JP2010031382A - 高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法 - Google Patents

高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法 Download PDF

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Cited By (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2482544A (en) * 2010-08-06 2012-02-08 Advanced Tech Materials Making high density indium tin oxide sputtering targets
CN104099562A (zh) * 2013-04-09 2014-10-15 海洋王照明科技股份有限公司 导电薄膜、其制备方法及应用
JP2015107909A (ja) * 2013-10-24 2015-06-11 Jx日鉱日石金属株式会社 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び高屈折率の導電性酸化物薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法
CN107628811A (zh) * 2017-08-11 2018-01-26 东台市超品光电材料有限公司 大尺寸绑定式镓和钇共掺杂氧化锌旋转陶瓷管靶材
CN109796209A (zh) * 2019-03-11 2019-05-24 华南理工大学 一种(Ti, Zr, Hf, Ta, Nb)B2高熵陶瓷粉体及其制备方法
US10423021B2 (en) 2017-03-02 2019-09-24 Japan Display Inc. Detection device and display device
CN112359333A (zh) * 2020-10-27 2021-02-12 金堆城钼业股份有限公司 一种制备大尺寸、高纯度、高致密度三氧化钼靶材的方法
US11029793B2 (en) 2017-01-06 2021-06-08 Japan Display Inc. Touch detecting device and touch-detection capable display device

Families Citing this family (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4488184B2 (ja) * 2004-04-21 2010-06-23 出光興産株式会社 酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜
JP4727664B2 (ja) 2005-06-15 2011-07-20 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 スパッタリングターゲット用酸化クロム粉末及びスパッタリングターゲット
KR101317080B1 (ko) * 2005-07-01 2013-10-11 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 Ｉｚｏ 스퍼터링 타겟의 제조방법
JP2007176706A (ja) * 2005-12-26 2007-07-12 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット及び透明導電膜
KR101699968B1 (ko) * 2006-12-13 2017-01-26 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 스퍼터링 타겟 및 산화물 반도체막
KR100844894B1 (ko) * 2007-01-16 2008-07-09 (주)레이저옵텍 자성 반도체 박막 및 이의 제조방법
KR100787635B1 (ko) * 2007-01-22 2007-12-21 삼성코닝 주식회사 산화인듐주석 타겟, 이의 제조 방법 및 이로부터 제조된산화인듐주석 투명 전극
WO2009001693A1 (ja) * 2007-06-26 2008-12-31 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. アモルファス複合酸化膜、結晶質複合酸化膜、アモルファス複合酸化膜の製造方法、結晶質複合酸化膜の製造方法および複合酸化物焼結体
KR101294328B1 (ko) * 2007-06-28 2013-08-07 삼성코닝정밀소재 주식회사 산화 인듐 주석 타겟, 이의 제조 방법 및 이로부터 제조된산화 인듐 주석 투명 전극
KR101208380B1 (ko) * 2007-09-27 2012-12-05 미쓰비시 마테리알 가부시키가이샤 ＺｎＯ 증착재와 그 제조 방법, 및 ＺｎＯ 막
WO2009044888A1 (ja) * 2007-10-03 2009-04-09 Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. 酸化インジウム系ターゲット
KR101049560B1 (ko) * 2008-11-11 2011-07-15 희성금속 주식회사 고밀도 산화 아연계 스퍼터링 타겟
KR101412319B1 (ko) * 2009-07-21 2014-06-26 히타치 긴조쿠 가부시키가이샤 ＺｎＯ계 투명 도전막용 타깃 및 그 제조 방법
CN105439541B (zh) * 2009-10-06 2018-09-14 吉坤日矿日石金属株式会社 氧化铟烧结体、氧化铟透明导电膜以及该透明导电膜的制造方法
KR101283686B1 (ko) * 2009-11-18 2013-07-08 주식회사 나노신소재 열안정성 투명 도전막 및 투명 도전막의 제조방법
KR20120070597A (ko) * 2009-11-19 2012-06-29 가부시키가이샤 아루박 투명 도전막의 제조 방법, 투명 도전막의 제조 장치, 스퍼터링 타겟 및 투명 도전막
JP4968318B2 (ja) * 2009-12-22 2012-07-04 住友金属鉱山株式会社 酸化物蒸着材
KR101298897B1 (ko) * 2010-06-25 2013-08-21 주식회사 유아이디 터치 패널의 코팅 유리용 ｉｔｏ 타겟
CN102383090B (zh) * 2010-08-25 2015-11-25 三菱综合材料株式会社 薄膜形成用气相沉积材、具备该薄膜的薄膜片材和层压片材
JP2012180248A (ja) * 2011-03-02 2012-09-20 Kobelco Kaken:Kk 酸化物焼結体およびスパッタリングターゲット
KR101298490B1 (ko) * 2011-05-02 2013-08-21 한국생산기술연구원 몰리브덴이 도핑된 ｉｔｏ계 ｔｃｏ 박막 및 이의 코팅방법
CN103620084B (zh) * 2011-07-06 2016-03-02 出光兴产株式会社 溅射靶
JP5301021B2 (ja) * 2011-09-06 2013-09-25 出光興産株式会社 スパッタリングターゲット
KR101128499B1 (ko) * 2011-10-25 2012-03-27 희성금속 주식회사 고밀도 산화아연 타겟 및 투명도전막의 제조 방법
KR101240197B1 (ko) * 2011-11-18 2013-03-06 주식회사 나노신소재 열 안정성이 우수한 투명도전막, 투명도전막용 타겟 및 투명도전막용 타겟의 제조방법
TW201422835A (zh) * 2012-12-03 2014-06-16 Solar Applied Mat Tech Corp 濺鍍靶材及導電金屬氧化物薄膜
JP6560497B2 (ja) * 2015-01-27 2019-08-14 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ−Ｚｎ−Ｗ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6042520B1 (ja) * 2015-11-05 2016-12-14 デクセリアルズ株式会社 Ｍｎ−Ｚｎ−Ｏ系スパッタリングターゲット及びその製造方法
JP6125689B1 (ja) * 2016-03-31 2017-05-10 Ｊｘ金属株式会社 酸化インジウム−酸化亜鉛系（ｉｚｏ）スパッタリングターゲット
CN110546300B (zh) * 2017-05-15 2022-09-30 三井金属矿业株式会社 透明导电膜用溅射靶
KR102268160B1 (ko) * 2017-05-15 2021-06-21 미쓰이금속광업주식회사 투명 도전막용 스퍼터링 타깃
KR102321663B1 (ko) 2017-07-11 2021-11-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
KR102321724B1 (ko) 2017-07-11 2021-11-03 엘지디스플레이 주식회사 유기발광소자를 이용한 조명장치 및 그 제조방법
CN110741106A (zh) * 2017-08-08 2020-01-31 三井金属矿业株式会社 氧化物烧结体及溅射靶
CN112103177B (zh) * 2020-09-22 2023-01-24 山东大学 一种非晶铟铝锡氧化物半导体薄膜的制备方法
KR20220093625A (ko) 2020-12-28 2022-07-05 엘지디스플레이 주식회사 컬러필터 기판 및 이를 포함하는 인셀 터치방식 디스플레이 장치
CN115261792B (zh) * 2022-07-05 2023-10-13 锦西化工研究院有限公司 一种电致变色涂层的制备方法

Family Cites Families (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5788028A (en) * 1980-11-14 1982-06-01 Asahi Glass Co Ltd Formation of electrically conductive transparent film of indium oxide
US5071800A (en) * 1989-02-28 1991-12-10 Tosoh Corporation Oxide powder, sintered body, process for preparation thereof and targe composed thereof
JP2989886B2 (ja) * 1990-11-30 1999-12-13 日東電工株式会社 アナログ式タツチパネル
JPH05222526A (ja) * 1992-02-07 1993-08-31 Asahi Glass Co Ltd Ｉｔｏ透明導電膜用スパッタリングターゲットとその製造方法
JPH0664959A (ja) * 1992-08-19 1994-03-08 Tosoh Corp Ｉｔｏ焼結体
US5433901A (en) * 1993-02-11 1995-07-18 Vesuvius Crucible Company Method of manufacturing an ITO sintered body
JP3864425B2 (ja) * 1994-03-22 2006-12-27 東ソー株式会社 アルミニウムドープ酸化亜鉛焼結体およびその製造方法並びにその用途
JP3803132B2 (ja) * 1996-01-31 2006-08-02 出光興産株式会社 ターゲットおよびその製造方法
JP3501614B2 (ja) * 1997-02-26 2004-03-02 株式会社オプトロン Ｉｔｏ焼結体およびその製造方法ならびに前記ｉｔｏ焼結体を用いたｉｔｏ膜の成膜方法
JP3841388B2 (ja) * 1998-02-16 2006-11-01 日鉱金属株式会社 光ディスク用保護膜及び光ディスクの保護膜形成用スパッタリングターゲット
JP3780100B2 (ja) * 1998-05-15 2006-05-31 株式会社神戸製鋼所 加工性に優れた透明導電膜
JP2000067657A (ja) * 1998-08-26 2000-03-03 Internatl Business Mach Corp <Ibm> 赤外線透過に優れた透明導電膜及びその製造方法

Cited By (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB2482544A (en) * 2010-08-06 2012-02-08 Advanced Tech Materials Making high density indium tin oxide sputtering targets
CN104099562A (zh) * 2013-04-09 2014-10-15 海洋王照明科技股份有限公司 导电薄膜、其制备方法及应用
JP2015107909A (ja) * 2013-10-24 2015-06-11 Jx日鉱日石金属株式会社 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び高屈折率の導電性酸化物薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法
JP2015107910A (ja) * 2013-10-24 2015-06-11 Jx日鉱日石金属株式会社 酸化物焼結体、酸化物スパッタリングターゲット及び高屈折率の導電性酸化物薄膜並びに酸化物焼結体の製造方法
US11029793B2 (en) 2017-01-06 2021-06-08 Japan Display Inc. Touch detecting device and touch-detection capable display device
US10423021B2 (en) 2017-03-02 2019-09-24 Japan Display Inc. Detection device and display device
US10969614B2 (en) 2017-03-02 2021-04-06 Japan Display Inc. Detection device
US11391978B2 (en) 2017-03-02 2022-07-19 Japan Display Inc. Detection device
CN107628811A (zh) * 2017-08-11 2018-01-26 东台市超品光电材料有限公司 大尺寸绑定式镓和钇共掺杂氧化锌旋转陶瓷管靶材
CN109796209A (zh) * 2019-03-11 2019-05-24 华南理工大学 一种(Ti, Zr, Hf, Ta, Nb)B2高熵陶瓷粉体及其制备方法
CN112359333A (zh) * 2020-10-27 2021-02-12 金堆城钼业股份有限公司 一种制备大尺寸、高纯度、高致密度三氧化钼靶材的方法
CN112359333B (zh) * 2020-10-27 2022-11-04 金堆城钼业股份有限公司 一种制备大尺寸、高纯度、高致密度三氧化钼靶材的方法

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