KR100744017B1 - 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟 및 고저항 투명도전막의 제조방법 - Google Patents

고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟 및 고저항 투명도전막의 제조방법 Download PDF

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와타나베히로시
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미츠이 긴조쿠 고교 가부시키가이샤
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Abstract

기본적으로는 DC 마그네트론 스퍼터링 장치에서 사용할 수 있고, 투명하고 또한 고저항인 막을 성막할 수 있는 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟 및 고저항 투명 도전막의 제조방법을 제공한다.
저항률이 0.8×l0-3∼10×l0-3Ωcm 정도의 투명 도전막을 형성하기 위한 고저항 투명 도전막용 산화 인듐계 스퍼터링 타겟으로서, 산화 인듐과 필요에 따라서 산화주석을 함유하고, 또한 절연성 산화물을 함유한다.
마그네트론 스퍼터링, 도전막, 타겟, 저항률, 산화 인듐, 산화 주석, 액정 표시장치, FPD, 산화물.

Description

고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟 및 고저항 투명 도전막의 제조방법{SPUTTERING TARGET FOR FORMING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM OF HIGH ELECTRIC RESISTANCE AND METHOD FOR PRODUCING TRANSPARENT CONDUCTIVE FILM OF HIGH ELECTRIC RESISTANCE}
도 1은 실시예 1의 산소분압에 대한 저항률과 파장 550nm의 투과율에 대해서의 관계를 도시하는 도면이다.
도 2는 비교예 1의 산소분압에 대한 저항률과 파장 550nm의 투과율에 대해서의 관계를 도시하는 도면이다.
도 3은 실시예 2의 산소분압에 대한 저항률과 파장 550nm의 투과율에 대해서의 관계를 도시하는 도면이다.
본 발명은, 저항률이 0.8×l0-3∼10×l0-3Ωcm 정도의 고저항 투명 도전막을 제작할 때에 사용되는 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟 및 그것을 사용하여 고저항 투명 도전막을 제조하는 고저항 투명 도전막의 제조방법에 관한 것이다.
산화인듐-산화주석(In2O3-SnO2의 복합 산화물, 이하, 「ITO」라 함)막은, 가시광 투과성이 높고, 또한 도전성이 높으므로 투명 도전막으로서 액정 표시장치나 유리의 결로방지용 발열막, 적외선 반사막 등에 폭넓게 사용되고 있다.
예를 들면, 플랫 패널 디스플레이(FPD)에 사용되는 투명 도전막은, 저저항의(저항률 2×l0-4 Ωcm 정도)의 것이 선택된다.
한편, 이와 같은 FPD 등에 설치되어 사용되는 저항식 터치패널용 투명 도전막은, 그 원리상, 고저항인 것(시트저항 700∼10000 Ω 정도)이 요구 특성으로서 요구되고 있다.
그렇지만, 종래, FPD용에 사용되고 있는 ITO를 사용하면, 대단히 얇은 막으로 하지 않으면 안되며, 터치패널로서의 강도를 확보할 수 없다는 문제가 있다.
또, 스퍼터링 타겟 자체의 저항을 고저항으로 하면, 장치가 고주파 마그네트론에 비해 비교적 염가인 DC 마그네트론 스퍼터링 장치에서 사용할 수 없고, 설비투자가 막대하게 된다는 문제가 있다.
본 발명은, 이와 같은 사정을 감안하여, 기본적으로는 DC 마그네트론 스퍼터링 장치에서 사용할 수 있고, 투명하고 또한 고저항인 막을 성막할 수 있는 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟 및 고저항 투명 도전막의 제조방법을 제공하는 것을 과제로 한다.
상기 과제를 해결하는 본 발명의 제 1의 태양은, 저항률이 0.8×l0-3∼10×l0-3Ωcm 정도의 고저항 투명 도전막을 형성하기 위한 고저항 투명 도전막용 산화 인듐계 스퍼터링 타겟으로서, 산화 인듐과 필요에 따라서 산화주석을 함유하고, 또한 절연성 산화물을 함유하는 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟에 있다.
이러한 제 1의 양태에서는, 산화 인듐계 스퍼터링 타겟에 절연성 산화물을 첨가함으로써, 타겟 자체의 저항률을 크게 변화시키지 않고, 형성되는 투명 도전막의 저항률을 높일 수 있다.
본 발명의 제 2의 태양은, 제 1의 태양에 있어서, 상기 절연성 산화물이, 산화 규소, 산화 알루미늄, 산화 탄탈, 산화 하프늄, 산화 니오브, 산화 이트륨, 산화 세륨, 산화 프라세오디뮴, 산화 베릴륨, 산화 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 스트론튬, 산화 바륨, 산화 스칸듐, 산화 티탄, 산화 지르코늄, 산화 바나듐, 산화 보론, 산화 갈륨, 산화 아연, 산화 크롬, 산화 망간, 산화 철, 산화 몰리브덴, 산화 인 및 산화 란타노이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟에 있다.
이러한 제 2의 태양에서는, 산화 규소, 산화 알미니늄, 산화 탄탈, 산화 니오브, 산화 이트륨, 산화 세륨, 산화 프라세오디뮴 등을 첨가함으로써, 타겟 자체의 저항률을 크게 변화시키지 않고, 형성되는 투명 도전막의 저항률을 높일 수 있다.
본 발명의 제 3의 태양은, 제 2의 태양에 있어서, 상기 절연성 산화물이, 산화 규소인 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟에 있다.
이러한 제 3의 태양에서는, 산화규소를 첨가함으로써, 타겟 자체의 저항률을 크게 변화시키지 않고, 형성되는 투명 도전막의 저항률을 높일 수 있다.
본 발명의 제 4의 태양은, 제 1∼3의 태양중 어느 하나의 태양에 있어서, 상기 절연성 산화물을 구성하는 원소가 인듐 1몰에 대해 0.00001∼0.26 몰 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟에 있다.
이러한 제 4의 태양에서는, 절연성 산화물을 소정량 첨가함으로써, 타겟 자체의 저항률을 크게 변화시키지 않고, 형성되는 투명 도전막의 저항률을 높일 수 있다.
본 발명의 제 5의 태양은, 제 1∼4의 태양중 어느 하나의 태양에 있어서, 주석(Sn)이 인듐 1몰에 대해 0∼0.3 몰 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟에 있다.
이러한 제 5의 태양에서는, 산화 인듐을 주체로 하고, 필요에 따라서 산화주석을 함유하는 스퍼터링 타겟으로 된다.
본 발명의 제 6의 태양은, 제 1∼5의 태양중 어느 하나의 태양에 있어서, DC 마그네트론 스퍼터링에 의해 저항률이 0.8×l0-3∼10×l0-3Ωcm의 투명 도전막을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟에 있다.
이러한 제 6의 태양에서는, DC 마그네트론 스퍼터링에 의해, 고저항의 투과 도전막을 제작할 수 있다.
본 발명의 제 7의 태양은, 산화 인듐과 필요에 따라서 산화 주석을 함유하고, 또한 절연성 산화물을 함유하는 산화 인듐계 스퍼터링 타겟을 사용하여, DC 마그네트론 스퍼터링에 의해 저항률이 0.8×l0-3∼10×l0-3Ωcm의 투명 도전막을 형성하는 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막의 제조방법에 있다.
이러한 제 7의 태양에서는, 절연성 산화물을 첨가한 산화 인듐계 스퍼터링 타겟을 사용함으로써, 타겟 자체의 저항률을 크게 변화시키지 않고, DC 마그네트론 스퍼터링에 의해 저항률이 0.8×l0-3∼10×l0-3Ωcm의 투명 도전막을 형성할 수 있다.
본 발명의 제 8의 태양은, 제 7의 태양에 있어서, 상기 절연성 산화물이, 산화 규소, 산화 알루미늄, 산화 탄탈, 산화 하프늄, 산화 니오브, 산화 이트륨, 산화 세륨, 산화 프라세오디뮴, 산화 베릴륨, 산화 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 스트론튬, 산화 바륨, 산화 스칸듐, 산화 티탄, 산화 지르코늄, 산화 바나듐, 산화 보론, 산화 갈륨, 산화 아연, 산화 크롬, 산화 망간, 산화 철, 산화 몰리브덴, 산화 인 및 산화 란타노이드로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종인 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막의 제조방법에 있다.
이러한 제 8의 태양에서는, 산화 규소, 산화 알루미늄, 산화 탄탈, 산화 니오브, 산화 이트륨, 산화 세륨, 산화 프라세오디뮴 등을 첨가한 산화 인듐계 스퍼터링 타겟을 사용함으로써, 타겟 자체의 저항률을 크게 변화시키지 않고, DC 마그네트론 스퍼터링에 의해 저항률이 0.8×l0-3∼10×l0-3Ωcm의 투명 도전막을 형성할 수 있다.
본 발명의 제 9의 태양은, 제 8의 태양에 있어서, 상기 절연성 산화물이, 산화 규소인 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막의 제조방법에 있다.
이러한 제 9의 태양에서는, 산화 규소를 첨가한 산화 인듐계 스퍼터링 타겟을 사용함으로써, 타겟 자체의 저항률을 크게 변화시키지 않고, DC 마그네트론 스퍼터링에 의해 저항률이 0.8×l0-3∼10×l0-3Ωcm의 투명 도전막을 형성할 수 있다.
본 발명의 제 10의 태양은, 제 7∼9의 태양중 어느 하나의 태양에 있어서, 상기 절연성 산화물을 구성하는 원소가 인듐 1몰에 대해 0.00001∼0.26 몰 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막의 제조방법에 있다.
이러한 제 10의 태양에서는, 절연성 산화물을 소정량 첨가한 산화 인듐계 스퍼터링 타겟을 사용함으로써, 타겟 자체의 저항률을 크게 변화시키지 않고, DC 마그네트론 스퍼터링에 의해 저항률이 0.8×l0-3∼10×l0-3Ωcm의 투명 도전막을 형성할 수 있다.
본 발명의 제 11의 태양은, 제 7∼10의 태양중 어느 하나의 태양에 있어서, 주석(Sn)이 인듐 1몰에 대해 0∼0.3 몰 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막의 제조방법에 있다.
이러한 제 11의 태양에서는, 산화 인듐을 주체로 하고, 필요에 따라서 산화주석을 함유하는 스퍼터링 타겟을 사용하여, DC 마그네트론 스퍼터링에 의해 저항률이 0.8×l0-3∼10×l0-3Ωcm의 투명 도전막을 형성할 수 있다.
본 발명의 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟은, 산화 인듐을 주체로 하고, 필요에 따라서 산화주석을 함유하는 것으로서, 또한 절연성 산화물을 함유하는 산화물 소결물체이고, 각각의 산화물은, 그 산화물대로, 또는 복합 산화물로서, 또는 고용체로서 존재하고 있으면 되고, 특별히 한정되지 않는다.
여기서, 절연성 산화물로서는, 산화 규소, 산화 알루미늄, 산화 탄탈, 산화 하프늄, 산화 니오브, 산화 이트륨, 산화 세륨, 산화 프라세오디뮴, 산화 베릴륨, 산화 마그네슘, 산화 칼슘, 산화 스트론튬, 산화 베릴륨, 산화 스칸듐, 산화 티탄, 산화 지르코늄, 산화 바나듐, 산화 보론, 산화 갈륨, 산화 아연, 산화 크롬, 산화 망간, 산화 철, 산화 몰리브덴, 산화 인, 산화 란타노이드 등을 들 수 있다.
절연성 산화물로서는, 0∼1600℃정도의 범위내에서, 산화 인듐보다도 표준 생성 에너지가 낮은 것이 좋다. 산화 인듐보다도 화학적으로 안정하고, 분해하기 어렵기 때문이다.
절연성 산화물의 함유량은, 그것을 구성하는 원소가 인듐 1몰에 대해 0.00001∼0.26 몰 함유되어 있는 범위로 하는 것이 바람직하다. 이것보다 적으면 첨가의 효과는 현저하지 않고, 또, 이것보다 많아지면, 형성되는 투명 도전막이 지나치게 고저항이기 때문이다.
또, 주석(Sn)은, 인듐 1몰에 대해 0∼0.3몰 이다. 주석이 함유되는 경우에는, 인듐 1몰에 대해 0.001∼0.3 몰, 바람직하게는, 0.01∼0.15 몰, 보다 바람직하게는 0.05∼0.1 몰의 범위에서 함유되는 것이 바람직하다. 이 범위내이면, 스퍼터링 타겟의 캐리어 전자의 밀도 및 이동도를 적절하게 컨트롤하여 도전성을 양호한 범위로 유지할 수 있다. 또, 이 범위를 초과하여 첨가하면, 스퍼터링 타겟의 캐리어 전자의 이동도를 저하시킴과 동시에 도전성을 열화시키는 방향으로 움직이므로 바람직하지 않다.
이러한 본 발명의 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟은, DC 마그네트론 스퍼터링으로 스퍼터링 가능한 정도의 저항값을 갖고 있는데, 저항률이 0.8×l0-3∼10×l0-3Ωcm의 투명 도전막을 형성할 수 있다.
또한, 물론, 고주파 마그네트론 스퍼터링 장치를 사용하여 저항률이 0.8×l0-3∼10×l0-3Ωcm의 투명 도전막을 형성해도 된다.
다음에, 본 발명의 스퍼터링 타겟의 제조방법에 대해서 설명하는데, 이것은 단지 예시한 것이고, 제조방법은 특별히 한정되는 것은 아니다.
먼저, 본 발명의 스퍼터링용 타겟을 구성하는 출발원료로서는, 일반적으로 In203, SnO2, SiO2의 분말이다. 더욱이, 이들의 단체, 화합물, 복합 산화물 등을 원료로 해도 좋다. 단체, 화합물을 사용하는 경우는 미리 산화물로 하는 프로세스를 통과시키도록 한다.
이들 원료분말을 원하는 배합율로 혼합하고, 성형하는 방법은 특별히 한정되지 않고, 종래로부터 공지인 각종 습식법 또는 건식법을 사용할 수 있다.
건식법으로서는, 냉간프레스(cold　press)법이나 열간프레스(hot　press)법 등을 들 수 있다. 냉간프레스법에서는, 혼합분말을 성형다이에 충전하여 성형체를 제작하고, 대기 분위기하 또는 산소 분위기하에서 소성·소결시킨다. 열간프레스 법에서는, 혼합분말을 성형다이내에서 직접 소결시킨다.
습식법으로서는, 예를 들어, 여과 성형법(일본 특개평 11-286002호 공보 참조)을 사용하는 것이 바람직하다. 이 여과식 성형법은, 세라믹스 원료 슬러리로부터 수분을 감압 배수하여 성형체를 얻기 위한 비수용성 재료로 이루어지는 여과식 성형몰드로서, 1개 이상의 물빼기 구멍을 갖는 성형용 하부몰드와, 이 성형용 하부몰드의 상부에 얹어놓은 통수성을 갖는 필터와, 이 필터를 실링하기 위한 실링재를 통해서 상면측으로부터 협지하는 성형용 몰드틀로 이루어지고, 상기 성형용 하부몰드, 성형용 몰드틀, 실링재, 및 필터를 각각 분해할 수 있도록 조립되어 있고, 이 필터면측으로부터만 슬러리중의 수분을 감압배수하는 여과식 성형몰드를 사용하고, 혼합분말, 이온교환수와 유기첨가제로 이루어지는 슬러리를 조제하고, 이 슬러리를 여과식 성형몰드에 주입하고, 이 필터면측으로부터만 슬러리중의 수분을 감압 배수하여 성형체를 제작하고, 얻어진 세라믹스 성형체를 건조 탈지후, 소성한다.
각 방법에 있어서, 소성온도는 13O0∼1600℃가 바람직하고, 더욱 바람직하게는, 1300∼1450℃이다. 그 후, 소정 치수로 성형·가공을 위한 기계가공을 실시하여 타겟으로 한다.
발명의 실시의 형태
이하, 본 발명을 실시예에 근거하여 설명하는데, 이것에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
순도〉99.99%의 In2O3 분말 및 SnO2 분말, 더욱이 순도〉99.9%의 SiO2 분말을 준비했다. 이 분말을, SnO2 10wt%, SiO2 5wt%, In203 85wt%의 비율로 전체량으로 약 1.5Kg 준비하고(Si는 In 1몰에 대하여 약 0.13 몰에 상당함), 여과 성형법에 따라서 성형체를 얻었다. 그 후, 이 소성체를 산소 분위기하에서 1550℃로 8시간 소성·소결시켰다. 이 소결체를 가공하여, 이론밀도에 대한 상대밀도 100%의 타겟을 얻었다. 이 타겟의 벌크 저항률은 2.4×10-4Ωcm였다.
이 타겟을 사용하여, 이하와 같은 조건으로 DC 마그네트론 스퍼터에 의해 성막하여, 두께 1200Å의 막을 얻었다.
타겟 치수: ø=6 in. t=6 mm
스퍼터 방식: DC 마그네트론 스퍼터
배기장치=로터리 펌프＋크라이오 펌프(cryo-pump)
도달 진공도: 4.0×l0-6[Torr]
Ar 압력: 3.0×10-3[Torr]
산소압력: 1∼1O×10-5[Torr]
기판온도: 200℃
스퍼터 전력: 300W(전력밀도 1.6W/cm2)
사용기판: 텐팍스(액정 디스플레이용 유리) t=1.8mm
이 막의 저항률과 투과율을 분석함으로써, 도 1과 같은 산소분압에 대한 저항률과 파장 550nm의 투과율에 대해서의 관계를 얻었다.
(비교예 1)
순도〉99.99%의 In203 분말 및 SnO2 분말을 준비했다. 이 분말을, SnO 2 10wt%, In203 90wt%의 비율로 전량으로 약 1.5Kg 준비하고, 여과성형법에 의해 성형체를 얻었다. 그 후, 이 소성체를 산소 분위기하에서 1550℃로 8시간 소성·소결시켰다. 이 소결체를 가공하고, 이론밀도에 대한 상대밀도 99.6%의 타겟을 얻었다. 이 타겟의 벌크저항률은 1.7×10-4Ωcm였다.
이 타겟을 사용하여, 실시예 1과 동일한 조건으로 DC 마그네트론 스퍼터에 의해 성막하고, 두께 2000Å의 막을 얻었다. 이 막의 저항률과 투과율을 분석함으로써, 도 2와 같은 산소분압에 대한 저항률과 파장 550nm의 투과율에 대해서의 관계를 얻었다.
(실시예 2)
순도＞99.99%의 In203 분말 및 SnO2 분말, 더욱이 순도＞99.9%의 SiO2 분말을 준비했다. 이 분말을, SnO2 1Owt%, SiO2 10wt%, In205 80wt%의 비율로 전량으로 약 1.5Kg 준비하고(Si는 In　l몰에 대해 약 0.26 몰에 상당함), 여과 성형법에 의해서 성형체를 얻었다. 그 후, 이 소성체를 산소 분위기하에서 1550℃로 8시간 소성·소결시켰다. 이 소결체를 가공하고, 이론밀도에 대한 상대밀도 100%의 타겟을 얻 었다. 이 타겟의 벌크 저항률은 4.0×10-4Ωcm였다.
이 타겟을 사용하여, 실시예 1과 동일한 조건으로 DC 마그네트론 스퍼터에 의해 성막하고, 두께 1200Å의 막을 얻었다. 이 막의 저항률과 투과율을 분석함으로써, 도 3과 같은 산소분압에 대한 저항률과 파장 550nm의 투과율에 대해서의 관계를 얻었다.
(실시예 3)
순도＞99.99%의 In203 분말 및 SnO2 분말, 더욱이 순도＞99.9%의 SiO2 분말을 준비했다. 이 분말을, SnO2 1Owt%, SiO2 5wt%, In205 85wt%의 비율로 전체량으로 약 1.5Kg 준비하고(Si는 In　l몰에 대해 약 0.13 몰에 상당함), 여과 성형법에 따라서 성형체를 얻었다. 그 후, 이 소성체를 산소 분위기하에서 1450℃로 8시간 소성·소결시켰다. 이 소결체를 가공하여, 이론밀도에 대한 상대밀도 100%의 타겟을 얻었다. 이 타겟의 벌크 저항률은 3.0×10-4Ωcm였다.
이 타겟을 사용하여, 실시예 1과 동일한 조건으로 DC 마그네트론 스퍼터에 의해 성막하고, 두께 1200Å의 막을 얻었다. 이 막의 저항률과 투과율을 분석하자, 도 1과 대략 동등한 산소분압 특성을 나타냈다.
이상의 결과를 보면, 실시예 1∼3의 벌크 저항률은, 10-4Ωcm대 이고 비교예 1에 나타낸 종래의 ITO 타겟과 대략 동등한 값을 나타내고 있고, DC 마그네트론 스퍼터가 가능하다는 것을 알 수 있다.
또, 비교예 1에 나타낸 종래의 ITO 막의 산소분압 의존성에 비해, 실시예 1∼3에 나타낸 것도, 대략 동등한 특성을 가지며, 종래의 ITO 막의 성막방법을 사용할 수 있는 것을 알 수 있다.
비교예 1에 나타낸 종래의 ITO 막의 최적 산소분압에서의 저항률에 비해, 실시예 1의 저항률은 10배의 크기로 되어 있다. 또, 실시예 2에 대해서는, 1O0배의 크기로 되고 있다.
실제로, 상품에 적용할 때의 막 두께를 150Å정도로 하면, 실시예 1에서는 시트저항이 700Ω 정도로 된다. 한편, 실시예 2에서는 7000Ω 정도로 된다. 또, 막두께를 1500Å로 하면, 실시예 1에서는 시트저항이 70Ω 정도로 된다. 한편, 실시예 2에서는 700Ω 정도로 된다.
또, SnO2의 첨가량을 증가시키므로써 캐리어의 생성이 이루어지고, 저항이 내려가는 경향을 알고 있다. 이 점으로부터, SiO2 뿐만 아니라, SnO2의 첨가량을 조정함으로써 저항률을 컨트롤할 수 있는 것을 알 수 있다.
이상의 사실로부터, SnO2, SiO2의 양을 컨트롤함으로써, 최적인 저항률을 얻을 수 있는 것을 알 수 있다.
이상 설명한 바와 같이, 본 발명에 의하면, 저항률이 0.8×l0-3∼10×l0-3Ωcm 정도의 투명 도전막을 형성하기 위한 고저항 투명 도전막용 산화 인듐계 스퍼터링 타겟으로서, 산화 인듐과 필요에 따라서 산화주석을 함유하고, 또한 절연성 산화물을 함유하는 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟를 제공할 수 있고, 이것에 의해, 기본적으로는 DC 마그네트론 스퍼터링 장치로, 투명하고 또한 고저항인 막을 성막할 수 있는 고저항 투명 도전막을 제조할 수 있다.

Claims (16)

  1. 저항률이 0.8×l0-3∼10×l0-3Ωcm 정도의 고저항 투명 도전막을 형성하기 위한 고저항 투명 도전막용 산화 인듐계 스퍼터링 타겟으로서, 산화 인듐을 함유하고, 또한 산화규소로 이루어지는 절연성 산화물을 함유하고 있으며, 벌크 저항율이 10-4대인 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 절연성 산화물을 구성하는 원소는 인듐 1몰에 대해 0.00001∼0.26 몰 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟.
  5. 삭제
  6. 삭제
  7. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, 산화주석을 더 함유하고, 상기 주석(Sn)은 인듐 1몰에 대해 0보다 크고 0.3 몰 이하로 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟.
  8. 제 1 항 또는 제 4 항에 있어서, DC 마그네트론 스퍼터링에 의해 저항률이 0.8×l0-3∼10×10-3Ωcm인 투명 도전막을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟.
  9. 제 7 항에 있어서, DC 마그네트론 스퍼터링에 의해 저항률이 0.8×l0-3∼10×10-3Ωcm인 투명 도전막을 형성할 수 있는 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막용 스퍼터링 타겟.
  10. 산화 인듐을 함유하고, 또한 산화규소로 이루어지는 절연성 산화물을 함유하고 있으며 벌크 저항율이 10-4대인 산화 인듐계 스퍼터링 타겟을 사용하고, DC 마그네트론 스퍼터링에 의해 저항률이 0.8×l0-3∼10×10-3Ωcm의 투명 도전막을 형성하는 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막의 제조방법.
  11. 삭제
  12. 삭제
  13. 제 10 항에 있어서, 상기 절연성 산화물을 구성하는 원소는 인듐 l몰에 대해 0.00001∼0.26 몰 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막의 제조방법.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제 10 항 또는 제 13항에 있어서, 산화주석을 더 함유하고, 상기 주석(Sn)은 인듐 1몰에 대해 0보다 크고 0.3 몰이하로 함유되어 있는 것을 특징으로 하는 고저항 투명 도전막의 제조방법.
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Families Citing this family (45)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4488184B2 (ja) * 2004-04-21 2010-06-23 出光興産株式会社 酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜
WO2006134694A1 (ja) 2005-06-15 2006-12-21 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. スパッタリングターゲット用酸化クロム粉末及びスパッタリングターゲット
WO2007004473A1 (ja) * 2005-07-01 2007-01-11 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Ｉｚｏスパッタリングターゲットの製造方法
JP2007176706A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット及び透明導電膜
EP2669402A1 (en) * 2006-12-13 2013-12-04 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Sputtering target and oxide semiconductor film
KR100844894B1 (ko) * 2007-01-16 2008-07-09 (주)레이저옵텍 자성 반도체 박막 및 이의 제조방법
KR100787635B1 (ko) * 2007-01-22 2007-12-21 삼성코닝 주식회사 산화인듐주석 타겟, 이의 제조 방법 및 이로부터 제조된산화인듐주석 투명 전극
US8252206B2 (en) * 2007-06-26 2012-08-28 Jx Nippon Mining & Metals Corporation Amorphous film of composite oxide, crystalline film of composite oxide, method of producing said films and sintered compact of composite oxide
KR101294328B1 (ko) * 2007-06-28 2013-08-07 삼성코닝정밀소재 주식회사 산화 인듐 주석 타겟, 이의 제조 방법 및 이로부터 제조된산화 인듐 주석 투명 전극
KR101208380B1 (ko) * 2007-09-27 2012-12-05 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 ＺｎＯ 증착재와 그 제조 방법, 및 ＺｎＯ 막
TWI461365B (zh) * 2007-10-03 2014-11-21 Mitsui Mining & Smelting Co 氧化銦系靶
KR101049560B1 (ko) * 2008-11-11 2011-07-15 희성금속 주식회사 고밀도 산화 아연계 스퍼터링 타겟
JP5392633B2 (ja) * 2009-07-21 2014-01-22 日立金属株式会社 ＺｎＯ系透明導電膜用ターゲットおよびその製造方法
CN105439541B (zh) * 2009-10-06 2018-09-14 吉坤日矿日石金属株式会社 氧化铟烧结体、氧化铟透明导电膜以及该透明导电膜的制造方法
KR101283686B1 (ko) * 2009-11-18 2013-07-08 주식회사 나노신소재 열안정성 투명 도전막 및 투명 도전막의 제조방법
KR20140071502A (ko) * 2009-11-19 2014-06-11 가부시키가이샤 아루박 투명 도전막의 제조 방법, 투명 도전막의 제조 장치, 스퍼터링 타겟 및 투명 도전막
JP4968318B2 (ja) * 2009-12-22 2012-07-04 住友金属鉱山株式会社 酸化物蒸着材
KR101298897B1 (ko) * 2010-06-25 2013-08-21 주식회사 유아이디 터치 패널의 코팅 유리용 ｉｔｏ 타겟
GB2482544A (en) * 2010-08-06 2012-02-08 Advanced Tech Materials Making high density indium tin oxide sputtering targets
CN102383090B (zh) * 2010-08-25 2015-11-25 三菱综合材料株式会社 薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材
JP2012180248A (ja) * 2011-03-02 2012-09-20 Kobelco Kaken:Kk 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
KR101298490B1 (ko) * 2011-05-02 2013-08-21 한국생산기술연구원 몰리브덴이 도핑된 ｉｔｏ계 ｔｃｏ 박막 및 이의 코팅방법
US9039944B2 (en) * 2011-07-06 2015-05-26 Idemitsu Kosan Co., Ltd. Sputtering target
JP5301021B2 (ja) * 2011-09-06 2013-09-25 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット
KR101128499B1 (ko) * 2011-10-25 2012-03-27 희성금속 주식회사 고밀도 산화아연 타겟 및 투명도전막의 제조 방법
KR101240197B1 (ko) * 2011-11-18 2013-03-06 주식회사 나노신소재 열 안정성이 우수한 투명도전막, 투명도전막용 타겟 및 투명도전막용 타겟의 제조방법
TW201422835A (zh) * 2012-12-03 2014-06-16 Solar Applied Mat Tech Corp 濺鍍靶材及導電金屬氧化物薄膜
CN104099562A (zh) * 2013-04-09 2014-10-15 海洋王照明科技股份有限公司 导电薄膜、其制备方法及应用
WO2015059938A1 (ja) * 2013-10-24 2015-04-30 Jx日鉱日石金属株式会社 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び高屈折率の導電性酸化物薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法
JP6560497B2 (ja) * 2015-01-27 2019-08-14 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ−Ｚｎ−Ｗ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6042520B1 (ja) * 2015-11-05 2016-12-14 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6125689B1 (ja) * 2016-03-31 2017-05-10 Ｊｘ金属株式会社 酸化インジウム−酸化亜鉛系（ｉｚｏ）スパッタリングターゲット
JP6842927B2 (ja) 2017-01-06 2021-03-17 株式会社ジャパンディスプレイ タッチ検出装置及びタッチ検出機能付き表示装置
JP6849481B2 (ja) 2017-03-02 2021-03-24 株式会社ジャパンディスプレイ 検出装置及び表示装置
CN110546299B (zh) * 2017-05-15 2022-09-30 三井金属矿业株式会社 透明导电膜用溅射靶
CN110546300B (zh) * 2017-05-15 2022-09-30 三井金属矿业株式会社 透明导电膜用溅射靶
KR102321663B1 (ko) 2017-07-11 2021-11-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR102321724B1 (ko) 2017-07-11 2021-11-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
JP7086080B2 (ja) * 2017-08-08 2022-06-17 三井金属鉱業株式会社 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
CN107628811A (zh) * 2017-08-11 2018-01-26 东台市超品光电材料有限公司 大尺寸绑定式镓和钇共掺杂氧化锌旋转陶瓷管靶材
CN109796209B (zh) * 2019-03-11 2022-03-29 华南理工大学 一种(Ti, Zr, Hf, Ta, Nb)B2高熵陶瓷粉体及其制备方法
CN112103177B (zh) * 2020-09-22 2023-01-24 山东大学 一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的制备方法
CN112359333B (zh) * 2020-10-27 2022-11-04 金堆城钼业股份有限公司 一种制备大尺寸、高纯度、高致密度三氧化钼靶材的方法
KR20220093625A (ko) 2020-12-28 2022-07-05 엘지디스플레이 주식회사 컬러필터 기판 및 이를 포함하는 인셀 터치방식 디스플레이 장치
CN115261792B (zh) * 2022-07-05 2023-10-13 锦西化工研究院有限公司 一种电致变色涂层的制备方法

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5788028A (en) * 1980-11-14 1982-06-01 Asahi Glass Co Ltd Formation of electrically conductive transparent film of indium oxide
JPH0664959A (ja) * 1992-08-19 1994-03-08 Tosoh Corp Ｉｔｏ焼結体
JPH07258836A (ja) * 1994-03-22 1995-10-09 Tosoh Corp アルミニウムドープ酸化亜鉛焼結体およびその製造方法並びにその用途
JPH09209134A (ja) * 1996-01-31 1997-08-12 Idemitsu Kosan Co Ltd ターゲットおよびその製造方法
JPH11323531A (ja) * 1998-05-15 1999-11-26 Kobe Steel Ltd 加工性に優れた透明導電膜
JP2989886B2 (ja) * 1990-11-30 1999-12-13 日東電工株式会社 アナログ式タツチパネル
KR20000016930A (ko) * 1998-08-26 2000-03-25 포만 제프리 엘 적외선투과에우수한투명도전막및그제조방법

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5071800A (en) * 1989-02-28 1991-12-10 Tosoh Corporation Oxide powder, sintered body, process for preparation thereof and targe composed thereof
JPH05222526A (ja) * 1992-02-07 1993-08-31 Asahi Glass Co Ltd Ｉｔｏ透明導電膜用スパッタリングターゲットとその製造方法
US5433901A (en) * 1993-02-11 1995-07-18 Vesuvius Crucible Company Method of manufacturing an ITO sintered body
JP3501614B2 (ja) * 1997-02-26 2004-03-02 株式会社オプトロン Ｉｔｏ焼結体およびその製造方法ならびに前記ｉｔｏ焼結体を用いたｉｔｏ膜の成膜方法
JP3841388B2 (ja) * 1998-02-16 2006-11-01 日鉱金属株式会社 光ディスク用保護膜及び光ディスクの保護膜形成用スパッタリングターゲット

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5788028A (en) * 1980-11-14 1982-06-01 Asahi Glass Co Ltd Formation of electrically conductive transparent film of indium oxide
JP2989886B2 (ja) * 1990-11-30 1999-12-13 日東電工株式会社 アナログ式タツチパネル
JPH0664959A (ja) * 1992-08-19 1994-03-08 Tosoh Corp Ｉｔｏ焼結体
JPH07258836A (ja) * 1994-03-22 1995-10-09 Tosoh Corp アルミニウムドープ酸化亜鉛焼結体およびその製造方法並びにその用途
JPH09209134A (ja) * 1996-01-31 1997-08-12 Idemitsu Kosan Co Ltd ターゲットおよびその製造方法
JPH11323531A (ja) * 1998-05-15 1999-11-26 Kobe Steel Ltd 加工性に優れた透明導電膜
KR20000016930A (ko) * 1998-08-26 2000-03-25 포만 제프리 엘 적외선투과에우수한투명도전막및그제조방법

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Publication number Publication date
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