JP4424889B2 - 高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、抵抗率が0.8〜10×10−3Ωcm程度の高抵抗透明導電膜を作製するときに用いられる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及びそれを用いて高抵抗透明導電膜を製造する高抵抗透明導電膜の製造方法に関する。
【0002】
【従来の技術】
酸化インジウム−酸化錫(In2O3−SnO2の複合酸化物、以下、「ITO」という)膜は、可視光透過性が高く、かつ導電性が高いので透明導電膜として液晶表示装置やガラスの結露防止用発熱膜、赤外線反射膜等に幅広く用いられている。
【0003】
例えば、フラットパネルディスプレイ(FPD)に使われる透明導電膜は、低抵抗(抵抗率2×10−4Ωcm程度)のものが選択される。
【0004】
一方、このようなFPD等に取り付けて使われる抵抗式タッチパネル用透明導電膜は、その原理上、高抵抗なもの(シート抵抗700〜1000Ω程度)が要求特性として求められている。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、従来、FPD用に使用されているITOを用いると、非常に薄い膜としなければならず、タッチパネルとしての強度が確保できないという問題がある。
【0006】
また、スパッタリングターゲット自体の抵抗を高抵抗としてしまうと、装置が高周波マグネトロンと比較して比較的安価なDCマグネトロンスパッタリング装置で使用できなくなり、設備投資が莫大になるという問題がある。
【0007】
本発明は、このような事情に鑑み、基本的にはDCマグネトロンスパッタリング装置で使用でき、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット及び高抵抗透明導電膜の製造方法を提供することを課題とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
前記課題を解決する本発明の第1の態様は、抵抗率が0.8〜10×10-3Ωcmの高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと、必要に応じて含有される酸化錫と、酸化珪素からなる絶縁性酸化物とからなり且つバルク抵抗が10-4Ωcm台であることを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットにある。
【0009】
かかる第1の態様では、酸化インジウム系スパッタリングターゲットに酸化珪素からなる絶縁性酸化物を添加することにより、ターゲット自体の抵抗率を大きく変化させないで、形成される透明導電膜の抵抗率を高くすることができる。
【0014】
本発明の第2の態様は、第1の態様において、前記絶縁性酸化物を構成する元素がインジウム1モルに対して0.00001〜0.26モル含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットにある。
【0015】
かかる第2の態様では、絶縁性酸化物を所定量添加することにより、ターゲット自体の抵抗率を大きく変化させないで、形成される透明導電膜の抵抗率を高くすることができる。
【0016】
本発明の第3の態様は、第1又は2の態様において、錫(Sn)がインジウム1モルに対して0〜0.3モル含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットにある。
【0017】
かかる第3の態様では、酸化インジウムを主体とし、必要に応じて酸化錫を含有するスパッタリングターゲットとなる。
【0018】
本発明の第4の態様は、第1〜3の何れかの態様において、DCマグネトロンスパッタリングによって抵抗率が0.8〜10×10-3Ωcmの透明導電膜が形成できることを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットにある。
【0019】
かかる第4の態様では、DCマグネトロンスパッタリングにより、高抵抗の透明導電膜が作製できる。
【0020】
本発明の第5の態様は、酸化インジウムと、必要に応じて含有される酸化錫と、酸化珪素からなる絶縁性酸化物とからなり且つバルク抵抗が10-4Ωcm台である酸化インジウム系スパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリングによって抵抗率が0.8〜10×10-3Ωcmの透明導電膜を形成することを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法にある。
【0021】
かかる第5の態様では、酸化珪素からなる絶縁性酸化物を添加したバルク抵抗が10 -4 Ωcm台である酸化インジウム系スパッタリングターゲットを用いることにより、ターゲット自体の抵抗率を大きく変化させないで、DCマグネトロンスパッタリングによって抵抗率が0.8〜10×10-3Ωcmの透明導電膜を形成することができる。
【0026】
本発明の第6の態様は、第5の態様において、前記絶縁性酸化物を構成する元素がインジウム1モルに対して0.00001〜0.26モル含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法にある。
【0027】
かかる第6の態様では、絶縁性酸化物を所定量添加した酸化インジウム系スパッタリングターゲットを用いることにより、ターゲット自体の抵抗率を大きく変化させないで、DCマグネトロンスパッタリングによって抵抗率が0.8〜10×10-3Ωcmの透明導電膜を形成することができる。
【0028】
本発明の第7の態様は、第5又は6の態様において、錫(Sn)がインジウム1モルに対して0〜0.3モル含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法にある。
【0029】
かかる第7の態様では、酸化インジウムを主体とし、必要に応じて酸化錫を含有するスパッタリングターゲットを用いて、DCマグネトロンスパッタリングによって抵抗率が0.8〜10×10-3Ωcmの透明導電膜を形成することができる。
【0030】
本発明の高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットは、酸化インジウムを主体とし、必要に応じて酸化錫を含有するもので、且つ絶縁性酸化物を含有する酸化物焼結体であり、各々の酸化物は、その酸化物のまま、あるいは複合酸化物として、あるいは固溶体として存在していればよく、特に限定されない。
【0031】
ここで、絶縁性酸化物としては、酸化珪素、酸化アルミニウム、酸化タンタル、酸化ハフニウム、酸化ニオブ、酸化イットリウム、酸化セリウム、酸化プラセオジム、酸化ベリリウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化ストロンチウム、酸化バリウム、酸化スカンジウム、酸化チタン、酸化ジルコニウム、酸化バナジウム、酸化ボロン、酸化ガリウム、酸化亜鉛、酸化クロム、酸化マンガン、酸化鉄、酸化モリブデン、酸化リン、酸化ランタノイドなどを挙げることができる。
【0032】
絶縁性酸化物としては、0〜1600℃程度の範囲内で、酸化インジウムよりも標準生成エネルギーが低いものがよい。酸化インジウムよりも化学的に安定で、分解しにくいからである。
【0033】
絶縁性酸化物の含有量は、それを構成する元素がインジウム1モルに対して0.00001〜0.26モル含有されている範囲とするのが好ましい。これより少ないと添加の効果は顕著ではなく、また、これより多くなると、形成される透明導電膜が高抵抗すぎるからである。
【0034】
また、錫(Sn)は、インジウム1モルに対して0〜0.3モルである。錫が含有される場合には、インジウム1モルに対して0.001〜0.3モル、好ましくは、0.01〜0.15モル、より好ましくは0.05〜0.1モルの範囲で含有されるのが望ましい。この範囲内であれば、スパッタリングターゲットのキャリア電子の密度並びに移動度を適切にコントロールして導電性を良好な範囲に保つことができる。また、この範囲を越えて添加すると、スパッタリングターゲットのキャリア電子の移動度を低下させると共に導電性を劣化させる方向に働くので好ましくない。
【0035】
かかる本発明の高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットは、DCマグネトロンスパッタリングでスパッタリング可能な程度の抵抗値を有しているが、抵抗率が0.8〜10×10−3Ωcmの透明導電膜を形成することができる。
【0036】
なお、勿論、高周波マグネトロンスパッタリング装置を用いて抵抗率が0.8〜10×10−3Ωcmの透明導電膜を形成してもよい。
【0037】
次に、本発明のスパッタリングターゲットの製造方法について説明するが、これは単に例示したものであり、製造方法は特に限定されるものではない。
【0038】
まず、本発明のスパッタリング用ターゲットを構成する出発原料としては、一般的にIn2O3、SnO2、SiO2の粉末である。さらに、これらの単体、化合物、複合酸化物等を原料としてもよい。単体、化合物を使う場合はあらかじめ酸化物にするようなプロセスを通すようにする。
【0039】
これらの原料粉を、所望の配合率で混合し、成形する方法は特に限定されず、従来から公知の各種湿式法又は乾式法を用いることができる。
【0040】
乾式法としては、コールドプレス(Cold Press)法やホットプレス(Hot Press)法等を挙げることができる。コールドプレス法では、混合粉を成形型に充填して成形体を作製し、大気雰囲気下または酸素雰囲気下で焼成・焼結させる。ホットプレス法では、混合粉を成形型内で直接焼結させる。
【0041】
湿式法としては、例えば、濾過式成形法(特開平11−286002号公報参照)を用いるのが好ましい。この濾過式成形法は、 セラミックス原料スラリーから水分を減圧排水して成形体を得るための非水溶性材料からなる濾過式成形型であって、1個以上の水抜き孔を有する成形用下型と、この成形用下型の上に載置した通水性を有するフィルターと、このフィルターをシールするためのシール材を介して上面側から挟持する成形用型枠からなり、前記成形用下型、成形用型枠、シール材、およびフィルターが各々分解できるように組立てられており、該フィルター面側からのみスラリー中の水分を減圧排水する濾過式成形型を用い、混合粉、イオン交換水と有機添加剤からなるスラリーを調製し、このスラリーを濾過式成形型に注入し、該フィルター面側からのみスラリー中の水分を減圧排水して成形体を製作し、得られたセラミックス成形体を乾燥脱脂後、焼成する。
【0042】
各方法において、焼成温度は1300〜1600℃が好ましく、さらに好ましくは、1300〜1450℃である。その後、所定寸法に成形・加工のための機械加工を施しターゲットとする。
【0043】
【発明の実施の形態】
以下、本発明を実施例に基づいて説明するが、これに限定されるものではない。
【0044】
(実施例1)
純度>99.99%のIn2O3粉およびSnO2粉、さらに純度>99.9%のSiO2粉を用意した。この粉末を、SnO2 10wt%、SiO2 5wt%、In2O3 85wt%の比率で全量で約1.5Kg用意し(SiはIn1モルに対して約0.13モルに相当する)、濾過式成形法によって成形体を得た。その後、この焼成体を酸素雰囲気下で1550℃にて8時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度100%のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は2.4×10−4Ωcmであった。
【0045】
このターゲットを用いて、以下のような条件にてDCマグネトロンスパッタによって成膜し、厚さ1200Åの膜を得た。
【0046】
ターゲット寸法 :φ=6in. t=6mm
スパッタ方式 :DCマグネトロンスパッタ
排気装置 :ロータリーポンプ+クライオポンプ
到達真空度 :4.0×10−6[Torr]
Ar圧力 :3.0×10−3[Torr]
酸素圧力 :1〜10×10−5[Torr]
基板温度 :200℃
スパッタ電力 :300W (電力密度1.6W/cm2)
使用基板 :テンパックス(液晶ディスプレイ用ガラス) t=1.8mm
この膜の抵抗率と透過率を分析することによって、図1のような酸素分圧に対する抵抗率と波長550nmの透過率についての関係を得た。
【0047】
(比較例1)
純度>99.99%のIn2O3粉およびSnO2粉を用意した。この粉末を、SnO2 10wt%、In2O3 90wt%の比率で全量で約1.5Kg用意し、濾過式成形法によって成形体を得た。その後、この焼成体を酸素雰囲気下で1550℃にて8時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度99.6%のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は1.7×10−4Ωcmであった。
【0048】
このターゲットを用いて、実施例1と同様な条件にてDCマグネトロンスパッタによって成膜し、厚さ2000Åの膜を得た。この膜の抵抗率と透過率を分析することによって、図2のような酸素分圧に対する抵抗率と波長550nmの透過率についての関係を得た。
【0049】
(実施例2)
純度>99.99%のIn2O3粉およびSnO2粉、さらに純度>99.9%のSiO2粉を用意した。この粉末を、SnO2 10wt%、SiO2 10wt%、In2O3 80wt%の比率で全量で約1.5Kg用意し(SiはIn1モルに対して約0.26モルに相当する)、濾過式成形法によって成形体を得た。その後、この焼成体を酸素雰囲気下で1550℃にて8時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度100%のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は4.0×10−4Ωcmであった。
【0050】
このターゲットを用いて、実施例1と同様な条件にてDCマグネトロンスパッタによって成膜し、厚さ1200Åの膜を得た。この膜の抵抗率と透過率を分析することによって、図3のような酸素分圧に対する抵抗率と波長550nmの透過率についての関係を得た。
【0051】
(実施例3)
純度>99.99%のIn2O3粉およびSnO2粉、さらに純度>99.9%のSiO2粉を用意した。この粉末を、SnO2 10wt%、SiO2 5wt%、In2O3 85wt%の比率で全量で約1.5Kg用意し(SiはIn1モルに対して約0.13モルに相当する)、濾過式成形法によって成形体を得た。その後、この焼成体を酸素雰囲気下で1450℃にて8時間焼成・焼結させた。この焼結体を加工し、理論密度に対する相対密度100%のターゲットを得た。このターゲットのバルク抵抗率は3.0×10−4Ωcmであった。
【0052】
このターゲットを用いて、実施例1と同様な条件にてDCマグネトロンスパッタによって成膜し、厚さ1200Åの膜を得た。この膜の抵抗率と透過率を分析すると、図1とほぼ同等な酸素分圧特性を示した。
【0053】
以上の結果をみると、実施例1〜3のバルク抵抗率は、10−4Ωcm台であり比較例1に示した従来のITOターゲットとほぼ同等な値を示しており、DCマグネトロンスパッタが可能であることが分かる。
【0054】
また、比較例1に示した従来のITO膜の酸素分圧依存性に比べて、実施例1〜3に示したものも、ほぼ同等な特性をもち、従来のITO膜の成膜方法を用いることができることが分かった。
【0055】
比較例1に示した従来のITO膜の最適酸素分圧における抵抗率に比べ、実施例1の抵抗率は10倍の大きさになっている。また、実施例2については、100倍の大きさになっている。
【0056】
実際に、商品に適用する時の膜厚を150Å程度とすると、実施例1ではシート抵抗が700Ω程度となる。一方、実施例2では7000Ω程度となる。また、膜厚を1500Åとすると、実施例1ではシート抵抗が70Ω程度となる。一方、実施例2では700Ω程度となる。
【0057】
また、SnO2の添加量を増加させることによってキャリアの生成がなされ、抵抗が下がる傾向がわかっている。このことから、SiO2だけでなく、SnO2の添加量を調整することによっても抵抗率をコントロールできることが分かる。
【0058】
以上のことから、SnO2、SiO2の量をコントロールすることによって、最適な抵抗率が得られることが分かる。
【0059】
【発明の効果】
以上説明したように、本発明によれば、抵抗率が0.8〜10×10−3Ωcm程度の透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと必要に応じて酸化錫を含有し、且つ絶縁性酸化物を含有する高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲットを提供でき、これにより、基本的にはDCマグネトロンスパッタリング装置で、透明でかつ高抵抗な膜を成膜できる高抵抗透明導電膜を製造することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】実施例1の酸素分圧に対する抵抗率と波長550nmの透過率についての関係を示す図である。
【図2】比較例1の酸素分圧に対する抵抗率と波長550nmの透過率についての関係を示す図である。
【図3】実施例2の酸素分圧に対する抵抗率と波長550nmの透過率についての関係を示す図である。
Claims (7)
- 抵抗率が0.8〜10×10-3Ωcmの高抵抗透明導電膜を形成するための高抵抗透明導電膜用酸化インジウム系スパッタリングターゲットであって、酸化インジウムと、必要に応じて含有される酸化錫と、酸化珪素からなる絶縁性酸化物とからなり且つバルク抵抗が10-4Ωcm台であることを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット。
- 請求項1において、前記絶縁性酸化物を構成する元素がインジウム1モルに対して0.00001〜0.26モル含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット。
- 請求項1又は2において、錫(Sn)がインジウム1モルに対して0〜0.3モル含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット。
- 請求項1〜3の何れかにおいて、DCマグネトロンスパッタリングによって抵抗率が0.8〜10×10-3Ωcmの透明導電膜が形成できることを特徴とする高抵抗透明導電膜用スパッタリングターゲット。
- 酸化インジウムと、必要に応じて含有される酸化錫と、酸化珪素からなる絶縁性酸化物とからなり且つバルク抵抗が10-4Ωcm台である酸化インジウム系スパッタリングターゲットを用い、DCマグネトロンスパッタリングによって抵抗率が0.8〜10×10-3Ωcmの透明導電膜を形成することを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法。
- 請求項5において、前記絶縁性酸化物を構成する元素がインジウム1モルに対して0.00001〜0.26モル含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法。
- 請求項5又は6において、錫(Sn)がインジウム1モルに対して0〜0.3モル含有されていることを特徴とする高抵抗透明導電膜の製造方法。
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Cited By (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170012190A (ko) | 2014-05-30 | 2017-02-02 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 산화물 소결체 및 그 제조 방법, 및 산화물막 |
WO2018211792A1 (ja) * | 2017-05-15 | 2018-11-22 | 三井金属鉱業株式会社 | 透明導電膜用スパッタリングターゲット |
KR20190134779A (ko) | 2017-05-15 | 2019-12-04 | 미쓰이금속광업주식회사 | 투명 도전막용 스퍼터링 타깃 |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4723213B2 (ja) * | 2003-08-29 | 2011-07-13 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 発光素子の作製方法 |
US7291967B2 (en) | 2003-08-29 | 2007-11-06 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element including a barrier layer and a manufacturing method thereof |
US7902747B2 (en) | 2003-10-21 | 2011-03-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light-emitting device having a thin insulating film made of nitrogen and silicon and an electrode made of conductive transparent oxide and silicon dioxide |
JP4417913B2 (ja) * | 2004-02-17 | 2010-02-17 | 日鉱金属株式会社 | スパッタリングターゲット並びに光情報記録媒体及びその製造方法 |
KR100799073B1 (ko) * | 2004-02-17 | 2008-01-29 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟트와 광 정보기록매체 및 그 제조방법 |
KR100799074B1 (ko) * | 2004-02-17 | 2008-01-29 | 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟트와 광 정보기록매체 및 그 제조방법 |
US8038857B2 (en) | 2004-03-09 | 2011-10-18 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Thin film transistor, thin film transistor substrate, processes for producing the same, liquid crystal display using the same, and related devices and processes; and sputtering target, transparent electroconductive film formed by use of this, transparent electrode, and related devices and processes |
JP4548651B2 (ja) * | 2004-04-28 | 2010-09-22 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電ガラス基板 |
JP4428698B2 (ja) | 2004-03-31 | 2010-03-10 | 出光興産株式会社 | 酸化インジウム−酸化セリウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電膜の製造方法 |
JP4488184B2 (ja) * | 2004-04-21 | 2010-06-23 | 出光興産株式会社 | 酸化インジウム−酸化亜鉛−酸化マグネシウム系スパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
US7550769B2 (en) | 2004-06-11 | 2009-06-23 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Light emitting element, light emitting device and semiconductor device |
JP4642494B2 (ja) * | 2005-02-03 | 2011-03-02 | Jx日鉱日石金属株式会社 | スパッタリングターゲット及び光情報記録媒体 |
WO2006134694A1 (ja) | 2005-06-15 | 2006-12-21 | Nippon Mining & Metals Co., Ltd. | スパッタリングターゲット用酸化クロム粉末及びスパッタリングターゲット |
US20070071985A1 (en) * | 2005-09-29 | 2007-03-29 | Prabhat Kumar | Sputtering target, low resistivity, transparent conductive film, method for producing such film and composition for use therein |
JP2007176706A (ja) * | 2005-12-26 | 2007-07-12 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
JP2007238365A (ja) * | 2006-03-07 | 2007-09-20 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 酸化物焼結体及びその製造方法並びにスパッタリングターゲット及び透明導電膜 |
KR20160063403A (ko) | 2007-06-26 | 2016-06-03 | 제이엑스금속주식회사 | 아모르퍼스 복합 산화막, 결정질 복합 산화막, 아모르퍼스 복합 산화막의 제조 방법, 결정질 복합 산화막의 제조 방법 및 복합 산화물 소결체 |
KR101155358B1 (ko) * | 2007-07-13 | 2012-06-19 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 복합 산화물 소결체, 아모르퍼스 복합 산화막의 제조 방법, 아모르퍼스 복합 산화막, 결정질 복합 산화막의 제조 방법 및 결정질 복합 산화막 |
WO2009044890A1 (ja) * | 2007-10-03 | 2009-04-09 | Mitsui Mining & Smelting Co., Ltd. | 酸化インジウム系ターゲット |
KR101099414B1 (ko) | 2008-09-25 | 2011-12-27 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 투명 도전막 제조용의 산화물 소결체 |
KR101243403B1 (ko) | 2008-09-25 | 2013-03-13 | 제이엑스 닛코 닛세키 킨조쿠 가부시키가이샤 | 투명 도전막 제조용의 산화물 소결체 |
WO2010116981A1 (ja) * | 2009-04-08 | 2010-10-14 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化インジウム系透明導電膜及びその製造方法 |
EP2428500B1 (en) | 2009-10-06 | 2018-02-28 | JX Nippon Mining & Metals Corporation | Indium oxide sintered body, indium oxide transparent conductive film, and method for manufacturing the transparent conductive film |
JP5436343B2 (ja) * | 2010-06-04 | 2014-03-05 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット及び透明導電膜及び透明導電ガラス基板 |
KR101264111B1 (ko) * | 2010-06-04 | 2013-05-14 | 주식회사 나노신소재 | 투명도전막, 투명도전막용 타겟 및 투명도전막용 타겟의 제조방법 |
JP5817327B2 (ja) | 2010-09-29 | 2015-11-18 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体、その製造方法、それを用いて得られる酸化物透明導電膜及び太陽電池 |
CN102465269A (zh) * | 2010-11-12 | 2012-05-23 | 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 | 铝合金防腐处理方法及铝合金制品 |
KR20140041675A (ko) | 2011-07-06 | 2014-04-04 | 이데미쓰 고산 가부시키가이샤 | 스퍼터링 타겟 |
JP5301021B2 (ja) | 2011-09-06 | 2013-09-25 | 出光興産株式会社 | スパッタリングターゲット |
JP5855948B2 (ja) * | 2012-01-12 | 2016-02-09 | ジオマテック株式会社 | 透明導電膜,透明導電膜付き基板,ips液晶セル,静電容量型タッチパネル及び透明導電膜付き基板の製造方法 |
JP6080399B2 (ja) * | 2012-06-26 | 2017-02-15 | ジオマテック株式会社 | 透明導電膜 |
JP6229366B2 (ja) | 2012-08-08 | 2017-11-15 | 東ソー株式会社 | 複合酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
KR101512819B1 (ko) * | 2013-02-27 | 2015-04-16 | 삼성코닝어드밴스드글라스 유한회사 | 산화아연계 스퍼터링 타겟, 그 제조방법 및 이를 통해 증착된 차단막을 갖는 박막트랜지스터 |
KR20160133429A (ko) | 2014-03-11 | 2016-11-22 | 도소 가부시키가이샤 | 산화물 소결체 및 산화물 투명 도전막 |
JP6042520B1 (ja) * | 2015-11-05 | 2016-12-14 | デクセリアルズ株式会社 | Mn−Zn−O系スパッタリングターゲット及びその製造方法 |
JP6809157B2 (ja) | 2016-02-22 | 2021-01-06 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
TWI746519B (zh) * | 2016-02-22 | 2021-11-21 | 日商東曹股份有限公司 | 氧化物燒結體、濺鍍靶材以及氧化物透明導電膜及其製造方法 |
JP6747003B2 (ja) * | 2016-03-25 | 2020-08-26 | 東ソー株式会社 | 酸化物焼結体及び酸化物透明導電膜 |
WO2023127195A1 (ja) * | 2021-12-28 | 2023-07-06 | 三井金属鉱業株式会社 | 酸化物焼結体及びその製造方法、並びにスパッタリングターゲット材 |
CN117043122A (zh) * | 2021-12-28 | 2023-11-10 | 三井金属矿业株式会社 | 氧化物烧结体及其制造方法以及溅射靶材 |
CN114620996A (zh) * | 2022-02-23 | 2022-06-14 | 洛阳晶联光电材料有限责任公司 | 一种高效太阳能电池用旋转陶瓷靶材 |
-
2002
- 2002-06-20 JP JP2002179441A patent/JP4424889B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR20170012190A (ko) | 2014-05-30 | 2017-02-02 | 스미토모 긴조쿠 고잔 가부시키가이샤 | 산화물 소결체 및 그 제조 방법, 및 산화물막 |
US9926236B2 (en) | 2014-05-30 | 2018-03-27 | Sumitomo Metal Mining Co., Ltd. | Oxide sintered body, process for manufacturing same, and oxide film |
WO2018211792A1 (ja) * | 2017-05-15 | 2018-11-22 | 三井金属鉱業株式会社 | 透明導電膜用スパッタリングターゲット |
JP6453528B1 (ja) * | 2017-05-15 | 2019-01-16 | 三井金属鉱業株式会社 | 透明導電膜用スパッタリングターゲット |
KR20190127826A (ko) | 2017-05-15 | 2019-11-13 | 미쓰이금속광업주식회사 | 투명 도전막용 스퍼터링 타깃 |
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