JPWO2009044890A1 - 酸化インジウム系ターゲット - Google Patents
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Abstract
Description
(Mg添加ITO、Mg=0.02−Sn=0.1)
純度>99.99%のIn2O3粉、SnO2粉、および炭酸水酸化マグネシウム粉(MgO含有量41.5wt%)を用意した。
成膜例1〜3を以下の通り実施した。
ターゲット寸法 :φ=4in. t=6mm
スパッタ方式 :DCマグネトロンスパッタ
排気装置 :ロータリーポンプ+クライオポンプ
到達真空度 :5.3×10-6[Pa]
Ar圧力 :4.0×10-1[Pa]
酸素圧力:0〜1.1×10-2[Pa]
水圧力:5.0×10−6[Pa]
基板温度:室温
スパッタ電力 :130W (電力密度1.6W/cm2)
使用基板 :コーニング#1737(液晶ディスプレイ用ガラス) t=0.8mm
成膜例1〜3において、室温成膜時における最適酸素分圧にて製造した透明導電膜を、それぞれ13mm角の大きさに切り出し、これらのサンプルを大気中にて250℃で1時間アニールした。成膜例1、2のアニール前後の薄膜XRDパターンを図3に示す。また、成膜例1〜3に関し、室温成膜時と250℃アニール後の結晶状態について、アモルファスはa、結晶はcとし、これらを表2に示す。
成膜例で成膜した各透明導電膜の、室温成膜時における最適酸素分圧成膜時の抵抗率ρ(Ω・cm)を測定した。また、試験例1のアニール後のサンプルについて測定した抵抗率も測定した。これらの結果を表2に示す。
成膜例1〜3において、室温成膜における最適酸素分圧にて製造した透明導電膜を、それぞれ13mm角の大きさに切り出し、透過スペクトルを測定した。また、試験例1のアニール後の膜についても同様に透過スペクトルを測定した。これらの結果を図4に示す。また、各成膜例1〜3のアニール後の平均透過率を表2に示す。
成膜例1〜3において、室温成膜における最適酸素分圧にて製造した透明導電膜を、それぞれ10×50mmの大きさに切り出し、エッチング液としてITO−05N(シュウ酸系、関東化学(株)製)(シュウ酸濃度50g/L)を用い、温度30℃で、エッチングが可能か否かについて確認した。また、試験例1のアニール後のサンプルについても同様に確認した。これらの結果を、エッチング可を「○」、エッチング不可を「×」として表2に示す。
上述したとおり製造した表1に示す組成のターゲットを用い、これを4インチのDCマグネトロンスパッタ装置にそれぞれ装着し、基板温度を室温(約20℃)、酸素分圧を0〜3.0sccmの間で変化させながら(0〜1.1×10-2Paに相当)、各組成の透明導電膜を得た。
ターゲット寸法 :φ=4in. t=6mm
スパッタ方式 :DCマグネトロンスパッタ
排気装置 :ロータリーポンプ+クライオポンプ
到達真空度 :5.3×10-5[Pa]
Ar圧力 :4.0×10-1[Pa]
酸素圧力:0〜1.1×10-2[Pa]
水圧力:5.0×10−5[Pa]
基板温度:室温
スパッタ電力 :130W (電力密度1.6W/cm2)
使用基板 :コーニング#1737(液晶ディスプレイ用ガラス) t=0.8mm
Claims (3)
- 酸化インジウムと錫を含有すると共にマグネシウムを含有する酸化物焼結体を具備する酸化インジウム系ターゲットであって、錫及びマグネシウムの含有量が、インジウム1モルに対しての錫のモル比yが、インジウム1モルに対するマグネシウムのモル比xで表される(−4.1×10−2Ln(x)−9.3×10−2)の値以上であり且つ(−2.5×10−1Ln(x)−5.7×10−1)の値以下の範囲にあることを特徴とする酸化インジウム系ターゲット。
- 請求項1に記載の酸化インジウム系ターゲットにおいて、インジウム1モルに対しての錫のモル比yが、インジウム1モルに対するマグネシウムのモル比xで表される(1.3×10−2Ln(x)+2.0×10−1)の値以上であり且つ(−2.2×10−3Ln(x)+2.0×10−1)の値以下の範囲にあることを特徴とする酸化インジウム系ターゲット。
- 請求項1又は2に記載の酸化インジウム系ターゲットにおいて、インジウム1モルに対するマグネシウムのモル比xが、0.01以上であることを特徴とする酸化インジウム系ターゲット。
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