JPH0664959A

JPH0664959A - Ｉｔｏ焼結体

Info

Publication number: JPH0664959A
Application number: JP4241396A
Authority: JP
Inventors: Kimitaka Kuma; 公貴隈; Ryoji Yoshimura; 了治吉村; Kazuaki Yamamoto; 和明山本; Nobuhiro Ogawa; 展弘小川; Takashi Mori; 隆毛利
Original assignee: Tosoh Corp
Current assignee: Tosoh Corp
Priority date: 1992-08-19
Filing date: 1992-08-19
Publication date: 1994-03-08

Abstract

(57)【要約】【構成】焼結密度が９０〜１００％、焼結粒径が
１〜２０μｍで、（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）_２Ｏ_３の量
が１０％以下であるＩＴＯ焼結体およびこれを用いたス
パッタリングターゲット。【効果】スパッタレートが早く、ノジュールの発
生、割れを防止でき、更に低温基板にきわめて低抵抗で
透明な導電膜が得られる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、ＩＴＯ焼結体およびＩ
ＴＯ焼結体を用いた透明導電膜用のスパッタリングタ−
ゲットに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶を中心とする表示デバイスの発展に
伴い、透明導電膜の需要が増加している。液晶の透明導
電膜としては低抵抗、高透明性が必要であり、これまで
電極材料としてはＩＴＯ（酸化インジウム、酸化錫）膜
が用いられている。ＩＴＯ透明導電膜の形成方法として
は操作性の簡便さという点からスパッタリング法が一般
的であり、特にＩＴＯ焼結体ターゲットを用いたスパッ
タリング法が広く適用されている。

【０００３】スパッタリング成膜を工業的に行なう場
合、スパッタリングに用いるターゲットはスパッタ操作
性に優れたものであることが好ましく、スパッタレート
の増大、ターゲット表面に生成する黒色のノジュール発
生の防止、熱衝撃等による割れの防止等の改善が望まれ
ている。

【０００４】近年、ＩＴＯ透明導電膜の高性能化が望ま
れているなか、特に低温基板上への低抵抗なＩＴＯ透明
導電膜の形成技術の開発が熱望されている。例えば、従
来の白黒液晶用の透明電極は３００℃以上の加熱ガラス
基板上に２×１０^−４Ωｃｍ以下の低抵抗な膜が成膜さ
れていたが、液晶デバイスのカラ−化、表示素子の微細
化、アクティブマトリックス方式の採用、ＴＦＴ、ＭＩ
Ｍの導入に伴い、より低温の基板上に低抵抗な透明導電
膜を形成する必要性が増大している。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、従来のスパ
ッタリング成膜装置を用い、スパッタレートの増大、ノ
ジュールの発生防止、割れの防止等のスパッタ操作性に
優れ、かつ低温基板において特に低抵抗な透明導電膜を
形成可能なスパッタリングタ−ゲットを提供するもので
ある。

【０００６】

【課題を解決するための手段】本発明者等は、ＩＴＯ焼
結体の焼結密度、焼結粒径と透明導電膜を形成する際の
スパッタリング特性について詳細に検討した結果、焼結
密度が９０％以上１００％以下、焼結粒径が１μｍ以上
２０μｍ以下、かつ（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）_２Ｏ_３の
量が１０％以下であるＩＴＯ焼結体を用いてスパッタリ
ング成膜した場合、スパッタレートが最も早く、ノジュ
ール発生の抑制、割れの防止に非常に効果的であり、更
には、低温基板にスパッタ成膜する際に極めて低抵抗な
膜が得られることを見出し、本発明を完成するに至っ
た。

【０００７】以下、本発明を詳細に説明する。

【０００８】本発明のＩＴＯ焼結体の組成としては、酸
化インジウムに対する酸化錫の含有量が０ｗｔ％より大
きく２０ｗｔ％の範囲であることが好ましく、特に好ま
しくは３ｗｔ％〜１５ｗｔ％の範囲である。

【０００９】本発明のＩＴＯ焼結体の焼結密度は、９０
％以上１００％以下である（ＩＴＯの真密度は７．１５
ｇ／ｃｍ^３）。ＩＴＯ焼結体の密度が９０％未満のもの
は、タ−ゲットの比抵抗が高くなるため、スパッタ成膜
中の放電が不安定となり、更に、放電電圧が上昇するた
め、プラズマ中に発生する負イオンによる膜へのダメ−
ジが増大し、低温基板上に低抵抗で高性能な膜を成膜す
ることが困難になってしまう。本発明のＩＴＯ焼結体に
よるスパッタリングターゲットの比抵抗は、１×１０
^−３Ωｃｍ以下、好ましくは７×１０^−４Ωｃｍ以下と
なる。

【００１０】また、タ−ゲットの密度が９０％未満のも
のは、抗折力が低くなるため好ましくない。本発明のタ
−ゲットの抗折力は、７ｋｇ／ｍｍ^２以上、好ましくは
１０ｋｇ／ｍｍ^２以上となる。

【００１１】更には、タ−ゲットの密度が９０％未満の
ものは、タ−ゲットの熱伝導率が低下するため、冷却効
果が悪化し、スパッタ成膜中、タ−ゲットの表面が黒色
化し、ノジュ−ルが発生するので好ましくない。本発明
のＩＴＯ焼結体によるスパッタリングターゲットの熱伝
導率は、１５×１０^−３ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃以
上、特に２０×１０^−３ｃａｌ／ｃｍ・ｓｅｃ・℃以上
となる。

【００１２】本発明のＩＴＯ焼結体の焼結粒径は１μｍ
以上２０μｍ以下で、特に好ましくは５〜１５μｍの範
囲である。ＩＴＯタ−ゲットの焼結粒径が１μｍ未満の
ものは、成膜速度が遅く、透明導電膜の生産性が低下す
るため好ましくない。一方、焼結粒径が２０μｍを越え
る焼結体は、機械的強度が弱くなり、スパッタ成膜中、
熱衝撃等によるタ−ゲットの割れ等が発生し好ましくな
い。また、焼結粒径が２０μｍを越える焼結体は熱膨張
係数が必要以上に大きくなる。熱膨張係数が大きいター
ゲットは、スパッタ成膜中、タ−ゲット表面が加熱され
ることにより、ターゲットが膨張し、バッキングプレ−
トから剥離しやすくなる。この結果、タ−ゲットの冷却
効果が悪くなるため、長時間スパッタリングするとタ−
ゲット表面にノジュールが発生しやすくなるため好まし
くない。

【００１３】本発明のＩＴＯ焼結体は（Ｉｎ_０．６Ｓｎ
_０．４）_２Ｏ_３の量が１０％以下であり、好ましくは５
％以下のターゲットである。（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）
_２Ｏ_３の量が１０％を越えるタ−ゲットは、（Ｉｎ
_０．６Ｓｎ_０．４）_２Ｏ_３がＩＴＯ（Ｉｎ／Ｓｎ＝約
６）に比べて錫過剰の化合物（Ｉｎ／Ｓｎ＝１．５）で
あるため、錫の分布が不均一となり好ましくない。（Ｉ
ｎ_０．６Ｓｎ_０．４）_２Ｏ_３は、１２５０℃以上の焼結
温度で生成し、焼結温度が高いほど、焼結雰囲気の酸素
分圧が低いほど多く生成する。

【００１４】本発明でいう（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）_２
Ｏ_３の量とは、Ｘ線回折図形において２θ＝３０．２度
に現れる（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）_２Ｏ_３の回折ピーク
積分強度と、２θ＝３０．５度に現れるＩＴＯの回折ピ
ーク積分強度とから、以下の式に従って計算して算出す
る。但し、上記２つの回折ピ−クの２θは接近している
ため、Ｘ線回折図形を分離して積分強度を計算する必要
がある。（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）_２Ｏ_３量＝Ｉ_ｉｎｔ／（Ｉ
_ｉｎｔ＋Ｉ_ＩＴＯ）×１００（％）但し、Ｉ_ｉｎｔ：（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）_２Ｏ_３
の積分強度Ｉ_ＩＴＯ：ＩＴＯの積分強度尚、本計算は、ジャーナルオブアプライドクリス
タログラフィ（ＪｏｕｒｎａｌｏｆＡｐｐｌｉｅｄ
Ｃｒｙｓｔａｌｌｏｇｒａｐｈｙ），１９，４４０
（１９８６）に従って行った。

【００１５】次に本発明のＩＴＯ焼結体の製造方法に関
する好ましい実施態様を説明する。

【００１６】焼結体を製造する原料粉末としては、酸化
インジウムと酸化スズの混合粉末でも良いし、共沈粉末
でも良い。

【００１７】酸化インジウム粉末又は共沈粉末として
は、結晶子径が２００〜５００オングストロ−ム、結晶
子径とＢＥＴ相当径の違いが１００オングストロ−ム以
内であり、かつ０．１〜３μｍの範囲における粒度分布
測定より求めた比表面積は１ｍ^２／ｇ以上、平均粒子径
は２μｍ以下、更に０．１μｍ以下の範囲における粒度
分布測定より求めた平均粒子径は０．０９μｍ以下であ
る微細で高分散な粉末が挙げられる。なお、結晶子径
は、酸化インジウムの（２２２）Ｘ線回折ピ−クの半値
幅から求めることができ、ＢＥＴ相当径は、粉末のＢＥ
Ｔ比表面積を測定し、粒子を球に近似して求めることが
できる。また、粒度分布は、遠心沈降式の粒度分布測定
器によるのが一般的である。

【００１８】ＢＥＴ径と結晶子径の違いが１００オング
ストロ−ムを越える場合、凝集が激しく、高密度な焼結
体が得られない場合がある。また、特に、０．１μｍ以
下の範囲における粒度分布測定より求めた平均粒子径が
０．０９μｍを越える場合も凝集が大きく、９０％以上
の高密度化が困難になることがある。

【００１９】このような微細・高分散な酸化インジウム
又は共沈粉末を用いることにより、密度９０％以上のＩ
ＴＯ焼結体を容易に製造することができる。

【００２０】混合する酸化錫粉末としては、例えばＢＥ
Ｔ比表面積が３〜２０ｍ^２／ｇ、０．１〜３μｍの範囲
における粒度分布測定より求めた平均粒子径が０．２〜
２μｍの粉末が挙げられる。ＢＥＴ比表面積が大きく、
平均粒子径が大きい粉末は、凝集が激しく、焼結体中に
酸化錫の大きな塊が残る場合があるため好ましくない。

【００２１】混合粉末の調製は、当該酸化インジウム粉
末と酸化錫粉末を上記焼結体組成になるようにする。混
合方法はジルコニア、ウレタン樹脂等のボ−ルを用いた
ボ−ルミル、振動ミル、あるいはＶ型ブレンダ−、らい
かい機等の湿式あるいは乾式の混合方法が挙げられるが
特に限定されない。

【００２２】次に上記のようにして調製したＩＴＯ粉末
を成型する。成型方法としては、目的とした形状に合っ
た成型方法を選べばよく、金型成型法、鋳込み成型法等
を例示することができるが特に限定されない。焼結体の
高密度化のために、成型体は冷間静水圧プレス（ＣＩ
Ｐ）にて加圧処理することが好ましい。その時の圧力
は、３〜５ｔ／ｃｍ^２程度で良く、必要に応じて、ＣＩ
Ｐ処理を２〜５回程度繰り返してもよい。

【００２３】焼結温度は１２５０℃以上１６００℃以
下、特に好ましくは１３５０℃以上１５５０℃以下の範
囲である。焼結温度が１２５０℃未満の場合、密度が９
０％未満、焼結粒径が１μｍ未満である焼結体しか得ら
れないために好ましくない。また、焼結温度が１６００
℃を越える場合、焼結粒径が２０μｍを越えるものしか
得られないために好ましくない。また、本発明では、酸
化インジウム及びＩＴＯ粉末の粒径と分散性を制御して
いるため、１６００℃以下の温度でも容易に焼結密度９
０％以上を達成することが可能である。

【００２４】焼結時間は、数時間から数十時間が好まし
く、焼結雰囲気としては、特に限定されず大気中等で十
分である。

【００２５】焼結時の圧力は、焼結雰囲気の組成等によ
るが任意に設定できる。

【００２６】以上の様な方法で焼結密度が９０％以上１
００％以下、焼結粒径が１μｍ以上２０μｍ以下、かつ
（Ｉｎ^０．６Ｓｎ^０．４）^２Ｏ^３の量が１０％以下であ
る本発明のＩＴＯ焼結体の製造が可能となる。

【００２７】

【発明の効果】本発明のＩＴＯ焼結体は、焼結密度が９
０％以上１００％以下、焼結粒径が１μｍ以上２０μｍ
以下、かつ（Ｉｎ^０．６Ｓｎ^０．４）^２Ｏ^３の量が１０
％以下であるため、熱伝導性、抗折力が高く、比抵抗は
１×１０^−３Ωｃｍ以下であり、スパッタレ−トが最も
高く、タ−ゲットの割れやターゲット表面のノジュール
の発生を効果的に防止することが可能となった。また、
特に室温〜２００℃までの低温基板上に極めて低抵抗な
透明導電膜を提供することが可能となった。

【００２８】

【実施例】以下、実施例により本発明を更に具体的に説
明するが、本発明はこれに限定されるものではない。

【００２９】実施例１酸化インジウム粉末に酸化錫粉末を１０ｗｔ％混合し、
混合粉末を金型成型後、５ｔ／ｃｍ２でＣＩＰ処理し、
１２８０℃で５時間、酸素分圧０．２５ａｔｍで焼結し
た。

【００３０】このようにして得られた焼結体の密度は９
０％、焼結粒径は１μｍ、（Ｉｎ_０ _．６Ｓｎ_０．４）_２
Ｏ_３量は０％であった。

【００３１】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、表１に示した条件でＤＣマグネトロンスパッ
タリングにより透明導電膜を成膜した。

【００３２】

【００３３】得られた膜の比抵抗は、基板温度が３００
℃、２００℃、１２０℃でそれぞれ２．０×１０^−４Ω
ｃｍ、２．４×１０^−４Ωｃｍ、３．４×１０^−４Ωｃ
ｍであった。

【００３４】実施例２酸化インジウム粉末に酸化錫粉末を１０ｗｔ％混合し、
金型成型後、１６００℃で５時間、酸素分圧０．８ａｔ
ｍで焼結した。

【００３５】このようにして得られた焼結体の密度は９
０％、焼結粒径は２０μｍ、（Ｉｎ _０．６Ｓｎ_０．４）
_２Ｏ_３の量は１％であった。

【００３６】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜し
た。

【００３７】得られた膜の比抵抗は、基板温度が３００
℃、２００℃、１２０℃でそれぞれ２．０×１０^−４Ω
ｃｍ、２．５×１０^−４Ωｃｍ、３．４×１０^−４Ωｃ
ｍであった。

【００３８】実施例３酸化インジウム粉末に酸化錫粉末を１０ｗｔ％混合し、
金型成型後、２ｔ／ｃｍ^２の圧力でＣＩＰ処理し、１６
００℃で５時間、酸素分圧０．８ａｔｍで焼結した。

【００３９】このようにして得られた焼結体の密度は９
９％、焼結粒径は２０μｍ、（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）
_２Ｏ_３の量は１％であった。

【００４０】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜し
た。

【００４１】得られた膜の比抵抗は、基板温度が３００
℃、２００℃、１２０℃でそれぞれ１．７×１０^−４Ω
ｃｍ、２．１×１０^−４Ωｃｍ、２．１×１０^−４Ωｃ
ｍであった。

【００４２】実施例４酸化インジウム粉末に酸化錫粉末を１０ｗｔ％混合し、
金型成型後、５ｔ／ｃｍ^２の圧力でＣＩＰ処理を２回繰
返し、１３５０℃で５時間、酸素分圧０．８ａｔｍで焼
結した。

【００４３】このようにして得られた焼結体の密度は９
８％、焼結粒径は１μｍ、（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）_２
Ｏ_３の量は０％であった。

【００４４】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜し
た。

【００４５】得られた膜の比抵抗は、基板温度が３００
℃、２００℃、１２０℃でそれぞれ１．８×１０^−４Ω
ｃｍ、２．２×１０^−４Ωｃｍ、２．３×１０^−４Ωｃ
ｍであった。

【００４６】実施例５酸化インジウム粉末に酸化錫粉末を１０ｗｔ％混合し、
金型成型後、１３５０℃で５時間、酸素分圧０．２５ａ
ｔｍで焼結した。

【００４７】このようにして得られた焼結体の密度は９
１％、焼結粒径は２μｍ、（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）_２
Ｏ_３の量は８％であった。

【００４８】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜し
た。

【００４９】得られた膜の比抵抗は、基板温度が３００
℃、２００℃、１２０℃でそれぞれ２．０×１０^−４Ω
ｃｍ、２．２×１０^−４Ωｃｍ、３．１×１０^−４Ωｃ
ｍであった。

【００５０】実施例６酸化インジウム粉末に酸化錫粉末を１０ｗｔ％混合し、
金型成型後、１６００℃で５時間、酸素分圧０．２５ａ
ｔｍで焼結した。

【００５１】このようにして得られた焼結体の密度は９
２％、焼結粒径は２０μｍ、（Ｉｎ _０．６Ｓｎ_０．４）
_２Ｏ_３の量は９％であった。

【００５２】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜し
た。

【００５３】得られた膜の比抵抗は、基板温度が３００
℃、２００℃、１２０℃でそれぞれ１．９×１０^−４Ω
ｃｍ、２．２×１０^−４Ωｃｍ、２．９×１０^−４Ωｃ
ｍであった。

【００５４】実施例７酸化インジウム粉末に酸化錫粉末を１０ｗｔ％混合し、
金型成型後、５ｔ／ｃｍ^２の圧力でＣＩＰ処理し、１６
００℃で５時間、酸素分圧０．５ａｔｍで焼結した。

【００５５】このようにして得られた焼結体の密度は９
９％、焼結粒径は２０μｍ、（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）
_２Ｏ_３の量は９％であった。

【００５６】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜し
た。

【００５７】得られた膜の比抵抗は、基板温度が３００
℃、２００℃、１２０℃でそれぞれ１．８×１０^−４Ω
ｃｍ、２．２×１０^−４Ωｃｍ、２．３×１０^−４Ωｃ
ｍであった。

【００５８】実施例８酸化インジウム粉末に酸化錫粉末を１０ｗｔ％混合し、
金型成型後、５ｔ／ｃｍ^２の圧力でＣＩＰ処理を２回繰
返し、１３５０℃で５時間、酸素分圧０．２５ａｔｍで
焼結した。

【００５９】このようにして得られた焼結体の密度は９
８％、焼結粒径は２μｍ、（Ｉｎ^０．６Ｓｎ^０．４）^２
Ｏ^３の量は１０％であった。

【００６０】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜し
た。

【００６１】得られた膜の比抵抗は、基板温度が３００
℃、２００℃、１２０℃でそれぞれ１．９×１０^−４Ω
ｃｍ、２．２×１０^−４Ωｃｍ、２．４×１０^−４Ωｃ
ｍであった。

【００６２】実施例９酸化インジウム粉末に酸化錫粉末を１０ｗｔ％混合し、
金型成型後、５ｔ／ｃｍ^２の圧力し、１４５０℃で５時
間、酸素分圧０．７ａｔｍで焼結した。

【００６３】このようにして得られた焼結体の密度は９
８％、焼結粒径は１０μｍ、（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）
_２Ｏ_３の量は３％であった。

【００６４】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜し
た。

【００６５】得られた膜の比抵抗は、基板温度が３００
℃、２００℃、１２０℃でそれぞれ１．８×１０^−４Ω
ｃｍ、２．２×１０^−４Ωｃｍ、２．３×１０^−４Ωｃ
ｍであった。

【００６６】実施例１０酸化インジウム粉末に酸化錫粉末を１０ｗｔ％混合した
粉末が８０ｗｔ％、分散剤が１ｗｔ％、バインダ−が１
ｗｔ％、水が２０ｗｔ％になるように混合し、得られた
スラリ−を鋳型に流し込み、成型体を取り出した後、５
ｔ／ｃｍ^２の圧力でＣＩＰ処理を行った。この成型体を
１４８０℃で５時間、酸素分圧０．８ａｔｍで焼結し
た。

【００６７】このようにして得られた焼結体の密度は９
６％、焼結粒径は１０μｍ、（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）
_２Ｏ_３の量は２％であった。

【００６８】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜し
た。

【００６９】得られた膜の比抵抗は、基板温度が３００
℃、２００℃、１２０℃でそれぞれ１．８×１０^−４Ω
ｃｍ、２．２×１０^−４Ωｃｍ、２．５×１０^−４Ωｃ
ｍであった。

【００７０】実施例１１酸化インジウム粉末に酸化錫粉末を１０ｗｔ％混合した
粉末が８０ｗｔ％、分散剤が１ｗｔ％、バインダ−が１
ｗｔ％、水が２０ｗｔ％になるように混合し、得られた
スラリ−を鋳型に流し込み、成型体を取り出した後、５
ｔ／ｃｍ^２の圧力でＣＩＰ処理を行った。この成型体を
１４５０℃で５時間、酸素分圧０．７ａｔｍで焼結し
た。

【００７１】このようにして得られた焼結体の密度は９
４％、焼結粒径は１０μｍ、（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）
_２Ｏ_３の量は２％であった。

【００７２】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜し
た。

【００７３】得られた膜の比抵抗は、基板温度が３００
℃、２００℃、１２０℃でそれぞれ１．９×１０^−４Ω
ｃｍ、２．１×１０^−４Ωｃｍ、２．５×１０^−４Ωｃ
ｍであった。

【００７４】比較例１酸化インジウム粉末に酸化錫粉末を１０ｗｔ％混合し、
金型成型後、１３５０℃で５時間、空気中で焼結した。

【００７５】このようにして得られた焼結体の密度は８
２％、焼結粒径は４μｍ、（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）_２
Ｏ_３の量は４％であった。

【００７６】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜し
た。

【００７７】得られた膜の比抵抗は、基板温度が３００
℃、２００℃、１２０℃でそれぞれ１．８×１０^−４Ω
ｃｍ、２．４×１０^−４Ωｃｍ、３．８×１０^−４Ωｃ
ｍであり、特に低温での性能が悪かった。

【００７８】比較例２酸化インジウム粉末に酸化錫粉末を１０ｗｔ％混合し、
金型成型後、５ｔ／ｃｍ^２の圧力でＣＩＰ処理し、１６
５０℃で５時間、空気中で焼結した。

【００７９】このようにして得られた焼結体の密度は９
８％、焼結粒径は２８μｍ、（Ｉｎ_０．６Ｓｎ_０．４）
_２Ｏ_３の量は２３％であった。

【００８０】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜し
た。

【００８１】得られた膜の比抵抗は、基板温度が３００
℃、２００℃、１２０℃でそれぞれ１．８×１０^−４Ω
ｃｍ、２．２×１０^−４Ωｃｍ、２．３×１０^−４Ωｃ
ｍであったが、スパッタ成膜後タ−ゲットは割れてい
た。

【００８２】比較例３酸化インジウム粉末に酸化錫粉末を１０ｗｔ％混合し、
１１００℃、１００ｋｇ／ｃｍ^２で３０分ホットプレス
し、さらに、焼結体を十分に酸化させるために空気中１
０００℃で２時間アニ−リングした。

【００８３】このようにして得られた焼結体の密度は９
２％、焼結粒径は０．７μｍ、（Ｉｎ_０．６Ｓ
ｎ_０．４）_２Ｏ_３の量は０％であった。

【００８４】当該焼結体をスパッタリングタ−ゲットと
して用い、実施例１と同様の方法で透明導電膜を成膜し
た。

【００８５】得られた膜の比抵抗は、基板温度が３００
℃、２００℃、１２０℃でそれぞれ１．９×１０^−４Ω
ｃｍ、２．４×１０^−４Ωｃｍ、３．１×１０^−４Ωｃ
ｍであったが、スパッタレ−トは２５０オングストロー
ム／ｍｉｎで、実施例１〜実施例１１の場合の２８０オ
ングストローム／ｍｉｎに比べて小さくなった。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】焼結密度が９０％以上１００％以下、焼
結粒径が１μｍ以上２０μｍ以下、かつ（Ｉｎ_０．６Ｓ
ｎ_０．４）_２Ｏ_３の量が１０％以下であるＩＴＯ焼結
体。
【請求項２】請求項１のＩＴＯ焼結体からなるスパッ
タリングタ−ゲット。