の形態１の第１エッチャントによるエッチングとほぼ同じであるが、実施の形態１では、透明導電膜４０が所定の膜厚になった時点で第１エッチャント６０によるエッチングを終了したのに対して、本実施形態では、金属膜３０の表面３１（第１面）が露出するまで第１エッチャント６０によるエッチングを行う。
第１エッチャント６０でエッチングされた透明導電膜４０の側面４３（第２面）は、サイドエッチングされることよりレジスト膜５０の下で後退している。

第１エッチャントによるエッチングが終わると、基板を水洗して、第１エッチャント６０を洗い流し、乾燥して、第２エッチャントによるエッチングを行う。
第２エッチャントによるエッチングは、実施の形態１で説明した第２エッチャントによるエッチングと同様に行う。
すなわち、図４（ｂ）〜（ｅ）に示されるように、金属膜３０の表面３１（第１面）がエッチングされてエッチング底面３２（第１面）が下方向に後退し、それに伴って、エッチング側面３３（第３面）も形成されるが、この時、図４（ｃ）に示すように、レジスト膜５０の下面５２、エッチング側面４３、エッチング側面３３及び金属膜３０のエッチング底面３２により形成される領域に、第２エッチャント７０の液溜まり７１が形成される。

そして、図４（ｄ）においてラインＰ1、Ｐ2、Ｐ3で示すように、エッチング底面３２は、下方向に後退しながら、透明導電膜４０のエッチング側面４３及び金属膜３０のエッチング側面３３もエッチングされるが、エッチング側面４３及びエッチング側面３３は、ほぼ同じ速度で後退していくので、エッチング側面４３とエッチング側面３３とが連続した面一の面、あるいはエッチング側面４３の方がエッチング側面３３よりも後退した形状を形成しながら、エッチングが進んでいく。

従って、エッチング底面３２が金属膜３０の下面に達して図４（ｆ）のように平坦化膜２の上面が露出するまでエッチングされた状態においても、エッチング側面４３とエッチング側面３３とが連続した面一の面、あるいは、エッチング側面４３の方がエッチング側面３３よりレジスト膜５０の下に後退した形状に形成される。
本実施形態にかかる陽極作製方法による効果は、基本的に実施の形態１で説明した効果と同じであって、形成された陽極は、エッチング側面４３とエッチング側面３３が滑らかに連続する形状に形成されているので、当該陽極を覆うように、ホール注入層５を設けると、ホール注入層５と陽極との間に空隙が生じることがなく、ホール注入層５の薄膜が段切れすることもない。

よって、本実施の形態の製法によって製造された有機ＥＬパネルにおいても、実施の形態１の製法で製造された表示パネル１００と同様に、優れた性能を得ることができる。
一方、本実施の形態の製法では、第１エッチャント６０によるエッチングで、透明導電膜４０を所定の膜厚だけ残すことなく、金属膜３０の表面３１を露出させるので、第１エッチャント６０によるエッチング時間の管理をそれほど厳密に行う必要がなく、製造上の管理が容易である。

なお、第１エッチャント６０が金属膜３０の表面３１に接触した状態で時間が経過すると、金属膜３０の表面３１において第１エッチャント６０に接触した領域は酸化されてアルミナ酸化物の膜が形成されるが、ここで形成されたアルミナ膜は第２エッチャント７０によるエッチングで除去されるので、有機ＥＬ素子中に残存することはない。

上記実施の形態で説明した陽極作製方法に基づいて、有機材料からなる平坦化膜の上に、アルミニウム合金からなる金属膜３０を膜厚２００μｍで形成し、透明導電膜４０を膜厚５０μｍで形成し、その上にレジスト膜５０をパターニング形成してウェットエッチングした。ウェットエッチングでは、第１エッチャント６０としてフッ化アンモニウム（フッ酸濃度０．５％）を用いて透明導電膜４０をエッチングし、洗浄した後、第２エッチャント７０として混酸（硝酸５〜１０％、酢酸１０％、リン酸６０〜７０％）を用いて金属膜３０をエッチングした。エッチング温度は３０℃で行った。

図８（ａ）は、実施例の製法で作製した陽極の断面を示すＳＥＭ写真である。
当図から、実施例の方法では、透明導電膜及び金属膜のエッチング側面が連続した面一の面に形成されていることがわかる。
一方、図８（ｂ）は、有機材料からなる平坦化膜の上に、アルミニウム合金からなる金属膜を２００μｍ、ＩＴＯからなる透明導電膜を５０μｍで形成し、上記比較例の製法に基づいて混酸でエッチングすることによって作製した陽極の断面を示すＳＥＭ写真である。

この比較例の方法では、混酸によるエッチングによって、金属膜の方が透明導電膜よりもエッチングが進むので、図８（ｂ）に示されるように、透明導電膜の庇が形成され、庇の下に空隙が形成されている。
［その他の事項］
上記実施の形態１，２では、透明導電膜４０の材料としてＩＺＯを用い、上記のような組成の第１エッチャント及び第２エッチャントを用いることによって、良好なエッチングレートが得られ、庇形成を防止する効果も良好に得られたが、透明導電膜４０の材料としてＩＴＯを用いる場合も、第１エッチャントのフッ酸濃度を高めにしてＩＴＯに適した組成に変更すれば、同様にして、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属電極とＩＴＯからなる透明電極とが積層された積層電極を、庇の形成を防止しながら滑らかな形状に形成することができる。
上記実施の形態１、２では、有機ＥＬパネルの陽極を作製するのに適用する例を示したが、上述した陽極作製方法は、有機ＥＬパネル用の陽極に限らず、アルミニウム又はアルミニウム合金からなる金属電極とインジウムを含む透明電極とが積層された構造の電極を滑らかな形状にパターニング形成するのに広く適用できる。

本発明は、有機ＥＬパネルの陽極をはじめとして、様々なデバイスの電極を作製するのに適用でき、良好な性能のデバイスを得るのに寄与する。

１ 基板
２ 平坦化膜
３ 金属電極
４ 透明電極
５ ホール注入層
８ 有機発光層
１０ 陰極
１１ 封止層
２０ａ，２０ｂ，２０ｃ 有機ＥＬ素子
３０ 金属膜
３２ エッチング底面
３３ エッチング側面
４０ 透明導電膜
４１ 上面
４２ エッチング底面
４３ エッチング側面
４４ 残部分
５０ レジスト膜
５１ 側面
６０ 第１エッチャント
７０ 第２エッチャント

Claims (11)

1. 基板上に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属膜を形成する第１工程と、
   前記金属膜の上面の上に、インジウムを含む金属酸化物からなる透明導電膜を形成する第２工程と、
   前記透明導電膜の上面に感光性レジスト膜を形成する第３工程と、
   所定のパターンを介して前記感光性レジスト膜を露光し、前記透明導電膜の一部を前記感光性レジスト膜から露出させる第４工程と、
   前記透明導電膜の前記露出された領域の膜厚が所定の膜厚になるまで、前記透明導電膜の前記露出された領域を、前記金属膜より前記透明導電膜に対してエッチングレートが高い第１エッチャントを用いてウェットエッチングする第５工程と、
   前記第１エッチャントを除去する第６工程と、
   前記所定の膜厚となった前記透明導電膜の上面である第１面、及び、前記所定の膜厚となった前記透明導電膜の上面につらなり且つ前記感光性レジスト膜の下層にある前記透明導電膜の側面である第２面を、前記透明導電膜より前記金属膜に対してエッチングレートが高い若しくは同等である第２エッチャントを用いてウェットエッチングする第７工程と、を含み、
   前記第５工程において、前記透明導電膜は、前記第１エッチャントにより前記感光性レジスト膜の下方までサイドエッチングされ、
   前記第７工程において、
   前記感光性レジスト膜の下面、前記第１面及び前記第２面により形成される領域に前記第２エッチャントの液溜まりが形成されて、前記第１面と前記第２面とがエッチングされ、
   前記所定の膜厚となった前記透明導電膜が前記金属膜上から除去され、前記金属膜の上面が露出されると、前記感光性レジスト膜の下面、前記第２面、及び前記金属膜の露出された上面である第３面により形成される領域に前記第２エッチャントの液溜まりが形成され、前記第２面と前記第３面とがエッチングされるとともに、前記金属膜の側面である第４面が形成され、
   さらに、前記第２面と第３面と第４面とが前記第２エッチャントでエッチングされて、前記金属膜の露出された領域が前記基板上から除去されて前記基板が露出されると、前記第２面と前記第４面とが連続した面一の面、あるいは、前記第２面の方が前記第４面より前記感光性レジスト膜の下層に後退した側面形状となる、
   導電膜パターンの製造方法。
2. 基板上に、アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる金属膜を形成する第１工程と、
   前記金属膜の上面の上に、インジウムを含む金属酸化物からなる透明導電膜を形成する第２工程と、
   前記透明導電膜の上面に感光性レジスト膜を形成する第３工程と、
   所定のパターンを介して前記感光性レジスト膜を露光し、前記透明導電膜を前記感光性レジスト膜から露出させる第４工程と、
   前記透明導電膜の前記露出された領域から前記金属膜が露出するまで、前記透明導電膜の前記露出された領域を、前記金属膜より前記透明導電膜に対してエッチングレートが高い第１エッチャントを用いてウェットエッチングする第５工程と、
   前記第１エッチャントを除去する第６工程と、
   前記露出された金属膜の上面である第１面、及び、前記金属膜の上面につらなり且つ前記感光性レジスト膜の下層にある前記透明導電膜の側面である第２面を、前記透明導電膜より前記金属膜に対してエッチングレートが高い若しくは同等である第２エッチャントを用いてウェットエッチングする第７工程と、を含み、
   前記第５工程において、前記透明導電膜は、前記第１エッチャントにより前記感光性レジスト膜の下方までサイドエッチングされ、
   前記第７工程において、
   前記感光性レジスト膜の下面、前記第１面、及び前記第２面により形成される領域に前記第２エッチャントの液溜まりが形成されて、前記第１面と前記第２面とがエッチングされるとともに、前記金属膜の側面である第３面が形成され、
   さらに、前記第１面と第２面と第３面とが前記第２エッチャントでエッチングされて、前記金属膜の露出された領域が前記基板上から除去されて前記基板が露出されると、前記第２面と前記第３面とが連続した面一の面、あるいは、前記第２面の方が前記第３面より前記感光性レジスト膜の下層に後退した側面形状となる、
   導電膜パターンの製造方法。
3. 前記透明導電膜は、さらに、亜鉛を含む金属酸化物からなる、
   請求項１または２に記載の導電膜パターンの製造方法。
4. 前記第１エッチャントが、弗酸を含む水溶液である、
   請求項１または２に記載の導電膜パターンの製造方法。
5. 前記第２エッチャントが、硝酸と、酢酸と、リン酸との混合水溶液である、
   請求項１または２に記載の導電膜パターンの製造方法。
6. 前記第１エッチャントが、フッ化アンモニウム水溶液である、
   請求項４記載の導電膜パターンの製造方法。
7. 前記フッ化アンモニウム水溶液の中のフッ酸の濃度は、０．３から０．５パーセントである、
   請求項５記載の導電膜パターンの製造方法。
8. 前記第２エッチャントの、硝酸と、酢酸と、リン酸との混合水溶液の、前記硝酸と、酢酸と、リン酸と、水との成分比率は、
   硝酸が５−１０％、酢酸が１０％未満、リン酸が６０−７０％、残部が水である、
   請求項５記載の導電膜パターンの製造方法。
9. 前記第５工程で残す前記透明導電膜の膜厚は３ｎｍ以上７ｎｍ以下である、
   請求項１に記載の導電膜パターンの製造方法。
10. 請求項１記載の導電膜パターンの製造方法により、下部導電膜パターンを形成し、
    さらに、
    前記下部導電膜パターンから、前記感光性樹脂層を除去し、前記感光性樹脂層の下部の領域の前記透明導電膜の表面を露出させる第８工程と、
    前記露出させた透明導電膜の表面と、前記透明導電膜の前記側面と、前記金属膜の前記側面と、及び前記基板上であって前記金属膜が前記ウェットエッチングにより除去されて露出した前記基板上に、中間層を連続して形成する第９工程と、
    前記中間層上の所定の画素領域に有機発光層を形成する第１０工程と、
    前記有機発光層の上方に上部電極を形成する第１１工程と、
    を含む有機ＥＬ表示パネルの製造方法。
11. 請求項２記載の導電膜パターンの製造方法により、下部導電膜パターンを形成し、
    さらに、
    前記導電膜パターンから、前記感光性樹脂層を除去し、前記感光性樹脂層の下部の領域の前記透明導電膜の表面を露出させる第８工程と、
    前記露出させた透明導電膜の表面と、前記透明導電膜の前記側面と、前記金属膜の前記側面と、及び前記基板上であって前記金属膜が前記ウェットエッチングにより除去されて露出した前記基板上に、中間層を連続して形成する第９工程と、
    前記中間層上の所定の画素領域に有機発光層を形成する第１０工程と、
    前記有機発光層の上方に上部電極を形成する第１１工程と、
    を含む有機ＥＬ表示パネルの製造方法。