JP6849481B2 - 検出装置及び表示装置 - Google Patents

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Description

本発明は、検出装置及び表示装置に関する。
近年、いわゆるタッチパネルと呼ばれる、外部近接物体を検出可能なタッチ検出装置が注目されている。タッチパネルは、液晶表示装置等の表示装置上に装着又は一体化されて、タッチ検出機能付き表示装置として用いられている。下記特許文献１には、タッチ検出電極と、偏光板の間に導電膜が設けられたタッチ検出機能付き表示装置が記載されている。導電膜は、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ）対策のために設けられている。
特開２０１２−６３８３９号公報
このようなタッチ検出機能付き表示装置において、タッチ検出電極を保護するための保護層が設けられる。この場合、導電膜は保護層によってタッチ検出電極と電気的に離隔されるので、偏光板に印加された静電気によって導電膜が帯電する可能性がある。
本発明は、静電気などの電磁ノイズに対する耐性を向上させることができる検出装置及び表示装置を提供することを目的とする。
本発明の一態様の検出装置は、基板と、前記基板と平行な面上の表示領域に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、前記表示領域の外側の周辺領域に設けられた第１導電層と、前記検出電極の上に設けられた保護層と、前記保護層の上側に設けられた偏光板と、前記基板に対し垂直な方向において、前記偏光板と前記保護層との間に設けられた第２導電層と、を有し、前記第２導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、前記第１導電層と電気的に接続される。
本発明の一態様の表示装置は、上記の検出装置と、前記基板と平行な面上において、前記検出電極と対向して行列配置された複数の画素電極と、画像信号に基づいて駆動される表示機能層と、を有する。
本発明の一態様の検出装置は、第１基板と、前記第１基板と平行な面上の表示領域において行列状に複数配置された検出電極と、前記第１基板と対向する第２基板と、平面視で、前記表示領域の外側の周辺領域に設けられた第１導電層と、前記第２基板の上側に設けられた偏光板と、前記偏光板と前記第２基板との間に設けられた第２導電層と、を有し、前記第２導電層は、前記第１導電層と電気的に接続されている。
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の構成例を示すブロック図である。 図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。 図３は、相互静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。 図４は、相互静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。 図５は、第１の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図６は、表示部の画素配列を表す回路図である。 図７は、第１の実施形態に係る第１基板の平面図である。 図８は、第１の実施形態に係る第２基板の平面図である。 図９は、図８に示す領域Ｒａを拡大して示す平面図である。 図１０は、第１の実施形態に係る駆動回路の一例を示す回路図である。 図１１は、第１の実施形態に係る保護層を示す平面図である。 図１２は、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。 図１３は、第２の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図１４は、第２の実施形態に係る保護層を示す平面図である。 図１５は、第３の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図１６は、第３の実施形態に係る第２基板の平面図である。 図１７は、第３の実施形態に係る保護層を示す平面図である。 図１８は、第４の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図１９は、第４の実施形態に係る保護層を示す平面図である。 図２０は、第４の実施形態に係る静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。 図２１は、第５の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図２２は、第５の実施形態に係る第２基板の平面図である。 図２３は、第５の実施形態に係る検出電極を部分的に拡大して示す平面図である。 図２４は、第６の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図２５は、第６の実施形態に係る第１基板の平面図である。 図２６は、第６の実施形態に係る第２基板の平面図である。 図２７は、第６の実施形態に係る駆動回路の一例を示す回路図である。 図２８は、第７の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。 図２９は、第７の実施形態に係る第１基板の平面図である。 図３０は、第７の実施形態に係る第２基板の平面図である。
本発明を実施するための形態（実施形態）につき、図面を参照しつつ詳細に説明する。以下の実施形態に記載した内容により本発明が限定されるものではない。また、以下に記載した構成要素には、当業者が容易に想定できるもの、実質的に同一のものが含まれる。さらに、以下に記載した構成要素は適宜組み合わせることが可能である。なお、開示はあくまで一例にすぎず、当業者において、発明の主旨を保っての適宜変更について容易に想到し得るものについては、当然に本発明の範囲に含有されるものである。また、図面は説明をより明確にするため、実際の態様に比べ、各部の幅、厚さ、形状等について模式的に表される場合があるが、あくまで一例であって、本発明の解釈を限定するものではない。また、本明細書と各図において、既出の図に関して前述したものと同様の要素には、同一の符号を付して、詳細な説明を適宜省略することがある。
（第１の実施形態）
図１は、第１の実施形態に係る表示装置の構成例を示すブロック図である。図１に示すように、表示装置１は、表示パネル１０と、制御部１１と、ゲートドライバ１２と、ソースドライバ１３と、駆動電極ドライバ１４と、検出部４０とを備えている。表示パネル１０は、画像を表示する表示部２０と、タッチ入力を検出する検出装置であるタッチセンサ３０とを含む。
表示パネル１０は、表示部２０とタッチセンサ３０とが一体化された表示装置である。具体的には、表示パネル１０において、表示部２０の電極や基板等の部材の一部が、タッチセンサ３０の電極や基板等に兼用される。
表示部２０は、表示素子として液晶表示素子を用いている。表示部２０は、表示素子を有する複数の画素を備えるとともに、複数の画素に対向する表示面を有している。また、表示部２０は、映像信号Ｖｄｉｓｐの入力を受けて表示面に複数の画素からなる画像の表示を行う。なお、表示パネル１０は、表示部２０の上に、タッチセンサ３０を装着した装置であってもよい。また、表示部２０は、例えば、有機ＥＬ表示パネルであってもよい。
制御部１１は、外部より供給された映像信号Ｖｄｉｓｐに基づいて、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３、駆動電極ドライバ１４及び検出部４０に制御信号を供給する。
ゲートドライバ１２は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、表示パネル１０の表示駆動の対象となる１水平ラインに走査信号Ｖｓｃａｎを供給する。これにより、表示駆動の対象となる１水平ラインが順次又は同時に選択される。
ソースドライバ１３は、表示部２０の、各副画素ＳＰｉｘ（図６参照）に画素信号Ｖｐｉｘを供給する回路である。
駆動電極ドライバ１４は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、表示パネル１０の駆動電極ＣＯＭＬ（図７参照）に駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。なお、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３及び駆動電極ドライバ１４の機能の一部は表示パネル１０に搭載されていてもよい。
タッチセンサ３０は、静電容量型タッチ検出の基本原理に基づいて動作し、相互静電容量方式（ミューチュアル方式ともいう）によりタッチ検出を行う。これにより、表示領域に対する指等の被検出体の接触又は接近を検出する。また、タッチセンサ３０は、自己静電容量方式（セルフ方式ともいう）によりタッチ検出を行うこともできる。
検出部４０は、制御部１１から供給される制御信号と、タッチセンサ３０から供給される検出信号Ｖｄｅｔ１に基づいて、タッチセンサ３０に対するタッチの有無を検出する。また、検出部４０は、タッチがある場合においてタッチ入力が行われた座標などを求める。
検出部４０は、タッチ検出信号増幅部４２と、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５と、検出タイミング制御部４６とを備える。検出タイミング制御部４６は、制御部１１から供給される制御信号に基づいて、Ａ／Ｄ変換部４３と、信号処理部４４と、座標抽出部４５とが同期して動作するように制御する。
タッチ検出において、タッチ検出信号増幅部４２は、表示パネル１０から供給された検出信号Ｖｄｅｔ１を増幅する。Ａ／Ｄ変換部４３は、駆動信号Ｖｃｏｍに同期したタイミングで、タッチ検出信号増幅部４２から出力されるアナログ信号をそれぞれサンプリングしてデジタル信号に変換する。
信号処理部４４は、Ａ／Ｄ変換部４３の出力信号に基づいて、表示パネル１０に対するタッチの有無を検出する論理回路である。信号処理部４４は、指による検出信号の差分の信号（絶対値｜ΔＶ｜）を取り出す処理を行う。信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較し、この絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧未満であれば、被検出体が非接触状態であると判断する。一方、信号処理部４４は、絶対値｜ΔＶ｜がしきい値電圧以上であれば、被検出体の接触状態又は近接状態と判断する。このようにして、検出部４０はタッチ検出が可能となる。
本明細書において、「接触状態」とは、被検出体が表示面に接触した状態又は接触と同視し得るほど近接した状態を表す。また、「非接触状態」とは、被検出体が表示面に接触していない状態又は接触と同視できるほどには近接していない状態を表す。
座標抽出部４５は、信号処理部４４においてタッチが検出されたときに、そのタッチパネル座標を求める論理回路である。座標抽出部４５は、タッチパネル座標を出力信号Ｖｏｕｔとして出力する。座標抽出部４５は、出力信号Ｖｏｕｔを制御部１１に出力してもよい。制御部１１は出力信号Ｖｏｕｔに基づいて、所定の表示動作又は検出動作を実行することができる。
なお、検出部４０のタッチ検出信号増幅部４２、Ａ／Ｄ変換部４３、信号処理部４４、座標抽出部４５及び検出タイミング制御部４６は、表示装置１に搭載される。ただし、これに限定されず、検出部４０の全部又は一部の機能は外部の制御基板やプロセッサ等に搭載されてもよい。例えば、座標抽出部４５は、表示装置１とは別の外部プロセッサに搭載されてもよい。この場合、検出部４０は、信号処理部４４が信号処理した信号を出力信号Ｖｏｕｔとして出力してもよい。或いは、信号処理部４４及び座標抽出部４５は外部プロセッサに搭載されてもよい。この場合、検出部４０は、Ａ／Ｄ変換部４３が信号処理したデジタル信号を出力信号Ｖｏｕｔとして出力してもよい。
次に、図２から図４を参照して、本実施形態の表示装置１の相互静電容量方式によるタッチ検出の基本原理について説明する。図２は、相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理を説明するための説明図である。図３は、相互静電容量方式のタッチ検出の等価回路の例を示す説明図である。図４は、相互静電容量方式のタッチ検出の駆動信号及び検出信号の波形の一例を表す図である。なお、以下の説明では、指が接触又は近接する場合を説明するが、指に限られず、例えばスタイラスペン等であってもよい。
図２に示すように、容量素子Ｃ１は、誘電体Ｄを挟んで互いに対向配置された一対の駆動電極Ｅ１及び検出電極Ｅ２を備えている。容量素子Ｃ１は、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との対向面同士の間に形成される電気力線（図示しない）に加え、駆動電極Ｅ１の端部から検出電極Ｅ２の上面に向かって延びるフリンジ分の電気力線が生じる。図３に示すように、容量素子Ｃ１の一端は、交流信号源（駆動信号源）Ｓに接続され、他端は電圧検出器ＤＥＴに接続される。電圧検出器ＤＥＴは、例えば図１に示すタッチ検出信号増幅部４２に含まれる積分回路である。
交流信号源Ｓから駆動電極Ｅ１（容量素子Ｃ１の一端）に所定の周波数（例えば数ｋＨｚ〜数百ｋＨｚ程度）の交流矩形波Ｓｇが印加されると、電圧検出器ＤＥＴを介して、図４に示すような出力波形（検出信号Ｖｄｅｔ１）が現れる。
非接触状態では、容量素子Ｃ１の容量値に応じた電流が流れる。図３に示す電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動（実線の波形Ｖ０（図４参照））に変換する。
図２及び図３に示すように、接触状態では、指によって形成される静電容量Ｃ２が、検出電極Ｅ２と接触し、又は接触と同視し得るほど近傍にある。これにより、駆動電極Ｅ１と検出電極Ｅ２との間にあるフリンジ分の電気力線が導体（指）により遮られる。このため、容量素子Ｃ１は、非接触状態での容量値よりも容量値の小さい容量素子として作用する。そして、電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流Ｉ１の変動を電圧の変動（点線の波形Ｖ１（図４参照））に変換する。
この場合、波形Ｖ１は、上述した波形Ｖ０と比べて振幅が小さくなる。これにより、波形Ｖ０と波形Ｖ１との電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜は、指などの外部から接触又は近接する外部物体の影響に応じて変化することになる。なお、電圧検出器ＤＥＴは、回路内のスイッチングにより、交流矩形波Ｓｇの周波数に合わせて、コンデンサの充放電をリセットする。かかる期間Ｒｅｓｅｔを設けていることにより、電圧差分の絶対値｜ΔＶ｜が精度よく検出される。
検出部４０は、上述したように絶対値｜ΔＶ｜を所定のしきい値電圧と比較することで、外部近接物体が非接触状態であるか、接触状態又は近接状態であるかを判断する。このようにして、検出部４０は相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理に基づいてタッチ検出が可能となる。
なお、静電容量型タッチ検出方式として、上述した相互容量方式に限定されず、自己静電容量方式であってもよい。この場合、駆動電極Ｅ１又は検出電極Ｅ２のいずれか一方のみを用いてタッチ検出が行われる。以下の例では、検出電極Ｅ２によりタッチ検出を行う場合を説明する。交流信号源Ｓは検出電極Ｅ２に駆動信号としての交流矩形波Ｓｇを供給する。検出電極Ｅ２が有する静電容量値に応じた電流が電圧検出器ＤＥＴに流れる。電圧検出器ＤＥＴは、交流矩形波Ｓｇに応じた電流の変動を電圧の変動に変換する。
非接触状態において、検出電極Ｅ２が有する静電容量値に応じた電流が流れる。一方、接触状態では、検出電極Ｅ２が有する容量値に、指と検出電極Ｅ２との間に形成される容量値が付加される。このため、検出電極Ｅ２は、接触状態において、非接触状態での容量値よりも大きい容量素子として作用する。電圧検出器ＤＥＴは、容量変化に応じた検出信号を出力する。これにより、検出部４０は、絶対値｜ΔＶ｜に基づいてタッチ検出を行うことができる。
次に、本実施形態の表示装置１の構成例を詳細に説明する。図５は、第１の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。なお、図５は、図１１に示すＡ１−Ａ２線に沿う断面図である。図５に示すように、表示装置１は、画素基板２と、対向基板３と、表示機能層としての液晶層６とを備える。対向基板３は、画素基板２の表面に垂直な方向に対向して配置される。液晶層６は画素基板２と対向基板３との間に設けられる。
画素基板２は、第１基板２１と、画素電極２２と、駆動電極ＣＯＭＬと、偏光板６５とを有する。第１基板２１には、ゲートドライバ１２に含まれるゲートスキャナ等の回路や、ＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）等のスイッチング素子や、ゲート線ＧＣＬ、信号線ＳＧＬ等の各種配線（図５では省略して示す）が設けられる。
駆動電極ＣＯＭＬは、第１基板２１の上側に設けられる。画素電極２２は、絶縁層２４を介して駆動電極ＣＯＭＬの上側に設けられる。画素電極２２は、駆動電極ＣＯＭＬとは異なる層に設けられ、平面視で、駆動電極ＣＯＭＬと重畳して配置される。また、画素電極２２は、平面視でマトリクス状に複数配置される。偏光板６５は、接着層６６を介して第１基板２１の下側に設けられる。画素電極２２及び駆動電極ＣＯＭＬは、例えば、ＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）等の透光性を有する導電性材料が用いられる。なお、本実施形態では、画素電極２２が駆動電極ＣＯＭＬの上側に設けられる例について説明したが、駆動電極ＣＯＭＬが画素電極２２の上側に設けられていてもよい。
また、第１基板２１には、表示用ＩＣ１９と、フレキシブル基板７２が設けられる。表示用ＩＣ１９は、図１に示す制御部１１として機能する。
なお、本明細書において、第１基板２１の表面に垂直な方向において、第１基板２１から第２基板３１に向かう方向を「上側」とする。また、第２基板３１から第１基板２１に向かう方向を「下側」とする。
対向基板３は、第２基板３１と、第２基板３１の一方の面に設けられた第１シールド層５１と、検出電極ＴＤＬと、保護層３８と、導電性接着層３９と、偏光板３５とを有する。検出電極ＴＤＬは、第２基板３１の上に複数配列されている。検出電極ＴＤＬは、タッチセンサ３０の検出電極として機能する。第２基板３１の他方の面、すなわち第１基板２１と対向する面には、カラーフィルタ３２（図１２参照）が設けられている。
第２基板３１には端子部３６を介してフレキシブル基板７１が接続されている。フレキシブル基板７１には、検出用ＩＣ１８が搭載されている。本実施形態において、第１基板２１及び第２基板３１は、例えば、ガラス基板又は樹脂基板である。検出電極ＴＤＬは、端子部３６を介して、検出用ＩＣ１８に電気的に接続される。第１シールド層５１は、検出電極ＴＤＬと同層に設けられる。なお、第１シールド層５１及び検出電極ＴＤＬの詳細な構成については後述する。
検出電極ＴＤＬは、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖを有している（図８参照）。さらに、検出電極ＴＤＬの上には、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖを含む検出電極ＴＤＬを保護するための保護層３８が設けられている。保護層３８は、電気絶縁性を有し、アクリル系樹脂等の透光性樹脂を用いることができる。保護層３８は検出電極ＴＤＬを覆っており、第１シールド層５１の少なくとも一部には設けられていない。
保護層３８の上側に、偏光板３５が設けられている。導電性接着層３９は、第２基板３１の表面に対して垂直な方向において、偏光板３５と保護層３８との間に設けられる。導電性接着層３９は、偏光板３５に接しており、かつ、保護層３８から露出する第１シールド層５１と接している。検出電極ＴＤＬが設けられた領域を検出電極領域とすると、導電性接着層３９が設けられる領域は、平面視で検出電極領域より大きい。
導電性接着層３９は、偏光板３５と保護層３８を接着すると共に、ＥＳＤ（Ｅｌｅｃｔｒｏ−Ｓｔａｔｉｃ Ｄｉｓｃｈａｒｇｅ（静電気放電））対策のために設けられる。導電性接着層３９は、透光性導電層であり、透光性の樹脂接着剤と導電粒子とを含む。導電粒子は樹脂接着剤中に分散されている。樹脂接着剤に含まれる導電粒子の大きさや量、導電粒子の伝導率などの特性を調整することにより、導電性接着層３９のシート抵抗値を高めることができる。本実施の形態では、導電性接着層３９のシート抵抗値は、第１シールド層５１のシート抵抗値よりも高い。上述のように、導電性接着層３９が、第１シールド層５１と直接接していることにより、静電気が導電性接着層３９から第１シールド層５１へ流れる。これにより、静電気放電についてより大きな効果が得られる。
第１基板２１と第２基板３１とは所定の間隔を設けて対向して配置される。第１基板２１と第２基板３１との間の空間は、シール部６１により封止される。第１基板２１、第２基板３１、及びシール部６１によって囲まれた空間に液晶層６が設けられる。液晶層６は、通過する光を電界の状態に応じて変調する。液晶層６として、例えば、ＦＦＳ（Ｆｒｉｎｇｅ Ｆｉｅｌｄ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：フリンジフィールドスイッチング）を含むＩＰＳ（Ｉｎ−Ｐｌａｎｅ Ｓｗｉｔｃｈｉｎｇ：インプレーンスイッチング）等の横電界モードの液晶が用いられる。なお、図５に示す液晶層６と画素基板２との間、及び液晶層６と対向基板３との間には、それぞれ配向膜が配設される。本実施形態では、画素電極２２と駆動電極ＣＯＭＬとの間に発生する横電界により、液晶層６が駆動される。
第１基板２１の下側には、図示しない照明部（バックライト）が設けられる。照明部は、例えばＬＥＤ（Ｌｉｇｈｔ Ｅｍｉｔｔｉｎｇ Ｄｉｏｄｅ）等の光源を有しており、光源からの光を第１基板２１に向けて射出する。照明部からの光は、画素基板２を通過して、その位置の液晶の状態により変調され、表示面への透過状態が場所によって変化する。これにより、表示面に画像が表示される。
次に表示装置１の表示動作について説明する。図６は、表示部の画素配列を表す回路図である。第１基板２１（図５参照）には、図６に示す各副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒ、信号線ＳＧＬ、ゲート線ＧＣＬ等が形成されている。信号線ＳＧＬは、各画素電極２２に画素信号Ｖｐｉｘを供給するための配線である。ゲート線ＧＣＬは、各スイッチング素子Ｔｒを駆動する駆動信号を供給するための配線である。信号線ＳＧＬ及びゲート線ＧＣＬは、第１基板２１の表面と平行な平面に延出する。
図６に示す表示部２０は、マトリクス状に配列された複数の副画素ＳＰｉｘを有している。副画素ＳＰｉｘは、それぞれスイッチング素子Ｔｒ及び液晶素子６ａを備えている。スイッチング素子Ｔｒは、薄膜トランジスタにより構成されるものであり、この例では、ｎチャネルのＭＯＳ（Ｍｅｔａｌ Ｏｘｉｄｅ Ｓｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒ）型のＴＦＴで構成されている。画素電極２２と駆動電極ＣＯＭＬとの間に絶縁層２４が設けられ、これらによって図６に示す保持容量６ｂが形成される。
図１に示すゲートドライバ１２は、ゲート線ＧＣＬを順次選択する。ゲートドライバ１２は、選択されたゲート線ＧＣＬを介して、走査信号Ｖｓｃａｎを副画素ＳＰｉｘのスイッチング素子Ｔｒのゲートに印加する。これにより、副画素ＳＰｉｘのうちの１行（１水平ライン）が表示駆動の対象として順次選択される。また、ソースドライバ１３は、選択された１水平ラインを構成する副画素ＳＰｉｘに、信号線ＳＧＬを介して画素信号Ｖｐｉｘを供給する。そして、これらの副画素ＳＰｉｘでは、供給される画素信号Ｖｐｉｘに応じて１水平ラインずつ表示が行われるようになっている。
この表示動作を行う際、図１に示す駆動電極ドライバ１４は、駆動電極ＣＯＭＬに対して表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃは複数の副画素ＳＰｉｘに対する共通電位となる直流の電圧信号である。これにより、各駆動電極ＣＯＭＬは、表示動作において、画素電極２２に対する共通電極として機能する。表示の際に、駆動電極ドライバ１４は、表示領域１０ａの全ての駆動電極ＣＯＭＬに対して駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを印加する。
カラーフィルタ３２（図１２参照）は、例えば赤（Ｒ）、緑（Ｇ）、青（Ｂ）の３色に着色されたカラーフィルタの色領域が周期的に配列されていてもよい。上述した図６に示す各副画素ＳＰｉｘに、Ｒ、Ｇ、Ｂの３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂが１組として対応付けられる。そして、３色の色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂに対応する副画素ＳＰｉｘを１組として画素Ｐｉｘが構成される。なお、カラーフィルタ３２は、４色以上の色領域を含んでいてもよい。
次に、駆動電極ＣＯＭＬ、検出電極ＴＤＬの構成と、タッチ検出動作について説明する。図７は、第１の実施形態に係る第１基板の平面図である。図８は、第１の実施形態に係る第２基板の平面図である。図９は、図８に示す領域Ｒａを拡大して示す平面図である。
図７に示すように、第１基板２１は、表示部２０（図１参照）の表示領域１０ａと、表示領域１０ａの外側に設けられた周辺領域１０ｂとに対応する領域が形成されている。表示用ＩＣ１９は第１基板２１の周辺領域１０ｂに搭載されている。表示用ＩＣ１９は、図１に示す制御部１１や、ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３の機能の一部等、表示動作に必要な各回路を内蔵したものである。なお、周辺領域１０ｂは表示領域１０ａを囲っていてもよく、その場合は、周辺領域１０ｂは額縁領域とも言える。
ゲートドライバ１２、ソースドライバ１３及び駆動電極ドライバ１４は、ガラス基板である第１基板２１に形成される。表示用ＩＣ１９及び駆動電極ドライバ１４は、周辺領域１０ｂに設けられる。なお、表示用ＩＣ１９は、駆動電極ドライバ１４を内蔵していてもよい。この場合、周辺領域１０ｂを狭くすることが可能である。フレキシブル基板７２は、表示用ＩＣ１９と接続されており、フレキシブル基板７２を介して、外部から映像信号Ｖｄｉｓｐや、電源電圧が表示用ＩＣ１９に供給される。
図７に示すように、第１基板２１の表示領域１０ａに複数の駆動電極ＣＯＭＬが設けられている。駆動電極ＣＯＭＬは、それぞれ第２方向Ｄｙに延出し、第１方向Ｄｘに複数配列される。言い換えると、駆動電極ＣＯＭＬは、表示領域１０ａの長辺に沿った方向に延出しており、表示領域１０ａの短辺に沿った方向において、間隔を設けて複数配列されている。複数の駆動電極ＣＯＭＬは駆動電極ドライバ１４にそれぞれ接続されている。
本実施形態において、駆動電極ＣＯＭＬは、ゲート線ＧＣＬと交差する方向に延出する。言い換えると、駆動電極ＣＯＭＬは、信号線ＳＧＬと平行な方向に延出する。これにより、駆動電極ＣＯＭＬに接続される配線や駆動電極ドライバ１４を、ゲートドライバ１２と異なる位置の周辺領域１０ｂに設けることができる。具体的には、例えば、図７に示すように、ゲートドライバ１２は周辺領域１０ｂの長辺に設けられ、駆動電極ドライバ１４及びソースドライバ１３は、周辺領域１０ｂの短辺のうち、フレキシブル基板７２が接続された辺に設けられる。したがって、本実施形態の表示装置１は、駆動電極ＣＯＭＬに沿った部分の周辺領域１０ｂの狭額縁化に有利である。
図８に示すように、第２基板３１の表示領域１０ａに複数の検出電極ＴＤＬが設けられている。検出電極ＴＤＬは、それぞれ、第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに間隔ＳＰを設けて複数配列される。つまり、複数の駆動電極ＣＯＭＬと、複数の検出電極ＴＤＬとは、平面視で交差するように配置されており、互いに重畳する部分で静電容量が形成される。
タッチ検出の際に、駆動電極ドライバ１４は駆動電極ＣＯＭＬを時分割的に順次走査して、駆動信号Ｖｃｏｍを駆動電極ＣＯＭＬに順次印加する。そして、検出電極ＴＤＬは、駆動電極ＣＯＭＬと検出電極ＴＤＬとの間の容量変化に応じた信号を検出部４０に出力する。これにより、表示領域１０ａのタッチ検出が行われるようになっている。つまり、駆動電極ＣＯＭＬは、上述した相互静電容量方式のタッチ検出の基本原理における駆動電極Ｅ１に対応し、検出電極ＴＤＬは、検出電極Ｅ２に対応する。互いに交差した検出電極ＴＤＬ及び駆動電極ＣＯＭＬは、静電容量式タッチセンサをマトリックス状に構成している。よって、タッチセンサ３０のタッチ検出面全体に亘って走査することにより、接触又は近接する被検出体の検出が可能となっている。
表示装置１の動作方法の一例として、表示装置１は、タッチ検出動作（タッチ検出期間）と表示動作（表示期間）とを時分割に行う。タッチ検出動作と表示動作とはどのように分けて行ってもよい。
タッチ検出期間に駆動電極ＣＯＭＬを用いず、検出電極ＴＤＬのみで検出動作を行う場合、例えば、自己静電容量方式のタッチ検出原理に基づいてタッチ検出を行う場合、駆動電極ドライバ１４は、検出電極ＴＤＬにタッチ検出用の駆動信号Ｖｃｏｍを供給してもよい。
図８に示すように、本実施形態の検出電極ＴＤＬは、複数の第１導電性細線３３Ｕ及び複数の第２導電性細線３３Ｖを有している。第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、それぞれ、表示領域１０ａの一辺と平行な方向に対して互いに逆方向に傾斜している。第１導電性細線３３Ｕは第１方向Ｄｘと第１の角度をなし、第２導電性細線３３Ｖは第１方向Ｄｘと第２の角度をなす。
複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、それぞれ細幅の金属配線である。表示領域１０ａにおいて、複数の第１導電性細線３３Ｕは、第１導電性細線３３Ｕの延出方向と交差する方向、すなわち第２方向Ｄｙに互いに間隔を設けて配置される。また、複数の第２導電性細線３３Ｖは、第２方向Ｄｙに互いに間隔を設けて配置されている。
検出電極ＴＤＬは、少なくとも１つの第１導電性細線３３Ｕと、第１導電性細線３３Ｕと交差する少なくとも１つの第２導電性細線３３Ｖと、を含む。第１導電性細線３３Ｕと、第２導電性細線３３Ｖとは、接続部３３Ｘで電気的に接続されている。複数の第１導電性細線３３Ｕと、複数の第２導電性細線３３Ｖとがそれぞれ複数交差すると、検出電極ＴＤＬの１つの網目の形状が平行四辺形となる。
複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの延出方向の両端は、接続配線３４ａ、３４ｂに接続されている。検出電極ＴＤＬの主検出部である第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、細線３３ａを介して接続配線３４ａ、３４ｂに接続されている。これにより、複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは互いに電気的に接続され、１つの検出電極ＴＤＬとして機能する。
第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層で形成される。又は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、これらの金属材料から選ばれた１種以上を含む合金で形成される。また、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、これらの金属材料又はこれらの材料の１種以上を含む合金の導電層が複数積層された積層体としてもよい。なお、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、ＩＴＯ等の透光性導電酸化物の導電層が積層されていてもよい。また、上述した金属材料及び導電層を組み合わせた黒色化膜、黒色有機膜又は黒色導電有機膜が積層されていてもよい。
上述した金属材料は、ＩＴＯ等の透光性導電酸化物よりも低抵抗である。上述した金属材料は、透光性導電酸化物に比較して遮光性があるため、透過率が低下する可能性又は検出電極ＴＤＬのパターンが視認されてしまう可能性がある。本実施形態において、１つの検出電極ＴＤＬが、複数の幅細の第１導電性細線３３Ｕ及び複数の第２導電性細線３３Ｖを有しており、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖが、線幅よりも大きい間隔を設けて配置される。これにより、検出電極ＴＤＬの低抵抗化と、不可視化とを実現することができる。その結果、表示装置１の薄型化、大画面化又は高精細化を実現できる。
また上述した金属材料と導電性接着層３９（図５参照）の組み合わせによっては、電池反応などにより検出電極ＴＤＬの金属材料を腐食させてしまう場合がある。本実施形態では、検出電極ＴＤＬの上に保護層３８が設けられ、導電性接着層３９は検出電極ＴＤＬと離隔する。このため、検出電極ＴＤＬの金属材料の腐食を抑制することができる。
第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの幅は、１μｍ以上１０μｍ以下であることが好ましく、さらに１μｍ以上５μｍ以下の範囲にあることがより好ましい。第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの幅が１０μｍ以下であると、表示領域１０ａをのうちブラックマトリックスに包囲された領域である開口部と重なる面積が小さくなり、開口率を損なう可能性が低くなるからである。また、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの幅が１μｍ以上であると、形状が安定し、断線する可能性が低くなるからである。
図８に示すように、検出電極ＴＤＬは、複数の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖが所定のピッチで配置されている。検出電極ＴＤＬは、全体として、カラーフィルタ３２の各色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂ（図６参照）の延出方向（第２方向Ｄｙ）と交差する方向に延びている。つまり、検出電極ＴＤＬは、図６に示す信号線ＳＧＬと交差する第１方向Ｄｘに延出する。第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、互いに逆向きに傾斜して交差することで網目状となっている。これにより、各第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖがカラーフィルタ３２の特定の色領域を遮光することが抑制される。第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、色領域３２Ｒ、色領域３２Ｇ及び色領域３２Ｂの延出方向に対して、角度θを有して互いに逆向きに傾斜する。例えば、角度θは、５度以上７５度以下であり、好ましくは２５度以上４０度以下、さらに好ましくは５０度以上６５度以下である。
このように、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの延出方向がカラーフィルタ３２の各色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂの延出方向に対して角度をもつようになる。その結果、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、カラーフィルタ３２の各色領域３２Ｒ、３２Ｇ、３２Ｂを順に遮光することから、カラーフィルタ３２の特定色領域における透過率の低下を抑制することができる。また、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖは、好ましい範囲でゆらぎをもたせて配置してもよい。すなわち、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖ同士の間隔を異ならせてもよい。
図９は、図８の一部の拡大図である。図９に示すように、検出電極ＴＤＬは、センサ部ＴＤＬｓと、ダミー部ＴＤＬｄとを含む。センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄは、それぞれ、第１方向Ｄｘに延出し、第２方向Ｄｙに交互に配置されている。センサ部ＴＤＬｓは、図８に示す接続配線３４ａ、３４ｂに接続され、主として検出電極として機能する。ダミー部ＴＤＬｄは、センサ部ＴＤＬｓ及び接続配線３４ａ、３４ｂと電気的に離隔して設けられる。ダミー部ＴＤＬｄは、検出電極として機能しないダミー電極である。
センサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄは、それぞれ、上述した第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖを含み、互いに類似したメッシュ状の構成である。これにより、表示領域１０ａにおける透光率のばらつきを抑制して、良好な視認性を得ることができる。センサ部ＴＤＬｓとダミー部ＴＤＬｄとは、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖに設けられたスリットＳＬにより、電気的に離隔される。ダミー部ＴＤＬｄの１つの網目を構成する第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖに、それぞれ、スリットＳＬが設けられている。このような構成により、タッチ検出において、ダミー部ＴＤＬｄは、電圧信号が供給されないフローティング状態となる。
検出電極ＴＤＬの配置率（単位面積当たりの占有率）は１０％以下が好ましい。検出電極ＴＤＬの配置率が高過ぎると透過率が低くなってしまい暗い表示になったり、バックライトの消費電力が増えてしまう。また、電極間距離は３００μｍ以下が好ましい。電極間距離が大きい場合には電極間抵抗を下げるために導電層５９（図１８参照）を設け、導電層５９の抵抗を下げる必要がある。導電層５９の抵抗を下げるとタッチ信号の低下を引き起こす。
図８に示すように、複数の接続配線３４ａには、それぞれ第１配線３７ａが接続される。また複数の接続配線３４ｂには、それぞれ第２配線３７ｂが接続される。つまり、本実施形態において、検出電極ＴＤＬの一端側に第１配線３７ａが接続され、他端側に第２配線３７ｂが接続される。第１配線３７ａは、周辺領域１０ｂの長辺の一方に沿って設けられる。また、第２配線３７ｂは、周辺領域１０ｂの長辺の他方に沿って設けられる。
１つの検出電極ＴＤＬに接続された第１配線３７ａと第２配線３７ｂとは、一つの端子部３６に接続される。つまり、検出電極ＴＤＬ、第１配線３７ａ、第２配線３７ｂ及び端子部３６は、ループ状に接続される。検出電極ＴＤＬは、第１配線３７ａ、第２配線３７ｂ及び端子部３６を介してフレキシブル基板７１と接続される。
第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂは、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖに用いられる金属材料、或いは合金等と同じ材料を用いることができる。また、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂは、良好な導電性を有する材料であればよく、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと異なる材料が用いられてもよい。
このように、１つの検出電極ＴＤＬに第１配線３７ａと第２配線３７ｂとが接続されているので、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂの一方が断線した場合であっても、他方の配線により、検出電極ＴＤＬとフレキシブル基板７１との接続が確保される。したがって、本実施形態の表示装置１は、検出電極ＴＤＬとフレキシブル基板７１との接続信頼性を向上させることができる。
なお、１つの検出電極ＴＤＬに第１配線３７ａ又は第２配線３７ｂのいずれか一方が接続される構成であってもよい。また、検出電極ＴＤＬは、メッシュ状の金属細線に限定されず、例えば、ジグザグ線状或いは、波線状、直線状の金属細線を複数含む構成であってもよい。図９では、１つの検出電極ＴＤＬに含まれるセンサ部ＴＤＬｓ及びダミー部ＴＤＬｄを示したが、検出電極ＴＤＬ同士の間隔ＳＰにダミー電極を配置してもよい。
図８に示すように、第２基板３１の周辺領域１０ｂに、第１シールド層５１、第２シールド層５２、第３シールド層５３及び第４シールド層５４が設けられる。第１シールド層５１、第２シールド層５２、第３シールド層５３及び第４シールド層５４は、それぞれ、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖを含み、検出電極ＴＤＬと類似したメッシュ状の構成である。第１シールド層５１、第２シールド層５２、第３シールド層５３及び第４シールド層５４は、これに限定されず、ジグザグ線状或いは、波線状、直線状の金属細線を複数含む構成であってもよく、或いは連続して形成された導電膜であってもよい。第１シールド層５１、第２シールド層５２、第３シールド層５３及び第４シールド層５４は、アルミニウム（Ａｌ）、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、モリブデン（Ｍｏ）、クロム（Ｃｒ）、チタン（Ｔｉ）及びタングステン（Ｗ）から選ばれた１種以上の金属層、またはこれらの１種以上を含む合金層で形成される。
図８に示すように、フレキシブル基板７１が接続される端子部３６、３６ａ、３６ｂは、周辺領域１０ｂのうち、第２方向Ｄｙに対向する周辺領域１０ｂの一方の辺に設けられる。第１シールド層５１は、第２方向Ｄｙに対向する周辺領域１０ｂの他方の辺に設けられる。つまり、第１シールド層５１は、表示領域１０ａに対して端子部３６、３６ａ、３６ｂと反対側の周辺領域１０ｂの辺に設けられる。第２シールド層５２、第３シールド層５３及び第４シールド層５４は、周辺領域１０ｂの一方の辺、すなわち、表示領域１０ａに対し第１シールド層５１とは反対側の周辺領域１０ｂに設けられる。
第１シールド層５１は、全体として第１方向Ｄｘに延出し、検出電極ＴＤＬに沿って設けられる。第１シールド層５１の一端側に配線５０ａが接続され、他端側に配線５０ｂが接続される。配線５０ａは、周辺領域１０ｂの長辺の一方に沿って設けられる。また、配線５０ｂは、周辺領域１０ｂの長辺の他方に沿って設けられる。配線５０ａ、５０ｂは、それぞれ、検出電極ＴＤＬに接続された第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂよりも外側に設けられる。配線５０ａ、５０ｂは一つの端子部３６ｂに接続される。このような構成により、第１シールド層５１、配線５０ａ、５０ｂ及び端子部３６ｂは、ループ状に接続される。第１シールド層５１は、配線５０ａ、５０ｂ及び端子部３６ｂを介してフレキシブル基板７１と接続される。
第２シールド層５２と、第３シールド層５３とは、フレキシブル基板７１が接続された周辺領域１０ｂに設けられる。第２シールド層５２と、第３シールド層５３とは、第１方向Ｄｘに対向する。第２シールド層５２と第３シールド層５３との間にフレキシブル基板７１が設けられる。第２シールド層５２及び第３シールド層５３は、配線５０ａ、５０ｂよりも外側に設けられる。
第２シールド層５２は、配線５０ｂと電気的に接続され、配線５０ｂ、端子部３６ｂを介してフレキシブル基板７１に接続される。第３シールド層５３は、配線５０ａと電気的に接続され、配線５０ａ、端子部３６ｂを介してフレキシブル基板７１に接続される。図８に示す例では、第１シールド層５１、第２シールド層５２及び第３シールド層５３は、一つの同じ端子部３６ｂに電気的に接続される。
第４シールド層５４は、フレキシブル基板７１が接続された周辺領域１０ｂにおいて、フレキシブル基板７１と検出電極ＴＤＬとの間に設けられる。第４シールド層５４は、全体として第１方向Ｄｘに延出し、検出電極ＴＤＬに沿って設けられる。第４シールド層５４は、検出電極ＴＤＬ、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂによって囲まれた領域に設けられる。第４シールド層５４は、配線５０ｇを介して端子部３６ａに接続される。これにより第４シールド層５４は、フレキシブル基板７１に接続される。
第１シールド層５１、第２シールド層５２、第３シールド層５３及び第４シールド層５４は、検出電極ＴＤＬに供給される電位と同じ電位を有する電圧信号が供給される。これにより、検出電極ＴＤＬの寄生容量が低減され、検出感度の低下を抑制することができる。若しくは、第１シールド層５１、第２シールド層５２、第３シールド層５３及び第４シールド層５４は、フレキシブル基板７１を介してグラウンドに接続されて、接地されてもよい。
図１０は、第１の実施形態に係る駆動回路の一例を示す回路図である。図１０に示す駆動回路１４Ａは、図７に示す駆動電極ドライバ１４に含まれるスキャナ回路であり、駆動電極ＣＯＭＬを順次走査する。駆動回路１４Ａは、第１基板２１の周辺領域１０ｂにおいて、駆動電極ＣＯＭＬの端部に対向して設けられる。
図１０に示すように、駆動電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）、…、ＣＯＭＬ（ｍ）、ＣＯＭＬ（ｍ＋１）が配列されている。駆動回路１４Ａは、スイッチＳＷ２１、ＳＷ２２、配線ＬＡ、ＬＢ及びシフトレジスタ７５（１）、７５（２）、…、７５（ｍ）、７５（ｍ＋１）を含む。シフトレジスタ７５（１）、７５（２）、…、７５（ｍ）、７５（ｍ＋１）は、それぞれ駆動電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）、…、ＣＯＭＬ（ｍ）、ＣＯＭＬ（ｍ＋１）に対応して設けられる。
なお、以下の説明において、駆動電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）、…、ＣＯＭＬ（ｍ）、ＣＯＭＬ（ｍ＋１）を区別して説明する必要がない場合には、駆動電極ＣＯＭＬと表す。同様に、シフトレジスタ７５（１）、７５（２）、…、７５（ｍ）、７５（ｍ＋１）を区別して説明する必要がない場合には、シフトレジスタ７５と表す。
スイッチＳＷ２１、ＳＷ２２は、駆動電極ＣＯＭＬ（１）、ＣＯＭＬ（２）、…、ＣＯＭＬ（ｍ）、ＣＯＭＬ（ｍ＋１）にそれぞれ接続される。スイッチＳＷ２１の一端は、配線Ｌ１１を介して駆動電極ＣＯＭＬに接続される。スイッチＳＷ２１の他端は、配線ＬＡに接続される。スイッチＳＷ２２の一端は、配線Ｌ１１を介して駆動電極ＣＯＭＬに接続される。スイッチＳＷ２２の他端は、配線ＬＢに接続される。スイッチＳＷ２１とスイッチＳＷ２２とは、シフトレジスタ７５から供給される走査信号により動作が制御される。
スイッチＳＷ２１とスイッチＳＷ２２とは、互いに反転した接続動作を行う。例えば、スイッチＳＷ２１とスイッチＳＷ２２とに同じ走査信号が供給された場合において、スイッチＳＷ２１がオンの場合、スイッチＳＷ２２はオフとなり、スイッチＳＷ２１がオフの場合、スイッチＳＷ２２はオンとなる。
配線ＬＡ、配線ＬＢは、駆動電極ＣＯＭＬの端部と対向して配置され、駆動電極ＣＯＭＬと交差する方向に延出する。表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃは、配線ＬＡを介して駆動電極ＣＯＭＬに供給される。また、検出用の駆動信号Ｖｃｏｍは、配線ＬＢを介して駆動電極ＣＯＭＬに供給される。
タッチ検出において、シフトレジスタ７５（１）、７５（２）、…、７５（ｍ）、７５（ｍ＋１）は、制御部１１からの走査開始信号により走査を開始する。シフトレジスタ７５（１）、７５（２）、…、７５（ｍ）、７５（ｍ＋１）は、制御部１１からのクロック信号に同期して順次、走査信号を供給する。
シフトレジスタ７５から供給された走査信号により、スイッチＳＷ２１がオフになり、スイッチＳＷ２２がオンになる。これにより駆動対象の駆動電極ＣＯＭＬに、配線ＬＢ、スイッチＳＷ２２を介して駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。一方、走査信号が供給されない場合には、スイッチＳＷ２１がオンになり、スイッチＳＷ２２がオフになる。これにより駆動対象として選択されていない非選択の駆動電極ＣＯＭＬは、配線ＬＡ、スイッチＳＷ２１を介して直流電圧信号である駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが供給される。
図１０に示すように、第２シールド層５２及び第３シールド層５３は、平面視で、駆動回路１４Ａの一部と重なって配置される。第２シールド層５２及び第３シールド層５３は、少なくとも配線ＬＡ、ＬＢと重なって配置される。これにより、第２シールド層５２及び第３シールド層５３は、配線ＬＡ、ＬＢ及びスイッチＳＷ２１、ＳＷ２２等と、検出電極ＴＤＬ、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂ（図８参照）との間を電気的にシールドすることができる。これにより、駆動回路１４Ａから発生するノイズによる検出性能の低下を抑制できる。
図１１は、第１の実施形態に係る保護層を示す平面図である。なお、図１１では、保護層３８に斜線を付して外周を太線で示している。図１１に示すように、保護層３８は、第２基板３１のほぼ全面に設けられる。保護層３８は、少なくとも検出電極ＴＤＬの全体と第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂと重なって設けられる。これにより、検出電極ＴＤＬの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの腐食を抑制することができる。
仮に保護層３８を設けない場合、導電性接着層３９（図５参照）に含まれる酸成分やイオン性物質が溶出して、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖが変質又は腐食する可能性がある。本実施形態では、検出電極ＴＤＬと導電性接着層３９との間に保護層３８が設けられている。このため、イオン性物質が第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖに溶出しないので、検出電極ＴＤＬの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの変質又は腐食を抑制できる。
図１１に示すように、保護層３８は、第２シールド層５２、第３シールド層５３及び第４シールド層５４と重なって設けられている。保護層３８には、凹部３８ａと、開口３８ｂとが設けられている。凹部３８ａは、保護層３８の１辺の一部が、平面視で、周辺領域１０ｂから、表示領域１０ａに向かってへこんでいる部分である。凹部３８ａは、第１シールド層５１と重なる部分に形成されている。
本実施形態では、第１シールド層５１は、保護層３８と重なる部分と、保護層３８と重ならない部分とを有する。言い換えると第１シールド層５１の一部が保護層３８から露出する。導電性接着層３９（図５参照）は、保護層３８の全面に設けられる。さらに、導電性接着層３９は、保護層３８の凹部３８ａを介して第１シールド層５１の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと直接接する。言い換えると、導電性接着層３９は、表示領域１０ａに対してフレキシブル基板７１と反対側の周辺領域１０ｂにおいて、第１シールド層５１の、保護層３８と重ならない部分に接する。
なお、これに限定されず、保護層３８は第１シールド層５１と重ならない位置に設けられていてもよい。つまり、第１シールド層５１の全領域が保護層３８から露出してもよい。この場合、第１シールド層５１と導電性接着層３９との接触面積が大きくなる。
また、開口３８ｂは、端子部３６、３６ａ、３６ｂと重なる位置に形成されている。このため端子部３６、３６ａ、３６ｂは、保護層３８から露出して、開口３８ｂを介してフレキシブル基板７１と接続される。
図１２は、静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。なお、図１２は、第１シールド層５１と、第１シールド層５１と対向する１つの検出電極ＴＤＬを拡大して示す断面図である。
上述したように、導電性接着層３９は、表示装置１の製造時及び使用時におけるＥＳＤ対策のために設けられる。製造時では、例えば、偏光板３５や、偏光板３５の上にカバー基板（図示しない）を接着する場合や、偏光板３５やカバー基板からカバーフィルムを剥がす際などに、偏光板３５が帯電する可能性がある。また、検査の際に人の指がタッチ検出面（カバー基板の表面）に接触した場合にも、偏光板３５が帯電する可能性がある。また、使用時には、帯電したユーザの指がタッチ検出面に接触した場合に偏光板３５が帯電する可能性がある。
導電性接着層３９を設けない場合、外部から静電気などの電磁ノイズが印加されると、偏光板３５が帯電する可能性がある。また、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖ（図８参照）は低抵抗かつ細幅であるため、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖに帯電した電荷が除去されにくくなる。ダミー部ＴＤＬｄ（図９参照）は、センサ部ＴＤＬ及び各種配線と接続されていないフローティング状態であるため、帯電した電荷が除去されにくくなる。このため、偏光板３５やダミー部ＴＤＬｄに帯電した静電気によって、液晶層６の配向が変化して表示部２０の表示品質が低下する可能性がある。また、帯電した静電気によって検出信号Ｖｄｅｔ１が変化することで、タッチセンサ３０のタッチ検出精度が低下する可能性がある。
本実施形態では、図１２に示すように、第２基板３１の上に第１シールド層５１と検出電極ＴＤＬが設けられる。導電性接着層３９は、第２基板３１と偏光板３５とが重なる領域のほぼ全面に設けられる。導電性接着層３９は、第２基板３１の表面に対して垂直な方向において、偏光板３５と第１シールド層５１との間に設けられ、偏光板３５及び第１シールド層５１と直接、接している。また、導電性接着層３９は、第２基板３１の表面に対して垂直な方向において、偏光板３５と保護層３８との間に設けられ、検出電極ＴＤＬとは接していない。
図１２に示すように、偏光板３５の表面に外部から静電気ＳＥが印加された場合、静電気ＳＥは、偏光板３５を介して導電性接着層３９に流れる。そして、導電性接着層３９に流れた静電気ＳＥは、第１シールド層５１に流れる。このように、導電性接着層３９は、偏光板３５及び第１シールド層５１に直接、接して設けられている。このため、偏光板３５が帯電することを抑制できる。
そして、第１シールド層５１に流れる静電気ＳＥは、検出部４０に含まれる抵抗素子や、ＥＳＤ保護回路（図示しない）を介して、電源やＧＮＤ（接地電位）に流れる、すなわち放電される。また、第１シールド層５１は、例えば、表示装置１の筐体などに接地されていてもよい。
また、検出電極ＴＤＬと導電性接着層３９との間には保護層３８が設けられる。保護層３８は、第１シールド層５１よりも高いシート抵抗値を有するため、検出電極ＴＤＬに静電気ＳＥが流れることを抑制できる。このため検出電極ＴＤＬに含まれるダミー部ＴＤＬｄ（図９参照）が帯電することを抑制して、検出電極ＴＤＬから液晶層６を介して駆動電極ＣＯＭＬに流れる静電気ＳＥａを抑制することができる。
このような構成により、本実施形態の表示装置１は、偏光板３５や検出電極ＴＤＬが帯電することを抑制できる。このため、静電気ＳＥによる表示品質の低下やタッチ検出精度の低下を抑制できる。したがって、本実施形態の表示装置１は、静電気などの電磁ノイズに対する耐性を向上させることができる。
導電性接着層３９のシート抵抗値は、例えば１０８Ω／□以上、１０１４Ω／□以下である。より好ましくは、導電性接着層３９のシート抵抗値は、例えば１０９Ω／□以上、１０１３Ω／□以下である。導電性接着層３９のシート抵抗値は、偏光板３５の抵抗値よりも低い。導電性接着層３９のシート抵抗値は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖのシート抵抗値よりも高い。すなわち、導電性接着層３９のシート抵抗値は、第１シールド層５１及び検出電極ＴＤＬよりも高い。
導電性接着層３９のシート抵抗値が、例えば１０８Ω／□よりも低い場合、導電性接着層３９がシールドとして機能し、タッチ検出性能が低下する可能性がある。また、導電性接着層３９のシート抵抗値が、１０１４Ω／□よりも高い場合、静電気ＳＥが第１シールド層５１に良好に流れない可能性がある。
導電性接着層３９のシート抵抗値が、偏光板３５の抵抗値よりも低いので、静電気ＳＥが導電性接着層３９を良好に流れる。導電性接着層３９のシート抵抗値は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖのシート抵抗値よりも高いので、導電性接着層３９はシールドとして機能せず、タッチ検出性能が低下することはない。上述のシート抵抗値の範囲であれば、偏光板３５の静電気ＳＥが導電性接着層３９に流れ、静電気を短時間に除去することができる。また、検出電極ＴＤＬが帯電することを抑制できる。
なお、シート抵抗とは、平面視で正方形状の抵抗体について、向かい合う２辺間の抵抗値をいう。第１シールド層５１等のシート抵抗値は、例えば第２基板３１に、スパッタ法などにより成膜した導電層を用いて、公知の四端子法により測定することができる。
以上説明したように、本実施形態の表示装置１は、第２基板３１と、第２基板３１と平行な面上の表示領域１０ａに設けられ、複数の金属配線（第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖ）を有する検出電極ＴＤＬと、表示領域１０ａの外側の周辺領域１０ｂに設けられた第１導電層（第１シールド層５１）と、検出電極ＴＤＬの上に設けられた保護層３８と、保護層３８の上側に設けられた偏光板３５と、第２基板３１に対し垂直な方向において、偏光板３５と保護層３８との間に設けられた第２導電層（導電性接着層３９）と、を有し、導電性接着層３９は、金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、第１シールド層５１と接している。
本実施形態の表示装置１は、導電性接着層３９が第１シールド層５１と接して設けられている。これにより、静電気ＳＥは、偏光板３５から導電性接着層３９を介して第１シールド層５１に流れる。このため、偏光板３５自体が帯電することを抑制できる。また、静電気ＳＥが第１シールド層５１に流れることで検出電極ＴＤＬの帯電も抑制できる。以上のように、本実施形態の表示装置１は、静電気ＳＥによる表示品質の低下やタッチ検出精度の低下を抑制できる。
（第２の実施形態）
図１３は、第２の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図１４は、第２の実施形態に係る保護層を示す平面図である。図１３は、図１４に示すＢ１−Ｂ２線に沿って模式的に示す断面図である。図１３及び図１４に示すように、本実施形態の表示装置１Ａにおいて、保護層３８は、検出電極ＴＤＬ、第１シールド層５１、第３シールド層５３及び第４シールド層５４に重なって設けられている。第２シールド層５２の少なくとも一部は、保護層３８が設けられていない。導電性接着層３９は、保護層３８の全面に設けられ、第２シールド層５２の、保護層３８と重ならない部分に接する。
より具体的には、図１４に示すように、保護層３８は、開口３８ｂと凹部３８ｃとが形成されている。開口３８ｂは、端子部３６、３６ａ、３６ｂと重なる位置に形成されている。このため端子部３６、３６ａ、３６ｂは、保護層３８から露出して、開口３８ｂを介してフレキシブル基板７１と接続される。
凹部３８ｃは、第２シールド層５２と重なる部分に形成されている。つまり、凹部３８ｃは、フレキシブル基板７１が接続される周辺領域１０ｂの一辺に形成される。本実施形態では、第２シールド層５２は、保護層３８と重なる部分と、保護層３８と重ならない部分とを有する。つまり、第２シールド層５２の少なくとも一部が保護層３８から露出する。導電性接着層３９は、保護層３８の凹部３８ｃを介して第２シールド層５２の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと直接接する。言い換えると、導電性接着層３９は、端子部３６、３６ａ、３６ｂが設けられる周辺領域１０ｂの一辺において、第２シールド層５２の、保護層３８と重ならない部分に接する。
第２シールド層５２は、保護層３８と重ならない部分において、抵抗値が増加し、シールドとしての機能が低下する可能性がある。この場合であっても、第２シールド層５２は、少なくとも保護層３８と重なる部分で導通を確保できる。なお、これに限定されず、保護層３８は第２シールド層５２と重ならない位置に設けられていてもよい。つまり、第２シールド層５２の全領域が保護層３８から露出してもよい。この場合、第２シールド層５２と導電性接着層３９との接触面積が大きくなる。
本実施形態の表示装置１Ａにおいても、導電性接着層３９は第２シールド層５２と接して設けられている。これにより、図１２に示す例と同様に、静電気ＳＥが偏光板３５から導電性接着層３９を介して第２シールド層５２に流れる。このため、偏光板３５が帯電することを抑制できる。また、静電気ＳＥが第２シールド層５２に流れることで検出電極ＴＤＬの帯電も抑制できる。以上のように、本実施形態の表示装置１Ａは、静電気ＳＥによる表示品質の低下やタッチ検出精度の低下を抑制できる。
なお、図１３及び図１４に示す構成に限定されず、導電性接着層３９は第３シールド層５３と接してもよく、或いは、第２シールド層５２及び第３シールド層５３の両方に接してもよい。この場合、第３シールド層５３と重なる位置に保護層３８に凹部が形成され、第３シールド層５３の少なくとも一部が保護層３８から露出する。
（第３の実施形態）
図１５は、第３の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図１６は、第３の実施形態に係る第２基板の平面図である。図１７は、第３の実施形態に係る保護層を示す平面図である。なお、図１５に示す断面図は、図５及び図１３に示す断面図とは異なる方向の断面図を示している。具体的には、図１５は、図１７に示すＣ１−Ｃ２線に沿う断面図である。
図１６に示すように、本実施形態において、第２基板３１の周辺領域１０ｂに第５シールド層５５及び第６シールド層５６が設けられている。第５シールド層５５及び第６シールド層５６は、周辺領域１０ｂのうち、第１方向Ｄｘに対向する２つの辺にそれぞれ設けられている。言い換えると、第５シールド層５５及び第６シールド層５６は、端子部３６、３６ａ、３６ｂが設けられた周辺領域１０ｂの一辺に対して、交差する方向に延出する辺に設けられる。
第５シールド層５５及び第６シールド層５６は、それぞれ第２方向Ｄｙに延出し、複数の検出電極ＴＤＬの端部に対向して配置されている。第５シールド層５５及び第６シールド層５６は、検出電極ＴＤＬ、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂよりも外側に配置されている。
第５シールド層５５及び第６シールド層５６は、それぞれ、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖを含む。第５シールド層５５及び第６シールド層５６は、第１シールド層５１、第２シールド層５２、第３シールド層５３、第４シールド層５４と類似したメッシュ状の構成である。
第５シールド層５５の一端は、配線５０ａを介して第１シールド層５１と接続される。第５シールド層５５の他端は、配線５０ａを介して第３シールド層５３及び端子部３６ｂに接続される。第６シールド層５６の一端は、配線５０ｂを介して第１シールド層５１と接続される。第６シールド層５６の他端は、配線５０ｂを介して第２シールド層５２及び端子部３６ｂに接続される。第５シールド層５５及び第６シールド層５６は、端子部３６ｂを介してフレキシブル基板７１に接続される。
図１７に示すように、保護層３８は、検出電極ＴＤＬ、第１配線３７ａ、第２配線３７ｂ、第１シールド層５１、第２シールド層５２、第３シールド層５３、第４シールド層５４と重なって設けられている。保護層３８の第１方向Ｄｘの長さは、第２基板３１の第１方向Ｄｘの長さよりも短い。保護層３８の第１方向Ｄｘに対向する端部３８ｄ、３８ｅは、それぞれ第５シールド層５５及び第６シールド層５６よりも表示領域１０ａに近い位置に配置される。これにより、第５シールド層５５及び第６シールド層５６の少なくとも一部は、保護層３８と重ならない位置に設けられる。
図１５に示すように、導電性接着層３９は、保護層３８の全面に設けられる。さらに導電性接着層３９は、保護層３８の端部３８ｄ、３８ｅよりも外側において第５シールド層５５及び第６シールド層５６の第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと接する。言い換えると、導電性接着層３９は端子部３６、３６ａ、３６ｂが設けられた周辺領域１０ｂの一辺に対して、交差する辺において、第５シールド層５５及び第６シールド層５６に接する。
本実施形態の表示装置１Ｂにおいても、導電性接着層３９は第５シールド層５５及び第６シールド層５６と接して設けられている。これにより、図１２に示す例と同様に、静電気ＳＥが偏光板３５から導電性接着層３９を介して第５シールド層５５及び第６シールド層５６に流れる。このため、偏光板３５が帯電することを抑制できる。また、静電気ＳＥが第５シールド層５５及び第６シールド層５６に流れることで検出電極ＴＤＬの帯電も抑制できる。以上のように、本実施形態の表示装置１Ｂは、静電気ＳＥによる表示品質の低下やタッチ検出精度の低下を抑制できる。
上述した第１の実施形態から第３の実施形態は、適宜組み合わせてもよい。導電性接着層３９は全ての第１シールド層５１から第６シールド層５６と接していてもよい。また、第１シールド層５１から第６シールド層５６のうち、少なくとも１つが設けられていればよい。なお、第１シールド層５１から第６シールド層５６のうち少なくとも１つは、シールドとしての機能を有さず、導電性を有する導電層であってもよい。
（第４の実施形態）
図１８は、第４の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図１９は、第４の実施形態に係る保護層を示す平面図である。図１８は、図１９に示すＤ１−Ｄ２線に沿う断面図である。本実施形態の表示装置１Ｃにおいて、第２基板３１の上側に導電層５９が設けられている。導電層５９は、第２基板３１の表面に対して垂直な方向において、第２基板３１と検出電極ＴＤＬとの間に設けられる。
導電層５９に接して検出電極ＴＤＬ、第１シールド層５１、第２シールド層５２、第３シールド層５３、第４シールド層５４（図１８では、検出電極ＴＤＬ及び第１シールド層５１のみを示す）が設けられている。保護層３８は、検出電極ＴＤＬ、第１シールド層５１、第２シールド層５２、第３シールド層５３、第４シールド層５４と重なって設けられる。
図１９に示すように、保護層３８の第２方向Ｄｙの長さは、第２基板３１の第２方向Ｄｙの長さよりも短い。保護層３８の第２方向Ｄｙの端部３８ｆは、導電層５９の外周よりも表示領域１０ａに近い位置に配置される。このような構成により、導電層５９の一部が保護層３８から露出する。
導電層５９は、第２基板３１のほぼ全面に形成され、表示領域１０ａの全面及び周辺領域１０ｂに亘って連続して設けられている。すなわち、導電層５９は、検出電極ＴＤＬの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと重畳する部分と、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと重畳しない部分とを有している。導電層５９の、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと重畳しない部分が、隣り合って配置された第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖ同士を接続する。
図１８に示すように、導電性接着層３９は、保護層３８の全面に設けられる。さらに導電性接着層３９は、周辺領域１０ｂにおいて、導電層５９の、保護層３８と重ならない部分に接する。
また、導電層５９は、図１９に示すように、接続配線３４ａ、３４ｂ、第１配線３７ａ及び第２配線３７ｂと重畳する位置に設けられていることが好ましい。導電層５９の平面視での面積は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖの合計の面積よりも大きい。
導電層５９は、ＥＳＤ対策のために設けられる。導電層５９は、透光性導電層であり、例えば、ＩＴＯ、ＩＺＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ、有機導電膜などを含む。導電層５９は、これらの材料の１種以上に加え絶縁性酸化物を含有してもよい。導電層５９は、例えば、特開２００７−１４８２０１号公報、特開２０１３−１４２１９４号公報に記載されている、酸化スズ（ＳｎＯ２）及び二酸化ケイ素（ＳｉＯ２）を主成分とする酸化物層や、酸化ガリウム（Ｇａ２Ｏ３）、酸化インジウム（Ｉｎ２Ｏ３）及び酸化スズ（ＳｎＯ２）を主成分とする酸化物層や、ＩＴＯを主材料としケイ素（Ｓｉ）を含有する透光性の導電層等を用いてもよい。
図２０は、第４の実施形態に係る静電気の流れを模式的に説明するための説明図である。図２０に示すように、偏光板３５の表面に外部から静電気ＳＥが印加された場合、静電気ＳＥは、偏光板３５を介して導電性接着層３９に流れる。そして、導電性接着層３９に流れた静電気ＳＥは、導電層５９に流れる。このように、導電性接着層３９が偏光板３５及び導電層５９に直接、接して設けられている。このため、偏光板３５が帯電することを抑制できる。
図２０に示すように、導電層５９は、第１シールド層５１及び検出電極ＴＤＬの第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖと直接接して重なる。このような構成により、外部から静電気ＳＥが第１シールド層５１及び検出電極ＴＤＬに流れた場合、静電気ＳＥｂは、導電層５９に流れる。
上述したように検出電極ＴＤＬは、センサ部ＴＤＬｓとダミー部ＴＤＬｄ（図９参照）とを含む。導電層５９が設けられていない場合、ダミー部ＴＤＬｄは、センサ部ＴＤＬｓや各種配線と接続されない状態となる。このため、外部から静電気ＳＥが印加されて帯電すると、ダミー部ＴＤＬｄの電荷が抜けにくい可能性がある。
本実施形態では、導電層５９は、センサ部ＴＤＬｓとダミー部ＴＤＬｄとの両方に接している。このため、外部から静電気ＳＥがダミー部ＴＤＬｄに流れた場合、静電気ＳＥは、ダミー部ＴＤＬｄから導電層５９に流れる。本実施形態では、検出電極ＴＤＬのダミー部ＴＤＬｄと接して導電層５９を設けることによりダミー部ＴＤＬｄの電荷を短時間に除去することができる。
そして、導電層５９に流れる静電気ＳＥは、検出部４０に含まれる抵抗素子や、ＥＳＤ保護回路（図示しない）を介して、電源やＧＮＤ（接地電位）に流れる、すなわち放電される。また、導電層５９は、例えば、表示装置１Ｃの筐体などに接地されていてもよい。
導電層５９は、第２基板３１の端部まで配置されることが好ましい。さらに、導電層５９は、周辺領域１０ｂから、導電テープ等により、電源やＧＮＤに電気的に接続されていてもよい。
これにより、本実施形態では、導電性接着層３９及び導電層５９を設けることにより、偏光板３５が帯電することを抑制できる。さらに、本実施形態では、検出電極ＴＤＬから液晶層６を介して駆動電極ＣＯＭＬに流れる静電気ＳＥａを抑制することができる。これにより、本実施形態の表示装置１Ｃは、静電気ＳＥによる表示品質の低下やタッチ検出精度の低下を抑制できる。
導電層５９のシート抵抗値は、例えば１０８Ω／□以上、１０１４Ω／□以下である。より好ましくは、導電層５９のシート抵抗値は、例えば１０９Ω／□以上、１０１３Ω／□以下である。導電層５９のシート抵抗値は、偏光板３５の抵抗値よりも低い。導電層５９のシート抵抗値は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖのシート抵抗値よりも高い。また、導電層５９のシート抵抗値は、第１シールド層５１及び検出電極ＴＤＬよりも高い。
導電層５９のシート抵抗値が、例えば１０８Ω／□よりも低い場合、導電層５９がシールドとして機能し、タッチ検出性能が低下する可能性がある。また、導電層５９のシート抵抗値が、１０１４Ω／□よりも高い場合、静電気ＳＥが導電層５９に良好に流れない可能性がある。また、導電性接着層３９のシート抵抗値は、導電層５９のシート抵抗値以下であることが好ましい。こうすれば、静電気ＳＥが偏光板３５に帯電することを抑制して、静電気ＳＥを短時間に偏光板３５から導電層５９に流すことができる。
導電性接着層３９及び導電層５９のシート抵抗値が、偏光板３５の抵抗値よりも低いので、静電気ＳＥが導電性接着層３９及び導電層５９を良好に流れる。導電性接着層３９及び導電層５９のシート抵抗値は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖのシート抵抗値よりも高いので、導電性接着層３９及び導電層５９はシールドとして機能せず、タッチ検出性能が低下することはない。上述のシート抵抗値の範囲であれば、偏光板３５の静電気ＳＥが導電性接着層３９及び導電層５９に流れ、静電気を短時間に除去することができる。また、検出電極ＴＤＬが帯電することを抑制できる。
（第５の実施形態）
図２１は、第５の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図２２は、第５の実施形態に係る第２基板の平面図である。図２３は、第５の実施形態に係る検出電極を部分的に拡大して示す平面図である。なお、図２１は、図２２に示すＥ１−Ｅ２線に沿う断面図である。上述した第１の実施形態から第４の実施形態では、相互静電容量方式のタッチ検出を行う表示装置１、１Ａ−１Ｃを説明したが、これに限定されない。本実施形態の表示装置１Ｄは、検出電極ＴＤＬＡにより自己静電容量方式によりタッチ検出を行う。
図２１に示すように、第２基板３１の上に検出電極ＴＤＬＡ及び第７シールド層５７が設けられている。保護層３８は、検出電極ＴＤＬＡの上に設けられる。導電性接着層３９は、保護層３８と偏光板３５との間に設けられる。導電性接着層３９は、保護層３８の全面に設けられる。さらに、導電性接着層３９は、第７シールド層５７の、保護層３８と重ならない部分に接する。
図２２に示すように、検出電極ＴＤＬＡは、行列配置された複数の小電極部ＴＡを含む。複数の小電極部ＴＡは、複数の金属配線３３ｅと、金属配線３３ｆとを有する。金属配線３３ｅ及び金属配線３３ｆは、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖ（図８、図９等参照）と同様の構成を有している。すなわち、複数の金属配線３３ｅと、複数の金属配線３３ｆとがそれぞれ複数交差すると、検出電極ＴＤＬＡの１つの網目の形状が平行四辺形となる。金属配線３３ｅ及び金属配線３３ｆは、それぞれ表示領域１０ａの第２方向Ｄｙに沿って複数配列されており、表示領域１０ａのほぼ全面に網目状の金属配線が形成される。
図２２に示すように、小電極部ＴＡは、互いに離隔してマトリクス状に複数配置される。第１方向Ｄｘに複数配列された小電極部ＴＡは、点線９１ａに示す箇所に設けられたスリットで、互いに電気的に分離される。第２方向Ｄｙに複数配列された小電極部ＴＡは、点線９１ｂに示す箇所に設けられたスリットで、互いに電気的に分離される。複数の小電極部ＴＡは、それぞれ周辺領域１０ｂに設けられた配線３７Ａを介して、フレキシブル基板７１に接続される。
本実施形態において、複数の小電極部ＴＡは、それぞれ検出電極として機能する。本実施形態の表示装置１Ｄは、複数の小電極部ＴＡの自己静電容量に基づいて、指等の被検出体を検出することができる。駆動電極ドライバ１４（図１参照）は、表示領域１０ａの複数の小電極部ＴＡに、同時又は時分割的に駆動信号を供給する。小電極部ＴＡは、それぞれの容量変化に基づいた信号を電圧検出器ＤＥＴ（図３参照）に出力する。これにより検出部４０は自己静電容量方式によりタッチ検出を行う。この場合、図２１に示す駆動電極ＣＯＭＬは、タッチ検出における駆動電極として機能せず、表示の際に共通電極として機能する。
図２２に示すように、第２基板３１の周辺領域１０ｂに第７シールド層５７が設けられている。第７シールド層５７は、検出電極ＴＤＬＡと同様のメッシュ状の金属配線を有する。第７シールド層５７は、周辺領域１０ｂのうち、表示領域１０ａに対してフレキシブル基板７１、７２が接続された周辺領域１０ｂの一辺と反対側の辺に設けられる。第７シールド層５７は、配線５０ｃ、５０ｄを介してフレキシブル基板７１に接続される。
次に、本実施形態のタッチ検出電極ＴＤＬＡの詳細な構成について説明する。図２３に示すように、本実施形態に係る検出電極ＴＤＬＡは、小電極部ＴＡ１１、ＴＡ２１、ＴＡ３１、ＴＡ１２、ＴＡ２２、ＴＡ３２を含む。小電極部ＴＡ１１は、第２基板３１（図２１参照）と平行な平面上で第２方向Ｄｙに延在する複数の金属配線３３ｅと複数の金属配線３３ｆとを含む。複数の金属配線３３ｅと複数の金属配線３３ｆとは、第２方向Ｄｙに交互に並べられ接続されて構成されている。複数の金属配線３３ｅと複数の金属配線３３ｆとは同じ材料で形成され、上述の金属材料が用いられる。
複数の金属配線３３ｅと複数の金属配線３３ｆとは、交差部ＴＤＸで導通している。これにより、金属配線３３ｅと金属配線３３ｆは、細線片Ｕａ及び細線片Ｕｂで囲まれた包囲領域ｍｅｓｈ１を形成する。なお、金属配線３３ｅと金属配線３３ｆとは、交差部ＴＤＸで接続されていなくてもよい。例えば、金属配線３３ｅにおける細線片Ｕａの中間部と、金属配線３３ｆにおける細線片Ｕｂの中間部とで接続され導通されていてもよい。小電極部ＴＡ２１、ＴＡ３１、ＴＡ１２、ＴＡ２２、ＴＡ３２も、小電極部ＴＡ１１と同様の構成を有する。
小電極部ＴＡ１１は、配線部ＴＢ１１によって、周辺領域１０ｂに形成された端子部ＴＥ１に接続されている。配線部ＴＢ１１は、複数の細線片Ｕａ及び複数の細線片Ｕｂが第２方向Ｄｙに交互に並べられ接続されて構成されており、小電極部ＴＡ１１から周辺領域１０ｂまで第１方向Ｄｘに延在する。
同様に、小電極部ＴＡ２１は、配線部ＴＢ２１によって、周辺領域１０ｂに形成された端子部ＴＥ２に接続されている。小電極部ＴＡ１２は、配線部ＴＢ１２によって、周辺領域１０ｂに形成された端子部ＴＥ４に接続されている。小電極部ＴＡ２２は、配線部ＴＢ２２によって、周辺領域１０ｂに形成された端子部ＴＥ５に接続されている。
配線部ＴＢ２１、ＴＢ１２、ＴＢ２２は、配線部ＴＢ１１と同様に、複数の細線片Ｕａ及び複数の細線片Ｕｂが第２方向Ｄｙに交互に並べられ接続されて構成されている。なお、小電極部ＴＡ３１は、表示領域１０ａの端部に位置する。このため、小電極部ＴＡ３１は、周辺領域１０ｂに形成された端子部ＴＥ３に直接、接続されている。同様に、小電極部ＴＡ３２は、周辺領域１０ｂに形成された端子部ＴＥ６に直接、接続されている。端子部ＴＥ１、ＴＥ２、…、ＴＥ６は、図２２に示す配線３７Ａとそれぞれ接続される。
ダミー電極ＴＤＤは、細線片Ｕｃ及び細線片Ｕｄを含む。細線片Ｕｃは細線片Ｕａと略同一形状を有する。細線片Ｕｄは細線片Ｕｂと略同一形状を有する。細線片Ｕｃは細線片Ｕａと平行に配置し、細線片Ｕｄは細線片Ｕｂと平行に配置する。また、細線片Ｕｃと細線片Ｕｄは、２つの細線片Ｕｃ及び２つの細線片Ｕｄで囲まれる包囲領域ｍｅｓｈ２の面積が、包囲領域ｍｅｓｈ１と同じになるように配置する。これにより、検出電極ＴＤＬＡが配置される領域と、そうでない領域との遮光性の差が小さくなるので、検出電極ＴＤＬＡが視認されやすくなる可能性を低減できる。
上記の構成により、表示装置１Ｄは、仮に金属配線３３ｅと金属配線３３ｆのうち一方の金属配線の一部が細くなり、導通が不確実でも、交差部ＴＤＸで他方の金属配線に接続されているため、タッチ検出の確率を高めることができる。
本実施形態においても、図２１に示すように、導電性接着層３９は、周辺領域１０ｂのうち、表示領域１０ａに対してフレキシブル基板７１と反対側の一辺において、第７シールド層５７に接する。これにより、図１２に示す例と同様に、静電気ＳＥが偏光板３５から導電性接着層３９を介して第７シールド層５７に流れる。このため、偏光板３５自体が帯電することを抑制できる。また、静電気ＳＥが第７シールド層５７に流れることで検出電極ＴＤＬＡの帯電も抑制できる。以上のように、本実施形態の表示装置１Ｄは、静電気ＳＥによる表示品質の低下やタッチ検出精度の低下を抑制できる。
（第６の実施形態）
図２４は、第６の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図２５は、第６の実施形態に係る第１基板の平面図である。図２６は、第６の実施形態に係る第２基板の平面図である。図２７は、第６の実施形態に係る駆動回路の一例を示す回路図である。なお、図２４は、図２６に示すＦ１−Ｆ２線に沿う断面図である。
図２４及び図２５に示すように、第１基板２１に複数の駆動電極ＣＯＭＬＡが配列されている。本実施形態の表示装置１Ｅにおいて、駆動電極ＣＯＭＬＡは、タッチ検出の際に検出電極として機能する。このため、図２４に示すように、第２基板３１には検出電極ＴＤＬ、ＴＤＬＡが設けられていない。第２基板３１の上には、第１シールド層５１、第８シールド層５８及び保護層３８が設けられている。
導電性接着層３９は、第２基板３１のほぼ全面に設けられ、保護層３８と偏光板３５との間に設けられる。また、第１シールド層５１及び第８シールド層５８は、第２基板３１の表面に垂直な方向において、第２基板３１と導電性接着層３９との間に設けられる。これにより、導電性接着層３９は、第１シールド層５１及び第８シールド層５８と接している。第８シールド層５８は、接続部材７３を介して第１基板２１に電気的に接続される。接続部材７３の接続部７３ａが第１基板２１と接続される。
図２５に示すように、駆動電極ＣＯＭＬＡは、第１基板２１の表示領域１０ａに行列状に複数配置される。言い換えると、駆動電極ＣＯＭＬＡは、第１方向Ｄｘに複数配列されるとともに、第２方向Ｄｙに複数配列される。１つの駆動電極ＣＯＭＬＡに重畳して、複数の画素電極２２が配列される。なお、図２５では、一部の駆動電極ＣＯＭＬＡ及び画素電極２２を示しているが、駆動電極ＣＯＭＬＡ及び画素電極２２は、表示領域１０ａの全領域に行列状に配置される。
駆動電極ＣＯＭＬＡは、それぞれ配線３７を介して駆動電極ドライバ１４Ｂに接続される。表示動作において、駆動電極ドライバ１４Ｂは、全ての駆動電極ＣＯＭＬＡに対して、表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃを供給する。
また、自己静電容量方式のタッチ検出において、駆動電極ドライバ１４Ｂは、駆動電極ＣＯＭＬＡに対して、同時又は時分割的に検出用の駆動信号Ｖｃｏｍを供給する。駆動電極ＣＯＭＬＡは、駆動電極ＣＯＭＬＡの容量変化に応じた信号を電圧検出器ＤＥＴに出力する。各駆動電極ＣＯＭＬＡからのセンサ出力信号に基づいて、タッチ検出面のタッチ検出が行われる。つまり、駆動電極ＣＯＭＬＡは、表示動作の際に共通電極として機能するとともに、自己静電容量方式によるタッチ検出の際に検出電極として機能する。
図２６に示すように、第２基板３１の表示領域１０ａには、検出電極ＴＤＬ、ＴＤＬＡが設けられていない。第２基板３１の周辺領域１０ｂに第１シールド層５１、第８シールド層５８が設けられる。第８シールド層５８は、第１導電性細線３３Ｕ及び第２導電性細線３３Ｖを含み、第１シールド層５１と類似したメッシュ状の構成である。
第１シールド層５１は、全体として第１方向Ｄｘに延出し、表示領域１０ａの外周の一辺に沿って設けられる。第８シールド層５８は、表示領域１０ａに対して、第１シールド層５１の反対側の周辺領域１０ｂに設けられる。すなわち、第８シールド層５８は、第２方向Ｄｙにおいて、表示領域１０ａを挟んで第１シールド層５１と対向する。
第１シールド層５１の一端側に配線５０ｅが接続され、他端側に配線５０ｆが接続される。配線５０ｅは、周辺領域１０ｂの長辺の一方に沿って設けられる。また、配線５０ｆは、周辺領域１０ｂの長辺の他方に沿って設けられる。配線５０ｅ、５０ｆは、それぞれ、第８シールド層５８に接続される。このような構成により、第１シールド層５１、配線５０ｅ、５０ｆ及び第８シールド層５８は、ループ状に接続される。
第８シールド層５８には、接続部材７３が接続される。接続部材７３は、例えば導電性テープである。第１シールド層５１及び第８シールド層５８は、接続部材７３を介して、第１基板２１に接続される。第１シールド層５１及び第８シールド層５８は、第１基板２１のフレキシブル基板７２に電気的に接続される。或いは、第１シールド層５１及び第８シールド層５８は、接続部材７３を介して表示装置１Ｅの筐体などに接地されていてもよい。
図２７は、第６の実施形態に係る駆動回路の一例を示す回路図である。図２７に示す駆動回路１４Ｂａは、駆動電極ＣＯＭＬＡを順次走査するスキャナ回路である。駆動回路１４Ｂａは、図２５に示す駆動電極ドライバ１４Ｂに含まれ、第１基板２１の周辺領域１０ｂに設けられる。
図２７に示すように、駆動電極ＣＯＭＬＡが配列されている。駆動電極ＣＯＭＬＡは、例えば、第１方向Ｄｘにｍ個配列され、第２方向Ｄｙにｎ個配列される。第２方向Ｄｙに配列された駆動電極ＣＯＭＬＡに、それぞれ配線３７（１）、３７（２）、…、３７（ｎ−１）、３７（ｎ）が接続される。
駆動回路１４Ｂａは、スイッチＳＷ２１、ＳＷ２２、配線ＬＣ、ＬＤ（１）、ＬＤ（２）、…、ＬＤ（ｎ−１）、ＬＤ（ｎ）及びシフトレジスタ７５（１）、…、７５（ｍ）を含む。シフトレジスタ７５（１）、…、７５（ｍ）は、それぞれ第１方向Ｄｘに配列された駆動電極ＣＯＭＬＡに対応して設けられる。
なお、以下の説明において、シフトレジスタ７５（１）、…、７５（ｍ）を区別して説明する必要がない場合には、シフトレジスタ７５と表す。配線３７（１）、３７（２）、…、３７（ｎ−１）、３７（ｎ）を区別して説明する必要がない場合には、配線３７と表す。配線ＬＤ（１）、ＬＤ（２）、…、ＬＤ（ｎ−１）、ＬＤ（ｎ）を区別して説明する必要がない場合には、配線ＬＤと表す。
スイッチＳＷ２１、ＳＷ２２は、各駆動電極ＣＯＭＬＡにそれぞれ接続される。スイッチＳＷ２１の一端は、配線３７を介して駆動電極ＣＯＭＬＡに接続される。スイッチＳＷ２１の他端は、配線ＬＣに接続される。スイッチＳＷ２２の一端は、配線３７を介して駆動電極ＣＯＭＬＡに接続される。スイッチＳＷ２２の他端は、配線ＬＤに接続される。配線ＬＤ（１）、ＬＤ（２）、…、ＬＤ（ｎ−１）、ＬＤ（ｎ）は、それぞれ配線３７（１）、３７（２）、…、３７（ｎ−１）、３７（ｎ）に対応して設けられる。１つのシフトレジスタ７５は、第２方向Ｄｙに配列された複数の駆動電極ＣＯＭＬＡに対応している。
スイッチＳＷ２１とスイッチＳＷ２２とは、シフトレジスタ７５から供給される走査信号により動作が制御される。図２７に示す例では、スイッチＳＷ２１とスイッチＳＷ２２とは、互いに反転した接続動作を行う。例えば、同じ走査信号が供給された場合において、スイッチＳＷ２１がオンの場合、スイッチＳＷ２２はオフとなり、スイッチＳＷ２１がオフの場合、スイッチＳＷ２２はオンとなる。
表示用の駆動信号Ｖｃｏｍｄｃは、配線ＬＣを介して駆動電極ＣＯＭＬＡに供給される。また、検出用の駆動信号Ｖｃｏｍは、配線ＬＤを介して駆動電極ＣＯＭＬＡに供給される。
本実施形態において、シフトレジスタ７５（１）、…、７５（ｍ）は、制御部１１からの走査開始信号により走査を開始する。シフトレジスタ７５（１）、…、７５（ｍ）は、制御部１１からのクロック信号に同期して順次、走査信号を供給する。
シフトレジスタ７５から供給された走査信号により、スイッチＳＷ２１がオフになり、スイッチＳＷ２２がオンになる。これにより駆動対象の駆動電極ＣＯＭＬＡに、配線ＬＤ、スイッチＳＷ２２を介して駆動信号Ｖｃｏｍが供給される。図２７に示す例では、１つのシフトレジスタ７５からの走査信号により、第２方向Ｄｙに配列された複数の駆動電極ＣＯＭＬＡが同時に選択される。そして、駆動信号Ｖｃｏｍは、配線ＬＤ（１）、ＬＤ（２）、…、ＬＤ（ｎ−１）、ＬＤ（ｎ）及び配線３７（１）、３７（２）、…、３７（ｎ−１）、３７（ｎ）を介して、第２方向Ｄｙに配列された複数の駆動電極ＣＯＭＬＡに同時に供給される。
一方、走査信号が供給されない場合には、スイッチＳＷ２１がオンになり、スイッチＳＷ２２がオフになる。これにより駆動対象として選択されていない非選択の駆動電極ＣＯＭＬＡは、配線ＬＣ、スイッチＳＷ２１を介して駆動信号Ｖｃｏｍｄｃが供給される。
第８シールド層５８は、平面視で、駆動回路１４Ｂａの配線ＬＣ、ＬＤ、スイッチＳＷ２１、ＳＷ２２の一部と重なって配置される。これにより、第８シールド層５８は、駆動回路１４Ｂａから発生する電磁ノイズをシールドすることができる。したがって、駆動回路１４Ｂａから発生するノイズによる検出性能の低下を抑制できる。
本実施形態においても、図２４に示すように、導電性接着層３９は、周辺領域１０ｂにおいて、第８シールド層５８に接する。これにより、図１２に示す例と同様に、静電気ＳＥが偏光板３５から導電性接着層３９を介して第８シールド層５８に流れる。静電気ＳＥは、接続部材７３を介して、例えば表示装置１Ｅの筐体等に流れる。このため、偏光板３５自体が帯電することを抑制できる。また、静電気ＳＥが第８シールド層５８に流れることで駆動電極ＣＯＭＬＡに静電気ＳＥが流れることも抑制できる。以上のように、本実施形態の表示装置１Ｅは、静電気ＳＥによる表示品質の低下やタッチ検出精度の低下を抑制できる。
（第７の実施形態）
図２８は、第７の実施形態に係る表示装置の概略断面構造を表す断面図である。図２９は、第７の実施形態に係る第１基板の平面図である。図３０は、第７の実施形態に係る第２基板の平面図である。図２８は、図２９に示すＧ１−Ｇ２線に沿う断面図である。
本実施形態の表示装置１Ｆにおいても、駆動電極ＣＯＭＬＡは、タッチ検出の際に検出電極として機能する。図２８に示すように、第２基板３１と偏光板３５との間に導電性接着層３９が設けられる。導電性接着層３９は、第２基板３１のほぼ全面に接して設けられる。
図３０に示すように、第２基板３１の周辺領域１０ｂに端子部７６が設けられている。端子部７６は、平面視で、後述するガードリング２８と重なる位置に設けられる。図３０に示す例では、端子部７６は、２つ設けられているが、これに限定されず、１つ又は３つ以上設けられていてもよい。また、端子部７６の位置は特に限定されず、ガードリング２８と重なる位置であればよい。本実施形態では、第２基板３１の表示領域１０ａに、検出電極ＴＤＬ、ＴＤＬＡは設けられておらず、周辺領域１０ｂに第１シールド層５１、第８シールド層５８等は設けられていない。
図２８に示すように、第２基板３１の周辺領域１０ｂに貫通孔３１Ａが設けられる。貫通孔３１Ａは、第２基板３１の一方の面から、他方の面に貫通して設けられる。また、シール部６１には、貫通孔６１Ａが設けられる。貫通孔６１Ａは、第１基板２１と第２基板３１との間を貫通して設けられる。さらに、第１基板２１の、シール部６１と対向する面に、凹部２１Ａが設けられる。貫通孔３１Ａ、貫通孔６１Ａ及び凹部２１Ａは連通して設けられる。
貫通孔３１Ａ、貫通孔６１Ａ及び凹部２１Ａは、エッチングやレーザ加工により形成することができる。例えば、シール部６１を介して第１基板２１と第２基板３１とが積層された積層体に、レーザ光を照射することにより、貫通孔３１Ａ、貫通孔６１Ａ及び凹部２１Ａを一括して形成することができる。この場合、レーザ光源としては、炭酸ガスレーザ装置などが適用可能である。これに限定されず、レーザ光源はガラス材料及び有機系材料に穴あけ加工ができるものであればよく、例えばエキシマレーザ装置等であってもよい。
貫通孔３１Ａ、貫通孔６１Ａ及び凹部２１Ａの内部には、接続部材７７が設けられている。接続部材７７は、銅（Ｃｕ）や、銀（Ａｇ）等の導電性材料を含む。接続部材７７は、貫通孔３１Ａ、貫通孔６１Ａ及び凹部２１Ａの内部に充填されている。これに限定されず、接続部材７７は貫通孔３１Ａ、貫通孔６１Ａ及び凹部２１Ａの内面に設けられ、平面視で中空状に形成されていてもよい。
接続部材７７は、第２基板３１に設けられた端子部７６と、第１基板２１に設けられたガードリング２８とを接続する。このような構成により、導電性接着層３９は、貫通孔３１Ａ、貫通孔６１Ａを介してガードリング２８と電気的に接続される。
図２９に示すように、ガードリング２８は、第１基板２１の周辺領域１０ｂに設けられる。ガードリング２８は、周辺領域１０ｂのうち、フレキシブル基板７２が設けられていない３つの辺に沿って設けられる。ガードリング２８の一端は、配線２９ａを介して表示用ＩＣ１９に接続され、他端は配線２９ｂを介して表示用ＩＣ１９に接続される。ガードリング２８及び配線２９ａ、２９ｂにより囲まれた領域に、ゲートドライバ１２、駆動電極ドライバ１４Ｂ等の各種回路や、駆動電極ＣＯＭＬＡ及び配線３７が配置される。
駆動電極ドライバ１４（図１参照）は、タッチ検出の際に、ガード信号をガードリング２８に供給する。ガード信号は、駆動信号Ｖｃｏｍと同期した、同じ電位を有する電圧信号である。これにより、ガードリング２８は、駆動電極ＣＯＭＬＡと同じ電位を有して駆動される。このため、駆動電極ＣＯＭＬＡの寄生容量が低減され、タッチ検出性能を向上させることができる。
本実施形態において、導電性接着層３９は、端子部７６及び接続部材７７を介してガードリング２８と接続される。このような構成により、静電気ＳＥは、偏光板３５から導電性接着層３９、端子部７６及び接続部材７７を介してガードリング２８に流れる。静電気ＳＥは、ガードリング２８を介して、例えば表示装置１Ｆの筐体等に流れる。このため、偏光板３５が帯電することを抑制できる。また、静電気ＳＥがガードリング２８に流れることで駆動電極ＣＯＭＬＡに静電気ＳＥが流れることも抑制できる。以上のように、本実施形態の表示装置１Ｅは、静電気ＳＥによる表示品質の低下やタッチ検出精度の低下を抑制できる。
本実施形態では、導電性接着層３９がガードリング２８と接続されているが、これに限定されない。導電性接着層３９は、第１基板２１側に設けられた導電層に、貫通孔３１Ａを介して接続される構成であればよい。また、本実施形態では、ガードリング２８は周辺領域１０ｂの３つの辺に沿って設けられる構成について説明したが、これに限定されない。ガードリング２８は、周辺領域１０ｂの辺のうち、少なくとも１つの辺に沿って設けられていればよい。また、ガードリング２８は周辺領域１０ｂの２つの辺に沿って設けられていてもよい。この場合は、当該２つの辺は、交差する辺でも、平行な辺であってもよい。ただし、ノイズによるタッチ検出精度の低下を抑制するため、配線３７に沿ってガードリング２８を設けることが好ましい。
以上、本発明の好適な実施の形態を説明したが、本発明はこのような実施の形態に限定されるものではない。実施の形態で開示された内容はあくまで一例にすぎず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。本発明の趣旨を逸脱しない範囲で行われた適宜の変更についても、当然に本発明の技術的範囲に属する。
例えば、本態様の表示装置は、以下の態様をとることができる。
（１）基板と、
前記基板と平行な面上の表示領域に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
前記表示領域の外側の周辺領域に設けられた第１導電層と、
前記検出電極の上に設けられた保護層と、
前記保護層の上側に設けられた偏光板と、
前記基板に対し垂直な方向において、前記偏光板と前記保護層との間に設けられた第２導電層と、を有し、
前記第２導電層は、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、前記第１導電層と電気的に接続される検出装置。
（２）前記基板の前記周辺領域の一方の辺に、フレキシブル基板が接続される端子部が設けられており、
前記第１導電層は、前記表示領域に対して前記端子部と反対側の前記周辺領域の他方の辺に設けられる上記（１）に記載の検出装置。
（３）前記基板の前記周辺領域の一方の辺に、フレキシブル基板が接続される端子部が設けられており、
前記第１導電層は、前記周辺領域の一方の辺に設けられる上記（１）に記載の検出装置。
（４）前記基板の前記周辺領域の一方の辺にフレキシブル基板が接続される端子部が設けられており、
前記第１導電層は、前記周辺領域の一方の辺と交差する方向に延出する辺に設けられる上記（１）に記載の検出装置。
（５）前記第２導電層のシート抵抗値は、前記偏光板のシート抵抗値よりも小さく、前記第１導電層のシート抵抗値よりも高い、上記（１）乃至上記（４）のいずれか１つに記載の検出装置。
（６）前記第１導電層は、前記検出電極と同じ電位を有する電圧信号が供給される上記（１）乃至上記（５）のいずれか１つに記載の検出装置。
（７）前記第１導電層は、複数の配線がメッシュ状に設けられる上記（１）乃至上記（６）のいずれか１つに記載の検出装置。
（８）前記第１導電層は、前記表示領域及び前記周辺領域に設けられ、前記金属配線と接しており、かつ、前記基板に対し垂直な方向において、前記基板と前記金属配線との間に設けられ、
前記第２導電層は、前記第１導電層の、前記検出電極よりも外側に設けられた部分と接する上記（１）に記載の検出装置。
（９）前記第２導電層のシート抵抗値は、前記偏光板のシート抵抗値よりも小さく、前記第１導電層のシート抵抗値以下である、上記（８）に記載の検出装置。
（１０）前記第１導電層及び前記第２導電層のそれぞれは、透光性導電層である、上記（８）又は上記（９）に記載の検出装置。
（１１）前記検出電極は、前記表示領域に行列状に複数配置されている上記（１）乃至上記（１０）のいずれか１つに記載の検出装置。
（１２）前記第２導電層は、導電性接着層である上記（１）乃至上記（１１）のいずれか１つに記載の検出装置。
（１３）前記第２導電層は、前記保護層に設けられた凹部を介して、前記第１導電層と直接接する、上記（１）乃至上記（７）のいずれか１つに記載の検出装置。
（１４）上記（１）乃至上記（１３）のいずれか１つに記載の検出装置と、
前記基板と平行な面上において、前記検出電極と対向して行列配置された複数の画素電極と、
画像信号に基づいて駆動される表示機能層と、を有する表示装置。
（１５）前記基板と平行な面上に設けられ、前記検出電極との間に静電容量を形成する駆動電極を有する、上記（１４）に記載の表示装置。
（１６）第１基板と、
前記第１基板と平行な面上の表示領域において行列状に複数配置された検出電極と、
前記第１基板と対向する第２基板と、
平面視で、前記表示領域の外側の周辺領域に設けられた第１導電層と、
前記第２基板の上側に設けられた偏光板と、
前記偏光板と前記第２基板との間に設けられた第２導電層と、を有し、
前記第２導電層は、前記第１導電層と電気的に接続されている検出装置。
（１７）前記第１導電層は、前記第２基板の表面に垂直な方向において、前記第２基板と前記第２導電層の間に設けられる上記（１６）に記載の検出装置。
（１８）前記第１導電層は、導電性を有する接続部材を介して第１基板側に電気的に接続される上記（１７）に記載の検出装置。
（１８）前記第１導電層は、前記第１基板の前記周辺領域に設けられ、
前記第２導電層は、前記第２基板に設けられた貫通孔を介して前記第１導電層と電気的に接続される上記（１６）に記載の検出装置。
１、１Ａ、１Ｂ、１Ｃ、１Ｄ、１Ｅ、１Ｆ 表示装置
６ 液晶層
１０ 表示パネル
１１ 制御部
２０ 表示部
２１ 第１基板
２２ 画素電極
２８ ガードリング
３０ タッチセンサ
３１ 第２基板
３５、６５ 偏光板
３６、３６ａ、３６ｂ 端子部
３８ 保護層
３９ 導電性接着層
４０ 検出部
５１ 第１シールド層
５２ 第２シールド層
５３ 第３シールド層
５４ 第４シールド層
５５ 第５シールド層
５６ 第６シールド層
５７ 第７シールド層
５８ 第８シールド層
５９ 導電層
７３、７７ 接続部材
ＣＯＭＬ、ＣＯＭＬＡ 駆動電極
ＴＤＬ、ＴＤＬＡ 検出電極

Claims (14)

  1. 基板と、
    前記基板と平行な面上の表示領域に設けられ、複数の金属配線を有する検出電極と、
    前記表示領域の外側の周辺領域に設けられた第１導電層と、
    前記検出電極の上に設けられた保護層と、
    前記保護層の上側に設けられた偏光板と、
    前記基板に対し垂直な方向において、前記偏光板と前記保護層との間に設けられた第２導電層と、を有し、
    前記第２導電層は、導電性接着層であり、前記金属配線よりも高いシート抵抗値を有し、前記第１導電層の上面と側面とを覆うと共に前記第１導電層と直に接し、
    前記検出電極、前記保護層、前記第２導電層、前記偏光板の順に積層される検出装置。
  2. 前記基板の前記周辺領域の一方の辺に、フレキシブル基板が接続される端子部が設けられており、
    前記第１導電層は、前記表示領域に対して前記端子部と反対側の前記周辺領域の他方の辺に設けられる請求項１に記載の検出装置。
  3. 前記基板の前記周辺領域の一方の辺に、フレキシブル基板が接続される端子部が設けられており、
    前記第１導電層は、前記周辺領域の一方の辺に設けられる請求項１に記載の検出装置。
  4. 前記基板の前記周辺領域の一方の辺にフレキシブル基板が接続される端子部が設けられており、
    前記第１導電層は、前記周辺領域の一方の辺と交差する方向に延出する辺に設けられる請求項１に記載の検出装置。
  5. 前記第２導電層のシート抵抗値は、前記偏光板のシート抵抗値よりも小さく、前記第１導電層のシート抵抗値よりも高い、請求項１乃至請求項４のいずれか１項に記載の検出装置。
  6. 前記第１導電層は、前記検出電極と同じ電位を有する電圧信号が供給される請求項１乃至請求項５のいずれか１項に記載の検出装置。
  7. 前記第１導電層は、複数の配線がメッシュ状に設けられる請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の検出装置。
  8. 前記検出電極は、前記表示領域に行列状に複数配置されている請求項１乃至請求項６のいずれか１項に記載の検出装置。
  9. 前記第２導電層は、前記保護層に設けられた凹部を介して、前記第１導電層と直接接する、請求項１乃至請求項７のいずれか１項に記載の検出装置。
  10. 請求項１乃至請求項９のいずれか１項に記載の検出装置と、
    前記基板と平行な面上において、前記検出電極と対向して行列配置された複数の画素電極と、
    画像信号に基づいて駆動される表示機能層と、を有する表示装置。
  11. 前記基板と平行な面上に設けられ、前記検出電極との間に静電容量を形成する駆動電極を有する、請求項１０に記載の表示装置。
  12. 第１基板と、
    前記第１基板と平行な面上の表示領域において行列状に複数配置された検出電極と、
    前記第１基板と対向する第２基板と、
    平面視で、前記表示領域の外側の周辺領域に設けられた第１導電層と、
    前記第２基板の上側に設けられた偏光板と、
    前記偏光板と前記第２基板との間に設けられた第２導電層と、を有し、
    前記第２導電層は、導電性接着層であり、前記第１導電層の上面と側面とを覆うと共に前記第１導電層と直に接し、
    前記第１基板、前記検出電極、前記第２基板、前記第１導電層、前記第２導電層、前記偏光板の順に積層される検出装置。
  13. 前記第１導電層は、前記第２基板の表面に垂直な方向において、前記第２基板と前記第２導電層の間に設けられる請求項１２に記載の検出装置。
  14. 前記第１導電層は、導電性を有する接続部材を介して第１基板側に電気的に接続される請求項１３に記載の検出装置。
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